CN110426905A - 彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板 - Google Patents
彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110426905A CN110426905A CN201910640625.7A CN201910640625A CN110426905A CN 110426905 A CN110426905 A CN 110426905A CN 201910640625 A CN201910640625 A CN 201910640625A CN 110426905 A CN110426905 A CN 110426905A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- aperture
- color blocking
- array substrate
- flatness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 276
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 102
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 24
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本申请提供一种彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板。彩膜阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管阵列结构层；在薄膜晶体管阵列结构层上形成一保护层；在保护层上形成色阻层；在色阻层上形成平坦层；在平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构，开孔结构同时贯穿所述平坦层、色阻层和保护层且裸露出所述源漏金属层；在平坦层上形成透明导电层，透明导电层覆盖开孔结构并与源漏金属层电性连接。在色阻层的制程时，不进行开孔处理，而在完成平坦层后进行开孔处理，将平坦层、色阻层和保护层贯通形成开孔结构；这样的设置，一是避免了色阻层开口的需求，降低了色阻层的开发难度；二是提高了产品的开口率。
Description
技术领域
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板。
背景技术
COA(Color-filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术。其能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提升显示开口率。其中在生产工艺过程中，COA技术要求对色阻层进行开孔，以便最上层的像素电极能够与彩色色阻的下层的薄膜晶体管阵列结构层的金属层导通。
在现有的技术中，一般要求在制备色阻层时，利用曝光的工艺进行开孔。但是，考虑到色阻层在曝光工艺中，其光罩与基板上的标识对位时，会有±3～4um的偏差，因而会要求加大开孔区下层的金属宽度。另外在色阻层的后一道制程，对平坦层开孔时，同样会因为光罩与基板上的标识对位精度偏差，会要求色阻层的开孔宽度CD2要较平坦层的开孔宽度CD3大6～8um，如图1。这样会有两个问题，一是由于色阻层开孔的加大会进一步加大金属的宽度CD1，从而降低了产品的开口率；二是由于色阻层开孔不能做太小，从而使小尺寸产品无法做到高解析度的要求。
发明内容
本申请实施例提供一种彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板，以解决现有的彩膜阵列基板的制备方法的开口率较低的技术问题。
本申请实施例提供一种彩膜阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层，所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层；
在所述薄膜晶体管阵列结构层上形成一保护层；
在所述保护层上形成色阻层；
在所述色阻层上形成平坦层；
在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构，所述开孔结构同时贯穿所述平坦层、所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层；
在所述平坦层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述开孔结构并与所述源漏金属层电性连接。
在本申请的彩膜阵列基板的制备方法中，所述在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构，包括以下步骤：
在所述平坦层形成第一开孔；
在所述色阻层和所述保护层上对应于所述第一开孔的区域形成第二开孔，所述第二开孔贯穿所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层，所述第一开孔和第二开孔形成所述开孔结构。
在本申请的彩膜阵列基板的制备方法中，所述第一开孔采用光刻工艺形成；所述第二开孔采用干法刻蚀形成。
在本申请的彩膜阵列基板的制备方法中，所述第一开孔和所述第二开孔采用同一光罩形成。
在本申请的彩膜阵列基板的制备方法中，所述在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构的步骤中，采用干法刻蚀工艺一次形成所述开孔结构。
在本申请的彩膜阵列基板的制备方法中，所述保护层为无机材料层。
在本申请的彩膜阵列基板的制备方法中，所述在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层，包括以下步骤：
在所述基板上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成所述源漏金属层。
本申请还涉及一种彩膜阵列基板，其包括：
基板；
薄膜晶体管阵列结构层，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层；
保护层，设置在所述薄膜晶体管阵列结构层上；
色阻层，设置在所述保护层上；
平坦层，设置在所述色阻层上；
开孔结构，贯穿所述平坦层、色阻层和保护层，且裸露出所述源漏金属层；
以及
透明导电层，设置在所述平坦层上并覆盖所述开孔结构，所述透明导电层电性连接所述源漏金属层。
