JPH04129194A - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH04129194A JPH04129194A JP2247493A JP24749390A JPH04129194A JP H04129194 A JPH04129194 A JP H04129194A JP 2247493 A JP2247493 A JP 2247493A JP 24749390 A JP24749390 A JP 24749390A JP H04129194 A JPH04129194 A JP H04129194A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はインジケータ、ディスプレイ、光源に好適な有
機薄膜ＥＬ素子の構造に関する。
機薄膜ＥＬ素子の構造に関する。
従来の薄膜ＥＬ素子は、ＺｎＳ母体中に発光中心として
Ｍｎを添加した発光層（黄橙色）を絶縁層で挟んだ、二
重絶縁構造からなっており、高輝度・長寿命が得られて
いる。（日程エレクトロニクス１９８１．１１．９
Ｎα２７７ ｐ、８６（１９８１）に記載）しかし、
この構造のＥＬ素子は駆動電圧が２００Ｖ程度と高いと
いう問題があった。また、赤色および青色発光層材料の
効率が低く、マルチカラー化の障害となっている。
Ｍｎを添加した発光層（黄橙色）を絶縁層で挟んだ、二
重絶縁構造からなっており、高輝度・長寿命が得られて
いる。（日程エレクトロニクス１９８１．１１．９
Ｎα２７７ ｐ、８６（１９８１）に記載）しかし、
この構造のＥＬ素子は駆動電圧が２００Ｖ程度と高いと
いう問題があった。また、赤色および青色発光層材料の
効率が低く、マルチカラー化の障害となっている。
最近、蛍光性の有機薄膜と、正孔又は電子伝導性の有機
薄膜を積層した構造の有機薄膜ＥＬ素子が報告されてい
る。たとえば、有機発光層として８−ヒドロキシキノリ
ツールＡＵ錯体、正孔注入層としてジアミン化合物を用
いたＥＬ素子力でアプライド・フィジックス・レタース
、第５１巻（１９８７年）、第９１３頁から９１５頁（
Ａｐｐｌ。
薄膜を積層した構造の有機薄膜ＥＬ素子が報告されてい
る。たとえば、有機発光層として８−ヒドロキシキノリ
ツールＡＵ錯体、正孔注入層としてジアミン化合物を用
いたＥＬ素子力でアプライド・フィジックス・レタース
、第５１巻（１９８７年）、第９１３頁から９１５頁（
Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、ｖｏＱ５１ （１９８７）ｐ ｐ
、９１３−９１５）に記載されており、駆動電圧１０
Ｖ程度で、ｌ ＯＯＯｃ ｄ ／ ｍ ２以上の高輝度
緑色発光が得られている。また、発光層材料してアント
ラセン、コロネン、ペリレンを用いることで、それぞれ
、青、緑、オレンジの発光色が得られることがジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、
第２７巻（１９８８年）、第Ｌ２６９頁からＬ２７１頁
（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏ Ｑ 、 ２
７（１９８８）’ｐｐ、Ｌ２６９〜Ｌ２７１）に記載さ
れている。また、有機ＥＬ素子でマトリクス表示した例
は平成元年電気・情報関連学会連合大会講演論文集、第
２−１２３頁から第２−１２５頁に記載されている。
、９１３−９１５）に記載されており、駆動電圧１０
Ｖ程度で、ｌ ＯＯＯｃ ｄ ／ ｍ ２以上の高輝度
緑色発光が得られている。また、発光層材料してアント
ラセン、コロネン、ペリレンを用いることで、それぞれ
、青、緑、オレンジの発光色が得られることがジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、
第２７巻（１９８８年）、第Ｌ２６９頁からＬ２７１頁
（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏ Ｑ 、 ２
