JP2785803B2 - フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置 - Google Patents
フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造や液晶
ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの遮光膜
が取れた状態の欠陥、いわゆる白点欠陥の修正方法に関
する。
ディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの遮光膜
が取れた状態の欠陥、いわゆる白点欠陥の修正方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトマスクの白点欠陥修正の方
法として、分解して遮光性の膜を形成する原料ガス雰囲
気中にフォトマスクを置き、欠陥修正の所望位置にレー
ザ光を照射することにより、原料ガスを局所的に分解さ
せて膜を形成するレーザＣＶＤ法が知られている。この
方法では、フォトマスクとしての重要な性能である基板
との密着性並びに遮光性を満足させるためにＣｒ等の金
属性堆積膜を堆積する方法が用いられてきた。この種の
フォトマスクの修正方法は、例えば、特開昭６１−２２
１３７４号公報において提案されている。上記特開昭６
１−２２１３７４号公報には、原料ガスにクロムカルボ
ニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）とアルゴンガスの混合ガスを用
い、遮光性に優れ、基板との付着力の強い良好な膜を形
成できることが示されている。
法として、分解して遮光性の膜を形成する原料ガス雰囲
気中にフォトマスクを置き、欠陥修正の所望位置にレー
ザ光を照射することにより、原料ガスを局所的に分解さ
せて膜を形成するレーザＣＶＤ法が知られている。この
方法では、フォトマスクとしての重要な性能である基板
との密着性並びに遮光性を満足させるためにＣｒ等の金
属性堆積膜を堆積する方法が用いられてきた。この種の
フォトマスクの修正方法は、例えば、特開昭６１−２２
１３７４号公報において提案されている。上記特開昭６
１−２２１３７４号公報には、原料ガスにクロムカルボ
ニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）とアルゴンガスの混合ガスを用
い、遮光性に優れ、基板との付着力の強い良好な膜を形
成できることが示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザＣＶＤ法によるフォトマスクの白点欠陥修正方法
では、金属性の遮光膜のみを基板上に堆積させるため、
欠陥修正部の遮光膜の反射率が４０％程度と高い特徴が
ある。このため、基板からの散乱や反射光の強度からフ
ォトマスクの欠陥を検査する欠陥検査装置によるフォト
マスクの検査時に、欠陥修正部を欠陥と誤認識されるた
め、その都度、欠陥でないことを確認する手間が必要で
あり、フォトマスク製造管理上大きな問題となってい
た。本発明の目的は、欠陥検査装置により誤認識が起こ
らない白点欠陥修正方法を提供することである。
レーザＣＶＤ法によるフォトマスクの白点欠陥修正方法
では、金属性の遮光膜のみを基板上に堆積させるため、
欠陥修正部の遮光膜の反射率が４０％程度と高い特徴が
ある。このため、基板からの散乱や反射光の強度からフ
ォトマスクの欠陥を検査する欠陥検査装置によるフォト
マスクの検査時に、欠陥修正部を欠陥と誤認識されるた
め、その都度、欠陥でないことを確認する手間が必要で
あり、フォトマスク製造管理上大きな問題となってい
た。本発明の目的は、欠陥検査装置により誤認識が起こ
らない白点欠陥修正方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、原料ガス雰囲気中のフォトマスク基板上
の所望位置にレーザ光を照射して、レーザＣＶＤによ
り、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォトマスクの
白点欠陥修正方法において、原料ガス雰囲気に第１の原
料ガスを用いて、所望の修正位置に第１の遮光膜を堆積
させた後、原料ガス雰囲気を第２の原料ガスに切り替
え、上記第１の遮光膜の上に、反射防止効果を有する第
２の膜を堆積させることを特徴とする。
め、本発明は、原料ガス雰囲気中のフォトマスク基板上
の所望位置にレーザ光を照射して、レーザＣＶＤによ
り、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォトマスクの
白点欠陥修正方法において、原料ガス雰囲気に第１の原
料ガスを用いて、所望の修正位置に第１の遮光膜を堆積
させた後、原料ガス雰囲気を第２の原料ガスに切り替
え、上記第１の遮光膜の上に、反射防止効果を有する第
２の膜を堆積させることを特徴とする。
【０００５】別の本発明は、原料ガス雰囲気中のフォト
マスク基板上の所望位置にレーザ光を照射して、レーザ
ＣＶＤにより、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォ
トマスクの白点欠陥修正方法において、原料ガス雰囲気
に第１の原料ガスを用いて、所望の修正位置に第１の遮
光膜を堆積させた後、原料ガス雰囲気を酸化性の原料ガ
スに切り替え、上記第１の遮光膜の表面をレーザ光の照
射により酸化させることを特徴とする。本発明において
は、第１の原料ガスとしてクロムカルボニルを含む原料
ガスを、第２の原料ガスとしてＴＤＭＡＴ（テトラキス
ジメチルアミノチタン）を用いてもよい。また、本発明
においては、レーザ光源として、繰り返し１ｋＨｚ以上
のＱスイッチ固体レーザの高調波光源を用いてもよい。
マスク基板上の所望位置にレーザ光を照射して、レーザ
ＣＶＤにより、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォ
トマスクの白点欠陥修正方法において、原料ガス雰囲気
に第１の原料ガスを用いて、所望の修正位置に第１の遮
光膜を堆積させた後、原料ガス雰囲気を酸化性の原料ガ
スに切り替え、上記第１の遮光膜の表面をレーザ光の照
射により酸化させることを特徴とする。本発明において
は、第１の原料ガスとしてクロムカルボニルを含む原料
ガスを、第２の原料ガスとしてＴＤＭＡＴ（テトラキス
ジメチルアミノチタン）を用いてもよい。また、本発明
においては、レーザ光源として、繰り返し１ｋＨｚ以上
のＱスイッチ固体レーザの高調波光源を用いてもよい。
【０００６】本発明によれば、欠陥修正部に、第１の原
料ガスを用いて、基板との付着力を高くとれ、かつ、例
えば０．１μｍ程度の膜厚で十分な遮光性の得られる第
１の膜を形成した後、原料ガスを切り替えて、反射防止
効果のある第２の膜を形成する。第１と第２の原料ガス
との間に反応性がないこと、第１の膜との間に強い付着
力が得られることが望ましい。第１の膜への反射防止膜
は、使用波長で吸収率の大きな絶縁性もしくは半絶縁性
の膜を薄くつけることによって実現可能である。反射防
止膜の膜厚は、反射防止効果の点では使用波長で透過率
が所定の値以下になる厚みがあればよいが、フォトマス
クの欠陥修正の応用では、修正部の突起をなるべく小さ
く抑えるために、０．０４μｍ以下の薄い膜を制御して
堆積させることが好ましい。このほかに付着力が強いこ
とや、洗浄工程の化学薬品に対し耐性があることが望ま
しい。
料ガスを用いて、基板との付着力を高くとれ、かつ、例
えば０．１μｍ程度の膜厚で十分な遮光性の得られる第
１の膜を形成した後、原料ガスを切り替えて、反射防止
効果のある第２の膜を形成する。第１と第２の原料ガス
との間に反応性がないこと、第１の膜との間に強い付着
力が得られることが望ましい。第１の膜への反射防止膜
は、使用波長で吸収率の大きな絶縁性もしくは半絶縁性
の膜を薄くつけることによって実現可能である。反射防
止膜の膜厚は、反射防止効果の点では使用波長で透過率
が所定の値以下になる厚みがあればよいが、フォトマス
クの欠陥修正の応用では、修正部の突起をなるべく小さ
く抑えるために、０．０４μｍ以下の薄い膜を制御して
堆積させることが好ましい。このほかに付着力が強いこ
とや、洗浄工程の化学薬品に対し耐性があることが望ま
しい。
【０００７】また、レーザＣＶＤを行うためには、室温
付近の温度で適度な蒸気圧が必要である。このような条
件を満たす原料ガスを、詳細に検討探索した結果、ＴＤ
ＭＡＴが、第１の原料ガスにＣｒ（ＣＯ）6や類似のカ
ルボニル化合物を用いる場合の候補として有効なことを
見いだし、レーザＣＶＤによる実験の結果、白点欠陥の
修正用に有効なことを実験的に確認した。
付近の温度で適度な蒸気圧が必要である。このような条
件を満たす原料ガスを、詳細に検討探索した結果、ＴＤ
ＭＡＴが、第１の原料ガスにＣｒ（ＣＯ）6や類似のカ
ルボニル化合物を用いる場合の候補として有効なことを
見いだし、レーザＣＶＤによる実験の結果、白点欠陥の
修正用に有効なことを実験的に確認した。
【０００８】レーザＣＶＤの光源としては、上記の膜厚
を制御性よく薄く制御できることや、熱広がりによる堆
積パターンの広がりを抑制する効果の点で、高繰り返し
のパルスレーザが優れた修正特性を実現する上で効果が
ある。
を制御性よく薄く制御できることや、熱広がりによる堆
