JPWO2011090004A1 - 積層体の製造方法および積層体 - Google Patents

Abstract

本発明は、デバイス基板と支持板との間に樹脂層が介装され、該樹脂層が前記デバイス基板の第１主面に剥離可能に密着されると共に前記支持板上に固定された積層体ブロックを所定寸法に切断し、前記積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化する工程を含む、積層体の製造方法に関する。

Description

本発明は、積層体の製造方法および積層体に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）等のデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いる基板（以下、「デバイス基板」という）の薄板化が進行している。薄板化によりデバイス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、デバイス基板のハンドリング性が低下する。

そこで、従来から、最終厚さよりも厚いデバイス基板上にデバイス用部材を形成し、その後デバイス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。しかしながら、この方法では、例えば、１枚のデバイス基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々のデバイス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。

また、上記の化学エッチング処理によるデバイス基板の薄板化方法においては、デバイス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。

最近では、上記の課題に対応するため、デバイス基板の第１主面に、支持板上に固定した樹脂層を剥離可能に密着させた積層体を用意し、積層体のデバイス基板の第２主面上にデバイス用部材を形成した後、デバイス基板から樹脂層付き支持板を剥離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第０７／０１８０２８号パンフレット

しかしながら、上記従来の積層体では、積層体の外周面に凹溝が形成されてしまうことがある。例えば、デバイス基板や支持板が面取り加工されたものである場合や、樹脂層が液状の樹脂組成物を支持板に塗布して加熱硬化させたものである場合、デバイス基板や支持板の外周面や樹脂層の外周面が丸みを帯びているので、積層体の外周面に凹溝が形成されてしまう。

デバイスの製造工程には、デバイス基板の表面に形成された導電膜を、サンドブラスト、エッチング等の処理をして、配線や素子形成等のパターン形成する工程がある。このパターン形成工程の前には、導電膜の表面の一部を保護するため、導電膜の表面にレジスト液等のコーティング液を塗布する塗布工程がある。

デバイスの製造工程の塗布工程において、コーティング液が毛細管現象によって凹溝に浸入し、溜まりやすい。凹溝内に溜まったコーティング液は、洗浄によっても除去されにくく、乾燥後に残渣が残りやすい。この残渣は、デバイス製造工程における加熱処理工程において発塵源となるので、発塵が加熱処理工程内を汚染し、製品であるデバイスの歩留まりを低下させる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、デバイスの製造工程において、発塵を抑制することができる積層体の製造方法および積層体を提供することを主な目的とする。

上記目的を解決するため、本発明の積層体の製造方法は、
デバイス基板と支持板との間に樹脂層が介装され、該樹脂層が前記デバイス基板の第１主面に剥離可能に密着されると共に前記支持板上に固定された積層体ブロックを所定寸法に切断し、前記積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化する工程を含む方法である。

さらに、本発明の積層体の製造方法は、前記積層体ブロックの外周面の平面化された部分の角部を面取りする工程を含むことが好ましい。
また、前記樹脂層の外周面の平面化された部分が前記樹脂層の厚さ方向に略平行であることが好ましい。
また、前記デバイス基板がフロート法により製造されたガラス基板であって、前記角部を面取り後、前記デバイス基板の第２主面を研磨する工程を含むことが好ましい。

前記デバイス基板は、厚さ０．０３ｍｍ以上０．８ｍｍ未満のガラス基板であることが好ましい。
前記樹脂層は、アクリル樹脂層、ポリオレフィン樹脂層、ポリウレタン樹脂層、及びシリコーン樹脂層からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。
前記樹脂層の厚さが５〜５０μｍであることが好ましい。

また、本発明の積層体は、
デバイス基板と支持板との間に樹脂層が介装され、該樹脂層が前記デバイス基板の第１主面に剥離可能に密着されると共に前記支持板上に固定された積層体ブロックを所定寸法に切断し、前記積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化したものである。

本発明によれば、デバイスの製造工程において、発塵を抑制することができる積層体の製造方法および積層体を提供することができる。

図１は、本発明の第１実施形態における積層体の製造方法の工程図である。 図２は、本発明の第１実施形態における平面化前の積層体ブロックの部分側面図である。 図３は、本発明の第１実施形態における平面化後の積層体ブロックの部分側面図である。 図４は、本発明の第１実施形態における面取り方法の説明図（１）である。 図５は、本発明の第１実施形態における面取り方法の説明図（２）である。 図６は、本発明の第１実施形態における面取り方法の説明図（３）である。 図７は、本発明の第１実施形態における面取り後の積層体ブロックの部分側面図である。 図８は、本発明の第１実施形態における研磨後の積層体ブロックの部分側面図である。 図９は、本発明の第１実施形態におけるデバイスの製造方法の工程図である。 図１０は、本発明の第１実施形態におけるＬＣＤの製造方法の工程図である。 図１１は、本発明の第１実施形態におけるＯＬＥＤの製造方法の工程図である。 図１２は、本発明の第２実施形態における平面化前の積層体ブロックの部分側面図である。 図１３は、本発明の第３実施形態における平面化前の積層体ブロックの部分側面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図中、同一構成は同一符号を付して説明を省略する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態における積層体の製造方法の工程図である。図１に示すように、積層体の製造方法は、デバイス基板と支持板との間に樹脂層が介装され、該樹脂層がデバイス基板の第１主面に剥離可能に密着されると共に支持板上に固定された積層体ブロックを所定寸法に切断し、積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化する工程（ステップＳ１１）を有する。

