JP2003317315A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JP2003317315A
JP2003317315A JP2002117508A JP2002117508A JP2003317315A JP 2003317315 A JP2003317315 A JP 2003317315A JP 2002117508 A JP2002117508 A JP 2002117508A JP 2002117508 A JP2002117508 A JP 2002117508A JP 2003317315 A JP2003317315 A JP 2003317315A
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layer
recording
recording medium
dielectric layer
optical recording
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JP2002117508A
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English (en)
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Hiroyasu Inoue
弘康 井上
Hideki Hirata
秀樹 平田
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録が可能で、しかも再生耐久性の向
上およびクロスイレーズの低減を図り得る光記録媒体を
提供する。 【解決手段】 レーザー光Ｌの入射側から順に記録層
４、第２吸収層Ａ２および放熱層６が形成された光記録
媒体１であって、第２吸収層Ａ２は、その消衰係数ｋ
が、レーザー光Ｌの波長において、０．０６≦ｋ≦１．
０を満たすように構成されている。この場合、好ましく
は、記録層４におけるレーザー光Ｌの入射側面に第１吸
収層Ａ１を形成し、その第１吸収層Ａ１の消衰係数ｋ
が、レーザー光Ｌの波長において、０．０６≦ｋ≦１．
０を満たすように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録用の光または
再生用の光を照射することで記録情報の記録または再生
が可能に構成された光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して再び書込み可能な光記録媒体（以下、
「書換型光記録媒体」ともいう）が注目されている。こ
の書換型光記録媒体のうちの相変化型光記録媒体は、レ
ーザー光を照射することによって記録層の結晶状態を変
化させて記録情報の記録が行われ、このような状態変化
に伴なう記録層の反射率変化を検出することによって記
録情報の再生が行われる。この相変化型光記録媒体は、
光磁気記録媒体用の光学系と比較して単純な構造の光学
系で記録情報を記録再生することが可能である点で特に
注目されている。この場合、相変化型光記録媒体では、
結晶質状態および非晶質状態の反射率の差が大きく、し
かも、非晶質状態の安定度が比較的高いことなどから、
その記録層用の光学材料としては、一般的に、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイド系材料が用いられてい
る。
【０００３】この相変化型光記録媒体では、記録情報の
記録に際して、記録層を融点以上まで昇温し得る高パワ
ー（記録パワー）のレーザー光（記録用レーザービー
ム）が照射される。この際に、記録パワーのレーザー光
が照射された部位は、記録層が溶融された後に急冷され
ることによって非晶質の記録マークが形成される。ま
た、記録マークの消去に際しては、記録層の結晶化温度
以上であって融点未満の温度まで昇温し得る比較的低パ
ワー（消去パワー）のレーザー光が照射される。この際
に、消去パワーのレーザー光が照射された部位は、記録
層が結晶化温度以上まで加熱された後に徐冷されること
によって記録マーク（非晶質部分）が結晶質に復帰（記
録マークの消去）させられる。このように、相変化型光
記録媒体では、単一のレーザー光の強度（照射パワー）
を変化させることによって記録データのオーバーライト
が可能となっている。
【０００４】一方、近年の光記録媒体は、高密度記録を
実現するために、そのトラックピッチが縮小される傾向
にある。また、光記録媒体に対して記録再生時に照射す
るレーザー光についても、より小さな記録マークの記録
／再生を可能とするために、その波長の短縮や、レーザ
ー光を出射する記録再生光学系における対物レンズの高
開口数化が進められている。したがって、１枚の光記録
媒体に対して記録可能な記録情報量を増大（高密度記録
の実現）させることが可能となる。この場合、記録層表
面に照射される記録用レーザービームのスポット径は、
レーザー光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとし
たときに、λ／ＮＡで表され、このλ／ＮＡが小さいほ
ど、より小さな記録マークの記録／再生が可能となると
共に、より狭いトラックピッチの光記録媒体に対して記
録再生を行うことが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の光記
録媒体には、以下の改善すべき課題が存在する。すなわ
ち、従来の光記録媒体では、記録データのオーバーライ
トを可能とするために、消去パワーのレーザー光の照射
によって非晶質部分（記録マーク）が結晶質に復帰（記
録マークの消去）可能に記録層が構成されている。この
ため、この種の光記録媒体に対しては、記録情報の再生
時に照射される再生用レーザービームによって記録マー
クが消失しないように、一般的に、記録マークの結晶状
態に影響を与えない低パワーのレーザー光が用いられて
いる。しかし、たとえ低パワーのレーザー光を再生用の
光（再生用レーザービーム）として使用したとしても、
複数回に亘って記録情報の再生を行ったときには、記録
マークの形成部位において、何らかの要因に起因して再
結晶化（結晶質に復帰）が生じる。このため、この再結
晶化に起因して、ジッタの増大、すなわち再生耐久性が
大きく低下するという課題がある。この場合、本発明者
は、その再結晶化の要因について、開口数の大きな対物
レンズを有する光学系を使用して短波長のレーザー光を
照射したとき、すなわち上記した（λ／ＮＡ）が小さい
ときに、レーザービームスポット内でのエネルギー密度
が高くなることに起因して再結晶化が生じることを見出
した。したがって、（λ／ＮＡ）が大きいレーザー光を
使用することでジッタを低減可能と思われるが、かかる
場合には、高密度記録化が困難になるという問題が発生
する。
【０００６】また、従来の光記録媒体では、記録対象の
トラックに対して隣接するトラック（以下、「隣接トラ
ック」ともいう）に形成されている記録マーク（非晶質
部分）が再結晶化するという、いわゆるクロスイレーズ
が発生し、このクロスイレーズの発生に起因して、Ｃ／
Ｎが低下するという課題がある。具体的には、記録情報
の記録に際して、光記録媒体に記録パワーのレーザー光
を照射した際に、レーザー光を照射した記録対象のトラ
ックと共に隣接トラックの温度が上昇する。この際に、
隣接トラックに形成されている記録マークが再結晶化す
る。この場合、クロスイレーズは、レーザービームのス
ポット径に対して記録対象のトラックピッチが狭いとき
