KR101252480B1 - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은 표시영역과 비표시영역으로 정의된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 상기 표시영역을 지나는 게이트배선과, 상기 비표시영역에 배치되는 게이트패드와 데이트패드를 형성하는 단계; 상기 기판상에 상기 게이트배선과 수직으로 교차되게 배열되어 화소영역을 정의하고, 상기 데이터패드와 연결되는 데이터배선을 형성하는 단계; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차하는 기판상에 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극과 반도체층패턴으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터와 화소영역상에 유기절연막패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트패드와 데이터패드와 각각 접촉되는 게이트패드단자와 데이터패드단자를 형성하는 단계; 및 상기 유기절연막패턴상에 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된다.
데이터패드, 게이트패드, 데이터패드단자, 게이트패드단자, 화소전극

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 일반적인 액정표시소자의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도,
도 2a 내지 도 2j는 종래기술에 따른 액정표시소자의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 공정단면도,
도 3a는 종래기술에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 데이터패드부의 평면도,
도 3b는 도 3a의 Ⅲb-Ⅲb선에 따른 확대단면도로서, ITO 금속라인이 데이터라인 측면과 접속되는 구조를 나타내는 확대단면도,
도 4는 종래기술에 따른 액정표시소자에 있어서, 4 마스크 공정과 데이터패드부의 포토아크릴막 적용시의 ITO 금속라인이 손상되는 것을 보여 주는 SEM사진,
도 5는 본 발명에 따른 액정표시소자의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도,
도 6a 내지 도 6j는 본 발명에 따른 액정표시소자의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 공정단면도,
도 7은 본 발명에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 게이트패드부의 평면도,
도 8a 내지 도 8h는 도 7의 Ⅷ-Ⅷ선에 따른 확대단면도로서, 한 화소부의 게이트패드부의 제조공정을 설명하기 위해 나타내는 공정단면도,
도 9는 본 발명에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 데이터패드부의 평면도,
도 10a 내지 도 10h는 도 9의 Ⅹ-Ⅹ선에 따른 확대단면도로서, 한 화소부의 데이터패드부의 제조공정을 설명하기 위해 나타내는 공정단면도,
도 11은 본 발명에 따른 액정표시소자에 있어서, 4 마스크공정과 데이터패드부에 포토아크릴막 미적용시의 ITO 금속라인이 손상되지 않는 것을 보여 주는 SEM사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 *
101 : 기판 103 : 게이트배선
103a : 게이트전극 103b : 게이트패드
103c : 데이터패드 103d : 캐패시터 하부전극
105 : 게이트절연막 107 : 반도체층
109 : 도전금속층 111 : 데이터배선
111a : 소스전극 111b : 드레인전극
111c, 111d : 도전금속층패턴 111e : 캐패시터 상부전극
113 : 보호막 115a : 포토아크릴막패턴
117a, 117b, 117c : 제1,2,3, 4, 5 콘택홀
119 : 화소전극 119a : 게이트패드단자 119b : 데이터패드단자
본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기절연막 구조 및 4 마스크 공정 적용시에 구조적으로 발생하는 TCP 리페어(tape carrier package repair) 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있기 때문에 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 액정표시장치는 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 전술한 바 있는 박막트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
일반적인 액정표시패널은 여러 종류의 소자들이 형성된 두장의 기판이 서로 대응되게 배열되어 있고 상기 두 장의 기판사이에 액정층이 끼워진 형태로 구성되어 있다.
상기 액정표시패널에는 색상을 표현하는 컬러필터가 형성된 상부기판과 상기 액정층의 분자배열방향을 변환시킬 수 있는 스위칭 회로가 내장된 하부기판으로 구성된다.
여기서, 상기 상부기판에는 색을 구현하는 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층을 덮는 공통전극이 형성되어 있다. 상기 공통전극은 액정에 전압을 인가하는 한쪽 전극의 역할을 한다.
상기 하부기판은 스위치 역할을 하는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터로부터 신호를 인가받고 상기 액정으로 전압을 인가하는 다른 한쪽의 전극역할을 하는 화소전극으로 구성된다. 이때, 상기 화소전극이 형성된 부분을 화소영역이라고 한다.
그리고, 상기 상부기판과 하부기판사이에 형성되는 액정의 누설전류를 방지하기 위해 상기 상부기판과 하부기판의 가장자리에는 실란트(sealant)로 봉인되어 있다.
상기 하부기판에는 다수개의 박막트랜지스터와 함께 상기 다수개의 박막트랜지스터와 각각 연결된 다수개의 화소전극이 배열되어 있다.
상기와 같이 구성되는 종래기술에 따른 액정표시소자 구조에 대해 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 액정표시소자의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 액정표시장치용 어레이기판(11)에는 일방향으로 구성된 다수개의 게이트배선(13)과 상기 게이트배선(13)과 수직하게 교차하 여 화소영역을 정의하는 다수의 데이터배선(21)이 형성되어 있다.
상기 게이트배선(13)과 데이터배선(21)의 끝단에는 각각 외부신호를 인가받을 수 있는 게이트패드(13b)와 데이터패드(21c)가 소정면적으로 형성되어 있다.
여기서, 상기 게이트배선(13)은 상기 게이트패드(13b)와 연결되고, 상기 데이터배선(21)은 상기 데이터패드(21c)와 연결되어 있다.
