TWI508863B - The manufacturing method and the layered body of the layered body - Google Patents

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Description

積層體之製造方法及積層體
本發明係關於一種積層體之製造方法及積層體。
近年來，太陽能電池(PV，Photo Voltaic，光伏)、液晶面板(LCD，Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、有機EL面板(OLED，Organic Light Emitting Display，有機發光顯示器)等器件(電子機器)之薄型化、輕量化正在推進，該等器件所使用之基板(以下，稱為「器件基板」)之薄板化正進行。若藉由薄板化，器件基板之強度不足，則於器件之製造步驟中，器件基板之操作性會下降。
因此，自先前以來，廣泛採用在較最終厚度更厚之器件基板上形成器件用構件，其後藉由化學蝕刻處理使器件基板薄板化之方法。然而，該方法中，例如於將1塊器件基板之厚度薄板化為0.7 mm至0.2 mm或0.1 mm之情形時，將原本之器件基板之材料之大半以蝕刻液削除，因此就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。
又，上述利用化學蝕刻處理之器件基板之薄板化方法中，於器件基板表面存在微細傷痕之情形時，有藉由蝕刻處理而以傷痕為起點形成微細的凹處(蝕刻斑)，成為光學缺陷之情況。
最近，為對應上述問題，提出有如下方法：準備於器件基板之第1主面以可剝離之方式密著有固定於支撐板上之樹脂層之積層體，於積層體之器件基板之第2主面上形成器件用構件後，自器件基板上剝離附樹脂層之支撐板(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第07/018028號小冊子
然而，上述先前之積層體中有於積層體之外周面形成凹槽之情況。例如於器件基板或支撐板為經倒角加工者之情形時，或於樹脂層係將液狀之樹脂組成物塗佈於支撐板上並加熱硬化而成者之情形時，由於器件基板或支撐板之外周面或樹脂層之外周面帶有圓形，故於積層體之外周面形成凹槽。
於器件之製造步驟中，有對形成於器件基板之表面之導電膜進行噴砂、蝕刻等處理而形成配線或元件等圖案形成步驟。於該圖案形成步驟之前，有為保護導電膜之表面之一部分而於導電膜之表面塗佈抗蝕液等塗佈液之塗佈步驟。
器件之製造步驟之塗佈步驟中，塗佈液由於毛細管現象而浸入凹槽中，容易積存。積存於凹槽內之塗佈液，即便清洗亦難以去除，乾燥後容易殘留殘渣。該殘渣於器件製造步驟之加熱處理步驟中成為發塵源，因此發塵污染加熱處理步驟內，使作為製品之器件之良率下降。
本發明係鑒於上述課題而形成者，主要目的在於提供一種在器件之製造步驟中可抑制發塵之積層體之製造方法及積層體。
為了解決上述目的，本發明之積層體之製造方法係包括如下步驟之方法：於器件基板與支撐板之間***樹脂層，該樹脂層係以可剝離之方式密著於上述器件基板之第1主面，並且將固定於上述支撐板上之積層體塊切斷為預定尺寸，使上述積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分平面化。
進而，本發明之積層體之製造方法較佳為包括如下步驟：將上述積層體塊之外周面之經平面化之部分之角部倒角。
又，較佳為上述樹脂層之外周面之經平面化之部分與上述樹脂層之厚度方向大致平行。
又，較佳為，上述器件基板係利用浮式法製造之玻璃基板，且包括如下步驟：將上述角部倒角後，研磨上述器件基板之第2主面。
上述器件基板較佳為厚度0.03 mm以上且小於0.8 mm之玻璃基板。
上述樹脂層較佳為包含選自由丙烯酸系樹脂層、聚烯烴樹脂層、聚胺基甲酸酯樹脂層、及聚矽氧樹脂層所組成之群中之至少一種。
上述樹脂層之厚度較佳為5~50 μm。
又，本發明之積層體係於器件基板與支撐板之間***樹脂層，該樹脂層係以可剝離之方式密著於上述器件基板之第1主面，並且將固定於上述支撐板上之積層體塊切斷為預定尺寸，使上述積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分平面化而成者。
依據本發明，可提供一種於器件之製造步驟中可抑制發塵之積層體之製造方法及積層體。
以下，參照圖式，對用以實施本發明之形態進行說明。各圖中，同一構成係附同一符號，省略說明。
(第1實施形態)
圖1係本發明之第1實施形態中之積層體之製造方法之步驟圖。如圖1所示，積層體之製造方法包括如下步驟：於器件基板與支撐板之間***樹脂層，該樹脂層係以可剝離之方式密著於器件基板之第1主面，並且將固定於支撐板上之積層體塊切割為預定尺寸，使積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分平面化(步驟S11)。
平面化後之積層體詳細如後述，用於器件之製造。平面化後之積層體中之附樹脂層之支撐板係使用至器件之製造步驟之中途為止(直至器件基板與樹脂層藉由剝離操作而剝離為止)。器件基板與樹脂層剝離後，附樹脂層之支撐板係自器件之製造步驟中去除，不成為構成器件之構件。自器件基板剝離之附樹脂層之支撐板可於積層體之製造步驟中再利用。即，於附樹脂層之支撐板之樹脂層上積層新的器件基板，可獲得新的積層體塊。
首先，對平面化前之積層體塊進行說明，繼而，對平面化後之積層體塊進行說明，最後對器件之製造步驟進行說明。
圖2係本發明之第1實施形態中之平面化前之積層體塊之部分側面圖。如圖2所示，平面化前之積層體塊10係於器件基板11與支撐板12之間***有樹脂層13者。樹脂層13係以可剝離之方式密著於器件基板11之第1主面111，並且固定於支撐板12上。
