WO2023074373A1 - 弾性波共振子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ - Google Patents

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WO2023074373A1
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真之 石瀧
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to elastic wave resonators, elastic wave filter devices, and multiplexers.
  • multi-band systems have been used to improve the data transmission speed of mobile phones.
  • transmission and reception may be performed in a plurality of frequency bands
  • a plurality of filter devices that pass high-frequency signals of different frequency bands are arranged in the front-end circuit of the mobile phone.
  • the plurality of filter devices are required to be small, have high isolation from adjacent bands, and have low loss in the passband.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave filter device formed by combining a plurality of elastic wave resonators.
  • the elastic wave resonator is composed of an IDT electrode formed on a piezoelectric substrate, and first and second reflectors formed on both sides of the IDT electrode in the propagation direction of the elastic wave.
  • the flatness of the pass band is improved by making the arrangement pitch of the electrode fingers of the first reflector and the arrangement pitch of the electrode fingers of the second reflector different.
  • an unnecessary response may occur in a predetermined frequency band. If an unnecessary response occurs in a predetermined frequency band, for example, the insertion loss in the passband of the acoustic wave filter device increases, resulting in deterioration of the pass characteristics of the acoustic wave filter device.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an elastic wave resonator or the like that can suppress the occurrence of unnecessary responses.
  • an elastic wave resonator is provided on a piezoelectric substrate and includes a plurality of comb-teeth electrode fingers extending in a first direction parallel to the main surface of the piezoelectric substrate.
  • the pair of comb-shaped electrodes includes the plurality of comb-teeth electrode fingers extending in the first direction and arranged along the second direction, and a bus bar electrode connecting one ends of each of the plurality of comb-teeth electrode fingers.
  • the first reflector has a plurality of first reflective electrode fingers extending in the first direction and arranged along the second direction
  • the second reflector comprises the first a plurality of second reflective electrode fingers extending in the direction and arranged along the second direction, at twice the arrangement pitch of the plurality of first reflective electrode fingers arranged along the second direction
  • a certain first reflector wavelength is larger than a second reflector wavelength that is twice the arrangement pitch of the plurality of second reflective electrode fingers arranged along the second direction, and the plurality of comb teeth are arranged along the second direction.
  • a first distance which is a distance between a center of a comb-teeth electrode finger closest to the first reflector among electrode fingers and a center of a first reflective electrode finger closest to the IDT electrode among the plurality of first reflective electrode fingers.
  • the IDT-reflector gap is defined by the center of the comb-shaped electrode finger closest to the second reflector among the plurality of comb-shaped electrode fingers and the second reflector closest to the IDT electrode among the plurality of second reflective electrode fingers. less than the second IDT-reflector gap, which is the distance to the center of the electrode finger.
  • an elastic wave filter device is an elastic wave filter device including a plurality of the above elastic wave resonators, the plurality of elastic wave resonators having two inputs.
  • the first reflector wavelength is twice the arrangement pitch of the plurality of comb-tooth electrode fingers of the pair of comb-shaped electrodes;
  • the difference between the value obtained by dividing by the IDT wavelength and the value obtained by dividing the second reflector wavelength by the IDT wavelength is, in at least one parallel arm resonator among the one or more parallel arm resonators, the first A value obtained by dividing one reflector wavelength by an IDT wavelength that is twice the arrangement pitch of the plurality of comb-teeth electrode fingers of the pair of comb-shaped electrodes, and a value obtained by dividing the second reflector wavelength by the IDT wavelength. greater than the difference between
  • a multiplexer includes a plurality of filters including the acoustic wave filter device described above, and one input/output terminal of each of the plurality of filters is directly connected to a common terminal. connected directly or indirectly.
  • an elastic wave resonator is provided on a piezoelectric substrate and includes a plurality of comb-teeth electrode fingers extending in a first direction parallel to the main surface of the piezoelectric substrate.
  • the pair of comb-shaped electrodes includes the plurality of comb-teeth electrode fingers extending in the first direction and arranged along the second direction, and a bus bar electrode connecting one ends of each of the plurality of comb-teeth electrode fingers.
  • the first reflector has a plurality of first reflective electrode fingers extending in the first direction and arranged along the second direction
  • the second reflector comprises the first a plurality of second reflective electrode fingers extending in the direction and arranged along the second direction, at twice the arrangement pitch of the plurality of first reflective electrode fingers arranged along the second direction
  • a certain first reflector wavelength is larger than a second reflector wavelength that is twice the arrangement pitch of the plurality of second reflective electrode fingers arranged along the second direction, and the plurality of comb teeth are arranged along the second direction.
  • a first distance which is a distance between a center of a comb-teeth electrode finger closest to the first reflector among electrode fingers and a center of a first reflective electrode finger closest to the IDT electrode among the plurality of first reflective electrode fingers.
  • the IDT-reflector gap is defined by the center of the comb-shaped electrode finger closest to the second reflector among the plurality of comb-shaped electrode fingers and the second reflector closest to the IDT electrode among the plurality of second reflective electrode fingers. Greater than the second IDT-reflector gap, which is the distance to the center of the electrode finger.
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an acoustic wave filter device according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2 is a diagram schematically showing an electrode configuration of elastic wave resonators included in the elastic wave filter device.
  • FIG. 3 is a diagram showing reflector wavelengths, IDT-reflector gaps, return losses, etc. of elastic wave resonators of Comparative Example 1 and Examples 1 and 2.
  • FIG. 4 is a diagram showing return losses of elastic wave resonators of Comparative Example 1 and Examples 1 and 2.
  • FIG. FIG. 5 is a diagram showing electrode parameters and the like of series arm resonators and parallel arm resonators included in the elastic wave filter device of Example 3.
  • FIG. 6 is a diagram showing reflector wavelengths, IDT-reflector gaps, etc. of series arm resonators and parallel arm resonators included in acoustic wave filter devices of Example 3 and Comparative Examples 2 and 3.
  • FIG. 7 is a diagram showing pass characteristics of the acoustic wave filter devices of Example 3 and Comparative Examples 2 and 3.
  • FIG. 8 is a circuit configuration diagram of a multiplexer and its peripheral circuits according to the second embodiment.
  • Embodiment 1 (Embodiment 1) [Schematic configuration of elastic wave filter device] A schematic configuration of an acoustic wave filter device 1 according to Embodiment 1 will be described with reference to FIG.
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an elastic wave filter device 1 according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an elastic wave filter device 1 according to Embodiment 1.
  • the acoustic wave filter device 1 includes series arm resonators S1, S2, S3, S4 and S5, parallel arm resonators P1, P2, P3 and P4, input/output terminals 50 and 60, Prepare.
  • the series arm resonators S1 to S5 are arranged in series on the first path r1 connecting the input/output terminal 50 and the input/output terminal 60.
  • the parallel arm resonators P1 to P4 are arranged on a path connecting the first path r1 and the ground (reference terminal).
  • the elastic wave filter device 1 constitutes a ladder-type bandpass filter by the connection configuration of the series arm resonators S1 to S5 and the parallel arm resonators P1 to P4.
  • the circuit configuration shown in FIG. 1 is just an example, and the number of series arm resonators, the number of parallel arm resonators, etc. are not limited to the configuration of FIG.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the electrode configuration of the elastic wave resonator 10 included in the elastic wave filter device 1.
  • FIG. 2A is a plan view of the acoustic wave resonator 10
  • FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view of the acoustic wave resonator 10 of FIG.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the elastic wave resonator 10 of (a) as seen along line cc.
  • the elastic wave resonator 10 shown in FIG. 2 is formed of a piezoelectric substrate 100, an electrode 110, and a protective film 113, and an IDT (Inter Digital Transducer) electrode 11 and a first A reflector 31 and a second reflector 32 are provided.
  • the acoustic wave resonator 10 according to the present embodiment is a surface acoustic wave (SAW) resonator composed of an IDT electrode 11, a first reflector 31, a second reflector 32, and a piezoelectric substrate 100. be.
  • SAW surface acoustic wave
  • the acoustic wave resonator 10 shown in FIG. 2 is for describing its typical structure, and the number and length of the electrode fingers constituting the electrodes are not limited to this.
  • the electrode 110 constituting the IDT electrode 11, the first reflector 31 and the second reflector 32 has a laminate structure of an adhesion layer 111 and a main electrode layer 112, as shown in FIGS. It's becoming
  • the adhesion layer 111 is a layer for improving adhesion between the main surface 100a of the piezoelectric substrate 100 and the main electrode layer 112, and is made of Ti, for example.
  • the material of the main electrode layer 112 is, for example, Al containing 1% Cu.
  • the protective film 113 is formed to cover electrode 110 .
  • the protective film 113 is a layer for the purpose of protecting the main electrode layer 112 from the external environment, adjusting frequency temperature characteristics, and increasing moisture resistance . It is a membrane that
  • the materials forming the adhesion layer 111, the main electrode layer 112, and the protective film 113 are not limited to the materials described above. Furthermore, the electrode 110 does not have to have the laminated structure described above.
  • the electrode 110 may be composed of metals or alloys such as Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, and Pd, for example, and may be composed of a plurality of laminates composed of the above metals or alloys. good too. Also, the protective film 113 may not be formed.
  • the piezoelectric substrate 100 is, for example, a ⁇ ° Y-cut X-propagating LiNbO 3 piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramic (cut along a plane normal to an axis rotated ⁇ ° from the Y-axis in the Z-axis direction with the X-axis as the central axis). Lithium niobate single crystal or ceramics, which allows surface acoustic waves to propagate in the X-axis direction).
  • the piezoelectric substrate 100 may be a substrate having a piezoelectric layer at least partially, or may have a laminated structure having a piezoelectric layer.
  • the piezoelectric substrate 100 includes, for example, a high acoustic velocity supporting substrate, a low acoustic velocity film, and a piezoelectric layer, and has a structure in which the high acoustic velocity supporting substrate, low acoustic velocity film, and piezoelectric layer are laminated in this order.
  • the IDT electrode 11 is formed on the piezoelectric substrate 100 and has a pair of comb electrodes 11A and 11B facing each other.
  • the pair of comb-shaped electrodes 11A and 11B has comb-shaped electrode fingers 11a and 11b extending in the first direction d1 parallel to the main surface 100a of the piezoelectric substrate 100.
  • the direction in which the comb-teeth electrode fingers 11a and 11b extend is defined as a first direction d1
  • the direction parallel to the main surface 100a of the piezoelectric substrate 100 and crossing the first direction d1 is defined as a second direction d2.