積パターンの広がりを抑制する効果の点で、高繰り返し
のパルスレーザが優れた修正特性を実現する上で効果が
ある。
【０００９】また、別の本発明では、金属性の遮光膜を
レーザＣＶＤにより形成した後に、雰囲気を酸化性ガ
ス、例えば酸素、水蒸気、もしくはオゾンなどに切り替
え、レーザの光の照射により得られる高温状態を利用し
て、金属性の遮光膜の表面を反射防止効果が発現する厚
みだけ酸化することにより反射防止効果をもつ白点欠陥
修正を実現する。
レーザＣＶＤにより形成した後に、雰囲気を酸化性ガ
ス、例えば酸素、水蒸気、もしくはオゾンなどに切り替
え、レーザの光の照射により得られる高温状態を利用し
て、金属性の遮光膜の表面を反射防止効果が発現する厚
みだけ酸化することにより反射防止効果をもつ白点欠陥
修正を実現する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施例
を説明する。図１は本発明の発明による一実施例の構成
図であり、図２は本発明の成膜工程を示す図である。
を説明する。図１は本発明の発明による一実施例の構成
図であり、図２は本発明の成膜工程を示す図である。
【００１１】図において、チャンバ６中のＸ−Ｙステー
ジ１２の上にフォトマスクの基板７が配置されている。
キャリアガス供給ユニット１８より供給されるアルゴン
ガスをキャリアガスとして、第１の原料ガスリザーバ１
６より発生する第１の原料ガス３２のＣｒ（ＣＯ）6及
び、第２の原料ガスリザーバ１７より発生する第２の原
料ガス３４であるＴＤＭＡＴは、原料ガス供給ノズル２
２を通してチャンバ６に導入される構成となっている。
各原料ガスの流量は第１の原料ガスリザーバ１６の上流
に位置する第１の流量計１３及び第２の原料ガスリザー
バ１７の上流に位置する第２の流量計１４によりそれぞ
れ制御される。チャンバ６には、このほかに窓８への原
料ガスの分解による汚れを防ぐためにパージガスを第３
の流量計１５で流量を制御しながら窓部８へ供給する配
管が接続されている。チャンバ６の排気系として排気並
びに使用済み原料ガスの分解トラップを行う除害排気ユ
ニット５が接続されている。
ジ１２の上にフォトマスクの基板７が配置されている。
キャリアガス供給ユニット１８より供給されるアルゴン
ガスをキャリアガスとして、第１の原料ガスリザーバ１
６より発生する第１の原料ガス３２のＣｒ（ＣＯ）6及
び、第２の原料ガスリザーバ１７より発生する第２の原
料ガス３４であるＴＤＭＡＴは、原料ガス供給ノズル２
２を通してチャンバ６に導入される構成となっている。
各原料ガスの流量は第１の原料ガスリザーバ１６の上流
に位置する第１の流量計１３及び第２の原料ガスリザー
バ１７の上流に位置する第２の流量計１４によりそれぞ
れ制御される。チャンバ６には、このほかに窓８への原
料ガスの分解による汚れを防ぐためにパージガスを第３
の流量計１５で流量を制御しながら窓部８へ供給する配
管が接続されている。チャンバ６の排気系として排気並
びに使用済み原料ガスの分解トラップを行う除害排気ユ
ニット５が接続されている。
【００１２】レーザ光の照射並びに加工部の観察を行う
照射光学系は以下のユニットから成る。すなわち、波長
２６６ｎｍ、繰り返し２ｋＨｚ、パルス幅６０ｎｓの高
繰り返しパルスレーザ光を発生するＱｓｗＮｄ：ＹＡＧ
レーザの第４高調波（２６６ｎｍ）光源から成るレーザ
光源１からの出射光は、減衰器４で所望強度に減衰させ
た後、スリット１１で照射パターンを整形し、第１のハ
ーフミラー１９，リレーレンズ１０，対物レンズ９，窓
８を順に通過して基板７に照射される。一方、照明２か
らの照明光は、光ファイバ３本に分岐して、それぞれ、
第１のコリメートレンズ２３，第２のコリメートレンズ
２４，第３のコリメートレンズ２５により平行ビームに
変換して白色光を出射する。
照射光学系は以下のユニットから成る。すなわち、波長
２６６ｎｍ、繰り返し２ｋＨｚ、パルス幅６０ｎｓの高
繰り返しパルスレーザ光を発生するＱｓｗＮｄ：ＹＡＧ
レーザの第４高調波（２６６ｎｍ）光源から成るレーザ
光源１からの出射光は、減衰器４で所望強度に減衰させ
た後、スリット１１で照射パターンを整形し、第１のハ
ーフミラー１９，リレーレンズ１０，対物レンズ９，窓
８を順に通過して基板７に照射される。一方、照明２か
らの照明光は、光ファイバ３本に分岐して、それぞれ、
第１のコリメートレンズ２３，第２のコリメートレンズ
２４，第３のコリメートレンズ２５により平行ビームに
変換して白色光を出射する。
【００１３】第３のコリメートレンズ２５からの出射光
は、Ｘ−Ｙステージ６の中心においた集光レンズ２６に
よりフォトマスクの基板７に下方から集光して照射する
