CN112015022A - 主动阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种主动阵列基板及其制作方法，主动阵列基板包括基板及配置于基板上的多个像素结构，各像素结构包括扫描线、数据线以及像素电极。扫描线配置于基板上并沿第一方向延伸。数据线配置于基板上并沿第二方向延伸，第一方向相交于第二方向，数据线与扫描线定义像素区以及第一切割净空区。像素电极配置于基板上且具有第一部及与第一部连接的第二部，第一部位于像素区，第二部位于第一切割净空区，第二部在基板的垂直投影不重叠于数据线在基板的垂直投影。可避免切割主动阵列基板时，造成主动阵列基板的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。
Description
技术领域
本发明是关于一种主动阵列基板及其制作方法。
背景技术
近年来，随着科技产业日益发达，电子装置例如移动电话(mobile phone)、平板电脑(tablet computer)或电子书(eBook)已广泛地应用于日常生活中。目前常见的电泳显示器是由电泳显示薄膜(electrophoresis display film)以及主动元件阵列基板组装而成。
然而，以现有技术制作不同尺寸的电泳显示器需要订制，造成成本高昂。而利用切割方式将电泳显示器切割成小尺寸的电泳显示器，可能造成切割处的上下电极导通而短路，产生合格率不佳的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种主动阵列基板，主动阵列基板包括基板及配置于基板上的多个像素结构。各像素结构包括数据线及扫描线，通过数据线及扫描线定义第一切割净空区及第二切割净空区，并使主动阵列基板的切割位置落在第一切割净空区及第二切割净空区，可以依想要的显示装置的尺寸，在主动阵列基板的显示区沿第一方向及第二方向切割所需的主动阵列基板的范围，因此可达到显示装置尺寸弹性化的优点，且无须额外的光罩来制备不同尺寸的主动阵列基板，而可提供模块化的生产，因此可达到工艺弹性化及节省成本的优点。并且，通过在第一切割净空区的不同层的导体在基板的垂直投影不互相重叠，且在第二切割净空区的不同层的导体在基板的垂直投影不互相重叠，可避免在主动阵列基板的显示区(例如第一切割净空区及第二切割净空区)切割时，造成主动阵列基板的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。
在一实施例中，一种主动阵列基板包括基板及配置于基板上的多个像素结构。各像素结构包括扫描线、数据线以及像素电极。扫描线配置于基板上并沿第一方向延伸。数据线配置于基板上并沿第二方向延伸，第一方向相交于第二方向，数据线与扫描线定义像素区以及第一切割净空区。像素电极配置于基板上，且具有第一部及与第一部连接的第二部，第一部位于像素区，第二部位于第一切割净空区，第二部在基板的垂直投影不重叠于数据线在基板的垂直投影。
在一实施例中，像素电极的第二部沿第二方向的长度介于约10微米至约200微米之间。
在一实施例中，像素电极的第一部在基板的垂直投影不重叠于数据线在基板的垂直投影。
在一实施例中，各像素结构更包括共通电极。共通电极包括第一部及与共通电极的第一部相连接的第二部，共通电极的第一部及第二部别位于像素区及第一切割净空区，共同电极的第二部在基板的垂直投影不重叠于像素电极的第二部在基板的垂直投影。
在一实施例中，共通电极的第二部与像素电极的第二部沿第一方向间隔一定距离。
在一实施例中，共通电极的第二部与像素电极的第二部之间沿第一方向的距离介于约3微米至约7微米之间。
在一实施例中，数据线与扫描线还定义第二切割净空区，像素区位于数据线及第二切割净空区之间，像素电极更包括第三部，第三部位于第二切割净空区，第三部在基板的垂直投影不重叠于共通电极在基板的垂直投影。
在一实施例中，共通电极的第二部与像素电极的第三部间隔一定距离。
在一实施例中，一种主动阵列基板的制作方法包括以下步骤。在基板上形成栅极。在栅极上形成通道层。在基板上形成源极、漏极、共通电极与数据线，其中源极与漏极连接通道层。在源极、漏极、共通电极与数据线上形成绝缘层，栅极、通道层、源极与漏极构成主动元件。在绝缘层上形成像素电极，其中像素电极包含第一部与第二部，第二部与第一部连接，第一部位于主动元件上，第二部与数据线间隔第一距离，且第二部与共通电极间隔第二距离。
