TWI226508B - Laser machining method and apparatus - Google Patents

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Description

1226508 五、發明說明
發明所屬之技術領域： 特別係有關於一 以及一種雷射切 錄田t ΐ明係有關於一種雷射切削方法 削狀晉祐罩及液晶基板上修正圖案缺陷 削衣置使用該雷射切削方法。 先前技術： 佟雷射切削裝置之一例，用於光罩及液晶基板上 k ”、陷’揭露於日本專利公告No· 20 02-62637。修 C二，、3 ^之方法揭露於此申請書，當它的切削表面面朝 4u二射光束照射一基板。因此，在基板上去除的缺陷 子政。在此揭露方法中，當雷射光束照射該基板表 面牯，該基板表面沒有低解析度的光學觀察系統可以觀 察。=1 ’由於雷射蒸散法所產生微粒子因重力而落下， 一種咼精度圖案可以形成，而且微粒子附著在基板上的量 可以限制到最小值。 又’如申請國際專利之全國刊物 Νο·1989 502149(PCT/US87/03488)所述之一種雷射切削裝
置’具一氣體圍壁吹出部及一氣體吸入部且具一同心圓甜 甜圈狀。該特徵允許局部的氣體吹出到基板上、氣體轉換 以及吹出和吸入氣體的方向轉換。此外，一台裝置可以執 行雷射CVD圖案薄膜形成及圖案薄膜去除之兩者工程。 然而’使用傳統雷射蒸散法之雷射修正需要瞬間照雷 射到數千攝氏高溫加熱，以去除圖案薄膜。而該雷射修正 法’產生雷射照射在附著基板表面上的圖案薄膜掘孔之問
1226508 五、發明說明（2) 題’即使該基板是一種高溫 半導體用Cr光罩處理過程， 功率及脈衝時間之情況下， 傷深度接近10nm。為該理由 中，該損傷引起光相位改變 成圖案幅度不同於預先決定^ 修正圖案的雷射功率可能相 雷射光束切削形狀邊緣的部 為了解決上述問題，有 種茲刻氣體的空氣中，使用 份。然而，在使用鉻當圖案 一般化學性及高熱阻抗，而 氣體符合必要條件的建議， 及能製造高蒸氣壓反應產生 阻抗基板，如石英。例如，在 即使切削狀況在最佳化的雷射 雷射光照射在基板表面上的損 ，當該光罩在實際曝射過程 。該實際曝射過程可能導致完 的幅度。為了減少損傷深度， 對地低於最佳狀況，但這造成 份能力直線下降。 一種方法已經被描述了。在一 雷射光束照射蝕刻去除圖案部 光罩材料的例子中，該材料具 且沒有在圖案修正過程中餘刻 如易處理、適當的反應速度以 物。 另外，如申請國際專利之全國刊物 No· 1 989-502 1 49 (PCT/US87/03488 )所揭露，為 了有效提供 原料氣體的局部空氣，在基板氣窗上需要/種氣體圍壁作 為吹出局部氣體，該氣窗具有同心圓且中心對稱於雷射照 射部份的吸入部及吹出部。然而，構成同心圓於雷射照射 部份該雙氣流路是非常困難的。在該氣體園壁中，其内部 基板表面與該氣體圍壁之間的間隙距離通常大約只有 1 mm，該距離有關於該物鏡鏡頭的操作範園。因此’上述 問題造成高製作成本及該氣體圍壁低產量。在一種高精密 的雷射切削裝置中’該裝置的高解析度需要一段短的操作 /
