JPH04334551A - ヒドロシランの重合触媒 - Google Patents

ヒドロシランの重合触媒

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JPH04334551A
JPH04334551A JP3133177A JP13317791A JPH04334551A JP H04334551 A JPH04334551 A JP H04334551A JP 3133177 A JP3133177 A JP 3133177A JP 13317791 A JP13317791 A JP 13317791A JP H04334551 A JPH04334551 A JP H04334551A
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JP
Japan
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polysilane
catalyst
substituted
group
phenyl group
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Pending
Application number
JP3133177A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuji Sato
隆二 佐藤
Yasuo Nomura
泰生 野村
Masashi Nakajima
中島 雅司
Yoshiharu Okumura
奥村 義治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tonen General Sekiyu KK
Original Assignee
Tonen Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒドロシラン重合用触
媒、それを用いたポリシランの製造方法およびそれによ
って得られた環状ポリシランに関する。
【0002】
【従来の技術】有機ポリシランは、ホトレジスト材料、
半導体、導電体などの電子材料、セラミックス前駆体、
光重合開始剤などに用いられる有用な化合物である。こ
のためポリシランの効率的な製造方法の開発が強く望ま
れている。
【0003】従来、ヒドロシラン類の脱水素縮合反応に
よるポリシランの製造法はよく知られている。通常、原
料としてオルガノトリヒドロシランまたはオルガノトリ
ヒドロシランとジオルガノジヒドロシランとの混合物を
用い、触媒の存在下で脱水素縮合反応を行わせる方法が
用いられている。その際に使用する触媒としては主とし
てメタロセン触媒が使用されており、それについては種
々のものが研究されている。例えばハロッド(Harr
od)らは、触媒としてCp2 TiMe2 、Cp2
 ZrMe2 、Cp2 Ti(CH2 C6 H5 
)2(ここでCpはシクロペンタジエニル基、Meはメ
チル基、以下でも同様に表す)等を用いて、オルガノト
リヒドロシランから直鎖状の有機ポリシランを合成して
いる(J.Organomet.Chem.,279,
C11−C13,1985 、CAN.J.CHEM.
VOL.65,1804−1809,1987) 。ま
た、特開平2−67288 号公報では、触媒としてC
p2 TiAr2 (ここでArは置換もしくは非置換
のフェニル基またはナフチル基)を使用して、直鎖状の
有機ポリシランを合成している。また、メタロセン触媒
の他にも、ロジウム、白金系の錯体からなる触媒を使用
する方法が開示されている(特開平2−166124号
公報、J.Organomet.,Chem., 55
,C7,1973、Organometallics,
6,1590,1987 )。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Cp2
 TiMe2 等の触媒は比較的高い活性を有するが、
可視光や熱に対する安定性に乏しく、暗中で−20 〜
 −78℃で保存する必要があるので、工業用触媒とし
て使用するには保存安定性に問題があった。また、Cp
2 TiAr2 の触媒は可視光や熱に対する安定性は
良いが、触媒活性が低く、110 ℃の高温において反
応を行う必要があった。さらに、このような高温では、
原料であるヒドロシランが不均化される副反応が起こる
という不都合もあった。不均化反応が生じると、生成し
たシランガスが空気中で自然発火する可能性があり、大
量合成の際には危険である。また、ロジウム、白金系の
錯体からなる触媒の場合にも、高温で反応させる必要が
あるので不均化反応が生じる問題があった。加えて、従
来の方法ではいずれも、多様な官能基の導入が困難であ
り、得られたポリシランの利用用途が狭められていた。
【0005】そこで、本発明は、副反応である不均化反
応を低く抑え、効率よく多様な官能基を有するポリシラ
ンを製造するためのヒドロシラン重合用触媒およびそれ
を用いた方法を提供することを目的とする。本発明はま
た、新規な環状ポリシランを提供することも目的とする
