JP2003234510A - 光 源 - Google Patents
光 源Info
- Publication number
- JP2003234510A JP2003234510A JP2003072973A JP2003072973A JP2003234510A JP 2003234510 A JP2003234510 A JP 2003234510A JP 2003072973 A JP2003072973 A JP 2003072973A JP 2003072973 A JP2003072973 A JP 2003072973A JP 2003234510 A JP2003234510 A JP 2003234510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- coating
- substrate
- light source
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コーティング樹脂の形状のばらつきが少ない
光源を提供する。 【解決手段】 基板1上に所定ピッチで整列し前記基板
1に固着した複数の発光ダイオード3と、前記発光ダイ
オード3を覆う複数のコーティング樹脂8とを備える光
源において、前記複数のコーティング樹脂8は、前記コ
ーティング樹脂8と前記基板1が接触する範囲を一定と
することによって、先端の曲率半径が略一定のドーム状
としたことを特徴とする。コーティング樹脂は、その直
径を2〜6mmとすることによって、先端の曲率半径が
一定で高さが1〜3mmのドーム状とした。
光源を提供する。 【解決手段】 基板1上に所定ピッチで整列し前記基板
1に固着した複数の発光ダイオード3と、前記発光ダイ
オード3を覆う複数のコーティング樹脂8とを備える光
源において、前記複数のコーティング樹脂8は、前記コ
ーティング樹脂8と前記基板1が接触する範囲を一定と
することによって、先端の曲率半径が略一定のドーム状
としたことを特徴とする。コーティング樹脂は、その直
径を2〜6mmとすることによって、先端の曲率半径が
一定で高さが1〜3mmのドーム状とした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードを
用いた光源に関する。
用いた光源に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、線状光源が例えば特許文献1によ
り図5の様に示されている。この図に於て、発光ダイオ
ード21が基板22上の電極(図示せず)上に載置され
配線されている。反射枠23は断面が三角形状の反射部
24を有し、基板22に固定され、レンズ25は反射枠
23に固定されている。発光ダイオード21を覆う様に
シリコン樹脂26が形成され、照度の向上がなされてい
る。
り図5の様に示されている。この図に於て、発光ダイオ
ード21が基板22上の電極(図示せず)上に載置され
配線されている。反射枠23は断面が三角形状の反射部
24を有し、基板22に固定され、レンズ25は反射枠
23に固定されている。発光ダイオード21を覆う様に
シリコン樹脂26が形成され、照度の向上がなされてい
る。
【0003】
【特許文献1】特開平2−37784号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述の線状光源
では、各発光ダイオード21の真上に於て、照度のばら
つきが大きいという第1の欠点がある。本発明者がその
原因を究明したところ、基板22とシリコン樹脂26が
接触する範囲Cがばらつき、シリコン樹脂26の形状が
一定とならないためである。そのため、シリコン樹脂2
6の先端のドームの曲率半径が一定とならないので、こ
のシリコン樹脂26により集められる光量がばらつくた
めである事がわかった。
では、各発光ダイオード21の真上に於て、照度のばら
つきが大きいという第1の欠点がある。本発明者がその
原因を究明したところ、基板22とシリコン樹脂26が
接触する範囲Cがばらつき、シリコン樹脂26の形状が
一定とならないためである。そのため、シリコン樹脂2
6の先端のドームの曲率半径が一定とならないので、こ
のシリコン樹脂26により集められる光量がばらつくた
めである事がわかった。
【0005】またこの線状光源では、上方のみに集光さ
せるために、高価なレンズ25と反射枠23を設けてい
るので、コストが高くなる第2の欠点がある。そこで本
発明者はコストを低減するために、図6の断面図に示す
様に、反射枠23とレンズ25をなくし、直接に原稿2
7を照光する線状光源を検討した。すなわち、反射被膜
28が基板22上の電極29上に載置された発光ダイオ
ード21の周辺に形成され、シリコン樹脂26が形成さ
れて、線状光源30が構成されている。そして例えばフ
ァクシミリ装置の読取部として、線状光源30からの光
が原稿27で反射され、反射光が受光センサ31に入射
し、原稿27での文字の有無による異なる反射光の強度
が受光センサ31により電気信号に変換されている。
せるために、高価なレンズ25と反射枠23を設けてい
るので、コストが高くなる第2の欠点がある。そこで本