상기 두 배선이 교차하는 지점에는 게이트전극(13a)과 소스전극(21a) 및 드레인전극(21b)과 액티브 채널로 구성되는 박막트랜지스터가 위치하여 상기 화소영역상에는 상기 드레인전극(21c)과 접속되는 화소전극(29)이 형성되어 있다.
여기서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레기판(11)과 일정간격만큼 이격되어 배치되는 컬러필터기판(미도시)에는 상기 각 화소영역마다 적, 녹, 청의 서브 컬러필터가 형성되며, 상기 각 서브컬러필터사이에는 불투명한 수지로 구성되는 블랙매트릭스(미도시) (black matrix)가 형성되어 있다.
상기 블랙매트릭스(미도시)는 화소전극(29)이 위치하는 화소부에서는 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(21)과 상기 박막트랜지스터의 상부에 위치하며, 비표시영역인 상기 게이트 연결배선과 데이터 연결배선이 위치하는 영역에도 형성된다.
상기 구성으로 이루어진 종래기술에 따른 액정표시소자 제조방법에 대해 도 2a 내지 도 2j를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2j는 종래기술에 따른 액정표시소자의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 공정단면도이다.
여기서, 상기 A-A 부는 게이트패드부의 단면을 보여 주기 위한 절단면이고, B-B 부는 데이터패드부의 단면을 보여 주기 위한 절단면이며, C-C 부는 게이트전극상의 소스/드레인전극의 단면을 보여 주기 위한 절단면이며, D-D 부는 화소전극부 단면을 보여 주기 위한 절단면이고, E-E 부는 캐패시터상부전극과 화소전극간 결합단면을 보여 주기 위한 절단면이며, F-F 부는 데이터배선 단면을 보여 주기 위한 절단면이다.
도 2a를 참조하면, 투명한 유리기판(11)상에 금속물질을 증착하고 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트배선(미도시, 도 1의 13), 게이트전극(13a), 게이트패드 (13b) 및 캐패시터 하부전극(13c)을 형성한다.
그다음, 도 2b를 참조하면, 상기 게이트배선, 게이트전극(13a), 게이트전극 (13b) 및 캐패시터 하부전극(13c)을 포함한 유리기판(11)상에 게이트 절연물질을 증착하여 게이트절연막(15)을 형성한다.
이어서, 도 2c를 참조하면, 상기 게이트절연막(15)상에 비정질 실리콘을 증착하여 반도체층(17)을 형성한다.
그다음, 도 2d를 참조하면, 상기 반도체층(17)상에 소스/드레인전극과 데이터배선을 형성하기 위해 금속물질층(19)을 증착한다.
이어서, 도 2e를 참조하면, 상기 금속물질층(19)을 선택적으로 패터닝하여 데이터배선(미도시; 도 1의 21), 소스/드레인전극(21a, 21b), 데이터패드(21c) 및 캐패시터 상부전극(21d)을 형성한다. 이때, 상기 금속물질층(19) 패터닝시에 상기 반도체층(17)도 선택적으로 패터닝된다. 또한, 상기 드레인전극(21b)는 상기 캐패시터 상부전극(21d)와 동일 금속물질층으로 연결되어 있다.
그다음, 도 2f를 참조하면, 상기 데이터배선(21), 소스/드레인전극(21a, 21b) 및 캐패시터 상부전극(21d)을 포함한 유리기판(11) 전체에 절연물질을 증착하여 보호막(23)을 형성한다.
이어서, 도 2g를 참조하면, 상기 보호막(23)상에 감광성 물질인 포토아크릴층(25) (PAC; photo acryl coating)을 두껍게 도포한다. 이때, 상기 포토아크릴층 (25)은 자체가 감광성 물질이기 때문에 원하는 패턴을 형성하기 위해 별도의 감광물질을 도포하지 않아도 된다.
그다음, 도 2h를 참조하면, 패턴마스크(미도시)을 이용하여 상기 포토아크릴 층(25)을 선택적으로 건식각하여 상기 게이트패드(13b) 및 데이터패드(21c)상부의 보호막(23)일부와 상기 캐패시터 상부전극(21d)상부에 위치하는 보호막(23) 일부를 노출시키는 포토아크릴층패턴(25a)을 형성한다.
이어서, 도 2i를 참조하면, 상기 포토아크릴층패턴(25a)을 마스크로 상기 보호막(23), 데이터패드(21c) 및 캐패시터 상부전극(21d) 일부를 선택적으로 제거하여 상기 게이트패드(13b) 상부 및 데이터패드(21)하부의 게이트절연막(15) 일부와 상기 캐패시터 상부전극(21d)하부의 반도체층(17) 일부를 각각 노출시키는 제1, 2, 3 콘택홀(27a, 27b, 27c)을 형성한다.
그다음, 도 2j를 참조하면, 상기 제1, 2, 3 콘택홀(27a, 27b, 27c)을 포함한 상기 포토아크릴층패턴(25a)상부에 투명성 도전물질인 ITO층(미도시)를 증착한다.
이어서, 상기 ITO층을 선택적으로 패터닝하여 상기 제1, 2, 3 콘택홀(27a, 27b, 27c)을 통해 상기 게이트패드(13b), 데이터패드(21c), 캐패시터 상부전극 (21d)과 각각 전기적으로 접속되는 게이트패드단자(29a), 데이터패드단자 (29b), 화소전극(29)을 형성한다.
