JP2023044392A - 弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】弾性波素子の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減する。【解決手段】弾性波素子１０は、ＩＤＴ電極１１と反射器１２とを備える。複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチは、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの電極指ピッチｐｉより大きく、反射電極指１２ａと櫛歯電極指（例えば１１ａ）との中心間距離は、複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチの０．９倍以下である。ＩＤＴ電極１１に最も近い反射電極指から数えた反射電極指を順に第ｋの反射電極指とし、ＩＤＴ電極１１に対して最も離れた反射電極指を第（ｎ＋１）の反射電極指とし、第ｋの反射電極指と第（ｋ＋１）の反射電極指との間の電極指ピッチを第ｋの電極指ピッチｐｋとしたとき、第１の電極指ピッチｐ１から第ｋの電極指ピッチｐｋまでの電極指ピッチの値は、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐｎまでの電極指ピッチの値よりも小さい。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサに関する。

近年、携帯電話のデータ伝送速度を向上させるために、マルチバンドシステムが用いられている。その際、複数の周波数帯域の送受信を行う場合があるため、携帯電話のフロントエンド回路には、異なる周波数帯域の高周波信号を通過させる複数のフィルタ装置が配置される。この場合、上記フロントエンド回路に許容される実装スペースには制約があるため、上記複数のフィルタ装置には、小型化、隣接バンドとの高アイソレーションおよび通過帯域の低損失性が要求される。

特許文献１には、伝送特性を改善する弾性表面波装置の構成が開示されている。より具体的には、上記弾性表面波装置は、ＩＤＴ電極および反射器を有する複数の弾性表面波共振子を備えた回路構成を有している。上記回路構成では、ＩＤＴ電極に最も近い反射器の電極指と、反射器に最も近いＩＤＴ電極の電極指との弾性波伝搬方向における中心間距離が、反射器電極の電極指ピッチで規定される波長の０．４５倍以下となっている。この構成により、弾性波共振子の共振周波数よりも低周波側において反射損失が増加することを抑制している。

国際公開第２０１８／１６８８３６号

特許文献１に記載された弾性表面波共振子では、弾性波共振子の共振周波数よりも低周波側において反射損失が増加することを抑制できるが、低周波側の一部の帯域では反射損失を抑制できず、リップルが表れてしまうことがある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、弾性波素子の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減できる弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波素子は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成され、複数の櫛歯状電極を有するＩＤＴ電極と、弾性波伝搬方向において前記ＩＤＴ電極の隣りに配置された反射器と、を備え、前記櫛歯状電極は、前記弾性波伝搬方向に対して交差する方向に延びる電極指である櫛歯電極指を複数有し、前記反射器は、前記弾性波伝搬方向に対して交差する方向に延びる電極指である反射電極指を複数有し、前記ＩＤＴ電極および前記反射器に含まれるそれぞれの複数の前記電極指において、前記弾性波伝搬方向に隣り合う前記電極指同士の中心間距離を電極指ピッチとしたとき、複数の前記反射電極指の電極指ピッチは、複数の前記櫛歯電極指の電極指ピッチより大きく、複数の前記反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最も近い反射電極指と、複数の前記櫛歯電極指のうち前記反射器に最も近い櫛歯電極指との前記弾性波伝搬方向における中心間距離は、複数の前記反射電極指の電極指ピッチの０．９倍以下であり、前記ＩＤＴ電極に最も近い反射電極指から数えて前記ＩＤＴ電極に対して離れる方向の前記反射電極指を順に第ｋの反射電極指（ｋは１以上の整数）とし、前記ＩＤＴ電極に対して最も離れた前記反射電極指を第（ｎ＋１）の反射電極指（ｎはｋより大きい整数）とし、前記第ｋの反射電極指と第（ｋ＋１）の反射電極指との間の電極指ピッチを第ｋの電極指ピッチとしたとき、第１の電極指ピッチから前記第ｋの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値は、前記第（ｋ＋１）の電極指ピッチから第ｎの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値よりも小さい。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波フィルタ装置は、上記の弾性波素子を含む。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上記の弾性波フィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、前記複数のフィルタのそれぞれの入力端子および出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、前記弾性波フィルタ装置を除く前記複数のフィルタの少なくとも１つは、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域の周波数より高い通過帯域を有する。

本発明に係る弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサによれば、弾性波素子の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することが可能となる。

