TW565820B - A light emitting device and electronic apparatus using the same - Google Patents

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565820 A7 B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明相關於發光面板，其中被形成在基底上的發光 構件被封閉在基底與外殼部件之間。另外，本發明相關於 發光模組，其中ic (積體電路）等被安裝在發光面板上。 應當指出，在本說明書中，發光面板和發光模組通常被稱 爲發光裝置。本發明還相關於利用發光裝置的電子設備。 背景技術 發光構件本身發射光，因此，具有高的可見度。發光 構件不需要對於液晶顯示裝置（LCD )所需要的背光，液晶 顯示裝置適合於減小發光裝置的厚度。另外，發光構件對 於觀看角度沒有限制。所以，作爲代替CRT或LCD的顯示 裝置，使用發光構件的發光裝置最近吸引人們的注意。 順便說明，發光構件在本說明書中是指其亮度由電子 電流或電壓控制的構件。發光構件包括OLED (有機發光二 極體）、可被使用於FED (場致發射顯示）的MIM類型的 電子來源構件（電子發射構件）等等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 OLED包括一層有機化合物（有機發光材料）（此後， 稱爲有機發光層），在其中可得到藉由加上電場而産生的 發光（電致發光），陽極層；和陰極層。在有機化合物中 ，發光的形式包括從單譜線激發狀態返回到基本狀態的光 發射（螢光）和從三譜線激發狀態返回到基本狀態的光發 射（磷光）。本發明的發光裝置使用一種或兩種上述的光 發射。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4 565820 A7 B7 五、發明説明（2 ) 應當指出，在本說明書中，在OLED的陰極與陰極之 間提供的所有的各層被定義爲有機發光層。有機發光層具 體地包括發光層、電洞注入層、電子注入層、電洞輸送層 、電子輸送層等等。這些層中可以具有無機化合物。OLED 基本上具有一種其中陽極、發光層和陰極按次序被分層的 結構。此外，OLED可以具有一種其中陽極、電洞注入層、 發光層、陰極按次序被分層的結構，或其中陽極、電洞注 入層、發光層、電子輸送層、陰極按次序分層的結構。

另一方面，由有機發光材料的性能惡化引起的OLED 的減小的發光度會帶來發光裝置在實際使用時的嚴重問題 〇 圖21 A以圖形方式顯示當在其兩個電極之間加上恒定電 流時發光構件的時變的發光度。如圖21 A所示，儘管加上恒 定電流，發光構件的發光度也會降低，因爲有機發光材料 隨時間而性能惡化。 圖2 1 B以圖形方式顯示當在其兩個電極之間加上恒定電 壓時發光構件的時變的發光度。如圖21B所示，儘管加上恒 定電流，發光構件的發光度也會隨時間而降低。這部分地 是因爲如圖2 1 A所示的有機發光材料的性能惡化造成恒定電 流下發光度的降低，以及部分地是因爲由恒定電壓引起的 、流過發光構件的電流隨時間降低，如圖21C所示。 發光構件的隨時間減小的發光度可藉由增加加到發光 構件的電流供給或增加加在其上的電壓而被補償。然而， 在大多數情形下，要被顯示的影像包括隨像素而變化的灰 -§- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 度等級，這樣，各個不同的像素的發光構件被不同地性會g 惡化，從而導致發光度的變化。由於給每個像素配備一個 電源以便用於向它們提供電壓或電流是不實際的，因而使 用一個公共電源來提供電壓或電流給所有的像素或一組像 素。所以，如果藉由簡單地增加來自公共電源的電壓或電 流來補償由於性能惡化造成某些發光構件的發光度的降低 ，則被提供以增加的電壓或電流的所有的像素在發光度上 都會均勻地增加。所以，在各個不同的像素的發光構件之 間的發光度變化沒有消除。 發明內容 根據以上內容，本發明的目的是提供一種能夠抑制與 有機發光材料的性能惡化有關的OLED的發光度變化和達 到一致的發光度的發光裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明的發光裝置可用來恒定地或周期地採樣所 提供的影像信號，以便檢測像素的每個發光構件的發光時 間週期或所顯示的灰度等級，從而根據積累的檢測値或檢 測値的和値來預測像素的最大性能惡化和發光度的最大降 低。然後’把目標像素的檢測値的積累與先前儲存的關於 發光構件的時變的發光度特性的資料進行比較，以便校正 加到目標像素的電流供給，這樣，可以得到想要的發光度 。這時’過量的電流被加到與最性能惡化的像素共用公共 電流源的其他像素上。因此假設其他像素比起最性能惡化 的像素具有更大的發光度，從而顯示太高的灰度等級。藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由校正用於驅動具有最性能惡化的發光構件的像素的影像 信號，其他像素的灰度等級被單獨地降低，藉由把每個像 素的檢測値的積累與先前儲存的關於發光構件的時變的發 光度特性的資料進行比較，可以完成影像信號的校正。 應當指出，這裏的影像信號被規定爲包含影像資訊的 數位信號。 儘管像素的發光構件的性能惡化程度在變化，以上的 安排消除了發光度的變化，確保螢幕發光度的一致性，而 且也抑制了由於性能惡化引起的發光度的降低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 應當指出，來自電流源的電流供給的數値不一定需要 根據最大性能惡化的像素進行校正，而是可以根據最少性 能惡化的像素進行校正。在這種情形下，從各個像素的檢 測値的積累中可以預測由於最少性能惡化因而具有最大發 光度的像素。然後，把目標像素的檢測値的積累與先前儲 存的關於發光構件的時變的發光度特性的資料進行比較， 以便校正加到目標像素的電流供給，這樣，可以得到想要 的發光度。這時，不足夠的電流被加到與最少性能惡化的 像素共用公共電流源的其他像素上。因此假設其他像素比 起最少性能惡化的像素具有更低的發光度，從而顯示過低 的灰度等級。藉由校正用於驅動具有最少性能惡化的發光 構件的像素的影像信號，其他像素的灰度等級被單獨地增 加，藉由把每個像素的檢測値的積累與先前儲存的關於發 光構件的時變的發光度特性的資料進行比較，可以完成影 像信號的校正。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7