ほど発生し易くなることが知られている。したがって、
レーザービームのスポット径を小さくすることでクロス
イレーズの発生を回避可能と考えられるが、本発明者
は、記録対象のトラックピッチとビームスポット径との
関係が同じときであっても、ビームスポット内でのエネ
ルギー密度が高いほど、例えば、記録再生光学系によっ
て出射されるレーザービームの波長を短いするときほ
ど、クロスイレーズが発生し易くなることを見出した。
このため、レーザービームのスポット径を変化させるこ
とでクロスイレーズの発生を回避するのは一般的に困難
であると考えられる。
【０００７】本発明は、かかる課題に鑑みてなされたも
のであり、高密度記録が可能で、しかも再生耐久性の向
上およびクロスイレーズの低減を図り得る光記録媒体を
提供することを主目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明に係る光記録媒体は、記録用の光または再生用の光
の入射側から順に記録層、第１の吸収層および放熱層が
形成された光記録媒体であって、前記第１の吸収層は、
その消衰係数ｋが、前記記録用または再生用の光の波長
において、 ０．０６≦ｋ≦１．０ を満たすように構成されている。
【０００９】この場合、前記記録層における前記光の入
射側面に第２の吸収層が形成され、前記第２の吸収層
は、その消衰係数ｋが、前記記録用または再生用の光の
波長において、 ０．０６≦ｋ≦１．０ を満たすように構成されているのが好ましい。
【００１０】また、前記記録用または再生用の光の波長
λと、当該記録用または再生用の光の照射光学系におけ
る開口数ＮＡとの関係が、 λ／ＮＡ≦６８０ｎｍ を満たす条件で記録または再生可能に構成されているの
が好ましい。
【００１１】さらに、記録トラックピッチが０．３５μ
ｍ以下で形成されているのが好ましい。
【００１２】また、最短のマーク長が０．１７μｍ以下
に規定されて情報が記録可能に構成されているのが好ま
しい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る光記録媒体の好適な発明の実施の形態について
説明する。
【００１４】最初に、本発明の特徴部分について、図面
を参照して説明する。
【００１５】本発明に係る光記録媒体の第１の態様で
は、図１に示すように、レーザー光Ｌ（本発明における
「記録用の光または再生用の光」）の入射側から見て、
記録層４、第２誘電体層５および放熱層６をこの順序で
形成する。また、本発明に係る光記録媒体の第２の態様
では、図２に示すように、レーザー光Ｌの入射側から見
て、第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５および
放熱層６をこの順序で形成する。この場合、第２誘電体
層５は、本発明における第１の吸収層に相当し、第１誘
電体層３は、本発明における第２の吸収層に相当する。
以下、本明細書では、第１誘電体層３を第１吸収層Ａ
１、第２誘電体層５を第２吸収層Ａ２ともいう。この第
１吸収層Ａ１および第２吸収層Ａ２（以下、区別しない
ときには「吸収層Ａ」ともいう）は、複素屈折率を（ｎ
＋ｉｋ（ｎは屈折率））で表したときに、レーザー光Ｌ
の波長における消衰係数ｋが０．０６以上１．０以下と
なるように形成されている。これに対して、後述するよ
うに、消衰係数ｋが０となるように吸収層Ａを形成した
ときには、本発明の効果が実現せず、消衰係数ｋが１．
０を超える大きな値となるように吸収層Ａを形成したと
きには、その吸収層Ａにおけるレーザー光Ｌの吸収率が
高くなり過ぎて記録情報の記録および再生に支障が生じ
る。
【００１６】この場合、吸収層Ａの消衰係数ｋについて
は、吸収層Ａについての反射率および透過率に基づいて
算出することができる。具体的には、一例として、以下
の手順で算出することができる。まず、スライドガラス
上に厚み２０ｎｍの吸収層Ａを形成することにより、測
定用サンプルＡ−１を作製する。次に、スライドガラス
上に、厚み２０ｎｍの吸収層Ａと厚み１００ｎｍの反射
層とを順に形成することにより、測定用サンプルＡ−２
を作製する。なお、測定用サンプルＡ−２の反射層とし
ては、複素屈折率（ｎ＋ｉｋ）が既知の光学材料を使用
する。次いで、測定用サンプルＡ−１，Ａ−２につい
て、レーザー光Ｌの波長における反射率および透過率を
それぞれ実測する。この反射率および透過率の実測に際
しては、一例として、島津製作所製の分光光度計（MPS-
2000）用４５°絶対鏡面反射率測定付属装置（RTA-2000
特形）を用いる。続いて、測定用サンプルＡ−１，Ａ−
２について実測した反射率および透過率に基づいて、マ
トリクス法によって複素屈折率を求める。この複素屈折
率によって消衰係数ｋが特定される。なお、複素屈折率
については、上記した算出方法に限定されず、エリプソ
メータなどを使用して求めることもできる。
【００１７】第１の態様における光記録媒体では、レー
ザー光Ｌは、記録層４および第２誘電体層５（第２吸収
層Ａ２）を透過して放熱層６で反射した後に、再び第２
誘電体層５を透過して記録層４に到達する。この際に、
第２誘電体層５がレーザー光Ｌの一部を吸収して発熱す
るため、第２誘電体層５が存在しない従来の光記録媒体
と比較して、記録層４の発熱量が抑えられる。この場
合、放熱性の良好な放熱層６と記録層４との間に第２誘
電体層５が存在するため、この第２誘電体層５に生じた
熱は放熱層６に伝熱して速やかに放熱される。このた
め、第２誘電体層５の発熱は、記録層４に対してほとん
ど影響を及ぼさない。したがって、第１の態様における
光記録媒体では、ジッタが低減されて再生耐久性が向上
する。また、第１の態様における光記録媒体では、第２
誘電体層５で生じた熱が放熱層６に伝導して速やかに放
熱されるため、レーザー光Ｌの照射によって比較的高温
まで昇温する領域が、ビームスポットおよびその極く近
傍に限られることとなる。したがって、この第１の態様
における光記録媒体では、クロスイレーズの発生を回避
することができる。
【００１８】この第１の態様における光記録媒体では、
レーザー光Ｌ（記録／再生光）の波長λと、レーザー光
Ｌの照射光学系の開口数ＮＡとの関係が λ／ＮＡ≦６８０ｎｍ である場合、好ましくは λ／ＮＡ≦６３０ｎｍ である場合に上記した効果を十分に得ることができる。
この場合、λ／ＮＡは、レーザー光Ｌのビームスポット
径に相関し、λ／ＮＡが小さいほどビームスポット径が
小さくなり、結果として、ビームスポット内のエネルギ
ー密度が高くなる。また、前述したように、一般的に
は、ビームスポット内でのエネルギー密度が高ければ、
再生耐久性が低くなると共にクロスイレーズが発生し易
くなる。一方、第１の態様における光記録媒体では、λ
／ＮＡが上記した比較的小さい場合においても、再生耐
久性を向上させることができ、しかもクロスイレーズを
減少させることができる。この場合、現実的には、使用
可能なレーザー波長および開口数に制限があり、著しく
短い波長および著しく大きい開口数に規定するのが困難
である。このため、 ２５０ｎｍ≦λ／ＮＡ に規定し、好ましくは ３５０ｎｍ≦λ／ＮＡ に規定する。
【００１９】また、クロスイレーズは、記録トラックピ
ッチが狭いときほど発生し易い。このため、λ／ＮＡが
上記範囲内であって、かつ、記録トラックピッチＰｔを Ｐｔ≦０．３５μｍ としたとき、特に Ｐｔ≦０．３３μｍ としたときに、本発明に係る光記録媒体の層構造が有効
となる。なお、記録トラックピッチＰｔの下限値は特に
制限されないが、上記したように、使用可能なレーザー