構成により、遮光成評価に用いる。他の２本のファイバ
ーのうち１本は、第３のハーフミラー２１により、レー
ザ光の光路と合成し、基板７へのレーザ光照射形状の観
察に用いる。他の１本は第２のハーフミラー２０及び第
１のハーフミラー１９により観察用カメラの光路とレー
ザ光の照射系の光路との光路の合成を行うことで、基板
７のレーザ光照射部付近を照明するために用いる。
は、Ｘ−Ｙステージ６の中心においた集光レンズ２６に
よりフォトマスクの基板７に下方から集光して照射する
構成により、遮光成評価に用いる。他の２本のファイバ
ーのうち１本は、第３のハーフミラー２１により、レー
ザ光の光路と合成し、基板７へのレーザ光照射形状の観
察に用いる。他の１本は第２のハーフミラー２０及び第
１のハーフミラー１９により観察用カメラの光路とレー
ザ光の照射系の光路との光路の合成を行うことで、基板
７のレーザ光照射部付近を照明するために用いる。
【００１４】次に、白点欠陥修正の手順を第２図に示す
段階における成膜状態を参照しながら説明する。
段階における成膜状態を参照しながら説明する。
【００１５】基板７をＸ−Ｙステージ１２の上に置いた
後、除害排気ユニット５を動かして、チャンバ６中の空
気を排除する。次にチャンバ６内を第３の流量計１５に
接続する配管を通してアルゴンガスでパージし、その次
に第１の原料ガスリザーバ１６を開けて、第１の流量計
１３の流量を５００ｓｃｃｍにして原料濃度０．１Ｔｏ
ｒｒのＣｒ（ＣＯ）6から成る第１の原料ガス３２の供
給を開始する。このとき、窓の汚れ防止用のパージの流
量は第３の流量計１５により７００ｓｃｃｍに制御す
る。このとき、除害排気ユニット５の排気量は、チャン
バ６の圧力が大気圧となるよう自動制御される。
後、除害排気ユニット５を動かして、チャンバ６中の空
気を排除する。次にチャンバ６内を第３の流量計１５に
接続する配管を通してアルゴンガスでパージし、その次
に第１の原料ガスリザーバ１６を開けて、第１の流量計
１３の流量を５００ｓｃｃｍにして原料濃度０．１Ｔｏ
ｒｒのＣｒ（ＣＯ）6から成る第１の原料ガス３２の供
給を開始する。このとき、窓の汚れ防止用のパージの流
量は第３の流量計１５により７００ｓｃｃｍに制御す
る。このとき、除害排気ユニット５の排気量は、チャン
バ６の圧力が大気圧となるよう自動制御される。
【００１６】第１の原料ガス３２を供給している状態
で、フォトマスクの基板７の所望の白点欠陥修正部にレ
ーザ光の照射位置がくるよう、スリット照明を観察しな
がらＸ−Ｙステージ１２を移動させる。スリット１１の
大きさ及び回転角は、欠陥形状に合わせて調整する。位
置決め及び照射形状の調整を終えた後、レーザ光を照射
強度８００ｋＷ／ｃｍ2の照射強度で３秒間照射して表
面の滑らかな金属性のＣｒ膜３３を１０００Ａ（オング
ストローム）成膜する。この段階は図２（Ａ）の第１ス
テップに相当する。
で、フォトマスクの基板７の所望の白点欠陥修正部にレ
ーザ光の照射位置がくるよう、スリット照明を観察しな
がらＸ−Ｙステージ１２を移動させる。スリット１１の
大きさ及び回転角は、欠陥形状に合わせて調整する。位
置決め及び照射形状の調整を終えた後、レーザ光を照射
強度８００ｋＷ／ｃｍ2の照射強度で３秒間照射して表
面の滑らかな金属性のＣｒ膜３３を１０００Ａ（オング
ストローム）成膜する。この段階は図２（Ａ）の第１ス
テップに相当する。
【００１７】次に、第１の原料ガスリザーバ１６を閉じ
て、第２の原料ガスリザーバ１７を開け、第２の流量計
１４の流量を５００ｓｃｃｍにして第２の原料ガス３４
であるＴＤＭＡＴガスをチャンバ６に供給する。第１の
原料ガス３２であるＣｒ（ＣＯ）6と第２の原料ガス３
４である ＴＤＭＡＴはともに還元性のガスなので両ガ
スの間に反応性はなく、Ｃｒ（ＣＯ）6の残留ガスが、
チャンバ６内に残留していても問題はない。原料ガスは
原料供給ノズル２２より吹き出す構成となっているの
で、レーザ光照射部の雰囲気は、原料ガス系の切り替え
により３０秒以内に速やかに切り替えることができた。
て、第２の原料ガスリザーバ１７を開け、第２の流量計
１４の流量を５００ｓｃｃｍにして第２の原料ガス３４
であるＴＤＭＡＴガスをチャンバ６に供給する。第１の
原料ガス３２であるＣｒ（ＣＯ）6と第２の原料ガス３
４である ＴＤＭＡＴはともに還元性のガスなので両ガ
スの間に反応性はなく、Ｃｒ（ＣＯ）6の残留ガスが、
チャンバ６内に残留していても問題はない。原料ガスは
原料供給ノズル２２より吹き出す構成となっているの
で、レーザ光照射部の雰囲気は、原料ガス系の切り替え
により３０秒以内に速やかに切り替えることができた。
【００１８】第２の原料ガス３４に切り替えた後、照射
