TWI271263B - A double side polishing carrier and method of polishing semiconductor wafers - Google Patents

A double side polishing carrier and method of polishing semiconductor wafers Download PDF

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TWI271263B
TWI271263B TW094140774A TW94140774A TWI271263B TW I271263 B TWI271263 B TW I271263B TW 094140774 A TW094140774 A TW 094140774A TW 94140774 A TW94140774 A TW 94140774A TW I271263 B TWI271263 B TW I271263B
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Akira Horiguchi
Shoji Nakao
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Kashiwara Machine Mfg Co Ltd
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Description

1271263 九、發明說明: • 【發明所屬之技術領域】 、…本發明,係有關於一種適用於做為半導體元件素材之 半導體晶圓雙面拋光之雙面研磨用載具,以及使用雙面研 磨用載具之半導體晶圓研磨方法;更詳細說明時,其係有 關於一種非常適用於葉片式雙面研磨裝置之雙面研磨用載 具。 秋 【先前技術】 二做為半導體元件素材之半導體晶圓的雙面拋光,自先 月以來,多使用遊星齒輪方式之雙面研磨裝置。遊星齒輪 方式雙面研磨#置,係同時雙面研磨複數塊晶圓之批次式 裝置的-種。此方式之雙面研磨裝置中,在旋轉之上下平 台間,载具係被配置在旋轉中心周圍。複數個載具係比平 台逛要小很多’於保持们塊或複數塊晶圓之狀態下,使 一邊在平台間旋轉,—邊在旋轉中心周圍旋轉。藉由前述 載具之遊星運動,被保持在各載具上之晶圓係於平台間被 雙面研磨。
可疋被雙面研磨之半導體晶圓的直徑在近年來急速 大型化’甚至達到300職。將來可能會更加大型化。當雙 面研磨這種大直徑之晶圓時,如遊星齒輪方式,在使用複 數個載具之多載具方式的雙面研磨裝置中,裝置規模會變 得非常大’要確保機械精度或實施裝置保養點檢之保養性 曰交差X 4 了滿足晶圓要求之高平坦度,最好每塊晶 2215-7542-PF 5 1271263 園皆改變加工條件。於這些要點 日f一&# Λ ^ ” 在大直徑之雙面研磨 子曰曰圓塊塊加工之葉片式裝置非常_。 ===磨裝置之構造上最大特徵,係使用比旋 以前mi:還要Α直徑之—塊載具的單載具方式。 以則述一塊載具來保持 m 卞σ罝仫還要小直徑的一塊晶 固,精由使前述載具在上下旋轉 疋将十口間%轉運動,將1塊 大直徑日日圓加以雙面研磨。盘 + …使用複數塊載具而使複數塊 曰曰圓同時實施雙面研磨之多載呈
夕戰/、万式的雙面研磨裝置相比 較下’裝置會小型化,在價格面等非常有_。此種葉片式 雙面研磨裝置係以專利文獻1來提示。 【專利文獻1】日本特開2001-315057號公報 在以專利文獻1提示之葉片式雙面研磨裝置中,晶圓 被保持在相對於載具中心偏心之位置上。而且,該載具係 在上下平台間成同心狀配置,繞著平台中心旋轉。藉此, 被偏心保持之晶圓,係在旋轉之平台間繞著載具中心旋轉 而雙面研磨。 而且’平台中心點處之旋轉圓周速度係為零,此圓周 速度係愈離開平台中心愈增大,於外周緣處為最大。結果, 以平台之研磨速率,自圓周速度之觀點來看,中心部與外 周部會產生很大差異。 