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は第1に、次式:
Cp2 M1 (R1 )1+n (R2 )1−n 
    …(I)ここで、Cpは同一であっても異なっ
ていてもよく、置換もしくは非置換のη5 − シクロ
ペンタジエニル基であり、M1 はTi、ZrおよびH
fから選ばれる金属でR1 またはR1 およびR2 
と結合しており、R1 は次式で示され、 −CHk X3−k  [ここで、kは0〜2の整数であり、Xは次式(化3)
で示される基である
【0007】
【化3】 (ここで、M2 はSiまたはGeであり、R3 、R
4 およびR5 は同一であっても異なっていてもよく
、炭素原子数1〜20個のアルキル基;該アルキル基か
ら誘導される置換アルキル基、ただし置換基はH、O、
N、SiおよびGeを含むことができる;フェニル基;
または該フェニル基から誘導される置換フェニル基、た
だし置換基はH、O、N、SiおよびGeを含むことが
できる;であり、mは1〜3の整数である)]R2 は
水素原子;β‐水素原子を有しない、置換もしくは非置
換のアルキル基、ただし、置換基は上記Xであることが
できる;置換もしくは非置換のフェニル基、ただし、置
換基は上記Xであることができる;置換もしくは非置換
のナフチル基、ただし、置換基は上記Xであることがで
きる;またはハロゲン原子であり、あるいは、R1 同
志またはR1 とR2 とは、互いに−O−、−N−、
−C−、−Si−または−Ge−を介して結合してM1
 を含む環を形成することができる、ここで、n=1の
ときの2つのR1 またはn=0のときのR1 および
R2 のそれぞれにおける上記のR3 、R4 または
R5 の都合2つの該基自体または該基中の水素原子が
1つの−O−、−N−、−C−、−Si−または−Ge
−で置換されてR1 同志またはR1 とR2 の結合
を介在することができる、で示されるヒドロシラン重合
用触媒を提供する。
【0008】上記式(I)において、R1 としては、
−CH2Si(Me)3 、−CH{Si(Me)3 
}2 、−CH2 Ge(Me)3 、−CH2 Si
(Et)3 、−CH2 Si(n−C3 H7 )3
 、−CH2 Si(Ph)3 、−CH2 Si(M
e)(Ph)2 、−CH2 Ge(Et)3 、−C
H2 Ge(n−C3 H7 )3 、−CH2 Ge
(Ph)3 、−CH2 Ge(Me)(Ph)2 等
が好ましい。上記式中、Phはフェニル基、Etはエチ
ル基を表し、以下においても同様に記載することがある
【0009】また、上記の触媒の好ましい例としては、
Cp2 Zr{CH2 Si(Me)3 }2 、Cp
2 Hf{CH2 Si(Me)3 }2 、Cp2T
i{CH2 Si(Me)3 }2 、Cp2 TiC
l[CH{Si(Me)3 }2 ]、Cp2 Ti{
CH2 Ge(Me)3 }2 、Cp2 Zr{CH
2 Si(Et)3 }2、Cp2 Zr{CH2 S
i(n−C3 H7 )3 }2 、Cp2 Zr{C
H2 Ge(Me)3 }2 、Cp2 Hf{CH2
 Ge(Me)3 }2 、Cp2 Zr{CH2 S
i(Ph)3 }2 、Cp2 Zr{CH2 Si(
Ph)2 (Me)}2、Cp2 Zr(Ph)[CH
{Si(Me)3 }2 ]、Cp2 Ti{CH2 
Si(Et)3 }2 、Cp2 Ti{CH2 Si
(n−C3 H7 )3 }2 、Cp2 Ti{CH
2 Si(Ph)3 }2 、Cp2 Ti{CH2 
Si(Ph)2 (Me)}2 、Cp2 Ti(Ph
)[CH{Si(Me)3 }2 ]、Cp2 Hf{
CH2 Si(Et)3 }2 、Cp2 Hf{CH
2 Si(n−C3 H7 )3 }2 、Cp2 H
f{CH2 Si(Ph)3 }2 、Cp2 Hf{
CH2 Si(Ph)2 (Me)}2 、Cp2 H
f(Ph)[CH{Si(Me)3 }2 ]、Cp2
 ZrCl[CH{Si(Me)3 }2]、Cp2 
HfCl[CH{Si(Me)3 }2]、次式(化4
):
【0010】
【化4】 等が挙げられる。特に、直鎖状ポリシランを得るために
は、Cp2 Zr{CH2 Si(Me)3 }2 、
Cp2 Hf{CH2 Si(Me)3 }2 、とい
った触媒が好ましい。
【0011】上記した本発明の触媒である金属錯体自体
は、コリヤー(Collier) ら(J.C.S.D
alton 445 〜451,1973) やアトウ
ッド(Atwood)ら(J.A.C.S.,99,6
645,1977) によって報告されており、上記文
献に記載された方法により製造することができる。例え
ば、Cp2 Ti{CH2 Si(Me)3 }2 を
製造する場合、Cp2 TiCl2 およびLiCH2
 Si(Me)3 のような触媒前駆体から、ジエチル
エーテル溶媒存在下12℃の温度にて20分間反応させ
ることによって製造することができる。
【0012】本発明は第2に、ジヒドロシラン、トリヒ
ドロシランまたはジヒドロシランとトリヒドロシランと
の混合物からなる出発物質を、上記の触媒の存在下に脱
水素縮合反応させ、ポリシランを得ることを特徴とする
ポリシランの製造方法を提供する。
【0013】出発物質は好ましくは、次式(化5):

