TW587397B - Organic EL element and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 claims 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 claims 1
- 229940098465 tincture Drugs 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 42
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 42
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001594 aberrant effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- PDWDVAMXMFMOIN-UHFFFAOYSA-N benzene;perylene Chemical class C1=CC=CC=C1.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 PDWDVAMXMFMOIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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Description
587397 五、發明說明(l) 發明背景 本發明係有關於一種有機EL(電場發光)元件,特別有 關於一種由密封罩,緊#地密封住有機EL層中的有機元 件,以及一種製造上述有機EL元件的方法。 EL是一種現象’在電場的應用上,某些類型的磷光體 放出光線,利用這種現象的元件是EL元件。在有機el元件 的結構中,有機層是以發光材料為材料,使用有機化合物 失在二個電極中間。有機層的配置包括以螢光有機固體為 =料的發光(light-emitting)層的多層結構,例如多環 务香族碳氫化合物(anthracene )和三苯基胺 (triphenylamine)衍生物等等電洞注入層。另一個可利 用的有機層包括多層結構的發光層和電子注入層以六環苯 (perylene)衍生物為材料,或電洞注入層(電洞傳輸層) 的多層結構,EL發光層,和電子注入層(電子傳輸層)。在 有機EL it件中,多層的結構介人在:電極之間,通常形成 在基板上。 D —田電子/主入到發光層再結合於電洞時,如此利用有機
Ltc件發出光線。由有機虬元件,在1〇v的電壓下可以獲 個10GCd/m2到數十個i,叫d/m2高亮度發光,且反 應速率同樣地高。 典作^ ?EL 70件有一個不利條件是它不能防水。例如,儘 &很少1的水能多句使^ Μ # -β H @ # π 發先層和電極層互相分離,或改變 構成發光層荨專的Μ π Μ, .., 材枓性备,然而在這種情況下,形成稱 做暗化(dark SD〇r+、λα a 4 ▲ t )的非放射部分,使放射的品質降
587397 五、發明說明(2) 低。因此,當習知的有機乩元件在空氣中被驅動。它的發* 光特性迅速地降低。為了獲得實用的有機EL元件,元件必' 須得密封,如此水或類似物質將無法進入發光層。 , 就如岔封有機EL元件的結構,把樹脂或類似材料直接 應用於有機元件的結構,或利用氣體或液體充滿中空的結 構。第3圖顯示配置有機乩元件到實用的習知密封結構(填 充類型結構)。在第3圖顯示的是有機以元件、陽極13、有 機EL層14、和陰極15連續地形成在玻璃基板12上。例如, 有機EL層14有電洞輸送層和乩發光層的多層結構。在填充 類型結構,有機EL元件形成在玻璃基板12上,被覆蓋著密 封的密封罩16,經由黏著劑41固$,密封的密封㈣的内_ 部被填充惰性氣體。 ,f封罩Μ的材料,例如,使用玻璃、金屬、或塑膠。 當$著劑41使玻璃基板12和密封罩16互相結合,樹脂硬化 在室溫,或因為有機EL元件有低熱阻使用紫外線光線放射 使樹脂硬化。當密封罩16經由使用這樣的黏著劑固定在玻 璃基板12上,在黏著劑41塗佈於結合玻璃基板丨卩的表面或 密封罩16之後’固定玻璃基板12和密封罩16的操作是必需 的。 當上述有機EL元件是以小尺寸製造,沒有對發光有好_ 處的區域面積必須減少。沒有對發光有好處的區域,包括 必要部分:密封黏著部分、在密封黏著部分和發光區域的 末端之間的區域、電極(陽極)拉線部分等等。大約 lOOnm厚的電極,是必需的為了激發内部有機乩元件去發