  • the second direction d2 in the present embodiment is the same direction as the elastic wave propagation direction in the IDT.
  • the first direction d1 and the second direction d2 in the present embodiment are orthogonal.
  • the comb-shaped electrode 11A includes a plurality of comb-shaped electrode fingers 11a extending in the first direction d1 and arranged along the second direction d2, and bus bar electrodes 11c connecting one ends of the plurality of comb-shaped electrode fingers 11a. ,have.
  • the comb-shaped electrode 11B includes a plurality of comb-shaped electrode fingers 11b extending in the first direction d1 and arranged along the second direction d2, and bus bar electrodes 11c connecting one ends of the plurality of comb-shaped electrode fingers 11b. ,have.
  • the plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b are arranged alternately along the second direction d2.
  • Each of the first reflector 31 and the second reflector 32 is arranged adjacent to the IDT electrode 11 in the second direction d2. Specifically, the first reflector 31 is arranged next to the IDT electrode 11 in the second direction d2. The second reflector 32 is arranged next to the IDT electrode 11 in the second direction d2 and on the opposite side of the first reflector 31 when viewed from the IDT electrode 11 . That is, the first reflector 31 and the second reflector 32 are arranged on both sides of the IDT electrode 11 in the second direction d2.
  • the first reflector 31 includes a plurality of first reflecting electrode fingers 31a extending in the first direction d1 and arranged along the second direction d2, and a plurality of first reflecting electrode fingers extending along the second direction d2. and two busbar electrodes 31c connecting one ends of the busbar electrodes 31a.
  • the second reflector 32 includes a plurality of second reflective electrode fingers 32a extending in the first direction d1 and arranged along the second direction d2, and a plurality of second reflective electrode fingers 32a extending along the second direction d2. It has two busbar electrodes 32c connecting one ends of the busbar electrodes 32a.
  • the IDT wavelength ⁇ i is defined as twice the arrangement pitch pi of the plurality of comb-tooth electrode fingers 11a and 11b included in the pair of comb-shaped electrodes 11A and 11B.
  • a pitch twice the arrangement pitch pr1 of the plurality of first reflective electrode fingers 31a is defined as the first reflector wavelength ⁇ r1
  • a pitch twice the arrangement pitch pr2 of the plurality of second reflective electrode fingers 32a is defined as ⁇ r1.
  • the acoustic wave resonator 10 in the present embodiment is configured such that the first reflector wavelength ⁇ r1 is larger than the second reflector wavelength ⁇ r2. According to this configuration, it is possible to improve the flatness of the passband of the elastic wave filter device 1 .
  • the arrangement pitch pi of the comb-toothed electrode fingers 11a and 11b is the center of the comb-toothed electrode fingers 11a and 11b adjacent to each other in the second direction d2 in the plurality of comb-toothed electrode fingers 11a and 11b included in the IDT electrode 11.
  • the distance between the centers in the second direction d2 between the two electrode fingers may be simply referred to as the "center-to-center distance"
  • All the arrangement pitches of the plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b in the IDT electrode 11 may be the same, or some or all of the arrangement pitches may be different.
  • the array pitch pi can be derived as follows.
  • the total number of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b included in the IDT electrode 11 is assumed to be Ni.
  • Di is the center-to-center distance between the comb electrode finger positioned at one end of the IDT electrode 11 and the comb electrode finger positioned at the other end in the second direction d2.
  • the arrangement pitch pr1 of the first reflective electrode fingers 31a is the center-to-center distance between the first reflective electrode fingers 31a adjacent to each other in the second direction d2. All the arrangement pitches of the plurality of first reflective electrode fingers 31a in the first reflector 31 may be the same, or some or all of the arrangement pitches may be different.
  • the arrangement pitch pr2 of the second reflective electrode fingers 32a is the center-to-center distance between the second reflective electrode fingers 32a adjacent to each other in the second direction d2. All the arrangement pitches of the plurality of second reflective electrode fingers 32a in the second reflector 32 may be the same, or some or all of the arrangement pitches may be different.
  • the array pitch pr2 can also be derived in the same manner as the array pitch pr1.
  • the comb-teeth electrode finger (11a in FIG. 2) closest to the first reflector 31 A center-to-center distance in the second direction d2 between the first reflecting electrode finger 31a closest to the IDT electrode 11 among the plurality of first reflecting electrode fingers 31a is defined as a first IDT-reflector gap g1.
  • the comb-teeth electrode finger (11a in FIG. 2) closest to the second reflector 32 A second IDT-reflector gap g2 is defined as the center-to-center distance between the second reflective electrode finger 32a closest to the IDT electrode 11 and the second reflective electrode finger 32a.
  • the acoustic wave resonator 10 of the present embodiment is configured such that the first IDT-reflector gap g1 has a different value from the second IDT-reflector gap g2.
  • the first IDT-reflector gap g1 is configured to be smaller or larger than the second IDT-reflector gap g2.
  • FIG. 3 is a diagram showing reflector wavelengths, IDT-reflector gaps, return losses, etc. of elastic wave resonators of Comparative Example 1 and Examples 1 and 2.
  • FIG. 3 is a diagram showing reflector wavelengths, IDT-reflector gaps, return losses, etc. of elastic wave resonators of Comparative Example 1 and Examples 1 and 2.
  • the values of the first reflector wavelength ⁇ r1, the second reflector wavelength ⁇ r2, the first IDT-reflector gap g1, and the second IDT-reflector gap g2 of the elastic wave resonator are It is shown.
  • the figure also shows the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i, which is the value obtained by dividing the first reflector wavelength ⁇ r1 by the IDT wavelength ⁇ i, and the second reflector wavelength ⁇ r2 by the IDT wavelength ⁇ i.
  • the divided value, the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i is shown.
  • the figure also shows a first gap wavelength ratio g1/ ⁇ r1, which is a value obtained by dividing the first IDT-reflector gap g1 by the first reflector wavelength ⁇ r1, and the second IDT-reflector gap g1/ ⁇ r1.
  • a second gap wavelength ratio g2/ ⁇ r2 is shown, which is the gap g2 divided by the second reflector wavelength ⁇ r2.
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is larger than the second reflector wavelength ⁇ r2 ( ⁇ r1> ⁇ r2), and the first IDT-reflector
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is larger than the second reflector wavelength ⁇ r2 ( ⁇ r1> ⁇ r2), and the first IDT-reflector gap g1 is It has a configuration that is smaller than the second IDT-reflector gap g2 (g1 ⁇ g2).
  • the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i is greater than the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i.
  • the first gap wavelength ratio g1/ ⁇ r1 is smaller than the second gap wavelength ratio g2/ ⁇ r2.
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is larger than the second reflector wavelength ⁇ r2 ( ⁇ r1> ⁇ r2), and the first IDT-reflector gap g1 is 2 IDT-reflector gap g2 (g1>g2).
  • the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i is greater than the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i.
  • the first gap wavelength ratio g1/ ⁇ r1 is larger than the second gap wavelength ratio g2/ ⁇ r2.
  • FIG. 4 is a diagram showing return losses of elastic wave resonators of Comparative Example 1 and Examples 1 and 2.
  • Example 1 unnecessary responses are suppressed in the vicinity of 2496 MHz, which is the lowest frequency of the passband.
  • the largest return loss value near 2496 MHz is 0.140 dB (see FIG. 3), which is smaller than that of Comparative Example 1.
  • generation of unnecessary response is suppressed in the vicinity of 2690 MHz, which is the highest frequency of the passband.
  • the largest return loss value near 2690 MHz is 0.325 dB (see FIG. 3), which is smaller than Comparative Example 1 and Example 2 described later.
  • Example 2 generation of unnecessary responses is suppressed near 2496 MHz, which is the lowest frequency of the passband.
  • the largest return loss value in the vicinity of 2496 MHz is 0.134 dB (see FIG. 3), which is smaller than Comparative Example 1 and Example 1.
  • generation of an unnecessary response is suppressed in the vicinity of 2690 MHz, which is the highest frequency of the passband.
  • the largest return loss value near 2690 MHz is 0.344 dB (see FIG. 3), which is smaller than that of Comparative Example 1.
  • the elastic wave resonators 10 of Examples 1 and 2 are configured such that the first IDT-reflector gap g1 has a different value from the second IDT-reflector gap g2.
  • the first IDT-reflector gap g1 is configured to have a smaller value than the second IDT-reflector gap g2. According to this configuration, it is possible to suppress the occurrence of unnecessary responses at the lowest and highest frequencies of the passband of the acoustic wave filter device 1 . In particular, by making the first IDT-reflector gap g1 smaller than the second IDT-reflector gap g2, it is possible to suppress the occurrence of unnecessary response at the highest frequency of the passband.
  • the first IDT-reflector gap g1 is configured to have a larger value than the second IDT-reflector gap g2. According to this configuration, it is possible to suppress the occurrence of unnecessary responses at the lowest and highest frequencies of the passband of the acoustic wave filter device 1 . In particular, by making the first IDT-reflector gap g1 larger than the second IDT-reflector gap g2, it is possible to suppress the occurrence of unnecessary response at the lowest frequency of the passband.
  • FIG. 5 is a diagram showing electrode parameters and the like of the series arm resonators S1 to S5 and the parallel arm resonators P1 to P4 included in the acoustic wave filter device 1 of the third embodiment. Note that the series arm resonators and parallel arm resonators shown in FIG. It may be applied to the arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • the figure shows the logarithm of the IDT electrode 11, the logarithm of the first reflector 31, the logarithm of the second reflector 32, the intersection width of the IDT electrode 11, and the IDT wavelength ⁇ i for each of the series arm resonator and the parallel arm resonator.
  • a first reflector wavelength ⁇ r1 and a second reflector wavelength ⁇ r2 are shown.
  • the figure also shows the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i and the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i for each of the series arm resonator and the parallel arm resonator.
  • the figure also shows, for each of the series arm resonator and the parallel arm resonator, a first IDT-reflector gap g1, a second IDT-reflector gap g2, a first gap wavelength ratio g1/ ⁇ r1 and A second gap wavelength ratio g2/ ⁇ r2 is shown.
  • the difference between the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i and the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i in the series arm resonator is It is configured to be greater than the difference between the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i and the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i. According to this configuration, it is possible to suppress an increase in insertion loss at the lowest and highest frequencies of the passband of the acoustic wave filter device 1 . Thereby, it is possible to suppress deterioration of the pass characteristic of the acoustic wave filter device 1 .