波長および開口数に制限があるため、λ／ＮＡと相関す
るビームスポット径を著しく小さくするのが実際には困
難となる。したがって、通常は、 ０．１４μｍ≦Ｐｔ に規定し、好ましくは ０．１５μｍ≦Ｐｔ に規定する。
【００２０】一方、第２の態様における光記録媒体で
は、第１の態様における光記録媒体に加えて、レーザー
光Ｌの入射側から見て、記録層４の手前側面に第１誘電
体層３（第１吸収層Ａ１）を形成することにより、第２
誘電体層５による再生耐久性の向上を図りつつ、第１誘
電体層３によってジッタのさらなる低減が図られてい
る。この場合、この第２の態様における光記録媒体で
は、記録マークの最短マーク長Ｍｓを Ｍｓ≦０．１７μｍ としたときに、他の光記録媒体と比較してジッタを十分
に低減することができる。また、 Ｍｓ≦０．１６５μｍ としたとき、特に Ｍｓ≦０．１６μｍ としたとき、さらには Ｍｓ≦０．１５５μｍ としたときに、他の光記録媒体と比較してジッタ低減の
効果が特に高くなる。このように、最短マーク長Ｍｓを
短くしたときにジッタを低減することができるため、第
２の態様における光記録媒体は、高密度記録用の光記録
媒体として特に有効である。なお、最短マーク長Ｍｓを
上記した値としたときにジッタが低減される理由は明ら
かではない。
【００２１】上記した第１および第２の態様における光
記録媒体の作製に際しては、スパッタ法によって吸収層
Ａを形成するのが好ましい。なお、吸収層Ａは、組成の
異なる複数の層から構成してもよい。この吸収層Ａの厚
みについては、再生耐久性の向上およびジッタの低減を
図り得る範囲で、光記録媒体全体としての光学設計およ
び熱設計が容易となるように適宜決定すればよい。一例
として、吸収層Ａの厚みを５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、よ
り好ましくは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に規定する。こ
の場合、吸収層Ａが薄過ぎると、再生耐久性の向上およ
びジッタの低減が困難となる。一方、吸収層Ａが厚過ぎ
ると、レーザー光Ｌの照射時における光記録媒体からの
反射光量が少なくなるため、十分な再生出力が得られ難
くなり、記録情報の再生が困難となる。また、吸収層Ａ
に使用する光学材料は特に限定されず、光記録媒体全体
としての光学設計および熱設計が容易となるように適宜
選択すればよい。一例として酸化セリウムまたは酸化亜
鉛を使用するのが好ましく、これらの少なくとも一方を
含有する誘電体を使用してもよい。
【００２２】この場合、後述する実施例において説明す
るように、ＺｎＯ（消衰係数ｋ＝０．１）からなる吸収
層Ａを設けることによって本発明の効果は実現するが、
ＺｎＯターゲットを用いて、酸素ガス含有雰囲気中で反
応性スパッタによって形成した吸収層Ａ（消衰係数ｋ＝
０）を設けた場合には、本発明の効果は実現しない。す
なわち、吸収層Ａの構成元素が同じであったとしても、
構成元素の比率の変化によって消衰係数ｋが０．１から
０へとわずかに変化しただけで、本発明の効果は実現し
なくなる。したがって、本発明の効果を安定して実現す
るためには、吸収層Ａの形成に際して消衰係数ｋが目的
の値となるように厳密に制御する必要がある。具体的に
は、例えば吸収層Ａをスパッタ法によって形成するとき
には、ターゲット組成や、反応性スパッタ時の反応性ガ
スの流量などによって消衰係数ｋを制御する。
【００２３】また、本発明の効果を十分に発揮させるた
めには、吸収層Ａを記録層４に密着させて形成するのが
好ましい。ただし、必要に応じて、記録層４と吸収層Ａ
との間にほかの層（例えば、第１誘電体層３および第２
誘電体層５以外の誘電体層）を設けてもよい。ただし、
記録層４と吸収層Ａとの間に形成する層が厚過ぎると、
本発明の効果を損なうおそれがあるため、この層の厚み
は、３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下に規定す
る。さらに、本発明は、相変化型記録媒体に特に有効で
あるが、ヒートモード記録を行うタイプの光記録媒体
（例えば、光磁気記録媒体）にも適用することができ
る。この光磁気記録媒体では、一般的に、λ／ＮＡが小
さいときに、繰返し再生によって磁化反転が生じ易く、
また、クロスイレーズが生じ易い。しかし、本発明に係
る光記録媒体の層構造を採用することで、これらを有効
に回避することができる。
【００２４】ところで、特開昭６３−２１７５４２号公
報には、記録層を挟むように透明な耐熱保護層を形成
し、かつ、記録および消去に用いるレーザー光Ｌの波長
において吸収を示す第２の耐熱保護層を記録層と透明な
耐熱保護層との間に形成した光学情報記録部材が開示さ
れている。同公報における第２の耐熱保護層は、レーザ
ー光Ｌの波長において吸収を示す点において本発明にお
ける吸収層Ａと近似する。しかし、以下に説明する点
で、同公報記載の発明と本発明とは大きく異なる。
【００２５】同公報の作用の欄には、光吸収性を有する
保護層を用いることにより、光吸収層（記録層＋保護
層）の厚みが従来よりも大きくなって熱容量が大きくな
るため、記録トラック溝（グルーブ）内におけるトラッ
ク幅方向での温度分布を均一にできる旨が記載されてい
る。すなわち、同公報記載の発明では、その第２図に曲
線１０として示されるように、記録光照射によって昇温
する領域が記録トラック幅方向に拡がり、かつ、記録ト
ラック中央におけるピーク温度が低くなっている。した
がって、同公報の記載からは、光吸収のある保護層を設
けた場合に、クロスイレーズが低減されずに、むしろ悪
化することが予想される。しかし、本発明者らが、同公
報に記載された内容に従って実験したところ、予想に反
して、クロスイレーズが低減されるという効果が確認さ
れた。
【００２６】この場合、同公報記載の発明は、放熱性が
良好な放熱層を設けていない点で本発明の第１の態様と
相違する。したがって、同公報記載の発明では、放熱層
を設けていないことに起因して、光吸収性の保護層にお
いて発生した熱が溜まり、結果として、記録層の昇温領
域が記録トラック幅方向に拡がってクロスイレーズが発
生すると考えられる。しかし、同公報記載の発明では、
波長８３０ｎｍのレーザー光によって記録を行ってお
り、本発明の第１の態様と比較してビームスポット径が
大きいため、ビームスポット内でのエネルギー密度が比
較的低くなる。このため、同公報記載の発明では、クロ
スイレーズおよび再生耐久性に関して特に問題が生じな
かったものと考えられる。したがって、波長が短いレー
ザーを使用して短い記録マークで記録する本発明の第２
の態様と同一条件下では、クロスイレーズおよび再生耐
久性に関して大きな問題が生じるものと考えられる。
【００２７】さらに、同公報記載の発明では、波長が８
３０ｎｍと著しく長いレーザー光が用いられている。こ
のため、同公報には、最短マーク長に関する記載がない
ものの、同公報記載の発明における最短マーク長は、本
発明の第２の態様に係る光記録媒体で記録される最短マ
ーク長と比較して、著しく長くなると予測される。した
がって、同公報記載の発明では、波長が短いレーザーを
使用して短い記録マークで記録する本発明の第２の態様
と同一条件下では、ジッタの低減を実現するのが困難と
なる。
【００２８】次に、上記した本発明の第２の態様に基づ
いて作製した光記録媒体について、図面を参照して説明
する。
【００２９】光記録媒体１は、図３に示すように、支持
基体７上に、金属または半金属から構成される放熱層