強度を４００ｋＷ／ｃｍ2、照射時間を２秒として、レ
ーザ光を照射し、ＴｉＮ膜３５を４００Ａ成膜した。こ
の段階は図２（Ｂ）の第２ステップに相当する。
強度を４００ｋＷ／ｃｍ2、照射時間を２秒として、レ
ーザ光を照射し、ＴｉＮ膜３５を４００Ａ成膜した。こ
の段階は図２（Ｂ）の第２ステップに相当する。
【００１９】Ｃｒ膜上のＴｉＮ膜は緻密で平滑性に優
れ、Ｃｒとの密着性もフォトマスク応用上十分な付着力
が得られた。堆積部の反射率はＣｒのみ堆積させた場合
には４０％程度と高く、欠陥検査装置により、欠陥修正
部も欠陥と誤認識されたが、ＴｉＮを反射防止用に成膜
した欠陥修正方法を適用すると反射率を８％程度に大幅
に低減することができ、その結果、欠陥検査装置で堆積
部を検査しても欠陥と誤認識されることがなかった。パ
ルスレーザ光源を用いるＴｉＮのレーザＣＶＤでは、堆
積速度は原料濃度、基板温度、照射強度に依存して変化
するが、おおよそ１パルス数あたり０．１Ａ程度の堆積
速度で膜形成が起こるので、４００Ａ程度のごく薄い膜
でも堆積時間を照射パルス数で制御することで、制御性
よく膜厚を制御できた。
れ、Ｃｒとの密着性もフォトマスク応用上十分な付着力
が得られた。堆積部の反射率はＣｒのみ堆積させた場合
には４０％程度と高く、欠陥検査装置により、欠陥修正
部も欠陥と誤認識されたが、ＴｉＮを反射防止用に成膜
した欠陥修正方法を適用すると反射率を８％程度に大幅
に低減することができ、その結果、欠陥検査装置で堆積
部を検査しても欠陥と誤認識されることがなかった。パ
ルスレーザ光源を用いるＴｉＮのレーザＣＶＤでは、堆
積速度は原料濃度、基板温度、照射強度に依存して変化
するが、おおよそ１パルス数あたり０．１Ａ程度の堆積
速度で膜形成が起こるので、４００Ａ程度のごく薄い膜
でも堆積時間を照射パルス数で制御することで、制御性
よく膜厚を制御できた。
【００２０】以上述べた本発明の一実施例では、第１の
原料ガスとしてＣｒ（ＣＯ）6を用いた場合について述
べたが、Ｃｒ（ＣＯ）6にＷ（ＣＯ）6やＭｏ（ＣＯ）6
を混合したガスを用いても、基板との密着性に優れ、か
つ十分な遮光性のある膜を形成することができる。
原料ガスとしてＣｒ（ＣＯ）6を用いた場合について述
べたが、Ｃｒ（ＣＯ）6にＷ（ＣＯ）6やＭｏ（ＣＯ）6
を混合したガスを用いても、基板との密着性に優れ、か
つ十分な遮光性のある膜を形成することができる。
【００２１】また、上記の一実施例では、光源にＱｓｗ
Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波を用いた例を示した
が、第２高調波や、第３高調波を用いても金属性の膜の
上に反射防止用の膜を形成することができる。第２高調
波を用いる場合には、レーザ照射系の光学部品に安価な
可視光用の部品を用いることができる利点があり、ま
た、第３高調波を用いる場合には、第４高調波を用いる
場合に比べ、光学部品を安価に構成できる利点と、可視
光に比べ照射パターンの空間分解能を高くできるので堆
積のパターンのエッジ制御性がよくなる利点がある。
Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波を用いた例を示した
が、第２高調波や、第３高調波を用いても金属性の膜の
上に反射防止用の膜を形成することができる。第２高調
波を用いる場合には、レーザ照射系の光学部品に安価な
可視光用の部品を用いることができる利点があり、ま
た、第３高調波を用いる場合には、第４高調波を用いる
場合に比べ、光学部品を安価に構成できる利点と、可視
光に比べ照射パターンの空間分解能を高くできるので堆
積のパターンのエッジ制御性がよくなる利点がある。
【００２２】次に、反射防止効果を金属製の遮光膜の表
面酸化により得る方法について説明する。
面酸化により得る方法について説明する。
【００２３】装置の構成は、図１に示すものと同じであ
るが、第２の原料ガスとしてオゾンを用いる点が１番面
の実施例と異なっている。金属製の遮光膜を形成するま
では、第１の実施例と共通であるが、Ｃｒ膜の厚みは後
段の酸化の厚みを考慮して１３００Ａとした。金属膜を
形成した後、チャンバ雰囲気をオゾンとし、レーザ光照
射強度を１０００ｋＷ／ｃｍ2として、５０秒間照射す
る。この工程により欠陥修正部の反射率を１５％程度に
低減できる。
るが、第２の原料ガスとしてオゾンを用いる点が１番面
の実施例と異なっている。金属製の遮光膜を形成するま
では、第１の実施例と共通であるが、Ｃｒ膜の厚みは後
段の酸化の厚みを考慮して１３００Ａとした。金属膜を
形成した後、チャンバ雰囲気をオゾンとし、レーザ光照
射強度を１０００ｋＷ／ｃｍ2として、５０秒間照射す