葉片式雙面研磨裝置,也包含專利文獻1記載之物 件,係同時使用平台之幾乎全表面而研磨1塊晶圓。因此, 與如遊星齒輪方式地同時使用複數塊載具之多載具方式的 雙面研磨裝置相比較下,葉片式雙面研磨裝置,係平台之 2215-7542-PF 6 1271263 外側與内側有圓周速度差,晶圓研磨量會有參差。當研磨 量有參差時,就不利於確保晶圓之平坦度。 當使用複數塊載具之多載具方式雙面研磨裝置時,該 複數塊載具係配置於上下平台間之外周部,所以,在該外 周部中之外側與内側之圓周速度差會很小。結果,載具隨 著載具公轉或晶圓自轉,被保持在載具上之晶圓會均句 被研磨。 使用葉片式雙面研磨裝置之實際研磨中,會有在載具 _ 内之晶圓的旋轉。X,必須講求補償圓周速度差而增加更 多研磨液供給量到中心部之對策。因此,在結束時,平坦 度不會降低。可是,要完全吸收此大圓周速度差係很困難, 平坦度之確保也很困難。 為了解決此種葉片式雙面研磨裝置之問題,使載具在 上下平台間複雜地運動係很有效。如此一來,載具各部之 運動軌跡會變得複雜,作用在載具各部之平台圓周速度會 平均化,晶圓平坦度會被改善。基於這種觀點,本申請人, 係在使載具在圓周方向自轉之同時,使該載具以自中心偏 離之位置為中心而做圓周運動,而且,因應需要而使平台 在垂直旋轉軸之方向上移動之雙面研磨方法及裝置,藉由 曰本特願2004-127074號來提出專利申請。 可疋,當載具使對於平台實施這種含有徑向運動成分 之複合動作時,為了讓載具不自平台間脫離,必須使載具 外桎比平台外徑還要大很多。例如對於研磨⑽⑽爪晶圓之 380mm平台,必需要有超過5〇〇mm之載具。結果,載具在
2215-7542-PF 7 •1271263 平台周圍之懸吊量會很多。 題。而且,懸吊領域,當援過判斷會引起下列問 平台50到外側領域。肖第2圖來表示時,會成為自 作為半導體元件素材之 貝丨J厚产t I 〇ηπ 日日回厗度,係當愈大直徑化 ,_晶圓之標準厚度 曰曰囫研磨到此厚度之載 籀戸嘀丄士- 叙係〇· 75mm左右。在此 種厗4下,大直徑載具為 璃纖維強化之環氧樹月,卜機械性強渡,而以使用玻 告 軋树知荨尚剛性材料來製作。 當以這種大直徑而很薄 施複合動作時,因為自外二:具 平台間實 力,懸吊部會變形:亦即用齒輪所造成之外 在載具上時,載具會往板厚;=力:驅動用齒輪施加 吊部會產生板厚方向之負:、’果’在載具之懸 pa ' 田載具大部分被保持在平台 間時,即使承受板厚方向 是,當平台與载具之直徑差=,:具也:會變形。可 部侷限於載具中央部時 ^千口所致之拘束 形。結果,載具會頻繁地會因為板厚方向負荷而變 ^ ^載具懸吊部往;te厘t + 高,伴隨載具變形而產生具之剛性愈 生之負何愈會施加平台。結果,自 口“晶圓上之負荷會變得不穩定,而研磨精度會降 低0 個問題’有當載具係以玻璃纖維強化之環氧樹 月:時太伴隨著外周側之驅動用齒輪的驅動,會產生細微纖 、㈣末。前述纖維粉末會造成晶圓表面受傷而對研磨有不
2215-7542-PF 8 1271263 良影響。 、又,在重複使用載具中,保持晶圓之保持孔内表面會 1=1為與晶®磨擦而損傷。結果’載具必須在使用數十次後 更換。先前之載具在外周面必須形成齒輪而比較高價,所 以,因為更換所致之營運成本上升也無法忽視。
【發明内容】 【發明所欲解決的課題】 裝置 型, 磨精 本發明之目的,係提供一種使用於單載具式雙面研磨 ,而且即使是實施含有徑向成分之複合動作的大直徑 也能有效避免m吊部之變形及因變形所致之破損或研 度降低之雙面研磨用載具。 【用於解決課題的手段】
為達成上述目的’本發明之雙面研磨用載具係包括: 載具碟片,呈圓板狀,設有收容工件之工件收容孔;以及 支撑架,呈環狀,必須支樓前述載具碟片而設於前述載且 碟片的外周側,其壁厚比前述載具碟片還要厚,同時,驅 動用齒輪會咬合之齒部係形成在外周面。 本發明之雙面研磨用載具係使用於單載具方式及複合 運動方式之雙面研磨裝置,所以,相對於平台之懸吊量會 :大。可是,在設有收容工件之工件收容孔的圓板狀載具 碟片外周侧處’設置支揮載具碟片之厚壁支撐架,所以, 即使自驅動用齒輪施加旋轉扭力,該扭力會以厚壁支揮竿 來承受。因此,板厚方向之變形會被抑制。同日寺,外周側