７（１９８８）’ｐｐ、Ｌ２６９〜Ｌ２７１）に記載さ
れている。また、有機ＥＬ素子でマトリクス表示した例
は平成元年電気・情報関連学会連合大会講演論文集、第
２−１２３頁から第２−１２５頁に記載されている。
上記従来技術は、ＥＬ素子の発光輝度の経時変化につい
て考慮がされておらず、ＥＬ素子を連続的に駆動すると
発光輝度が急激に低下する問題があった。
て考慮がされておらず、ＥＬ素子を連続的に駆動すると
発光輝度が急激に低下する問題があった。
本発明の目的は、発光輝度の経時変化が小さい長寿命の
有機薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
有機薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
上記目的を達成するために、ＥＬ素子を高熱伝導性の基
板上に形成したものである。
板上に形成したものである。
また、ＥＬ素子をディスプレイとして応用し、線順次駆
動するために、ＥＬ素子を電気絶縁性の薄層をはさんで
、高熱伝導性の基板と接触させたものである。
動するために、ＥＬ素子を電気絶縁性の薄層をはさんで
、高熱伝導性の基板と接触させたものである。
有機薄膜ＥＬ素子は、初期輝度は高いが、連続駆動をし
ていると、急激に輝度が低下する。この輝度低下の原因
を以下に説明する。第２図は、従来型の有機薄膜ＥＬ素
子の断面図であり、ガラス基板５の上に透明電極６．正
孔注入層２２発光層３、上部電極４が順に積層されてい
る。この素子を１’ＯＯｍＡ／ｃｉの一定電流密度で駆
動した時の素子表面温度の時間変化を第３図に示す。駆
動開始とともに、表面温度は急激に上昇し、４２０秒後
には約７０℃に達する。第４図は、発光層材料である８
−ヒドロキシキノリツールＡＱ錯体粉末のフォトルミネ
ッセンス（ＰＬ）強度の温度変化を示した図であり、こ
の図から温度上昇とともにＰＬ強度が減少することがわ
かる。ＰＬでは紫外線により８−ヒドロキシキノリツー
ルＡＱ錯体分子を、直接、励起するので、ＰＬ強度は励
起状態の分子がエネルギを光として放出する割合（蛍光
量子収率）に対応するＥＬでは電極から注入された電子
と正孔が再結合することで８−ヒドロキシキノリツール
ＡＱ錯体分子を励起するが、いったん励起された分子が
光を放出する割合は、ＰＬ強度と同様の温度変化を示す
と考えられる。従って、従来型の素子では、駆動中に素
子の温度が上昇し。
ていると、急激に輝度が低下する。この輝度低下の原因
を以下に説明する。第２図は、従来型の有機薄膜ＥＬ素
子の断面図であり、ガラス基板５の上に透明電極６．正
孔注入層２２発光層３、上部電極４が順に積層されてい
る。この素子を１’ＯＯｍＡ／ｃｉの一定電流密度で駆
動した時の素子表面温度の時間変化を第３図に示す。駆
動開始とともに、表面温度は急激に上昇し、４２０秒後
には約７０℃に達する。第４図は、発光層材料である８
−ヒドロキシキノリツールＡＱ錯体粉末のフォトルミネ
ッセンス（ＰＬ）強度の温度変化を示した図であり、こ
の図から温度上昇とともにＰＬ強度が減少することがわ
かる。ＰＬでは紫外線により８−ヒドロキシキノリツー
ルＡＱ錯体分子を、直接、励起するので、ＰＬ強度は励
起状態の分子がエネルギを光として放出する割合（蛍光
量子収率）に対応するＥＬでは電極から注入された電子
と正孔が再結合することで８−ヒドロキシキノリツール
ＡＱ錯体分子を励起するが、いったん励起された分子が
光を放出する割合は、ＰＬ強度と同様の温度変化を示す
と考えられる。従って、従来型の素子では、駆動中に素
子の温度が上昇し。
ＥＬ発光輝度の低下が生−しる。
本発明は、この問題を解決して発光輝度の低下を防止す
るために、熱伝導性の良い基板を用いた。
るために、熱伝導性の良い基板を用いた。
基板の熱伝導率が高ければ、ＥＬ素子で発生する熱を効
率良く発散できるので、ＥＬ素子の温度上昇が小さく、
発光輝度の減少も小さい。
率良く発散できるので、ＥＬ素子の温度上昇が小さく、
発光輝度の減少も小さい。
