TWI272657B - Coating method and coating apparatus - Google Patents

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TWI272657B
TWI272657B TW093121359A TW93121359A TWI272657B TW I272657 B TWI272657 B TW I272657B TW 093121359 A TW093121359 A TW 093121359A TW 93121359 A TW93121359 A TW 93121359A TW I272657 B TWI272657 B TW I272657B
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TW093121359A
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Yukihiro Kawano
Shinobu Tanaka
Yoshitaka Otsuka
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Tokyo Electron Ltd
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Description

1272657 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種在被處理基板上塗佈液體且形成塗 佈膜之塗佈方法及塗佈裝置。 【先前技術】 以往,在LCD或半導體裝置等製程之微影步驟中, 爲了在被處理基板(玻璃基板、半導體晶圓等)上塗佈抗 蝕液而使用的抗蝕液噴嘴之形式,已知例如有專利文獻1 所揭示之縫隙狀的吐出口之長尺型或縫隙型噴嘴。 在使用這種縫隙型的抗蝕液噴嘴的塗佈裝置中,在水 平載置在載置台或保持板上的基板上面(被處理面)與噴 嘴的下端部吐出口之間設定數百μιη以下的微小間隙,在 基板上方該抗蝕液噴嘴與基板相對一邊相對水平移動一邊 朝向基板的上面吐出抗蝕液。此時,使從吐出口溢出至基 板上的抗蝕液水平移動之噴嘴的下端部平坦延伸,在基板 上以固定膜厚形成抗蝕液的塗佈膜。如此,噴嘴下端與基 板上面之間的間隙係左右塗佈膜的膜後或抗蝕液消耗量之 重要參數,必須將該間隙維持或管理在固定値。 因此,在以往的塗佈裝置中,各自獨立動作的多數真 空吸著口設置於載置台上,在基板上離散設定的複數個代 表點上,藉由間隙感應器檢測出噴嘴下端與基板上面之間 的間隙,對於間隙偏離設定値的地方,加減調整其附近的 真空吸者口之真空吸著力,以修正基板的翹曲或畸變。這 -5 - (2) 1272657 種間隙感應器係作爲光學式距離感應器,例如從半導體雷 射或發光二極體構成的投光元件朝向基板的上面射出光線 至垂直下方’來自基板上面之反射光經由聚光透鏡在位置 檢測元件上成像,從該成像位置求出距離間隔,換言之即 間隙的大小。 【專利文獻1】特開8-138991 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 在上述習知的塗佈裝置中,對於基板本身的翹曲或畸 變係以真空吸著力矯正因應,惟對於附著在基板上面之異 物(微粒、垃圾、碎片等)或挾於基板與載置台之間的異 物,係難以安全的因應。亦即,如上所述,從基板上面保 留數百μπι以內的間隙之尺寸使抗蝕液噴嘴與基板相對水 平移動之際,在基板上面附著接近間隙的尺寸或大於該尺 寸的異物時,抗蝕液噴嘴的下端部或吐出部將透過異物摩 擦基板上面。或是,當基板與載置台之間挾有異物時,由 於在其附近基板***,故將導致抗蝕液噴嘴的吐出部與基 板上面接觸而摩擦之問題。如此,當抗蝕噴嘴的吐出部摩 擦基板時,基板不僅失去產品價値,甚至相當高價的抗蝕 液噴嘴亦將損傷或破損而無法使用。 此外’以往的塗佈裝置之間隙感應器係檢測出1地點 的間隙,難以確實檢測出存在於基板上之不特定地方的異 物。又,與基板本身翹曲之情況不同,因爲在基板與載置 -6- 1272657 (3) 台之間挾住的異物導致基板翹曲時,不論在載置台側如何 調節其附近的真空吸著力,亦無法平坦化基板上面,且難 以避免抗蝕液噴嘴與基板之間的抵接或滑接。 本發明係有鑑於該習知問題而硏創者,目的在於提供 一種可安全的在接近被處理基板的上面或被處理面的高度 之位置進行掃描噴嘴之塗佈動作的塗佈方法及塗佈裝置。 〔用以解決課題之方案〕 爲了達成上述目的,本發明的塗佈方法,係在第1高 度位置大致水平支持被處理基板,朝向上述基板上面從與 上方接近的位置吐出塗佈液之噴嘴對於上述基板於水平方 向相對移動之掃描,在上述基板上面塗佈上述塗佈液,其 特徵在於,在上述噴嘴進行掃描之前,先在被支持於上述 第1高度位置的上述基板之上面附近,以大致水平橫貫在 第2高度位置之方式,從光束射出部射出指向性高的光 束,挾住上述基板在配置於與上述光束射出部相對向位置 的受光部接收上述光束且變換爲電性信號,依據從上述受 光部輸出的上述電性信號,對於應在上述基板的上方進行 上述掃描之上述噴嘴,判斷上述第2高度位置有無實質上 的障礙物,依據上述判斷的結果,選擇進行、中止或中斷 上述噴嘴對於上述基板的掃描。 又,本發明的塗佈裝置,其特徵在於具有以下構件: 支持部,係在第1高度位置大致水平支持被處理基板;噴 嘴,係在支持於上述支持部的上述基板上面從與上方接近 1272657 (4) 的位置吐出塗佈液;掃描部,係在上述基板的上方使上述 噴嘴對於上述基板進行在水平方向相對移動之掃描;光束 射出部,係在被支持於上述支持部的上述基板之上面附 近,以在第2高度位置大致水平地橫貫的方式,射出指向 性高的光束;受光部,係挾住上述基板,且配置於與上述 光束射出部相對向位置,並接收上述光束且變換爲電性信 號;判斷部’係依據從上述受光部輸出的上述電性信號, 對於應在上述基板的上方進行上述掃描之上述噴嘴,判斷 上述第2高度位置有無實質上的障礙物;以及掃描控制 部,係依據上述判斷部的判斷結果,選擇進行、中止或中 斷上述噴嘴對於上述基板的掃描。 在本發明中,在上述噴嘴進行掃描之前,先挾住被處 理基板,相對向的光束射出部與受光部接受大致水平橫貫 基板的上面附近之光束,先從光束射出部射出指向性高的 光束,判斷部依據受光部輸出的電性信號,判斷光束之傳 播路徑有無實質上的障礙物,當判斷有障礙物存在時,中 止或中斷噴嘴的掃描。藉此,在基板的上方附近,於噴嘴 的掃描方向前方存在障礙物時,在噴嘴行進到達之前,檢 測出該障礙物且停止噴嘴的掃描,可避免噴嘴與該障礙物 的接觸。 根據本發明之一樣態,從基板一端至另一端全面以上 述光束檢查障礙物,在噴嘴掃描方向之噴嘴的前方側位置 上支持光束射出部與受光部,使噴嘴與基板一起相對移 動。此時,在掃描中,判斷部於噴嘴的前方檢測出具有實 -8- (5) 1272657 質上的障礙物之判斷結果時,立刻以掃描部中斷噴嘴的水 平方向移動。或是,具有用來使噴嘴升降移動的升降機 構,在掃描中,判斷部於噴嘴的前方檢測出具有實質上的 障礙物之判斷結果時,立刻藉由升降機構使噴嘴上升移動 至特定的高度位置。藉由該上升移動,噴嘴即使繼續在水 平方向移動,亦可避開該障礙物,在其上方移動,可避免 撞擊或摩擦。 一般,如上述之噴嘴掃描的基板上面附近的障礙物, 以附著於基板上面的異物,或基板的***部份較多,基板 的***容易導致在基板與載置台(支持部)之間挾住異 物。因而,在塗佈處理之前,期望先進行從基板的上面或 下面或載置台的上面除去異物之淸潔。 根據本發明塗佈裝置之一樣態,係設置有第1淸潔 部’該第1淸潔部係爲了吸引除去附著於基板上面的異 物’供給真空吸引力至塗佈有上述塗佈液之前的基板上 面。又’設置有第2淸潔部,該第2淸潔部係爲了吸引除 去附著於基板下面的異物,供給真空吸引力至塗佈有上述 塗佈液之前的基板下面。又,設置有第3淸潔部,該第3 淸潔部係爲了吸引除去附著於載置台的異物,供給真空吸 引力至載置有基板之前的載置台。