CN101171693A - 光源装置和显示装置 - Google Patents

光源装置和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101171693A
CN101171693A CNA2006800153443A CN200680015344A CN101171693A CN 101171693 A CN101171693 A CN 101171693A CN A2006800153443 A CNA2006800153443 A CN A2006800153443A CN 200680015344 A CN200680015344 A CN 200680015344A CN 101171693 A CN101171693 A CN 101171693A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resist layer
supply apparatus
luminescent device
light supply
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800153443A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100578829C (zh
Inventor
藤野丰美
藤井优
深泽博之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN101171693A publication Critical patent/CN101171693A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100578829C publication Critical patent/CN100578829C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

一种具有改善的从发光元件的出光效率的光源装置。光源装置(10)由具有成对的电极(2，3)的基板(1)、发光元件(4)和密封发光元件(4)的透明树脂(7)组成。白色抗蚀层(6)形成于基板(1)上，且白色构件(8)形成于白色抗蚀层(6)上以控制透明树脂(7)的形状。白色构件通过部分地覆盖电极(2，3)形成在白色抗蚀层(6)上，并至少在发光元件(4)及其周边和在电极(2，3)的末端上的白色抗蚀层(6)上具有开口。

Description

光源装置和显示装置
技术领域
本发明涉及包括比如发光二极管的发光器件作为光源的光源装置，该光源装置适用于应用到能获得期望的颜色(白色或其它颜色)的面光源的照明光源装置。本发明还涉及包括从背后照亮显示单元的光源装置的显示装置。
背景技术
因为近些年发光二极管变得能产生高的输出，所以使用发光二极管(LED)的白色LED光源普遍地用于发射白光。
特别地，这种白色LED光源可以应用于要求产生高强度的照明设备，以及应用于投影设备及大尺寸的液晶显示器的背光源。对于这些用途，因为白色LED光源具有如下的优点：无汞从而具有小的环境负荷，颜色再现性优秀，响应度优秀，可以改变强度且产品寿命长，所以白色LED光源被期望替代相关技术的荧光灯(热阴极管和冷阴极管)作为白色光源。
为了节约能源，也就是改善上述白色LED光源的效率，重要的是不仅要改善发光二极管本身的发光效率，而且要改善从发光二极管芯片发射光的效率。
从发光二极管芯片发射光的效率受位于发光二极管芯片周围的装配构件很大的影响。
具体地，为了改善发光效率，有必要设计位于发光二极管芯片周围的装配构件。
作为连接基板上的电极与发光二极管芯片的方式，可以有发光二极管组合件排列在基板上的形式，以及发光二极管芯片直接安装在基板上并通过导线等连接至电极且进而形成透明树脂来覆盖发光二极管芯片以密封发光二极管芯片的形式(见专利文档1和专利文档2，例如)等。
[专利文档1]：日本未审查专利申请公开No.10-294498
[专利文档2]：日本未审查专利申请公开No.61-144890
发明内容
然而，至今已经提出的布置依然不足以改善从发光二极管芯片发射光的效率。
为了解决上述问题，本发明提供了一种能改善从发光二极管芯片发射光的效率的光源装置并提供包括该光源装置的显示装置。
根据本发明的光源装置包括含有至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和密封发光器件的透明树脂，其中白色抗蚀层形成于基板上以覆盖部分电极，并且包括形成于发光器件上、发光器件附近及电极的端子上的开口部分，及控制透明树脂形状的白色或透明构件形成于白色抗蚀层上。
根据本发明的光源装置的上述布置，因为白色抗蚀层形成于具有至少成对的电极的基板上，白色抗蚀层具有高反射率，导致可以通过增加透明树脂内的反射率来有效地发射光到透明树脂的外部。
而且，因为白色抗蚀层具有形成于发光器件上、发光器件附近及电极的端子上的开口部分，所以电极的端子和发光器件可以通过该白色抗蚀层的开口部分相互电连接。
此外，因为能控制透明树脂的形状的白色或透明构件形成于白色抗蚀层上，所以当制作光源装置时透明树脂的形状可以被白色或透明构件控制为预定的形状。而且，当光源装置在使用中时，即使从发光器件发出的光施加到构件上，该构件是白色的或透明的使得光几乎不被白色或透明构件吸收；因此，从这个观点而言，可以高效率地使用发射的光。
根据本发明的光源装置包括具有至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和密封发光器件的透明树脂，其中白色抗蚀层形成于基板上，白色抗蚀层具有形成于透明树脂周围的开口部分，且该白色抗蚀层也作为能控制透明树脂的形状的构件。
根据本发明的光源装置的上述布置，因为白色抗蚀层形成于基板上，且白色抗蚀层具有高反射率，所以透明树脂内的反射率被改善以使得光能被有效地发射到透明树脂的外部。
而且，因为白色抗蚀层包括形成于透明树脂周围的开口部分且该白色抗蚀层也作为控制透明树脂的形状的构件，所以当制作光源装置时透明树脂的形状能被白色或透明构件控制为预定的形状。
此外，根据本发明的显示装置包括显示图像的显示单元和从背后照亮显示单元的光源装置，其中光源装置具有根据本发明的光源装置的上述布置。
根据本发明的显示装置的上述布置，因为从背后照亮显示单元的光源装置具有本发明的光源装置的布置，所以光能被有效地发射到透明树脂的外部，导致可以充分地保持显示在显示单元上的图像的亮度。
根据本发明的上述光源装置，光能被有效地发射到透明树脂的外部。而且，因为制作光源装置时透明树脂的形状能被控制为预定的形状，所以透明树脂能形成为具有低的内反射的形状，比如球形，由此有效地发射光到透明树脂的外部。
如上所述，因为光能被有效地发射到透明树脂的外部，所以发射的光的强度能被充分地保持。而且，因为发射的光的强度能被充分地保持，所以能以低能量获得等于相关技术的布置的强度。
因此，光源装置的功耗能被降低以节省能量并延长光源装置的产品寿命。
而且，发光器件的数量能被减少以节省空间并减少部件成本。
而且，根据本发明的显示装置，因为它可以充分地保持显示在显示单元上的图像的亮度，所以与相关技术相比，图像能以低的能量显示。
因此，显示装置的功耗可以被减少以节约能量并延长显示装置的产品寿命。
而且，发光器件的数量能被减少以使得显示装置成为小尺寸的并减少部件成本。
附图说明
图1A和1B是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的示意图；
图2A和2B是图1的实施例的修改的实例的主要部分的示意图；
图3是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图4是图3的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图5是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图6是图5的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图7是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图8是图7的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图9是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图10是图9的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图11是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图12是图11的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图13是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图14是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图15是图14的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图16A和16B是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的示意图；
图17是图16的实施例的修改的实例的主要部分的截面图；
图18是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图19是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图20是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图21是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图22A和22B是根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的示意图；
图23是示出制作图22所示的光源装置的工艺的中间状态的扩大的平面图；