弾性波素子の電極構成を模式的に表す平面図および断面図である。 実施の形態１に係る弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器のそれぞれの電極指を示す図である。 比較例１の弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器を示す図である。 実施例１の弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器を示す図である。 実施例１および比較例１の弾性波素子の挿入損失を示す図である。 実施例２の弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器を示す図である。 従来の弾性波素子の挿入損失の一例を示す図である。 実施例２において反射器の電極指ピッチを変えた場合のリップルの改善量を示す図である。 実施例３の弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器を示す図である。 実施例３において反射器の電極指ピッチを変えた場合のリップルの改善量を示す図である。 実施例４の弾性波素子のＩＤＴ電極および反射器を示す図である。 実施例１、実施例４および比較例の弾性波素子の挿入損失を示す図である。 実施例５において反射器の電極指ピッチを変えた場合のリップルの改善量を示す図である。 実施例６において反射器の電極指ピッチを変えた場合のリップルの改善量を示す図である。 実施例７において反射器の電極指ピッチを変えた場合のリップルの改善量を示す図である。 実施例８において反射器の電極指ピッチを変えた場合のリップルの改善量を示す図である。 実施の形態２に係る弾性波フィルタ装置の回路構成を示す図である。 実施の形態３に係るマルチプレクサおよびその周辺回路の回路構成図である。

以下、本発明の実施の形態について図表を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。

（実施の形態１）
［弾性波素子の構成］
本実施の形態に係る弾性波素子１０の構成について説明する。

図１は、弾性波素子１０の電極構成を模式的に表す平面図および断面図である。同図に示された弾性波素子１０は、圧電性基板１００と、電極１１０と、保護膜１１３とで形成され、これらの構成要素で構成されたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１１と、反射器１２と、を備える。弾性波素子１０は、ＩＤＴ電極１１、反射器１２、および圧電性基板１００で構成された弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子である。

なお、図１に示された弾性波素子１０は、その典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。

ＩＤＴ電極１１および反射器１２を構成する電極１１０は、図１の断面図に示すように、密着層１１１と主電極層１１２との積層構造となっている。

密着層１１１は、圧電性基板１００と主電極層１１２との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。

主電極層１１２は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。

保護膜１１３は、電極１１０を覆うように形成されている。保護膜１１３は、主電極層１１２を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とする膜である。

なお、密着層１１１、主電極層１１２および保護膜１１３を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、電極１１０は、上記積層構造でなくてもよい。電極１１０は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護膜１１３は、形成されていなくてもよい。

圧電性基板１００は、例えば、θ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にθ°回転した軸を法線とする面で切断したニオブ酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。

なお、圧電性基板１００は、少なくとも一部に圧電体層を有する基板であってもよく、圧電体層を有する積層構造であってもよい。圧電性基板１００は、例えば、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電体層とを備え、高音速支持基板、低音速膜および圧電体層がこの順で積層された構造を有していてもよい。以下、高音速支持基板、低音速膜および圧電体層の構成について説明する。

圧電体層は、例えば、θ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にθ°回転した軸を法線とする面で切断したニオブ酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。

高音速支持基板は、低音速膜、圧電体層ならびに電極１１０を支持する基板である。高音速支持基板は、さらに、圧電体層を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電体層および低音速膜が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板は、例えば、シリコン基板である。なお、高音速支持基板は、（１）窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、または水晶等の圧電体、（２）アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、またはフォルステライト等の各種セラミック、（３）マグネシアダイヤモンド、（４）上記各材料を主成分とする材料、ならびに、（５）上記各材料の混合物を主成分とする材料、のいずれかで構成されていてもよい。

低音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層と高音速支持基板との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とする膜である。

圧電性基板１００の上記積層構造によれば、圧電性基板１００を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および***振周波数における弾性波共振子のＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。

なお、高音速支持基板は、支持基板と、圧電体層を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。

なお、圧電性基板１００の上記積層構造において例示した各層の材料などは一例であり、例えば、要求される高周波伝搬特性のうち重視すべき特性に応じて変更されるものである。

図１の平面図に示すように、ＩＤＴ電極１１は、互いに対向する一対の櫛歯状電極１１Ａおよび１１Ｂを有している。櫛歯状電極１１Ａは、弾性波伝搬方向と交差する方向に延びるように配置された複数の櫛歯電極指１１ａと、複数の櫛歯電極指１１ａのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃとで構成されている。櫛歯状電極１１Ｂは、弾性波伝搬方向と交差する方向に延びるように配置された複数の櫛歯電極指１１ｂと、複数の櫛歯電極指１１ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃとで構成されている。複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの各々の電極指は、弾性波伝搬方向に交互に並ぶよう配置される。

反射器１２は、ＩＤＴ電極１１と上記弾性波伝搬方向に隣り合って配置されている。反射器１２は、上記弾性波伝搬方向と交差する方向に延びるように配置された複数の反射電極指１２ａと、複数の反射電極指１２ａの一端同士を接続するバスバー電極１２ｃとで構成されている。反射器１２は、複数設けられ、弾性波伝搬方向におけるＩＤＴ電極１１の両外側に１つずつ配置されている。

