JPH10294498A - Ｌｅｄ表示器の製造方法 - Google Patents

Ｌｅｄ表示器の製造方法

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JPH10294498A
JPH10294498A JP9101719A JP10171997A JPH10294498A JP H10294498 A JPH10294498 A JP H10294498A JP 9101719 A JP9101719 A JP 9101719A JP 10171997 A JP10171997 A JP 10171997A JP H10294498 A JPH10294498 A JP H10294498A
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剛志 佐伯
Akio Ohashi
昭生 大橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のＬＥＤ表示器の製造方法においては、
封止層を形成するための液状樹脂を保持させるために型
枠を使用するものであったので、部品点数の増加と組立
工数の増加を生じ、コストアップの問題点を生じてい
た。 【解決手段】 本発明により、封止層６は、平面基板上
２に封止層を形成するべき範囲の内法を有する枠状にフ
ッ素樹脂によるリング状枠部５を形成し、このリング状
枠部５内に液状樹脂６Ａの適量を注入し固化させて形成
するＬＥＤ表示器１の製造方法としたことで、従来は液
状樹脂６Ａが硬化するまでの間だけのみの機能で使用さ
れていた型枠に換えて、印刷など簡便な手段で形成可能
であり撥水性で液状樹脂６Ａを保持するリング状枠部５
として、部品点数を低減すると共に組立工数も低減し課
題を解決するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスなどで形成
された平面基板上に、例えばドットマトリクス状として
複数のＬＥＤチップのダイボンドおよび配線が行われ、
更に上記ＬＥＤチップには透明樹脂による封止層が設け
られている構成とされたＬＥＤ表示器に関するものであ
り、詳細には前記ＬＥＤ表示器の製造方法に係るもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のＬＥＤ表示器９０の製造
方法における封止工程の例を示すものが図５であり、配
線パターン９１ａが形成された平面基板９１の面上に複
数のＬＥＤチップ９２をダイボンドし、更に金線（或い
はアルミニウム線）９３によりワイヤーボンドを行い配
線し、ドットマトリクスなど所定の配置としての配設を
行う。
【０００３】しかる後に、前記平面基板９１の面上に例
えば樹脂或いはゴムなどで形成されて前記ＬＥＤチップ
９２の配置に対応する形状とされた型枠９４を固定し、
この型枠９４内にシリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透
明な液状樹脂を注入し、自然硬化、加熱硬化など適宜な
効果処理を行い、液状樹脂を硬化させ封止層９５を形成
するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の製造方法においては、封止層９５の形成の際
に、注入時には液状である樹脂に対し位置を保持させる
ために型枠９４を用いるものであるので、第一には、前
記型枠９４を使用することによる素材費の増加、型枠９
４を形成するための金型作成による費用の発生などによ
りＬＥＤ表示器９０がコストアップする問題点を生じて
いる。
【０００５】また、第二には、既にＬＥＤチップ９２の
取付けが行われている平面基板９１に型枠９４の取付け
が行われることで、例えば金線９３の切断などを生じさ
せて分留まりが低下する問題点を生じると共に、例えば
前記平面基板９１がガラスで形成されている場合には、
前記型枠９４を固定するための構成が複雑になり、取付
作業が煩雑化して生産性が低下する問題点を生じ、これ
らの点の解決が課題とされるものと成っている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的な手段として、平面基板上
に複数のＬＥＤチップを配設し、該ＬＥＤチップを透明
樹脂で覆う封止層を形成して成るＬＥＤ表示器の製造方
法において、前記封止層は、前記平面基板上に前記封止
層を形成するべき範囲の内法を有する枠状にフッ素樹脂
によるリング状枠部を形成し、このリング状枠部内に液
状の前記透明樹脂の適量を注入し固化させて形成するこ
とを特徴とするＬＥＤ表示器の製造方法を提供すること
で課題を解決するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図１〜図４は本発明に係
るＬＥＤ表示器１の製造方法を工程の順に示すものであ
り、先ず、図１に示すように配線パターン２ａが形成さ
れた平面基板２の面上に、複数のＬＥＤチップ３がダイ
ボンドされ、続いて金線（或いはアルミ線）４によるワ
イヤーボンドが行われて、ドットマトリクス状など所定
の配置として取付けられるものである点は従来例のもの
と同様である。
【０００８】ここで、本発明においては、従来例の型枠
に換えて、図２に示すように前記平面基板２の面上にリ
ング状枠部５を形成するものであり、このリング状枠部
５は、フッ素樹脂により以降に前記封止層６を形成する
べき範囲を取り囲むようにして、言い換えれば前記の範
囲を内法とする枠状にシルクスクリーン印刷など適宜な
手段で形成されるものである。
【０００９】尚、この実施形態では理解を容易とするた
めに工程の順序に従って説明を行うものとするので、リ
ング状枠部５はこの時点で形成するものとするが、実際
に実施に当たっては、前記平面基板２の形成時に、前記
配線パターン２ａと同様に予めに形成するものとしてお
いても良いものである。
【００１０】続いて、前記平面基板２は前記ＬＥＤチッ
プ３が搭載された面を水平に保たれ、リング状枠部５の
枠内には、図３に示すようにシリコン樹脂、或いは、エ
ポキシ樹脂など液状樹脂６Ａの適量の注入（滴下）が、
例えば定量の吐出が行えるものとした注入装置１０など
