JP4899286B2 - 有機el表示装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
また、本発明に係る有機EL表示装置においては、前記第2の絶縁層の上方に形成された前記第1の電極は、前記表示領域にのみ形成されていることが好ましい。
また、本発明に係る有機EL表示装置においては、前記第2の絶縁層は、無機材料からなることが好ましい。
本発明に係る有機EL表示装置は、上述のように、導電部の劣化が防止されることによって高寿命化されると共に優れた発光特性を有する。したがって、このような特徴を有する本発明に係る電子機器によれば、高寿命化されると共に優れた発光特性を有する電子機器とされる。
有機EL表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下では、TFTと略記する)を有するアクティブマトリクス方式の有機EL表示装置である。
また、実表示領域4の図中両側には、走査線駆動回路80が配置されている。この走査線駆動回路80はダミー領域5の下側に位置して設けられている。
図5は本実施形態の機能層111の概略構成を説明するための概念図である。機能層111は、陽極23と陰極50に挟まれる多層構造を備えており、陽極23側から順に、正孔輸送/注入層71と、有機EL層60と、電子輸送層52とが形成されたものである。
このような正孔注入層を形成する材料の例として種種の導電性高分子材料が好適に用いられ、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等を採用することができる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
図6に示す駆動用トランジスタ123は、nチャネル型の多結晶シリコンTFTであって、基板20上に下地保護膜110を介して多結晶シリコン膜(半導体層)220を具備しており、該多結晶シリコン膜220は高濃度ソース領域220d、低濃度ソース領域220b、チャネル領域220a、低濃度ドレイン領域220c、高濃度ドレイン領域220eを含んで構成されている。
図13(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図13(a)において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL装置を用いた表示部を示している。
図13(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図13(b)において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記の有機EL装置を用いた表示部を示している。
図13(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図13(c)において、符号1200は情報処理装置、符号1201はキーボードなどの入力部、符号1202は上記の有機EL装置を用いた表示部、符号1203は情報処理装置本体を示している。
Claims (6)
- 基板上に形成され、表示領域に第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成された発光層とを有する複数の有機EL素子に所定の電位あるいは信号を供給する導電部と、
前記表示領域において、前記導電部の一部を覆うように形成された第1の絶縁層と、
前記導電部の前記第1の絶縁層で覆われていない残りの部分を覆うように形成された接続層と、
前記第1の絶縁層の上方に形成された前記複数の有機EL素子と、
前記表示領域と対向して配置され、前記表示領域を囲んで形成された封止部材接合領域において前記基板と接合して、前記複数の有機EL素子を封止する封止部材と、
前記第1の絶縁層の上方に形成されるとともに、前記表示領域と前記封止部材接合領域とに設けられた前記第2の絶縁層と、
を備え、
前記導電部は、前記表示領域から前記封止部材接合領域を挟んで前記表示領域の反対側まで延在し、
前記接続層は、前記封止部材接合領域と前記表示領域の反対側において、前記導電部を覆うように形成され、
前記第2の絶縁層は、前記封止部材接合領域において前記接続層の全体を覆うように形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記第2の絶縁層の上方に形成された前記第1の電極は、前記表示領域にのみ形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記接続層はITOからなることを特徴とする請求項1または2記載の有機EL表示装置。
- 前記第2の絶縁層は、無機材料からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 基板上に形成された複数の有機EL素子に所定の電位あるいは信号を供給する導電部を形成する工程と、
前記導電部の一部を覆うよう第1の絶縁層を形成する工程と、
前記導電部の前記第1の絶縁層で覆われていない残りの部分を覆うように接続層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の上方に、表示領域内に第1の電極と第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成された発光層を有する前記複数の有機EL素子を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の上方に形成されるとともに、前記表示領域と前記封止部材接合領域とに前記第2の絶縁層を形成する工程と、
前記基板と対向して配置され、前記表示領域を囲んで形成された封止部材接合領域において前記基板と接合して、前記複数の有機EL素子を封止する封止部材を前記基板と封止部材接合領域において接合する工程と、を備え、
前記導電部は、前記表示領域から前記封止部材接合領域を挟んで前記表示領域の反対側まで延在し、
前記接続層は、前記封止部材接合領域と前記表示領域の反対側において、前記導電部を覆うように形成され、
前記第2の絶縁層は、前記封止部材接合領域において前記接続層の全体を覆うように形成されていることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 請求項1〜4いずれかに記載の有機EL表示装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
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