図２は、本実施の形態の弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１および反射器１２を示す図である。図２には２つの反射器１２のうちの一方の反射器１２が示されている。図２に示されていない他方の反射器１２は、弾性波伝搬方向において、一方の反射器１２に対して鏡映対称となるように配置されている。

本実施の形態の弾性波素子１０では、反射器１２に含まれる複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチが、ＩＤＴ電極１１に含まれる複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの電極指ピッチｐｉよりも大きくなっている。

なお、電極指ピッチとは、ＩＤＴ電極１１および反射器１２に含まれるそれぞれの複数の電極指において、弾性波伝搬方向に隣り合う電極指同士の中心間距離である。

例えば、ＩＤＴ電極１１内における複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの電極指ピッチが異なる場合、櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの電極指ピッチｐｉは、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの電極指ピッチの全ての平均値で表される。言い換えると、ＩＤＴ電極１１における電極指ピッチｐｉは、例えば、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの両端の中心間距離を、（複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの総本数－１）で除算することで求められる。

例えば、反射器１２内における複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチが異なる場合、反射電極指１２ａの電極指ピッチは、複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチの平均値で表される。なお、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂの電極指ピッチｐｉの２倍が、ＩＤＴ電極１１の波長であるＩＤＴ波長に該当する。複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチの２倍が、反射器１２の波長である反射器波長に該当する（図１参照）。

また、本実施の形態の弾性波素子１０では、図２に示すＩＤＴ－反射器ギャップ（ＩＲＧＡＰ）が、複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチの０．９倍以下（反射器波長の０．４５倍以下）になっている。なお、ＩＤＴ－反射器ギャップとは、複数の櫛歯電極指１１ａおよび１１ｂのうち反射器１２に最近接する櫛歯電極指（図２では１１ａ）と、複数の反射電極指１２ａのうちＩＤＴ電極１１に最近接する反射電極指１２ａとの、弾性波伝搬方向における中心同士の距離（中心間距離）である。

さらに、本実施の形態の弾性波素子１０は、以下に示す特徴的な構成を有している。

ここで、ＩＤＴ電極１１に最も近い反射電極指１２ａから数えてＩＤＴ電極１１に対して離れる方向の反射電極指１２ａを順に第ｋの反射電極指（ｋは１以上の整数）とする。また、ＩＤＴ電極１１に対して最も離れた反射電極指１２ａを、第（ｎ＋１）の反射電極指（ｎはｋより大きい整数）とする。なお、ｎ＋１は、反射電極指１２ａの総本数に該当する。また、第ｋの反射電極指１２ａと第（ｋ＋１）の反射電極指１２ａとの間の電極指ピッチを第ｋの電極指ピッチｐ_ｋと定義する。

上記定義の下、本実施の形態の弾性波素子１０は、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの電極指ピッチの値が、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さい、という構成を有している。この構成によれば、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することが可能である。

以下、本実施の形態に係る弾性波素子１０の上記構成および効果について、実施例および比較例を対比させながら説明する。

［実施例１］
実施例１および比較例１の弾性波素子について、図３～図５を参照しながら説明する。なお、以下に示す複数の実施例および比較例において、反射器の電極指ピッチは、ＩＤＴ電極の電極指ピッチｐｉより大きく、ＩＤＴ－反射器ギャップ（ＩＲＧＡＰ）は、反射器の電極指ピッチの０．９倍以下である。

図３は、比較例１の弾性波素子５１０のＩＤＴ電極５１１および反射器５１２を示す図である。図３の（ａ）には、ＩＤＴ電極５１１および反射器５１２のそれぞれの電極指が示され、（ｂ）には、ＩＤＴ電極５１１および反射器５１２のそれぞれの電極指ピッチの値がグラフで示されている。

図３に示すように、比較例１では、隣り合う反射電極指５１２ａの電極指ピッチが、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍である。このように比較例１では、反射器５１２における電極指ピッチが、全て同じ値になっている。なお、反射器５１２の反射電極指５１２ａの総本数は２１本である。

図４は、実施例１の弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１および反射器１２を示す図である。図４の（ａ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２のそれぞれの電極指が示され、（ｂ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２のそれぞれの電極指ピッチの値がグラフで示されている。

実施例１の反射器１２では、第２の電極指ピッチｐ_２が、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０４７倍である。また、第２の電極指ピッチｐ_２を除く第１～第９の電極指ピッチｐ_１、ｐ_３～ｐ_９のそれぞれが、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍である。また、第１０～第２０の電極指ピッチｐ_１０～ｐ_２０のそれぞれが、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍である。なお、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数は２１本である。

すなわち、実施例１では、ｋ＝９およびｎ＋１＝２１である条件において、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋの電極指ピッチの値が、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎの電極指ピッチの値よりも小さくなっている。また、実施例１では、第２の電極指ピッチｐ_２の値が、第２の電極指ピッチｐ_２を除く第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの電極指ピッチの値よりも大きく、かつ、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さくなっている。