1226508 五、發明說明（3) 範圍，使得不再確保該氣體圍壁的空 種高精密度切削裝置不能具有一如此^窗、這些問題導致一 另外’該習知技術之氣體圍壁是由^、 出部及吸入部提供，為了增加在該切° :圓狀的氣體吹 度及減少該切削部份在該基板的微粒子j ^的原料氣體濃 嘴吹出的該原料氣體使得在該雷射照却著，從小直徑喷 高流速。該習知技術巾，該氣體吹出:^之原料氣體有 致該原料氣體溢漏到周圍及空氣混入等氣盾效果，導 發明内容： 本發明為了解決上述等問題。本 供一種雷射切削方法及修正亮、暗缺陷^目的之一，提 修正的一種雷射裝置，包括一 ^冗、暗缺陷一起 及使用夠低且不產生變形 ^ =氣體可用來切削 且-氣窗具有-種形：局、=;力上缺… 面上的有效蝕刻氣體空氣。 種在被切削表 為了解決上述等問題’本發明提供_ 以方射該基板，以去除所== 削原下料氣體包含-種鹵化碳氫化合 β藉体κ二射，削方法，其特徵於’該-化碳氫化合物 匕：：之;t;漠之_素和任， 另一^明θ I物。又，該基板是一種鉻光罩基板。 χ疋χ康本發明提供一種無氣室雷射切削裝 第7頁 7061-5615-PF(Nl);Mkchan.ptd 1226508 ’一 _MN 五、發明說明（4) 置，包括一 及光學觀察 基板之切削 氣所形成或 間微小間隙 之切削表面 該原料氣體 基板之被切 是用來光學 分；以及該 上被雷射光 弦月狀且它 水平面上該 具一甜甜圈 氣體吹出量 另外， 切削裝置， 射照射及光 台的該基板 局部空氣所 表面之間微 基板上之切 來供給該原 中，該基板 雷射照射及光學觀察系統 在該雷射光照射下保待於一X_Y 仃雷射照射 部份；一氣體圍壁，為則原Ί平台的該 -種㈣原料氣體的局部空氣於'被了的：^ 周圍^成，且該氣體圍壁沒有接觸該表^之 :以及-原料氣體供給和排氣單元，用：：土 進入該氣體圍壁及排出該氣體圍壁.i φ 削該表面面朝Τ ;該雷射照射及光學觀：系= 觀察該基板上被該雷射光束從下方所照射^邻 t體圍壁是由一喷嘴吹出該原料氣體在該基： 束所切削部份之空氣所組成；一吸入部，具一 的開口中心對稱於該喷嘴及朝向位於該噴&盥 雷射照射部份中心；以及一清除氣體吹出部/，、 狀且開口幅度的變化使得靠近該吸入部之清除 大於靠近該噴嘴之清除氣體吹出量。 另一發明根據本發明，提供一種無氣室的雷射 包括一雷射照射及光學觀察系統，用來執行雷 學觀察在該雷射光照射下保持於一χ-γ定位平 之切削部份；一氣體圍壁，為蝕刻原料氣體的 形成或一種CVD原料氣體的局部空氣於被切削 小間隙周圍所形成，且該氣體圍壁沒有接觸該 削表面；以及一原料氣體供給和排氣單元，用 料氣體進入該氣體圍璧及排出該氣體圍壁；其 之被切削該表面面朝上；該雷射照射及光學觀
7061-5615-PF(Nl)；Mkchan.ptd 第8頁 1226508 五、發明說明（5) 察系統是用|光㈣察該&板上被該雷射&束從上方所照 射=部分；以及該氣體圍壁是由一喷嘴吹出該原料氣體在 該基板上被雷射光束所切削部份之空氣所组成；一吸入 弦月狀且它的開口中心對稱於該喷嘴及朝向位於 Τ與水平面上中心之間的雷射照射部…及-清除 =吹出部：具一甜甜圈狀且開口幅度的變化，使得靠近 …除氣體吹出量大於靠近該喷嘴之清除氣體吹 出部ί近=置’其中”除氣體吹 的吹出量多1.5倍到3 5: Γ: 體吹出部靠近該噴嘴 ^ ^ ^ 。其中s亥蝕刻氣體是一種原料氣 體，包含-種鹵化碳氫化合物 =孔 且該基板是-種鉻烧基之碳氫化合物之化合物， 氣單元，構成該蝕列；^ X，該種原料氣體供給和排 機構，隨著：陷= =該-原料氣體之間轉換 合物本=切使用-種鹵化碳氫化 置為基板蝕刻表面面朝〗^基碘化物。其中，架構配 及易燃性方面，呈有古因此，本方法在腐蝕性、毒性 昂貴的元件，心；不需要使用複雜和 對於切削品質，本方半装置成本和維修成本。另外， 品質修正，使得損傷二二在孩基板上的損傷方面提供高 沒有凸起形成。限制到極小的程度和切削部份的^ 7061-5615-PF(Nl) ;Mkchan.ptd 第9頁 1226508