を用いて行われる。
【００１１】このようにすることで、例えばリング状枠
部５の中央に液状樹脂６Ａが注入されたとしても、この
液状樹脂６Ａは流動性により四方に拡がって行く。そし
て、リング状枠部５に達すると、このリング状枠部５が
形成されたフッ素樹脂の撥水性によりはじかれて、リン
グ状枠部５を越えて拡がるのを阻止されるので、最終的
には液状樹脂６Ａは図４に示すようにリング状枠部５内
で均一の厚さとして層状に保持されるものとなる。
【００１２】この状態で、例えば加熱処理など硬化処理
を行えば、前記液状樹脂６Ａは均一な厚さを保った状態
で硬化するものとなり、即ち、目的とする機能、寸法を
有する封止層６が得られるものと成るのである。尚、言
うまでもないが、封止層６の厚さＴはリング状枠部５内
に注入する液状樹脂６Ａの量（容積、重量）により定ま
るので、所望の厚さＴと成るように注入装置１０などを
調整すれば良い。
【００１３】尚、ここで、前記リング状枠部５について
説明を行うと、このリング状枠部５は前記液状樹脂６Ａ
を注入し、それが硬化するまでの間だけ撥水性により液
状樹脂６Ａの流失を防げば良く、それ以後は消失しても
支障を生じることはないものであるので、耐久性などを
考慮する必要はなく、例えば平面基板２に対する付着強
度などはそれ程に必要とされないものである。
【００１４】従って、前記平面基板２が例えばガラス部
材など、塗料、接着剤などに対する密着性が少ない部材
で形成されている場合であっても、容易に実施すること
が可能である。また、前記リング状枠部５は印刷手段な
どで簡便に形成できるので、形成するための素材費など
は僅少であり、また、形成のための金型費用なども僅少
である。
【００１５】次いで、上記の製造方法とすることの作用
および効果について説明を行う。本発明により印刷手段
などにより形成したリング状枠部５で液状樹脂６Ａの平
面基板２上での保持を可能としたことで、従来例では必
要とされた型枠が不要となり部品点数の低減が可能とな
ると共に、型枠の平面基板２への取付けのための工数も
不要となる。
【００１６】従って、前記した型枠を取付ける際に、既
に平面基板２にはＬＥＤチップ３のダイボンドおよび金
線４によるワイヤーボンドが行われていることで生じ
る、例えば金線４への接触などによる断線事故などは、
完全に排除されるものとなり、分留まりの向上も可能と
なる。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、封
止層は、平面基板上に封止層を形成するべき範囲の内法
を有する枠状にフッ素樹脂によるリング状枠部を形成
し、このリング状枠部内に液状の透明樹脂の適量を注入
し固化させて形成するＬＥＤ表示器の製造方法としたこ
とで、第一には、従来は液状樹脂が硬化するまでの間、
液状樹脂を保持するためだけの目的で用いられる型枠を
不要とし、部品点数を低減すると共に組立工数も低減し
ＬＥＤ表示器のコストダウンに極めて優れた効果を奏す
るものである。
【００１８】また、第二には、既にＬＥＤチップ９２の
取付けが行われている平面基板に型枠の取付けを行うこ
とで、例えば不注意の接触などにより金線の切断などを
生じさせる事故の発生を根絶するものとし、これによ
り、工程中に生じる仕損をなくして分留まりの向上にも
優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るＬＥＤ表示器の製造方法の実施
形態のＬＥＤチップの取付工程を示す説明図である。
【図２】 同じ実施形態のリング状枠部の形成行程を示
す説明図である。
【図３】 同じ実施形態の液状樹脂の注入行程を示す説
明図である。
【図４】 同じ実施形態の完成状態を示す説明図であ
る。
【図５】 従来の製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１……ＬＥＤ表示器 ２……平面基板 ２ａ……配線パターン ３……ＬＥＤチップ ４……金線 ５……リング状枠部 ６……封止層 ６Ａ……液状樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平面基板上に複数のＬＥＤチップを配設
    し、該ＬＥＤチップを透明樹脂で覆う封止層を形成して
    成るＬＥＤ表示器の製造方法において、前記封止層は、
    前記平面基板上に前記封止層を形成するべき範囲の内法
    を有する枠状にフッ素樹脂によるリング状枠部を形成
    し、このリング状枠部内に液状の前記透明樹脂の適量を
    注入し固化させて形成することを特徴とするＬＥＤ表示
    器の製造方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6469382B1 (en) 2000-01-28 2002-10-22 Nec Corporation Semiconductor device substrate and method of manufacturing semiconductor device
JP2004355910A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Casio Comput Co Ltd 表示パネル及び表示パネルの製造方法
JP2005039195A (ja) * 2003-06-26 2005-02-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レンズ付き発光素子の製造方法
JP2005347516A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Jsr Corp 発光装置
JP2006303509A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Crf Soc Consortile Per Azioni 発光ダイオードを有する透明デバイスの製造方法
WO2007011068A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP2007053352A (ja) * 2005-07-22 2007-03-01 Showa Denko Kk 発光ダイオード光源
