CN100525100C - 高频模块及通信设备 - Google Patents

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CN100525100C CNB2004100849819A CN200410084981A CN100525100C CN 100525100 C CN100525100 C CN 100525100C CN B2004100849819 A CNB2004100849819 A CN B2004100849819A CN 200410084981 A CN200410084981 A CN 200410084981A CN 100525100 C CN100525100 C CN 100525100C
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Abstract

本发明涉及将整体小型化的高频模块和搭载该高频模块的通信设备，其中高频模块，在多层基板(23)上安装直接或通过分波电路连接天线端子、切换发送***和接收***的发送用滤波器(3a，4a)和接收用滤波器(3b，4b)；***在接收用滤波器的输入侧上的整合电路(3c，4c)；和连接于发送用滤波器、放大规定发送通过频带的发送信号的高频功率放大电路(7，8)。在多层基板内部的电介体层上形成有构成整合电路的一部分的无源元件；发送用滤波器和/或接收用滤波器是SAW滤波器；发送用SAW滤波器和接收用SAW滤波器构成在同一压电基板上形成的一个裸芯片。由此，可将整个高频模块小型化。

Description

高频模块及通信设备
发明领域
本发明涉及一体构成高频功率放大电路、带通滤波器、高频分波电路等的高频模块及搭载该高频模块的移动电话机等的通信设备。
背景技术
近年来，移动电话机的普及正在有进展。试图提高移动电话机的功能、服务。
这种移动电话机中，在基板上搭载各发送接收***的构成中必要的高频信号处理电路。
以往的高频信号处理电路的一般构成中，设置用于切换从天线输入的接收信号和馈送给天线的发送信号的发送用滤波器和接收用滤波器。
从天线进来的无线信号，通过在接收用滤波器前级上设置的整合电路输入到接收用滤波器中，在此接收信号选择性地通过。接收信号由低噪放大器放大，供给信号处理电路。
另一方面，发送信号通过使规定发送通过频带的发送信号通过的带通滤波器降低噪声，传输到高频功率放大电路。高频功率放大电路功率放大该发送信号，供给上述发送用滤波器。
以往，上述发送用滤波器和接收用滤波器、整合电路、高频功率放大电路、带通滤波器等分别作为独立零件制造，离散地搭载在基板的上面。
但是，使用各个专用零件来分别搭载在基板上时，导致设备的大型化、高成本化。
因此，要求将整个高频模块小型化，以便可小型化的电路部分尽可能地小型化、集成化。
因此，本发明的目的是提供一种通过在多层基板内部层上形成作为整合电路的构成零件的分布常数线路、电感、电容器，以将整体小型化的高频模块和搭载该高频模块的通信设备。
发明内容
本发明的高频模块，在多层基板上安装直接或通过分波电路连接天线端子、切换发送***和接收***的发送用滤波器和接收用滤波器；***在上述接收用滤波器的输入侧上的整合电路；和连接于上述发送用滤波器、放大规定发送通过频带的发送信号的高频功率放大电路，其中，在上述多层基板内部的电介体层上形成着构成上述整合电路的一部分的无源元件；上述发送用滤波器和/或接收用滤波器是声表面波滤波器，即SAW滤波器；上述发送用滤波器和接收用滤波器构成在同一压电基板上形成的一个裸芯片。
根据上述构成，在天线端子或分波电路的输出端子与接收用滤波器的输入端子之间***整合电路，实现相位的最佳化，即电阻匹配，但构成该整合电路的一部分的无源元件形成在上述多层基板内部的电介体层上。由此，可确保在多层基板的表面上安装发送用滤波器和接收用滤波器、高频功率放大电路的面积，可以将整个高频模块小型化。
上述整合电路***于上述接收用滤波器的输入端子与上述发送用滤波器的输出端子之间。
上述整合电路，通常是包括在多层基板内部的电介体层上形成的分布常数线路。
另外，上述整合电路，还可以包括在多层基板内部的电介体层上形成的感应元件和/或电容元件，也可以还包括在多层基板表面上配置的感应元件和/或电容元件的芯片零件。
如果上述SAW滤波器由裸芯片形成，则与由封装件构成的高频模块相比，可在多层基板的表面上经凸块(bump)进行倒片安装。由此，安装工序少也可以，可整体形成紧凑的高频模块。
倒片安装的具体形式如下。在上述裸芯片的主面上形成叉指换能器电极，即IDT电极、该IDT电极的输入输出电极和包围该IDT电极的接地电极，在上述接地电极和输入输出电极与所述多层基板表面上形成的电极对置的状态下进行接合，上述IDT电极的SAW传输部分中形成着密闭空间。通过如上结构，可将SAW滤波器的SAW传输部分保持在气密密封状态。
或者，在上述多层基板上形成凹部，在该凹部内倒片安装SAW滤波器的裸芯片，则可纵向排列安装多个裸芯片，从而使安装面积小，可实现高频模块的进一步小型化。在上述多层基板的背面上安装上述裸芯片，同样实现高频模块的进一步小型化。
上述发送用SAW滤波器和接收用SAW滤波器可在同一压电基板上形成，构成一个裸芯片。并且，将上述裸芯片安装在基板(参考图14的54)表面上，作成SAW组件。
根据上述构成，通过将以往内置在SAW组件中的匹配线路形成在多层基板内，可将SAW组件自身减薄，从而可降低整个高频模块的高度。另外，在同一压电基板上由一个芯片构成发送用滤波器和接收用滤波器，可降低2个滤波器特性偏差。
另外，发送用SAW滤波器和接收用SAW滤波器在同一压电基板上形成的情况下，在同一压电基板上形成T×滤波器和R×滤波器，因此在小型化方面是有利的，但T×滤波器和R×滤波器之间的隔离特性变得不利。还有，从高频功率放大电路向T×滤波器输入大功率，T×滤波器自身发热，该热也直接传输到R×滤波器，由其温度上升R×滤波器的频率特性也变化。
本发明的高频模块，在多层基板上安装直接或通过分波电路连接天线端子、切换发送***和接收***的发送用滤波器和接收用滤波器；***在上述接收用滤波器的输入侧上的整合电路；和连接于上述发送用滤波器、放大规定发送通过频带的发送信号的高频功率放大电路，其中，在上述多层基板内部的电介体层上形成有构成上述整合电路的一部分的无源元件；上述发送用滤波器和/或接收用滤波器是声表面波滤波器，即SAW滤波器；上述发送用滤波器中，构成在压电基板上形成的一个裸芯片，在上述接收用滤波器中，可以构成在另一压电基板上形成的一个裸芯片。
并且，可以将包含上述发送用滤波器的裸芯片安装在配置在上述多层基板的表面上的第一基板表面，作为发送用SAW组件，将包含上述接收用滤波器的裸芯片安装在配置在上述多层基板的表面上的第二基板表面上，作为发送用SAW组件。
通过将SAW滤波器分割为T×滤波器和R×滤波器的2个，可以实现隔离特性的提高。另外，T×滤波器的发热难以传递到R×滤波器，可以得到更稳定的R×滤波器的特性。
另外，本发明的高频模块在构成SAW滤波器的裸芯片的主面上形成的接地电极和输入输出电极与上述多层基板表面上形成的电极对置的状态下进行接合，在上述IDT电极的SAW传输部分中形成密闭空间的状态下，用模压树脂气密密封在上述多层基板上安装的零件。
根据本发明的高频模块，在多层基板上面朝下焊接SAW滤波器芯片时，用具有规定特性的模压树脂进行气密密封。将该高频模块二次安装在母板上或SAW滤波器芯片安装后焊锡安装其他电子零件时，在焊锡安装时温度条件下模压树脂的刚性低，因此输入输出电极的连接部、接地电极的连接部的焊锡再熔融的情况下，熔融膨胀压力不仅扩散到气密空间侧，还扩散到模压树脂侧。因此，可以防止焊锡流入气密空间侧，提高气密密封性的同时，可以防止短路、断线等的产生。
希望上述模压树脂是具有弯曲弹性常数在常温下为4～8GPa、在220℃下为0.2～0.5GPa，并且玻璃转变温度在100～150℃的特性的热固化性树脂。
另外，希望上述模块基板的线膨胀系数在25～400℃下为8～18×10-6/℃，还希望上述热固化性树脂的玻璃转变温度以下的线膨胀系数为25～80×10-6/℃。
另外，本发明的高频模块，在多层基板上安装直接或通过分波电路连接天线端子、切换发送***和接收***的发送用滤波器和接收用滤波器；***在上述接收用滤波器的输入侧上的整合电路；和连接于上述发送用滤波器、放大规定发送通过频带的发送信号的高频功率放大电路，其中，在上述多层基板内部的电介体层上形成有构成上述整合电路的一部分的无源元件；上述发送用滤波器和/或接收用滤波器是SAW滤波器；考虑由于伴随构成上述高频功率放大电路的一部分的发送用功率放大元件的发热所造成的上述SAW滤波器的温度上升所产生的频率特性的变化，将上述SAW滤波器的频率特性中阻止频带的高频端设置得比要求的设计值高。
高频模块中，要求保证在特定温度范围下的动作，因此对于SAW滤波器，必须保证在相同温度环境下的动作。
置于上述温度范围的上限温度T的环境中的高频放大电路动作时，SAW滤波器的实际温度由于从功率放大元件产生的热进一步上升。将该上升大小设为ΔT。因此，SAW滤波器需要根据该温度进行频率特性设计。
SAW滤波器的温度系数为k(ppm/℃)时，温度变化ΔT(℃)产生的频率变化率Δf/f(ppm)由下式(1)求出：
Δf/f＝k·ΔT               (1)
一般地，SAW滤波器的温度系数k为负值。
因此，预先将SAW滤波器的频率特性设计得比要求的设计值高出上述Δf/f的大小。从而，高频放大电路可确实进行在特定温度范围的动作。
这样，通过根据预想的温度上升调整SAW滤波器的频率特性，不用特别变更SAW滤波器的配置，可在要求的温度范围内确保包含发送用功率放大元件的高频放大电路动作时的性能。
上述弹性表面波滤波器是带通滤波器的情况下，将该通过频带的高频端设定得比要求的设计值高。由于通过频带的低频端在温度上升时移动到低频侧(安全侧)，因此不需要特别地改变设计。
上述弹性表面波滤波器是频带截止滤波器的情况下，将该截止频带的高频端设定得比要求的设计值高。由于截止频带的低频端在温度上升时移动到低频侧(安全侧)，因此不需要特别地改变设计。
可以上述SAW滤波器的温度上升，对应于从上述发送用功率放大元件到上述SAW滤波器的距离所决定。
另外，将多个弹性表面波滤波器安装在电介体基板上时，上述SAW滤波器的温度上升，对应于从上述发送用功率放大元件到上述SAW滤波器的各距离所决定。
另外，本发明涉及搭载上面说明的高频模块的移动电话机等的通信设备。通过搭载上述高频模块容易维持其频率性能，同时可进行装置的小型化。
附图说明
图1是包含CDMA双带方式的高频模块100的高频信号处理电路的框图。
图2是表示在多层基板23上安装的高频模块100的整体的平面图。
图3(a)是在多层基板23上安装的高频模块100的截面图。
图3(b)是表示方向性耦合器5，6的耦合线路的多层基板23内部的透视立体图。
图4(a)是包含在接收用SAW滤波器4b，3b的前级***的分布常数线路31的整合电路的电路图。
图4(b)是将整合电路的结构按每个电介体层分解表示的分解立体图；
图5(a)是表示串联***电容器35，36、与接地之间并联***作为电感的分布常数线路37的T型整合电路的电路图。
图5(b)是表示按每个电介体层分解表示上述电容器35，36和分布常数线路37的结构的分解立体图。
图6(a)是表示仅由与地并联连接的电感38进行整合的整合电路的电路图。