五、發明說明（6) ^cvd^ 雷射光束昭射b減少裝置的製造成本，且藉著増加 最佳化有更大的K原料氣體流速上限’使得切削情沉之 間隙距離遠大於^ f且在該基板與該氣體圍壁之間的 裝置。 本七明可以提供一種高實用性的雷射切削 實施方式：
日日處ϊ I圖丄係顯不本發明第-實施例之配置圖，說明本; Μ用在半導體光罩上亮缺陷及暗缺陷的修正裝置之配 圖0 在第1圖中，—基板1包含一光罩具有被切削表面2面 朝下 >，被真空夾具1〇固定於一χ —γ定位平台9。 °亥圖案基板1的下表面的觀察及該下表面使用一雷射 照射及光學觀察系統5，具一物鏡鏡頭4在它的頂端，隨著 該一 X-Υ定位平台9位移。
一種氣體圍壁3作為一種雷射光束，引進和排出，位 於雷射照射、光學觀察系統5及該基板1之間的原料氣體。 ，物鏡鏡頭4與該氣體圍壁3為一體性。又，一原料氣體配 官7和一清除氣體配管6作為供給原料氣體和分別供給及排 出氣體單元11的清除氣體。其中，一排出氣體配管8作為 吸收與該氣體圍壁3連通的排出氣體。另外，一差壓感測 器1 9位於該氣窗剖面3的清除氣體吹出部丨3之底座，該壓
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? ^ j19能，對該基板1與該氣體圍壁3之間的間隙距離。 學勸家ί Γς單疋1 2控制雷射定時放射作為該雷射照射及光 控制、、Sy-v二觀察倍數及亮度之轉換、調位焦距機制之 ^等功g。疋位平台9之位移操作以及原料氣體的轉換操 的飪基ΐ化合物，用來作為一種媒介氣體，具有氬 ,,^ ^ ^傳統上，習知技術使用蝕刻氣體的惰性化學- :!技广不只有反應強烈函素氣體反應，如氣和氟在 问k件Ik該惰性材料，還有電漿反應的使用。同時，目前 J發明人已經發現存在於鹵素系和碳氫化合物系的化合氣 體中的乙基峨化合物，>(乍為雷射钱刻材料，在腐钱性、毒Φ 性及2燃性的全方面上更優於其他材料。另外，本發明人· 已經貫驗證明，使用脈衝光照射的雷射蝕刻可以在第一時‘ 間内得到實用的蝕刻率。 該鉻钱刻反應機制如下所述。一種乙基碘化合物氣體 在室溫空氣中是穩定的，而該乙基碘化合物受光和熱的影 響，使得其中的碘被游離。該游離碘反應物與鉻形成該圖 案之峨化鉻薄膜。該碘化鉻在室溫下具有低蒸氣壓，使得、 它在氣相狀態中不能被蒸發。然而，該碘化鉻附著在該基， 板上之前，使用脈衝雷射光束照射產生瞬間高溫熱分解作 為雷射蝕刻，在這同時，碘反應物與鉻形成該基板，在氣 相中蒸發為一種碘化鉻氣體。當該脈衝雷射光束結束後， 在氣相中該碘化鉻冷卻凝結為微粒子。藉著採用該切削表 面面朝下之定位，蝕刻反應產生向下掉落的微粒子視為唯