0014】
【化5】 ここで、Ra およびRb は同一であっても異なって
いてもよく、水素原子;炭素原子数1〜20個のアルキ
ル基;該アルキル基から誘導される置換アルキル基、た
だし置換基はH、O、N、SiおよびGeを含むことが
できるが、Si−HもしくはGe−Hの結合を含まない
炭素原子数1〜20個の置換基であること;フェニル基
;該フェニル基から誘導される置換フェニル基、ただし
置換基はH、O、N、SiおよびGeを含むことができ
るが、Si−HもしくはGe−Hの結合を含まない炭素
原子数1〜20個の置換基であること;xは1〜14で
あり、ただしRa およびRbの全てが水素原子である
場合を除く、で示されるヒドロシランのモノマーもしく
はポリマーまたはそれらの2種以上の混合物からなる。 このようなヒドロシランの例としては、H3 SiMe
、H3 SiPh、H2 SiEt2 、H3 Si−
SiMe3 、
【0015】
【化6】 等が挙げられる。
【0016】上記式(化5)において、x=1〜14で
あり、Ra が置換もしくは非置換のフェニル基であり
、かつRb が水素原子であるのが好ましい。
【0017】また、本発明においては、出発物質として
、Si主鎖が分枝しているヒドロシランをも使用するこ
とができる。
【0018】上記の触媒は、ヒドロシラン出発物質に対
して1.0 ×10−4〜100 モル%、好ましくは
1.0 ×10−2〜10モル%使用する。触媒は精製
したものを使用する必要はない。また、前記したような
触媒前駆体を触媒の代りに使用しても良い。
【0019】脱水素縮合反応は、−80℃〜200℃の
温度で行うことができる。60℃以下、好ましくは−2
0〜55℃の温度で行うと、直鎖状ポリシランを主とし
て得ることができ、また、80℃以上、好ましくは16
0℃以下の温度で行うと、環状ポリシランを主として得
ることができる。また、この間の温度で反応させると両
者をほぼ等量含む混合物が得られる。また、反応活性種
を有効に発生させるために、一度50℃以上に加熱した
後所望の温度で反応させることもできる。脱水素縮合の
反応時間は通常1〜48時間程度が適当である。例えば
50℃程度の反応温度では、1時間以内に出発物質の8
0%以上が消費されるが、その後も徐々に反応が進行す
るので、高分子量のポリシランを得るには、24〜48
時間程度反応させるのが好ましい。また、反応は水素、
窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で行うのが好ま
しい。 反応の際、開放系、密閉系を問わない。溶媒を使用する
こともでき、例えばヘキサン、トルエン等の炭化水素系
の溶媒はもちろん、テトラヒドロフラン(THF)、エ
ーテルのような配位性の高い溶媒を用いても反応は進行
する。生成した難溶性のポリシランをコーティングなど
の2次加工する際には、溶媒系で重合すると製造効率が
上がるので好ましい。また、溶媒系の反応では、分子量
の向上がみられる。反応は液相で行うのが一般的である
【0020】本発明は第3に新規な環状ポリシラン化合
物を提供する。すなわち、次式(化7):
【0021】
【化7】 (ここで、Ra およびRb は上記の(化5)におけ
ると同義であり、r、sおよびtはいずれも2以上の整
数である)で示されるバイサイクリックポリシランを提
供する。
【0022】このような環状ポリシランは、例えば上記
した本発明の方法により、80℃以上の温度にてトリヒ
ドロシランまたはジヒドロシランとトリヒドロシランの
混合物からなる出発物質を用いる(ただし、混合物の場
合はトリヒドロシランがヒドロシラン全体の10〜10
0 モル%を占める)条件で反応を行うことにより製造
することができる。
【0023】
【作用】メタロセン系金属錯体触媒の活性と安定性は一
般に、中心金属M1 の配位子により決まると考えられ
ている。一般に、配位子がβ‐水素原子を有するアルキ
ル基であると、β脱離が生じ、触媒活性は高いものの非
常に不安定な触媒になる。ジメチルチタノセン(Cp2
 TiMe2 )等がヒドロシラン重合触媒として使用
できるのは、配位子がβ‐水素原子を持たないためであ
るが、アルキル基であるために、熱、可視光に不安定で
、保存安定性が劣る。一方、ジフェニルチタノセン(C
p2 TiPh2)等は、配位子がフェニル基であるの
で金属‐Ph結合が安定化されることが予想され、触媒