이때, 상기 화소전극(29) 형성후 TCP(tape carrier package) 리페어(repair) 진행시에 상기 게이트패드부(13b)와 데이터패드부(21c)에 포토아크릴층(25)이 존재하고 있어 화소전극을 구성하는 ITO층에 데미지가 발생하게 되므로 소자의 신뢰성이 떨어진다.
한편, 상기와 같이 제조되는 종래기술에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 데이터패드부 구조에 대해 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a는 종래기술에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 데이터패드부의 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 Ⅲb-Ⅲb선에 따른 확대단면도로서, ITO 금속라인이 데이터라인의 양측면과 접촉되는 구조를 나타내는 확대단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 종래기술에 따른 액정표시소자의 데이터패드부는, 절연성 유리기판(11)상에 게이트절연막(15)이 형성되어 있고, 상기 게이트절연막(15)상에는 반도체층패턴(17)이 형성되어 있으며, 상기 반도체층패턴(17)과 데이터패드(21c)를 포함한 유리기판(11)상에는 보호막(23)과 포토아크릴막패턴(25a)이 형성되어 있다.
또한, 상기 포토아크릴막패턴(25a)과 보호막(23)에는 상기 데이터패드(21c)아래의 반도체층패턴(17) 일부를 노출시키는 데이터패드콘택홀(27b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 데이터패드콘택홀(27b)은 상기 데이터패드(21c) 일부를 과도식각하여 형성된다.
그리고, 상기 포토아크릴막패턴(25a)상에는 상기 데이터패드콘택홀(27b)을 통해 상기 데이터패드(21c)의 측면과 접촉되는 데이터패드단자(29b)가 형성되어 있다.
상기와 같이 4 마스크공정과 함께 데이터패드부의 포토아크릴막을 적용하는 경우, TCP리페어시에 포토아크릴막이 제거되어 도 4에서와 같이 ITO 금속라인이 데미지(damage)를 받게 된다. 즉, 도 4에서와 같이, 데이터패드단자를 구성하는 ITO 금속층에 데미지 라인(damage line)이 나타남을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 종래기술에 따른 액정표시소자의 경우, 유기절연막 즉, 포토아크릴막을 사용하면서 4 마스크 공정이 가능하기 위해서는 TCP 리페어시 신뢰성 즉, 고온구동, 고온 고습 구동 불량을 해결해야 한다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서는 패드부 즉, 패널과 TCP의 본딩부에 근본적으로 유기절연막(예를들어, 포토아크릴막)이 없어야 한다.
하지만, 유기절연막 즉, 포토아크릴막이 없을 경우에는 패드부의 금속이 건식각(dry etch)공정에서 노출되어 후속 공정진행시에 전식 불량이 예상된다.
상기와 같이, 종래기술에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.
종래기술에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법은, 게이트패드부 및 데이터패드부에 포토아크릴막이 존재하고 있어 그만큼 단차를 갖게 되고, 이로 인해 TCP 리페어 진행시에 ITO 데미지를 입히게 되므로써 소자의 신뢰성에 불량을 초래한다.
특히, 종래기술에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법은 4 마스크공정과 함께 패드부에 포토아크릴막을 적용하기 때문에 TCP 리페어시에 포토아크릴막이 제거되므로써 ITO 금속의 데미지가 발생하게 된다.
따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 유기절연막 적용시에 구조적으로 발생하는 ITO 금속의 데미지를 억제하여 소자의 신뢰성을 개선시킬 수 있는 액정표시 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 유기절연막 형성후 건식각 공정시 금속이 노출되는 현상을 방지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시소자는 표시영역과 비표시영역으로 정의된 기판; 상기 기판상에 형성되고, 상기 표시영역을 지나는 게이트배선과, 상기 비표시영역에 배치되는 게이트패드와 데이트패드; 상기 기판상에 상기 게이트배선과 수직으로 교차되게 형성되어 화소영역을 정의하고, 상기 데이터패드와 연결되는 데이터배선; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차하는 기판상에 형성되고, 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극과 반도체층패턴으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터와 화소영역상에 형성된 유기절연막패턴; 상기 게이트패드와 데이터패드와 각각 접촉되는 게이트패드단자와 데이터패드단자; 및 상기 유기절연막패턴상에 형성되고 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속된 화소전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은 표시영 역과 비표시영역으로 정의된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 상기 표시영역을 지나는 게이트배선과, 상기 비표시영역에 배치되는 게이트패드와 데이트패드를 형성하는 단계; 상기 기판상에 상기 게이트배선과 수직으로 교차되게 배열되어 화소영역을 정의하고, 상기 데이터패드와 연결되는 데이터배선을 형성하는 단계; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차하는 기판상에 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극과 반도체층패턴으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터와 화소영역상에 유기절연막패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트패드와 데이터패드와 각각 접촉되는 게이트패드단자와 데이터패드단자를 형성하는 단계; 및
상기 유기절연막패턴상에 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
이하, 본 발명에 따른 액정표시소자 구조에 대해 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 액정표시소자의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판(도 6a의 101)에는 일방향으로 구성된 다수개의 게이트배선(103)과 상기 게이트배선(103)과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 다수의 데이터배선(111)이 형성되어 있다.
상기 게이트배선(103)과 데이터배선(111)의 끝단에는 각각 외부신호를 인가받을 수 있는 게이트패드(103b)와 데이터패드(103c)가 소정면적으로 형성되어 있 다.