６、第２誘電体層５（第２吸収層Ａ２）、相変化型の記
録層４、第１誘電体層３および透光性基体２が順に積層
されている。この光記録媒体１では、透光性基体２の形
成面側からレーザー光Ｌ（記録／再生光）が入射され
る。なお、支持基体７と放熱層６との間に、誘電体材料
からなる中間層を設けてもよい。支持基体７は、光記録
媒体１の剛性を維持するためのものであって、その表面
には、グルーブおよびランド（図示せず）が形成されて
いる。この支持基体７の厚みは、通常、０．２〜１．２
ｍｍ、好ましくは０．４〜１．２ｍｍとすればよく、透
明であっても不透明であってもよい。この場合、支持基
体７については、通常の光記録媒体と同様してポリカー
ボネイトなどの樹脂で形成してもよいし、ガラスを用い
て形成してもよい。
【００３０】放熱層６は、第２誘電体層５に生じた熱を
奪って支持基体７に速やかに伝熱するための層であっ
て、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法によって支持基
体７の表面に形成されている。この放熱層６の形成材料
は特に限定されるものではないが、一例として、Ａｌ、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の
金属または半金属や、これらのうちの１種以上を含む合
金などで形成すればよい。ただし、ＡｇまたはＡｌを単
体で使用した場合には十分な耐食性が得られないため、
耐食性向上のための元素を添加するのが好ましい。ま
た、光記録媒体１では、放熱層６の形成時における結晶
成長によってレーザー光Ｌの入射側の表面粗さが大きく
なり易く、これに起因して再生ノイズが増大するおそれ
がある。したがって、放熱層６の形成に際しては、その
結晶粒径を小さくするのが好ましく、ＡｇまたはＡｌを
単体で使用するのでなく、放熱層６の結晶粒径を小さく
するため、または、放熱層６を非晶質層として形成する
ために元素を添加するのが好ましい。
【００３１】ただし、この放熱層６の形成に際して他の
元素を添加した場合、放熱層６自体の熱伝導率が低下す
る。したがって、クロスイレーズの低減および再生耐久
性の向上を図るためには、熱伝導率が高いＡｇを主成分
元素として放熱層６を形成することで、レーザー光Ｌの
照射時に記録層４および第２誘電体層５が速やかに冷却
されるようにするのが好ましい。この場合、Ａｇに添加
する副成分元素としては、例えば、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｃｅ、
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、ＴｅおよびＺｒな
どが挙げられる。これらの副成分元素は、少なくとも１
種、好ましくは２種以上用いることが好ましい。なお、
放熱層６における副成分元素の含有量は、添加する元素
単体では、０．０５〜２．０原子％、好ましくは０．２
〜１．０原子％であり、副成分全体としては、０．２〜
５原子％、好ましくは０．５〜３原子％に規定する。こ
の場合、副成分元素の含有量が少な過ぎると、これらを
含有することによる効果（表面粗さの低減等）が不十分
となる。一方、副成分元素の含有量が多過ぎると、熱伝
導率が小さくなる。
【００３２】また、金属または半金属から構成される放
熱層６の熱伝導率は、結晶粒径が小さいほど低くなる傾
向にある。このため、放熱層６が非晶質の場合、記録時
に十分な冷却速度を得難いため、まず、非晶質層として
放熱層６を形成した後に、この放熱層６に対して熱処理
を施して結晶化させるのが好ましい。この場合、一旦非
晶質層として形成した後に熱処理によって結晶化するこ
とにより、非晶質のときの表面粗さ（平滑度）を維持す
ることができ、しかも、結晶化による熱伝導率の向上を
図ることができる。この放熱層６は、その厚みが足りな
いときには十分な反射率を得難いのに対して、過度に厚
くしたとしても反射率がそれ程大きくならず、しかも消
費される材料の分だけコスト高となる。このため、通
常、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に規定するのが好まし
い。
【００３３】なお、本発明の実施の形態では、金属また
は半金属によって放熱層６を形成する例を説明するが、
放熱層６を他の材料によって形成してもよい。例えば、
複数の記録層４，４を有する、いわゆる多層光記録媒体
では、表面側の記録層４を介してレーザー光Ｌが照射さ
れるため、この表面側の記録層４に金属からなる放熱層
６を設けた場合に、この放熱層６の存在によってレーザ
ー光Ｌの透過率が著しく低下する。したがって、多層光
記録媒体では、両記録層４，４同士のクロストークを低
減するために、記録層４，４間に比較的厚い樹脂層を設
けることが多い。この場合、ある程度の厚みを有する樹
脂層はその熱容量が比較的大きいため、多層記録媒体に
本発明を適用するときには、上記樹脂層を本発明におけ
る放熱層として利用する。
【００３４】第１誘電体層３および第２誘電体層５は、
記録層４を挟み込むようにしてそれぞれスパッタ法など
によって形成されることで、記録層４の酸化および変質
を防止すると共に、レーザー光Ｌの照射時に記録層４か
ら伝熱される熱を遮断ないし平面方向に伝熱することに
より、支持基体７や透光性基体２を保護する。また、第
１誘電体層３および第２誘電体層５を設けることによ
り、レーザー光Ｌの変調度を向上させることができる。
この場合、第２誘電体層５は、本発明における第１の吸
収層に相当し、後述する光学材料によって薄膜状に形成
されている。なお、本発明の実施の形態では、第２誘電
体層５の厚み方向の全体が第２吸収層Ａ２として機能す
るように形成されているが、本発明はこれに限定され
ず、第１誘電体層３のように複数の単位誘電体層の積層
体で第２誘電体層５を構成し、各単位誘電体層の少なく
とも１層を第２吸収層Ａ２としてもよい。この場合に
は、第２吸収層Ａ２以外の単位誘電体層としては、その
熱伝導率が第２吸収層Ａ２と同等またはそれよりも高い
のが好ましい。
【００３５】第１誘電体層３は、組成の異なる単位誘電
体層３ａ〜３ｃが積層されて構成されている。この場
合、記録層４の上に形成された単位誘電体層３ｃ（第１
吸収層Ａ１）が本発明における第２の吸収層として機能
する。なお、本発明の実施の形態では、複数の単位誘電
体層３ａ〜３ｃの積層体からなる第１誘電体層３を記録
層４の上に形成した例について説明するが、この第１誘
電体層３は、上記した第２誘電体層５のように、その厚
み方向の全体を第１吸収層Ａ１として利用可能に単一の
膜状に形成することもできる。この構成では、第１吸収
層Ａ１としての第１誘電体層３が厚過ぎる場合、レーザ
ー光Ｌの反射光量が少なくなって十分な再生出力を得難
くなるため、第１誘電体層３全体の厚みを５０ｎｍ以下
に形成するのが好ましい。したがって、通常は、図３に
示すように、第１誘電体層３を複数の単位誘電体層３ａ
〜３ｃなどの積層体で構成し、これらのうちの１つの単
位誘電体層を第１吸収層Ａ１とするのが好ましい。
【００３６】これらの第２誘電体層５および単位誘電体
層３ａ〜３ｃ（第１誘電体層３）に用いる誘電体（光学
材料）としては、一例として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、希土類元素等から選択される少なくとも１種の金属
成分を含む各種化合物が好ましい。また、化合物として
は、酸化物、窒化物または硫化物が好ましく、これらの
化合物の２種以上を含有する混合物を用いることもでき
