JP2008192426A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008192426A JP2008192426A JP2007024532A JP2007024532A JP2008192426A JP 2008192426 A JP2008192426 A JP 2008192426A JP 2007024532 A JP2007024532 A JP 2007024532A JP 2007024532 A JP2007024532 A JP 2007024532A JP 2008192426 A JP2008192426 A JP 2008192426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- light
- substrate
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRTLROCMFSDSNF-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-pyrrole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=C1 IRTLROCMFSDSNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGLDSEPDYUTBNZ-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbuta-1,3-dien-2-ylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(=C)C(=C)C1=CC=CC=C1 LGLDSEPDYUTBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004893 oxazines Chemical class 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005255 pyrrolopyridines Chemical class 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical class C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical class Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】封止部材と基板との接着部分からの水分や酸素の侵入を効果的に防ぐことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基板12と、該基板上の厚さ方向に積層された一対の電極14,24間に有機エレクトロルミネッセンス層18を有する発光素子20と、前記基板上に形成され、前記発光素子の一対の電極とそれぞれ接続する引出配線16,26と、前記発光素子を封止する封止部材34と、を備え、前記基板上の少なくとも前記発光素子の周囲に無機酸化物を含む絶縁層30が形成されており、前記封止部材が、前記発光素子の周囲に形成されている前記無機酸化物を含む絶縁層との間に設けられた接着剤32を介して接着していることを特徴とする発光装置10。
【選択図】図1
【解決手段】基板12と、該基板上の厚さ方向に積層された一対の電極14,24間に有機エレクトロルミネッセンス層18を有する発光素子20と、前記基板上に形成され、前記発光素子の一対の電極とそれぞれ接続する引出配線16,26と、前記発光素子を封止する封止部材34と、を備え、前記基板上の少なくとも前記発光素子の周囲に無機酸化物を含む絶縁層30が形成されており、前記封止部材が、前記発光素子の周囲に形成されている前記無機酸化物を含む絶縁層との間に設けられた接着剤32を介して接着していることを特徴とする発光装置10。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光装置、具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた発光装置に関する。
近年、有機EL素子を用いた薄型の発光装置が開発されている。図9は、有機EL素子1の構成を概略的に示している。ガラス等の基板2上に、陽極3、有機EL層8(正孔輸送層4、発光層5、及び電子輸送層6)、陰極7等が形成されている。引出配線(端子)9を介して外部の配線と接続し、両極3,7に電界を印加することにより、電極3,7間に挟まれた領域の発光層5が励起状態となって発光する。
有機EL層8は水分や酸素に弱いため、封止される。例えば、図10に示すようにガラス、金属、樹脂フィルム等の封止部材70を接着剤72を介して基板2に接着させる方法がある。封止部材70の内側の空間には不活性ガスを充填したり、乾燥剤を設けるなどして有機EL素子の劣化を抑制することができる。
基板2に関しては、ガラス基板のほか、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹脂フィルムを用いる場合がある。樹脂製の基板であれば大きく曲げてもガラス基板のように割れず、耐衝撃性が高い表示装置とすることができる。特に樹脂フィルムからなる樹脂基板であれば、光透過性が高く、軽量であるといった利点もある。
しかし、樹脂フィルムは一般的に水分や酸素を透過し易く、有機EL層の劣化が促進され易い。そこで、樹脂フィルムの表面にSiNやAlNxOy等の無機絶縁膜を設けて水分や酸素の侵入を防ぐ方法が提案されている(特許文献1参照)。
また、封止部材70に関しては、水分や酸素の侵入を防止するため、金属板等のガス透過性の無い基材に樹脂からなる絶縁層を積層した封止部材が提案されている(特許文献2参照)。
また、封止部材70に関しては、水分や酸素の侵入を防止するため、金属板等のガス透過性の無い基材に樹脂からなる絶縁層を積層した封止部材が提案されている(特許文献2参照)。
ところが、上記のように水分や酸素の侵入を効果的に防ぐ構造とした基板や封止部材を用いても、封止部材と基板との接着部分から水分や酸素が侵入し易いという問題がある。
そこで、本発明は、封止部材と基板との接着部分からの水分や酸素の侵入を効果的に防ぐことができる発光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では以下の発光装置が提供される。
<1> 基板と、該基板上の厚さ方向に積層された一対の電極間に有機エレクトロルミネッセンス層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記発光素子の一対の電極とそれぞれ接続する引出配線と、前記発光素子を封止する封止部材と、を備え、前記基板上の少なくとも前記発光素子の周囲に無機酸化物を含む絶縁層が形成されており、前記封止部材が、前記発光素子の周囲を囲むように前記基板上および引出配線上に形成されている前記無機酸化物を含む絶縁層との間に設けられた接着剤を介して接着していることを特徴とする発光装置。