在一实施例中，像素电极更包括第三部，第三部与第一部连接，第三部与共通电极间隔第三距离。
与现有技术相比，本发明的主动阵列基板及其制作方法，可避免切割主动阵列基板时，造成主动阵列基板的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，并可提升产品合格率及可靠度。
附图说明
阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本发明的多个方面。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。
图1绘示根据本发明的一实施例的主动阵列基板的俯视图；
图2为图1中区域R的放大示意图；
图3为图2中剖线A-A的剖面图；
图4A至图4C是根据本发明的一实施例的图2的第一子区域及第二子区域沿剖线B-B的制作流程的剖面示意图；
图5是应用本发明的像素结构的电泳显示装置的剖面图；以及
图6绘示根据本发明的一实施例的主动阵列基板的制作方法的流程图。
主要附图标记说明：
100-主动阵列基板，102-基板，102A-显示区，102B-非显示区，104-像素结构，106-扫描线驱动电路，108-数据线驱动电路，110-扫描线，112-数据线，114-像素电极，114A-金属层，114B-透明导电层，116-辅助电极，118-共通电极，120-第一绝缘层，122-第二绝缘层，124-缓冲层，126-电泳显示装置，128-透明基板，130-透明电极层，132-微胶囊，134-电泳液，136-黑色带电粒子，138-白色带电粒子，200-流程图，202、204、206、208、210-步骤，1140-第一部，1142-第二部，1144-第三部，1180-第一部，1182-第二部，A-A-剖线，B-B-剖线，C1、C2-通道层，CUT1-第一切割线，CUT2-第二切割线，D1-第一方向，D2-第二方向，DE1、DE2-漏极，GE1、GE2-栅极，L1、L2-长度，NP1-第一切割净空区，NP2-第二切割净空区，P-像素区，R-区域，R1-第一子区域，R2-第二子区域，S1-第一距离，S2-第二距离，S3-第三距离，S4-第四距离，SE1、SE2-源极，T、T1、T2-主动元件，TH-开口。
具体实施方式
以下将以附图及详细说明清楚说明本发明的精神，任何所属技术领域中的技术人员在了解本发明的实施例后，当可由本发明所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本发明的精神与范围。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上方或上”，在实施例中将包含第一特征及第二特征具有直接接触；且也将包含第一特征和第二特征为非直接接触，具有额外的特征形成于第一特征和第二特征之间。此外，本发明在多个范例中将重复使用元件标号以和/或文字。重复的目的在于简化与厘清，而其本身并不会决定多个实施例以和/或所讨论的配置之间的关系。
此外，方位相对词汇，如“在…之下”、“下面”、“下”、“上方”或“上”或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于附图中的一个元件或特征至另外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在附图中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被另外设置(旋转90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可以相应地进行解释。
图1绘示根据本发明的一实施例的主动阵列基板100的俯视图，图2为图1中区域R的放大示意图，请一并参照图1及图2，主动阵列基板100包括基板102及配置于基板102上的多个像素结构104、扫描线驱动电路106及数据线驱动电路108。基板102包括显示区102A及非显示区102B，像素结构104位于显示区102A，扫描线驱动电路106及数据线驱动电路108位于非显示区102B。像素结构104以阵列配置于基板102上，并包括配置于基板102上的多条数据线112及多条扫描线110。扫描线110与数据线112电性绝缘且互相交叉，举例而言，扫描线110沿第一方向D1延伸，数据线112沿第二方向D2延伸，在本实施例中，第一方向D1相交于第二方向D2，举例而言，第一方向D1可垂直于第二方向D2，但本发明不限于此。扫描线110及数据线112的材质可包括金属，例如是铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)等金属或其合金，但本发明并不以此为限。本实施例的像素结构104可应用于显示装置，例如电泳显示装置(见图5)。