在本申请的彩膜阵列基板中，所述平坦层上开设有第一开孔；所述色阻层和保护层上开设有第二开孔；所述第一开孔和所述第二开孔形成所述开孔结构；
所述第二开孔包括上部分和下部分，所述上部分的孔壁由所述色阻层形成，所述下部分的孔壁由所述保护层形成；所述第一开孔的孔壁由所述平坦层形成。
在本申请的彩膜阵列基板中，所述第一开孔采用光刻工艺形成；所述第二开孔采用干法刻蚀形成。
在本申请的彩膜阵列基板中，所述第一开孔和所述第二开孔采用同一光罩形成。
在本申请的彩膜阵列基板中，所述保护层为无机材料层。
在本申请的彩膜阵列基板中，所述薄膜晶体管阵列结构层还包括栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和所述源漏金属层。
相较于现有技术的彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板，本申请的彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板在色阻层的制程时，不进行开孔处理，而在完成平坦层后进行开孔处理，将平坦层、色阻层和保护层贯通形成开孔结构；这样的设置，一是避免了色阻层开口的需求，降低了色阻层的开发难度；二是避免了在进行色阻层制程时的光罩与基板标识的对位，避免了因精度不够产生的偏差；三是提高了产品的开口率；解决了现有的彩膜阵列基板的制备方法的开口率较低的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为现有技术的彩膜阵列基板的一部分的结构示意图；
图2为本申请的实施例的彩膜阵列基板的制备方法的流程示意图；
图3为本申请的实施例的彩膜阵列基板的制备方法的另一流程示意图；
图4为图2中步骤S2的流程示意图；
图5为图2中步骤S6的流程示意图；
图6为本申请的实施例的彩膜阵列基板的结构示意图；
图7为本申请实施例的彩膜阵列基板的开孔结构的结构示意图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图2和图3，图2为本申请的实施例的彩膜阵列基板的制备方法的流程示意图；图3为本申请的实施例的彩膜阵列基板的制备方法的另一流程示意图。
本申请实施例提供一种彩膜阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
S1：提供一基板；
S2：在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层，所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层；
S3：在所述薄膜晶体管阵列结构层上形成一保护层；
S4：在所述保护层上形成色阻层；
S5：在所述色阻层上形成平坦层；
S6：在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构，所述开孔结构同时贯穿所述平坦层、所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层；
S7：在所述平坦层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述开孔结构并与所述源漏金属层电性连接。
本申请的实施例的彩膜阵列基板100的制备方法在色阻层的制程时(步骤S4)，不进行开孔处理，而在完成平坦层(步骤S5)后进行开孔处理，将平坦层、色阻层和保护层贯通形成开孔结构。
这样的设置，相对于现有技术，一是避免了先在色阻层开口的需求，降低了色阻层的开发难度；二是避免了在进行色阻层制程时的光罩与基板标识的对位，避免了因精度不够产生的偏差；三是提高了产品的开口率。
另外，在现有技术中，由于色阻层先进行开孔，而后平坦层会填充色阻层的开孔，这样在进行平坦层的开孔时，开孔处的平坦层膜厚较其他区域要厚，需要更多的光照进行分解，因而在生产过程中，在曝光一定的情况下，需要更多的曝光时间，加大了生产的节拍时间，从而限制了产能的提升。
那本申请实施例的彩膜阵列基板的制备方法在色阻层的制程时(步骤S4)，不进行开孔处理，而在完成平坦层(步骤S5)后进行开孔处理，将平坦层、色阻层和保护层贯通形成开孔结构的设置，由于色阻层没有先开孔，原本开孔区的平坦层膜厚并没有比其他区域要厚，如此可以降低了平坦层制程的曝光时间，从而提升了产能，降低了产品的生产成本。
以下为本申请的实施例的彩膜阵列基板的制备方法的具体阐述。
步骤S1：提供一基板11。可选的，基板11为刚性基板，比如玻璃基板。可选的，基板11为柔性基板，比如聚酰亚胺基板。随后转入步骤S2。
步骤S2：在所述基板11上形成薄膜晶体管阵列结构层12。
具体的，请参照图4，步骤S2包括以下步骤：
步骤S21：在所述基板11上形成栅极金属层121；
步骤S22：在所述栅极金属层121上形成栅极绝缘层122；
步骤S23：在所述栅极绝缘层122上形成有源层123；
步骤S24：在所述有源层123上形成欧姆接触层(图中未示出)；
步骤S25：在所述欧姆接触层上形成所述源漏金属层124。
薄膜晶体管阵列结构层12包括多个薄膜晶体管以及金属走线。薄膜晶体管包括顶栅薄膜晶体管和底栅薄膜晶体管，本申请的实施例以底栅薄膜晶体管进行说明，但并不限于此。另外，薄膜晶体管阵列结构层为现有技术，故不再赘述。随后转入步骤S3。
步骤S3：在所述薄膜晶体管阵列结构层12上形成一保护层13。保护层13用于保护源漏金属层124。可选的，保护层13为无机材料层，比如SiNx。其中，保护层采用化学气相沉积法沉积在薄膜晶体管和覆盖整个基板11。保护层13可以是多层结构，由两种不同的无机材料交替层叠形成。随后转入步骤S4。
步骤S4：在所述保护层13上形成色阻层14。其中采用光刻工艺在保护层13上形成图案化的色阻层14，其中，色阻层14包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻等。
其中需要说明的是，在形成色阻层14后不对色阻层14的开孔区域进行开孔处理，而是直接转入步骤S5。
步骤S5：在所述色阻层14上形成平坦层15。其中形成平坦层15的工艺可以是光刻工艺，可以是涂布工艺也可以是喷墨打印工艺，等等。只要能形成平坦层15即可。随后转入步骤S6。
步骤S6：在所述平坦层15、色阻层14和保护层13上形成开孔结构16，所述开孔结构16同时贯穿所述平坦层15、所述色阻层14和所述保护层13且裸露出所述源漏金属层124。
具体的，请参照图5，步骤S6包括以下步骤：
步骤S61：在所述平坦层15形成第一开孔161；
步骤S62：在所述色阻层14和所述保护层13上对应于所述第一开孔161的区域形成第二开孔162，所述第二开孔162贯穿所述色阻层14和所述保护层13且裸露出所述源漏金属层124，所述第一开孔161和第二开孔162形成所述开孔结构16。