る。さらに、第１誘電体層３および第２誘電体層５のそ
れぞれの厚みは、前述した保護効果や変調度向上の効果
が十分に得られるように適宜決定すればよいが、通常、
第１誘電体層３の厚みは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、
好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とし、第２誘電
体層５の厚みは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下に規定する。た
だし、急冷構造とするためには、第２誘電体層５の厚み
を３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下に規定する。
【００３７】記録層４は、相変化材料でスパッタ法によ
って形成され、記録パワーのレーザー光Ｌが照射される
ことで記録マークが形成されて、各種の記録情報を記録
する。この記録層４の組成は特に限定されるものではな
いが、少なくとも、ＳｂおよびＴｅを含有するのが好ま
しい。この場合、ＳｂおよびＴｅのみからなる記録層４
は、結晶化温度が１３０℃程度と非常に低く、記録情報
の保存信頼性が不十分であるため、結晶化温度を向上さ
せるために他の元素を添加するのが好ましい。この添加
元素としては、一例として、Ｍｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇｅ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、
Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄおよび希土類元素
（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）などが挙げられる。こ
れらのうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことか
ら、希土類元素、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される
少なくとも１種の材料が好ましい。
【００３８】具体的には、ＳｂおよびＴｅを含有する組
成としては、ＳｂおよびＴｅをそれぞれ除く元素をＭで
表し、記録層構成元素の原子比を下記の（１）式で表し
たときに、以下の条件を満たすものが好ましい。 （ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy・・・（１）式 好ましくは ０．２≦ｘ≦０．９、 ０≦ｙ≦０．４ を満たすように規定し、より好ましくは ０．５≦ｘ≦０．８５、 ０．０１≦ｙ≦０．２ を満たすように規定する。
【００３９】上記（１）式においてＳｂの含有量を表す
ｘが小さ過ぎる場合、結晶化速度が遅くなるため、比較
的速い線速度での記録マークの消去が困難になると共
に、記録層４の結晶質領域での反射率が低下して再生信
号出力が低下する。また、ｘが小さ過ぎる場合、記録情
報の記録（記録マークの形成）が困難となり、ｘが大き
過ぎる場合、結晶状態と非晶質状態との間での反射率差
が小さくなるため、再生信号出力が低下する。一方、元
素Ｍは、特に限定されないが、保存信頼性向上効果を示
す上記元素のうちから少なくとも１種を選択することが
好ましい。元素Ｍの含有量を表すｙが大き過ぎる場合、
再生出力が低下し易い。したがって、記録層４の厚み
は、好ましくは４ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましく
は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内に規定する。この場
合、記録層４が薄過ぎると結晶相の成長が困難となるた
め、結晶化が困難となる。一方、記録層４が厚過ぎる
と、記録層の熱容量が大きくなるため、記録情報の記録
が困難になると共に、再生信号出力も低下する。
【００４０】透光性基体２は、支持基体７と同程度の厚
みの樹脂板やガラス板によってレーザー光Ｌを透過可能
に形成されている。なお、高ＮＡ化による高記録密度達
成のために、透光性基体２を薄型化することが好まし
い。また、透光性基体２の厚みは、３０μｍ以上３００
μｍ以下に規定するのが好ましい。この場合、透光性基
体２が薄過ぎると、その表面に付着した塵埃による光学
的な影響が大きくなる。逆に、透光性基体２が厚過ぎる
と、高ＮＡ化による高記録密度達成が難しくなる。ま
た、透光性基体２を薄型化するには、例えば、透光性樹
脂からなる光透過性シートを各種接着剤や粘着剤によっ
て第１誘電体層３に貼付して透光性基体２としたり、樹
脂を薄膜状に塗布することによって透光性樹脂層（透光
性基体２）を第１誘電体層３の上に直接形成して透光性
基体２としたりすればよい。
【００４１】この光記録媒体１では、記録情報の記録に
際して照射されたレーザー光Ｌが、透光性基体２、第１
誘電体層３、記録層４および第２誘電体層５を透過して
放熱層６で反射した後に、再び第２誘電体層５を透過し
て記録層４に到達する。この際に、単位誘電体層３ｃお
よび第２誘電体層５がレーザー光Ｌの一部をそれぞれ吸
収して発熱するため、単位誘電体層３ｃおよび第２誘電
体層５を設けない場合と比較して、記録層４の発熱量を
抑制することができる。この場合、単位誘電体層３ｃ
（第１誘電体層３）が透光性基体２と記録層４との間に
存在し、かつ第２誘電体層５が放熱性の良好な放熱層６
と記録層４との間に存在するため、単位誘電体層３ｃに
生じた熱は透光性基体２に伝導して速やかに放熱され、
第２誘電体層５に生じた熱は放熱層６に伝導して速やか
に放熱される。このため、単位誘電体層３ｃおよび第２
誘電体層５の発熱は、記録層４にほとんど影響を及ぼさ
ない。したがって、この光記録媒体１によれば、ジッタ
の低減、ひいては再生耐久性を向上させることができ
る。また、この光記録媒体１では、第２誘電体層５で発
生した熱が放熱層６に伝導して速やかに放熱されるた
め、記録層４にレーザー光Ｌが照射されたときに比較的
高温まで昇温する領域が、ビームスポットおよびその極
く近傍に限られることとなる。したがって、この光記録
媒体１によれば、クロスイレーズの発生を回避すること
ができる。
【００４２】次に、図４に示す光記録媒体１Ａについて
説明する。この光記録媒体１Ａは、支持基体７の上に、
第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５、放熱層６
および保護層２Ａが順に形成され、レーザー光Ｌが支持
基体７の側から照射されることで記録情報の記録再生が
行われる。この場合、支持基体７は、前述した光記録媒
体１と同様にして形成すればよいが、レーザー光Ｌの透
過を可能とするために透光性材料で形成する必要があ
る。また、保護層２Ａは、耐擦傷性や耐食性の向上のた
めに設けられている。この保護層は種々の有機系の物質
から構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型
化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線によ
り硬化させた物質で構成するのが好ましい。保護層２Ａ
の厚みは、通常、０．１μ以上１００μｍ以下であり、
スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッ
ピング等、通常の方法によって形成すればよい。なお、