発明者はコストを低減するために、図6の断面図に示す
様に、反射枠23とレンズ25をなくし、直接に原稿2
7を照光する線状光源を検討した。すなわち、反射被膜
28が基板22上の電極29上に載置された発光ダイオ
ード21の周辺に形成され、シリコン樹脂26が形成さ
れて、線状光源30が構成されている。そして例えばフ
ァクシミリ装置の読取部として、線状光源30からの光
が原稿27で反射され、反射光が受光センサ31に入射
し、原稿27での文字の有無による異なる反射光の強度
が受光センサ31により電気信号に変換されている。
【0006】しかし図7の様に、原稿27の幅方向
(D)に於ける照度特性が破線に示す様に悪い。2点鎖
線で示したのが理想的な特性であり、原稿27の所定幅
の範囲の照度が高く、それ以外の範囲で照度が低い事が
望ましい。ところが破線の特性は所定幅以外の領域の照
度が高いので、ファクシミリ装置の読取部として所定位
置外の原稿面を照射し、この照射光が不所望の反射光と
なり、受光センサ31に入射し、所定幅内に記載された
文字の有無の情報が電気信号に正確に伝わらない、第3
の欠点がある。本発明者がその原因を究明したところ、
発光ダイオード21から放出され、コーティング樹脂2
6の粗表面で乱反射され下方に進行する光は反射被膜2
8で反射された光(フレア光)32となり、このフレア
光32が原稿27に於て、所定幅以外の範囲を照射する
からである。故に本発明はこの様な従来の欠点を考慮し
て、照度のばらつきの少ない、かつ原稿の幅方向での照
度特性の優れた、かつコストの安い線状光源を提供する
ものである。
(D)に於ける照度特性が破線に示す様に悪い。2点鎖
線で示したのが理想的な特性であり、原稿27の所定幅
の範囲の照度が高く、それ以外の範囲で照度が低い事が
望ましい。ところが破線の特性は所定幅以外の領域の照
度が高いので、ファクシミリ装置の読取部として所定位
置外の原稿面を照射し、この照射光が不所望の反射光と
なり、受光センサ31に入射し、所定幅内に記載された
文字の有無の情報が電気信号に正確に伝わらない、第3
の欠点がある。本発明者がその原因を究明したところ、
発光ダイオード21から放出され、コーティング樹脂2
6の粗表面で乱反射され下方に進行する光は反射被膜2
8で反射された光(フレア光)32となり、このフレア
光32が原稿27に於て、所定幅以外の範囲を照射する
からである。故に本発明はこの様な従来の欠点を考慮し
て、照度のばらつきの少ない、かつ原稿の幅方向での照
度特性の優れた、かつコストの安い線状光源を提供する
ものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の光源は、基板上
に所定ピッチで整列し前記基板に固着した複数の発光ダ
イオードと、前記発光ダイオードを覆う複数のコーティ
ング樹脂とを備える光源において、前記複数のコーティ
ング樹脂は、前記コーティング樹脂と前記基板が接触す
る範囲を一定とすることによって、先端の曲率半径が略
一定のドーム状としたことを特徴とする。
に所定ピッチで整列し前記基板に固着した複数の発光ダ
イオードと、前記発光ダイオードを覆う複数のコーティ
ング樹脂とを備える光源において、前記複数のコーティ
ング樹脂は、前記コーティング樹脂と前記基板が接触す
る範囲を一定とすることによって、先端の曲率半径が略
一定のドーム状としたことを特徴とする。
【0008】本発明の光源は、基板上に所定ピッチで整
列し前記基板に固着した複数の発光ダイオードと、前記
発光ダイオードを覆う所定の直径と所定の高さを有する
複数のコーティング樹脂とを備える光源において、前記
複数のコーティング樹脂は、その直径を2〜6mmとす
ることによって、先端の曲率半径が略一定で高さが1〜
3mmのドーム状としたことを特徴とする。
列し前記基板に固着した複数の発光ダイオードと、前記
発光ダイオードを覆う所定の直径と所定の高さを有する
複数のコーティング樹脂とを備える光源において、前記
複数のコーティング樹脂は、その直径を2〜6mmとす
ることによって、先端の曲率半径が略一定で高さが1〜
3mmのドーム状としたことを特徴とする。
【0009】本発明の光源は、基板上に所定ピッチで整
列し前記基板に固着した複数の発光ダイオードと、前記
発光ダイオードを覆う複数のコーティング樹脂と、光吸
収被膜を備える光源において、前記複数のコーティング
樹脂は、前記コーティング樹脂と前記基板が接触する範
囲を一定とすることによって、先端の曲率半径が略一定
のドーム状とし、前記光吸収被膜は、前記コーティング
樹脂の粗表面で乱反射されて下方に進む光を吸収するよ
うに前記コーティング樹脂の周辺に設けられていること
を特徴とする。
列し前記基板に固着した複数の発光ダイオードと、前記
発光ダイオードを覆う複数のコーティング樹脂と、光吸
収被膜を備える光源において、前記複数のコーティング
樹脂は、前記コーティング樹脂と前記基板が接触する範
囲を一定とすることによって、先端の曲率半径が略一定
のドーム状とし、前記光吸収被膜は、前記コーティング
樹脂の粗表面で乱反射されて下方に進む光を吸収するよ
うに前記コーティング樹脂の周辺に設けられていること