第１図は本発明の一実施例のＥＬ素子の断面図であり、
熱伝導性基板１の上に正孔注入層２２発光層３．上部電
極４が積層されている。
熱伝導性基板１の上に正孔注入層２２発光層３．上部電
極４が積層されている。
ＥＬ素子の発熱による温度上昇は次式によって求まる。
Δ Ｘ
ここで、Ｑは単位時間当りに発生する熱量、Ｋは熱伝導
率、Ｓは断面積、ΔＴ／ΔＸは温度勾配である。ＥＬ素
子を電圧２５ｖ、電流密度１００ｍ Ａ ／ ａｌで駆
動したときに単位面積当りに発生する熱量は２．５Ｗ／
ｄである。このとき、基板の厚さを１ｒｒｎとし、ＥＬ
素子と基板外面との温度差ΔＴと基板の熱伝導率にとの
関係を第５図に示す。
率、Ｓは断面積、ΔＴ／ΔＸは温度勾配である。ＥＬ素
子を電圧２５ｖ、電流密度１００ｍ Ａ ／ ａｌで駆
動したときに単位面積当りに発生する熱量は２．５Ｗ／
ｄである。このとき、基板の厚さを１ｒｒｎとし、ＥＬ
素子と基板外面との温度差ΔＴと基板の熱伝導率にとの
関係を第５図に示す。
この図から熱伝導率が１０−”（Ｊ／■・５−Ｋ）程度
より小さい温度差ΔＴが急激に増大、即ち、ＥＬ素子の
温度が上昇することがわかる。表１に種々の物質の熱伝
導率をまとめた。この表から、金属材料やグラファイト
などが熱伝導率が高く、基板として適当であることがわ
かる。
より小さい温度差ΔＴが急激に増大、即ち、ＥＬ素子の
温度が上昇することがわかる。表１に種々の物質の熱伝
導率をまとめた。この表から、金属材料やグラファイト
などが熱伝導率が高く、基板として適当であることがわ
かる。
表 １
第６図は、ガラス基板を用いた従来型のＥＬ素子と本発
明の熱伝導性基板を用いたＥＬ素子の発光輝度の時間変
化を比較したグラフである。従来型の素子では電圧印加
後、６０分で発光輝度は必期値の約１／３に低下するの
に対し、本発明の素子では、輝度低下は初期値の６０％
程度と変化量が小さいことがわかる。
明の熱伝導性基板を用いたＥＬ素子の発光輝度の時間変
化を比較したグラフである。従来型の素子では電圧印加
後、６０分で発光輝度は必期値の約１／３に低下するの
に対し、本発明の素子では、輝度低下は初期値の６０％
程度と変化量が小さいことがわかる。
・第１図の素子では、熱伝導性基板１を電極としても使
用しているが、ディスプレイとして複雑なパターンの表
示をさせるには、互いに独立した複数の電極を形成する
必要がある。このため、第７図に示すように、熱伝導性
基板１上に薄い絶縁層をはさんで電極を形成した。この
とき、絶縁層によって熱伝導性が大きく低下しないため
には、絶縁層の膜厚ｔと絶縁層材料の熱伝導率にとの比
ｔ／には１０ （ａ＆−Ｓ−に／ Ｊ ）以下であるこ
とが望ましい。
用しているが、ディスプレイとして複雑なパターンの表
示をさせるには、互いに独立した複数の電極を形成する
必要がある。このため、第７図に示すように、熱伝導性
基板１上に薄い絶縁層をはさんで電極を形成した。この
とき、絶縁層によって熱伝導性が大きく低下しないため
には、絶縁層の膜厚ｔと絶縁層材料の熱伝導率にとの比
ｔ／には１０ （ａ＆−Ｓ−に／ Ｊ ）以下であるこ
とが望ましい。
以下、本発明の詳細な説明する。
第一の実施例を第１図に示す。熱伝導性基板１として、
グラファイト基板を用い、この上に正孔注入層２として
トリフェニルアミン誘導体２発光層３として８−ヒドロ
キシキノリツールＡＱ錯体をそれぞれ約５０ｎｍの膜厚
に、真空蒸着法により形成した。最後に上部電極４とし
てＩｎ電極を約２０ｎｍの膜厚を形成した。グラファイ
ト基板１を正、Ｉｎ電極を負となるように直流電圧を印
加すると、発光層からＥＬ全発光生じる。このＥＬ全発
光半透明のＩｎ電極を通して外部にとり出すことができ
る。この素子は、グラファイト基板の熱伝導性が良く、
ＥＬ全発光伴って生じる熱を効果的に数比するので、第
６図に示したように、ガラス基板を用いた従来型の素子
に比べ、発光輝度の低下を少なくすることができる。本
実施例のように、基板側から正孔を注入し、有機膜上に
形成した上部電極から電子を注入する場合は、基板とし
