JPH10215144A - 弾性表面波共振子及び弾性表面波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スプリアスの悪影響を抑制し、低損失の弾性
表面波（ＳＡＷ）共振子及びこれを用いたＳＡＷ装置を
提供する。 【解決手段】 ＩＤＴ１４と左側の反射器１５_l の距離
ｄ_l と、ＩＤＴ１４と右側の反射器１５_r の距離ｄ_r と
を、異なる値に設定している。そのため、左側反射器１
５_l のスプリアスと右側反射器１５_r のスプリアスの発
生する周波数帯域が異なり、そのスプリアスのレベルが
加算されずに２個の独立したスプリアスになる。そのた
め、従来の１個のスプリアスが、例えばこれより半分の
大きさ程度の２個のスプリアスに分散される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波共振子
とこれを用いて構成した共振器型弾性表面波フィルタ等
の弾性表面波装置、特にその共振器型弾性表面波フィル
タ等の構成に必要不可欠な弾性表面波共振子のスプリア
ス抑制設計方式に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、弾性表面波装置は弾性表面波
（Surface Acoustic Wave 、以下「ＳＡＷ」という）を
励振するためのすだれ状トランスデューサ（Interdigit
al Transducer 、以下「ＩＤＴ」という）を有し、この
ＩＤＴを加工することによってＳＡＷ装置にいろいろな
特性や機能をもたせることができる。従来、ＳＡＷ装置
といえば主にＳＡＷフィルタを指すことが多く、そして
このＳＡＷフィルタの中では多電極型ＳＡＷフィルタが
主として用いられていた。近年、多電極型ＳＡＷフィル
タの他に共振器型ＳＡＷフィルタの研究開発も盛んにな
り、ＳＡＷフィルタといえば必ずしも多電極型ＳＡＷフ
ィルタを意味しなくなってきている。

【０００３】図２は、従来の一般的なＳＡＷ共振子の平
面図である。このＳＡＷ共振子は、圧電基板１を有して
いる。圧電基板１上には、入力端子２と、出力端子３
と、アルミニウム薄膜等からなる複数の電極指を有する
ＳＡＷ励振用ＩＤＴ４と、該ＩＤＴ４の左右から漏洩し
たＳＡＷを該ＩＤＴ４に戻すために音響的に反射するア
ルミニウム薄膜等からなる複数の電極指を有する左側の
反射器５_l 及び右側の反射器５_r と、アースのボンディ
ングパッド６とが形成されている。このＳＡＷ共振子
は、構造上、入力側と出力側が対称になっているので、
入力端子２を出力端子に、出力端子３を入力端子にして
もよい。通常、隣接しているＩＤＴ４の電極指と、反射
器５_l ，５_r の電極指のピッチ（即ち、隣接している２
本の電極指中心間隔）は、該ＩＤＴ４の電極指のピッチ
と同じく、励振ＳＡＷの半波長になるように設計され
る。一方、ボンディングパッド６もＩＤＴ４と同じ厚み
なので、該ＩＤＴ４の膜厚が４０００Å以上あれば、そ
の上に金のボンディングパッドを設ける必要なく、その
ままボンディング可能である。反射器５_l ，５_r はＩＤ
Ｔ４と同時に形成されるので、該反射器５_l ，５_r の材
質（Ａｌ）と膜厚はＩＤＴ４と同じであるが、用途によ
って不要になる場合もある。同様に、ＩＤＴ４にも使用
目的によって多少のバリエーションがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＡＷ共振子とこれを用いたＳＡＷ装置では、次のよう
な問題があり、これを解決することが困難であった。反
射器５_l ，５_r がない場合とある場合では、ＳＡＷ共振
子の特性が大きく異なってくる。即ち、反射器５_l ，５
_r がない場合では、ＩＤＴ４の左右から漏洩したＳＡＷ
はそのまま損失となり、ＳＡＷ共振子の伝送損失が大き
くなる。逆に、反射器５_l ，５_r がある場合では、ＩＤ
Ｔ４の左右に漏洩したＳＡＷのエネルギーの大部分が該
反射器５_l ，５_r に反射されてＩＤＴ４に戻るため、伝
送損失が低いが、反射作用によって特性にスプリアスが
発生し、ＳＡＷ共振子の利用範囲を狭めてしまう。図３
（ａ），（ｂ）は従来の課題を説明するための図であっ
て反射器５_l ，５_r をもたないＳＡＷ共振子の特性図で
あり、同図（ａ）はインピーダンス特性図、及び同図
（ｂ）は挿入損失特性図である。各特性には、測定回路
の略図も示されている。図３（ａ）のインピーダンス特
性と図３（ｂ）のスルー状態の挿入損失特性は、一般的
なＬＣ共振子のインピーダンス特性と挿入損失特性と同
じ振る舞いをするが、反射器５_l ，５_r がないので、Ｉ
ＤＴ４の左右に漏洩するＳＡＷのエネルギーが損失とな
り、伝送損失を大きくしてしまう。