图24是示出根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图25是示出根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的截面图；
图26是根据本发明的实施例的彩色液晶显示装置的示意图(分解图)，该彩色液晶显示装置包括光源装置作为其背光光源；以及
图27是示出光源装置的实施例及其比较实例的反射谱分布的特征图。
具体实施方式
首先，在解释本发明的具体实施例之前，解释本发明的概要。
在具有使用比如发光二极管的发光器件芯片的布置且其中发光器件芯片由透明树脂密封的光源装置中，光从发光器件芯片发射到外部的效率如上文提及的受位于芯片周围的装配构件的影响。
作为由这种装配构件施加的影响，例如，可以有下列因素：
(A)透明树脂的透射率；
(B)透明树脂的折射率；
(C)透明树脂的形状(厚度/弯曲的形状)；
(D)在透明树脂内的基板的表面形状；
(E)在透明树脂内的基板表面的反射率。
在这些因素中，关于(A)密封树脂的透射率，期望高的透射率。
而且，关于(B)密封树脂的折射率，期望密封树脂的折射率和外部的折射率之间的差异要小。
而且，关于(C)透明树脂的形状，如果透明树脂具有球形形状，那么可以减少树脂和外部之间的界面上的反射。
根据本发明，通过改善(D)透明树脂内的基板的表面形状和(E)透明树脂内的基板表面的反射率，能改善发光效率且(C)透明树脂能形成为很好的形状。
因此，根据本发明，光源装置被这样配置以使得白色抗蚀层形成在包括至少成对的电极的基板上以覆盖部分电极，白色抗蚀层在至少发光器件上、发光器件附近和电极末端上具有开口部分，并且能控制透明树脂的形状的白色或透明构件形成在白色抗蚀层上。
或者，光源装置可以这样配置，不是形成白色或透明构件，白色抗蚀层包括形成在透明树脂周围的开口部分，且白色抗蚀层也作为控制透明树脂的形状的构件。
因为白色抗蚀层形成于包括至少该成对的电极的基板上，白色抗蚀层具有高反射率，这样透明树脂内的反射率得到改善且光能被有效地发射到透明树脂的外部。
而且，因为白色抗蚀层包括形成于发光器件上、发光器件周围和电极的端子上的开口部分，所以电极的端子和发光器件能通过白色抗蚀层的开口部分电连接。
此外，因为控制透明树脂的形状的白色或透明构件形成在白色抗蚀层上，所以当制作光源装置时透明树脂的形状能被白色或透明构件控制为预定形状。而且，当光源装置在使用时，如果从发光器件发射的光施加到构件，构件是白色的或透明的，这样发射的光几乎不被构件吸收；因此，也从这个观点而言，发射的光能被有效地使用。
如上所述，因为光能被有效地发射到透明树脂的外部，发射的光的充分高的强度能得到保持。而且，因为发射的光的强度能被充分保持，所以能以低能量获得等于相关技术布置的强度的高强度。
因此，光源装置的功耗能被减少以节约能量并延长光源装置的产品寿命。
此外，因为例如发光器件的个数减少，所以可以减少由发光器件占据的面积及它们的体积，因此节约空间并较少部件成本。
作为白色抗蚀层或白色抗蚀剂的材料，可以使用含有白色氧化钛的抗蚀剂，由TAMURA KAKEN公司制造FINEDEL DSR-330S42-13W(商品名)焊料抗蚀剂等。
例如，由丝网印制形成的白色膜或由标记印刷(mark printing)形成的白色膜能被用作白色构件。
作为由这种印刷形成的白色膜的材料，可以使用比如由TAIYO INKMFG.CO.，LTD制造的热硬化(一种成分)标记墨水“S-100W CM29”(商品名)或光成像(photoimageable)标记墨水“PHOTO FINER PMR-6000W30/CA-40G30”(商品名)的白色标记墨水材料。
作为透明构件的材料，可以使用透明膜，对该透明膜例如由衬垫印刷(pad printing)涂覆了含有透明氟材料的斥水性和斥油性的墨水。
作为由这种印刷或涂覆形成的透明膜的材料，可以使用由FLUOROTECHNOLOFY CO.，LTD制造的斥水性和斥油性的试剂“FS-1010Z-10”(商品名)。
根据本发明，如果白色抗蚀层还通过堆叠两层或更多层抗蚀层形成，那么可以通过增加该白色抗蚀层的厚度来改善反射率。
如果一层抗蚀层形成得厚，那么抗蚀层难于被硬化，这样可能要花费大量时间来硬化抗蚀层，或可能必须用强化的曝光来照射抗蚀层以完全曝光抗蚀层。因此，增加一层抗蚀层的厚度存在一个极限。
另一方面，如果厚白色抗蚀层通过两层或更多层抗蚀层来形成，那么能形成充分大的厚度的抗蚀层，且各层抗蚀层能以高速度被硬化。
此外，在本发明中，当白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层来形成时，如果在发光器件的附近，上层的开口的面积和位置区别于下层的开口的面积和位置，那么可以改善各形状特征中的反射率。
当在发光器件的附近上层的开口的面积比下层的开口的面积大时，上层的边缘位于下层的边缘之后，这样开口具有阶梯截面。结果，开口具有在向上方向敞开的形状以使得光可以在向上方向上容易反射。
如果在发光器件的附近上层的开口的面积比下层的面积小，那么上层的边缘悬于下层的边缘之上以使得表面的边缘被倒圆。从而，同样在这种情况，开口具有在向上方向敞开的形状且因此容易在向上方向上反射光。
如果在发光器件的附近上层的开口的面积和下层的开口的面积彼此相等，但是上层的开口的位置不同于下层的开口的位置，那么在开口的位置移位的方向上，在一侧上层的边缘位于下层的边缘之后而在另一侧上层的边缘悬于下层的边缘之上。结果，在每一侧，开口具有在向上方向敞开的形状并因此容易在向上方向上反射光。此外，因为上层的开口的位置不同于下层的开口的位置，所以在发光器件的附近既没有被上层也没有被下层覆盖的开口的面积减少；这样，变得可以进一步改善发光器件附近的反射率。
如果开口具有这三种形状，则即使两层抗蚀层的位置从预定位置移位到一定程度，则当开口保持在向上方向敞开的形状，光也能在向上方向上容易地发射。
此外，如果在由一层抗蚀层或两层以上的抗蚀层形成的白色抗蚀层中，整个白色抗蚀层的开口部分或每个抗蚀层的发光器件附近的开口部分具有在向上方向敞开的倾斜平面，那么，类似地，光能在向上方向容易地发射。
此外，如果发光器件是下表面发射型发光器件(发光层位于器件之下)，那么发光器件通过凸点连接被安装在基板上，在发光器件和基板之间具有间隙，且白色抗蚀层的上表面位于发光器件的发光层下面。从而，可以通过向上反射从发光层发射的光(特别地，在横向方向发射的光和在斜下方向发射的光)来增加反射率。
在这种布置中，当白色抗蚀层的开口部分的尺寸被进一步制得比发光器件的外部尺寸小时，白色抗蚀层在发光器件下被延伸，导致可以通过向上反射从发光层在向下方向发射的光来进一步改善反射率。
应该注意的是，即使当发光器件是上表面发射型的发光器件时，发光器件也在横向方向和斜下方向从发光层发射光，且如果白色抗蚀层具有类似的布置，那么可以通过在向上方向反射所发射的光来改善反射率。
而且，该布置可以应用到具有这样的布置的下层：其中在包括前面提及的两层的抗蚀层中发光器件的附近，通过使上层的开口的面积大于下层的开口的面积，从而开口具有成台阶截面的形状，因此获得类似的效果。
而且，根据本发明，如果决定将发光器件连接到基板的位置的识别构件还在发光器件下面的部分形成于电极上，或识别构件形成于透明树脂外的基板的表面上，那么能防止从发光器件发射的光被识别构件吸收或散射，因此改善了基板的表面上的反射率。
当识别构件在发光器件下面的部分形成于电极上时，因为在发光器件被安装在基板上之后识别构件被发光器件掩藏，所以发射的光变得难以施加到识别构件上。当识别构件形成于透明树脂外的基板的表面上时，识别构件远离发光器件以使得发射的光不被施加到识别构件。
尽管可以使用用于前面提及的白色构件等的标记墨水作为这种识别构件，但是识别构件不必限制于白色标记墨水，并且可以使用其它颜色的标记墨水作为识别构件。
应该注意的是，当识别构件形成于透明树脂外的基板的表面上时，如果识别构件形成于白色抗蚀层或白色基板上，那么由除白色外的其它颜色的标记墨水形成的识别构件能更容易地识别位置。
而且，位于白色抗蚀层的开口部分的电极的角部分可以被用作识别构件。同样在那种情形，电极的角部分可以在发光器件被安装在基板上后被发光元件掩藏。
然后，当使用识别构件将发光器件安装在基板上时，待安装发光元件的位置可以通过用比如照相机的装置来搜索该识别构件来确定。
而且，在本发明中，如果发光器件发射包括红色的至少两种颜色的光，白色抗蚀层的开口部分在密封红色发光器件的透明树脂内以大面积形成，且电极从开口部分面对透明树脂(电极与透明树脂直接接触)，那么高反射率能在红色发光器件的基板的表面上获得。
具体地，因为具有红色波长附近的波长的光可以在用于电极的金属材料上被高度地反射且金属材料的反射率高于白色抗蚀层的反射率，那么如果白色抗蚀层的开口部分以大面积形成以使电极面对透明树脂(电极与透明树脂直接接触)，则红色发光器件的反射率能被进一步增加。
在另一方面，因为在发射绿光和蓝光的发光器件中，具有发射光的波长附近的波长的光在白色抗蚀层上比在电极材料上更高度地被反射，所以期望白色抗蚀层的开口部分应该以小面积形成。
这里，依赖于波长的反射率相对于用作电极的金属材料的金、银和铜作比较。
金具有对红光波长附近的光具有高反射率，而它的反射率对于绿光附近的波长的光低至大约75％，且对蓝光波长附近的光低至40％。
银对于整个可见光线具有高的反射率。
铜对于红光附近的波长的光具有高反射率且它的反射率对于绿光附近的波长的光低至大约60％；而且，当波长从绿光附近的波长到蓝光附近的波长变短时，铜的反射率逐渐降低。铜对于蓝光附近的波长具有约55％的反射率且反射率高于金的反射率。
而且，在本发明中，透明防水涂料作为防水材料进一步在白色抗蚀层或白色构件上形成。
如上所述，因为由防水涂料制成的防水材料提供于白色抗蚀层或白色构件上，所以即使白色抗蚀层或白色构件的防水性不足够，则它们也是防水的，从而透明树脂的形状能由防水材料控制。
应该注意的是，虽然一个基板可以形成整个光源装置的白色抗蚀层，但是光源装置可以通过以固定间隔设置多个基板(相对小尺寸的基板)来配置，且由预定数目的发光器件分别安装在该多个基板上。
而且，如果在光源装置包括多个基板的布置中各个基板中的发光器件独立驱动，那么在每个基板中优化强度等变得可能。
另外，虽然发光器件的布置没有特别的限制，然而，如果例如发射相同颜色的发光器件以固定间隔设置，则导线和电极的布置，颜色分布等可以彼此相同。
图1A和1B示出根据本发明的实施例的光源装置的主要部分的示意图。图1A是截面图而图1B是平面图。
光源装置10被配置来使得成对的电极2、3形成于基板1上，连接至这些电极2、3的发光二极管芯片4由透明树脂7密封。