て正孔注入のしやすい仕事関数の大きい材料を用い、上
部電極には基板より仕事関数の小さい材料を用いるのが
良い。なお、基板として仕事関数の小さい材料例えばＡ
ｆｉを用いることも可能である。このときは基板上に発
光層３．ホール注入層２を順に形成し、上部電極４とし
て基板よりも仕事関数の大きな材料、例えばＡｕを用い
るのが良い。
グラファイト基板を用い、この上に正孔注入層２として
トリフェニルアミン誘導体２発光層３として８−ヒドロ
キシキノリツールＡＱ錯体をそれぞれ約５０ｎｍの膜厚
に、真空蒸着法により形成した。最後に上部電極４とし
てＩｎ電極を約２０ｎｍの膜厚を形成した。グラファイ
ト基板１を正、Ｉｎ電極を負となるように直流電圧を印
加すると、発光層からＥＬ全発光生じる。このＥＬ全発
光半透明のＩｎ電極を通して外部にとり出すことができ
る。この素子は、グラファイト基板の熱伝導性が良く、
ＥＬ全発光伴って生じる熱を効果的に数比するので、第
６図に示したように、ガラス基板を用いた従来型の素子
に比べ、発光輝度の低下を少なくすることができる。本
実施例のように、基板側から正孔を注入し、有機膜上に
形成した上部電極から電子を注入する場合は、基板とし
て正孔注入のしやすい仕事関数の大きい材料を用い、上
部電極には基板より仕事関数の小さい材料を用いるのが
良い。なお、基板として仕事関数の小さい材料例えばＡ
ｆｉを用いることも可能である。このときは基板上に発
光層３．ホール注入層２を順に形成し、上部電極４とし
て基板よりも仕事関数の大きな材料、例えばＡｕを用い
るのが良い。
第二の実施例を第７図に示す。本実施例では、熱伝導性
基板１としてＡΩを用い、この上に絶縁層として５ｉＯ
ｚをスパッタリング法により約０．５μｍ、下部電極８
としてＡｕを真空蒸着法により約０．３μｍ形成したあ
と、第一の実施例と同様に正孔注入層２９発光層３．上
部電極４を形成する。本実施例では、下部電極８と上部
電極４をライン状で、かつ、互いに直交するように形成
している。このため、下部電極と上部電極から適当に選
んだ電極にのみ電圧を印加することにより、希望のドツ
トパターンを表示することができ、平面ディスプレイと
して応用できる。なお、絶縁層としては、基板への熱伝
導を妨げないよう、十分薄くなけれなならない。
基板１としてＡΩを用い、この上に絶縁層として５ｉＯ
ｚをスパッタリング法により約０．５μｍ、下部電極８
としてＡｕを真空蒸着法により約０．３μｍ形成したあ
と、第一の実施例と同様に正孔注入層２９発光層３．上
部電極４を形成する。本実施例では、下部電極８と上部
電極４をライン状で、かつ、互いに直交するように形成
している。このため、下部電極と上部電極から適当に選
んだ電極にのみ電圧を印加することにより、希望のドツ
トパターンを表示することができ、平面ディスプレイと
して応用できる。なお、絶縁層としては、基板への熱伝
導を妨げないよう、十分薄くなけれなならない。
第三の実施例を第８図に示す。本実施例では、ガラス基
板５上に透明電極６としてインジウム錫酸化物（ＩＴ○
）をスパッタリング法により約０．２μｍ形成したあと
、第一の実施例と同様にホール注入層２９発光層３．上
部電極４を順に形成する。この上に絶縁層７として厚さ
２０μｍのポリイミド膜をはさんで、熱伝導性基板１と
してＡＱ板を圧着する。本実施例では、光の透過率の高
いＩＴＯを通してＥＬ発光をとり出すので、光の外部取
り呂し効率が良い。ガラス基板と熱伝導性基板の端部を
樹脂またはガラスで密封し、内部を真空または不活性ガ
ス雰囲気とすることで、有機膜を水蒸気および酸素から
遮断することができる。なお、絶縁層は固体だけではな
く、液体および気体であっても良い。
板５上に透明電極６としてインジウム錫酸化物（ＩＴ○
）をスパッタリング法により約０．２μｍ形成したあと
、第一の実施例と同様にホール注入層２９発光層３．上
部電極４を順に形成する。この上に絶縁層７として厚さ
２０μｍのポリイミド膜をはさんで、熱伝導性基板１と
してＡＱ板を圧着する。本実施例では、光の透過率の高
いＩＴＯを通してＥＬ発光をとり出すので、光の外部取
