TWI333664B - Production method of multilayer ceramic electronic device - Google Patents
Production method of multilayer ceramic electronic device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI333664B TWI333664B TW095135736A TW95135736A TWI333664B TW I333664 B TWI333664 B TW I333664B TW 095135736 A TW095135736 A TW 095135736A TW 95135736 A TW95135736 A TW 95135736A TW I333664 B TWI333664 B TW I333664B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode layer
- internal electrode
- weight
- layer
- ceramic
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 83
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 40
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 10
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 8
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 5
- 241000234282 Allium Species 0.000 description 4
- 235000002732 Allium cepa var. cepa Nutrition 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 241000136406 Comones Species 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- WTEVQBCEXWBHNA-YFHOEESVSA-N neral Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C/C=O WTEVQBCEXWBHNA-YFHOEESVSA-N 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- FLDSMVTWEZKONL-AWEZNQCLSA-N 5,5-dimethyl-N-[(3S)-5-methyl-4-oxo-2,3-dihydro-1,5-benzoxazepin-3-yl]-1,4,7,8-tetrahydrooxepino[4,5-c]pyrazole-3-carboxamide Chemical compound CC1(CC2=C(NN=C2C(=O)N[C@@H]2C(N(C3=C(OC2)C=CC=C3)C)=O)CCO1)C FLDSMVTWEZKONL-AWEZNQCLSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N Citral Natural products CC(C)=CCCC(C)=CC=O WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical group CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001311547 Patina Species 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 241000239226 Scorpiones Species 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- XKLVLDXNZDIDKQ-UHFFFAOYSA-N butylhydrazine Chemical compound CCCCNN XKLVLDXNZDIDKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N citral A Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\C=O WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/638—Removal thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
- C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
- C04B2235/3236—Alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6565—Cooling rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6588—Water vapor containing atmospheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
- C04B2235/662—Annealing after sintering
- C04B2235/663—Oxidative annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
1-333664 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於積層陶瓷致動芎笤 _ 寻之積層型陶瓷電子 兀件之製造方法，且特別關於可以 π衮痕之發生、降低 紐路不良率、降低耐電壓良 „ 干且具有向靜電容量之積 e ^•陶瓷電子元件的製造方法。 【先前技術】
以作為積層型陶瓷電子元件之一 .〇〇 卞 < 例而έ ，積層陶瓷致 動益係被廣泛地利用，並作為小型、大容量、高信賴性之 電子元件’且纟1台電子機器中所使用之個數亦多達數 個:近年’隨著機器之小型、高性能化，對於積層陶曼致 動器更小型化、大容量化、低僧始^ k 八合里亿低彳貝格化、向信賴性化之要求 也越來越嚴格》 為了進一步達到上述之小型化及高容量化，而將介電 鲁體層及内部電極層之厚度變薄（薄層化），且盡可能將其 更少地且積（多層化）。但是，一旦進行薄層化·多層化 的話，因為介電體層與内部電極層間之界面增加的緣故， 則易於七生層間剝離現象（del ami nation)或裂痕，因而 發生短路不良的問題。 •相對地，在特許文獻1 :特開2000-277369號公報中， 揭露了以含有作為共材之粒徑相異之第一陶瓷粉末、與第 二陶瓷粉末的導電體膠當作用於形成積層陶瓷致動器之内 部電極層的導電體膠。尤其是，在此文獻中，使用微細陶
2030-8304-PF 1333664 瓷粉末作為第一陶瓷粉末；使用具有大於内部電極之厚度 (具體而言，在實施例中約2 · 5 a in )之粒徑的陶瓷粉末（具 體的、實施例粒徑3 # m )作為第二陶瓷粉末。 而且，根據此特許文獻1的話，藉由使用上述導電體 膠’藉由使内部電極層内包含具有從隔著此内部電極層而 鄰合之一方之陶瓷層而到達他方之陶瓷層之大粒徑的陶瓷 粒子，可以抑制剝離現象或裂痕。但是，在此特許文獻ι _，由於被含於内部電極層内之具有大粒子徑的陶瓷粒子 形成電極之中途斷裂部分，因為此中途斷裂之影響而導致 靜電容量降低，結果發生無法高容量化的問題。 而且，在此文獻中，心使用具有大粒子徑之陶竞粉 末（尤其是’具有比内部電極之厚度更大之粒子徑的陶竞 粉末）作為上述第二陶瓷粉太的絡^ 』瓦物不的緣故，因此發生下列之問 通。也就是說，一旦如上所诚而你田丄1 Λ 所迷而使用大粒子徑之陶瓷粉末 的話，因為上述大粒子徑之陶麥私 陶无恭末的緣故，則相鄰之介