在第1淸潔部或第2淸 潔部’藉著配置於塗佈處理部的前段所設置的滾輪搬送路 的上方’以滾輪搬送使基板通過淸潔部的附近之際,從基 板的一端至另一端以真空吸引力到處進行淸潔。在各淸潔 部中’以不捲入周圍的空氣之方式,設計對真空吸引力的 -9- 1272657 (6) 作用場所周圍供給乾淨的氣體之氣體供給手段亦可。 根據本發明塗佈裝置之一樣態,支持部具有多數個氣 體噴出孔,且具有基板浮動機構,該基板浮動機構係將從 此等氣體噴出孔朝向上方噴出的氣體壓力施加於基板的下 面’使基板大致水平浮在第1高度位置。根據上述基板浮 動機構,由於以基板浮在空中的狀態進行塗佈處理,因此 可避免因爲基板下的異物導致噴嘴與基板接觸。又,即使 在基板上面附著異物而介以該異物使噴嘴與基板接觸,由 於以噴嘴側之按壓力可使浮動狀態的基板變位至下方,故 可使因接觸引起兩者的損傷降到最低。 根據本發明塗佈裝置之一樣態,設置有攝影部,係拍 攝塗佈有塗佈液之後的基板上面;以及判斷部,係依據攝 影部所獲得的畫像信號並根據畫像辨識判斷上基板上的塗 佈膜是否存在實質上的斑點。一般當塗佈膜產生斑點時大 多成爲引起噴嘴阻塞的主因,故在塗佈處理之後藉著檢查 塗佈膜是某存在有斑點,與膜質檢查同時可檢查出噴嘴的 塗佈液吐出功能。因而,最理想者爲倂設噴嘴更新部:用 以使噴嘴的塗佈液吐出功能恢復正常狀態的處理;以及更 新控制部,係在判斷部檢測出基板上面存在實質的斑點之 判斷結果時,在噴嘴更新部進行恢復處理。 〔發明之功效〕 根據本發明之塗佈方法或塗佈裝置’藉由上述的構成 以及作用,可安全地進行在接近被處理基板的上面或被處 -10- 1272657 (7) 理面之闻度位置掃描噴嘴之塗佈動作,且保證基板及噴嘴 的安全性。 【實施方式】 以下,參照添付圖說明本發明之最佳實施形態。 第1圖係可應用本發明之塗佈方法及塗佈裝置的一構 成例之塗佈顯影處理系統。該塗佈顯影處理系統1 0係設 置於淸洗室內,例如將LCD基板設爲被處理基板,在 LCD製程中,進行微影步驟中的淸洗、抗蝕液塗佈、預先 烘烤、顯影以及事後烘烤等一連串的處理。曝光處理係在 與該處理系統鄰接設置的外部之曝光裝置1 2中進行。 該塗佈顯影處理系統1 〇在中心部配置橫長的製程工 作站(P/S ) 16、在其長邊方向(X方向)兩端部配置匣 盒工作站(C/S) 14與聯繫工作站(I/F) 18。 匣盒工作站(C/S ) 14係系統10的匣盒搬入搬出 璋,具備有:在水平方向例如Y方向並列載置4個以多 段積疊角型的玻璃基板G之方式可收容複數片的匣盒c 之匣盒載置台20;與該載置台20上的匣盒C相對’進行 基板G的進出之搬送機構2 2。搬送機構2 2具有可保持基 板G的手段例如搬送臂22a,可在X、Y、Z、0的4軸動 作,進行相鄰的製程工作站(P/S ) 1 6側與基板G的收 受。 製程工作站(P / S ) 1 6依據製成流程或步驟順序於延 伸在系統長邊方向(x方向)之平行且逆向的一對線A、 -11 - 1272657 (8) B上配置各處理部。更詳言之,從匣盒工作站(C/S ) ! 4 側朝向聯繫工作站(I/F ) 1 8側之上流部的製程A係橫向 一行配置:淸洗製程部24、第1熱處理部26、塗佈製程 部2 8、第2熱處理部3 0。另外,從聯繫工作站(I/F ) 1 8 側朝向匣盒工作站(C/S ) 1 4側之下流部的製程B係橫向 一行配置:第2熱處理部3 0、顯影製程部3 2、脫色製程 部3 4、及第3熱處理部3 6。在該線形態中,第2熱處理 部3 0係位於上流側的製程A之最後段,且位於下流側製 程線B之最前面,橫跨在兩線A、B間。 在兩製程線A、B之間設置有輔助搬送空間3 8,以一 片片地可水平載置基板G之滑車4 0藉由未圖示的驅動機 構可在線方向(X方向)雙方向移動。 在上流部的製程線A上,淸洗製程部2 4係包含刷子 淸洗單元(SCR) 42,與該刷子淸洗單元(SCR) 42內的 匣盒工作站(C/S ) 10鄰接的地方配置準分子UV照射單 元(e-UV ) 41。刷子淸洗單元(SCR ) 42內的淸洗部藉 由滾輪搬送或輸送帶搬送以水平姿勢一邊搬送到線A方 向,一邊在基板G的上面(被處理面)進行刷洗或送噴 水(B 1 〇 w )淸洗。 與淸洗製程部24的下流側鄰接的第1熱處理部3 6在 沿著製程線A中心部設計縱型的搬送機構4 6,於其前後 兩側設置與基板收受用的通過單元一起多段積層配置而成 複數個葉片式烘烤單元的多段單元部或烘烤塔(TB ) 44 、 48 - -12- 1272657 (9) 例如,第2圖所示’上流側的烘烤塔() 44係從 下方依序積疊有:基板搬入用的通過單元(PASSL) 50、 脫水烘烤用之加熱單元(DHP ) 52、54以及黏著單元 (AD ) 56。在此,通過單元(PASSL) 50係提供用來將 從刷子淸洗單元(S C R ) 4 2結束淸洗處理的基板G搬入 至第1熱處理部2 6內的空間。下流側的烘烤塔(T B ) 4 8 從下方依序積疊有:基板搬出用的通過單元(P AS SR ) 60、基板溫度調整用的冷卻單元(COL) 62、64以及黏著 單元(AD) 66。在此,通過單兀(PASSr) 60係提供用 來將在第1熱處理部2 6結束所需的熱處理之基板G搬出 至下流側的塗佈製程部28的空間。 在第2圖中,搬送機構46係具備有:沿著延伸於鉛 直方向的導引軌68而可升降移動的升降搬送體70 ;在該 升:降搬送體70上於0方向可旋轉或可迴旋的迴旋搬送體 72;在該迴旋搬送體72上一邊支持基板G —邊在前後方 向可進退或伸縮的搬送臂或挾具74。用以升降驅動升降 搬送體70之驅動部76設置於垂直導引軌68的基端側, 用以迴旋驅動迴旋搬送體72的驅動部78安裝於升降搬送 體70,用以進退驅動搬送臂74的驅動部80安裝於旋轉 搬送體72。各驅動部76、78、80係例如以電氣馬達等構 成亦可。 以如上之方法構成的搬送機構4 6係高速升降或迴旋 運動’可存取在兩相鄰的烘烤塔(T B ) 4 4、4 8中的任意 單元’補助搬送空間3 8側的滑車4 0亦可收受基板G。 -13- (10) 1272657 與第1熱處理部26的下流側鄰接的塗佈製程部2 8係 如第1圔所示,沿著製程線A配置成一行:搬入單元 (IN ) 8 1、抗蝕液塗佈單元(CT ) 82、減壓乾燥單元 (VD) 84、邊緣去膜劑單元(ER) 86以及搬出單元 (OUT ) 8 7。塗佈製程部2 8內的構成如後詳細說明。 與塗佈製程部2 8的下流側鄰接的第2熱處理部3 〇係 具有與上述第1熱處理部26相同的構成,在兩製程線 A、B之間設計縱型的搬送機構90 ’在製程線A側(最後 段)設計一方之烘烤塔(TB ) 8 8,在製程線B側(前 頭)設計另一方之烘烤塔(TB) 92。 雖省略圖示,惟例如在製程線A側的烘烤塔(TB ) 88之最下段配置有基板搬入用的通過單兀(PASSl),於 其上例如可 3段積層重疊預烘烤用的加熱單元 (PREBAKE )。又,在製程線B側的烘烤塔(TB ) 92之 最下段配置基板搬入用的通過單元(PASSR ),於其上例 如可1段重疊基板溫度調整用的冷卻單元(C0L ),於其 上例如可 2段積層重疊預烘烤用的加熱單元 (PREBAKE)。 第2熱處理部3 0之搬送機構90係介以兩座烘烤塔 (TB) 88、92之各個通過單元(PaSSl)、通過單元 (PASSR )’不僅可一片片地收受塗佈製程部28及顯影 製程部3 2與基板G,輔助搬送空間3 8內的滑車4 0或後 述的介面工作站(I / F ) 1 8亦可以一片片地收受基板G。 在下流部的製程線B中,顯影製程部3 2係包含所謂 -14- I272657 (11) 的平流方式之顯影單元(D E V ) 9 4,該單元係一邊以水平 姿勢搬送基板G —邊進行一連串的顯影處理步驟。 在顯影製程部3 2的下流側挾住脫色製程部3 4配置有 第3熱處理部3 6。脫色製程部3 4係在基板G的被處理面 照射i線(波長365nm)以進行脫色處理的i線UV照射 單元(i-UV ) 96。 第3熱處理部36係具有與上述第1熱處理部26或第 2熱處理部3 0相同的構成’沿著製程線B在縱型的搬送 機構1〇〇與其前後兩側設計一對烘烤塔(TB) 98、1〇2。 雖省略圖示,惟例如上流側的烘烤塔(TB ) 9 8在最 下段放置基板搬入用的通過單元(PASSL ),例如於其上 3段積層重疊事後烘烤用的加熱單元(POBAKE )。又, 下流側的烘烤塔(TB ) 1 02在最下段放置事後烘烤用的加 熱單元(POBAKE),例如於其·上重疊1段基板·搬出及冷 卻用的通過、冷卻單元(PASSr · C0L ),於其上積層2 段之事後烘烤用的加熱單元(POBAKE)。 第3熱處理部3 6之搬送機構1 〇〇不僅經由兩多段單 元部(TB) 98、102之通過單元(PASSL)以及通過、冷 卻單元(PASSR · C0L ) —片片地收受i線UV照射單元 (i-UV ) 96以及匣盒工作站(C/S ) 14與基板,亦可以一 片片地收受輔助搬送空間3 8內的滑車40與基板G。 聯繫工作站(/F ) 1 8係具有用來進行相鄰接的曝光 裝置12與基板G之拿取的搬送裝置104,在其周圍配置 緩衝載置台(BUF ) 106、延展冷卻台(EXT · C0L ; -15- 1272657 (12)