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五、發明說明（8) 的雷射切削能提供一種實用的方法及裝置。 一機制。該掉落的微粒子不 上面，因為該落下的微粒子 吸入部1 5，其中該吸入部1 5 吹出方向及該噴嘴1 4的相對 氣體、該反應機制及該確定 術上被研究，本發明人在第 會落在位*下方的該物鏡鏡頭 被高速的水平氣流強迫吸入— 位於該原料氣體吹出喷嘴1 4的 側。如上所述之該選定的原料 敍刻反應’尚未在雷射切削技 一時間内證明該發明對鉻光罩 第2圖係顯示從基板俯視本發明之原料氣體吹出部之 開口形狀配置圖，而該吸入部1 5位於本發明的原料氣體 中 0
第2圖中，該原料氣體是從該原料氣體吹出喷嘴1 4所 提供，其中該喷嘴1 4位於一雷射照射部份1 8，如十字線所 示，之右邊。而該原料氣體立即被吸入具一弦月狀開口的 吸入部1 5，該吸入部1 5位於該雷射照射部1 8之左邊。另一 方面，該清除氣體吹出部13的W1及W2的幅度是不同，而該 幅度差距的設計使得靠近該吸入部1 5的吹出部吹出該清出 氣體的量大於該相對邊的吹出部3倍多。 在該氣體圍壁與該基板之間的間隙，該原料氣體與該 清除氣體在水平面上的各自流路，如該原料氣體的流向 1 6 (白色箭頭）及該清除氣體流向1 7 (黑色箭頭）所示。每一 個開口的位置與形狀架構使得原料氣體在該原料氣體吹出 喷嘴1 4與該吸入部1 5度有較高的濃度，及使得該濃度與該 原料氣體流速在該雷射光束照射部份18，可藉著調整該原 料氣體吹出喷嘴1 4的吹出量而最佳化。另一方面，從外而
7061-5615-PF(Nl);Mkchan.ptd
1226508 五、發明說明（9) __ 内的該清除氣體吹出流 壁3外面洩漏。因為誃、主可u阻止該原料氣體往該氣體圍 1 5增大吹出量，該氣\除氣體在該吹出部靠近該吸入部 部增加它的流速以=j果不被打破，即使在該雷射照射 體外面之該清除氣;原料氣體的吹出。又，在該圍壁 份。 ' /爪里阻止該空氣混入該雷射照射部 在下文中，在传 缺陷與使用傳％ 二乙基碘化物蝕刻的修正鉻光罩暗 度2〇Ps及重複頻率丄第z ::波光源(波長355㈣、脈衝幅 10 seem m μ ^ )作為一種雷射光源，而且使用 per 氡體的流率（StandarCl Cubic centimeter 量，以cc 一大氣壓下，每一分鐘，每立方公分流通 班化厶物，其中該原料氣體包含一種具有氬的乙基 Γ?ηισ ”、'一種媒介氣體，而該清除氣體包含氮氣以流 升）/s供給及流率lollter(公升吸入。 π ^二鏡鏡碩採用一高解析度紫外線鏡頭，具有一 2mm :犯，，ΝΑ==0· 8。該清除氣體吹出部13具有一20mm外直 徑_、一較寬的吹出部幅度Wl=6mm及一較窄的吹出部幅度 W2=2m= ’因此該開口幅度具3倍差距在該寬的部份與較窄 ，。卩，。又’該原料氣體吹出噴嘴的直徑為0 · 5mm，且該 F 5的弦月狀的尺寸設為該次軸a = 3mm及主軸b = 8mni。 對於&切削特徵，如下述可得。藉著雷射照射1 # m平 方尺寸’根據本發明的該蝕刻方法與該習知的蒸散法比 較’而且觀察到本發明之該蝕刻反應雷射強度大約是該習 Η