2215-7542-PF 9 1271263 支擇架之尺寸,相對於1ιηπ]以下 1—,徑向寬度包含齒部係15_。 ”碟片厚度係例如 乂卜„,可為相對於内側之載具碟片為一體成 y或者,與内側之載具碟片為獨立分 — 支撐架為另一構件,能改 聋成。猎由使 產生纖維粉末之66尼龍等,==質,猎由變更成不 成不良影響。 “避面因為纖維粉而對研磨造 前述二糟Γ使支撐架為另一構件,可使載具碟片相對於 支;加二卸自如地被支標。藉此,可僅更換載具碟片, 用。藉由使支律架壁厚增加,能減少因為 間使用支^合所致之摩耗,使用壽命會延長。長期 載且榉Η :木’僅更換載具碟片’藉此,載具成本會降低。 要低係在外周面不具有齒部,所以比先前載具之 還要低。 當針對本發明雙面研磨用載具之尺寸說明時,被夾於 平台間之薄壁載具碟片外徑D2,係#將D11作平台直徑 寺(1.2〜1·8) XD1為適當值,而(1.3〜1.5) XD1會更 好^參照第2圖)。相對於平台直㈣卜當載具碟片夕曰卜徑 D 2並不特別大時’懸吊部會很小’該變形很小,所以不會 變成很大的問題。相對於平台直徑D1,當載具碟片外徑的 j j大時,其在研磨上無必要且不切實際,假如即使實現 這種載具’也無法充分抑制變形。 支撐术壁厚d2,係將載具碟片壁厚當作di,(ι〇〜3〇) Xdl為適當值’而(15〜2〇) Xdi會更好(參照第】圖)。
2215-7542-PF 1271263 相對於載具碟片壁厚dl,當支#_#d2 無法消除載具整體強度不足之問題,::大時, 果不足。相對於載具碟片壁厚dl,當支揮¥=吏形之效 大時,重量及體積會增加,而很難處理。而且V2特別 上無必要且不切實際,假如即使實現這種載具’’ j研磨 :抑制變形。載具碟片壁厚dl係對應工件之 = 疋,在石夕晶圓之情形下,現在係0.7随左右。度來決 支撐架徑向寬度W(包含齒部之寬 載具碟片外…比率來表示,(。.〇5〜〇1)== 當值,而(0.07~0·08) XD2會更好。當 為、 窄時,無法消除載具整體強度不足之問題,二木1 太 形之效果不足。當支撐架寬度 以抑制该變 又W苁見時,重量及體積會增 :’而很難處理。會妨礙作為葉片式機械特徵之裝置小型 化0 載具碟片上表面之高度’可以與支撐架上表面同高, =矣比支撑架上表面還要低。在前者之情形下,供給到 載具表面之研磨液係往周圍被順暢排出,周圍的支撐架不 會變成阻礙研磨液汁原因。另外,在後者之情形下,供仏 到載具表面之研磨液係在載具碟片上停留,工件被該停留 的研磨液研磨。亦即,在後者之情形下,可在液中研磨。 在專利文獻1中記載的葉片式雙面研磨裝置中,雖狹 載具外周部為厚壁之構成’但是,要將使相對於平台同心 旋轉的載具相對於平台在徑向定位當做目的時,需使敌合 有平口之凹。p形成於載具上。因此’被厚壁外周部之薄壁
2215-7542-PF 11 1271263 部係與平台同一外 形也不會產生。又:即:;薄壁部不會自平台懸吊,變 些許,幾乎不會發揮壁部’其壁厚僅比薄壁部大 形成用於定位之平…:果:前述厚壁部之目的’僅為 人a用凹部。因此,血本發 磨用載具在用途、構成及作用效果都明顯不、同。 晶圓’係對於以1塊載具保持1塊 以!塊二Ϊ: 方法特別有效,但是,也可適用於 龙載八保持複數塊晶圓之多載具式雙面 【發明效果】 明雙面研磨用載具,係使用於以單載具方 载具實施包含徑向運動成分之複合動作的雙面研磨裝置上 之大直徑载具’同肖,在設有收容工件之工件收容孔的圓 板狀載具碟片外周側處’設置支撐前述載具碟片之厚壁環 狀支撐架’所以’能抑制很大懸吊部之變形,而能避免因 為該變形所致之破損或研磨精度降低。因此,具有能使大 直徑工件以低成本實施高精度雙面研磨之效果。 【實施方式】 以下,依據圖面來說明本發明之實施形態。