  • the first IDT-reflector gap g1 in the series arm resonator is smaller than the first IDT-reflector gap g1 in the parallel arm resonator.
  • the second IDT-reflector gap g2 in the series arm resonator is smaller than the second IDT-reflector gap g2 in the parallel arm resonator.
  • FIG. 6 is a diagram showing reflector wavelengths, IDT-reflector gaps, etc. of series arm resonators and parallel arm resonators included in acoustic wave filter devices of Example 3 and Comparative Examples 2 and 3.
  • FIG. 6 also shows the insertion loss of the acoustic wave filter device.
  • the difference between the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i and the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i is the same as the series arm resonator and parallel It is configured differently from the arm resonator. Specifically, the difference ( ⁇ r1/ ⁇ i ⁇ r2/ ⁇ i) between the first reflector wavelength ratio and the second reflector wavelength ratio in the series arm resonator is 0.02, and the second reflector wavelength ratio in the parallel arm resonator is 0.02.
  • the difference ( ⁇ r1/ ⁇ i ⁇ r2/ ⁇ i) between the first reflector wavelength ratio and the second reflector wavelength ratio is 0.005, and the difference between the first reflector wavelength ratio and the second reflector wavelength ratio is The difference is configured to be greater in the series arm resonator than in the parallel arm resonator.
  • the first IDT-reflector gap g1 in the series arm resonator is the first IDT-reflector gap g1 in the parallel arm resonator. is configured to be smaller than Further, in the acoustic wave filter device 1, the second IDT-reflector gap g2 in the series arm resonator is configured to be smaller than the second IDT-reflector gap g2 in the parallel arm resonator.
  • the difference between the first reflector wavelength ratio ⁇ r1/ ⁇ i and the second reflector wavelength ratio ⁇ r2/ ⁇ i is configured to have the same value.
  • the first reflector wavelength ratio and the second reflector wavelength ratio in the series arm resonator are configured to be the same value, and the first reflector wavelength ratio in the parallel arm resonator and the second reflector wavelength ratio have the same value.
  • the difference ( ⁇ r1/ ⁇ i ⁇ r2/ ⁇ i) between the first reflector wavelength ratio and the second reflector wavelength ratio in the series arm resonator becomes 0, and the first reflector wavelength in the parallel arm resonator becomes
  • the difference ( ⁇ r1/ ⁇ i ⁇ r2/ ⁇ i) between the ratio and the second reflector wavelength ratio is 0, and the difference between the first reflector wavelength ratio and the second reflector wavelength ratio is the series arm resonator and It has the same value as the parallel arm resonator.
  • FIG. 7 is a diagram showing pass characteristics of the elastic wave filter devices of Example 3 and Comparative Examples 2 and 3.
  • FIG. As described above, the pass band of the elastic wave filter device 1 is 2496 MHz to 2690 MHz.
  • the frequency at which an unwanted response can occur overlaps with the high frequency of the low passband and the highest frequency.
  • Comparative Example 3 an insertion loss of 1.26 dB occurs at 2496 MHz, which is the lowest frequency of the passband (see FIG. 6).
  • the insertion loss at the lowest frequency of the passband is 1.23 dB (see FIG. 6), which is smaller than that in Comparative Example 3.
  • the elastic wave filter device 1 of the third embodiment it is possible to suppress an increase in insertion loss at both the lowest frequency and the highest frequency of the passband. Thereby, it is possible to suppress deterioration of the pass characteristic of the acoustic wave filter device 1 .
  • FIG. 8 is a circuit configuration diagram of the multiplexer 5 and its peripheral circuit (antenna 4) according to the second embodiment.
  • the multiplexer 5 shown in the figure includes an elastic wave filter device 1, another filter 3 different from the elastic wave filter device 1, a common terminal 70, and input/output terminals 81 and 82.
  • FIG. 8 is a circuit configuration diagram of the multiplexer 5 and its peripheral circuit (antenna 4) according to the second embodiment.
  • the multiplexer 5 shown in the figure includes an elastic wave filter device 1, another filter 3 different from the elastic wave filter device 1, a common terminal 70, and input/output terminals 81 and 82.
  • the elastic wave filter device 1 is the elastic wave filter device 1 according to Embodiment 1.
  • the input/output terminal 50 of the elastic wave filter device 1 is connected to the input/output terminal 81, and the input/output terminal of the elastic wave filter device 1 is connected to the input/output terminal 81.
  • 60 is connected to common terminal 70 .
  • the other filters 3 are connected to the common terminal 70 and the input/output terminal 82 .
  • the other filter 3 is, for example, a ladder-type elastic wave filter device having parallel arm resonators and series arm resonators, but may be an LC filter or the like, and its circuit configuration is not particularly limited.
  • the multiplexer 5 includes a plurality of filters including the acoustic wave filter device 1, and one of the input/output terminals 81 and 82 of each of the plurality of filters is directly or indirectly connected to the common terminal 70.
  • the multiplexer 5 including the acoustic wave filter device 1 capable of suppressing deterioration of the pass characteristic.
  • the passband of the elastic wave filter device 1 may be located on the high frequency side of the passbands of the other filters 3 . That is, at least one of the filters 3 other than the elastic wave filter device 1 may have a passband lower than the frequency of the passband of the elastic wave filter device 1 .
  • the elastic wave resonator arranged closest to the common terminal 70 on the first path r1 has a first reflector wavelength higher than the second reflector wavelength. is larger and the first IDT-reflector gap is smaller than the second IDT-reflector gap.
  • the passband of the elastic wave filter device 1 may be located on the lower frequency side than the passbands of the other filters 3 . That is, at least one of the filters 3 other than the elastic wave filter device 1 among the plurality of filters may have a passband higher than the frequency of the passband of the elastic wave filter device 1 .
  • the elastic wave resonator arranged closest to the common terminal 70 on the first path r1 has a first reflector wavelength higher than the second reflector wavelength. is larger and the first IDT-reflector gap is smaller than the second IDT-reflector gap.
  • the acoustic wave filter device 1 and other filters 3 may not be directly connected to the common terminal 70 as shown in FIG. It may be indirectly connected to the common terminal 70 via a filter-selectable switch element.
  • multiplexer 5 has a circuit configuration in which two filters are connected to common terminal 70, but the number of filters connected to common terminal 70 is not limited to two, and may be three or more. There may be.
  • Elastic wave resonator 10 is formed on piezoelectric substrate 100 and has a plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b extending in first direction d1 parallel to main surface 100a of piezoelectric substrate 100.
  • a second reflector 32 arranged next to the IDT electrode 11 and on the opposite side of the first reflector 31 when viewed from the IDT electrode 11 .
  • the IDT electrode 11 has a pair of comb-shaped electrodes 11A and 11B.
  • the pair of comb-shaped electrodes 11A and 11B has a plurality of comb-shaped electrode fingers 11a extending in the first direction d1 and arranged along the second direction d2. 11b, and a bus bar electrode 11c connecting one ends of each of the plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b.
  • the first reflector 31 extends in the first direction d1 and has a plurality of first reflective electrode fingers 31a arranged along the second direction d2
  • the second reflector 32 extends in the first direction d1 and has It has a plurality of second reflective electrode fingers 32a arranged along the second direction d2.
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 which is twice the arrangement pitch pr1 of the plurality of first reflective electrode fingers 31a arranged along the second direction d2, is obtained by the plurality of second reflector wavelengths ⁇ r1 arranged along the second direction d2. It is larger than the second reflector wavelength ⁇ r2 which is twice the arrangement pitch pr2 of the reflective electrode fingers 32a ( ⁇ r1> ⁇ r2).
  • the center of the comb electrode finger closest to the first reflector 31 among the plurality of comb electrode fingers 11a and 11b and the center of the first reflective electrode finger 31a closest to the IDT electrode 11 among the plurality of first reflective electrode fingers 31a The first IDT-reflector gap g1, which is the distance between the center of the comb-shaped electrode finger closest to the second reflector 32 among the plurality of comb-shaped electrode fingers 11a and 11b, and the plurality of second reflective electrode fingers 32a It is smaller than the second IDT-reflector gap g2, which is the distance from the center of the second reflective electrode finger 32a closest to the IDT electrode 11 (g1 ⁇ g2).
  • the elastic wave filter device 1 includes a plurality of elastic wave resonators 10 described above.
  • the plurality of elastic wave resonators 10 includes one or more series arm resonators S1 to S5 arranged on a first path r1 connecting two input/output terminals 50 and 60, a node on the first path r1, and a ground. and one or more parallel arm resonators P1 to P4 arranged on a path connecting the .
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is set to the arrangement pitch of the plurality of comb electrode fingers 11a and 11b of the pair of comb electrodes 11A and 11B.
  • the difference between the value ( ⁇ r1/ ⁇ i) divided by the IDT wavelength ⁇ i which is twice pi and the value ( ⁇ r2/ ⁇ i) obtained by dividing the second reflector wavelength ⁇ r2 by the IDT wavelength ⁇ i is equal to or greater than 1 parallel
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is twice the arrangement pitch pi of the plurality of comb electrode fingers 11a and 11b of the pair of comb electrodes 11A and 11B.
  • the difference between the first reflector wavelength ratio ( ⁇ r1/ ⁇ i) and the second reflector wavelength ratio ( ⁇ r2/ ⁇ i) is greater in the series arm resonator than in the parallel arm resonator. . According to this, it is possible to suppress an increase in insertion loss at the lowest frequency and the highest frequency of the passband of the elastic wave filter device 1 . Thereby, it is possible to suppress deterioration of the pass characteristic of the elastic wave filter device 1 .
  • first IDT-reflector gap g1 in the at least one series arm resonator is smaller than the first IDT-reflector gap g1 in the at least one parallel arm resonator, and the at least one series arm
  • the second IDT-reflector gap g2 in the resonator may be smaller than the second IDT-reflector gap g2 in the at least one parallel arm resonator.
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is set to the arrangement pitch pi of the plurality of comb electrode fingers 11a and 11b of the pair of comb electrodes 11A and 11B.
  • the difference between the value ( ⁇ r/ ⁇ i) divided by the IDT wavelength ⁇ i which is twice the value of the second reflector wavelength ⁇ r2 divided by the IDT wavelength ⁇ i ( ⁇ r2/ ⁇ i) is equal to or greater than one parallel arm
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 is the IDT wavelength that is twice the arrangement pitch pi of the plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b of the pair of comb-teeth electrodes 11A and 11B. It may be greater than the difference between ( ⁇ r1/ ⁇ i) divided by ⁇ i and ( ⁇ r2/ ⁇ i) the second reflector wavelength ⁇ r2 divided by the IDT wavelength ⁇ i.
