WO2010134609A1 - 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス - Google Patents

成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
WO2010134609A1
WO2010134609A1 PCT/JP2010/058668 JP2010058668W WO2010134609A1 WO 2010134609 A1 WO2010134609 A1 WO 2010134609A1 JP 2010058668 W JP2010058668 W JP 2010058668W WO 2010134609 A1 WO2010134609 A1 WO 2010134609A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
layer
polysilane compound
molded
gas barrier
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/058668
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
慎一 星
伊藤　雅春
和恵 上村
悠太 鈴木
Original Assignee
リンテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リンテック株式会社 filed Critical リンテック株式会社
Priority to EP10777840.9A priority Critical patent/EP2433980B1/en
Priority to CN201080022420.XA priority patent/CN102439077B/zh
Priority to KR1020117027707A priority patent/KR101489551B1/ko
Priority to JP2011514467A priority patent/JP5704610B2/ja
Priority to US13/321,687 priority patent/US9365922B2/en
Publication of WO2010134609A1 publication Critical patent/WO2010134609A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/0427—Coating with only one layer of a composition containing a polymer binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/043—Improving the adhesiveness of the coatings per se, e.g. forming primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/044—Forming conductive coatings; Forming coatings having anti-static properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/048—Forming gas barrier coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/049—Protective back sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7244—Oxygen barrier
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04—Polysiloxanes
    • C08J2383/05—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/16—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/503—Arrangements improving the resistance to shock
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device member made of the molded body, and an electronic device including the electronic device member.
  • a polymer molded body such as a plastic film is inexpensive and excellent in workability, and thus has a desired function and is used in various fields.
  • a transparent plastic film is used instead of a glass plate as a substrate having electrodes in a display such as a liquid crystal display or an electroluminescence (EL) display in order to realize a reduction in thickness, weight, and flexibility. It is being considered.
  • the plastic film has a problem that it easily transmits water vapor, oxygen and the like as compared with the glass plate, and the elements inside the display are easily deteriorated.
  • Patent Document 1 proposes a gas barrier film in which a gas barrier inorganic compound thin film is laminated on a polyester resin film.
  • the gas barrier film described in this document has the following problems.
  • (I) The gas barrier property of this film has not reached a practically satisfactory level.
  • (Ii) The laminated inorganic compound thin film is inferior in surface smoothness, and when other layers are formed on the gas barrier layer, pinholes are likely to occur in the formed other layers, and the gas barrier property of the pinhole generating portion May be extremely reduced.
  • This film is obtained by laminating a gas barrier layer made of an inorganic compound on a base film made of a polyester resin by vapor deposition, electrobeam method, sputtering, or the like.
  • the gas barrier layer may be cracked to lower the gas barrier property.
  • a method of alternately laminating an inorganic film and an organic film has also been proposed, but there are problems such as complicated processes, decreased adhesion, and increased material cost. .
  • the present invention has been made in view of the above-described prior art, and is a molded body excellent in all of gas barrier properties, bending resistance, adhesion, and surface smoothness, a manufacturing method thereof, and an electronic device member comprising the molded body. It is another object of the present invention to provide an electronic device including the electronic device member.
  • the present inventors have found that the molded product having a gas barrier layer composed of a material containing at least an oxygen atom, a carbon atom and a silicon atom, the gas barrier layer from the surface
  • the region (A) includes a region (A) in which the abundance of oxygen atoms in the layer gradually decreases and the abundance of carbon atoms gradually increases in the depth direction, and the region (A) includes oxygen atoms, carbon It has been found that a molded article having at least two types of partial regions containing atoms and silicon atoms in a specific ratio is excellent in all of gas barrier properties, bending resistance, adhesion and surface smoothness.
  • the following molded articles (1) to (7) are provided.
  • the gas barrier layer includes a region (A) in which the abundance ratio of oxygen atoms in the layer gradually decreases and the abundance ratio of carbon atoms gradually increases from the surface toward the depth direction,
  • the oxygen atom content rate is 20 to 55%
  • the carbon atom content rate is 25 to 70%
  • the silicon atom content rate is 5 with respect to the total amount of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, aryl group, hydroxyl group, alkoxy group, cycloalkyloxy group, aryloxy group Represents an aralkyloxy group, an amino group optionally having a substituent, a silyl group, or a halogen atom, and the plurality of R 1 and R 2 may be the same or different.
  • the ion is characterized in that at least one gas selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen, oxygen, argon, helium, neon, xenon, krypton, silicon compound and hydrocarbon is ionized.
  • the method for producing a molded article according to (3) including a step of implanting ions into the layer containing the polysilane compound of the molded article having a layer containing the polysilane compound on the surface portion.
  • the step of implanting the ions is a step of ionizing and implanting at least one gas selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen, oxygen, argon, helium, neon, xenon, krypton, silicon compound, and hydrocarbon.
  • the method for producing a molded article according to (8) characterized in that it exists.
  • the step of implanting ions is a step of implanting ions into the layer containing the polysilane compound while transporting a long shaped molding having a layer containing the polysilane compound on the surface in a certain direction.
  • the following electronic device member (11) is provided.
  • An electronic device member comprising the molded article according to any one of (1) to (7).
  • the following electronic device (12) there is provided the following electronic device (12).
  • An electronic device comprising the electronic device member according to (11).
  • the molded product of the present invention has excellent gas barrier performance, excellent bending resistance and surface smoothness, and good adhesion. Therefore, the molded object of this invention can be used suitably as a member for electronic devices, such as a flexible display and a solar cell (for example, solar cell backsheet). According to the production method of the present invention, the molded product of the present invention having excellent gas barrier properties can be produced simply and efficiently. In addition, the area can be easily increased at a lower cost than the method of forming an inorganic film. Since the electronic device member of the present invention has excellent gas barrier properties, bending resistance, and the like, it can be suitably used for electronic devices such as displays and solar cells.
  • FIG. 3 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 1 of Example 1.
  • FIG. 5 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 2 of Example 2.
  • FIG. 5 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded article 3 of Example 3.
  • FIG. 3 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 1 of Example 1.
  • FIG. 5 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded article 3 of Example 3.
  • FIG. 3 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms
  • FIG. 6 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 4 of Example 4.
  • FIG. 6 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 5 of Example 5.
  • FIG. 10 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 6 of Example 6.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 7 of Example 7.
  • FIG. 10 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded article 8 of Example 8.
  • FIG. 5 is a diagram showing the abundance ratio (%) of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms in the gas barrier layer of the molded body 10 of Comparative Example 2.
  • the molded body of the present invention is a molded body having a gas barrier layer composed of a material containing at least oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms, and the gas barrier layer extends from the surface toward the depth direction.
  • the region (A) includes a region (A) in which the proportion of oxygen atoms in the layer gradually decreases and the proportion of carbon atoms gradually increases, and the region (A) identifies oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms. This is a molded body having at least two types of partial regions.
  • a molded body having such a gas barrier layer is excellent in all of gas barrier properties, bending resistance, adhesion and surface smoothness.
  • the molded object of this invention is a molded object which has a gas barrier layer comprised from the material containing an oxygen atom, a carbon atom, and a silicon atom at least. Further, the gas barrier layer is made of a material containing oxygen atoms, carbon atoms and silicon atoms, and the proportion of oxygen atoms in the layer gradually decreases from the surface in the depth direction, and the presence of carbon atoms. It has the area
  • the gas barrier layer in the case where the gas barrier layer is present on the outermost surface of the molded body, but also the gas barrier layer and other layers in the case where other layers are laminated on the gas barrier layer. Including the interface with the other layer.
  • the gas barrier layer may be composed of only the region (A) or may have the region (A) in a part of the gas barrier layer (preferably the surface layer portion). The latter is preferable from the viewpoint.
  • the thickness of the region (A) is usually 5 to 100 nm, preferably 10 to 50 nm.
  • the region (A) has an oxygen atom content rate of 20 to 55%, a carbon atom content rate of 25 to 70%, silicon, and a total amount of oxygen atoms, carbon atoms and silicon atoms.
  • Partial region (A1) in which the proportion of atoms is 5 to 20%, the proportion of oxygen atoms is 1 to 15%, the proportion of carbon atoms is 72 to 87%, the proportion of silicon atoms is 7 to 18%
  • a partial region (A2) The measurement of the abundance ratio of oxygen atoms, carbon atoms and silicon atoms is performed by the method described in the examples described later.
  • the layer having the region (A) including the partial region (A1) and the partial region (A2) is a gas barrier layer having excellent gas barrier properties.
  • the partial region (A1) is a region having the smallest carbon atom existing ratio and the largest oxygen atom existing ratio in the region (A), and is based on the total amount of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms.
  • the proportion of oxygen atoms is 20 to 55%
  • the proportion of carbon atoms is 25 to 70%
  • the proportion of silicon atoms is 5 to 20%.
  • it is located on the surface of the gas barrier layer.
  • the thickness of the partial region (A1) is usually 1 to 10 nm.
  • the partial region (A2) has an oxygen atom content ratio of 1 to 15%, a carbon atom content ratio of 72 to 87%, and a silicon atom content ratio of 7 with respect to the total amount of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms.
  • the partial area (A2) is usually an area that is adjacent to the partial area (A1) and is located in the depth direction of the partial area (A1).
  • the thickness of the partial region (A2) is usually 5 to 100 nm.
  • the region (A) includes the partial region (A1) and the partial region (A2). Within the above range, the proportion of oxygen atoms gradually decreases from the surface toward the depth direction, and carbon atoms The existence ratio of increases gradually.
  • Examples of the gas barrier layer of the molded article of the present invention include those in which the region (A) is formed in the surface layer portion of the layer containing a polysilane compound. More specifically, as will be described later, plasma treatment is performed on a layer obtained by implanting ions into a layer containing a polysilane compound (hereinafter also referred to as “implanted layer”) or a layer containing a polysilane compound. And the resulting layer.
  • the region (A) is preferably formed in the surface layer portion of the layer containing the polysilane compound, and is obtained by implanting ions into the surface layer portion of the layer containing the polysilane compound. Is more preferable.
  • the said polysilane compound is a compound which has at least 1 type of repeating unit selected from the structural unit represented by Formula (1) mentioned later.
  • the molded body of the present invention may have a gas barrier layer (hereinafter sometimes referred to as “ion implantation layer”) obtained by implanting ions into a layer containing a polysilane compound.
  • a gas barrier layer hereinafter sometimes referred to as “ion implantation layer” obtained by implanting ions into a layer containing a polysilane compound.
  • the polysilane compound used in the present invention is a polymer compound having a repeating unit containing a (—Si—Si—) bond in the molecule.
  • Examples of the polysilane compound include compounds having at least one repeating unit selected from structural units represented by the following formula (1).
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, aryl group, hydroxyl group, alkoxy group, cycloalkyloxy group, aryl An oxy group, an aralkyloxy group, an amino group optionally having a substituent, a silyl group, or a halogen atom is represented.
  • a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different from each other.
  • Examples of the alkyl group for R 1 and R 2 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl. And an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms such as a group.
  • Examples of the alkenyl group include alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms such as vinyl group, allyl group, butenyl group, and pentenyl group.
  • Examples of the cycloalkyl group include cycloalkenyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
  • Examples of the cycloalkenyl group include cycloalkenyl groups having 4 to 10 carbon atoms such as a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group.
  • Examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 20 carbon atoms such as a phenyl group, an ⁇ -naphthyl group, and a ⁇ -naphthyl group.
  • alkoxy group examples include alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a t-butoxy group, and a pentyloxy group.
  • cycloalkyloxy group examples include cycloalkyloxy groups having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group.
  • Examples of the aryloxy group include aryloxy groups having 6 to 20 carbon atoms such as phenoxy group, 1-naphthyloxy group, and 2-naphthyloxy group.
  • Examples of the aralkyloxy group include aralkyloxy groups having 7 to 20 carbon atoms such as benzyloxy group, phenethyloxy group, and phenylpropyloxy group.
  • the amino group which may have a substituent is an amino group; N substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group, an aralkyl group, an acyl group, or the like. -Mono or N, N-disubstituted amino group and the like.
  • silyl group examples include Si 1-10 silanyl groups (preferably Si 1-6 silanyl groups) such as silyl group, disiranyl group, trisilanyl group, substituted silyl groups (for example, alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, aralkyl groups). , Substituted silyl groups substituted with alkoxy groups, etc.).
  • the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the alkyl group has a substituent such as a phenyl group or a 4-methylphenyl group at an arbitrary position.
  • a substituent such as a phenyl group or a 4-methylphenyl group at an arbitrary position.
  • An aryl group such as a methoxy group or an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group; a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom; a nitro group; a cyano group; .
  • R 1 and R 2 are optional.
  • a cycloalkyl group a cycloalkenyl group, an aryl group, an alkoxy group, a cycloalkyloxy group, an aryloxy group, or an aralkyloxy group, these groups are optional.
  • An alkyl group such as a methyl group or an ethyl group; an aryl group which may have a substituent such as a phenyl group or a 4-methylphenyl group; an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group; a phenoxy group or the like
  • An aryloxy group; a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom; a nitro group; a cyano group;