图6(b)是表示按每个电介体层分解表示分布常数线路38的结构的分解立体图。
图7是表示在多层基板23上直接倒片安装SAW滤波器芯片41的状态的立体图。
图8(a)是表示本发明的SAW滤波器芯片的安装形式的示意截面图；
图8(b)是表示SAW滤波器芯片的表面图案的平面图；
图8(c)是模块基板的表面图案。
图9是倒片安装功率放大用半导体元件24，25的状态的立体图。
图10是在多层基板23中内置构成LC双工器2的低通滤波器、高通滤波器的状态的截面图。
图11是表示在多层基板23表面上设置凹部47、存放SAW滤波器芯片41a、其上再倒片安装另一SAW滤波器芯片41b的状态的截面图。
图12是表示在多层基板23背面侧设置凹部48、存放SAW滤波器芯片41a、再倒片安装另一SAW滤波器芯片41b的状态的截面图。
图13是表示整合电路的结构的高频模块101的示意平面图。
图14是其截面图。
图15是表示该电路构成的框图。
图16是表示包含对应于2个波带的SAW滤波器组件40，40’的高频模块103的示意平面图。
图17是表示该高频模块103的截面图。
图18是表示该高频模块103的电路构成的框图。
图19是表示在多层基板上与SAW滤波器组件一起安装高频功率放大电路7和带通滤波器9的例子的截面图。
图20是表示在多层基板23上部使用模压树脂M覆盖安装零件的状态的截面图。
图21是表示分割T×滤波器和R×滤波器构成的另一实施例的高频模块105的示意平面图。
图22是表示该高频模块105的截面图。
图23是表示该高频模块105的电路构成的框图。
图24是表示在基板上直接安装SAW滤波器芯片的高频模块106的示意平面图。
图25是表示该高频模块106的截面图。
图26是表示在多层基板23中内置LC双工器2的高频模块107的示意平面图。
图27是表示该高频模块107的电路构成的框图。
图28是表示与2个波带对应于的高频模块108的电路构成的框图。
图29是表示高频模块108的电路构成的框图。
图30是表示在多层基板中内置LC双工器2的高频模块109的电路构成的框图。
图31是表示在图22的结构的高频模块上安装频带通过用SAW滤波器9的例子的截面图。
图32是表示在多层基板上部使用模压树脂覆盖安装零件的状态的截面图。
图33(a)是表示安装高频放大电路和SAW滤波器的高频模块的平面图。
图33(b)是沿着X-X线的截面图。
图34是表示将高频模块搭载在母板上时电介体基板上的温度分布模型的截面图。
图35是表示将高频模块搭载在母板上、将母板存放在便携无线终端的壳体上的状态下驱动高频模块、测定电介体基板的上面的温度的温度与离开功率放大元件的距离之间的关系的曲线。
图36是用于说明SAW滤波器的通过频带的设计例子的频率特性图。
图37是用于说明SAW滤波器的截止频带的设计例子的频率特性图。
图38是表示SAW滤波器的频率—温度特性的曲线。
图39是表示发送用功率放大元件动作时(发热时)和非动作时(非发热时)的SAW滤波器的频率特性的不同的曲线。
图40是表示搭载SAW滤波器组件40的以往的高频模块的结构的示意截面图。
图41是表示搭载AW滤波器组件40a，40b的以往高频模块的结构的示意截面图。
具体实施方式
图1表示移动通信设备中使用的双带方式的高频信号处理电路的框图。
该双带模式中，由具有蜂窝方式800MHz和PCS方式1.9GHz的频带的2个发送接收***和利用GPS(全球定位***)的测位功能的具有GPS的接收带1.5GHz的1个接收***构成。
图1中，ANT是天线，2是包含分频带用的低通滤波器、高通滤波器的LC双工器，3a是分离1.9GHz带的发送***的SAW滤波器，3b是分离该接收***的SAW滤波器，4a是分离800MHz带的发送***的SAW滤波器，4b是分离该接收***的SAW滤波器。
另外，12是使从上述LC双工器2取入的GPS信号通过的SAW滤波器。3c，4c是旋转接收信号的相位的整合电路。
从发送信号处理电路17输出的蜂窝发送信号通过带通滤波器9而降低噪声，传输到高频功率放大电路7。另一方面，从发送信号处理电路17输出的PCS发送信号由带通滤波器10降低噪声，传输到高频功率放大电路8。
高频功率放大电路7，8分别按800MHz带、1.9GHz带的频率驱动，放大发送功率。放大的发送信号通过方向性耦合器5，6输入到上述SAW滤波器4a，3a。
方向性耦合器5，6具有监视来自高频功率放大电路7，8的输出信号的电平的功能，该监视信号输入检波用电路11中，根据该监视信号进行高频功率放大电路的断电控制。另外，可采用不包括方向性耦合器5，6，而是代之从后述的构成功率放大用整合电路的分布常数线路的一部分取出监视信号的方法。
另一方面，接收***备有放大SAW滤波器4b，3b分离的接收信号的低噪放大器14，13和从接收信号去除噪声的带通滤波器16，15。通过带通滤波器16，15的接收信号传输到接收信号处理电路18中进行信号处理。另外，上述GPS用SAW滤波器12分离的GPS信号由接收信号处理电路18进行信号处理。
上述SAW滤波器元件的结构不限定，优选是在由LiTaO3结晶、LiNbO3结晶、LiB4O7结晶等的压电单晶构成的基板上形成锯齿状的IDT(Inter Digital Transducer，叉指换能器)电极的结构。
上述高频功率放大电路7，8的结构也不限定，但优选为实现小型化、高效率化，更好是用GaAsHBT(镓砷异质结双极晶体管)结构或P-HEMT结构的GaA晶体管、硅晶体管或锗晶体管的功率放大用半导体元件形成。另外，在功率放大用半导体元件的输出端设置变换功率放大用半导体元件的输出电阻的功率放大用整合电路。功率放大用整合电路由分布常数线路等构成。
如以上结构的高频信号处理电路，对其小型化、轻量化有很高要求，考虑这些要求，高频信号处理电路按希望特性可不同的单位进行模块化。
即，如图1中粗实线22所示，包含LD双工作器2、SAW滤波器3a，3b，4a，4b、高频功率放大电路7，8、方向性耦合器5，6等分波***的电路和发送***的电路形成在1个基板上形成的1个高频模块100。
另外，也可进行将高频模块100分为800MHz带的高频模块和1.9GHz带的2个高频模块的安装方法。另外，可一起制作低噪放大器13，14和接收用带通滤波器15，16来形成模块。
下面说明包含800MHz带和1.9GHz带的2个频带的1个高频模块100的元件配置。
图2中，表示高频模块100的平面图，图3(a)中表示其截面图。高频模块100具有层叠相同尺寸形状的9层的电介体层的多层基板结构。49是最下层设置的接地层。电介体层的层数不限定于9，实际上可层叠更多的层。构成上述多层基板23的电介体层的厚度设定在每层50～300微米左右。
如图2所示，在多层基板23的表面层上焊锡焊上芯片电容器、芯片电感等的表面安装零件。另外，搭载频带通过用SAW滤波器9，10、GPS用SAW滤波器12、检波用电路11、SAW滤波器3a，4a，3b，4b和构成高频功率放大电路7，8的一部分的功率放大用半导体元件24，25等，这些通过焊锡接合于电介体层上的导体图案。
功率放大用半导体元件24，25通过线焊接和多层基板23上的导体图案连接。功率放大用半导体元件24，25周围通过芯片零件、导体图案形成同样构成高频功率放大电路7，8的一部分的功率放大用整合电路26，27。
另外，功率放大用半导体元件24，25、功率放大用整合电路26，27等可搭载在多层基板的背面和内部。这些多层基板的背面和内部搭载的结构在后面使用图11和图12进行说明。
如图3(a)所示，多层基板23的内部的电介体层上形成整合电路3c，4c和方向性耦合器5，6，进而，形成连接功率放大用半导体元件24，25和频带通过用滤波器SAW滤波器9，10之间的DC截止用耦合电容器28、连接频带通过用SAW滤波器9，10和接地之间的电容器29。
这些多层基板23内部的电介体层上形成的元件(也叫内部元件)由在电介体层中分别形成的分布常数线路、耦合线路、分布型电容器、电阻等构成。例如图3(b)是表示示出方向性耦合器5，6的耦合电路的多层基板23内部的立体图，耦合线路分别形成在2块重叠的电介体层23a，23b上。
各电介体层中跨过多个层，在纵向上形成有纵向连接电路的通路孔导体。特别是，图3(a)的50是为了将功率放大用半导体元件24，25产生的热逃逸到地层39中而设计的上下贯通电介体层的热通路。
各个电介体层可使用例如通过铜箔等的导体对玻璃环氧树脂等的有机系电介体基板形成导体图案并层叠热固化的，或在陶瓷材料等的无机系电介体层上形成种种导体图案、将其层叠后同时进行烧制的。
特别是，使用陶瓷材料，则陶瓷电介体的相对介电常数通常为7到25时，与树脂基板相比较高，因此可减薄电介体层，将电介体层内置的电路的元件大小减小，可将元件间的距离变窄。
也就是，使用玻璃陶瓷等的低温下可烧制的陶瓷材料时，希望通过低电阻的铜、银等(这些是低熔点金属)形成导体图案。通路孔导体通过对在电介体层上形成的贯通孔背面实施电镀处理或填充导体膏而形成。
并且，在这些多层基板23表面形成的元件、零件由密封用树脂密封，完成高频模块。高频模块以该结构组装到移动电话机等的小型便携用电子仪器等中。
接着说明整合电路3c，4c的具体电路例子和该多层基板内的结构。
图4(a)表示整合电路4c，3c的一个电路例子。整合电路4c，3c由接收用SAW滤波器4b，3b的前级上***的分布常数线路31构成。这种分布常数线路31将接收信号的相位旋转规定角度。
图4(b)是按电介体层分解表示形成分布常数线路31的电介体层的分解立体图。连接LC双工器2的天线端子P1和连接低噪放大器13或14的端子P2设置在最下的电介体层上，这些端子通过通路孔(图中用黑圆点表示)连接上面的电介体层。中间的电介体层33上配置有一端连接天线端子P1的弯曲状导体图案。该导体图案形成分布常数线路31。该导体图案的另一端通过通路孔上升一层并弯曲，连接最上层的SAW滤波器4b，3b的输入端子。上述端子P2贯通电介体层而连接SAW滤波器4b，3b的输出端子。39a是接地线。
图5(a)表示整合电路4c，3c的另一个电路例子。整合电路4c，3c为串联***在电容器35，36之间，将作为电感的分布常数线路37并联***与接地之间的T型LC电路。这种LC电路可将相位角最佳化。
图5(b)是按电介体层分解表示形成电容器35，36和分布常数线路37的电介体层的分解立体图。连接LC双工器2的天线端子P1和连接低噪放大器13或14的端子P2设置在最下的电介体层上，这些端子通过通路孔(图中用黑圆点表示)连接上面的电介体层。中间的电介体层33上配置一端接地的弯曲状导体图案(形成分布常数线路37)。该导体图案的另一端通过通路孔上升到上面一层的电介体层33，连接形成电容器35的一方导体。另外，上一层的电介体层34上形成形成电容器35的另一方导体。这些一方导体和另一方导体经电介体层34形成电容。该另一方导体从下层通过通路孔导体连接上述天线端子P1的同时，还连接SAW滤波器3a，4a的端子。
另外，电介体层33上形成形成电容器36的一方导体。该一方导体36连接上述一方导体35。一方导体36上经电介体层层34形成形成电容器36的另一方导体。这些一方导体和另一方导体经电介体层34形成电容器36的电容。电容器35的另一方导体通过通路孔导体连接SAW滤波器4b，3b的端子。另外，SAW滤波器4b，3b的另一端子连接上述端子P2。
图6(a)表示整合电路4c，3c的另一个电路例子。整合电路4c，3c为仅通过与地并联连接的电感38进行整合的电路。