  • the first IDT-reflector gap g1 in all the series arm resonators is smaller than the first IDT-reflector gap g1 in all the parallel arm resonators, and the second IDT-reflector gap g1 in all the series arm resonators
  • the IDT-reflector gap g2 may be smaller than the second IDT-reflector gap g2 in all parallel arm resonators.
  • a multiplexer 5 includes a plurality of filters including the acoustic wave filter device 1 described above, and one input/output terminal of each of the plurality of filters is directly or indirectly connected to a common terminal.
  • the multiplexer 5 including the acoustic wave filter device 1 capable of suppressing deterioration of the pass characteristic.
  • Elastic wave resonator 10 is formed on piezoelectric substrate 100 and has a plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b extending in first direction d1 parallel to main surface 100a of piezoelectric substrate 100.
  • a second reflector 32 arranged next to the IDT electrode 11 and on the opposite side of the first reflector 31 when viewed from the IDT electrode 11 .
  • the IDT electrode 11 has a pair of comb-shaped electrodes 11A and 11B.
  • the pair of comb-shaped electrodes 11A and 11B has a plurality of comb-shaped electrode fingers 11a extending in the first direction d1 and arranged along the second direction d2. 11b, and a bus bar electrode 11c connecting one ends of each of the plurality of comb-teeth electrode fingers 11a and 11b.
  • the first reflector 31 extends in the first direction d1 and has a plurality of first reflective electrode fingers 31a arranged along the second direction d2
  • the second reflector 32 extends in the first direction d1 and has It has a plurality of second reflective electrode fingers 32a arranged along the second direction d2.
  • the first reflector wavelength ⁇ r1 which is twice the arrangement pitch pr1 of the plurality of first reflective electrode fingers 31a arranged along the second direction d2, is obtained by the plurality of second reflector wavelengths ⁇ r1 arranged along the second direction d2. It is larger than the second reflector wavelength ⁇ r2 which is twice the arrangement pitch pr2 of the reflective electrode fingers 32a ( ⁇ r1> ⁇ r2).
  • the center of the comb electrode finger closest to the first reflector 31 among the plurality of comb electrode fingers 11a and 11b and the center of the first reflective electrode finger 31a closest to the IDT electrode 11 among the plurality of first reflective electrode fingers 31a The first IDT-reflector gap g1, which is the distance between the center of the comb-shaped electrode finger closest to the second reflector 32 among the plurality of comb-shaped electrode fingers 11a and 11b, and the plurality of second reflective electrode fingers 32a Among them, it is larger than the second IDT-reflector gap g2, which is the distance from the center of the second reflecting electrode finger 32a closest to the IDT electrode 11 (g1>g2).
  • the elastic wave resonator, the elastic wave filter device, and the multiplexer according to the embodiments of the present invention have been described above with reference to the embodiments and examples. is not limited to the above embodiments and examples. Other embodiments realized by combining arbitrary components in the above-described embodiments and examples, and various modifications that can be made by those skilled in the art within the scope of the present invention without departing from the scope of the above-described embodiments.
  • the present invention also includes various devices incorporating the obtained embodiments and the acoustic wave resonators, acoustic wave filter devices, and multiplexers of the present disclosure.
  • one series arm resonator among the series arm resonators S1 to S5 is taken as an example
  • one parallel arm resonator among the parallel arm resonators P1 to P4 is taken as an example. 5
  • the series arm resonators and parallel arm resonators satisfying the conditions shown in FIG. just do it.
  • the elastic wave filter device 1 may further include circuit elements such as inductors and capacitors.
  • the elastic wave resonator according to the present invention may not be a surface acoustic wave resonator as in Embodiment 1, but may be an elastic wave resonator using boundary acoustic waves.
  • the piezoelectric substrate 100 may be a substrate having a piezoelectric layer at least partially, or may have a laminated structure having a piezoelectric layer.
  • the piezoelectric substrate 100 includes, for example, a high acoustic velocity supporting substrate, a low acoustic velocity film, and a piezoelectric layer, and has a structure in which the high acoustic velocity supporting substrate, low acoustic velocity film, and piezoelectric layer are laminated in this order. may
  • the configurations of the high acoustic velocity supporting substrate, the low acoustic velocity film and the piezoelectric layer will be described below.
  • the piezoelectric layer is, for example, a ⁇ ° Y-cut X-propagation LiNbO 3 piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramics (niobium cut along a plane normal to an axis rotated ⁇ ° from the Y-axis in the Z-axis direction with the X-axis as the central axis). It consists of a lithium oxide single crystal or ceramics in which a surface acoustic wave propagates in the X-axis direction.
  • the high acoustic velocity support substrate is a substrate that supports the low acoustic velocity film, the piezoelectric layer and the electrode 110 . Further, the high acoustic velocity support substrate is a substrate in which the sound velocity of the bulk wave in the high acoustic velocity support substrate is faster than the acoustic waves of the surface waves and the boundary waves propagating through the piezoelectric layer. And the low acoustic velocity film is confined in the laminated portion, and functions so as not to leak below the high acoustic velocity support substrate.
  • the high acoustic velocity support substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the high sonic velocity support substrate includes (1) a piezoelectric material such as aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz, and (2) alumina, zirconia, cordage.
  • a piezoelectric material such as aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz
  • alumina, zirconia, cordage such as lite, mullite, steatite, or forsterite, (3) magnesia diamond, (4) materials containing the above materials as main components, and (5) materials containing mixtures of the above materials as main components , or
  • the low sound velocity film is a film in which the sound velocity of the bulk wave in the low sound velocity film is lower than the sound velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer, and is arranged between the piezoelectric layer and the high sound velocity support substrate. .
  • This structure and the nature of the elastic wave to concentrate its energy in a low-temperature medium suppresses leakage of the surface acoustic wave energy to the outside of the IDT electrode.
  • the low sound velocity film is, for example, a film whose main component is silicon dioxide (SiO 2 ).
  • the Q value of the acoustic wave resonator at the resonance frequency and the anti-resonance frequency can be significantly increased compared to the structure using the piezoelectric substrate 100 as a single layer. It becomes possible. That is, since a surface acoustic wave resonator with a high Q value can be constructed, it is possible to construct a filter with a small insertion loss using the surface acoustic wave resonator.
  • the high acoustic velocity support substrate has a structure in which a support substrate and a high acoustic velocity film are laminated such that the acoustic velocity of a bulk wave propagating through the piezoelectric layer is higher than that of an elastic wave such as a surface wave or a boundary wave.
  • the support substrate may be a piezoelectric material such as sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz crystal, etc.; Dielectrics such as various ceramics and glasses, semiconductors such as silicon and gallium nitride, and resin substrates can be used.
  • the high acoustic velocity film can be made of various materials such as aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, DLC film or diamond, media mainly composed of the above materials, and media mainly composed of mixtures of the above materials. high acoustic velocity materials can be used.
  • each layer exemplified in the above laminated structure of the piezoelectric substrate 100 is only examples, and are changed according to, for example, the characteristics to be emphasized among the required high-frequency propagation characteristics.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a multiband and multimode low-loss acoustic wave filter device and multiplexer.