数据线112及扫描线110定义像素区P及第一切割净空区NP1，第一切割净空区NP1朝第一方向D1延伸，像素结构104还包括多个主动元件T，主动元件T位于像素区P内，且主动元件T与对应的扫描线110及数据线112电性连接。扫描线驱动电路106以及数据线驱动电路108分别用以将对应的信号输入给扫描线110及数据线112，以使像素结构104进行显示。
在一实施例中，主动元件T包括主动元件T1、T2。主动元件T1包括栅极GE1、通道层C1、源极SE1与漏极DE1，主动元件T2包括栅极GE2、通道层C2、源极SE2与漏极DE2。通道层C1位于栅极GE1上方，通道层C2位于栅极GE2上方。源极SE1与漏极DE1连接通道层C1，源极SE2漏极DE2连接通道层C2，主动元件T1、T2共用一条扫描线110及一条数据线112，具体而言，如图2所示，主动元件T1的源极SE1与数据线112相连接以用以传递数据信号，且主动元件T1的漏极DE1与主动元件T2的源极SE2相连，扫描线110与栅极GE1及栅极GE2电性连接而用以传递扫描信号。栅极GE1及GE2、源极SE1及SE2以及漏极DE1及DE2的材质可包括金属，例如是铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)等金属或其合金，但本发明并不以此为限。通道层C1、C2的材质可以例如是铟镓锌氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、铟锌氧化物(Indium-Zinc Oxide,IZO)、镓锌氧化物(Gallium-Zinc Oxide,GZO)、氧化铝锌(Aluminum-Zinc Oxide,AZO)、锌锡氧化物(Zinc-Tin Oxide,ZTO)或铟锡氧化物(Indium-Tin Oxide,ITO)等。
像素结构104进一步包括像素电极114，像素电极114配置于基板102上，并与主动元件T1、T2电性连接，具体而言，像素电极114通过开口TH与漏极DE2接触。在本实施例中，像素电极114包括第一部1140及与第一部1140相连的第二部1142，第一部1140位于像素区P及主动元件T之上，换言之，第一部1140在基板102的垂直投影重叠于主动元件T1、T2在基板102的垂直投影，第二部1142位于第一切割净空区NP1，第二部1142在基板102的垂直投影不重叠于主动元件T1、T2在基板102的垂直投影。第一切割净空区NP1会预留足够的沿第二方向D2的长度L1，以提供高切割成功率。第一切割净空区NP1的沿第二方向D2的长度L1可实质上等同于位于第一切割净空区NP1的像素电极114的第二部1142的沿第二方向D2的长度。在一实施例中，第一切割净空区NP1的沿第二方向D2的长度L1介于约10微米至约200微米之间。在其它实施例中，长度L1可介于约80微米至约100微米之间。换句话说，像素电极114的第二部1142沿第二方向D2的长度介于约10微米至约200微米之间。在其它实施例中，像素电极114的第二部1142沿第二方向D2的长度可介于约80微米至约100微米之间。通过设计数据线112及扫描线110所定义的第一切割净空区NP1，可以依照想要的显示装置的尺寸，在主动阵列基板100的显示区102A沿第一方向D1切割(例如沿第一切割线CUT1切割)，以获得所选择的主动阵列基板100的沿第二方向D2的长度。举例而言，可以使主动阵列基板100的沿第二方向D2的长度缩短。因此可达到显示装置尺寸弹性化的优点，且因无须额外的光罩来制备不同尺寸的主动阵列基板100，而可提供模块化的生产，因此可达到工艺弹性化及节省成本的优点。
在一实施例中，切割主动阵列基板100的方式例如是激光束、钻石刀、刀轮等可在基板102表面产生预定裂纹的任意工具，但本发明不限于此。在一实施例中，激光束的切割线宽的范围为约10纳米至约80纳米。
