CN103809340A - 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。用于液晶显示装置的阵列基板包括公共线和选通线。该阵列基板包括第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层和薄膜晶体管。第二钝化层包括分别与漏极和公共线相对应的第一孔和第二孔。第二钝化层上的公共电极包括与薄膜晶体管相对应的第一开口和第二孔中的第二开口。穿过第三钝化层和第一钝化层的漏接触孔露出第二孔中的公共电极。穿过第三钝化层和第一钝化层的第二公共接触孔露出公共线，并且像素电极包括第三开口和将公共电极连接到第三钝化层上的公共线的连接图案。

Description

边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
技术领域
本公开涉及液晶显示器（LCD）装置。本公开还涉及具有改善的孔径比并且通过简单工艺而制造的用于边缘场切换（FFS）模式LCD装置的阵列基板及其制造方法。
背景技术
相关技术的液晶显示器（LCD）装置利用液晶分子的光学各向异性和偏振属性。由于液晶分子的形状是薄和长的，液晶分子具有明确的对准方向。可以通过对液晶分子施加电场来控制液晶分子的对准方向。在电场的强度或方向被改变时，液晶分子的对准也发生变化。由于液晶分子的光学各向异性而导致入射光基于液晶分子的取向而发生折射，所以可以通过控制光的透射率来显示图像。
相关技术的LCD装置包括阵列基板、滤色器基板以及设置在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和薄膜晶体管（TFT），滤色器基板可以包括滤色器层和公共电极。相关技术的LCD装置通过像素电极和公共电极之间的电场而被驱动，获得透射率和孔径比的良好属性。然而，由于相关技术的LCD装置使用垂直电场，所以LCD装置的观看角度不好。
可以使用面内切换（IPS）模式LCD装置以解决上面提到的问题。在IPS模式LCD装置中，像素电极和公共电极形成在同一个基板上，并且彼此交替设置，使得在像素电极与公共电极之间产生水平电场。由于液晶分子被水平电场驱动，所以IPS模式LCD装置的观看角度得以改善。
但是，IPS模式LCD装置在孔径比和透射率方面具有缺点。为了解决这些局限，提出了通过边缘场来驱动液晶分子的FFS模式LCD装置。
图1是示出用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板的一个像素区域的平面图。如图1所示，在基板上1上，选通线3和公共线7沿一个方向彼此分隔开，并且数据线30与选通线3交叉以限定像素区域P。
另外，薄膜晶体管（TFT）Tr用作开关元件，并且形成在各像素区域P中。TFTTr连接到选通线3和数据线30。TFT Tr包括栅极5、栅绝缘层（未示出）、半导体层（未示出）、源极33和漏极36。
在TFT Tr上以及在整个基板1上堆叠第一钝化层和第二钝化层（未示出），第一钝化层和第二钝化层均包括露出公共线7的公共接触孔55。公共电极60形成在第二钝化层上并通过公共接触孔55与公共线7接触。
在公共电极60上形成包括漏接触孔68的第三钝化层（未示出）。TFT Tr的漏极36通过漏接触孔68露出。在第三钝化层上以及在各像素区域P中形成像素电极70。像素电极70通过漏接触孔68而与漏极36接触，并且包括与公共电极60相对应的条形的开口“op”。
图2是沿图1的线II-II截取的截面图，并且图3是沿图1的线III-III截取的截面图。
如图2和图3所示，在基板1上形成（图1的）选通线3、栅极5和公共线7，并且在选通线3、栅极5和公共线7上形成栅绝缘层10。
半导体层20形成在栅绝缘层10上，并且与栅极5相对应。源极33和漏极36形成在半导体层20上并且彼此分隔开。
数据线30形成在栅绝缘层10上，并且与选通线3交叉以限定像素区域P。
用无机绝缘材料形成的第一钝化层40形成在数据线30、源极33和漏极36上，并且用有机绝缘材料形成并具有平坦的顶表面的第二钝化层50形成在第一钝化层40上。穿过第一钝化层40和第二钝化层50地形成露出公共电极7的公共接触孔55。
用透明导电材料形成的公共电极60形成在第二钝化层50上，并且公共电极60通过公共接触孔55与公共线7接触。
用无机绝缘材料形成的第三钝化层65形成在公共电极60上。穿过第三钝化层65、第二钝化层50和第一钝化层40地形成露出TFT Tr的漏极36的漏接触孔68。
在第三钝化层65上并且在各像素区域P中形成用透明导电材料形成的像素电极70。像素电极70通过漏接触孔68与漏极36接触，并且包括图3中被标记为“op”的开口。在图3中，开口op形成为条形，与公共电极60相对应。