587397 五、發明說明(3) 出光線’被形成在玻璃基板12的表面。玻璃基板12本身至 少有大約幾個# m的翹曲或波紋。 因此’由上述翹曲或波紋和由電極形成的立體 Cthfee-dimensional )的形狀(梯階),是在玻璃基板 1 2的部分去黏著於密封罩16 。當玻璃基板1 2和密封 罩1 6彼此直接接觸時,彼此並沒有緊密接觸,而是留有 許多縫隙的。為此緣故,黏著劑4丨塗佈於某些固定的厚度 (l〇Vm到幾個以吸收立體的形狀,並且玻璃基 板12和密封罩16彼此緊黏著以使之間沒有縫隙。因為在這 個j式中,黏著劑41被塗佈的厚度,所以當玻璃基板12 和密封罩16 &此調準和逆向緊壓時,夾在兩者之間 者劑41會被壓擠,而可能擠壓黏著到有機乩元件。 當黏著劑41附著於有機虬元件時, 用“不管是否㈣劑41硬化/未硬:時有機 el兀件疋很相,以致於會損壞,形成沒有放射 機 為此緣故,黏著劑41的壓擠必需被控制;告 刀。 量減低,•然擠壓不會發生,立體 的數 持密封性。 々成縫隙,所以不能保 當黏著劑41用於密封有機EL元件 的溫度,才不會降低有機EL元件的品必/頁硬化在較低 期巧將不會產生對有機EL元件有不利影響並且’在硬化 黏者劑4 1必須有低浸透性,以便可以' I 另外, 從上面的需要來看,黏著 =保持密封性。 在封有機EL元件必須 587397 五、發明說明(4) 有下述的特性: 1 ·在密封罩和玻璃基板之間的結合表面有翹曲或波紋,經 由拉出拉出連結(extraction interconnection)形成梯 階,可以被充足的平坦化。 2·硬化溫度(黏著劑固定溫度)低於有機EL元件禁得起的溫 度。 3 ·在硬化期間沒有產生對有機EL元件有害的氣體。 4·硬化的黏著劑有低滲透性。 ^黏著劑的界面有低黏著性質、㈣封罩或玻璃基板的界 面’水的滲透作用是相當小。 雖然紫外線-硬化環氧樹脂(ultravi〇let —curing 『Μ 1 η )不需要加熱,就能滿足項目1到3和5的需 比車Γ,儘=透t不會很低,不利於保持密封性。對照 杓π 二/生裱氧樹脂樹脂比紫外線硬化的環氧樹脂 EL元件降低品質,並且=期間產生的氣體,使有機 的熱阻溫度。因此,環ϊ 需溫度超過有狐元件 被採用於密封有機ELn曰無法滿足項目2和3 ’且不能 化樹脂,雖然從有機ELm知,使用紫外線-硬 性維持程度是不夠的◊同、=用昜命的觀點,它的密封 以彌補低滲透性。合來j =,盡可能地減少黏著劑的厚度 罩的製模精度部分:材料是傳導金屬,由於密封 觸,黏著劑的厚度不能機el元件和連接電極互相接 層能避免水渗透到内部的:;:、:在這種情況下,厚黏著劑 1- k成不能太壓擠有機EL元
$ 8頁 587397 五、發明說明(5) 件,且有機EL元件的服務壽命縮短。 發明概述 本發明的目的為提供一種更長服務壽命的有機EL元 件,及其製造方法。 為了達到上述目的,根據本發明,提供一種有機乩元件, 其包括:一透光的透明基板;一有機電場發光 (electroluminescence) (EL)層,形成在上述基板的元 件形成區域上;一框架,形成在上述基板上去圍住上述元 件形成區域,上述框架有平坦的上表面,以吸收在上述基 板表面上的立體的形狀;一密封罩,被固定在上述框架上 表面,以及一黏著層,使上述框架和上述密封罩互相黏 附,上述黏著層被硬化在低於上述有機阢層熱阻溫度的溫 圖式簡單說明 第1 A到1 D圖 件梯階的平面圖 為顯示符合本發明實施例,製造有機EL元 :2A和2B圖是顯示梯階的剖面圖,在下面的第1〇 圖,I造生產有機EL元件的剖面圖;以及
第3圖是習知密封結構的有機EL元件的剖面圖。 符號說明 12〜玻璃基板; 13〜陽極; 14〜有機EL層; 15〜陰極;
587397 五、發明說明(6) 1 6〜密封罩 22〜黏著劑 41〜黏著劑 15a〜陰極拉出連接 2 1〜框架; 22a〜黏著劑層; 較佳實施例說明 參考附圖將說明本發明。 第1 A到1 D圖顯示根據本發明的實施例,製造有機EL 元件的步驟。如同第1A圖所顯示,陽極13包括ITO(氧化 銦錫)薄膜經由濺鍍等等形成,有1 〇〇nm到200nm的厚度, 和陰極拉出連接15a形成在玻璃基板12上,形成大約〇.7mm 到1.1mm厚的鈉約(soda-lime)玻璃板。導電玻璃(ιτο )薄膜,例如陽極1 3,使用透明、傳導薄膜,被使用當作 電極,形成在玻璃基板12的表面上,經由產生在有機EL層 的發光執行顯示,因此最好有高光線穿透度 (transmittance) ° 被形成在 框架21是 經由陽極 如同在第1B圖所顯示,框架21製造自薄膜 有陽極1 3和陰極拉出連接1 5 a的玻璃基板1 2上 被形成為正方形外框去圍住光線放射部份外圍 1 3的拉出部份和陰極拉出連結丨5a形成黏住梯階;因此 框架21的上表面變為平坦的。框架21的形成範圍幾乎與 雄、封进封罩1 6的黏著表面一致。作為框架2 1的材 料’使用化學合成物樹脂能夠形成均勻層及在硬化後有低 ,透性的,例如,雙重包裝類型(tw〇 —pack type )環氧 樹脂樹脂(由NTT先進技術股份有限公司(Νττ
第10頁 ^87397
2 ί材料。以及真空氣相沉積裝置的内部,經由真空泵 電冷Γΐ =接近1Χ ι〇Ε〜4Pa或略小;在抽真空後,供應 到電阻加熱器舟幫助a—NpD加熱到大約3〇〇力到_ 19从如此,a—NPD薄膜沉積大約50nm的厚度在玻璃基板 、既疋區域,因而形成電洞輸送層。
