TWI694557B - 半導體基板、半導體封裝件及其製造方法 - Google Patents

半導體基板、半導體封裝件及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種半導體基板，半導體基板包括二或多層堆疊結構層，堆疊結構層形成於一犧牲載體上。各堆疊結構層包括一導電線路層及一相互連接層，各堆疊結構層被封膠於一封膠複合物中。封膠複合物之頂部表面係為研磨面。於一最外部導電線路層形成於封膠複合物上及載體被移除後，獲得一多層基板。

Description

半導體基板、半導體封裝件及其製造方法
本發明係有關用於半導體封裝結構之多層基板及製造其基板之方法。
傳統之半導體晶片係安裝於導線架(leadframes)上。導線架通常透過以下步驟來形成。塗佈光阻層於銅基板上，使用一遮罩以暴露一圖案於光阻層上，移除光阻層之正或負光阻，接著蝕刻銅來獲得一圖案化導線架。然而，藉由蝕刻形成之圖案化導線架不適合使用於比傳統導線架更密集之傳導線路的晶片上。蝕刻將產生底部切割(undercutting)及較細的傳導線路，而導致高生產量之可靠度問題。
Advanpack Solutions所申請之美國專利No.7,795,071敘述一種用於半導體封裝結構之一部分或完整圖案化基板之製造方法。一組圖案線路佈線(patterned conductor layouts) 係形成於一鋼材載體上，絕緣材料被注入於一模具型腔(mold cavity)中以密封(seal)圖案線路佈線之導電線路。於移除鋼材載體後，具有一組圖案線路佈線之一基板被形成。更進一步地，圖案化導電佈線係齊平或凹陷於基板之絕緣材料，從而更有效地形成更密集之傳導線路。較佳地，圖案化導電佈線係相互地電性絕緣。而於一傳統引線架上，對應至各晶片之各導電佈線係電性連接至鄰接的佈線。
由此可看出存在形成更複雜之導電線路的多層基板的需要，來支持積層線路之未來設計。這些多層基板允許各個導電層使用於訊號、電源、數位或類似的線路等。
以下說明一簡單的摘要，以提供本發明之基礎理解。此摘要並非本發明之詳盡綜述，且並不因而限定本發明之主要技術特徵。反而，這裡以一廣義形式呈現本發明之部分發明概念下，以作為下述詳細介紹之序言。
本發明一實施例係提供一種半導體基板。半導體基板包括一第一導電線路層、一第二導電線路層及一第一相互連接層。第一相互連接層設於第一導電線路層與第二導電線路層之間，其中數個導柱連接數個位於第一導電線路層與第二導電線路層之間的選擇區域。第一導電線路層及第一相互連接層由一封裝 體包覆。
本發明另一實施例提供一種半導體基板的製造方法。製造方法包括以下步驟。形成一第一導電線路層於一犧牲載體上，其中第一導電線路層包括數個導電佈線；形成一相互連接層於第一導電線路層上，其中相互連接層包括數個導柱，該些導柱連接第一導電線路層之數個選擇區域；包覆第一導電線路層及相互連接層於一封裝體中；研磨封裝體之一表面為平面，以暴露此些導柱；以及，重複上述步驟以形成基板之一額外堆疊結構層，以形成二或多個堆疊結構層。
本發明另一實施例係提供一種半導體基板。半導體基板包括一第一導電線路層、一第二導電線路層、一第一相互連接層及一第一絕緣層。第一相互連接層設於第一導電線路層與第二導電線路層之間，其中第一相互連接層連接數個位於第一導電線路層與第二導電線路層之間的選擇區域。第一絕緣層具有相對之一第一表面與一第二表面，其中第一絕緣層包覆第一導電線路層及位於第一表面與第二表面之間的第一相互連接層，且第一導電線路層從第一表面露出，且第一相互連接層從第二表面露出。。
本發明另一實施例係提供一種半導體基板。半導體基板包括數個絕緣層。此些絕緣層係彼此鄰接，其中各絕緣層具有相對之一第一表面與一第二表面且包括一導電線路層及一相互連接層。其中，各絕緣層包覆導電線路層及位於第一表面與第二表面之間的相互連接層，且導電線路層從第一表面露出，且相 互連接層從第二表面露出。其中，各相互連接層連接數個位於此些鄰接之絕緣層的此些導電線路層之間的選擇區域，使各對應的絕緣層的導電線路層彼此電性連接，且半導體基板之頂面電連接於半導體基板之背面。。
本發明另一實施例係提供一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一前述的半導體基板、一個或多個半導體晶片及一封裝體。導電線路層包括一導電佈線。半導體晶片設於半導體基板，其中半導體晶片連接導電佈線。封裝體設於半導體基板且包覆半導體晶片。
本發明另一實施例係提供一種半導體基板的製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一犧牲載體；形成一第一導電線路層於犧牲載體上；形成一第一相互連接層於第一導電線路層上；形成一第一絕緣層覆蓋犧牲載體，其中第一絕緣層包覆第一導電線路層及第一相互連接層；移除第一絕緣層的一深度，以露出第一相互連接層；以及，形成一第二導電線路層於第一絕緣層上。