图6(b)是按电介体层分解表示形成分布常数线路38的电介体层的分解立体图。连接LC双工器2的天线端子P1和连接低噪放大器13或14的端子P2设置在最下的电介体层上，这些端子通过通路孔(图中用黑圆点表示)连接上面的电介体层。中间的电介体层33上配置一端接地的螺旋状导体图案。该导体图案形成分布常数线路38。该导体图案螺旋状弯曲，通过通路孔上升到上面的电介体层层34，再弯曲连接到天线端子P1和最上面的电介体层层的SAW滤波器4a，3a。另一方面，上述端子p2贯通电介体层，连接到SAW滤波器4b，3b的另一端子。
下面详细说明SAW滤波器芯片的密封结构和向电介体层基板的安装结构以及高频模块的形式。
图7是表示在多层基板23的上层直接倒片安装SAW滤波器3a，4a，3b，4b的芯片的过程的立体图。下面将SAW滤波器3a，4a，3b，4b的裸芯片叫作SAW滤波器芯片41。
图8(a)是在电介体基板23表面上面朝下焊接SAW滤波器芯片41的安装结构的示意截面图。图8(b)是表示SAW滤波器芯片41的表面的导体图案的平面图。另外，图8(c)是表示安装图8(b)的SAW滤波器芯片41的电介体基板23侧的导体图案的平面图
SAW滤波器芯片41在压电性单晶构成的基板61的表面上形成多个IDT电极42。该IDT电极42的一端设置有输入输出电极43，这些IDT电极42和输入输出电极43的周围形成有接地电极44。
另外，这些电极表面根据需要形成硅或氧化物硅等的半导电性或绝缘性的保护膜。
另一方面，电介体基板23表面上，在SAW滤波器芯片41的与输入输出电极43相对的部分中覆盖形成银、铜、金等导体构成的输入输出电极45、而与接地电极44相对向的部分中覆盖形成接地电极46。
焊锡层65可以通过在多层基板23上印刷焊锡、安装必要芯片并回流形成。此时，多层基板23的电极上由于为焊锡浸润性较好，因此可实施例如以Ni为基底的镀金。另外，替代焊锡层65，可使用导电性树脂层。
多层基板23的这些图案上热压密封SAW滤波器芯片41。根据该连接结构，形成IDT电极42的部分被密封在由SAW滤波器芯片41、电介体基板23、焊锡层65形成的空间64内。因此，不需采用大体积也可以密封SAW滤波器芯片41，可变得低矮(薄)。并且，IDT电极42中不会附着水分、尘埃等的异物，而且以中空状态进行密封，使得不会妨碍SAW的传输。
另外，再在多层基板23上安装功率放大用半导体元件24，25并通过线焊接连接，用环氧树脂等整个进行密封，可得到高频模块。
另外，可不用线焊接，而将功率放大用半导体元件24，25做成倒装芯片结构。图9是表示在基板23上安装倒装芯片结构的功率放大用半导体元件24，25的情况的立体图。
图9中，49是功率放大用半导体元件24，25的凸块电极。50a是在多层基板23的表面设置的接合电极。该50a连接上述的热通路50。
以上说明高频模块100的结构，但本发明的实施不限定于上述形式。例如图3中，以在多层基板23中内置整合电路3c，4c、方向性耦合器5，6和电容器28，29为例子进行了说明，但可以内装构成LC双工器2的元件。
即，如图10所示，构成LC双工器2的低通滤波器、高通滤波器内装于多层基板23中。由此，可实现模块整体小型化。
另外，通过在多层基板23内部纵向配置SAW滤波器芯片41也可以实现进一步小型化。
图11中，在多层基板23的表面设置凹部47，存放SAW滤波器芯片41a，其上按上述的倒装芯片安装有另一SAW滤波器芯片41b。由此，模块的面积可大幅度降低。尤其，SAW滤波器在发送侧的滤波器3a，4a为承受大功率结构，因此比接收侧的滤波器b，4b更大型。这样，通过如此配置安装，可有效利用模块面积。
图12是小型化在多层基板23背面侧设置凹部48、存储SAW滤波器41a的模块的结构。
这样，表面或背面形成凹部47，48、存储SAW滤波器的大约一半，可实现高频模块的小型化。另外，在本发明的范围内可实施种种变形。
接着说明连接接收侧的SAW滤波器的整合电路3c，4c的结构。下面的例子中，SAW滤波器芯片41搭载在基板54上。并且，将SAW滤波器芯片41和基板54组件化。将该组件叫作SAW组件40。
图13是表示高频模块101的主要部分具体结构的示意平面图，图14是其截面图，图15是表示高频模块101的电路构成的框图。
这些图中，多层基板23上安装有SAW组件40。SAW组件40备有连接LC双工器2的端子P1、接收侧端子P2和发送侧端子P3的3个端子。并且，这些端子P1、发送侧端子P3和接收侧端子P2分别连接于连接多层基板23上的LD双工器的线路51、连接高频功率放大电路7，8的线路52、连接低噪放大器14，13的线路53上。另外，图13中，未示出LC双工器2。对应于单带的高频模块的情况下，也可以是不使用LC双工器2，而将端子P1直接连接天线的构成。
SAW组件40，在由树脂、陶瓷构成的基板54上搭载在同一压电基板上形成了T×滤波器和R×滤波器的1个芯片的SAW滤波器芯片41。
另外，多层基板23上内置有由分布常数线路56形成的整合电路。如图14所示，分布常数线路56经在多层基板23上垂直设置的通路孔导体57a，57b，电连接到多层基板23的表面的连接垫58a，58b。
另外，图15中2a表示的是在多层基板23中内置的构成LC双工器2的感应元件或电容元件。这样，通过在多层基板23中内置LC双工器2可紧凑地形成对应于多带的更高功能的高频模块。
另一方面，SAW滤波器芯片41的T×滤波器的输出端子贯通基板54而延伸到设置在基板54下面的端子垫片59a。R×滤波器的匹配端子60贯通基板54而延伸到设置在基板54下面的端子垫片59b。
并且，在多层基板23上搭载SAW组件40的状态下，通过焊锡等将端子垫片59a连接于多层基板23的表面的连接垫片58a、将端子垫片59b连接于多层基板23的表面的连接垫片58b。
使用图15说明以上的高频模块101的信号中的传输路径。从多层基板23的T×侧线路52输入的发送信号，经由SAW组件40的发送侧端子P3输入到SAW滤波器芯片41的T×滤波器中。从T×滤波器输出的信号经由SAW组件40的端子P1输出到LC双工器2中。
另外，从连接于多层基板23的LC双工器2的线路51输入的接收信号，经由SAW组件40的端子P1，从端子垫片59a借助于通过多层基板23内部的通路孔57a，输入在多层基板23中内置的由分布常数线路56形成的整合电路中。传输过整合电路的信号，借助于通路孔57b、端子垫片59b供给位于SAW组件40内部的SAW滤波器芯片41的位于R×滤波器侧的匹配端子60中。来自R×滤波器的输出信号经由SAW组件40的接收侧端子P2输出到多层基板的R×线路53。
如图15所示，LC双工器2为了分波GPS信号而将LC双工器2的再一个输出端子连接于GPS电路。
另外，上述图13和图14是说明高频模块的结构的示意图，连接于图13和图14的LC双工器2的端子P1、发送侧端子P3、接收侧端子P2、匹配端子60等的端子位置、通路孔57a，57b、分布常数线路56等的布局不限定于图中所示，能够任意配置。
上述SAW组件40的基板54的材料或制法，与上述多层基板23的材料或制法相同，因此这里省略说明。
分布常数线路56通过图案印刷、涂布法等在电介体基板上形成。其形状除直线外，还可以采用螺旋状、弯曲等任意弯曲的结构。由此，可整个小型化。想要与接地之间电容时，可附加利用***在布线导体层之间的电介体的介电常数的电容器等。
以往，如图40所示，SAW组件40在多层基板23上分别独立搭载发送用的T×滤波器芯片和接收用的R×滤波器芯片。并且，芯片内的基板54中内置有进行天线端子与R×滤波器芯片相匹配的匹配线路55。
而且以往，如图41所示，在多层基板23表面上搭载发送用的SAW组件40a和接收用的SAW组件40b，在该多层基板23表面上形成进行天线端子与R×输入端子相匹配的匹配线路55。
但是上述的以往方法中作成高频模块的情况下在图40的结构中，在基板54中埋入匹配线路55，因此高频模块的高度增高，出现非常难以对应于该高度以上的薄型化的问题
另外，图41的结构中，由于分别独立形成发送用的SAW组件40a和接收用的SAW组件40b，二者特性难以一致，特性偏差增大，另外，由于组件面积增大，就存在小面积化变得困难的问题。
但是，根据本发明的结构的高频模块101，如图14所示，在多层基板23内部形成有分布常数线路56，因此可减薄基板54。
如图13所示，T×滤波器和R×滤波器在同一压电基板上由1个芯片形成，因此能够小面积化。
另外，如图13所示，高频模块101由T×滤波器和R×滤波器构成组件块，分布常数线路56配置在端子P1和R×滤波器之间。由此，调整R×滤波器的电阻，作为SAW滤波器，可得到最佳特性。
以上说明中，高频模块101具备LD双工器2，但也可以是没有LD双工器2，将端子P1直接连接于天线的单带对应于型的高频模块。该情况下，SAW组件40的结构，与以上说明的没有变化。
图16是表示再一结构的高频模块103的示意平面图，图17是其截面图，图18是表示高频模块103的电路构成的框图。
与图13到图15的高频模块101不同的是在同一多层基板23上安装有频带不同的再一个SAW组件40’。例如，SAW组件40处理800MHz的频带，追加的SAW组件40’处理1.9GHz的频带。
SAW组件40’与SAW组件40同样，具备连接LC双工器2的端子P1’、发送侧端子P3’、接收侧端子P2’的3个端子，这些端子分别连接于连接多层基板23上的LC双工器2的线路51’、T×侧线路52’、R×侧线路53’。SAW组件40’在基板54’上搭载在同一压电基板上形成了T×滤波器和R×滤波器的1个芯片的SAW滤波器芯片41’，在多层基板23’上与上述实施例同样内置由分布常数线路56’形成的整合电路。分布常数线路56’的连接形式、其功能与使用图13到15说明的一样。
另外，在图16，17中，面对称地镜面配置2个频带的SAW组件40，41’，但具体布置不限定于此。
图16到图18中，LC双工器2对应于3个频带、LC双工器2的再一输出端子连接于GPS电路的高频模块也可作为实施例举出。由此，可实现能够对应于多个信道，而且可兼有GPS功能的紧凑的高频模块。
构成如上所述的高频模块的情况下，如果在同一多层基板上安装高频功率放大电路、低噪放大电路等必要的其他零件，则可使用同一多层基板制作紧凑的高频信号处理电路。
图19表示在同一多层基板1上安装SAW组件40、高频功率放大电路7和频带通过用SAW滤波器9的高频模块的例子。该例子中，追加高频功率放大电路和带通滤波器，但可对高频模块追加其他零件来构成。
多层基板上安装各模块后，优选整体进行树脂模压。图20是表示在多层基板23上部使用模压树脂M覆盖安装部的状态的截面图。
图21是表示分割T×滤波器和R×滤波器构成的其他实施例的高频模块105的示意平面图，图22是其截面图，图23是表示高频模块105的电路构成的框图。
这些图中，在多层基板23上安装有发送用SAW滤波器组件40a、接收用SAW滤波器组件40b和高频功率放大电路7。
发送用SAW滤波器组件40a的T×输入端子73a连接上述多层基板23上的T×线路52、T×输出端子74a连接于连接天线的线路51。T×线路52连接于高频功率放大电路7。而接收用SAW滤波器组件40b的R×输出端子74b连接多层基板23上的R×线路53。R×线路53连接接收放大器。
连接于天线的线路51如后面使用图26，27说明的那样，也连接于LC双工器2。