平面化後の積層体は、詳しくは後述するが、デバイスの製造に使用される。平面化後の積層体における樹脂層付き支持板は、デバイスの製造工程の途中まで（デバイス基板と樹脂層とが剥離操作によって剥離されるまで）使用される。デバイス基板と樹脂層とが剥離された後は、樹脂層付き支持板は、デバイスの製造工程から除かれ、デバイスを構成する部材とはならない。デバイス基板から剥離された樹脂層付き支持板は、積層体の製造工程に再利用することができる。すなわち、樹脂層付き支持板の樹脂層上に新たなデバイス基板が積層されて、新たな積層体ブロックを得ることができる。

はじめに、平面化前の積層体ブロックについて説明し、次いで、平面化後の積層体ブロックについて説明し、最後に、デバイスの製造工程について説明する。

図２は、本発明の第１実施形態における平面化前の積層体ブロックの部分側面図である。図２に示すように、平面化前の積層体ブロック１０は、デバイス基板１１と支持板１２との間に樹脂層１３が介装されたものである。樹脂層１３は、デバイス基板１１の第１主面１１１に剥離可能に密着されると共に、支持板１２上に固定されている。

（デバイス基板）
デバイス基板１１は、第２主面１１２にデバイス用部材が形成されてデバイスを構成する。ここで、デバイス用部材とは、デバイス（電子機器）の少なくとも一部を構成する部材をいう。具体例としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、カラーフィルタ（ＣＦ）が挙げられる。デバイスとしては、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）等が例示される。デバイス用部材は、積層体ブロック１０の外周面を平面化した後に、デバイス基板１１の第２主面１１２に形成される。

デバイス基板１１の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ガラス基板、または樹脂基板、あるいはＳＵＳ基板等の金属基板であってよい。これらの中でも、ガラス基板が好ましい。ガラス基板は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低いからである。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２−１９９５に規定されている線膨張係数が用いられる。

デバイス基板１１の線膨張係数が大きいと、デバイスの製造工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、デバイス基板１１上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたデバイス基板１１を冷却すると、デバイス基板１１の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えばフロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法等が用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸等の手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板のガラスは、特に限定されないが、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板のガラスとしては、デバイスの種類やその製造工程に適したガラスが採用されることが好ましい。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなることが好ましい。このように、ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

デバイス基板の厚さは、特に限定されないが、通常０．８ｍｍ未満であり、好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。また、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。特に、デバイス基板がガラス基板である場合、ガラス基板の薄型化および／または軽量化の観点から、通常０．８ｍｍ未満であり、好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ以上の場合、ガラス基板の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板をロール状に巻き取ることが可能である。また、ガラス基板の厚さは、ガラス基板の製造が容易であること、ガラス基板の取り扱いが容易であること等の理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

樹脂基板の樹脂の種類は、特に限定されない。透明な樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、透明フッ素樹脂、透明ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン系有機無機ハイブリッド樹脂、有機ポリマー／バイオナノファイバーハイブリッド樹脂などが例示される。また、不透明な樹脂としては、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、各種液晶ポリマー樹脂などが例示される。なお、樹脂基板は、表面に保護層等の機能層が形成されてなるものであってもよい。

（支持板）
支持板１２は、デバイス基板１１を支持して補強し、デバイスの製造工程においてデバイス基板１１の変形、傷付き、破損等を防止する。また、従来よりも厚さが薄いデバイス基板１１を使用する場合、従来のデバイス基板と同じ厚さの積層体ブロック１０とすることにより、デバイスの製造工程において、従来の厚さのデバイス基板に適合した製造技術や製造設備を使用可能にすることも、支持板１２を使用する目的の１つである。

支持板１２の厚さは、デバイス基板１１よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、デバイス基板１１の厚さ、樹脂層１３の厚さ、および積層体ブロック１０の厚さに基づいて、支持板１２の厚さが選択される。例えば、現行のデバイスの製造工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、デバイス基板１１の厚さと樹脂層１３の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持板１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくい等の理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。

支持板１２の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ガラス板、樹脂板、金属板等であってよい。支持板１２は、デバイスの製造工程が熱処理を伴う場合、デバイス基板１１との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、デバイス基板１１と同一材料で形成されることがより好ましい。

デバイス基板１１と支持板１２との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは７００×１０^−７／℃以下であり、より好ましくは５００×１０^−７／℃以下であり、さらに好ましくは３００×１０^−７／℃以下である。差が大き過ぎると、デバイスの製造工程における加熱冷却時に、積層体ブロック１０が激しく反ったり、デバイス基板１１と支持板１２とが剥離する可能性がある。デバイス基板１１の材料と支持板１２の材料が同じ場合、このような問題を生じるおそれがない。

（樹脂層）
樹脂層１３は、支持板１２上に固定されており、また、デバイス基板１１の第１主面１１１に剥離可能に密着されている。樹脂層１３は、剥離操作が行われるまでデバイス基板１１の位置ずれを防止すると共に、剥離操作によってデバイス基板１１から容易に剥離し、デバイス基板１１等が剥離操作によって破損するのを防止する。

樹脂層１３の表面は、一般的な粘着剤が有するような粘着力ではなく、固体分子間におけるファンデルワールス力に起因する力によって、デバイス基板１１の第１主面１１１に貼り付いていることが好ましい。容易に剥離することができるからである。本発明では、この樹脂層表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。

一方、樹脂層１３の支持板１２の表面に対する結合力は、樹脂層１３のデバイス基板１１の第１主面１１１に対する結合力よりも相対的に高い。本発明では、樹脂層１３表面のデバイス基板１１表面に対する結合を密着といい、支持板３２表面に対する結合を固定という。

樹脂層１３の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層１３の厚さがこのような範囲であると、樹脂層１３とデバイス基板１１との密着が十分になるからである。また、樹脂層１３とデバイス基板１１との間に気泡や異物が介在しても、デバイス基板１１のゆがみ欠陥の発生を抑制することができるからである。また、樹脂層１３の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではない。