電體層之厚度受到影響，尤i县知 兀/、疋相鄰之介電體層發生所謂
部分地變薄的現象’結果成A 珉為導致所胡短路不良率或耐電 塵不良率惡化等問題之原因。 【發明内容】 本發明有鑑於上述問題， 因此係以提供一種可以防止 4痕之發生、降低短路不良 七▲ 丰降低耐電壓不良率、且呈 有兩靜電容量之積層型陶f 手 /、 為…… 件的製造方法為目的。 為了達成上达目的，關於 I月之積層型陶瓷電子元
2030-8304-PF 7 1333664 件之製造方法係為製造具有介電體層、内部電極 型陶究電子元件的方法，包"成於燒成後變：前述二 電體層之生胚薄片的製程；使用導電體膠在前述 二 上以預定圖案形成於燒成後變為前述内部電極層之择点义 Γ:Γ1Γ;依序疊積前述生胚薄片、前述燒成：電： 層而形成生胚晶片的製程；以及燒成前述生胚晶 私，其特徵在於：用於形成前述燒成前電極層之
係至少包含：導電體粒子、由陶瓷粉末構成之帛i庄材/ 具有比陶㈣末構成之前述第丨共材還大之平均粒Μ的 第2共材；前述第！共材之平均粒子徑係為介於前料 體粒子之平均粒子徑之1/2(Μ/2之間的大小；前述第2丘 材之平均粒子徑係為介於燒成後之前述内部電極層之平ς 厚度之1 /1 0〜1 /2之間的大小。 二 在本發明中，使帛&含具有預定之平均粒子徑之第！ 八材的膠作為用於形成内部電極層之導電體膠。因此，可 φ以有效防止燒成過程中起因於導電體粒子之粒成長而造成 内部電極層之球狀化，並可以保持高的靜電容量。 而且，在本發明中，進一步使前述導電體膠中包含具 有比前述第1共材更大之平均粒子徑的第2共材，而此第 2共材主要在内部電極層與介電體層之界面附近燒結，且 V致在燒成後作為從介電體層側突出於内部電極層中之陶 £粒子而存在著。而且，藉由上述突出之陶兗粒子對前述 内部電極層之拉樁（anchor)效果，可以提高内部電極層 與"电體層間之結合強& ,結果可以有效防止裂痕之發生
2030-8304-PF 8 1-333664 (尤其是，由層間剝離現象所引起之裂痕）。 而且，在本發明中，由於將前述第2共材之平均粒子 徑控制在介於燒成後之前述内部電極層之厚度之〜I” 之間的範圍内，可以將藉由第2共材而形成且突出於内部 電極層之陶竞粒子作成不貫通内部電極層之構成。因此， 不但不會成為内部電極層令途斷裂之原因，且可實現高的 靜！容量。另外，由於將第2共材之平均粒子徑控制:上 述範圍内，不會對相鄰之介雷栌 从 "電體層之厚度造成影響的緣 故，因此也不會使短路不良率或耐電塵不良率惡化。 在本發明中，前述第？ η 9 η , ，、材之平均粒子徑係以介於 L "〇_ 5 # Π]之間者較佳。 山ί =明中，相對於前述導電體粒? 100重量部而 二述二電體膠中之前述第1共材之含有量係以介於 5〜35重篁部之間者較佳。—曰 話，内部電極層之球狀化…共材之含有量過少的 抑制效果變難。另-方面，第1 ^、材之含有量過多的 降低，姓杲㈣— 燒成後之内部電極層之被覆率會 降低、果靜電容量有降低之傾向。 一 f本土明中’相對於前述導電體粒子1〇 吕，刖述導雷ft跋士 董里op而 导電體膠中之則述第 量部多作去汰1C： 土 g〜S有里係以比1重 里I夕仁未滿15重量部者較佳。 少的話，則難以得到 —第2 m有重過 瓷粒子而對内n 日 犬於上述内部電極層之陶 对円。p電極層造成拉樁 材之含有量過多 另一方面，第1共 惡化之傾向。…則短路不良率及耐電壓不良率會有
2030-8304-PF 9 10JJ004 以作為電子元株 于兀件而吕，並不特別限定 竟致動器、塵電元件、晶月雷片曰 ”如疋積層陶 敏電阻、晶片阻抗…矣 變阻體、晶片型熱 而且 几4面實裝（SMD)晶片型電子元件。 ，在發明中，所謂前述被覆率係指 電極層中完全無前述中途斷, 丨疋教的情況下’相對於 層被覆介電體層之理相面 _ 、 。電極 電#W面積而吕，内部電極層實際被覆介 2體層之面積的比例…卜，在發明中，各粒子 平均粒子徑係指藉由SE 一末之 >思。 規察所仵之SEM徑之平均值的意 一旦根據本發明的話’ 子俨之第…， 戰用包含具有預定之平均粒 9 L、材、具有比第1共材更大之平均粒子徑之第
^材的膠作為内部電極層形成用的導電體膠。因此，除 了第1共材有防止内部雷^^ R ? ϋ. ^ Μ a, ° a之球狀化的效果外；由於第 2共材藉由在内部電極層虚 電體層之界面附近燒結而形 於内部電極層之陶竟粒子，可以有效防止裂痕之 尤:、是，由層間剝離現象所引起之裂痕）。 尤’、疋纟本發明中’使用將平均粒子徑控制在介於 成後之則述内部雷思 電極層之厚度之1/ΠΜ/2之範圍内的 共材以作為前述笫卩妓 /、材。因此，在上述特許文獻1 (特 開2000-277369號公韶、由 产 A報）中，沒有由電極中途斷裂引起 靜電容量降低的問題 '由 畸由對相鄰之介電體層之厚度造成影 3起之短路不良率或耐電麼不良率惡化的問題。因 此，根據本發明的話，可以防止裂痕之發生、降低短路不 良率、降低_不良率、且提高靜電容量。
2030-8304-PF 10 【實施方式】 積層陶瓷致動 如圖i所示，作為本發明1 之積層陶竟致動器丨係具有 .电于兀件 互疊積而成之致動器元件本 乂 10。在致動器元件本體10 之兩鈿部，形成有於元件本 層3盥八別莫、南夕 内部交互配置之内部電極 I端面::=外部電極“在内部電極層3中， 各&面係於致動器元件. r 露出而疊積。一對外部電广相對的2端部表面交互地 之兩端部、且連接於交互配置手之开^於致動器元件本體Μ 面，而構成電路。 置之内部電極層3的外露端 致動器元件本體1〇之 因應用途而適切地設定；涌a V 2寸並無特別限制，可以 且尺寸係通常為長（Q力外形係大略為直方體形狀， (〇.2~2.5mm)左右。 内部電極層3所含有 介電體層2之構成材料具 不特別限定，但由於 屬。以使用賤金屬作為導還原眭，所以可以使用賤金 守電材而言，N i、r 5金較佳。在以Nl作為内部電極層3之二、金或& 為了不使介電體還原， 主成分的情況下， 下燒成之方法。 &用在低氧氣分壓（還原環境） 雖然内部電極層3之 定，但是通常介於〇 5 又〇以因應用途而適宜地決 較佳。 尤其是介於卜2.5"«„左右
2030-8304-PF 11 W33664 介電體層2係由複數的陶瓷粒子構成。構成介電體層 2之陶竟粒子之組成雖不特別限定，但是可由具有由{ (Ba < Νχ-η CaxSry) Oh ( Τι (丨Zrz) b〇2所表示之主成分的介 :體磁器組成物構成。而且，A、B、x、y、z係為任意之 範圍。以與主成分一起内含於介電體磁器組成物中的副成 刀而έ，係為包含選自由Sr、γ、Gd、Tb、Dy、v、、^、
Zn、Cd、Τι、Sn、W、Ba、Ca、Μη、Mg、Cr、Si 及 p 之氧 化物所組成之群組中至少1種類以上的副成分。 藉由添加曰彳成分，可以在不使主成分之介電特性劣化 的ft況下進仃低溫燒成；可以降低薄化介電體層2時之信 賴ί·生不良，可以謀求長壽命化。但是’在本發明中，構成 介電體層2之陶竟粒子之組成係不限定於上述材料。 "電體層2之積層數或厚度等諸條件雖可因應目的或 用途而適宜地法金，加β ^ ^ 决疋但疋在本實施例中，介電體層2之厚 度係以介於f) q 、· 之間者較佳’而介於0.5#111〜2.0 # m之間者更佳。 ★在本實施例中’如第2圖所示，於介電體詹2中含有 :出於内。P電極層3之陶瓷粒子2。（在第2圖中，圖未顯 關於大出於内部電極層3之陶瓷粒子20以外之構成介電 體層2之其他陶瓷初 无粒子）。而且，此突出之陶瓷粒子20除 了突出於内部雷^ _ 冤極層3中之外，更與構成介電體層2之其 他陶竟粒子（圖千！@u Λ 扣 y、螭略），.Ό s。而且，在本實施例中，此 瓷粒子20主要係藉由用於形成後述之内部電極 層之導電體膠所含0 , ^ > 3之第2共材（陶瓷粉末）在内部電極層