物r、么由真工氣相》儿積的tr^S(8 —quin〇Hn〇late)銘合成 ^以下省略Alq3)當材料,形成EL光線放射層。在真空氣 ^ ^積中,首先,在真空氣相沉積裝置中固定玻璃基板12 地土板固定器上,如此電洞輸送層結構表面是位於在較低 以及具有對應於經由氣相沉積形成的虬光線放射層 搂,域的的開口金屬投影罩,設置在基板的電洞輸送層結 面位置的既定部位。A 1 q3是應用在電阻加熱器舟當 一線放射材料,真空氣相沉積裝置的内部,經由真空幫浦 抽真空到大約1 X1 〇 E — 4 p a或較少。 在抽真空後,提供電流到電阻加熱器舟,幫助加熱
Ajq3至大約3〇〇 c到400 °C。如此,沉積5〇nm厚度的Alq3 溥膜,因而形成有機EL層14。在這個方法中形成有機阢層 14 ’構成綠色放射(green_emitHng)層。
在構成綠色放射層後,如同第“圖所顯示,陰極15的 材料,例如,鎂銀合金,形成在有機乩層14。每個陰極 1 5的末端是連接到已經形成對應的陰極拉出連結丨5a。經 由真空氣相沉積形成陰極15,使用鎂和銀當氣相沉積原 料,可以選擇形成到大約200nm厚度的合金層。當形成相 對陽極13的陰極15,在玻璃基板丨2的框架21中形成有機EL
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層1 4的光線放射層。 在這個實施例中,陰極拉出連結丨5a用電力連接到陰 極15,其由ITO薄膜形成。然而,本發明並不局限於此κ, 可以用陰極1 5相同的金屬材料,形成陰極抽取連結 15a。有機以層14形成的發光層,當從上面看時,陽極和 陰極的連結,形成的像素每一個都有〇 · 3随X 〇 · 3 mm的 尺寸’並且配置這些像素形成4 x 5的矩陣。
如同第2 A圖所顯示,黏著劑2 2 a塗佈於框架21的上 表面。能夠由一般塗佈方法,塗佈黏著劑22a,例如, 分配方法或絲網印刷方法。如同黏著劑22a,例如,可以 使用紫外線-硬化環氧樹脂。紫外線—硬化環氧樹脂在硬化 期間不會產生對發光層不利影響的氣體,以及紫外線-硬 化環氧樹脂硬化的必需溫度,低於有機虬薄膜形成發光芦 的熱阻溫度。^選一,如黏著劑22a,可以使用雙重 ㈢ =樹脂,在容許黏著硬化前,直接加人硬化啟始劑到矩 塗佈黏著劑22的框架21的上表面是平坦,由於吸收經 由&極13形成在玻璃基板12的表面上的立體的形 $、、 =,Λ著劑22不須吸收立體的形狀。由於這㈣^ ::22a層的厚度不須要很厚,大約是7 _到 黏 就夠了。黏著劑22a的材料可以一 ,宕,成# / 氧樹脂,或可以被硬化在85。心選一 皿硬化_類型環 * — 隹C或略低的熱固環氧樹 塑:i:劑22a的材料,在硬化期間將不能產生不利於巧 響發光層的氣體。可以把黏著劑22a僅僅塗佈於密^
587397 16 (稍後描述)的黏著表面,或者對塗佈於框架21和密封 性密封罩1 6二者的黏著表面。 在黏著劑22a塗佈當密封黏著層22以後,在充滿氮 氣體的密封容器中移除水份,提供降低到—7 2。〇的露點, 密封罩16透過黏著劑22a接觸框架22a上表面。當運用壓 力在玻璃基板12和密封罩16兩者之間的時候,黏著劑22& 疋被照射紫外線光線因此起硬化。在這個時候,控制壓力 運用在密封罩16和玻璃基板12之間,以便在形成黏著劑層 2 2a的硬化期間,厚度為數am以下。結果,如同第⑼圖所 顯示,密封罩16被黏著到框架21,那麼有機乩層14是由密 封罩1 6密封地封在乾氮氣體中。 舀知,使用框架2 1時,玻璃基板和密封罩是互相沒有 緊黏。因此,當雄、封罩被黏接到玻璃基板時,流體化的黏 著劑層被壓擠溢出。如果黏著劑被壓擠並且溢出玻璃基板 伸展進去與有機EL層接觸,造成出現非放射部分的不便。 假如壓擠黏著劑伸展到玻璃基板的外面,拉出連結連在玻 璃基板的周圍變狹窄,引起不便,例如,妨宝連社 才妾g °
上述面的不便,阻礙有機EL元件的縮減開支。然而, 如同這個實施例,假如提供框架21,經由框架21的邊緣可 以停止黏著劑22a的伸展。此後可以減少黏著22a的數量, 當密封罩16連接到玻璃基板12時,可以減少黏著劑22a的 伸展數量。因此,當與習知技術比較時,在密封罩黏著區 域和發光層1 6之間的不必要地區能夠進一步減少,所以
587397 五、發明說明(11) 有機EL層14可以已較小尺寸製造。密封罩16的材料沒有 限定為玻璃,π以是不銹鋼、硬鋁、塑膠等等;如塑ς都 相當好,有很小的滲透性。如果金屬的障礙層形成在密封 罩1 6的内部側面,也能夠使用有大滲透性的塑膠材料。 把直流電(DC )低電流的能源供應器連接在有機EL層 14的陽極及陰極,以這個模式密封,透過拉出電極,在^ 氣壓力下25 °C的溫度時,提供能量,初始亮度為丨〇〇 CD / m2。在這個時候,電流是〇· 〇i5Ma、電壓是9v。接著,給放 射表面拍照的放大照片(x30)。當從上面看放射表面的區 域’黑暗斑點佔總面積的比率;當從上面看(在後面描 述,被稱為非-放射面積的比率)從照片可以計算而得,為 〇· 5%。當量得某黑點的直徑,其是7 。 上述有機EL層14被儲存500hrs在大#[下、π的π 度以及伽的相對濕度,沒有供給能量?:儲5存0=: 當以上述相同的模式計算非放射的區域時為0.7%。碟定 非放射面積實質上的初值沒有改變。測量上述相同的黑暗 斑點的直徑為9 μ in,實質上初值沒有改變。這個值是較小 於習知的技術(在後面描述)。從上述,在這個實施例,黑 暗斑點的成長被抑制。 利用習知的方法在有機EL層14的密封效果顯示如下。 在相同的模式中經由習知的方法密封有機EL層丨4,評估獲 得的結果’將以上述計算方法敘述來描述。當計算非放射 面積的最初的比率是〇 · 4 %。當測量確定的黑暗斑點的直徑 疋6 # m °上述有機EL層1 4在大氣中、溫度50 °C及相對濕度