本發明另一實施例係提供一種半導體件的製造方法。製造方法包括以下步驟。形成一前述的半導體基板，其中第一導電線路層包括一或多個導電佈線；設置一個或多個半導體晶片設於半導體基板，其中各半導體晶片連接對應之導電佈線；以及，以一封裝體包覆半導體晶片。
10:載體、晶片
20:焊接凸塊
22:焊球
24:金屬柱
30:底膠填充複合物
40:封膠
100:製程
105:基板
105a:基板
110:載體
110a:開口
110b:載體環(環狀載體)
114:第一電性導電材料
114a:導電線路層(導電佈線)
114b:外圍導電體
118:第二電性傳導材料(導柱)
118a:相互連接件(導柱、相互連接層)
120:多層堆疊結構層(封膠絕緣體、第一絕緣層)
122:底表面
123:黏合層
124:黏合層(導電種子層)
128a:第二導電線路層
128b:選擇區域(第二導電線路層)
130:第二絕緣層
140:焊接遮罩層
150:已完成之半導體封裝結構
150a:封裝結構
150b:封裝結構
160:孔洞
170:壓力釋放槽
218:第二相互連接層(第二導柱)
218a:相互連接件
220:多層堆疊結構層(第二絕緣封膠)
222:表面
224:黏合層(第二導電種子層)
228a:第三導電線路層
228b:選擇區域(最外部導電線路層)
230a:焊接遮罩
XX、YY:線
本發明藉由並非用以限制之實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：第1A-1J圖繪示根據本發明實施例之一雙層基板之結構。
第2A-2D、3及4圖繪示於第1J圖中使用多層基板以形成半導體封裝結構之方法。
第5及6圖繪示根據本發明另一實施例之一雙層基板之結構
第7A至7F圖繪示根據本發明另一實施例之一三層基板之結構。
第8圖繪示根據本發明所獲得之一已完成基板之平面圖。
本發明之一或多個具體且可選擇之實施例伴隨所附圖示將於下所述。然而沒有這些具體細節也可以執行本發明，此應為本領域通常知識者所熟知的。部份細節限於文章長度上，不加以描敘以便不模糊本發明。為了便於參考，當意指圖示中相同或類似特徵時，於說明書中將以相同標號或連續標號代表。
第1A-1J圖繪示根據本發明實施例中一多層基板105之堆疊流程圖，多層基板105包括二個導電線路層。如第1A圖中所繪示，於製程100中第一步驟係提供一載體110，載體110具有一第一表面及相對之一第二表面。較佳地，載體110係由具有高楊氏係數彈性之材料所製成，載體110係為電性傳導且適用 以化學蝕刻，例如是鋼材。載體110之特性允許於多層基板105之製作期間載體110被犧牲移除及/或半導體封裝完成後載體110被移除。較佳地，載體110例如是以退火方式減緩壓力(stress-relieved)或部分減緩壓力，連續製程步驟涉及以一光阻塗佈於載體之一表面，以一遮罩暴露光阻，選擇性地蝕刻光阻，及獲得一圖案化光阻。藉由設置例如是銅材料之一第一電性導電材料(first electric conductor material)114於所產生之圖案化光阻上，並接著移除光阻，一圖案化第一導電線路層(patterned first conductor trace layer)114a係形成於載體110上。圖案化第一導電線路層114a因此包含用以連接一些半導體晶片之複數第一導電佈線(first conductor layout)。較佳地，第一導電材料114係為銅及一適合沉積之製程係為電鍍。第1B圖繪示穿透過第一導電線路層114a之部分放大圖。為了便於參考，圖案化之第一導電線路層及第一導電佈線以相同標號114a標示。藉由類似微影製程(photolithographic process)或藉由沉積一第二電性導電材料118，例如是銅材料，於所產生之圖案化光阻上來界定相互連結之孔洞，如第1C圖中所繪示，包含導柱(conductor stud)118的一第一相互連接層118a因而形成於第一導電線路層114a上。可選擇地，第一導電線路層114a及第一相互連接層118a係藉由削除(subtractive)微影製程所形成。附加的(additive)、半附加及半削除(semi-additive)之各種結合，可用以產生所需之圖案化結 構。以電性絕緣該導電線路/導柱及封裝導電線路/導柱於一絕緣或介電材料中，一組第一導電佈線114a及導柱118a係設置於一凹處(cavity)中或數組第一導電佈線114a及導柱118a係設置於複數凹處中。一絕緣或介電封膠複合物(molding compound)較佳地預先加熱至一液體狀態於一融化溫度下被注入凹處或複數凹處中。較佳地，液態封膠複合物於一正壓下被注入，使得封膠複合物係稠密地封裝一組第一導電佈線114a及導柱118a，於封膠複合物固化後以形成一緻密複合結構(compact composite structure)或一第一絕緣層120；由於封膠複合物堅固地結合至第一導電佈線114a及導柱118a，使得於濕處理製程中液體不會滲入(enter)導電-封膠複合物之間的介面中。如第1D圖中繪示，因此獲得一半完成基板。較佳地，第一絕緣層120由包含樹脂和二氧化矽填充物的一封膠複合物組成。較佳地，於第一絕緣層120形成後，填充物(silica fillers)被嵌入於樹脂中。