【０００５】図４（ａ），（ｂ）は従来の課題を説明す
るための図であって反射器５_l ，５_r を有するＳＡＷ共
振子の特性図であり、同図（ａ）はインピーダンス特性
図、及び同図（ｂ）は挿入損失特性図である。図４
（ａ）のインピーダンス特性中の７ａはインピーダンス
特性のスプリアスであり、さらに同図（ｂ）の挿入損失
特性中の７ｂはその挿入損失特性に現われるスプリアス
である。反射器５_l ，５_r を有しているので、図４
（ｂ）に示すスルー状態の伝送損失は、図３（ｂ）に比
べて大きく改善される代わりに、中心周波数より高域に
おいてスプリアス７ｂが発生する。一方、ＳＡＷ共振子
を用いてＳＡＷ装置の１つである共振器型ＳＡＷフィル
タを構成する場合、スプリアス７ａ，７ｂの存在は一般
的に好ましくない。即ち、利用する周波数帯域内にスプ
リアス７ａ，７ｂが存在すると、挿入損失特性にリップ
ルや吸収帯域が発生し、フィルタ特性に重大な悪影響を
与えかねない。従来、これを抑制するためには、ＳＡＷ
共振子のＩＤＴ４及び反射器５_l ，５_r の膜厚を厚くし
たり、材料をＡｕのような重金属に変えたりする方法が
あるが、うまく調整できなければ、スプリアス７ａ，７
ｂの悪影響だけでなく、中心周波数の調整問題や、伝送
損失の問題等も加わってしまうため、技術的に未だ充分
に満足のゆくものが得られなかった。本発明は、前記従
来技術がもっていた課題を解決し、反射器とＩＤＴの設
計を工夫することにより、スプリアスの悪影響を抑制
し、低損失のＳＡＷ共振子とこれを用いたＳＡＷ装置を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】図５は、本発明の原理を
説明するためのＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器付近の拡
大図である。本発明のＳＡＷ共振子では、複数の電極指
を有するＩＤＴ１４を備え、このＩＤＴ１４の両側に複
数の電極指を有する反射器１５が設けられている。通
常、ＩＤＴ１４のピッチ及び隣接している反射器１５と
該ＩＤＴ１４の電極指同士の中心間の距離ｄは、励振Ｓ
ＡＷの波長λの半波長（＝λ／２）に等しいように設計
される。この場合、スプリアスがある周波数帯域内に発
生するが、距離ｄの値を変えるとスプリアスの発生する
周波数帯域もこれに従って変わり、距離ｄが半波長増減
するごとにスプリアスがもとの周波数帯域に戻る。理論
的及び実験的に確認したところ、距離ｄをλ／２から増
加させるとスプリアスが周波数の低域に移動し、距離ｄ
の増加分がλ／２に達するとスプリアスがもとの位置に
戻る。そのため、距離ｄの値がスプリアスの発生する周
波数帯域を決める重要な要因と言える。以下、断りがな
い限り、次の条件が常に成立しているとする。 λ／２≦ｄ＜λ 一方、ＳＡＷ共振子の左右の反射器のうちの片側（１
５）だけを残しても、スプリアスが従来の周波数帯域に
発生するが、レベルは例えばインピーダンス特性内のル
ープの大きさが従来のスプリアスループの半分であるこ
とがわかった。そのため、左右の反射器の反射で発生す
るスプリアスが完全に独立していると言える。