用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板通过七道掩模工艺来制成。参照图1至图3解释所述制造工艺。
首先，通过第一掩模工艺在基板上形成选通线3、栅极5和公共线7。接着，在选通线3、栅极5和公共线7上形成栅绝缘层10。
接着，通过第二掩模工艺在栅绝缘层10上形成数据线30、半导体层20、源极33和漏极36。由于数据线30通过单个掩模工艺与半导体层20一起形成，所以存在包括位于数据线30下以及栅绝缘层10上的第一虚设图案21a和第二虚设图案21b的半导体图案21。
接着，在数据线30、源极33和漏极36上顺序地形成第一钝化层40和第二钝化层50。通过第三掩模工艺，对第二钝化层50进行构图以形成分别露出第一钝化层40并且分别与漏极36和公共线7相对应的第一孔和第二孔（未示出）。
接着，通过第四掩模工艺，对与第二孔相对应的第一钝化层40进行构图，以形成公共接触孔55，公共接触孔55露出公共线7。
接着，通过第五掩模工艺，在第二钝化层50上形成公共电极60，公共电极60通过公共接触孔55与公共线7接触。
接着，在公共电极60上形成第三钝化层65。通过第六掩模工艺，对与第一接触孔相对应的第三钝化层65和第一钝化层40进行构图，以形成露出漏极36的漏接触孔68。
接着，通过第七掩膜工艺，在第三钝化层65上形成设置在各像素区域P中的像素电极70。像素电极70通过漏接触孔68与漏极36接触，并且包括与公共电极60相对应的条形的开口“op”。
通过以上七道掩模工艺，获得了用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板。
上述七道掩模工艺可以用于制造阵列基板。然而，由于掩模工艺包括诸如沉积步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤等多个步骤，所以掩模工艺使得生产成本增加。
如上所述，用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板需要所述七道掩模工艺，这可导致生产成本随着掩模工艺数量的增加而增加的缺点。
发明内容
因此，本发明的实施方式致力于用于FFS模式LCD装置的阵列基板及其制造方法，所述阵列基板和所述方法基本上消除了由于相关技术的局限和缺点所导致的一个或更多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种具有改进的孔径比的用于FFS模式LCD装置的阵列基板。
本发明的另一个目的在于提供一种能够减少掩模工艺的用于FFS模式LCD装置的阵列基板。
本发明的附加特征和优点将在下面的描述中描述且将从描述中部分地显现，或者可以通过本发明的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点，并且根据本发明的目的，如这里实现和广义描述的，一种用于边缘场切换模式液晶显示器装置的阵列基板包括：公共线，其位于包括显示区域的基板上；第一选通线和第二选通线，它们位于所述公共线的相对侧；栅绝缘层，其位于所述第一选通线、所述第二选通线和所述公共线上；第一数据线和第二数据线，它们位于所述栅绝缘层上，所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第一像素区域，并且与所述第二选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第二像素区域；第一薄膜晶体管（TFT）和第二TFT，它们位于所述第一像素区域和第二像素区域中的每一个中；第一钝化层，其位于所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一TFT和所述第二TFT上；第二钝化层，其位于所述第一钝化层上，并且包括分别与所述第一TFT和所述第二TFT的漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；公共电极，其位于所述第二钝化层上，并且包括与所述第一TFT和所述第二TFT中的每一个相对应的第一开口和所述第二孔中的第二开口；第三钝化层，其位于所述公共电极上；漏接触孔，其与所述第一孔相对应，并且穿过所述第三钝化层和第一钝化层以使得所述第一TFT和所述第二TFT的所述漏极通过所述漏接触孔露出；第一公共接触孔，其与所述第二孔相对应，并且穿过所述第三钝化层以使得所述第二孔中的所述公共电极通过所述第一公共接触孔露出；第二公共接触孔，其与所述第二开口相对应，并且穿过所述第三钝化层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层以使得所述公共线通过所述第二公共接触孔露出；像素电极，其位于所述第三钝化层上以及所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中，所述像素电极包括至少一个第三开口并且连接到各漏极；以及连接图案，其位于所述第三钝化层上，并且将所述公共电极连接到所述公共线。