第i圖係 表不本發明一實施形態之雙面研磨用載具的主要部縱剖面 圖;第2(a)圖係前述載具中載具碟片的俯視圖;第2(b) 圖係b-b線箭視剖面圖;第3 ( a )圖係前述載具中支撐架 的俯視圖,第3 ( b )圖係第3 ( a )圖的b-b線箭視剖面圖Ί 本實施形態之雙面研磨用載具,係包括由薄圓板所構 2215-7542-PF 12 1271263 成之載具碟片10、以及必 ..y r 為了支撐載具碟片10而安裝於其 外周側之環狀支撲架2〇。 _ . k 、 支撐架20係自載具碟片10分離 」、載m 〇以螺絲鎖固方式而裝卸自如地結合。 雙面研磨用載具’係用於3。〇咖晶圓,收容該晶 =固形工件收容孔u係設於載具碟片中心部。工件 :::?相對於載具碟片10,係位於同心位置或自中心 偏離少許之位置。在裁且 在載”碟片外周部處’為了與支撐架 ::疋’複數螺絲插通孔12,12係於圓周方向以既定間 運動=片係在上下平台間於垂直中心線之平面内 所以,全表面係相同壁厚。 成比晶圓研磨厚声」、此致w 雙与係被叹疋 時,載且磾片1二:厂 晶圓研磨厚度係。.775mm 載八碟片10之壁厚係選擇〇 7 磨最終階段為止’既定負荷會施加在晶圓之雙面到研 為了賦予充分的機械性強度(剛性) 碟片1。上’其材質係使用例如以玻璃纖維強化== (GFRP)等。除此之外,也可 f化之^乳樹脂 載且磾κ ιη 也了使用⑽或SK材料等金屬。 載碟片10之外徑D2,係以上下平台間 動量,尤其是盥中心鉦千古 士 載,、運 定。外"2,… 表面内之徑向運動量來決 二2係例如相對於300inra強之工 擇—當徑向運動量很小時’可使栽:孔二 1〇之外徑D2 ㈣動^大時’也必需加大載具碟片 支撐架2〇,係安裝在載具碟片10外周部之環體。前
2215-7542-PF 13 !271263 述支撐架20,係被設計成比載具碟片1 〇還要厚很多,例 如當載具碟片壁厚〇·75πηπ時,其被設計成l〇mm左右。 又’徑向寬度W,係例如被設計成2〇min左右,以使與壁厚 d2皆能確保充分之本身強度。 在支撐架20外周面處,組合到複數驅動用齒輪3〇之 齒部21係涵蓋全圓周設置。在支撐架2〇内面(使用時係 朝下之面)處,設有載具碟片1〇外周緣部會嵌合之環狀凹 部22。伴隨設置環狀凹部22,在其表面側設有當作載具碟 片1〇支撐部之環狀凸部23。於環狀凸部23處,設有貫穿 i厚方向之複數螺孔24, 24。複數螺孔24, 24之配置,係 與載具碟片10螺絲插通孔12,12之配置一致。 s支撐架20壁厚d2係1 Omm時,環狀凹部22深度係 例如4mm。在此情形下,環狀凸部23的壁厚為6随。 關於支撐架20之材質,因為尺寸限制很少,所以很容 易確保機械性強度,在材質選擇上之之自由度很大。舉一 _例況明時,可抓用強度比較高而廉價,即使與驅動用齒輪 30相咬合也不會產生纖維粉末之66尼龍。除此之外,也 可使用聚碳酸酯、P V C等樹脂或不銹鋼等金屬。 此種雙面研磨用載具,係使載具碟片10外周緣部嵌入 支撐架20環狀凹部22,以螺絲40固定在環狀凸部23而 在雙面研磨中,使晶圓收容在載具碟片1〇之工件收容 孔11,於此狀態下,使載具碟片10被夾入上下平台5〇(參 照第2圖)間,藉由自外周側咬合到支撐架2〇齒部21之 2215-7542-PF 14 1271263 複數驅動用齒輪30,使载具在圓周方 數驅動用齒輪30同步旋轉,藉 ::。同時,使複 之筮1 ·番說士、々人丄 秋具係實施在圓周方向 之第1運動中溶入含有徑向運動。 動。結果,晶圓平坦度會提高。 第2運動的複合運 轉扭具係承受自外周側複數驅㈣絲3G來之旋 動,合產與平台'比較下其直徑較大,藉由徑向運
