WO2022270484A1 - 半導体基板の製造方法及び組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 37
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 31
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 5
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005583 coronene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 4
- 125000001828 phenalenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 claims description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 127
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 126
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 27
- IBGBGRVKPALMCQ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1O IBGBGRVKPALMCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- -1 rings Chemical group 0.000 description 21
- BIJNHUAPTJVVNQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxypyrene Chemical compound C1=C2C(O)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 BIJNHUAPTJVVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PCYGLFXKCBFGPC-UHFFFAOYSA-N 3,4-Dihydroxy hydroxymethyl benzene Natural products OCC1=CC=C(O)C(O)=C1 PCYGLFXKCBFGPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 7
- YORCIIVHUBAYBQ-UHFFFAOYSA-N propargyl bromide Chemical compound BrCC#C YORCIIVHUBAYBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- CRPNQSVBEWWHIJ-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C(O)=C1O CRPNQSVBEWWHIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- BTQAJGSMXCDDAJ-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trihydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC(O)=C(C=O)C(O)=C1 BTQAJGSMXCDDAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- REXUYBKPWIPONM-UHFFFAOYSA-N 2-bromoacetonitrile Chemical compound BrCC#N REXUYBKPWIPONM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 4
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N oxidanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound O.CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DZRLNYVDCIYXPG-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-2-yloxynaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(OC=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=CC=C21 DZRLNYVDCIYXPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC2=CC(O)=CC=C21 DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 3
- WNCNWLVQSHZVKV-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trihydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC(O)=C(C=O)C=C1O WNCNWLVQSHZVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGZHEOWNTDJLAQ-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trihydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC(C=O)=CC(O)=C1O RGZHEOWNTDJLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLEIHGWNFJPIPO-UHFFFAOYSA-N 1-(bromomethyl)-4-ethynylbenzene Chemical compound BrCC1=CC=C(C#C)C=C1 VLEIHGWNFJPIPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBFJODMCHICIAA-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxy-5-nitrobenzaldehyde Chemical compound OC1=CC(C=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1O BBFJODMCHICIAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOGWXIKVUXCL-UHFFFAOYSA-N 4-bromobut-1-yne Chemical compound BrCCC#C XLYOGWXIKVUXCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000578940 Homo sapiens PDZ domain-containing protein MAGIX Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017840 NH 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028326 PDZ domain-containing protein MAGIX Human genes 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N [C].[C] Chemical group [C].[C] IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
Definitions
- the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor substrate, a composition, a polymer, and a method for manufacturing a polymer.
- a multilayer resist process is used in which a resist pattern is formed by exposing and developing a resist film laminated on a substrate via a resist underlayer film such as an organic underlayer film or a silicon-containing film. It is In this process, the resist underlayer film is etched using this resist pattern as a mask, and the substrate is further etched using the resist underlayer film pattern thus obtained as a mask, thereby forming a desired pattern on the semiconductor substrate (Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-177668).
- etching resistance, heat resistance and bending resistance are required for the organic underlayer film as the resist underlayer film.
- the present invention has been made based on the above circumstances, and its object is to provide a method for manufacturing a semiconductor substrate using a composition capable of forming a film having excellent etching resistance, heat resistance and bending resistance, and the composition. to do.
- the present invention in one embodiment, a step of directly or indirectly applying a composition for forming a resist underlayer film onto a substrate; a step of directly or indirectly forming a resist pattern on the resist underlayer film formed by the coating step; and a step of performing etching using the resist pattern as a mask
- the composition for forming a resist underlayer film is A polymer having a repeating unit represented by the following formula (1) (hereinafter also referred to as "[A] polymer”);
- the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor substrate containing a solvent (hereinafter also referred to as "[B] solvent”).
- Ar 1 is a divalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members.
- R 0 is a monovalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members, and the following It has at least one group selected from the group consisting of a group represented by formula (2-1) and a group represented by formula (2-2) below.)
- R 7 is each independently a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a single bond. * is a carbon atom in the aromatic ring. It is a bond.
- the term "number of ring members” refers to the number of atoms forming a ring.
- the biphenyl ring has 12 ring members
- the naphthalene ring has 10 ring members
- the fluorene ring has 13 ring members.
- the present invention in another embodiment, a polymer having a repeating unit represented by the following formula (1);
- a composition comprising a solvent and
- Ar 1 is a divalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members.
- R 0 is a monovalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members, and the following It has at least one group selected from the group consisting of a group represented by formula (2-1) and a group represented by formula (2-2) below.
- R 7 is each independently a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a single bond. * is a carbon atom in the aromatic ring. It is a bond.
- a resist underlayer film having excellent etching resistance, heat resistance, and bending resistance is formed, so that a semiconductor substrate having a favorable pattern shape can be obtained.
- a film having excellent etching resistance, heat resistance and bending resistance can be formed. Therefore, these can be suitably used for the manufacture of semiconductor devices, etc., which are expected to be further miniaturized in the future.
- the method for producing a semiconductor substrate includes a step of directly or indirectly coating a substrate with a composition for forming a resist underlayer film (hereinafter also referred to as a “coating step”), and a resist underlayer film formed by the coating step. a step of directly or indirectly forming a resist pattern (hereinafter also referred to as a “resist pattern forming step”), and a step of performing etching using the resist pattern as a mask (hereinafter also referred to as an “etching step”).
- a resist underlayer film having excellent etching resistance, heat resistance, and bending resistance is formed by using the composition described below as a composition for forming a resist underlayer film in the coating step. Therefore, a semiconductor substrate having a favorable pattern shape can be manufactured.
- the method for manufacturing a semiconductor substrate may further include a step of forming a silicon-containing film directly or indirectly on the resist underlayer film (hereinafter also referred to as a "silicon-containing film forming step"), if necessary. .
- composition and each step used in the method for manufacturing the semiconductor substrate will be described below.
- composition as a composition for forming a resist underlayer film contains [A] polymer and [B] solvent.
- the composition may contain optional ingredients as long as the effects of the present invention are not impaired.
- the composition can form a film with excellent etching resistance, heat resistance, and bending resistance. Therefore, the composition can be used as a composition for forming a film. More specifically, the composition can be suitably used as a composition for forming a resist underlayer film in a multilayer resist process.
- the polymer has a repeating unit represented by the following formula (1).
- the polymer may have two or more repeating units represented by the following formula (1).
- the composition may contain one or more [A] polymers.
- Ar 1 is a divalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members.
- R 0 is a monovalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members, and the following It has at least one group selected from the group consisting of a group represented by formula (2-1) and a group represented by formula (2-2) below.
- R 7 is each independently a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a single bond. * is a carbon atom in the aromatic ring. It is a bond.
- the aromatic ring having 5 to 40 ring members in Ar 1 and R 0 includes, for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenalene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, fluorene ring, perylene ring, coronene ring
- Aromatic hydrocarbon rings such as rings, furan rings, pyrrole rings, thiophene rings, phosphor rings, pyrazole rings, oxazole rings, isoxazole rings, thiazole rings, pyridine rings, pyrazine rings, pyrimidine rings, pyridazine rings, triazine rings, etc.
- a heteroaromatic ring, or a combination thereof, or the like can be mentioned.
- the aromatic ring of Ar 1 and R 0 is at least one aromatic hydrocarbon selected from the group consisting of benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenalene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, fluorene ring, perylene ring and coronene ring.
- a ring is preferred.
- the aromatic ring for Ar 1 is more preferably a benzene ring, a naphthalene ring or a pyrene ring.
- a benzene ring is more preferable as the aromatic ring for R 0 .
- the divalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members represented by Ar 1 and R 0 includes two aromatic rings having 5 to 40 ring members in Ar 1 and R 0 .
- a group having one hydrogen atom removed is preferably exemplified.
- the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 7 includes, for example, a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, A group having a divalent heteroatom-containing group between the carbon-carbon atoms of the hydrocarbon group, a group in which some or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group are substituted with a monovalent heteroatom-containing group, or a combination thereof etc.
- divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms examples include a chain divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a divalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. 6 to 20 divalent aromatic hydrocarbon groups or combinations thereof.
- hydrocarbon group includes chain hydrocarbon groups, alicyclic hydrocarbon groups and aromatic hydrocarbon groups. This "hydrocarbon group” includes a saturated hydrocarbon group and an unsaturated hydrocarbon group.
- a “chain hydrocarbon group” means a hydrocarbon group composed only of a chain structure without a ring structure, and includes both a straight chain hydrocarbon group and a branched chain hydrocarbon group.
- alicyclic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that contains only an alicyclic structure as a ring structure and does not contain an aromatic ring structure, and includes monocyclic alicyclic hydrocarbon groups and polycyclic alicyclic (However, it does not have to consist only of an alicyclic structure, and a part of it may contain a chain structure.).
- Aromatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group containing an aromatic ring structure as a ring structure (however, it need not consist only of an aromatic ring structure; structure).
- Examples of the divalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include methanediyl group, ethanediyl group, propanediyl group, butanediyl group, hexanediyl group, octanediyl group and the like. Among them, an alkanediyl group having 1 to 8 carbon atoms is preferred.
- the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms includes, for example, a cycloalkanediyl group such as a cyclopentanediyl group and a cyclohexanediyl group; a cycloalkenediyl group such as a cyclopentenediyl group and a cyclohexenediyl group; adamantanediyl group, tricyclodecanediyl group, and other bridged ring saturated hydrocarbon groups; and bridged ring unsaturated hydrocarbon groups, such as norbornenediyl group and tricyclodecenediyl group.
- a cycloalkanediyl group such as a cyclopentanediyl group and a cyclohexanediyl group
- a cycloalkenediyl group such as a cyclopentenediyl group and a cyclohex
- Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, pyrenediyl group, toluenediyl group, and xylenediyl group.
- heteroatom constituting the divalent or monovalent heteroatom-containing group examples include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, a silicon atom, a halogen atom and the like.
- Halogen atoms include, for example, fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
- the divalent heteroatom-containing group includes, for example, -CO-, -CS-, -NH-, -O-, -S-, groups in which these are combined, and the like.
- Examples of monovalent heteroatom-containing groups include a hydroxy group, a sulfanyl group, a cyano group, a nitro group, and a halogen atom.
- R 7 is preferably a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms such as a methanediyl group, an ethanediyl group, a phenylene group, -O-, or a combination thereof, and a methanediyl group or a combination of a methanediyl group and -O- is more preferred.
- R 0 has a group represented by the above formula (2-1), and the group is represented by the following formula (2-1-1).
- R 0 is a monovalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members, and the group consisting of the group represented by the above formula (2-1) and the group represented by the above formula (2-2). It is preferable to have at least two groups selected from the above. More preferably, R 0 has at least three groups selected from the group consisting of the groups represented by the above formula (2-1) and the groups represented by the above formula (2-2).
- Ar 1 above preferably has at least one group selected from the group consisting of the group represented by the above formula (2-1) and the group represented by the above formula (2-2).
- Ar 1 and R 0 may have a substituent other than the group represented by the above formula (2-1) and the group represented by the above formula (2-2).
- substituents include monovalent chain hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms; halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy and propoxy; phenoxy group, aryloxy group such as naphthyloxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group, alkoxycarbonyloxy group such as methoxycarbonyloxy group and ethoxycarbonyloxy group, formyl group, acetyl group, propionyl group, Examples include acyl groups such as butyryl groups, cyano groups, nitro groups, and hydroxy groups.
- repeating unit represented by the above formula (1) examples include repeating units represented by the following formulas (1-1) to (1-28).
- each repeating unit can be employed independently even if a plurality of repeating units are linked.
- repeating units represented by the above formulas (1-1) to (1-10), (1-13) to (1-17), and (1-22) to (1-28) are preferred, particularly the above Repeating units represented by formulas (1-5) to (1-8) are preferred.
- the polymer may further have a repeating unit represented by the following formula (3).
- Ar 5 is a divalent group having an aromatic ring with 5 to 40 ring members.
- R 1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group with 1 to 60 carbon atoms (with the proviso that , excluding the group corresponding to R 0 in the above formula (1).)
- the aromatic ring having 5 to 40 ring members for Ar 5 can be preferably employed.
- a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic ring with 5 to 40 ring members in the above Ar 5 and the like can be preferably mentioned. be done.