は保存安定性に優れる。しかしながら、触媒活性は低く
、高温条件(110℃以上)でなければ、重合活性を上
げることができない。
【0024】それに対して本発明の触媒は、α‐位に炭
素原子を、β‐位に水素原子と直接結合していないSi
またはGeを配置することで、β脱離を防止して、触媒
を安定化させている。さらに、C−SiまたはC−Ge
といった結合を配位子に配置しているので、δ−C−δ
+Siといった電荷の偏りが生じると考えられる。この
ため、中心金属の周囲では、例えば次式(化8):
【0
025】
【化8】 といった電荷の偏りが生じ、中心金属と配位子の炭素原
子との結合のイオン性が増加すると考えられ、この点で
、共有結合性しか有していない従来触媒とは大きく異な
っている。このため、本触媒は熱、光、水等に対して安
定性が優れていると共に、高い触媒活性を有しており、
従来触媒からは予想もできないほどの優れた重合特性を
発現する。
【0026】また、本発明の方法においては、出発物質
を選択すれば、製造したポリシランにSi−H結合を残
すことができるので、生成ポリシランをさらに、例えば
オレフィンのヒドロシリル化反応によって化学変性して
、多様なポリシランを得ることが可能である。
【0027】
【実施例】
以下の実施例により本発明をさらに詳しく説明する。 実施例1   リチオメチルトリメチルシランとジクロロチタノセ
ンから、ジエチルエーテル溶媒中で、コリヤーらの製造
法(J.C.S.Dalton 445 〜451,1
973) にしたがって得られたCp2 Ti{CH2
 Si(Me)3 }2 を以下の保存安定性試験に供
した。すなわち、Cp2 Ti{CH2 Si(Me)
3 }2   100mgを5℃に保持したジエチルエ
ーテル250mlに溶解し、5℃の純水  25mlを
加えて10分間撹拌した。大気下で、水層を除去し、モ
レキュラーシーブ上で2時間乾燥した後、エーテルを留
去して82mgの触媒を得た。この触媒を可視光下、室
温下、窒素雰囲気下で1か月間保存した。
【0028】上記の保存安定性試験後の触媒を使用して
、以下の重合反応を行った。
【0029】Cp2 Ti{CH2 Si(Me)3 
}2   60mgおよびPhSiH3   2.5g
を、安全弁、ニードルバルブおよび磁気撹拌子を備えた
耐圧反応器(100ml)に仕込み、凍結脱気を3回行
い、窒素雰囲気下で封管した。これを80℃の温浴で2
0時間反応させた後、トルエンを溶出液として用いたフ
ロリジール充填カラムクロマトグラフィーにより触媒を
除去した。カラム溶出液の溶媒を減圧下で留去し、95
%の収率でポリシランを得た。ポリスチレン換算のGP
C分析による分子量は、Mn(数平均分子量)738、
Mw(重量平均分子量)783であった。FDマススペ
クトル、FT29SiNMRスペクトル、FT 1HN
MRスペクトル、FT‐IRスペクトルを測定した結果
、このポリマーは、バイサイクリックポリシラン化合物
であり、表2に示したNo.1〜3の化合物の混合物で
あることが確認された。 実施例2   実施例1の保存安定性試験後の触媒を使用して、以
下の重合反応を行った。
【0030】Cp2 Ti{CH2 Si(Me)3 
}2   60mgおよびPhSiH3   2.5g
を、実施例1と同様の反応器に仕込み、凍結脱気を3回
行い、窒素雰囲気下で封管した。これを30℃の温浴で
20時間反応させた後、実施例1と同様の処理を行って
、92%の収率で直鎖状ポリシランを得た。ポリスチレ
ン換算のGPC分析による分子量は、Mn1890、M
w1990であった。実施例1と同様の機器分析を行っ
た結果、このポリマーは、主に表3に示した化合物No
.4〜8の混合物であることが確認された。 比較例1〜4   表1に示した触媒について実施例1と同様の保存安
定性試験を行った後、この触媒35.5mgを使用して
、表1に示した反応条件でPhSiH3 2.5gを反
応させ、その後実施例1と同様の処理を行った。結果を
表1に示す。また、比較例1については生成物のスペク
トルデータを表4に示した。
【0031】なお、上記の実施例および比較例において
使用した物質、反応条件、生成物のデータを表1にまと
めて示す。
【0032】
【表1】                          
       表  1              
                         
