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五t發明説明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於具有相變化型之記錄層、能當作追記 型媒體使用的光記錄媒體。 【先前技術】 近年，可局密度記錄的光記錄媒體受到矚目。光記錄 媒體中，分爲只能記錄一次無法抹寫的追記型媒體，及可 重複記錄的抹寫型媒體。 追記型媒體因無法抹寫記錄資訊，故適用於有資訊篡 改疑慮的公文等之記錄。追記型媒體中，使用有機色素作 爲記錄材料者十分普遍。可是，以有機色素當作記錄材料 ’在進行媒體之線速度高的高速記錄情況下記錄靈敏度容 易不足，故高傳輸速率難以實現。又，因有機色素的分光 吸收特性和分光反射特性較爲急峻，必須要使用對能應於 記錄、讀取波長的有機色素。因此，例如，在使用較短波 長之記錄、讀取光的上位格式存在的情況下，便有上位格 式用之記錄、讀取光無法記錄、讀取下位格式之媒體。並 且能對應短波長之記錄、讀取光的有機色素在設計及獲取 上也有難題。 另一方面，可抹寫型光記錄媒體中的相變化型，係藉 由雷射光照射改變記錄層的結晶狀態而進行記錄，再藉由 偵測此種狀態變化所導致記錄層之反射率變化而進行讀取 。在覆寫可抹寫相變化型媒體時，在結晶質記錄層上照射 記錄功率等級的雷射光令其熔融，再從熔融狀態急冷藉以 本紙壤k度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~' -4- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} (裝· 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589627 A7 B7 五、發明説明（）2 形成非結晶質記錄標記。消除時，則以消除功率等級的雷 射光照射使記錄層昇溫至結晶化溫度以上而未滿熔點的溫 度，再使其徐冷，使非結晶質記錄標記結晶化。因此，藉 由單一雷射光強度變化連續照射，便可覆寫。 具有相變化型之記錄層的媒體，除了用作上記之抹寫 型以外，亦可能用作追記型媒體。在用作追記型媒體的情 況，必須要使記錄層一經形成非結晶質記錄標記便無法消 除或抹寫。 使用有機色素的追記型媒體中，記錄的同時會發生有 機色素之分解。因此，一般在記錄時的線速度爲2倍時雷 射光的功率必須要在2 1 / 2倍。相對於此在相變化型媒體 用作追記型媒體的情況下，只需記錄用雷射光之照射部份 達到熔點即可。爲了使記錄層瞬間吸收雷射光達到熔點， 記錄用雷射光的功率和記錄時的線速度並無太大相關。因 此，即使記錄時的線速度爲2倍，記錄用雷射光的功率只 需稍微增加即可，是爲有利點。 可是，爲了使相變化型媒體用作追記型媒體的有效提 案卻一直未見。 【發明所欲解決之課題】 本發明目的在提供可當作追記型使用，且可高密度記 錄的相變化型光記錄媒體。 【用以解決課題之手段】 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂1· 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 -5- 589627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3) 此種目的係藉由下記（1 )〜（5 )之任一種構成而 達成。 (1 )具有在令記錄光之波長爲λ、記錄光學系統之 接物鏡之數値孔徑爲Ν Α時，進行記錄可形成長度在 0 . 4 λ / N A以下且呈圓形或橢圓形之最短記錄標記的 相變化型記錄層，且 在所使用的最小線速度下無法消除或抹寫記錄資訊的追記 型媒體即光記錄媒體。 (2 )如上記（1 )的光記錄媒體，其中 S b與T e以外的元素以Μ表示，將前記記錄層構成 元素之原子比以 式 I (SbxTei-xKyMy
表不，所使用的最小線速度設爲V m i n ( m / s ) 時，貝[J Ο . 5^x^y/2 + 0 . 〇2Vmin + 〇 . 57 且 x S Ο . 9、 0 S y $ Ο · 4。 (3 )如上記（1 )或（2 )的光記錄媒體，其中 進行記錄則記錄標記周圍不會存在再結晶化領域。 (4 )如上記（1 )〜（3 )之任一光記錄媒體，其 中 記錄資訊在3 . 4 9 m / s以上的線速度下無法消除 或抹寫。 (5 )如上記（1 )〜（3 )之任一光記錄媒體，其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 589627 A7 B7 五、發明説明（4) 中 記錄資訊在1 . 2 m / s以上的線速度下無法消除或 抹寫。 【發明的實施形態】 相變化型媒體，無論抹寫型媒體還是追記型媒體皆要 求提升記錄密度。