る。この工程により欠陥修正部の反射率を１５％程度に
低減できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォトマスクの白点欠陥修正において、遮光膜の上に反
射防止膜を形成することによって、欠陥検査装置による
欠陥修正部の誤認識が起こらない優れたフォトマスクの
白点欠陥修正方法を提供することができる。
フォトマスクの白点欠陥修正において、遮光膜の上に反
射防止膜を形成することによって、欠陥検査装置による
欠陥修正部の誤認識が起こらない優れたフォトマスクの
白点欠陥修正方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る白点欠陥修正方法を実
現する装置の構成を示す模式図である。
現する装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明における膜形成の工程を示す図である。
【符号の説明】 １ レーザ光源 ２ 照明 ３ カメラ ４ 減衰器 ５ 除害排気ユニット ６ チャンバ ７ 基板 ８ 窓 ９ 対物レンズ １０ リレーレンズ １１ スリット １２ Ｘ−Ｙステージ １３ 第１の流量計 １４ 第２の流量計 １５ 第３の流量計 １６ 第１の原料ガスリザーバ １７ 第２の原料ガスリザーバ １８ キャリアガス供給ユニット １９ 第１のハーフミラー ２０ 第２のハーフミラー ２１ 第３のハーフミラー ２２ 原料ガス供給ノズル ２３ 第１のコリメートレンズ ２４ 第２のコリメートレンズ ２５ 第３のコリメートレンズ ２６ 集光レンズ ３１ レーザ光 ３２ 第１の原料ガス ３３ Ｃｒ膜 ３４ 第２の原料ガス ３５ ＴｉＮ膜
Claims (5)
- 【請求項１】 原料ガス雰囲気中のフォトマスク基板上
の所望位置にレーザ光を照射して、レーザＣＶＤによ
り、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォトマスクの
白点欠陥修正方法において、原料ガズ雰囲気に第１の原
料ガスを用いて所望の修正位置に第１の遮光膜を堆積さ
せた後、原料ガス雰囲気を第２の原料ガスに切り替え、
上記第１の遮光膜の上に反射防止効果を有する第２の膜
を堆積させることを特徴とするフォトマスクの白点欠陥
修正方法。 - 【請求項２】 原料ガス雰囲気中のフォトマスク基板上
の所望位置にレーザ光を照射して、レーザＣＶＤによ
り、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォトマスクの
白点欠陥修正方法において、原料ガス雰囲気に第１の原
料ガスを用いて所望の修正位置に第１の遮光膜を堆積さ
せた後、原料ガス雰囲気を酸化性原料ガスに切り替え、
レーザ光を照射することにより上記第１の遮光膜の表面
を反射防止効果を発現する深さ以上に酸化することを特
徴とするフォトマスクの白点欠陥修正方法。 - 【請求項３】 第１の原料ガスとして、Ｃｒ（Ｃ
Ｏ）6，Ｗ（ＣＯ）6，Ｍｏ（ＣＯ）6の単体もしくはそ
の混合ガスを含む原料ガスとし、第２の原料ガスとして
ＴＤＭＡＴ（テトラキスジメチルアミノチタン）を含む
原料ガスを用いることを特徴とする請求項１記載のフォ
トマスクの白点欠陥修正方法。 - 【請求項４】 レーザＣＶＤの光源として繰り返し周波
数１ｋＨｚ以上のＱスイッチ固体レーザの高調波光源を
用いることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項
に記載のフォトマスクの白点欠陥修正方法。 - 【請求項５】 原料ガス雰囲気中のフォトマスク基板上
の所望位置にレーザ光を照射して、レーザＣＶＤによ
り、フォトマスクの白点欠陥を修正するフォトマスクの
白点欠陥修正装置において、第１の遮光膜を形成するた
めの第１の原料ガスを供給する手段と、第１の遮光膜上
に反射防止効果を有する第２の膜を形成するための第２
の原料ガスを供給するための手段とを備えたことを特徴
とするフォトマスクの白点欠陥修正装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13435196A JP2785803B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置 |
| TW086105542A TW353727B (en) | 1996-05-01 | 1997-04-28 | Method and apparatus for correcting defects in photomask |
| KR1019970016767A KR100273878B1 (ko) | 1996-05-01 | 1997-04-30 | 포토마스크내의결함보정방법및장치 |