第13頁 7061.5615-PF(Nl);Mkchan.ptd 1226508 五、發明說明α〇) ·- 知蒸散法雷射臨界強度的30%到80%。當該雷射強度為該切 削蒸散法雷射臨界強度60%，切削該1 //m平方尺寸需要3分 鐘，在石英基板上的鉻圖案損傷深度不會超過2min，為該 量測裝置精密限制。 另一方面，在該雷射蒸散切削的例子裡，即使當該照 射強度為最佳化時，損傷深度如1 〇mm —樣大。另外，在該 雷射蒸散切削中，觀察到在該鉻圖案切削部份邊緣大约有 · 1 OOnm的凸起。然而，在該乙基碘化合物蝕刻反應的例子 中’沒有觀察到凸起。又，在切削部份的基板上沒有經雷 射切削後的反應物附著。當從氣體吹出喷嘴丨4吹出的該原 料氣體流量低於5seem時，在該物鏡鏡頭4上觀察到少量的 反應產生物沉澱，但當流量大於5sccin時，發現沒有反應 物沉澱在其上。 · 在該上述中，雖然已經描述該乙基碘化合物腐蝕氣體 的使用’該氣體替換成溴（Br)及氣（C1)作為該鹵元素也 是有效的。又，碳氫化合物群沒有限定於一乙基群，因為 一乙基群及丙烷基群也是有效的。因此，本發明可使用的 腐蚀氣體可以用CnHm-R(R是一鹵素，η是一正整數1、2或 3，m是一正整數3、5或7)型式之化合物。 其次’在使用碳化鉻的雷射CVD例子中應用本發明的 原料氣體’該氣盾效果在修正亮缺陷上被測試。因此，該 氣盾效果在一傳統結構型式，具一雙同心圓結構，其中該 同心圓有一内心圓配置一吸入部及一外同心圓配置一清除 氣體吹出部，與上述本發明實施例中該為壁氣體結構比
7061-5615-PF(Nl);Mkchan.ptd 第14頁 1226508 五、發明說明（11) 較。該結果顯示如下。 當該氣體圍壁與該基板之間的該間隙為0. 5mm及清除 氣體流率和吸入流率分別為2 ο 1 i t e r (公升）/ s及 101 iter(公升）/s時，該原料氣體吹出喷嘴14吹出量為5到 1 0 0 s c c m改變。在習知的傳統同心圓圍壁氣統型式中，當 吹出量超過50seem時，可以觀察到該氣體圍壁周圍洩漏及 在雷射照部份中空氣的混入。在本發明的氣窗結構中，即 使當該原料氣體吹出量為1 〇 〇 s c c m時，該氣體圍壁周圍既 不洩漏也不會在雷射照部份中空氣的混入。 又’在貫施例中將原料氣體流率設為3 〇 s c c m，比較上 述兩者結構於該原料氣體圍壁3與該基板1之間的間隙及該 氣體圍壁的洩漏。該習知結構中，當該間隙距離大於 0 · 6mm發現茂漏。相反地，在本發明的微壁氣體例子中， 當該間隙距離到達於1 · 5mm沒有發現洩漏。允許較寬的間 隙能力可非常有效地避免在該基板1與該氣體圍壁3之間的 碰撞。 藉著遠氣窗及引進該CVD原料氣體，在雷射CVD亮缺陷 的修正達到一樣效果。 另外’在上述實施例中，已經說明從清除氣體吹出部 1 3罪近该吸入部的吹出量與離該吸入部最遠的開口吹出量 有3倍差距。然而，該氣體吹出量有1 · 5倍到3 · 5倍的變化 差距’它可以維持有效的氣盾效果。 另外’上述本發明第一個實施中，分別說明了該雷射 姓刻反應及該雷射CVD反應實施情形。該原料氣體供給單
7061-5615-PF(Nl);Mkchan.ptd 第15頁 1226508 五、發明說明（12) 元用來供給CVD的原料供給及蝕刻原料氣體，藉此該切削 方法可以轉換隨著修正缺陷型式轉換之氣體。 本實施例中，因為一個裝置可允許薄膜形成及薄膜去 除兩者的切削過程，所以有高速修正總產量，及具有高實 用性優點。 其次，如本發明第二實施例，一裝置藉著雷射CVD實 施薄膜形成反應如第3圖所示，其中該氣體圍壁結構如第2 圖所不，且該基板的該切削表面面朝上，因此雷射光束從 上方照射。該實施例中，該基板的該切削表面面朝上，所 以可以容易將該基板固定在χ-γ定位平台的優點。