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90%時儲存50 0小時,、力右 述相同的模式計】非;量。在儲存以後,當以上 同的黑暗斑點的直二夺,:4.6%。當測量上述相 在上面的實施;中,機25材::, 框架的材料沒局限於:機::有,料形成框架'然而, 低炫點玻璃制出、 ;,但疋框架可以二選一地由 熔點的玻璃無雜質:二到J 錯質玻璃,、經由分散低 法,經由絲網印刷法機黏合劑巾,如上述相同的方 案。讓錯質玻璃圖牵絶p7nting)形成錯質玻璃圖
成以板r Et 士 /案鈑k在400 C到500 t ;因此可以形 成以低-熔點玻璃為材料的框架。 同方ίϊϊ:成後,以上述第1β_圖和第2A、2B圖的相 ^卜線μ,層。在形成有機el層以後,密封罩以紫 &二θ Μ二=f脂為材料的黏著劑,黏附在框架,因而形 成密封的有機EL層14。 經=評估(在大氣中、5(rc的溫度及相對濕度議下 夺:沒有驅動貯存500小時)有機EL層14獲得的結果;在這 固模式下Μ吏W低—溶點玻璃為材料的才匡架所獲得的結 果將在後面描述。非放射的面積的比例在計算之後是〇 8%,相對於初始值〇·5%。同時間,計算黑暗斑點的直徑是 7 Vm,相較於初始值5 // m。結論,確認了效果。 可以一選一形成框架,經由賤鑛非傳導材料,例如,
SiO或Si〇2。在框架以非傳導材料形成時,以上述第1β到 1D圖及第2A、2B圖的相同方法形成有機讥層。在形成有 機EL層之後,密封罩使用以紫外線硬化環氧樹脂為材料的
587397 五、發明說明(13) 黏著劑黏著到 以上述相 式時(在大氣 貯存5 0 0小時) 〇· 8%。同時間 5 V m。結論, 如同上述 板上先形成框 黏附於框架。 黏密封罩。改 框架,因而 同方法評估 中、5 0 °C的 。在計算以 ,黑暗斑點 確認了效果 ’根據本發 架’在框架 因此,可以 進密封性和 形成密封的有機EL層14。 有機EL層14保存在上述相同 溫度及90%的相對濕度,非驅動、 後,非放射的面積的比例是 的直徑是8 // m,相對於初始值 〇 明,在例如:玻璃基板的透明基 裡面形成有機EL層,之後密封罩 製造很薄的黏著劑層,其必然緊 延長有機EL元件的使用壽命。
Claims (1)
- 587397 案號 90112776 1/年々月< FI 六、申請專利範圍 1 · 一種有機E L元件,其特徵在於包括:p < 一透光的透明基板(1 2) ; 3 一有機電場發光(electroluminescence) ( εΓΥ (1 4),形成在上述基板的元件形成區域上; 一框架(2 1 ),形成在上述基板上去圍住上述元件形成 =V,上述框架有平坦的上表面,以吸收在上述基板表面 =^體的形狀,其中上述框架是以低滲透性(低透濕性) 溫$機材料為材料,硬化在高於上述有機虬層熱阻溫度的 ^ 一密封罩(16),被固定在上述框架上表面;以及 Α Ϊ層(22以,使上述框架和上述密封罩互相黏附 声二且-:3構ί ’上述黏著層被硬化在低於上述有機EL 層熱阻溫度的溫度,其中上述密封構造係中空構造。 辻扩加t申請專利範圍第1項所述的有機EL元件,其中上 = ί硬化所形成,上述有機材料是硬化在高於 :其玻璃過渡。阻溫度的溫度,以及加熱上述有機材料到 丨述框:第1項所述的有機EL元件,其中上 述框架以項所述的有飢元件,其中上 述黏5著Π:以圍硬,:項所述的有機el元件,其中上 6.如申請專利ί圍第=樹脂為材料。 架盥宓私里^ ·圍第5項所述的有機EL元件,其中上刈7397樹脂硬化。 如申凊專利範圍第1項所述的有機EL元件,其中上 ,機EL!被密封地保存在容器,其由上述基板、上述框 亡=费封罩所形成,且在沒有超過既定的濕度下充填 如申請專利範圍第7項所述的有機EL元件,其中上 惰性氣體是氮氣 •如申請專利範圍第i項所述的有機EL元件,在其中 的基板是以透明玻璃為材料。 H 一種有機EL元件的製造方法,其特徵在於包括: 在透光的透明基板(12)上,形成具有平坦上表面的框 & ^ 以吸收在基板表面的立體的形狀,而圍住元件形 暂I ^二其中上述框架是以低滲透性(低透濕性)之有機物 …、材料’硬化在高於有機EL層熱阻溫度的溫度; 形成一有機電場發光(EL)層(1 4)在基板的元件形成區 域;以及 2有機材料為材料的黏著層(22),緊黏著在框架上表 =雄、=罩,硬化在低於有機EL層熱阻溫度的溫度,因此 置德、地密封該有機EL層於由該基板、該框架,以及該密封 ▲所構成的一容器中,纟中上述容器係一中空的密封構 方、、11 ·如申凊專利範圍第1 〇項所述的有機EL元件的製造 2 其中形成框架的步驟,包括熱硬化有機材料,硬化 =^有機EL層熱阻溫度的溫度,之後加熱有機材料到玻 ’過渡溫度的步驟。 