(器件基板)
器件基板11係於第2主面112上形成器件用構件而構成器件。此處，所謂器件用構件，係指構成器件(電子機器)之至少一部分之構件。具體例可列舉薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)、彩色濾光片(Color Filter，CF)。作為器件，可例示太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等。器件用構件係於使積層體塊10之外周面平面化後，形成於器件基板11之第2主面112。
器件基板11之種類可為一般者，例如可為玻璃基板、樹脂基板、或者SUS(Special Use Stainless，特殊用途不鏽鋼)基板等金屬基板。該等基板中，較佳為玻璃基板。其原因在於，玻璃基板之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率低。作為熱收縮率之指標，係使用JIS R 3102-1995中規定之線膨脹係數。
若器件基板11之線膨脹係數大，器件之製造步驟多伴有加熱處理，因此容易產生各種不良情況。例如，於在器件基板11上形成TFT之情形時，若於加熱下將形成有TFT之器件基板11冷卻，則由於器件基板11之熱收縮，而有TFT之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板係將玻璃原料熔融，使熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為一般者，例如使用浮式法、熔合法、流孔下引法、富可法(Fourcault method)、反向法等。又，厚度特別薄之玻璃基板是利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，利用延伸等方法拉伸而變薄之方法(再拉法)進行成形而獲得。
玻璃基板之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板之玻璃，較佳為採用適合於器件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故液晶面板用之玻璃基板較佳為包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。如此，玻璃基板之玻璃係基於所應用之器件之種類及其製造步驟而適當選擇。
器件基板之厚度並無特別限定，通常小於0.8 mm，較佳為0.3 mm以下，進而較佳為0.15 mm以下。又，較佳為0.03 mm以上。尤其於器件基板為玻璃基板之情形時，就玻璃基板之薄型化及/或輕量化之觀點而言，通常為小於0.8 mm，較佳為0.3 mm以下，進而較佳為0.15 mm以下。於0.8 mm以上之情形時，不滿足玻璃基板之薄型化及/或輕量化之要求。於0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之可撓性。於0.15 mm以下之情形時，可將玻璃基板捲取為輥狀。又，由於玻璃基板之製造容易，玻璃基板之操作容易等原因，玻璃基板之厚度較佳為0.03 mm以上。
樹脂基板之樹脂之種類並無特別限定。作為透明之樹脂，可例示：聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、透明氟樹脂、透明聚醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙烯酸系樹脂、環烯烴樹脂、聚矽氧樹脂、聚矽氧系有機無機混成樹脂、有機聚合物/生物奈米纖維混成樹脂等。又，作為不透明之樹脂，可例示：聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚醚酮樹脂、各種液晶聚合物樹脂等。再者，樹脂基板可為於表面形成保護層等功能層而成者。
(支撐板)
支撐板12係支撐並補強器件基板11，於器件之製造步驟中防止器件基板11之變形、損傷、破損等。又，於使用較先前厚度更薄之器件基板11之情形時，藉由形成與先前之器件基板相同厚度之積層體塊10，可於器件之製造步驟中使用適合於先前厚度之器件基板之製造技術或製造設備，亦為使用支撐板12之目的之一。
支撐板12之厚度可較器件基板11更厚，亦可更薄。較佳為基於器件基板11之厚度、樹脂層13之厚度、及積層體塊10之厚度而選擇支撐板12之厚度。例如，於現有器件之製造步驟係經設計為對厚度0.5 mm之基板進行處理者，且器件基板11之厚度與樹脂層13之厚度之和為0.1 mm之情形時，將支撐板12之厚度設為0.4 mm。於支撐板12為玻璃板之情形時，就容易操作、難以斷裂等原因而言，玻璃板之厚度較佳為0.08 mm以上。
支撐板12之種類可為一般者，例如可為玻璃板、樹脂板、金屬板等。於器件之製造步驟伴隨熱處理之情形時，支撐板12較佳為以與器件基板11之線膨脹係數之差小之材料形成，更佳為以與器件基板11相同之材料形成。
器件基板11與支撐板12之25~300℃下之平均線膨脹係數(以下僅稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為700×10-7 /℃以下，更佳為500×10-7 /℃以下，進而較佳為300×10-7 /℃以下。若差過大，則於器件之製造步驟之加熱冷卻時，有積層體塊10激烈翹曲，或器件基板11與支撐板12剝離之可能性。於器件基板11之材料與支撐板12之材料相同之情形時，無產生上述問題之虞。
(樹脂層)
樹脂層13係固定於支撐板12上，又，以可剝離之方式密著於器件基板11之第1主面111。樹脂層13不僅防止器件基板11之位置偏移直至進行剝離操作為止，並且藉由剝離操作而自器件基板11上容易剝離，防止器件基板11等由於剝離操作而破損。