為薄i -^大之懸吊量。保持晶圓之載具碟片10雖然 為薄壁’猎由以外㈣厚壁之支撐架2()的支撐, 分之剛性。因此,在懸吊部上, b ^ 因為自驅動用齒輪30施加 方疋轉扭力所致之壁厚方向變形幾乎不產生。 藉此,能防止因為載具變形所致之破損。具體說來, ^明人確認到:當3〇〇韻晶圓之葉片式雙面研磨時,愈 全面專厚度之載具相比較下,破損頻率係01%以下。又, 免因為自平台50施加到晶圓之負荷所致之變形現 象’精由該負荷之穩定化,研磨精度能更加提高。 又’在本實施形態之雙面研磨用載具中,藉由被支樓 架20環狀凸部23包圍,在載具碟片1〇上會產生圓形凹部 14。在研磨時供給的研磨液會積存在前述圓形凹部η。結 果’也能對應晶圓在液中研磨。 又,藉由使用於驅動載具之齒部21的厚度變大,與驅 動用齒輪30之接觸厚度會增大。結果,能抑制兩者之摩 耗,載具之壽命會延長。當載具整體很薄而齒部厚度很小 $ :齒部之摩耗會很激烈。x,前述齒㈣局部與驅動用 齒輪30抵接,所以,驅動用齒輪30之摩耗會變得很激烈。
2215-7542-PF 15 Ί271263 容孔载具碟片1〇之壽命,與先前相同地,因為工件收 Γ1二内周面會損傷,所以會有使用極限。在此情形下, 自支撐架20取下載且磔y 1Λ t 撐芊 。碟片10,與新物件更換。藉此,支 呈磾片^ ,僅更換載具碟片1G就能再使用。載 =,係與停滞的载具不同,在外周面不具有齒部, 本二I 因此’與先前載具相比較下,更換所需成 的載2 Γ使用在本發實施形g雙面研磨用載具 碟片的俯視圖。與前述載具碟心相比較下,在工
周圍設置複數小孔13,13係其差異點。小孔 :二係促進研磨液之排出。亦即,支撐架20上表面即使 排二載具碟片10上表面還要高,也能促進研磨液之 。研磨液排出之優點’在於能經常以新的研磨 來貫施研磨,研磨時間會縮短,研磨面之品質能夠提J 同樣的功能,係使支擋& 9 Λ L t π π 叉棕木20上表面與载具碟片10上 二二或者設定成比載具碟片10上表面還要低之位 磨置;:可獲得相同效果。藉由兩者之組合,能更加促進研 之載具碟片10上排出。只是,因為研磨種類 會較喜歡前述之液中研磨。 第5圖係使用在本發明又—實施形態雙面研磨用載且 的載具碟片的俯視圖。與前述載具碟片1Μ目比較下,1 複數工件收容孔11係其差異點。於此,為了使3塊二随 晶圓同時研磨,使内徑200mm強的3個工件收容孔u工 在中心周圍等間隔。平台直徑D1,係比晶圓直徑還要1二1
2215-7542-PF 16 1271263 許,其為23 0〜240mm。載具碟片10外徑D2及支撐架2〇尺 寸係與到目前為止的實施形態相同。 如此一來,當使支撐架20自載具碟片1〇分離時,即 使改隻栽具種類,也能共用支撐架2 〇,其優點很多。 【圖式簡單說明】 第1圖係表不本發明一實施形態之雙面研磨用載具的 主要部縱剖面圖。 第2(a)圖係前述載具中載具碟片的俯視圖;第2(b) 圖係b-b線箭視剖面圖。 第3(a)圖係前述載具中支撐架的俯視圖;第3(b) 圖係第3 ( a )圖的b—b線箭視剖面圖。 第4圖係使用在本發明另一實施形態雙面研磨用載具 的載具碟片的俯視圖。 第5圖係使用在本發明又一實施形態雙面研磨用載具 g 的載具碟片的俯視圖。 【主要元件符號說明】 10載具碟片 11 工件收容孔 螺絲插通孔 13小孔 2〇支樓架 21 齒部
2215-7542-PF 17 1271263 22 環狀凹部 23 環狀凸部 24 螺孔 30 驅動用齒輪 40 螺絲 50 平台
2215-7542-PF 18

Claims (1)

  1. I271263 十、申請專利範圍: 1· 一種雙面研磨用載具,包括: 載具碟片,呈圓板狀,設有收容工件之工件收容孔; 以及 支撐架,呈環狀,必須支撐前述載具碟片而設於前述 栽具碟片的外周侧,其壁厚比前述載具碟片還要厚,同時, 驅動用齒輪會咬合之齒部係形成在外周面。 2广申請專利範圍帛i項所述之雙面研磨用載具,其 ^,前述支撐架係與前述載具碟片獨立存在之另一構件, 裝卸自如地支撐前述載具碟片。 ^如申請專利範圍第2項所述之雙面研磨用載具,其 中’刖述支撐架係以與前述載具碟片不同材質來構成。 ^如申睛專利範圍第i項所述之雙面研磨用載具,其 I’前述載具碟片上表面係位於與前述支撐架上表面同一 南度或比其還要高之位置。 • L如申請專利範圍第1項所述之雙面研磨用載具,其 中’前述載具碟片上表面係位於與前述支撐架上表 低之位置。 6.-種半導體晶圓之研磨方法,使用巾請專 1至5項中任-項所述之雙面研磨用載具。 2215-7542-PF 19