Extensive cooling stage ) 108 以及周 台(BUF) 106放置定置型的緩衝匣 冷卻台(EXT· COL; Extensive cool 有冷卻功能之收受基板用的載置台, 1 6側與拿取基板G。周邊裝置1 1 〇 疊字幕攝影機(TITLER )與周邊曝 成。搬送裝置104係具有可保持基板 臂 104a,亦可進行相鄰接的曝光 (BUF) 106、 ( EXT · COL) 108、( 基板G之收受。 第3圖係表示該塗佈顯影處理系 匣盒站(C/S ) 14中,搬送機構22從 匣盒C中取出一片基板G,搬入至製 洗製程部24的準分子UV照射單5 Si ) ° 在準分子UV照射單元(e-UV ) 外線照射進行乾式淸洗(步驟S2 ) 主要除去基板表面的有機物。在紫外 G藉由匣盒站(C/S ) 14之搬送機構 24的刷子擦洗單元(SCR) 42。 在刷子擦洗單元(SCR) 42中, 滾動搬送或輸送帶搬送以水平姿勢在 地搬送基板G,一邊在基板G的上面 子淸洗或噴水淸洗,從基板表面除去 邊裝置1 1 0。在緩衝 盒(未圖示)。延展 ing stage) 1 08 爲具 用於製程站(P/S ) 係例如亦可爲上下積 光裝置(EE )之構 [G之手段例如搬送 裝置12或各單元 TITLER/EE ) 110 與 統之步驟。首先,在 :載置台20上任一個 程站(P/S ) 16之淸 t (_ e-UV ) 4 1 (步驟 4 1內,基板G以紫 。在該紫外線淸洗中 線淸洗結束後,基板 2 2移至淸洗製程部 如上所述,一邊藉由 製程線 A方向平流 (被處理面)進行刷 粒子狀的污垢(步驟 -16- 1272657 (13) s 3 )。然後,在淸洗後,一邊平流地搬送基板G,一邊進 行沖洗處理,最後使用氣刀等使基板G乾燥。 在刷子擦洗單元(S C R ) 4 2內淸洗結束的基板g係 平流地搬入至第1熱處理部26之上流側烘烤塔(TB ) 44 內的通過單元(PASSL ) 50。 在第1熱處理部2 6中,基板G藉由搬送機構4 6以 特定的順序依續移送到特定的烘烤單元。例如,基板G 最初從通過單元(PASSL) 50移到加熱單元(DHP) 52、 5 4中的一個,在此接受脫水處理(步驟S 4 )。然後,基 板G係移到冷卻單元(C Ο L ) 6 2、6 4其中的一個,在此 冷卻至固定的基板溫度爲止(步驟S 5 )。然後,基板G 係移到黏著單元(A D ) 5 6,在此接受離水化處理(步驟 S 6 )。在該離水化處理結束之後,基板 G將冷卻單元 (C;0 L ) 6 2、6 4中的一個冷卻至固定的基板溫度爲止(步 驟S7 )。最後,基板G移動到下流側烘烤塔(TB ) 48內 的通過單元(PASSR ) 60。 如此,在第1熱處理部26內,基板G係經由搬送機 構46在上流側的多段烘烤塔(TB ) 44與下流側的多段烘 烤塔(TB) 48內之間任意往來。此外,即使是第2及第 3熱處理部3 0、3 6亦進行同樣的基板搬送動作。 在第1熱處理部26內接受上述一連串的熱或熱系的 處理之基板G從下流側的多段烘烤塔(TB ) 4 8內的通過 單元(P A S S R ) 6 0移至下流側相鄰的塗佈製程部2 8之搬 入單元(IN ) 81,從搬入單元(IN ) 81移至抗蝕液塗佈 -17- 1272657 (14) 單元(CT ) 82。 在抗蝕液塗佈單元(CT ) 82中,基板G係如後述, 藉由使用縫隙型的抗蝕液噴嘴之旋塗法·在基板上面(被處 理面)塗佈抗蝕液。然後,基板G係以下流側相鄰的減 壓乾燥單元(VD ) 84接受減壓之乾燥處理,更以下流側 相鄰的邊緣去膜劑(ER ) 8 6除去基板周緣部的多餘(不 要)抗蝕液(步驟S 8 )。 接受上述抗蝕液塗佈處理的基板G係從邊緣去膜劑 (ER ) 8 6搬入至相鄰的第2熱處理部3 0之上流側烘烤塔 (TB) 88內之通過單元(PASSl)。 在第2熱處理部3 0內基板G藉由搬送機構90以特 定的順序依序移送到特定的單元。例如,基板G最初從 通過單元(PASSL)移動到加熱單元(PREBAKE)中的一 個,在此接受事先烘烤的加熱處理(步驟S9 )。然後, 基板G移動到冷卻單元(COL )中的一個,在此冷卻至固 定的基板溫度爲止(步驟S i 〇 )。然後,基板G經由或不 經由下流側烘烤塔(TB ) 92內之通過單元(PASSR ), 轉送到聯繫站(I/F ) 18側的延展冷卻站(EXT · COL ) 108 〇 在聯繫站(I/F ) 1 8中,基板 G從延展冷卻站 (EXT · COL ) 108搬入至周邊裝置110的周邊曝光裝置 (EE),在此接受在顯影時除去附著於基板G的周邊部 之抗蝕液的曝光之後,傳送到相鄰的曝光裝置】2 (步驟 -18- (15) 1272657 在曝光裝置12中,在基板G上的抗蝕液曝光 電路圖案。然後’結束圖案曝光的基板G從曝光§ 回到聯繫站(I/F) 18時(步驟Sh ),首先搬入至 置1 10的字幕攝影機(TITLER),在此在基板上 部位記取特定的資訊(步驟S i 2 )。然後,基板G 延展冷卻站(EXT· COL) 108。聯繫站(I/F) 18 G的搬送以及曝光裝置12之基板G的拿取係藉由 置104進行。 在製程站(P/S ) 16中,於第2熱處理部30 送機構90從延展冷卻站(EXT· COL) 108接受曝 的基板G,經由製程線B側的烘烤塔(T B ) 9 2內 單元(PASSR)轉送給顯影製程部32。 在顯影製程部3 2中,將從該烘烤塔(TB ) 92 過單元PASSr )接受的基板G搬入至顯影單元( 94。在顯影單元(DEV ) 94中,基板G係朝向製 的下流以平流方式搬送,在該搬送中進行顯影、沖 燥的一連串顯影處理步驟(步驟S i 3 )。 以顯影製程部3 2接受顯影處理的基板G係平 入至下流側相鄰的脫色製程部34,在此接受i線照 色處理(步驟S ! 4 )。脫色處理結束後的基板G係 第3熱處理部3 6的上流側烘烤塔(TB ) 9 8內的通 (PASSL)。 在第3熱處理部3 6中,基板G最初從該通 (PASSl)移到加熱單元(POBAKE )中的一個, 特定的 _置 12 週邊裝 的特定 係回到 之基板 搬送裝 中,搬 光結束 的通過 內的通 DEV ) 程線B 洗、乾 流地搬 射之脫 搬入至 過單元 過單元 在此接 -19- 1272657 (16) 受事後烘烤之加熱處理(步驟S ! 5 )。然後,基板G移到 下流側烘烤塔(TB ) 102內的冷卻通過單元(pASS r · COL ),在此冷卻·至特定的基板溫度(步驟S16 )。藉由 搬送機構1 〇〇搬送第3熱處理部3 6之基板G。 在匣盒站(C / S ) 1 4側,搬送機構2 2接收從第3熱 處理部3 6之冷卻通過單元(P A S S R · C 0 L )結束塗佈顯影 處理的全步驟之基板G,將所接收的基板G收容在載置台 20上的任一匣盒C (步驟Si )。 