如图22所示，发送用SAW滤波器组件40a在树脂、陶瓷构成的基板54a上装载在压电基板上形成了滤波器电极的SAW滤波器芯片41a。同样，接收用SAW滤波器组件40b在树脂、陶瓷构成的基板54b上装载在压电基板上形成了滤波器电极的SAW滤波器芯片41b。
另外，多层基板23上内置有由分布常数线路56形成的整合电路。如图22所示，整合电路借助于在多层基板23上垂直设置的通路孔导体57a，57b电连接到多层基板23的表面的连接垫片58a，58b。
另一方面，SAW滤波器芯片41a的滤波器输入输出端子，贯通基板54a延伸到在基板54a的下面设置的输入端子73a和输出端子74a。同样，SAW滤波器芯片41b的滤波器输入输出端子，贯通基板54b延伸到在基板54b的下面设置的输入端子73b和输出端子74b。并且，在多层基板23上搭载SAW滤波器组件40a，40b的状态下，通过焊锡等将T×输入端子73a连接于多层基板23表面的T×线路52、将T×输出端子74a连接于多层基板23表面的连接垫片58a、将R×输入端子73b连接于多层基板23表面的连接垫片58b、将R×输出端子74b连接于多层基板23表面的R×线路53。
使用图22，23说明上面的高频模块105的信号传输路径。发送信号由高频功率放大电路7放大，经由T×线路52输入SAW滤波器芯片41a中。从SAW滤波器芯片41a输出的信号经由T×输出端子74a输出到多层基板23的线路52中。
从多层基板23的线路52输入的接收信号，借助于通过多层基板23内部的通路孔57a输入到在多层基板23中内置的由分布常数线路56形成的整合电路中。传输过整合电路的信号借助于通路孔57b、R×输入端子73b等输入到SAW滤波器芯片41b。来自SAW滤波器芯片41b的输出信号经由R×输出端子74b输出到多层基板23的R×线路53。
上述图21和22是说明高频模块的示意图，图21和图22的T×输入端子73a、T×输出端子74a、R×输入端子73b、R×输出端子74b等的端子位置、通路孔57a，57b、整合电路和高频功率放大电路7等的布置不限定于图中所示，可任意配置。
上述多层基板23和基板54a，54b是层叠多层电介体层构成的电介体基板，和在其表面和内部形成由导体构成的布线导体层而构成。
该电介体基板和布线导体层的结构、制造方法相对迄今的实施形式所说明的原则上没有变化，因此重复说明省略。
这次以分布常数线路56构成整合电路为例说明实施例，但作为其它种类的整合电路，有使用在多层基板23表面安装的感应元件、电容元件等的芯片零件的整合电路，和使用在多层基板23内部形成的感应元件、电容元件等的整合电路等等，可使用这些整合电路。整合电路的电路构成、常数、图案形状等全部是任意的。
在本实施例中，如图21到图23所示，分割构成T×滤波器和R×滤波器，相对于与图13到图20的结构中SAW组件40内的T×滤波器和R×滤波器在同一压电基板上由1个芯片形成，可提高它们的隔离特性。T×滤波器的发热难以传递到R×滤波器，因此可得到更稳定的R×滤波器的特性。
图24是表示又一结构的高频模块106的示意平面图，图25是其截面图。
这里，相对于上述图21和图22的高频模块，不将单个SAW滤波器芯片存放在组件中，而是直接在基板上安装有裸芯片。即，如图24，25所示，在多层基板23表面上直接安装有SAW滤波器芯片41a和41b。SAW滤波器芯片41a和41b、多层基板23表面的T×输入端子73a、T×输出端子74a、R×输入端子73b、R×输出端子74b分别由焊接线45a，45b，46a，46b电连接着。
本次使用图24和图25说明由焊接线构成裸芯片安装形式的例子，但也可以使用倒片安装等的其他裸芯片安装形式。
图26是表示另一结构的高频模块107的截面图，图27是表示高频模块107的电路构成的框图。
该实施例相对上述图21，22的高频模块105，仅在多层基板23中内置有LC双工器2这一点上不同。该LC双工器2与图15所示的LC双工器2同样，分波为用于数据、声音发送接收用的频带(例如800MHz)的信号和利用卫星检测出位置的GPS(全球定位***)接收用的1500MHz带的信号。为分波该GPS信号，将LC双工器2的输入端子连接天线，将再一输出端子通过线路输出到GPS电路。
在本结构中，通过多层基板23中内置LC双工器2可紧凑地形成对应于GPS的更高性能的高频模块。
另外，图28是表示本发明的另一结构的高频模块108的示意平面图，图29是表示高频模块108的电路构成的框图。
与图21到23的高频模块105不同的是处理的频带不同的再一个SAW滤波器组件40a’，40b’，以及高频功率放大电路7’安装在同一多层基板23上。SAW滤波器组件40a，40b以及高频功率放大电路7对应于800MHz带，追加的SAW滤波器组件40a’，40b’以及高频功率放大电路7’对应于1.9GHz的频带。
该追加的频带的电路构成和安装结构与使用图21到23所说明的同样，说明省略。
而且图28中，2个频带的元件、零件和布线导体等面对称地镜面配置，但布局不限定于此。
图30是表示本发明的再一结构的高频模块109的电路构成的框图。
该高频模块109在同一多层基板上，搭载2个频带的SAW分波电路和高频功率放大电路这一点上与图28，29的高频模块108相同，但在多层基板上内置2个频带分割用的LC双工器2这一点是不同的。如图30所示，LC双工器2一方面连接天线，另一方面连接SAW分波电路的线路51和51’。通过在多层基板内置LC双工器2可紧凑地形成更高性能的高频模块。
将LC双工器2作为三工器，可以实现将再一输出端子连接GPS电路的高频模块。由此，可以实现对应于2个信道，而且兼有GPS功能的紧凑的高频模块。
使用上述的本发明的实施例的高频模块105～109构成高频信号处理电路，则可以制作在同一多层基板上集成的紧凑的高频信号处理电路。
图31是在多层基板23上对上述图22的高频模块105的结构追加安装使输入高频功率放大电路7的信号通过的频带通过用SAW滤波器9的高频模块111的例子。该例子中，对图22的高频模块105追加频带通过用SAW滤波器9，但可对图24到图29的任一高频模块106～109进行追加也无妨。
多层基板23上安装各零件后优选整体树脂模压。图32是表示在多层基板23上部使用模压树脂M覆盖安装零件的状态的高频模块112的截面图。
说明上述模压树脂M的物性。
如图8(a)、图20、图32所示，在电介体基板23表面上与SAW滤波器芯片41一起安装电容器等的电子零件、半导体元件等的其他零件的情况下，通过焊锡等将该高频模块2次安装到母板MB上时，接合SAW滤波器芯片41和电介体基板23的输入输出电极43的连接部、接地电极44的连接部的焊锡65再熔融。熔融的焊锡65移动到气密空间64侧，担心SAW滤波器芯片41的气密空间64的气密破坏、输入输出电极43和接地电极44的连接部之间由于焊锡65而短路。
该现象在输入输出电极43的连接部、接地电极44的连接部的焊锡65再熔融时，其熔融膨胀压力作用于SAW滤波器芯片41的气密空间64内侧，因此焊锡65流入内侧，导致短路。
作为其对策，考虑在输入输出电极43的连接部和接地电极44的连接部之间设置橡胶材料，使得其为不再熔融焊锡的熔点高的材质，或者即便熔融也不流入气密空间64侧，但仅变更安装该SAW滤波器芯片41的焊锡65，或附加橡胶等的不同材料，导致制造工序增加和成本上升问题等。
因此，本实施例中，将模压树脂M的弯曲弹性常数设定在最佳值。
即，模压树脂M的弯曲弹性常数在常温下为4～8GPa、在220℃下为0.2～0.5GPa的范围。通过使模压树脂的弯曲弹性常数为上述范围内，在通过回流焊锡将高频模块连接于母板MB等的情况下，即便焊锡连接部再熔融并热膨胀，从焊锡连接部向其周围产生应力，覆盖焊锡大部分的模压树脂M可缓冲该应力。因此，防止焊锡肆意浸入SAW滤波器芯片41和电介体基板23之间的空间中。从而，高频模块的SAW滤波器芯片41的焊锡连接部即便再熔融也继续存在于初始位置处，不会向不需要的场所移动，不会最终产生短路，或破坏气密性。
与此不同，模压树脂M在室温下的弯曲弹性常数小于4GPa时，不能得到模压树脂的高的机械强度，模压树脂M在室温下的弯曲弹性常数大于8GPa时，对线焊接的负荷增大，成为断线原因。
模压树脂M在220℃下的弯曲弹性常数小于0.2GPa时，容易导致线焊接的连接不良，大于0.5GPa时，不能吸收焊锡热膨胀产生的应力，当反复回流加热时，熔融的焊锡肆意浸入半导体芯片、SAW滤波器芯片41、芯片零件和基板之间的间隙中，或浸入半导体芯片和模压树脂的界面并扩展开来，产生短路、气密性破坏。
尤其是希望弯曲弹性常数常温下为5～8GPa、在220℃下为0.3～0.5GPa。
另外，希望模压树脂的玻璃转变温度在100～150℃。这是由于玻璃转变温度如果是在常温下处于玻璃状区域，则可充分确保整个高频模块的机械强度。
模压树脂的玻璃转变温度小于100℃时，树脂自身在常温下成为橡胶状、凝胶状，在高频模块中恐怕不能产生充分的机械强度。相反，玻璃转变温度大于150℃时，模压树脂的硬度提高了，但不能得到充分的韧性，因此制造过程中通过切割加工等按制品单位分割高频模块的多个基板的工序中，在模压树脂中产生裂纹，容易产生制品破损的问题。
上述模压树脂的玻璃转变点、弯曲弹性常数由热固化树脂的种类、分子量等控制，而且，对于热固化树脂，可以通过添加来使之包含无机填料进行控制。通过添加无机填料还可以提高模压树脂的热传导率。由此，可释放从半导体元件等产生的热，降低热阻。
另外，玻璃转变温度以下的温度的模压树脂的线膨胀系数为25～80×10-6/℃，因此优选基板的热膨胀系数为8～15×10-6/℃。其原因是通过增加无机填料的比率可使模压树脂的线膨胀系数小于25×10-6/℃，但该情况下，模压树脂的弯曲弹性常数容易增高。相反，线膨胀系数超出80×10-6/℃时，由于模块基板、半导体芯片和模压树脂之间的膨胀系数差增大，因此模压树脂容易剥离，会产生气密性破坏和由于焊锡诱发的短路。另外，模块基板的热膨胀系数小于8×10-6/℃或超出18×10-6/℃时，SAW滤波器芯片41和模块基板的热膨胀系数差最大，包围IDT电极的接地电极和输入输出电极的连接部中容易引起裂纹，因此带来可靠性降低。
根据本发明，可由上述模压树脂M至少密封SAW滤波器芯片41，但优选由该模压树脂M统一密封电介体基板23的表面上形成的表面安装零件(电容器、电阻零件、半导体元件24，25、FBR(薄膜体声波谐振器)、MEMS的开关、光半导体元件等)，可大幅度提高各零件的与电介体基板23的连接部、SAW滤波器芯片41的气密密封的可靠性。
接着说明在1个组件内置高频功率放大电路7的功率放大用半导体元件、频带通过用SAW滤波器、接收用SAW滤波器、发送用SAW滤波器的高频模块110的温度特性。
由于高密度安装，担心发送用功率放大元件的发热造成的其他零件的温度上升对零件的电特性产生影响，并且，引起便携无线终端的通话品质恶化。
SAW滤波器具有随着发送用功率放大元件的发热温度升高时频率降低的温度特性。
说明发送用功率放大元件动作时(发热时)和非动作时(非发热时)的SAW滤波器的频率特性的不同，则发热时，SAW滤波器的频率特性与非发热时相比，向着频率变低方向推移。
因此，本发明目的是根据预想的温度上升，以调整SAW滤波器的频率特性，从而，确保包含发送用功率放大元件的高频放大电路动作时的性能。
另外，目的是确保搭载该高频放大电路的无线通信装置的温度性能。