なお、樹脂層１３は２層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層の厚さ」は全ての樹脂層の合計の厚さを意味するものとする。

また、樹脂層１３が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂の種類が異なってもよい。

樹脂層１３の表面張力は、３０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましく、２２ｍＮ／ｍ以下であることがさらに好ましい。また、１５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましい。このような範囲の表面張力であると、より容易にデバイス基板１１と剥離することができ、同時にデバイス基板１１との密着も十分になるからである。

表面張力は次のように測定する。まず、樹脂層１３に対して表面張力が既知である複数の液体を用い、２０℃における各液体の接触角を測定する。次に、各液体の表面張力と接触角（ｃｏｓθ）をプロットし、直線近似して、ｃｏｓθ＝１となる表面張力値を外挿し、樹脂層１３の臨界表面張力を求める。この臨界表面張力を樹脂層１３の表面張力とする。

樹脂層１３は、ガラス転移点が室温（２５℃程度）よりも低い、またはガラス転移点を有しない材料からなることが好ましい。非粘着性の樹脂層となり、より容易にデバイス基板１１と剥離することができ、同時にデバイス基板１１との密着も十分になるからである。

また、樹脂層１３は、デバイスの製造工程において加熱処理されることが多いので、耐熱性を有していることが好ましい。

また、樹脂層１３の弾性率が高すぎるとデバイス基板１１との密着性が低くなる傾向にある。一方、樹脂層１３の弾性率が低すぎると剥離性が低くなる傾向にある。

樹脂層１３を形成する樹脂の種類は、特に限定されない。例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂およびシリコーン樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いることもでき、いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でもシリコーン樹脂が好ましい。シリコーン樹脂は、耐熱性や剥離性に優れるためである。また、支持板１２がガラス板である場合、表面のシラノール基との縮合反応によって、支持板１２に固定し易いからである。シリコーン樹脂層は、例えば３００〜４００℃程度で１時間程度処理しても、剥離性がほぼ劣化しない点も好ましい。

樹脂層１３は、シリコーン樹脂の中でも剥離紙用に使用されるシリコーン樹脂（硬化物）からなることが好ましい。剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性樹脂組成物を支持板１２の表面に硬化させて形成した樹脂層１３は、優れた剥離性を有するので好ましい。また、柔軟性が高いので、樹脂層１３とデバイス基板１１との間へ気泡や塵介等の異物が混入してもデバイス基板１１のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。

このような剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンは、その硬化機構により縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーンが好ましい。硬化反応のしやすさ、樹脂層１３を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。

付加反応型シリコーンは、ビニル基などの不飽和基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンとケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンと白金系触媒などの触媒との組み合わせから得られる硬化性樹脂組成物であり、常温下でまたは加熱により硬化して硬化したシリコーン樹脂となるものである。

また、剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンは形態的に溶剤型、エマルジョン型および無溶剤型があり、いずれの型も使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。生産性、安全性、環境特性の面が優れるからである。また、樹脂層１３を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層１３中に気泡が残留しにくいからである。

また、剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンとして、具体的には市販されている商品名または型番としてＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７（いずれも信越シリコーン社製）、ＴＰＲ６７００（ＧＥ東芝シリコーン社製）、ビニルシリコーン「８５００」（荒川化学工業株式会社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業株式会社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６４」（荒川化学工業株式会社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業株式会社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６５」（荒川化学工業株式会社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業株式会社製）との組み合わせ等が挙げられる。

なお、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７およびＴＰＲ６７００は、あらかじめ主剤と架橋剤とを含有している硬化性シリコーンである。

また、樹脂層１３を形成するシリコーン樹脂は、シリコーン樹脂層中の成分がデバイス基板１１に移行しにくい性質、すなわち低シリコーン移行性を有することが好ましい。

（固定方法）
樹脂層１３を支持板１２上に固定する方法は、特に限定されないが、例えばフィルム状の樹脂を支持板１２の表面に固定する方法が挙げられる。具体的には、支持板１２の表面に、フィルムの表面に対する高い固定力（高い剥離強度）を付与するために、支持板１２の表面に表面改質処理（プライミング処理）を行い、支持板１２上に固定する方法が挙げられる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）、フレーム（火炎）処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。

また、例えば樹脂層１３となる硬化性樹脂組成物を、支持板１２上にコートする方法が挙げられる。コートする方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法等が挙げられる。このような方法の中から、樹脂組成物に種類に応じて適宜選択することができる。

また、樹脂層１３となる硬化性樹脂組成物を支持板１２上にコートする場合、その塗工量は１〜１００ｇ／ｍ^２であることが好ましく、５〜２０ｇ／ｍ^２であることがより好ましい。

例えば付加反応型シリコーンの硬化性樹脂組成物から樹脂層１３を形成する場合、アルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンと触媒との混合物からなる硬化性樹脂組成物を、上記のスプレーコート法等の公知の方法により支持板１２上に塗工し、その後に加熱硬化させる。加熱硬化条件は、触媒の配合量によっても異なるが、例えば、アルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの合計量１００質量部に対して、白金系触媒を２質量部配合した場合、大気中で５０℃〜２５０℃、好ましくは１００℃〜２００℃で反応させる。また、この場合の反応時間は５〜６０分間、好ましくは１０〜３０分間とする。低シリコーン移行性を有するシリコーン樹脂層とするためには、シリコーン樹脂層中に未反応のシリコーン成分が残らないように、硬化反応をできるだけ進行させることが好ましい。上記のような反応温度および反応時間であると、シリコーン樹脂層中に未反応のシリコーン成分がほとんど残らないようにすることができるので好ましい。上記した反応時間よりも長すぎたり、反応温度が高すぎる場合には、シリコーン樹脂の酸化分解が同時に起こり、低分子量のシリコーン成分が生成して、シリコーン移行性が高くなる可能性がある。シリコーン樹脂層中に未反応のシリコーン成分が残らないように硬化反応をできるだけ進行させることは、加熱処理後の剥離性を良好にするためにも好ましい。