发光二极管芯片4设置于一个电极2上并电连接至该电极2。而且，芯片4和另外的电极3与导线5电连接。
透明树脂7具有拱顶形状，该拱顶的上表面是球形的。
在根据本发明的实施例的光源装置10中，特别地，白色抗蚀层6形成于基板1上。
此外，白色抗蚀层6具有形成于发光二极管芯片4和连接至导线5的电极3的末端周围的开口部分，且该白色抗蚀层在除了开口部分外的其它部分覆盖电极2、3。
开口部分具有如图1B所示的矩形形状。开口部分的内壁6A位于芯片4和电极3的末端附近的位置。
此外，在根据本发明的实施例的光源装置10中，白色标记墨水构件8提供于透明树脂7周围，且白色标记墨水构件8用于控制透明树脂7的形状。
白色标记墨水构件8能由比如丝网印刷的印刷方法形成。
作为白色标记墨水构件8的材料，例如可以使用前面提及的标记墨水。
应该注意，基板1的材料不被特别限制但它可以由典型的印刷板形成。如果使用比如玻璃环氧铜覆层叠板的预浸材料的白色基板作为基板的材料，那么基板1的反射率能被增加。
根据上述实施例的光源装置10，因为白色抗蚀层6形成于基板1上，且白色抗蚀层6在除了开口部分外的其它部分覆盖电极2、3，基板1侧面上的反射率相对于电极2、3直接面对透明树脂7的情况可以被增加。
结果，从透明树脂7向上发射的光的量增加以改善使用光的效率。
此外，根据本发明的实施例的光源装置10，由于白色标记墨水构件8提供于透明树脂7周围且透明树脂7的形状由白色标记墨水构件8控制，所以与不是白色的且至今用于控制透明树脂的形状的比如树脂的构件比较，由构件吸收的光的量能被减少且大量从发光二极管发射的光被反射。
另外，因为白色标记墨水构件8具有等同于白色抗蚀层6的反射率，所以在透明树脂7的圆周上的反射率能被增加。
根据本发明的实施例的光源装置10，因为光能有效地发射至透明树脂7的外部，所以可以充分地保持发射的光的强度。
而且，因为发射的光的强度能被充分地保持，所以可以以低能量获得等同于相关技术布置的强度。
因此，光源装置10的功耗能被降低以节省能量，且其产品寿命被延长。
此外，如果例如发光二极管芯片4的数目被减少，那么可以通过减少由芯片4占据的面积和体积来节省空间并降低部件成本。
下面，图2A和2B示出通过部分地修改图1所示的光源装置10得到的光源装置的主要部分的示意图。
在图2A和2B所示的光源装置中，特别地，环形的白色标记墨水构件8仅形成于透明树脂7的圆周上。
同样在这种情况中，透明树脂的形状能被白色标记墨水构件8控制。
另外，因为白色标记墨水构件8形成于透明树脂7周围，所以能防止光被构件吸收，并且因而可以反射从发光二极管发射的大量的光。
因为有助于反射率的白色标记墨水构件8没有提供于除了透明树脂7的圆周以外的其它部分，所以这样仅白色抗蚀层6形成厚度，且在那个位置的反射率与图1所示的光源装置10相比被稍微降低。另一方面，因为其中形成白色标记墨水构件8的区域被限制于透明树脂7的圆周，所以可以减少白色标记墨水构件8的材料的成本。
该布置的其它部分类似于图1所示的光源装置10的部分并因此不需重复描述。
下面，图3示出根据本发明另一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源12中，白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成。
如上所述，因为白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成，所以形成厚的白色抗蚀层6变得容易。
如果一个抗蚀层形成得厚，那么曝光变得难于达到抗蚀层的下部，结果抗蚀层变得难于硬化。因此，需要很多的时间来硬化抗蚀层，或必须使用强烈的曝光照射抗蚀层以对抗蚀层完全曝光。因此，一层的抗蚀层的厚度可以被限制。
另一方面，如果厚的白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62或更多层形成，那么能够形成足够厚的白色抗蚀层，且能够快速硬化各个抗蚀层61、62。
应该注意的是，在根据本发明的实施例的光源装置12中，两层抗蚀层61、62的开口部分的位置彼此相同以使得开口部分的内壁6A是基本成一体的。
该布置的其它部分类似于图1所示的光源装置10的部分并因此不需要重复描述。
下面，图4示出通过部分修改图3所示的光源装置12得到的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在图4所示的光源装置13中，环形白色标记墨水构件8仅在透明树脂7周围形成，类似于图2A和2B所示的光源装置11。
该布置的其它部分类似于图3所示的光源装置12的部分。
下面，图5示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置14中，白色抗蚀层16通过堆叠两层抗蚀层61、62形成。此外，白色标记墨水构件8通过堆叠两层墨水构件81、82形成。
这些层的两层墨水构件81、82具有相同的平面图案。
因为白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成，所以形成厚的白色抗蚀层6变得容易。
而且，因为白色标记墨水构件8通过堆叠两层墨水构件81、82形成，所以可以形成厚的白色标记墨水构件8。
下面，图6示出通过部分修改图5所示的光源装置14得到的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在图6所示的光源装置15中，环形白色标记墨水构件8仅在透明树脂7的周围形成，类似于图2A和2B所示的光源装置11。
布置的其它部分类似于图5所示的光源装置的部分。
下面，图7示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明实施例的光源装置16中，虽然白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成，然而该两层中的上抗蚀层62仅在透明树脂7的内部形成。
应该注意的是，发光二极管芯片4周围的开口部分在下抗蚀层61的位置和上抗蚀层62的位置之间相同地形成。
因为白色抗蚀层6通过在透明树脂7内堆叠两层抗蚀层61、62形成，所以白色抗蚀层6的反射率能通过增加白色抗蚀层6的厚度而增加。
因为上抗蚀层62没有形成于透明树脂7的外部上，所以可以降低上抗蚀层62的材料成本。
下面，图8示出通过部分修改图7所示的光源装置16得到的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在图8所示的光源装置17中，环形白色标记墨水构件8仅在透明树脂7周围形成，类似于图2A和2B所示的光源装置11。
布置的其它部分类似于图7所示的光源装置16的部分。
下面，图9示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置18中，尽管白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成，但是该两层中的上抗蚀层62具有形成于透明树脂7的***附近的开口部分。
上抗蚀层62在透明树脂7的***附近的开口部分形成为沿透明树脂7的***的环形，尽管没有示出。
而且，在本发明的实施例中，与本发明的前面提及的各个实施例的那些相比，白色标记墨水构件8的内壁8A设置得靠后，这样内壁8A形成于上抗蚀层62在透明树脂7的***附近的开口部分的外部上。结果，能防止白色标记墨水构件8进入内部，即使当白色抗蚀层6(61、62)和白色标记墨水构件8之间的位置关系从预定位置移位时。
因为上抗蚀层62包括在透明树脂7的***附近的开口部分，所以透明树脂7的形状能不仅被白色标记墨水构件8而且被开口部分控制。
下面，图10示出通过部分修改图9所示的光源装置18得到的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在图10所示的光源装置19中，环形白色标记墨水构件8仅在透明树脂7周围形成，类似于图2A和2B所示的光源装置11。
布置的其它部分类似于图9所示的光源装置11的部分。
下面，图11示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置20中，白色标记墨水构件8也形成于透明树脂7的内部中。
透明树脂7内的白色标记墨水构件8形成为具有沿透明树脂7的***的环形。
因为白色标记墨水构件8也形成在透明树脂7的内部中，所以透明树脂7内部的反射率在基板1侧面上能够通过高反射率的白色标记墨水构件8增加。
下面，图12示出通过部分修改图11所示的光源装置20得到的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在图12所示的光源装置21中，环形白色标记墨水构件8形成在透明树脂7周围，类似于图2A和2B所示的光源装置11。
布置的其它部分类似于图11所示的光源装置的部分。
下面，图13示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置22中，虽然白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成，但是白色抗蚀层6仅在透明树脂7的外部上形成，但相反，白色标记墨水构件8形成于透明树脂7的内部中。
应该注意的是，白色标记墨水构件8不形成于透明树脂7的外部上。
本发明的实施例区别于前面提及的各个实施例在于透明树脂7的形状由白色抗蚀层6的开口部分的内壁6A控制。
因为白色标记墨水构件8形成于透明树脂7内，所以透明树脂7的反射率能在其内部由厚的白色标记墨水构件8在基板1的侧面上进一步增加。
下面，图14示出根据本发明的再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置23中，白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成，白色抗蚀层6分别形成在透明树脂7的外部上和透明树脂7的内部中，且开口部分形成于这两层抗蚀层之间以沿透明树脂7的***延伸。
而且，白色标记墨水构件8形成于透明树脂7的外部上的白色抗蚀层6上。白色标记墨水构件8的内壁8A位于外部上并形成于沿透明树脂7延伸的白色抗蚀层6的开口部分的外部上。
因为由堆叠两层抗蚀层61、62形成的白色抗蚀层6形成于透明树脂7内，所以透明树脂7的反射率能在其内部通过由相对高的反射率的两层抗蚀层61、62形成的厚白色抗蚀层6在基板1的侧面上被增加。
