JP4286260B2 - 光記録方法および光記録媒体 - Google Patents
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Description
CLV)方式など、角速度が一定でなく、線速度が一定またはほぼ一定になるように、オーバーライト可能な相変化型媒体を回転させる場合にも、記録層の結晶化速度を著しく速くすることができないため、高線速度でオーバーライトするときに、十分な消去率が得られず、ジッタが大きくなってしまうという問題があった。
最短信号の長さをSLとし、
前記最短信号に対応する最短記録マークにおいて、最大幅をMWとし、EW=0.1MWとし、前端側において幅EWである位置を実効前端とし、後端側において幅EWである位置を実効後端とし、実効前端と実効後端との距離を実効長MLとし、実効前端と、後端側において幅が減少しはじめる位置との距離をWLとし、実効前端からの距離がS L である位置における幅をS W としたとき、
記録層の全域に、
0.1≦WL/ML≦0.7、
0.61≦S L /M L ≦0.8、かつ、
0.1≦S W /M W ≦0.8
となるように最短記録マークを形成することを特徴とする光記録方法によって達成される。
0.2≦WL/ML≦0.6
となるように、最短記録マークが形成される。
0.65≦SL/ML≦0.78
となるように、最短記録マークが形成される。
0.2≦SW/MW≦0.7
となるように、最短記録マークが形成される。
CLV)方式など、角速度が一定ではない記録フォーマットに適用される。
0.1≦WL/ML≦0.7
となるように、最短記録マークを形成することである。
0.2≦WL/ML≦0.6
となるように、最短記録マークが形成される。
0.61≦SL/ML≦0.8
となるように最短記録マークを形成することである。
0.65≦SL/ML≦0.78
となるように、最短記録マークが形成される。
0.1≦SW/MW≦0.8
となるように最短記録マークを形成することである。
0.2≦SW/MW≦0.7
となるように、最短記録マークが形成され、さらに好ましくは、記録層の全域に、
0.3≦SW/MW≦0.6
となるように、最短記録マークが形成される。
SL≦350nm、特に
SL≦250nm
である場合に、特に有効である。本発明では主として、図1に示すような"イチョウの葉"状の記録マークにおける前記尾状部の長さを制御することにより、最短記録マークの消去率を制御する。最短信号長さSLが長いと、最短記録マーク長に対する前記尾状部の長さの比率が小さくなるため、前記尾状部の長さ制御による効果が実現しにくくなる。ただし、最短信号長さSLがあまりにも短いと所望の形状および寸法比をもつ記録マークを安定して形成することが困難となるため、最短信号長さSLは
70nm≦SL、特に
120nm≦SL
であることが好ましい。
V≦35m/s、より好ましくは
V≦30m/s
であることが望ましい。
0.86<SL/ML、
0.7<WL/ML
となっている。したがって、同公報記載の発明では、本発明の効果は実現しない。
図6に示す構造
この光記録媒体は、支持基体20上に、金属または半金属から構成される反射層5、第2誘電体層32、記録層4、第1誘電体層31および透光性基体2を、この順で積層して形成したものである。記録および再生のためのレーザー光は、透光性基体2を通して入射する。なお、支持基体20と反射層5との間に、誘電体材料からなる中間層を設けてもよい。
支持基体20は、媒体の剛性を維持するために設けられる。支持基体20の厚さは、通常、0.2ないし1.2mm、好ましくは0.4ないし1.2mmとすればよく、透明であっても不透明であってもよい。支持基体20は、通常の光記録媒体と同様に樹脂から構成すればよいが、ガラスから構成してもよい。光記録媒体において通常設けられるグルーブ(案内溝)21は、図示するように、支持基体20に設けた溝を、その上に形成される各層に転写することにより、形成できる。グルーブ21は、レーザー光入射側から見て手前側に存在する領域であり、隣り合うグルーブ間に存在する凸条がランド22である。
本発明において反射層構成材料は特に限定されず、通常、Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等の金属または半金属の単体あるいはこれらの1種以上を含む合金などから構成すればよい。
これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、また、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向に逃がすことにより、支持基体20や透光性基体2を保護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成の相異なる2層以上の誘電体層を積層した構成としてもよい。
記録層の組成は特に限定されず、各種相変化材料から適宜選択すればよいが、少なくともSbおよびTeを含有するものが好ましい。SbおよびTeだけからなる記録層は、結晶化温度が130℃程度と低く、保存信頼性が不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元素を添加することが好ましい。この場合の添加元素としては、In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、Pb、Pdおよび希土類元素(Sc、Yおよびランタノイド)から選択される少なくとも1種が好ましい。これらのうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことから、希土類元素、Ag、InおよびGeから選択される少なくとも1種が好ましい。