繪示於第1D圖中之半完成基板被移至一機器中心，及第一絕緣層120之自由表面(free surface)藉由研磨料研磨平整至一深度，如第1E圖所繪示，所有導柱118a被暴露於底表面122。較佳地，導柱118a之暴露表面係為平整的或凹陷(recess)於第一絕緣層120之背表面(如第1E圖所示)，使得第一絕緣層120界定出導柱之邊緣及絕緣一導柱至另一導柱間。於研磨後，於封膠複合物中之填充物也被暴露出。特別地是，此時底表面122包括已置入填充物之樹脂；如第1F圖所繪示，底 表面122被發現用以提供沉積一導電種子層(conductor seed layer)124之堅固黏合力。可選擇性地，於研磨期間時藉由增加研磨料的移除速率，表面二氧化矽填充物自樹脂中被提煉出以形成複數凹陷(dimple)於底表面122上。凹陷之底表面122提供一增加表面面積以改善下一個鄰接層之堆疊(buildup)的黏合力。可選擇地，如第5圖所示，可以在凹陷之底表面122進一步設置一黏合層，以包覆複數凹陷達到表面平整並用以連接鄰接層。當第一導電材料114係為銅時，導電種子層124材料也係為銅。適用以沉積銅種子層124之方法係為無電電鍍(electroless plating)、電解電鍍(electrolytic plating)、濺射、化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)。
藉由使用微影製程，接著一圖案化光阻形成於導電種子層124上且藉由電鍍銅於圖案化光阻上，如第1G圖中所繪示之一圖案化第二導電線路層128a被獲得。第二導電線路層128a係包含複數第二導電佈線128a；各第二導電佈線128a係通過各相關連之第一導柱118a電性連接至相關連之第一導電佈線114a。
如第1H所繪示，圖案化第二導電線路層128a藉由以第二絕緣或介電層130封裝來完成。較佳地，第二絕緣層130係為一焊墊遮罩層(soldermask layer)，焊墊遮罩層包括一感光聚合物材料(photo imageable polymer material)。較佳地，第二絕緣層130係以網印製(screen printed)之方式設置於圖案化第二導電線路層128a上。第二絕緣層130接著暴露於輻射射線(例如 是紫外線或红外線輻射)中，通過一遮罩及藉由選擇性移除，如第1I圖所繪示第二導電線路層128a之選擇區域128b穿透過第二絕緣層130被暴露用以外部電性連接。用以焊接性於已暴露之第二導電線路層128b上之進一步製程可以包括沉積一錫層或一鎳/金層。
如第1I圖所繪示，載體110大於已封膠之第一絕緣層120。有益地，載體110之一內部部分110a例如藉由蝕刻來部分地被犧牲及移除，使得剩餘一環狀(ring)110b並獲得如第1J圖所繪示之一已完成基板105。可選擇地，如第7E和7F圖所示，載體110全部被犧牲及移除。於移除載體110之後，第一導電線路層114a與第一絕緣層120之表面共同被暴露出來。較佳地，第一導電佈線114a之表面係為平整或凹陷於第一絕緣層120之頂表面(如第1J圖所示)，使得絕緣層120界定第一導電佈線114a之邊緣並絕緣一第一導電佈線至另一第一導電佈線間。如上所述，載體110係由具有高楊氏係數之材料所製成並減緩壓力；藉由剩餘於基板105上載體110之一環狀110b，環狀載體110b幫助維持已完成基板105之平坦度，同時提供用以處理及後續製造之已完成基板105之堅硬度。於另一實施例中，內部110a小於一組已封膠之第一絕緣層120，使得內部110a形成於載體110上，而不是僅留下環繞於整個基板之一載體環(carrier ring)。再者，於第一絕緣層120外部之周圍區域內，載體環110b藉由定位孔或基準孔160(如第8圖所示)來形成。另外，若載板110使用前未減 緩壓力，壓力釋放槽(stress-relief slots)170(如第8圖所示)可能會於內部110a被蝕刻前或當內部110a被蝕刻时被打印(stamped)或形成於周圍部份。有助益地，具有定位/基準孔或壓力釋放槽之載體周圍部份界定出夾持區域，夾持區域用於上述之第一絕緣層120之封膠射入或擠壓、單一之已完成之半導體封裝結構或使用於其他之中間製程，使得所需要之夾持區域遠離於脆弱之封膠區域，封膠區域包括導電線路佈線及導柱(conductor studs)，因而確保連續地製程不會損壞到封膠區域。
為簡化圖示，第2A圖繪示形成於一封膠絕緣體120周圍之環狀載體110B。如第2A圖中所繪示，一半導體晶片10通過連接焊接凸塊(solder bump)20及金屬柱(pillar)24連接至第一導電佈線114a。晶片之嵌入藉由一底膠填充複合物(underfill compound)30也被增強。於第2B圖中，於晶片10嵌設於基板105後，整個晶片被封裝於另一封膠複合物(molding compound)40中。較佳地，封膠複合物40係由具有與第一絕緣層120之相似於或相同特性之材料所製成用以將由於特性的差異所產生的壓力降至最低。焊球22也可被設置來連接用以電性連接之已暴露第二導電佈線128b。於第2C圖中，已封裝之晶片沿著XX及YY線被切割以提供一已完成之半導體封裝結構150，已完成之半導體封裝結構150包括藉由本發明之製程100所獲得之基板105。