また、例えば樹脂層１３を、剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性樹脂組成物を用いて製造した場合、支持板１２上に塗工した硬化性樹脂組成物を加熱硬化してシリコーン樹脂層を形成する。硬化性樹脂組成物を加熱硬化させることによって、硬化反応の際にシリコーン樹脂が支持板１２と化学的に結合する。また、アンカー効果によってシリコーン樹脂層が支持板１２と結合する。これらの作用によって、シリコーン樹脂層が支持板１２に強固に固定される。

（密着方法）
支持体上に形成した樹脂層１３をデバイス基板１１上に剥離可能に密着させる方法は、公知の方法であってよい。例えば、常圧環境下で樹脂層１３の剥離性表面にデバイス基板１１を重ねた後、ロールやプレスを用いて樹脂層１３とデバイス基板１１とを圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより樹脂層１３とデバイス基板１１とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、樹脂層１３とデバイス基板１１との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

支持体上に形成した樹脂層１３とデバイス基板１１を真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保がより好ましく行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、デバイス基板１１のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

樹脂層１３をデバイス基板１１上に剥離可能に密着させる際には、樹脂層１３およびデバイス基板１１の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。樹脂層１３とデバイス基板１１との間に異物が混入しても、樹脂層１３が変形するのでデバイス基板１１の表面の平坦性に影響を与えることはないが、クリーン度が高いほどその平坦性は良好となるので好ましい。

なお、樹脂層１３を支持板１２上に固定する工程と、樹脂層１３をデバイス基板１１上に剥離可能に密着させる工程との順序に制限はなく、例えば略同時であってもよい。

（積層体ブロックの切断）
このようにして得られた積層体ブロック１０の外周面１４には、凹溝１５が形成されてしまうことがある。例えば、図２に示すように、デバイス基板１１や支持板１２が面取り加工されたものである場合や、樹脂層１３が液状の樹脂組成物を支持板１２に塗布して加熱硬化させたものである場合、デバイス基板１１や支持板１２、樹脂層１３の外周面が丸みを帯びているので、積層体ブロック１０の外周面１４に凹溝１５が形成されてしまう。

本実施形態では、図１に示すように、積層体の製造方法は、積層体ブロックを所定寸法に切断し、積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化する工程（ステップＳ１１）を有する。より詳細には、積層体ブロックを所定寸法に切断し、積層体ブロックの外周部の少なくとも周方向一部（好ましくは、周方向全周）を取り除いて、積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部（好ましくは、周方向全周）を平面化する。

積層体ブロック１０を切断する方法は、一般的な方法であってよい。例えば、刃物で切断する方法、レーザ等の高エネルギー線で溶断する方法、デバイス基板および支持板の少なくとも一方の板状物の主面に刃物やレーザ等を用いてスクライブ線を形成し、スクライブ線に沿って割断する方法等が挙げられる。これらの切断方法は、単独でまたは組み合わせて用いられる。このように、切断とは、溶断や割断を含む。

切断方法は、デバイス基板１１、支持板１２、樹脂層１３の種類や厚さ等に応じても適宜選択される。例えば、デバイス基板１１または支持板１２がガラスからなる場合、ガラスの主面にスクライブ線を形成し、その後、積層体ブロック１０を曲げ変形してスクライブ線に沿って割断する方法が好適である。また、デバイス基板１１および支持板１２がガラスからなる場合、両方のガラスの主面にスクライブ線を形成し、その後、積層体ブロック１０を曲げ変形して両方のスクライブ線に沿って割断する方法が好適である。割断する場合、樹脂層１３の厚さが５０μｍ以下であることが好ましい。樹脂層１３が厚すぎると、割断するのが困難になる。

切断方向は、デバイス基板１１から支持板１２に向かう方向であってもよいし、支持板１２からデバイス基板１１に向かう方向であってもよい。また、切断方向は、一方向であってもよいし、両方向であってもよい。さらに、切断方向は、積層体ブロックの厚さ方向（即ち、樹脂層の厚さ方向）に略平行であることが好ましい。樹脂層１３の露出面積を小さくすることができ、デバイス製造工程における加熱処理による樹脂層１３の劣化を抑制することができるからである。

図３は、本発明の第１実施形態における外周面平面化後の積層体ブロックの部分側面図である。図３の積層体ブロック１０Ａは、図２のＡ−Ａ'線に沿って積層体ブロック１０を切断したものである。平面化後のデバイス基板１１Ａ、支持板１２Ａ、樹脂層１３Ａは、それぞれ、平面化前のデバイス基板１１、支持板１２、樹脂層１３に対応する。

平面化後の積層体ブロック１０Ａは、デバイス基板１１Ａと支持板１２Ａとの間に樹脂層１３Ａが介装されたものである。樹脂層１３Ａは、デバイス基板１１Ａの第１主面１１１Ａに剥離可能に密着されると共に、支持板１２Ａ上に固定されている。なお、デバイス基板１１Ａの第２主面１１２Ａには、詳しくは後述するが、デバイス用部材が形成される。

平面化後の積層体ブロック１０Ａの外周面１４Ａは、図３に示すように、平面になっており、凹溝１５（図２参照）が取り除かれている。

ところで、このような凹溝１５が存在すると、デバイスの製造工程において、レジスト液等のコーティング液が毛細管現象によって浸入し、溜まりやすい。凹溝１５内に溜まったコーティング液は、洗浄によっても除去されにくく、乾燥後に残渣が残りやすい。この残渣は、デバイス製造工程における加熱処理工程において発塵源となるので、発塵が加熱処理工程内を汚染し、製品であるデバイスの歩留まりを低下させる。