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Abstract

弾性波共振子（１０）は、ＩＤＴ電極（１１）と第１反射器（３１）と第２反射器（３２）とを備える。ＩＤＴ電極（１１）は、複数の櫛歯電極指（１１ａ、１１ｂ）を有する。第１反射器（３１）は、複数の第１反射電極指（３１ａ）を有し、第２反射器（３２）は、複数の第２反射電極指（３２ａ）を有する。複数の第１反射電極指（３１ａ）の配列ピッチ（ｐｒ１）の２倍である第１の反射器波長（λｒ１）は、複数の第２反射電極指（３２ａ）の配列ピッチ（ｐｒ２）の２倍である第２の反射器波長（λｒ２）よりも大きい。第１反射器（３１）に最近接する櫛歯電極指とＩＤＴ電極（１１）に最近接する第１反射電極指との中心間距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップ（ｇ１）は、第２反射器（３２）に最近接する櫛歯電極指とＩＤＴ電極（１１）に最近接する第２反射電極指との中心間距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップ（ｇ２）よりも小さい。

Description

弾性波共振子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
　本発明は、弾性波共振子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサに関する。
　近年、携帯電話のデータ伝送速度を向上させるために、マルチバンドシステムが用いられている。その際、複数の周波数帯域の送受信を行う場合があるため、携帯電話のフロントエンド回路には、異なる周波数帯域の高周波信号を通過させる複数のフィルタ装置が配置される。この場合、上記フロントエンド回路に許容される実装スペースには制約があるため、上記複数のフィルタ装置には、小型化、隣接バンドとの高アイソレーションおよび通過帯域の低損失性が要求される。
　特許文献１には、複数の弾性波共振子を組み合わせることで形成された弾性波フィルタ装置が開示されている。弾性波共振子は、圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性波の伝搬方向の両外側に形成された第１反射器および第２反射器と、によって構成されている。この弾性波フィルタ装置では、第１反射器の電極指の配列ピッチと第２反射器の電極指の配列ピッチとを異ならせることで、通過帯域の平坦性を向上させている。
特許第３２３５４９８号公報
　特許文献１に記載された弾性波共振子では、所定の周波数帯域において不要なレスポンスが発生することがある。所定の周波数帯域において不要なレスポンスが発生すると、例えば、弾性波フィルタ装置の通過帯域における挿入損失が大きくなり、弾性波フィルタ装置の通過特性が劣化するという問題がある。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、不要なレスポンスが発生することを抑制できる弾性波共振子等を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波共振子は、圧電性基板上に形成され、前記圧電性基板の主面に平行な第１方向に延びる複数の櫛歯電極指を有するＩＤＴ電極と、前記圧電性基板の主面に平行であって前記第１方向に交差する第２方向において前記ＩＤＴ電極の隣りに配置された第１反射器と、前記第２方向において、前記ＩＤＴ電極の隣りであって、前記ＩＤＴ電極から見て前記第１反射器の反対側に配置された第２反射器と、を備え、前記ＩＤＴ電極は、一対の櫛形電極を有し、前記一対の櫛形電極は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された前記複数の櫛歯電極指と、前記複数の櫛歯電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、前記第１反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第１反射電極指を有し、前記第２反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第２反射電極指を有し、前記第２方向に沿って配列された前記複数の第１反射電極指の配列ピッチの２倍である第１の反射器波長は、前記第２方向に沿って配列された前記複数の第２反射電極指の配列ピッチの２倍である第２の反射器波長よりも大きく、前記複数の櫛歯電極指のうち前記第１反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第１反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第１反射電極指の中心との距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップは、前記複数の櫛歯電極指のうち前記第２反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第２反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第２反射電極指の中心との距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さい。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波フィルタ装置は、上記の弾性波共振子を複数備える弾性波フィルタ装置であって、複数の前記弾性波共振子は、２つの入出力端子を結ぶ第１経路上に配置された１以上の直列腕共振子と、前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された１以上の並列腕共振子と、を含み、前記１以上の直列腕共振子のうちの少なくとも１つの直列腕共振子において、前記第１の反射器波長を前記一対の櫛形電極の前記複数の櫛歯電極指の配列ピッチの２倍であるＩＤＴ波長で除算した値と、前記第２の反射器波長を当該ＩＤＴ波長で除算した値との差は、前記１以上の並列腕共振子のうちの少なくとも１つの並列腕共振子において、前記第１の反射器波長を前記一対の櫛形電極の前記複数の櫛歯電極指の配列ピッチの２倍であるＩＤＴ波長で除算した値と、前記第２の反射器波長を当該ＩＤＴ波長で除算した値との差よりも大きい。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上記の弾性波フィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、前記複数のフィルタのそれぞれの入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続されている。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波共振子は、圧電性基板上に形成され、前記圧電性基板の主面に平行な第１方向に延びる複数の櫛歯電極指を有するＩＤＴ電極と、前記圧電性基板の主面に平行であって前記第１方向に交差する第２方向において前記ＩＤＴ電極の隣りに配置された第１反射器と、前記第２方向において、前記ＩＤＴ電極の隣りであって、前記ＩＤＴ電極から見て前記第１反射器の反対側に配置された第２反射器と、を備え、前記ＩＤＴ電極は、一対の櫛形電極を有し、前記一対の櫛形電極は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された前記複数の櫛歯電極指と、前記複数の櫛歯電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、前記第１反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第１反射電極指を有し、前記第２反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第２反射電極指を有し、前記第２方向に沿って配列された前記複数の第１反射電極指の配列ピッチの２倍である第１の反射器波長は、前記第２方向に沿って配列された前記複数の第２反射電極指の配列ピッチの２倍である第２の反射器波長よりも大きく、前記複数の櫛歯電極指のうち前記第１反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第１反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第１反射電極指の中心との距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップは、前記複数の櫛歯電極指のうち前記第２反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第２反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第２反射電極指の中心との距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも大きい。
　本発明に係る弾性波共振子等によれば、不要なレスポンスが発生することを抑制できる。
図１は、実施の形態１に係る弾性波フィルタ装置の回路構成を示す図である。 図２は、弾性波フィルタ装置に含まれる弾性波共振子の電極構成を模式的に示す図である。 図３は、比較例１および実施例１、２の弾性波共振子の反射器波長、ＩＤＴ－反射器ギャップおよびリターンロス等を示す図である。 図４は、比較例１および実施例１、２の弾性波共振子のリターンロスを示す図である。 図５は、実施例３の弾性波フィルタ装置に含まれる直列腕共振子および並列腕共振子の電極パラメータ等を示す図である。 図６は、実施例３および比較例２、３の弾性波フィルタ装置に含まれる直列腕共振子および並列腕共振子の反射器波長およびＩＤＴ－反射器ギャップ等を示す図である。 図７は、実施例３および比較例２、３の弾性波フィルタ装置の通過特性を示す図である。 図８は、実施の形態２に係るマルチプレクサおよびその周辺回路の回路構成図である。
　以下、本発明の実施の形態について図を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　（実施の形態１）
　［弾性波フィルタ装置の概略構成］
　実施の形態１に係る弾性波フィルタ装置１の概略構成について、図１を参照しながら説明する。
　図１は、実施の形態１に係る弾性波フィルタ装置１の回路構成を示す図である。
　同図に示すように、弾性波フィルタ装置１は、直列腕共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４およびＳ５と、並列腕共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３およびＰ４と、入出力端子５０および６０と、を備える。
　直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５は、入出力端子５０と入出力端子６０とを結ぶ第１経路ｒ１上に直列に配置されている。並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４は、第１経路ｒ１とグランド（基準端子）とを結ぶ経路上に配置されている。直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５および並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の上記接続構成により、弾性波フィルタ装置１は、ラダー型のバンドパスフィルタを構成している。なお、図１に示された回路構成は、その一例であって、直列腕共振子の数、並列腕共振子の数などは、図１の構成に限定されない。
　［弾性波共振子の構成］
　弾性波フィルタ装置１に含まれる弾性波共振子１０の構造について、図２を参照しながら説明する。前述した各直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５および各並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４は、以下に示す弾性波共振子１０と同様の電極構造を有している。
　図２は、弾性波フィルタ装置１に含まれる弾性波共振子１０の電極構成を模式的に示す図である。図２の（ａ）は、弾性波共振子１０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の弾性波共振子１０をｂ－ｂ線で見た拡大断面図であり、（ｃ）は（ａ）の弾性波共振子１０をｃ－ｃ線で見た拡大断面図である。
　図２に示された弾性波共振子１０は、圧電性基板１００と、電極１１０と、保護膜１１３とで形成され、これらの構成要素で構成されたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１１と、第１反射器３１と、第２反射器３２と、を備える。本実施の形態に係る弾性波共振子１０は、ＩＤＴ電極１１、第１反射器３１、第２反射器３２および圧電性基板１００で構成された弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）共振子である。なお、図２に示された弾性波共振子１０は、その典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。
　ＩＤＴ電極１１、第１反射器３１および第２反射器３２を構成する電極１１０は、図２の（ｂ）および（ｃ）に示すように、密着層１１１と主電極層１１２との積層構造となっている。
　密着層１１１は、圧電性基板１００の主面１００ａと主電極層１１２との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。
　主電極層１１２は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。
　保護膜１１３は、電極１１０を覆うように形成されている。保護膜１１３は、主電極層１１２を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする膜である。
　なお、密着層１１１、主電極層１１２および保護膜１１３を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、電極１１０は、上記積層構造でなくてもよい。電極１１０は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護膜１１３は、形成されていなくてもよい。
　圧電性基板１００は、例えば、θ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にθ°回転した軸を法線とする面で切断したニオブ酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。
　なお、圧電性基板１００は、少なくとも一部に圧電体層を有する基板であってもよく、圧電体層を有する積層構造であってもよい。圧電性基板１００は、例えば、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電体層とを備え、高音速支持基板、低音速膜および圧電体層がこの順で積層された構造を有していてもよい。
　図２に示すように、ＩＤＴ電極１１は、圧電性基板１００上に形成され、互いに対向する一対の櫛形電極１１Ａおよび１１Ｂを有している。一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂは、圧電性基板１００の主面１００ａに平行な第１方向ｄ１に延びる櫛歯電極指１１ａ、１１ｂを有している。以降において、各櫛歯電極指１１ａ、１１ｂが延びる方向を第１方向ｄ１とし、圧電性基板１００の主面１００ａに平行であって第１方向ｄ１に交差する方向を第２方向ｄ２とする。本実施の形態の第２方向ｄ２は、ＩＤＴにおける弾性波の伝搬方向と同じ方向である。また、本実施の形態における第１方向ｄ１および第２方向ｄ２は、直交している。
　櫛形電極１１Ａは、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の櫛歯電極指１１ａと、複数の櫛歯電極指１１ａのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃと、を有している。櫛形電極１１Ｂは、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の櫛歯電極指１１ｂと、複数の櫛歯電極指１１ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃと、を有している。複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂは、第２方向ｄ２に沿って交互に配列されている。
　第１反射器３１および第２反射器３２のそれぞれは、ＩＤＴ電極１１と第２方向ｄ２に隣り合って配置されている。具体的には、第１反射器３１は、第２方向ｄ２においてＩＤＴ電極１１の隣りに配置されている。第２反射器３２は、第２方向ｄ２において、ＩＤＴ電極１１の隣りであって、ＩＤＴ電極１１から見て第１反射器３１の反対側に配置されている。すなわち、第１反射器３１および第２反射器３２は、第２方向ｄ２においてＩＤＴ電極１１の両外側に配置されている。