【０００７】以上のような原理に基づき、本発明のうち
の請求項１の発明では、ＳＡＷ共振子において、ＳＡＷ
を励振するＩＤＴと、前記ＩＤＴの左側に距離ｄ_l （但
し、λ／２≦ｄ_l ＜λ、λはＳＡＷ波長）隔てて配置さ
れ、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射させる左側の反射器
と、前記ＩＤＴの右側に距離ｄ_r （但し、λ／２≦ｄ_r
＜λ）隔てて配置され、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射
させる右側の反射器とが、圧電基板上に形成されてい
る。そして、前記距離ｄ_l とｄ_r を、前記左側及び右側
の反射器の反射作用によって発生するスプリアスを所定
の周波数帯域でかつそのレベルを低く抑えた２個のスプ
リアスに分散しうる異なる値に設定している。このよう
な構成を採用することにより、高周波信号がＩＤＴの入
力側に入力されると、該ＩＤＴに高周波電圧が発生し、
この電極指下の圧電基板の表面が歪み、入力された高周
波信号と同じ周波数のＳＡＷが励振される。励振したＳ
ＡＷは、ＩＤＴの左右に伝搬し、該ＩＤＴの外側に向か
っていくが、左右の反射器に達するとそこで反射が起こ
り、ＩＤＴの両側から反射されたＳＡＷが該ＩＤＴの中
心に向かうようになる。この結果、両反射器間の領域に
ＳＡＷの定在波が発生し、ＩＤＴの出力側から高周波信
号が出力される。この際、反射器からの反射波があるの
で、スプリアスが発生する。ところが、この請求項１の
発明では、ＳＡＷを励振するＩＤＴとこれを挟む左側と
右側の反射器との距離ｄ_l ，ｄ_r を異なる値に設定して
いるので、従来の１個のスプリアスが、例えばこれより
半分の大きさ程度の２個のスプリアスに分散される。

【０００８】請求項２の発明では、ＳＡＷ共振子におい
て、ＳＡＷを励振するＩＤＴと、複数段に分割されて前
記ＩＤＴの左側にそれぞれ距離ｄ_lm（但し、λ／２≦ｄ
_lm＜λ、λはＳＡＷ波長、ｍは分割段数であって正の整
数）隔てて配置され、前記ＳＡＷを該ＩＤＴ側へ反射さ
せる左側の反射器と、複数段に分割されて前記ＩＤＴの
右側にそれぞれ距離ｄ_rn（但し、λ／２≦ｄ_rn＜λ、ｎ
は分割段数であって正の整数）隔てて配置され、前記Ｓ
ＡＷを該ＩＤＴ側へ反射させる右側の反射器とが、圧電
基板上に形成されている。そして、前記距離ｄ_lm，ｄ_rn
のすべてを、前記左側及び右側の反射器の反射作用によ
って発生するスプリアスを所定の周波数帯域でかつその
レベルを低く抑えたｍ＋ｎ個のスプリアスに分散しうる
異なる値に設定している。このような構成を採用するこ
とにより、高周波信号がＩＤＴの入力側に入力される
と、該ＩＤＴ下の圧電基板の表面が歪んで入力された高
周波信号と同じ周波数のＳＡＷが励振する。励振したＳ
ＡＷは、左右の反射器によって反射され、両反射器間の
領域にＳＡＷの定在波が発生し、ＩＤＴの出力側から高
周波信号が出力される。この際、左右の反射器からの反
射波があるので、スプリアスが発生する。ところが、こ
の請求項２の発明では、各左右の反射器を必要に応じて
複数段に分割し、各段とＩＤＴとの距離ｄ_lm，ｄ_rnを様
々な値に設定しているので、従来の１個のスプリアスが
左右の反射器の分割段数に相当する数の小さなスプリア
スに分散される。