り呂し効率が良い。ガラス基板と熱伝導性基板の端部を
樹脂またはガラスで密封し、内部を真空または不活性ガ
ス雰囲気とすることで、有機膜を水蒸気および酸素から
遮断することができる。なお、絶縁層は固体だけではな
く、液体および気体であっても良い。
本発明の有機薄膜ＥＬ素子をライン状光源として用いた
イメージセンサの平面図を第９図に示す。
イメージセンサの平面図を第９図に示す。
本発明の有機ＥＬ素子は、低駆動電圧であるのでａ −
Ｓ ｉフォトダイオード及び駆動回路との整合性が良い
。本イメージセンサは従来の蛍光管を用いたイメージセ
ンサに比べ、小型、軽量化ができる。また発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）を光源用いたイメージセンサと比べても、
ライン状で均一な発光が得られるので、解像度が向上す
る。このため、本イメージセンサは、ファクシミリの原
稿読取り部として好適である。
Ｓ ｉフォトダイオード及び駆動回路との整合性が良い
。本イメージセンサは従来の蛍光管を用いたイメージセ
ンサに比べ、小型、軽量化ができる。また発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）を光源用いたイメージセンサと比べても、
ライン状で均一な発光が得られるので、解像度が向上す
る。このため、本イメージセンサは、ファクシミリの原
稿読取り部として好適である。
本発明によれば、ＥＬ素子駆動中の発熱による発光輝度
の低下を防ぐことができるので、発光特性の安定化の効
果がある。
の低下を防ぐことができるので、発光特性の安定化の効
果がある。
第１図は本発明の有機薄膜ＥＬ素子の一実施例の断面図
、第２図は従来技術の有機薄膜ＥＬ素子の断面図、第３
図は従来型ＥＬ素子駆動中の表面温度の時間変化を示す
説明図、第４図は８−ヒドロキシキノリツールＡＱ錯体
粉末のＰＬ強度の温度変化を示す説明図、第５図は基板
の熱伝導率に対はるＥＬ素子と基板外面との温度差の関
係を示す説明図、第６図は本発明と従来型のＥＬ素子の
相対輝度の時間変化を比較した特性図、第７図は本発明
の第二の実施例の有機薄膜ＥＬ素子の断面図（ａ）およ
び平面図（ｂ）、第８図は本発明の第三の実施例の有機
薄膜の断面図、第９図は本発明の有機薄膜ＥＬ素子を光
源に用いたイメージセンサの平面図である。 １・・・熱伝導性基板、２・・・正孔注入層、３・・・
発光層、４・・・上部電極、５・・・ガラス基板、６・
・・透明電極、・・絶縁層、 ・・下部電極、 ９・・・有機薄膜ＥＬ素 子、 １０・・ａ−８ｉセンサ。
、第２図は従来技術の有機薄膜ＥＬ素子の断面図、第３
図は従来型ＥＬ素子駆動中の表面温度の時間変化を示す
説明図、第４図は８−ヒドロキシキノリツールＡＱ錯体
粉末のＰＬ強度の温度変化を示す説明図、第５図は基板
の熱伝導率に対はるＥＬ素子と基板外面との温度差の関
係を示す説明図、第６図は本発明と従来型のＥＬ素子の
相対輝度の時間変化を比較した特性図、第７図は本発明
の第二の実施例の有機薄膜ＥＬ素子の断面図（ａ）およ
び平面図（ｂ）、第８図は本発明の第三の実施例の有機
薄膜の断面図、第９図は本発明の有機薄膜ＥＬ素子を光
源に用いたイメージセンサの平面図である。 １・・・熱伝導性基板、２・・・正孔注入層、３・・・
発光層、４・・・上部電極、５・・・ガラス基板、６・
・・透明電極、・・絶縁層、 ・・下部電極、 ９・・・有機薄膜ＥＬ素 子、 １０・・ａ−８ｉセンサ。
Claims (5)
- １．少なくとも一方が透明または半透明な二つの電極間
に有機発光層を備えたＥＬ素子において、熱伝導率が１
０＾−＾２（Ｊ／ｃｍ・Ｓ・Ｋ）以上の熱伝導性の基板
を用いることを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。 - ２．少なくとも一方が透明または半透明な二つの電極間
に有機発光層を備えたＥＬ素子において、前記電極の少
なくとも一方が、電気絶縁性の薄層をはさんで、熱伝導