여기서, 상기 게이트패드(103b)는 상기 게이트배선(103)으로부터 연장된 게이트 연결배선(미도시)을 통해 상기 게이트배선(103)과 연결되고, 상기 데이터패드 (103c)는 상기 데이터배선(111)으로부터 연장된 데이터 연결배선(미도시)을 통해 상기 데이터배선(111)과 연결되어 있다.
상기 두 배선이 교차하는 지점에는 게이트전극(103a)과 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)과 액티브 채널로 구성되는 박막트랜지스터가 위치하여 상기 화소영역상에는 상기 드레인전극(111b)과 접속되는 화소전극(119)이 형성되어 있다.
여기서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레기판(101)과 일정간격만큼 이격되어 배치되는 컬러필터기판(미도시)에는 상기 각 화소영역마다 적, 녹, 청의 서브 컬러필터가 형성되며, 상기 각 서브컬러필터사이에는 불투명한 수지로 구성되는 블랙매트릭스(미도시) (black matrix)가 형성되어 있다.
상기 블랙매트릭스(미도시)는 화소전극(119)이 위치하는 화소부에서는 상기 게이트배선(103)과 데이터배선(111)과 상기 박막트랜지스터의 상부에 위치하며, 비표시영역인 상기 게이트 연결배선과 데이터 연결배선이 위치하는 영역에도 형성된다.
상기 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법에 대해 도 6a 내지 도 6j를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 6a 내지 도 6j는 본 발명에 따른 액정표시소자의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 공정단면도이다.
여기서, 상기 A-A 부는 게이트패드부의 단면을 보여 주기 위한 절단면이고, B-B 부는 데이터패드부의 단면을 보여 주기 위한 절단면이며, C-C 부는 게이트전극상의 소스/드레인전극의 단면을 보여 주기 위한 절단면이며, D-D 부는 화소전극부 단면을 보여 주기 위한 절단면이고, E-E 부는 캐패시터상부전극과 화소전극간 결합단면을 보여 주기 위한 절단면이며, F-F 부는 데이터배선 단면을 보여 주기 위한 절단면이다.
도 6a를 참조하면, 먼저 투명한 기판(101)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금 (AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹중중에서 선택된 하나를 증착한다.
그다음, 제1마스크공정을 진행하기 위해 상기 도전금속층(미도시)상에 감광물질을 도포하고, 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 상기 감광물질층을 선택적으로 패터닝하여 제1감광막패턴(미도시)을 형성한다.
이어서, 상기 제1감광막패턴(미도시)을 마스크로 상기 도전물질층을 선택적으로 패터닝하여 일방향으로 다수개의 게이트배선(미도시), 상기 게이트배선에서 돌출형성된 다수개의 게이트전극(103a), 게이트패드(103b), 데이터패드 (103c) 및 캐패시터 하부전극(103d)을 형성한다.
이때, 상기 게이트배선(미도시)은 표시영역을 지나는 게이트배선과, 상기 표시영역의 외곽부에 위치하고 외부에서 신호를 인가받는 게이트패드(103a)와, 상기 게이트배선(미도시)과 상기 게이트패드(103a)를 연결하는 게이트연결배선(미도시)으로 구성된다.
그다음, 도 6b를 참조하면, 상기 제1감광막패턴(미도시)을 제거한후 상기 게이트배선 등이 구성된 기판(101)의 전면에 실리콘산화막(SiO2) 등으로 구성된 무기절연물질그룹과 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질중에서 선택된 하나를 증착 또는 도포하여, 게이트절연막(105)을 형성한다.
이어서, 도 6c를 참조하면, 상기 게이트절연막상에 비정질실리콘(a-Si)과 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si:H; 미도시)을 적층하여 반도체층(107)을 형성한다.
이때, 상기 적층구조에서 하부 순수 비정질실리콘층은 이후에 액티브채널이 되고, 상기 불순물 비정질실리콘층은 상기 액티브층과 이후 금속배선과의 저항을 낮추기 위한 오믹콘택층이 된다.
그다음, 도 6d를 참조하면, 상기 반도체층(107)이 형성된 기판(101)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄합금 (AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹중에서 선택한 금속을 증착하여 도전금속층(109)을 형성한다.
이어서, 제2마스크공정을 진행하기 위해 상기 도전금속층(109)상에 감광물질을 도포하고, 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 통해 상기 감광물질층을 선택적으로 패터닝하여 제2감광막패턴(미도시)을 형성한다.
그다음, 도 6e를 참조하면, 상기 제2감광막패턴(미도시)을 마스크로 상기 도전금속층(109)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트배선과 수직하게 교차하여 화 소영역을 정의하는 데이터배선(111)과 상기 데이터배선(111)에서 상기 게이트전극(103a)의 일측상부로 돌출형성된 소스전극(111a)과 상기 소스전극(111a)과 소정간격만큼 이격된 드레인전극(111b) 및 캐패시터 상부전극(111e)을 형성한다.
이때, 상기 게이트패드(103b)과 데이터패드(103c)상측에도 도전금속층패턴(111c)(111d)이 각각 형성된다. 또한, 상기 도전금속층패턴(111c)(111d) 각각은 상기 게이트패드(103b)와 데이터패드(103c)각각에 대해 일정간격만큼 이격되게 형성되어 있다.
이어서, 도 6f를 참조하면, 상기 제2감광막패턴(미도시)을 제거한후, 상기 데이터배선(111) 등이 형성된 기판(101)의 전면에 전술한 바와 같은 유기절연물질 그룹, 예를 들어 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질 또는 경우에 따라서는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 구성된 무기절연물질그룹중 하나를 선택하고 이를 도포 또는 증착하여, 보호막(113)을 형성한다.