図５は、実施例１および比較例１の弾性波素子の挿入損失を示す図である。同図には、縦軸の下側に向かうほど反射損失が大きくなることが示されている。

図５に示すように、比較例１では、弾性波素子の共振周波数ｆｒよりも低周波側で、３つのリップルＡ、Ｂ、Ｃが発生している。それに対し実施例１では、各リップルＡ、Ｂ、Ｃの発生が抑制されている。このように、反射器１２において、第１の電極指ピッチｐ_１～第ｋの電極指ピッチｐ_ｋの電極指ピッチの値を、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１～第ｎの電極指ピッチｐ_ｎの電極指ピッチの値よりも小さくすることで、弾性波素子１０の共振周波数ｆｒよりも低周波側に発生するリップルＡ～Ｃを低減することができる。

［実施例２］
実施例２の弾性波素子１０Ａについて、図６～図８を参照しながら説明する。実施例２では、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋのうちの１つの電極指ピッチの値を変えた例について説明する。

図６は、実施例２の弾性波素子１０ＡのＩＤＴ電極１１および反射器１２を示す図である。図６の（ａ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２のそれぞれの電極指が示され、（ｂ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２のそれぞれの電極指ピッチの値がグラフで示されている。なお、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数は２１本である。

実施例２の反射器１２では、ｋ＝９およびｎ＋１＝２１である条件において、第ｋの電極指ピッチｐ_ｋが、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍、すなわち実施例１の第２の電極指ピッチｐ_２（＝１．０４７ｐｉ）の０．９８倍である。また、第ｋの電極指ピッチｐ_ｋを除く他の電極指ピッチｐ_１～ｐ_ｋ－１、ｐ_ｋ＋１～ｐ_ｎが、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍である。

図７は、従来の弾性波素子の挿入損失の一例を示す図である。同図には、縦軸の下側に向かうほど反射損失が大きくなることが示されている。

図７には、弾性波素子の共振周波数ｆｒよりも低周波側で発生する３つのリップルＡ、Ｂ、Ｃが示されている。各リップルＡ、Ｂ、Ｃの中では、共振周波数ｆｒの近くに位置するリップルＡおよびＢの発生を抑制することが効果的であると考えられる。なお、同図の例ではリップルＣの発生量は小さいが、電極指ピッチの条件を変えるときは、小さなリップルＣが大きくなり過ぎないようにすることが望ましい。

図８は、実施例２において反射器１２の電極指ピッチを変えた場合のリップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量を示す図である。リップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量とは、図７に示す従来の弾性波共振子にて発生するリップルＡ、Ｂ、Ｃのそれぞれに対する改善量である。図８の縦軸のプラス方向は、リップルＡ～Ｃが小さくなって損失が減る方向であり、マイナス方向は、リップルＡ～Ｃが大きくなって損失が増える方向である。

図８に示すように、第１の電極指ピッチｐ_１から第９の電極指ピッチｐ_９のうちの１つの電極指ピッチを、他の電極指ピッチよりも小さくすることで、リップルＡおよびＢを小さくすることができる。具体的には、第１の電極指ピッチｐ_１から第９の電極指ピッチｐ_９のうちの１つの電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍にし、他の電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍にすることで、損失を減らすことができる。一方で、第ｋの電極指ピッチのｋの値が１０になると、リップルの改善量が小さくなっている。したがって、電極指ピッチを変えるのは、第９の電極指ピッチｐ_９までで十分である。

また、図８に示すように、第２の電極指ピッチｐ_２を変えると、リップルの改善量が大きく変化している。例えば、第２の電極指ピッチｐ_２を他の電極指ピッチよりも小さくすることで、リップルＡおよびＢを小さくすることができるが、その反面、リップルＣの損失が増加する。そのため、第２の電極指ピッチｐ_２は、実施例１の第２の電極指ピッチｐ_２（＝１．０４７ｐｉ）の値を変えずに維持することが望ましい。

［実施例３］
実施例３の弾性波素子１０Ｂについて、図９および図１０を参照しながら説明する。実施例３では、ＩＤＴ電極１１から最も離れた反射電極指１２ａの電極指ピッチを含む複数の電極指ピッチを変えた例について説明する。

図９は、実施例３の弾性波素子１０ＢのＩＤＴ電極１１および反射器１２を示す図である。図９の（ａ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２のそれぞれの電極指が示され、（ｂ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２のそれぞれの電極指ピッチの値がグラフで示されている。なお、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数は２１本である。