而且，根据本发明的实施例，透明树脂7的形状由沿透明树脂7的***延伸的白色抗蚀层6的开口部分的内壁6A和白色标记墨水构件8的内壁8A控制。
下面，图15示出通过部分修改图14所示的光源装置23得到的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在图15所示的光源装置24中，环形白色标记墨水构件8形成于透明树脂7周围，类似于图2A和2B所示的光源装置11。
布置的其它部分类似于图14所示的光源装置23的部分。
下面，图16A和16B示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图。图16A是截面图而图16B是平面图。
根据本发明的实施例，光源装置包括发光二极管，该发光二极管发射包括红色R的两种或更多种颜色的光。
例如，光源装置包括红色R、绿色G和蓝色B三种颜色的发光二极管。然后，各个发光二极管芯片4由透明树脂7独立地封装。
根据本发明的实施例，此外，关于红色R的发光二极管芯片4R，如图16A和16B所示，白色抗蚀层6的开口部分在透明树脂7内以大面积形成，且电极2、3从具有大面积的开口部分面对透明树脂7。
另一方面，绿色G的发光二极管芯片4(4G)和蓝色B的发光二极管芯片4(4B)具有与图1A和1B中的类似的布置，其中白色抗蚀层6覆盖电极2和3至接近芯片4的部分。
因为电极2、3的金属材料对红光附近的波长的光具有高反射率并比白色抗蚀层6具有更高的反射率，所以如果在红色R的发光二极管中白色抗蚀层6的开口部分以大面积形成且电极2、3面对透明树脂7，那么可以在基板1的侧面上增加反射率。
因为电极2、3的金属材料对于绿光附近的波长的光和蓝光附近的波长的光具有低的反射率，且具有比白色抗蚀层6的反射率更低的反射率，所以如果关于绿色G和蓝色B的发光二极管白色抗蚀层6覆盖电极2、3至接近芯片4的部分，那么可以在基板1的侧面上增加反射率。
应该注意的是，关于绿色G的发光二极管芯片4(4G)和蓝色B的发光二极管4(4B)，白色标记墨水构件8可以提供于透明树脂7内部以使得反射率类似于图11至13所示的布置可以由白色标记墨水构件8在基板1的侧面上被增加。
而且，如通过部分修改图16A和16B中的布置得到的图17中截面图所示，白色标记墨水构件8可以形成为具有围绕透明树脂7的环形。
另外，图16A和16B所示的布置可以被部分修改以使得透明树脂7的形状可以类似于图13所示的布置由白色抗蚀层6的内壁6A来控制。
下面，图18示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置25中，白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成；此外，在发光二极管芯片4附近，上抗蚀层62的开口的面积被制成大于下抗蚀层61的开口部分的面积。
因为在发光二极管芯片4附近上抗蚀层62的开口部分的面积被制成大于下抗蚀层61的开口部分的面积，所以上抗蚀层62的内壁6B位于下抗蚀层61的内壁6A的后面，使得白色抗蚀层6(61、62)具有楼梯形状的横截面。结果，白色抗蚀层6(61、62)具有在向上方向敞开的形状，使得容易向上反射光，因此进一步增加使用发射的光的效率。
下面，图19示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明的实施例的光源装置26中，白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成；此外，在发光二极管芯片4附近上抗蚀层62的开口部分的面积被制成比下抗蚀层61的开口部分的面积小。
因为在发光二极管芯片4附近上抗蚀层62的开口部分的面积被制成比下抗蚀层61的开口部分的面积小，所以上抗蚀层62的边缘覆盖下抗蚀层61的边缘，使得上抗蚀层62的内壁6B的表面上的角落可以是倒圆的。结果，白色抗蚀层6(61、62)具有在向上方向敞开的形状，使得容易向上反射光，因此进一步增加使用发射的光的效率。
下面，图20示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明实施例的光源装置27中，白色抗蚀层6通过堆叠两层抗蚀层61、62形成；此外，在发光二极管芯片4附近，上抗蚀层62的开口部分的面积被制成与下抗蚀层61的开口部分的面积彼此相等，且上抗蚀层62的开口部分的位置被制成与下抗蚀层61的开口部分的位置彼此不同。上抗蚀层62的开口部分从下抗蚀层61的开口部分如图所示在附图的纸面内向左移动。
因为在发光二极管芯片4附近上抗蚀层62的开口部分的面积被制成与下抗蚀层61的开口部分的面积彼此相等，且上抗蚀层62的开口部分从下抗蚀层61的开口部分如图所示在附图的纸面内所示向左移动，所以在附图的纸面向右和左的方向中，在左边上抗蚀层62的内壁6B位于下抗蚀层61的内壁6A之后，而在右边上抗蚀层62的边缘覆盖下抗蚀层61的边缘。结果，因为白色抗蚀层6(61、62)被成形得在左和右的任何一边都被敞开，所以光能在向上方向上被容易地反射，因此可以进一步改善使用发射的光的效率。此外，因为上抗蚀层62的位置和下抗蚀层61的位置相互移位，所以没有上抗蚀层62和下抗蚀层61的开口部分的面积减少并因而进一步增加了使用发射的光的效率。
应该注意的是，根据本发明的实施例，如果上抗蚀层62的开口部分在图20中的前和后方向从下抗蚀层61的开口部分移动，那么白色抗蚀层能形成得在整体上在向上方向上敞开。
下面，图21示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明实施例的光源装置28中，与图20所示的光源装置27的布置相比，下抗蚀层61的开口部分的内壁6A和上抗蚀层62的开口部分的内壁6B被成形以都具有在向上方向敞开的倾斜面。
为了使抗蚀层61、62的开口部分的内壁6A、6B形成为如上所述的倾斜面，例如当抗蚀层61、62被曝光时抗蚀层可以用倾斜的曝光照射。
而且，曝光掩模可以形成为朝掩模的末端部分其厚度连续减小(或曝光的透射率连续增加)的特殊的掩模。
此外，例如，倾斜面可以通过在形成抗蚀层61、62之后切割内壁来形成。
此外，倾斜面可以在抗蚀层61、62由印刷工艺形成之后在抗蚀层被硬化之前通过由于它们自身的重力而变形的抗蚀层形成。
因为下抗蚀层61的开口部分的内壁6A和上抗蚀层62的开口部分的内壁6B被成形以具有在向上方向都敞开的倾斜面，所以与图20所示的光源装置中白色抗蚀层具有类似楼梯形状的截面的情况相比，光能在向上方向上被更容易地反射；因此，可以进一步改善使用发射的光的效率。
下面，图22A和22B示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图。图22A示出截面图而图22B示出平面图。
在根据本发明实施例的光源装置29中，发光二极管芯片4由提供在芯片4之下的凸起9连接至左电极2和右电极3。
而且，白色抗蚀层6的上表面位于芯片4的下表面之下。
此外，白色抗蚀层6的开口部分的尺寸被制成比芯片4的外尺寸更小以使得白色抗蚀层6在芯片4下延伸。白色抗蚀层6的开口部分的内壁6A如图22B中虚线所示在右和左方向及在前和后方向上在芯片4下延伸。
因为白色抗蚀层6的上表面位于发光二极管芯片4的下表面之下，所以白色抗蚀层6的下表面位于发光二极管的发光层之下；因此，从发光层发射的光(具体地，在横向方向发射的光和在斜下方向发射的光)可以由白色抗蚀层6向上反射，因此改善发射率。
而且，因为白色抗蚀层6的开口部分的尺寸小于芯片4的外尺寸以使得白色抗蚀层6在芯片下延伸，所以可以通过向上反射从发光层向下发射的光来进一步增加发射率。
虽然本发明的上述实施例特别地适用于应用到其中发光层位于器件之下以在向下方向上发射大量的光的下表面发射型发光二极管芯片，但是本发明的实施例也能应用到上表面发射型发光二极管芯片，并具有改善了反射率的效果。
当发光二极管芯片4在制备光源装置时连接至基板1的电极2、3时，典型地确定芯片4的位置的识别构件位于芯片4被设置的部位附近的位置。
典型地，标记墨水构件(除了白色外的其它颜色的标记墨水构件)被用作识别构件，然而，如果这种标记墨水构件用作发光二极管芯片4的构件，则存在从发光二极管发射的光被标记墨水构件吸收或散射的危险。
或者，虽然在发光器件周围制备的电极构件的独特形状可以经常被用作这种识别构件，但是如果电极构件对除红色发光器件外的其它发光器件被超过必要地暴露，那么使用发射的光的效率会下降。
或者，在图22A和22B所示的光源装置29中，例如，识别构件形成于发光二极管芯片4下的电极2、3的表面上或形成于透明树脂7的外部的基板1的表面上。
当识别构件形成于发光二极管芯片4下的电极2、3的表面上时，因为在芯片4被安装在光源装置上后该识别构件被芯片4掩藏，所以发射的光几乎不能施加到识别构件。
当识别构件形成于透明树脂7的外部的基板1的表面上时，因为识别构件远离芯片，发射的光几乎不施加到识别构件。
此外，当识别构件形成在发光二极管芯片4下电极2、3的表面上时，可以使用与相关技术的标记墨水构件类似的标记墨水构件作为识别构件；然而，如果电极2、3的图案(角部分等)被用于识别构件，那么形成识别构件的工艺就不需要且可以通过减少工艺数目来降低制造成本。
这里，将参考图23描述其中电极2、3的图案(角落等)被用作图22所示的光源装置29中的识别构件的情况。图23是示出在制造光源装置29的工艺中的中间状态的放大平面图，具体地，是芯片4被安装在光源装置上之前的状态。
右电极3在凸起9下向左延伸，且位于电极3的上左边的和位于电极的下左边的角部分40可以用作识别构件。
因为电极3在颜色或反射率上区别于基板1，所以使用比如照相机的装置能没有困难地确定电极30的角部分。
而且，左电极2的角部分也可以用作这种识别构件。
应该注意的是，为了使用电极2、3的角部分等作为识别构件，期望地，角部分应该位于白色抗蚀层6的开口部分(内壁6A)的内部，使得角部分可以没有被白色抗蚀层6覆盖。
应该注意的是，各自在图18至22示出的根据本发明实施例的光源装置25、26、27、28和29可以被修改以具有类似于图2A和2B的白色标记墨水构件8仅形成在透明树脂7周围的布置。
而且，图1至21所示的本发明各个实施例的光源装置的布置可以被修改，使得芯片可以通过比如凸起的装置被连接至左电极2和右电极3，而不实用导线5。在这种情况，因为导线5不用于连接芯片至电极，所以布置是基本对称的以使得左和右电极2、3的位置和白色抗蚀层6的开口部分的内壁的位置从图1至21所示的那些稍微改变。