在本发明的另一个方面，一种制造用于边缘场切换模式液晶显示器LCD装置的阵列基板的方法包括以下步骤：在包括多个像素区域的显示区域的中心形成公共线，在所述公共线的一侧形成第一选通线，在所述公共线的另一侧形成第二选通线，并且形成连接到各选通线的栅极；在所述公共线、所述第一选通线、所述第二选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；在所述选通线上形成与所述栅极相对应的半导体层，在所述半导体层上形成第一数据线和第二数据线、彼此分开的源极和漏极，所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第一像素区域，并且与所述第二选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第二像素区域；在所述第一数据线、所述第二数据线、所述源极和所述漏极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层包括分别与所述漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；在所述第二钝化层上形成公共电极，所述公共电极包括与所述漏极相对应的第一开口和所述第二孔中的第二开口；在所述公共电极上形成第三钝化层；对与所述第二孔相对应的所述第三钝化层进行构图，以形成露出所述公共电极的第一公共接触孔；对与所述第一孔相对应的所述第三钝化层和所述第一钝化层进行构图，以形成露出所述漏极的漏接触孔；对与所述第二开口相对应的所述第三钝化层和所述第一钝化层以及所述栅绝缘层进行构图，以形成露出所述公共线的第二公共接触孔；以及在所述第三钝化层上形成像素电极和连接图案，所述像素电极通过所述漏接触孔连接到所述漏极，并且所述像素电极包括至少一个开口，并且所述连接图案将所述公共电极连接到所述公共线。
应当理解，本发明的上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本申请中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出用于相关技术的阵列基板的一个像素区域的平面图；
图2是沿图1的线II-II截取的截面图；
图3是沿图1的线III-III截取的截面图；
图4是根据本发明实施方式的用于FFS模式LCD装置的阵列基板的中心的四个像素区域的平面图；
图5是沿图4的线V-V截取的截面图；
图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图；
图7、图8和图9是分别示出根据本发明实施方式的像素电极的开口的变型的示意图；
图10A至图10F是示出沿图4的线V-V截取的部分的制造工艺的截面图；以及
图11A至图11F是示出沿图4的线VI-VI截取的部分的制造工艺的截面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的优选实施方式，在附图中例示出了其示例。在可能的情况下，相同的标号在整个附图中代表相同或类似部件。
如上所述，相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板是通过七道掩模工艺制造的，造成生产成本增加。为了降低掩模工艺的成本，可以在第三掩模工艺中形成漏接触孔。然而，因为漏极在第四掩模工艺和第五掩模工艺期间通过漏接触孔而露出，所以可在漏极上堆积微粒。在这种情况下，可能产生像素电极和漏极之间的接触问题。
另外，当在形成具有漏接触孔的公共电极的第五掩模工艺中出现问题时，可能产生公共电极和像素、漏极之间的电短路问题。
因此，为了避免以上问题，可能需要以上七道掩模工艺。此外，由于公共线形成在各像素区域中，所以阵列基板可能具有差或更差的孔径比。
提出了不具有以上问题的利用数量减少的掩模工艺制造的用于FFS模式LCD装置的阵列基板。
图4是根据本发明实施方式的用于FFS模式LCD装置的阵列基板的中心的四个像素区域的平面图。图5是沿图4的线V-V截取的截面图，并且图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图。为了说明的目的，将形成有TFT Tr的区域限定为像素区域P中的切换区域TrA。