- the monovalent organic group having 1 to 60 carbon atoms represented by R 1 is not particularly limited as long as it is a group other than the group corresponding to R 0 in the above formula (1).
- R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R A group obtained by extending the group exemplified as the group constituting the 20 monovalent organic group to 60 carbon atoms can be preferably employed.
- repeating unit represented by the above formula (3) examples include repeating units represented by the following formulas (3-1) to (3-8).
- the lower limit of the weight average molecular weight of the polymer is preferably 500, more preferably 1000, even more preferably 1500, and particularly preferably 2000.
- the upper limit of the molecular weight is preferably 10,000, more preferably 8,000, even more preferably 7,000, and particularly preferably 6,000.
- the method for measuring the weight average molecular weight is described in Examples.
- the lower limit of the content of the [A] polymer in the composition is preferably 2% by mass, more preferably 4% by mass, and further 6% by mass in the total mass of the [A] polymer and [B] solvent. Preferably, 8% by weight is particularly preferred.
- the upper limit of the content ratio is preferably 30% by mass, more preferably 25% by mass, still more preferably 20% by mass, and particularly preferably 15% by mass in the total mass of the [A] polymer and [B] solvent.
- the polymer is typically composed of an aromatic ring compound as a precursor having a phenolic hydroxyl group that gives Ar 1 of the above formula (1), and a precursor that gives R 0 of the above formula (1)
- a nucleophilic substitution reaction with a phenolic hydroxyl group to the halogenated hydrocarbon corresponding to the group represented by the above formula (2-1) or (2-2) can be manufactured by
- the acid catalyst is not particularly limited, and known inorganic acids and organic acids can be used.
- the [A] polymer can be obtained through separation, purification, drying, and the like.
- the reaction solvent the solvent [B] described later can be preferably employed.
- the [B] solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the [A] polymer and optionally contained optional components.
- Solvents include, for example, hydrocarbon solvents, ester solvents, alcohol solvents, ketone solvents, ether solvents, nitrogen-containing solvents, and the like.
- a solvent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
- hydrocarbon solvents examples include aliphatic hydrocarbon solvents such as n-pentane, n-hexane and cyclohexane, and aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene.
- ester solvents include carbonate solvents such as diethyl carbonate, acetic acid monoester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate, lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone, diethylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate.
- carbonate solvents such as diethyl carbonate
- acetic acid monoester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate
- lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone
- diethylene glycol monomethyl ether acetate diethylene glycol monomethyl ether acetate
- propylene glycol monomethyl ether acetate propylene glycol monomethyl ether acetate.
- Valued alcohol partial ether carboxylate solvents such as methyl lactate and ethyl lactate, and the like are included.
- alcoholic solvents examples include monoalcoholic solvents such as methanol, ethanol and n-propanol, and polyhydric alcoholic solvents such as ethylene glycol and 1,2-propylene glycol.
- ketone solvents examples include chain ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and cyclic ketone solvents such as cyclohexanone.
- ether solvents include chain ether solvents such as n-butyl ether, polyhydric alcohol ether solvents such as cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran, and polyhydric alcohol partial ether solvents such as diethylene glycol monomethyl ether. .
- nitrogen-containing solvents examples include linear nitrogen-containing solvents such as N,N-dimethylacetamide and cyclic nitrogen-containing solvents such as N-methylpyrrolidone.
- the [B] solvent is preferably an ester solvent or a ketone solvent, more preferably a polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvent or a cyclic ketone solvent, and even more preferably propylene glycol monomethyl ether acetate or cyclohexanone.
- the lower limit of the content of the [B] solvent in the composition is preferably 50% by mass, more preferably 60% by mass, and even more preferably 70% by mass.
- the upper limit of the content ratio is preferably 99.9% by mass, more preferably 99% by mass, and even more preferably 95% by mass.
- the content of hydrogen atoms in the coating film is preferably 26.0 atm % or less, more preferably 25.0 atm % or less, and 24.0 atm % or less. is more preferable, and 23.0 atm% or less is particularly preferable.
- the content of carbon atoms in the coating film after heating the coating film of the composition at 400° C. for 90 seconds is preferably 53.0 atm % or more, more preferably 54.0 atm % or more, and 55.0 atm %. % or more is more preferable, and 56.0 atm% or more is particularly preferable.
- the etching resistance and bending resistance of the resist underlayer film formed from the composition can be further improved.
- the method for measuring the content of hydrogen atoms and carbon atoms in the coating film after heating is described in Examples.
- the composition may contain optional ingredients as long as they do not impair the effects of the present invention.
- Optional components include, for example, an acid generator, a cross-linking agent, and a surfactant.
- An arbitrary component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
- the content ratio of the optional component in the composition can be appropriately determined depending on the type of the optional component.
- composition is prepared by mixing the polymer [A], the solvent [B], and optionally optional components in a predetermined ratio, and filtering the resulting mixture through a membrane filter or the like having a pore size of 0.5 ⁇ m or less. It can be prepared by
- the resist underlayer film-forming composition is applied directly or indirectly onto the substrate.
- the composition described above is used as the composition for forming the resist underlayer film.
- the method of coating the composition for forming a resist underlayer film is not particularly limited, and can be carried out by an appropriate method such as spin coating, casting coating, roll coating, or the like. As a result, a coating film is formed, and [B] a resist underlayer film is formed by volatilization of the solvent.
- the substrate examples include metal or semi-metal substrates such as silicon substrates, aluminum substrates, nickel substrates, chromium substrates, molybdenum substrates, tungsten substrates, copper substrates, tantalum substrates, and titanium substrates, among which silicon substrates are preferred.
- the substrate may be a substrate on which a silicon nitride film, an alumina film, a silicon dioxide film, a tantalum nitride film, a titanium nitride film, or the like is formed.
- Examples of the case of indirectly applying the composition for forming a resist underlayer film onto a substrate include the case of applying the composition for forming a resist underlayer film onto a silicon-containing film formed on the substrate, which will be described later.
- This embodiment may include a heating step of heating the coating film formed by the coating step.
- the heating of the coating promotes the formation of the resist underlayer film. More specifically, heating the coating film promotes volatilization of the [B] solvent.
- the coating film may be heated in an air atmosphere or in a nitrogen atmosphere.
- the lower limit of the heating temperature is preferably 300°C, more preferably 320°C, and even more preferably 350°C.
- the upper limit of the heating temperature is preferably 600°C, more preferably 500°C.
- the lower limit of the heating time is preferably 15 seconds, more preferably 30 seconds.
- the upper limit of the time is preferably 1,200 seconds, more preferably 600 seconds.
- the resist underlayer film may be exposed after the coating step. After the coating step, the resist underlayer film may be exposed to plasma. After the coating step, ions may be implanted into the resist underlayer film. Exposure of the resist underlayer film improves the etching resistance of the resist underlayer film. Exposure of the resist underlayer film to plasma improves the etching resistance of the resist underlayer film. Ion implantation into the resist underlayer film improves the etching resistance of the resist underlayer film.
- the radiation used for exposure of the resist underlayer film is appropriately selected from electromagnetic waves such as visible light, ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays, and ⁇ rays; and particle beams such as electron beams, molecular beams, and ion beams.
- the normal gas flow rate is 50 cc/min or more and 100 cc/min or less
- the power supply is 100 W or more and 1,500 W or less.
- the lower limit of plasma exposure time is preferably 10 seconds, more preferably 30 seconds, and even more preferably 1 minute.
- the upper limit of the time is preferably 10 minutes, more preferably 5 minutes, and even more preferably 2 minutes.
- Plasma is generated, for example, in a mixed gas atmosphere of H 2 gas and Ar gas.
- a carbon-containing gas such as CF 4 gas or CH 4 gas may be introduced.
- CF4 gas, NF3 gas, CHF3 gas , CO2 gas, CH2F2 gas, CH4 gas and C4F8 gas At least one of them may be introduced.
- the ion implantation into the resist underlayer film injects the dopant into the resist underlayer film.
- Dopants may be selected from the group consisting of boron, carbon, nitrogen, phosphorous, arsenic, aluminum, and tungsten. Implant energies used to voltage the dopants range from about 0.5 keV to 60 keV, depending on the type of dopant used and the depth of implantation desired.
- the lower limit to the average thickness of the resist underlayer film to be formed is preferably 30 nm, more preferably 50 nm, and even more preferably 100 nm.
- the upper limit of the average thickness is preferably 3,000 nm, more preferably 2,000 nm, and even more preferably 500 nm. The method for measuring the average thickness is described in Examples.
- a silicon-containing film is formed directly or indirectly on the resist underlayer film formed in the coating step or the heating step.
- the silicon-containing film is formed indirectly on the resist underlayer film include, for example, the case where a surface modification film of the resist underlayer film is formed on the resist underlayer film.
- the surface modified film of the resist underlayer film is, for example, a film having a contact angle with water different from that of the resist underlayer film.
- a silicon-containing film can be formed by coating a silicon-containing film-forming composition, chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), or the like.
- CVD chemical vapor deposition
- ALD atomic layer deposition
- a method of forming a silicon-containing film by coating a silicon-containing film-forming composition for example, a coating film formed by directly or indirectly coating a silicon-containing film-forming composition on the resist underlayer film is formed. , a method of curing by exposure and/or heating, and the like.
- Commercially available products of the silicon-containing film-forming composition include, for example, "NFC SOG01", “NFC SOG04", and "NFC SOG080" (manufactured by JSR Corporation).
- Silicon oxide films, silicon nitride films, silicon oxynitride films, and amorphous silicon films can be formed by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD).
- Examples of the radiation used for the exposure include visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electromagnetic waves such as ⁇ -rays, and particle beams such as electron beams, molecular beams, and ion beams.
- the lower limit of the temperature when heating the coating film is preferably 90°C, more preferably 150°C, and even more preferably 200°C.
- the upper limit of the temperature is preferably 550°C, more preferably 450°C, and even more preferably 300°C.
- the lower limit of the average thickness of the silicon-containing film is preferably 1 nm, more preferably 10 nm, and even more preferably 20 nm.
- the upper limit is preferably 20,000 nm, more preferably 1,000 nm, even more preferably 100 nm.
- the average thickness of the silicon-containing film is a value measured using the spectroscopic ellipsometer as in the case of the average thickness of the resist underlayer film.
- resist pattern forming step In this step, a resist pattern is formed directly or indirectly on the resist underlayer film.
- the method for performing this step include a method using a resist composition, a method using a nanoimprint method, a method using a self-assembled composition, and the like.
- Examples of forming a resist pattern indirectly on the resist underlayer film include forming a resist pattern on the silicon-containing film.
- the resist composition examples include a positive-type or negative-type chemically amplified resist composition containing a radiation-sensitive acid generator, a positive-type resist composition containing an alkali-soluble resin and a quinonediazide-based photosensitizer, an alkali-soluble Examples include a negative resist composition containing a resin and a cross-linking agent.
- Examples of the coating method of the resist composition include a spin coating method and the like.
- the pre-baking temperature and time can be appropriately adjusted depending on the type of resist composition used.
- the radiation used for exposure can be appropriately selected according to the type of radiation-sensitive acid generator used in the resist composition, and examples thereof include visible light, ultraviolet light, deep ultraviolet light, X-rays, and gamma rays. Examples include electromagnetic waves, electron beams, molecular beams, and particle beams such as ion beams.
- KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), F2 excimer laser light (wavelength 157 nm), Kr2 excimer laser light ( wavelength 147 nm), ArKr excimer Laser light (wavelength: 134 nm) or extreme ultraviolet rays (wavelength: 13.5 nm, etc., hereinafter also referred to as "EUV”) are more preferred, and KrF excimer laser light, ArF excimer laser light, or EUV is even more preferred.
- EUV extreme ultraviolet rays
- post-baking can be performed to improve the resolution, pattern profile, developability, and the like.
- the temperature and time of this post-baking can be appropriately determined according to the type of resist composition used.
- the exposed resist film is developed with a developer to form a resist pattern.
- This development may be either alkali development or organic solvent development.
- the developer in the case of alkali development, basic aqueous solutions such as ammonia, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and tetraethylammonium hydroxide can be used. Suitable amounts of water-soluble organic solvents such as alcohols such as methanol and ethanol, surfactants, and the like can also be added to these basic aqueous solutions.
- the developer includes, for example, various organic solvents exemplified as the [B] solvent of the composition.