この他の各層については、対応する光記録媒体１の構成
要素と同一のものには同一の符号を付して重複した説明
を省略する。
【００４３】この光記録媒体１Ａでは、記録情報の記録
に際して照射されたレーザー光Ｌが、支持基体７、第１
誘電体層３、記録層４および第２誘電体層５を透過して
放熱層６で反射した後に、再び第２誘電体層５を透過し
て記録層４に到達する。この際に、単位誘電体層３ｃお
よび第２誘電体層５がレーザー光Ｌの一部をそれぞれ吸
収して発熱するため、前述した光記録媒体１と同様にし
て、単位誘電体層３ｃ（第１誘電体層３）および第２誘
電体層５を設けない場合と比較して、記録層４の発熱量
を抑制することができる。この場合、第１誘電体層３が
支持基体７と記録層４との間に存在し、かつ第２誘電体
層５が放熱性の良好な放熱層６と記録層４との間に存在
するため、単位誘電体層３ｃに生じた熱は支持基体７に
伝導して速やかに放熱され、第２誘電体層５に生じた熱
は放熱層６に伝導して保護層２Ａに速やかに放熱され
る。このため、単位誘電体層３ｃおよび第２誘電体層５
の発熱は、記録層４にほとんど影響を及ぼさない。した
がって、この光記録媒体１Ａによれば、ジッタの低減、
ひいては再生耐久性を向上させることができる。また、
この光記録媒体１Ａでは、第２誘電体層５で発生した熱
が放熱層６に伝導して速やかに放熱されるため、記録層
４にレーザー光Ｌが照射されたときに比較的高温まで昇
温する領域が、ビームスポットおよびその極く近傍に限
られることとなる。したがって、この光記録媒体１Ａで
あっても、クロスイレーズの発生を回避することができ
る。
【００４４】なお、上記の実施の形態では、記録層４の
一方の面に第２誘電体層５（第２吸収層Ａ２）を形成す
ると共に他方の面に単位誘電体層３ｃ（第１吸収層Ａ
１）を形成した例について説明したが、図５に示すよう
に、記録層４の一方の面のみに、本発明における第２の
吸収層としての第１誘電体層３（第１吸収層Ａ１）を形
成してもよい。かかる層構造（第２誘電体層５が存在し
ない構造）であっても、再生耐久性が向上し、かつクロ
スイレーズの発生率を低減できることが本発明者によっ
て確認されている。しかしながら、記録層４の入射方向
手前に第１誘電体層３のみを形成した光記録媒体では、
本発明に係る光記録媒体のようにレーザー光Ｌの入射方
向から順に記録層４、第２誘電体層５および放熱層６を
形成した光記録媒体１，１Ａと比較して、再生耐久性が
大きくは向上せず、しかもクロスイレーズの発生率も僅
かに大きい。したがって、記録層４の入射方向奥側に本
発明における第１の吸収層を形成するのが好ましい。
【００４５】
【実施例】次いで、本発明に係る光記録媒体について、
図面を参照しつつ、実施例によってさらに詳しく説明す
る。
【００４６】（第１の実施例）図６に示す実施例１，２
および比較例１の光記録媒体を以下のように作製し、こ
れらについてのクロスイレーズの発生および再生耐久性
について評価した。なお、各光記録媒体は、図３に示す
光記録媒体１と同一構造を有するものとする。
【００４７】＜作製方法＞支持基体７には、射出成型時
にグルーブを形成した直径１２０ｍｍ、厚み１．２ｍｍ
のディスク状ポリカーボネイトを用いた。この場合、グ
ルーブ深さは、光路長でλ／６（波長λ＝４０５ｎｍ）
とした。また、ランド・グルーブ記録方式における記録
トラックピッチは、０．３μｍとした。放熱層６は、Ａ
ｒ雰囲気中においてスパッタ法によって厚み１００ｎｍ
に形成した。この場合、ターゲットには、Ａｇ98Ｐｄ1
Ｃｕ1を用いた。
【００４８】第２誘電体層５は、スパッタ法によって厚
み１２ｎｍに形成した。この第２誘電体層５の組成およ
び消衰係数ｋを図６に示す。ｋが０．１の第２誘電体層
５（実施例１，２）は、第２吸収層Ａ２（本発明におけ
る第１の吸収層）として機能する。なお、図６に示す組
成における複素屈折率は、 ＣｅＯ２：２．７＋０．１ｉ、 ＺｎＯ：２．３＋０．１ｉ、 Ａｌ２Ｏ３：１．７６＋０ｉ である。また、各吸収層の複素屈折率は、前述したよう
に、島津製作所製の分光光度計（MPS-2000）用４５°絶
対鏡面反射率測定付属装置（RTA-2000特形）を使用して
測定した。
【００４９】記録層４は、合金ターゲットを用い、Ａｒ
雰囲気中でスパッタ法によって厚み１２ｎｍに形成し
た。記録層の組成（原子比）は、上記の（１）式におい
て、 ｘ＝０．７９６、 ｙ＝０．０７、 Ｍ＝Ｉｎ、Ｇｅ、 Ｉｎ：Ｇｅ＝１：６ に規定した。
【００５０】第１誘電体層３は、ＺｎＳ（８０モル％）
−ＳｉＯ２（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲
気中でスパッタ法によって厚み５０ｎｍに形成した。透
光性基体２は、第１誘電体層３の表面に、紫外線硬化型
樹脂をスピンコートして硬化することによって形成し
た。
【００５１】＜評価＞上記実施例１，２および比較例１
の光記録媒体における記録層４をバルクイレーザーによ
って初期化（結晶化）した後、光記録媒体評価装置に載
せ、 レーザー波長λ：４０５ｎｍ、 開口数ＮＡ：０．８５、 記録線速度Ｖ：６．５ｍ／ｓ、 記録信号：（１−７）ＲＬＬ（最短マーク長０．１７３
μｍ） の条件において、下記手順でクロスイレーズを測定し
た。上記条件において、λ／ＮＡは４７６ｎｍに規定す
る。
【００５２】まず、測定対象トラックに８Ｔ信号を１０
回に亘ってオーバーライトし、そのキャリア出力をＣ１
とした。次に、上記測定対象トラックに隣接する両側の
トラックに、７Ｔ信号をそれぞれ１００回に亘ってオー
バーライトした。次いで、最初に測定対象トラックに記
録した８Ｔ信号についてキャリア出力を再び測定し、こ
れをＣ２とした。このＣ２−Ｃ１がクロスイレーズであ
る。なお、測定対象トラックにオーバーライトする際の
記録パワーおよび消去パワーは、実施例１，２および比
較例１における最適値（ジッタが最も小さくなる値）と
した。一方、測定対象トラックに隣接する両側のトラッ
クにオーバーライトする際の記録パワーおよび消去パワ
ーは、実施例１，２および比較例１における最適値を３
０％上回る値とした。この測定条件におけるクロスイレ
ーズ（ＸＥ＋３０）を図６に示す。上記測定条件では、
記録パワーおよび消去パワーを最適値としたときよりも
クロスイレーズが大きくなる。なお、図６には、グルー
ブ（Ｇ）を測定対象トラックとしたときのクロスイレー
ズと、ランド（Ｌ）を測定対象トラックとしたときのク
ロスイレーズとを示す。
【００５３】次に、実施例１，２および比較例１につい
て、再生耐久性を評価した。この再生耐久性の評価に際
しては、まず、クロスイレーズ測定と同様の条件で測定
対象トラック（グルーブ）に混合信号を最適記録パワー
で記録した後に、０．５ｍＷのパワーで繰り返し再生を
行って、ジッタが悪化しない最大再生回数を調べた。こ
の結果を図６に示す。
【００５４】同図に示すように、第２誘電体層５（第２
吸収層Ａ２）の消衰係数ｋを０．１とした実施例１，２
では、クロスイレーズが小さく、また、再生耐久性が良
好となっている。これに対して、消衰係数ｋが０の比較
例１では、クロスイレーズが大きく、また、再生耐久性
も大きく低下している。したがって、本発明における第
１の吸収層（この場合、第２誘電体層５）の消衰係数ｋ
を０．０６以上（この場合、０．１）に規定すること
で、ジッタが小さく再生耐久性が良好な光記録媒体を製
造することができる。
【００５５】（第２の実施例）図７に示す実施例３〜９
および比較例２〜４の光記録媒体を上記第１の実施例と
同様にして作製し、これらについてのクロスイレーズの