<1> 基板と、該基板上の厚さ方向に積層された一対の電極間に有機エレクトロルミネッセンス層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記発光素子の一対の電極とそれぞれ接続する引出配線と、前記発光素子を封止する封止部材と、を備え、前記基板上の少なくとも前記発光素子の周囲に無機酸化物を含む絶縁層が形成されており、前記封止部材が、前記発光素子の周囲を囲むように前記基板上および引出配線上に形成されている前記無機酸化物を含む絶縁層との間に設けられた接着剤を介して接着していることを特徴とする発光装置。
<2> 前記封止部材の少なくとも前記接着剤と接する部分に無機酸化物を含む絶縁層が形成されていることを特徴とする<1>に記載の発光装置。
<3> 前記封止部材が、プラスチック製の基材にバリア層を設けたものであることを特徴とする<1>又は<2>に記載の発光装置。
<4> <1>から<3>のいずれかに記載の発光装置であって、データラインと走査ラインの電気的交点に発光素子を配置したことを特徴とする単純マトリクス型発光装置。
<4> <1>から<3>のいずれかに記載の発光装置であって、データラインと走査ラインの電気的交点に発光素子を配置したことを特徴とする単純マトリクス型発光装置。
本発明によれば、封止部材と基板との接着部分からの水分や酸素の侵入を効果的に防ぐことができる発光装置が提供される。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る発光装置について説明する。
本発明者は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた発光装置における発光素子の劣化原因等について研究を行った。
本発明者は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた発光装置における発光素子の劣化原因等について研究を行った。
一般的に、封止部材を基板に接着する際には、基板又は封止部材の接着面に紫外線(UV)硬化性樹脂を塗布し、基板と封止部材とを貼り合せてUVを照射することにより接着するが、本発明者は、特に基板と接着剤との接着界面の接着力不足により大気中の水分や酸素が封止部材の内側に侵入して素子の劣化が促進されることを見出した。特に、図10に示されるように封止部材70を有機EL素子との間に空間を設けて接着する場合には、不活性ガスを充填したり、乾燥剤を設けるなどして素子の劣化を効果的に防止することができる反面、封止部材70と基板2との接着面が小さいために、接着力が不足して水分や酸素が侵入し易い。
このような接着力不足は接着剤を塗布する際の接着面の濡れ性に関わるものと推定され、接着面が親水性であれば高い接着力が得られることがわかった。
基板として無アルカリガラスを使用する場合、表面処理により親水性とすることが可能である。一方、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のフィルム素材の基板では、基板表面は疎水性となるが、例えば、基板表面にバリア層と称して無機絶縁膜を形成することで濡れ性を改善することができる。
基板として無アルカリガラスを使用する場合、表面処理により親水性とすることが可能である。一方、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のフィルム素材の基板では、基板表面は疎水性となるが、例えば、基板表面にバリア層と称して無機絶縁膜を形成することで濡れ性を改善することができる。
しかし、図10に示されるように基板2上の接着部分には引出配線9が形成されている箇所があり、封止部材70は、基板2上の引出配線9とも接着剤72を介して接着される。例えば配線抵抗の面から金属膜で引出配線9を形成した場合、使用環境によっては大気中の水分等の影響で引出配線9が腐食し、さらに進行すると接着剤72との界面が剥離して外気から水分等の侵入の原因となり、有機EL素子の劣化が促進され易い。
そこで、本発明者は、発光素子、引出配線等を形成した後、封止部材との接着部分となる基板上の発光素子の周囲に無機酸化物を含む絶縁層を形成し、この無機酸化物を含む絶縁層と封止部材との間に接着剤を設けて接着することで接着力が高められ、接着部分からの大気中の水分や酸素の侵入を防ぐことができることを見出し、本発明の完成に至った。
[第1の態様]
図1は本発明に係る発光装置の一例を示す概略平面図である。また、図2は図1に示す発光装置のA−A´線概略断面図であり、図3はB−B´線概略断面図である。なお、図1に示されるように陽極14及び陰極24はそれぞれストライプ状に形成されているが、図2及び図3では各電極14,24は一体ものとして簡略的に示し、隔壁等は省略されている。
図1は本発明に係る発光装置の一例を示す概略平面図である。また、図2は図1に示す発光装置のA−A´線概略断面図であり、図3はB−B´線概略断面図である。なお、図1に示されるように陽極14及び陰極24はそれぞれストライプ状に形成されているが、図2及び図3では各電極14,24は一体ものとして簡略的に示し、隔壁等は省略されている。
この発光装置10は、データラインと走査ラインの電気的交点に発光素子20を配置した単純マトリクス型であり、図1に示されるように、基板12上には陽極14と陰極24とからなる一対の電極14,24がマトリクス状に配置され(各電極の一部は省略)、各電極14,24とそれぞれ接続する引出配線16,26が形成されている。ここで、電極14,24はそれぞれデータライン、走査ライン、或いは走査ライン、データラインとして機能する。また、図2及び図3に示されるように、陽極14と陰極24は基板12の厚さ方向に積層されており、これらの一対の電極14,24間に有機エレクトロルミネッセンス層(有機EL層)18が形成されている。このような一対の電極14,24と、電極14,24の交差する部分に形成されている有機EL層18とが有機EL素子、すなわち発光素子20を構成して発光する。
また、基板12上の発光素子20の周囲において封止部材34を接着させる領域28には無機酸化物を含む絶縁層30が形成されており、この層30は、引出配線16,26上にも形成されている。そして、発光素子20を封止するための板状の封止部材34が、基板12上の無機酸化物を含む絶縁層30との間に設けられた接着剤32を介して接着している。このような構成により、基板12上の発光素子20の周囲に形成された無機酸化物を含む絶縁層30と接着剤との接着力が高まり、封止部材34と基板12との接着部分における酸素や水分の侵入が大幅に抑制される。
以下、本発明に係る発光装置の構成等について、その製造方法とともにより具体的に説明する。
<基板>
基板12は、有機EL素子等を支持することができる強度、光透過性等を有するものであれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。例えば、基板12側から光を透過させる、いわゆるボトムエミッション型の発光装置とする場合は、発光層から発せられる光をできるだけ散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。そのような基板の具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