本実施形態では、凹溝１５が取り除かれているので、デバイスの製造工程において、コーティング液の残渣が溜まりにくい。従って、加熱処理工程において発塵を抑制することができ、製品であるデバイスの歩留まりの低下を抑制することができる。

（積層体ブロックの面取り）
図１に示すように、積層体の製造方法は、積層体ブロックの外周面の平面化された部分の角部を面取りする工程（ステップＳ１２）をさらに有してよい。面取りによって、耐衝撃性、安全性を高めることができる。

ところで、積層体ブロックの外周面を平面化する前に、積層体ブロックの角部を面取りする場合、積層体ブロックの外周面に凹溝があると、デバイス基板の端部や支持板の端部が撓んで破損することがある。

本実施形態では、積層体ブロックの外周面を平面化した後に、積層体ブロックの角部を面取りするので、凹溝が予め取り除かれている。このため、面取り時に、デバイス基板の端部や支持板の端部が撓んで破損するのを抑制することができる。

面取り方法は、一般的な方法であってよい。例えば、グラインダー等の面取り機を用いる方法が挙げられる。面取りの種類は、図４に示すように、平面化後の角部１１０、１２０を平面に加工する面取りであってもよいし、図５に示すように、平面化後の角部１１０、１２０を円弧状面に加工するＲ面取りであってもよいし、図６に示すように、平面化後の角部１１０、１２０を平面と円弧状面との組み合わせに加工する面取りであってもよく、特に限定されない。また、樹脂層を削る面取りであってもよいし、樹脂層を削らない面取りであってもよい。

面取り寸法は、デバイス基板、支持板、樹脂層の種類や厚さ等に応じて適宜選択される。Ｒ面取りの場合、デバイス基板側の曲率半径Ｒ１と支持板側の曲率半径Ｒ２とが同一であってもよいし、異なっていてもよい。角部を平面に加工する場合、デバイス基板側の面取り角度θ１と支持板側の面取り角度θ２とが同一であってもよいし、異なっていてもよい。

面取り後、樹脂層の外周面の平面化された部分が樹脂層の厚さ方向に略平行になっていることが好ましい。これによって、樹脂層の露出面積を小さくすることができる。

樹脂層の露出面積が大きいと、デバイスの製造工程における加熱処理によって、樹脂層が劣化しやすくなる。

本実施形態では、樹脂層の露出面積を小さくすることができるので、デバイスの製造工程において、樹脂層の劣化を抑制することができる。

図７は、本発明の第１実施形態における面取り後の積層体ブロックの部分側面図である。図７において、面取り前の積層体ブロックの形状を点線で示す。図７の積層体ブロック１０Ｂは、図３の積層体ブロック１０Ａの切断面の両角部をＲ面取りしたものである。面取り後のデバイス基板１１Ｂ、支持板１２Ｂ、樹脂層１３Ｂは、それぞれ、面取り前のデバイス基板１１Ａ、支持板１２Ａ、樹脂層１３Ａに対応する。

面取り後の積層体ブロック１０Ｂは、デバイス基板１１Ｂと支持板１２Ｂとの間に樹脂層１３Ｂが介装されたものである。樹脂層１３Ｂは、デバイス基板１１Ｂの第１主面１１１Ｂに剥離可能に密着されると共に、支持板１２Ｂ上に固定されている。

面取り後の積層体ブロック１０Ｂは、図７に示すように、外周面１４Ｂが丸みを帯びているので、耐衝撃性や安全性に優れている。

面取り後の積層体ブロック１０Ｂは、図７に示すように、樹脂層１３Ｂの外周面１３４Ｂが樹脂層１３Ｂの厚さ方向（図７中、矢印Ａ方向）に略平行になっているので、樹脂層１３Ｂの露出面積が小さくなっている。このため、デバイスの製造工程における加熱処理によって、樹脂層１３Ｂが劣化するのを抑制することができる。

（積層体ブロックの研磨）
図１に示すように、積層体の製造方法は、デバイス基板がフロート法により製造されたガラス基板である場合、面取り後（即ち、平面化後）、デバイス基板の第２主面を研磨する研磨工程（ステップＳ１３）をさらに有してよい。ここで、フロート法により製造されたガラス基板には、フロート法により製造されたガラス基板をリドロー法により引き伸ばして、厚さをさらに薄くしたガラス基板が含まれる。

フロート法は、フロートバス内の溶融錫上に溶融ガラスを流出し、下流方向に流動させて帯板状のガラスに成形する方法である。帯板状のガラスを切断して、ガラス基板を製造するが、ガラス基板表面には微小な凹凸やうねりが生じる。

前記研磨工程における研磨によって、ガラス基板表面の微小な凹凸やうねりを除去することができ、デバイス用部材が形成される面の平坦性を向上することができる。よって、製品であるデバイスの信頼性を高めることができる。この効果は、ガラス基板の厚さが０．０３〜０．３ｍｍである場合に顕著である。厚さ０．０３〜０．３ｍｍのガラス基板は、単独で研磨することが難しく、積層体ブロックにする前に予め研磨することが難しいからである。

ところで、平面化前に、デバイス基板の第２主面を研磨する場合、積層体ブロックの外周面に凹溝があると、研磨剤が凹溝に入り込んで取れなくなったり、デバイス基板が撓んで破損することがある。また、平面化後であっても、面取り前にデバイス基板の第２主面を研磨する場合には、デバイス基板の鋭利な角部が破損しやすい。

本実施形態では、面取り後（即ち、平面化後）に、デバイス基板の第２主面を研磨するので、デバイス基板の角部が予め面取りされており、且つ、凹溝が予め取り除かれている。このため、研磨時に、凹溝への研磨剤の付着やデバイス基板が破損するのを抑制することができる。