如图4至图6所示，在基板101上形成沿第一（例如，水平）方向的第一选通线103a、第二选通线103b和公共线107。在图4中，位于公共线107上侧的选通线103是第一选通线103a，而位于公共线107下侧的选通线103是第二选通线103b。
公共线107与第一选通线103a和第二选通线103b平行，并且设置在一个第一选通线103a和一个第二选通线103b之间。换言之，在本发明的一个实施方式中，仅公共线107形成在基板101的显示区域的整个表面上。因此，在相邻的第一选通线103a之间以及在相邻的第二选通线103b之间没有附加或单独的公共线107。另外，在切换区域TrA中形成了连接到选通线103的栅极105。
第一选通线103a、第二选通线103b、栅极105和公共线107可以由低电阻金属材料形成。例如，第一选通线103a、第二选通线103b、栅极105和/或公共线107可以由诸如铝（Al）、铜（Cu）、Cu合金、钼（Mo）和Mo合金（MoTi）中的至少一种来形成。
如上所述，公共线107形成在阵列基板的包括多个像素区域P的显示区域的中心。即，在整个显示区域（即，整个液晶面板的显示区域）中存在单个公共线107。第一选通线103a和第二选通线103b与公共线107隔开例如各像素区域P的主轴的长度。
在选通线103、栅极105和公共线107上形成栅绝缘层110。在栅绝缘层110上形成与第一选通线103a和第二选通线103b以及公共线107交叉的数据线130。即，数据线130沿与第一方向不同的第二（例如，垂直）方向延伸。
在显示区域的包括公共线107的部分中，可以由选通线103、数据线130和公共线107来限定像素区域P。同时，在显示区域的不包括公共线107的部分中，可以由（i）第一选通线103a和数据线130或（ii）第二选通线103b和数据线130来限定像素区域P。
更详细地，图4中的像素区域P1被第一选通线103a、公共线107、第一数据线130a和第二数据线103b包围，从而限定第一像素区域P1。另外，在图4中，像素区域P2被第二选通线103b、公共线107、第一数据线130a和第二数据线103b包围，从而限定第二像素区域P2。
在栅绝缘层110上和在切换区域TrA中形成半导体层120。半导体层120与栅极105相对应，并且包括例如本征非晶硅的有源层120a和掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层120b。可以在半导体层120上形成源极133和漏极136。源极133和漏极136彼此分隔开。源极133可以连接到数据线130。由于数据线130是通过单个掩模工艺与半导体层120一起形成的，所以可存在包括位于数据线130下和栅绝缘层110上的第一图案121a和第二图案121b的半导体图案121。
栅极105、栅绝缘层110、半导体层120、源极133和漏极136构成切换区域TrA中的TFT Tr。
在图4至图6中，公共线107上方的像素区域P中的TFT Tr连接到第一选通线103a和第一数据线130a，并且公共线107下方的像素区域P中的TFT Tr连接到第二选通线103b和第二数据线130b。另选地，公共线107上方的像素区域P中的TFT Tr可以连接到第一数据线130a和第二数据线130b中的一个以及第一选通线103a，并且公共线107下方的像素区域P中的TFT Tr可以连接到第一数据线130a和第二数据线130b中的一个以及第二选通线103b。
在数据线130和TFT Tr上，堆叠有可由无机绝缘材料形成的第一钝化层140和可由有机绝缘材料形成的第二钝化层150。第二钝化层150可以具有平坦的顶表面。无机绝缘材料可以是氧化硅或氮化硅，而有机绝缘材料可以是例如光敏亚克力（photoacryl）。
在第二钝化层150中，形成与公共线107相对应的第一孔153。第一孔153可以形成在各像素列中。另选地，一个第一孔153可以沿选通线103形成在至少两个相邻像素区域P中。
在第二钝化层150上形成由诸如铟锡氧化物（ITO）或铟锌氧化物（IZO）的透明导电材料形成的公共电极160。公共电极160可以覆盖整个显示区域，并且在各像素区域P中具有露出切换区域TrA的第一开口“op1”。具体地，第一开口“op1”露出漏接触孔165以避免与像素电极170电短路。另外，公共电极160具有与第一孔153的一部分相对应的第二开口“op2”。换言之，第二开口“op2”的端部设置在第一孔153中。