下面，图24示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明实施例的光源装置30中，防水构件41在透明树脂7周围的环形的白色标记墨水构件8上形成。
当单独使用白色标记墨水构件8的防水性不充分时，防水构件41被提供以通过给出的防水性而满意地控制透明树脂7的形状。
能防止受紫外光和热而变成黄色、透明以有效地使用白色标记墨水构件8的反射且粘度相对低的防水涂料，适合于作为防水构件41的材料，其中白色标记墨水构件8作为底涂层。具体地，比如硅树脂的防水剂可以用作防水构件41。
下面，图25示出根据本发明再一个实施例的光源装置的主要部分的示意图(截面图)。
在根据本发明实施例的光源装置31中，防水构件41形成于在透明树脂7周围具有环形形状的白色标记墨水构件8的外部上。
在这种情况，因为防水构件41形成于白色标记墨水构件8的外部，透明树脂7延伸至防水构件41的内部。
布置的其它部分类似于图24所示的光源装置30的部分。
图1至25所示的本发明各个实施例的光源装置能用于照射设备、投影仪光源、彩色液晶显示装置的背光设备等。
例如，当根据本发明各个实施例的光源装置被应用到背光设备时，透射型彩色液晶显示面板和提供在彩色液晶显示面板的背后的背光设备能组成彩色液晶显示装置。
当本发明应用到用于彩色液晶显示装置的背光设备时，红色R的发光二极管，绿色G的发光二极管和蓝色B的发光二极管各自用透明树脂7密封，且每个或预定数目的三种颜色R、G、B的发光二极管以预定的形式(例如，三角形布置，其中发光二极管以三角形的形式排布)布置，因此提供发光二极管组。此外，发光二极管组例如以矩阵排布以构建背光设备。
图26示出根据本发明实施例的彩色液晶显示装置的示意图(分解图)。
图26所示的彩色液晶显示装置100包括透射型彩色液晶显示面板110和提供在彩色液晶显示面板110的背后的背光单元140。
透射型彩色液晶显示面板110具有这样的布置，其中由玻璃等制成的两个透明基板(TFT基板111和相对电极基板112)彼此面对，其中密封了扭转向列液晶的液晶层113提供于这两个相对的基板之间的空间中。作为开关元件的以矩阵布置的薄膜晶体管(TFT)116和像素电极117形成于TFT基板111上。
薄膜晶体管116被扫描线115顺序选择并将从信号线114提供的视频信号写入到相应的像素电极117中。
相对电极基板112具有相对电极118和形成于其内表面的滤色器119。
滤色器119被分成对应于各个像素的段，虽然没有示出这些像素。例如，该滤色器被分成三基色的红滤波器、绿滤波器和蓝滤波器三个段。
在彩色液晶显示装置100中，具有上述布置的透射型彩色液晶显示面板110被两个偏振片131、132夹置；然后，在其中透射型彩色液晶显示面板使用背光单元140从背后通过白光照射时，显示装置能由有源矩阵***驱动以显示全彩色图像。
背光单元140用于从背后照射彩色液晶显示面板110。如图26所示，背光单元140包括背光设备120和堆叠在背光设备120的发光表面120a上的散射器141，该背光设备120包括光源，且从发光表面120a表面发射混合有从光源发射的光的颜色的白光。
散射器141用于通过散射从发光表面120a发射的白光，使在表面发射中的亮度均匀。
然后，背光设备120被配置来使得每个由三种颜色的发光二极管形成的发光二极管组以矩阵布置，虽然没有示出。
结果，因为光被有效地从各个发光二极管组发射，所以可以保持在彩色液晶显示面板110上显示的图像的充分的高亮度。
而且，因为能保持图像的充分高的亮度，所以可以以低能量显示与由相关技术布置所提供的相同的亮度的图像。
虽然发光二极管(LED)在本发明上面提及的实施例中用作发光器件，但是本发明不限制于此，且光源装置能通过使用其它发光器件布置。例如，可以使用半导体激光器等作为发光器件。
(实例)
下面，实际制造了光源装置并测试了反射光谱分布。
在实例中，白色抗蚀层6形成于基板1和电极2、3上，白色抗蚀层6的厚度变为40μm、30μm和22.5μm并然后制造各个样品。
另外，制作了没有白色抗蚀层6的样品作为比较例。
对于各个样品，测试了在电极(导线)2、3上的反射光谱分布。在比较例的样品中，也测试了电极(导线)2、3的外部上的反射光谱分布。
图27示出测试结果。而且，图27示出用于导线材料的Cu的反射光谱分布作为参考。
从图27，可以了解其中白色抗蚀层6形成于电极(导线)2、3上的各个实例具有基本类似的反射光谱分布，其中可以在光的可见光的宽的波长范围中获得高的反射率。而且，可以理解，随着白色抗蚀层6的厚度增加到22.5μm、30μm和40μm，反射率逐渐增加。认为当白色抗蚀层的厚度到达某个厚度时达到饱和。
另一方面，比较例对电极(导线)2、3具有小的波长依赖性并具有从60％到65％的反射率范围。在电极(导线)2、3上，在短波长侧的反射率低至大约53％；且反射率随着波长的增加而逐渐增加，并且比较例示出基本类似于用作导线材料的Cu的反射光谱分布的那些趋势。
具体地，因为光源装置具有其中白色抗蚀层6形成于电极(导线)2、3上的各个实施例的布置，所以高反射率能在光的可见光的宽的波长范围中获得并因此改善了发光效率。
本发明不限制于上面提及的实施例并可以采用各种其它布置，只要不偏离本发明的精神。
参考标号说明
1...基板，2、3...电极，4...(发光二极管)芯片，5...导线，6...白色抗蚀层，7...透明树脂，8，81和82...白色标记墨水构件，9...凸起，10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30和31...光源装置，41...防水构件，61、62...抗蚀层和100...彩色液晶显示装置
权利要求书
根据第19条第1款的声明
权利要求1被修改以明确白色抗蚀层通过堆垛两层或更多层抗蚀层形成。
引用的参考示出其中白色硅层的防油性的覆层形成于基板上的白色抗蚀层上的半透明树脂的周围。
根据本应用的发明，因为白色抗蚀层形成于至少包括成对的电极的基板上，白色抗蚀层的反射率高；这样，可以通过增加透明树脂内部中的反射率来有效地将光发射到透明树脂的外部。此外，因为白色抗蚀层通过堆垛两层或更多层抗蚀层形成，白色抗蚀层具有足够的厚度以增加反射率。
权利要求6被删除。
权利要求16被修改以从属于权利要求1。
1. 一种光源装置，特征在于包括：
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，
所述白色抗蚀层形成以覆盖部分所述电极，并且包括至少在所述发光器件上、所述发光器件附近和所述电极的端子上的开口部分，
控制所述透明树脂的形状的白色或透明构件形成在所述白色抗蚀层上，以及
所述白色抗蚀层通过堆叠两层或更多层抗蚀层形成。
2. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色或透明构件由白色印刷墨水制成。
3. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色或透明构件具有防水性。
4. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层或所述白色或透明构件具有形成于其上的防水涂料。
5. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层的所述开口部分具有一形状，所述形状具有上侧被敞开的倾斜面。
6. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层形成，其中在所述发光器件附近的上层的开口部分的面积大于所述发光器件附近的下层的开口部分的面积。
7. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层形成，其中所述发光器件附近的上层的开口部分的面积小于所述发光器件附近的下层的开口部分的面积。
8. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层形成，其中所述发光器件附近的上层的开口部分的面积与所述发光器件附近的下层的开口部分的面积基本彼此相等，且所述上层的所述开口部分的位置从所述下层的所述开口部分的位置移位。
9. 如权利要求6所述的光源装置，其中所述下层比所述上层更薄。
10. 如权利要求6所述的光源装置，其中所述下层包括所述发光器件附近的所述开口部分，所述开口部分形成为上侧被敞开的倾斜面。
11. 如权利要求7所述的光源装置，其中所述上层包括所述发光器件附近的所述开口部分，所述开口部分形成为上侧被敞开的倾斜面。
12. 如权利要求8所述的光源装置，其中所述上层和所述下层每个包括所述发光器件附近的开口部分，所述开口部分形成为上侧被敞开的倾斜面。
13. 如权利要求6所述的光源装置，其中所述下层具有高度低于所述发光器件的发光表面的上表面。
14. 如权利要求13所述的光源装置，其中所述发光器件附近的所述下层的所述开口部分具有小于所述发光器件的面积的面积。
15. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述两层抗蚀层中的上抗蚀层仅提供在所述透明树脂的***之下和之上。
16. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层具有高度低于所述发光器件的发光表面的上表面。
17. 如权利要求16所示的光源装置，其中所述发光器件附近的所述白色抗蚀层的所述开口部分具有比所述发光器件的面积更小的面积。
18. 如权利要求1所述的光源装置，其中
所述发光器件由至少两个发射包括红色的不同颜色的光的发光器件形成；以及
在密封所述红色发光器件的所述透明树脂内，所述白色抗蚀层的所述开口部分的面积比密封其它颜色的发光器件的所述透明树脂中的所述白色抗蚀层的所述开口部分的面积更大，且所述电极从具有比密封其它颜色的发光器件的所述透明树脂中的更大的面积的所述开口部分面对所述透明树脂。
19. 如权利要求1所述的光源装置，其中至少所述基板的电极侧上的表面是白色的。
20. 如权利要求1所述的光源装置，还包括用于确定所述发光器件连接至所述基板的所述电极的位置的识别构件，所述识别构件在所述发光器件之下形成于所述电极上。
21. 如权利要求1所述的光源装置，还包括用于确定所述发光器件连接至所述基板的所述电极的位置的识别构件，所述识别构件在所述透明树脂的外部上形成于所述基板的表面上。
22. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述多个发光器件至少是以相同的间隔位于所述基板上的相同颜色的发光器件。