実施例３の反射器１２では、ｎ＋１＝２１である条件において、第ｎの電極指ピッチｐ_ｎから第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの全ての電極指ピッチの値が、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍、すなわち実施例１の第２の電極指ピッチｐ_２（＝１．０４７ｐｉ）の１．１倍である。また、残りの電極指ピッチである、第（ｋ－１）の電極指ピッチｐ_ｋ－１から第１の電極指ピッチｐ_１までの全ての電極指ピッチの値が、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍である。なお、第ｎの電極指ピッチｐ_ｎから第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの全ての電極指ピッチの値を変えたのは、第ｎの電極指ピッチｐ_ｎから第ｋの電極指ピッチｐ_ｋのうちの１つの電極指ピッチの値を変えただけでは、挿入損失に大きな変化が表れなかったからである。

図１０は、実施例３において反射器１２の電極指ピッチを変えた場合のリップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量を示す図である。

図１０に示すように、第２０の電極指ピッチｐ_２０から第１７の電極指ピッチｐ_１７までの全ての電極指ピッチの値を変えても、リップルＡ、ＢおよびＣの値は、ほとんど変化しない。具体的には、第２０の電極指ピッチｐ_２０から第１７の電極指ピッチｐ_１７までの全ての電極指ピッチの値をＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍にし、他の電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍にしても、損失を減らすことはできない。したがって、反射器１２の反射電極指１２ａのうち、ＩＤＴ電極１１に対して離れた位置にある反射電極指１２ａの電極指ピッチを変えても、損失を減らす効果は小さい。

［実施例４］
実施例４の弾性波素子１０Ｃについて、図１１および図１２を参照しながら説明する。実施例４では、ＩＤＴ電極１１から最も近い反射電極指１２ａの電極指ピッチを含む複数の電極指ピッチを変えた例について説明する。

図１１は、実施例４の弾性波素子１０ＣのＩＤＴ電極１１および反射器１２を示す図である。図１１の（ａ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２の平面図が示され、（ｂ）には、ＩＤＴ電極１１および反射器１２の電極指ピッチの値がグラフで示されている。なお、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数は２１本である。

実施例４の反射器１２では、ｎ＋１＝２１である条件において、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの全ての電極指ピッチの値が、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍である。また、残りの電極指ピッチの範囲である、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_{（ｋ＋１）}から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの全ての電極指ピッチの値が、ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍である。すなわち、実施例４は、第２の電極指ピッチｐ_２の値も、第２の電極指ピッチｐ_２を除く第１～第ｋの電極指のピッチｐ_１～ｐ_ｋと同じになっている点で、実施例１と異なっている。

図１２は、実施例１、実施例４および比較例の弾性波素子の挿入損失を示す図である。

図１２に示すように、実施例４は、比較例よりもリップルＡおよびＢの大きさが小さくなっている。このように、実施例４では、弾性波素子１０Ｃの共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルＡ、Ｂを低減することができる。

また、実施例１は、実施例４よりも、周波数１９２０ＭＨｚ～１９６０ＭＨｚの間における挿入損失が小さくなっている。実施例１のように、第２の電極指ピッチｐ_２の値を、第２の電極指ピッチｐ_２を除く第１～第ｋの電極指ピッチｐ_１～ｐ_ｋの電極指ピッチの値よりも大きく、かつ、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さくすることで、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルＡ、Ｂをさらに低減することができる。

［実施例５］
実施例５の弾性波素子について説明する。実施例５では、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数が１１本である場合において、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋのうちの１つの電極指ピッチの値を変えた例について説明する。

図１３は、実施例５において反射器１２の電極指ピッチを変えた場合のリップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量を示す図である。

図１３に示すように、第１の電極指ピッチｐ_１から第９の電極指ピッチｐ_９のうちの１つの電極指ピッチを、他の電極指ピッチよりも小さくすることで、リップルＡおよびＢを小さくすることができる。具体的には、第１の電極指ピッチｐ_１から第９の電極指ピッチｐ_９のうちの１つの電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍にし、他の電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍にすることで、損失を減らすことができる。一方で、第ｋの電極指ピッチのｋの値が１０になると、リップルの改善量が小さくなっている。したがって、電極指ピッチを変えるのは、第９の電極指ピッチｐ_９までにすることが望ましい。

また、図１３に示すように、第２の電極指ピッチｐ_２を変えると、リップルの改善量が大きく変化している。例えば、第２の電極指ピッチｐ_２を他の電極指ピッチよりも小さくすることで、リップルＡおよびＢを小さくすることができるが、その反面、リップルＣの損失が増加する。そのため、第２の電極指ピッチｐ_２は、実施例１の第２の電極指ピッチｐ_２（＝１．０４７ｐｉ）の値を変えずに維持することが望ましい。

［実施例６］
実施例６の弾性波素子について説明する。実施例６では、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数が１１本である場合において、ＩＤＴ電極１１から最も離れた反射電極指１２ａの電極指ピッチを含む複数の電極指ピッチを変えた例について説明する。