　第１反射器３１は、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第１反射電極指３１ａと、第２方向ｄ２に沿って延びかつ複数の第１反射電極指３１ａの一端同士を接続する２つのバスバー電極３１ｃと、を有している。第２反射器３２は、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第２反射電極指３２ａと、第２方向ｄ２に沿って延びかつ複数の第２反射電極指３２ａの一端同士を接続する２つのバスバー電極３２ｃとを有している。
　ここで、図２に示すように、一対の櫛形電極１１Ａおよび１１Ｂに含まれる複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチｐｉの２倍の長さをＩＤＴ波長λｉと定義する。また、複数の第１反射電極指３１ａの配列ピッチｐｒ１の２倍のピッチを、第１の反射器波長λｒ１と定義し、複数の第２反射電極指３２ａの配列ピッチｐｒ２の２倍のピッチを、第２の反射器波長λｒ２と定義する。
　上記定義の下、本実施の形態における弾性波共振子１０は、第１の反射器波長λｒ１が第２の反射器波長λｒ２よりも大きな値となるように構成されている。この構成によれば、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の平坦性を向上することが可能となる。
　なお、櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチｐｉとは、ＩＤＴ電極１１に含まれる複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂにおいて、第２方向ｄ２に隣り合う櫛歯電極指１１ａ、１１ｂ同士の中心同士の距離である（以下、２つの電極指間の第２方向ｄ２における中心同士の距離を、単に「中心間距離」と称することがある）。ＩＤＴ電極１１内における複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの全ての配列ピッチは同じであってもよく、一部もしくは全ての配列ピッチが異なっていてもよい。配列ピッチｐｉは、次のように導出できる。例えば、ＩＤＴ電極１１に含まれる櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの総本数をＮｉ本とする。そして、ＩＤＴ電極１１の、第２方向ｄ２における一方端に位置する櫛歯電極指と、他方端に位置する櫛歯電極指との中心間距離をＤｉとする。すると、配列ピッチｐｉは、ｐｉ＝Ｄｉ／（Ｎｉ－１）という式で表せる。なお、（Ｎｉ－１）は、ＩＤＴ電極１１における、隣接する櫛歯電極指が作るギャップの総個数ともいえる。
　第１反射電極指３１ａの配列ピッチｐｒ１とは、第２方向ｄ２に隣り合う第１反射電極指３１ａ同士の中心間距離である。第１反射器３１内における複数の第１反射電極指３１ａの全ての配列ピッチは同じであってもよく、一部もしくは全ての配列ピッチが異なっていてもよい。第２反射電極指３２ａの配列ピッチｐｒ２とは、第２方向ｄ２に隣り合う第２反射電極指３２ａ同士の中心間距離である。第２反射器３２内における複数の第２反射電極指３２ａの全ての配列ピッチは同じであってもよく、一部もしくは全ての配列ピッチが異なっていてもよい。
　配列ピッチｐｒ１は、次のように導出できる。例えば、第１反射器３１に含まれる第１反射電極指３１ａの総本数をＮｒ本とする。そして、第１反射器３１の、第２方向ｄ２における一方端に位置する第１反射電極指３１ａと、他方端に位置する第１反射電極指３１ａとの中心間距離をＤｒとする。すると、配列ピッチｐｒ１は、ｐｒ１＝Ｄｒ／（Ｎｒ－１）という式で表せる。なお、（Ｎｒ－１）は、第１反射器３１における、隣接する第１反射電極指３１ａが作るギャップの総個数ともいえる。配列ピッチｐｒ２も、配列ピッチｐｒ１と同様の方法で導出できる。
　ここでさらに、ＩＤＴ電極１１と第１反射器３１との境界領域において、複数の櫛歯電極指１１ａおよび１１ｂのうち第１反射器３１に最近接する櫛歯電極指（図２では１１ａ）と、複数の第１反射電極指３１ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する第１反射電極指３１ａとの、第２方向ｄ２における中心間距離を、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１と定義する。同様に、ＩＤＴ電極１１と第２反射器３２との境界領域において、複数の櫛歯電極指１１ａおよび１１ｂのうち第２反射器３２に最近接する櫛歯電極指（図２では１１ａ）と、複数の第２反射電極指３２ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する第２反射電極指３２ａとの中心間距離を、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２と定義する。
　上記定義の下、本実施の形態の弾性波共振子１０は、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２とは異なる値となるように構成されている。例えば、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さな値、または、大きな値となるように構成されている。この構成によれば、不要な弾性波が第１反射器３１および第２反射器３２で反射されにくくなり、不要な弾性波が不要なレスポンスとして弾性波共振子１０のＩＤＴでピックアップされることを抑制できる。これにより、所定の周波数帯域において不要なレスポンスが発生することを抑制でき、大きなリターンロスが生じることを抑制できる。以下、弾性波共振子１０のリターンロスについて説明する。
　［弾性波共振子のリターンロス］
　弾性波共振子１０のリターンロスについて、図３および図４を参照しながら説明する。
　図３は、比較例１および実施例１、２の弾性波共振子の反射器波長、ＩＤＴ－反射器ギャップおよびリターンロス等を示す図である。
　同図には、弾性波共振子の第１の反射器波長λｒ１、第２の反射器波長λｒ２、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１および第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２のそれぞれの値が示されている。また、同図には、第１の反射器波長λｒ１をＩＤＴ波長λｉで除算した値である第１の反射器波長比λｒ１／λｉが示され、第２の反射器波長λｒ２をＩＤＴ波長λｉで除算した値である第２の反射器波長比λｒ２／λｉが示されている。また、同図には、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１を第１の反射器波長λｒ１で除算した値である第１のギャップ波長比ｇ１／λｒ１が示され、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２を第２の反射器波長λｒ２で除算した値である第２のギャップ波長比ｇ２／λｒ２が示されている。
　図３に示すように、比較例１の弾性波共振子では、第１の反射器波長λｒ１が第２の反射器波長λｒ２よりも大きく（λｒ１＞λｒ２）、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１と第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２とが同じ値である（ｇ１＝ｇ２）。
　それに対し、実施例１の弾性波共振子１０は、第１の反射器波長λｒ１が第２の反射器波長λｒ２よりも大きく（λｒ１＞λｒ２）、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さい（ｇ１＜ｇ２）という構成を有している。これを波長λｉ、λｒ１またはλｒ２を分母とする比率で言い換えると、実施例１の弾性波共振子１０は、第１の反射器波長比λｒ１／λｉが第２の反射器波長比λｒ２／λｉよりも大きく、また、第１のギャップ波長比ｇ１／λｒ１が第２のギャップ波長比ｇ２／λｒ２よりも小さいという構成を有する。
　また、実施例２の弾性波共振子１０は、第１の反射器波長λｒ１が第２の反射器波長λｒ２よりも大きく（λｒ１＞λｒ２）、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも大きい（ｇ１＞ｇ２）という構成を有している。これを波長λｉ、λｒ１またはλｒ２を分母とする比率で言い換えると、実施例２の弾性波共振子１０は、第１の反射器波長比λｒ１／λｉが第２の反射器波長比λｒ２／λｉよりも大きく、また、第１のギャップ波長比ｇ１／λｒ１が第２のギャップ波長比ｇ２／λｒ２よりも大きいという構成を有する。
　図４は、比較例１および実施例１、２の弾性波共振子のリターンロスを示す図である。以下では、上記の弾性波共振子を含む弾性波フィルタ装置の通過帯域が２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚである場合について説明する。
　図４に示すように、比較例１では、通過帯域の最も低い周波数である２４９６ＭＨｚ付近にて不要なレスポンスがリップルとして表れ、０．１４６ｄＢのリターンロスが発生している（図３参照）。また、比較例１では、通過帯域の最も高い周波数である２６９０ＭＨｚ付近にて不要なレスポンスが表れ、０．３５６ｄＢのリターンロスが発生している（図３参照）。
　それに対し、実施例１では、通過帯域の最も低い周波数である２４９６ＭＨｚ付近にて不要なレスポンスの発生が抑制されている。例えば、２４９６ＭＨｚ付近における最も大きなリターンロスの値は０．１４０ｄＢであり（図３参照）、比較例１に比べてリターンロスが小さくなっている。また、実施例１では、通過帯域の最も高い周波数である２６９０ＭＨｚ付近にて不要なレスポンスの発生が抑制されている。例えば、２６９０ＭＨｚ付近における最も大きなリターンロスの値は０．３２５ｄＢであり（図３参照）、比較例１および後述する実施例２に比べてリターンロスが小さくなっている。
　また、実施例２では、通過帯域の最も低い周波数である２４９６ＭＨｚ付近にて不要なレスポンスの発生が抑制されている。例えば、２４９６ＭＨｚ付近における最も大きなリターンロスの値は０．１３４ｄＢであり（図３参照）、比較例１および実施例１に比べてリターンロスが小さくなっている。また、実施例２では、通過帯域の最も高い周波数である２６９０ＭＨｚ付近にて不要なレスポンスの発生が抑制されている。例えば、２６９０ＭＨｚ付近における最も大きなリターンロスの値は０．３４４ｄＢであり（図３参照）、比較例１に比べてリターンロスが小さくなっている。
　このように、実施例１および２の弾性波共振子１０は、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２とは異なる値となるように構成されている。
　例えば、実施例１では、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さな値となるように構成されている。この構成によれば、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において不要なレスポンスが発生することを抑制できる。特に、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１を第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さくすることで、通過帯域の最も高い周波数において不要なレスポンスが発生することを抑制できる。
　また、実施例２では、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも大きな値となるように構成されている。この構成によれば、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において不要なレスポンスが発生することを抑制できる。特に、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１を第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも大きくすることで、通過帯域の最も低い周波数において不要なレスポンスが発生することを抑制できる。
　［直列腕共振子および並列腕共振子の構成］
　弾性波フィルタ装置に含まれる直列腕共振子および並列腕共振子の構成について、図５を参照しながら説明する。
　図５は、実施例３の弾性波フィルタ装置１に含まれる直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５および並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の電極パラメータ等を示す図である。なお、同図に示す直列腕共振子および並列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５および並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のそれぞれの全てに適用されるが、それに限られず、少なくとも１つの直列腕共振子および少なくとも１つの並列腕共振子に適用されてもよい。
　同図には、直列腕共振子および並列腕共振子のそれぞれについて、ＩＤＴ電極１１の対数、第１反射器３１の対数、第２反射器３２の対数、ＩＤＴ電極１１の交差幅、ＩＤＴ波長λｉ、第１の反射器波長λｒ１、第２の反射器波長λｒ２が示されている。また、同図には、直列腕共振子および並列腕共振子のそれぞれについて、第１の反射器波長比λｒ１／λｉおよび第２の反射器波長比λｒ２／λｉが示されている。また、同図には、直列腕共振子および並列腕共振子のそれぞれについて、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１、第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２、第１のギャップ波長比ｇ１／λｒ１および第２のギャップ波長比ｇ２／λｒ２が示されている。
　同図に示すように、弾性波フィルタ装置１では、直列腕共振子における第１の反射器波長比λｒ１／λｉと第２の反射器波長比λｒ２／λｉとの差が、並列腕共振子における第１の反射器波長比λｒ１／λｉと第２の反射器波長比λｒ２／λｉとの差よりも大きくなるように構成されている。この構成によれば、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において挿入損失が大きくなることを抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。
　また、同図に示すように、弾性波フィルタ装置１では、直列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が、並列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１よりも小さくなるように構成され、かつ、直列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２が、並列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さくなるように構成されている。これらの構成によれば、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において挿入損失が大きくなることを抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。以下、弾性波フィルタ装置１の通過特性について説明する。
　［弾性波フィルタ装置の通過特性等］
　弾性波フィルタ装置１の通過特性等について、図６および図７を参照しながら説明する。
　図６は、実施例３および比較例２、３の弾性波フィルタ装置に含まれる直列腕共振子および並列腕共振子の反射器波長、ＩＤＴ－反射器ギャップ等を示す図である。なお、図６には、弾性波フィルタ装置の挿入損失も示されている。
　同図に示すように、実施例３の弾性波フィルタ装置１では、第１の反射器波長比λｒ１／λｉと第２の反射器波長比λｒ２／λｉとの差が、直列腕共振子と並列腕共振子とで異なるように構成されている。具体的には、直列腕共振子における第１の反射器波長比と第２の反射器波長比との差（λｒ１／λｉ－λｒ２／λｉ）が０．０２であり、並列腕共振子における第１の反射器波長比と第２の反射器波長比との差（λｒ１／λｉ－λｒ２／λｉ）が０．００５であり、第１の反射器波長比と第２の反射器波長比との差が、並列腕共振子よりも直列腕共振子のほうが大きくなるように構成されている。