を特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第1実施例を図1
と図2に従い説明する。図1は本実施例に係る線状光源
の平面図、図2は図1のAA断面図である。これらの図
に於て、基板1は例えば幅11mm、長さ240mmの
長尺なものであり、ガラスエポキシ樹脂等からなり、そ
の表面上に各々離れて位置し、銅箔等の上にニッケルと
金をメッキしたものからなる電極2a、2b、2c、2
dが形成されている。
と図2に従い説明する。図1は本実施例に係る線状光源
の平面図、図2は図1のAA断面図である。これらの図
に於て、基板1は例えば幅11mm、長さ240mmの
長尺なものであり、ガラスエポキシ樹脂等からなり、そ
の表面上に各々離れて位置し、銅箔等の上にニッケルと
金をメッキしたものからなる電極2a、2b、2c、2
dが形成されている。
【0011】各発光ダイオード3は略直線上に整列する
様に、各々の電極2a〜2d等に導電性接着剤を介して
載置固着され、その整列ピッチは例えば約10mmであ
る。発光ダイオード3は例えば、1辺が0.2〜0.4
mmの略立方体であり、燐化ガリウムや燐化ガリウム砒
素からなり、各々金属細線にて他の電極2b〜2dに配
線されている。
様に、各々の電極2a〜2d等に導電性接着剤を介して
載置固着され、その整列ピッチは例えば約10mmであ
る。発光ダイオード3は例えば、1辺が0.2〜0.4
mmの略立方体であり、燐化ガリウムや燐化ガリウム砒
素からなり、各々金属細線にて他の電極2b〜2dに配
線されている。
【0012】光反射被膜4は例えば白色系塗料又はエポ
キシ樹脂等の白色系レジストの様な光反射性の材質から
なり、厚膜層5と薄膜層6により構成されている。厚膜
層5は各発光ダイオード3およびその近傍からなる領域
7を開放して、すなわちその領域7を除いて、各発光ダ
イオード3を略中心とする略円柱に形成され、各電極2
a〜2d上と基板1上に設けられたものである。具体的
には厚膜層5は例えば直径が約2〜6mm、各電極2a
〜2dからの高さが約30〜60μmである。
キシ樹脂等の白色系レジストの様な光反射性の材質から
なり、厚膜層5と薄膜層6により構成されている。厚膜
層5は各発光ダイオード3およびその近傍からなる領域
7を開放して、すなわちその領域7を除いて、各発光ダ
イオード3を略中心とする略円柱に形成され、各電極2
a〜2d上と基板1上に設けられたものである。具体的
には厚膜層5は例えば直径が約2〜6mm、各電極2a
〜2dからの高さが約30〜60μmである。
【0013】薄膜層6は厚膜層5を含まない領域に於
て、各電極2a〜2d上と基板1上に形成され、厚さは
約15〜20μmである。具体的には上述の領域7を除
き、電極2a〜2d上と基板1上に、厚さが約15〜2
0μmの白色系レジストを印刷し、マスクパターンによ
りその白色系レジスト上の所定の円形部分に白色系レジ
ストを2回目印刷をする事により、上述の厚膜層5が形
成される。また厚膜層5は厚い程が望ましいが、厚すぎ
ると不均一な膜になるので、上述の様に厚さが約30〜
60μmが望ましい。
て、各電極2a〜2d上と基板1上に形成され、厚さは
約15〜20μmである。具体的には上述の領域7を除
き、電極2a〜2d上と基板1上に、厚さが約15〜2
0μmの白色系レジストを印刷し、マスクパターンによ
りその白色系レジスト上の所定の円形部分に白色系レジ
ストを2回目印刷をする事により、上述の厚膜層5が形
成される。また厚膜層5は厚い程が望ましいが、厚すぎ
ると不均一な膜になるので、上述の様に厚さが約30〜
60μmが望ましい。
【0014】コーティング樹脂8は例えばエポキシ樹脂
等からなり、発光ダイオード3およびその近傍を覆い、
かつその外周が厚膜層5の外周9と略一致する様に、厚
膜層5上に略ドーム状に上方を露出して形成されてい
る。この様にコーティング樹脂8は略円柱状の厚膜層5
上に設けられているので、厚膜層5の外周9に於て特に
表面張力が大きいから、コーティング樹脂8は拡がる事
なく、その外周が厚膜層5の外周9に一致する。故にコ
ーティング樹脂8と厚膜層5が接触する範囲が一定とな
り、コーティング樹脂8の形状のばらつきが少なくな
る。その結果、コーティング樹脂8の先端のドームの曲
率半径が略一定となり、集める光量が略一定となるの
で、各発光ダイオード3の真上に於て照度のばらつきが
少なくなる。
等からなり、発光ダイオード3およびその近傍を覆い、
かつその外周が厚膜層5の外周9と略一致する様に、厚
膜層5上に略ドーム状に上方を露出して形成されてい
る。この様にコーティング樹脂8は略円柱状の厚膜層5
上に設けられているので、厚膜層5の外周9に於て特に
表面張力が大きいから、コーティング樹脂8は拡がる事
なく、その外周が厚膜層5の外周9に一致する。故にコ
ーティング樹脂8と厚膜層5が接触する範囲が一定とな
り、コーティング樹脂8の形状のばらつきが少なくな
る。その結果、コーティング樹脂8の先端のドームの曲
率半径が略一定となり、集める光量が略一定となるの
で、各発光ダイオード3の真上に於て照度のばらつきが
少なくなる。
【0015】この様なコーティング樹脂8を設けるに
は、自動ポッティング装置が用いられるが、この装置は