另外， 即使在該雷射照部份的該原料氣體流速高於習知的氣體 壁，該習知氣體圍壁具有雙同心圓的清除氣體吸入與吹出 U也不會發生該原料氣體洩漏於環境周圍。因此，古 二上的Π = 制該沉澱的微粒子附著於該心 刻mt:構：r=引進-種蝕刻氣體的雷射蝕 它也可補足夺置例中所說明的齒化碳氫化合物， 另外，、^溥膜形成與薄膜去除的功能。 蒸散法裝置膜t==外補足以往使用習知雷射 雖然本發明已以數個奋 用以限定本發日月，任何熟習此；上，然其並非 之精神和範圍θ，仍可作 ' 不脫離本發明 之保護範圍當視後附之申更=與潤冑，因此本發明 3寻利乾圍所界定者為準。 1226508__ 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明第一實施例之配置圖； 第2圖係顯示本發明之氣體圍壁之配置圖； 第3圖係顯示本發明第二實施例之配置圖。 符號說明： 1〜基板； 2〜被切削表面； 3〜氣體圍壁； 4〜物鏡鏡頭； 5〜雷射照射及光學觀察系統；6〜清除氣體配管；
11 - c氣 體 供 給 和 排 氣 單元； 7〜 原料氣體配管 16 - -原 料 氣 體 流 動 方 向； 8〜 排出氣體配管 1 7〜清 除 氣 體 流 動 方 向； 9〜 X-Y定位平台； 1 3〜清 除 氣 體 吹 出 部 1 0〜真空夾具； 18 - ‘雷 射 光 束 昭 射 部 12产 〜控制單元； 14， -原 料 氣 體 吹 出 部 15， 〜吸入部； 19〜差 壓 感 測 器 〇 7061-5615-PF(Nl);Mkchan.ptd 第17頁

Claims (1)

  1. _ 案號 92109671
    1226508 六、申請專利範圍 ^ 1 · 一種雷射切削方法，用來去除基板上所要去除之部 分，該方法包括： 將該基板置於定位平台；以及 使用雷射光束照射該基板中欲去除之5亥部分’其中該 雷射光束係由一雷射照射及光學觀察系統所提供，且其係 於包含_化碳氫化合物之原料氣體中為之。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之雷射切削方法，其中 該基板之切削表面是面朝下。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之雷射切削方法，其中 该_化碟氫化合物是一種任一碘、氯及溴之齒素和任一甲 基、乙基及丙烷基之碳氫化合物之化合物。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之雷射切削方法，其中 該基板是一種鉻遮罩基板。 5 · —種雷射切削裝置，用來去除基板上所要去除之部 分，在原料氣體空氣中，使用雷射光束照射該基板， 括： :雷射照射及光學觀察系統’用來執行光學觀察在該 雷射光照射下保持於一 χ _ γ定位平台的該基板之切削一 τη ， 圍所形成，且該氣體^=於被切削表面之間微小間隙周 以及 圍i沒有接觸该基板上之切削表面； 一原料氣體供、4 一
    7061-5615-PFl(Nl).ptc 、、Ό和排軋皁元，用來供給該原料氣體進
    第18頁 1226508