研磨方法は、一般的な方法であってよい。例えば、酸化セリウム等の砥粒を用いた研磨方法が挙げられる。

研磨代は、デバイス基板の厚さや使用するデバイスに応じて適宜設定されるが、例えば０．０５〜１０μｍである。

図８は、本発明の第１実施形態における研磨後の積層体ブロックの部分側面図である。図８において、研磨前の積層体ブロックの形状を点線で示す。図８の積層体ブロック１０Ｃは、図７の積層体ブロック１０Ｂのデバイス基板１１Ｂの第２主面１１２Ｂを研磨したものである。研磨後のデバイス基板１１Ｃは、研磨前のデバイス基板１１Ｂに対応する。

研磨後の積層体ブロック１０Ｃは、デバイス基板１１Ｃと支持板１２Ｂとの間に樹脂層１３Ｂが介装されたものである。樹脂層１３Ｂは、デバイス基板１１Ｃの第１主面１１１Ｃに剥離可能に密着されると共に、支持板１２Ｂ上に固定されている。

研磨後の積層体ブロック１０Ｃは、研磨前の積層体ブロック１０Ｂに比べて、デバイス用部材が形成される第２主面１１２Ｃの平坦性、清浄度が高くなっている。

（デバイスの製造方法）
図９は、本発明の第１実施形態におけるデバイスの製造方法を示す工程図である。

デバイスの製造方法は、平面化後の積層体ブロック（積層体）のデバイス基板の第２主面上に、コーティング液を用いてデバイス用部材を形成する工程（ステップＳ６１）と、デバイス基板と樹脂層とを剥離する工程（ステップＳ６２）とを有する。ここで、平面化後の積層体ブロック（積層体）は、面取り後の積層体ブロック（積層体）、研磨後の積層体ブロック（積層体）を当然に含む。

デバイス用部材は、デバイス基板の第２主面に形成されてデバイスの少なくとも一部を構成する部材である。デバイス用部材は、デバイス基板の第２主面に最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。樹脂層から剥離された、部分部材付きデバイス基板を、その後の工程で、全部材付きデバイス基板とすることができるからである。さらにその後、全部材付きデバイス基板を用いてデバイスが製造される。また、樹脂層から剥離された、全部材付きデバイス基板には、その剥離面（第１主面）に他のデバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を用いてデバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から樹脂層付き支持板を剥離して、デバイスを製造することができる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いてデバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の樹脂層付き支持板を剥離して、デバイスを製造することもできる。

デバイス基板と樹脂層とを剥離する方法は、公知の方法であってよい。例えば、デバイス基板と樹脂層との間に剥離刃を刺入し、その後、剥離刃の刺入位置に圧縮空気と水とを混合した流体を吹き付ける。この状態で、積層体の一方の主面を平坦に保持し、他方の主面を刺入位置付近から順次撓み変形させる。このようにして、デバイス基板と樹脂層とを剥離することができる。

図１０は、本発明の第１実施形態におけるＬＣＤの製造方法の工程図である。本実施形態では、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法について説明するが、本発明をＳＴＮ−ＬＣＤの製造方法に適用してもよく、液晶パネルの種類ないし方式に制限はない。

ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は、平面化後の積層体ブロック（積層体）のデバイス基板の第２主面上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する工程（ステップＳ７１）と、別の平面化後の積層体ブロック（積層体）のデバイス基板の第２主面上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成する工程（ステップＳ７２）と、ＴＦＴ付きデバイス基板と、ＣＦ付きデバイス基板とを積層する工程（ステップＳ７３）と、両方のデバイス基板と樹脂層とを剥離する工程（ステップＳ７４）とを有する。なお、ＴＦＴ形成工程（ステップＳ７１）と、ＣＦ形成工程（ステップＳ７２）との順序に制限はなく、略同時であってもよい。また、剥離工程（ステップＳ７４）は、積層工程（ステップＳ７３）の前であってもよく、ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程の途中であってもよい。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、デバイス基板の第２主面上にＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。

なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、デバイス基板の第２主面を洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

積層工程では、ＴＦＴ付き積層体と、ＣＦ付き積層体との間に液晶材を注入して積層する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

減圧注入法では、例えば、最初に、シール材およびスペーサ材を用いて両積層体を、ＴＦＴが存在する面とＣＦが存在する面とが対向するように貼り合わせる。次に、両積層体から２枚の樹脂層付き支持板を剥離する。その後、貼り合わせた両デバイス基板を複数のセルに切断する。切断された各セルの内部を減圧雰囲気としたうえで、注入孔から各セルの内部に液晶材を注入し、注入孔を封止する。続いて、各セルに偏光板を貼り付け、バックライト等を組み込み、液晶パネルを製造する。

なお、本実施形態では、両積層体から２枚の樹脂層付き支持板を剥離し、その後、貼り合わせた両デバイス基板を複数のセルに切断するとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、シール材およびペーサ材を用いて両積層体を貼り合わせる前に、各積層体から樹脂層付き支持板を剥離してもよい。

滴下注入法では、例えば、最初に、両積層体のいずれか一方に液晶材を滴下しておき、シール材およびスペーサ材を用いて両積層体を、ＴＦＴが存在する面とＣＦが存在する面とが対向するように積層する。次に、両積層体から２枚の樹脂層付き支持板を剥離する。その後、積層した両デバイス基板を複数のセルに切断する。続いて、各セルに偏光板を貼り付け、バックライト等を組み込み、液晶パネルを製造する。

液晶パネルの製造方法は、上記工程の他、デバイス基板であるガラス基板から樹脂層付き支持板を剥離した後に、ガラス基板をケミカルエッチング処理により薄板化する工程（ステップＳ７５）を更に有してもよい。ガラス基板の第１主面は、支持板により保護されていたので、エッチング処理を行ったとしても、エッチピットが発生しにくい。