下面说明在1个组件中内置构成蜂窝***(800MHz带)的功率放大用半导体元件24、频带通过用SAW滤波器9、接收用SAW滤波器4b、发送用SAW滤波器4a的高频模块110的结构，但对于将构成PCS方式(1.9GHz带)的功率放大用半导体元件25、频带通过用SAW滤波器10、接收用SAW滤波器3b、发送用SAW滤波器3a做成一个的高频模块110，可采用相同结构。
也可以在1个组件中内置构成蜂窝***(800MHz带)、PCS方式(1.9GHz带)的功率放大用半导体元件、频带通过用SAW滤波器、接收用SAW滤波器、发送用SAW滤波器。此时，高频模块上安装2个功率放大元件，因此发热源有2个。此时，SAW滤波器需要根据来自2个发热源的温度上升进行频带设计。
图33(a)是本发明的高频模块110的平面图，图33(b)是X-X线截面图。
该高频模块110是在电介体基板23的表面或背面配置功率放大用半导体元件24、频带通过用SAW滤波器9、接收用SAW滤波器4b、发送用SAW滤波器4a的结构。并且，该电介体基板23上，内装方向性耦合器5、整合电路4c等。另外，电介体基板23上部由树脂模压M被保护。
上述频带通过用SAW滤波器9、接收用SAW滤波器4b、发送用SAW滤波器4a可在电介体基板23的表面上安装封装了的结构，也可以裸芯片的形式直接安装在电介体基板23的表面上。
上述功率放大用半导体元件24、频带通过用SAW滤波器9、接收用SAW滤波器4b、发送用SAW滤波器4a的位置关系在图33中是功率放大用半导体元件24和发送用SAW滤波器4a对角配置，但该配置根据信号传送路径决定，本发明不限定于这种配置，按其他模式配置也可以。
高频模块110整个安装在便携无线终端等无线通信装置的母板MB上。
如上所述，电介体基板23具有重叠多个电介体层的结构。
如图33所示，在电介体基板23上，在搭载功率放大用半导体元件24的部分下面配置有用于使从功率放大用半导体元件24产生的热逃逸的热通路50。热通路50是从上到下贯通电介体基板23的通路孔导体，为了热传导功能，使截面积形成得非常大。
母板MB上也贯通形成用于使发热逃逸到外壳(未示出)中的热通路50b。
这里，举出尺寸的例子，电介体基板23纵向横向为5mm×8mm，其厚度包含树脂模压M为1.5mm。母板MB厚度为2mm。但是，该尺寸仅仅是一个例子，本发明当然不限定于此。
用D1表示功率放大用半导体元件24和频带通过用SAW滤波器9的距离，用D2表示功率放大用半导体元件24和接收用SAW滤波器4b的距离。
图34是表示母板MB的其上搭载的高频模块110的电介体基板23上的模拟温度分布模型的截面图。
电介体基板23的材料假定为热传导率优于玻璃环氧树脂的玻璃陶瓷。图34的箭头表示热传导方向，表示功率放大用半导体元件24发热时，热在高频模块110内部和母板内部放射状传导。
功率放大用半导体元件24产生的热，一部分经热通路50传导到母板MB，但未传导到母板MB的热在玻璃陶瓷电介体基板23上传导，到达频带通过用SAW滤波器9、接收用SAW滤波器4b、发送用SAW滤波器4a。因此，SAW滤波器的温度与周围相比升高。
将高频模块110搭载在母板MB上、将母板MB存放在便携无线终端的壳体上的状态下，驱动高频放大电路，测定电介体基板的上面的温度，如图35所示。
图35的横轴表示离开功率放大用半导体元件24的距离，纵轴表示电介体基板23上的温度。空白四角形是使用玻璃陶瓷电介体基板时的温度分布，黑圆圈是使用玻璃环氧树脂电介体基板时的温度分布。室温是25℃。这样，发现虽然基板材料不同，但温度与距离的关系有很少差别。
功率放大用半导体元件24的上面的温度在玻璃陶瓷电介体基板的情况下为98℃、玻璃环氧树脂电介体基板在情况下为107℃。功率放大用半导体元件24和SAW滤波器的距离D1为2mm时，SAW滤波器表面温度约为55℃；与SAW滤波器的距离D2为4mm时，SAW滤波器表面温度约为50℃。因此，距离D1＝2mm时，对室温(25℃)的温度上升ΔT为+30℃，而距离D2＝4mm时，对室温的温度上升ΔT为+25℃。
从这些曲线，通过决定SAW滤波器的安装位置，可算出实际动作时的温度上升ΔT(℃)是多少。如果担心温度上升ΔT不够剧烈，则判断为离开功率放大元件的距离D1，D2需要最低为1mm，优选是2mm以上。
接着说明SAW滤波器的通过频带的设计例子。
便携无线终端要求的动作环境温度为-20℃～60℃。
以在玻璃环氧树脂基板上安装功率放大元件和SAW滤波器为前提，设离开功率放大元件的距离D为4mm时，如上所述，SAW滤波器的温度变为50℃，从室温(25℃)的温度上升ΔT＝25℃。
接着，设SAW滤波器的频率变化率的温度系数为k(ppm/℃)时，温度变化引起的频率变化率Δf/f(ppm)，从图38的曲线的斜率按下式求出：
Δf/f＝k·ΔT
具体而言，SAW滤波器的频率变化率对温度的特性，从图38的曲线看为k＝-36ppm/℃。由此，对应于ΔT＝25℃的频率变化率Δf/f＝-36×25＝-900ppm。
该SAW滤波器是CDMA方式的便携终端使用的天线分波接收用SAW滤波器4b的情况下，其要求的通过频带如图36所示为869～894MHz。
因此，如果考虑温度上升ΔT，则SAW滤波器的通过频带设计值在高频端仅上升900ppm(0.8MHz)，为869.0～894.8MHz。由于SAW滤波器的温度系数k为负数，因此仅高频端的频带加宽，低频端的频带无变化。因此，通过频率中心频率比881.5MHz高出0.4MHz，为881.9MHz。
SAW滤波器安装到离功率放大元件2.0mm位置处时，ΔT＝30℃，频率变化率Δf/f＝—1080ppm，因此天线分波接收用滤波器的通过频带的设计值为869.0～895.0MHz(894×1.00108＝895.0)。
图37表示SAW滤波器的截止频带的设计例子。该SAW滤波器是CDMA方式的便携终端使用的天线分波接收用SAW滤波器4b的情况下，其要求的截止频带为824～849MHz。因此，与上述同样，将截止带的上端仅上升900ppm，截止带的设计值可为824.0～849.8。
本发明的实施不限定于上述实施例。例如，如上说明的高频模块假定为由美国的蜂窝带和PCS带构成的CDMA终端，但可以是IMT-2000的W-CDMA、欧洲的GSM、DSC终端、2.4GHz的蓝牙、W-LAN等的前端也无妨。上述SAW滤波器可按FBAR(膜体声学共振器)滤波器构成。
【实施例】
接着说明本发明的高频模块的制作例子。
使用对于100重量份以0.95摩尔MgTiO3—0.05摩尔CaTiO3表示的主成分，添加按B2O3换算的10重量份B、按LiCO3换算的5重量份Li而成的陶瓷粉末组合物，调制浆料，通过刮浆刀法形成厚100微米的生片。
然后，在该生片表面使用Ag膏通过丝网印刷法形成厚20微米的导体图案。根据需要，形成直径200微米的通孔，填充上述Ag膏，形成了通孔导体。之后，层叠该生片后，在大气中在300℃下进行4小时的脱粘结剂处理，在90℃下在大气中进行6小时烧成，制作热膨胀系数为12×10-6/℃的模块基板。
接着在压电基板(钛酸锂单晶的42°Ycut、热膨胀系数为14～16×10-6/℃)上成膜Al-Cu(2重量％)合金构成的电极。之后，反复进行抗蚀剂涂布、图案形成、剥离，形成激励电极、输入输出电极、接地电极和保护膜，制作SAW滤波器芯片41。
完成的SAW滤波器芯片41根据图7，8面朝下安装在模块基板上。该安装中，在接地电极和输入输出电极上通过丝网印刷法涂布高温焊锡并回流进行安装。根据上述SAW滤波器芯片41的安装结构，用接地电极包围IDT电极的周围，在树脂密封前的阶段确保气密性。
之后，通过喷洒器在各安装图案上涂布焊锡后，进行电容器等的芯片零件的安装，通过回流固定焊锡。最后用银膏粘结半导体芯片后，使用金线进行线焊接。
通过上述方法，得到搭载各种表面安装零件、半导体芯片、SAW滤波器芯片41的高频模块。
接着准备对环氧树脂添加作为填料的熔融硅的特性不同的模压树脂A，B，C，D，E，F。模压树脂的弯曲弹性常数根据JIS-K-6911、玻璃转变温度和线膨胀系数根据膨胀计法测定。
形成80个高频模块区域的玻璃陶瓷基板上使用金属掩模和橡皮滚，由上述模压树脂以涂布方式进行涂布，以便统一覆盖多个高频模块区域，进行统一密封。另外，通过印刷方式形成的模压树脂进行烘烤处理而固化。之后，使用切割装置分为80个高频模块区域，将高频模块单片化。
同样，作为热膨胀系数不同的模块基板，可使用热膨胀系数为6、8.5×10-6/℃的市售玻璃陶瓷基板、20、2588×10-6/℃的玻璃陶瓷基板、和热膨胀系数为19、20、23×10-6/℃的玻璃纤维—环氧树脂复合材料的模块基板。
之后，将该密封的高频模块在温度85℃、湿度60％的气氛下进行168小时的吸湿处理后，反复3次回流加热(加热温度260℃)。之后，通过外观检查评价有无裂纹，通过电导通检查评价有无短路，或在水中投下后评价模块的电特性，确认滤波器的气密性和功率放大器的气密性。没有看到短路、裂纹、气密性不良等的不良模式时判定为“○”、观察到时则判定为“×”。各个不良模式的发生率(％)表示在表1的吸湿处理后的回流评价栏中。
表1
Figure C200410084981D00301
*标记在本发明范围之外
从表1可知，各实施例的任一个短路和裂纹的发生率为0％，确认看不到不良模式。
与此不同，弯曲弹性常数和热膨胀系数脱离本发明的范围的试样不能充分吸收焊锡的热膨胀引起的应力，观察到了界面剥离、气密性降低。

Claims (15)

1.一种高频模块，在多层基板上安装直接或通过分波电路连接天线端子、切换发送***和接收***的发送用滤波器和接收用滤波器；***在上述接收用滤波器的输入侧上的整合电路；和连接于上述发送用滤波器、放大规定发送通过频带的发送信号的高频功率放大电路，其中，
在上述多层基板内部的电介体层上形成有构成上述整合电路的一部分的无源元件；
上述发送用滤波器和/或接收用滤波器是声表面波滤波器；
上述发送用滤波器和接收用滤波器构成在同一压电基板上形成的一个裸芯片。
2.根据权利要求1所述的高频模块，上述整合电路***于上述接收用滤波器的输入端子与上述发送用滤波器的输出端子之间。
3.根据权利要求1所述的高频模块，上述整合电路包括在多层基板内部的电介体层上形成的分布常数线路。
4.根据权利要求3所述的高频模块，上述整合电路还包括在多层基板内部的电介体层上形成的感应元件和/或电容元件。
5.根据权利要求3所述的高频模块，上述整合电路还包括在多层基板表面上配置的感应元件和/或电容元件的芯片零件。
6.根据权利要求1所述的高频模块，在上述裸芯片的主面上形成叉指换能器电极、该叉指换能器电极的输入输出电极和包围该叉指换能器电极的接地电极，
在上述接地电极、和输入输出电极与所述多层基板表面上形成的电极对置的状态下进行接合，
上述叉指换能器电极的声表面波传输部分中形成有密闭空间。
7.根据权利要求6所述的高频模块，上述裸芯片的接地电极和输入输出电极、与上述多层基板表面上形成的电极的接合由焊锡进行。
8.根据权利要求1所述的高频模块，上述多层基板上形成凹部，在该凹部内安装上述裸芯片。
9.根据权利要求1所述的高频模块，上述多层基板的背面安装上述裸芯片。
10.根据权利要求1所述的高频模块，将上述裸芯片安装在配置在上述多层基板的表面上的基板的表面上，作为声表面波组件。
11.一种通信设备，搭载上述权利要求1所述的高频模块。
12.一种高频模块，在多层基板上安装直接或通过分波电路连接天线端子、切换发送***和接收***的发送用滤波器和接收用滤波器；***在上述接收用滤波器的输入侧上的整合电路；和连接于上述发送用滤波器、放大规定发送通过频带的发送信号的高频功率放大电路，其中，