    入該氣體圍壁及排出該氣體圍壁； 其中’該基板之被切削該表面面朝下； 該雷射照射及光學觀察系統是用來光學觀察該基板上 被該雷射光束從下方所照射之部分；以及 該氣體圍壁是由一喷嘴吹出該原料氣體在該基板上被 雷射光束所切削部份之空氣所組成；一吸入部，具一弦月 狀且它的開口中心對稱於該喷嘴及朝向位於該噴嘴與水平 面上該雷射照射部份中心；以及一清除氣體吹出部，具一 甜甜圈狀且開口幅度的變化使得靠近該吸入部之清除氣體 吹出量大於靠近該噴嘴之清除氣體吹出量。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之雷射切削裝置，其令 該#刻氣體是一種原料氣體包含一種_化碳氫化合物為一 種任一碘、氯及溴之_素和任一甲基、乙基及丙烷基之碳 氫化合物之化合物。 A 7·如申請專利範圍第5項所述之雷射切削裝置，其中 該基板是一種鉻遮罩基板。 8·如申請專利範圍第5項所述之雷射切削裝置，其中 δ亥種原料氣體供給和排氣單元’構成該餘刻原料氣體與今 CVD原料氣體之間轉換機構，根據缺陷的型式作修正。 9 ·如申請專利範圍第5項所述之雷射切削裝置，其中 該清除氣體吹出部靠近吸入部的吹出量比該清除氣體吹出 部靠近該噴嘴的吹出量多1 · 5倍到3 · 5倍。 1 0. —種雷射切削裝置，用來去除基板上所要去除之 部分’在原料氣體空氣中，使用雷射光束照射該基板，包
    銮號 92109671 1226508 六、申請專利範圍 括： 一雷射照射及光學觀察系統，用來執行光學觀察在該 雷射光照射下保持於一 X-Y定位平台的該基板之切削一部 份； 一氣體圍壁’為蝕刻原料氣體的局部空氣所形成或一 種CVD原料氣體的局部空氣於被切削表面之間微小間隙周 圍所形成，且該氣體圍壁沒有接觸該基板上之切削表面； 以及 一原料氣體供給和排氣單元，用來供給該原料氣體進 入該氣體圍壁及排出該氣體圍壁； 其中，該基板之被切削該表面面朝上； 、該雷射照射及光學觀察系統是用來光學觀察該基板上 被3雷射光束攸上方所照射之部分；以及 遠氣體圍壁是由一噴嘴吹出該原料氣體在該基板上被 雷射光束所切削部份之空氣所組成；一吸入部，具一弦月 狀且它的開口中心對稱於該喷嘴及朝向位於該喷嘴與水平 面上該雷射照射部份中心、；以及一清除氣體吹出部，具一 甜甜圈狀且開口幅度的變化使得靠近該吸人部之清除氣體 吹出ϊ大於靠近該噴嘴之清除氣體吹出量。 11 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之雷射切削裝置，其 中該蝕刻氣體是一種原料氣體包含一種鹵化碳氫化合物為 一種任一碘、氯及漠之_素和任一甲基、乙基及丙烷基之 碳氫化合物之化合物。 12.如申請專利範圍第1〇項所述之雷射切削裝置，其
    1226508 _案號92109671_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 中該基板是一種鉻遮罩基板。 1 3.如申請專利範圍第1 0項所述之雷射切削裝置，其 中該原料氣體供給和排氣單元，構成該蝕刻原料氣體與該 CVD原料氣體之間轉換機構，根據缺陷的型式作修正。 1 4.如申請專利範圍第5項所述之雷射切削裝置，其中 該清除氣體吹出部靠近吸入部的吹出量比該清除氣體吹出 部靠近該喷嘴的吹出量多1. 5倍到3. 5倍。
    7061-5615-PFl(Nl).ptc 第21頁
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