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KR (1) KR100695341B1 (zh)
TW (1) TWI271263B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5076723B2 (ja) * 2007-08-09 2012-11-21 富士通株式会社 研磨装置、基板及び電子機器の製造方法
KR100897677B1 (ko) 2007-10-29 2009-05-14 주식회사 실트론 기판 양면연마 장치용 캐리어 플레이트
JP2009285768A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Sumco Corp 半導体ウェーハの研削方法および研削装置
DE102010063179B4 (de) * 2010-12-15 2012-10-04 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben
DE102011082777A1 (de) * 2011-09-15 2012-02-09 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
KR101285897B1 (ko) 2012-02-28 2013-07-12 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼를 연마하는 방법
JP5748717B2 (ja) 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
US10354905B2 (en) * 2015-03-11 2019-07-16 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
JP6707831B2 (ja) * 2015-10-09 2020-06-10 株式会社Sumco 研削装置および研削方法
JP6513174B2 (ja) * 2017-12-25 2019-05-15 信越半導体株式会社 ウェーハ保持用キャリアの設計方法
CN112571261B (zh) * 2020-12-31 2022-07-22 重庆化工职业学院 一种计算机箱体抛光装置
CN114800109A (zh) * 2022-06-27 2022-07-29 苏州博宏源机械制造有限公司 双面抛光机及其抛光方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1536714A (en) * 1921-04-04 1925-05-05 Pratt & Whitney Co Apparatus for and method of making similar articles
JPS59156755A (ja) * 1983-02-25 1984-09-06 Kyowa Leather Kk 多段多色シ−ト状物の製造法及びその装置
JPS59156755U (ja) * 1983-04-06 1984-10-20 株式会社 市川製作所 両面研上盤
US4827527A (en) * 1984-08-30 1989-05-02 Nec Corporation Pre-processing system for pre-processing an image signal succession prior to identification
DE3624878A1 (de) * 1985-07-31 1987-02-12 Speedfam Corp Flachlaeppmaschine
JPH0729263B2 (ja) * 1989-04-25 1995-04-05 光永産業株式会社 ラップ盤