在上述多层基板内部的电介体层上形成有构成上述整合电路的一部分的无源元件；
上述发送用滤波器和/或接收用滤波器是声表面波滤波器；
上述发送用滤波器和接收用滤波器由在同一压电基板上形成的一个裸芯片形成，
上述裸芯片的主面上形成叉指换能器电极、该叉指换能器电极的输入输出电极和包围该叉指换能器电极的接地电极，
在上述接地电极和输入输出电极，与所述多层基板表面上形成的电极对置的状态下进行接合，
上述叉指换能器电极的声表面波传输部分中形成密闭空间，同时，
用模压树脂气密密封在上述多层基板上安装的零件，
上述模压树脂是具有弯曲弹性常数在常温下为4～8GPa、在220℃下为0.2～0.5GPa，并且玻璃转变温度在100～150℃的特性的热固化树脂。
13.根据权利要求12所述的高频模块，上述多层基板的线膨胀系数在25～400℃下为8～18×10-6/℃。
14.根据权利要求12所述的高频模块，上述热固化树脂的上述玻璃转变温度以下的线膨胀系数为25～80×10-6/℃。
15.一种通信设备，搭载上述权利要求12所述的高频模块。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103563492A (zh) * 2011-03-24 2014-02-05 阿尔卡特朗讯 印刷电路板和双工器电路
CN104417049A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 精工爱普生株式会社 液体喷出装置、打印头单元、以及驱动基板

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825559B2 (en) * 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
JP2005235825A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Renesas Technology Corp 電子回路モジュール
KR101085775B1 (ko) * 2004-12-07 2011-11-21 삼성전자주식회사 이동 단말 수신기 다이버시티 구조에서 잡음 제거 장치
CN1906715B (zh) * 2004-12-20 2010-06-16 株式会社村田制作所 层压陶瓷电子元件及其制造方法
JP4408082B2 (ja) * 2005-01-14 2010-02-03 シャープ株式会社 集積回路パッケージの設計方法および製造方法
JP4185499B2 (ja) 2005-02-18 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置
DE102005037040A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-08 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
JP4725346B2 (ja) * 2006-02-08 2011-07-13 ソニー株式会社 半導体装置
US8920343B2 (en) 2006-03-23 2014-12-30 Michael Edward Sabatino Apparatus for acquiring and processing of physiological auditory signals
US7855983B2 (en) * 2006-06-14 2010-12-21 Cts Corporation Time division duplex front end module
DE102006033709B4 (de) * 2006-07-20 2010-01-14 Epcos Ag Elektrisches Modul
KR100822844B1 (ko) * 2006-11-14 2008-04-17 주식회사 네오펄스 능동형 무선 모듈
KR100862858B1 (ko) * 2007-05-22 2008-10-09 엘지이노텍 주식회사 통신모듈
WO2008156760A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Cts Corporation Time division duplex front end module
JP2009021895A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Panasonic Corp アンテナ共用器とそれを用いた通信機器
US7602106B2 (en) * 2007-08-23 2009-10-13 Mueller Timothy J Piezoelectric device package and method for downhole applications
JP4841672B2 (ja) * 2007-09-18 2011-12-21 富士通株式会社 引出し配線方法、引出し配線プログラムおよび引出し配線装置
US20090153281A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Ahmadreza Rofougaran Method and system for an integrated circuit package with ferri/ferromagnetic layers
US8134425B2 (en) * 2007-12-13 2012-03-13 Broadcom Corporation Method and system for filters embedded in an integrated circuit package
US8115567B2 (en) * 2007-12-13 2012-02-14 Broadcom Corporation Method and system for matching networks embedded in an integrated circuit package
JP4656156B2 (ja) * 2008-01-22 2011-03-23 ソニー株式会社 光通信装置
US7863998B2 (en) * 2008-02-25 2011-01-04 Broadcom Corporation Method and system for processing signals via directional couplers embedded in an integrated circuit package
US7859359B2 (en) * 2008-02-25 2010-12-28 Broadcom Corporation Method and system for a balun embedded in an integrated circuit package
US8415777B2 (en) * 2008-02-29 2013-04-09 Broadcom Corporation Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith
US20090219908A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Ahmadreza Rofougaran Method and system for processing signals via diplexers embedded in an integrated circuit package
US7982555B2 (en) * 2008-03-28 2011-07-19 Broadcom Corporation Method and system for processing signals via power splitters embedded in an integrated circuit package
US8269344B2 (en) * 2008-03-28 2012-09-18 Broadcom Corporation Method and system for inter-chip communication via integrated circuit package waveguides
US20090315650A1 (en) * 2008-06-19 2009-12-24 Ahmadreza Rofougaran Method and system for an integrated circuit with ferromagnetic layers
US8450846B2 (en) * 2008-06-19 2013-05-28 Broadcom Corporation Method and system for communicating via flip-chip die and package waveguides
US8384596B2 (en) * 2008-06-19 2013-02-26 Broadcom Corporation Method and system for inter-chip communication via integrated circuit package antennas
US8274147B2 (en) * 2008-06-19 2012-09-25 Broadcom Corporation Method and system for intra-printed circuit board communication via waveguides
US7969001B2 (en) * 2008-06-19 2011-06-28 Broadcom Corporation Method and system for intra-chip waveguide communication
WO2010075190A2 (en) * 2008-12-24 2010-07-01 Rayspan Corporation Rf front-end module and antenna systems
US20100203922A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-12 Knecht Thomas A Time Division Duplex Front End Module
US8238842B2 (en) * 2009-03-03 2012-08-07 Broadcom Corporation Method and system for an on-chip and/or an on-package transmit/receive switch and antenna
JP5369174B2 (ja) * 2009-03-31 2013-12-18 京セラ株式会社 回路基板、ならびに、高周波モジュールおよびレーダ装置
KR20120017071A (ko) * 2009-05-15 2012-02-27 시티에스 코포레이션 고성능 ｒｆ ｒｘ 모듈