在該塗佈顯影處理系統1 〇中,可應用本發明至塗佈 製程部28特別是抗蝕液塗佈單元(CT ) 82。以下,參照 第4圖至第13圖說明將本發明應用在塗佈製程部28之一 實施形態。 如第4圖所示,塗佈製程部2 8係在支持台1 12上於 X方向(沿著製程線A ) —行地配置搬入單元(IN ) 8 1、 抗蝕液塗佈單元(CT ) 82、減壓乾燥單元(VD ) 84、邊 緣去膜劑單元(ER ) 86以及搬出單元(OUT ) 87。延伸 於X方向之一對的導引軌1 Μ、1 14平行敷設於支持台 1 12的兩端部,藉由被兩導引軌1 14、1 14導引而移動的 一組或複數組之搬送臂1 1 6、1 1 6,在單元間可拿取基板 G。 在搬入單元(IN ) 81設置有以固定間隔於X方向敷 設大致可水平載置基板G之滾輪1 1 8而成的平流方式之 滾輪搬送路1 2 0。該滾輪搬送路1 2 0從相鄰的供烤塔 (TB) 48內之通過單元(PASSR) 60拉入,例如藉由具 -20- 1272657 (17) 有驅動馬達或傳動機構的搬送驅動部1 22驅動。在滾輪搬 送路120下以水平姿勢舉起從通過單元(PASSR) 60搬送 而至的基板G,設置有以搬送臂1 1 6、1 1 6交付之可升降 的複數條升降機槽1 24。又,在滾輪搬送路1 20上設置有 用來淸洗基板G的上面之基板上面除垢器126,並且在滾 輪搬送路120下不與升降機槽124千涉的位置設置有淸洗 基板G的下面之基板下面除垢器1 2 8 (第6圖)。兩除垢 器1 2 6、1 2 8之詳細構成以及作用係參照第6圖說明如 後。此外,在通過單元(PASSR) 60內設置有從搬送機構 46 (第2圖)接受在第1熱處理部2 6結束需要的熱處理 之基板G,並移載置滾輪搬送路1 20上的可升降之升降機 槽 130。 抗蝕液塗佈單元(CT ) 82係具有:水平載置保持基 板G之載置台132;在載置於該載置台132上的基板G上 面(被處理面)使用縫隙型的抗蝕液噴嘴1 3 4並以旋塗法 塗佈抗蝕液之塗佈處理部1 3 6 ;淸潔載置台1 3 2上面之載 置台除垢器1 3 8 ;檢查形成於基板G上的抗蝕液之塗佈膜 是否存在斑點之塗佈膜檢查部1 40 ;以及將抗蝕液噴嘴 1 34的抗蝕液吐出功能維持在正常狀態或更新之噴嘴更新 部142等。參照第6圖至第1 3圖詳述抗蝕液塗佈單元 (CT ) 82內的各部之構成及作用如後。 減壓乾燥單元(V D ) 8 4係具有:上面爲開口之托盤 或底淺容器型的下部反應室1 44 ;以及與該下部反應室 1 44的上面氣密密接或可嵌合而構成的蓋狀之上部反應室 -21 - 1272657 (18) (未圖示)。由於下部反應室1 44大致爲四角形,因此在 中心部配設有水平載置支持基板G之載置台146,於底面 的四角設置有排氣口 148。各排氣口 148經由排氣管(未 圖示)與真空泵相通。在下部反應室144覆蓋上部反應室 之狀態下’藉由該真空泵使兩反應室內的密閉處理空間減 壓至特定的真空度。 在邊緣去膜劑(ER ) 86設置有:水平載置支持基板 G之載置台1 5 0 ;在基板G相對向之一對角隅部位置定位 的校準手段1 5 2 ;以及從基板G四邊的周緣部(邊緣)除 去多餘抗蝕液之四個去膜劑頭1 5 4等。以校準手段1 5 2定 位載置台1 5 0上的基板G之狀態下,各去膜劑頭1 5 4 — 邊沿著基板G的各邊移動,一邊以沖淡劑溶解並除去附 著在基板各邊周緣部之多餘抗蝕液。 搬出單元(OUT) 87係具有與上述搬入單元(IN) 8 1相同的滾輪搬送路及升降機槽(未圖示)。搬送臂 1 16、1 16將在邊緣去膜劑單元(ER ) 86結束抗蝕液除去 處理的基板G搬送到搬出單元(OUT ) 8 7,升降機槽從搬 送臂1 1 6、1 1 6接受基板G並移載到滾輪搬送路上。然 後,以平流之滾輪搬送搬送基板G至後述相鄰的烘烤塔 (TB) 88內的通過單元(PASSL)爲止。 第5圖係表示抗蝕液塗佈單元(CT ) 82內以及其週 邊的主要各部份的控制系統之構成。控制部1 60係由包含 CPU或記億體等的微電腦所構成,由特定的軟體或程式控 制各部份。上述之基板上面除垢器1 2 6、基板下面除垢器 -22- (19) 1272657 1 2 8、塗佈處理部1 3 6、載置台除垢器1 3 8、塗佈膜 1 4 0以及噴嘴更新部1 4 2藉由控制系統的介面與該 160連接’且載置台機構166以及噴嘴障礙監視器 亦以控制系統的介面連接。又,控制部1 60亦與操 的鍵盤或顯示裝置(未圖示)或外部的主客電腦或 (未圖不)等連接。 第6圖係一實施例之基扳上面除垢器丨2 6以及 面除垢器1 2 8的構成。基板上面除垢器1 2 6以可覆 搬送道路120上的基板G從一端至另一端爲止之 具有延伸於 Y方向(與搬送方向垂直的水平方向 尺狀的除垢器本體170,在該除垢器本體170的下 延伸於長邊方向(Y方向)之縫隙狀的吸引口 172 吸弓:丨口 1 72的兩側噴出氣體(例如淸淨的空氣)之 出口 1 7 4。在除垢器本體1 7 0的上面及側面分別連 氣管1 7 6以及氣體供給管1 7 8。在除垢器本體1 7 0 於中心部設置有使吸引口 172與吸氣管176連接的 或吸氣路1 8 0,並在該吸氣路1 8 0的兩側設置有使 給管178與氣體噴出口 174連接的通氣路或給氣路 在給氣路182的途中設置有使氣體噴出口 174之噴 均一化的多孔板184。吸氣路180亦可設置使吸引 之吸引力均一化的多孔板(未圖示)。吸氣管1 76 塵過濾器(未圖示)與真空裝置例如真空泵或噴射 圖示)相通,氣體供給管1 7 8係與氣體供給源例如 (Compressor)(未圖示)連接。 檢查部 控制部 168等 作面板 控制器 基板下 蓋滾輪 長度, )之長 面設置 與從該 氣體噴 接有吸 的內側 通氣路 氣體供 182° 出壓力 □ 172 經由集 栗(未 壓氣機 -23- (20) 1272657 在第1熱處理部26從烘烤塔(TB ) 48內的通過單元 (PASSR ) 60將結束需要的熱處理之基板G搬入至抗蝕 液塗佈單元(CT) 82之搬入單元(IN) 81之際,基板G 在滾輪搬送路1 20上例如以數mm以下的接近距離通過基 板上面除垢器1 2 6之正下方。此時,當在基板G的上面 附著微粒、垃圾、碎片等異物P時,此等異物P藉由從除 垢器本體170的吸引口 172供給至基板上面的真空吸引力 被吸入吸引口 172中,通過吸氣路180以及吸氣管176捕 捉至集塵過濾器。在吸引口 1 7 2的周圍從氣體噴出口 1 7 4 噴出的氣體與基板上面接觸之後被吸入至吸引口 172而形 成氣簾。因此,不會捲入周圍的空氣導致大氣中的垃圾進 入之慮。如此,基板G平流地在滾輪搬送路1 2 0上搬入 至搬入單元(IN ) 81之際,藉由基板上面除垢機126之 真空吸引式的淸潔從基板G上面除去大部份的異物p。 基板下面除垢機1 2 8具有與基板上面除垢機1 2 6祖同 的構成’如第6圖所示,逆向(向上)配置於滾輪搬送路 1 2 0下。因而’基板G平流地在滾輪搬送路丨2 〇上搬入至 搬入單元(IN ) 8 1之際,藉由基板下面除垢機丨2 8對於 基板G的下面進行與基板上面除垢機I 2 6相同的真空吸 引式之淸潔,從基板G的下面除去大部份的異物p。此 外,構成滾輪搬送路1 2 0的各滾輪1 1 8係在軸1 1 8 a的兩 端部固接一對的搬送滾子1 1 8 b,基板G載置於此等左右 一 ¥彳的搬送滾子1 1 8而被搬送。因而,在基板g的下面 與軸1 1 8 a之間具有固定間隙,附著於基板〇的下面之異 -24- 1272657 (21) 物P以穿越該間隙之基板下面除垢器1 2 8捕捉。又 實施例,在上下相對向配置基板上面除垢機1 2 6與 面除垢機1 2 8的構成中,使兩除垢機對於基板G 壓力相抵,可穩定維持基板G的水平姿勢。 第7圖係表示一實施例之載置台132及載置台 1 3 8之構成。載置台1 3 2係因應基板G的形狀及大 方體的載置台。在載置台1 3 2的上面分別以適當的 案設置有:收容可在垂直方向出沒的升降機槽(未 之複數個孔190;以及用以固定載置台上的基板G 個真空吸著口 192。 