在包括第一开口“op1”和第二开口“op2”的公共电极160上形成由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成的第三钝化层163。穿过第一钝化层140、第二钝化层150和第三钝化层163而形成漏接触孔165，漏接触孔165露出TFT Tr的漏极136。另外，穿过第三钝化层163而形成露出第一孔153中的公共电极160的第一公共接触孔167，并且穿过栅绝缘层110以及第一钝化层140和第三钝化层163而形成露出第二开口“op2”中的公共电极107的第二公共接触孔169。
在包括漏接触孔165、第一公共接触孔167和第二公共接触孔169的第三钝化层163上形成由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成的像素电极170。像素电极170单独地形成在各像素区域P中，并且通过漏接触孔165与漏极136接触。像素电极170具有至少一个条形的第三开口“op3”。第三开口“op3”与公共电极160相对应。
在图4中，第三开口“op3”具有直棒形状。另选地，第三开口“op3”可以具有关于像素区域P的中心线的弯曲形状。另外，垂直相邻的像素区域P中的第三开口“op3”可以一起形成为关于相邻像素区域P之间的选通线103对称弯曲形状。
图7至图9分别示出了第三开口“op3”的示例性形状。参照图7，一个像素区域P中的像素电极170的第三开口“op3”具有弯曲形状，使得在各像素区域P中产生两个域（domain）。参照图8，两个垂直相邻的像素区域P中的像素电极170的第三开口“op3”形成了关于所述两个垂直相邻的像素区域P之间（图4的）选通线103形成对称弯曲形状，使得在相邻的像素区域P中产生不同的域。参照图9，设置为矩阵形状的相邻像素区域P中的四个像素电极170的第三开口“op3”，关于（图4的）选通线103和（图4的）数据线130具有对称弯曲的形状，使得在图9中的相邻的像素区域P中产生不同的域。
再参照4至图6，在第三钝化层163上形成可由与像素电极170相同的材料形成的连接图案175。连接图案175的一部分在第一公共接触孔167中与公共电极160接触，并且连接图案175的另一部分在第二公共接触孔169中与公共线107接触。即，公共电极160和公共线107通过连接图案175彼此电连接。
如下面更详细描述的，可以通过六道掩模工艺来制造用于FFS模式LCD装置的以上阵列基板。结果，与通过七道掩模工艺制造的用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板相比，本发明的用于FFC模式LCD装置的阵列基板在生产成本和制造工艺方面具有优势。
另外，由于在显示区域的中心形成单个公共线107并且在其它区域在不具有公共线，所以提高了孔径比。此外，由于公共线107设置在选通线的位置，所以进一步提高了孔径比。
将参照图10A至图10F和图11A至图11F来说明示例性的六道掩模制造工艺，其中，图10A至图10F是示出沿图4的线V-V截取的部分的制造工艺的截面图，图11A至图11F是示出沿图4的线VI-VI截取的部分的制造工艺的截面图。
如图10A和图11A所示，在基板101上沉积低电阻金属材料以形成第一金属层（未示出）。例如，低电阻金属材料可以包括铝（Al）、Al合金、铜（Cu）、Cu合金、钼（Mo）和Mo合金（MoTi）中的至少一种。然后，通过一掩模工艺对第一金属层进行构图以形成（图4的）选通线103、连接到各选通线103的栅极105以及公共线107，其中，该掩模工艺包括在第一金属层上涂敷光刻胶（PR）层的步骤、利用曝光掩模将PR层曝光的步骤、对曝光的PR层进行显影以形成PR图案的步骤、利用PR图案作为蚀刻掩模对第一金属层进行蚀刻的步骤以及剥离PR图案的步骤。
如上所述，公共线107和选通线103沿第一方向延伸并彼此分隔开。公共线107仅形成在显示区域的中心例如，形成在LCD装置的液晶面板的显示部分的中心处。在另选实施方式中，公共线107可以仅形成在显示区域的另一部分或位置。
接着，如图10B和图11B所示，在基板101上沉积诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，其中，形成选通线103、栅极105和公共线107以形成栅绝缘层110。
接着，在栅绝缘层110上顺序地形成本征非晶硅层（未示出）、掺杂杂质的非晶硅层（未示出）以及第二金属层（未示出）。通过利用衍射曝光方法或半色调曝光方法以单个掩模工艺对本征非晶硅层、掺杂杂质的非晶硅层和第二金属层进行构图，以在切换区域TrA中形成本征非晶硅的有源层120a、掺杂杂质的非晶硅层的欧姆接触层120b、源极133和漏极136。源极133和漏极136从第二金属层形成，并且彼此分隔开。
栅极105、栅绝缘层110、包括有源层120a和欧姆接触层120b的半导体层120、源极133以及漏极136构成切换区域TrA中的TFT Tr。