- a predetermined resist pattern is formed by washing and drying after development with the developer.
- etching is performed using the resist pattern as a mask. Etching may be performed once or multiple times, that is, etching may be performed sequentially using a pattern obtained by etching as a mask. Multiple times are preferable from the viewpoint of obtaining a pattern with a better shape. When etching is performed multiple times, for example, the silicon-containing film, the resist underlayer film, and the substrate are sequentially etched. Etching methods include dry etching, wet etching, and the like. Dry etching is preferable from the viewpoint of improving the pattern shape of the substrate. For this dry etching, gas plasma such as oxygen plasma is used. A semiconductor substrate having a predetermined pattern is obtained by the etching.
- Dry etching can be performed using, for example, a known dry etching apparatus.
- the etching gas used for dry etching can be appropriately selected according to the mask pattern, the elemental composition of the film to be etched, etc. Examples include CHF 3 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 and SF 6 .
- Fluorine-based gases chlorine-based gases such as Cl 2 and BCl 3 , oxygen-based gases such as O 2 , O 3 and H 2 O, H 2 , NH 3 , CO, CO 2 , CH 4 , C 2 H 2 , C 2H4 , C2H6 , C3H4 , C3H6 , C3H8 , HF, HI , HBr , HCl, NO, NH3 , reducing gases such as BCl3 , He, N2 , Inert gas, such as Ar, etc. are mentioned. These gases can also be mixed and used. When etching a substrate using the pattern of the resist underlayer film as a mask, a fluorine-based gas is usually used.
- composition contains [A] polymer and [B] solvent.
- composition used in the method for manufacturing a semiconductor substrate can be suitably employed.
- Mw Weight average molecular weight
- the average thickness of the resist underlayer film is determined by measuring the film thickness at arbitrary 9 points at intervals of 5 cm including the center of the resist underlayer film using a spectroscopic ellipsometer ("M2000D" manufactured by JA WOOLLAM). It was obtained as a calculated value of the average value of the film thickness.
- the obtained organic phase was concentrated by an evaporator, and the residue was dropped into 500 g of methanol to obtain a precipitate.
- the precipitate was collected by suction filtration and washed several times with 100 g of methanol. Then, it was dried at 60° C. for 12 hours using a vacuum dryer to obtain a polymer (a-1) represented by the following formula (a-1). Mw of the polymer (a-1) was 2,100.
- the obtained organic phase was concentrated by an evaporator, and the residue was dropped into 500 g of methanol to obtain a precipitate.
- the precipitate was collected by suction filtration and washed several times with 100 g of methanol. Then, it was dried at 60° C. for 12 hours using a vacuum dryer to obtain a polymer (A-1) represented by the following formula (A-1).
- the Mw of polymer (A-1) was 3,000.
- the obtained organic phase was concentrated by an evaporator, and the residue was dropped into 500 g of methanol to obtain a precipitate.
- the precipitate was collected by suction filtration and washed several times with 100 g of methanol. Then, it was dried at 60° C. for 12 hours using a vacuum dryer to obtain a polymer (x′-4) represented by the following formula (x′-4).
- the Mw of polymer (x'-4) was 3,400.
- D-2 a compound represented by the following formula (D-2)
- composition (J-1) 10 parts by mass of (A-1) as a polymer was dissolved in 90 parts by mass of (B-1) as a [B] solvent. The resulting solution was filtered through a polytetrafluoroethylene (PTFE) membrane filter with a pore size of 0.45 ⁇ m to prepare composition (J-1).
- PTFE polytetrafluoroethylene
- the composition prepared above was coated on a silicon wafer (substrate) by a spin coating method using a spin coater ("CLEAN TRACK ACT 12" available from Tokyo Electron Ltd.). Next, after heating at 350° C. for 60 seconds in an air atmosphere, by cooling at 23° C. for 60 seconds, a film having an average thickness of 200 nm was formed, and a film-coated substrate having a resist underlayer film formed on the substrate was obtained. Obtained.
- etching rate (nm/min) was calculated from the average thickness of the film before and after the treatment.
- the ratio to Comparative Example 1 was calculated based on the etching rate of Comparative Example 1, and this ratio was used as a measure of etching resistance.
- the etching resistance is "A” (extremely good) when the above ratio is 0.90 or less, "B" (good) when it is more than 0.90 and less than 0.92, and "B” when it is 0.92 or more.
- C (defective).
- "-" in Table 2 indicates that it is an evaluation criterion for etching resistance.
- the composition prepared above was coated on a silicon wafer (substrate) by a spin coating method using a spin coater ("CLEAN TRACK ACT 12" available from Tokyo Electron Ltd.). Next, after heating at 200° C. for 60 seconds in an air atmosphere, by cooling at 23° C. for 60 seconds, a film having an average thickness of 200 nm was formed to obtain a film-coated substrate having a film formed on the substrate. .
- the powder was collected by scraping the film of the film-coated substrate obtained above, and the collected powder was placed in a container used for measurement with a TG-DTA device (“TG-DTA2000SR” by NETZSCH) and placed in a container before heating. Mass was measured.
- the powder was heated to 400° C. at a heating rate of 10° C./min in a nitrogen atmosphere, and the mass of the powder at 400° C. was measured. Then, the mass reduction rate (%) was measured by the following formula, and this mass reduction rate was used as a measure of heat resistance.
- M L ⁇ (m1 ⁇ m2)/m1 ⁇ 100
- ML is the mass reduction rate (%)
- m1 is the mass before heating (mg)
- m2 is the mass at 400°C (mg).
- the heat resistance the smaller the mass reduction rate of the sample powder, the less the sublimate and the decomposition product of the film generated during the heating of the film, and the better the heat resistance.
- the heat resistance is "A” (very good) when the mass reduction rate is less than 5%, "B” (good) when it is 5% or more and less than 10%, and "C” when it is 10% or more ( bad).
- the composition prepared above was coated on a silicon substrate having a silicon dioxide film having an average thickness of 500 nm by a spin coating method using a spin coater ("CLEAN TRACK ACT 12" available from Tokyo Electron Ltd.). Next, after heating at 350° C. for 60 seconds in an air atmosphere, the substrate was cooled at 23° C. for 60 seconds to obtain a film-coated substrate on which a resist underlayer film having an average thickness of 200 nm was formed.
- a composition for forming a silicon-containing film (“NFC SOG080” available from JSR Corporation) was applied onto the obtained film-coated substrate by a spin coating method, and then heated at 200° C. for 60 seconds in an air atmosphere. and further heated at 300° C.
- An ArF resist composition (“AR1682J” from JSR Corporation) was applied onto the silicon-containing film by a spin coating method, and heated (baked) at 130° C. for 60 seconds in an air atmosphere to obtain an average thickness of A resist film of 200 nm was formed.
- an ArF excimer laser exposure apparatus (lens numerical aperture 0.78, exposure wavelength 193 nm)
- the resist film was exposed through a 1:1 line-and-space mask pattern with a target size of 100 nm while changing the exposure dose. After exposure, the film was heated (baked) at 130° C.
- TMAH tetramethylammonium hydroxide
- CF 4 200 sccm
- PRESS. 85 mT
- HF RF radio frequency power for plasma generation
- LF RF radio frequency power for bias
- DCS -150 V
- RDC gas center flow ratio
- a substrate having a pattern formed on the resist underlayer film was obtained.
- CF 4 180 sccm
- Ar 360 sccm
- the silicon dioxide film was etched using a vacuum cleaner to obtain a substrate having a pattern formed on the silicon dioxide film.
- the shape of the resist underlayer film pattern of each line width was magnified 250,000 times with a scanning electron microscope ("CG-4000" by Hitachi High-Technologies Co., Ltd.) on the substrate on which the pattern was formed on the silicon dioxide film.
- CG-4000 scanning electron microscope
- the horizontal side surface 3a of the resist underlayer film pattern 3 (line pattern) having a length of 1,000 nm was measured at 10 locations at intervals of 100 nm.
- LER Line Edge Roughness
- the bending resistance is "A" (good) when the line width of the film pattern with an LER of 5.5 nm is less than 40.0 nm, and "B” (slightly Good) and 45.0 nm or more were evaluated as “C” (bad). It should be noted that the degree of bending of the film pattern shown in FIG. 1 is exaggerated from the actual state.
- compositions (J-1) to (J-20) and (CJ-1) to (CJ-4) prepared above are coated on a silicon wafer (substrate) using a spin coater ("CLEAN TRACK" available from Tokyo Electron Ltd.).
- ACT 12 was applied by a spin coating method.
- a film having an average thickness of 200 nm was formed, and a film-coated substrate having a resist underlayer film formed on the substrate was obtained. Obtained.
- Powder is recovered by scraping the film of the film-coated substrate obtained above, and hydrogen atoms, carbon atoms and nitrogen atoms in the coating film are analyzed using a CHN simultaneous analysis device (“MICRO CORDER JM10” manufactured by J-Science Co., Ltd.).
- the content ratios R'H , R'C , and R'N (wt%) of were measured.
- the oxygen atom content R′ O (wt %) was calculated by the following formula.
- R'O 100- R'H - R'C - R'N
- the content ratios RH and RC (atm%) of hydrogen atoms and carbon atoms were calculated by the following formulas.
- R H (R′ H )/ ⁇ (R′ H )+(R′ C /12)+(R′ O /16)+(R′ N /14) ⁇ 100
- R C (R′ C /12)/ ⁇ (R′ H )+(R′ C /12)+(R′ O /16)+(R′ N /14) ⁇ 100
- the resist underlayer films formed from the compositions of Examples are superior in etching resistance, heat resistance, and bending resistance to resist underlayer films formed from the compositions of Comparative Examples.
- a well-patterned substrate can be obtained.
- the composition of the present invention can form a resist underlayer film excellent in etching resistance, heat resistance and bending resistance. Therefore, these can be suitably used for the manufacture of semiconductor devices, etc., which are expected to be further miniaturized in the future.