【０００９】請求項３の発明では、請求項１または２の
ＳＡＷ共振子を用いてフィルタ等のＳＡＷ装置を構成し
ている。このような構成のＳＡＷ装置では、入力信号が
入力されると、この入力信号の所定帯域がろ波されて出
力される。この際、ＳＡＷ装置を構成するＳＡＷ共振子
で発生するスプリアスが２個あるいは複数個の弱いスプ
リアスに分散され、さらにこれらのスプリアスが不要な
周波数帯域に導き出される。

【００１０】

【発明の実施の形態】第１の実施形態 本発明の第１の実施形態であるＳＡＷ共振子の（１）構
成、（２）動作、及び（３）利点を説明する。 （１） 構成 図１は、本発明の第１の実施形態を示すＳＡＷ共振子の
平面図である。このＳＡＷ共振子は、従来の図２と同様
に、圧電基板１１を有し、この圧電基板１１上に、入力
端子１２と、出力端子１３と、複数の電極指を有する励
振用ＩＤＴ１４と、ＳＡＷをＩＤＴ１４に反射するため
の複数の電極指を有する左側の反射器１５_l 及び右側の
反射器１５_r と、アースのボンディングパッド１６とが
形成されている。入力端子１２及び出力端子１３は、Ｉ
ＤＴ１４に接続されているが、構造上、入力端子１２を
出力端子に、出力端子１３を入力端子にしてもよい。Ｉ
ＤＴ１４、左側の反射器１５_l 、及び右側の反射器１５
_r は、ボンディングパッド１６で囲まれており、これら
のＩＤＴ１４、反射器１５_l ，１５_r 及びボンディング
パッド１６が、例えば膜厚が４０００Å以上のＡｌ等の
薄膜で形成されている。本実施形態のＳＷＡ共振子の構
成は、基本的には従来のものと同じであるが、従来と異
なる点は、左側の反射器１５_l とＩＤＴ１４との距離ｄ
_l と、右側の反射器１５_r とＩＤＴ１４との距離ｄ_r と
が、異なる値に設定されていることである。前述したよ
うに、各反射器１５_l ，１５_r の反射で発生するスプリ
アスは互いに独立しているので、例えば、左側の距離ｄ
_l をλ／２＋λ／８とし、右側の距離ｄ_r を従来と同一
の距離に設定する。

【００１１】（２） 動作 例えば、数ＭＨｚ以上の高周波信号が入力端子１２（ま
たは出力端子１３）に入力されると、この入力端子１２
と電気的に接続するＩＤＴ１４の電極指に高周波電圧が
かかる。高周波電圧がかかると、隣接する出力端子１３
（または入力端子１２）と電気的に接続するＩＤＴ１４
の電極指に、誘導的に高周波電圧が発生するが、位相的
に遅れているため、入力端子１２及び出力端子１３間に
電位差が生じる結果になる。これにより、ＩＤＴ１４の
電極指下の圧電基板１１の表面が歪み、入力された高周
波信号と同じ周波数のＳＡＷが励振する。励振したＳＡ
Ｗは、ＩＤＴ１４の左右に伝搬し、該ＩＤＴ１４の外側
に向かって行くが、左右の反射器１５_l ，１５_r に達す
ると、ここで反射が起こり、ＩＤＴ１４の両側から反射
されたＳＡＷが該ＩＤＴ１４の中心に向かうようにな
る。この結果、両反射器１５_l ，１５_r 間の領域にＳＡ
Ｗの定在波が発生し、入力端子１２側の電極指と出力端
子１３側の電極指の結合が一層強くなり、該出力端子１
３からある帯域の高周波信号が出力される。ここでは、
反射器１５_l ，１５_r からの反射波があるので、スプリ
アスの発生は避けられないが、次のような利点がある。