在该工艺期间，在栅绝缘层110上形成数据线130。数据线130沿第二方向延伸以与选通线103和公共线107交叉。结果，限定了像素区域P。
在这种情况下，由于通过单个掩模工艺形成了数据线130、源极133和漏极136以及半导体层120，所以在数据线130下并且在栅绝缘层110上形成包括第一虚设图案121a和第二虚设图案121b的半导体虚设图案121。
接着，通过沉积诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，在形成有TFT Tr和数据线130的基板101上形成第一钝化层140。
接着，如图10C和图11C所示，可以通过涂敷具有低电介质常数的有机绝缘材料而在第一钝化层140上形成第二钝化层150。例如，第二钝化层150可以用光敏亚克力来形成，并且具有大约1微米至3微米的厚度以形成平坦的顶表面。
在没有无机绝缘材料的第一钝化层的情况下，当在TFT Tr上直接形成有机绝缘材料的第二钝化层150时，因为有源层120a与第二钝化层150接触，所以有源层120a被损坏或污染。另外，当对第二钝化层150进行构图时，漏极136被第二钝化层150的有机绝缘材料污染，使得可能产生漏极136和像素电极170之间的接触问题。为了避免这些问题，在不将漏极136露出的情况下，例如，在形成第一钝化层140之后并且在形成第二钝化层150之前不执行将漏极136露出的掩模工艺的情况下，在第二钝化层150下形成第一钝化层140。
接着，执行掩模工艺以形成露出第一钝化层140并与公共线107相对应的第一孔153以及露出第一钝化层140并与漏极136相对应的第二孔152。第一孔153可以形成在各像素区域P中，或可以形成在至少两个像素区域P中。
在这种情况下，用于形成第一孔153和第二孔152的掩模工艺比其它工艺简单。因为光敏亚克力具有光敏属性，所以不需要光刻胶图案。可以利用曝光掩模将第二钝化层150直接曝光，并将其显影以形成第一孔153和第二孔152。
接着，如图10D和图11D所示，在包括第一孔153和第二孔152的第二钝化层150上沉积诸如ITO或IZO的透明导电材料，以形成第一透明导电材料层（未示出）。通过掩模工艺对第一透明导电材料层进行构图，以在整个显示区域上形成公共电极160。公共电极160包括与切换区域TrA相对应的第一开口“op1”和第一孔153中的第二开口“op2”。
接着，如图10E和图11E所示，在公共电极160上沉积诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，以形成第三钝化层163。通过掩模工艺对第三钝化层163进行构图，以形成第一公共接触孔167、第二公共接触孔169和漏接触孔165。
更详细地，对与第一孔153相对应的第三钝化层163的一部分进行蚀刻，使得通过第一公共接触孔167而露出第一孔153中的公共电极160。对第三钝化层163和第一钝化层140的与第二孔152相对应的部分进行蚀刻，使得通过漏接触孔165而露出漏极136。对第三钝化层163、第一钝化层140和栅绝缘层110的与第二开口“op2”相对应的的部分进行蚀刻，使得通过第二公共接触孔169露出公共线107。
接着，如图10F和图11F所示，在包括第一公共接触孔167、第二公共接触孔169和漏接触孔165的第三钝化层163上沉积诸如ITO或IZO的透明导电材料，以形成第二透明导电材料层（未示出）。通过掩模工艺对第二透明导电材料层进行构图，以形成像素电极170和连接图案175。
像素电极170在各像素区域P中具有板形，并且通过漏接触孔165与漏极136接触。像素电极170在像素区域P中包括至少一个条形的第三开口“op3”。例如，如参照图7至图9所解释的，第三开口“op3”的形状可以改变。
连接图案175分别通过第一公共接触孔167和第二公共接触孔169与公共电极160和公共线107接触，使得公共电极160和公共线107通过连接图案175而彼此电连接。换言之，连接图案175的一端在第一公共接触孔167中与公共电极160接触，并且连接图案175的另一端在第二公共接触孔169中与公共线197接触。
通过六道掩模工艺来制造以上用于FFS模式LCD装置的阵列基板。结果，与通过七道掩模工艺制造的用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板相比，由于本发明的用于FFS模式LCD装置的阵列基板的制造减少了一道掩模工艺，所以本发明的用于FFS模式LCD装置的阵列基板在生产成本、产量和制造工艺方面具有优势。
另外，由于在显示区域的中心形成单个公共线而在其它区域没有形成公共线，所以提高了孔径比。此外，由于公共线不穿过像素区域，所以进一步提高了孔径比。