注射器状の容器の1端に注射針が取付けられ、他端にチ
ューブを介して本体が取付けられたものである。この容
器の中に上述の透明なエポキシ樹脂等が封入され、チュ
ーブには本体から加圧された空気が供給されている。
は、自動ポッティング装置が用いられるが、この装置は
注射器状の容器の1端に注射針が取付けられ、他端にチ
ューブを介して本体が取付けられたものである。この容
器の中に上述の透明なエポキシ樹脂等が封入され、チュ
ーブには本体から加圧された空気が供給されている。
【0016】本体に取付けられたスイッチを入れると、
発光ダイオード3の位置検出を行った後に、所定時間に
空気が供給される様に制御されている。その結果、所定
量(約0.002cc)のエポキシ樹脂が滴下され、発
光ダイオード3を中心として覆う様に設けられている。
次に、この基板1を所定量だけ移動させ、隣の発光ダイ
オード3の位置検出を行い、同様の作業を行う。
発光ダイオード3の位置検出を行った後に、所定時間に
空気が供給される様に制御されている。その結果、所定
量(約0.002cc)のエポキシ樹脂が滴下され、発
光ダイオード3を中心として覆う様に設けられている。
次に、この基板1を所定量だけ移動させ、隣の発光ダイ
オード3の位置検出を行い、同様の作業を行う。
【0017】この様にして得られたコーティング樹脂8
の直径は、厚膜層5と同じく約2〜6mmであり、厚膜
層5の表面からの高さは約1〜3mmである。各厚膜層
5の外側に位置する様に、基板1の長尺な端縁10、1
1上に薄膜層6を介して、光吸収被膜12、13が設け
られている。光吸収被膜12、13は例えばエポキシ樹
脂等の黒色系レジストからなり、光をよく吸収する材質
からなる。
の直径は、厚膜層5と同じく約2〜6mmであり、厚膜
層5の表面からの高さは約1〜3mmである。各厚膜層
5の外側に位置する様に、基板1の長尺な端縁10、1
1上に薄膜層6を介して、光吸収被膜12、13が設け
られている。光吸収被膜12、13は例えばエポキシ樹
脂等の黒色系レジストからなり、光をよく吸収する材質
からなる。
【0018】そして例えばファクシミリ装置の読取部に
於て、この線状光源14から5〜15mm離れた上方
に、線状光源14に例えば45°傾けて原稿15が配置
されている。受光センサ16は例えば原稿15と45°
傾けて、それに近接して配置されている。受光センサ1
6は例えばシリコンからなる半導体基板の表面近傍にボ
ロン等のN型不純物が選択拡散され整列した複数の受光
領域と、それに各々オーミック接触された個別電極と、
各々の受光領域に蓄積した電荷を時系列的に取出す走査
回路と、その回路からの出力信号を増幅してデータ信号
を出力する増幅器(いずれも図示せず)から構成されて
いる。
於て、この線状光源14から5〜15mm離れた上方
に、線状光源14に例えば45°傾けて原稿15が配置
されている。受光センサ16は例えば原稿15と45°
傾けて、それに近接して配置されている。受光センサ1
6は例えばシリコンからなる半導体基板の表面近傍にボ
ロン等のN型不純物が選択拡散され整列した複数の受光
領域と、それに各々オーミック接触された個別電極と、
各々の受光領域に蓄積した電荷を時系列的に取出す走査
回路と、その回路からの出力信号を増幅してデータ信号
を出力する増幅器(いずれも図示せず)から構成されて
いる。
【0019】この読取装置に於て、線状光源14に設け
られた発光ダイオード3からの光は原稿15で反射さ
れ、原稿15での文字の有無により異なる強度を持つ反
射光が受光センサ16により電気信号に変換され、それ
がデータ信号に変換される。
られた発光ダイオード3からの光は原稿15で反射さ
れ、原稿15での文字の有無により異なる強度を持つ反
射光が受光センサ16により電気信号に変換され、それ
がデータ信号に変換される。
【0020】そして、発光ダイオード3から放出され、
コーティング樹脂8の粗表面で乱反射され下方に進行す
る光は、コーティング樹脂8の周辺に設けられた光吸収
被膜12、13により殆ど吸収される。そして吸収され
ずに光吸収被膜12、13で反射された光17(フレア
光)は微弱となり、このフレア光17が放出される事に
よる、原稿15面での所定範囲外の照度は著しく減少す
る。その結果、原稿15に於ける文字の有無の情報が受
光センサ16に於て電気信号として正確に出力される。
コーティング樹脂8の粗表面で乱反射され下方に進行す
る光は、コーティング樹脂8の周辺に設けられた光吸収
被膜12、13により殆ど吸収される。そして吸収され
ずに光吸収被膜12、13で反射された光17(フレア
光)は微弱となり、このフレア光17が放出される事に
よる、原稿15面での所定範囲外の照度は著しく減少す
る。その結果、原稿15に於ける文字の有無の情報が受
光センサ16に於て電気信号として正確に出力される。
【0021】図7に於て、本実施例の線状光源14の照
度特性を実線で示す。この特性図により、原稿15の所
定幅(例えば1〜10mm)外の領域に於て、照度が著
しく低下している事がわかる。これは、上述のフレア光
17が微弱となったためである。また所定幅の領域に於
て、照度が従来より高い事がわかる。これはコーティン
グ樹脂8の外周が光反射膜4の外周により規制されてい