<基板>
基板12は、有機EL素子等を支持することができる強度、光透過性等を有するものであれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。例えば、基板12側から光を透過させる、いわゆるボトムエミッション型の発光装置とする場合は、発光層から発せられる光をできるだけ散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。そのような基板の具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板12としてガラスを用いる場合、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。
また、有機材料からなる基板を用いる場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。また、特にプラスチック製の基板を用いる場合には、水分や酸素の透過を抑制するため、基板の片面又は両面に透湿防止層又はガスバリア層を設けることが好ましい。透湿防止層又はガスバリア層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物を好適に用いることができる。透湿防止層又はガスバリア層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
また、有機材料からなる基板を用いる場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。また、特にプラスチック製の基板を用いる場合には、水分や酸素の透過を抑制するため、基板の片面又は両面に透湿防止層又はガスバリア層を設けることが好ましい。透湿防止層又はガスバリア層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物を好適に用いることができる。透湿防止層又はガスバリア層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
基板12の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板12の形状としては、取り扱い性、発光素子20の形成容易性等の観点から、板状であることが好ましい。基板12の構造は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、基板12は、単一部材で構成されていてもよいし、2つ以上の部材で構成されていてもよい。
基板12は、無色透明であっても有色透明であってもよいが、発光素子20から発せられる光の散乱、減衰等を防止することができる点で無色透明であることが好ましい。
<有機EL素子>
基板12上には発光素子として有機EL素子20が形成されている。本発明に係る発光素子20は、基板12の厚さ方向に積層された陽極14と陰極24とからなる一対の電極14,24間に有機EL層18を有していれば層構成は特に限定されない。例えば以下のような層構成を採用することができるが、これらに限定されず、目的等に応じて適宜決めればよい。
基板12上には発光素子として有機EL素子20が形成されている。本発明に係る発光素子20は、基板12の厚さ方向に積層された陽極14と陰極24とからなる一対の電極14,24間に有機EL層18を有していれば層構成は特に限定されない。例えば以下のような層構成を採用することができるが、これらに限定されず、目的等に応じて適宜決めればよい。
・陽極/発光層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
<陽極及び引出配線>
図1及び図2に示されるように、基板12上には陽極14がストライプ状に形成されており、一端部には引出配線16が接続している。
陽極14は、有機EL層18に正孔を供給する電極としての機能を有するものであれば、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて公知の電極材料から適宜選択することができる。ただし、発光素子の性質上、陽極14及び陰極24のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましく、通常は、透明な陽極14が形成される。
図1及び図2に示されるように、基板12上には陽極14がストライプ状に形成されており、一端部には引出配線16が接続している。
陽極14は、有機EL層18に正孔を供給する電極としての機能を有するものであれば、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて公知の電極材料から適宜選択することができる。ただし、発光素子の性質上、陽極14及び陰極24のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましく、通常は、透明な陽極14が形成される。
陽極14を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。具体例として、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。
陽極14を形成する方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式が挙げられる。陽極14を構成する材料との適性等を考慮して適宜選択した方法に従って基板12上に陽極14を形成することができる。例えば、陽極材料としてITOを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って陽極14を形成することができる。
陽極14を形成する位置は特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて適宜選択することができ、基板12の一方の表面上の全体に形成されていてもよいし、一部に形成されていてもよい。
陽極14を形成する位置は特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて適宜選択することができ、基板12の一方の表面上の全体に形成されていてもよいし、一部に形成されていてもよい。
陽極14を形成する際のパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよい。また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等を行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陽極用の引出配線16も陽極14と同様の材料を用いて同様の方法により形成することができるが、陽極14を形成する際、陽極14に接続する引出配線を同時に形成してもよい。陽極14と陽極用の引出配線16を同時にパターニングすれば、工数を減らすことができるとともに、各陽極14に確実に接続した引出配線16を形成することができる。このとき、さらに陰極用の引出配線26を同時に形成することもできる。