그다음, 도 6g를 참조하면, 상기 보호막(113)상에 감광성물질인 포토아크릴막(photo acryl coating film)(115)을 일정 두께만큼 증착한다.
이때, 상기 포토아크릴막(115)은 자체가 감광성 물질이기 때문에 원하는 패턴을 형성하기 위해 별도의 감광물질을 도포하지 않아도 된다.
이어서, 도 6h를 참조하면, 제3마스크공정을 진행하기 위해 상기 게이트패드(103b)와 데이터패드(103c) 및 상기 캐패시터상부에 있는 상기 포토아크릴 막(115)의 일부분을 선택적으로 패터닝하여 포토아크릴막패턴(115a)을 형성한다.
이때, 상기 포토아크릴막패턴(115a)은 박막트랜지스터부와 화소영역상에만 존재하고 상기 게이트패드(103b)와 데이터패드(103c)에는 존재하지 않는다.
그다음, 도 6i를 참조하면, 상기 포토아크릴막패턴(115a)을 마스크로 상기 보호막(113), 캐패시터 상부전극(111e), 반도체층(107)과 게이트절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트패드(103b), 데이터패드(103c) 및 상기 캐패시터 상부전극(111e)아래의 반도체층(107)부분을 각각 노출시키는 제1, 2, 3 콘택홀(117a, 117b, 117c)을 형성한다.
이때, 상기 제1, 2, 3 콘택홀(117a, 117b, 117c) 형성시에 상기 드레인전극(111b)을 노출시키는 드레인콘택홀(미도시)도 함께 형성된다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1, 2, 3 콘택홀(117a, 117b, 117c) 형성시에 후속공정에서 형성될 데이터패드단자(119b)와 연결될 수 있도록 하는 제4, 5 콘택홀(미도시, 도 10g의 117d, 117e)도 함게 형성된다.
여기서, 상기 제1콘택홀(117a)은 상기 게이트패드(103b)를 노출시키는 콘택홀이며, 상기 제2콘택홀(117b)은 데이터패드(103c)를 노출시키는 콘택홀이며, 상기 제3콘택홀(117c)은 캐패시터 상부전극(111e)의 측면을 노출시키는 콘택홀이다.
또한, 상기 다수의 콘택홀(117a, 117b, 117c) 형성시에 상기 도전층패턴(111c, 111d)도 함께 식각된다.
이어서, 도 6j를 참조하면, 상기 제1, 2, 3 콘택홀(117a, 117b, 117c)을 포함한 기판(101) 전체에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 구성 된 투명 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 증착한다.
그다음, 제4마스크공정을 진행하기 위해 상기 투명 도전성 금속층(미도시)상에 감광물질을 도포하고, 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 상기 감광물질층을 선택적으로 패터닝하여 제3감광막패턴(미도시)을 형성한다.
이어서, 상기 제3감광막패턴(미도시)을 마스크로 상기 투명 도전성 금속층을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트패드(103b)와 접촉하는 게이트패드단자(119a)와, 상기 데이터패드(103c)와 접촉하는 데이터패드단자(119b)와, 상기 드레인전극(111b)과 캐패시터 상부전극(111e)과 접촉하는 화소전극(119)을 형성하고 이어 제3감광막패턴(미도시)을 제거한다.
한편, 상기와 같이 제조되는 본 발명에 따른 액정표시소자에 있어서, 게이트패드부의 제조공정에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 게이트패드부의 평면도이다.
도 8a 내지 도 8h는 도 7의 Ⅷ-Ⅷ선에 따른 확대단면도로서, 한 화소부의 게이트패드부의 제조공정을 설명하기 위해 나타내는 공정단면도이다.
도 7 및 도 8a를 참조하면, 투명한 기판(101)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 증착한다.
그다음, 제1마스크공정에 의해 상기 도전성 금속층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 일방향으로 구성된 다수개의 개이트배선(미도시)과 상기 게이트배선에서 돌출형성된 다수개의 게이트전극(미도시; 도 6a의 103a)과 게이트패드(103b)를 형성한다.
이때, 상기 도전성 금속층 패터닝시에 상기 게이트배선과 게이트전극 및 게이트패드(103b) 형성과 함께 데이트패드(미도시; 도 6a의 103c)와 캐패시터 하부전극(103d)도 형성된다.
또한, 상기 게이트배선(미도시)은 표시영역을 지나는 게이트배선(미도시)과, 상기 표시영역의 외곽부에 위치하고 외부에서 신호를 인가받는 게이트패드(103b)와, 상기 게이트배선(미도시)과 상기 게이트패드(103b)를 연결하는 게이트연결배선(미도시)으로 구성된다.
그리고, 상기 제1마스크공정은 상기 도전성 금속층상에 제1감광물질을 도포한후 이를 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 제1감광막패턴을 형성하고 이를 마스크로 상기 도전성 금속층을 패터닝하는 공정으로 구성된다.
그다음, 도 8b를 참조하면, 상기 게이트배선 등이 구성된 기판(101)의 전면에 실리콘산화막(SiO2)이 구성된 무기절연물질그룹과 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질중에서 선택된 하나를 증착 또는 도포하여, 게이트절연막(105)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트절연막상에 비정질실리콘(a-Si)과 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si:H; 미도시)을 적층하여 반도체층(107)을 형성한다.