るので、コーティング樹脂8を比較的多量に設ける事が
でき、曲率半径を従来より小さくしてドーム状に形成で
きるから、上方に集まる光量が増加するためである。
度特性を実線で示す。この特性図により、原稿15の所
定幅(例えば1〜10mm)外の領域に於て、照度が著
しく低下している事がわかる。これは、上述のフレア光
17が微弱となったためである。また所定幅の領域に於
て、照度が従来より高い事がわかる。これはコーティン
グ樹脂8の外周が光反射膜4の外周により規制されてい
るので、コーティング樹脂8を比較的多量に設ける事が
でき、曲率半径を従来より小さくしてドーム状に形成で
きるから、上方に集まる光量が増加するためである。
【0022】更に、上述の第1実施例よりも、照度のば
らつきの少ない第2実施例を図3と図4に従い説明す
る。図3は本実施例に係る線状光源の平面図、図4は図
3のBB断面図である。これらの図に於て、光反射被膜
4aは白色系レジスト等の光反射性の材質からなり、厚
膜層5aと薄膜層6aより構成されている。
らつきの少ない第2実施例を図3と図4に従い説明す
る。図3は本実施例に係る線状光源の平面図、図4は図
3のBB断面図である。これらの図に於て、光反射被膜
4aは白色系レジスト等の光反射性の材質からなり、厚
膜層5aと薄膜層6aより構成されている。
【0023】厚膜層5aは各発光ダイオードおよびその
近傍からなる領域7を開放して、各発光ダイオード3を
略中心とする略円筒状に形成され、各電極2a〜2d上
と基板1上に設けられたものである。具体的には厚膜層
5aは例えば、内径が約2〜6mmで、幅が約0.5m
mで、各電極2a〜2dからの高さが約30〜60μm
である。薄膜層6aは厚膜層5aを含まない領域に於
て、各電極2a〜2d上と基板1上に形成され、厚さは
約15〜20μmである。
近傍からなる領域7を開放して、各発光ダイオード3を
略中心とする略円筒状に形成され、各電極2a〜2d上
と基板1上に設けられたものである。具体的には厚膜層
5aは例えば、内径が約2〜6mmで、幅が約0.5m
mで、各電極2a〜2dからの高さが約30〜60μm
である。薄膜層6aは厚膜層5aを含まない領域に於
て、各電極2a〜2d上と基板1上に形成され、厚さは
約15〜20μmである。
【0024】コーティング樹脂8aは例えばエポキシ樹
脂等からなり、発光ダイオード3およびその近傍を覆
い、かつ厚膜層5aの内壁に囲まれる様に、各電極2a
〜2d上と基板1上に設けられている。この様にして、
コーティング樹脂8aの外周が厚膜層5aの内壁により
規制されるので、コーティング樹脂8aの形状のばらつ
きは少ない。すなわち、コーティング樹脂8aの先端の
ドームの曲率半径が略一定となる。
脂等からなり、発光ダイオード3およびその近傍を覆
い、かつ厚膜層5aの内壁に囲まれる様に、各電極2a
〜2d上と基板1上に設けられている。この様にして、
コーティング樹脂8aの外周が厚膜層5aの内壁により
規制されるので、コーティング樹脂8aの形状のばらつ
きは少ない。すなわち、コーティング樹脂8aの先端の
ドームの曲率半径が略一定となる。
【0025】基板1の長尺な端縁上に薄膜層6aを介し
て、例えば黒色系レジストからなる光吸収被膜12、1
3が設けられている。これらの部材により、本実施例の
線状光源18が構成されている。
て、例えば黒色系レジストからなる光吸収被膜12、1
3が設けられている。これらの部材により、本実施例の
線状光源18が構成されている。
【0026】そして例えばファクシミリ装置の読取装置
に於て、発光ダイオード3から放出され、ドーム状のコ
ーティング樹脂8aの界面で乱反射された光(線状光源
の横に拡がる光)は、光吸収被膜12aにより吸収され
る。故に、光吸収被膜12aで反射されたフレア光19
は極めて微弱となり、原稿15の所定幅外の領域を照射
する光量(照度)は、実用上問題ない程度に小さくな
る。その結果、原稿15に於ける文字の有無の情報が受
光センサ16に於て電気信号として正確に出力される。
また、この線状光源18の照度特性は、図7の実線で示
したものと、殆ど同一である。
に於て、発光ダイオード3から放出され、ドーム状のコ
ーティング樹脂8aの界面で乱反射された光(線状光源
の横に拡がる光)は、光吸収被膜12aにより吸収され
る。故に、光吸収被膜12aで反射されたフレア光19
は極めて微弱となり、原稿15の所定幅外の領域を照射
する光量(照度)は、実用上問題ない程度に小さくな
る。その結果、原稿15に於ける文字の有無の情報が受
光センサ16に於て電気信号として正確に出力される。
また、この線状光源18の照度特性は、図7の実線で示
したものと、殆ど同一である。
【0027】また上述の第1および第2実施例に於て、
コーティング樹脂8、8aとしてエポキシ樹脂を例示し
た。これは、これらの線状光源は従来の反射枠とレンズ
がないため、製造中に作業者の手が触れる恐れがあるの
で、従来の様に硬度の低いシリコン樹脂の代わりに、硬
度の高いエポキシ樹脂を用いるものである。また、エポ
キシ樹脂の代わりに、硬度の高い他の樹脂を用いてもよ
い。
コーティング樹脂8、8aとしてエポキシ樹脂を例示し
た。これは、これらの線状光源は従来の反射枠とレンズ