除了使用倒裝連接以外，如第3圖中所繪示之晶片 10可以是以線路連接至第一導電佈線114a，及另一已完成之半導體封裝結構150a包括藉由上述製程100所獲得之基板105。再者，如第4圖所繪示，一已完成之半導體封裝結構150c可以包括二或更多晶片、被動元件(passives)或封裝結構，包括使用不同半導體製造技術製成之晶片。
請參考至第1J及2C圖中，第一導電佈線114a之周圍，形成複數個外圍導電體114b，沒有電性連接至第一導電佈線114a，且被提供用以控制電鍍製程。舉例來說，導電體114b可以作為「電流竊取者(current stealers)」於第一導電線路佈線114a，導柱118及/或第二導電線路佈線128a電鍍時用以改變電流分佈來達到均勻的電鍍厚度。可選擇性地，藉由改變越過基板區域之混合熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion,CFE)，外圍導電體114b被提供用以改變於基板105上之壓力分佈。
第5及6圖繪示上述實施例中之不同結構。舉例來說，如第5圖中所繪示，於沉積導電種子層124前，一黏合層123係用於已封膠之第一絕緣層120之底表面122以增加第二導電線路層128a之黏合。較佳地，黏合層123係為例如聚亞醯氨的一感光聚合物材料(polymer material)或例如一雷射曝光聚合物材料(polymer material)。於第6圖中，基板105之一頂表面以一焊接遮罩層140來沉積，使得第一導電線路層114a之選擇區域被暴露出用以外部連接。
第7A至7F圖繪示包含三個導電線路層之一多層基 板105a之製造流程圖。第7A圖繪示於第1G圖中半完成之半導體基板之結構的後續堆疊(continued buildup)。如第7A圖所繪示，包括第二導柱218之一第二相互連接層218係藉由微影及電鍍製程形成於圖案化第二導電線路層218a上。於第7B圖中，並非藉由第二導電線路層128a之堆疊的導電種子層124被移除，較佳地係藉由化學蝕刻。
於第7C圖中，於半完成基板上之已封膠第一絕緣層120係以一第二絕緣封膠(second insulator molding)220來封膠。如於第一絕緣層內，第二絕緣封膠較佳地也包括一介質樹脂(matrix of resin)及嵌入式無機二氧化矽填充物(embedded inorganic silica fillers)。第二絕緣封膠220可以是與第一絕緣封膠120相同尺寸。如第7C圖所繪示，第二絕緣封膠220較大且第二絕緣封膠220封裝第一絕緣封膠於所謂的二次射出封膠(molding-over-molding)中。
如第1E圖中，第二絕緣封膠220之自由表面係為研磨面(abrasively ground)用以提供一平表面222。已研磨之封膠表面222也提供用以被沉積之一第二導電種子層224及被堆疊之一第三導電線路層228a較佳之黏合力。當第三導電線路層228a係為一已完成基板之最外部導電線路層，最外部導電線路層係被一外部絕緣層，例如焊接遮罩層所封裝，且如第7F圖所示用以外部連接之最外部導電線路層之選擇區域接著被暴露出。
於第7E和7F圖中繪示，載體110全部被犧牲及移 除以暴露出第一導電線路層114a於基板105a上。可選擇地，形成一載體環110b於基板105a上是可能的。所產生之基板105a包括複數絕緣層，複數絕緣層鄰接至具有絕緣層之另一絕緣層上，具有絕緣層之另一絕緣層具有一對應之(導電元件)導電線路層且一相互連接層嵌入於其內。平行於鄰接絕緣層之連接表面之一分隔面位於二絕緣層之間，使得一絕緣層內之導電元件不會穿越分隔面至另一鄰接的絕緣層。然而，於各對應之絕緣層內之導電元件電性連接至另一導電線路元件，以使得基板105a之頂部表面電性連接於基板105a之背部表面。特別地是，於一絕緣層內之相互連接層是電性地及實質地連接於鄰接絕緣層之導電線路層。
第8圖繪示根據第1J或7F圖中俯視基板105，105a頂部之一平面圖。如第8圖中通過載體110內之開口110a所示，繪示出一組九個導電佈線114a之第一導電線路層114a，第一導電線路層114a被封裝於一封膠120，220中。如上所述，於各導電佈線114a中，這裡的單獨之外圍導電體114b被提供作為”電流竊取者”於電鍍期間用以校正電流之分佈；另外單獨之外圍導電體114b可用以緩和穿越基板之混合熱膨脹係數，將製程期間中熱改變所導致之任何翹曲(warpage)降至最低。於基板105，105a周圍之夾持區域內，也就是通過載體環110b之厚度，夾持區域內有定位(positioning)或基準(fiducial)孔洞160及壓力釋放槽(stress-relief slots)170。