可是，在爲了提高記錄密度而縮短記錄 標記的情況下’容易產生讀取輸出衰減及顫動增大。針對 於此，特開20 00 — 23 1 72 5號公報中提出了，藉 由控制最短記錄標記之形狀，以改善讀取輸出衰減及顫動 增大。同公報中，記載著形成後端之最短記錄標記至少有 一部份向前端凸出之形狀，具體而言就是蝙蝠狀之最短記 錄標記的光記錄方法。此種蝙蝠狀的最短記錄標記，可藉 由控制記錄條件而形成。被記錄用雷射光束熔融的記錄層 ，一遠離雷射光束就會急冷而形成非結晶質記錄標記。此 時，藉由控制雷射光束之強度調變模式（pattern )以控制 熔融領域後端附近的冷卻速度，則可使熔融領域後半部再 次結晶化。其結果爲，只有熔融領域前半部非結晶質化， 且形成蝙蝠狀的非結晶質記錄標記。 同公報記載之方法，可將記錄標記的寬度相對地大於 記錄標記之長度，藉此可抑制音記錄標記長度縮短而導致 讀取輸出之衰減。因此同公報中，令記錄光之波長爲；I、 記錄光學系統之接物鏡之開口數爲N A時，即使最短記錄 標記長度在0 · 4 λ / N A以下也能確保有足夠的記錄標 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） —IJ——r|_: —参_卜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7 - 589627 A7 B7 _ 五3發明説明（5 ) 記寬度，其結果可得到足夠的讀取輸出。又，同公報中 藉由此種形狀的最短記錄標記，而降低顫動。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之發明者們，針對藉由使用結晶化速度相對較 慢的記錄層並將線速度設定爲相對較快之當作追記型的相 變化型媒體，設定和上記特開2 0 〇 〇 - 2 3 1 7 2 5號 公報之實施例所記載之抹寫型媒體一樣，以最短記錄標記 長0 · 4 λ / N A以下、且熔融領域後部會再結晶化之記 錄條件。可是在此情況下，和上記特開2 0 0 0 -2 3 1 7 2 5號公報記載之抹寫型媒體不同地，顫動卻變 大了。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 追記型媒體在進行高密度記錄時顫動變大的原因，可 以想成以下理由。爲了將相變化型媒體當作追記型媒體使 用，上記實驗中，設置了結晶化速度較慢並令使用線速度 較快。可是此種條件下，熔融之記錄層很難再結晶化。因 此，記錄標記後端邊緣的位置容易參差不齊，且記錄標記 的形狀也容易參差不齊。這些參差的影響，係記錄標記越 短影響越大。因此，在最短記錄標記長度短爲0 . 4 λ / N A以下的情況，最短訊號的顫動會變大，最短訊號 之顫動對記錄訊號整體之顫動有強大影響之故，隨機訊號 之顫動便惡化。 基於此種實驗結果，本發明之發明者們爲了防止記錄 標記形狀的參差，試圖在抑制記錄層之熔融領域後部之再 結晶化的條件下進行記錄，並防止記錄標記形狀之參差。 具體而言，就是確保足夠的記錄靈敏度，且試圖讓各最短 本紙A度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 589627 A7 ______B7 五6發明説明（6) 記錄標記的形狀變成圓形或橢圓形，因應記錄線速度，在 控制記錄層之結晶化速度急媒體的熱設計的同時，設定最 佳合的記錄條件。可是，若單單只是讓最短記錄標記變成 圓形或橢圓，讀取輸出仍會衰減。爲此，本發明中，選擇 了結晶化相對較遲，各結晶-非結晶質間的反射率變化較 大的記錄層之組成。藉此本發明中，實現了具備可用作追 記型媒體之結晶化速度的記錄層，並且在進行高密度記錄 時顫動小，各讀取輸出足夠高的相變化型媒體。
此外，本發明中，所謂進行高密度記錄時仍能獲得足 夠之讀取輸出，係意指在最短記錄標記在〇 . 4 λ / N A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以 下 的 情 況 最 短 訊號之C NR (carriertonoiseratio ， 載 波 對 雜 訊 比 ) 在 4 8 d B以上 ，理想在4 8 d B 以 上 〇 順 便 — 提 ，. ...u- 刖 記特開2 0 0 0 - 2 3 1 7 2 5 號 公 報 之 圖 5 及 圖 6 中 記載著當 作比 較例 之 接 近 圓 形 的 記 錄 標 記 〇 這 些 記 錄 標 記 係將記錄 功率 降得 稍 低 5 防 止 記 錄 時 的 熔 融 領 域 後 半 部 的 再結晶化 而形 成的 〇 形 成 該 記 錄 標 記 的 記 錄 層 之 組 成 ( 原 子比）， 係示 於同 公 報 的 段 落 0 0 7 1 及 段 落 〇 〇 5 2 • A g a ] [n b S b c T 0 d 其 中 a 0 • 0 7 b = 〇 • 0 5 c = 0 • 5 9 d - 〇 2 9 本紙条^度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 589627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 而若以 (SbxTei-χ) i-y (Ag, I η ) y 之形式表示，則 X = 0 . 