在一实施例中，基板102的材质例如是玻璃或塑胶。为了方便主动阵列基板100在切割过程中可受到稳定的支撑且在切割完成后可具备可挠性，在一实施例中，主动阵列基板100的基板102可包括软性基板与支撑基板，软性基板设置于像素结构104与支撑基板之间。具体来说，软性基板的材质可例如为聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PA)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,PEN)或聚醚亚酰胺(polyetherimide，PEI)等可挠性材料。在主动阵列基板100切割完成后，可选择性地将软性基板与支撑基板分离。此时，基板102可仅由软性基板构成。
像素结构104还包括辅助电极116及共通电极118，共通电极118夹于辅助电极116与像素电极114之间，辅助电极116可电性连接于像素电极114，像素电极114及辅助电极116电性独立于共通电极118。在一实施例中，像素电极114与共通电极118之间夹有绝缘层(例如图3的第二绝缘层122及缓冲层124)，且共通电极118与辅助电极116之间也夹有绝缘层(例如图3的第一绝缘层120)，举例而言，共通电极118施加有共通电压(Vcom)，而使像素电极114与辅助电极116电性耦合共通电极118以形成需要的储存电容。共通电极118以及辅助电极116的材质可包括金属，例如是铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)等金属或其合金，但本发明并不以此为限。
在本实施例中，扫描线110、栅极GE1及GE2及辅助电极116位于同一层，举例而言，扫描线110、栅极GE1及GE2及辅助电极116可由第一导电层图案化而形成，并包括相同材料及相同厚度，数据线112、源极SE1及SE2、漏极DE1及DE2以及共通电极118位于同一层，举例而言，数据线112、源极SE1及SE2、漏极DE1及DE2以及共通电极118可由第二导电层图案化而形成，并包括相同材料及相同厚度，像素电极114由第三导电层图案化而形成，第一导电层、第二导电层以及第三导电层位于不同层。需说明的是，上述第一、第二及第三导电层仅是用以区别不同道工艺所形成的膜层，而非用以限定两者形成的先后顺序。在实际工艺中，第一导电层可制作于第二导电层之前或之后。
图3为图2中剖线A-A的剖面图，一并参照图2及图3，像素电极114的第二部1142在基板102的垂直投影不重叠于数据线112在基板102的垂直投影。举例而言，像素电极114的第二部1142与数据线112沿第一方向D1间隔第一距离S1。在一实施例中，第一距离S1介于约3微米至约7微米之间。如此一来，因为切割位置落在第一切割净空区NP1，可避免在主动阵列基板100的显示区102A(例如第一切割净空区NP1)切割时，造成主动阵列基板100的边缘处的位于不同层别的导体(例如数据线112及像素电极114)之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。
像素结构104还包括第一绝缘层120，第一绝缘层120位于共通电极118及基板102之间。像素结构104还包括第二绝缘层122及位于第二绝缘层122上的缓冲层124。在一实施例中，共通电极118的相对两表面分别接触第一绝缘层120及第二绝缘层122。第二绝缘层122及缓冲层124位于像素电极114及共通电极118之间。在一实施例中，像素电极114位于缓冲层124之上且接触缓冲层124。第一绝缘层120、第二绝缘层122及缓冲层124的材质可为有机绝缘材料，其例如为聚对二甲苯基(Parylene)、六甲基硅氧烷(HMDSO)或其他具有绝缘性质的有机材料。
在本实施例中，共通电极118包括第一部1180及与第一部1180相连接的第二部1182，共通电极118的第一部1180及第二部1182分别位于像素区P及第一切割净空区NP1。在一实施例中，共通电极118的第二部1182在基板102的垂直投影面积实质上小于数据线112在基板102的垂直投影面积。共通电极118的第二部1182在基板102的垂直投影不重叠于像素电极114的第二部1142在基板102的垂直投影。进一步而言，共通电极118的第二部1182与像素电极114的第二部1142沿第一方向D1间隔第二距离S2。在一实施例中，第二距离S2介于约3微米至约7微米之间。如此一来，因为切割位置落在第一切割净空区NP1，可避免在主动阵列基板100的显示区102A(例如第一切割净空区NP1)切割时，造成主动阵列基板100的边缘处的位于不同层别的导体(例如共通电极118及像素电极114)之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。