がないため、製造中に作業者の手が触れる恐れがあるの
で、従来の様に硬度の低いシリコン樹脂の代わりに、硬
度の高いエポキシ樹脂を用いるものである。また、エポ
キシ樹脂の代わりに、硬度の高い他の樹脂を用いてもよ
い。
【0028】上述の実施形態は、各々離れて位置する電
極が形成された長尺な基板と、略直線上に整列して電極
上に載置された複数の発光ダイオードと、基板上に配置
され、発光ダイオードおよびその近傍が開放される様に
発光ダイオードを略中心とする複数の略円柱に形成され
た光反射被膜と、発光ダイオードおよびその近傍を覆い
その外周が光反射被膜の各円柱の外周と略一致する様
に、光反射被膜上に略ドーム状に設けられ、露出したコ
ーティング樹脂と、コーティング樹脂の外側に位置し、
基板の長尺な端縁の上方に形成された光吸収被膜とを設
けるものである。この様にして、コーティング樹脂の外
周が光反射被膜の外周により規制されるので、コーティ
ング樹脂と光反射被膜が接触する範囲が一定となり、コ
ーティング樹脂の形状のばらつきが少なくなる。
極が形成された長尺な基板と、略直線上に整列して電極
上に載置された複数の発光ダイオードと、基板上に配置
され、発光ダイオードおよびその近傍が開放される様に
発光ダイオードを略中心とする複数の略円柱に形成され
た光反射被膜と、発光ダイオードおよびその近傍を覆い
その外周が光反射被膜の各円柱の外周と略一致する様
に、光反射被膜上に略ドーム状に設けられ、露出したコ
ーティング樹脂と、コーティング樹脂の外側に位置し、
基板の長尺な端縁の上方に形成された光吸収被膜とを設
けるものである。この様にして、コーティング樹脂の外
周が光反射被膜の外周により規制されるので、コーティ
ング樹脂と光反射被膜が接触する範囲が一定となり、コ
ーティング樹脂の形状のばらつきが少なくなる。
【0029】また、各々離れて位置する電極が形成され
た長尺な基板と、略直線上に整列して電極上に載置され
た複数の発光ダイオードと、基板上に配置され、発光ダ
イオードおよびその近傍が開放される様に発光ダイオー
ドを略中心とする複数の略円筒に形成された光反射被膜
と、発光ダイオードおよびその近傍を覆い光反射被膜の
各円筒の内壁に囲まれる様に、光反射被膜上に略ドーム
状に設けられ、露出したコーティング樹脂と、コーティ
ング樹脂の外側に位置し、前記基板の長尺な端縁の上方
に形成された光吸収被膜とを設けるものである。この様
にして、コーティング樹脂の外周が光反射被膜の内壁に
より規制されるので、コーティング樹脂の形状のばらつ
きが少なくなる。
た長尺な基板と、略直線上に整列して電極上に載置され
た複数の発光ダイオードと、基板上に配置され、発光ダ
イオードおよびその近傍が開放される様に発光ダイオー
ドを略中心とする複数の略円筒に形成された光反射被膜
と、発光ダイオードおよびその近傍を覆い光反射被膜の
各円筒の内壁に囲まれる様に、光反射被膜上に略ドーム
状に設けられ、露出したコーティング樹脂と、コーティ
ング樹脂の外側に位置し、前記基板の長尺な端縁の上方
に形成された光吸収被膜とを設けるものである。この様
にして、コーティング樹脂の外周が光反射被膜の内壁に
より規制されるので、コーティング樹脂の形状のばらつ
きが少なくなる。
【0030】また、発光ダイオードから放出され、コー
ティング樹脂の粗表面で乱反射され下方に進行する光
は、コーティング樹脂の周辺に設けられた光吸収被膜に
より殆ど吸収される。この様に、吸収されずに光吸収被
膜で反射された光(フレア光)は微弱となり、このフレ
ア光が放出される事による原稿面での所定範囲外の照度
は著しく減少する。
ティング樹脂の粗表面で乱反射され下方に進行する光
は、コーティング樹脂の周辺に設けられた光吸収被膜に
より殆ど吸収される。この様に、吸収されずに光吸収被
膜で反射された光(フレア光)は微弱となり、このフレ
ア光が放出される事による原稿面での所定範囲外の照度
は著しく減少する。
【0031】また、光吸収被膜により上述のフレア光が
制限されるので、露出したコーティング樹脂からの光が
殆ど上方に進行するから、従来の様に高価なレンズや反
射枠が不要となり、コストが安くなる。
制限されるので、露出したコーティング樹脂からの光が
殆ど上方に進行するから、従来の様に高価なレンズや反
射枠が不要となり、コストが安くなる。
【0032】
【発明の効果】本発明の光源によれば、コーティング樹
脂の形状のばらつきが少なくなり、照度のばらつきが少
なくなる。また、コーティング樹脂の粗表面で乱反射さ
れる光を光吸収被膜により吸収することができる。
脂の形状のばらつきが少なくなり、照度のばらつきが少
なくなる。また、コーティング樹脂の粗表面で乱反射さ
れる光を光吸収被膜により吸収することができる。
【図1】本発明の第1実施例に係る線状光源の平面図で
ある。
ある。
【図2】図1のAA断面図である。
【図3】本発明の第2実施例に係る線状光源の平面図で
ある。
ある。
【図4】図3のBB断面図である。
【図5】従来の線状光源の断面図である。
【図6】従来の線状光源を改良した線状光源の断面図で
ある。
ある。
【図7】原稿の幅方向に於ける照度特性である。
1 基板
2a、2b、2c、2d 電極
3 発光ダイオード