JPH0646854U (ja) * 1992-11-27 1994-06-28 直江津精密加工株式会社 半導体ウエハ等の研磨用キャリア
JP2673216B2 (ja) * 1993-10-23 1997-11-05 光永産業株式会社 ラップ盤の加工物取出し装置
JPH08112751A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Koei Sangyo Kk ラップ盤のキャリア
JP3379097B2 (ja) * 1995-11-27 2003-02-17 信越半導体株式会社 両面研磨装置及び方法
JPH1076460A (ja) * 1996-08-30 1998-03-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd 薄板の研磨方法および研磨装置
JPH10175159A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Nippon Electric Glass Co Ltd 板状物の両面研磨装置
US6296553B1 (en) * 1997-04-02 2001-10-02 Nippei Toyama Corporation Grinding method, surface grinder, workpiece support, mechanism and work rest
JP4256977B2 (ja) * 1999-04-13 2009-04-22 不二越機械工業株式会社 両面研磨装置システム
US6210259B1 (en) * 1999-11-08 2001-04-03 Vibro Finish Tech Inc. Method and apparatus for lapping of workpieces
WO2001082354A1 (fr) * 2000-04-24 2001-11-01 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Procédé de fabrication d'une plaquette de semi-conducteur
DE10023002B4 (de) * 2000-05-11 2006-10-26 Siltronic Ag Satz von Läuferscheiben sowie dessen Verwendung
JP3791302B2 (ja) * 2000-05-31 2006-06-28 株式会社Sumco 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法
KR100932741B1 (ko) * 2002-03-28 2009-12-21 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 웨이퍼의 양면연마장치 및 양면연마방법
JP2004106173A (ja) * 2002-08-29 2004-04-08 Fujikoshi Mach Corp 両面研磨装置
JP4343020B2 (ja) * 2003-12-22 2009-10-14 株式会社住友金属ファインテック 両面研磨方法及び装置

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Publication number Publication date
JP4727218B2 (ja) 2011-07-20
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KR100695341B1 (ko) 2007-03-16

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