数据线112与扫描线110还定义第二切割净空区NP2，第二切割净空区NP2沿第二方向D2延伸且与第一切割净空区NP1相交。在一实施例中，第二切割净空区NP2可实质上垂直于第一切割净空区NP1。像素区P位于数据线112及第二切割净空区NP2之间。像素电极114还包括第三部1144位于第二切割净空区NP2。第三部1144在基板102的垂直投影不重叠于主动元件T1、T2在基板102的垂直投影。第二切割净空区NP2会预留足够的沿第一方向D1的长度L2，以提供高切割成功率。第二切割净空区NP2的沿第一方向D1的长度L2可实质上等同于位于第二切割净空区NP2的像素电极114的第三部1144的沿第一方向D1的长度。在一实施例中，第二切割净空区NP2的沿第一方向D1的长度L2介于约10微米至约200微米之间。在其它实施例中，长度L2可介于约80微米至约100微米之间。换句话说，像素电极114的第三部1144沿第一方向D1的长度介于约10微米至约200微米之间。在其它实施例中，像素电极114的第三部1144沿第一方向D1的长度可介于约80微米至约100微米之间。通过设计数据线112及扫描线110所定义的第二切割净空区NP2，可以依想要的显示装置的尺寸，在主动阵列基板100的显示区102A沿第二方向D2切割(例如沿第二切割线CUT2切割)，以获得所选择的主动阵列基板100的沿第一方向D1的长度。举例而言，可以使主动阵列基板100的沿第一方向D1的长度缩短。因此可达到显示装置尺寸弹性化的优点，且无须额外的光罩来制备不同尺寸的主动阵列基板100，而可提供模块化的生产，因此可达到工艺弹性化及节省成本的优点。
像素电极114的第三部1144在基板102的垂直投影不重叠于共通电极118在基板102的垂直投影。进一步而言，像素电极114的第三部1144与共通电极118的第二部1182沿第一方向D1间隔第三距离S3。在一实施例中，第三距离S3介于约3微米至约7微米之间。像素电极114的第二部1142及像素电极114的第三部1144沿第一方向D1间隔第四距离S4。在一实施例中，第四距离S4实质上大于约10微米。如此一来，因为切割位置落在第二切割净空区NP2，可避免在主动阵列基板100的显示区102A切割时，造成主动阵列基板100的边缘处的位于不同层别的导体(例如共通电极118及像素电极114)之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。
在一实施例中，像素电极114包括金属层、透明导电层、类似物或以上的组合。举例而言，像素电极114为双层结构。进一步而言，像素电极114包括金属层114A及位于金属层114A上的透明导电层114B。在一实施例中，金属层114A包括铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)等金属或其合金，透明导电层114B包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物，但本发明并不以此为限。透明导电层114B可以保护金属层114A免于氧化或腐蚀，提升像素电极114的可靠度。
图4A至图4C是根据本发明的一实施例的图2的第一子区域R1及第二子区域R2沿剖线B-B的制作流程的剖面示意图。请先参照图4A，首先，提供基板102，并于基板102上形成整层的第一导电层(未绘示)。接着，图案化第一导电层，以形成主动元件T1的栅极GE1、主动元件T2的栅极GE2、辅助电极116(见图2)及扫描线110(见图2)。接着，请参照图4B，于基板102上形成第一绝缘层120，以共同覆盖栅极GE1、GE2、辅助电极116(见图2)及扫描线110(见图2)。的后，在预形成薄膜晶体管(例如：主动元件T1、T2)的第二子区域R2的第一绝缘层120上形成通道层C1、C2，通道层C1、C2位于栅极GE1、GE2上方。通道层C1、C2的形成方法例如是先形成一层金属氧化物半导体材料，接着再图案化金属氧化物半导体材料，以移除栅极GE1、GE2上方以外的金属氧化物半导体材料。接着，在第一绝缘层120及通道层C1、C2上形成整层的第二导电层(未绘示)，接着，图案化第二导电层，以形成源极SE1及SE2、漏极DE1及DE2、共通电极118(例如第二部1182)及数据线112(见图2)。