【００１２】（３） 利点 例えば、距離ｄ_l とｄ_r が等しい場合、左側の反射器１
５_l のスプリアスと右側の反射器１５_r のスプリアスが
同じ周波数帯域に発生するので、そのレベルが加算され
て１個の大きなスプリアスになる。ところが、本実施形
態では左側の距離ｄ_l と右側の距離ｄ_r が異なるため、
左側反射器１５_l のスプリアスと右側反射器１５_r のス
プリアスの発生する周波数の帯域が異なり、この結果、
それらのレベルが加算されずに２個の独立したスプリア
スになる。この状態を図６（ａ），（ｂ）に示す。図６
（ａ），（ｂ）は図１のＳＡＷ共振子の特性図であり、
同図（ａ）はインピーダンス特性図、及び同図（ｂ）は
挿入損失特性図である。図６（ａ）中の１７_al，１７_ar
は、インピーダンス特性に現われるスプリアスである。
また、図６（ｂ）中の１７_bl，１７_brは、挿入損失特性
に現われるスプリアスである。図１のような反射器１５
_l ，１５_r の配置で従来発生する１個の大きなスプリア
スが、図６（ａ），（ｂ）に示すような２個の小さいス
プリアス１７_al，１７_ar，１７_bl，１７_brに分散され
る。距離ｄ_l とｄ_r を前記のようにうまく調整すること
により、スプリアス１７_al，１７_ar，１７_bl，１７_brの
発生する周波数帯域を不要な周波数帯域に導き出すこと
ができ、その上、該スプリアス１７_al，１７_ar，１
７_bl，１７_brのレベルを低く抑えることができる。

【００１３】第２の実施形態 本発明の第２の実施形態であるＳＡＷ共振子の（１）構
成、（２）動作、及び（３）利点を説明する。 （１） 構成 図７は、本発明の第２の実施形態を示すＳＡＷ共振子の
平面図であり、第１の実施形態を示す図１中の要素と共
通の要素には共通の符号が付されている。この第２の実
施形態のＳＡＷ共振子は、基本的には第１の実施形態と
同じであるが、該第１の実施形態をさらに発展させ、図
１のＩＤＴ１４の左側の反射器１５_l を分割（例えば、
２等分した２個の反射器１５_l1，１５_l2）すると共に、
右側の反射器１５_r を分割（例えば、２等分した２個の
反射器１５_r1，１５_r2）し、各部のＩＤＴ１４との距離
を次のようにそれぞれ異なる値に設定している。左側の
２等分された反射器１５_l1，１５_l2とＩＤＴ１４との距
離をｄ_l1，ｄ_l2とし、右側の２等分された反射器１
５_r1，１５_r2とＩＤＴ１４との距離をｄ_r1，ｄ_r2とす
る。そして例えば、距離ｄ_l1をλ／２＋（２／８）λ、
距離ｄ_l2をλ／２＋（３／８）λ、距離ｄ_r1を従来と同
一のλ／２、及び距離ｄ_r2をλ／２＋λ／８にそれぞれ
設定している。

【００１４】（２） 動作 本実施形態のＳＡＷ共振子の動作原理は、第１の実施形
態の動作原理とほぼ同じなので、説明を簡略化する。高
周波信号が入力端子１２に入力されると、ＩＤＴ１４で
ＳＡＷが励振し、この励振したＳＡＷがＩＤＴ１４の左
右に伝搬し、該ＩＤＴ１４までの距離ｄ_l1，ｄ_l2，
ｄ_r1，ｄ_r2が異なった４つの反射器１５_l1，１５_l2，１
５_r1，１５_r2に反射されてＩＤＴ１４に戻る。これによ
り、従来の反射器を有するＳＡＷ共振器と同じように定
在波が発生し、出力端子１３から通過帯域の信号が強く
出力される。反射器１５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2が
あるため、漏洩ＳＡＷエネルギーはほとんどなく、その
出力信号レベルは従来のものと同じであるが、次のよう
な利点を有している。