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Abstract
エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れる膜を形成可能な組成物を用いる半導体基板の製造方法及び組成物を提供することを目的とする。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程とを含み、上記レジスト下層膜形成用組成物が、下記式(1)で表される繰り返し単位を有する重合体と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。(式(1)中、Ar1は、環員数5~40の芳香環を有する2価の基である。R0は、環員数5~40の芳香環を有する1価の基であり、下記式(2-1)で表される基及び下記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有する。)(式(2-1)及び(2-2)中、R7は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の有機基又は単結合である。*は芳香環における炭素原子との結合手である。)
Description
本発明は、半導体基板の製造方法、組成物、重合体及び重合体の製造方法に関する。
半導体デバイスの製造にあっては、例えば、基板上に有機下層膜、ケイ素含有膜などのレジスト下層膜を介して積層されたレジスト膜を露光及び現像してレジストパターンを形成する多層レジストプロセスが用いられている。このプロセスでは、このレジストパターンをマスクとしてレジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをマスクとしてさらに基板をエッチングすることで、半導体基板に所望のパターンを形成することができる(特開2004-177668号公報参照)。
このようなレジスト下層膜形成用組成物に用いられる材料について、種々の検討が行われている(国際公開第2011/108365号参照)。
多層レジストプロセスにおいて、レジスト下層膜としての有機下層膜にはエッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性が要求される。
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れる膜を形成可能な組成物を用いる半導体基板の製造方法及び組成物を提供することにある。
本発明は、一実施形態において、
基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、
上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程と
を含み、
上記レジスト下層膜形成用組成物が、
下記式(1)で表される繰り返し単位を有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう。)と、
溶媒(以下、「[B]溶媒」ともいう。)と
を含有する、半導体基板の製造方法に関する。
(式(1)中、Ar1は、環員数5~40の芳香環を有する2価の基である。R0は、環員数5~40の芳香環を有する1価の基であり、下記式(2-1)で表される基及び下記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有する。)
(式(2-1)及び(2-2)中、R7は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の有機基又は単結合である。*は芳香環における炭素原子との結合手である。)
基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、
上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程と
を含み、
上記レジスト下層膜形成用組成物が、
下記式(1)で表される繰り返し単位を有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう。)と、
溶媒(以下、「[B]溶媒」ともいう。)と
を含有する、半導体基板の製造方法に関する。
本明細書において、「環員数」とは、環を構成する原子の数をいう。例えば、ビフェニル環の環員数は12であり、ナフタレン環の環員数は10であり、フルオレン環の環員数は13である。
当該半導体基板の製造方法によれば、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れたレジスト下層膜を形成するため、良好なパターン形状を有する半導体基板を得ることができる。当該組成物によれば、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れる膜を形成することができる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造等に好適に用いることができる。
以下、本発明の各実施形態に係る半導体基板の製造方法及び組成物について詳説する。実施形態における好適な態様の組み合わせもまた好ましい。
《半導体基板の製造方法》
当該半導体基板の製造方法は、基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程(以下、「塗工工程」ともいう)と、上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程(以下、「エッチング工程」ともいう)とを備える。
当該半導体基板の製造方法は、基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程(以下、「塗工工程」ともいう)と、上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程(以下、「エッチング工程」ともいう)とを備える。
当該半導体基板の製造方法によれば、上記塗工工程においてレジスト下層膜形成用組成物として後述の当該組成物を用いることにより、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れたレジスト下層膜を形成することができるため、良好なパターン形状を有する半導体基板を製造することができる。
当該半導体基板の製造方法は、必要に応じて、上記レジスト下層膜に対し直接又は間接にケイ素含有膜を形成する工程(以下、「ケイ素含有膜形成工程」ともいう)をさらに備えていてもよい。
以下、当該半導体基板の製造方法に用いる組成物及び各工程について説明する。
<組成物>
レジスト下層膜形成用組成物としての当該組成物は、[A]重合体と[B]溶媒とを含有する。当該組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。
レジスト下層膜形成用組成物としての当該組成物は、[A]重合体と[B]溶媒とを含有する。当該組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。
当該組成物は、[A]重合体と[B]溶媒とを含有することにより、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れる膜を形成することができる。したがって、当該組成物は膜を形成するための組成物として用いることができる。より詳細には、当該組成物は、多層レジストプロセスにおけるレジスト下層膜を形成するための組成物として好適に用いることができる。
以下、当該組成物が含有する各成分について説明する。
<[A]重合体>
[A]重合体は、下記式(1)で表される繰り返し単位を有する。[A]重合体は、下記式(1)で表される繰り返し単位を2種以上有していてもよい。当該組成物は、1種又は2種以上の[A]重合体を含有することができる。
(式(1)中、Ar1は、環員数5~40の芳香環を有する2価の基である。R0は、環員数5~40の芳香環を有する1価の基であり、下記式(2-1)で表される基及び下記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有する。)
(式(2-1)及び(2-2)中、R7は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の有機基又は単結合である。*は芳香環における炭素原子との結合手である。)
[A]重合体は、下記式(1)で表される繰り返し単位を有する。[A]重合体は、下記式(1)で表される繰り返し単位を2種以上有していてもよい。当該組成物は、1種又は2種以上の[A]重合体を含有することができる。
上記式(1)中、Ar1及びR0における環員数5~40の芳香環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナレン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環、ペリレン環、コロネン環等の芳香族炭化水素環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ホスホール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等の複素芳香環、又はこれらの組み合わせ等が挙げられる。上記Ar1及びR0の芳香環は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナレン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環、ペリレン環及びコロネン環からなる群より選ばれる少なくとも1つの芳香族炭化水素環であることが好ましい。Ar1の芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環又はピレン環であることがより好ましい。R0の芳香環としては、ベンゼン環がより好ましい。
上記式(1)中、Ar1及びR0で表される環員数5~40の芳香環を有する2価の基としては、上記Ar1及びR0における環員数5~40の芳香環から2個の水素原子を除いた基等が好適に挙げられる。
上記式(2-1)及び(2-2)中、R7で表される炭素数1~20の2価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の2価の炭化水素基、この炭化水素基の炭素-炭素間に2価のヘテロ原子含有基を有する基、上記炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部を1価のヘテロ原子含有基で置換した基又はこれらの組み合わせ等があげられる。
炭素数1~20の2価の炭化水素基としては、例えば、炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の2価の芳香族炭化水素基又はこれらの組み合わせ等があげられる。
本明細書において、「炭化水素基」には、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が含まれる。この「炭化水素基」には、飽和炭化水素基及び不飽和炭化水素基が含まれる。「鎖状炭化水素基」とは、環構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基及び分岐鎖状炭化水素基の両方を含む。「脂環式炭化水素基」とは、環構造としては脂環構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味し、単環の脂環式炭化水素基及び多環の脂環式炭化水素基の両方を含む(ただし、脂環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい)。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基を意味する(ただし、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に脂環構造や鎖状構造を含んでいてもよい)。
炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基等が挙げられる。中でも、炭素数1~8のアルカンジイル基が好ましい。
炭素数3~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基;シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基等のシクロアルケンジイル基;ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基、トリシクロデカンジイル基等の橋かけ環飽和炭化水素基;ノルボルネンジイル基、トリシクロデセンジイル基等の橋かけ環不飽和炭化水素基などが挙げられる。
炭素数6~20の2価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、トルエンジイル基、キシレンジイル基等が挙げられる。
2価又は1価のヘテロ原子含有基を構成するヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、ハロゲン原子等があげられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。
2価のヘテロ原子含有基としては、例えば、-CO-、-CS-、-NH-、-O-、-S-、これらを組み合わせた基等があげられる。
1価のヘテロ原子含有基としては、例えば、ヒドロキシ基、スルファニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等があげられる。
R7としてはメタンジイル基、エタンジイル基、フェニレン基等の炭素数1~10の2価の炭化水素基、-O-又はこれらの組み合わせが好ましく、メタンジイル基、又はメタンジイル基と-O-との組み合わせがより好ましい。
上記R0が、環員数5~40の芳香環を有する1価の基であり、上記式(2-1)で表される基及び上記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも2つの基を有することが好ましい。上記R0は、上記式(2-1)で表される基及び上記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも3つの基を有することがより好ましい。
上記Ar1が、上記式(2-1)で表される基及び上記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有することが好ましい。
Ar1及びR0は、上記式(2-1)で表される基及び上記式(2-2)で表される基以外の置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば炭素数1~10の1価の鎖状炭化水素基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等のアリールオキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基等のアルコキシカルボニルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基などが挙げられる。
上記式(1)で表される繰り返し単位としては、例えば下記式(1-1)~(1-28)で表される繰り返し単位等が挙げられる。下記式中、複数の繰り返し単位が連結していても、各繰り返し単位はそれぞれ独立して採用し得る。
中でも、上記式(1-1)~(1-10)、(1-13)~(1-17)、(1-22)~(1-28)で表される繰り返し単位が好ましく、特に上記式(1-5)~(1-8)で表される繰り返し単位が好ましい。
[A]重合体は、さらに下記式(3)で表される繰り返し単位を有していてもよい。
(式(3)中、Ar5は、環員数5~40の芳香環を有する2価の基である。R1は、水素原子又は炭素数1~60の1価の有機基である(ただし、上記式(1)のR0に該当する基を除く。)。)
Ar5における環員数5~40の芳香環としては、上記式(1)のAr1における環員数5~40の芳香環等を好適に採用することができる。
Ar5で表される環員数5~40の芳香環を有する2価の基としては、上記Ar5における環員数5~40の芳香環から2個の水素原子を除いた基等が好適に挙げられる。
R1で表される炭素数1~60の1価の有機基としては、上記式(1)のR0に該当する基以外の基である限り特に限定されず、例えば、炭素数1~60の1価の炭化水素基、この炭化水素基の炭素-炭素間に2価のヘテロ原子含有基を有する基、上記炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部を1価のヘテロ原子含有基で置換した基又はこれらの組み合わせ等があげられる。これらの基としては、上記式(i)、(ii)、(iii)及び(iv)において、R1、R2、R3、R4、R5及びR6で表される炭素数1~20の1価の有機基を構成する基として例示した基を炭素数60まで拡張した基を好適に採用することができる。
上記式(3)で表される繰り返し単位としては、例えば下記式(3-1)~(3-8)で表される繰り返し単位等が挙げられる。
[A]重合体の重量平均分子量の下限としては、500が好ましく、1000がより好ましく、1500がさらに好ましく、2000が特に好ましい。上記分子量の上限としては、10000が好ましく、8000がより好ましく、7000がさらに好ましく、6000が特に好ましい。なお、重量平均分子量の測定方法は、実施例の記載による。
当該組成物における[A]重合体の含有割合の下限としては、[A]重合体及び[B]溶媒の合計質量中、2質量%が好ましく、4質量%がより好ましく、6質量%がさらに好ましく、8質量%が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、[A]重合体及び[B]溶媒の合計質量中、30質量%が好ましく、25質量%がより好ましく、20質量%がさらに好ましく、15質量%が特に好ましい。
<[A]重合体の製造方法>
[A]重合体は、代表的には、上記式(1)のAr1を与えるフェノール性水酸基を有する前駆体としての芳香環化合物と、上記式(1)のR0を与える前駆体としてのフェノール性水酸基を有するアルデヒド誘導体との酸付加縮合に続き、上記式(2-1)又は(2-2)で表される基に対応するハロゲン化炭化水素へのフェノール性水酸基による求核置換反応により製造することができる。酸触媒としては特に限定されず、公知の無機酸及び有機酸を用いることができる。反応後、分離、精製、乾燥等を経て[A]重合体を得ることができる。反応溶媒としては、後述の[B]溶媒を好適に採用することができる。
[A]重合体は、代表的には、上記式(1)のAr1を与えるフェノール性水酸基を有する前駆体としての芳香環化合物と、上記式(1)のR0を与える前駆体としてのフェノール性水酸基を有するアルデヒド誘導体との酸付加縮合に続き、上記式(2-1)又は(2-2)で表される基に対応するハロゲン化炭化水素へのフェノール性水酸基による求核置換反応により製造することができる。酸触媒としては特に限定されず、公知の無機酸及び有機酸を用いることができる。反応後、分離、精製、乾燥等を経て[A]重合体を得ることができる。反応溶媒としては、後述の[B]溶媒を好適に採用することができる。