对于本领域技术人员而言明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以进行各种修改和变型。因此，本发明意在覆盖在所附权利要求及其等同物的范围内提供的本发明的修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年11月13日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2012-0127997的优先权，此处以引证的方式并入其全部内容，就像在此进行了完整阐述一样。

Claims (13)

1.一种用于边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：
公共线，其位于包括显示区域的基板上；
第一选通线和第二选通线，它们位于所述公共线的相对侧；
栅绝缘层，其位于所述第一选通线、所述第二选通线和所述公共线上；
第一数据线和第二数据线，它们位于所述栅绝缘层上，所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第一像素区域，并且与所述第二选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第二像素区域；
第一薄膜晶体管TFT和第二TFT，它们位于所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中；
第一钝化层，其位于所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一TFT和所述第二TFT上；
第二钝化层，其位于所述第一钝化层上，并且包括分别与所述第一TFT和所述第二TFT的漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；
公共电极，其位于所述第二钝化层上，并且包括与所述第一TFT和所述第二TFT中的每一个相对应的第一开口和所述第二孔中的第二开口；
第三钝化层，其位于所述公共电极上；
漏接触孔，其与所述第一孔相对应并穿过所述第三钝化层和所述第一钝化层，使得所述第一TFT和所述第二TFT的所述漏极通过所述漏接触孔露出；
第一公共接触孔，其与所述第二孔相对应并穿过所述第三钝化层，使得所述第二孔中的所述公共电极通过所述第一公共接触孔露出；
第二公共接触孔，其与所述第二开口相对应并穿过所述第三钝化层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层，使得所述公共线通过所述第二公共接触孔露出；
像素电极，其位于所述第三钝化层上以及所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中，所述像素电极包括至少一个第三开口并且连接到各个漏极；以及
连接图案，其位于所述第三钝化层上，并且将所述公共电极连接到所述公共线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述公共线设置在所述显示区域的中心。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述公共线设置在所述第一选通线中的一个与所述第二选通线中的一个之间，并且其中，其它选通线彼此相邻并且其间没有所述公共线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述连接图案的一端在所述第一公共接触孔中与所述公共电极接触，并且所述连接图案的另一端在所述第二公共接触孔中与所述公共线接触。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第三钝化层由氧化硅或氮化硅中的一种形成，并且所述第二钝化层由光敏亚克力形成。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一TFT连接到所述第一选通线和所述第一数据线，并且所述第二TFT连接到所述第二选通线和所述第二数据线。
7.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第三开口在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中具有弯曲形状，或者关于所述公共线具有弯曲形状。
8.一种制造用于边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
在显示区域的中心形成公共线，在所述公共线的一侧形成第一选通线，在所述公共线的另一侧形成第二选通线，并且形成连接到各选通线的栅极；