　また、同図に示すように、実施例３の弾性波フィルタ装置１では、直列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１が、並列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１よりも小さくなるように構成されている。また、弾性波フィルタ装置１では、直列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２が、並列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さくなるように構成されている。
　一方、比較例２および比較例３のそれぞれでは、第１の反射器波長比λｒ１／λｉと第２の反射器波長比λｒ２／λｉとの差が、直列腕共振子と並列腕共振子とで同じ値になるように構成されている。具体的には、直列腕共振子における第１の反射器波長比と第２の反射器波長比とが同じ値になるように構成され、また、並列腕共振子における第１の反射器波長比と第２の反射器波長比とが同じ値になるように構成されている。その結果、直列腕共振子における第１の反射器波長比と第２の反射器波長比との差（λｒ１／λｉ－λｒ２／λｉ）が０となり、並列腕共振子における第１の反射器波長比と第２の反射器波長比との差（λｒ１／λｉ－λｒ２／λｉ）が０となり、第１の反射器波長比と第２の反射器波長比との差が、直列腕共振子と並列腕共振子とで同じ値になっている。
　図７は、実施例３および比較例２、３の弾性波フィルタ装置の通過特性を示す図である。前述したように、弾性波フィルタ装置１の通過帯域は、２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚである。ここでは、不要なレスポンスの発生し得る周波数が、通過帯域の低い高い周波数および最も高い周波数に重なる場合について説明する。
　図７に示すように、比較例２では、通過帯域の最も高い周波数である２６９０ＭＨｚにて、０．７８ｄＢの挿入損失が発生している（図６参照）。それに対し実施例３では、過帯域の最も高い周波数における挿入損失は０．７５ｄＢであり（図６参照）、比較例２に比べて挿入損失が小さくなっている。
　また、比較例３では、通過帯域の最も低い周波数である２４９６ＭＨｚにて、１．２６ｄＢの挿入損失が発生している（図６参照）。それに対し、実施例３では、通過帯域の最も低い周波数における挿入損失は１．２３ｄＢであり（図６参照）、比較例３に比べて挿入損失が小さくなっている。
　このように、実施例３の弾性波フィルタ装置１によれば、通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数の片方でなく両方において、挿入損失が大きくなることを抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。
　（実施の形態２）
　本実施の形態では、弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタが、共通端子に直接的または間接的に接続されている構成を有するマルチプレクサについて示す。
　図８は、実施の形態２に係るマルチプレクサ５およびその周辺回路（アンテナ４）の回路構成図である。同図に示されたマルチプレクサ５は、弾性波フィルタ装置１と、弾性波フィルタ装置１とは異なる他のフィルタ３と、共通端子７０と、入出力端子８１および８２と、を備える。
　弾性波フィルタ装置１は、実施の形態１に係る弾性波フィルタ装置１であって、弾性波フィルタ装置１の入出力端子５０が入出力端子８１に接続され、弾性波フィルタ装置１の入出力端子６０が共通端子７０に接続されている。
　他のフィルタ３は、共通端子７０および入出力端子８２に接続されている。他のフィルタ３は、例えば、並列腕共振子および直列腕共振子を有するラダー型の弾性波フィルタ装置であるが、ＬＣフィルタなどであってもよく、その回路構成は特に限定されない。
　このように、マルチプレクサ５は、弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタを備え、複数のフィルタのそれぞれの入出力端子８１、８２の一方は、共通端子７０に直接的または間接的に接続されている。これによれば、通過特性が劣化することを抑制できる弾性波フィルタ装置１を備えるマルチプレクサ５を提供できる。
　なお、弾性波フィルタ装置１の通過帯域は、他のフィルタ３の通過帯域よりも高周波側に位置していてもよい。すなわち、複数のフィルタのうち、弾性波フィルタ装置１を除く他のフィルタ３の少なくとも１つは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の周波数より低い通過帯域を有していてもよい。この場合、複数の弾性波共振子１０のうち、第１経路ｒ１上において共通端子７０の最も近くに配置されている弾性波共振子が、第１の反射器波長が第２の反射器波長よりも大きく、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップが第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さいという構成を有していてもよい。
　あるいは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域は、他のフィルタ３の通過帯域よりも低周波側に位置していてもよい。すなわち、複数のフィルタのうち、弾性波フィルタ装置１を除く他のフィルタ３の少なくとも１つは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の周波数より高い通過帯域を有していてもよい。これら場合、複数の弾性波共振子１０のうち、第１経路ｒ１上において共通端子７０の最も近くに配置されている弾性波共振子が、第１の反射器波長が第２の反射器波長よりも大きく、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップが第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さいという構成を有していてもよい。
　また、弾性波フィルタ装置１および他のフィルタ３は、図８に示すように共通端子７０に直接接続されていなくてもよく、例えば、インピーダンス整合回路、移相器、サーキュレータ、または、２以上のフィルタを選択可能なスイッチ素子、を介して共通端子７０に間接的に接続されていてもよい。また、本実施の形態では、マルチプレクサ５として、２つのフィルタが共通端子７０に接続された回路構成としたが、共通端子７０に接続されるフィルタの数は２つに限定されず、３以上であってもよい。
　（まとめ）
　本実施の形態に係る弾性波共振子１０は、圧電性基板１００上に形成され、圧電性基板１００の主面１００ａに平行な第１方向ｄ１に延びる複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂを有するＩＤＴ電極１１と、圧電性基板１００の主面１０ａに平行であって第１方向ｄ１に交差する第２方向ｄ２においてＩＤＴ電極１１の隣りに配置された第１反射器３１と、第２方向ｄ２において、ＩＤＴ電極１１の隣りであって、ＩＤＴ電極１１から見て第１反射器３１の反対側に配置された第２反射器３２と、を備える。ＩＤＴ電極１１は、一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂを有し、一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂは、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂと、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃと、を有する。第１反射器３１は、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第１反射電極指３１ａを有し、第２反射器３２は、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第２反射電極指３２ａを有する。第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第１反射電極指３１ａの配列ピッチｐｒ１の２倍である第１の反射器波長λｒ１は、第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第２反射電極指３２ａの配列ピッチｐｒ２の２倍である第２の反射器波長λｒ２よりも大きい（λｒ１＞λｒ２）。複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのうち第１反射器３１に最近接する櫛歯電極指の中心と複数の第１反射電極指３１ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する第１反射電極指３１ａの中心との距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１は、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのうち第２反射器３２に最近接する櫛歯電極指の中心と複数の第２反射電極指３２ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する第２反射電極指３２ａの中心との距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さい（ｇ１＜ｇ２）。
　このように、第１の反射器波長λｒ１を第２の反射器波長λｒ２よりも大きくし、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１を第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さくすることで、不要なレスポンスが弾性波共振子１０のＩＤＴでピックアップされることを抑制できる。これにより、所定の周波数帯域において不要なレスポンスが発生することを抑制できる。
　本実施の形態に係る弾性波フィルタ装置１は、上記の弾性波共振子１０を複数備える。複数の弾性波共振子１０は、２つの入出力端子５０、６０を結ぶ第１経路ｒ１上に配置された１以上の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５と、第１経路ｒ１上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された１以上の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４と、を含む。１以上の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５のうちの少なくとも１つの直列腕共振子において、第１の反射器波長λｒ１を一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂの複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチｐｉの２倍であるＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ１／λｉ）と、第２の反射器波長λｒ２を当該ＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ２／λｉ）との差は、１以上の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうちの少なくとも１つの並列腕共振子において、第１の反射器波長λｒ１を一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂの複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチｐｉの２倍であるＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ１／λｉ）と、第２の反射器波長λｒ２を当該ＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ２／λｉ）との差よりも大きい。
　この構成によれば、第１の反射器波長比（λｒ１／λｉ）と第２の反射器波長比（λｒ２／λｉ）との差が、並列腕共振子よりも直列腕共振子のほうが大きくなる。これによれば、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において挿入損失が大きくなることを抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。
　また、上記少なくとも１つの直列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１は、上記少なくとも１つの並列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１よりも小さく、上記少なくとも１つの直列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２は、上記少なくとも１つの並列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さくてもよい。
　このように、直列腕共振子のＩＤＴ－反射器ギャップを並列腕共振子のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さくすることで、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において挿入損失が大きくなることを抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。
　また、１以上の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５の全ての直列腕共振子において、第１の反射器波長λｒ１を一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂの複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチｐｉの２倍であるＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ１／λｉ）と、第２の反射器波長λｒ２を当該ＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ２／λｉ）との差は、１以上の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の全ての並列腕共振子において、第１の反射器波長λｒ１を一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂの複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチｐｉの２倍であるＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ１／λｉ）と、第２の反射器波長λｒ２を当該ＩＤＴ波長λｉで除算した値（λｒ２／λｉ）との差よりも大きくてもよい。
　このように、全ての直列腕共振子および全ての並列腕共振子が上記の構成を備えることで、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において挿入損失が大きくなることをさらに抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。
　また、全ての直列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１は、全ての並列腕共振子における第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１よりも小さく、全ての直列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２は、全ての並列腕共振子における第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも小さくてもよい。
　このように、全ての直列腕共振子および全ての並列腕共振子が上記の構成を備えることで、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の最も低い周波数および最も高い周波数において挿入損失が大きくなることをさらに抑制できる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過特性が劣化することを抑制できる。
　本実施の形態に係るマルチプレクサ５は、上記の弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタを備え、複数のフィルタのそれぞれの入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続されている。
　これによれば、通過特性の劣化を抑制することができる弾性波フィルタ装置１を備えるマルチプレクサ５を提供できる。