將基板G載置於載置台1 3 2上時,升降機槽 190垂直突出於上方,在特定的高度位置從搬送臂 1 16 (第4圖)接收基板G,然後,迄升降機槽前 至進入孔1 9 0中的高度位置爲止,將基板G移載 於載置台132上。各真空吸著口 192與真空泵等 (未圖示)連接,在固定的高度位置藉由真空吸著 載置於載置台132上的基板G。從載置台132卸下 時,除了解除真空吸著力外,另使升降機槽從各孔 直突出於上方,使基板G上升至特定的高度位置 給搬送臂1 1 6、1 1 6。使用這種升降機槽之載置/卸 或真空吸著口 192之基板保持機構係作爲載置台機 (第5圖)的一部份在控制部1 6 0的控制下動作。 在第7圖中,載置台除垢器138係具有:以可 置台132 —端至另一端之長度,且於γ方向延伸 ,如該 基板下 造成的 除垢機 小之正 配置圖 圖示) 之多數 從各孔 116、 端下降 或載置 真空源 力保持 基板G 1 90垂 並轉送 載機構 構 166 覆蓋載 之長尺 -25- 1272657 (22) 狀的除垢器本體1 9 4 ;以及在載置台1 3 2的上方於X方向 上水平移動或掃描的掃描部1 96。除垢器本體1 94例如與 上述基板上面除垢器1 26相同的構造亦可,經由吸氣管 198與真空源(未圖示)連接,並且經由氣體供給管200 與氣體供給源(未圖示)連接,具有與載置台1 3 2相對向 的縫隙狀之吸氣口與氣體噴出口。掃描部1 96係具有:水 平支持除垢器本體194之逆C字狀的支持體202 ;及於X 方向雙方向直進移動該支持體202之掃描驅動部204。該 掃描驅動部204例如可以附有導引的螺栓機構或線性電動 機機構構成。在連接支持體202與除垢體本體194的接頭 部以設置用來變更或調整除垢體本體1 9 4的高度位置之附 有導引的升降機構206較爲理想。 載置台除垢器138係在載置台132上未載置基板G 的空檔在控制部 1 6 0的控制下動作。更詳言之,以於X 方向縱貫載置台132的上方之方式,一邊藉由掃描部196 以固定的速度掃描除垢器本體194,一邊藉由除垢器本體 1 94對於載置台1 3 2的上面各部供給真空吸引力,以掃除 載置台132 —端至另一端的上面之方式淸洗。藉此,附著 或殘存在載置台132上的異物被除垢器本體! 94捕捉並除 去。 第8圖係表示一實施例之塗佈處理部丨3 6及噴嘴障礙 監視器1 6 8的構成。塗佈處理部1 3 6係具有:包含抗蝕液 噴嘴1 3 4之抗蝕液體供給部2 1 0 ;在載置台1 3 2上方於X 方向水平移動亦即掃描該抗蝕液噴嘴1 3 4的掃描部2 1 2 ; -26- 1272657 (23) 以及變更或調整抗蝕液噴嘴1 3 4的高度位置之噴嘴升降機 構 2 2 0 〇 在抗蝕液體供給部2 1 0中,抗蝕液噴嘴1 3 4係具有: 以可覆蓋載置台132上的基板G —端至另一端爲止之長 度延伸於γ方向之縫隙狀的吐出口 1 3 4 a,與來自抗蝕液 供給源(未圖示)之抗蝕液供給管2 1 4連接。掃描部2 1 2 係具有:水平支持抗蝕液噴嘴1 3 4之逆C字狀的支持體 216;以及於X方向雙方向直進移動該支持體216之掃描 驅動部2 1 8。該掃描驅動部2 1 8亦可使用螺栓機構,惟若 從塗佈膜之均一性的觀點來看以機械振動少的線性伺服馬 達機構構成較佳。噴嘴升降機構220亦可以螺栓機構構 成,不僅調節抗蝕液噴嘴1 3 4的高度位置,亦可任意設定 或調整噴嘴下端部之吐出口 134a與載置台132上的基板 G上面(被處理面)之間的間隔距離,換言之即間隙 g (第9圖)的大小,亦可瞬間上升移動抗蝕液噴嘴1 3 4。 塗佈處理部1 3 6係在載置台1 3 2上載置有基板G的 期間在控制部160的控制下動作。更詳言之,以於X方 向縱貫載置台1 3 2的上方之方式,一邊藉由掃描部2 1 2以 固定的速度掃描抗蝕液噴嘴1 3 4,一邊在抗蝕液體供給部 2 1 0上以延伸於Y方向的線狀吐出流從抗蝕液噴嘴1 3 4的 縫隙狀吐出口 134a供給抗蝕液至載置台132上的基板G 之上面。此時,在X方向上以特定方向前進或水平移動 之抗飩液噴嘴1 3 4的下端部使從吐出口溢出至基板G上 的抗蝕液平坦延伸,在基板G上以因應間隙g之固定的 -27- 1272657 (24) 膜厚形成抗蝕液的塗佈膜C R (第9圖)。 噴嘴障礙監視器1 6 8係在塗佈處理部1 3 6中進行上述 抗蝕液塗佈處理時,檢查在抗蝕劑噴嘴1 3 4的前方是否有 障礙。如上所述,以平流的滾輪搬送將基板G搬入至搬 入單元(IN ) 81之際,藉由基板上面除垢器丨26及基板 下面除垢器128分別以真空吸引法淸潔基板G的上面及 下面,更藉由載置台除垢器1 3 8定期以真空吸引法淸潔載 置台132的上面,因此當載置於載置台132上的基板G 上面附著異物時,在基板G與載置台1 3 2之間挾住異物 之發生頻率低於習知裝置。然而,從搬入單元(IN ) 8 1 移送至載置台132爲止之期間,在基板G的上面或下面 有附著異物的可能性或有在載置台丨3 2上附著新的異物之 可能性。又,藉由除垢機1 2 6、1 2 8、1 3 8亦有無法完全除 去異物的可能性。在該實施形態中,設計噴嘴障礙監視器 1 6 8以分散風險,載置於載置台1 3 2上的基板G上面或下 面實質上附著且挾有異物(塗佈處理上有障礙)時,如以 下所述,藉由噴嘴障礙監視器1 6 8的動作防止抗蝕劑噴嘴 1 3 4與基板G抵接或滑接於未然。 在第8圖中,噴嘴障礙監視器1 6 8係具有以下構件: 雷射射出部222,係在特定的高度位置於Y方向上大致水 平橫貫載置於載置台132上的基板G之上面附近的方 式,射出指向性高的光束如射出雷射光束LB ;以及受光 部22 4,係於γ方向挾住載置台132上的基板G且配置於 與雷射射出部2 2 2相對向的位置。如圖所示,雷射射出部 -28- (25) 1272657 2 2 2及受光部2 2 4係分別從支持體2 1 6的左右兩側面安裝 於突出至掃描方向前方之一對水平支持臂226、2 2 6,在 掃描方向上以固定的距離(例如100mm至200mm)在比 抗蝕劑噴嘴1 3 4更前方的位置傳送接收雷射光束LB。當 受光部224接受來自雷射射出部222之雷射光束LB時, 輸出因應其受光的雷射光束LB的光量或光強度的位準之 電壓信號。噴嘴障礙監視器1 6 8係具有信號處理電路,輸 入來自受光部224的電壓信號,將其電壓信號的位準與特 定的基準値比較進行監視器判斷。在此,基準値係:從雷 射射出部222射出的雷射光束LB無任何的障礙,在空中 傳播而到達受光部2 2 4時,作爲從受光部2 2 4輸出之電壓 信號的位準亦可。 在塗佈處理部1 3 6進行抗蝕液塗佈處理時,藉由掃描 部2 1 2的掃描驅動與抗蝕劑噴嘴1 3 4 —起,且在其前方噴 嘴障礙監視器1 68的障礙物檢測用雷射光束LB亦於X方 向上掃描基板G的上方。在該雷射光束LB的掃描中,基 板G的上面保持在設定的高度位置,在此於未附著任何 異物的掃描處上,如第9圖的(A )所示,來自雷射射出 部2 22之雷射光束LB在基板上面附近沒有任何障礙而傳 播到達受光部224,獲得從受光部224近似基準値的位準 電壓信號。因而,噴嘴障礙監視器1 6 8的信號處理電路在 該掃描位置爲「正常」,換言之,輸出在抗蝕液噴嘴1 3 4 沒有障礙物的監視器判斷結果。如此,從噴嘴障礙監視器 1 6 8測出「正常」的監視器判斷結果,控制部1 6 0在塗佈 -29- 1272657 (26) 處理部1 3 6續行或繼續抗蝕液塗佈處理。 然而,例如第9圖的(B )所示,在基板G與載置台 1 3 2之間挾住異物P,基板G在其附近***時,在掃描的 過程中,當雷射光束LB到達基板G的***處時,雷射光 束LB藉由與雷射射出部222相對側的基板G之側面部份 被遮住,該雷射遮光的程度因應基板G的***程度漸次 增大。如此,在受光部224中,雷射光束LB的受光量漸 次減少,輸出信號的位準漸次降低。