【００１５】（３） 利点 本実施形態では、ＩＤＴ１４の両側から漏洩したＳＡＷ
エネルギーはそれぞれの反射器１５_l1，１５_l2，１
５_r1，１５_r2に反射されて該ＩＤＴ１４に戻るが、それ
ぞれの反射器１５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2とＩＤＴ
１４との距離ｄ_l1，ｄ_l2，ｄ_r1，ｄ_r2が異なるので、４
つの反射波が生じる。漏洩したＳＡＷエネルギーがＩＤ
Ｔ１４に戻ることで、損失の面において本実施形態のＳ
ＡＷ共振子は従来のＳＡＷ共振子と比べて同じである。
また、各反射波は１つのスプリアスを発生させるので、
本実施形態のＳＡＷ共振子の特性には４つのスプリアス
がある。図８（ａ），（ｂ）は図７のＳＡＷ共振子の特
性図を示すもので、同図（ａ）はインピーダンス特性
図、及び同図（ｂ）は挿入損失特性図である。図８
（ａ）中の１８_al1 ，１８_al2 ，１８_ar1 ，１８
_ar2 は、反射器１５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2のイン
ピーダンス特性によるスプリアスである。また、図８
（ｂ）中の１８_bl1 ，１８_bl2 ，１８_br1 ，１８
_br2 は、反射器１５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2による
挿入損失特性のスプリアスである。反射器１５_r1による
スプリアス１８_ar1 または１８_br1 の周波数帯域は、従
来のＳＡＷ共振子のスプリアスの周波数帯域で、反射器
１５_r2，１５_l1，１５_l2によるスプリアス１８_ar2 ，１
８_al1 ，１８_al2 または１８_br2 ，１８_bl1 ，１８_bl2
の周波数帯域は、従来のスプリアスの周波数帯域より低
域に移動する。このように反射器１５_l1，１５_l2，１５
_r1，１５_r2を分割すると、スプリアス１８_al1 ，１８
_al2 ，１８_ar1 ，１８_ar2 ，１８_bl1 ，１８_bl2 ，１８
_br1 ，１８_br2 も分散し、その数は分割された反射器１
５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2の数と同じになるが、大
きさがその分だけ小さくなる。

【００１６】第３の実施形態 従来のＳＡＷ共振子や上記実施形態のＳＡＷ共振子は、
水晶共振子やセラミック共振子等と同様に、図９に示す
ような集中定数等価回路図で表すことができる。この等
価回路は、直列に接続したインダクタＬ、キャパシタｃ
₁ 及び抵抗ｒと、これと並列に接続したキャパシタＣ₀
とで構成されている。このようなＳＡＷ共振子は、共振
周波数と***振周波数をもっており、これを用いたＳＡ
Ｗ装置である帯域フィルタを構成する理論は古くから知
られているので、これについての詳細な説明は省略する
が、第１の実施形態である図１のＳＡＷ共振子を用いた
帯域フィルタの構成例を図１０に示す。図１０は、本発
明の第３の実施形態を示す４段はしご型フィルタの構成
図である。この４段はしご型フィルタは、図１のＳＡＷ
共振子を用いて構成したもので、２個の直列腕共振子２
２，２４と、３個の並列腕共振子２１，２３，２５とで
構成されている。図１１（ａ），（ｂ）は従来のＳＡＷ
共振子を用いて構成したはしご型フィルタと図１０のは
しご型フィルタの特性図を示すもので、同図（ａ）は従
来のＳＡＷ共振子を用いて構成したはしご型フィルタの
挿入損失特性図、及び同図（ｂ）は図１０のはしご型フ
ィルタの挿入損失特性図である。