在步骤S61中，平坦层15为光刻胶。采用光刻工艺制程中的光刻胶涂布和预烘烤形成平坦层的预备结构，随后，对所述预备结构的开孔区域通过一光罩进行曝光，后显影，以形成第一开孔161。其中，光刻工艺也叫做照相蚀刻技术(Photo engraving process，PEP)。
在步骤S62中，当第一开孔161形成后，在色阻层14和保护层13对应于第一开孔161的区域进行干法刻蚀处理，以便形成第二开孔162，直到第二开孔162裸露出源漏金属层124。
其中，由于色阻层14没有先开孔，原本开孔区域的平坦层15膜厚并没有比其他区域要厚，如此可以降低了平坦层15制程的曝光时间，从而提升了产能，降低了产品的生产成本。
另外，色阻层14和保护层13通过干法刻蚀在色阻层14开孔，降低了色阻层14的开发难度，提高了产品的开口率，并能够在小尺寸机种上做到高分辨率的产品，比如8K和16K。而且在平坦层15制程中，进行光罩与基板11的对位后，后续的色阻层14开孔则不需要再一次的对位，节省了工序，且避免了再一次对位产生的偏差。
也就是由于避免了色阻层14进行开孔的对位，所以色阻层14的开孔不产生偏差，进而使得色阻层14的开孔的宽度可以减小，从而可减小电连接于透明导电层17的源漏金属层124的宽度，进而提高了开口率。
综上，第一开孔161和第二开孔162采用一光罩与基板进行标识对位即完成开孔结构的处理。
在一些实施例中，开孔结构也可以采用干法刻蚀工艺一次形成。即在完成平坦层后，在平坦层的开孔区域采用干法刻蚀工艺一次挖孔成型，以形成开孔结构。
随后转入步骤S7。
步骤S7：在平坦层15上形成透明导电层17。透明导电层17覆盖开孔结构16并与源漏金属层124电性连接。其中，透明导电层17可以是氧化铟锡。
这样便完成了本申请实施例的彩膜阵列基板100的制备方法。
请参照图6，图6为本申请的实施例的彩膜阵列基板的结构示意图。本申请还涉及一种彩膜阵列基板100，其包括基板11、薄膜晶体管阵列结构层12、保护层13、色阻层14、平坦层15、开孔结构16和透明导电层17。
具体的，薄膜晶体管阵列结构层12设置在基板11上。薄膜晶体管阵列结构层12包括栅极金属层121、栅极绝缘层122、有源层123、欧姆接触层(图未示出)和源漏金属层124。保护层13设置在薄膜晶体管阵列结构层12上。色阻层14设置在保护层13上。平坦层15设置在色阻层14上。开孔结构16贯穿平坦层15、色阻层14和保护层13，且裸露出源漏金属层124。透明导电层17设置在平坦层15上并覆盖开孔结构16。透明导电层17电性连接所述源漏金属层124。
需要说明的是，本申请的色阻层14先不进行开孔，在形成色阻层14后，直接在色阻层14上形成平坦层15。本申请的彩膜阵列基板100的开孔结构16，在平坦层15的开孔区域进行开孔，而后采用干法刻蚀工艺对色阻层14和保护层13进行开孔。这样的设置，相对于现有技术，一是避免了先在色阻层开口的需求，降低了色阻层的开发难度；二是避免了在进行色阻层制程时的光罩与基板标识的对位，避免了因精度不够产生的偏差；三是提高了产品的开口率。
另外，在现有技术中，由于色阻层先进行开孔，而后平坦层会填充色阻层的开孔，这样在进行平坦层的开孔时，开孔处的平坦层膜厚较其他区域要厚，需要更多的光照进行分解，因而在生产过程中，在曝光一定的情况下，需要更多的曝光时间，加大了生产的节拍时间，从而限制了产能的提升。
那本申请实施例的彩膜阵列基板的制备方法在色阻层的制程时，不进行开孔处理，而在完成平坦层后进行开孔处理，将平坦层、色阻层和保护层贯通形成开孔结构的设置，由于色阻层没有先开孔，原本开孔区的平坦层膜厚并没有比其他区域要厚，如此可以降低了平坦层制程的曝光时间，从而提升了产能，降低了产品的生产成本。
具体的，请参照图7，图7为本申请实施例的彩膜阵列基板的开孔结构的结构示意图。在本实施例的彩膜阵列基板100中，平坦层15上开设有第一开孔161。色阻层14和保护层13上开设有第二开孔162。第一开孔161和第二开孔162形成开孔结构16。
第二开孔162包括上部分1621和下部分1622。上部分1621的孔壁由色阻层14形成。下部分1622的孔壁由保护层13形成。第一开孔161的孔壁由平坦层15形成。
其中，保护层13为无机材料层，比如SiNx。其中，保护层13采用化学气相沉积法沉积在薄膜晶体管阵列结构层12和覆盖整个基板11。保护层13可以是多层结构，由两种不同的无机材料交替层叠形成。
另外，第一开孔161采用光刻工艺形成。第二开孔162采用干法刻蚀形成。第一开孔161和第二开孔162采用一光罩与基板11进行标识对位即完成开孔结构的处理。
本申请实施例的彩膜阵列基板的制备过程与本申请实施例的彩膜阵列基板的制备方法的相似或相同，具体请参照本申请实施例的彩膜阵列基板的制备方法的具体内容。
相较于现有技术的彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板，本申请的彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板在色阻层的制程时，不进行开孔处理，而在完成平坦层后进行开孔处理，将平坦层、色阻层和保护层贯通形成开孔结构；这样的设置，一是避免了色阻层开口的需求，降低了色阻层的开发难度；二是避免了在进行色阻层制程时的光罩与基板标识的对位，避免了因精度不够产生的偏差；三是提高了产品的开口率；解决了现有的彩膜阵列基板的制备方法的开口率较低的技术问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层，所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层；
在所述薄膜晶体管阵列结构层上形成一保护层；
在所述保护层上形成色阻层；
在所述色阻层上形成平坦层；
在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构，所述开孔结构同时贯穿所述平坦层、所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层；
在所述平坦层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述开孔结构并与所述源漏金属层电性连接。
2.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构，包括以下步骤：
在所述平坦层形成第一开孔；
在所述色阻层和所述保护层上对应于所述第一开孔的区域形成第二开孔，所述第二开孔贯穿所述色阻层和所述保护层且裸露出所述源漏金属层，所述第一开孔和第二开孔形成所述开孔结构。
3.根据权利要求2所述的彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一开孔采用光刻工艺形成；所述第二开孔采用干法刻蚀形成。