在噴嘴障礙監視器 1 6 8的信號處理電路中,在來自受光部2 2 4的電壓信號之 位準與基準値相對下降至低於特定的比率(例如5 0% )的 時刻爲「異常」,換言之,在該掃描位置輸出與抗蝕液噴 嘴1 3 4相對存在任何障礙物的監視器判斷結果。 或者是,如第9圖(C )所示,即使在基板G的上面 任一處附著有相當大小的異物P時,在掃描的過程中雷射 光束L B藉由該異物P遮蔽,因此在該時刻與上述相同, 從噴嘴障礙監視器1 6 8的信號處理電路輸出「異常」的監 視判斷結果。 此外,如第9圖所示,雷射光束LB的高度位置以及 大小(光束徑d )係因應形成於正常載置在抗蝕液噴嘴 134的下端即吐出口 134a與載置台132上之基板G上面 之間的間隙g之高度位置及大小(距離間隔)而設定,以 與兩者(LB,g )的高度位置及大小一致或近似較佳。例 如,將間隙g設定爲1 〇〇 μη時’將雷射光束LB的光束徑 d設定爲100 μηι,使雷射光束LB的中心高度位置與間隙 -30- 1272657 (27) g的中心高度位置相合亦可。 如上所述,從噴嘴障礙監視器1 6 8輸出「異 視判斷結果時,控制部1 60在塗佈處理部1 3 6指 塗佈處理的中斷。 此時,控制部1 6 0亦對塗佈處理部1 3 6指示 作爲第1塗佈處理中斷方法。此時,塗佈處理部 抗蝕液供給部2 1 0中從抗蝕液供給源停止供給抗 蝕液噴嘴1 3 4,中斷噴嘴1 3 4的抗蝕液吐出動作 描部2 1 2中停止掃描驅動部2 1 8的前進驅動運轉 蝕液噴嘴1 3 4的掃描,然後,在掃描驅動部2 1 8 驅動運轉,使塗佈處理部1 3 6從載置台1 3 2的上 退避至靜止位置。 或者是,控制部1 6 0亦指示塗佈處理部1 3 6 至抗蝕液噴嘴1 3 4的上方作爲第2塗佈處理中斷 此,塗佈處理部136在噴嘴升降機構220使抗 1 3 4上升移動。此時,在抗蝕液供給部2 1 0中, 斷抗蝕液吐出動作較佳。又,在掃描驅動部2 1 8 止前進驅動運轉較佳,惟即使不停止亦可。由於 止前進驅動運轉,抗蝕液噴嘴1 3 4亦可瞬間上升 此如第1 〇圔以及第1 1圖所示,難以避免障礙物 或因異物使基板***的部份)在上方移動(超越 所述,噴嘴吐出口與基板上面之間的間隙g爲 右,障礙物的高度普通亦爲數百μπι左右以下。 監視器1 6 8在抗蝕液噴嘴1 3 4的前方發現障礙物 常」的監 示抗蝕液 掃描中斷 1 3 6係在 蝕液至抗 ,且在掃 ,中斷抗 進行後退 方後退或 退避移動 方法。如 蝕液噴嘴 當然以中 中雖以停 即使不停 移動,因 (異物Ρ )。如上 1 0 0 μ m 左 噴嘴障礙 之後,至 -31 - (28) 1272657 抗蝕液噴嘴1 3 4到達該障礙物的位置爲止的水平移動距離 (例如100mm至200mm )之間,若抗蝕液噴嘴134上升 數mm,則具有充分寬裕的空間可退避到上方。 該第2塗佈處理中斷方法在掃描驅動部2 1 8使用線性 伺服馬達時特別有利。亦即,線性伺服馬達由於機械振動 少’反之,不具有減速機構,故在進行緊急的制動或停止 之際到完全停止爲止的移動距離長。但是,如該第2方 法,若是僅使抗蝕液噴嘴134進行上升數mm之緊急動 作,則從升降機構的驅動部(電性馬達)觀看的負載慣性 力矩低,抗蝕液噴嘴1 3 4可迅速退避至上方,可在障礙物 的上方移動。 如上所述,以塗佈處理部1 3 6中斷抗蝕液塗佈處理 時,認定該基板G爲不良品,在後續的處理步驟中流掉 亦可,或是暫時保管於設置在系統內適當之緩衝室或保管 室。又,在該情況下,臨時使載置台除垢器1 3 8動作,淸 潔載置台132的上面亦可。 如此,在該實施形態中,在抗蝕液塗佈處理中,當抗 蝕液噴嘴1 3 4的掃描方向前方存有障礙物時,典型的如上 所述,在基板G與載置台1 3 2之間挾住異物P,基板G在 該異物附近***時,或基板G的上面附著有異物P時, 噴嘴障礙監視器1 6 8事前發現這種障礙物(基板的***部 份、異物等),在該時刻中斷噴嘴掃描,因此抗鈾液噴嘴 1 3 4不與基板G的***部份接觸或滑接,可防範經由異物 摩擦基板G的上面之情況於未然。 -32- (29) 1272657 而且,在該實施形態之噴嘴障礙監視器1 6 8中 在基板G的上方附近使一方向(Y方向)傳播或橫 礙物檢測用雷射光束LB水平移動至與傳播方向垂 向(X方向),因此可到處掃描基板上面的全面, 基板G上的任一地方有異常(障礙物),亦可確 出來。又,由於利用塗佈處理部1 3 6的掃描部2 1 2 液噴嘴1 34 —起掃描障礙物檢測用雷射光束LB, 可謀求監視器機構的簡單化與低成本。 在第1 2圖以及第1 3圖表示一實施例之塗佈膜 140的構成。該塗佈膜檢查部140係具有:攝影部 係在上述塗佈處理部1 3 6拍攝接受抗蝕液塗佈處理 基板G上面的;以及監視器處理部2 3 2,係依據該 2 3 〇獲得的畫像信號,以畫像辨識技術判斷在基板 佈膜CR是否存在有斑點。 攝影部23 0係藉由掃描驅動部234 (第4圖) 驅動,在載置台1 3 2 (第4圖)的上方於X方向掃 透鏡2 3 8以及CCD攝影機240,如第13圖所示, Y方向的管狀燈管2 3 6照明載置台1 3 2上的基板G CCD攝影機240經由聚光透鏡23 8拍攝基板上面 射部份。 在第12圖中,監視器處理部23 2藉由 A/D 242將CCD攝影機24〇輸出的類比畫像信號變換 畫像信號,依據其數位畫像信號,藉由畫像辨識部 畫像記憶體2M、監視器判斷部2 4 8、設定部250 ,由於 貫的障 直的方 即使在 實檢測 與抗蝕 因此亦 檢查部 2 3 0, 之後的 攝影部 G的塗 的掃描 描聚光 延伸於 上面, 的被照 變換器 爲數位 244 > 以及監 (30) 1272657 視器輸出部2 5 2等進行後述塗佈膜監視的畫 斷處理。 畫像辨識部2以從A/D變換器242輸 信號,使用畫像記憶體246,合成以攝影部 像,換言之即組合放映基板 G上面大部* 後,例如藉由2維化、除去雜訊、標示、連 周知的畫像辨識處理,在攝影畫像中若存在 則圖案辨識該斑點。在此,實質上辨識對象 響抗蝕液塗佈膜之品質的微小斑點。然後, 的斑點之形狀、大小、位置等數値化爲屬性 這種斑點的產生原因是在抗蝕液噴嘴1 3 4側 嘴1 34的縫隙狀吐出口的某部位附著垃圾等 化而產生阻塞之情況,在與這種阻塞的部位 位置上如第1 3圖所示,在掃描方向顯示線 點Μ。 監視器判斷部248在接受班點的屬性資 識部244的辨識結果時,與在設定部250設 較,在形狀、大小、個數、位置等點上若超 該基板G上的抗蝕液塗佈膜判斷爲「有斑 判斷部24 8之判斷結果從監視器輸出部252 160° 當控制部1 6 0從塗佈膜檢查部1 4 0接收 判斷結果時,認定該基板G爲不良品,在 驟中流掉亦可,或是暫時保管於設置在系統 像處理或是判 入數位的畫像 2 3 0拍攝的畫 分的畫像。然 結圖形解析等 實質的斑點, 亦可排除不影 算出圖案辨識 資料。一般, 即在抗蝕液噴 使抗蝕液固形 對應的基板之 狀延伸之線斑 料作爲畫像辨 定的監視値比 越監視値,則 點」。監視器 傳送到控制部 「有斑點」的 後續的處理步 內的適當之緩 -34- (31) 1272657 衝室或保管室。再者,當這種抗蝕液塗佈, 點)產生時,如上所述,由於大致上因爲抗 的阻塞引起,因此控制部1 60啓動噴嘴更新 抗蝕液噴嘴1 3 4的抗蝕液吐出功能。 在第1 4圖顯示一實施例之噴嘴更新部 該噴嘴更新部1 42係例如亦可設置於抗鈾液 止位置,在上面具有設置用來使抗蝕液噴嘴 口之長尺狀的桶型處理室254。在該處理室 收容於室內的特定位置之抗蝕液噴嘴1 3 4的 置有用來噴上淸洗液(例如沖淡劑)之淸洗 淸洗噴嘴2 5 6經由垂直支持構件2 5 8以及 260並藉由淸洗噴嘴掃描機構2 62的掃描驅 噴嘴長邊方向(Y方向),在該方向上於抗 的吐出部全體(從一段至另一端)接觸淸洗 出口附近。使用結束的淸洗液從設置於處理 之排放口 25 5傳送到廢液部(未圖示)。根 洗,沖洗掉附著於抗蝕液噴嘴1 3 4的吐出部 抗蝕液等。此外,淸洗液供給線以來自淸洗 圖示)之淸洗液供給管264構成,例如以筒 支持構件2 5 8,並於其中通過淸洗液供給管 嘴2 5 6連接亦可。