【００１７】従来、ＳＡＷ共振子を用いてはしご型フィ
ルタを構成するとき、直列腕共振子の共振周波数と並列
腕共振子の***振周波数がなるべく一致するように調整
する必要がある。例えば、このような条件が満たされれ
ば、はしご型フィルタの挿入損失特性は図１１（ａ）の
ような特性になる。この図１１（ａ）中の３１は通過帯
域、３２はスプリアスを示す。従来のはしご型フィルタ
では、挿入損失の低い周波数帯域が通過帯域３１にな
り、これ以外が禁止帯域になる。また、従来の反射器を
有するＳＡＷ共振子を用いてはしご型フィルタを構成す
ると、スプリアス３２も発生する。図１１（ａ）から明
らかなように、直列腕ＳＡＷ共振子が１個の大きいスプ
リアスをもっているので、はしご型フィルタも１個の大
きいスプリアス３２をもつことになる。これに対し、第
１の実施形態のＳＡＷ共振子を用いて図１０のようなは
しご型フィルタを構成すれば、その挿入損失特性が図１
１（ｂ）のようになる。このはしご型フィルタでは、直
列腕共振子２２，２４が２個の小さいスプリアスをもっ
ているので、該はしご型フィルタも２個の小さいスプリ
アス４１（ここで、２個のスプリアスを１つの名称にま
とめる）をもつことになる。このような第１の実施形態
のＳＡＷ共振子を用いることによって、従来のＳＡＷ共
振子で構成されたはしご型フィルタの悪影響の強い１個
のスプリアス３２を、２個の悪影響の弱いスプリアス４
１に分散させ、さらに各反射器１５_l ，１５_r の配置の
調整で、それぞれのスプリアスを不要な周波数帯域に導
き出すことができる。

【００１８】第４の実施形態 本願発明の第４の実施形態では、第２の実施形態を示す
図７のＳＡＷ共振子を用いて図１０のようなはしご型フ
ィルタを構成している。図１２は、第２の実施形態を示
す図７のＳＡＷ共振子を用いて構成した本発明の第４の
実施形態のはしご型フィルタの挿入損失特性図である。
図１２に示すように、直列腕共振子（図１０の２２，２
４に相当）が４個の小さいスプリアスをもっているの
で、本実施形態のはしご型フィルタも４個の小さいスプ
リアス５１（ここで４個のスプリアスを１つの名称にま
とめる）をもつことになる。また、各スプリアス５１の
大きさも、従来のＳＡＷ共振子を用いたはしご型フィル
タの１／４になり、さらに第１の実施形態のＳＡＷ共振
子を用いた第３の実施形態のはしご型フィルタの１／２
になる。このように、スプリアス５１を分散させると、
スプリアスの悪影響がさらに低下し、フィルタ特性がよ
り向上する。

【００１９】なお、本発明は上記実施形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で
は、左右の反射器１５_l ，１５_r とＩＤＴ１４との距離
ｄ_l ，ｄ_r を異なった値にしたり、左右の反射器１
５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2をそれぞれ２等分割し、
得られた４つの反射器１５_l1，１５_l2，１５_r1，１５_r2
をＩＤＴ１４からすべて異なった値の距離ｄ_l1，ｄ_l2，
ｄ_r1，ｄ_r2に配置したりしているが、これらの反射器の
分割の仕方や配置の仕方は図示のものに限定されず、種
々の変形が可能である。また、これらのＳＡＷ共振子を
用いて構成したＳＡＷ装置は、図１０のような４段はし
ご型フィルタに限定されず、他の構成の装置であっても
よい。

【００２０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１の
発明によれば、ＳＡＷを励振するＩＤＴとこれを挟む左
右の反射器との距離ｄ_l とｄ_r を異なる値に設定したの
で、左側の反射器のスプリアスと右側の反射器のスプリ
アスの発生する周波数帯域が異なり、従来の１個のスプ
リアスを、これより例えば半分の大きさ程度の２個のス
プリアスに分散させることができる。従って、スプリア
スの発生する周波数帯域を不要な周波数帯域に導き出す
ことができ、しかもスプリアスのレベルを低く抑えるこ
とができる。請求項２の発明によれば、各左右の反射器
を必要に応じて複数段に分割し、各段とＩＤＴとの距離
ｄ_lm，ｄ_rnを様々な値に設定したので、従来の１個のス
プリアスを、左右の反射器の分割段数に相当する数の小
さなスプリアスに分散させることができる。従って、ス
プリアスの発生する周波数帯域を不要な周波数帯域に導
き出すことができ、しかもスプリアスのレベルを低く抑
えることができる。請求項３の発明によれば、請求項１
または２のＳＡＷ共振子を用いてフィルタ等のＳＡＷ装
置を構成したので、スプリアスが分散されてスプリアス
の悪影響が低下し、フィルタ特性等を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示すＳＡＷ共振子の
平面図である。