上述圖示繪示形成具有二個或三個導電線路層之多層基板。藉由形成各附加之堆疊層以獲得具有超過三層之導電線路層是有可能的，各附加之堆疊層具有一導電線路層及一相互連結層(interconnect layer)，並封裝一導電線路層及一相互連結導柱層於一封膠複合物中。於本發明中，多層基板允許更多複雜的相互連結途徑來支撐新半導體晶片之封裝結構。有助益地，多層導電線路佈線也可以分開設計以裝載不同型態之訊號或電源，例如減少訊號干擾。導電線路佈線之型態尺寸並不受限於蝕刻之特性，根據本發明之多層基板也提供達成線路微型化(miniaturization)之優勢。
雖然已經描述和解釋了特定的實施例，但是應當理解的是可以對本發明做出多種改變、改進和變型及其組合而不偏離本發明的範圍。例如，在基板的堆疊結構中，可以通過形成圖案化的通孔層連接一導電線路層與另一相隔二層或多層的導電線路層，此特徵將提供多一級的互連佈線，而傳統的導線架則是不可能達到的。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和區域內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護區域當視後附之申請專利區域所介定者為準。
105a:基板
110b:載體環、環狀載體
114a:導電線路層、第一導電線路層、導電佈線
218a:相互連接件
224:黏合層、第二導電種子層
228a:第三導電線路層
228b:選擇區域(最外部導電線路層)
230a:焊接遮罩

Claims (61)

  1. 一種半導體基板，包括：一第一導電線路層(conductive trace layer)；一第二導電線路層；一第一相互連接層(interconnect layer)，設於該第一導電線路層與該第二導電線路層之間，其中該第一相互連接層包括複數個導柱(stud)，該些導柱連接複數個位於該第一導電線路層與該第二導電線路層之間的選擇區域(selected area)；一封裝體，包覆該第一導電線路層及該第一相互連接層；以及一第二絕緣層，設於該封裝體之上，該第二絕緣層包覆該第二導電線路層；其中，該封裝體係藉由一正壓下注入一液態封膠複合物於一或多個空腔內，並於該封膠複合物固化後而形成；其中，該半導體基板更包括一具導電性且可化學蝕刻的犧牲載體(sacrificial carrier)，其中該犧牲載體的一內部係被蝕刻，使得剩餘一強化載體環(reinforcement carrier ring)保留於該犧牲載體之周圍或於一導電佈線(conductor layouts)周圍，該強化載體環具有導電性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體基板，其中該封裝體包括樹脂及複數個填充物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體基板，其中該封裝體係研磨地接地而露出該些導柱，而一接地面沉積在該第二導電線路層且連接於露出的該些導柱。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體基板，其中該第二導線層堆疊於一黏合層(adhesion layer)，以增加該第二導電線路層之黏合性。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之半導體基板，其中該黏合層包括一聚亞醯氨(polyimide)。
  6. 如申請專利範圍第3或4項所述之半導體基板，更包括一或多個中間堆疊層(intermediate built-up layer)，各該中間堆疊層包括一導電線路層(conductor trace layer)及一相互連接層(interconnect layer)，且各該中間堆疊層係被包覆在該封裝體內，使一封膠表面(molded encapsulation surface)係研磨地接地而露出該相互連接層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體基板，其中一黏合層位於相鄰二該中間堆疊層之間。
  8. 一種半導體基板的製造方法，包括：形成一第一導電線路層於一犧牲載體上，其中該第一導電線路層包括複數個導電佈線；形成一相互連接層於該第一導電線路層上，其中該相互連接層包括複數個導柱，該些導柱連接該第一導電線路層之複數個選擇區域；包覆該第一導電線路層及該相互連接層於一封裝體中；研磨該封裝體之一表面為平面，以暴露該些導柱；以及重複上述步驟以形成該半導體基板之一額外堆疊結構層(built-up structural layer)，以形成二或多個堆疊結構層；其中，該封裝體係藉由一正壓下注入一液態封膠複合物於一或多個空腔內，並於該封膠複合物固化後而形成；其中，該製造方法更包括：移除該犧牲載體的一內部，以露出該第一導電線路層，且保留一強化載體環，該強化載體環環繞該半導體基板的周圍或環繞位於該第一導電線路層的該些導電佈線的周圍，該強化載體環具有導電性。