　本実施の形態に係る弾性波共振子１０は、圧電性基板１００上に形成され、圧電性基板１００の主面１００ａに平行な第１方向ｄ１に延びる複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂを有するＩＤＴ電極１１と、圧電性基板１００の主面１０ａに平行であって第１方向ｄ１に交差する第２方向ｄ２においてＩＤＴ電極１１の隣りに配置された第１反射器３１と、第２方向ｄ２において、ＩＤＴ電極１１の隣りであって、ＩＤＴ電極１１から見て第１反射器３１の反対側に配置された第２反射器３２と、を備える。ＩＤＴ電極１１は、一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂを有し、一対の櫛形電極１１Ａ、１１Ｂは、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂと、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃと、を有する。第１反射器３１は、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第１反射電極指３１ａを有し、第２反射器３２は、第１方向ｄ１に延びかつ第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第２反射電極指３２ａを有する。第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第１反射電極指３１ａの配列ピッチｐｒ１の２倍である第１の反射器波長λｒ１は、第２方向ｄ２に沿って配列された複数の第２反射電極指３２ａの配列ピッチｐｒ２の２倍である第２の反射器波長λｒ２よりも大きい（λｒ１＞λｒ２）。複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのうち第１反射器３１に最近接する櫛歯電極指の中心と複数の第１反射電極指３１ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する第１反射電極指３１ａの中心との距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１は、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのうち第２反射器３２に最近接する櫛歯電極指の中心と複数の第２反射電極指３２ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する第２反射電極指３２ａの中心との距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも大きい（ｇ１＞ｇ２）。
　このように、第１の反射器波長λｒ１を第２の反射器波長λｒ２よりも大きくし、かつ、第１のＩＤＴ－反射器ギャップｇ１を第２のＩＤＴ－反射器ギャップｇ２よりも大きくすることで、不要なレスポンスが弾性波共振子１０のＩＤＴでピックアップされることを抑制できる。これにより、所定の周波数帯域において不要なレスポンスが発生することを抑制できる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明の実施の形態に係る弾性波共振子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサについて、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明の弾性波共振子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサは、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる実施例や、本開示の弾性波共振子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、図５では、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５のうちの１つの直列腕共振子を例に挙げ、および、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうちの１つの並列腕共振子を例に挙げて示したが、図５に示す条件を備えた直列腕共振子および並列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５および並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の全部に限られず、それぞれ１つ以上であればよい。
　また、本発明に係る弾性波フィルタ装置１は、さらに、インダクタおよびキャパシタなどの回路素子を備えてもよい。
　また、本発明に係る弾性波共振子は、実施の形態１のような弾性表面波共振子でなくてもよく、弾性境界波を利用した弾性波共振子であってもよい。
　また、前述したように、圧電性基板１００は、少なくとも一部に圧電体層を有する基板であってもよく、圧電体層を有する積層構造であってもよい。圧電性基板１００は、例えば、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電体層とを備え、高音速支持基板、低音速膜および圧電体層がこの順で積層された構造を有していてもよい。以下、高音速支持基板、低音速膜および圧電体層の構成について説明する。
　圧電体層は、例えば、θ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にθ°回転した軸を法線とする面で切断したニオブ酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。
　高音速支持基板は、低音速膜、圧電体層ならびに電極１１０を支持する基板である。高音速支持基板は、さらに、圧電体層を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電体層および低音速膜が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板は、例えば、シリコン基板である。なお、高音速支持基板は、（１）窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、または水晶等の圧電体、（２）アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、またはフォルステライト等の各種セラミック、（３）マグネシアダイヤモンド、（４）上記各材料を主成分とする材料、ならびに、（５）上記各材料の混合物を主成分とする材料、のいずれかで構成されていてもよい。
　低音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層と高音速支持基板との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする膜である。
　圧電性基板１００の上記積層構造によれば、圧電性基板１００を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および***振周波数における弾性波共振子のＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
　なお、高音速支持基板は、支持基板と、圧電体層を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
　なお、圧電性基板１００の上記積層構造において例示した各層の材料などは一例であり、例えば、要求される高周波伝搬特性のうち重視すべき特性に応じて変更されるものである。
　本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された低損失の弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１　　　弾性波フィルタ装置
　３　　　他のフィルタ
　４　　　アンテナ
　５　　　マルチプレクサ
　１０　　弾性波共振子
　１１　　ＩＤＴ電極
　１１Ａ、１１Ｂ　櫛形電極
　１１ａ、１１ｂ　櫛歯電極指
　１１ｃ　バスバー電極
　３１　　第１反射器
　３１ａ　第１反射電極指
　３１ｃ　バスバー電極
　３２　　第２反射器
　３２ａ　第２反射電極指
　３２ｃ　バスバー電極
　５０、６０　入出力端子
　７０　　共通端子
　８１、８２　入出力端子
　１００　圧電性基板
　１００ａ　主面
　１１０　電極
　１１１　密着層
　１１２　主電極層
　１１３　保護膜
　ｄ１　　第１方向
　ｄ２　　第２方向
　ｇ１　　第１のＩＤＴ－反射器ギャップ
　ｇ２　　第２のＩＤＴ－反射器ギャップ
　ｐｉ　　櫛歯電極指の配列ピッチ
　ｐｒ１　第１反射電極指の配列ピッチ
　ｐｒ２　第２反射電極指の配列ピッチ
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４　並列腕共振子
　ｒ１　　第１経路
　Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｐ５　直列腕共振子
　λｉ　　ＩＤＴ波長
　λｒ１　第１の反射器波長
　λｒ２　第２の反射器波長
　λｒ１／λｉ　第１の反射器波長比
　λｒ２／λｉ　第２の反射器波長比
　ｇ１／λｒ１　第１のギャップ波長比
　ｇ２／λｒ２　第２のギャップ波長比

Claims (7)

  1. 　圧電性基板上に形成され、前記圧電性基板の主面に平行な第１方向に延びる複数の櫛歯電極指を有するＩＤＴ電極と、
    　前記圧電性基板の主面に平行であって前記第１方向に交差する第２方向において前記ＩＤＴ電極の隣りに配置された第１反射器と、
    　前記第２方向において、前記ＩＤＴ電極の隣りであって、前記ＩＤＴ電極から見て前記第１反射器の反対側に配置された第２反射器と、
    　を備え、
    　前記ＩＤＴ電極は、一対の櫛形電極を有し、
    　前記一対の櫛形電極は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された前記複数の櫛歯電極指と、前記複数の櫛歯電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、
    　前記第１反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第１反射電極指を有し、
    　前記第２反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第２反射電極指を有し、
    　前記第２方向に沿って配列された前記複数の第１反射電極指の配列ピッチの２倍である第１の反射器波長は、前記第２方向に沿って配列された前記複数の第２反射電極指の配列ピッチの２倍である第２の反射器波長よりも大きく、
    　前記複数の櫛歯電極指のうち前記第１反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第１反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第１反射電極指の中心との距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップは、
    　前記複数の櫛歯電極指のうち前記第２反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第２反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第２反射電極指の中心との距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さい
    　弾性波共振子。
  2. 　請求項１に記載の弾性波共振子を複数備える弾性波フィルタ装置であって、
    　複数の前記弾性波共振子は、２つの入出力端子を結ぶ第１経路上に配置された１以上の直列腕共振子と、前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された１以上の並列腕共振子と、を含み、
    　前記１以上の直列腕共振子のうちの少なくとも１つの直列腕共振子において、前記第１の反射器波長を前記一対の櫛形電極の前記複数の櫛歯電極指の配列ピッチの２倍であるＩＤＴ波長で除算した値と、前記第２の反射器波長を当該ＩＤＴ波長で除算した値との差は、
    　前記１以上の並列腕共振子のうちの少なくとも１つの並列腕共振子において、前記第１の反射器波長を前記一対の櫛形電極の前記複数の櫛歯電極指の配列ピッチの２倍であるＩＤＴ波長で除算した値と、前記第２の反射器波長を当該ＩＤＴ波長で除算した値との差よりも大きい
    　弾性波フィルタ装置。
  3. 　前記少なくとも１つの直列腕共振子における前記第１のＩＤＴ－反射器ギャップは、前記少なくとも１つの並列腕共振子における前記第１のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さく、
    　前記少なくとも１つの直列腕共振子における前記第２のＩＤＴ－反射器ギャップは、前記少なくとも１つの並列腕共振子における前記第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さい
    　請求項２に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. 　前記１以上の直列腕共振子の全ての直列腕共振子において、前記第１の反射器波長を前記一対の櫛形電極の前記複数の櫛歯電極指の配列ピッチの２倍であるＩＤＴ波長で除算した値と、前記第２の反射器波長を当該ＩＤＴ波長で除算した値との差は、
    　前記１以上の並列腕共振子の全ての並列腕共振子において、前記第１の反射器波長を前記一対の櫛形電極の前記複数の櫛歯電極指の配列ピッチの２倍であるＩＤＴ波長で除算した値と、前記第２の反射器波長を当該ＩＤＴ波長で除算した値との差よりも大きい
    　請求項２に記載の弾性波フィルタ装置。
  5. 　前記全ての直列腕共振子における前記第１のＩＤＴ－反射器ギャップは、前記全ての並列腕共振子における前記第１のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さく、
    　前記全ての直列腕共振子における前記第２のＩＤＴ－反射器ギャップは、前記全ての並列腕共振子における前記第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも小さい
    　請求項４に記載の弾性波フィルタ装置。
  6. 　請求項２～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、
    　前記複数のフィルタのそれぞれの入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続されている
    　マルチプレクサ。
  7. 　圧電性基板上に形成され、前記圧電性基板の主面に平行な第１方向に延びる複数の櫛歯電極指を有するＩＤＴ電極と、
    　前記圧電性基板の主面に平行であって前記第１方向に交差する第２方向において前記ＩＤＴ電極の隣りに配置された第１反射器と、
    　前記第２方向において、前記ＩＤＴ電極の隣りであって、前記ＩＤＴ電極から見て前記第１反射器の反対側に配置された第２反射器と、
    　を備え、
    　前記ＩＤＴ電極は、一対の櫛形電極を有し、
    　前記一対の櫛形電極は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された前記複数の櫛歯電極指と、前記複数の櫛歯電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、
    　前記第１反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第１反射電極指を有し、
    　前記第２反射器は、前記第１方向に延びかつ前記第２方向に沿って配列された複数の第２反射電極指を有し、
    　前記第２方向に沿って配列された前記複数の第１反射電極指の配列ピッチの２倍である第１の反射器波長は、前記第２方向に沿って配列された前記複数の第２反射電極指の配列ピッチの２倍である第２の反射器波長よりも大きく、
    　前記複数の櫛歯電極指のうち前記第１反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第１反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第１反射電極指の中心との距離である第１のＩＤＴ－反射器ギャップは、
    　前記複数の櫛歯電極指のうち前記第２反射器に最近接する櫛歯電極指の中心と前記複数の第２反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する第２反射電極指の中心との距離である第２のＩＤＴ－反射器ギャップよりも大きい
    　弾性波共振子。
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