6 7 y 二 0 · 1 2 又，圓形的記錄標記係在線速度1 · 2 m / s下形成 。該組成之記錄層’在線速度1·2m/s下可以消除。 在線速度1 · 2 m/ s下不可消除的本發明之媒體中，表示 S b的含有量的X因爲較小，故讀取輸出較高。 本發明之媒體，在形成非結晶質記錄標記時，以記錄 標記的周圍不存在再結晶領域爲理想。先前之相變化型記 錄媒體中，如特開平9 一 7 1 7 6號公報（參照圖2 )、 特開平4 一 3 6 6 4 2 4號公報（參照圖2 )所記載，非 結晶質記錄標記的周圍存在有再結晶化領域。該再結晶化 領域，係如以下說明之機制而形成。 光記錄媒體之記錄所用的雷射光束之光點爲接近正圓 形，光點內的能量分布係呈高斯分布。因此，當記錄用雷 射光束照射在相變化型記錄層上時，照射部位中中央部份 比周圍部份溫度略高，照射後熱則從照射部位的中央部傳 導至周圍部。其結果爲，照射部位之周圍部的冷卻速度較 慢，前記周圍部變成徐冷。因此，前記周圍部即使一度熔 融卻不形成非結晶質，而是再次變回結晶質。藉由此種作 用，非結晶質記錄標記周圍會形成再結晶化領域。 如此形成的再結晶化領域中的結晶粒徑，不同於記錄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - --.--^---^-I»裝丨——Ί——訂———；---0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 589627 A7 __ - B7_ 五、發明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層格式化（全面結晶化）所形成的結晶粒徑，亦不同於消 除操作所形成的結晶粒徑。結晶粒徑不同則光反射率也不 同。因此’記錄標記之外緣不明顯的結果，會使讀取特性 惡化。尤其是在偵測記錄標記之邊界位置所必須的標記邊 界記錄，若記錄標記的長度和邊界之狀態爲不明瞭，則顫 動會惡化。 對此本發明之理想樣態中，因記錄標記周圍不存在再 結晶化領域，故可使訊號品質良好，並減小顫動。只要能 適宜地控制記錄層之組成或/及媒體的熱設計，就可防止 記錄標記周圍再結晶化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，前記特開2 0 0 0 — 2 3 1 7 2 5號公報內， 如前述般，記載著當作比較例的接近圓形之記錄標記。該 比較利用的媒體.，係選擇在線速度3 · 5 m / s下可抹寫 的記錄層組成及媒體的熱設計，故該比較例所使用的線速 度1 · 2 m / s下無法當作追記型以外，記錄標記周圍也 易產生再結晶化。實際上，同公報的圖5及圖6中，也可 確認在接近圓形之記錄標記周圍，有由結晶質所成之不同 於未記錄部結晶質的再結晶化領域。 本發明特別適合於在結晶質記錄層內形成非結晶質記 錄標記形式的媒體，但是，亦可適用於在非結晶質記錄層 上形成結晶質記錄標記形式的媒體。 接著，將說明本發明之媒體的構成例。 圖1所示之構造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 589627 A7 ___ B7 __ 五、發明説明（9) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之構成例示於圖1。此光記錄媒體，在透光性 基體2上，依序具有第一誘電體層3 1、記錄層4、第二 誘電體層3 2、反射層5及保護層6，記錄或讀取用 雷射光，係通過透光性基體2入射。 逶性基體2 透光性基體2，對用來記錄或讀取的雷射光具有透光 性。透光性基體2的厚度，通常爲〇 . 2〜1 . 2 m m， 理想則在Ο . 4〜1 · 2 m m即可。透光性基體2可爲樹 脂所成之構成，亦可爲玻璃所成之構成。光記錄媒體中經 常設置的誘導溝（groove ) 2 1，從雷射光入射側來看係存 在於正面之領域，緊臨誘導溝之間存在的凸條係平坦面（ 1 a n d ) 2 2 0 本發明中，可將平坦面或/及誘導溝當作記錄軌利用 第一誘電體層3 1及第二誘電體層3 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這些誘電體層，可防止記錄層氧化、變質，且於記錄 時藉由將來自記錄層的熱阻斷乃至往內面方向散逸，而保 護透光性基體2。又，設置這些誘電體層，可提升調變度 。各誘電體層，亦可爲組成相異之兩層以上的誘電體層堆 疊而構成。 這些誘電體層所採用的誘電體，以含有例如S i 、
Ge、Zn、A 1 、希土類元素等選擇至少一種金屬成份
本紙張尺度適用中國國家標季（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7Z 589627 A7 __B7 五、發明説明（ 的各種化合物爲理想。化合物則以氧化物、氮化物、甚或 硫化物爲理想，亦可使用含有兩種以上這些化合物的混合 物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一誘電體層及第二誘電體層的厚度，雖以能獲得足 夠保護效果和調變度提升效果爲適宜而決定，但一般第一 誘電體層3 1的厚度理想在3 0〜3 0 0 n m，更理想者 是在5 0〜2 5 0 nm，第二誘電體層3 2的厚度理想是 在 10 〜50nm〇 各誘電體層，以陰極濺度法形成爲理想。 記錄層4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589627 A7 B7 五、發明説明（1) 式 I ( S b X T e 1 - X ) 1 - y M y 袠示，所使用的最小線速度設爲V m i η ( m/ s )時 ，則 Ο . 5 = x = y / 2~t~0 . 02Vmi n + 〇 57 且 x $ 0 · 9、 〇 ^ y ^ 〇 . 4 理想則爲 y/2 + 0 · 02'，mi n + O · 5Sx$y/2 + 〇.〇2Vmin + 〇.57 且 x ^ 0 . 9 0 S y $ 0 · 4 0 上記式I中，若表示S b含有量的X過小，·則結晶化 速度過遲，故使記錄層的格式化變爲困難。另一方面，若 X 比 y/2 + O · 02Vmi n + 0 . 57 大，尤其超過 〇 · 9時，則因結晶狀態和非結晶質狀態之間的反射率差 變小，故導致讀取輸出變低。因此，藉由限制X在上記範 圍內，可獲得適合當作追記型媒體記錄層的結晶化速度， 且可使讀取輸出有足夠強度。 另外，xSy/2 + 0 . 02Vmin + 〇 · 57 的 關係’係以以下程序的實驗求得。首先，對X或/及y相 異的多個媒體，在各種線速度下分別嘗試消除之，求出各 媒體之無法消除的臨界線速度。接下來將此臨界線速度和 X與y的關係以一次方程式表示。上記臨界線速度以V表 — — J---i---L — ·本—卜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -14- 589627 A7 B7 五、發明説明（ 示，則此一次方程式爲X ‘ y / 2 + 0 · 0 2 V + 0.57° 本明細書中所謂媒體所使用之最小線速度V m i η， 係指本發明之媒體所屬規格或和本發明媒體之相容性高的 規格中的基準速度（通常也稱爲1倍速）或其最小値。例 如追記型C D中廣爲人知的C D — R及抹寫型C D中廣爲 人知的CD-RW的基準線速度爲1·2〜1.4m/s ，故將本發明之媒體當作和C D - R或C D - R W相容性 高之追記型媒體使用的情況下，Vmi η爲1 · 2m/s 。而依照D V D ( Digital Versatile Disk，多功能數位碟片） 規格廣爲人知的光碟中，追記型的D V D - R及抹寫型的 DVD — RW的基準線速度爲3 · 4 9m/s ，故將本發 明之媒體當作和DVD-R或DVD-RW相容性高之追記型媒體 使用的情況下，Vmin爲3 · 49m/s。一般的光碟機， 幾乎沒有以1倍速不到的線速度進行消除操作或抹寫操作 ，而且因消除或抹寫係線速度越慢者越容易，故本發明的 記錄層之組成限定係根據Vmin而行之。 又，本發明中，使用之最小線速度並無特定限制。只 不過，一般的格式化線速度必須小於記錄線速度，故在對 較慢的記錄線速度最佳化的記錄層上，格式化線速度必須 更顯著地小，會導致媒體的生產性降低。又，對顯著小的 線速度最佳化的記錄層會導致無法格式化。另一方面，若 記錄線速度過快，則若非機械精確度極度良好的機器則較 難將表面震動收斂在可容許範圍內，用來驅動媒體的馬達 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ί---L I — l· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 589627 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（θ 之震動亦會變大，使得安定地記錄變爲困難。