発生および再生耐久性について第１の実施例と同様にし
て評価した。なお、この第２の実施例では、支持基体７
としてグルーブ記録用基板（トラックピッチ０．３２μ
ｍ、グルーブ深さ２２ｎｍ）を使用した。また、実施例
８，９および比較例２，４における第２誘電体層５のＡ
ｌＮは、ＡｒおよびＮ２の反応性スパッタによって形成
し、その際に、ＡｒおよびＮ２の比率を変化させること
で消衰係数ｋが異なる光記録媒体を製作した。この場
合、一般的には、クロスイレーズが−１．０ｄＢを超え
たときに、その光記録媒体の記録特性に影響を及ぼす。
【００５６】図７に示すように、第２誘電体層５（第２
吸収層Ａ２）の消衰係数ｋを０．０６以上１．０以下と
した実施例３〜９では、クロスイレーズが小さく、ま
た、再生耐久性が良好となっている。これに対して、消
衰係数ｋが０の比較例２、および消衰係数ｋが０．０１
の比較例３では、クロスイレーズが大きく、再生耐久性
も大きく低下している。また、消衰係数ｋが１．２の比
較例４では、再生出力が小さく、再生が困難であるた
め、クロスイレーズの発生および再生耐久性に関する評
価すら困難となっている。したがって、本発明における
第１の吸収層（この場合、第２誘電体層５）の消衰係数
ｋを０．０６以上１．０以下に規定することで、ジッタ
が小さく再生耐久性が良好な光記録媒体を製造すること
ができる。
【００５７】（第３の実施例）図８に示す実施例１０，
１１および比較例５〜７の光記録媒体を以下のように作
製し、これらについてのクロスイレーズの発生について
評価した。なお、各光記録媒体については、図３に示す
光記録媒体１と同一構造で作製した。
【００５８】＜作製方法＞支持基体７、放熱層６、記録
層４および透光性基体２については、第１の実施例と同
様にして形成した。また、第２誘電体層５（第２吸収層
Ａ２）は、スパッタ法によって厚み１２ｎｍに形成し
た。この第２誘電体層５の組成および消衰係数ｋを図８
に示す。消衰係数ｋが０．１の第２誘電体層５（実施例
１０，１１）は、第２吸収層Ａ２（本発明における第１
の吸収層）として機能する。なお、ＺｎＯからなる第２
誘電体層５（実施例１１）は、Ａｒガス雰囲気中でＺｎ
Ｏターゲットを用いてスパッタ法によって形成した。ま
た、ＺｎＯ＋Ｏからなる第２誘電体層５（比較例７）
は、酸素ガスを含有するＡｒガス雰囲気中で、ＺｎＯタ
ーゲットを用いて反応性スパッタを行うことによって形
成した。この場合、ＺｎＯ＋Ｏの複素屈折率は、 ＺｎＯ＋Ｏ：２．２＋０ｉ に規定した。
【００５９】第１誘電体層３のうちの単位誘電体層３ｃ
（第１吸収層Ａ１）は、厚み１０ｎｍとなるように形成
した。この単位誘電体層３ｃの組成および消衰係数ｋを
図８に示す。なお、比較例６，７では、単位誘電体層３
ｃに替えて消衰係数ｋが０の誘電体層を形成した。第１
誘電体層３のうちの単位誘電体層３ｂは、厚み２５ｎｍ
とし、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）
によって構成した。第１誘電体層３のうちの単位誘電体
層３ａは、厚み６０ｎｍとし、Ａｌ２Ｏ３によって構成
した。
【００６０】＜評価＞上記実施例１０，１１および比較
例５〜７の光記録媒体における記録層４をバルクイレー
ザーによって初期化（結晶化）した後、光記録媒体評価
装置に載せ、 レーザー波長λ：４０５ｎｍ、 開口数ＮＡ：０．８５、 記録線速度Ｖ：６．５ｍ／ｓ、 記録信号：（１−７）ＲＬＬ の条件において、ジッタを測定した。なお、測定の際に
は、最短マーク長Ｍｓが図８に示す値となるようにクロ
ック周波数を制御した。このジッタは、いわゆるクロッ
クジッタであり、再生信号をタイムインターバルアナラ
イザによって測定して「信号の揺らぎ（σ）」を求め、
検出窓幅Ｔｗを用いて σ／Ｔｗ （％） に基づいて算出した値である。この結果を図８に示す。
また、一部のサンプルの結果を、図９に示す。この場
合、ジッタが１２％以下であれば、エラーが許容範囲内
となり、記録情報を再生することができる。また、各種
マージンを十分に確保するためには、このジッタが１０
％以下であるのが好ましい。
【００６１】図８，９に示すように、最短マーク長Ｍｓ
が０．１６０μｍ以上であれば、実施例１０，１１およ
び比較例５〜７のすべてにおいてジッタが１０％未満と
なる。一方、最短マーク長Ｍｓを０．１４７μｍとした
ときに、単位誘電体層３ｃ（第１吸収層Ａ１）の消衰係
数ｋを０．１とした実施例１０，１１では、ジッタが１
２％未満と良好であるのに対し、消衰係数ｋを０とした
比較例６，７では、ジッタが１３％を超えてしまう。し
たがって、本発明における第２の吸収層（この場合、単
位誘電体層３ｃ）の消衰係数ｋを０．０６以上に規定す
ることで、ジッタが小さい光記録媒体を製造することが
できる。この場合、単位誘電体層３ｃの消衰係数ｋが
０．１であっても、第２誘電体層５の消衰係数ｋを０と
したとき（比較例５）では、最短マーク長Ｍｓを０．１
４７μｍとしたときのジッタが１２．９％となってしま
う。したがって、本発明における第１および第２の吸収
層の各消衰係数ｋをそれぞれ０．０６以上に規定するこ
とで、よりジッタが小さい光記録媒体を製造することが
できる。なお、ＺｎＯからなる吸収層を設けた実施例１
１では本発明の効果が実現されるのに対して、ＺｎＯに
酸素を過剰に添加して消衰係数ｋを低下させた比較例７
では、本発明の効果が実現されていない。この点からし
て、本発明の効果は、吸収層の構成元素に依存して生じ
るものではなく、消衰係数ｋに依存するものであるのが
明白である。
【００６２】（第４の実施例）図１０に示す実施例１２
〜２０および比較例８〜１１の光記録媒体を上記第３の
実施例と同様にして作製すると共に、これらについての
Ｃ／Ｎ比を測定した。なお、この第４の実施例では、支
持基体７としてグルーブ記録用基板（トラックピッチ
０．３２μｍ、グルーブ深さ２２ｎｍ）を使用した。ま
た、単位誘電体層３ｃの厚みを３０ｎｍとした。この場
合、一般的には、Ｃ／Ｎ比が３５ｄＢ以上であれば、今
日の信号処理技術によって記録情報の再生（記録マーク
の読み取り）が可能となり、光記録媒体として使用する
ことができる。
【００６３】図１０に示すように、第２誘電体層５およ
び単位誘電体層３ｃの双方の消衰係数ｋが０．０６以上
１．０以下の実施例１２〜２０では、最短マーク長Ｍｓ
がいずれの場合であってもＣ／Ｎ比が３５ｄＢ以上と高
く、記録情報を正常に再生することができる。一方、第
２誘電体層５および単位誘電体層３ｃのいずれかの消衰
係数ｋが１．２の比較例８，１１では、再生出力が小さ
くなり、再生が困難となる結果、Ｃ／Ｎ比の測定すら困
難となる。また、第２誘電体層５および単位誘電体層３
ｃの双方の消衰係数ｋが０の比較例９では、最短マーク
長Ｍｓが０．１４７μｍ以上のときには、Ｃ／Ｎ比が３
５ｄＢ以上となるものの、最短マーク長Ｍｓが０．１３
８μｍのときには、Ｃ／Ｎ比が３０．５ｄＢとなり、記
録情報の正常な再生が困難となる。さらに、第２誘電体
層５の消衰係数ｋが０．０６で、単位誘電体層３ｃの消
衰係数ｋが０．０１の比較例１０では、最短マーク長Ｍ
ｓが０．１４７μｍ以上のときには、Ｃ／Ｎ比が３５ｄ
Ｂ以上となるものの、最短マーク長Ｍｓが０．１３８μ
ｍのときには、Ｃ／Ｎ比が３０．８ｄＢとなり、比較例
９と同様にして記録情報の正常な再生が困難となる。し
たがって、本発明における第１および第２の吸収層の各
消衰係数ｋをそれぞれ０．０６以上１．０以下に規定す
ることで、高密度記録時におけるＣ／Ｎ比が大きい（正
常再生可能な）光記録媒体を製造することができる。