なお、図１０に示す例では、ＴＦＴ付きデバイス基板、ＣＦ付きデバイス基板の製造にそれぞれ積層体を１つずつ用いるとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、ＴＦＴ付きデバイス基板、ＣＦ付きデバイス基板のいずれか一方のみの基板の製造に積層体を用いてもよい。

図１１は、本発明の第１実施形態における有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）の製造方法の工程図である。

有機ＥＬパネルの製造方法は、パターン形成用のレジスト液を用いて、平面化後の積層体のデバイス基板の第２主面上に有機ＥＬ素子を形成する工程（ステップＳ８１）と、有機ＥＬ素子上に対向基板を積層する工程（ステップＳ８２）と、デバイス基板と樹脂層とを剥離する工程（ステップＳ８３）とを有する。なお、剥離工程（ステップＳ８３）は、積層工程（ステップＳ８２）の前であってもよく、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ８１）の途中であってもよい。

有機ＥＬ素子形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術や蒸着技術等を用いてデバイス基板の第２主面上に有機ＥＬ素子を形成する。この際、デバイス基板の第２主面上に、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が塗布される。有機ＥＬ素子は、例えば、透明電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等からなる。

なお、有機ＥＬ素子を形成する前に、必要に応じて、デバイス基板の第２主面を洗浄してもよい。洗浄方法としては、例えばドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

積層工程では、例えば、最初に、有機ＥＬ素子付きデバイス基板から、樹脂層付き支持板を剥離する。その後、有機ＥＬ素子付きデバイス基板を、複数のセルに切断する。続いて、有機ＥＬ素子と対向基板とが接触するように、各セルと対向基板とを貼り合わせる。このようにして、有機ＥＬディスプレイを製造する。

このようにして、製造されたＬＣＤやＯＬＥＤ等の表示パネルは、その用途に特に制限はないが、例えば携帯電話、ＰＤＡ、デジタルカメラ、ゲーム機等の携帯電子機器に好適に用いられる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、平面化前の積層体ブロックに関するものである。

図１２は、本発明の第２実施形態における平面化前の積層体ブロックの部分側面図である。図１２に示すように、平面化前の積層体ブロック２０は、デバイス基板２１と支持板２２との間に樹脂層２３が介装されたものである。樹脂層２３は、デバイス基板２１の第１主面２１１に剥離可能に密着されると共に、支持板２２上に固定されている。

支持板２２は、樹脂層２３よりも大きく、樹脂層２３は、デバイス基板２１よりも大きくなっている。このような場合、図１２に示すように、デバイス基板２１が面取り加工されたものであると、デバイス基板２１の外周面が丸みを帯びるので、積層体ブロック２０の外周面２４に凹溝２５が形成されてしまう。

この場合も、図１２のＡ−Ａ'線に沿って積層体ブロック２０を切断することによって、積層体ブロック２０の外周面２４を平面化することができ、凹溝２５を除去することができる。

ところで、図１２のＢ−Ｂ'線やＣ−Ｃ'線に沿って積層体ブロック２０を切断した場合、積層体ブロック２０の外周面２４を平面化することができないので、凹溝２５が残存する。

このような場合、凹溝２５が残存することに起因して、デバイスの製造工程において、コーティング液の残渣が残りやすい。この残渣は、デバイス製造工程における加熱処理工程において発塵源となるので、発塵が加熱処理工程内を汚染し、製品であるデバイスの歩留まりを低下させる。

本実施形態では、凹溝２５を除去することができるので、デバイスの製造工程において、発塵を抑制することができ、製品であるデバイスの歩留まりの低下を抑制することができる。

（第３実施形態）
図１３は、本発明の第３実施形態における平面化前の積層体ブロックの部分側面図である。図１３に示すように、平面化前の積層体ブロック３０は、デバイス基板３１と支持板３２との間に樹脂層３３が介装されたものである。樹脂層３３は、デバイス基板３１の第１主面３１１に剥離可能に密着されると共に、支持板３２上に固定されている。

樹脂層３３は、デバイス基板３１や支持板３２よりも小さくなっている。このため、図１３に示すように、積層体ブロック３０の外周面３４に凹溝３５が形成されてしまう。

この場合も、図１３のＡ−Ａ'線に沿って積層体ブロック３０を切断することによって、積層体ブロック３０の外周面３４を平面化することができ、凹溝３５を除去することができる。

ところで、図１３のＢ−Ｂ'線やＣ−Ｃ'線に沿って積層体ブロック３０を切断した場合、積層体ブロック３０の外周面３４を平面化することができないので、凹溝３５の一部または全部が残存する。

このような場合、凹溝３５の一部または全部が残存することに起因して、デバイスの製造工程において、コーティング液の残渣が残りやすい。この残渣は、デバイス製造工程における加熱処理工程において発塵源となるので、発塵が加熱処理工程内を汚染し、製品であるデバイスの歩留まりを低下させる。

本実施形態では、凹溝３５を除去することができるので、デバイスの製造工程において、発塵を抑制することができ、製品であるデバイスの歩留まりの低下を抑制することができる。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。

（実施例１）
支持板には、フロート法により得られた縦３７０ｍｍ×横３２０ｍｍ×厚さ０．６ｍｍのガラス板（旭硝子社製、ＡＮ１００、無アルカリガラス）を用いた。このガラス板の平均線膨張係数は、３８×１０^−７／℃であった。

このガラス板を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、ガラス板の表面を清浄化した。その後、ガラス板の表面に、無溶剤付加反応型シリコーン（信越シリコーン社製、ＫＮＳ−３２０Ａ）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン社製、ＣＡＴ−ＰＬ−５６）５質量部との混合物をスピンコータにより塗工した（塗工量２０ｇ／ｍ^２）。