樹脂層13之表面較佳為利用並非由一般之黏著劑所具有之黏著力，而是由固體分子間之凡得瓦力引起之力，而貼附於器件基板11之第1主面111。其原因在於容易剝離。本發明中，將該樹脂層表面之可容易剝離之性質稱為剝離性。
另一方面，樹脂層13對支撐板12之表面之結合力較樹脂層13對器件基板11之第1主面111之結合力相對更高。本發明中，將樹脂層13表面對器件基板11表面之結合稱為密著，且將對支撐板12表面之結合稱為固定。
樹脂層13之厚度並無特別限定，較佳為5~50μm，更佳為5~30μm，進而較佳為7~20μm。其原因在於，若樹脂層13之厚度為上述範圍，則樹脂層13與器件基板11之密著變得充分。又，原因在於，即便樹脂層13與器件基板11之間介隔存在氣泡或異物，亦可抑制器件基板11之應變缺陷之產生。又，若樹脂層13之厚度過厚，則形成需要時間及材料，因此並不經濟。
再者，樹脂層13可包含2層以上。此時「樹脂層之厚度」係表示所有樹脂層之合計厚度。
又，於樹脂層13包含2層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類可不同。
樹脂層13之表面張力較佳為30mN/m以下，更佳為25mN/m以下，進而較佳為22mN/m以下。又，較佳為15mN/m以上。其原因在於，若為上述範圍之表面張力，則可更容易與器件基板11剝離，同時與器件基板11之密著亦 變得充分。
表面張力係以如下方式測定。首先，對樹脂層13使用表面張力已知之複數種液體，測定20℃下之各液體之接觸角。繼而，將各液體之表面張力與接觸角(cosθ)繪圖，近似直線，外推出cosθ=1之表面張力值，求出樹脂層13之臨界表面張力。將該臨界表面張力作為樹脂層13之表面張力。
樹脂層13較佳為包含玻璃轉移點較室溫(25℃左右)更低或者不具有玻璃轉移點之材料。成為非黏著性之樹脂層，可容易與器件基板11剝離，同時與器件基板11之密著亦變得充分。
又，樹脂層13由於在器件之製造步驟中經加熱處理之情況多，故較佳為具有耐熱性。
又，若樹脂層13之彈性模數過高，則存在與器件基板11之密著性變低之傾向。另一方面，若樹脂層13之彈性模數過低，則存在剝離性變低之傾向。
形成樹脂層13之樹脂之種類並無特別限定。例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂。該等樹脂可單獨使用，亦可將若干種類之樹脂混合使用。其中較佳為聚矽氧樹脂。其原因在於，聚矽氧樹脂之耐熱性或剝離性優異。又，原因在於，於支撐板12為玻璃板之情形時，藉由與表面之矽烷醇基之縮合反應，容易固定於支撐板12上。聚矽氧樹脂層就例如於300~400℃左右下處理1小時左右，剝離性亦基本不劣化之方面而言亦較佳。
樹脂層13較佳為包含聚矽氧樹脂中用於剝離紙用途之聚矽氧樹脂(硬化物)。使成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性樹脂組成物於支撐板12之表面硬化而形成之樹脂層13由於具有優異之剝離性而較佳。又，由於柔軟性高，故即便在樹脂層13與器件基板11之間混入氣泡或塵埃等異物，亦可抑制器件基板11之應變缺陷之產生。
此種成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧係根據其硬化機制而分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，均可使用。該等之中較佳為加成反應型聚矽氧。其原因在於，硬化反應之容易度，形成樹脂層13時剝離性之程度良好，耐熱性亦高。
加成反應型聚矽氧係由具有乙烯基等不飽和基之有機烯基聚矽氧烷、具有鍵結於矽原子之氫原子的有機氫化聚矽氧烷與鉑系觸媒等觸媒之組合而獲得之硬化性樹脂組成物，係於常溫下或者藉由加熱而硬化成為經硬化之聚矽氧樹脂者。
又，成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧就形態方面而言具有溶劑型、乳液型及無溶劑型，任一種類型均可使用。該等之中較佳為無溶劑型。其原因在於，生產性、安全性、環境特性之方面優異。又，由於不包含形成樹脂層13時之硬化時，即加熱硬化、紫外線硬化或者電子束硬化時產生發泡之溶劑，故樹脂層13中不易殘留氣泡。
又，作為成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧，具體而言，作為市售之商品名或者型號，可列舉KNS-320A、KS-847(均為Shin-Etsu Silicone公司製造)、TPR6700(GE Toshiba Silicone公司製造)、乙烯基聚矽氧「8500」(荒川化學工業股份有限公司製造)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業股份有限公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11364」(荒川化學工業股份有限公司製造)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業股份有限公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11365」(荒川化學工業股份有限公司製造)與甲基氫化聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業股份有限公司製造)之組合等。
再者，KNS-320A、KS-847及TPR6700係預先含有主劑及交聯劑之硬化性聚矽氧。