WO2007086229A1 (ja) 2006-01-26 2007-08-02 Sony Corporation 光源装置、表示装置
JP2010021161A (ja) * 2009-11-05 2010-01-28 Casio Comput Co Ltd 表示パネルの製造方法
JP2012049229A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法
EP2722900A1 (en) * 2011-06-17 2014-04-23 Sony Corporation Light source circuit unit, lighting device, and display device
JP2015050338A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ及びその製造方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6469382B1 (en) 2000-01-28 2002-10-22 Nec Corporation Semiconductor device substrate and method of manufacturing semiconductor device
JP2004355910A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Casio Comput Co Ltd 表示パネル及び表示パネルの製造方法
JP2005039195A (ja) * 2003-06-26 2005-02-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レンズ付き発光素子の製造方法
JP2005347516A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Jsr Corp 発光装置
JP2006303509A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Crf Soc Consortile Per Azioni 発光ダイオードを有する透明デバイスの製造方法
WO2007011068A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP2007053352A (ja) * 2005-07-22 2007-03-01 Showa Denko Kk 発光ダイオード光源
WO2007086229A1 (ja) 2006-01-26 2007-08-02 Sony Corporation 光源装置、表示装置
JP2010021161A (ja) * 2009-11-05 2010-01-28 Casio Comput Co Ltd 表示パネルの製造方法
CN102386308A (zh) * 2010-08-25 2012-03-21 夏普株式会社 发光装置和发光装置的制造方法
CN102386308B (zh) * 2010-08-25 2014-05-21 夏普株式会社 发光装置和发光装置的制造方法
US8486731B2 (en) 2010-08-25 2013-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
JP2012049229A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法
US9059382B2 (en) 2011-06-17 2015-06-16 Sony Corporation Light source circuit unit, illuminator, and display
EP2722900A4 (en) * 2011-06-17 2015-04-08 Sony Corp LIGHT SOURCE CIRCUIT UNIT, LIGHTING DEVICE, AND DISPLAY DEVICE
EP2722900A1 (en) * 2011-06-17 2014-04-23 Sony Corporation Light source circuit unit, lighting device, and display device
US9412919B2 (en) 2011-06-17 2016-08-09 Sony Corporation Light source circuit unit, illuminator, and display
US9773957B2 (en) 2011-06-17 2017-09-26 Saturn Licensing Llc Light source circuit unit, illuminator, and display
US10056532B2 (en) 2011-06-17 2018-08-21 Saturn Licensing Llc Light source circuit unit, illuminator, and display
US10411172B2 (en) 2011-06-17 2019-09-10 Saturn Licensing Llc Light source circuit unit, illuminator, and display
US11201268B2 (en) 2011-06-17 2021-12-14 Saturn Licensing Llc Light source circuit unit, illuminator, and display
US11476396B2 (en) 2011-06-17 2022-10-18 Saturn Licensing Llc Light source circuit unit, illuminator, and display
JP2015050338A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ及びその製造方法

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