又,在淸洗液供給管264 控制噴嘴淸洗的開關之開關閥2 6 6亦可。淸 構2 66係例如可以附有導引的螺栓機構構成 再者,在該噴嘴更新部142中亦可對抗 膜的不良(斑 蝕液噴嘴1 3 4 部142 ,恢復 1 4 2的構成。 噴嘴1 3 4的靜 1 3 4進出的開 2 5 4中,朝向 吐出口附近配 噴嘴2 5 6。該 水平支持構件 動水平移動到 蝕液噴嘴1 3 4 液,並淸洗吐 室2 5 4的底部 據上述噴嘴淸 之垃圾或固形 液供給源(未 狀體構成垂直 264與淸洗噴 途中設置用來 洗噴嘴掃描機 〇 蝕液噴嘴1 3 4 -35- 1272657 (32) 進行吐出抗蝕液之虛擬分配。此時,將設置於抗 管2 1 4的切換閥2 6 8切換至抗蝕液供給源側,在 內打開開關閥270。藉由該虛擬分配以某程度的 去抗蝕液噴嘴1 3 4內部的阻塞。 在該實施例中,爲了更有效充分除去抗蝕液 內的阻塞,以溶劑(例如沖淡劑)置換噴嘴1 3 4 液流路亦可淸洗噴嘴1 3 4的內部。亦即,藉由 2 6 8切換爲溶劑供給源側,在固定時間打開開關 經由抗蝕液供給管2 1 4將來自溶劑供給源的溶劑 蝕液噴嘴1 3 4,可溶解阻塞噴嘴1 3 4內的抗蝕液 並從吐出口排出。 第1 5圖係顯示可應用在上述實施形態的抗 單元(CT) 82之載置台機構166的其他實施例 施例中’在用來載置基板G的載置台1 3 2設置 的高物位置使基板G水平浮出之基板浮動機構 之’在載置台1 3 2的上面以固定密度設置混合多 噴出孔2 5 4與多數個吸引孔2 5 6的配置圖案。各 孔2 5 4係經由形成於載置台1 3 2的內部之通氣路 置於載置台132外部之氣體管260與高壓氣體供 相通。另外,各吸引孔2 5 6係經由形成於載置台 部之通氣路264與掛置於載置台132的外部之氣 與真空源26 8相通。高壓氣體供給源262及真空 在浮動控制部2 7 0的控制下動作。 在該基板浮動機構中,高壓氣體從載置台上 蝕液供給 固定時間 準確率除 噴嘴 1 34 內的抗蝕 將切換閥 閥 2 7 0, 導入至抗 固形成分 飩液塗佈 。在該實 有於固定 。更詳言 數個氣體 氣體噴出 2 5 8與掛 給源2 6 2 1 3 2的內 體管266 源2 6 8係 面的各氣 -36- 1272657 (33) 體噴出孔2 5 4噴出至垂直上方,高於基板G的重力之高 壓氣體的壓力均一施加在基板G的下面全體,使基板G 從載置台132的上面水平浮起。再者,以僅與載置台上面 分離固定的間隙S之固定的高度位置的方式維持基板G 的浮上位置,取得氣體噴出孔噴出的氣體壓力之平衡,從 載置台132上面之各吸引孔256對基板G產生向下的吸 引力。使用檢測出間隙S的大小之間隙感應器(未圖示) 或基板G的高度位置之高度檢測感應器(未圖示)等, 亦可進行反饋控制。此外,當基板G載置於載置台1 3 2 上時,停止高壓氣體供給源2 6 2以及真空源2 6 8的運轉。 根據該實施例,在基板G從載置台1 3 2浮上來的狀 態下,由於進行抗蝕液塗佈處理,即使在基板G下面或 載置台132上面附著異物,可避免因該異物使基板G隆 起,且可壁免因基板下的異物使抗蝕液噴嘴1 3 4與基板G 接觸。又,在基板G上面附著異物,即使抗蝕液噴嘴1 3 4 經由該異物與基板G接觸,由於以來自抗蝕液噴嘴1 3 4 的按壓力可使浮上狀態的基板G變位至下方,故可使因 接觸引起兩者的損傷變輕微。 在上述實施形態中,在一個塗佈製程部2 8中,彙集 或組合應用基板上面除垢器126、基板下面除垢器128、 塗佈處理部1 3 6、載置台除垢器1 3 8、塗佈膜檢查部 140、噴嘴更新部142、載置台機構166、噴嘴障礙監視器 1 6 8等之各部的要素技術,可獲得此等重疊的或相乘的作 用效果。更可單獨或個別的應用各部的要素技術於塗佈製 -37- (34) 1272657 程部2 8 ’獲得各自單獨的作用效果。 #上述實施形態中,雖然將基板上面除垢器1 26配置 在滾輪搬送路丨20的上方,但亦可安裝於塗佈處理部1 3 6 的掃描部2 1 2之支持體2 1 6,在抗蝕液噴嘴1 3 4的前方淸 洗基f反G的上面而構成。或是,在載置台138兼用基板 上面除垢器126亦可。 在上述實施形態中,噴嘴障礙監視器1 6 8之雷射射出 部222與受光部224安裝於塗佈處理部136的掃描部212 白勺5:持體’與抗鈾液噴嘴1 3 4同時進行基板上的掃描而構 成。然而,由塗佈處理部1 3 6獨立構成噴嘴障礙監視器 1 6 8 ’在開始抗蝕液塗佈處理之前,使噴嘴障礙監視器 1 68動作,藉由個別的掃描部進行上述障礙物檢測用雷射 光束.LB的掃描亦可。此時,從噴嘴障礙監視器i 6 8檢測 出「異常」的判斷結果時,在塗佈處理部1 3 6終止對該基 板G的抗蝕液塗佈處理亦可。 在上述實施形態中,固定配置載置基板G的載置台 1 3 2,對於載置台1 3 2上的基板G進行需要的相對移動或 掃描的零件例如有:抗蝕液噴嘴1 3 4、噴嘴障礙監視器 168之雷射射出部222與受光部224 ;或是藉由掃描驅動 部將載置台除垢器1 3 8移動置特定方向而構成。然而,亦 可爲相反的關係,成爲固定配置此等掃描零件,藉由掃描 驅動部將載置台1 3 2側移動至特定方向而構成。 在上述實施形態中,雖在抗蝕液塗佈單元(C T ) 8 2 設計塗佈膜檢查部1 4〇,但亦可在後段例如設計減壓乾燥 -38- (35) 1272657 單元(V D ) 8 4。雖然減壓乾燥後的塗佈膜檢查對於黏有 斑點的不良塗佈膜之減壓乾燥處理沒有用處,但由於塗佈 膜上的斑點在乾燥前比乾燥後鮮明,因此具有可以畫像辨 識檢測出來的優點。 本發明之抗蝕液噴嘴在上述實施形態中雖使用具有縫 隙狀的吐出口之縫隙型噴嘴,但亦可使用具有一個或複數 個微細徑的吐出孔之微細徑型的噴嘴。 上述實施形態雖與LCD製造的塗佈顯影處理系統之 抗蝕液塗佈裝置有關,惟亦適合用於在被處理基板上供給 塗佈液之任意的應用。本發明之塗佈液除了抗蝕液以外, 例如亦可爲層間絕緣材料、介電體材料、配線材料等液 體。本發明之被處理基板不限於LCD基板,亦可爲其他 的平板顯示用基板、半導體晶圓、CD基板、玻璃基板、 光罩、印刷基板等。 【圖式簡要說明】 第1圖係本發明之可應用的塗佈顯影處理系統之構成 的平面圖。 第2圖係實施形態的塗佈顯影處理系統之熱處理部的 構成之側面圖。 第3圖係實施形態的塗佈顯影處理系統之處理的步驟 之流程。 第4圖係實施形態的塗佈顯影處理系統之塗佈製程部 的構成之上面圖 -39- (36) 1272657 第5圖係表示實施形態的塗佈製程部之各部的控制系 統之構成的方塊圖。 第6圖係表示一實施例之基板上面除垢器以及基板下 面除垢器’的構成之一部份剖面側面圖。 第7圖係表示一實施例之載置台機構以及載置台除垢 器的構成之斜視圖。 第8圖係表示一實施例之塗佈處理部以及噴嘴障礙監 視器的構成之斜視圖。 第9圖係表示實施例的噴嘴障礙監視器的作用之一部 份剖面側面圖。 第1 〇圖係表示實施例之障礙物飛躍動作(噴嘴退避 動作)之一例的一部份剖面側面圖。 第1 1圖係表示實施例之障礙物飛躍動作(噴嘴退避 動作)之一例的一部份剖面側面圖。 第1 2圖係一實施例的塗佈膜檢查部的構成之方塊 圖。 第1 3圖係實施例的塗佈膜檢查部之攝影部的構成之 斜視圖。 第1 4圖係一實施例的噴嘴更新部的構成之圖。 第1 5圖係其他實施例的載置台機構之構成的一部份 剖面側面圖。 【主要元件符號說明】 10 製程站 -40 - (37) (37)1272657 2 8 塗佈製程部 81 搬入單元(IN) 82 抗蝕液塗佈單元(CT) 1 2 0滾輪搬送路 1 2 6基板上面除垢器 1 2 8基板下面除垢器 1 3 2載置台 1 3 4抗鈾液噴嘴 1 3 6塗佈處理部 1 3 8載置台除垢器 1 4 0塗佈膜檢查部 142噴嘴更新部 1 6 6載置台機構 1 6 8噴嘴障礙監視器 210抗蝕液供給部 2 1 2掃描部 220噴嘴升降機構 222雷射射出部 224受光部 25 4高壓氣體噴出孔 2 5 6吸氣孔 262高壓氣體供給源 2 6 8真空源 270浮動控制部 -41 -