4.根据权利要求3所述的彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一开孔和所述第二开孔采用同一光罩形成。
5.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述平坦层、色阻层和保护层上形成开孔结构的步骤中，采用干法刻蚀工艺一次形成所述开孔结构。
6.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，所述保护层为无机材料层。
7.根据权利要求1所述的彩膜阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成薄膜晶体管阵列结构层，包括以下步骤：
在所述基板上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成所述源漏金属层。
8.一种彩膜阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管阵列结构层，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管阵列结构层包括源漏金属层；
保护层，设置在所述薄膜晶体管阵列结构层上；
色阻层，设置在所述保护层上；
平坦层，设置在所述色阻层上；
开孔结构，贯穿所述平坦层、色阻层和保护层，且裸露出所述源漏金属层；以及
透明导电层，设置在所述平坦层上并覆盖所述开孔结构，所述透明导电层电性连接所述源漏金属层。
9.根据权利要求8所述的彩膜阵列基板，其特征在于，所述平坦层上开设有第一开孔；所述色阻层和保护层上开设有第二开孔；所述第一开孔和所述第二开孔形成所述开孔结构；
所述第二开孔包括上部分和下部分，所述上部分的孔壁由所述色阻层形成，所述下部分的孔壁由所述保护层形成；所述第一开孔的孔壁由所述平坦层形成。
10.根据权利要求9所述的彩膜阵列基板，其特征在于，所述第一开孔采用光刻工艺形成；所述第二开孔采用干法刻蚀形成。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910640625.7A CN110426905A (zh) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板 |
| US16/616,455 US20210364873A1 (en) | 2019-07-16 | 2019-10-21 | Method for fabricating color filter array substrate and color filter array substrate |
| PCT/CN2019/112229 WO2021007976A1 (zh) | 2019-07-16 | 2019-10-21 | 彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910640625.7A CN110426905A (zh) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110426905A true CN110426905A (zh) | 2019-11-08 |
Family
ID=68410729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910640625.7A Pending CN110426905A (zh) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 彩膜阵列基板的制备方法及彩膜阵列基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210364873A1 (zh) |
| CN (1) | CN110426905A (zh) |
| WO (1) | WO2021007976A1 (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697138B2 (en) * | 2001-02-22 | 2004-02-24 | Lg Phillips Lcd Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| CN101604104A (zh) * | 2009-07-22 | 2009-12-16 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列及其制造方法 |
| CN104576655A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种coa基板及其制作方法 |
| CN106324933A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法及液晶显示面板 |
| CN107255896A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板、阵列基板及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI336018B (en) * | 2007-11-05 | 2011-01-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and manufacturing method of opposite substrate thereof |
| KR101492538B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2015-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN103325732B (zh) * | 2013-06-28 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种coa基板及其制造方法、显示装置 |
| CN104656333A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-05-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型液晶面板的制作方法及coa型液晶面板 |
| CN105353567B (zh) * | 2015-12-02 | 2019-01-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 采用无黑色矩阵技术的va型液晶显示面板及其制作方法 |