US20110001576A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Power amplifier module
US8063717B2 (en) * 2009-07-27 2011-11-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer having resonator filters
US8169279B2 (en) * 2009-10-23 2012-05-01 Lojack Operating Company, Lp Notched saw image frequency rejection filter system
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
JP5029704B2 (ja) * 2010-01-20 2012-09-19 株式会社村田製作所 弾性波デュプレクサ
CN102763327B (zh) * 2010-02-17 2015-07-29 株式会社村田制作所 弹性波设备
US8441795B2 (en) * 2010-05-04 2013-05-14 Transtector Systems, Inc. High power band pass RF filter having a gas tube for surge suppression
US20110271802A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Edward Honig Double handle tool
DE102010026843A1 (de) * 2010-07-12 2012-01-12 Epcos Ag Modul-Package und Herstellungsverfahren
US8710714B2 (en) 2010-07-22 2014-04-29 Hm Energy, Llc Surface acoustic wave resonator for down-hole applications
US9035789B2 (en) 2010-07-22 2015-05-19 Hm Energy, Llc Method and apparatus for automatic down-hole asset monitoring
WO2012012696A2 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 Hm Energy, Llc Surface acoustic wave transponder package for down-hole applications
US9019119B2 (en) 2010-07-22 2015-04-28 Hm Energy Llc Surface acoustic wave transponder package for down-hole applications
WO2012014527A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US8411444B2 (en) * 2010-09-15 2013-04-02 International Business Machines Corporation Thermal interface material application for integrated circuit cooling
DE102010046677B4 (de) * 2010-09-27 2017-10-12 Snaptrack Inc. Schaltungsanordnung
US8927909B2 (en) * 2010-10-11 2015-01-06 Stmicroelectronics, Inc. Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability
US9425850B2 (en) 2010-10-27 2016-08-23 Sai C. Kwok Simultaneous voice and data communication
US8610517B2 (en) * 2010-11-02 2013-12-17 Raytheon Company Surface acoustic wave resonator mounting with low acceleration sensitivity
US9351404B2 (en) * 2010-11-24 2016-05-24 Hitachi Metals, Ltd. Electronic device
KR101522994B1 (ko) * 2010-12-16 2015-05-26 한국전자통신연구원 Ｆｂａｒ 듀플렉서 모듈 및 그 제조 방법
US8680944B2 (en) 2011-01-13 2014-03-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single-chip duplexer with isolation shield between transmit and receive filters
DE102011012927B4 (de) * 2011-03-03 2020-01-02 Snaptrack, Inc. Verstärkermodul
DE102011077206B4 (de) * 2011-06-08 2019-01-31 Zf Friedrichshafen Ag Leiterplatte und Steuergerät für ein Getriebe eines Fahrzeugs mit der Leiterplatte
DE112012002879B4 (de) * 2011-07-08 2018-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Schaltungsmodul
WO2013047358A1 (ja) * 2011-09-26 2013-04-04 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5241909B2 (ja) 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板
JP5241910B2 (ja) * 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板
WO2013118237A1 (ja) * 2012-02-06 2013-08-15 太陽誘電株式会社 フィルタ回路およびモジュール
DE112012005948T5 (de) * 2012-02-27 2014-12-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Akustikwellenvorrichtung
JP6074167B2 (ja) * 2012-06-12 2017-02-01 太陽誘電株式会社 フィルタモジュール及び分波器モジュール
US9312888B2 (en) 2012-06-29 2016-04-12 Qualcomm Incorporated Antenna interface circuits for carrier aggregation on multiple antennas
JP5117632B1 (ja) * 2012-08-21 2013-01-16 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
JP5285806B1 (ja) 2012-08-21 2013-09-11 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
WO2014077239A1 (ja) 2012-11-13 2014-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6250934B2 (ja) * 2013-01-25 2017-12-20 太陽誘電株式会社 モジュール基板及びモジュール
US9172131B2 (en) * 2013-03-15 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor structure having aperture antenna
JP5800113B2 (ja) 2013-05-29 2015-10-28 株式会社村田製作所 高周波モジュール部品
CN104378915A (zh) * 2013-08-12 2015-02-25 三星电机株式会社 无线通信模块及其制造方法
JP5456935B1 (ja) * 2013-10-30 2014-04-02 太陽誘電株式会社 回路モジュール
US9634641B2 (en) * 2013-11-06 2017-04-25 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic module having an interconnection substrate with a buried electronic device therein
US9793877B2 (en) * 2013-12-17 2017-10-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Encapsulated bulk acoustic wave (BAW) resonator device
CN106031316B (zh) * 2014-02-21 2019-06-28 三井金属矿业株式会社 内置电容器层形成用覆铜层压板、多层印刷线路板以及多层印刷线路板的制造方法
US9989666B2 (en) 2014-04-02 2018-06-05 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Imaging of earth formation with high frequency sensor
JP6555270B2 (ja) 2014-10-30 2019-08-07 株式会社村田製作所 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール
JP6288294B2 (ja) * 2014-10-31 2018-03-07 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及び回路モジュール
CN105848405A (zh) * 2015-01-16 2016-08-10 宏恒胜电子科技（淮安）有限公司 具有散热结构的电路板及其制作方法
JP5975198B1 (ja) * 2015-01-27 2016-08-23 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2016208447A1 (ja) * 2015-06-25 2016-12-29 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN105186125A (zh) * 2015-08-28 2015-12-23 上海无线电设备研究所 一种星载裸芯片微带天线及其制造方法