六 ΜΜ 9ηιΐ977β 申請專利範圍 曰 修正 12 如由士主击 方法,·其中二框利範θ圍第10項所述的有機EL元件的製造 u如由架疋以玻璃為材料。 方法,其,上\框利^圍項所述的有機EL元件的製造 14.如申ϋ/以妙氧化物為材料。 方法,其中上W著:第1〇項所述的有機乩元件的製造 料。 耆劑層是以紫外線硬化環氧樹脂為材 方法,Hi專利範圍第14項所述的有機el元件的製造 線昭射产ft = ί互相黏附框架和密封罩,之後用紫外線光 線照射%氧樹脂’因而硬化環氧樹脂的步驟。 方味H明專利範圍第10項所述的有機el元件的製造 ϋ+密封的步驟包括在沒有多於既定濕度下、惰性 忐:氣,填充惰性氣體在由基板、框架及密封罩所形 、谷器,因而緊密地密封有機乩層連同惰性氣體的 驟。 17·如申4專利範圍第10項所述的有機EL元件的製造 方法’其中上述惰性氣體是氮氣。 、18·如申請專利範圍第1〇項所述的有機EL元件的製造 方法’其中上述基板是以透明玻璃為材料。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000161887A JP4112779B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW587397B true TW587397B (en) | 2004-05-11 |
Family
ID=18665838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090112776A TW587397B (en) | 2000-05-31 | 2001-05-28 | Organic EL element and method of manufacturing the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6677620B2 (zh) |
JP (1) | JP4112779B2 (zh) |
KR (1) | KR20010109181A (zh) |
TW (1) | TW587397B (zh) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4614588B2 (ja) | 2001-06-29 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP2003015552A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示用パネルの製造方法 |
JP2003017259A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
JP4894987B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 表示用パネルの製造方法 |
JP2003086355A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機el素子の封止構造並びに封止方法及び封止装置 |
JP4010394B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2007-11-21 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子 |
KR20030063990A (ko) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | (주)네스디스플레이 | 유기전기발광소자용 봉지 부재의 개선된 제조방법 |
KR100777724B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전자 발광소자와, 이의 기판 및 그 절단방법 |
TW537498U (en) * | 2002-02-08 | 2003-06-11 | Ritdisplay Corp | Package structure of organic light emitting diode panel |
TW548859B (en) * | 2002-06-03 | 2003-08-21 | Ritdisplay Corp | Organic light-emitting display |
JP4240276B2 (ja) | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2004047387A (ja) | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機多色発光表示素子およびその製造方法 |
JP4401657B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造方法 |
JP2004348971A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-12-09 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
JP2005056998A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4551638B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP4899286B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2012-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR100681022B1 (ko) * | 2004-06-16 | 2007-02-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
JP2006147266A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Pentax Corp | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP2006164737A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Sharp Corp | 表示素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置 |
JP2008192426A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 発光装置 |
JP2010238678A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および発光装置 |
CN104167426B (zh) * | 2014-06-03 | 2017-08-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置 |
WO2016084256A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074583A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法 |
JP2848383B1 (ja) | 1997-11-26 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
TW420964B (en) * | 1998-02-25 | 2001-02-01 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element |
JPH11329717A (ja) | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Sharp Corp | カラーelパネル |
JP2000003782A (ja) | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子 |
KR100528894B1 (ko) * | 1998-07-30 | 2006-01-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP4186289B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2008-11-26 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000161887A patent/JP4112779B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-25 US US09/864,263 patent/US6677620B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-28 TW TW090112776A patent/TW587397B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-30 KR KR1020010030140A patent/KR20010109181A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6677620B2 (en) | 2004-01-13 |
JP4112779B2 (ja) | 2008-07-02 |
JP2001345172A (ja) | 2001-12-14 |
KR20010109181A (ko) | 2001-12-08 |
US20020000560A1 (en) | 2002-01-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |