KR100964314B1 - 포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법 - Google Patents
포토 마스크 리페어 장치 및 그 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (25)
- 포토 마스크 리페어 장치에 있어서,스테이지 상에 안착된 기판의 결함을 리페어할 수 있도록 레이저 빔을 공급하는 레이저 발진부;상기 레이저 발진부에서 공급되는 레이저 빔을 상기 기판의 리페어 위치에 전달하는 광학계;상기 기판 리페어시 금속 소스가스를 챔버에 공급하는 원료가스 공급부;상기 원료가스 공급부와 연결되어 박막 형성 물질을 하측에 근접한 상기 기판에 공급하는 챔버; 및상기 기판 리페어시 가공면을 촬상하여 모니터링할 수 있는 모니터링부;를 포함하며,상기 챔버는,상기 기판의 상측에 위치되는 본체;상기 본체내 상단에 고정되어 상기 레이저 빔을 상기 기판에 조사하는 광학창;상기 본체의 저면 중심부에 형성되며 소스 가스 공급부와 연결되어 금속소스 가스를 리페어시 상기 기판에 공급하는 소스 가스주입구;상기 본체의 저면 가장자리에 원형 홈 형태로 형성되며 퍼지 가스 공급부와 연결되어 퍼지 가스 공급시 에어 커튼 기능을 하는 퍼지 가스주입구; 및상기 소스 가스주입구와 상기 퍼지 가스주입구의 사이에 형성되어 미반응가스 및 반응 부가물을 배기하는 배기가스 흡입구;를 포함하고,상기 레이저 발진부는 적외선 레이저(IR), 자외선 레이저(UV) 중 하나 또는 복수개로 구비되고 250 ~1064nm 사이의 파장 범위를 사용하며, 36 피코초(36 X 10-12 초) 이하의 펄스 폭을 갖고,상기 금속 소스가스는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn) 중에서 적어도 1개의 금속원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기판 리페어시 CCD 카메라부에 의해 촬상된 불량 패턴 이미지와 양품 패턴 이미지를 비교, 판독하여 리페어 종료를 제어하는 제어부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기판의 후면에서 X축, Y축으로 구동하여 불량 패턴 위치로 이동하여 리페어시 가공 부위를 비추어주는 투과조명이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
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- 제 1항에 있어서,상기 레이저 발진부는 레이저 소스를 방출하되 단일 펄스 구동 또는 반복 펄스 구동이 가능하며, 다이오드 펌핑 고체 레이저 방식 또는 플래시 램프 펌핑 고체 레이저 방식으로 발진되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
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- 제 1항에 있어서,상기 레이저 발진부는 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 흑점 불량일 때 트리밍(Trimming) 공정과, 백점 불량일 때 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행하거나, 적외선(IR)과 근자외선(NUV)이하 레이저를 이용하여 적외선(IR) 레이저는 트리밍, 근자외선(NUV)이하의 레이저는 CVD를 수행하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
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- 제 1항에 있어서,상기 원료가스 공급부는, 상기 챔버에 박막 형성 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부와, 상기 챔버에 박막 형성 물질인 금속소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
- 제 11항에 있어서,상기 퍼지 가스 공급부는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 가스 중 어느 하나 또는 이중 혼합된 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 장치.
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- 포토 마스크 리페어 방법에 있어서,1) 레이저 빔의 조사 위치를 기판의 리페어 위치로 이동시키는 단계;2) 상기 기판의 리페어 위치로 박막 형성 물질을 공급하는 단계;3) 상기 기판상의 결함 위치를 리페어하는 단계; 및4) 상기 기판 리페어시 박막의 증착 두께를 조절하는 단계;를 포함하며,상기 3) 단계는,a) 상기 기판 결함 위치에 금속소스 가스를 주입하는 단계;b) 주입된 금속소스 가스에 상기 레이저 빔을 조사하여 증착하는 단계;c) 상기 레이저 빔 조사시 외측에서 미반응가스 및 반응 부가물의 누출을 방지하도록 퍼지 가스를 공급하는 단계; 및d) 상기 기판의 리페어시 미반응가스 및 반응 부가물을 흡입하는 단계; 로 이루어지고,상기 a) 단계에서의 금속소스 가스는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 코발트(Co), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn) 중에서 적어도 1개의 금속원자를 포함하며,상기 4) 단계에서의 증착 두께에 의한 그레이 레벨 조절은 증착 시간과 상기 금속소스 가스의 유량을 조절함에 따라 증착 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
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- 제 16항에 있어서,상기 3) 단계에서는 근자외선(NUV) 이하의 레이저를 사용하여 트리 밍(Trimming) 공정과 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행하거나, 적외선(IR)과 근자외선(NUV)이하 레이저를 이용하여 적외선(IR) 레이저는 트리밍 공정을, 근자외선(NUV) 레이저 이하는 CVD 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
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- 제 16항에 있어서,상기 c) 단계는, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 가스 중 어느 하나 또는 혼합된 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
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- 제 16에 있어서,상기 4) 단계는 그레이 레벨을 기존과 동일하게 유지하며 증착 두께 조절을 실시간으로 모니터링하면서 실시하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 리페어 방법.
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