Claims (1)

1272657 .…...、] (,: .. . 一叫 : 1 ... 二u: ,· jl 十、申請專利範圍 第9 3 1 2 1 3 5 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本
民國95年9月27日修正 1 · 一種塗佈方法,其係在第1高度位置大致水平支 持被處理基板,朝向上述基板上面從與上方接近的位置吐 出塗佈液之噴嘴對於上述基板於水平方向相對移動之掃 描’在上述基板上面塗佈上述塗佈液,其特徵在於, 在上述噴嘴進行掃描之前,先在被支持於上述第1高 度位置的上述基板之上面附近,以大致水平橫貫在第2高 度位置之方式’從光束射出部射出指向性高的光束, 挾住上述基板在配置於與上述光束射出部相對向位置 的受光部接收上述光束且變換爲電性信號,
依據從上述受光部輸出的上述電性信號,對於應在上 述基板的上方進行上述掃描之上述噴嘴,判斷上述第2高 度位置有無實質上的障礙物, 依據上述判斷的結果,選擇進行、中止或中斷上述噴 嘴對於上述基板的掃描。 2. 如申請專利範圍第1項之塗佈方法,其中,在上 述第1高度位置於水平的載置台上載置上述基板。 3. 如申請專利範圍第1項之塗佈方法,其中,從下 方對上述基板施加氣體的壓力,使上述基板大致水平浮在 上述第1高度位置。 4.如申請專利範圍第1項之塗佈方法,其中,在上 1272657 , f; …r ί ^ i* 〜… ·" -, - f I* " ' J 述掃描方向將上述光束射出部與上述受光部配置於上述噴 嘴的前方側,使上述基板與上述噴嘴相對一起水平移動。 5 ·如申請專利範圍第4項之塗佈方法,其中,在上 述掃描中,於上述噴嘴的前方檢測出具有實質上的障礙物 之判斷結果時,立刻中斷上述噴嘴的水平方向移動。
6.如申請專利範圍第4項之塗佈方法,其中,在上 述掃描中,於上述噴嘴的前方檢測出具有實質上的障礙物 之判斷結果時,立刻使上述噴嘴上升至特定的高度位置。 7 ·如申請專利範圍第1〜6項中任一項之塗佈方法, 其中,爲了吸引除去附著於上述基板上面的異物,對於塗 佈有上述塗佈液之前的上述基板上面供給真空吸引力。 8 ·如申g靑專利軺圍第ί〜6項中任一項之塗佈方法, 其中,爲了吸引除去附著於上述基板下面的異物,對於塗 佈有上述塗佈液之前的上述基板下面供給真空吸引力。
9 ·如申請專利範圍第丨〜6項中任一項之塗佈方法, 其中’爲了吸引除去附著於上述載置台的異物,對於載置 有上述基板之前的上述載置台供給真空吸引力。 1〇·如申請專利範圍第7項之塗佈方法,其中,對上 述真空吸引力的作用場所周圍供給乾淨的氣體。 11.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之塗佈方 法’其中,拍攝塗佈有上述塗佈液之後的上述基板的上 面’並藉由畫像辨識判斷上述基板上的塗佈膜是否存在實 質上的斑點。 12 ·如申請專利範圍第1 1項之塗佈方法,其中,在 -2 - 1272657:— '1 , .1 '; ·ν κ I 广· : ' - . ^ ^ …_ .. % 上述基板上的塗佈膜進行乾燥處理之後,拍攝上述基板的 上面,並藉由畫像辨識,判斷上述基板的塗佈膜是否存在 實質上的斑點。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之塗佈方法,其中,在 檢測出上述基板上的塗佈膜存在有實質上的斑點之判斷結 果時,在上述掃描結束之後,進行使上述噴嘴的塗佈液吐 出功能恢復正常狀態之處理。
14· 一種塗佈裝置,其特徵在於具有以下構件: 支持部,係在第1高度位置大致水平支持被處理基 板; 噴嘴,係在支持於上述支持部的上述基板上面從與上 方接近的位置吐出塗佈液; 掃描部,係在上述基板的上方使上述噴嘴對於上述基 板進行在水平方向相對移動之掃描;
光束射出部,係在被支持於上述支持部的上述基板之 上面附近,以在第2高度位置大致水平地橫貫的方式,射 出指向性高的光束; 受光部,係挾住上述基板,且配置於與上述光束射出 部相對向位置,並接收上述光束且變換爲電性信號; 判斷部,係依據從上述受光部輸出的上述電性信號, 對於應在上述基板的上方進行上述掃描之上述噴嘴,判斷 上述第2高度位置有無實質上的障礙物;以及 掃描控制部,係依據上述判斷部的判斷結果,選擇進 行、中止或中斷上述噴嘴對於上述基板的掃描。 -3- 1272657 ,: t - j . .‘· -η 15.如申請專利範圍第1 4項之塗佈裝置,其中,上 述噴嘴具有微細徑之吐出口,該吐出口係延伸至與上述掃 描方向大致垂直之水平方向。 1 6 .如申請專利範圍第1 4或1 5項之塗佈裝置,其 中,上述支持部具有在上述第1高度位置水平載置上述基 板之載置台。
17·如申請專利範圍第1 6項之塗佈裝置,其中,上 述支持部具有以真空吸著力使上述基板固定於上述載置台 之固定手段。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項之塗佈裝置,其 中,上述支持部具有多數個氣體噴出孔,且具有基板浮動 機構:該基板浮動機構係將從此等氣體噴出孔朝向上方噴 出的氣體壓力施加於上述基板下面,使上述基板大致水平 浮在上述第1高度位置。
19·如申請專利範圍第1 8項之塗佈裝置,其中具有 以下構件: 吸引孔,係與上述氣體噴出孔混合配置的多數個氣 體; 吸引手段,係介由上述氣體吸引孔吸引氣體;以及 浮動控制部,係爲了使上述基板的高度位置維持在上 述桌1局度位置’取得從上述氣體噴出孔供給至上述基板 的向上壓力與從上述氣體吸引孔供給至上述基板的向下壓 力的平衡。 20·如申請專利範圍第14或15項之塗佈裝置,其 -4- 1272657 j. ... 中,在上述掃描方向上於上述噴 述光束射出部與上述受光部,藉 與上述基板一起相對地移動。 2 1.如申請專利範圍第20 有用以使上述噴嘴上升移動的升 於上述噴嘴的前方檢測出具有實 時,立刻藉由上述升降機構使上 高度位置。 22. 如申請專利範圍第14 中,係具有第1清潔部,該第1 著於上述基板上面的異物,而供 述塗佈液之前的上述基板上面。 23. 如申請專利範圍第14 中,係具有第2清潔部,該第2 著於上述基板下面的異物,而供 述塗佈液之前的上述基板下面。 2 4.如申請專利範圍第22 有滾輪搬送手段,該滾輪搬送手 上述真空吸引力一邊通過上述清 致水平姿勢滾輪搬送上述基板。 25.如申請專利範圍第14 中,係具有第3清潔部,該第3 著於上述載置台的異物,供給真 板之前的上述載置台。 嘴的前方側位置上支持上 由上述掃描部使上述噴嘴 項之塗佈裝置,其中,具 降機構,在上述掃描中, 質上的障礙物之判斷結果 述噴嘴上升移動至特定的 或15項之塗佈裝置,其 清潔部係爲了吸引除去附 給真空吸引力至塗佈有上 或15項之塗佈裝置,其 清潔部係爲了吸引除去附 給真空吸引力至塗佈有上
項之塗佈裝置,其中,具 段係以上述基板一邊接受 潔部的附近之方式,以大 或1 5項之塗佈裝置,其 清潔部係爲了吸引除去附 空吸引力至載置有上述基 •5- 1272657 :s:': ‘ > ·' ’:’ ". -’V ;; . .- 26.如申請專利範圍第24項之塗佈裝置,其中,上 述清潔部戲包含有氣體供給手段,該氣體供給手段係用來 供給乾淨的氣體至上述真空吸引力之作用場所的周圍。 27·如申請專利範圍第14或15項之塗佈裝置,其 中,係具有以下構件: 攝影部’係拍攝塗佈有上述塗佈液之後的上述基板上 面;以及
判斷部’係依據上述攝影部所獲得的畫像信號,根據 畫像辨識判斷上述基板上的塗佈膜是否存在實質上的斑 點。 2 8 ·如申請專利範圔第2 7項之塗佈裝置,其中,係 具有以下構件: 噴嘴更新部,係對上述噴嘴進行用來使上述噴嘴的塗 佈液吐出功能恢復正常狀態的處理;以及 更新控制邰,係上述判斷部檢測出上述基板上面存在
實質的斑點之判斷結果時,對上述噴嘴更新部進行上述恢 復處理。 -6 -
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