<[B]溶媒>
[B]溶媒は、[A]重合体及び必要に応じて含有する任意成分を溶解又は分散することができれば特に限定されない。
[B]溶媒は、[A]重合体及び必要に応じて含有する任意成分を溶解又は分散することができれば特に限定されない。
[B]溶媒としては、例えば炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、含窒素系溶媒などが挙げられる。[B]溶媒は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等の酢酸モノエステル系溶媒、γ-ブチロラクトン等のラクトン系溶媒、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル系溶媒などが挙げられる。
アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール等のモノアルコール系溶媒、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の鎖状ケトン系溶媒、シクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えばn-ブチルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒、テトラヒドロフラン等の環状エーテル系溶媒等の多価アルコールエーテル系溶媒、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
含窒素系溶媒としては、例えばN,N-ジメチルアセトアミド等の鎖状含窒素系溶媒、N-メチルピロリドン等の環状含窒素系溶媒などが挙げられる。
[B]溶媒としては、エステル系溶媒又はケトン系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒又は環状ケトン系溶媒がより好ましく、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル又はシクロヘキサノンがさらに好ましい。
当該組成物における[B]溶媒の含有割合の下限としては、50質量%が好ましく、60質量%がより好ましく、70質量%がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、99.9質量%が好ましく、99質量%がより好ましく、95質量%がさらに好ましい。
組成物の塗膜を400℃で90秒間加熱した後の該塗膜中の水素原子の含有割合としては、26.0atm%以下が好ましく、25.0atm%以下がより好ましく、24.0atm%以下がさらに好ましく、23.0atm%以下が特に好ましい。また、組成物の塗膜を400℃で90秒間加熱した後の該塗膜中の炭素原子の含有割合としては、53.0atm%以上が好ましく、54.0atm%以上がより好ましく、55.0atm%以上がさらに好ましく、56.0atm%以上が特に好ましい。上記組成物により形成した塗膜の加熱後の水素原子や炭素原子の含有割合を上記範囲とすることで、組成物により形成されるレジスト下層膜のエッチング耐性や曲がり耐性をより向上させることができる。なお、塗膜の加熱後の水素原子及び炭素原子の含有割合の測定方法は実施例の記載による。
[任意成分]
当該組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において任意成分を含有していてもよい。任意成分としては、例えば酸発生剤、架橋剤、界面活性剤等が挙げられる。任意成分は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。当該組成物における任意成分の含有割合は任意成分の種類等に応じて適宜決定することができる。
当該組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において任意成分を含有していてもよい。任意成分としては、例えば酸発生剤、架橋剤、界面活性剤等が挙げられる。任意成分は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。当該組成物における任意成分の含有割合は任意成分の種類等に応じて適宜決定することができる。
[組成物の調製方法]
当該組成物は、[A]重合体、[B]溶媒、及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合物を孔径0.5μm以下のメンブランフィルター等でろ過することにより調製できる。
当該組成物は、[A]重合体、[B]溶媒、及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合物を孔径0.5μm以下のメンブランフィルター等でろ過することにより調製できる。
[塗工工程]
本工程では、基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する。本工程ではレジスト下層膜形成用組成物として、上述の当該組成物を用いる。
本工程では、基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する。本工程ではレジスト下層膜形成用組成物として、上述の当該組成物を用いる。
レジスト下層膜形成用組成物の塗工方法としては特に限定されず、例えば回転塗工、流延塗工、ロール塗工などの適宜の方法で実施することができる。これにより塗工膜が形成され、[B]溶媒の揮発などが起こることによりレジスト下層膜が形成される。
基板としては、例えばシリコン基板、アルミニウム基板、ニッケル基板、クロム基板、モリブデン基板、タングステン基板、銅基板、タンタル基板、チタン基板等の金属又は半金属基板などが挙げられ、これらの中でもシリコン基板が好ましい。上記基板は、窒化ケイ素膜、アルミナ膜、二酸化ケイ素膜、窒化タンタル膜、窒化チタン膜などが形成された基板でもよい。
基板に間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する場合としては、例えば上記基板に形成された後述のケイ素含有膜上にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する場合などが挙げられる。
[加熱工程]
本実施形態では、上記塗工工程により形成された塗工膜を加熱する加熱工程を含んでいてもよい。塗工膜の加熱によりレジスト下層膜の形成が促進される。より詳細には、塗工膜の加熱により[B]溶媒の揮発等が促進される。
本実施形態では、上記塗工工程により形成された塗工膜を加熱する加熱工程を含んでいてもよい。塗工膜の加熱によりレジスト下層膜の形成が促進される。より詳細には、塗工膜の加熱により[B]溶媒の揮発等が促進される。
上記塗工膜の加熱は、大気雰囲気下で行ってもよいし、窒素雰囲気下で行ってもよい。加熱温度の下限としては、300℃が好ましく、320℃がより好ましく、350℃がさらに好ましい。上記加熱温度の上限としては、600℃が好ましく、500℃がより好ましい。加熱における時間の下限としては、15秒が好ましく、30秒がより好ましい。上記時間の上限としては、1,200秒が好ましく、600秒がより好ましい。
なお、上記塗工工程後に、レジスト下層膜を露光してもよい。上記塗工工程後に、レジスト下層膜にプラズマを暴露してもよい。上記塗工工程後に、レジスト下層膜にイオン注入をしてもよい。レジスト下層膜を露光すると、レジスト下層膜のエッチング耐性が向上する。レジスト下層膜にプラズマを暴露すると、レジスト下層膜のエッチング耐性が向上する。レジスト下層膜にイオン注入をすると、レジスト下層膜のエッチング耐性が向上する。
レジスト下層膜の露光に用いられる放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、γ線等の電磁波;電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線から適宜選択される。
レジスト下層膜へのプラズマの暴露を行う方法としては、例えば基板を各ガス雰囲気中に設置し、プラズマ放電することによる直接法等が挙げられる。プラズマの暴露の条件としては、通常ガス流量が50cc/min以上100cc/min以下、供給電力が100W以上1,500W以下である。
プラズマの暴露の時間の下限としては、10秒が好ましく、30秒がより好ましく、1分がさらに好ましい。上記時間の上限としては、10分が好ましく、5分がより好ましく、2分がさらに好ましい。
プラズマは、例えば、H2ガスとArガスの混合ガスの雰囲気下でプラズマが生成される。また、H2ガスとArガスに加えて、CF4ガスやCH4ガス等の炭素含有ガスを導入するようにしてもよい。なお、H2ガス及びArガスのいずれか一方または両方の代わりに、CF4ガス、NF3ガス、CHF3ガス、CO2ガス、CH2F2ガス、CH4ガス及びC4F8ガスのうちの少なくとも一つを導入してもよい。
レジスト下層膜へのイオン注入は、ドーパントをレジスト下層膜へ注入する。ドーパントは、ホウ素、炭素、窒素、リン、ヒ素、アルミニウム、及びタングステンから成るグループから選択され得る。ドーパントに電圧を加えるために利用される注入エネルギーは、利用されるドーパントのタイプ、及び望ましい注入の深さに応じて、約0.5keVから60keVまでが挙げられる。
形成されるレジスト下層膜の平均厚みとの下限としては、30nmが好ましく、50nmがより好ましく、100nmがさらに好ましい。上記平均厚みの上限としては、3,000nmが好ましく、2,000nmがより好ましく、500nmがさらに好ましい。なお、平均厚みの測定方法は実施例の記載による。
[ケイ素含有膜形成工程]
本工程では、上記塗工工程又は上記加熱工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にケイ素含有膜を形成する。上記レジスト下層膜に間接にケイ素含有膜を形成する場合としては、例えば上記レジスト下層膜上にレジスト下層膜の表面改質膜が形成された場合などが挙げられる。上記レジスト下層膜の表面改質膜とは、例えば水との接触角が上記レジスト下層膜とは異なる膜である。
本工程では、上記塗工工程又は上記加熱工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にケイ素含有膜を形成する。上記レジスト下層膜に間接にケイ素含有膜を形成する場合としては、例えば上記レジスト下層膜上にレジスト下層膜の表面改質膜が形成された場合などが挙げられる。上記レジスト下層膜の表面改質膜とは、例えば水との接触角が上記レジスト下層膜とは異なる膜である。
ケイ素含有膜は、ケイ素含有膜形成用組成物の塗工、化学蒸着(CVD)法、原子層堆積(ALD)などにより形成することができる。ケイ素含有膜をケイ素含有膜形成用組成物の塗工により形成する方法としては、例えばケイ素含有膜形成用組成物を当該レジスト下層膜に直接又は間接に塗工して形成された塗工膜を、露光及び/又は加熱することにより硬化等させる方法などが挙げられる。上記ケイ素含有膜形成用組成物の市販品としては、例えば「NFC SOG01」、「NFC SOG04」、「NFC SOG080」(以上、JSR(株))等を用いることができる。化学蒸着(CVD)法又は原子層堆積(ALD)により、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜を形成することができる。
上記露光に用いられる放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、γ線等の電磁波、電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線などが挙げられる。
塗工膜を加熱する際の温度の下限としては、90℃が好ましく、150℃がより好ましく、200℃がさらに好ましい。上記温度の上限としては、550℃が好ましく、450℃がより好ましく、300℃がさらに好ましい。
ケイ素含有膜の平均厚みの下限としては、1nmが好ましく、10nmがより好ましく、20nmがさらに好ましい。上記上限としては、20,000nmが好ましく、1,000nmがより好ましく、100nmがさらに好ましい。ケイ素含有膜の平均厚みは、レジスト下層膜の平均厚みと同様に、上記分光エリプソメータを用いて測定した値である。
[レジストパターン形成工程]
本工程では、上記レジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する。この工程を行う方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法、ナノインプリント法を用いる方法、自己組織化組成物を用いる方法などが挙げられる。上記レジスト下層膜に間接にレジストパターンを形成する場合としては、例えば、上記ケイ素含有膜上にレジストパターンを形成する場合などが挙げられる。
本工程では、上記レジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する。この工程を行う方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法、ナノインプリント法を用いる方法、自己組織化組成物を用いる方法などが挙げられる。上記レジスト下層膜に間接にレジストパターンを形成する場合としては、例えば、上記ケイ素含有膜上にレジストパターンを形成する場合などが挙げられる。
上記レジスト組成物としては、例えば感放射線性酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とを含有するポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とを含有するネガ型レジスト組成物などが挙げられる。
レジスト組成物の塗工方法としては、例えば回転塗工法等が挙げられる。プレベークの温度及び時間は、使用されるレジスト組成物の種類などに応じて適宜調整することができる。
次に、選択的な放射線照射により上記形成されたレジスト膜を露光する。露光に用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用される感放射線性酸発生剤の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、γ線等の電磁波、電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線などが挙げられる。これらの中で、遠紫外線が好ましく、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、F2エキシマレーザー光(波長157nm)、Kr2エキシマレーザー光(波長147nm)、ArKrエキシマレーザー光(波長134nm)又は極端紫外線(波長13.5nm等、以下、「EUV」ともいう)がより好ましく、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光又はEUVがさらに好ましい。
上記露光後、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるためポストベークを行うことができる。このポストベークの温度及び時間は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜決定することができる。
次に、上記露光されたレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成する。この現像は、アルカリ現像であっても有機溶媒現像であってもよい。現像液としては、アルカリ現像の場合、アンモニア、、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの塩基性水溶液が挙げられる。これらの塩基性水溶液には、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類などの水溶性有機溶媒、界面活性剤などを適量添加することもできる。また、有機溶媒現像の場合、現像液としては、例えば上述の当該組成物の[B]溶媒として例示した種々の有機溶媒等が挙げられる。
上記現像液での現像後、洗浄し、乾燥することによって、所定のレジストパターンが形成される。
[エッチング工程]
本工程では、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う。エッチングの回数としては1回でも、複数回、すなわちエッチングにより得られるパターンをマスクとして順次エッチングを行ってもよい。より良好な形状のパターンを得る観点からは、複数回が好ましい。複数回のエッチングを行う場合、例えばケイ素含有膜、レジスト下層膜及び基板の順に順次エッチングを行う。エッチングの方法としては、ドライエッチング、ウエットエッチング等が挙げられる。基板のパターンの形状をより良好なものとする観点からは、ドライエッチングが好ましい。このドライエッチングには、例えば酸素プラズマ等のガスプラズマなどが用いられる。上記エッチングにより、所定のパターンを有する半導体基板が得られる。
本工程では、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う。エッチングの回数としては1回でも、複数回、すなわちエッチングにより得られるパターンをマスクとして順次エッチングを行ってもよい。より良好な形状のパターンを得る観点からは、複数回が好ましい。複数回のエッチングを行う場合、例えばケイ素含有膜、レジスト下層膜及び基板の順に順次エッチングを行う。エッチングの方法としては、ドライエッチング、ウエットエッチング等が挙げられる。基板のパターンの形状をより良好なものとする観点からは、ドライエッチングが好ましい。このドライエッチングには、例えば酸素プラズマ等のガスプラズマなどが用いられる。上記エッチングにより、所定のパターンを有する半導体基板が得られる。
ドライエッチングとしては、例えば公知のドライエッチング装置を用いて行うことができる。ドライエッチングに使用するエッチングガスとしては、マスクパターン、エッチングされる膜の元素組成等により適宜選択することができ、例えばCHF3、CF4、C2F6、C3F8、SF6等のフッ素系ガス、Cl2、BCl3等の塩素系ガス、O2、O3、H2O等の酸素系ガス、H2、NH3、CO、CO2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3、BCl3等の還元性ガス、He、N2、Ar等の不活性ガスなどが挙げられる。これらのガスは混合して用いることもできる。レジスト下層膜のパターンをマスクとして基板をエッチングする場合には、通常、フッ素系ガスが用いられる。
《組成物》
当該組成物は、[A]重合体と[B]溶媒とを含有する。当該組成物としては、上記半導体基板の製造方法において用いられる組成物を好適に採用することができる。
当該組成物は、[A]重合体と[B]溶媒とを含有する。当該組成物としては、上記半導体基板の製造方法において用いられる組成物を好適に採用することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[重量平均分子量(Mw)]
重合体のMwは、東ソー(株)のGPCカラム(「G2000HXL」2本、「G3000HXL」1本、及び「G4000HXL」1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(検出器:示差屈折計)により測定した。