図１４は、実施例６において反射器１２の電極指ピッチを変えた場合のリップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量を示す図である。

図１４に示すように、第１０の電極指ピッチｐ_１０の電極指ピッチの値を変えても、リップルＡ、ＢおよびＣの値は、ほとんど変化しない。具体的には、第１０の電極指ピッチｐ_１０の値をＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍にし、他の電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍にしても、損失を減らすことはできない。したがって、反射器１２の反射電極指１２ａのうち、ＩＤＴ電極１１に対して離れた位置にある反射電極指１２ａの電極指ピッチを変えても、損失を減らす効果は小さい。

［実施例７］
実施例７の弾性波素子について説明する。実施例７では、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数が４１本である場合において、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋのうちの１つの電極指ピッチの値を変えた例について説明する。

図１５は、実施例７において反射器１２の電極指ピッチを変えた場合のリップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量を示す図である。

図１５に示すように、第１の電極指ピッチｐ_１から第９の電極指ピッチｐ_９のうちの１つの電極指ピッチを、他の電極指ピッチよりも小さくすることで、リップルＡおよびＢを小さくすることができる。具体的には、第１の電極指ピッチｐ_１から第９の電極指ピッチｐ_９のうちの１つの電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍にし、他の電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍にすることで、損失を減らすことができる。一方で、第ｋの電極指ピッチのｋの値が１０になると、リップルの改善量が小さくなっている。したがって、電極指ピッチを変えるのは、第９の電極指ピッチｐ_９までにすることが望ましい。

また、図１５に示すように、第２の電極指ピッチｐ_２を変えると、リップルの改善量が大きく変化している。例えば、第２の電極指ピッチｐ_２を他の電極指ピッチよりも小さくすることで、リップルＡおよびＢを小さくすることができるが、その反面、リップルＣの損失が増加する。そのため、第２の電極指ピッチｐ_２は、実施例１の第２の電極指ピッチｐ_２（＝１．０４７ｐｉ）の値を変えずに維持することが望ましい。

［実施例８］
実施例８の弾性波素子について説明する。実施例８では、反射器１２の反射電極指１２ａの総本数が４１本である場合において、ＩＤＴ電極１１から最も離れた反射電極指１２ａの電極指ピッチを含む複数の電極指ピッチを変えた例について説明する。

図１６は、実施例８において反射器１２の電極指ピッチを変えた場合のリップルＡ、Ｂ、Ｃの改善量を示す図である。

図１６に示すように、第４０の電極指ピッチｐ_４０から第３１の電極指ピッチｐ_３１までの全ての電極指ピッチの値を変えても、リップルＡ、ＢおよびＣの値は、ほとんど変化しない。具体的には、第４０の電極指ピッチｐ_４０から第３１の電極指ピッチｐ_３１までの全ての電極指ピッチの値をＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．１５２倍にし、他の電極指ピッチをＩＤＴ電極１１の電極指ピッチｐｉの１．０２６倍にしても、損失を減らすことはできない。したがって、反射器１２の反射電極指１２ａのうち、ＩＤＴ電極１１に対して離れた位置にある反射電極指１２ａの電極指ピッチを変えても、損失を減らす効果は小さい。

（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１に係る弾性波素子１０を用いた弾性波フィルタ装置について説明する。実施の形態１に係る弾性波素子１０を用いて、弾性波フィルタ装置を構成することにより、通過帯域内の挿入損失が劣化することを抑制できる。

図１７は、実施の形態２に係る弾性波フィルタ装置１の回路構成を示す図である。

図１７に示すように、弾性波フィルタ装置１は、入力端子５０および出力端子６０と、入力端子５０と出力端子６０との間に接続された直列腕共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３およびＳ４と、入力端子５０と出力端子６０とを結ぶ経路上のノードおよびグランドに接続された並列腕共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３およびＰ４と、を備えている。実施の形態１の弾性波素子１０は、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４のそれぞれに用いられている。本実施の形態の弾性波フィルタ装置１では、通過帯域において挿入損失が劣化することを抑制できる。

（実施の形態３）
図１８は、実施の形態３に係るマルチプレクサ５およびその周辺回路（アンテナ４）の回路構成図である。同図に示されたマルチプレクサ５は、弾性波フィルタ装置１と、フィルタ３と、共通端子７０と、入出力端子８１および８２と、を備える。

弾性波フィルタ装置１は、弾性波フィルタ装置１の入力端子５０が共通端子７０に接続され、弾性波フィルタ装置１の出力端子６０が入出力端子８１に接続されている。

フィルタ３は、共通端子７０および入出力端子８２に接続されている。フィルタ３は、例えば、並列腕共振子および直列腕共振子を有するラダー型の弾性波フィルタであるが、ＬＣフィルタなどであってもよく、その回路構成は特に限定されない。