陽極14及び引出配線16の厚みは、陽極14を構成する材料等に応じて適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。
また、陽極14及び引出配線16の抵抗値は、有機EL層18に確実に正孔を供給するために、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。
また、陽極14及び引出配線16の抵抗値は、有機EL層18に確実に正孔を供給するために、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。
透明な陽極14とする場合、無色透明であっても有色透明であってもよいが、透明陽極側から発光を取り出すためには、その光透過率は60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載されている事項を本発明でも適用することができる。例えば、耐熱性の低いプラスチック基板を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
<有機EL層>
発光素子20は、陽極14と陰極24との間に少なくとも発光層を含む有機EL層18を有している。有機EL層18を構成する発光層以外の層としては、前述したように、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。好ましい層構成として、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が挙げられ、さらに、例えば正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間に、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には電子注入層を有してもよい。また、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
これらの有機EL層18を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
発光素子20は、陽極14と陰極24との間に少なくとも発光層を含む有機EL層18を有している。有機EL層18を構成する発光層以外の層としては、前述したように、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。好ましい層構成として、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が挙げられ、さらに、例えば正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間に、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には電子注入層を有してもよい。また、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
これらの有機EL層18を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは1種であっても2種以上であっても良い。
蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
遷移金属原子としては特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysicsof Coordination Compounds」 Springer-Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
燐光発光材料は、発光層中に0.1〜40質量%含有されることが好ましく、0.5〜20質量%含有されることがより好ましい。
また、発光層に含有されるホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
ホスト材料の具体例としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
ホスト材料の具体例としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極14又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層及び正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するIr錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極14又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層及び正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するIr錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜200nmであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.5nm〜200nmであるのがより好ましく、1nm〜200nmであるのが更に好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜200nmであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.5nm〜200nmであるのがより好ましく、1nm〜200nmであるのが更に好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層及び電子輸送層は、陰極24又は陰極側から電子を受け取り、陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層及び電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
電子注入層及び電子輸送層は、陰極24又は陰極側から電子を受け取り、陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層及び電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
電子注入層及び電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
電子注入層及び電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