又，形成樹脂層13之聚矽氧樹脂較佳為具有聚矽氧樹脂層中之成分難以轉移至器件基板11之性質，即低聚矽氧轉移性。
(固定方法)
將樹脂層13固定於支撐板12上之方法並無特別限定，例如可列舉將膜狀之樹脂固定於支撐板12之表面之方法。具體而言可列舉如下方法：為了對支撐板12之表面賦予對膜表面之高固定力(高剝離強度)，而對支撐板12之表面進行表面改質處理(底塗處理)，以固定於支撐板12上。例如可例示：使如矽烷偶合劑般以化學方式提高固定力之化學方法(底塗處理)、如火焰(flame)處理般使表面活性基增加之物理方法、如噴砂處理般藉由使表面之粗糙度增加而增加勾掛之機械性處理方法等。
又，例如可列舉將成為樹脂層13之硬化性樹脂組成物塗佈於支撐板12上之方法。作為塗佈之方法，可列舉噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、絲網印刷法、凹版塗佈法等。自上述方法之中，可根據樹脂組成物之種類而適當選擇。
又，於將成為樹脂層13之硬化性樹脂組成物塗佈於支撐板12上之情形時，其塗佈量較佳為1~100 g/m2 ，更佳為5~20 g/m2 。
例如於由加成反應型聚矽氧之硬化性樹脂組成物形成樹脂層13之情形時，係將包含烯基聚矽氧烷、有機氫化聚矽氧烷與觸媒之混合物的硬化性樹脂組成物，利用上述噴塗法等公知之方法塗佈於支撐板12上，其後使其加熱硬化。加熱硬化條件根據觸媒之調配量而有所不同，例如於相對於烯基聚矽氧烷與有機氫化聚矽氧烷之合計量100質量份，調配鉑系觸媒2質量份之情形時，係於大氣中50℃~250℃、較佳為100℃~200℃下反應。又，此時之反應時間為5~60分鐘，較佳為10~30分鐘。為形成具有低聚矽氧轉移性之聚矽氧樹脂層，較佳為儘可能進行硬化反應，以使聚矽氧樹脂層中不殘留未反應之聚矽氧成分。若為如上所述之反應溫度及反應時間，則可使聚矽氧樹脂層中基本不殘留未反應之聚矽氧成分，故較佳。於較上述反應時間過長，或反應溫度過高之情形時，有同時產生聚矽氧樹脂之氧化分解，生成低分子量之聚矽氧成分，聚矽氧轉移性變高之可能性。為使加熱處理後之剝離性良好，亦較佳為儘可能進行硬化反應，以使聚矽氧樹脂層中不殘留未反應之聚矽氧成分。
又，例如於使用成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性樹脂組成物製造樹脂層13之情形時，將塗佈於支撐板12上之硬化性樹脂組成物加熱硬化而形成聚矽氧樹脂層。藉由使硬化性樹脂組成物加熱硬化，則於硬化反應時聚矽氧樹脂與支撐板12化學性結合。又，藉由增黏效果，聚矽氧樹脂層與支撐板12結合。藉由該等作用，聚矽氧樹脂層牢固地固定於支撐板12上。
(密著方法)
使形成於支撐體上之樹脂層13以可剝離之方式密著於器件基板11上之方法可為公知之方法。例如可列舉如下方法：於常壓環境下在樹脂層13之剝離性表面重疊器件基板11後，使用輥或加壓機使樹脂層13與器件基板11壓接。藉由以輥或加壓機進行壓接，樹脂層13與器件基板11進一步密著，故較佳。又，藉由輥或加壓機之壓接，混入至樹脂層13與器件基板11之間的氣泡比較容易去除，故較佳。
若將形成於支撐體上之樹脂層13與器件基板11利用真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則更佳地抑制氣泡之混入或確保良好之密著，故更佳。藉由在真空下壓接，即便於微小氣泡殘存之情形時，亦無藉由加熱而氣泡成長之情況，具有難以牽涉到器件基板11之應變缺陷的優點。
當使樹脂層13以可剝離之方式密著於器件基板11上時，較佳為將樹脂層13及器件基板11之相互接觸之側之面充分清洗，於潔淨度高之環境中積層。即便在樹脂層13與器件基板11之間混入異物，亦無由於樹脂層13變形而對器件基板11之表面之平坦性造成影響之情況，潔淨度越高，其平坦性越變得良好，故較佳。
再者，對將樹脂層13固定於支撐板12上之步驟、使樹脂層13以可剝離之方式密著於器件基板11上之步驟之順序並無限制，例如可為大致同時。
(積層體塊之切斷)
於以上述方式獲得之積層體塊10之外周面14，有形成凹槽15之情況。例如，如圖2所示，於器件基板11或支撐板12為經倒角加工者之情形時，或於樹脂層13係將液狀之樹脂組成物塗佈於支撐板12上並加熱硬化而成者之情形時，由於器件基板11或支撐板12、樹脂層13之外周面帶有圓形，故導致於積層體塊10之外周面14形成凹槽15。
本實施形態中，如圖1所示，積層體之製造方法包括如下步驟：將積層體塊切斷為預定尺寸，使積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分平面化(步驟S11)。更詳細而言，將積層體塊切斷為預定尺寸，去除積層體塊之外周部之至少圓周方向一部分(較佳為圓周方向全周)，使積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分(較佳為圓周方向全周)平面化。
將積層體塊10切斷之方法可為一般方法。例如可列舉：以刃具切斷之方法；以雷射等高能量線熔斷之法；使用刃具或雷射等於器件基板及支撐板中之至少一板狀物之主面形成劃線，沿劃線割斷之方法等。該等切斷方法可單獨或組合使用。如上所述，所謂切斷，包括熔斷或割斷。
切斷方法可根據器件基板11、支撐板12、樹脂層13之種類或厚度等而適當選擇。例如，於器件基板11或支撐板12包含玻璃之情形時，較佳為於玻璃之主面形成劃線，其後，將積層體塊10彎曲變形而沿劃線割斷之方法。又，於器件基板11及支撐板12包含玻璃之情形時，較佳為於兩者之玻璃之主面形成劃線，其後，將積層體塊10彎曲變形而沿兩者之劃線割斷之方法。於割斷之情形時，較佳為樹脂層13之厚度為50 μm以下。若樹脂層13過厚，則割斷變得困難。