ここで、弾性波フィルタ装置１の通過帯域は、フィルタ３の通過帯域よりも低周波側に位置する。

なお、弾性波フィルタ装置１とフィルタ３とは、図１８に示すように共通端子７０に直接接続されていなくてもよく、例えば、インピーダンス整合回路、移相器、サーキュレータ、または、２以上のフィルタを選択可能なスイッチ素子、を介して共通端子７０に間接的に接続されていてもよい。

また、本実施の形態では、マルチプレクサ５として、２つのフィルタが共通端子７０に接続された回路構成としたが、共通端子７０に接続されるフィルタの数は２つに限定されず、３以上であってもよい。つまり、本発明に係るマルチプレクサは、弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタを備え、当該複数のフィルタのそれぞれの入力端子および出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、弾性波フィルタ装置１を除く複数のフィルタの少なくとも１つは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の周波数より高い通過帯域を有していてもよい。

（まとめ）
本実施の形態に係る弾性波素子１０は、圧電性基板１００と、圧電性基板１００上に形成され、複数の櫛歯状電極１１Ａ、１１Ｂを有するＩＤＴ電極１１と、弾性波伝搬方向においてＩＤＴ電極１１の隣りに配置された反射器１２と、を備える。櫛歯状電極１１Ａ、１１Ｂは、弾性波伝搬方向に対して交差する方向に延びる電極指である櫛歯電極指１１ａ、１１ｂを複数有する。反射器１２は、弾性波伝搬方向に対して交差する方向に延びる電極指である反射電極指１２ａを複数有する。ＩＤＴ電極１１および反射器１２に含まれるそれぞれの複数の電極指において、弾性波伝搬方向に隣り合う電極指同士の中心間距離を電極指ピッチとしたとき、複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチは、複数の櫛歯電極指の電極指ピッチｐｉより大きく、複数の反射電極指１２ａのうちＩＤＴ電極１１に最も近い反射電極指１２ａと、複数の櫛歯電極指１１ａ、１１ｂのうち反射器１２に最も近い櫛歯電極指との弾性波伝搬方向における中心間距離は、複数の反射電極指１２ａの電極指ピッチの０．９倍以下である。ＩＤＴ電極１１に最も近い反射電極指１２ａから数えてＩＤＴ電極１１に対して離れる方向の反射電極指１２ａを順に第ｋの反射電極指（ｋは１以上の整数）とし、ＩＤＴ電極１１に対して最も離れた反射電極指１２ａを第（ｎ＋１）の反射電極指（ｎはｋより大きい整数）とし、第ｋの反射電極指と第（ｋ＋１）の反射電極指との間の電極指ピッチを第ｋの電極指ピッチｐ_ｋとしたとき、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの電極指ピッチの値は、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さい。

このように、反射器１２において、第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの電極指ピッチの値を、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さくすることで、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することができる。

また、第２の電極指ピッチｐ_２を除く第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの電極指ピッチの値は、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さくてもよい。

上記の構成によれば、例えば実施例１に示すリップルＡ、Ｂの発生を抑制できる。これにより、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することができる。

また、第２の電極指ピッチｐ_２の値は、第２の電極指ピッチｐ_２を除く第１の電極指ピッチｐ_１から第ｋの電極指ピッチｐ_ｋまでの電極指ピッチの値よりも大きく、第（ｋ＋１）の電極指ピッチｐ_ｋ＋１から第ｎの電極指ピッチｐ_ｎまでの電極指ピッチの値よりも小さくてもよい。

上記の構成によれば、例えば図１２の実施例１に示すように、実施例４よりも挿入損失をさらに減らすことができる。これにより、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することができる。

また、複数の反射電極指１２ａの本数は、１１本以上であり、第ｋの電極指ピッチのｋは９であってもよい。

上記の構成によれば、例えば実施例１、５および７に示すリップルＡ、Ｂの発生を抑制できる。これにより、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することができる。

本実施の形態に係る弾性波フィルタ装置１は、上記の弾性波素子１０を含む。

これによれば、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側にて発生するリップルを低減することができる弾性波フィルタ装置１を提供することができる。

また、弾性波フィルタ装置１は、さらに、入力端子５０および出力端子６０と、入力端子５０と出力端子６０とを結ぶ経路上のノードおよびグランドに接続された並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４と、を備え、弾性波素子１０は、入力端子５０と出力端子６０との間に接続された直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４であってもよい。

上記構成によれば、弾性波フィルタ装置１は、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４および並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４で構成されたラダー型の弾性波フィルタを構成し、上記弾性波素子１０が直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４に適用される。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過帯域を構成する直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４の共振周波数よりも低周波側にて、挿入損失が増加することを抑制できる。