重合体のMwは、東ソー(株)のGPCカラム(「G2000HXL」2本、「G3000HXL」1本、及び「G4000HXL」1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(検出器:示差屈折計)により測定した。
[レジスト下層膜の平均厚み]
レジスト下層膜の平均厚みは、分光エリプソメータ(J.A.WOOLLAM社の「M2000D」)を用いて、レジスト下層膜の中心を含む5cm間隔の任意の9点の位置で膜厚を測定し、それらの膜厚の平均値を算出した値として求めた。
レジスト下層膜の平均厚みは、分光エリプソメータ(J.A.WOOLLAM社の「M2000D」)を用いて、レジスト下層膜の中心を含む5cm間隔の任意の9点の位置で膜厚を測定し、それらの膜厚の平均値を算出した値として求めた。
<[A]重合体の合成>
下記式(A-1)~(A-22)及び(x-1)~(x-4)で表される繰り返し単位を有する重合体(以下、それぞれ「重合体(A-1)」等ともいう。)を以下に示す手順により合成した。下記式中、繰り返し単位に数字が付されている場合は、その繰り返し単位の含有割合(モル%)を示す。
下記式(A-1)~(A-22)及び(x-1)~(x-4)で表される繰り返し単位を有する重合体(以下、それぞれ「重合体(A-1)」等ともいう。)を以下に示す手順により合成した。下記式中、繰り返し単位に数字が付されている場合は、その繰り返し単位の含有割合(モル%)を示す。
[合成例1](重合体(a-1)の合成)
反応容器に、窒素雰囲気下、レゾルシノール20.0g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1g、および1-ブタノール120.0gを仕込み、80℃に加熱して溶解させた。p-トルエンスルホン酸一水和物10.4gの1-ブタノール(15.0g)溶液を反応容器に添加した後、115℃に加熱して15時間反応させた。反応終了後、反応溶液を分液ロートに移し、メチルイソブチルケトン200gと水400gを加えて有機相を洗浄した。水相を分離した後,得られた有機相をエバポレーターで濃縮し,残渣をメタノール500g中に滴下させて沈殿物を得た。沈殿物を吸引濾過により回収し、メタノール100gで数回洗浄した。その後、真空乾燥機を用いて60℃で12時間乾燥することにより、下記式(a-1)で表される重合体(a-1)を得た。重合体(a-1)のMwは2,100であった。
反応容器に、窒素雰囲気下、レゾルシノール20.0g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1g、および1-ブタノール120.0gを仕込み、80℃に加熱して溶解させた。p-トルエンスルホン酸一水和物10.4gの1-ブタノール(15.0g)溶液を反応容器に添加した後、115℃に加熱して15時間反応させた。反応終了後、反応溶液を分液ロートに移し、メチルイソブチルケトン200gと水400gを加えて有機相を洗浄した。水相を分離した後,得られた有機相をエバポレーターで濃縮し,残渣をメタノール500g中に滴下させて沈殿物を得た。沈殿物を吸引濾過により回収し、メタノール100gで数回洗浄した。その後、真空乾燥機を用いて60℃で12時間乾燥することにより、下記式(a-1)で表される重合体(a-1)を得た。重合体(a-1)のMwは2,100であった。
[合成例2](重合体(A-1)の合成)
反応容器に、窒素雰囲気下、上記重合体(a-1)15.0g、臭化プロパルギル34.9g及びメチルイソブチルケトン90g、メタノール45.0gを加え、撹拌した後、25質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液106.9gを加え、50℃で6時間反応させた。反応液を30℃に冷却した後、5質量%シュウ酸水溶液200.0gを加えた。水相を除去した後、得られた有機相をエバポレーターで濃縮し,残渣をメタノール500g中に滴下させて沈殿物を得た。沈殿物を吸引濾過により回収し、メタノール100gで数回洗浄した。その後、真空乾燥機を用いて60℃で12時間乾燥することにより、下記式(A-1)で表される重合体(A-1)を得た。重合体(A-1)のMwは3,000であった。
反応容器に、窒素雰囲気下、上記重合体(a-1)15.0g、臭化プロパルギル34.9g及びメチルイソブチルケトン90g、メタノール45.0gを加え、撹拌した後、25質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液106.9gを加え、50℃で6時間反応させた。反応液を30℃に冷却した後、5質量%シュウ酸水溶液200.0gを加えた。水相を除去した後、得られた有機相をエバポレーターで濃縮し,残渣をメタノール500g中に滴下させて沈殿物を得た。沈殿物を吸引濾過により回収し、メタノール100gで数回洗浄した。その後、真空乾燥機を用いて60℃で12時間乾燥することにより、下記式(A-1)で表される重合体(A-1)を得た。重合体(A-1)のMwは3,000であった。
[合成例3](重合体(a-2)の合成)
レゾルシノール20.0gを2,7-ジヒドロキシナフタレン29.2gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-2)で表される重合体(a-2)を得た。重合体(a-2)のMwは2,500であった。
レゾルシノール20.0gを2,7-ジヒドロキシナフタレン29.2gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-2)で表される重合体(a-2)を得た。重合体(a-2)のMwは2,500であった。
[合成例4](重合体(A-2)の合成)
(a-1)15.0gを(a-2)18.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-2)で表される重合体(A-2)を得た。重合体(A-2)のMwは3,200であった。
(a-1)15.0gを(a-2)18.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-2)で表される重合体(A-2)を得た。重合体(A-2)のMwは3,200であった。
[合成例5](重合体(a-3)の合成)
レゾルシノール20.0gを2,7-ジヒドロキシナフタレン29.1g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-3)で表される重合体(a-3)を得た。重合体(a-3)のMwは2,700であった。
レゾルシノール20.0gを2,7-ジヒドロキシナフタレン29.1g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-3)で表される重合体(a-3)を得た。重合体(a-3)のMwは2,700であった。
[合成例6](重合体(A-3)の合成)
(a-1)15.0gを(a-3)15.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-3)で表される重合体(A-3)を得た。重合体(A-3)のMwは3,800であった。
(a-1)15.0gを(a-3)15.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-3)で表される重合体(A-3)を得た。重合体(A-3)のMwは3,800であった。
[合成例7](重合体(a-4)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-4)で表される重合体(a-4)を得た。重合体(a-4)のMwは3,000であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-4)で表される重合体(a-4)を得た。重合体(a-4)のMwは3,000であった。
[合成例8](重合体(A-4)の合成)
(a-1)15.0gを(a-4)24.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-4)で表される重合体(A-4)を得た。重合体(A-4)のMwは4,300であった。
(a-1)15.0gを(a-4)24.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-4)で表される重合体(A-4)を得た。重合体(A-4)のMwは4,300であった。
[合成例9](重合体(a-5)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-5)で表される重合体(a-5)を得た。重合体(a-5)のMwは2,500であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-5)で表される重合体(a-5)を得た。重合体(a-5)のMwは2,500であった。
[合成例10](重合体(A-5)の合成)
(a-1)15.0gを(a-5)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-5)で表される重合体(A-5)を得た。重合体(A-5)のMwは3,600であった。
(a-1)15.0gを(a-5)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-5)で表される重合体(A-5)を得た。重合体(A-5)のMwは3,600であった。
[合成例11](重合体(a-6)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,4,6-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-6)で表される重合体(a-6)を得た。重合体(a-6)のMwは2,300であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,4,6-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-6)で表される重合体(a-6)を得た。重合体(a-6)のMwは2,300であった。
[合成例12](重合体(A-6)の合成)
(a-1)15.0gを(a-6)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-6)で表される重合体(A-6)を得た。重合体(A-6)のMwは3,300であった。
(a-1)15.0gを(a-6)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-6)で表される重合体(A-6)を得た。重合体(A-6)のMwは3,300であった。
[合成例13](重合体(a-7)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを3,4,5-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-7)で表される重合体(a-7)を得た。重合体(a-7)のMwは2,600であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを3,4,5-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-7)で表される重合体(a-7)を得た。重合体(a-7)のMwは2,600であった。
[合成例14](重合体(A-7)の合成)
(a-1)15.0gを(a-7)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-7)で表される重合体(A-7)を得た。重合体(A-7)のMwは3,700であった。
(a-1)15.0gを(a-7)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-7)で表される重合体(A-7)を得た。重合体(A-7)のMwは3,700であった。
[合成例15](重合体(a-8)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,4,5-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-8)で表される重合体(a-8)を得た。重合体(a-8)のMwは2,300であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,4,5-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-8)で表される重合体(a-8)を得た。重合体(a-8)のMwは2,300であった。
[合成例16](重合体(A-8)の合成)
(a-1)15.0gを(a-8)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-8)で表される重合体(A-8)を得た。重合体(A-8)のMwは3,400であった。
(a-1)15.0gを(a-8)20.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-8)で表される重合体(A-8)を得た。重合体(A-8)のMwは3,400であった。
[合成例17](重合体(a-9)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gと2,2´-ジナフチルエーテル9.9gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-9)で表される重合体(a-9)を得た。重合体(a-9)のMwは2,200であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gと2,2´-ジナフチルエーテル9.9gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-9)で表される重合体(a-9)を得た。重合体(a-9)のMwは2,200であった。
[合成例18](重合体(A-9)の合成)
(a-1)15.0gを(a-9)26.9g、に変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-9)で表される重合体(A-9)を得た。重合体(A-9)のMwは3,200であった。
(a-1)15.0gを(a-9)26.9g、に変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-9)で表される重合体(A-9)を得た。重合体(A-9)のMwは3,200であった。
[合成例19](重合体(a-10)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gと2,2´-ジナフチルエーテル9.9g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,4,6-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-10)で表される重合体(a-10)を得た。重合体(a-10)のMwは2,400であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gと2,2´-ジナフチルエーテル9.9g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,4,6-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-10)で表される重合体(a-10)を得た。重合体(a-10)のMwは2,400であった。
[合成例20](重合体(A-10)の合成)
(a-1)15.0gを(a-10)22.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-10)で表される重合体(A-10)を得た。重合体(A-10)のMwは3,500であった。
(a-1)15.0gを(a-10)22.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-10)で表される重合体(A-10)を得た。重合体(A-10)のMwは3,500であった。
[合成例21](重合体(a-11)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gと2,2´-ジナフチルエーテル9.9g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-11)で表される重合体(a-11)を得た。重合体(a-11)のMwは2,400であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gと2,2´-ジナフチルエーテル9.9g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-11)で表される重合体(a-11)を得た。重合体(a-11)のMwは2,400であった。
[合成例22](重合体(A-11)の合成)
(a-1)15.0gを(a-11)22.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-11)で表される重合体(A-11)を得た。重合体(A-11)のMwは3,400であった。
(a-1)15.0gを(a-11)22.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-11)で表される重合体(A-11)を得た。重合体(A-11)のMwは3,400であった。
[合成例23](重合体(a-12)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gとジフェニルエーテル6.2g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-12)で表される重合体(a-12)を得た。重合体(a-12)のMwは2,600であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gとジフェニルエーテル6.2g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-12)で表される重合体(a-12)を得た。重合体(a-12)のMwは2,600であった。
[合成例24](重合体(A-12)の合成)
(a-1)15.0gを(a-12)21.1gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-12)で表される重合体(A-12)を得た。重合体(A-12)のMwは3,600であった。
(a-1)15.0gを(a-12)21.1gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-12)で表される重合体(A-12)を得た。重合体(A-12)のMwは3,600であった。