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中包覆該第一導電線路層及該相互連接層之步驟包括：設置該第一導電線路層及該相互連接層於一空腔(cavity)且注入該封裝體於該空腔，以密集地包覆該第一導電線路層及該相互連接層。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中該封裝體包括樹脂及複數個填充物。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所述之製造方法，其中於研磨該封裝體之步驟包括：露出該些填充物，以增加下一個鄰接層的黏合性。
  12. 如申請專利範圍第8或9項所述之製造方法，其中於研磨該封裝體之步驟包括：取出複數個表面填充物以建立一凹陷面(dimpled surface)，以增加下一個鄰接層的黏合性。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包括：沉積一黏合層於該封裝體之研磨表面上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之製造方法，其中於沉積該黏合層於之步驟包括：沉積一聚亞醯氨層。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包括：在形成該額外堆疊結構層後，形成一最外層導電線路層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，更包括：以一絕緣層，密封該最外層導電線路層；以及選擇性地移除該絕緣層，以露出該最外層導電線路層的複數個區域，以對外電性連接。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，更包括：密封一該第一導電線路層上的焊墊遮罩層(soldermask layer)，且選擇性地移除該焊墊遮罩層，以露出該第一導電線路層的複數個區域，以對外電性連接。
  18. 一種半導體基板，包括：一第一導電線路層；一第二導電線路層；一第一相互連接層，設於該第一導電線路層與該第二導電線路層之間，其中該第一相互連接層連接複數個位於該第一導電線路層與該第二導電線路層之間的選擇區域；一第一絕緣層，具有相對之一第一表面與一第二表面，其中該第一絕緣層包覆該第一導電線路層及位於該第一表面與該第二表面之間的該第一相互連接層，使得該第一導電線路層從該第一表面露出，且該第一相互連接層從該第二表面露出；以及 一第二絕緣層，具有相對之一第一表面與一第二表面，設於該第一絕緣層之該第二表面，該第二絕緣層密封該第二導電線路層；其中，該第一絕緣層係藉由一正壓下注入一液態封膠複合物於一或多個空腔內，並於該封膠複合物固化後而形成；其中，該半導體基板更包括一具導電性且可化學蝕刻的犧牲載體，其中該犧牲載體的一內部係被蝕刻，使得剩餘一強化載體環保留於該犧牲載體之周圍或於一導電佈線周圍，該強化載體環具有導電性。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之半導體基板，其中該第一絕緣層包括一封裝體，該封裝體包括一樹脂與複數個填充物的基質，且該些填充物內埋於緻密複合結構(compact composite structure)的該樹脂內。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之半導體基板，其中該第一絕緣層的該第二表面包括一介入露出之該些填充物的樹脂表面。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之半導體基板，其中該第一絕緣層的該第二表面包括位於該樹脂表面的複數個凹陷。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之半導體基板，更包括一設於該樹脂表面之黏合層，其中該黏合層覆蓋該些凹陷，以形成一平面。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之半導體基板，其中該第二導電線路層之複數個選擇區域透過第二絕緣層露出，以對外電性連接。
  24. 如申請專利範圍第18項所述之半導體基板，更包括：一第二相互連接層，連接該第二導電線路層之該些選擇區域，其中該第二絕緣層包覆該第二導電線路層及位於該第一表面與該第二表面之間的該第二相互連接層，且該第二導電線路層從該第一表面露出，使得該第二相互連接層從該第二表面露出。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之半導體基板，更包括：一第三導電線路層，連接該第二導電線路層；以及一第三絕緣層，設於密封該第三導電線路層，其中該第三導電線路層的複數個選擇區域透過該第三絕緣層露出，以對外電性連接。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之半導體基板，其中該第二絕緣層的尺寸大於該第一絕緣層且該第二絕緣層通过二次成 形包覆該第一絕緣層。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之半導體基板，其中該第二絕緣層的尺寸與該第一絕緣層的尺寸相同。