| US08/848,743 US6136096A (en) | 1996-05-01 | 1997-05-01 | Method and apparatus for correcting defects in photomask |
| US09/577,348 US6333130B1 (en) | 1996-05-01 | 2000-05-24 | Method and apparatus for correcting defects in photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13435196A JP2785803B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297387A JPH09297387A (ja) | 1997-11-18 |
| JP2785803B2 true JP2785803B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=15126339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13435196A Expired - Lifetime JP2785803B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6136096A (ja) |
| JP (1) | JP2785803B2 (ja) |
| KR (1) | KR100273878B1 (ja) |
| TW (1) | TW353727B (ja) |
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| US6527867B1 (en) * | 2000-05-30 | 2003-03-04 | Lsi Logic Corporation | Method for enhancing anti-reflective coatings used in photolithography of electronic devices |
| US6392745B1 (en) * | 2000-06-13 | 2002-05-21 | American Air Liquide, Inc. | Method and apparatus for the fast detection of surface characteristics |
| JP3479833B2 (ja) * | 2000-08-22 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | レーザ修正方法および装置 |
| JP3479838B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | パターン修正方法及びパターン修正装置 |
| US7270724B2 (en) * | 2000-12-13 | 2007-09-18 | Uvtech Systems, Inc. | Scanning plasma reactor |
| US6773683B2 (en) * | 2001-01-08 | 2004-08-10 | Uvtech Systems, Inc. | Photocatalytic reactor system for treating flue effluents |
| US20030155328A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Huth Mark C. | Laser micromachining and methods and systems of same |
| JP3859543B2 (ja) * | 2002-05-22 | 2006-12-20 | レーザーフロントテクノロジーズ株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP4297693B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2009-07-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびフォトマスクの製造装置 |
| US6969822B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-11-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser micromachining systems |