[合成例25](重合体(a-13)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gとジフェニルエーテル6.2gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-13)で表される重合体(a-13)を得た。重合体(a-13)のMwは2,900であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン31.8gとジフェニルエーテル6.2gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-13)で表される重合体(a-13)を得た。重合体(a-13)のMwは2,900であった。
[合成例26](重合体(A-13)の合成)
(a-1)15.0gを(a-13)25.4gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-13)で表される重合体(A-13)を得た。重合体(A-13)のMwは4,100であった。
(a-1)15.0gを(a-13)25.4gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-13)で表される重合体(A-13)を得た。重合体(A-13)のMwは4,100であった。
[合成例27](重合体(A-14)の合成)
(a-1)15.0gを(a-4)24.6g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル34.9gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-14)で表される重合体(A-14)を得た。重合体(A-14)のMwは4,500であった。
(a-1)15.0gを(a-4)24.6g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル34.9gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-14)で表される重合体(A-14)を得た。重合体(A-14)のMwは4,500であった。
[合成例28](重合体(a-14)の合成)
レゾルシノール20.0gを9,9´-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレン63.9g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-14)で表される重合体(a-14)を得た。重合体(a-14)のMwは3,400であった。
レゾルシノール20.0gを9,9´-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレン63.9g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデヒド28.1gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-14)で表される重合体(a-14)を得た。重合体(a-14)のMwは3,400であった。
[合成例29](重合体(A-15)の合成)
(a-1)15.0gを(a-14)23.6gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-15)で表される重合体(A-15)を得た。重合体(A-15)のMwは5,000であった。
(a-1)15.0gを(a-14)23.6gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-15)で表される重合体(A-15)を得た。重合体(A-15)のMwは5,000であった。
[合成例30](重合体(A-16)の合成)
(a-1)15.0gを(a-5)20.8g、臭化プロパルギル34.9gを4-ブロモ-1-ブチン39.0gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-16)で表される重合体(A-16)を得た。重合体(A-16)のMwは4,100であった。
(a-1)15.0gを(a-5)20.8g、臭化プロパルギル34.9gを4-ブロモ-1-ブチン39.0gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-16)で表される重合体(A-16)を得た。重合体(A-16)のMwは4,100であった。
[合成例31](重合体(A-17)の合成)
(a-1)15.0gを(a-2)18.1g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル35.2gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-17)で表される重合体(A-17)を得た。重合体(A-17)のMwは3,300であった。
(a-1)15.0gを(a-2)18.1g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル35.2gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-17)で表される重合体(A-17)を得た。重合体(A-17)のMwは3,300であった。
[合成例32](重合体(a-15)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを3,4-ジヒドロキシ-5-ニトロベンズアルデヒド33.4gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-15)で表される重合体(a-15)を得た。重合体(a-15)のMwは2,700であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gを3,4-ジヒドロキシ-5-ニトロベンズアルデヒド33.4gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-15)で表される重合体(a-15)を得た。重合体(a-15)のMwは2,700であった。
[合成例33](重合体(A-18)の合成)
(a-1)15.0gを(a-15)28.1gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-18)で表される重合体(A-18)を得た。重合体(A-18)のMwは3,800であった。
(a-1)15.0gを(a-15)28.1gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-18)で表される重合体(A-18)を得た。重合体(A-18)のMwは3,800であった。
[合成例34](重合体(A-19)の合成)
(a-1)15.0gを(a-15)28.1g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル35.2gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-19)で表される重合体(A-19)を得た。重合体(A-19)のMwは3,900であった。
(a-1)15.0gを(a-15)28.1g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル35.2gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-19)で表される重合体(A-19)を得た。重合体(A-19)のMwは3,900であった。
[合成例35](重合体(a-16)の合成)
レゾルシノール20.0gを無水フロログルシノール23.0gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-16)で表される重合体(a-16)を得た。重合体(a-16)のMwは2,400であった。
レゾルシノール20.0gを無水フロログルシノール23.0gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(a-16)で表される重合体(a-16)を得た。重合体(a-16)のMwは2,400であった。
[合成例36](重合体(A-20)の合成)
(a-1)15.0gを(a-16)13.1gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-20)で表される重合体(A-20)を得た。重合体(A-20)のMwは3,500であった。
(a-1)15.0gを(a-16)13.1gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-20)で表される重合体(A-20)を得た。重合体(A-20)のMwは3,500であった。
[合成例37](重合体(A-21)の合成)
(a-1)15.0gを(a-16)13.1g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル35.2gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-21)で表される重合体(A-21)を得た。重合体(A-21)のMwは3,600であった。
(a-1)15.0gを(a-16)13.1g、臭化プロパルギル34.9gをブロモアセトニトリル35.2gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-21)で表される重合体(A-21)を得た。重合体(A-21)のMwは3,600であった。
[合成例38](重合体(A-22)の合成)
(a-1)15.0gを(a-16)13.1g、臭化プロパルギル34.9gを1-(ブロモメチル)-4-エチニルベンゼン57.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-22)で表される重合体(A-22)を得た。重合体(A-22)のMwは6,100であった。
(a-1)15.0gを(a-16)13.1g、臭化プロパルギル34.9gを1-(ブロモメチル)-4-エチニルベンゼン57.3gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(A-22)で表される重合体(A-22)を得た。重合体(A-22)のMwは6,100であった。
[比較合成例1](重合体(x-1)の合成)
反応容器に、窒素雰囲気下、m-クレゾール250.0g、37質量%ホルマリン125.0g及び無水シュウ酸2gを加え、100℃で3時間、180℃で1時間反応させた後、減圧下にて未反応モノマーを除去し、下記式(x-1)で表される重合体(x-1)を得た。得られた重合体(x-1)のMwは11,000であった。
反応容器に、窒素雰囲気下、m-クレゾール250.0g、37質量%ホルマリン125.0g及び無水シュウ酸2gを加え、100℃で3時間、180℃で1時間反応させた後、減圧下にて未反応モノマーを除去し、下記式(x-1)で表される重合体(x-1)を得た。得られた重合体(x-1)のMwは11,000であった。
[比較合成例2](重合体(x-2)の合成)
重合体(x-2)は重合体(a-4)と同一であり、合成例7と同様にして、重合体(x-2)を得た。
重合体(x-2)は重合体(a-4)と同一であり、合成例7と同様にして、重合体(x-2)を得た。
[比較合成例3](重合体(x-3)の合成)
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gをバニリン27.7gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(x-3)で表される重合体(x-3)を得た。重合体(x-3)のMwは3,400であった。
レゾルシノール20.0gを1-ヒドロキシピレン39.8g、3,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド25.1gをバニリン27.7gに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記式(x-3)で表される重合体(x-3)を得た。重合体(x-3)のMwは3,400であった。
[比較合成例4](重合体(x’-4)の合成)
反応容器に、窒素雰囲気下、2,7-ジヒドロキシナフタレン29.1g、37質量%ホルムアルデヒド溶液14.8g、およびメチルイソブチルケトン87.3gを仕込み、溶解させた。p-トルエンスルホン酸一水和物1.0gを反応容器に添加した後、85℃に加熱して4時間反応させた。反応終了後、反応溶液を分液ロートに移し、メチルイソブチルケトン200gと水400gを加えて有機相を洗浄した。水相を分離した後,得られた有機相をエバポレーターで濃縮し,残渣をメタノール500g中に滴下させて沈殿物を得た。沈殿物を吸引濾過により回収し、メタノール100gで数回洗浄した。その後、真空乾燥機を用いて60℃で12時間乾燥することにより、下記式(x’-4)で表される重合体(x’-4)を得た。重合体(x’-4)のMwは3,400であった。
反応容器に、窒素雰囲気下、2,7-ジヒドロキシナフタレン29.1g、37質量%ホルムアルデヒド溶液14.8g、およびメチルイソブチルケトン87.3gを仕込み、溶解させた。p-トルエンスルホン酸一水和物1.0gを反応容器に添加した後、85℃に加熱して4時間反応させた。反応終了後、反応溶液を分液ロートに移し、メチルイソブチルケトン200gと水400gを加えて有機相を洗浄した。水相を分離した後,得られた有機相をエバポレーターで濃縮し,残渣をメタノール500g中に滴下させて沈殿物を得た。沈殿物を吸引濾過により回収し、メタノール100gで数回洗浄した。その後、真空乾燥機を用いて60℃で12時間乾燥することにより、下記式(x’-4)で表される重合体(x’-4)を得た。重合体(x’-4)のMwは3,400であった。
[比較合成例5](重合体(x-4)の合成)
(a-1)15.0gを(x’-4)16.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(x-4)で表される重合体(x-4)を得た。重合体(x-4)のMwは4,500であった。
(a-1)15.0gを(x’-4)16.8gに変更した以外は、合成例2と同様にして、下記式(x-4)で表される重合体(x-4)を得た。重合体(x-4)のMwは4,500であった。
<組成物の調製>
組成物の調製に用いた[A]重合体、[B]溶媒、[C]酸発生剤及び[D]架橋剤について以下に示す。
組成物の調製に用いた[A]重合体、[B]溶媒、[C]酸発生剤及び[D]架橋剤について以下に示す。
[[A]重合体]
実施例:上記合成した化合物(A-1)~(A-22)
比較例:上記合成した重合体(x-1)~(x-4)
実施例:上記合成した化合物(A-1)~(A-22)
比較例:上記合成した重合体(x-1)~(x-4)
[[B]溶媒]
B-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
B-2:シクロヘキサノン
B-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
B-2:シクロヘキサノン
[[C]酸発生剤]
C-1:ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート(下記式(C-1)で表される化合物)
C-1:ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート(下記式(C-1)で表される化合物)
[[D]架橋剤]
D-1:下記式(D-1)で表される化合物
D-1:下記式(D-1)で表される化合物
D-2:下記式(D-2)で表される化合物
[実施例1-1]
[A]重合体としての(A-1)10質量部を[B]溶媒としての(B-1)90質量部に溶解した。得られた溶液を孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)メンブランフィルターでろ過して、組成物(J-1)を調製した。
[A]重合体としての(A-1)10質量部を[B]溶媒としての(B-1)90質量部に溶解した。得られた溶液を孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)メンブランフィルターでろ過して、組成物(J-1)を調製した。
[実施例1-2~1-27及び比較例1-1~1-4]
下記表1に示す種類及び含有量の各成分を使用したこと以外は、実施例1と同様にして組成物(J-2)~(J-27)及び(CJ-1)~(CJ-4)を調製した。表1中の「[A]重合体」、「[C]酸発生剤」及び「[D]架橋剤」の列における「-」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
下記表1に示す種類及び含有量の各成分を使用したこと以外は、実施例1と同様にして組成物(J-2)~(J-27)及び(CJ-1)~(CJ-4)を調製した。表1中の「[A]重合体」、「[C]酸発生剤」及び「[D]架橋剤」の列における「-」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
<評価>
上記得られた組成物を用い、エッチング耐性、耐熱性、曲がり耐性、及び組成物の塗膜中の水素原子及び炭素原子の含有割合について下記方法により評価を行った。評価結果を下記表2に合わせて示す。
上記得られた組成物を用い、エッチング耐性、耐熱性、曲がり耐性、及び組成物の塗膜中の水素原子及び炭素原子の含有割合について下記方法により評価を行った。評価結果を下記表2に合わせて示す。
[エッチング耐性]
上記調製した組成物を、シリコンウエハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて350℃で60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmの膜を形成し、基板上にレジスト下層膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板における膜を、エッチング装置(東京エレクトロン(株)の「TACTRAS」)を用いて、CF4/Ar=110/440sccm、PRESS.=30MT、HF RF(プラズマ生成用高周波電力)=500W、LF RF(バイアス用高周波電力)=3000W、DCS=-150V、RDC(ガスセンタ流量比)=50%、30秒の条件にて処理し、処理前後の膜の平均厚みからエッチング速度(nm/分)を算出した。次いで、比較例1のエッチング速度を基準として比較例1に対する比率を算出し、この比率をエッチング耐性の尺度とした。エッチング耐性は、上記比率が0.90以下の場合は「A」(極めて良好)、0.90を超え0.92未満の場合は「B」(良好)と、0.92以上の場合は「C」(不良)と評価した。なお、表2中の「-」は、エッチング耐性の評価基準であることを示す。
上記調製した組成物を、シリコンウエハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて350℃で60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmの膜を形成し、基板上にレジスト下層膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板における膜を、エッチング装置(東京エレクトロン(株)の「TACTRAS」)を用いて、CF4/Ar=110/440sccm、PRESS.=30MT、HF RF(プラズマ生成用高周波電力)=500W、LF RF(バイアス用高周波電力)=3000W、DCS=-150V、RDC(ガスセンタ流量比)=50%、30秒の条件にて処理し、処理前後の膜の平均厚みからエッチング速度(nm/分)を算出した。次いで、比較例1のエッチング速度を基準として比較例1に対する比率を算出し、この比率をエッチング耐性の尺度とした。エッチング耐性は、上記比率が0.90以下の場合は「A」(極めて良好)、0.90を超え0.92未満の場合は「B」(良好)と、0.92以上の場合は「C」(不良)と評価した。なお、表2中の「-」は、エッチング耐性の評価基準であることを示す。