2030-8304-PF 12 1333664 3與介電體層2之界面附近燒結而形成。 而且’在本實施例中，導電體膠所含有之第2共材於 燒結後變成上述突出陶瓷粒子20，而藉由此陶瓷粒子2〇 對内部電極層3之拉樁效果，可以提高内部電極層3與介 電體層2之間之結合強度，結果可以有效防止裂痕之發生 (尤其是’由層間剝離現象所引起之裂痕）。 而且’在本實施例中’由於用於形成内部電極層之導 電體膠所含之第2共材之平均粒子徑控制於後述預定之範 圍内的緣故，藉由第2共材主要在内部電極層3與介電體 層2之界面附近燒結而形成，此突出之陶瓷粒子2〇可以作 成不貫通内部_ 3之構成。因此，不會成為内部電極 層3中途斷裂之原因，並可以提高内部電極層與介電體層 間之結合強度，且可以有效防止裂痕之發生、實現高的^ 電容量。 外部電極4所含有之導電材雖不特別限定，但是通常 使用Cu或Cu合金或Ni或Ni合金孳。品n . 人入姑 。I寻。而且’ Ag或Ag—Pd 合金#也當然可以使用。而且，在 你+貫粑例中，可以使用 便宜Ni、Cu或其合金。 雖然外部電極之厚度可以因應用途等而適宜地決定， 但是通常以介於10~50y m左右者較佳。 積層陶瓷致動器之零梏古^ 接著，含有本發明之介電體陶 致動器工係與習知積層陶竟致動器2二物的積層陶竞 常的印刷法或平板法而製作生’ s由使用膠之通 胚日曰片’接著將其燒成之
2030-8304-PF 13 " :由將外電極印刷或轉寫並燒成而製得。以下， 具體地說明相關製造方法。 . 準備^電體層用膠内含之介電體原料，並將其 塗料化而調製介電體層用膠。 電體層用膠可以是混練有介電體原料與有機展色劑 之有機系之塗料，也可以是水系之塗料。 以介電體原料而言’可以從成為複合氧化物或氧化物 之各種化合物（例如是碳酸鹽、石肖酸鹽、氫氧化物、有機 金屬化合物等）中適官祕 也k擇，並混合而使用。該介電體 原料通常使用平均粒子 卞仫為0. 4 // m以下，較佳者在 0，1〜0.3vm左右之粉挪。& n 且’為了盡可能形成薄的陶瓷 生胚薄片，因此以使用比陶 體者較佳。 陶厚度更細之粉 物Π展色劑指的是將接著劑溶解於有機溶劑中的混合 物。使用於有機展色劑中 设有w亚不特別限定，亦可從 乙烯纖維素、聚乙烯丁縮醛等 .»^ £ Α. 、吊之各種接著劑中適宜地 選擇》另外，使用之有機溶劑也不特別限定係可以因應 印刷法、或平板法等利用 ” ， 用之方法’而從蔥品醇、卡必醇 (butyl carbitol)、丙鲷、甲笼 下醉 選擇。 T本荨各種有機溶劑中適宜地 另外’在使用水系塗料 可將水溶性之接著劑或分散體層用膠的時候，也 $叫-又刀放劑溶解於水之 絕緣體原料混練。用於水季I “ 色沏、與 八系展色劑之水溶性接 別限疋，例如也可使用聚乙烯醇 ”不特 京水溶性壓克力
2030-8304-PF 14 樹脂。 在本實施例中’以用於形成内部電極層3之導電體膠 而。係使用將導電體粒子、由陶瓷粉末構成之第1共材' 具有比第1共材更大之平均粒子徑的第2共材、上述有機 展色劑混練而調製之膠。 在本實施例中，以用於形成内部電極層3之導電體膠 而言，其特徵係為在導電體粒子之外更使用了含有第i共 鲁材及第2共材之膠。尤其是，藉由使用上述膠，除了可以 1效防jL裂痕之發生（尤其是’由層間剝離現象所引起之 裂痕）之外’還可以謀求短路不良率及耐電壓不良率之 低0 Μ守电瓶祖 -------------- 所組成之導電材、或於燒成後變成上述導電材之各種 氧化物、有機金屬化合物、樹脂酸鹽（resinate)等。尤 其1，較佳者係使用以Nl4主成分之粒子，更 2含有量為9。重編上之粒子、又更佳者係W含有： 為重量％以上之粒子。而且，導電體粒子之 第1八材之乎均粒子徑為前述導電體粒子之 徑之1/20/2之大小，較佳者 勺板子 者為1/15〜1/5之大小。第ϊ 共材主要具有防止在燒成過程中由於導電體粒 第1 而導致内部電極層之球狀化的效果。 /成長 電極層之球狀化，可以有效 曰由防止内部 畀效防止靜電容量之降低。第】共
2030-8304-PF 15 =之平均粒子經—旦未滿導電體粒子之平均粒子徑之1/20 的活’則向導電體膠中分散會變得困難…方面，一旦 的舌則會變付無法得到抑制導電體粒子之粒成 長的效果。而且，以第丨丘姑丄 第/、材而&，可以由陶瓷粉末構成， 但不特別限定’因此也可以使 吏用八有與使用於介電體層用 膠之，丨電體原料相同之組成的介電體材料。 相對於前述導雷體1ηη Μ體拉子⑽重量部而言，前述導電體 膠中之前述第！共材之含有量係介於重量部之間、較 佳者介於1G〜25重量部之間…旦第1共材之含有量過少 的話，則難以得到抑制内部電極層3之球狀化的效果，且 靜電今里會降低。另一方面，一旦第1共材之含有量過多 的話’則燒成後之内部電極層3之被覆率會降低，結果靜 電容量有降低之傾向。 第2共材係為具有比上述第i共材更大之平均粒子徑 的，、材’其平均粒子徑為燒成後之内部電極層3之平均厚 度之1/1(Μ/2之大小、較佳者為1/5〜1/3之大小。第2共 材主要在内部電極層3與介電體層2之界面附近燒結“士 果’如第2圖所示’導致在燒成後作為從介電體層側突出 於内部電極層中之陶莞粒子2〇而存在著。而且，藉由上述 突出之陶瓷粒子20對前述内部電極層3之拉樁效果，可以 提高内部電極層3與介電體層2間之結合強度，結果可以 有政防止裂痕之發生（尤其是，由層間剝離現象所引起之 裂痕）。 尤其是，在本實施例中，如第3圖所示，藉由將第2
2030-8304-PF 16 共材之平均粒子徑作成 ,..^ A 丨电位層d之十均厚度之1/10以 上’相對於内部電極層3之厚度⑴而言，較佳者可以將 位於上述陶瓷粒子2〇 . 1〇〇.ri μ 内電極層3内之深度（d)作成 電極層°3 :深度而突出的構成。也就是說，例如在内務 之旱度⑴為的情況下，則較佳者可以作 成以 0.1/zm以Ji夕·、、怨？^ — 之冰度（d)而突出於内部電極層内的構 成。精由作成上述構成，可以進-步提高對陶絲子20之
内部電㈣3之拉樁效果。而且，在第3圖中，省略内部 電極層3及陶竟粒子2G以外之部分的圖示。—旦深度（d ) 過小的話，則上述之拉樁效果有變小的傾向。 而且’藉由將第2共材之平均粒子徑作成内部電極層 :之平均厚度之1/2以下’可以作成陶瓷粒子2。不貫通内 部電極層3之構成’藉由作成此構成可以有效防止電極中 途斷裂所引起之靜電容量降低的問題…卜，在本實施例 ^藉由將第2共材之平均粒子徑控制在内部電極層3之 平均厚度t 1/2以下，作成第2共材不會對内部電^層3 或介電體層2之厚度造成影響之構成。因&，此第2共曰材 :但不會對相鄰之介電體層2之厚度產生影響，而相鄰之 介電體層也不會發生部分地薄化的現象。因此，在本實施 例中，可以有效防止起因於上述現象而發生之短路不良率 或耐電壓不良率。 一旦第2共材之平均粒子徑未滿内部電極層3之平均 厚度之1/1 0的話，燒結體内含有之陶瓷粒子2〇之結晶粒 子徑（！)會變小，陶瓷粒子20所產生之拉樁效果變得不
2030-8304-PF 17 W33664
十分明顯。另一方面’ 一旦比1/2還大的話，陶瓷 之結晶粒徑⑴太過容易變大，結果陶究粒子2 通内部電極層3之構成，而有易於發 ：成貫 向，另外短路不良率或财電…心有惡二途:二傾 雖然第2共材之平均粒子徑係可以因應内部電 之厚度而適宜地設定在上述範圍内’但是以介於〜曰 β m之間者較佳。 · 相對於導電體粒子10。重量部而言，導電體膠中第2 :二it以多於1重量部而未滿15重量部者較佳，以 旦；3重置口η重量部之間者更佳。一旦㈠共材之含有 里過少的肖，難以獲得突出於上述内部電極層 子20對内部電極層3之拉樁效果。另一方面，一旦 丘 里k夕的話，此第2共材會向介電體層2側移動， =相鄰之介電體層2之厚度造成影響，結果會有短路不 义^及耐電壓不良率惡化之傾向。而且，以第2共材而古， 雖然由陶瓷粉末構成也可以，並不特別限定，但是以且°有 與使用於介電體層用膠之介電體原料相同之組成的介電 材料者較佳。 外部電極用膠係以混練上述導電體粉末、及 劑而調製者較佳。 ^述各膠中之有機展色劑之含有量並不特別限制，通 :之含有量例如可以是接著劑介⑨卜5重量％左右、溶劑 :丨：10 5。重量％左右。另外，在各膠中，因應需要，也 可含有選自各種分散劑、可塑劑、介電體、絕緣體等的添