電子注入層及び電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。発光層と陰極側で隣接する正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。発光層と陰極側で隣接する正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
<陰極及び引出配線>
有機EL層18上には、陽極14と直交するように陰極24がストライプ状に形成されている。
陰極24は、通常、有機EL層18に電子を注入する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陰極24を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点から、2種以上を好適に併用することができる。
有機EL層18上には、陽極14と直交するように陰極24がストライプ状に形成されている。
陰極24は、通常、有機EL層18に電子を注入する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的等に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陰極24を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点から、2種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、陰極24を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点でアルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
なお、陰極24の材料については、例えば、特開平2−15595号公報及び特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は本発明においても適用することができる。
なお、陰極24の材料については、例えば、特開平2−15595号公報及び特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は本発明においても適用することができる。
陰極24の形成方法については特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD法、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って陰極を形成することができる。
陰極24を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等によって行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陰極用の引出配線26も陰極24と同様の材料を用いて同様の方法により形成することができるが、陰極24を形成する際に同時に形成することもできる。陰極24と陰極用の引出配線26を同時にパターニングすれば、工数を減らすことができるとともに、各陰極24に確実に接続した引出配線26を形成することができる。
陰極24の形成位置は特に制限はなく、有機EL層18上の全体に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極24と有機EL層18との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1〜5nmの厚みで形成してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と解することもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
陰極24の厚みは、陰極24を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極24は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極24とする場合は、陰極24の材料を1〜10nmの厚さに薄く成膜し、特にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
また、陰極24は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極24とする場合は、陰極24の材料を1〜10nmの厚さに薄く成膜し、特にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
<保護層>
発光素子20は、保護層によって保護されていてもよい。保護層を構成する材料としては、水分や酸素等、素子劣化を促進する要素が素子内部に侵入することを抑制する機能を有しているものを使用することができる。具体例として、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、SiNx、SiNxOy等の金属窒化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
発光素子20は、保護層によって保護されていてもよい。保護層を構成する材料としては、水分や酸素等、素子劣化を促進する要素が素子内部に侵入することを抑制する機能を有しているものを使用することができる。具体例として、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、SiNx、SiNxOy等の金属窒化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法は特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
<無機酸化物を含む絶縁層>
基板12上に発光素子20、引出配線16,26等を形成した後、発光素子20の周囲に無機酸化物を含む絶縁層30を形成する。図4(A)〜(C)は、発光素子20の周囲に形成した無機酸化物を含む絶縁層30の例を概略的に示している。基板12上に1つの発光素子20が形成されている場合には、無機酸化物を含む絶縁層30は、その発光素子20を囲むように形成する(図4(A))。一方、基板12上に複数の発光素子20が形成されている場合には、通常は発光素子20が形成されている領域全体を囲むように形成するが(図4(B))、発光素子20を個々に囲むように形成してもよい(図4(C))。いずれにせよ、発光素子20の周囲において接着剤を介して封止部材34を接着させる領域に無機酸化物を含む絶縁層30を形成する。