切斷方向可為自器件基板11朝向支撐板12之方向，亦可為自支撐板12朝向器件基板11之方向。又，切斷方向可為一方向，亦可為兩方向。進而，切斷方向較佳為與積層體塊之厚度方向(即樹脂層之厚度方向)大致平行。其原因在於，可減小樹脂層13之露出面積，可抑制器件製造步驟中之加熱處理所引起之樹脂層13之劣化。
圖3係本發明之第1實施形態中之外周面平面化後之積層體塊之部分側面圖。圖3之積層體塊10A係沿圖2之A-A'線將積層體塊10切斷而成者。平面化後之器件基板11A、支撐板12A、樹脂層13A分別對應於平面化前之器件基板11、支撐板12、樹脂層13。
平面化後之積層體塊10A係於器件基板11A與支撐板12A之間***有樹脂層13A者。樹脂層13A係以可剝離之方式密著於器件基板11A之第1主面111A，並且固定於支撐板12A上。再者，於器件基板11A之第2主面112A形成器件用構件，詳情如後述。
平面化後之積層體塊10A之外周面14A係如圖3所示，成為平面，凹槽15(參照圖2)經去除。
但，若存在上述凹槽15，則於器件之製造步驟中，抗蝕液等塗佈液藉由毛細管現象而浸入，容易積存。積存於凹槽15內之塗佈液即便藉由清洗亦難以去除，乾燥後容易殘留殘渣。該殘渣於器件製造步驟之加熱處理步驟中成為發塵源，因此發塵污染加熱處理步驟內，使作為製品之器件之良率下降。
本實施形態中，由於凹槽15經去除，故於器件之製造步驟中，塗佈液之殘渣難以積存。因此，可於加熱處理步驟中抑制發塵，可抑制作為製品之器件之良率之下降。
(積層體塊之倒角)
如圖1所示，積層體之製造方法更包括如下步驟：將積層體塊之外周面之經平面化之部分之角部倒角(步驟S12)。藉由倒角，可提高耐衝擊性、安全性。
但，於使積層體塊之外周面平面化之前將積層體塊之角部倒角之情形時，若積層體塊之外周面存在凹槽，則有器件基板之端部或支撐板之端部撓曲而破損之情況。
本實施形態中，由於在使積層體塊之外周面平面化之後將積層體塊之角部倒角，故凹槽經預先去除。因此，倒角時，可抑制器件基板之端部或支撐板之端部撓曲而破損。
倒角方法可為一般方法。例如可列舉使用研磨機等倒角機之方法。倒角之種類可為如圖4所示將平面化後之角部110、120加工為平面之倒角，亦可為如圖5所示將平面化後之角部110、120加工為圓弧狀面之R倒角，亦可為如圖6所示將平面化後之角部110、120加工為平面與圓弧狀面之組合之倒角，並無特別限定。又，可為削除樹脂層之倒角，亦可為不削除樹脂層之倒角。
倒角尺寸係根據器件基板、支撐板、樹脂層之種類或厚度等而適當選擇。於R倒角之情形時，器件基板側之曲率半徑R1與支撐板側之曲率半徑R2可相同，亦可不同。於將角部加工為平面之情形時，器件基板側之倒角角度θ1與支撐板側之倒角角度θ2可相同，亦可不同。
倒角後，較佳為樹脂層之外周面之經平面化之部分變得與樹脂層之厚度方向大致平行。藉此，可減小樹脂層之露出面積。
若樹脂層之露出面積大，則藉由器件之製造步驟中之加熱處理，樹脂層變得容易劣化。
本實施形態中，由於可減小樹脂層之露出面積，故於器件之製造步驟中，可抑制樹脂層之劣化。
圖7係本發明之第1實施形態中之倒角後之積層體塊之部分側面圖。圖7中，將倒角前之積層體塊之形狀以虛線表示。圖7之積層體塊10B係將圖3之積層體塊10A之切斷面之兩角部進行R倒角而成者。倒角後之器件基板11B、支撐板12B、樹脂層13B分別對應於倒角前之器件基板11A、支撐板12A、樹脂層13A。
倒角後之積層體塊10B係於器件基板11B與支撐板12B之間***有樹脂層13B者。樹脂層13B係以可剝離之方式密著於器件基板11B之第1主面111B，並且固定於支撐板12B上。
倒角後之積層體塊10B係如圖7所示，外周面14B帶有圓形，因此耐衝擊性或安全性優異。
倒角後之積層體塊10B如圖7所示，樹脂層13B之外周面134B變得與樹脂層13B之厚度方向(圖7中，箭頭A方向)大致平行，因此樹脂層13B之露出面積減小。因此，藉由器件之製造步驟中之加熱處理，可抑制樹脂層13B劣化。
(積層體塊之研磨)
如圖1所示，於器件基板為利用浮式法製造之玻璃基板之情形時，積層體之製造方法可更包括於倒角後(即平面化後)，研磨器件基板之第2主面之研磨步驟(步驟S13)。此處，利用浮式法製造之玻璃基板中包括利用再拉法，將利用浮式法製造之玻璃基板拉伸而使厚度進一步變薄之玻璃基板。
浮式法係於浮浴內之熔融錫上流出熔融玻璃，使其於下向流方向流動而成形為帶板狀玻璃之方法。將帶板狀玻璃切斷而製造玻璃基板，但於玻璃基板表面產生微小之凹凸或起伏。
藉由上述研磨步驟中之研磨，可去除玻璃基板表面之微小凹凸或起伏，可提高形成器件用構件之面之平坦性。因此，可提高作為製品之器件之可靠性。該效果於玻璃基板之厚度為0.03~0.3 mm之情形時較為顯著。其原因在於，厚度0.03~0.3 mm之玻璃基板難以單獨研磨，難以於形成積層體塊之前預先研磨。
但，於平面化前研磨器件基板之第2主面之情形時，若於積層體塊之外周面存在凹槽，則有研磨劑進入凹槽中而未去除，或器件基板撓曲而破損之情況。又，即便在平面化後，於倒角前研磨器件基板之第2主面之情形時，器件基板之銳利角部亦容易破損。
本實施形態中，於倒角後(即平面化後)研磨器件基板之第2主面，因此器件基板之角部經預先倒角，且凹槽經預先去除。因此，研磨時可抑制研磨劑對凹槽之附著或器件基板破損。
研磨方法可為一般方法。例如可列舉使用氧化鈰等研磨粒之研磨方法。
研磨裕度係根據器件基板之厚度或所使用之器件而適當設定，例如為0.05~10 μm。
圖8係本發明之第1實施形態中之研磨後之積層體塊之部分側面圖。圖8中，將研磨前之積層體塊之形狀以虛線表示。圖8之積層體塊10C係對圖7之積層體塊10B之器件基板11B之第2主面112B進行研磨而成者。研磨後之器件基板11C對應於研磨前之器件基板11B。
研磨後之積層體塊10C係於器件基板11C與支撐板12B之間***有樹脂層13B者。樹脂層13B係以可剝離之方式密著於器件基板11C之第1主面111C，並且固定於支撐板12B上。