| US10509287B2 (en) * | 2016-01-27 | 2019-12-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Color filter on array substrate having a photoresist plug contacting a liquid crystal layer |
| CN108873519A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型阵列基板及其制作方法 |
-
2019
- 2019-07-16 CN CN201910640625.7A patent/CN110426905A/zh active Pending
- 2019-10-21 US US16/616,455 patent/US20210364873A1/en not_active Abandoned
- 2019-10-21 WO PCT/CN2019/112229 patent/WO2021007976A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697138B2 (en) * | 2001-02-22 | 2004-02-24 | Lg Phillips Lcd Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| CN101604104A (zh) * | 2009-07-22 | 2009-12-16 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列及其制造方法 |
| CN104576655A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种coa基板及其制作方法 |
| CN106324933A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法及液晶显示面板 |
| CN107255896A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板、阵列基板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210364873A1 (en) | 2021-11-25 |
| WO2021007976A1 (zh) | 2021-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2017008370A1 (zh) | 阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构 | |
| JP4856318B2 (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| CN107272232B (zh) | 一种液晶显示面板的制造方法 | |
| JP4759089B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| CN100449388C (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN100506555C (zh) | 印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法 | |
| KR101322885B1 (ko) | 어레이 기판과 액정 디스플레이 | |
| CN106597770B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN106816410B (zh) | 阵列基板及其制作方法 | |
| US9804463B2 (en) | Array substrate and fabrication method thereof and display device | |
| JP2012150435A (ja) | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレーのアレイ基板およびその製造方法 | |
| US10504943B2 (en) | Method for manufacturing an array substrate motherboard | |
| WO2017012306A1 (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN101825814A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| KR20070068918A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN106298646B (zh) | Tft基板的制作方法 | |
| CN101825816A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| JP2007219557A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| CN106353944A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | |
| CN103676390B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2014015617A1 (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
| CN103700663B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN106024705B (zh) | Tft基板的制作方法 | |
| CN107507850A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| US9019462B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, and display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20191108 |