式I (SbxTe1−x)1−yMy
で表したとき、好ましくは
0.2≦x≦0.90、
0≦y≦0.25
であり、より好ましくは
0.55≦x≦0.85、
0.01≦y≦0.20
である。
透光性基体2は、記録再生用のレーザー光を透過するために透光性を有する。透光性基体2には、支持基体20と同程度の厚さの樹脂板やガラス板を用いてもよい。ただし、記録再生光学系の高NA化によって高記録密度を達成するためには、透光性基体2を薄型化することが好ましい。その場合の透光性基体の厚さは、30ないし300μmの範囲から選択することが好ましい。透光性基体が薄すぎると、透光性基体表面に付着した塵埃による光学的な影響が大きくなる。一方、透光性基体が厚すぎると、高NA化による高記録密度達成が難しくなる。
図7に示す構造
図7に示す光記録媒体は、透光性基体2上に、第1誘電体層31、記録層4、第2誘電体層32、反射層5および保護層6をこの順で有し、レーザー光は、透光性基体2を通して入射する。
以下の手順で、図6に示す構造の光記録ディスクサンプルを作製した。
(Sb0.78Te0.22)0.95In0.01Ge0.04
とした。記録層の厚さは12nmとした。
レーザー波長:405nm、
開口数NA:0.85、
変調コード:(1,7)RLL
の条件で、サンプルを一定の角速度で回転させながら記録を行った。記録時の線速度を表1に示す。なお、線速度11.4m/sは、2178rpmで回転するサンプルの半径50mmの位置における線速度に相当し、線速度5.7m/sは半径25mmの位置における線速度に相当する。記録パルスストラテジは、図4および図5に例示するパターンのように、nT信号における上向きパルスの数をn−1とし、そのほかの条件は
TTOP、TMP、TEND、TCL:表1に示す値、
Pw:5.0mW、
Pe:表1に示す値、
Pb:0.1mW
とした。なお、最短信号は2Tであり、この2T信号の長さ(SL)が、線速度によらず173nmとなるようにクロック周波数を制御した。
σ/Tw (%)
により求めた。Twは検出窓幅である。
0.86<SL/ML、
0.7<WL/ML
であり、同公報に記載された蝙蝠形状のものである。そのため、消去線速度が5.7m/sと遅いNo.103では十分な消去率が得られているが、消去線速度を11.4m/sと速くしたNo.102およびNo.104では、消去率が不十分となっている。これに対し、最短記録マークの寸法比(WL/ML、SL/MLおよびSW/MW)がいずれも本発明で限定する範囲内にあるNo.101では、消去線速度11.4m/sで十分な消去率を示している。また、No.101におけるジッタは、低線速で記録および消去を行ったNo.103に比べやや大きくなるものの、許容範囲には収まっている。
実施例2
実施例1で作製した光記録ディスクサンプルについて、表2および表3にそれぞれ示す条件で記録、消去およびオーバーライトを行うことにより、実施例1と同様な評価を行った。結果を表2および表3にそれぞれ示す。
20 支持基体
21 グルーブ
22 ランド
31 第1誘電体層
32 第2誘電体層
4 記録層
5 反射層
6 保護層
Claims (7)
- オーバーライトが可能な相変化型の記録層を有する光記録媒体を線速度が一定またはほぼ一定になるように回転させて、前記光記録媒体の前記記録層に非晶質の記録マークを形成する光記録方法であって、
最短信号の長さをSLとし、
前記最短信号に対応する最短記録マークにおいて、最大幅をMWとし、EW=0.1MWとし、前端側において幅EWである位置を実効前端とし、後端側において幅EWである位置を実効後端とし、実効前端と実効後端との距離を実効長MLとし、実効前端と、後端側において幅が減少しはじめる位置との距離をWLとし、実効前端からの距離がS L である位置における幅をS W としたとき、
記録層の全域に、
0.1≦WL/ML≦0.7、
0.61≦S L /M L ≦0.8、かつ、
0.1≦S W /M W ≦0.8
となるように最短記録マークを形成することを特徴とする光記録方法。 - 記録層の全域に、
0.2≦WL/ML≦0.6
となるように最短記録マークを形成することを特徴とする請求項1に記載の光記録方法 - 記録層の全域に、
0.65≦SL/ML≦0.78
となるように最短記録マークを形成することを特徴とする請求項1または2に記載の光記録方法。 - 記録層の全域に、
0.2≦SW/MW≦0.7
となるように最短記録マークを形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光記録方法。 - 8m/s以上の線速度で、前記記録層に非晶質の記録マークを形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光記録方法。
- 9.6m/s以上の線速度で、前記記録層に非晶質の記録マークを形成することを特徴とする請求項5に記載の光記録方法。
- 最短記録マークが、幅が最大である位置からそれぞれ前端側および後端側にむかって幅が減少する形状であって、最短記録マークの前端側が弧状であり、最短記録マークの後端側には、記録トラック長さ方向に突出する尾状部が存在していることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の光記録方法。
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