在所述公共线、所述第一选通线、所述第二选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；
在所述选通线上形成与所述栅极相对应的半导体层，在所述半导体层上形成第一数据线、第二数据线、彼此分隔开的源极和漏极，所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第一像素区域，并且与所述第二选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第二像素区域；
在所述第一数据线、所述第二数据线、所述源极和所述漏极上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层包括分别与所述漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；
在所述第二钝化层上形成公共电极，所述公共电极包括与所述漏极相对应的第一开口和所述第二孔中的第二开口；
在所述公共电极上形成第三钝化层；
对与所述第二孔相对应的所述第三钝化层进行构图，以形成露出所述公共电极的第一公共接触孔；
对与所述第一孔相对应的所述第三钝化层和所述第一钝化层进行构图，以形成露出所述漏极的漏接触孔；
对与所述第二开口相对应的所述第三钝化层、所述第一钝化层以及所述栅绝缘层进行构图，以形成露出所述公共线的第二公共接触孔；以及
在所述第三钝化层上形成像素电极和连接图案，所述像素电极通过所述漏接触孔连到所述漏极并且包括至少一个开口，并且所述连接图案将所述公共电极连接到所述公共线。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，对所述第三钝化层进行构图的步骤、对所述第三钝化层和所述第一钝化层进行构图的步骤、对所述第三钝化层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层进行构图的步骤同时执行。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述连接图案的一端在所述第一公共接触孔中与所述公共电极接触，并且所述连接图案的另一端在所述第二公共接触孔中与所述公共线接触。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第三钝化层由氧化硅或氮化硅中的一种形成，并且所述第二钝化层由光敏亚克力形成。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三开口在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中具有弯曲形状，或者关于所述公共线具有弯曲形状。
13.一种方法，该方法包括以下步骤：
形成公共线、第一选通线和连接到所述第一选通线的栅极，其中，所述第一选通线与所述公共线平行且分隔开；
在所述公共线、所述第一选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；
在所述第一选通线上形成半导体层，所述半导体层与所述栅极相对应；
形成第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一选通线和所述公共线交叉以限定第一像素区域；
在所述半导体层上形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极彼此分隔开；
在所述第一数据线、所述第二数据线、所述源极和所述漏极上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层中包括分别与所述漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；
在所述第二钝化层上形成公共电极，使得所述公共电极不直接接触所述公共线；
在所述公共电极上形成第三钝化层；
对所述第三钝化层进行构图，以形成露出所述公共电极的第一公共接触孔；
对所述第三钝化层和所述第一钝化层进行构图，以形成露出所述漏极的漏接触孔；
对所述第三钝化层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层进行构图，以形成露出所述公共线的第二公共接触孔；
在所述第三钝化层上形成连接图案，所述连接图案将所述公共电极电连接到所述公共线；以及
在所述第三钝化层上形成像素电极，所述像素电极连接到所述漏极。
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