이때, 상기 적층구조에서 하부 순수 비정질실리콘층은 이후에 액티브채널이 되고, 상기 불순물 비정질실리콘층은 상기 액티브층과 이후 금속배선과의 저항을 낮추기 위한 오믹콘택층이 된다.
그다음, 도 8c를 참조하면, 상기 반도체층(107)이 형성된 기판의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹에서 선택한 도전성 금속층(109)을 증착한다.
이어서, 제2마스크공정에 의해 상기 도전성 금속층(109)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트배선(미도시)과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(미도시; 도 6e의 111)과 상기 데이터배선에서 상기 게이트전극(103a)의 일측상부로 돌출형성된 소스전극(미도시; 도 6e의 111a)과 상기 소스전극과 소정간격만큼 이격된 드레인전극(미도시; 도 6e의 111b)을 형성한다.
이때, 상기 데이터배선(미도시; 도 6e의 111)은 표시영역에 위치하는 액티브 데이터배선과 상기 액티브 데이터배선과 상기 데이터패드(도 6a의 103c)를 연결하는 데이터연결배선(미도시)으로 구성된다.
또한, 상기 제2 마스크공정은 상기 도전성 금속층상에 제2감광물질을 도포한후 이를 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 제2감광막패턴을 형성하고 이를 마스크로 상기 도전성 금속층을 패터닝 하는 공정으로 구성된다.
그다음, 도 8d를 참조하면, 상기 데이터배선(도 6e의 111) 등이 형성된 기판(101)의 전면에 전술한 바와 같은 유기절연물질 그룹, 예를 들어 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질 또는 경우에 따라서는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 구성된 무기절연물질그룹중 하나를 선택하고 이를 도포 또는 증착하여, 보호막(113)을 형성한다.
이어서, 도 8e를 참조하면, 상기 보호막(113)상에 포토아크릴막(photo acryl coating film)(115)을 일정 두께만큼 증착한다.
그다음, 도 8f를 참조하면, 제3마스크 공정에 의해 상기 게이트패드(103b)와 데이터패드(미도시; 도 6a의 103c) 및 캐패시터상부의 포토아크릴막(115) 부분을 선택적으로 패터닝하여 포토아크릴막패턴(115a)을 형성한다.
이때, 상기 게이트패드(103b)와 데이터패드(103c)상측에는 포토아크릴막패턴(115a)이 존재하지 않는다.
이어서, 도 8g를 참조하면, 상기 포토아크릴막패턴(미도시; 도 6h의 115a)을 마스크로 상기 보호막(113), 캐패시터 상부전극(111e), 반도체층(107)과 게이트절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트패드(103b), 데이터패드(미도시; 도 6h의 103b), 드레인전극(11b)상부 및 상기 캐패시터 상부전극(111e)아래의 반도체층(107)부분을 각각 노출시키는 제1 콘택홀(117a), 제2 및 3 콘택홀(미도시; 117b, 117c)을 형성한다.
이때, 상기 제1콘택홀은 상기 게이트패드를 노출시키는 콘택홀이며, 상기 제2콘택홀은 데이터패드를 노출시키는 콘택홀이며, 상기 제3콘택홀은 캐패시터 상부전극 측면을 노출시키는 콘택홀이다.
또한, 상기 콘택홀 형성시에, 기존에는 보호막의 패터닝을 위해 포토아크릴막의 패터닝후 건식각 진행시에 패드부상측의 보호막이 식각되어져 하부 금속층이 노출되는 현상이 발생하였으나, 본 발명에서는 건식각방지막(dry etch stopper) 역할을 하는 반도체층이 추가되므로 인해 금속층이 노출되지 않게 패드부를 보호하게 된다.
이어서, 도 8h를 참조하면, 상기 제1, 2, 3 콘택홀을 포함한 기판 전체에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 구성된 투명 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 증착한다.
그다음, 제4마스크공정에 의해 상기 투명 도전성 금속층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트패드(103b)와 접촉하는 게이트패드단자(119a)와, 상기 데이터패드(미도시; 도 6h의 103c)와 접촉하는 데이터패드단자(미도시; 도 6j의 119b)와, 상기 드레인전극(미도시; 도 6e의 111b)과 캐패시터 상부전극(미도시; 도 6e의 111e)과 접촉하는 화소전극(미도시; 도 6j의 119)을 형성한다.
이때, 상기 제4 마스크공정은 상기 도전성 금속층상에 제3감광물질을 도포한후 이를 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 제3감광막패턴을 형성하고 이를 마스크로 상기 도전성 금속층을 패터닝하는 공정으로 구성된다.
또한편, 본 발명에 따른 액정표시소자에 있어서, 데이터패드부의 제조공정에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 9는 본 발명에 따른 액정표시소자의 한 화소부의 데이터패드부의 평면도이다.
도 10a 내지 도 10h는 도 9의 Ⅹ-Ⅹ선에 따른 확대단면도로서, 한 화소부의 데이터패드부의 제조공정을 설명하기 위해 나타내는 공정단면도이다.
도 9 및 도 10a를 참조하면, 투명한 기판(101)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 증착한다.
그다음, 제1마스크공정에 의해 상기 도전성 금속층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 일방향으로 구성된 다수개의 게이트배선(미도시; 도 5의 103)과 상기 게이트배선에서 돌출형성된 다수개의 게이트전극(미도시; 도 6a의 103a)과 게이트패드(도 6a의 103b) 및 데이터패드(103c)를 형성한다.