基板12上に発光素子20、引出配線16,26等を形成した後、発光素子20の周囲に無機酸化物を含む絶縁層30を形成する。図4(A)〜(C)は、発光素子20の周囲に形成した無機酸化物を含む絶縁層30の例を概略的に示している。基板12上に1つの発光素子20が形成されている場合には、無機酸化物を含む絶縁層30は、その発光素子20を囲むように形成する(図4(A))。一方、基板12上に複数の発光素子20が形成されている場合には、通常は発光素子20が形成されている領域全体を囲むように形成するが(図4(B))、発光素子20を個々に囲むように形成してもよい(図4(C))。いずれにせよ、発光素子20の周囲において接着剤を介して封止部材34を接着させる領域に無機酸化物を含む絶縁層30を形成する。
この層30に含まれる無機酸化物としては、例えば、SiO、SiO2、SiNxOy等が挙げられる。
このような無機酸化物を含む絶縁層30を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法等が挙げられる。なお、無機酸化物を含む絶縁層30は、通常、発光素子20の周囲において接着剤を塗布する位置に形成するが、特にプラスチック製の基板や封止部材を用いると伸びが生じる場合もあるので、この場合、基板や封止部材の伸びを考慮して形成することが好ましい。
このような無機酸化物を含む絶縁層30を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法等が挙げられる。なお、無機酸化物を含む絶縁層30は、通常、発光素子20の周囲において接着剤を塗布する位置に形成するが、特にプラスチック製の基板や封止部材を用いると伸びが生じる場合もあるので、この場合、基板や封止部材の伸びを考慮して形成することが好ましい。
無機酸化物を含む層30の厚みは、そこに接着させる封止部材34の形状等にもよるが、封止部材34との間で強い接着力を確保すること、封止部材34と発光素子20との間に適度な空間を確保すること等を考慮し、好ましくは1nm〜10μmであり、より好ましくは100nm〜5μmである。
このように発光素子20の周囲に無機酸化物を含む絶縁層30を形成することで、図2および図3に示されるように、発光素子20の周囲において引出配線16,26が形成されていない部分では基板12の表面上に、引出配線16,26が形成されている部分では引出配線16,26上にそれぞれ無機酸化物を含む絶縁層30が形成される。
<封止>
発光素子20の周囲に無機酸化物を含む層30を形成した後、無機酸化物を含む層30と封止部材34との間に接着剤32を付与して接着を行う。
封止部材34の材質は特に限定されず、ガラス、金属、樹脂フィルム等の公知の材料からなる封止部材34を用いることができる。
一方、接着剤32としては、封止部材34を接着するために使用されている公知の材料を使用することができ、例えば、UV硬化性樹脂ではナガセケムテックス製XNR−5516等を用いることができる。
発光素子20の周囲に無機酸化物を含む層30を形成した後、無機酸化物を含む層30と封止部材34との間に接着剤32を付与して接着を行う。
封止部材34の材質は特に限定されず、ガラス、金属、樹脂フィルム等の公知の材料からなる封止部材34を用いることができる。
一方、接着剤32としては、封止部材34を接着するために使用されている公知の材料を使用することができ、例えば、UV硬化性樹脂ではナガセケムテックス製XNR−5516等を用いることができる。
例えば、発光素子20の周囲に形成した無機酸化物を含む絶縁層30にUV硬化性樹脂を塗布し、封止部材34を貼り合せてUVを照射することにより接着させる。あるいは、封止部材34の接着させる部分にUV硬化性樹脂を塗布し、基板12上の無機酸化物を含む絶縁層30に貼り合せて接着させてもよい。いずれにせよ、封止部材34と、基板12上の発光素子20の周囲に形成した無機酸化物を含む絶縁層30との間に接着剤32を設け、この接着剤32を介して封止部材34を接着させる。これにより基板12上の封止部材34と接着する部分には引出配線16,26上にも無機酸化物を含む絶縁層30が形成されているため、接着剤32の接着性が高まり、封止部材34は基板12上の無機酸化物を含む絶縁層30と接着剤32を介して強く接着する。なお、基板12上の発光素子20の周囲に形成する無機酸化物を含む絶縁層30や接着剤32の厚みを調整し、封止部材34と発光素子20との間に空間を設けて、乾燥剤、不活性気体、不活性液体等を封入することもできる。
引出配線16,26にそれぞれ外部の配線(不図示)を接続し、陽極14と陰極24との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光素子(有機EL素子)20を発光させることができる。なお、発光素子20の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
以上のような工程を経て、封止部材34が、発光素子20の周囲に形成されている無機酸化物を含む絶縁層30との間に設けられた接着剤32を介して接着した発光装置10を製造することができる。このように製造された発光装置10であれば、封止部材34と基板12との接着部分から大気中の酸素や水分が侵入することが効果的に防止され、これにより発光画素の縮退や、電極、有機EL層等の劣化が大幅に抑制されて長寿命化を図ることができる。
[第2の態様]
図5は、本発明に係る発光装置の第2の態様の断面を概略的に示している。この発光装置40では、プラスチック製の基材46の片面に大気中の酸素や水分の侵入を防ぐためのバリア層42を形成した封止部材48が用いられている。このようなバリア層42を有することで、水分等が封止部材48を透過することを極めて抑制することができる。
図5は、本発明に係る発光装置の第2の態様の断面を概略的に示している。この発光装置40では、プラスチック製の基材46の片面に大気中の酸素や水分の侵入を防ぐためのバリア層42を形成した封止部材48が用いられている。このようなバリア層42を有することで、水分等が封止部材48を透過することを極めて抑制することができる。
封止部材48のバリア層42側にはさらに無機酸化絶縁膜44が形成されており、基板12に形成された無機酸化絶縁膜30と、封止部材48に形成された無機酸化絶縁膜44との間に接着剤32が設けられて封止部材48と基板12とが接着している。このように封止部材側にも少なくとも接着剤32と接する部分に無機酸化絶縁膜44を設けて接着すれば、基板側だけでなく、封止部材側でも接着剤32との接着力が高められ、大気中の酸素や水分の侵入をより確実に防止することができ、発光素子20の劣化を一層抑制することができる。
[第3の態様]
図6は、本発明に係る発光装置の第3の態様の断面を概略的に示している。この発光装置50では、キャップ状の封止部材(封止キャップ)52が設けられており、封止キャップ52の縁が、基板12上の発光素子20の周囲に形成された無機酸化物を含む絶縁層30上の接着剤32を介して接着している。このような封止キャップ52を接着すれば、基板12上の無機酸化物を含む絶縁層30との間に設けられた接着剤32を介して強く接着するとともに、封止部材52と発光素子20との間に確実に空間を設けることができ、不活性ガス又は不活性液体を充填して酸素や水分による発光素子20の劣化をより効果的に防止することができる。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴン、窒素等が挙げられ、不活性液体としては、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