研磨後之積層體塊10C與研磨前之積層體塊10B相比，形成器件用構件之第2主面112C之平坦性、清潔度變高。
(器件之製造方法)
圖9係表示本發明之第1實施形態中之器件之製造方法之步驟圖。
器件之製造方法包括如下步驟：：於平面化後之積層體塊(積層體)之器件基板之第2主面上使用塗佈液而形成器件用構件(步驟S61)；及將器件基板與樹脂層剝離(步驟S62)。此處，平面化後之積層體塊(積層體)當然包括倒角後之積層體塊(積層體)、研磨後之積層體塊(積層體)。
器件用構件係形成於器件基板之第2主面而構成器件之至少一部分之構件。器件用構件並非最終形成於器件基板之第2主面的構件之全部(以下稱為「全構件」)，亦可為全構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。其原因在於，可將自樹脂層剝離之附部分構件之器件基板，於其後之步驟中製成附全構件之器件基板。進而其後，使用附全構件之器件基板製造器件。又，於自樹脂層剝離之附全構件之器件基板上，亦可於其剝離面(第1主面)上形成其他器件用構件。又，可使用附全構件之積層體組裝器件，其後，自附全構件之積層體上剝離附樹脂層之支撐板，以製造器件。進而，亦可使用2塊附全構件之積層體組裝器件，其後，自附全構件之積層體上剝離2塊附樹脂層之支撐板，以製造器件。
將器件基板與樹脂層剝離之方法可為公知之方法。例如，於器件基板與樹脂層之間刺入剝離刃，其後，向剝離刃之刺入位置吹附混合有壓縮空氣與水之流體。於該狀態下，將積層體之一主面保持平坦，且使另一主面自刺入位置附近起依序撓曲變形。如此，可將器件基板與樹脂層剝離。
圖10係本發明之第1實施形態中之LCD之製造方法之步驟圖。本實施形態中，對TFT-LCD之製造方法進行說明，亦可將本發明應用於STN(Super Twisted Neumatic，超扭轉相列)-LCD之製造方法，對液晶面板之種類或方式並無限制。
TFT-LCD之製造方法包括如下步驟：於平面化後之積層體塊(積層體)之器件基板之第2主面上，使用抗蝕液，於利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等一般成膜法所形成之金屬膜及金屬氧化膜等上形成圖案而形成薄膜電晶體(TFT)(步驟S71)；於另一平面化後之積層體塊(積層體)之器件基板之第2主面上，將抗蝕液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)(步驟S72)；將附TFT之器件基板、與附CF之器件基板積層(步驟S73)；以及將兩者器件基板與樹脂層剝離(步驟S74)。再者，對TFT形成步驟(步驟S71)、與CF形成步驟(步驟S72)之順序並無限制，可為大致同時。又，剝離步驟(步驟S74)可為積層步驟(步驟S73)之前，亦可為TFT形成步驟或CF形成步驟之中途。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用眾所周知之光微影技術或蝕刻技術等，於器件基板之第2主面上形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF之前，視需要，可清洗器件基板之第2主面。作為清洗方法，可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。
積層步驟中，於附TFT之積層體、與附CF之積層體之間注入液晶材料而積層。作為注入液晶材料之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
減壓注入法中，例如，首先使用密封材料及間隔材料，將兩積層體以存在TFT之面與存在CF之面相對向之方式貼合。繼而，自兩積層體上剝離2塊附樹脂層之支撐板。其後，將貼合之兩器件基板切斷為複數個單元。使所切斷之各單元之內部成為減壓環境後，自注入孔向各單元之內部注入液晶材料，密封注入孔。繼而，於各單元上貼附偏光板，組入背光源等，以製造液晶面板。
再者，本實施形態中，自兩積層體上剝離2塊附樹脂層之支撐板，其後將貼合之兩器件基板切斷為複數個單元，但本發明並不限定於此。例如可於使用密封材料及間隔材料來貼合兩積層體之前，自各積層體上剝離附樹脂層之支撐板。
滴加注入法中，例如首先於兩積層體中之任一者上滴加液晶材料，使用密封材料及間隔材料，將兩積層體以存在TFT之面與存在CF之面相對向之方式積層。繼而，自兩積層體上剝離2塊附樹脂層之支撐板。其後，將所積層之兩器件基板切斷為複數個單元。繼而，於各單元上貼附偏光板，組入背光源等，以製造液晶面板。
液晶面板之製造方法除包括上述步驟之外，亦可更包括如下步驟：自作為器件基板之玻璃基板上剝離附樹脂層之支撐板後，藉由化合蝕刻處理將玻璃基板薄板化(步驟S75)。玻璃基板之第1主面係由支撐板保護，故即便進行蝕刻處理，亦難以產生蝕刻斑。
再者，圖10所示之例中，於附TFT之器件基板、附CF之器件基板之製造時分別逐個使用積層體，但本發明並不限定於此。例如，可於附TFT之器件基板、附CF之器件基板中僅任一基板之製造時使用積層體。
圖11係本發明之第1實施形態中之有機EL面板(OLED)之製造方法之步驟圖。
有機EL面板之製造方法包括如下步驟：使用圖案形成用之抗蝕液於平面化後之積層體之器件基板之第2主面上形成有機EL元件(步驟S81)；於有機EL元件上積層對向基板(步驟S82)；以及將器件基板與樹脂層剝離(步驟S83)。再者，剝離步驟(步驟S83)可為積層步驟(步驟S82)之前，亦可為有機EL元件形成步驟(步驟S81)之中途。