4、4a 光反射被膜
5、5a 厚膜層
8、8a コーティング樹脂
12、13 光吸収被膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 本池 達也
鳥取県鳥取市南吉方3丁目201番地 鳥取
三洋電機株式会社内
(72)発明者 田中 美和子
鳥取県鳥取市南吉方3丁目201番地 鳥取
三洋電機株式会社内
Fターム(参考) 5F041 AA05 AA06 DA02 DA07 DA13
DA20 DA36 DA44 DA57 DA82
DB07 EE23 FF13
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に所定ピッチで整列し前記基板
に固着した複数の発光ダイオードと、前記発光ダイオー
ドを覆う複数のコーティング樹脂とを備える光源におい
て、前記複数のコーティング樹脂は、前記コーティング
樹脂と前記基板が接触する範囲を一定とすることによっ
て、先端の曲率半径が略一定のドーム状としたことを特
徴とする光源。 - 【請求項2】 前記コーティング樹脂と前記基板が接触
する範囲は、直径が2〜6mmの範囲に設定されること
を特徴とした請求項1記載の光源。 - 【請求項3】 基板上に所定ピッチで整列し前記基板
に固着した複数の発光ダイオードと、前記発光ダイオー
ドを覆う所定の直径と所定の高さを有する複数のコーテ
ィング樹脂とを備える光源において、前記複数のコーテ
ィング樹脂は、その直径を2〜6mmとすることによっ
て、先端の曲率半径が略一定で高さが1〜3mmのドー
ム状としたことを特徴とする光源。 - 【請求項4】 前記コーティング樹脂は、厚膜のレジス
ト層の上に形成され、前記厚膜のレジスト層は、前記発
光ダイオード及びその近傍の領域を除いて形成されてい
ることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の光
源。 - 【請求項5】 前記コーティング樹脂は、エポキシ樹脂
としたことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の
光源。 - 【請求項6】 基板上に所定ピッチで整列し前記基板
に固着した複数の発光ダイオードと、前記発光ダイオー
ドを覆う複数のコーティング樹脂と、光吸収被膜を備え
る光源において、前記複数のコーティング樹脂は、前記
コーティング樹脂と前記基板が接触する範囲を一定とす
ることによって、先端の曲率半径が略一定のドーム状と
し、前記光吸収被膜は、前記コーティング樹脂の粗表面
で乱反射されて下方に進む光を吸収するように前記コー
ティング樹脂の周辺に設けられていることを特徴とする
光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003072973A JP2003234510A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光 源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003072973A JP2003234510A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光 源 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17690394A Division JP3819448B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 線状光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003234510A true JP2003234510A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27785886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003072973A Pending JP2003234510A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光 源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003234510A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521313A2 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-06 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
US7728343B2 (en) | 2006-01-26 | 2010-06-01 | Sony Corporation | Light source apparatus and display apparatus and white resist layer |
WO2013018175A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