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an amino group, or a silyl group.
  • a polysilane compound containing a repeating unit is preferred, and R 1 and R 2 are each independently more preferably a polysilane compound containing a repeating unit which is a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 are each independently A polysilane compound containing a repeating unit which is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group is particularly preferable.
  • the form of the polysilane compound to be used is not particularly limited, and it may be a random copolymer, a block even if it is a homopolymer such as acyclic polysilane (linear polysilane, branched polysilane, network polysilane, etc.) or cyclic polysilane. Copolymers such as copolymers, alternating copolymers, and comb copolymers may also be used.
  • the terminal group (terminal substituent) of the polysilane compound is a hydrogen atom, a halogen atom (such as a chlorine atom), an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, or a silyl group.
  • polysilane compound examples include polydialkylsilanes such as polydimethylsilane, poly (methylpropylsilane), poly (methylbutylsilane), poly (methylpentylsilane), poly (dibutylsilane), and poly (dihexylsilane).
  • Polydiarylsilanes such as poly (diphenylsilane), homopolymers such as poly (alkylarylsilanes) such as poly (methylphenylsilane); Dialkylsilanes such as dimethylsilane-methylhexylsilane copolymers and other dialkylsilanes Copolymer, arylsilane-alkylarylsilane copolymer such as phenylsilane-methylphenylsilane copolymer, dimethylsilane-methylphenylsilane copolymer, dimethylsilane-phenylhexylsilane copolymer, dimethylsilane-methylnaphthyl copolymer And the like; run copolymer, methyl propyl silane - copolymers of alkyl aryl silane copolymer - dialkyl silane and methyl phenyl silane copolymer.
  • These polysilane compounds
  • the weight average molecular weight of the polysilane compound is not particularly limited, but is preferably 300 to 100,000, more preferably 400 to 50,000, and still more preferably 500 to 30,000.
  • polysilane compounds are known substances and can be produced using known methods.
  • a method of dehalogenating polycondensation of halosilanes using magnesium as a reducing agent (“magnesium reduction method”, WO 98/29476, etc.), a method of dehalogenating polycondensation of halosilanes in the presence of an alkali metal (“kipping method”). J. Am. Chem. Soc., 110, 124 (1988), Macromolecules, 23, 3423 (1990), etc.]
  • a method of dehalogenating polycondensation of halosilanes by electrode reduction J. Chem. Soc., Chem.). Commun., 1161 (1990), J. Chem. Soc., Chem.
  • the layer containing the polysilane compound may contain other components in addition to the polysilane compound as long as the object of the present invention is not impaired.
  • other components include curing agents, other polymers, anti-aging agents, light stabilizers, and flame retardants.
  • the content of the polysilane compound in the layer containing the polysilane compound is preferably 50% by weight or more, and more preferably 70% by weight or more from the viewpoint of forming an ion implantation layer having excellent gas barrier properties.
  • the method for forming a layer containing a polysilane compound is not particularly limited, and for example, a layer forming composition containing at least one polysilane compound, optionally other components, a solvent, and the like on a suitable support.
  • coating and drying and forming the obtained coating film moderately is mentioned.
  • the coating apparatus known apparatuses such as a spin coater, a knife coater, and a gravure coater can be used.
  • Heating is performed at 80 to 150 ° C. for several tens of seconds to several tens of minutes.
  • the thickness of the layer containing the polysilane compound to be formed is not particularly limited, but is usually 20 nm to 1000 nm, preferably 30 to 500 nm, more preferably 40 to 200 nm. In the present invention, a molded article having sufficient gas barrier performance can be obtained even if the layer containing the polysilane compound is nano-order.
  • the ion implantation layer is a layer containing at least one polysilane compound, and is not particularly limited as long as ions are implanted into the layer.
  • the ion-implanted layer is formed by implanting ions into a layer containing a polysilane compound. What is necessary is just to determine suitably the ion implantation amount according to the intended purpose (necessary gas barrier property, bending resistance, etc.) of the molded object to form.
  • ions to be implanted ions of rare gases such as argon, helium, neon, krypton and xenon; ions such as fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, carbon dioxide, chlorine, fluorine and sulfur;
  • alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane and hexane
  • alkene gases such as ethylene, propylene, butene and pentene
  • alkadiene gases such as pentadiene and butadiene
  • acetylene Ions of alkyne gases such as methylacetylene
  • aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene
  • ions of cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane
  • cyclopentene Ion of cycloalkene gas such as cyclohexene
  • Metal ions such as gold, silver, copper, platinum, nickel, palladium, chromium, titanium, molybdenum, niobium, tantalum, tungsten, aluminum; And ions of silicon compounds such as silane (SiH 4 ) and organosilicon compounds.
  • organosilicon compound examples include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra n-butoxysilane, and tetra t-butoxysilane;
  • An alkylalkoxysilane having an unsubstituted or substituted group such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane;
  • Arylalkoxysilanes such as diphenyldimethoxysilane and phenyltriethoxysilane;
  • Disiloxanes such as hexamethyldisiloxane (H
  • the method of implanting ions is not particularly limited, and examples thereof include a method of forming a layer containing a polysilane compound and then implanting ions into the layer containing the polysilane compound. More specifically, there are a method of irradiating ions accelerated by an electric field (ion beam), a method of implanting ions in plasma (plasma ion implantation method), and the like. Among them, in the present invention, the latter plasma ion implantation method is preferable because a molded article having a gas barrier property can be obtained easily and efficiently.
  • plasma is generated in an atmosphere containing a plasma generation gas, and a negative high voltage pulse is applied to a layer containing a polysilane compound, whereby ions (positive ions) in the plasma are converted into polysilane compounds.
  • the ion-implanted layer is formed by implanting into the containing layer.
  • the thickness of the portion where the ion-implanted layer is formed can be controlled by implantation conditions such as the type of ion, applied voltage, and processing time, and is determined according to the thickness of the layer containing the polysilane compound, the purpose of use of the molded body, etc. Usually, it is 10 to 1000 nm.
  • the ion implantation can be confirmed by performing elemental analysis measurement from the layer surface to a depth of about 10 nm using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the shape of the molded product of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a film shape, a sheet shape, a rectangular parallelepiped shape, a polygonal column shape, and a cylindrical shape.
  • a film shape When used as an electronic device member as described later, it is preferably a film or sheet.
  • the thickness of the film can be appropriately determined depending on the intended use of the electronic device.
  • the molded body of the present invention may be composed only of a gas barrier layer, or may further include other layers. Further, the other layer may be a single layer or two or more layers of the same type or different types. Examples of the other layer include a support made of a material other than the polysilane compound, an inorganic thin film layer, a conductor layer, a shock absorbing layer, and a primer layer.
  • the material of the support to be used is not particularly limited as long as it matches the purpose of the molded body.
  • polyimide, polyamide, polyamideimide, polyphenylene ether, polyetherketone, polyetheretherketone, polyolefin, polyester, polycarbonate examples thereof include polysulfone, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyarylate, acrylic resin, cycloolefin polymer, and aromatic polymer.
  • polyester polyamide, or cycloolefin-based polymer is preferable because of versatility, and polyester is more preferable.
  • polyester examples include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyarylate.
  • polyamide examples include wholly aromatic polyamide, nylon 6, nylon 66, nylon copolymer, and the like.
  • cycloolefin polymers include norbornene polymers, monocyclic olefin polymers, cyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrides thereof. Specific examples thereof include Apel (an ethylene-cycloolefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals), Arton (a norbornene polymer manufactured by JSR), Zeonoa (a norbornene polymer manufactured by Nippon Zeon), and the like. .
  • Apel an ethylene-cycloolefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • Arton a norbornene polymer manufactured by JSR
  • Zeonoa a norbornene polymer manufactured by Nippon Zeon
  • the thickness of the support is not particularly limited, but is usually 5 to 1000 ⁇ m, preferably 10 to 300 ⁇ m.
  • the inorganic thin film layer is a layer composed of one or more inorganic compounds.
  • Inorganic compounds that can be generally formed in a vacuum and have a gas barrier property, such as inorganic oxides, inorganic nitrides, inorganic carbides, inorganic sulfides, inorganic oxynitrides and inorganic oxide carbides that are composites thereof Inorganic nitride carbide, inorganic oxynitride carbide, and the like.
  • the thickness of the inorganic thin film layer is usually in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 20 to 500 nm, more preferably 20 to 100 nm.
  • Examples of the material constituting the conductor layer include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specifically, antimony-doped tin oxide (ATO); fluorine-doped tin oxide (FTO); half oxide such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and zinc indium oxide (IZO) Conductive metal oxides; metals such as gold, silver, chromium and nickel; mixtures of these metals and conductive metal oxides; inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide; organics such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole Conductive materials; and the like.
  • ATO antimony-doped tin oxide
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • ITO indium oxide
  • IZO zinc indium oxide
  • Conductive metal oxides metals such as gold, silver, chromium and nickel
  • the method for forming the conductor layer There is no particular limitation on the method for forming the conductor layer.
  • vapor deposition, sputtering, ion plating, thermal CVD, plasma CVD, and the like can be given.
  • the thickness of the conductor layer may be appropriately selected according to its use. Usually, it is 10 nm to 50 ⁇ m, preferably 20 nm to 20 ⁇ m.
  • the impact absorbing layer plays a role of preventing cracking when an impact is applied to the inorganic thin film layer.
  • a raw material which forms a shock absorption layer For example, acrylic resin, urethane type resin, silicone type resin, olefin type resin, rubber-type material etc. are mentioned.
  • an adhesive, a coating agent, a sealing agent etc. can also be used, and adhesives, such as an acrylic adhesive, a silicone adhesive, and a rubber adhesive, are especially preferable.
  • a formation method of a shock absorption layer For example, like the formation method of the layer containing the said polysilane compound, the material (adhesive etc.) which forms the said shock absorption layer, and a solvent etc. depending on necessity Examples include a method in which an impact absorbing layer forming solution containing other components is applied onto a layer to be laminated, the obtained coating film is dried, and heated to form as necessary. Alternatively, a shock absorbing layer may be separately formed on the release substrate, and the obtained film may be transferred and stacked on the layer to be stacked.
  • the thickness of the shock absorbing layer is usually 1 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 50 ⁇ m.
  • the primer layer plays a role of improving interlayer adhesion between the support and the gas barrier layer. By providing the primer layer, it is possible to obtain a molded article having extremely excellent interlayer adhesion and surface smoothness.
  • the material constituting the primer layer is not particularly limited, and known materials can be used.
  • a photopolymerizable composition comprising a silicon-containing compound; a photopolymerizable compound comprising a photopolymerizable monomer and / or a photopolymerizable prepolymer, and a polymerization initiator that generates radicals at least in the visible light region; Resin, polyurethane resin (especially two-part curable resin of polyacryl polyol, polyester polyol, polyether polyol, etc.
  • acrylic resin polycarbonate resin
  • vinyl chloride / vinyl acetate copolymer vinyl chloride / vinyl acetate copolymer
  • polyvinyl butyral Resins such as resins and nitrocellulose resins
  • alkyl titanates alkyl titanates
  • ethyleneimines ethyleneimines
  • a primer layer forming solution obtained by dissolving or dispersing the material constituting the primer layer in an appropriate solvent is applied to one side or both sides of the support, and the resulting coating film is dried. It can be formed by heating.
  • a normal wet coating method can be used as a method of applying the primer layer forming solution to the support. Examples include dipping method, roll coating, gravure coating, knife coating, air knife coating, roll knife coating, die coating, screen printing method, spray coating, gravure offset method and the like.
  • a conventionally known drying method such as hot air drying, hot roll drying, infrared irradiation or the like can be employed.
  • the thickness of the primer layer is usually 10 to 1000 nm.
  • ion implantation may be performed on the obtained primer layer by a method similar to the method of implanting ions into the ion implantation layer, which will be described later.
  • the arrangement position of the gas barrier layer is not particularly limited, and the gas barrier layer may be a single layer or a plurality of layers.
  • the molded article of the present invention has excellent gas barrier properties, and when the shape is a film or sheet (hereinafter referred to as “film”), it has excellent bending resistance and is bent. Also preferred are those that maintain gas barrier properties.
  • the molded article of the present invention has excellent gas barrier properties because the permeability of gas such as water vapor of the molded article of the present invention is small.
  • the water vapor transmission rate is usually less than 0.50 g / m 2 / day, preferably 0.35 g / m 2 / day or less in an atmosphere of 40 ° C. and 90% relative humidity.
  • steam, of a molded object can be measured using a well-known gas-permeability measuring apparatus.
  • the molded product of the present invention has excellent folding resistance and can maintain gas barrier properties even when folded, etc., because the film-shaped molded product is folded in two, pressure is applied, and the water vapor transmission rate is almost even after reopening. It can be confirmed from not decreasing.
  • the film-shaped molded article of the present invention is excellent in maintaining gas barrier properties even after folding, as compared with an inorganic film having the same thickness.
  • the molded article of the present invention is excellent in surface smoothness. It can be confirmed, for example, by measuring the surface roughness Ra value (nm) in the measurement region 1 ⁇ 1 ⁇ m using an atomic force microscope (AFM) that the molded article of the present invention is excellent in surface smoothness. it can.
  • the Ra value at 1 ⁇ 1 ⁇ m is preferably 0.45 nm or less, and more preferably 0.40 nm or less.
  • the manufacturing method of the molded object of this invention has the process of inject
  • the step of implanting the ions is at least one gas selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen, oxygen, argon, helium, neon, xenon, krypton, silicon compounds, and hydrocarbons.
  • the step of ionizing and implanting is performed.
  • the step of implanting the ions is a step of implanting ions into the layer containing the polysilane compound while conveying a long shaped product having a layer containing the polysilane compound on the surface in a certain direction.
  • a long shaped product can be unwound from an unwinding roll, and ions can be injected while being conveyed in a certain direction, and can be taken up by a winding roll.
  • the molded body obtained can be continuously produced.