本実施の形態に係るマルチプレクサ５は、上記の弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタを備え、複数のフィルタのそれぞれの入力端子および出力端子の一方は、共通端子７０に直接的または間接的に接続され、弾性波フィルタ装置１を除く複数のフィルタの少なくとも１つは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の周波数より高い通過帯域を有していてもよい。

上記の弾性波フィルタ装置１では、通過帯域よりも高周波側の減衰帯域の減衰量を大きくできる。これにより、弾性波フィルタ装置１の通過帯域よりも高周波側の通過帯域を有するフィルタの通過帯域内の挿入損失を低減できるマルチプレクサ５を提供することができる。

（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサについて、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサは、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる実施例や、本発明の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、本発明に係る弾性波フィルタ装置１は、さらに、インダクタおよびキャパシタなどの回路素子を備えてもよい。

また、本発明に係る弾性波素子は、実施の形態１のような弾性表面波共振子でなくてもよく、弾性境界波を利用した弾性波共振子であってもよい。

本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失かつ小型の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１ 弾性波フィルタ装置
３ フィルタ
４ アンテナ
５ マルチプレクサ
１０ 弾性波素子
１１ ＩＤＴ電極
１１Ａ、１１Ｂ 櫛歯状電極
１１ａ、１１ｂ 櫛歯電極指
１１ｃ バスバー電極
１２ 反射器
１２ａ 反射電極指
１２ｃ バスバー電極
５０ 入力端子
６０ 出力端子
８１、８２ 入出力端子
７０ 共通端子
１００ 圧電性基板
１１０ 電極
１１１ 密着層
１１２ 主電極層
１１３ 保護膜
ｐ_ｋ、ｐｉ 電極指ピッチ
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ 並列腕共振子
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４ 直列腕共振子

Claims (7)

1. 圧電性基板と、
   前記圧電性基板上に形成され、複数の櫛歯状電極を有するＩＤＴ電極と、
   弾性波伝搬方向において前記ＩＤＴ電極の隣りに配置された反射器と、
   を備え、
   前記櫛歯状電極は、前記弾性波伝搬方向に対して交差する方向に延びる電極指である櫛歯電極指を複数有し、
   前記反射器は、前記弾性波伝搬方向に対して交差する方向に延びる電極指である反射電極指を複数有し、
   前記ＩＤＴ電極および前記反射器に含まれるそれぞれの複数の前記電極指において、前記弾性波伝搬方向に隣り合う前記電極指同士の中心間距離を電極指ピッチとしたとき、
   複数の前記反射電極指の電極指ピッチは、複数の前記櫛歯電極指の電極指ピッチより大きく、
   複数の前記反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最も近い反射電極指と、複数の前記櫛歯電極指のうち前記反射器に最も近い櫛歯電極指との前記弾性波伝搬方向における中心間距離は、複数の前記反射電極指の電極指ピッチの０．９倍以下であり、
   前記ＩＤＴ電極に最も近い反射電極指から数えて前記ＩＤＴ電極に対して離れる方向の前記反射電極指を順に第ｋの反射電極指（ｋは１以上の整数）とし、
   前記ＩＤＴ電極に対して最も離れた前記反射電極指を第（ｎ＋１）の反射電極指（ｎはｋより大きい整数）とし、
   前記第ｋの反射電極指と第（ｋ＋１）の反射電極指との間の電極指ピッチを第ｋの電極指ピッチとしたとき、
   第１の電極指ピッチから前記第ｋの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値は、前記第（ｋ＋１）の電極指ピッチから第ｎの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値よりも小さい
   弾性波素子。
2. 第２の電極指ピッチを除く前記第１の電極指ピッチから前記第ｋの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値は、前記第（ｋ＋１）の電極指ピッチから前記第ｎの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値よりも小さい
   請求項１に記載の弾性波素子。
3. 前記第２の電極指ピッチの値は、前記第２の電極指ピッチを除く前記第１の電極指ピッチから前記第ｋの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値よりも大きく、前記第（ｋ＋１）の電極指ピッチから前記第ｎの電極指ピッチまでの電極指ピッチの値よりも小さい
   請求項２に記載の弾性波素子。
4. 複数の前記反射電極指の本数は、１１本以上であり、
   前記第ｋの電極指ピッチのｋは９である
   請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波素子。
5. 請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波素子を含む
   弾性波フィルタ装置。
6. 前記弾性波フィルタ装置は、さらに、
   入力端子および出力端子と、
   前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路上のノードおよびグランドに接続された並列腕共振子と、を備え、
   前記弾性波素子は、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された直列腕共振子である
   請求項５記載の弾性波フィルタ装置。
7. 請求項６に記載の弾性波フィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、
   前記複数のフィルタのそれぞれの入力端子および出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、
   前記弾性波フィルタ装置を除く前記複数のフィルタの少なくとも１つは、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域の周波数より高い通過帯域を有する
   マルチプレクサ。

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