23. 一种光源装置，特征在于包括：
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，
所述白色抗蚀层包括在所述透明树脂周围的开口部分，并且也作为控制所述透明树脂的形状的构件。
24. 如权利要求23所述的光源装置，其中由白色印刷墨水制成的构件在所述透明树脂内于所述发光器件周围形成在所述基板上。
25. 如权利要求23所述的光源装置，其中所述发光器件由至少两个发射包括红色的不同的颜色的光的发光器件形成；以及
在密封所述红色发光器件的透明树脂内，所述白色抗蚀层的开口部分的面积比在密封其它颜色的所述发光器件的所述透明树脂中的所述白色抗蚀层的开口部分的面积大，且所述电极从具有比密封其它颜色的发光器件的所述透明树脂中的更大的面积的所述开口部分面对所述透明树脂。
26. 如权利要求1所述的光源装置，其中所述发光器件是发光二极管。
27. 如权利要求23所述的光源装置，其中所述发光器件是发光二极管。
28. 一种显示装置，特征在于包括：
显示单元，用于显示图像；以及
光源装置，用于从背后照射所述显示单元，其中
所述光源装置包括
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，所述白色抗蚀层形成以覆盖部分所述电极，并且包括至少在所述发光器件上、所述发光器件附近和在所述电极的末端上的开口部分，以及控制所述透明树脂的形状的白色或透明构件形成在所述白色抗蚀层上。
29. 一种显示装置，特征在于包括：
显示单元，用于显示图像；以及
光源装置，用于从背后照射所述显示单元，其中
所述光源装置包括
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，所述白色抗蚀层包括在所述透明树脂周围的开口部分，并且也作为控制所述透明树脂的形状的构件。

Claims (30)

1.一种光源装置，特征在于包括：
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，
所述白色抗蚀层形成以覆盖部分所述电极，并且包括至少在所述发光器件上、所述发光器件附近和在所述电极的端子上的开口部分，以及
控制所述透明树脂的形状的白色或透明构件形成在所述白色抗蚀层上。
2.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色或透明构件由白色印刷墨水制成。
3.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色或透明构件具有防水性。
4.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层或所述白色或透明构件具有形成于其上的防水涂料。
5.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层的所述开口部分具有一形状，所述形状具有上侧被敞开的倾斜面。
6.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层或更多层抗蚀层形成。
7.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层形成，其中在所述发光器件附近的上层的开口部分的面积大于所述发光器件附近的下层的开口部分的面积。
8.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层形成，其中所述发光器件附近的上层的开口部分的面积小于所述发光器件附近的下层的开口部分的面积。
9.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层通过堆叠两层抗蚀层形成，其中所述发光器件附近的上层的开口部分的面积与所述发光器件附近的下层的开口部分的面积基本彼此相等，且所述上层的所述开口部分的位置从所述下层的所述开口部分的位置移位。
10.如权利要求7所述的光源装置，其中所述下层比所述上层更薄。
11.如权利要求7所述的光源装置，其中所述下层包括所述发光器件附近的所述开口部分，所述开口部分形成为上侧被敞开的倾斜面。
12.如权利要求8所述的光源装置，其中所述上层包括所述发光器件附近的所述开口部分，所述开口部分形成为上侧被敞开的倾斜面。
13.如权利要求9所述的光源装置，其中所述上层和所述下层每个包括所述发光器件附近的开口部分，所述开口部分形成为上侧被敞开的倾斜面。
14.如权利要求7所述的光源装置，其中所述下层具有高度低于所述发光器件的发光表面的上表面。
15.如权利要求14所述的光源装置，其中所述发光器件附近的所述下层的所述开口部分具有小于所述发光器件的面积的面积。
16.如权利要求6所述的光源装置，其中所述两层抗蚀层中的上抗蚀层仅提供在所述透明树脂的***之下和之上。
17.如权利要求1所述的光源装置，其中所述白色抗蚀层具有高度低于所述发光器件的发光表面的上表面。
18.如权利要求17所示的光源装置，其中所述发光器件附近的所述白色抗蚀层的所述开口部分具有比所述发光器件的面积更小的面积。
19.如权利要求1所述的光源装置，其中
所述发光器件由至少两个发射包括红色的不同颜色的光的发光器件形成；以及
在密封所述红色发光器件的所述透明树脂内，所述白色抗蚀层的所述开口部分的面积比密封其它颜色的发光器件的所述透明树脂中的所述白色抗蚀层的所述开口部分的面积更大，且所述电极从具有比密封其它颜色的发光器件的所述透明树脂中的更大的面积的所述开口部分面对所述透明树脂。
20.如权利要求1所述的光源装置，其中至少所述基板的电极侧上的表面是白色的。
21.如权利要求1所述的光源装置，还包括用于确定所述发光器件连接至所述基板的所述电极的位置的识别构件，所述识别构件在所述发光器件之下形成于所述电极上。
22.如权利要求1所述的光源装置，还包括用于确定所述发光器件连接至所述基板的所述电极的位置的识别构件，所述识别构件在所述透明树脂的外部上形成于所述基板的表面上。
23.如权利要求1所述的光源装置，其中所述多个发光器件至少是以相同的间隔位于所述基板上的相同颜色的发光器件。
24.一种光源装置，特征在于包括：
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，
所述白色抗蚀层包括在所述透明树脂周围的开口部分，并且也作为控制所述透明树脂的形状的构件。
25.如权利要求24所述的光源装置，其中由白色印刷墨水制成的构件在所述透明树脂内于所述发光器件周围形成在所述基板上。
26.如权利要求24所述的光源装置，其中所述发光器件由至少两个发射包括红色的不同颜色的光的发光器件形成；以及
在密封所述红色发光器件的透明树脂内，所述白色抗蚀层的开口部分的面积比在密封其它颜色的所述发光器件的所述透明树脂中的所述白色抗蚀层的开口部分的面积大，且所述电极从具有比密封其它颜色的发光器件的所述透明树脂中的更大的面积的所述开口部分面对所述透明树脂。
27.如权利要求1所述的光源装置，其中所述发光器件是发光二极管。
28.如权利要求24所述的光源装置，其中所述发光器件是发光二极管。
29.一种显示装置，特征在于包括：
显示单元，用于显示图像；以及
光源装置，用于从背后照射所述显示单元，其中
所述光源装置包括
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，所述白色抗蚀层形成以覆盖部分所述电极，并且包括至少在所述发光器件上、所述发光器件附近和在所述电极的端子上的开口部分，以及控制所述透明树脂的形状的白色或透明构件形成在所述白色抗蚀层上。
30.一种显示装置，特征在于包括：
显示单元，用于显示图像；以及
光源装置，用于从背后照射所述显示单元，其中
所述光源装置包括
包括至少成对的电极的基板、至少一个发光器件和用于密封所述发光器件的透明树脂，其中
白色抗蚀层形成于所述基板上，所述白色抗蚀层包括在所述透明树脂周围的开口部分，并且也作为控制所述透明树脂的形状的构件。
CN200680015344A 2006-01-26 2006-12-27 光源装置和显示装置 Expired - Fee Related CN100578829C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006017922A JP4049186B2 (ja) 2006-01-26 2006-01-26 光源装置
JP017922/2006 2006-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101171693A true CN101171693A (zh) 2008-04-30
CN100578829C CN100578829C (zh) 2010-01-06

Family

ID=38309030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200680015344A Expired - Fee Related CN100578829C (zh) 2006-01-26 2006-12-27 光源装置和显示装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7728343B2 (zh)
EP (1) EP1978566A4 (zh)
JP (1) JP4049186B2 (zh)
KR (1) KR20080092239A (zh)
CN (1) CN100578829C (zh)
TW (4) TW200926465A (zh)
WO (1) WO2007086229A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102279497A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 元太科技工业股份有限公司 彩色滤光基板及显示装置
CN103155721A (zh) * 2010-10-06 2013-06-12 日本发条株式会社 金属基电路基板
CN103620804A (zh) * 2011-06-17 2014-03-05 索尼公司 光源电路单元、照明器和显示器
CN104776349A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置