                         
                  触媒     
       反応温度  反応時間  収率  最大
水素  生成                   
         (℃)  (時間)   (%) 
 発生量*1  ホ゜リシラン           
                         
                         
               実施例    1  Cp2 Ti(CH2 SiMe3 )2  
   80        20     95   
  20      ハ゛イサイクリック      
                         
                         
       Mn 738 2  Cp2 Ti(C
H2 SiMe3 )2     30       
 20     92     11      直鎖
状                        
                         
             Mn 1890 比較例 
   1  Cp2 TiPh2            
     80        20     38 
    4.5     直鎖状          
                         
                   ×10−2 
 Mn 698 2  Cp2 TiPh2     
            30        20 
     −     −      −*2 3  
Cp2 TiMe2                
 80        20      −     
−      −*2       4  Cp2 T
iMe2                 30  
      20      −     −    
  −*2                    
                         
                         
    *1  単位はモル/分・触媒モル  *2 
 ポリシラン生成せず、未反応の原料シラン回収
【00
33】
【表2】
【0034】
【表3】
【0035】
【表4】 実施例3 リチオメチルトリメチルシランとジクロロジルコノセン
から、ジエチルエーテル溶媒中で、コリヤーらの製造法
(J.C.S.Dalton 445 〜451,19
73) にしたがってCp2 Zr{CH2 Si(M
e)3 }2 を得た。このCp2 Zr{CH2 S
i(Me)3 }2   75mg(原料シランに対し
て1.04モル%)およびPhMeSiH2   2.
5g(20.5ミリモル)を、実施例1と同様の反応器
に仕込み、凍結脱気を3回行い、窒素雰囲気下で封管し
た。 これを80℃の温浴で20時間反応させた後、実施例1
と同様の処理を行って、73%の収率で有機ポリシラン
を得た。機器分析(マススペクトル)を行った結果、次
式(化9)
【0036】
【化9】 で示される構造を有するポリシラン(M+   242
 )および次式(化10)
【0037】
【化10】 で示される構造を有するポリシラン(M+   362
 )の、6:4の混合物であった。 実施例4〜8 実施例3と同様の触媒を使用し、表5に示した原料を用
いて、表5に示した条件で反応を行い(ただし、実施例
7ではTHF、実施例8ではトルエンをそれぞれ20m
l用いて出発物質を溶解し、これを触媒と共に反応器に
仕込んだ)、その後実施例1と同様の処理を行った。結
果を表5に示す。
【0038】なお、上記の実施例において使用した物質
、反応条件、生成物のデータを表5にまとめて示す。 また、生成したポリシランのスペクトルデータを表6〜
10に示す。
【0039】
【表5】                          
       表  5──────────────
──────────────────────実施例
    触媒量    出発物質  溶媒  反応温度
  反応時間  収率  生成      (mg) 
   種類      量(g)       (℃)
    (時間)   (%)  ホ゜リシラン  ─
─────────────────────────
──────────  3   75    PhM
eSiH2    2.5  なし    80   
      20       73  *1  4 
 118.5  PhSiH3      3.2  
なし   140          2      
 98  ハ゛イサイクリック           
                         
                         
  Mn 641  5  128    Hex−S
iH3    3.4  なし    80     
    36       68  ハ゛イサイクリッ
ク                        
                         
              Mn 786  6  
 68     *         2.8  なし
    80         20       5
8  ハ゛イサイクリック             
                         
                         
Mn 823  7   82    PhSiH3 
     3.0  THF     40     
    30       71  直鎖状     
                         
                         
       Mn 2020   8   86  
  PhSiH3      2.9  トルエン  
  40         30       83 
 直鎖状                     
                         
                Mn 2840 ─
─────────────────────────
──────────*次式(化11)で示される構造
のヒドロシラン
【0040】
【化11】 (ここでn=2〜10である)
【0041】
【表6】
【0042】
【表7】
【0043】
【表8】
【0044】
【表9】
【0045】
【表10】 実施例9   リチオメチルトリメチルシランとジクロロハフノセ
ンから、ジエチルエーテル溶媒中で、コリヤーらの製造
法(J.C.S.Dalton 445 〜451,1
973) にしたがってCp2 Hf{CH2 Si(
Me)3 }2 を得た。このCp2 Hf{CH2 
Si(Me)3 }2   90mg(原料シランに対
して1モル%)およびPhSiH3   2.0g(1
8.5ミリモル)を、実施例1と同様の反応器に仕込み
、凍結脱気を3回行い、窒素雰囲気下で封管した。これ
を80℃の温浴で12時間反応させた後、実施例1と同
様の処理を行って、96%の収率で有機ポリシランを得
た。ポリスチレン換算のGPC分析による分子量は、M
n786、Mw843であった。実施例1と同様の機器
分析を行った結果、このポリマーは、バイサイクリック
ポリシラン化合物であり、表12に示したNo.33〜
35の化合物の混合物であることが確認された。 実施例10   トリメチルシリルメチルマグネシウムクロライドと
ジクロロジルコノセンから、ジエチルエーテル溶媒中で
、コリヤーらの製造法(J.C.S.Dalton 4
45 〜451,1973)にしたがってCp2 Zr
ClCH{Si(Me)3 }2 を得た。このCp2
ZrClCH{Si(Me)3 }2   103mg
(原料シランに対して1.0モル%)およびPhSiH
3   3.2g(30ミリモル)を、実施例1と同様
の反応器に仕込み、凍結脱気を3回行い、窒素雰囲気下
で封管した。これを80℃の温浴で15時間反応させた
後、実施例1と同様の処理を行って、83%の収率で有
機ポリシランを得た。ポリスチレン換算のGPC分析に
よる分子量は、Mn801であった。実施例1と同様の
機器分析を行った結果、このポリマーは、バイサイクリ
ックポリシラン化合物であり、表13に示したNo.3
6〜38の化合物の混合物であることが確認された。 実施例11   リチオメチルトリメチルゲルマンとジクロロチタノ
センから、ジエチルエーテル溶媒中で、コリヤーらの製
造法(J.C.S.Dalton 445 〜451,
1973) にしたがってCp2 Ti{CH2 Ge
(Me)3 }2 を得た。このCp2 Ti{CH2
 Ge(Me)3 }2   130mg(原料シラン
に対して1.1モル%)およびPhSiH3   2.
9g(27ミリモル)を、実施例1と同様の反応器に仕
込み、凍結脱気を3回行い、窒素雰囲気下で封管した。 これを80℃の温浴で18時間反応させた後、実施例1
と同様の処理を行って、84%の収率で有機ポリシラン
を得た。ポリスチレン換算のGPC分析による分子量は
、Mn733であった。実施例1と同様の機器分析を行
った結果、このポリマーは、バイサイクリックポリシラ
ン化合物であり、表14に示したNo.39〜41の化
合物の混合物であることが確認された。 実施例12   実施例1と同様の反応器に、PhSiH3   3
.0g(28ミリモル)ならびに、触媒前駆体としてC
p2 TiCl2   69mgおよびLiCH2 S
i(Me)2 −O−Si(Me)2 CH2 Li 
 48mg(次式(化12):
【0046】
【化12】 として換算すると、PhSiH3 に対して1.0モル
%に相当)を仕込み、凍結脱気を3回行い、窒素雰囲気
下で封管した。これを80℃の温浴で40時間反応させ
た後、実施例1と同様の処理を行って、88%の収率で
有機ポリシランを得た。ポリスチレン換算のGPC分析
による分子量は、Mn828であった。実施例1と同様
の機器分析を行った結果、このポリマーは、バイサイク
リックポリシラン化合物であり、表15に示したNo.
42〜44の化合物の混合物であることが確認された。
【0047】なお、上記の実施例において使用した物質
、反応条件、生成物のデータを表11にまとめて示す。 また、生成したポリシランのスペクトルデータを表12
〜15に示す。
【0048】
【表11】                          
       表  11─────────────
──────────────────────実施例
            触媒           
 反応温度  反応時間  収率  生成      
                         
   (℃)    (時間)   (%)  ホ゜リ
シラン  ────────────────────
───────────────  9    Cp2
 Hf(CH2 SiMe3 )2       80
         12      96   ハ゛イ
サイクリック                   
                         
                 Mn 786  
  10    Cp2 ZrClCH (SiMe3
 )2       80         15  
    83   ハ゛イサイクリック       
                         
                         
    Mn 801  11    Cp2 Ti(
CH2 GeMe3 )2       80    
     18      84   ハ゛イサイクリ
ック                       
                         
             Mn 733    12
    *                    
      80         40      
88   ハ゛イサイクリック           
                         
                         
Mn 828  ─────────────────
──────────────────  *次式(化
13)で示される構造の触媒
【0049】
【化13】
【0050】
【表12】
【0051】
【表13】
【0052】
【表14】
【0053】
【表15】 実施例1〜2および比較例1〜2から、本発明の触媒は
、光および水に対して安定であるが、従来のメタロセン
触媒は不安定で、活性を著しく失うことが分かる。
【0054】また、本発明の触媒は、ヒドロシランの重
合反応に対する触媒活性が高いので、副反応である不均
化反応が抑制され、高収率でポリシランが得られること
が分かる。
【0055】
【発明の効果】本発明により、保存安定性に優れ、かつ
ヒドロシランの重合反応を高活性で触媒する金属錯体触
媒を提供することができる。この触媒を使用してヒドロ
シランの脱水素縮合反応を行うと、不均化反応を抑制し
、効率良くポリシランを得ることができる。また、本発
明によれば、新規な環状ポリシランを提供することがで
きる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  次式:Cp2 M1 (R1 )1+
    n (R2 )1−n     …(I) ここで、Cpは同一であっても異なっていてもよく、置
    換もしくは非置換のη5 − シクロペンタジエニル基
    であり、M1 はTi、ZrおよびHfから選ばれる金
    属でR1 またはR1 およびR2 と結合しており、
    R1 は次式で示され、 −CHk X3−k  [ここで、kは0〜2の整数であり、Xは次式(化1)
    で示される基である 【化1】 (ここで、M2 はSiまたはGeであり、R3 、R
    4 およびR5 は同一であっても異なっていてもよく
    、炭素原子数1〜20個のアルキル基;該アルキル基か
    ら誘導される置換アルキル基、ただし置換基はH、O、
    N、SiおよびGeを含むことができる;フェニル基;
    または該フェニル基から誘導される置換フェニル基、た
    だし置換基はH、O、N、SiおよびGeを含むことが
    できる;であり、mは1〜3の整数である)]R2 は
    水素原子;β‐水素原子を有しない、置換もしくは非置
    換のアルキル基、ただし、置換基は上記Xであることが
    できる;置換もしくは非置換のフェニル基、ただし、置
    換基は上記Xであることができる;置換もしくは非置換
    のナフチル基、ただし、置換基は上記Xであることがで
    きる;またはハロゲン原子であり、あるいは、R1 同
    志またはR1 とR2 とは、互いに−O−、−N−、
    −C−、−Si−または−Ge−を介して結合してM1
     を含む環を形成することができる、ここで、n=1の
    ときの2つのR1 またはn=0のときのR1 および
    R2 のそれぞれにおける上記のR3 、R4 または
    R5 の都合2つの該基自体または該基中の水素原子が
    1つの−O−、−N−、−C−、−Si−または−Ge
    −で置換されてR1 同志またはR1 とR2 の結合
    を介在することができる、で示されるヒドロシラン重合
    用触媒。
  2. 【請求項2】  ジヒドロシラン、トリヒドロシランま
    たはジヒドロシランとトリヒドロシランとの混合物から
    なる出発物質を、請求項1記載の触媒の存在下に脱水素
    縮合反応させ、ポリシランを得ることを特徴とするポリ
    シランの製造方法。
  3. 【請求項3】  脱水素縮合反応を60℃以下の温度で
    行い、直鎖状ポリシランを主として得る請求項2記載の
    方法。
  4. 【請求項4】  脱水素縮合反応を80℃以上の温度で
    行い、環状ポリシランを主として得る請求項2記載の方
    法。
  5. 【請求項5】  次式(化2) 【化2】 ここで、Ra およびRb は、同一であっても異なっ
    ていてもよく、炭素原子数1〜20個のアルキル基;該
    アルキル基から誘導される置換アルキル基、ただし置換
    基はH、O、N、SiおよびGeを含むことができるが
    、Si−HもしくはGe−Hの結合を含まない炭素原子
    数1〜20個の置換基であること;フェニル基;該フェ
    ニル基から誘導される置換フェニル基、ただし置換基は
    H、O、N、SiおよびGeを含むことができるが、S
    i−HもしくはGe−Hの結合を含まない炭素原子数1
    〜20個の置換基であること;であり、r、sおよびt
    はいずれも2以上の整数である、で示される環状ポリシ
    ラン。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436224B1 (en) 1997-04-14 2002-08-20 Osaka Gas Company Limited Method for joining polyolefin pipes and treatment for the joining
US6503570B2 (en) 2000-03-13 2003-01-07 Jrs Corporation Cyclosilane compound, and solution composition and process for forming a silicon film
US6514801B1 (en) 1999-03-30 2003-02-04 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing thin-film transistor
US6517911B1 (en) 1999-03-30 2003-02-11 Jsr Corporation Process for the formation of silicon oxide films
US6527847B1 (en) 1999-03-30 2003-03-04 Jsr Corporation Coating composition
US7067069B2 (en) 2001-08-14 2006-06-27 Jsr Corporation Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method
US7358016B2 (en) 2002-07-23 2008-04-15 Osaka Gas Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor and electrophoto-graphic apparatus equipped with the same
WO2008081883A1 (ja) 2006-12-28 2008-07-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. 多孔性ケイ素含有炭素系複合材料並びにそれからなる電極及び電池
US7485691B1 (en) 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
WO2009096501A1 (ja) 2008-01-30 2009-08-06 Dow Corning Toray Co., Ltd. 含ケイ素粒子、その製造方法、有機ポリマー組成物、セラミック、およびその製造方法
WO2010134609A1 (ja) 2009-05-22 2010-11-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
WO2011013851A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 電極活物質、電極、および蓄電デバイス
WO2011013855A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 電極活物質、電極、および蓄電デバイス
US8092867B2 (en) 2006-10-06 2012-01-10 Kovio, Inc. Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers
WO2012105669A1 (en) 2011-01-31 2012-08-09 Dow Corning Toray Co., Ltd. Method for manufacturing a carbon surface-coated silicon-containing carbon-based composite material
US8349217B2 (en) 2007-03-27 2013-01-08 Tokyo Institute Of Technology Method for producing positive electrode material for secondary battery
WO2013015096A1 (ja) 2011-07-25 2013-01-31 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム積層体及び電子部材
US8450231B2 (en) 2008-04-30 2013-05-28 Dow Corning Toray Company, Ltd. Silicon-containing particles, method for manufacturing thereof, oil composition, ceramic material, and method for manufacturing thereof
WO2013105556A1 (ja) 2012-01-10 2013-07-18 三菱化学株式会社 コーティング用組成物、多孔質膜、光散乱膜及び有機電界発光素子
WO2013115114A1 (en) 2012-01-30 2013-08-08 Dow Corning Toray Co., Ltd. Silicon-containing carbon-based composite material
WO2013141318A1 (ja) 2012-03-22 2013-09-26 リンテック株式会社 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール
US10829657B2 (en) 2018-03-01 2020-11-10 Ricoh Company, Ltd. Active energy ray-curable composition, active energy ray-curable ink, composition storing container, two-dimensional or three-dimensional image forming device, method for producing cured product, and cured product
US11028280B2 (en) 2018-03-19 2021-06-08 Ricoh Company, Ltd. Composition, cured product, composition stored container, image forming apparatus, and image forming method