因此，記錄 線速度通常在1〜20m/s ，尤其以1〜15m/s的 範圍內選擇爲理想。 元素Μ雖無特別限定，但以由上記所示可提升保存信 賴性效果的元素之中選擇至少一種爲理想。若表示元素Μ 之含有量y過大，則會降低讀取輸出。 記錄層的厚度，理想爲超過4 n m在5 0 n m以下， 更理想則爲5〜3 0 n m。記錄層過薄則結晶相之成長變 爲困難，難以結晶化。另一方面，記錄層過厚，則因記錄 層的熱容量變大使得記錄變爲困難，也會導致讀取輸出之 衰減。 記錄層之形成，以陰極濺鍍法行之爲理想。 此外，本發明中並無特別限定記錄層之構造。例如， 特開平8 - 2 2 1 8 1 4號公報和特開平1 〇 — 2 2 6 1 7 3號所記載的具有多層構造之記錄層之媒體也 可適用於本發明。 反射層5 本發明中並無特別限定反射層構成材料，通常可以 Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、 S i等金屬或半金屬之單體或含有其中一種以上之合金所 成。 反射層的厚度，通常在1 0〜3 Ο 〇 n m爲理想。厚 度若未滿前記範圍則很難獲得足夠反射率。又’超過前記 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) pr.裝·
、1T 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -16- 589627 A7 B7 五、發明説明（ 範圍對反射率提升貢獻小，不利於成本。反射層以陰極濺 鍍法或蒸著法等氣相成長法形成爲理想。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 保護層6 保護層6 ，係爲了提升耐擦傷性和耐蝕性而設置。此 保護層以各種有機系物質所成之構成爲理想，尤其是以輻 射線硬化型化合物和其組成物，經電子線、紫外線等輻射 線照射會使其硬化的物質所構成爲理想。保護層的厚度， 通常爲0 . 1〜100//m左右，可以旋轉塗佈、重力塗 佈、噴塗、浸塗等通常方法形成即可。 圖2所示之構造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之光記錄媒體的構成例示於圖2。此光記錄媒 體，係於支持基體2 0上，按照由金屬或半金屬所構成之 反射層5、第二誘電體層3 2、記錄層4、第一誘電體層 3 1以及透光性基體2之順序積層而成。用以記錄或讀取 的雷射光，係通過透光性基體2而入射。此外，在支持基 體2 0與反射層5之間，亦可設置由誘電體材料所成之中 間層。 此構成例的透光性基體2，亦可採用和圖1中透光性 基體2相同程度厚度的樹脂板或玻璃板。只不過，爲了藉 由記錄讀取光學系的高N A化以達成高記錄密度，透光性 基體2以薄型化者爲理想。此情況之透光性基體的厚度， 以從3 0〜3 0 0 // m的範圍中選擇爲理想。若透光性基 •17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589627 A7 B7 五、發明説明（1自 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體過薄，則附著在透光性基體表面的塵埃所導致的光學影 響會變大。反之，若透光性基體過厚，則很難藉由高N A 化達成高記錄密度。 將透光性基體2薄型化之際，例如，可將透光性樹脂 所成之光透過性薄紙藉由各種接著劑或黏著劑貼附在第一 誘電體層3 1作爲透光性基體，亦或利用塗佈法將透光性 樹脂層直接形成在第一誘電體層3 1以成透光性基體。 支持基體2 0，係爲了維持媒體之剛性而設。支持基 體2 0的厚度及材料，可和圖1所示之構成例中透光性基 體2 —樣，且無論透不透明皆可。誘導溝2 1 ，係如圖示 般，係可藉由設於支持基體2 0上的溝，於其上形成的各 層轉印而形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2所不構造之媒體中，反射層5形成時的結晶成長 ，很容易使雷射光入射側的反射層之表面粗糙度變大。一 旦該粗糙度變大，則會增大讀取雜訊。因此，以小結晶粒 徑之反射層、或形成非結晶質反射層爲理想。因此，以 A g或A 1爲主成份，且含有前記添加元素之反射層爲理 想。 又’反射層的熱傳導率，因結晶粒徑越小就會越低， 故若反射層爲非結晶質，則記錄時很難獲得足夠散熱速度 。爲此，首先形成非結晶質的反射層後，在施以熱處理令 其結晶化爲理想。一旦於形成非結晶質後再結晶化，則可 維持非結晶質時的表面粗糙，並且可實現結晶化所致的熱 傳導率提升。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 589627 A7 B7 五、發明説明（1弓 其他各層，和圖1所示之構成例相同。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【實施例】 實施例 由射出成形而同時形成誘導溝（寬0 · 2 // m、深2 0 nm、螺距0 .74//m)的直徑12〇mm、厚度 〇 · 6 m m的碟狀聚碳酸酯板作爲透光性基體2，在其表 面上，將第一誘電體層3 1、記錄層4、第二誘電體層 3 2、反射層5以及保護層6按照以下所示的順序形成， 成爲具有圖1所示之構成的光記錄碟片樣品N 〇 . 1。 第一誘電體層3 1 ，使用標靶爲Zns (80莫耳％ )—Si〇2 (20莫耳％) ’在Ar氣氛中以陰極濺鍍法 形成。第一誘電體層31的厚度爲90nm。 記錄層4 ，在Ar氣氛中以陰極濺鍍法形成。記錄層 4的組成（原子比）爲 (Sb〇.67Te〇. 33)0.9(In〇_4 Ago.6)0.1 〇 · 記錄層4的厚度爲2 0 nm。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第二誘電體層32，使用標靶爲zns (50莫耳％ )一 Si〇2 (50莫耳％)，在Ar氣氛中以陰極濺鍍法 形成。第二誘電體層3 2的厚度爲2 0 nm。 反射層5 ，使用標祀爲A 1 — 1 · 7莫耳％C r合金 ’在A r氣氛中以陰極職鍍法形成。反射層$的厚度爲 1 〇 0 n m 〇 保護層6 ，係將紫外線硬化型樹脂以旋轉塗佈法塗佈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 589627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明説明（彳> 後’經紫外線照射硬化而形成。硬化後保護層的厚度爲5 β m 〇 將如此製作好的樣品Ν ο . 1進行格式化。格式化係 使用大量消除器以線速度2 m/ s進行。 對樣品Ν 〇 . 1，使用光記錄媒體評估裝置（ PULSTEC 製 DDU— 1000)，以 雷射波長A:635nm、 - 數値孔徑Ν A : 〇 . 6、 記錄訊號：EFMPlus (8 - 16)調變之單一 訊號（最短訊號爲3 T訊號）及隨機訊號、 線速度：3 3 . 5 m / s (最短訊號長：0 · 3 8 λ /ΝΑ) 之條件，各自記錄最短訊號及隨機訊號一次後，以讀 取功率0 . 9 m W讀取記錄資訊。 在此將說明記錄時的雷射光強度調變模式（pattern ) 。一般而言，在相變化型媒體上記錄之際，因應記錄標記 之長度記錄光並非直流地照射，而是例如特開2 0 0 0 -1 5 5 9 4 5號公報所記載，進行多重脈衝記錄爲常見。 多重脈衝記錄之記錄波形範例示於圖3。又，本明細書中 所謂的記錄波形，係指用以將記錄光強度調變的驅動訊號 模式（pattern )。圖3中，表示了 NRZI訊號的5T訊 號，及對應該5 T訊號的記錄波形。圖3中，P w係記錄 功率，P b係偏壓功率（biaspower ) 。P b在可覆寫的記 錄系統中，通常稱爲消除功率。此記錄波形，具有用以形 --U---_---r------------訂 I ：-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 20 - 589627 A7 B7_ 五、發明説明（>8 成記錄標記的記錄脈衝部，及連結各記錄脈衝的直流部。 記錄脈衝部，係由上行脈衝（強度P w )和繼之的下行脈 衝（強度P b )反覆組合之構造，整體來看係自p b開始 上揚，最後又回到Pb。圖3中，Tt op係先發之上行 脈衝之寬度，T m p係其他上行脈衝（又叫多重脈衝）的 寬度。這些脈衝寬，係以基準時脈寬（1 T )的規格化値 來表示。 本實施例中，係採用此種記錄波形，以 記錄功率Pw:9mW、
偏壓功率Pb:〇.5mW T t ο ρ : . 6 T 丁 m ρ ·· 0 . 3 5 丁 之條件而進行記錄。此外，最短訊號（3 T訊號）中 ，記錄脈衝部的上行脈衝爲1個，其寬度爲上記T t ο ρ 。此記錄條件，係讓時脈顫動最小化的最佳記錄條件。 記錄後，以光譜分析儀（A D V A N T E S T製）測 量最短訊號的C N R，發現爲4 9 · 1 d B。又，測定隨 機訊號的時脈顫動及讀取輸出後發現，分別爲8 . 5 %及 1 · 0 4 V。時脈顫動在9 %以下，則實用上可毫無問題 地讀取訊號，但若時脈顫動超過1 3 %，尤其是超過1 5 %，則因錯誤頻發而使讀取訊號無法使用。此外，時脈顫 動係以時間間隔分析儀（Time Interval Analyzer，橫河電機株 式會社製）所測定求出「訊號搖擺度（σ )」後，經由 σ / T w ( % ) ------:---r I 衣―r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 ΟΧ 297公釐） -21 - 589627 A7 B7 五、發明説明（>9 而求出。T w係探測窗寬。又，讀取輸出係以類比示 波器測定。 接著，在記錄訊號的軌跡上，以線速度3 . 5 m / s 輸出2〜7 m W的直流雷射光照射，試圖消除記錄標記。 照射後測定C N R發現，最短訊號中觀測到有最大1 6 · 5 d B的訊號衰減。另一方面，記錄有隨機訊號的軌跡， 照射後的讀取輸出對直流雷射光照射前的讀取輸入比爲〇 • 29° 接著，對上記直流雷射光照射後的軌跡，以線速度 3 . 5 m / s記錄隨機訊號再測定時脈顫動發現，即使最 小也有1 6 . 8 %，得知無法作爲讀取訊號使用。 該樣品因被相當於消除光的直流雷射光照射後的消除 率低，故於照射後記錄隨機訊號時的時脈顫動變得極端地 大。因此，此樣品無法抹寫資訊。 此外，直流雷射光的功率若高於7 m W，則會熔融記 錄層，雷射光照射後變成非結晶質。意即，即使雷射功率 提高，也不可能使記錄層再結晶化。 又，格式化後，以上記條件記錄隨機訊號的領域中’ 以同條件重疊寫入隨機訊號後，測定時脈顫動發現，時脈 顫動無法測定（2 0 %超），訊號無法讀取。 以上記記錄條件進行記錄後，樣品Ν ο · 1的記錄層 藉由穿透式電子顯微鏡觀察發現，如圖4所示最短記錄標 記幾乎爲圓形。圖4中，記錄標記周圍完全看不到再結晶 化領域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589627 A7 ___B7 五、發明説明（2() 比較例1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 製作第一誘電體層的厚度爲1 2 0 nm，第二誘電體 層3 2的厚度爲5 0 n m，其他則和實施例1相同的樣 N 〇 · 2 〇 對樣品N 〇 · 2，以記錄功率P w爲8 m W其他和實 施例1相同的條件記錄上最短訊號及隨機訊號，並測定 C N R、讀取輸出以及顫動。其結果爲，最短訊號之 C N R爲4 9 d B，隨機訊號的讀取輸出爲〇 . 9 8 V， 顚動爲1 0 %。意即，和實施例1相比，C N R等同但顫 動變大。 此外，對於樣品N 〇 . 2，以和實施例1相同的直流 雷射光照射後發現，最短訊號之載波的衰減量在1 8 d B 以下。又，直流雷射光照射後進行再記錄發現，再記錄訊 號的時脈顫動超過1 5 %。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 樣品N 〇 . 2的記錄層經慣穿透型電子顯微鏡觀察發 現，最短訊號標記非圓形，後端邊緣呈被刨挖形狀，後端 邊緣附近有再結晶化。此再結晶化，係因該樣品中的第二 誘電體層比實施例1來的厚而導致的徐冷構造所致。顫動 之惡化，可想成該再結晶化之程度使記錄標記變大且參差 不齊所導致。 泪記型媒體與抹寫型媒體的比較 製作記錄層的組成爲 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 589627 A7 B7 五、發明説明（2)1 (Sb〇.7T e〇.3) 0.9 ( I n〇.4Ag〇.e) ο.ι 其他則和實施例1的樣品N o . 1相同的樣品N o . 3。此樣品N 〇 · 3，因具有比的樣品Ν 〇 · 1結晶速度 快的記錄層，故在線速度3 . 5 m/ s下有可能抹寫。 對樣品No . 1和樣品No . 3，和實施例1相同地記錄 隨機訊號後，於該隨機訊號記錄領域內進行讀取操作，此 時所得之最高反射等級令爲R i n i 。接著，以和記錄時 相同的線速度照射雷射光進行消除操作。照射之直流雷射 光的功率（D C消除功率），和照射時的線速度V如圖5 所示。接著，於直流雷射光照射領域內進行讀取操作，此 時所得之最高反射等級令爲R t ο p、最低反射等級令爲 Rbottom，求出（Rtop + Rbottom) / 2 R i n i 。結果如圖 5所示。此外，反射等級之測定，係以光記錄媒體評估裝 置（PULSTEC 製 DDU - 1000)進行。 圖5中，樣品Ν 〇 · 3，在線速度3 · 5 m/ s、直 流雷射光功率3 m W以上時，雖然 (Rtop + Rbottom) / 2 R i n i ^ 1 ^ 但樣品Ν ο · 1在線速度3 · 5 m / s以上的所有線 速度下，不論直流雷射光的功率， (Rtop + Rbottom) / 2 R i n i < 1 〇 在上述各情況下，在3 m W以上的直流雷射光照射後 ，以和最先之記錄的相同條件再次記錄隨機訊號，並測定 時脈顫動發現，樣品Ν 〇 · 3爲8〜9 %，樣品Ν 〇 . 1 則爲1 6 · 8〜2 0 %。