US8963188B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-02-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
-
2003
- 2003-03-18 JP JP2003072973A patent/JP2003234510A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521313A2 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-06 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
JP2005117039A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光デバイスのマウントの集積反射カップ |
EP1521313A3 (en) * | 2003-10-03 | 2010-12-29 | Philips Lumileds Lighting Company LLC | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
US8963188B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-02-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
US9012947B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-04-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
US9054283B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-06-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
US7728343B2 (en) | 2006-01-26 | 2010-06-01 | Sony Corporation | Light source apparatus and display apparatus and white resist layer |
WO2013018175A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0509389B1 (en) | Encapsulated light emitting diode | |
US7098485B2 (en) | Optical semiconductor unit | |
US6538243B1 (en) | Contact image sensor with light guide having least reflectivity near a light source | |
JPH11506381A (ja) | 指紋センサ装置 | |
US20060227393A1 (en) | Compound curved concentrator based illuminator | |
JP2004528587A5 (ja) | ||
JP3472750B2 (ja) | 表面検査装置 | |
WO2005053041A1 (ja) | 発光ダイオードチップを用いた発光装置 | |
JP2002527832A (ja) | 指紋画像光学入力装置 | |
US20110164412A1 (en) | LED linear light source and reading apparatus | |
KR890002789A (ko) | 광학적 패턴검출장치 | |
JP3819448B2 (ja) | 線状光源 | |
US10698087B2 (en) | Optical sensing system and electronic display system | |
JP2003234510A (ja) | 光 源 | |
US20090027739A1 (en) | Image sensor | |
CN101079098A (zh) | 光学反射信息读取传感器和电子装置 | |
JPH09219768A (ja) | イメージセンサ | |
JPH09330611A (ja) | 画像読取装置及び光源ユニット | |
JPH0764208A (ja) | 線状光源 | |
JP2006251714A (ja) | 撮像装置 | |
JP3021120B2 (ja) | イメージセンサ | |
US20030112481A1 (en) | Apparatus having a light source for a transparent sheet of a scanner | |
JP2000224379A (ja) | 画像読取り装置 | |
JPH096942A (ja) | 刻印読取り装置 | |
JPH083021Y2 (ja) | 密着型画像読取り装置 |