[耐熱性]
上記調製した組成物を、シリコンウエハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて200℃で60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmの膜を形成し、基板上に膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板の膜を削ることにより粉体を回収し、回収した粉体をTG-DTA装置(NETZSCH社の「TG-DTA2000SR」)による測定で使用する容器に入れ、加熱前の質量を測定した。次に、上記TG-DTA装置を用いて、窒素雰囲気下、10℃/分の昇温速度にて400℃まで加熱し、400℃になった時の粉体の質量を測定した。そして、下記式により質量減少率(%)を測定し、この質量減少率を耐熱性の尺度とした。
ML={(m1-m2)/m1}×100
ここで、上記式中、MLは、質量減少率(%)であり、m1は、加熱前の質量(mg)であり、m2は、400℃における質量(mg)である。
耐熱性は、試料となる粉体の質量減少率が小さいほど、膜の加熱時に発生する昇華物や膜の分解物が少なく、良好である。すなわち、質量減少率が小さいほど、高い耐熱性であることを示す。耐熱性は、質量減少率が5%未満の場合は「A」(極めて良好)と、5%以上10%未満の場合は「B」(良好)と、10%以上の場合は「C」(不良)と評価した。
上記調製した組成物を、シリコンウエハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて200℃で60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmの膜を形成し、基板上に膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板の膜を削ることにより粉体を回収し、回収した粉体をTG-DTA装置(NETZSCH社の「TG-DTA2000SR」)による測定で使用する容器に入れ、加熱前の質量を測定した。次に、上記TG-DTA装置を用いて、窒素雰囲気下、10℃/分の昇温速度にて400℃まで加熱し、400℃になった時の粉体の質量を測定した。そして、下記式により質量減少率(%)を測定し、この質量減少率を耐熱性の尺度とした。
ML={(m1-m2)/m1}×100
ここで、上記式中、MLは、質量減少率(%)であり、m1は、加熱前の質量(mg)であり、m2は、400℃における質量(mg)である。
耐熱性は、試料となる粉体の質量減少率が小さいほど、膜の加熱時に発生する昇華物や膜の分解物が少なく、良好である。すなわち、質量減少率が小さいほど、高い耐熱性であることを示す。耐熱性は、質量減少率が5%未満の場合は「A」(極めて良好)と、5%以上10%未満の場合は「B」(良好)と、10%以上の場合は「C」(不良)と評価した。
[曲がり耐性]
上記調製した組成物を、平均厚み500nmの二酸化ケイ素膜が形成されたシリコン基板上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて350℃で60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmのレジスト下層膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板上に、ケイ素含有膜形成用組成物(JSR(株)の「NFC SOG080」)を回転塗工法により塗工した後、大気雰囲気下にて200℃で60秒間加熱し、さらに300℃で60秒間加熱して、平均厚み50nmのケイ素含有膜を形成した。上記ケイ素含有膜上に、ArF用レジスト組成物(JSR(株)の「AR1682J」)を回転塗工法により塗工し、大気雰囲気下にて130℃で60秒間加熱(焼成)して、平均厚み200nmのレジスト膜を形成した。レジスト膜を、ArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.78、露光波長193nm)を用いて、ターゲットサイズが100nmの1対1のラインアンドスペースのマスクパターンを介して、露光量を変化させて露光した後、大気雰囲気下にて130℃で60秒間加熱(焼成)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を用いて、25℃で1分間現像し、水洗、乾燥して、ラインパターンの線幅が30nmから100nmである200nmピッチのラインアンドスペースのレジストパターンが形成された基板を得た。
上記調製した組成物を、平均厚み500nmの二酸化ケイ素膜が形成されたシリコン基板上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて350℃で60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmのレジスト下層膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板上に、ケイ素含有膜形成用組成物(JSR(株)の「NFC SOG080」)を回転塗工法により塗工した後、大気雰囲気下にて200℃で60秒間加熱し、さらに300℃で60秒間加熱して、平均厚み50nmのケイ素含有膜を形成した。上記ケイ素含有膜上に、ArF用レジスト組成物(JSR(株)の「AR1682J」)を回転塗工法により塗工し、大気雰囲気下にて130℃で60秒間加熱(焼成)して、平均厚み200nmのレジスト膜を形成した。レジスト膜を、ArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.78、露光波長193nm)を用いて、ターゲットサイズが100nmの1対1のラインアンドスペースのマスクパターンを介して、露光量を変化させて露光した後、大気雰囲気下にて130℃で60秒間加熱(焼成)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を用いて、25℃で1分間現像し、水洗、乾燥して、ラインパターンの線幅が30nmから100nmである200nmピッチのラインアンドスペースのレジストパターンが形成された基板を得た。
上記レジストパターンをマスクとして、上記エッチング装置を用いて、CF4=200sccm、PRESS.=85mT、HF RF(プラズマ生成用高周波電力)=500W、LF RF(バイアス用高周波電力)=0W、DCS=-150V、RDC(ガスセンタ流量比)=50%の条件にてケイ素含有膜をエッチングし、ケイ素含有膜にパターンが形成された基板を得た。次に、上記ケイ素含有膜パターンをマスクとして、上記エッチング装置を用いて、O2=400sccm、PRESS.=25mT、HF RF(プラズマ生成用高周波電力)=400W、LF RF(バイアス用高周波電力)=0W、DCS=0V、RDC(ガスセンタ流量比)=50%の条件にてレジスト下層膜をエッチングし、レジスト下層膜にパターンが形成された基板を得た。上記レジスト下層膜パターンをマスクとして、上記エッチング装置を用いて、CF4=180sccm、Ar=360sccm、PRESS.=150mT、HF RF(プラズマ生成用高周波電力)=1,000W、LF RF(バイアス用高周波電力)=1,000W、DCS=-150V、RDC(ガスセンタ流量比)=50%、60秒の条件にて二酸化ケイ素膜をエッチングし、二酸化ケイ素膜にパターンが形成された基板を得た。
その後、上記二酸化ケイ素膜にパターンが形成された基板について、各線幅のレジスト下層膜パターンの形状を走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズの「CG-4000」)にて250,000倍に拡大した画像を得て、その画像処理を行うことによって、図1に示すように、長さ1,000nmのレジスト下層膜パターン3(ラインパターン)の横側面3aについて、100nm間隔で10か所測定した線幅方向の位置Xn(n=1~10)と、これらの線幅方向の位置の平均値の位置Xaから計算された標準偏差を3倍にした3シグマの値をLER(ラインエッジラフネス)とした。レジスト下層膜パターンの曲がりの度合いを示すLERは、レジスト下層膜パターンの線幅が細くなるにつれて増大する。曲り耐性は、LERが5.5nmとなる膜パターンの線幅が40.0nm未満である場合を「A」(良好)と、40.0nm以上45.0nm未満である場合を「B」(やや良好)と、45.0nm以上である場合を「C」(不良)と評価した。なお、図1で示す膜パターンの曲り具合は、実際より誇張して記載している。
[組成物の塗膜中の水素原子及び炭素原子の含有割合]
上記調製した組成物(J-1)~(J-20)及び(CJ-1)~(CJ-4)を、シリコンウエハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて400℃で90秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmの膜を形成し、基板上にレジスト下層膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板の膜を削ることにより粉体を回収し、CHN同時分析装置(ジェイサイエンス社の「MICRO CORDER JM10」)を用いて、塗膜中の水素原子、炭素原子及び窒素原子の含有割合R’H、R’C、R’N(wt%)を測定した。酸素原子の含有割合R’O(wt%)は下記式により算出した。
R’O=100-R’H-R’C-R’N
さらに下記式により水素原子及び炭素原子の含有割合RH、RC(atm%)を算出した。
RH=(R’H)/{(R’H)+(R’C/12)+(R’O/16)+(R’N/14)}×100
RC=(R’C/12)/{(R’H)+(R’C/12)+(R’O/16)+(R’N/14)}×100
上記調製した組成物(J-1)~(J-20)及び(CJ-1)~(CJ-4)を、シリコンウエハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)を用いて回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて400℃で90秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み200nmの膜を形成し、基板上にレジスト下層膜が形成された膜付き基板を得た。上記得られた膜付き基板の膜を削ることにより粉体を回収し、CHN同時分析装置(ジェイサイエンス社の「MICRO CORDER JM10」)を用いて、塗膜中の水素原子、炭素原子及び窒素原子の含有割合R’H、R’C、R’N(wt%)を測定した。酸素原子の含有割合R’O(wt%)は下記式により算出した。
R’O=100-R’H-R’C-R’N
さらに下記式により水素原子及び炭素原子の含有割合RH、RC(atm%)を算出した。
RH=(R’H)/{(R’H)+(R’C/12)+(R’O/16)+(R’N/14)}×100
RC=(R’C/12)/{(R’H)+(R’C/12)+(R’O/16)+(R’N/14)}×100
表2の結果から分かるように、実施例の組成物から形成されたレジスト下層膜は、比較例の組成物から形成されたレジスト下層膜と比較して、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れていた。
本発明の半導体基板の製造方法によれば、良好にパターニングされた基板を得ることができる。本発明の組成物は、エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造等に好適に用いることができる。
3 レジスト下層膜パターン
3a レジスト下層膜パターンの横側面
3a レジスト下層膜パターンの横側面
Claims (12)
- 基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、
上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程と
を含み、
上記レジスト下層膜形成用組成物が、
下記式(1)で表される繰り返し単位を有する重合体と、
溶媒と
を含有する、半導体基板の製造方法。
- 上記レジストパターン形成前に、
上記レジスト下層膜に対し直接又は間接にケイ素含有膜を形成する工程
をさらに含む、請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 上記R0が、環員数5~40の芳香環を有する1価の基であり、上記式(2-1)で表される基及び上記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも2つの基を有する、請求項3に記載の組成物。
- 上記Ar1が、上記式(2-1)で表される基及び上記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有する、請求項3に記載の組成物。
- 上記Ar1の芳香環が、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナレン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環、ペリレン環及びコロネン環からなる群より選ばれる少なくとも1つの芳香族炭化水素環である、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の組成物。
- 上記R0の芳香環が、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナレン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環、ペリレン環及びコロネン環からなる群より選ばれる少なくとも1つの芳香族炭化水素環である、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の組成物。
- 上記R0の芳香環がベンゼン環である、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の組成物。
- 組成物の塗膜を400℃で90秒間加熱した後の該塗膜中の水素原子の含有割合が26.0atm%以下である、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の組成物。
- 組成物の塗膜を400℃で90秒間加熱した後の該塗膜中の炭素原子の含有割合が53.0atm%以上である、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の組成物。
- レジスト下層膜形成用である、請求項3、請求項4又は請求項5に記載の組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023530472A JPWO2022270484A1 (ja) | 2021-06-24 | 2022-06-21 | |
KR1020237044089A KR20240025531A (ko) | 2021-06-24 | 2022-06-21 | 반도체 기판의 제조 방법 및 조성물 |
US18/391,906 US20240153768A1 (en) | 2021-06-24 | 2023-12-21 | Method for manufacturing semiconductor substrate and composition |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2021-104627 | 2021-06-24 | ||
JP2021104627 | 2021-06-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US18/391,906 Continuation-In-Part US20240153768A1 (en) | 2021-06-24 | 2023-12-21 | Method for manufacturing semiconductor substrate and composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2022270484A1 true WO2022270484A1 (ja) | 2022-12-29 |
Family
ID=84545730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/024633 WO2022270484A1 (ja) | 2021-06-24 | 2022-06-21 | 半導体基板の製造方法及び組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240153768A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2022270484A1 (ja) |
KR (1) | KR20240025531A (ja) |
TW (1) | TW202302686A (ja) |
WO (1) | WO2022270484A1 (ja) |
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-
2022
- 2022-06-21 JP JP2023530472A patent/JPWO2022270484A1/ja active Pending
- 2022-06-21 WO PCT/JP2022/024633 patent/WO2022270484A1/ja active Application Filing
- 2022-06-21 KR KR1020237044089A patent/KR20240025531A/ko unknown
- 2022-06-23 TW TW111123332A patent/TW202302686A/zh unknown
-
2023
- 2023-12-21 US US18/391,906 patent/US20240153768A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240025531A (ko) | 2024-02-27 |
TW202302686A (zh) | 2023-01-16 |
US20240153768A1 (en) | 2024-05-09 |
JPWO2022270484A1 (ja) | 2022-12-29 |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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