| US7754999B2 (en) | 2003-05-13 | 2010-07-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser micromachining and methods of same |
| JP4334308B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2009-09-30 | オムロンレーザーフロント株式会社 | 配線修正装置 |
| KR100771400B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2007-10-30 | 주식회사 파이컴 | 포토 마스크 수리용 에어 제거 장치와, 이를 포함하는 포토마스크 수리 장치 및 이를 이용하는 포토 마스크 수리방법 |
| JP5009590B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2012-08-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| KR101051073B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2011-07-21 | 주식회사 코윈디에스티 | 하프톤 마스크의 리페어 방법 및 리페어 시스템 |
| CN102236248A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 株式会社Cowindst | 用于修复半色调掩模的方法和*** |
| JP5163967B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2013-03-13 | オムロン株式会社 | フォトマスク修正方法およびレーザ加工装置 |
| TWI489978B (zh) | 2011-08-11 | 2015-07-01 | Osstem Implant Co Ltd | 骨鑽與骨鑽蓋以及使用該骨鑽與該骨鑽蓋的自體集骨器 |
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| DE102016204535A1 (de) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messmikroskop zur Vermessung von Masken für lithographische Verfahren sowie Messverfahren und Kalibrierverfahren hierfür |
| CN112034678A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-04 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种修补光罩的方法及设备 |
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| US4440841A (en) * | 1981-02-28 | 1984-04-03 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Photomask and photomask blank |
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| JPS60196942A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法 |
| ATE80955T1 (de) * | 1984-06-20 | 1992-10-15 | Gould Inc | Laserverfahren zur photomaskenreparatur. |
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1997
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-
2000
- 2000-05-24 US US09/577,348 patent/US6333130B1/en not_active Expired - Fee Related
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