有機EL元件形成步驟中，使用眾所周知之光微影技術或蒸鍍技術等，於器件基板之第2主面上形成有機EL元件。此時，於器件基板之第2主面上塗佈抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。有機EL元件例如包含透明電極層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等。
再者，於形成有機EL元件之前，視需要，可清洗器件基板之第2主面。作為清洗方法，例如可使用乾式清洗或濕式清洗。
積層步驟中，例如，首先自附有機EL元件之器件基板上剝離附樹脂層之支撐板。其後，將附有機EL元件之器件基板切斷為複數個單元。繼而，以有機EL元件與對向基板接觸之方式使各單元與對向基板貼合。如此，製造有機EL顯示器。
如此，對所製造之LCD或OLED等顯示面板的用途並無特別限制，例如適宜用於行動電話、PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)、數位相機、遊戲機等行動電子機器。
(第2實施形態)
第2實施形態係關於平面化前之積層體塊者。
圖12係本發明之第2實施形態中之平面化前之積層體塊之部分側面圖。如圖12所示，平面化前之積層體塊20係於器件基板21與支撐板22之間***有樹脂層23者。樹脂層23係以可剝離之方式密著於器件基板21之第1主面211，並且固定於支撐板22上。
支撐板22可變得較樹脂層23更大，樹脂層23可變得較器件基板21更大。於上述情形時，如圖12所示，若器件基板21為經倒角加工者，則由於器件基板21之外周面帶有圓形，而導致於積層體塊20之外周面24形成凹槽25。
此時，藉由沿圖12之A-A'線切斷積層體塊20，可使積層體塊20之外周面24平面化，可去除凹槽25。
但，於沿圖12之B-B'線或C-C'線切斷積層體塊20之情形時，由於無法使積層體塊20之外周面24平面化，故凹槽25殘存。
於上述情形時，由於凹槽25殘存，因此於器件之製造步驟中容易殘留塗佈液之殘渣。該殘渣於器件製造步驟中之加熱處理步驟中成為發塵源，因此發塵污染加熱處理步驟內，使作為製品之器件之良率下降。
本實施形態中，由於可去除凹槽25，故於器件之製造步驟中，可抑制發塵，可抑制作為製品之器件之良率之下降。
(第3實施形態)
圖13係本發明之第3實施形態中之平面化前之積層體塊之部分側面圖。如圖13所示，平面化前之積層體塊30係於器件基板31與支撐板32之間***有樹脂層33者。樹脂層33係以可剝離之方式密著於器件基板31之第1主面311，並且固定於支撐板32上。
樹脂層33變得較器件基板31或支撐板32更小。因此，如圖13所示，導致於積層體塊30之外周面34形成凹槽35。
此時，藉由沿圖13之A-A'線切斷積層體塊30，可使積層體塊30之外周面34平面化，可去除凹槽35。
但，於沿圖13之B-B'線或C-C'線切斷積層體塊30之情形時，無法使積層體塊30之外周面34平面化，因此凹槽35之一部分或者全部殘存。
於上述情形時，由於凹槽35之一部分或者全部殘存，故於器件之製造步驟中容易殘存塗佈液之殘渣。該殘渣於器件製造步驟中之加熱處理步驟中成為發塵源，因此發塵污染加熱處理步驟內，使作為製品之器件之良率下降。
本實施形態中，可去除凹槽35，因此於器件之製造步驟中可抑制發塵，可抑制作為製品之器件之良率之下降。
[實施例]
以下，藉由實施例等，對本發明進行具體說明，但本發明不受該等實施例之限定。
(實施例1)
支撐板係使用利用浮式法獲得之縱370 mm×橫320 mm×厚0.6 mm之玻璃板(旭硝子公司製造，AN100，無鹼玻璃)。該玻璃板之平均線膨脹係數為38×10-7 /℃。
將該玻璃板進行純水清洗、UV清洗，使玻璃板之表面清潔化。其後，於玻璃板之表面，利用旋塗機塗佈無溶劑加成反應型聚矽氧(Shin-Etsu Silicone公司製造，KNS-320A)100質量份與鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicone公司製造，CAT-PL-56)5質量份之混合物(塗佈量20 g/m2 )。
上述無溶劑加成反應型聚矽氧係包含具有鍵結於矽原子之乙烯基與甲基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷(主劑)、及具有鍵結於矽原子之氫原子與甲基之直鏈狀有機氫化聚矽氧烷(交聯劑)者。
使塗佈於玻璃板上之混合物於大氣中、180℃下加熱硬化10分鐘，於玻璃板上形成縱366 mm×橫316 mm之樹脂層，並固定。
另一方面，器件基板係使用包含聚醚碸之縱370 mm×橫320 mm×厚0.1 mm之樹脂基板(住友電木公司製造，Sumilite FS-5300)。該樹脂基板之平均線膨脹係數為540×10-7 /℃。
將該樹脂基板進行純水清洗、UV清洗，使樹脂基板之表面清潔化。其後，將樹脂基板與玻璃板對準後，使用真空加壓裝置，於室溫下使固定於玻璃板上之樹脂層密著於樹脂基板之第1主面。
以上述方式，獲得與圖2所示之積層體塊大致相同之積層體塊。將所得之積層體塊於厚度方向切斷，將積層體塊之外周部遍及圓周方向全周而以10 mm之寬度去除。具體而言，使用截切刀將樹脂基板及樹脂層於厚度方向切斷，並且使用玻璃切割機於玻璃板之主面形成劃線後，使積層體塊撓曲變形而沿劃線割斷，將積層體塊之外周部遍及圓周方向全周而去除。
於該狀態下，樹脂基板、玻璃板、及樹脂層之外周面遍及圓周方向全周而一致，積層體塊之外周面遍及圓周方向全周而平面化。又，積層體塊之外周面未看到凹槽。
繼而，將平面化後之積層體塊浸漬於CF用之黑色矩陣用抗蝕液(旭硝子公司製造，PMA-ST)中後，以丙二醇單甲醚乙酸酯(抗蝕液之主溶劑)清洗。其後，於熱風烘箱中以120℃乾燥30分鐘，以顯微鏡觀察積層體之外周面，結果未看到抗蝕液之殘渣。
(實施例2)