図6は、本発明に係る発光装置の第3の態様の断面を概略的に示している。この発光装置50では、キャップ状の封止部材(封止キャップ)52が設けられており、封止キャップ52の縁が、基板12上の発光素子20の周囲に形成された無機酸化物を含む絶縁層30上の接着剤32を介して接着している。このような封止キャップ52を接着すれば、基板12上の無機酸化物を含む絶縁層30との間に設けられた接着剤32を介して強く接着するとともに、封止部材52と発光素子20との間に確実に空間を設けることができ、不活性ガス又は不活性液体を充填して酸素や水分による発光素子20の劣化をより効果的に防止することができる。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴン、窒素等が挙げられ、不活性液体としては、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
また、図7に示すように封止キャップ52と発光素子20との間の空間に水分吸収剤(乾燥剤)54を封入してもよい。
水分吸収剤54としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
水分吸収剤54としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
封止部材52と発光素子20との間の空間に上記のような水分吸収剤54を設けた発光装置であれば、封止部材52が、基板12上の無機酸化物を含む絶縁層30との間に設けた接着剤30を介して強く接着されているため水分が侵入し難い上、時間の経過とともに多少の水分が侵入しても水分吸収剤54によって吸収されるため、発光素子20の劣化を極めて効果的に抑制することができる。
以上本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、図8に示すように発光素子全体とその周囲を覆うように無機酸化物を含む絶縁層30を形成し、封止部材34と、発光素子の周囲に形成されている無機酸化物を含む層30との間に接着剤32を設けて接着してもよい。
また、本発明に係る発光装置の用途は特に限定されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。
また、本発明に係る発光装置の用途は特に限定されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。
10・・・発光装置
12・・・基板
14・・・陽極
16・・・陽極用引出配線
18・・・有機EL層
20・・・発光素子
24・・・陰極
26・・・陰極用引出配線
30・・・無機酸化物を含む絶縁層
32・・・接着剤
34・・・封止部材
12・・・基板
14・・・陽極
16・・・陽極用引出配線
18・・・有機EL層
20・・・発光素子
24・・・陰極
26・・・陰極用引出配線
30・・・無機酸化物を含む絶縁層
32・・・接着剤
34・・・封止部材
Claims (4)
- 基板と、該基板上の厚さ方向に積層された一対の電極間に有機エレクトロルミネッセンス層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記発光素子の一対の電極とそれぞれ接続する引出配線と、前記発光素子を封止する封止部材と、を備え、前記基板上の少なくとも前記発光素子の周囲に無機酸化物を含む絶縁層が形成されており、前記封止部材が、前記発光素子の周囲を囲むように前記基板上および引出配線上に形成されている前記無機酸化物を含む絶縁層との間に設けられた接着剤を介して接着していることを特徴とする発光装置。
- 前記封止部材の少なくとも前記接着剤と接する部分に無機酸化物を含む絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記封止部材が、プラスチック製の基材にバリア層を設けたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の発光装置であって、データラインと走査ラインの電気的交点に発光素子を配置したことを特徴とする単純マトリクス型発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007024532A JP2008192426A (ja) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | 発光装置 |
US12/022,863 US20080211393A1 (en) | 2007-02-02 | 2008-01-30 | Light emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007024532A JP2008192426A (ja) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008192426A true JP2008192426A (ja) | 2008-08-21 |
Family
ID=39732608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007024532A Abandoned JP2008192426A (ja) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080211393A1 (ja) |
JP (1) | JP2008192426A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8022437B2 (en) | 2008-09-26 | 2011-09-20 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and method for manufacturing thereof |
US9692008B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-06-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009259572A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
EP3608984B1 (en) * | 2010-04-08 | 2020-11-11 | Agc Inc. | Organic led element |
CN103137885A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件的复合封装结构及其封装方法 |
US10243165B2 (en) * | 2014-11-28 | 2019-03-26 | Pioneer Corporation | Light-emitting device |