【００６４】（第５の実施例）図１１に示す実施例２１
および比較例１２の光記録媒体を上記第４の実施例と同
様にして作製すると共に、これらについてのＣ／Ｎ比を
測定した。なお、この第５の実施例における単位誘電体
層３ｃのＡｌＮは、ＡｒおよびＮ２の反応性スパッタに
よって形成し、その際に、ＡｒおよびＮ２の比率を変化
させることで消衰係数ｋが異なる光記録媒体を製作し
た。
【００６５】図１１に示すように、第２誘電体層５およ
び単位誘電体層３ｃの双方の消衰係数ｋが０．１の実施
例２１では、すべての最短マーク長ＭｓにおいてＣ／Ｎ
比が３５ｄＢ以上となり、記録情報を正常に再生するこ
とができる。一方、単位誘電体層３ｃの消衰係数ｋが０
の比較例１２では、最短マーク長Ｍｓを０．１３８μｍ
としたときに、Ｃ／Ｎ比が３１．２ｄＢとなり、記録情
報の正常な再生が困難となる。つまり、同一の材料を用
いた場合でも、その消衰係数ｋが本発明の条件を満たす
状態となっていない限り、本発明の効果を得ることがで
きない。したがって、本発明における第１および第２の
吸収層の各消衰係数ｋをそれぞれ０．０６以上１．０以
下に規定することで、Ｃ／Ｎ比が大きい（正常再生可能
な）光記録媒体を製造することができる。
【００６６】（第６の実施例）前述した第３の実施例に
おいて作製した光記録媒体（実施例１０および比較例
６）について、第１の実施例と同様にしてクロスイレー
ズの発生および再生耐久性について評価した。その結果
を図１２に示す。
【００６７】同図に示すように、第２誘電体層５（第２
吸収層Ａ２）および単位誘電体層３ｃ（第１吸収層Ａ
１）の消衰係数ｋをそれぞれ０．１とした実施例１０で
は、クロスイレーズが小さく、また、再生耐久性が良好
となっている。これに対して、消衰係数ｋがそれぞれ０
の比較例６では、クロスイレーズが大きく、また、再生
耐久性が大きく低下している。したがって、本発明にお
ける第１の吸収層（この場合、第２誘電体層５）および
単位誘電体層３ｃ（第１吸収層Ａ１）の消衰係数ｋをそ
れぞれ０．０６以上に規定することで、ジッタが小さく
再生耐久性が良好な光記録媒体を製造することができ
る。
【００６８】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る光記録媒体
によれば、記録用または再生用の光の波長において、そ
の消衰係数ｋが０．０６以上１．０以下を満たすように
第１の吸収層を構成したことにより、高密度で記録した
際にも、再生耐久性を十分に向上させることができると
共にクロスイレーズを十分に低減することができる。
【００６９】また、本発明に係る光記録媒体によれば、
記録層における光の入射側面に第２の吸収層を形成し、
記録用または再生用の光の波長において、その消衰係数
ｋが０．０６以上１．０以下を満たすように第２の吸収
層を構成したことにより、再生耐久性をさらに向上させ
ることができ、しかもクロスイレーズも一層低減するこ
とができる。この場合、最短マーク長を短くして記録す
るとき（記録情報を高密度記録するとき）ほど、よりジ
ッタを低減することができる。
【００７０】さらに、本発明に係る光記録媒体によれ
ば、記録用または再生用の光の波長λと、記録用または
再生用の光の照射光学系における開口数ＮＡとの関係が
λ／ＮＡ≦６８０ｎｍを満たす条件で記録または再生可
能に構成したことにより、λ／ＮＡ＞６８０ｎｍを満た
す条件で記録または再生可能に構成された光記録媒体と
比較して、記録情報を十分に高密度記録することができ
る。
【００７１】また、本発明に係る光記録媒体によれば、
記録トラックピッチを０．３５μｍ以下で形成したこと
により、記録情報を一層高密度記録することができる。
【００７２】さらに、本発明に係る光記録媒体によれ
ば、最短のマーク長を０．１７μｍ以下に規定して情報
を記録可能に構成したことにより、記録情報をさらに高
密度記録することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の態様における光記録媒体の層構
成を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明の第２の態様における光記録媒体の層構
成を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明の第２の態様における層構造を採用して
作製した光記録媒体１の断面図である。
【図４】本発明の第２の態様における層構造を採用して
作製した光記録媒体１Ａの断面図である。
【図５】記録層４上に第１誘電体層３（第１吸収層Ａ
１）を形成した状態の断面図である。
【図６】第１の実施例として作製した各光記録媒体の構
成と、クロスイレーズおよび再生耐久性についての評価
結果とを示す図である。
【図７】第２の実施例として作製した各光記録媒体の構
成と、クロスイレーズおよび再生耐久性についての評価
結果とを示す図である。
【図８】第３の実施例として作製した各光記録媒体の構
成と、ジッタについての評価結果とを示す図である。
【図９】第３の実施例における実施例１０，１１および
比較例６，７についての最短マーク長Ｍｓとジッタの発
生率との関係をグラフ化した図である。
【図１０】第４の実施例として作製した各光記録媒体の
構成と、再生信号のＣ／Ｎについての評価結果とを示す
図である。
【図１１】第５の実施例として作製した各光記録媒体の
構成と、再生信号のＣ／Ｎについての評価結果とを示す
図である。
【図１２】第６の実施例として作製した各光記録媒体の
構成と、クロスイレーズおよび再生耐久性についての評
価結果とを示す図である。
【符号の説明】 １，１Ａ 光記録媒体 ２ 透光性基体 ２Ａ 保護層 ３ 第１誘電体層 ３ａ〜３ｃ 単位誘電体層 ４ 記録層 ５ 第２誘電体層 ６ 放熱層 ７ 支持基体 Ａ 吸収層 Ａ１ 第１吸収層 Ａ２ 第２吸収層 Ｌ レーザー光

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録用の光または再生用の光の入射側か
    ら順に記録層、第１の吸収層および放熱層が形成された
    光記録媒体であって、 前記第１の吸収層は、その消衰係数ｋが、前記記録用ま
    たは再生用の光の波長において、 ０．０６≦ｋ≦１．０ を満たすように構成されている光記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記記録層における前記光の入射側面に
    第２の吸収層が形成され、 前記第２の吸収層は、その消衰係数ｋが、前記記録用ま
    たは再生用の光の波長において、 ０．０６≦ｋ≦１．０ を満たすように構成されている請求項１記載の光記録媒
    体。
  3. 【請求項３】 前記記録用または再生用の光の波長λ
    と、当該記録用または再生用の光の照射光学系における
    開口数ＮＡとの関係が、 λ／ＮＡ≦６８０ｎｍ を満たす条件で記録または再生可能に構成されている請
    求項１または２記載の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 記録トラックピッチが０．３５μｍ以下
    で形成されている請求項１から３のいずれかに記載の光
    記録媒体。
  5. 【請求項５】 最短のマーク長が０．１７μｍ以下に規
    定されて情報が記録可能に構成されている請求項１から
    ４のいずれかに記載の光記録媒体。
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