2030-8304-PF 18 ϋ〇4 加物。上述之總今古旦β 里係以1 〇重量％以下較好。 使用印刷法X _ ’字；|電體層用膠及内部電極層用膠疊 積印刷於PET等之其缸w ^ ' 土板上’並切成預定形狀後，由基板剝 離而作成。 另外使用平板法的時候 生胚平板，接著在其上印刷内 積而作成生胚晶片。 ’使用介電體層用膠並形成 部電極層用膠，之後將其疊 在燒成前，對生胚、， 胚M片貫施脫接著劑處理。脫接著劑 =雖可㈣應内部電極層膠中之導電材之種類而適宜地 、 π使用N1或N1合金等賤金屬作為導電材的時 =，脫接著劑環境中之氧氣分壓以介⑨10—45~105pa之間較 i ° 一旦氧f分壓未達前述範㈣，脫接著劑之效果則會 -—氧氣刀壓超過别述範圍時，内部電極層有氧化 之傾向。 以其它的脫接著劑條件而言 «幵 >皿速度介於 5〜300°C/小時之間較佳、介 、 GGC/小時之間更佳； 保持、/皿度介於跳彻。c之間較佳、介於勝35代之 佳’溫度保持時間介於〇·5〜24小時之間較佳、介於"。 小時之間較佳。另外，燒成環境以介 兄以工乱或還原性環境較佳， 其中，以還原性環境令環境氧俨而^ ,,, 兄τ衣兄虱體而s，例如是將…及b之 混合氣體加濕而使用者較佳。 生胚晶片燒成時之環境雖 之導電材之種類而適宜地決定 等賤金屬作為導電材的時候， 然可因應内部電極層用膠中 ，但是，使用Ni或Ni合金 燒成環境中之氧氣分壓以介
2030-8304-PF 19 1*333664 於l〇〜l〇~3Pa之間較佳。一旦氧氣分壓未達前述範圍時， :部電極層之導電材會產生異常燒結，而中途燒斷。另外， 旦乳氣分壓超過前述範圍時，内部電極層有氧化之傾向。 ▲另外，燒成時之保持溫度係以介於11004 4001之間 ”於1 200〜1 380 C之間更佳、介於126〇〜136〇t之間 又更佳。一旦保持溫度未達前述範圍時，緻密化則不充分； —旦超過前述範圍時，容易發生因内部電極層之異常燒牡 所引起之電極中途燒斷、或因内部電極層構成材料之擴散 斤引起之今里，皿度特性之惡化，而使得介電體陶瓷器組合 物易於產生還原的現象。 口 以八匕的燒成條件而言，昇溫速度介於小 時之間較佳、介於2〇。，〇口小時之間更佳；溫度保持時 間介於G. 5〜8小時之間較佳、介於卜3小時之間較佳。冷 卻速度以介於5〇~5〇〇t/小時之間較佳、介於2〇。~_。二 小時之間更佳。另外’燒成環境以還原性環境較佳，其中， 以還原性環境中環境氣體而言，例如是將心及⑴之混合 體加濕而使用者較佳。 在還原性環境中燒成之情形下，較佳者係對致動器元 件本體實料火處理。退火處理㈣了使介電體層再氧化 之處理’因為藉由退火處理可以延長IR壽命，所以 得以提升。 。@ 退火處理環境中之氧氣分麼以〇 . 1Pa卩上、特入 :…。…者較佳一旦氧氣分屡未達前述範二 ”電體層之再乳化會有困難；一旦超過前述範圍時，内部
2030-8304-PF 20 1333664 電極層會有氧化的傾向。 退火處理時之保持溫度以1100T：以下、特別s八 —間者較佳。-旦保持溫度未達前於 2於介電體層之氧化會不充分，IR會降低，另m 二广另—方面’ -旦保持溫度超過前述範圍時号不 但内部電極層會氧化、容量會降低，而且内部電極;^ 絕緣體半成品（素地）反應，易於發生容量溫度特性/化、 降低 '料命降低的現象。退火處理也、 程構成。也就是說，溫度保持時間也可： 零此種情形下，保持溫度係與最高溫度同義。 以其它退火處理條件而言，溫度保持時間介 時之間較佳、介於…、時之間更佳；冷卻速度2 5〇~500 C/小時之間較佳、介於1〇〇〜3〇吖/小時之 、 另外，以退火處理之環境氣體…較佳 。 濕之Ν2氣體等。 』便用加 在上述之脫接著劑處理、燒成及退火處理中， N:氣體或混合氣體等之步驟時’例如可以使用潤二、 weth )等。此種情形下，水溫以介於5〜阶左右較佳。。 脫接著劑處理、燒成及退火處理可 不冷部而變更環境’接著昇溫至燒成時之保持溫度而不 订燒成’接著冷卻’並於達到退火處理之料溫度時 更環境且進行退火處理。另一方面’獨立進行時， 係於燒成之際’在N2氣體或加濕之N2氣體 1 升溫至
2030-8304-PF 21 U'33664 脫接著劑處理時之保持溫度後，變更環境並持續昇溫，且 冷卻至退火處理時之保持溫度後，較佳者係再變更至心氣 體或加濕之I氣體環境，並持續冷卻。另外，退火處理之 際，在…環境下昇溫至保持溫度後，可以變更環境、也可 以將退火處理之整個過程在加濕之N2氣體環境下進行。 如上所述，在所得之動11元件本體上實施滾輪 、（barre 1 )研磨或喷砂（sandb】ast )研磨，進行端面研磨， 並將外部電極用膠印刷或轉寫且燒成，而形成外部電極4。 外部電極用膝之燒成條件例如是在加濕之…及1之混合氣 體中、於600〜80(TC之溫度下、歷經1〇分鐘〜〗小時左右較 佳。接著’因應需要’可在外部電極4表面上藉由鍍金等 方式形成被覆層。 如此一來，所製造之本發明之積層陶瓷致動器係可藉 由添附金屬接合劑（例如，軟鱲）等，實裝於印刷基板上 等’而使用於各種電子機器等。 以上，雖然說明本發明之相關實施例，但並非用以限 定本發明，因此只要不脫離本發明之精神與範圍，當然可 以實施種種態樣。 例如，在上述實施例中，雖然以積層陶瓷致動器為例 作為本發明之積層型陶瓷電子元件，但是以作為本發明之 積層型陶瓷電子元件而言，並不限定於積層陶瓷致動器， 只要是具有上述構成的結構都可以。 以下’雖然根據實施例將本發明更詳細地說明，但此 實施例並非用以限定本發明。
2030-8304-PF 22 實施例1 首先，準備平均粒子徑為〇 2 〃 m夕；t λ、 β m之主成份原料 (BaTl〇3)、與作為副成分原料之㈣、ν2〇5、㈣、Mg〇、 以〇2、及Ca0以用於製作介電體原料之初始原料。接著， 藉由粉碎機（bailmiller)而對準備之初始原料進行16小 時之屬式混合以調製介電體原料。 將上述中所得之介電體陶莞器組合物粉末100重量 部、壓克力樹脂4.8重量部、醋酸乙稀1〇〇重量部、礦精 ㈤neral spirit)6重量部、甲苯4重量部藉由粉碎機 展合、膠化，而得介電體層用膠。 接著，藉由3根滾輪（roll)將平均粒子徑〇.2“之 Ni粒子：100重量部、作為第1共材之训〇3 (平均粒子 徑：〇.〇5^):20重量部、作為第2共材之_〇3(平 =粒子&:G.5/zm):表1所示之量、有機展色劑（將乙 烯纖維8重量部溶解於蔥品醇92重量部所得之混合物）： 40重里部、蔥品醇：j 〇重量部混練並膠化，而得到用於形 成内部電極層之導電體膠。 接著，將平均粒子徑0.5/zm2 Cu粒子：1〇〇重量部、 有機展色劑（將乙烯纖維樹脂8量部溶解於慧品醇92重量 部所得之混合物）：35重量部及蔥品醇：7重量部混練2 膠化，而得到用於形成外部電極層之導電體膠。 接著，使用所得之介電體層用膠，於pET膜上形成生 胚平板。在其上印刷内部電極用膠後，從PET膜將平板剝 離。接著，疊積上述生胚平板與保護用生胚平板（未印刷
2030-8304-PF 23 1333664 内部電極層用膠的物體），並壓著而得生胚晶片。具有内 #電極之薄片之積層數為220層。而且，在本實施例中， 導電體膠之印刷係在以燒成後之内部電極之厚度為1. 〇 # m 之目標下進行。 接著，將生胚晶片切成預定尺寸，並在下列條件下進 行脫接著劑處理、燒成及退火處理，而得積層陶瓷燒成體。 脫接著劑處理條件係昇溫速度丨5t： /小時、保持溫度： 280°C、溫度保持時間：8小時、環境：空氣中。 燒成條件係昇溫速度200 t /小時、保持溫度： 8 0 1 3 2 0 C、溫度保持時間：2小時、冷卻速度：3 〇 〇。匸 J時％ i兄.加濕之N2 + H2混合氣體（氧氣分壓：丨〇 - 9pa)。 士退火處理條件係保持溫度：9〇{rc、溫度保持時間：9 J二冷卻速度.3 0 〇 C /小時、加濕之…氣體（氧氣分壓： 10 Pa) ^而且，在燒成及退火處理之際的環境氣體之加 濕步驟中’使用水溫為35t之潤濕器。 接著，在以喷砂法對所得之積層陶瓷燒成體之端面進 行研磨的時候’將外部電極用膠轉寫至端自，並在加渴之 N2+H2環境中，以80(rc進行1〇分鐘燒成而形成外部電極， 以得到第1圖所示之積層陶:光致動器之試料。在本實施例 表1所示刀別變化内部電極層用之導電體膠内含 之第2共材（平均粒子秤 卞^ 〇. 5" m之BaTi〇3)之量而製造試 料番號1 11。而且，試斜采啼，〆丄 武料番唬〗係未在導電體膠内添加第 2共材的試料。 所得之致動器試料之p 人寸為 1 · OmmxO· 5mmx〇· 5mm、内