CN110808270A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 杭州追猎科技有限公司 | 一种有机发光面板封装结构 |
CN110808339A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-18 | 杭州追猎科技有限公司 | 一种有机发光面板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050470A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003187960A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Denso Corp | El表示装置 |
JP2004178932A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3423261B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
CN1227751C (zh) * | 2000-02-17 | 2005-11-16 | Lg电子株式会社 | 有机电致发光显示板及其封装方法 |
JP4112779B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2008-07-02 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US7148624B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-12-12 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Uniform deposition of organic layer |
KR100544121B1 (ko) * | 2003-07-19 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
-
2007
- 2007-02-02 JP JP2007024532A patent/JP2008192426A/ja not_active Abandoned
-
2008
- 2008-01-30 US US12/022,863 patent/US20080211393A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050470A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003187960A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Denso Corp | El表示装置 |
JP2004178932A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8022437B2 (en) | 2008-09-26 | 2011-09-20 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and method for manufacturing thereof |
US9692008B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-06-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080211393A1 (en) | 2008-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3942017B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2008192426A (ja) | 発光装置 | |
JP2010027429A (ja) | 有機電界発光パネル及びその製造方法 | |
US7936123B2 (en) | Organic light emitting diode having electron and hole mobility in light emitting layer and display using the same | |
JP2000260572A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
JP5933171B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
JP2003197368A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
JP2006279014A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2010272516A (ja) | 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法 | |
KR20180072752A (ko) | 광학식 지문 인증 장치 | |
JP2010123439A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2008251292A (ja) | 有機el発光装置 | |
JP5568224B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2008305557A (ja) | 有機el発光装置及びその製造方法 | |
JP2006270091A (ja) | 有機電界発光素子及び表示装置 | |
JP2007324062A (ja) | 端面発光型発光素子 | |
JP2006054422A (ja) | 有機電界発光素子及び表示素子 | |
WO2013146350A1 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP2009027037A (ja) | 表示装置及び欠陥画素のリペア方法 | |
JP4864796B2 (ja) | 有機elパネル及び有機elパネルの製造方法 | |
US20070170851A1 (en) | Functional device | |
JP2005259492A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2015037168A (ja) | 有機発光素子 | |
JP2008235193A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP6319301B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20110825 |