TWI580892B (zh) * 2012-06-07 2017-05-01 Shikoku Instrumentation Co Ltd LED lighting module and LED lighting device
CN107466171A (zh) * 2017-07-25 2017-12-12 沈雪芳 柔性印刷电路板、加工工艺及灯带
CN107623065A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 罗姆股份有限公司 半导体发光器件及其制造方法
CN112687748A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 佛山市国星光电股份有限公司 一种背光模块及其制作方法
CN113391481A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 夏普株式会社 发光元件装载基板及背光源

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1928026A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
KR101449005B1 (ko) * 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5140413B2 (ja) * 2007-12-28 2013-02-06 株式会社日立製作所 実装基板、及びこの実装基板を備えるｌｅｄ光源装置
JP5367260B2 (ja) * 2007-12-28 2013-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
US20110095310A1 (en) * 2008-03-26 2011-04-28 Shimane Prefectural Government Semiconductor light emitting module and method of manufacturing the same
JP5289835B2 (ja) * 2008-06-25 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI384659B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
DE102009008738A1 (de) * 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
DE102009031008A1 (de) 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP4747265B2 (ja) * 2009-11-12 2011-08-17 電気化学工業株式会社 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JP5623062B2 (ja) 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2011065421A1 (ja) 2009-11-27 2011-06-03 京セラ株式会社 発光装置
JP5446915B2 (ja) * 2010-01-21 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 生体情報検出器及び生体情報測定装置
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
TW201201419A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
US9159892B2 (en) * 2010-07-01 2015-10-13 Citizen Holdings Co., Ltd. LED light source device and manufacturing method for the same
JP2012074483A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子収納用パッケージ
TWI407600B (zh) * 2010-10-25 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構的製造方法
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US20150062915A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Cree, Inc. Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8455908B2 (en) * 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
JP2012204370A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
JP5817297B2 (ja) * 2011-06-03 2015-11-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
EP2741341B1 (en) * 2011-08-01 2022-11-23 Shikoku Instrumentation Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
WO2013070696A1 (en) 2011-11-07 2013-05-16 Cree, Inc. High voltage array light emitting diode (led) devices, fixtures and methods
JP2013179148A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Unistar Opto Corp 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法
JP2013201255A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
DE102012213178A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Modul mit Leiterplatte
JP6553143B2 (ja) * 2012-05-09 2019-07-31 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6219586B2 (ja) 2012-05-09 2017-10-25 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5994472B2 (ja) 2012-08-09 2016-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014056856A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
CN104488096B (zh) * 2012-09-26 2017-09-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
JP6221403B2 (ja) 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
JP6255747B2 (ja) * 2013-07-01 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6344689B2 (ja) * 2013-07-16 2018-06-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置
JP6681139B2 (ja) 2014-12-24 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6414485B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6583669B2 (ja) * 2015-08-03 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6704189B2 (ja) * 2015-08-03 2020-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6675111B2 (ja) * 2015-08-03 2020-04-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6817599B2 (ja) 2016-03-10 2021-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
JP6868388B2 (ja) * 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP2018207048A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用のフレキシブル基板
JP2018207047A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板、及び、それを用いたｌｅｄバックライト
JP7193698B2 (ja) * 2017-12-26 2022-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7037053B2 (ja) 2018-04-25 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP7021056B2 (ja) 2018-11-22 2022-02-16 株式会社日立ビルシステム エレベーター制御システム及びその方法
CN210381444U (zh) * 2019-06-05 2020-04-21 众普森科技（株洲）有限公司 Pcb板及电器设备
KR20210136720A (ko) 2020-05-08 2021-11-17 삼성전자주식회사 발광 장치
KR20220123872A (ko) * 2021-03-02 2022-09-13 삼성전자주식회사 백라이트 유닛, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 백라이트 유닛의 제조 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPH04258184A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 発光表示装置
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3819448B2 (ja) * 1994-07-28 2006-09-06 三洋電機株式会社 線状光源
DE69716906T2 (de) * 1996-05-29 2003-03-20 Idemitsu Kosan Co Organische elektrolumineszente vorrichtung
JPH1026774A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルとその製造方法
JPH10294498A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器の製造方法
JP3245378B2 (ja) * 1997-04-24 2002-01-15 スタンレー電気株式会社 面実装型半導体素子
JP3335575B2 (ja) * 1997-06-06 2002-10-21 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JP2003200612A (ja) * 2001-10-26 2003-07-15 Minolta Co Ltd 像生成装置及び画像形成装置
JP4230210B2 (ja) 2002-12-16 2009-02-25 日本電産サンキョー株式会社 光学式読取装置
JP2003234510A (ja) 2003-03-18 2003-08-22 Sanyo Electric Co Ltd 光 源
JP4030463B2 (ja) * 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP4049033B2 (ja) * 2003-06-26 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置とその製造方法
EP1670073B1 (en) 2003-09-30 2014-07-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
JP4665209B2 (ja) * 2004-04-15 2011-04-06 スタンレー電気株式会社 平面照射型ｌｅｄ
JP2005322804A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
EP1693904B1 (en) * 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US7800124B2 (en) * 2005-06-30 2010-09-21 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP5104490B2 (ja) * 2007-04-16 2012-12-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US8415682B2 (en) * 2007-12-28 2013-04-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting semiconductor device having an improved outward luminosity efficiency and fabrication method for the light emitting semiconductor device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102279497A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 元太科技工业股份有限公司 彩色滤光基板及显示装置
CN103155721A (zh) * 2010-10-06 2013-06-12 日本发条株式会社 金属基电路基板
CN103155721B (zh) * 2010-10-06 2016-01-20 日本发条株式会社 金属基电路基板
CN103620804A (zh) * 2011-06-17 2014-03-05 索尼公司 光源电路单元、照明器和显示器
TWI580892B (zh) * 2012-06-07 2017-05-01 Shikoku Instrumentation Co Ltd LED lighting module and LED lighting device
CN104776349A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置
CN104776349B (zh) * 2014-01-14 2019-02-19 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置
CN107623065A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 罗姆股份有限公司 半导体发光器件及其制造方法
CN107466171A (zh) * 2017-07-25 2017-12-12 沈雪芳 柔性印刷电路板、加工工艺及灯带
CN113391481A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 夏普株式会社 发光元件装载基板及背光源
CN113391481B (zh) * 2020-03-13 2024-01-02 夏普株式会社 发光元件装载基板及背光源
CN112687748A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 佛山市国星光电股份有限公司 一种背光模块及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080092239A (ko) 2008-10-15
EP1978566A1 (en) 2008-10-08
TWI314307B (zh) 2009-09-01
EP1978566A4 (en) 2013-11-06
TW200926464A (en) 2009-06-16
US20090141492A1 (en) 2009-06-04
CN100578829C (zh) 2010-01-06
TW200926465A (en) 2009-06-16
US7728343B2 (en) 2010-06-01
JP2007201171A (ja) 2007-08-09
WO2007086229A1 (ja) 2007-08-02
JP4049186B2 (ja) 2008-02-20
TW200926466A (en) 2009-06-16
TW200734985A (en) 2007-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100578829C (zh) 光源装置和显示装置
JP4107349B2 (ja) 光源装置、表示装置
KR101943446B1 (ko) 디스플레이 장치 및 조명 시스템
CN100529912C (zh) 具有面光源的直下式背光单元
JP4898332B2 (ja) 表示装置
CN105485570B (zh) 照明装置
CN104880860B (zh) 背光组件和包括背光组件的液晶显示器
CN104321694A (zh) 背光单元和显示装置
EP2840421B1 (en) Lighting system
KR19980087151A (ko) 엘이디 디스플레이 장치
CN104344287A (zh) 光源设备和显示单元
CN111505868A (zh) 背光模组和显示面板
KR20120082860A (ko) 형광막 구조를 포함하는 백라이팅 유닛
CN109001936A (zh) 光源模块及显示设备
US11231616B2 (en) Color conversion sheet, backlight unit and display device
JP4103932B2 (ja) 光源装置、表示装置
JP4800669B2 (ja) 照明装置およびそれを用いた表示装置
JP2006190646A (ja) 発光ダイオード光源構造
JP2012015320A (ja) 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
JP2008258042A (ja) 照明装置およびこの照明装置を用いた表示装置
KR101824035B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR100824975B1 (ko) 렌즈 부착형 엘이디 모듈
KR20130020302A (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
JP3118574U (ja) 側面光源モジュールを備えた液晶パネル装置
KR101992362B1 (ko) 라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100106

Termination date: 20151227

EXPY Termination of patent right or utility model