  • the elongated molded product may be a film-like shape and may be composed of only a layer containing a polysilane compound, or may include other layers. Examples of the other layer include a support made of a material other than the polysilane compound described above.
  • the thickness of the molded product is preferably 1 ⁇ m to 500 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 300 ⁇ m, from the viewpoint of unwinding, winding and conveying operability.
  • the method for implanting ions into the layer containing the polysilane compound is not particularly limited.
  • a method of forming an ion implantation layer on the surface portion of the layer by plasma ion implantation is particularly preferable.
  • a negative high voltage pulse is applied to a molded article that is exposed to plasma and has a layer containing a polysilane compound on its surface, whereby ions in the plasma are implanted into the surface portion of the layer.
  • (A) a method in which ions existing in plasma generated using an external electric field are implanted into the surface portion of the layer, or (B) the layer is formed without using an external electric field.
  • a method of injecting ions present in the plasma generated only by the electric field by the negative high voltage pulse to be applied to the surface portion of the layer is preferable.
  • the pressure during ion implantation is preferably 0.01 to 1 Pa.
  • the pressure during plasma ion implantation is in such a range, a uniform ion implantation layer can be formed easily and efficiently, and an ion implantation layer having both bending resistance and gas barrier properties can be efficiently formed. be able to.
  • the processing operation is simple, and the processing time can be greatly shortened. Further, the entire layer can be processed uniformly, and ions in the plasma can be continuously injected into the surface portion of the layer with high energy when a negative high voltage pulse is applied. Furthermore, without applying special other means such as radio frequency (hereinafter abbreviated as “RF”) or a high frequency power source such as a microwave, just applying a negative high voltage pulse to the layer, A high-quality ion-implanted layer can be uniformly formed on the surface of the layer.
  • RF radio frequency
  • a high frequency power source such as a microwave
  • the pulse width when applying a negative high voltage pulse is preferably 1 to 15 ⁇ sec.
  • the pulse width is in such a range, a uniform ion implantation layer can be formed more easily and efficiently.
  • the applied voltage when generating plasma is preferably -1 kV to -50 kV, more preferably -1 kV to -30 kV, and particularly preferably -5 kV to -20 kV. If ion implantation is performed at an applied voltage greater than ⁇ 1 kV, the ion implantation amount (dose amount) becomes insufficient, and desired performance cannot be obtained. On the other hand, if ion implantation is performed at a value smaller than ⁇ 50 kV, the molded body is charged at the time of ion implantation, and defects such as coloring of the molded body occur.
  • Examples of the ion species to be plasma ion implanted include those exemplified as the ions to be implanted.
  • a plasma ion implantation apparatus When ions in plasma are implanted into the surface portion of the layer, a plasma ion implantation apparatus is used. Specifically, as a plasma ion implantation apparatus, high-frequency power is applied to a feedthrough that applies a negative high-voltage pulse to a layer containing ( ⁇ ) a polysilane compound (hereinafter sometimes referred to as “ion implantation layer”). A device that surrounds the layer to be ion-implanted in an even manner with plasma, attracts, injects, collides, and deposits ions in the plasma (Japanese Patent Laid-Open No.
  • a plasma ion implantation apparatus that generates plasma using an external electric field such as a high-frequency power source such as a microwave, and attracts and injects ions in the plasma by applying a high voltage pulse;
  • a plasma ion implantation apparatus for injecting ions in plasma generated only by an electric field generated by applying a high voltage pulse without using an external electric field.
  • the plasma ion implantation apparatus ( ⁇ ) or ( ⁇ ) because the processing operation is simple, the processing time can be greatly shortened, and it is suitable for continuous use.
  • a method using the plasma ion implantation apparatuses ( ⁇ ) and ( ⁇ ) will be described in detail with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of a continuous plasma ion implantation apparatus including the plasma ion implantation apparatus ( ⁇ ).
  • 1a is a long film-like molded product (hereinafter referred to as “film”) having a layer containing a polysilane compound on its surface
  • 11a is a chamber
  • 20a is an oil diffusion pump
  • 3a is Unwinding roll for feeding out the film 1a before being ion-implanted
  • 5a is a winding roll for winding the ion-implanted film (molded body) 1b into a roll
  • 2a is a high-voltage applied rotation can
  • 6a is a film feeding roll 10a is a gas inlet
  • 7a is a high voltage pulse power source
  • 4 is a plasma discharge electrode (external electric field).
  • FIG. 1B is a perspective view of the high-voltage applying rotation can 2a
  • 15 is a high-voltage introduction terminal (feedthrough).
  • the long film 1a having a layer containing a polysilane compound to be used on the surface is a film in which a layer containing a polysilane compound is formed on a support (other layers).
  • the film 1a is transported in the chamber 11a from the unwinding roll 3a in the direction of the arrow X in FIG. It is wound up on a roll 5a.
  • the film 1a is transported by rotating the high voltage application rotating can 2a at a constant speed. ing.
  • the rotation of the high voltage application rotation can 2a is performed by rotating the central shaft 13 of the high voltage introduction terminal 15 by a motor.
  • the high voltage introduction terminal 15 and the plurality of delivery rolls 6a with which the film 1a comes into contact are made of an insulator, for example, formed by coating the surface of alumina with a resin such as polytetrafluoroethylene.
  • the high voltage application rotation can 2a is made of a conductor, and can be formed of stainless steel, for example.
  • the conveyance speed of the film 1a can be set as appropriate.
  • the film 1a is conveyed from the unwinding roll 3a and is ion-implanted into the surface portion (a layer containing a polysilane compound) until the film 1a is wound on the winding roll 5a, so that a desired ion-implanted layer is formed.
  • the film winding speed (conveyance speed) is usually 0.1 to 3 m / min, preferably 0.2 to 2.5 m / min, although it depends on the applied voltage and the scale of the apparatus.
  • the chamber 11a is evacuated by an oil diffusion pump 20a connected to a rotary pump to reduce the pressure.
  • the degree of reduced pressure is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • a gas for ion implantation such as nitrogen (hereinafter sometimes referred to as “ion implantation gas”) is introduced into the chamber 11a from the gas inlet 10a, and the reduced pressure ion implantation gas is introduced into the chamber 11a.
  • the ion implantation gas is also a plasma generation gas.
  • plasma is generated by the plasma discharge electrode 4 (external electric field).
  • a method for generating plasma a known method using a high-frequency power source such as a microwave or RF may be used.
  • the negative high voltage pulse 9a is applied by the high voltage pulse power source 7a connected to the high voltage application rotation can 2a via the high voltage introduction terminal 15.
  • a negative high-voltage pulse is applied to the high-voltage application rotation can 2a, ions in the plasma are induced and injected into the surface of the film around the high-voltage application rotation can 2a (in FIG. 1A, the arrow Y) A film-like molded body 1b is obtained.
  • the pressure during ion implantation (the pressure of the plasma gas in the chamber 11a) is preferably 0.01 to 1 Pa, and the pulse width during ion implantation is 1 to 15 ⁇ sec.
  • the applied voltage when applying a negative high voltage to the high-voltage applying rotation can 2a is preferably ⁇ 1 kV to ⁇ 50 kV.
  • the apparatus shown in FIG. 2 includes the plasma ion implantation apparatus ( ⁇ ).
  • This plasma ion implantation apparatus generates plasma only by an electric field by a high voltage pulse applied without using an external electric field (that is, plasma discharge electrode 4 in FIG. 1).
  • the film (film-like molded product) 1c is removed from the unwinding roll 3b by rotating the high voltage application rotating can 2b in the same manner as the apparatus of FIG. It is conveyed in the direction of the middle arrow X and is taken up by the take-up roll 5b.
  • ion implantation into the surface portion of the layer containing the polysilane compound of the film is performed as follows.
  • the film 1c is installed in the chamber 11b, and the inside of the chamber 11b is evacuated by the oil diffusion pump 20b connected to the rotary pump to reduce the pressure.
  • an ion implantation gas such as nitrogen is introduced into the chamber 11b from the gas introduction port 10b, and the inside of the chamber 11b is made a reduced pressure ion implantation gas atmosphere.
  • the pressure at the time of ion implantation (the pressure of the plasma gas in the chamber 11b) is 10 Pa or less, preferably 0.01 to 5 Pa, more preferably 0.01 to 1 Pa.
  • the high voltage pulse power supply 7b connected to the high voltage application rotation can 2b through the high voltage introduction terminal (not shown) is conveyed while the film 1c is conveyed in the direction of X in FIG. Apply 9b.
  • the applied voltage when applying a negative high voltage to the high-voltage applying rotation can 2b, the pulse width, and the pressure during ion implantation are the same as those in the continuous plasma ion implantation apparatus shown in FIG.
  • the plasma generating means for generating plasma is also used by the high voltage pulse power source, no special other means such as a high frequency power source such as RF or microwave is required.
  • a high frequency power source such as RF or microwave
  • plasma is generated, ions in the plasma are implanted into the surface of the film containing the polysilane compound, and an ion-implanted layer is continuously formed on the surface of the film. It is possible to mass-produce molded bodies in which the ion implantation layer is formed.
  • the electronic device member of the present invention is characterized by comprising the molded article of the present invention. Therefore, since the electronic device member of the present invention has excellent gas barrier properties, it is possible to prevent deterioration of the element due to gas such as water vapor. Moreover, since the light transmittance is high, it is suitable as a display member such as a liquid crystal display or an EL display; a back sheet for a solar cell;
  • the electronic device of the present invention includes the electronic device member of the present invention. Specific examples include a liquid crystal display, an organic EL display, an inorganic EL display, electronic paper, and a solar battery. Since the electronic device of the present invention includes the electronic device member comprising the molded body of the present invention, it has excellent gas barrier properties and bending resistance.
  • the plasma ion implantation apparatus and the water vapor transmission rate measuring apparatus used, the measurement conditions, the bending test, the surface smoothness evaluation method, and the adhesion evaluation method are as follows.
  • RF power source JEOL Ltd., model number “RF” 56000
  • High voltage pulse power supply “PV-3-HSHV-0835” manufactured by Kurita Manufacturing Co., Ltd.
  • Transmittance measuring device “L80-5000” manufactured by LYSSY Measurement conditions: 90% relative humidity, 40 ° C
  • the surface roughness Ra value (nm) in the measurement region 1 ⁇ 1 ⁇ m (1 ⁇ m ⁇ ) was measured using an atomic force microscope (AFM) (“SPA300 HV”, manufactured by SII Nano Technology).
  • Adhesion evaluation method The adhesion between the base film and the gas barrier layer was evaluated by a cross-cut test using cellophane tape (JIS K5600-5-6). The adhesion was evaluated on a 6-point scale, with 0 being good and 5 being very bad.
  • PET film Polyethylene terephthalate film
  • PTT film Polyethylene terephthalate film
  • R 1 C 6
  • a solution containing a polysilane compound having a thickness of 100 nm (film thickness) (hereinafter referred to as “polysilane layer”) is formed on the PET film by applying a solution dissolved in a concentration of 5 wt%. To obtain a molded product.
  • argon (Ar) was plasma ion implanted into the surface of the polysilane layer to produce a compact 1.
  • Example 2 A molded body 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that helium (He) was used as the plasma generating gas instead of argon.
  • He helium
  • Example 3 A molded body 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that nitrogen (N 2 ) was used as the plasma generating gas instead of argon.
  • Example 4 A molded body 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that oxygen (O 2 ) was used instead of argon as the plasma generating gas.
  • Example 5 A molded body 5 was produced in the same manner as in Example 1 except that krypton (Kr) was used instead of argon as the plasma generating gas.
  • Example 6 A molded body 6 was produced in the same manner as in Example 1 except that the applied voltage at the time of ion implantation was -15 kV.
  • Example 7 A molded body 7 was produced in the same manner as in Example 1 except that the applied voltage at the time of ion implantation was -20 kV.
  • Example 1 The PET film was used as the molded product 9 as it was.
  • Comparative Example 2 A molded body 10 was produced by forming a polysilane layer on a PET film in the same manner as in Example 1.
  • Example 3 A molded body was produced in the same manner as in Example 1 except that the polysilane layer was not formed. That is, a molded body 11 was obtained by ion implantation into a PET film in the same manner as in Example 1.
  • a molded body 12 was produced by forming a 50 nm thick silicon nitride (SiN) film on the PET film by sputtering.
  • the molded bodies 1 to 8 and 10 obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Example 2 were subjected to elemental analysis measurement with an X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) apparatus (Quantum 2000, manufactured by ULVAC-PHI), and the surface of the gas barrier layer
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the existence ratio of oxygen atoms, carbon atoms and silicon atoms was analyzed from the depth direction to the depth direction.
  • the existence ratio of each atom in the depth direction was determined by repeating the operation of performing sputtering using argon gas and measuring the existence ratio on the exposed surface in the depth direction. The results are shown in FIGS.
  • X-ray source AlK ⁇ X-ray beam diameter: 100 ⁇ m Electric power value: 25W Voltage: 15kV Extraction angle: 45 ° Degree of vacuum: 5.0 ⁇ 10 ⁇ 8 Pa
  • the vertical axis represents the abundance ratio (%) of atoms when the total amount of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms is 100, and the horizontal axis represents the total sputtering time (Sputter Time, Minutes). Since the sputtering speed is constant, the sputtering time (Sputter Time) corresponds to the depth. 3 to 11, the square plot (C1s) is the carbon atom abundance, the circle plot (O1s) is the oxygen atom abundance, and the triangle plot (Si2p) is the silicon atom abundance.
  • Table 1 shows measured values (results of measuring the existence ratio of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms) on the surface into which plasma ions were implanted (in the molded body of Comparative Example 2, the surface of the polysilane layer). .
  • the abundance of oxygen atoms in the layer gradually decreases from the surface in the depth direction, and the abundance of carbon atoms gradually increases.
  • An increasing region, and the region has an oxygen atom content rate of 20 to 55%, a carbon atom content rate of 25 to 70%, and a silicon atom content rate of the total amount of oxygen atoms, carbon atoms, and silicon atoms.
  • Table 1 and FIG. 11 in the molded body 10 of Comparative Example 2, the partial region (A1) as described above did not exist.
  • the molded products 1 to 13 obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 5 were subjected to water vapor permeability measurement, surface roughness Ra value measurement, and adhesion test.
  • the measurement results and evaluation results are shown in Table 2 below.
  • the molded bodies 1 to 8 of Examples 1 to 8 have a lower water vapor permeability and higher gas barrier properties than the molded bodies 9 to 13 of Comparative Examples 1 to 5. Recognize.
  • the molded products 1 to 8 were excellent in surface smoothness and adhesion. Furthermore, it can be seen that even after the bending test, the increase in water vapor permeability is small and the bending resistance is excellent.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

　本発明は、Ｏ原子、Ｃ原子及びＳｉ原子を含む材料から構成されてなるガスバリア層を有する成形体であって、前記ガスバリア層が、表面から深さ方向に向かって、層中におけるＯ原子の存在割合が漸次減少し、Ｃ原子の存在割合が漸次増加する領域を有するものであり、前記領域が、Ｏ原子、Ｃ原子及びＳｉ原子の存在量全体に対する、Ｏ原子の存在割合が２０～５５％、Ｃ原子の存在割合が２５～７０％、Ｓｉ原子の存在割合が５～２０％の部分領域と、Ｏ原子の存在割合が１～１５％、Ｃ原子の存在割合が７２～８７％、Ｓｉ原子の存在割合が７～１８％の部分領域とを含むものである成形体；ポリシラン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られるガスバリア層を有する成形体；その製造方法；この成形体からなる電子デバイス用部材；及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイス；である。本発明によれば、ガスバリア性、耐折り曲げ性、密着性及び表面平滑性に優れる成形体、その製造方法、電子デバイス用部材、及び電子デバイスが提供される。

Description

成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
　本発明は、成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスに関する。
　従来、プラスチックフィルム等の高分子成形体は、低価格であり加工性に優れるため、所望の機能が付与されて種々の分野で用いられている。
　また、近年、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等のディスプレイには、薄型化、軽量化、フレキシブル化等を実現するために、電極を有する基板として、ガラス板に代えて透明プラスチックフィルムを用いることが検討されている。しかしながら、プラスチックフィルムは、ガラス板に比べて水蒸気や酸素等を透過しやすく、ディスプレイ内部の素子が劣化しやすいという問題があった。
　この問題を解決すべく、特許文献１には、ポリエステル系樹脂フィルムにガスバリア性の無機化合物薄膜が積層されたガスバリア性フィルムが提案されている。
　しかしながら、この文献記載のガスバリア性フィルムには次のような問題があった。
（i）このフィルムのガスバリア性は実用的に満足できるレベルに到達していない。
（ii）積層された無機化合物薄膜は表面平滑性に劣り、ガスバリア層上に他の層を形成したときに、形成された他の層にピンホールが発生しやすく、ピンホール発生部のガスバリア性が極度に低下する場合があった。
（iii）このフィルムは、ポリエステル系樹脂からなるベースフィルム上に、蒸着法、エレクトロビーム法、スパッタリング法等により、無機化合物からなるガスバリア層を積層したものであるため、該積層フィルムを丸めたり折り曲げたりすると、ガスバリア層にクラックが発生してガスバリア性が低下する場合があった。
　このため、耐折り曲げ性を向上するために、無機膜と有機膜とを交互に積層させる手法も提案されているが、工程の煩雑化、密着性の低下、材料のコスト上昇等が問題となる。
特開平１０－３０５５４２号公報
　本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、ガスバリア性、耐折り曲げ性、密着性及び表面平滑性の全てに優れる成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供することを課題とする。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなるガスバリア層を有する成形体において、前記ガスバリア層が、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を含むものであり、前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を特定の割合で含む、少なくとも２種類の部分領域を有する成形体は、ガスバリア性、耐折り曲げ性、密着性及び表面平滑性の全てに優れることを見出した。
　また、このような成形体は、ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラン化合物を含む層にイオンを注入することで、簡便かつ効率よく製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
　かくして本発明の第１によれば、下記（１）～（７）の成形体が提供される。
（１）少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなるガスバリア層を有する成形体であって、
　前記ガスバリア層が、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を含むものであり、
前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０～５５％、炭素原子の存在割合が２５～７０％、ケイ素原子の存在割合が５～２０％である部分領域（Ａ１）と、
酸素原子の存在割合が１～１５％、炭素原子の存在割合が７２～８７％、ケイ素原子の存在割合が７～１８％である部分領域（Ａ２）とを有するものであることを特徴とする成形体。
（２）前記領域（Ａ）が、ポリシラン化合物を含む層の表層部に形成されていることを特徴とする（１）に記載の成形体。
（３）ポリシラン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られるガスバリア層を有することを特徴とする成形体。
（４）前記ポリシラン化合物が、下記式（１）で表される繰り返し単位を含む化合物であることを特徴とする（２）又は（３）に記載の成形体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、シリル基、又はハロゲン原子を表し、複数のＲ１、Ｒ２は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。）
（５）前記ポリシラン化合物を含む層に、プラズマイオン注入法により、イオンが注入されて得られるガスバリア層を有することを特徴とする（３）又は（４）に記載の成形体。
（６）前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする（３）に記載の成形体。
（７）４０℃、相対湿度９０％雰囲気下での水蒸気透過率が０．５ｇ／ｍ2／ｄａｙ未満であることを特徴とする（１）又は（３）に記載の成形体。
　本発明の第２によれば、下記（８）～（１０）の成形体の製造方法が提供される。
（８）ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラン化合物を含む層に、イオンを注入する工程を有する（３）に記載の成形体の製造方法。
（９）前記イオンを注入する工程が、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン化して注入する工程であることを特徴とする（８）に記載の成形体の製造方法。
（１０）前記イオンを注入する工程が、ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する長尺状状の成形物を一定方向に搬送しながら、前記ポリシラン化合物を含む層にイオンを注入する工程であることを特徴とする（８）に記載の成形体の製造方法。
　本発明の第３によれば、下記（１１）の電子デバイス用部材が提供される。
（１１）（１）～（７）のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。
　本発明の第４によれば、下記（１２）の電子デバイスが提供される。
（１２）（１１）に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
　本発明の成形体は、優れたガスバリア性能を有し、耐折り曲げ性、表面平滑性に優れ、密着性が良好である。よって、本発明の成形体は、フレキシブルなディスプレイや、太陽電池等の電子デバイス用部材（例えば太陽電池バックシート）として好適に用いることができる。
　本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性を有する本発明の成形体を簡便かつ効率よく製造することができる。また、無機膜を成膜する方法に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。
　本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性、耐折り曲げ性等を有するため、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。
本発明に使用するプラズマイオン注入装置の概略構成を示す図である。 本発明に使用するプラズマイオン注入装置の概略構成を示す図である。 実施例１の成形体１のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例２の成形体２のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例３の成形体３のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例４の成形体４のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例５の成形体５のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例６の成形体６のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例７の成形体７のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 実施例８の成形体８のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。 比較例２の成形体１０のガスバリア層における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合（％）を表す図である。
　以下、本発明を、１）成形体、２）成形体の製造方法、並びに、３）電子デバイス用部材及び電子デバイスに項分けして詳細に説明する。
１）成形体
　本発明の成形体は、少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなるガスバリア層を有する成形体において、前記ガスバリア層が、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を含むものであり、前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を特定の割合で含む、少なくとも２種類の部分領域を有する成形体である。
　このようなガスバリア層を有する成形体は、ガスバリア性、耐折り曲げ性、密着性及び表面平滑性の全てに優れている。
　本発明の成形体は、少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなるガスバリア層を有する成形体である。
　また、前記ガスバリア層は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなり、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を有する。
　ここで、表面には、成形体において、ガスバリア層が成形体の最表面に存在する場合におけるガスバリア層の表面のみならず、ガスバリア層上に他の層が積層されている場合におけるガスバリア層と他の層との境界面も含む。
　また、前記ガスバリア層は、領域（Ａ）のみからなるものであっても、領域（Ａ）をガスバリア層の一部（好ましくは表層部）に有するものであってもよいが、製造容易性の観点から後者が好ましい。
　前記領域（Ａ）の厚さは、通常、５～１００ｎｍ、好ましくは１０～５０ｎｍである。
　本発明の成形体において、領域（Ａ）は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０～５５％、炭素原子の存在割合が２５～７０％、ケイ素原子の存在割合が５～２０％である部分領域（Ａ１）と、酸素原子の存在割合が１～１５％、炭素原子の存在割合が７２～８７％、ケイ素原子の存在割合が７～１８％である部分領域（Ａ２）とを含む。
　酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合の測定は、後述の実施例において説明する方法で行う。
　部分領域（Ａ１）と部分領域（Ａ２）とを含む領域（Ａ）を有する層は、優れたガスバリア性を有するガスバリア層となる。
　部分領域（Ａ１）は、領域（Ａ）内において、炭素原子の存在割合が最も小さく、酸素原子の存在割合が最も大きい領域であって、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０～５５％、炭素原子の存在割合が２５～７０％、ケイ素原子の存在割合が５～２０％である。通常、ガスバリア層の表面部に位置する。部分領域（Ａ１）の厚さは、通常、１～１０ｎｍである。
　部分領域（Ａ２）は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が１～１５％、炭素原子の存在割合が７２～８７％、ケイ素原子の存在割合が７～１８％であり、部分領域（Ａ２）は、通常、前記部分領域（Ａ１）と隣接して存在する領域であり、部分領域（Ａ１）の深さ方向に位置する領域である。
　部分領域（Ａ２）の厚さは、通常、５～１００ｎｍである。
領域（Ａ）は、部分領域（Ａ１）と部分領域（Ａ２）とを含むものであり、上記範囲内で、表面から深さ方向に向かって、酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する。
　本発明の成形体のガスバリア層としては、例えば、ポリシラン化合物を含む層の表層部に領域（Ａ）が形成されているものが挙げられる。より具体的には、後述するように、ポリシラン化合物を含む層にイオンが注入されて得られる層（以下、「注入層」ということがある。）や、ポリシラン化合物を含む層にプラズマ処理が施されて得られる層が挙げられる。
　本発明においては、前記領域（Ａ）は、ポリシラン化合物を含む層の表層部に形成されているのが好ましく、ポリシラン化合物を含む層の表層部に、イオンが注入されて得られたものであるのがより好ましい。
　また、前記ポリシラン化合物は、後述する式（１）で表される構造単位から選択された少なくとも一種の繰り返し単位を有する化合物であるのが好ましい。
　本発明の成形体は、ポリシラン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られるガスバリア層（以下、「イオン注入層」ということがある。）を有するものであってもよい。
　本発明に用いるポリシラン化合物は、分子内に、（－Ｓｉ－Ｓｉ－）結合を含む繰り返し単位を有する高分子化合物である。かかるポリシラン化合物としては、下記式（１）で表される構造単位から選択された少なくとも一種の繰り返し単位を有する化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、シリル基、又はハロゲン原子を表す。複数のＲ１、Ｒ２は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。
　前記Ｒ１及びＲ２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－へキシル基等の炭素数１～１０のアルキル基が挙げられる。
　アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基等の炭素数２～１０のアルケニル基が挙げられる。
　シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の炭素数３～１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
　シクロアルケニル基としては、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数４～１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
　アリール基としては、フェニル基、α－ナフチル基、β－ナフチル基等の炭素数６～２０のアリール基が挙げられる。
　アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基等の炭素数１～１０のアルコキシ基が挙げられる。
　シクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３～１０のシクロアルキルオキシ基が挙げられる。
　アリールオキシ基としては、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基等の炭素数６～２０のアリールオキシ基が挙げられる。
　アラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、フェニルプロピルオキシ基等の炭素数７～２０のアラルキルオキシ基が挙げられる。
　置換基を有していてもよいアミノ基としては、アミノ基；炭素数１～１０のアルキル基、炭素数３～１０のシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基等で置換されたＮ－モノ又はＮ，Ｎ－ジ置換アミノ基等が挙げられる。
　シリル基としては、シリル基、ジシラニル基、トリシラニル基等のＳｉ１－１０シラニル基（好ましくはＳｉ１－６シラニル基）、置換シリル基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基等で置換された置換シリル基）等が挙げられる。
　ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
　また、Ｒ１及びＲ２で表される基がアルキル基又はアルケニル基である場合は、該アルキル基は、任意の位置に、フェニル基、４－メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；等の置換基を有していてもよい。
　また、Ｒ１及びＲ２で表される基がシクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基である場合は、これらの基は、任意の位置に、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、４－メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；等の置換基を有していてもよい。
　本発明においては、用いるポリシラン化合物として、式（１）において、Ｒ１及びＲ２が、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基又はシリル基である繰り返し単位を含むポリシラン化合物が好ましく、Ｒ１及びＲ２が、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基である繰り返し単位を含むポリシラン化合物がより好ましく、Ｒ１及びＲ２が、それぞれ独立して、炭素数１～４のアルキル基又はアリール基である繰り返し単位を含むポリシラン化合物が特に好ましい。
　用いるポリシラン化合物の形態は特に制限されず、非環状ポリシラン（直鎖状ポリシラン、分岐鎖状ポリシラン、網目状ポリシラン等）や、環状ポリシラン等の単独重合体であっても、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体、くし型共重合体等の共重合体であってもよい。
　前記ポリシラン化合物が非環状ポリシランである場合は、ポリシラン化合物の末端基（末端置換基）は、水素原子であっても、ハロゲン原子（塩素原子等）、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、シリル基等であってもよい。
　ポリシラン化合物の具体例としては、ポリジメチルシラン、ポリ（メチルプロピルシラン）、ポリ（メチルブチルシラン）、ポリ（メチルペンチルシラン）、ポリ（ジブチルシラン）、ポリ（ジヘキシルシラン）等のポリジアルキルシラン、ポリ（ジフェニルシラン）等のポリジアリールシラン、ポリ（メチルフェニルシラン）等のポリ（アルキルアリールシラン）等のホモポリマー；ジメチルシラン－メチルヘキシルシラン共重合体等のジアルキルシランと他のジアルキルシランとの共重合体、フェニルシラン－メチルフェニルシラン共重合体等のアリールシラン－アルキルアリールシラン共重合体、ジメチルシラン－メチルフェニルシラン共重合体、ジメチルシラン－フェニルヘキシルシラン共重合体、ジメチルシラン－メチルナフチルシラン共重合体、メチルプロピルシラン－メチルフェニルシラン共重合体等のジアルキルシラン－アルキルアリールシラン共重合体等のコポリマ；等が挙げられる。
　これらのポリシラン化合物は一種単独で、あるいは二種以上組み合わせて使用することができる。
　ポリシラン化合物については、より詳しくは、Ｒ．Ｄ．Ｍｉｌｌｅｒ、Ｊ．Ｍｉｃｈｌ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ、第８９巻、１３５９頁（１９８９）、Ｎ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ、第３７巻、５４２５頁（１９９８）等に記載されている。本発明においては、これらの文献に記載されるポリシラン化合物を用いることができる。
　ポリシラン化合物の重量平均分子量は、特に限定されないが、好ましくは３００～１００,０００、より好ましくは４００～５０,０００、さらに好ましくは５００～３０,０００である。
　ポリシラン化合物の多くは公知物質であり、公知の方法を用いて製造することができる。例えば、マグネシウムを還元剤としてハロシラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（「マグネシウム還元法」、ＷＯ９８／２９４７６号公報等）、アルカリ金属の存在下でハロシラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（「キッピング法」、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１０，１２４（１９８８）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２３，３４２３（１９９０）等）、電極還元によりハロシラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１１６１（１９９０）、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．８９７（１９９２）等）、特定の重合用金属触媒の存在下にヒドロシラン類を脱水素縮合させる方法（特開平４－３３４５５１号公報等）、ビフェニル等で架橋されたジシレンのアニオン重合による方法（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２３，４４９４（１９９０）等）、環状シラン類の開環重合による方法等が挙げられる。
　ポリシラン化合物を含む層は、ポリシラン化合物の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。
　他の成分としては、硬化剤、他の高分子、老化防止剤、光安定剤、難燃剤等が挙げられる。
　ポリシラン化合物を含む層中のポリシラン化合物の含有量は、優れたガスバリア性を有するイオン注入層を形成できる観点から、５０重量％以上であるのが好ましく、７０重量％以上であるのがより好ましい。
　ポリシラン化合物を含む層を形成する方法は、特に制約はなく、例えば、ポリシラン化合物の少なくとも一種、所望により他の成分、及び溶剤等を含有する層形成用組成物を、適当な支持体の上に塗布し、得られた塗膜を適度に乾燥して形成する方法が挙げられる。
　塗工装置としては、スピンコーター、ナイフコーター、グラビアコーター等の公知の装置を使用することができる。
　得られた塗膜の乾燥、成形体のガスバリア性向上のため、塗膜を加熱することが好ましい。加熱は８０～１５０℃で、数十秒から数十分行う。
　形成されるポリシラン化合物を含む層の厚みは、特に制限されないが、通常２０ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは３０～５００ｎｍ、より好ましくは４０～２００ｎｍである。
　本発明においては、ポリシラン化合物を含む層がナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。
　本発明の成形体において、イオン注入層は、ポリシラン化合物の少なくとも一種を含む層であって、該層中にイオンが注入されてなるものであれば特に制約はない。
　前記イオン注入層は、ポリシラン化合物を含む層にイオンが注入されてなるものである。
　イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的（必要なガスバリア性、耐折り曲げ性等）等に合わせて適宜決定すればよい。
　注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガスのイオン；フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン；
メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類のイオン；エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類のイオン；ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類のイオン；アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類のイオン；ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類のイオン；シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類のイオン；シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類のイオン；（炭化水素のイオン）
金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属のイオン；
シラン（ＳｉＨ４）、有機ケイ素化合物等のケイ素化合物のイオン；等が挙げられる。
　有機ケイ素化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ－プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ－ブトキシシラン、テトラｔ－ブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン；
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、（３，３，３－トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルアルコキシシラン；
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールアルコキシシラン；
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等のジシロキサン；
ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、テトラキスジメチルアミノシラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン等のアミノシラン；
ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン；
テトライソシアナートシラン等のイソシアナートシラン；
トリエトキシフルオロシラン等のハロゲノシラン；
ジアリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン等のアルケニルシラン；
ジ－ｔ－ブチルシラン、１，３－ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ベンジルトリメチルシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルシラン；
ビス（トリメチルシリル）アセチレン、トリメチルシリルアセチレン、１－（トリメチルシリル）－１－プロピン等のシリルアルキン；
１，４－ビストリメチルシリル－１，３－ブタジイン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン等のシリルアルケン；
フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン等のアリールアルキルシラン；
プロパルギルトリメチルシラン等のアルキニルアルキルシラン；
ビニルトリメチルシラン等のアルケニルアルキルシラン；
ヘキサメチルジシラン等のジシラン；
オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン等のシロキサン；
Ｎ，Ｏ－ビス（トリメチルシリル）アセトアミド；
ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド；
等が挙げられる。
　これらのイオンは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　本発明においては、これらの中でも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と耐折り曲げ性を有するイオン注入層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましく、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンがより好ましい。
　イオンを注入する方法は特に限定されず、例えば、ポリシラン化合物を含む層を形成した後、該ポリシラン化合物を含む層にイオンを注入する方法が挙げられる。より具体的には、電界により加速されたイオン（イオンビーム）を照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法（プラズマイオン注入法）等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便かつ効率よくガスバリア性の成形体が得られることから、後者のプラズマイオン注入法が好ましい。
　プラズマイオン注入法は、プラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、ポリシラン化合物を含む層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン（陽イオン）を、ポリシラン化合物を含む層に注入してイオン注入層を形成するものである。
　イオン注入層が形成される部分の厚みは、イオンの種類や印加電圧、処理時間等の注入条件により制御することができ、ポリシラン化合物を含む層の厚み、成形体の使用目的等に応じて決定すればよいが、通常、１０～１０００ｎｍである。
　イオンが注入されたことは、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を用いて、層表面から１０ｎｍ付近の深さまでの元素分析測定を行うことによって確認することができる。
　本発明の成形体の形状は、特に制限されず、例えば、フィルム状、シート状、直方体状、多角柱状、筒状などが挙げられる。後述するごとき電子デバイス用部材として用いる場合には、フィルム状、シート状であることが好ましい。該フィルムの厚みは、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。
　本発明の成形体は、ガスバリア層のみからなるものであってもよいし、さらに他の層を含むものであってもよい。また、他の層は単層であっても、同種又は異種の２層以上であってもよい。
　他の層としては、例えば、ポリシラン化合物以外の材料からなる支持体、無機薄膜層、導電体層、衝撃吸収層、プライマー層等が挙げられる。
　用いる支持体の素材は、成形体の目的に合致するものであれば特に制限されず、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等が挙げられる。
　これらの中でも、汎用性があることから、ポリエステル、ポリアミド又はシクロオレフィン系ポリマーが好ましく、ポリエステルがより好ましい。
　ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。
　ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン共重合体等が挙げられる。
　シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル（三井化学社製のエチレン－シクロオレフィン共重合体）、アートン（ＪＳＲ社製のノルボルネン系重合体）、ゼオノア（日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体）等が挙げられる。
　支持体の厚みは特に限定されないが、通常５～１０００μｍ、好ましくは、１０～３００μｍである。
　無機薄膜層は、無機化合物の一種又は二種以上からなる層である。無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。
　無機薄膜層の厚みは、通常１０ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは２０～５００ｎｍ、より好ましくは２０～１００ｎｍの範囲である。
　導電体層を構成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、アンチモンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）；フッ素をドープした酸化スズ（ＦＴＯ）；酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これら金属と導電性金属酸化物との混合物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料；等が挙げられる。
　導電体層の形成方法としては特に制限はない。例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等が挙げられる。
　導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常１０ｎｍ～５０μｍ、好ましくは２０ｎｍ～２０μｍである。
　衝撃吸収層は、前記無機薄膜層に衝撃が加わった際に割れを防止する役割を果たす。衝撃吸収層を形成する素材としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、ゴム系材料等が挙げられる。
　また、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。
　衝撃吸収層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、前記ポリシラン化合物を含む層の形成方法と同様に、前記衝撃吸収層を形成する素材（粘着剤等）、及び、所望により、溶剤等の他の成分を含む衝撃吸収層形成溶液を、積層すべき層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。
　また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。
　衝撃吸収層の厚みは、通常１～１００μｍ、好ましくは５～５０μｍである。
　プライマー層は、支持体とガスバリア層との層間密着性を高める役割を果たす。プライマー層を設けることにより、層間密着性及び表面平滑性に極めて優れる成形体を得ることができる。
　プライマー層を構成する材料としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ケイ素含有化合物；光重合性モノマー及び／又は光重合性プレポリマーからなる光重合性化合物、及び少なくとも可視光域の光でラジカルを発生する重合開始剤を含む光重合性組成物；ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂（特にポリアクリルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等とイソシアネート化合物との２液硬化型樹脂）、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ニトロセルロース系樹脂等の樹脂類；アルキルチタネート；エチレンイミン；等が挙げられる。これらの材料は一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　プライマー層は、プライマー層を構成する材料を適当な溶剤に溶解又は分散してなるプライマー層形成用溶液を、支持体の片面又は両面に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により加熱することより形成することができる。
　プライマー層形成用溶液を支持体に塗付する方法としては、通常の湿式コーティング方法を用いることができる。例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、エアナイフコート、ロールナイフコート、ダイコート、スクリーン印刷法、スプレーコート、グラビアオフセット法等が挙げられる。
　プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。プライマー層の厚みは、通常、１０～１０００ｎｍである。
　また、得られたプライマー層に、後述する、イオン注入する層にイオンを注入する方法と同様な方法によりイオン注入を行ってもよい。プライマー層にもイオン注入を行うことにより、よりガスバリア性に優れる成形体を得ることができる。
　本発明の成形体が他の層を含む積層体である場合、前記ガスバリア層の配置位置は特に限定されず、また、ガスバリア層は１層でも複数層であってもよい。
　本発明の成形体は、優れたガスバリア性を有し、また、その形状がフィルム状又はシート状（以下、「フィルム状」という。）の場合、耐折り曲げ性に優れ、かつ折り曲げなどを行ってもガスバリア性を維持するものが好ましい。
　本発明の成形体が優れたガスバリア性を有していることは、本発明の成形体の水蒸気等のガスの透過率が小さいことから確認することができる。水蒸気透過率は、４０℃、相対湿度９０％雰囲気下で、通常０．５０ｇ／ｍ２／ｄａｙ未満であり、好ましくは０．３５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である。
　なお、成形体の水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。
　本発明の成形体が耐折り曲げ性に優れ、折り曲げなどを行ってもガスバリア性を維持できることは、フィルム状の成形体をふたつに折り曲げて圧力をかけ、再び開いた後においても水蒸気透過率がほとんど低下しないことから確認することができる。本発明のフィルム状の成形体は、同じ厚みの無機膜に比較して、折り曲げ後もガスバリア性を維持することに優れている。
　また、本発明の成形体は表面平滑性にも優れる。本発明の成形体が表面平滑性に優れることは、例えば、測定領域１×１μｍにおける表面粗さＲａ値（ｎｍ）を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定することにより確認することができる。１×１μｍにおけるＲａ値は、０．４５ｎｍ以下であるのが好ましく、０．４０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
２）成形体の製造方法
　本発明の成形体の製造方法は、ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラン化合物を含む層に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする。
　本発明の成形体の製造方法においては、前記イオンを注入する工程が、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン化して注入する工程であるのが好ましい。
　また、前記イオンを注入する工程が、ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する長尺状の成形物を一定方向に搬送しながら、前記ポリシラン化合物を含む層にイオンを注入する工程であるのが好ましい。
　この製造方法によれば、例えば、長尺状の成形物を巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入されて得られる成形体を連続的に製造することができる。
　長尺状の成形物は、形状がフィルム状であり、ポリシラン化合物を含む層のみからなるものであっても、他の層を含むものであってもよい。他の層としては、前述の、ポリシラン化合物以外の材料からなる支持体等が挙げられる。
　成形物の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、１μｍ～５００μｍが好ましく、５μｍ～３００μｍがより好ましい。
　ポリシラン化合物を含む層に、イオンを注入する方法は、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表面部にイオン注入層を形成する方法が特に好ましい。
　プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、ポリシラン化合物を含む層を表面に有する成形物に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表面部に注入してイオン注入層を形成する方法である。
　プラズマイオン注入法としては、（Ａ）外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法、又は（Ｂ）外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法が好ましい。
　前記（Ａ）の方法においては、イオン注入する際の圧力（プラズマイオン注入時の圧力）を０．０１～１Ｐａとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一なイオン注入層を形成することができ、耐折り曲げ性、ガスバリア性を兼ね備えたイオン注入層を効率よく形成することができる。
　前記（Ｂ）の方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ（高周波、以下、「ＲＦ」と略す。）や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表面部に良質のイオン注入層を均一に形成することができる。
　前記（Ａ）及び（Ｂ）のいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオン注入するときのパルス幅は、１～１５μｓｅｃであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、均一なイオン注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。
　また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは－１ｋＶ～－５０ｋＶ、より好ましくは－１ｋＶ～－３０ｋＶ、特に好ましくは－５ｋＶ～－２０ｋＶである。印加電圧が－１ｋＶより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量（ドーズ量）が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、－５０ｋＶより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時に成形体が帯電し、また成形体への着色等の不具合が生じ、好ましくない。
　プラズマイオン注入するイオン種としては、前記注入されるイオンとして例示したのと同様のものが挙げられる。
　層の表面部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。
　プラズマイオン注入装置としては、具体的には、（α）ポリシラン化合物を含む層（以下、「イオン注入する層」ということがある。）に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置（特開２００１-２６８８７号公報）、（β）チャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置（特開２００１－１５６０１３号公報）、（γ）マイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、（δ）外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。
　これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、（γ）又は（δ）のプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。
　以下、前記（γ）及び（δ）のプラズマイオン注入装置を用いる方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
　図１は、前記（γ）のプラズマイオン注入装置を備える連続的プラズマイオン注入装置の概要を示す図である。
　図１（ａ）において、１ａはポリシラン化合物を含む層を表面部に有する長尺状のフィルム状の成形物（以下、「フィルム」という。）、１１ａはチャンバー、２０ａは油拡散ポンプ、３ａはイオン注入される前のフィルム１ａを送り出す巻き出しロール、５ａはイオン注入されたフィルム（成形体）１ｂをロール状に巻き取る巻取りロール、２ａは高電圧印加回転キャン、６ａはフィルムの送り出しロール、１０ａはガス導入口、７ａは高電圧パルス電源、４はプラズマ放電用電極（外部電界）である。図１（ｂ）は、前記高電圧印加回転キャン２ａの斜視図であり、１５は高電圧導入端子（フィードスルー）である。
　用いるポリシラン化合物を含む層を表面部に有する長尺状のフィルム１ａは、支持体（その他の層）上に、ポリシラン化合物を含む層を形成したフィルムである。
　図１に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム１ａは、チャンバー１１ａ内において、巻き出しロール３ａから図１中矢印Ｘ方向に搬送され、高電圧印加回転キャン２ａを通過して、巻き取りロール５ａに巻き取られる。フィルム１ａの巻取りの方法や、フィルム１ａを搬送する方法等は特に制約はないが、本実施形態においては、高電圧印加回転キャン２ａを一定速度で回転させることにより、フィルム１ａの搬送を行っている。また、高電圧印加回転キャン２ａの回転は、高電圧導入端子１５の中心軸１３をモーターにより回転させることにより行われる。
　高電圧導入端子１５、及びフィルム１ａが接触する複数の送り出し用ロール６ａ等は絶縁体からなり、例えば、アルミナの表面をポリテトラフルオロエチレン等の樹脂で被覆して形成されている。また、高電圧印加回転キャン２ａは導体からなり、例えば、ステンレスで形成することができる。
　フィルム１ａの搬送速度は適宜設定できる。フィルム１ａが巻き出しロール３ａから搬送され、巻き取りロール５ａに巻き取られるまでの間にフィルム１ａの表面部（ポリシラン化合物を含む層）にイオン注入され、所望のイオン注入層が形成されるだけの時間が確保される速度であれば、特に制約されない。フィルムの巻取り速度（搬送速度）は、印加電圧、装置規模等にもよるが、通常０．１～３ｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．２～２．５ｍ／ｍｉｎである。
　まず、チャンバー１１ａ内をロータリーポンプに接続された油拡散ポンプ２０ａにより排気して減圧とする。減圧度は、通常１×１０－２Ｐａ以下、好ましくは１×１０-３Ｐａ以下である。
　次に、ガス導入口１０ａよりチャンバー１１ａ内に、窒素等のイオン注入用のガス（以下、「イオン注入用ガス」ということがある。）を導入して、チャンバー１１ａ内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。なお、イオン注入用ガスはプラズマ生成ガスでもある。
　次いで、プラズマ放電用電極４（外部電界）によりプラズマを発生させる。プラズマを発生させる方法としては、マイクロ波やＲＦ等の高周波電力源等による公知の方法が挙げられる。
　一方、高電圧導入端子１５を介して高電圧印加回転キャン２ａに接続されている高電圧パルス電源７ａにより、負の高電圧パルス９ａが印加される。高電圧印加回転キャン２ａに負の高電圧パルスが印加されると、プラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン２ａの周囲のフィルムの表面に注入され（図１（ａ）中、矢印Ｙ）、フィルム状の成形体１ｂが得られる。
　前述のように、イオン注入する際の圧力（チャンバー１１ａ内のプラズマガスの圧力）は、０．０１～１Ｐａであるのが好ましく、イオン注入するときのパルス幅は、１～１５μｓｅｃであるのが好ましく、高電圧印加回転キャン２ａに負の高電圧を印加する際の印加電圧は、－１ｋＶ～－５０ｋＶであるのが好ましい。
　次に、図２に示す連続的プラズマイオン注入装置を使用して、ポリシラン化合物を含む層を表面部に有するフィルムの、前記ポリシラン化合物を含む層にイオン注入する方法を説明する。
　図２に示す装置は、前記（δ）のプラズマイオン注入装置を備える。このプラズマイオン注入装置は、外部電界（すなわち、図１におけるプラズマ放電用電極４）を用いることなく印加する高電圧パルスによる電界のみでプラズマを発生させるものである。
　図２に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム（フィルム状の成形物）１ｃは、前記図１の装置と同様に高電圧印加回転キャン２ｂを回転させることによって巻き出しロール３ｂから図２中矢印Ｘ方向に搬送され、巻き取りロール５ｂに巻き取られる。
　図２に示す連続的プラズマイオン注入装置では、前記フィルムのポリシラン化合物を含む層の表面部へのイオン注入は次のように行われる。
　まず、図１に示すプラズマイオン注入装置と同様にしてチャンバー１１ｂ内にフィルム１ｃを設置し、チャンバー１１ｂ内をロータリーポンプに接続されている油拡散ポンプ２０ｂにより排気して減圧とする。そこへ、ガス導入口１０ｂよりチャンバー１１ｂ内に、窒素等のイオン注入用ガスを導入して、チャンバー１１ｂ内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。
　イオン注入する際の圧力（チャンバー１１ｂ内のプラズマガスの圧力）は、１０Ｐａ以下、好ましくは０．０１～５Ｐａ、より好ましくは０．０１～１Ｐａである。
　次に、フィルム１ｃを、図２中Ｘの方向に搬送させながら、高電圧導入端子（図示せず）を介して高電圧印加回転キャン２ｂに接続されている高電圧パルス電源７ｂから高電圧パルス９ｂを印加する。
　高電圧印加回転キャン２ｂに負の高電圧が印加されると、高電圧印加回転キャン２ｂの周囲のフィルム１ｃに沿ってプラズマが発生し、そのプラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン２ｂの周囲の成形体フィルム１ｃの表面に注入される（図２中、矢印Ｙ）。フィルム１ｃのポリシラン化合物を含む層の表面部にイオンが注入されると、フィルム表面部にイオン注入層が形成され、フィルム状の成形体１ｄが得られる。
　高電圧印加回転キャン２ｂに負の高電圧を印加する際の印加電圧、パルス幅及びイオン注入する際の圧力は、図１に示す連続的プラズマイオン注入装置の場合と同様である。
　図２に示すプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、ＲＦやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、フィルムのポリシラン化合物を含む層の表面部にプラズマ中のイオンを注入し、イオン注入層を連続的に形成し、フィルムの表面部にイオン注入層が形成された成形体を量産することができる。
３）電子デバイス用部材及び電子デバイス
　本発明の電子デバイス用部材は、本発明の成形体からなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等のディスプレイ部材；太陽電池用バックシート；等として好適である。
　本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用部材を備える。具体例としては、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー、太陽電池等が挙げられる。
　本発明の電子デバイスは、本発明の成形体からなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性と耐折り曲げ性を有する。
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。
　用いたプラズマイオン注入装置及び水蒸気透過率測定装置、並びに測定条件、折り曲げ試験、表面平滑性評価方法及び密着性評価方法は以下の通りである。
（プラズマイオン注入装置）
ＲＦ電源：日本電子社製、型番号「ＲＦ」５６０００
高電圧パルス電源：栗田製作所社製、「ＰＶ－３－ＨＳＨＶ－０８３５」
（水蒸気透過率の測定装置）
透過率測定器：ＬＹＳＳＹ社製、「Ｌ８０－５０００」
測定条件：相対湿度９０％、４０℃
（折り曲げ試験）
　得られた成形体のイオン注入面（比較例２はポリシラン化合物を含む層側、比較例４は窒化ケイ素膜側）を外側にし、中央部分で半分に折り曲げてラミネーター（フジプラ社製、「ＬＡＭＩＰＡＣＫＥＲ　ＬＰＣ１５０２」）の２本のロール間を、ラミネート速度５ｍ／ｍｉｎ、温度２３℃の条件で通した。
　尚、成形体の内側に１ｍｍ厚の台紙を介在させ上記折り曲げ試験を行った。
（表面平滑性評価方法）
　原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、「ＳＰＡ３００　ＨＶ」）を用いて測定領域１×１μｍ（１μｍ□）における表面粗さＲａ値（ｎｍ）を測定した。
（密着性評価方法）
　基材フィルムとガスバリア層との密着性を、セロハンテープを用いたクロスカット試験により評価した（ＪＩＳＫ５６００－５－６）。密着性は良好な場合を０、非常に悪い場合を５として、６段階で評価した。
（実施例１）
　支持体としてのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂社製、「ＰＥＴ３８　Ｔ－１００」、厚さ３８μｍ、以下、「ＰＥＴフィルム」という。）に、ポリシラン化合物として、前記式（１）においてＲ１＝Ｃ６Ｈ５、Ｒ２＝ＣＨ３である繰り返し単位を含むポリシラン化合物（大阪ガスケミカル社製、オグソールＳＩ１０、Ｍｗ＝２２，１００）をトルエン/エチルメチルケトン混合溶媒（トルエン：エチルメチルケトン＝７：３、濃度５ｗｔ％）に溶解した溶液を塗布し、１２０℃で１分間加熱してＰＥＴフィルム上に厚さ１００ｎｍ（膜厚）のポリシラン化合物を含む層（以下、「ポリシラン層」という。）を形成して成形物を得た。次いで、図２に示すプラズマイオン注入装置を用いてポリシラン層の表面に、アルゴン（Ａｒ）をプラズマイオン注入して成形体１を作製した。
　プラズマイオン注入の条件を以下に示す。
　・ガス（アルゴン）流量：１００ｓｃｃｍ
　・Ｄｕｔｙ比：０．５％
　・繰り返し周波数：１０００Ｈｚ
　・印加電圧：－１０ｋＶ
　・ＲＦ電源：周波数　１３．５６ＭＨｚ、印加電力　１０００Ｗ
　・チャンバー内圧：０．２Ｐａ
　・パルス幅：５μｓｅｃ
　・処理時間（イオン注入時間）：５分間
　・搬送速度：０．２ｍ／ｍｉｎ
（実施例２）
　プラズマ生成ガスとしてアルゴンに代えてヘリウム（Ｈｅ）を用いた以外は、実施例１と同様にして成形体２を作製した。
（実施例３）
　プラズマ生成ガスとしてアルゴンに代えて窒素（Ｎ２）を用いた以外は、実施例１と同様にして成形体３を作製した。
（実施例４）
　プラズマ生成ガスとしてアルゴンに代えて酸素（Ｏ２）を用いた以外は、実施例１と同様にして成形体４を作製した。
（実施例５）
　プラズマ生成ガスとしてアルゴンに代えてクリプトン（Ｋｒ）を用いた以外は、実施例１と同様にして成形体５を作製した。
（実施例６）
　イオン注入を行う際の印加電圧を－１５ｋＶとした以外は、実施例１と同様にして成形体６を作製した。
（実施例７）
　イオン注入を行う際の印加電圧を－２０ｋＶとした以外は、実施例１と同様にして成形体７を作製した。
（実施例８）
　ポリフェニルシラン骨格とポリアルキルシラン骨格を主骨格とするポリシラン化合物（Ｍｗ＝１，３００）に、架橋剤としてエポキシ樹脂を混合したもの(大阪ガスケミカル社製、オグソールＳＩ－２０－１２）を用いた以外は、実施例１と同様にして成形体８を作製した。
（比較例１）
　ＰＥＴフィルムをそのまま成形体９とした。
（比較例２）
　実施例１と同様にしてＰＥＴフィルム上にポリシラン層を形成して成形体１０を作製した。
（比較例３）
　ポリシラン層を形成しない以外は、実施例１と同様にして成形体を作製した。すなわち、ＰＥＴフィルムに実施例１と同様にしてイオン注入して成形体１１とした。
（比較例４）
　ＰＥＴフィルムに、スパッタリング法により、厚さ５０ｎｍの窒化ケイ素（ＳｉＮ）の膜を成膜して成形体１２を作製した。
（比較例５）
　ポリシラン層に代えて、膜厚１μｍのウレタンアクリレート層（ウレタンアクリレート５７５ＢＣ、荒川化学工業社製）を形成し、該ウレタンアクリレート層に実施例１と同様にしてイオン注入して成形体１３を作製した。
　実施例１～８、比較例２で得られた成形体１～８及び１０につき、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）装置（アルバックファイ社製、Ｑｕａｎｔｕｍ２０００）による元素分析測定を行い、ガスバリア層の表面から深さ方向に向かって、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合を分析した。深さ方向の各原子の存在割合は、アルゴンガスを用いてスパッタリングを行い、露出した面における存在割合を測定する操作を繰り返すことにより、深さ方向の存在割合を測定した。その結果を図３～１１に示す。
Ｘ線源：ＡｌＫα
Ｘ線ビーム径：１００μｍ
電力値：２５Ｗ
電圧：１５ｋＶ
取り出し角度：４５°
真空度：５．０×１０－８Ｐａ
　図３～１１において、縦軸は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量の合計を１００とした場合の原子の存在割合（％）を表し、横軸はスパッタリングの積算時間（Ｓｐｕｔｔｅｒ　Ｔｉｍｅ、分）を表す。スパッタリングの速度は一定であるので、スパッタリングの積算時間（Ｓｐｕｔｔｅｒ　Ｔｉｍｅ）は、深さに対応している。図３～１１において、四角プロット（Ｃ１ｓ）は炭素原子の存在割合、丸プロット（Ｏ１ｓ）は酸素原子の存在割合、三角プロット（Ｓｉ２ｐ）はケイ素原子の存在割合である。
　また、プラズマイオン注入された面（比較例２の成形体においては、ポリシラン層の表面）における測定値（酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合を測定した結果）を下記第１表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　第１表、図３～１０に示すように、成形体１～８においては、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域を有し、該領域が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０～５５％、炭素原子の存在割合が２５～７０％、ケイ素原子の存在割合が５～２０％である部分領域（Ａ１）と、酸素原子の存在割合が１～１５％、炭素原子の存在割合が７２～８７％、ケイ素原子の存在割合が７～１８％である部分領域（Ａ２）とを含むものであることが確認された。
　一方、第１表及び図１１に示すように、比較例２の成形体１０においては、上記のような部分領域（Ａ１）は存在しなかった。
　実施例１～８、及び比較例１～５で得られた成形体１～１３について、水蒸気透過率の測定、表面粗さＲａ値の測定、及び密着性試験を行った。測定結果及び評価結果を下記第２表に示す。
　また、成形体１～１３について折り曲げ試験を行い、試験後における成形体１～１３について、水蒸気透過率を測定した。測定結果を第２表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　第２表から、実施例１～８の成形体１～８は、比較例１～５の成形体９～１３に比して、水蒸気透過率が小さく、高いガスバリア性を有していることがわかる。また、成形体１～８は、表面平滑性及び密着性にも優れていた。さらに、折り曲げ試験後においても水蒸気透過率の上昇が少なく、耐折り曲げ性に優れていることがわかる。
１ａ、１ｃ・・・フィルム状の成形物
１ｂ、１ｄ・・・フィルム状の成形体
２ａ、２ｂ・・・回転キャン
３ａ、３ｂ・・・巻き出しロール
４・・・プラズマ放電用電極
５ａ、５ｂ・・・巻き取りロール
６ａ、６ｂ・・・送り出し用ロール
７ａ、７ｂ・・・パルス電源
９ａ、９ｂ・・・高電圧パルス
１０ａ、１０ｂ・・・ガス導入口
１１ａ、１１ｂ・・・チャンバー
１３・・・中心軸
１５・・・高電圧導入端子
２０ａ、２０ｂ・・・油拡散ポンプ

Claims (12)

  1. 　少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなるガスバリア層を有する成形体であって、
    　前記ガスバリア層が、
    表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を含むものであり、
    前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０～５５％、炭素原子の存在割合が２５～７０％、ケイ素原子の存在割合が５～２０％である部分領域（Ａ１）と、
    酸素原子の存在割合が１～１５％、炭素原子の存在割合が７２～８７％、ケイ素原子の存在割合が７～１８％である部分領域（Ａ２）とを有するものである
    ことを特徴とする成形体。
  2. 　前記領域（Ａ）が、ポリシラン化合物を含む層の表層部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の成形体。
  3. 　ポリシラン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られるガスバリア層を有することを特徴とする成形体。
  4. 　前記ポリシラン化合物が、下記式（１）で表される繰り返し単位を含む化合物であることを特徴とする請求項２又は３に記載の成形体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、シリル基、又はハロゲン原子を表し、複数のＲ１、Ｒ２は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。）
  5. 　前記ポリシラン化合物を含む層に、プラズマイオン注入法により、イオンが注入されて得られるガスバリア層を有することを特徴とする請求項３に記載の成形体。
  6. 　前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項３に記載の成形体。
  7. 　４０℃、相対湿度９０％雰囲気下での水蒸気透過率が０．５ｇ／ｍ2／ｄａｙ未満であることを特徴とする請求項１～３，５又は６のいずれかに記載の成形体。
  8. 　ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラン化合物を含む層に、イオンを注入する工程を有する請求項３に記載の成形体の製造方法。
  9. 　前記イオンを注入する工程が、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン化して注入する工程であることを特徴とする請求項８に記載の成形体の製造方法。
  10. 　前記イオンを注入する工程が、ポリシラン化合物を含む層を表面部に有する長尺状の成形物を一定方向に搬送しながら、前記ポリシラン化合物を含む層にイオンを注入する工程であることを特徴とする請求項８又は９に記載の成形体の製造方法。
  11. 　請求項１～７のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。
  12. 　請求項１１に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
PCT/JP2010/058668 2009-05-22 2010-05-21 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス WO2010134609A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10777840.9A EP2433980B1 (en) 2009-05-22 2010-05-21 Molded object, process for producing same, member for electronic device, and electronic device
CN201080022420.XA CN102439077B (zh) 2009-05-22 2010-05-21 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备
KR1020117027707A KR101489551B1 (ko) 2009-05-22 2010-05-21 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
JP2011514467A JP5704610B2 (ja) 2009-05-22 2010-05-21 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
US13/321,687 US9365922B2 (en) 2009-05-22 2010-05-21 Formed article, method of producing same, electronic device member, and electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009123913 2009-05-22
JP2009-123913 2009-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010134609A1 true WO2010134609A1 (ja) 2010-11-25

Family

ID=43126286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/058668 WO2010134609A1 (ja) 2009-05-22 2010-05-21 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9365922B2 (ja)
EP (1) EP2433980B1 (ja)
JP (1) JP5704610B2 (ja)
KR (1) KR101489551B1 (ja)
CN (1) CN102439077B (ja)
TW (1) TWI477392B (ja)
WO (1) WO2010134609A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011102198A1 (ja) * 2010-02-19 2011-08-25 リンテック株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
US8846200B2 (en) 2010-09-21 2014-09-30 Lintec Corporation Gas-barrier film, process for producing same, member for electronic device, and electronic device
US8865810B2 (en) 2009-03-26 2014-10-21 Lintec Corporation Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device
JP2015196722A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 大阪瓦斯株式会社 ポリシラン複合無機ナノ材料
US9340869B2 (en) 2008-08-19 2016-05-17 Lintec Corporation Formed article, method for producing the same, electronic device member, and electronic device
US9540519B2 (en) 2010-03-31 2017-01-10 Lintec Corporation Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device
US9556513B2 (en) 2010-08-20 2017-01-31 Lintec Corporation Molding, production method therefor, part for electronic devices and electronic device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101489551B1 (ko) 2009-05-22 2015-02-03 린텍 가부시키가이샤 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
TWI535561B (zh) 2010-09-21 2016-06-01 Lintec Corp A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
CN103582559B (zh) * 2011-09-08 2015-09-09 琳得科株式会社 改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法
JP6474673B2 (ja) * 2015-04-17 2019-02-27 キリン株式会社 ガスバリア性プラスチック成形体及びその製造方法
KR102043305B1 (ko) * 2017-12-28 2019-11-12 한국화학연구원 발수 발유 코팅막 및 이의 제조방법
KR102466556B1 (ko) 2021-02-01 2022-11-14 스마트론파워(주) 방수형 전원장치 및 이의 방수방법
KR20220111129A (ko) 2021-02-01 2022-08-09 스마트론파워(주) 방수형 전원장치 및 이의 방수방법

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04334551A (ja) 1991-05-10 1992-11-20 Tonen Corp ヒドロシランの重合触媒
JPH0664105A (ja) * 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
JPH08174748A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Dainippon Printing Co Ltd レトルト包装用フィルム
JPH0926755A (ja) * 1994-12-20 1997-01-28 Toshiba Corp 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置
WO1998029476A1 (fr) 1996-12-27 1998-07-09 Osaka Gas Company Limited Procede de preparation de polysilanes
JPH10305542A (ja) 1997-03-07 1998-11-17 Toray Ind Inc ガスバリア用ポリエステルフイルム
JP2000260870A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法
JP2001026887A (ja) 1999-07-12 2001-01-30 Agency Of Ind Science & Technol 表面改質方法及び表面改質装置
JP2001156013A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 表面改質方法及び表面改質装置
JP2002018246A (ja) * 2000-07-07 2002-01-22 Sony Corp バリア膜
JP2005537963A (ja) * 2002-09-11 2005-12-15 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 傾斜組成を有する拡散障壁コーティング及びそれを含むデバイス
JP2008049601A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Jsr Corp ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法
WO2010021326A1 (ja) * 2008-08-19 2010-02-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62220330A (ja) 1986-03-24 1987-09-28 東洋メタライジング株式会社 帯電防止性ガスバリアフイルム
US4842941A (en) 1987-04-06 1989-06-27 General Electric Company Method for forming abrasion-resistant polycarbonate articles, and articles of manufacture produced thereby
US5143747A (en) 1991-02-12 1992-09-01 Hughes Aircraft Company Die improved tooling for metal working
JPH05185568A (ja) 1992-01-14 1993-07-27 Diafoil Co Ltd 液晶表示パネル用フィルム
DE69305794T2 (de) 1992-07-10 1997-06-12 Asahi Glass Co Ltd Transparenter, leitfähiger Film und Target und Material zur Gasphasenabscheidung für seine Herstellung
JP3453805B2 (ja) 1992-09-11 2003-10-06 旭硝子株式会社 透明導電膜
JP3414488B2 (ja) 1994-04-28 2003-06-09 東燃ゼネラル石油株式会社 透明な有機／無機ハイブリッド膜の製造方法
JPH0845452A (ja) 1994-08-01 1996-02-16 Takamisawa Denki Seisakusho:Kk イオンバランス測定装置およびその測定方法
US5907382A (en) 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
JPH0910687A (ja) 1995-03-31 1997-01-14 Tonen Corp ＳｉＯ２系セラミックス被覆フィルムの製造方法
JP3489269B2 (ja) 1995-04-28 2004-01-19 東洋製罐株式会社 ガス遮断性透明包装材およびその製造方法
JP3562065B2 (ja) 1995-10-30 2004-09-08 日新電機株式会社 高ガスバリア性高分子物品及びその製造方法
US5965629A (en) 1996-04-19 1999-10-12 Korea Institute Of Science And Technology Process for modifying surfaces of materials, and materials having surfaces modified thereby
CN100405530C (zh) 1996-05-15 2008-07-23 精工爱普生株式会社 薄膜器件的制造方法
JP3949175B2 (ja) 1997-02-14 2007-07-25 三菱化学株式会社 ポリアルコキシシロキサン化合物及びその製造方法並びにこれを含有する塗料組成物
JP4144042B2 (ja) 1997-03-06 2008-09-03 東洋製罐株式会社 ガス遮断性プラスチック包材とその製造方法
JP3951348B2 (ja) 1997-03-14 2007-08-01 東洋製罐株式会社 ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体
US6194328B1 (en) 1998-12-09 2001-02-27 Advanced Micro Devices, Inc. H2 diffusion barrier formation by nitrogen incorporation in oxide layer
JP3484094B2 (ja) 1999-02-26 2004-01-06 グンゼ株式会社 シリカ被覆プラスティックフィルム及びその製造方法
JP4205241B2 (ja) 1999-03-04 2009-01-07 住友化学株式会社 積層体
US20060017162A1 (en) 1999-03-12 2006-01-26 Shoji Seta Semiconductor device and manufacturing method of the same
US6849923B2 (en) 1999-03-12 2005-02-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2000340166A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Sony Corp 成膜方法及び成膜物
JP2000338901A (ja) 1999-06-01 2000-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブルディスプレイ基板の製造方法
DE19940858A1 (de) 1999-08-27 2001-03-01 Basf Coatings Ag Sol-Gel-Überzug für einschichtige oder mehrschichtige Lackierungen
JP2001119051A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池モジュ−ル用裏面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル
JP2001207259A (ja) * 2000-01-25 2001-07-31 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 表面改質方法及び表面改質装置
JP2001220509A (ja) 2000-02-07 2001-08-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性組成物
US6416817B1 (en) 2000-03-03 2002-07-09 Dow Corning Sa Barrier coatings having bis-silanes
US20010038894A1 (en) * 2000-03-14 2001-11-08 Minoru Komada Gas barrier film
JP5291275B2 (ja) 2000-07-27 2013-09-18 有限会社コンタミネーション・コントロール・サービス コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法
US6665033B2 (en) 2000-11-30 2003-12-16 International Business Machines Corporation Method for forming alignment layer by ion beam surface modification
GB0113751D0 (en) 2001-06-06 2001-07-25 Dow Corning Surface treatment
JP4669631B2 (ja) * 2001-06-18 2011-04-13 矢崎総業株式会社 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法
JP2003118029A (ja) 2001-10-16 2003-04-23 Asahi Glass Co Ltd ガスバリヤ性有機基材およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2003154596A (ja) 2001-11-22 2003-05-27 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体
US20030228475A1 (en) 2002-04-18 2003-12-11 Minoru Komada Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the same, and manufacturing method for barrier film
JP2003347570A (ja) 2002-05-27 2003-12-05 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 太陽電池用裏面保護シート
US7449246B2 (en) 2004-06-30 2008-11-11 General Electric Company Barrier coatings
JP2004107541A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Fuji Photo Film Co Ltd 有機変性層状珪酸塩を含有する重合体組成物、フィルム、ガスバリア性フィルム、並びにそれらを用いた基板及び画像表示素子
JP4185341B2 (ja) 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2004203935A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法並びにその製造装置
JP2004322489A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Pioneer Electronic Corp ガスバリア基材およびその製造方法
JP2004352966A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Dengiken:Kk 電気・電子絶縁シート
JP2005088431A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Printing Co Ltd バリア性フィルム
JP2005104025A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性積層フィルム、及びそれを用いた画像表示素子
US7635525B2 (en) 2003-09-30 2009-12-22 Fujifilm Corporation Gas barrier laminate film and method for producing the same
JP2005119155A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルム及びその製造方法
JP2005119160A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルム及びその製造方法
EP1677857A1 (en) 2003-10-31 2006-07-12 Ventracor Limited Improved blood pump comprising polymeric components
JP4531380B2 (ja) 2003-12-15 2010-08-25 大日本印刷株式会社 ガスバリア性シート
DE102004004177B4 (de) 2004-01-28 2006-03-02 AxynTeC Dünnschichttechnik GmbH Verfahren zur Herstellung dünner Schichten sowie dessen Verwendung
JP4852822B2 (ja) 2004-02-17 2012-01-11 大日本印刷株式会社 バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材
JP4494824B2 (ja) 2004-02-24 2010-06-30 株式会社クラレ 表示装置用フィルムの製造方法
JP2006052376A (ja) 2004-02-27 2006-02-23 Lintec Corp 高分子成形体の製造方法、高分子成形体およびその製造装置
CN1946874A (zh) 2004-03-09 2007-04-11 埃克阿泰克有限责任公司 用于非平面基材的等离子体涂覆体系
KR101173713B1 (ko) 2004-04-28 2012-08-13 니폰 제온 가부시키가이샤 적층체, 발광 소자 및 그의 사용
KR20070012553A (ko) 2004-05-14 2007-01-25 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 오가노폴리실록산 수지 경화물로 이루어진 독립 필름, 이의제조방법 및 적층 필름
US20050287307A1 (en) 2004-06-23 2005-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Etch and deposition control for plasma implantation
US20090110892A1 (en) 2004-06-30 2009-04-30 General Electric Company System and method for making a graded barrier coating
JP2006035737A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Teijin Ltd ディスプレイ用に適したガスバリア性高分子積層フィルム
CA2575885A1 (en) 2004-08-03 2006-02-16 Chemetall Gmbh Method for protecting a metal surface by means of a corrosion-inhibiting coating
JP2006070238A (ja) 2004-08-05 2006-03-16 Lintec Corp 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム
US7485691B1 (en) * 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
JP2006123307A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
JP2006123306A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
US20080096014A1 (en) 2004-12-13 2008-04-24 University Of South Australia Craze Resistant Plastic Article and Method of Production
US7906217B2 (en) 2005-02-22 2011-03-15 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Vapor deposited film by plasma CVD method
JP4624152B2 (ja) 2005-03-24 2011-02-02 富士フイルム株式会社 プラスチックフィルム、ガスバリアフィルム、およびそれを用いた画像表示素子
JP2007022075A (ja) 2005-06-14 2007-02-01 Asahi Kasei Corp 層構造体及びその製造方法
JP2007042616A (ja) 2005-06-29 2007-02-15 Asahi Kasei Corp 発光素子及び表示デバイス並びにそれらの製造方法
JP2007065644A (ja) 2005-08-03 2007-03-15 Asahi Kasei Corp ディスプレイ用基板及びディスプレイ並びにそれらの製造方法
CN100547811C (zh) 2005-09-30 2009-10-07 东丽株式会社 太阳能电池组件用密封膜和太阳能电池组件
US20090130463A1 (en) 2005-10-05 2009-05-21 John Dean Albaugh Coated Substrates and Methods for their Preparation
JP2007237588A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
JP2007283726A (ja) 2006-04-20 2007-11-01 Bridgestone Corp 成形体及びその製造方法
JP2008015500A (ja) 2006-06-09 2008-01-24 Fujifilm Corp 偏光板用保護フィルム
JP4830733B2 (ja) 2006-09-07 2011-12-07 凸版印刷株式会社 ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP2008174792A (ja) 2007-01-18 2008-07-31 Plasma Ion Assist Co Ltd フッ素系合成樹脂の親水化改質方法及びその物品
US20100003483A1 (en) 2007-02-05 2010-01-07 Kazuhiro Fukuda Transparent gas barrier film
US8846187B2 (en) 2007-02-06 2014-09-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent gas barrier film and method for producing transparent gas barrier film
JP2008204683A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
JP2008235165A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電膜を有するロール状樹脂フィルムの製造方法
JP4917942B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-18 リンテック株式会社 高平滑ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP4917943B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-18 リンテック株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法
JP4978297B2 (ja) 2007-04-25 2012-07-18 凸版印刷株式会社 透明導電性ガスバリアフィルム
JP2009110897A (ja) 2007-11-01 2009-05-21 Toray Ind Inc 透明導電性フィルム
JP4969479B2 (ja) 2008-02-20 2012-07-04 尾池工業株式会社 透明導電膜付基板の製造方法
US8956731B2 (en) 2008-02-27 2015-02-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier sheet
KR101445878B1 (ko) 2008-04-04 2014-09-29 삼성전자주식회사 보호 필름 및 이를 포함하는 봉지 재료
JP2009252574A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP5551885B2 (ja) 2008-05-01 2014-07-16 日揮触媒化成株式会社 低誘電率シリカ系被膜の形成方法及び該方法から得られる低誘電率シリカ系被膜
JP5650109B2 (ja) 2008-06-30 2015-01-07 コーロン インダストリーズ インク プラスチック基板およびこれを含む素子
JP5305476B2 (ja) 2008-08-29 2013-10-02 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化ケイ素薄膜または酸窒化ケイ素化合物薄膜の製造方法およびこの方法で得られる薄膜
CN102245379B (zh) * 2008-12-12 2015-06-24 琳得科株式会社 叠层体、其制造方法、电子设备构件和电子设备
TWI491500B (zh) * 2009-02-16 2015-07-11 Lintec Corp A manufacturing method of a laminated body, a structure for an electronic device, and an electronic device
JP5566130B2 (ja) 2009-02-26 2014-08-06 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
KR20110127228A (ko) 2009-03-17 2011-11-24 린텍 가부시키가이샤 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스 부재 및 전자 디바이스
TWI522404B (zh) 2009-03-26 2016-02-21 Lintec Corp A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
JP5704611B2 (ja) 2009-05-22 2015-04-22 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
KR101489551B1 (ko) 2009-05-22 2015-02-03 린텍 가부시키가이샤 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
JP5612277B2 (ja) 2009-06-16 2014-10-22 リンテック株式会社 ガスバリア性フィルム及び電子デバイス用部材
CN102811853B (zh) 2010-03-31 2015-05-20 琳得科株式会社 透明导电性膜及其制造方法以及使用透明导电性膜的电子器件
KR101886455B1 (ko) 2010-09-07 2018-08-07 린텍 가부시키가이샤 점착 시트 및 전자 디바이스

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04334551A (ja) 1991-05-10 1992-11-20 Tonen Corp ヒドロシランの重合触媒
JPH0664105A (ja) * 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
JPH0926755A (ja) * 1994-12-20 1997-01-28 Toshiba Corp 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置
JPH08174748A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Dainippon Printing Co Ltd レトルト包装用フィルム
WO1998029476A1 (fr) 1996-12-27 1998-07-09 Osaka Gas Company Limited Procede de preparation de polysilanes
JPH10305542A (ja) 1997-03-07 1998-11-17 Toray Ind Inc ガスバリア用ポリエステルフイルム
JP2000260870A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法
JP2001026887A (ja) 1999-07-12 2001-01-30 Agency Of Ind Science & Technol 表面改質方法及び表面改質装置
JP2001156013A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 表面改質方法及び表面改質装置
JP2002018246A (ja) * 2000-07-07 2002-01-22 Sony Corp バリア膜
JP2005537963A (ja) * 2002-09-11 2005-12-15 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 傾斜組成を有する拡散障壁コーティング及びそれを含むデバイス
JP2008049601A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Jsr Corp ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法
WO2010021326A1 (ja) * 2008-08-19 2010-02-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Kipping method", J. AM. CHEM. SOC., vol. 110, 1988, pages 124
J. CHEM. SOC., CHEM. COMMUN., 1990, pages 1161
J. CHEM. SOC., CHEM. COMMUN., 1992, pages 897
MACROMOLECULES, vol. 23, 1990, pages 3423
MACROMOLECULES, vol. 23, 1990, pages 4494
N. MATSUMOTO, JAPANESE JOURNAL OF PHYSICS, vol. 37, 1998, pages 5425
R. D. MILLER, J. MICHL, CHEMICAL REVIEW, vol. 89, 1989, pages 1359
See also references of EP2433980A4

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9340869B2 (en) 2008-08-19 2016-05-17 Lintec Corporation Formed article, method for producing the same, electronic device member, and electronic device
US8865810B2 (en) 2009-03-26 2014-10-21 Lintec Corporation Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device
WO2011102198A1 (ja) * 2010-02-19 2011-08-25 リンテック株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
CN102763173A (zh) * 2010-02-19 2012-10-31 琳得科株式会社 透明导电性膜及其制造方法以及使用透明导电性膜的电子器件
JP5372240B2 (ja) * 2010-02-19 2013-12-18 リンテック株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
US9540519B2 (en) 2010-03-31 2017-01-10 Lintec Corporation Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device
US9556513B2 (en) 2010-08-20 2017-01-31 Lintec Corporation Molding, production method therefor, part for electronic devices and electronic device
US8846200B2 (en) 2010-09-21 2014-09-30 Lintec Corporation Gas-barrier film, process for producing same, member for electronic device, and electronic device
JP2015196722A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 大阪瓦斯株式会社 ポリシラン複合無機ナノ材料

Also Published As

Publication number Publication date
TW201041735A (en) 2010-12-01
US9365922B2 (en) 2016-06-14
KR20120031160A (ko) 2012-03-30
EP2433980A4 (en) 2018-02-14
JPWO2010134609A1 (ja) 2012-11-12
CN102439077B (zh) 2014-12-10
JP5704610B2 (ja) 2015-04-22
TWI477392B (zh) 2015-03-21
KR101489551B1 (ko) 2015-02-03
CN102439077A (zh) 2012-05-02
EP2433980A1 (en) 2012-03-28
US20120101221A1 (en) 2012-04-26
EP2433980B1 (en) 2019-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5704610B2 (ja) 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
JP5612277B2 (ja) ガスバリア性フィルム及び電子デバイス用部材
JP5704611B2 (ja) 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5343058B2 (ja) 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5635360B2 (ja) 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
EP2554602B1 (en) Molded object, process for producing same, member for electronic device, and electronic device
KR101825930B1 (ko) 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
JP5781350B2 (ja) ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5726859B2 (ja) 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080022420.X

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10777840

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2011514467

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010777840

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117027707

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13321687

Country of ref document: US