意即，樣品Ν 〇 · 3在線速度 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --：---：--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) HI -"« 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 589627 A7 B7 五、發明説明（珀 3 · 5 m / s下可抹寫，而樣品N 〇 . 1在線速度3 · 5 〜1 4m/ s之範圍下不可抹寫。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) IL錄檁記固圍之再結晶化比較 樣品N 〇 . 4 (實施例） 光記錄碟片樣品N 〇 . 4係經由以下程序製作。透光 性基體2、第一誘電體層3 1及保護層6，係各自和樣品 Ν ο · 1相同。 記錄層4 ，在A r氣氛中以陰極濺鍍法形成。記錄層 4的組成（原子比）爲 (Sb〇.68TC〇.32)0.92(In〇.4Ag〇.6)0.08 0 記錄層4的厚度爲2 0 nm。 第二誘電體層3 2，使用標靶爲A 1 2〇3，在A r氣 氛中以陰極濺鍍法形成。第二誘電體層3 2的厚度爲2 0 反射層5 ，使用標靶爲Ag^PdiCui，在Ar氣 氛中以陰極濺鍍法形成。反射層5的厚度爲7 5 n m。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 樣—品N 〇 . 5 (比較仞[) 第二誘電體層32爲ZnS(5〇莫耳％)-Si〇2 (50旲耳％)所成’反射層5爲Al-1·7莫耳％ C r所成’其他則和樣品n 〇 · 4相同而製作。 評估 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 589627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2$ 將上記各樣品之記錄層如同實施例1 一般地格式化。 接著，對各樣品，記錄功率P W爲1 3 m W其他則同於實 施例1的條件，分別記錄最短訊號及隨機訊號一次後，讀 取其記錄資訊。 對於記錄後的各樣品，和實施例1相同地拍攝記錄層 的穿透式電子顯微鏡照片。樣品N 〇 . 5的照片如圖6所 示。圖6中記錄標記呈近圓形或長圓形。圖6中，記錄標 記周圍，存在有和未記錄領域之結晶質明確不同的再結晶 化領域。該再結晶化的寬爲5 0 // m。此外，圖6視野的 面積，和圖4之視野面積相同。另一方面，樣品N 〇 . 4 的照片則和圖4相同，在記錄標記周圍完全看不到再結晶 化領域。 對於記錄後之各樣品，和實施例1同樣地測定C N R 及時脈顫動。其結果爲，最短訊號的C N R，樣品N 〇 _ 4爲5 1 d B，樣品N 〇 · 5爲5 0 d B。又，最短訊號 的時脈顫動，樣品N 〇 · 4爲6 %，樣品N 〇 . 5爲 7 · 5 %。又，隨機訊號的時脈顫動，樣品N 〇 . 4爲8 %，樣品 N 〇 . 5 爲 1 0 %。 根據此結果，可知記錄標記周圍不存在再結晶化領域 的情況下，C N R變高，顫動變小。 接著，對各樣品，和實施例1相同地，進行是否爲追 記型媒體之判定檢查。其結果爲，各樣品都和實施例1的 樣品Ν ο · 1相同，在線速度3 · 5 m / s都具有追記型 媒體之功能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中g]國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 589627 A7 B7 五、發明説明（ 【發明之效果】 若根據本發明，則可實現屬於追記型的相變化型媒體 ，在進行高密度記錄時時脈顫動小，且有足夠高的讀取輸 出之媒體。 【圖面的簡單說明】 【圖1】本發明之光記錄媒體之構成例的部份剖面圖 〇 【圖2】本發明之光記錄媒體之構成例的部份剖面圖 0 【圖3】5 T訊號及記錄波形圖。 【圖4】表示結晶構造圖的代用照片，係記錄層之穿 透型電子顯微鏡照片。 【圖5】D C消除功率與（Rtop + Rbottom)/2Rini之關 係圖。 【圖6】表示結晶構造圖的代用照片，係記錄標記周 圍存在有再結晶化領域之記錄層的穿透型電子顯微鏡照片 〇 元件對照表 2 :透光性基體 4 :記錄層 5:反射層 6:保護層 2 0 :支持基體 2 1 :誘導溝 31:第一誘電體層 32:第二誘電體層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27 - I--------衣--r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製