實施例2中，除支撐板係使用利用浮式法獲得之縱370 mm×橫320 mm×厚0.4 mm之玻璃板(旭硝子公司製造，AN100，無鹼玻璃)以外，以與實施例1相同之方式，於玻璃板上形成樹脂層，並固定。
又，實施例2中，除器件基板係使用利用浮式法獲得之縱370 mm×橫320 mm×厚0.3 mm之玻璃基板(旭硝子公司製造，AN100，無鹼玻璃)以外，以與實施例1相同之方式，使固定於玻璃板上之樹脂層密著於玻璃基板之第1主面。
以上述方式，獲得與圖2所示之積層體塊大致相同之積層體塊。將所得之積層體塊於厚度方向切斷，將積層體塊之外周部遍及圓周方向全周而以10 mm之寬度去除。具體而言，使用玻璃切割機於玻璃基板之第2主面形成劃線，並且使用玻璃切割機於玻璃板之主面形成劃線後，使積層體塊撓曲變形而沿劃線割斷，將積層體塊之外周部遍及圓周方向全周而去除。
於該狀態下，於玻璃基板、玻璃板、及樹脂層之外周面遍及圓周方向全周而一致，積層體塊之外周面係遍及圓周方向全周而平面化。又，積層體塊之外周面未看到凹槽。
使用磨石，將該積層體塊之外周面之角部遍及圓周方向全周而倒角。倒角尺寸係設為曲率半徑R=0.4(單位：mm)。
繼而，以與實施例1相同之方式，將倒角後之積層體塊浸漬於抗蝕液中，清洗、乾燥後，以顯微鏡觀察積層體之外周面。其結果，未看到抗蝕液之殘渣。
(比較例1)
比較例1中，以與實施例1相同之方式，將以與實施例2相同之方式獲得之切斷前之積層體塊浸漬於抗蝕液中，清洗、乾燥後，以顯微鏡觀察積層體之外周面。其結果，看到抗蝕液之殘渣。
已詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行說明，業者明白，可於不脫離本發明之精神及範圍之情況下加以各種變更或修正。
本申請案係基於2010年1月25日申請之日本專利申請2010-012785者，其內容係作為參照而併入本文中。
10、10A、10B、10C、20、30．．．積層體塊
11、11A、11B、11C、21、31．．．器件基板
12、12A、12B、22、32．．．支撐板
13、13A、13B、23、33．．．樹脂層
14、14A、14B、134B、24、34．．．外周面
15、25、35．．．凹槽
110、120．．．角部
111、111A、111B、111C、211、311．．．第1主面
112、112A、112B、112C．．．第2主面
A．．．箭頭
A-A'．．．線
B-B'．．．線
C-C'．．．線
R1．．．器件基板側之曲率半徑
R2．．．支撐板側之曲率半徑
θ1．．．器件基板側之倒角角度
θ2．．．支撐板側之倒角角度
圖1係本發明之第1實施形態中之積層體之製造方法之步驟圖。
圖2係本發明之第1實施形態中之平面化前之積層體塊之部分側面圖。
圖3係本發明之第1實施形態中之平面化後之積層體塊之部分側面圖。
圖4係本發明之第1實施形態中之倒角方法之說明圖(1)。
圖5係本發明之第1實施形態中之倒角方法之說明圖(2)。
圖6係本發明之第1實施形態中之倒角方法之說明圖(3)。
圖7係本發明之第1實施形態中之倒角後之積層體塊之部分側面圖。
圖8係本發明之第1實施形態中之研磨後之積層體塊之部分側面圖。
圖9係本發明之第1實施形態中之器件之製造方法之步驟圖。
圖10係本發明之第1實施形態中之LCD之製造方法之步驟圖。
圖11係本發明之第1實施形態中之OLED之製造方法之步驟圖。
圖12係本發明之第2實施形態中之平面化前之積層體塊之部分側面圖。
圖13係本發明之第3實施形態中之平面化前之積層體塊之部分側面圖。
(無元件符號說明)

Claims (8)

  1. 一種積層體之製造方法，該積層體用於器件之製造，其中該製造方法包括如下步驟：於玻璃製之器件基板與玻璃製之支撐板之間***有樹脂層，該樹脂層係以可剝離之方式密著於上述器件基板之第1主面，並且將固定於上述支撐板上之積層體塊切斷為預定尺寸，使上述積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分平面化，且藉由該步驟，去除存在於上述積層體塊外周之凹槽。
  2. 如請求項1之積層體之製造方法，其更包括如下步驟：將上述積層體塊之外周面之經平面化之部分之角部倒角。
  3. 如請求項2之積層體之製造方法，其中上述器件基板係利用浮式法製造之玻璃基板，且包括如下步驟：將上述角部倒角後，研磨上述器件基板之第2主面。
  4. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中上述樹脂層之外周面之經平面化之部分與上述樹脂層之厚度方向大致平行。
  5. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中上述器件基板係厚度0.03mm以上且小於0.8mm之玻璃基板。
  6. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中上述樹脂層包含選自由丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基 甲酸酯樹脂、及聚矽氧樹脂所組成之群中之至少一種。
  7. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中上述樹脂層之厚度為5~50μm。
  8. 一種積層體，該積層體用於器件之製造，其中於玻璃製之器件基板與玻璃製之支撐板之間***有樹脂層，該樹脂層係以可剝離之方式密著於上述器件基板之第1主面，並且將固定於上述支撐板上之積層體塊切斷為預定尺寸，使上述積層體塊之外周面之至少圓周方向一部分平面化，藉此去除存在於上述積層體塊外周之凹槽。
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