이때, 상기 도전성 금속층 패터닝시에 상기 게이트배선과 게이트전극 및 게이트패드(103b) 그리고 데이터패드(103c) 형성과 함께 캐패시터 하부전극(103d)도 형성된다.
그리고, 상기 제1마스크공정은 상기 도전성 금속층상에 제1감광물질을 도포한후 이를 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 제1감광막패턴을 형성하고 이를 마스크로 상기 도전성 금속층을 패터닝하는 공정으로 구성된다.
그다음, 도 10b를 참조하면, 상기 데이터패드(103c) 등이 형성된 기판(101)의 전면에 실리콘산화막(SiO2)이 구성된 무기절연물질그룹과 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질중에서 선택된 하나를 증착 또는 도포하여, 게이트절연막(105)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트절연막(105)상에 비정질실리콘(a-Si)과 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si:H; 미도시)을 적층하여 반도체층(107)을 형성한다.
이때, 상기 적층구조에서 하부 순수 비정질실리콘층은 이후에 액티브채널이 되고, 상기 불순물 비정질실리콘층은 상기 액티브층과 이후 금속배선과의 저항을 낮추기 위한 오믹콘택층이 된다.
그다음, 도 10c를 참조하면, 상기 반도체층(107)이 형성된 기판의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹에서 선택한 도전성 금속층(도 6d의 109)을 증착한다.
이어서, 제2마스크공정에 의해 상기 도전성 금속층을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트배선(미도시)과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(111)과 상기 데이터배선(111)에서 상기 게이트전극(미도시)의 일측상부로 돌출형성된 소스전극(미도시; 도 6e의 111a)과 상기 소스전극과 소정간격만큼 이격된 드레인전극(미도시; 도 6e의 111b)을 형성한다.
이때, 상기 데이터배선(미도시; 도 6e의 111)은 표시영역에 위치하는 액티브 데이터배선과 상기 액티브 데이터배선과 상기 데이터패드(103c)를 연결하는 데이터연결배선(미도시)으로 구성된다.
또한, 상기 제2 마스크공정은 상기 도전성 금속층상에 제2감광물질을 도포한후 이를 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 제2감광막패턴을 형성하고 이를 마스크로 상기 도전성 금속층을 패터닝하는 공정으로 구성된다.
그다음, 도 10d를 참조하면, 상기 데이터배선(111) 등이 형성된 기판(101)의 전면에 전술한 바와 같은 유기절연물질 그룹, 예를 들어 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질 또는 경우에 따라서는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 구성된 무기절연물질그룹중 하나를 선택하고 이를 도포 또는 증착하여, 보호막(113)을 형성한다.
이어서, 도 10e를 참조하면, 상기 보호막(113)상에 포토아크릴막(photo acryl coating film)(115)을 일정 두께만큼 증착한다.
그다음, 도 10f를 참조하면, 제3마스크 공정에 의해 상기 데이터패드(103c) 와 게이트패드(미도시; 도 6h의 103b) 및 캐패시터상부의 포토아크릴막(115) 부분을 선택적으로 패터닝하여 포토아크릴막패턴(115a)을 형성한다.
이때, 상기 게이트패드(미도시; 도 6h의 103b)와 데이터패드(103c)상측에는 포토아크릴막패턴(115a)이 존재하지 않는다.
이어서, 도 10g를 참조하면, 상기 포토아크릴막패턴(미도시; 도 6h의 115a) 을 마스크로 상기 보호막(113)과 게이트절연막(105) 및 데이터배선(111) 일부를 선택적으로 패터닝하여 상기 데이터패드(103b)와 데이터배선(111)을 노출시키는 복수개의 콘택홀(117b, 117d, 117e)을 동시에 형성한다.
이때, 상기 복수개의 콘택홀(117b, 117d, 117e) 형성시에 게이트패드(103b)를 노출시키는 콘택홀(미도시; 도 6i의 117a)과 캐패시터 상부전극을 노출시키는 콘택홀(미도시; 117c)도 함께 형성한다.
이때, 상기 복수개의 콘택홀(117b, 117d, 117e)중 제1, 2 콘택홀(117b, 117d)은 상기 데이터패드를 노출시키는 콘택홀이며, 상기 제3 콘택홀은 데이터배선을 노출시키는 콘택홀이다.
또한, 상기 콘택홀 형성시에, 기존에는 보호막의 패터닝을 위해 포토아크릴막의 패터닝후 건식각 진행시에 패드부상측의 보호막이 식각되어져 하부 금속층이 노출되는 현상이 발생하였으나, 본 발명에서는 건식각방지막(dry etch stopper) 역할을 하는 반도체층이 추가되므로 인해 금속층이 노출되지 않게 패드부를 보호하게 된다.
이어서, 도 8h를 참조하면, 상기 제1, 2, 3 콘택홀을 포함한 기판 전체에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 구성된 투명 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 증착한다.
그다음, 제4마스크공정에 의해 상기 투명 도전성 금속층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 복수개의 콘택홀(117b, 117d)을 통해 상기 데이터패드(103c)와 데이터배선(111)을 연결시켜 주는 데이터패드단자(119b)를 형성한다.
이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 데이터패드단자(119b) 형성시에 게이트패드단자(미도시; 도 6j의 119a)와 화소전극(119)도 함께 형성한다. 또한, 상기 복수개의 콘택홀(117b, 117d)을 통해 상기 데이터패드(103c)와 데이터배선(111)을 연결시켜 주는 구조를 점핑구조(jumping structure)라고 한다.