【図２】従来のＳＡＷ共振子の平面図である。

【図３】反射器をもたないＳＡＷ共振子の特性図であ
る。

【図４】反射器を有するＳＡＷ共振子の特性図である。

【図５】本発明の原理を説明するためのＳＡＷ共振子の
ＩＤＴと反射器付近の拡大図である。

【図６】図１のＳＡＷ共振子の特性図である。

【図７】本発明の第２の実施形態を示すＳＡＷ共振子の
平面図である。

【図８】図７のＳＡＷ共振子の特性図である。

【図９】ＳＡＷ共振子の集中定数等価回路図である。

【図１０】本発明の第３の実施形態を示す４段はしご型
フィルタの構成図である。

【図１１】従来と図１０のはしご型フィルタの特性図で
ある。

【図１２】図７のＳＡＷ共振子を用いて構成した本発明
の第４の実施形態のはしご型フィルタの挿入損失特性図
である。

【符号の説明】

１１ 圧電基板 １２ 入力端子 １３ 出力端子 １４ ＩＤＴ １５ 反射器 １５_l ，１５_l1，１５_l2 左側反射器 １５_r ，１５_r1，１５_r2 右側反射器 ２１，２３，２５ 並列腕共振子 ２２，２４ 直列腕共振子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弾性表面波を励振するすだれ状トランス
   デューサと、 前記トランスデューサの左側に距離ｄ_l （但し、λ／２
   ≦ｄ_l ＜λ、λは弾性表面波波長）隔てて配置され、前
   記弾性表面波を該トランスデューサ側へ反射させる左側
   の反射器と、 前記トランスデューサの右側に距離ｄ_r （但し、λ／２
   ≦ｄ_r ＜λ）隔てて配置され、前記弾性表面波を該トラ
   ンスデューサ側へ反射させる右側の反射器とが、圧電基
   板上に形成され、 前記距離ｄ_l とｄ_r を、前記左側及び右側の反射器の反
   射作用によって発生するスプリアスを所定の周波数帯域
   でかつそのレベルを低く抑えた２個のスプリアスに分散
   しうる異なる値に設定したことを特徴とする弾性表面波
   共振子。
2. 【請求項２】 弾性表面波を励振するすだれ状トランス
   デューサと、 複数段に分割されて前記トランスデューサの左側にそれ
   ぞれ距離ｄ_lm（但し、λ／２≦ｄ_lm＜λ、λは弾性表面
   波波長、ｍは分割段数であって正の整数）隔てて配置さ
   れ、前記弾性表面波を該トランスデューサ側へ反射させ
   る左側の反射器と、 複数段に分割されて前記トランスデューサの右側にそれ
   ぞれ距離ｄ_rn（但し、λ／２≦ｄ_rn＜λ、ｎは分割段数
   であって正の整数）隔てて配置され、前記弾性表面波を
   該トランスデューサ側へ反射させる右側の反射器とが、
   圧電基板上に形成され、 前記距離ｄ_lm，ｄ_rnのすべてを、前記左側及び右側の反
   射器の反射作用によって発生するスプリアスを所定の周
   波数帯域でかつそのレベルを低く抑えたｍ＋ｎ個のスプ
   リアスに分散しうる異なる値に設定したことを特徴とす
   る弾性表面波共振子。
3. 【請求項３】 請求項１または２の弾性表面波共振子を
   用いて構成した弾性表面波装置。