  28. 一種半導體基板，包括：複數個絕緣層，係彼此鄰接，其中各該絕緣層具有相對之一第一表面與一第二表面，一平行於該些鄰接絕緣層的複數個接觸面之分界面位於該些鄰接絕緣層之間，且包括：一導電線路層；以及一相互連接層；其中，各該絕緣層係藉由一正壓下注入一液態封膠複合物於一或多個空腔內，並於該封膠複合物固化後而形成，各該絕緣層包覆該導電線路層及位於該第一表面與該第二表面之間的該相互連接層，使得該導電線路層從該第一表面露出，且該相互連接層從該第二表面露出；其中，各該相互連接層連接複數個位於該些鄰接之絕緣層的該些導電線路層之間的選擇區域，使各該對應的絕緣層的該導電線路層彼此電性連接，且該半導體基板之頂面電連接於該半導體基板之背面；其中，該半導體基板更包括：一犧牲載體，設於該半導體基板之該頂面，其中該犧牲載體 包括一或多個露出一導電佈線的內部開口(internal opening)，該犧牲載體形成一環繞該半導體基板之一周圍之載體環，該載體環具有導電性。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之半導體基板，更包括：一最外層導電線路層，電連接於從該半導體基板之該背面露出的該相互連接層；以及一最外層絕緣層，設於該半導體基板之該背面以密封該最外層導電線路層，使得該第三導電線路層的複數個選擇區域透過該最外層絕緣層露出，以對外電性連接。
  30. 如申請專利範圍第28項所述之半導體基板，其中該些絕緣層之一者的尺寸大於鄰近之該絕緣層，且較大的該絕緣層通過二次成形包覆較小的該絕緣層。
  31. 如申請專利範圍第28項所述之半導體基板，其中該些絕緣層之一者的尺寸與鄰近之該絕緣層相同，且該些絕緣層係彼此堆疊。
  32. 如申請專利範圍第23、24、25或28項所述之半導體基板，更包括一設於該些鄰接之絕緣層之間的黏合層，以增加該些絕緣層之一者與鄰近之該絕緣層之間的黏合性。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之半導體基板，其中該黏合層包括一感光聚合物材料(polymer material)或一雷射曝光聚合物材料(polymer material)。
  34. 如申請專利範圍第18或28項所述之半導體基板，其中該半導體基板的該頂面包括一個該絕緣層及一個該導電線路層的複數個表面，其中該導電線路層齊平於該絕緣層的該表面或相對該絕緣層的該表面凹陷，該些導電線路層的複數個邊緣由該絕緣層定義。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之半導體基板，其中該導電線路層包括多個該導電佈線，以與複數個半導體晶片連接。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之半導體基板，更包括：複數個周圍導電體(peripheral conductor)，環設於且隔離於該些導電佈線，其中該半導體基板之合成熱膨脹係數(composite coefficient of thermal expansion)係被修正。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之半導體基板，其中該犧牲載體大於該半導體基板，且部分該犧牲載體突出於該半導體基板之一周圍外，以定義一夾持區域(clamping area)。
  38. 如申請專利範圍第28項所述之半導體基板，其中該半導體基板包括一組受到該犧牲載體支撐的絕緣層，且各該絕緣層對應於一個該內部開口。
  39. 如申請專利範圍第18或28項所述之半導體基板，更包括：一焊墊遮罩層，設於該半導體基板之該頂面且密封該導電線路層，使得該導電線路層之複數個選擇區域透過該焊墊遮罩層露出，以對外電性連接。
  40. 一種半導體封裝件，包括：一如申請專利範圍第1、18或28項所述之半導體基板，其中該導電線路層包括該導電佈線；一個或多個半導體晶片，設於該半導體基板，其中該半導體晶片連接該導電佈線；以及一封裝體，設於該半導體基板且包覆該半導體晶片。