率が１０＾−＾２（Ｊ／ｃｍ・Ｓ・Ｋ）以上の熱伝導性
の基板と接触していることを特徴とする有機薄膜ＥＬ素
子。 - ３．請求項２において、前記電気絶縁性の薄層の熱伝導
率Ｋと厚さｔとの比ｔ／Ｋが１０（ｃｍ＾２・Ｓ・Ｋ／
Ｊ）以下である有機薄膜ＥＬ素子。 - ４．請求項１，２または３に記載の有機薄膜ＥＬ素子を
用いたデイスプレイ。 - ５．請求項１，２，３または４の有機薄膜ＥＬ素子を光
源として用いたイメージセンサ、及び前記イメージセン
サを原稿読取部に用いたフアクシミリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247493A JPH04129194A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247493A JPH04129194A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129194A true JPH04129194A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17164290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2247493A Pending JPH04129194A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129194A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008863A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Fujifilm Corporation | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006331695A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子用封止部材及び有機発光素子 |
| KR100708684B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| US7239084B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-07-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic EL device and liquid crystal display |
| US7566253B2 (en) | 2000-10-26 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with anodized anode surface |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP2247493A patent/JPH04129194A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7566253B2 (en) | 2000-10-26 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with anodized anode surface |
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| JPWO2006008863A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2008-05-01 | 富士フイルム株式会社 | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
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