2030-8304-PF 24 部電極層所夾之介電體層之數為22〇、介電體層之厚度為 内部電極層之厚度為 關於所得之致動器試料，藉由以下之方法而評價裂痕 發生率、#電容量、短路不良率、耐電壓不良率及内部電 極層之被覆率。 累痕發哇率 二關於所得之得各致動器，研磨燒成之半成品（素地） 並以目視觀察積層狀態以確認半成品裂痕之有無。半成品 裂痕之有無之確認係以1〇〇〇〇個之致動器試料為單位2 卜藉由外觀檢察之結果，也就是在1 〇 0 0 0個致動器試料 中异出發生半成品裂痕之試料之比例而求出裂痕發生率。 在本實施例中，裂痕發生率以在1 000ppm以下者為良好。 結果如表1所示》 靜電容量之測定係使用數位LCR，並在基準溫度 下、周波數1kHz、輸入信號水準1. ovrms之條件下進行。 結果如表1所示。而且，在本實施射，以相對於導：體 膠内未添加第2共材之試料番號1之靜電容量的比率而呼 價靜電容量之測定結果，且將—1〇%以内視為良好。也就 是說’拿靜電容量為「_1%」之試料番號2與試料番號\ 比較’則靜電容量為低1 %的結果。結果如表 上广T ° 短路不良率係藉由準備1 〇〇個致動器試料並調省短路 不良發生之個數而測定。具體而言，使 ^扣絕緣電阻計
2030-8304-PF 25 1333664 (HEWLETT P舰RD 社製 E23m 萬用表（muitimeter)) 測定電阻值，並以電阻值為1〇〇}^以下之樣品為短路不良 樣扣且以短路不良樣品相對於全體測定樣品之比率作為 短路不良率。在本實施例中，以5G%以下為良好。結果如 表〗所示。 耐電壓不卩 耐電壓不良率係藉由在200個致動器試料之中，施加 疋，電壓（4. 0V )之！ 2倍之直流電壓3秒，並將電阻未滿 104Ω之試料判斷為耐電壓不良’以求出相對於測定試料之 耐電壓不良之試料的比例，巾進行評價。在本實施例t， 以5〇%以下為良好。結果如表i所示。 被霜率 利用/、上述之突出部份之存在率之測定之情況相同的 方法.乂 SEM觀察元件本體之剖斷面。而且，由所得之sem '、、、片求出内部電極層之被覆率。具體而言，在假定内部電 極層中το王無電極中途斷裂部的情況下，冑由將内部電極 層被覆介電體層之理想面積當作1GG%並計算内部電極層 貫際被覆介電锻藤+匕士 电體層之面積的比率而求出。而且，被覆率係 使用10枚在硯野5〇以mx6〇 " m下測定之SEM照片所求出。 果彳料番㉟3〜1G中任—之内部電極層之被覆率皆在 8 0 %以上。
2030-8304-PF 26 1333664 【表1】
礙 s( £ 〇|β K· _跻Q ^ ^ S 卜 i LO to CD LO CO C<1 <NI CO oo CO CO CO 寸 § K·次 諸W K 次 s CO CM (>a S 寸 OJ 另 另 CsJ CO 0¾ CO LO & Μ 1—Ί c=> 1 p '4 CN1 1 CO 1 LO 1 LO 1 LO 1 LO 1 CD 1 CO 1 (uidd) 吉帀發W祿 H- a ^Q. CD ◦ 1 < § § 1. C5 <=> CO CZ5 o O o CD o <=> -E： 城\ o LO s o LO c> s CZ5 c> IT5 <35 o LO c> o LO CZ3 s o 〇» LO C5 c=> LO C3 o LO C=) w € CD <〇 o r«H o cr> o r—^ C5 f_< o <=) o i—H 袖* ? <H n«r jr*j 〇 oa (M CO LO CD OO C3 CO 'S-X 1 LO C5 LO <=> LO <=> LO cz> LO <=> LT> CZ5 LO C3 LO <Z5 LO C3 LO <〇 •Η •Whi* ψ*1» s S s s S s S ，4 城 ^ ε y. LO C3 G> LO 〇 CZ3 LO ◦ o' s C> in CD o LO CD cz> s C> LO ◦ <=5 LO O C=> S C5 LD O <=3 每s S ^ CN3 <=5 Cs} C5 CVJ c> CM C3 CsJ <=> 03 CZ> CM d CM <M C3 OJ CD CM C> IS CVJ CO LO CO C— OO σ> <=>
2030-8304-PF 27 ^333664 但是，表1中，導電體膠中第1Α 加量係為相對於^粉末1004量部之比共材之添 相對於試料番们之靜電容量的比率表干羊。，靜電容量係以 所謂「第2共材粒徑/内部電極層厚度」係為：，表Η ’ 第2共材之平均粒子徑/燒結後之 1體膠中 思”乂下，在表…亦相同。 冬層之厚度」的意 於 由表J可知’以内部電極層用之導電體膠而言，相對 1 ”末10。重量部而含有介於12〜13重量部之 之第2共材（粒徑〇·5㈣之BaTiOO的試料 巳 任何—彻比θ 、丨τ货琥《3 ~ 1 0係 I具有優於裂痕發生率、靜電容量、 及耐電壓不良瘟沾全士里 卜民千 試料，二 如第2圖所示，關於上述 =可以確認在以SEM觀察燒結體之切斷 内部電極層3之陶竞粒子2。係良好地形成。 出於 另-方面，導電體膠中未含有第2共 r2共材之含有量少至1重量部之試料番號二任個 2二:：發生率惡化之傾向。而且’關於上述試料，如第 θ不，以SEM觀察燒結體之切斷面時，突出於 極層3之陶瓷粒子2〇之形成不充分。 ’第2共材之含有量為15重量部之試料番號U 係有短路不良率及耐㈣不良率惡化之傾向。而且 4料番號11中’可能是由於導電體膝中第2共材之含有量 過户的緣故，所以第2共材向介電體層2側移動，且對相 鄰之介電體層2之厚度產生影響，結果短路不良率及耐電
2030-8304-PF 28 1333664 壓不良率因而惡化。 實施例2 以導電體膠中含有之Ni粉末而言，除了 一同使用平均 例子徑為0. 1 // m之Ni粉末且如表2所示一樣變化第2共 材之含有量以外，其餘與實施例1 一樣製作積層陶瓷致動 器試料，並與實施例1 一樣進行評價。結果如表2所示。
2030-8304-PF 29 1333664 【表2】
as 〇|〇 K· i^^-Q ^ 〇 卜 S OJ CO CO CO s oo Κ" «1 域心 卜 〇 LO oo cz> CD LO OJ Ή 钟9 ^>6 〇 CD 1—^ 03 1 LO 1 LO 1 卜 1 Μ ^ %3 H- a £§* g f»H 1 〇〇 § ◦ CD CT) CD CD 〇 CD s CZ5 s <=> ◦ LO O s CD s tz> s c> 铖畸4 命W w o o r-H 〇 T—( 〇 o C3 餒 fcl»-l 竽 W o CO L〇 CO 〇〇 城 9 S—/ 1 LO C> LO o LO crJ LO C3 LO O 柄 本 W s s. s s s S 1—^ 城 2 LO CD CD s o s o s Cl) s CZ) s <Z> 您S — 、_J z: o 1-^ o T-H o »-H o <=> o 铽续 <>a CO LO CO r-
2030-8304-PF 30 1333664 由表2可以確認，以Ni粉末而言，在使用平均例子徑 • 為〇. 1 /z m之N i粉末的情況下，也與實施例1有同樣之傾 . 向。 31施例3 ' 除了將導電體膠中含有之第1共材之比率如表3所示 樣地變化以外’其餘與實施例1之試料番號6同樣地製 作積層陶瓷致動器試料，並與實施例1同樣地進行評價。 結果如表3所示。
2030-8304-PF 31 1333664 【表3】
耐電壓不 良率 (%) 50%以下 OJ CO Cv3 CO 短路不 良率 (%) 50%以下 〇〇 s 目 (NI LO C<J 積層陶瓷致動器 靜電容量 (%) 一薦以内 T τ 0¾ 1 LO 1 〇 1 7 裂痕發生率 (ppm) lOOOppm 以下 2000 1400 o o s 3000 時 城 0.50 CZi s c> o LO C> s O* cs 内部電極層 之厚度 <=> ο O 0 1 1 < ◦ 1 ( o 2共材 (重量部） LO LO in LO A 第 (jum) \Γ> Ο ΙΛ C> LO CD LO c> LO C> ΙΛ 〇 導電體膠 共材 (重量部） Ο m LO CO 第1 (^m) 1 LO Ο S o LO 〇 〇 m o G LO 〇 <=> Ni粉末 (jum) (Ν} <=> CV3 C> Cv3 <=5 CO o CO <=> (NI <=> 試料 編號 〇〇 CT) C£> CO CO C〇
2030-8304-PF 32 1333664 由表3可知’在未含有第！共材之試料番號以、及第 1共材之含有量少至4重量部之試料番號19中發生了由燒 結引起之内部電極之球狀化，結果裂痕發生率惡化且靜電 各量降低。另一方面，在第1共材之含有量多至4。重量部 之試料番號22中也同樣地有裂痕發生率惡化且靜電容量 降低的結果。而且，在續料采站^ 〇。丄 在忒枓番唬22中，以裂痕發生率惡化 的原因而言，可能是第丨共盥 ^ ^ w “ "電體反應而燒結舉動產 以靜電容量降低的原因而言，彳能是内部 電極層之被覆率變低的緣故。 相對地，在將笛彳> A i _ /、材之έ有置控制在本發明之較佳 :圍内之試料番號6'2°、21中，任何-個之裂痕發生率、 靜電容量、短路不良率及耐電壓不良率皆革 且有良好的結果。 心乾圍内 實施例4 除了變化内部雷姑 I電極層用之導電體膠之印刷厚 成後之内部電極層厚度依表4所示變Μ外燒 例1之試料番號6同樣地製作積層陶究製 :、：： 實施例1同樣地進行評價。結果如表4所示。並與
2030-8304-PF 33 1333664 【表4】
積層陶瓷致動器 耐電壓不 良率 (%) 50%以下 in oo Cv3 CO CO CO 短路不 良率 (%) 50%以下 in oo 另 LO CO 靜電容1 (%) -10%以内 CO 1 OO 1 LO 1 1 T 裂痕發生率 (ppm) lOOOppm 以下 〇 o o » o <=> c=> 友_甸 卜 1-^ CO CO <z> 0.50 CO CO 〇· 1. 00 内部電極層 之厚度 (//m) <=> CO ΙΛ 1—^ O 00 CD L〇 導電體膠 共材 (重量部） LO LO in LO 第2 〇π〇 1__ uo c> LO C> LO <d> LO in c> 共材 ;(重量部） s S s 第1 〇m) s C) s c> LO o d> 0.05 LO o :Ni粉末 i (jam) J OJ CD CS] C3 OO C3 CM CD C<3 c6 試料 編號 CO CS3 CsJ CO lO (Nl <x> OJ
2030-8304-PF 34 由表4可知，在將導電體膠尹第 與燒結後之内部電極層之厚度之 、之平均粒子徑、 極層厚度」控制在ί/1〇卜〇 第2共材粒徑/内部電 試料番號6、23、2" ’其裂痕發生率丨靜°電5二之:’的 不良率及耐電壓不良率皆在 ：：且路 果。 礼固π，且有良好的結 相對地，在將「第2共材 在幻/2(=〇.5(υ大的試料層厂子度」控制 變低；尤其是在試料26中 ，其靜電容量 率有惡化的”路不良率及耐電塵不良 的原因▲ 而且’在上述試料中’以靜電容量降低 可能是電極中途斷裂部分變多的緣故。另外： =^26中，以短路不良率及耐電壓不良率，惡化 因而…能是第2共材之平均例子徑 體層之厚度受到此第2共材之影響，尤其是= 相鄰之介電體層部分地薄化的現象。 .以内部電極層用之導電體膠含有之第2共材而言，除 了使用平均例子徑為0.25„之，並變化内部電極 A :導電體膠之印刷厚度，且依表5所示變化燒成後之内 P电極層厚度以外’其餘與實施例1之試料番號6同樣地 製作積層陶瓷劲命J # 4 見欠動益忒料，並與實施例1同樣地進行評 價。結果如表5所示。
2030-8304-PF 35 1333664
【表5】
2030-8304-PF * K- m^-Q _ W 〇 h g CO oo CO OJ LO OJ K^ 1¾ 卜 S CM CO S cn <NI «W t4Q ㈣6 傘 ◦ 1 CO 1 oo 1 LO 1 oo 1 %3 卜 a a, g CS) 1 ◦ o i-H 〇 o 8器靶 .^ w*U 城 § 卜 C5 LO CNJ CZ5 CO C=5 t$m 缌 鞞畸it o cd ΙΛ 0 1 H oo C=) ? m n^· J&tl 味C lO !·0 ΙΛ C^3 贼 Q lO CO o in oo o in (M o LO CO o ? 本 *W 沭 « t Ή s s s s 蛛 9 =i s o LO <z> C5 LO o o LO o c=> > 、 2： ^ OJ o OO C> Cv3 C> CO Ιϊ s OO Cv3 05 Cs] 36 由表5可知，在將導電體膠 與燒結後之内 /中弟2 ,、材之平均粒子徑、 说 < 門4電極層之厚 極層厚度」控制在比1/1〇二、第2，、材粒徑/内部電 rn 〇 u u (〜0 · 1 )小的試料番號2 7中， 乐2共材之平均粒子挪备h k a易於變得比内部電 小，而無法得到第？丘从电徑層I与度 化。 八之添加效果，結果裂痕發生率惡 相對地，將「第| “， 1/1〇(=〇1)〜：、材粒徑/内部電極層厚度」控制在 ^ ^ 2 .5〇)之間的試料番號28〜30即使 任弟2共材之平均粒子 丨忙 到梦溏鉻斗玄 仫為〇. 25 # m的情況下，皆可以得 』裂痕發生率、靜雷交县 .^ ^卜 短路不良率及耐電壓不良率落 在預疋之範圍内的良好結果。 / 【圖式簡單說明】 之積層陶瓷致動器 第1圖係緣示本發明一較佳實施例 的剖面圖。 之積層陶瓷致動器 第2圖係緣示本發明一較佳實施例 的擴大剖面圖。 極 【主要元件符號說明】 1~選擇器； 2 ~間極驅動電路； 3〜閘極信號線；
2030-8304-PF 37 1333664 4〜源極驅動電路； 5〜源極信號線； 6 ~光感測器， 7〜讀取信號線； 8〜選擇器線； 9〜檢出電路； 10〜選擇器用TFT ; 11〜選擇器驅動電路； 1 2~積分器； 1 3 ~放電信號， 14〜接續於光感測器之TFT ; 1 5〜時脈控制器； 16~控制信號線。
2030-8304-PF 38
Claims (1)
1333664 . 第95135736號甲文申請專利範圍修正本 邪 Ί1 修正曰期：98.12.22 十、申請專利範園： 1. 一種積層型陶£電子元件之製造方法，製造 電體層、内部電極層之積層型陶究電子元件，包括:、" 形成於燒成後變為前述介電_ ^ m ^ 电體層之生胚薄片的製程； 使用導電體膠在前述生胚薄 ,^^, 溽月上以預定圖案形成於燒 成後變為刖述内部電極層之燒成前電極層的製程； 依序疊積前述生胚薄片、前述， 胚晶片的製m 《燒“電極層而形成生 燒成前述生胚晶片的製程； 其特徵在於： 用於形成前述燒成前電極層之 導雷1 導電體膠係至少包含： 導電體粒子'由陶瓷粉末構成之 ± M rk' ^ ^ ，、材、具有比陶瓷粉 末構成之前述第丨共材還大之平 完物 十均极子杈的第2共材； 月’J：4第1共材之平均粒子徑 八二 之”粒子徑之跡1/2之間的大:…述導電體粒子 部電=第2共材之平均粒子徑係為介於燒錢之前述内 部電極層之平均厚度之1/10〜1/2之間的大小；l内 2在向燒成後的内部電極層突出的陶瓷粒子； 剛述陶瓷粒子向前述内部電極層 剛述内部電極層的厚度，為_上的^；^相對於 2·如申請專利範圍第1項所述 之製造太土 疋之積層型陶瓷電子元件 Ik方法，其中前述第2共 0.2〜〇.5/Zm之間。 材之千均粒子徑係介於 3·如申請專利範圍第1或2項 崎所迷之積層型陶瓷電子 -0〇0-83〇4-pp] 39 V 疋件之製造方法，其中相對於前述 而^ 』攻導電體粒子100重量部 S ’前述導電體膠中之前述第 C： q c /、材之含有量係介於 b 35重量部之間。 4.如申請專利範圍第…項所述之積層型陶曼電子 二牛之製造方法，其中相對於前述導電體粒子1〇〇重量部 。，前述導電體膠中之前述第2 普如各 共材之含有量係比1重 里4夕但未滿1 5重量部。 “申請專利範圍第！ $ 2項所述之積層型陶竟電子 之製造方法’其中相對於前述導電體粒子100重量部 言’前述導電體膠中之前述第i共材之含有量係介於 人5田重量部之間，而且前述導電體膠中之前述第2共材之 3有量係比1重量部多但未滿15重量部。 一 ·如申明專利範圍第1或2項所述之積層型陶瓷電子 =件之製造方法，在前述導電體膠中，前述第丨共材的含· θ相對於别述導電體粒子1 00重量部，為20-25重量部。 _ 如申％專利範圍第1或2項所述之積層型陶瓷電子 几件之製造方法 晋, ’在前述導電體膠中，前述第1共材的含 里’相對於前述導 電體粒子100重量部，為20重量部。 2030-8304-PF] 40
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005288157A JP4267614B2 (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200739628A TW200739628A (en) | 2007-10-16 |
| TWI333664B true TWI333664B (en) | 2010-11-21 |
Family
ID=37900779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095135736A TWI333664B (en) | 2005-09-30 | 2006-09-27 | Production method of multilayer ceramic electronic device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070074806A1 (zh) |
| JP (1) | JP4267614B2 (zh) |
| KR (1) | KR100800220B1 (zh) |
| CN (1) | CN1941233B (zh) |
| TW (1) | TWI333664B (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110052473A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing active material |
| JP5444944B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-03-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 活物質及び活物質の製造方法 |
| JP5482062B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-04-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法 |
| JP5141708B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2013-02-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
| JP5397553B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-01-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| KR101275426B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2013-06-14 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 |
| JP5870625B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2016-03-01 | Tdk株式会社 | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| KR101275446B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-17 | 삼성전기주식회사 | 내부 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| US9076600B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-07-07 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9030800B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-05-12 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| KR101607536B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2016-03-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
| JP5441020B1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-12 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 静電チャック |
| KR20140081568A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
| KR102041629B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2019-11-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| JP6053186B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2016-12-27 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換層の製造方法 |
| JP6344184B2 (ja) | 2014-09-30 | 2018-06-20 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP6520085B2 (ja) | 2014-12-05 | 2019-05-29 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
| US10483038B2 (en) * | 2017-05-16 | 2019-11-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
| JP6996867B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2022-01-17 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7069935B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2022-05-18 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2019192862A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| KR102107750B1 (ko) | 2018-08-03 | 2020-05-07 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| JP7493322B2 (ja) * | 2019-11-13 | 2024-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| US11776744B2 (en) * | 2020-05-19 | 2023-10-03 | Samhwa Capacitor Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof |
| KR102466461B1 (ko) | 2021-04-28 | 2022-11-11 | 삼화콘덴서공업 주식회사 | 적층 세라믹 커패시터의 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712715B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2007-05-04 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 표면에 미세한 돌기를 형성시킨 세라믹스부재 및 그제조방법 |
| US6855222B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-02-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing laminated multilayer electronic components |
| JP4407299B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2010-02-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2005
- 2005-09-30 JP JP2005288157A patent/JP4267614B2/ja active Active
-
2006
- 2006-09-27 TW TW095135736A patent/TWI333664B/zh active
- 2006-09-27 US US11/527,574 patent/US20070074806A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-28 KR KR1020060094525A patent/KR100800220B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-30 CN CN2006101463754A patent/CN1941233B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007103453A (ja) | 2007-04-19 |
| KR100800220B1 (ko) | 2008-02-01 |
| CN1941233A (zh) | 2007-04-04 |
| TW200739628A (en) | 2007-10-16 |
| JP4267614B2 (ja) | 2009-05-27 |
| CN1941233B (zh) | 2010-06-16 |
| KR20070037350A (ko) | 2007-04-04 |
| US20070074806A1 (en) | 2007-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI333664B (en) | Production method of multilayer ceramic electronic device | |
| TWI298893B (zh) | ||
| TWI251242B (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| TWI299328B (en) | Dielectric ceramic composition and multi-layer ceramic capacitor | |
| TWI342304B (zh) | ||
| TW200839814A (en) | Dielectric ceramic composition and electronic device | |
| CN100521003C (zh) | 叠层陶瓷电容器 | |
| CN1983478B (zh) | 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法 | |
| TW200830339A (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| WO2006082833A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサ、及び該積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| CN100381393C (zh) | 陶瓷电子部件及其制造方法 | |
| JP5397341B2 (ja) | バリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ | |
| CN107836029A (zh) | 介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件 | |
| JP2007063040A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法、および電子部品 | |
| TW201921395A (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| JP2008305844A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| CN100483577C (zh) | 电介质陶瓷组合物、电子部件以及多层陶瓷电容器 | |
| JP2010257937A (ja) | 導電性ペースト、その製造方法および電子部品の製造方法 | |
| TW200952009A (en) | Dielectric ceramic composition, an electric component and a manufacturing method thereof | |
| JP2006005222A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP4792900B2 (ja) | バリスタ用磁器組成物、及び積層バリスタ | |
| WO2012176714A1 (ja) | セラミック粉末、半導体セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP5151039B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
| JP4552260B2 (ja) | ニッケル粉末、電極用ペーストおよび電子部品の製造方法 | |
| JP2007246328A (ja) | 積層型サーミスタ及びその製造方法 |