  41. 一種半導體基板的製造方法，包括：提供一犧牲載體；形成一第一導電線路層於該犧牲載體上；形成一第一相互連接層於該第一導電線路層上； 形成一第一絕緣層以覆蓋該犧牲載體，其中該第一絕緣層係藉由一正壓下注入一液態封膠複合物於一或多個空腔內，並於該封膠複合物固化後而形成，該第一絕緣層包覆該第一導電線路層及該第一相互連接層；研磨該第一絕緣層的一表面，以形成一平面，其中該第一相互連接層齊平於該研磨表面或相對該研磨表面凹陷，該第一相互連接層的複數個邊緣由該第一絕緣層定義；以及形成一第二導電線路層於該第一絕緣層上；其中，該製造方法更包括：移除該犧牲載體的一內部，以露出該第一導電線路層，且保留一強化載體環，該強化載體環環繞該半導體基板的周圍或環繞位於該第一導電線路層的一導電佈線的周圍，該強化載體環具有導電性。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中該第一導電線路層形成多個該導電佈線；該製造方法更包括：形成複數個環設於且隔離於該些導電佈線之周圍導電體。
  43. 如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中形成該第一絕緣層之步驟包括：設置形成有該導電線路層及該第一相互連接層的該犧牲載體於一或多個空腔；在一正壓力下，注入一封裝體於該空腔，其中該封裝體密集 地包覆該空腔內之該導電線路層及該第一相互連接層；以及固化該封裝體，以形成一具有該導電線路層及該第一相互連接層的緻密複合結構。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之製造方法，其中形成有該導電線路層及該相互連接層的該犧牲載體設於該些空腔內，以形成一組絕緣層於該犧牲載體上。
  45. 如申請專利範圍第43項所述之製造方法，其中該絕緣層包括一封裝體，該封裝體包括一樹脂與複數個填充物的基質，且該些填充物內埋於該緻密複合結構的該樹脂內。
  46. 如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中該第一絕緣層包括一封裝體，該封裝體包括一樹脂與複數個填充物的基質，且該研磨表面露出一介入該些填充物的樹脂表面。
  47. 如申請專利範圍第46項所述之製造方法，其中在一研磨以形成複數個凹陷於該研磨表面的過程中，從該研磨表面露出的該些填充物自該樹脂被取出。
  48. 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，其中研磨該第一絕緣層之步驟後，該製造方法更包括： 沉積一黏合層於該研磨表面，其中該黏合層覆蓋該些凹陷，以形成一平面。
  49. 如申請專利範圍第41項所述之製造方法，更包括：以一第二絕緣層密封該第二導電線路層，且透過該第二絕緣層露出該第二導電線路層的複數個選擇區域，以對外電性連接。
  50. 如申請專利範圍第49項所述之製造方法，其中於一形成數個額外堆疊層之步驟包括：形成一第三導電線路層於該第二絕緣層；以及重複如申請專利範圍第49項所述之步驟。
  51. 如申請專利範圍第41項所述之製造方法，更包括：形成一第二相互連接層於該第二導電線路層；形成一第二絕緣層覆蓋如申請專利範圍第43或44項所述之該第一絕緣層，其中該第二絕緣層包覆該第二導電線路層及該第二相互連接層；以及研磨該第二絕緣層，以露出該第二相互連接層。
  52. 如申請專利範圍第51項所述之製造方法，其中於一形成數個額外堆疊層之步驟包括：形成一第三導電線路層於該第二絕緣層；以及 重複如申請專利範圍第51項所述之步驟。
  53. 如申請專利範圍第51項所述之製造方法，其中該第二絕緣層的尺寸大於該第一絕緣層且該第二絕緣層通過二次成形包覆該第一絕緣層。
  54. 如申請專利範圍第51項所述之製造方法，其中該第二絕緣層的尺寸與該第一絕緣層的尺寸相同。
  55. 如申請專利範圍第51項所述之製造方法，其中研磨該第一絕緣層之步驟後，該製造方法更包括：沉積一黏合層於該第一絕緣層，且形成該第二導電線路層於該黏合層。
  56. 如申請專利範圍第51項所述之製造方法，更包括：移除該犧牲載體以露出該第一絕緣層及該第一導電線路層，其中該第一導電線路層齊平於該第一絕緣層之露出的一表面或相對該第一絕緣層露出的該表面凹陷，該些第一導電線路層的複數個邊緣由該第一絕緣層定義。
  57. 如申請專利範圍第56項所述之製造方法，其中該犧牲載體被部分移除，以形成複數個露出該第一導電線路層的開口。
  58. 如申請專利範圍第56項所述之製造方法，其中該犧牲載體的內部被移除，以形成一環繞該半導體基板的一周圍的載體環。
  59. 如申請專利範圍第58項所述之製造方法，其中該犧牲載體大於該第一絕緣層，且部分該犧牲載體突出於該半導體基板之該周圍外，以定義一夾持區域。
  60. 如申請專利範圍第56項所述之製造方法，更包括：以一焊墊遮罩層密封露出之該第一導電線路層及該第二導電線路層，且透過該焊墊遮罩層露出該第一導電線路層的複數個區域，以對外電性連接。
  61. 一種半導體封裝件的製造方法，包括：形成一如申請專利範圍第56項所述之半導體基板，其中該第一導電線路層包括該導電佈線；設置一個或多個半導體晶片設於該半導體基板，其中各該半導體晶片連接對應之該導電佈線；以及以一封裝體包覆該半導體晶片。
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