CN108432131B (zh) * 2015-12-28 2021-06-04 株式会社村田制作所 多工器
US9647636B1 (en) * 2016-04-01 2017-05-09 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated delay lines for radio frequency identification tags
US20170347490A1 (en) * 2016-05-24 2017-11-30 Texas Instruments Incorporated High-frequency antenna structure with high thermal conductivity and high surface area
US20170366164A1 (en) * 2016-06-15 2017-12-21 Resonant Inc. Radio frequency multiplexers
US10944379B2 (en) * 2016-12-14 2021-03-09 Qualcomm Incorporated Hybrid passive-on-glass (POG) acoustic filter
WO2018123699A1 (ja) 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN113381780B (zh) * 2017-03-15 2022-08-26 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
WO2019065311A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 半導体素子、高周波回路および通信装置
US11143758B2 (en) * 2017-10-13 2021-10-12 Navico Holding As Sonar transducer performance optimization
US11088720B2 (en) * 2017-12-20 2021-08-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
WO2019146284A1 (ja) 2018-01-25 2019-08-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN108711570B (zh) * 2018-08-10 2024-03-29 浙江熔城半导体有限公司 集成芯片封装结构的多芯片封装结构及其制作方法
CN109712947A (zh) * 2019-01-14 2019-05-03 北京七芯中创科技有限公司 一种基于多层凹嵌式基板的芯片天线单体化结构
JP7252770B2 (ja) * 2019-02-01 2023-04-05 太陽誘電株式会社 高周波デバイスおよびマルチプレクサ
CN113302839B (zh) 2019-03-01 2024-06-25 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
WO2020179541A1 (ja) 2019-03-01 2020-09-10 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US10950530B2 (en) * 2019-05-17 2021-03-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
JP2021057457A (ja) 2019-09-30 2021-04-08 株式会社村田製作所 半導体装置
CN110798160A (zh) * 2019-10-18 2020-02-14 武汉大学 单片集成功率放大器和体声波滤波器的芯片结构及制备方法
CN111082772B (zh) * 2019-12-12 2023-07-18 广东工业大学 一种基于磁致伸缩效应的体声波滤波器及其制作方法
JP2021097322A (ja) * 2019-12-17 2021-06-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021103713A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2021145282A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021174854A (ja) * 2020-04-23 2021-11-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021175073A (ja) * 2020-04-23 2021-11-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN114094978B (zh) * 2022-01-19 2022-04-15 深圳新声半导体有限公司 一种声表面滤波器组去耦封装结构
CN114743996B (zh) * 2022-03-30 2023-12-08 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 一种集成性无源器件滤波器、射频前端模组及电子设备

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04293310A (ja) 1991-03-22 1992-10-16 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
GB9622654D0 (en) * 1996-10-31 1997-01-08 Flowers James E Filters
JPH1117495A (ja) 1997-06-24 1999-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
JPH11127055A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品
JP3397176B2 (ja) 1999-06-25 2003-04-14 松下電工株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001044224A (ja) 1999-08-03 2001-02-16 Nitto Denko Corp 半導体装置およびその製法
US6456172B1 (en) * 1999-10-21 2002-09-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayered ceramic RF device
CN1543298A (zh) * 2000-06-27 2004-11-03 ���µ�����ҵ��ʽ���� 陶瓷叠层器件
JP4049239B2 (ja) 2000-08-30 2008-02-20 Ｔｄｋ株式会社 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法
JP2002118487A (ja) 2000-10-06 2002-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
JP2002171137A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 高周波用送信モジュール
JP4249896B2 (ja) 2000-12-25 2009-04-08 富士フイルム株式会社 ストロボ装置
JP2002261643A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Tdk Corp 無線通信モジュール
JP3612031B2 (ja) * 2001-03-29 2005-01-19 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
JP3867522B2 (ja) 2001-06-26 2007-01-10 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003008769A (ja) 2001-06-27 2003-01-10 Kyocera Corp 情報提供装置及び情報要求装置並びに携帯端末
JP2003087149A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
US6750737B2 (en) * 2001-10-02 2004-06-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch and radio communication apparatus with layered body for saw filter mounting
JP2003168942A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスの製造方法
JP3937840B2 (ja) * 2002-01-10 2007-06-27 株式会社日立製作所 高周波モジュール
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
JP4010504B2 (ja) * 2003-06-04 2007-11-21 日立金属株式会社 マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103563492A (zh) * 2011-03-24 2014-02-05 阿尔卡特朗讯 印刷电路板和双工器电路
CN104417049A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 精工爱普生株式会社 液体喷出装置、打印头单元、以及驱动基板

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004049984A1 (de) 2005-09-15
KR20050033858A (ko) 2005-04-13
US7289008B2 (en) 2007-10-30
CN1606234A (zh) 2005-04-13
US20050104685A1 (en) 2005-05-19
TWI345825B (zh) 2011-07-21
TW200520201A (en) 2005-06-16

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