接着，请参照图4C，依序形成第二绝缘层122及缓冲层124组合的双层于源极SE1及SE2、漏极DE1及DE2、共通电极118(例如第二部1182)及数据线112上。然后，在缓冲层124上形成整层的第三导电层(未绘示)，接着，图案化第三导电层，以形成像素电极114(包括金属层114A及位于金属层114A上的透明导电层114B)，其中像素电极114包括第一部1140、第二部1142及第三部1144，如前所述，于此不再赘述。第二绝缘层122、缓冲层124及像素电极114的材质如前所述，因此不再重复赘述。形成主动阵列基板100的各层的制作方式可以包括先于基板102上以需要的材质形成整层的材质层，之后依据各层需要的图案将此材质层图案化而完成需要的构件。形成整层的材质层的方法可以是沉积法、涂布法等，沉积法例如可利用化学气相沉积法或其他薄膜沉积技术。图案化材质层的方法可包括微影蚀刻法、激光法等。在其他的实施例中，各构件的制作方式可以是采用印刷的方式。
本实施例的像素结构104可应用于显示装置，例如电泳显示装置126。图5是应用本发明的像素结构104的电泳显示装置126的剖面图。请参照图5，电泳显示装置126包括透明基板128、透明电极层130、微胶囊132与本实施例的像素结构104。为求简化说明，图上仅绘示像素结构104的主动元件T(包括主动元件T1、T2)、像素电极114、以及第二绝缘层122及缓冲层124所组合成的双层。透明基板128配置于像素结构104的上方，透明电极层130配置于透明基板128之下。透明电极层130的材料可以是铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物，但本发明并不限制透明电极层130的材料。
微胶囊132介于透明电极层130与像素结构104之间做为显示介质。每一个微胶囊132包括电泳液134，以及分布于电泳液134中的多个黑色带电粒子136与多个白色带电粒子138。通过施加直流电压或交流电压的方式可以驱动黑色带电粒子136与白色带电粒子138的移动。从而使各像素结构104分别显示黑色、白色或是不同阶调的灰色。此外，透明基板128及基板102的材料可以是具有可挠性的材料，例如塑胶。此电泳显示装置126可做为电子纸(e-paper)或电子书(e-book)。
微胶囊132内的带电粒子并不限于黑色与白色。在另一个例子里，电泳液134与带电粒子可以具有其他颜色例如是红色、绿色或蓝色，使电泳显示装置126具有全彩的效果，于此并不加以限制。当然，也可在电泳显示装置126中搭配彩色滤光片技术，但本发明并不以此为限。
本发明的实施例提供一种主动阵列基板100，主动阵列基板100包括配置于基板102上的多个像素结构104，通过数据线112及扫描线110定义第一切割净空区NP1及第二切割净空区NP2，并使主动阵列基板100的切割位置落在第一切割净空区NP1及第二切割净空区NP2，可以依想要的显示装置的尺寸，在主动阵列基板100的显示区102A沿第一方向D1(例如沿第一切割线CUT1)及第二方向D2(例如沿第二切割线CUT2)切割所需的主动阵列基板100的范围，因此可达到显示装置尺寸弹性化的优点，且无须额外的光罩来制备不同尺寸的主动阵列基板100，而可提供模块化的生产，因此可达到工艺弹性化及节省成本的优点。并且，通过在第一切割净空区NP1的不同层的导体在基板102的垂直投影不互相重叠，且在第二切割净空区NP2的不同层的导体在基板102的垂直投影不互相重叠，可避免在主动阵列基板100的显示区102A(例如第一切割净空区NP1及第二切割净空区NP2)切割时，造成主动阵列基板100的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。
图6绘示根据本发明的一实施例的主动阵列基板100的制作方法的流程图200。参考图1至图6，本实施例的流程图200至少可适用于图1至图4C的主动阵列基板100。在步骤202中，在基板102上形成栅极GE1、GE2、辅助电极116及扫描线110(未绘示)。在步骤204中，于基板102上形成第一绝缘层120、通道层C1、C2，并于第一绝缘层120及通道层C1、C2上形成源极SE1及SE2、漏极DE1及DE2、共通电极118(例如第一部1180)及数据线112。在步骤206中，依序形成第二绝缘层122及缓冲层124组合的双层及像素电极114于源极SE1及SE2、漏极DE1及DE2、共通电极118(例如第一部1180)及数据线112上。在步骤208中，沿第一方向D1切割主动阵列基板100的第一切割净空区NP1。在步骤210中，沿第二方向D2切割主动阵列基板100的第二切割净空区NP2。另外，关于主动阵列基板100的相关实施例以及元件特征可由上述图1至图4C的实施例的说明获致足够的教示、建议与实施说明，因此不再赘述。