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436224B1 (en) 1997-04-14 2002-08-20 Osaka Gas Company Limited Method for joining polyolefin pipes and treatment for the joining
US6527847B1 (en) 1999-03-30 2003-03-04 Jsr Corporation Coating composition
US6514801B1 (en) 1999-03-30 2003-02-04 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing thin-film transistor
US6517911B1 (en) 1999-03-30 2003-02-11 Jsr Corporation Process for the formation of silicon oxide films
US6503570B2 (en) 2000-03-13 2003-01-07 Jrs Corporation Cyclosilane compound, and solution composition and process for forming a silicon film
US7173180B2 (en) 2001-08-14 2007-02-06 Jsr Corporation Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method
US7067069B2 (en) 2001-08-14 2006-06-27 Jsr Corporation Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method
US7358016B2 (en) 2002-07-23 2008-04-15 Osaka Gas Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor and electrophoto-graphic apparatus equipped with the same
US8242227B2 (en) 2004-10-08 2012-08-14 Kovio, Inc. Doped polysilanes, compositions containing the same, methods for making the same, and films formed therefrom
US7491782B1 (en) 2004-10-08 2009-02-17 Kovio, Inc. Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US8236916B1 (en) 2004-10-08 2012-08-07 Kovio, Inc. Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US7723457B1 (en) 2004-10-08 2010-05-25 Kovio, Inc. Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US8455604B1 (en) 2004-10-08 2013-06-04 Kovio, Inc. Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US7951892B1 (en) 2004-10-08 2011-05-31 Kovio, Inc. Doped polysilanes, compositions containing the same, methods for making the same, and films formed therefrom
US8057865B1 (en) 2004-10-08 2011-11-15 Kovio, Inc. Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US7485691B1 (en) 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US8092867B2 (en) 2006-10-06 2012-01-10 Kovio, Inc. Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers
US8461284B2 (en) 2006-10-06 2013-06-11 Kovio, Inc. Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers
US8846507B2 (en) 2006-10-06 2014-09-30 Thin Film Electronics Asa Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers
WO2008081883A1 (ja) 2006-12-28 2008-07-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. 多孔性ケイ素含有炭素系複合材料並びにそれからなる電極及び電池
US8349217B2 (en) 2007-03-27 2013-01-08 Tokyo Institute Of Technology Method for producing positive electrode material for secondary battery
WO2009096501A1 (ja) 2008-01-30 2009-08-06 Dow Corning Toray Co., Ltd. 含ケイ素粒子、その製造方法、有機ポリマー組成物、セラミック、およびその製造方法
US8530617B2 (en) 2008-01-30 2013-09-10 Dow Corning Toray Company, Ltd. Silicon-containing particle, process for producing the same, organic-polymer composition, ceramic, and process for producing the same
US8450231B2 (en) 2008-04-30 2013-05-28 Dow Corning Toray Company, Ltd. Silicon-containing particles, method for manufacturing thereof, oil composition, ceramic material, and method for manufacturing thereof
WO2010134609A1 (ja) 2009-05-22 2010-11-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
WO2011013851A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 電極活物質、電極、および蓄電デバイス
WO2011013855A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 電極活物質、電極、および蓄電デバイス
WO2012105669A1 (en) 2011-01-31 2012-08-09 Dow Corning Toray Co., Ltd. Method for manufacturing a carbon surface-coated silicon-containing carbon-based composite material
WO2013015096A1 (ja) 2011-07-25 2013-01-31 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム積層体及び電子部材
WO2013105556A1 (ja) 2012-01-10 2013-07-18 三菱化学株式会社 コーティング用組成物、多孔質膜、光散乱膜及び有機電界発光素子
WO2013115114A1 (en) 2012-01-30 2013-08-08 Dow Corning Toray Co., Ltd. Silicon-containing carbon-based composite material
WO2013141318A1 (ja) 2012-03-22 2013-09-26 リンテック株式会社 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール
US10829657B2 (en) 2018-03-01 2020-11-10 Ricoh Company, Ltd. Active energy ray-curable composition, active energy ray-curable ink, composition storing container, two-dimensional or three-dimensional image forming device, method for producing cured product, and cured product
US11028280B2 (en) 2018-03-19 2021-06-08 Ricoh Company, Ltd. Composition, cured product, composition stored container, image forming apparatus, and image forming method

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