上記無溶剤付加反応型シリコーンは、ケイ素原子に結合したビニル基とメチル基とを有する直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサン（主剤）と、ケイ素原子に結合した水素原子とメチル基とを有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（架橋剤）とを含むものである。

ガラス板上に塗工した混合物を大気中で１８０℃、１０分間加熱硬化させ、ガラス板上に縦３６６ｍｍ×横３１６ｍｍの樹脂層を形成し、固定した。

一方、デバイス基板には、ポリエーテルスルホンからなる、縦３７０ｍｍ×横３２０ｍｍ×厚さ０．１ｍｍの樹脂基板（住友ベークライト社製、スミライトＦＳ−５３００）を用いた。この樹脂基板の平均線膨張係数は、５４０×１０^−７／℃であった。

この樹脂基板を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、樹脂基板の表面を清浄化した。その後、樹脂基板とガラス板とを位置合わせしたうえで、真空プレス装置を用いて、室温下で、樹脂基板の第１主面に、ガラス板上に固定された樹脂層を密着させた。

このようにして、図２に示す積層体ブロックと略同一の積層体ブロックを得た。得られた積層体ブロックを厚さ方向に切断して、積層体ブロックの外周部を周方向全周に亘って幅１０ｍｍで取り除いた。具体的には、カッターナイフを用いて樹脂基板および樹脂層を厚さ方向に切断すると共に、ガラスカッターを用いてガラス板の主面にスクライブ線を形成した後、積層体ブロックを撓み変形させてスクライブ線に沿って割断し、積層体ブロックの外周部を周方向全周に亘って取り除いた。

この状態では、樹脂基板、ガラス板、および樹脂層の外周面は周方向全周に亘って揃っており、積層体ブロックの外周面は周方向全周に亘って平面化されていた。また、積層体ブロックの外周面に凹溝は見られなかった。

次いで、平面化後の積層体ブロックを、ＣＦ用のブラックマトリクス用レジスト液（旭硝子社製、ＰＭＡ-ＳＴ）中に漬けた後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（レジスト液の主溶媒）で洗浄した。その後、熱風オーブンで１２０℃、３０分間乾燥させ、顕微鏡で積層体の外周面を観察したところ、レジスト液の残渣は見られなかった。

（実施例２）
実施例２では、支持板にフロート法により得られた縦３７０ｍｍ×横３２０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍのガラス板（旭硝子社製、ＡＮ１００、無アルカリガラス）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ガラス板上に樹脂層を形成し、固定した。

また、実施例２では、デバイス基板にフロート法により得られた縦３７０ｍｍ×横３２０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍのガラス基板（旭硝子社製、ＡＮ１００、無アルカリガラス）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ガラス基板の第１主面に、ガラス板上に固定された樹脂層を密着させた。

このようにして、図２に示す積層体ブロックと略同一の積層体ブロックを得た。得られた積層体ブロックを厚さ方向に切断して、積層体ブロックの外周部を周方向全周に亘って幅１０ｍｍで取り除いた。具体的には、ガラスカッターを用いてガラス基板の第２主面にスクライブ線を形成すると共に、ガラスカッターを用いてガラス板の主面にスクライブ線を形成した後、積層体ブロックを撓み変形させてスクライブ線に沿って割断し、積層体ブロックの外周部を周方向全周に亘って取り除いた。

この状態では、ガラス基板、ガラス板、および樹脂層の外周面は周方向全周に亘って揃っており、積層体ブロックの外周面は周方向全周に亘って平面化されていた。また、積層体ブロックの外周面に凹溝は見られなかった。

この積層体ブロックの外周面の角部を、砥石を用いて、周方向全周に亘って面取りした。面取り寸法は、曲率半径Ｒ＝０．４（単位：ｍｍ）とした。

次いで、実施例１と同様にして、面取り後の積層体ブロックをレジスト液中に漬け、洗浄し、乾燥した後、顕微鏡で積層体の外周面を観察した。その結果、レジスト液の残渣は見られなかった。

（比較例１）
比較例１では、実施例２と同様にして得られた切断前の積層体ブロックを、実施例１と同様にして、レジスト液中に漬け、洗浄し、乾燥した後、顕微鏡で積層体の外周面を観察した。その結果、レジスト液の残渣が見られた。

本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１０年１月２５日出願の日本特許出願２０１０−０１２７８５に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

１０ 積層体ブロック
１１ デバイス基板
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面
１２ 支持板
１３ 樹脂層
１４ 外周面
１５ 凹溝

Claims (8)

1. デバイス基板と支持板との間に樹脂層が介装され、該樹脂層が前記デバイス基板の第１主面に剥離可能に密着されると共に前記支持板上に固定された積層体ブロックを所定寸法に切断し、前記積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化する工程を含む、積層体の製造方法。
2. さらに、前記積層体ブロックの外周面の平面化された部分の角部を面取りする工程を含む、請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記樹脂層の外周面の平面化された部分が前記樹脂層の厚さ方向に略平行である、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
4. 前記デバイス基板がフロート法により製造されたガラス基板であって、
   前記角部を面取り後、前記デバイス基板の第２主面を研磨する工程を含む、請求項２または３に記載の積層体の製造方法。
5. 前記デバイス基板は、厚さ０．０３ｍｍ以上０．８ｍｍ未満のガラス基板である請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
6. 前記樹脂層は、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
7. 前記樹脂層の厚さが５〜５０μｍである請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
8. デバイス基板と支持板との間に樹脂層が介装され、該樹脂層が前記デバイス基板の第１主面に剥離可能に密着されると共に前記支持板上に固定された積層体ブロックを所定寸法に切断し、前記積層体ブロックの外周面の少なくとも周方向一部を平面化した積層体。

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