以上概述多个实施方式或实施例的特征，使所属领域中的技术人员可以从各个方面更加了解本发明。本技术领域中的技术人员应可理解，且可轻易地以本发明为基础来设计或修饰其他工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到在此介绍的实施方式或实施例相同的优点。本技术领域中的技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本发明的精神与范围。在不背离本发明的精神与范围的前提下，可对本发明进行各种改变、置换或修改。
Claims (10)
1.一种主动阵列基板，其特征在于，包含：
基板；以及
多个像素结构，配置于所述基板上，各所述多个像素结构包含：
扫描线，配置于基板上并沿第一方向延伸；
数据线，配置于所述基板上并沿第二方向延伸，所述第一方向相交于所述第二方向，所述数据线与所述扫描线定义像素区以及第一切割净空区；以及
像素电极，配置于所述基板上，且具有第一部及与所述第一部相连的第二部，其中所述第一部位于所述像素区，所述第二部位于所述第一切割净空区，所述第二部在所述基板的垂直投影不重叠于所述数据线在所述基板的垂直投影。
2.如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，所述像素电极的所述第二部沿所述第二方向的长度介于10微米至200微米之间。
3.如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，所述像素电极的所述第一部在所述基板的垂直投影不重叠于所述数据线在所述基板的垂直投影。
4.如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，各所述像素结构还包含：
共通电极，所述共通电极包含第一部及与所述共通电极的所述第一部相连接的第二部，所述共通电极的所述第一部及所述第二部别位于所述像素区及所述第一切割净空区，所述共同电极的所述第二部在所述基板的垂直投影不重叠于所述像素电极的所述第二部在所述基板的垂直投影。
5.如权利要求4所述的主动阵列基板，其特征在于，所述共通电极的所述第二部与所述像素电极的所述第二部沿所述第一方向间隔一定距离。
6.如权利要求4所述的主动阵列基板，其特征在于，所述共通电极的所述第二部与所述像素电极的所述第二部之间沿所述第一方向的距离介于3微米至7微米之间。
7.如权利要求4所述的主动阵列基板，其特征在于，所述数据线与所述扫描线还定义第二切割净空区，所述像素区位于所述数据线及所述第二切割净空区之间，所述像素电极还包含第三部位于所述第二切割净空区，所述第三部在所述基板的垂直投影不重叠于所述共通电极在所述基板的垂直投影。
8.如权利要求7所述的主动阵列基板，其特征在于，所述共通电极的所述第二部与所述像素电极的所述第三部间隔一定距离。
9.一种主动阵列基板的制作方法，其特征在于，包含：
在基板上形成栅极；
在所述栅极上形成第一绝缘层；
在所述栅极上形成通道层；
在所述基板上形成源极、漏极、共通电极与数据线，其中所述源极与所述漏极连接所述通道层；
在所述源极、所述漏极、所述共通电极与所述数据线上形成第二绝缘层，所述栅极、所述通道层、所述源极与所述漏极构成主动元件；以及
在所述第二绝缘层上形成像素电极，其中所述像素电极包含第一部与第二部，所述第二部与所述第一部连接，所述第一部位于所述主动元件上，所述第二部与所述数据线间隔第一距离，且所述第二部与所述共通电极间隔第二距离。
10.如权利要求9所述的主动阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极还包含第三部，所述第三部与所述第一部连接，所述第三部与所述共通电极间隔第三距离。
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