그리고, 상기 제4 마스크공정은 상기 도전성 금속층상에 제3감광물질을 도포한후 이를 포토리소그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 제3감광막패턴을 형성하고 이를 마스크로 상기 도전성 금속층을 패터닝하는 공정으로 구성된다.
도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시소자의 데이터패드부 제조시에 4마스크공정과 함께 게이트패드부를 포함한 데이터패드부에 포토아크릴막패턴이 존재하지 않게 되므로써 TCP 리페어시에 포토아크릴막이 없으므로써 투명도전금속이 데미지를 받지 않음을 알 수 있다.
한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법은, 유기절연막 구조 및 4 마스 크 공정 적용시에 구조적으로 발생하는 TCP 리페어(tape carrier package repair) 문제를 근본적으로 해결할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법은, 데이터패드부 (또는 게이트패드부) 제조시에 4 마스크공정과 함께 데이터패드부(또는 게이트패드부)에 포토아크릴막패턴이 존재하지 않게 되어 TCP 리페어시 포토아크릴막이 없으므로써 투명도전금속이 데미지를 입지 않게 된다.
또한, 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법은, 포토아크릴막과 같은 유기절연막 형성후 건식각 공정시에 액티브층이 하부금속상부에 존재하고 있어 건식각시에 하부 금속이 노출되는 현상을 방지할 수 있다.

Claims (21)

  1. 표시영역과 비표시영역으로 정의된 기판;
    상기 기판상에 형성되고, 상기 표시영역을 지나는 게이트배선과, 상기 비표시영역에 배치되는 게이트패드와 데이터패드;
    상기 기판상에 상기 게이트배선과 수직으로 교차되게 형성되어 화소영역을 정의하고, 상기 데이터패드와 연결되는 데이터배선;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차하는 기판상에 형성되고, 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극과 반도체층패턴으로 구성된 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터와 화소영역상에 형성된 유기절연막패턴;
    상기 게이트패드와 데이터패드와 각각 접촉되는 게이트패드단자와 데이터패드단자; 및
    상기 유기절연막패턴상에 형성되고 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속된 화소전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트패드와 게이트패드단자사이, 상기 데이터패드와 데이터패드단자사이에는 반도체층패턴과 게이트절연막이 형성된 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판에 캐패시터가 더 구비된 것을 특징으로하는 액정 표시소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기절연막패턴은 상기 박막트랜지스터와 화소영역에만 형성된 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기절연막패턴은 포토아크릴(photo acryl coating film)으로 형성된 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 데이트패드단자는 상기 데이터패드와 데이터배선에 연결되어 있는 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 연결구조는 상기 데이터패드와 데이터배선상의 유기절연막패턴에 형성된 복수개의 콘택홀을 통해 상기 데이터패드와 데이터배선에 형성된 데이터패드단자에 의해 이루어진 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  8. 표시영역과 비표시영역으로 정의된 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판상에 상기 표시영역을 지나는 게이트배선과, 상기 비표시영역에 배치되는 게이트패드와 데이터패드를 형성하는 단계;
    상기 기판상에 상기 게이트배선과 수직으로 교차되게 배열되어 화소영역을 정의하고, 상기 데이터패드와 연결되는 데이터배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차하는 기판상에 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극과 반도체층패턴으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터와 화소영역상에 유기절연막패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트패드와 데이터패드와 각각 접촉되는 게이트패드단자와 데이터패드단자를 형성하는 단계; 및
    상기 유기절연막패턴상에 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 게이트패드와 게이트패드단자사이, 상기 데이터패드와 데이터패드단자사이에는 반도체층패턴과 게이트절연막이 형성된 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 게이트배선 형성시에 캐패시터를 구성하는 하부전극이 형성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 유기절연막패턴은 상기 박막트랜지스터와 화소영역에만 형성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 유기절연막패턴을 구성하는 물질로는 포토아크 릴(photo acryl coating film) 물질을 이용하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 화소영역상에 유기절연막패턴을 형성하는 단계는,
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판전체에 유기절연막을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터와 화소영역에 위치하는 유기절연막부분을 제외한 나머지 부분상에 있는 유기절연막부분을 선택적으로 제거하여 유기절연막패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 게이트배선과, 상기 비표시영역에 배치되는 게이트패드와 데이터패드를 구성하는 물질로는 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 유기절연막패턴을 형성하기 전 단계에서 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 보호막을 구성하는 물질로는 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연물질 또는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 구성된 무기절연물질그룹중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  17. 제8항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 구성하는 소스/드레인전극과 데이터배선을 형성하는 물질로는 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬 (Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 포함된 도전성 금속그룹중 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  18. 제8항에 있어서, 상기 데이터배선과 소스/드레인전극 형성시에 캐패시터 상부전극도 동시에 형성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  19. 제8항에 있어서, 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)을 포함하는 투명 도전성 금속그룹중에서 선택된 하나를 이용하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  20. 제8항에 있어서, 상기 데이터패드단자는 상기 데이터패드와 데이터배선에 연결되어 있는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 데이터패드와 데이터배선에 연결하는 구조는 상기 데 이터패드와 데이터배선상의 유기절연막패턴에 형성된 복수개의 콘택홀을 통해 상기 데이터패드와 데이터배선에 형성된 데이터패드단자에 의해 이루어진 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
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