B 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 應當指出，設計者可任意規定參考像素。至於那些比 參考像素更性能惡化的像素，影像信號被校正成使得可以 增加像素的灰度等級。至於那些比參考像素更少性能惡化 的像素，影像信號被校正成使得可以降低像素的灰度等級 〇 圖式說明 圖1是顯示依據本發明的發光裝置的方塊圖； 圖2是顯示依據本發明的發光裝置的像素電路的圖； 圖3 A和3 B是顯示依據本發明的、在流過發光構件的電 流與它的時變發光度之間的關係的圖； 圖4是表示流過依據本發明的發光裝置的發光構件的時 變的電流量的圖； 圖5A-5C是顯示基於相加操作的校正方法的圖； 圖6是顯示依據本發明的發光裝置的信號線驅動電路的 方塊圖； 圖7是顯示電流設置電路與開關電路的電路圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖8是顯示依據本發明的發光裝置的掃描線驅動電路的 方塊圖； 圖9是顯示依據本發明的發光裝置的方塊圖； 圖10A-10C是每個顯示依據本發明的發光裝置的像素電 路的圖； 圖1 1 A-11 C是每個顯示依據本發明的發光裝置的像素電 路的圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 565820 A7 _ B7 五、發明説明（6 ) 圖1 2A和1 2B是每個顯示依據本發明的發光裝置的像素 電路的圖； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖13A-13C是顯示用於製作依據本發明的發光裝置的方 法的圖； 圖14 A -14 C是顯示用於製作依據本發明的發光裝置的方 法的圖； 圖15A和15B是顯示用於製作依據本發明的發光裝置的 方法的圖； 圖16是顯示依據本發明的發光裝置的截面圖； 圖17是顯示依據本發明的發光裝置的截面圖； 圖1 8是顯示依據本發明的發光裝置的截面圖； 圖19A-19H是每個顯示利用依據本發明的發光裝置的電 子設備的圖； 圖20是給出在灰度等級與發光時間週期之間的關係的 圖； 圖21A-21C是給出由於性能惡化造成的發光構件的發光 度的變化的圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖22是顯示性能惡化校正構件的方塊圖；以及 圖23是顯示操作電路的方塊圖。 主要元件對照表 !〇〇 性能惡化校正電路 ιοί 線號線驅動電路 103 像素部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐)9 " -- 565820 A7 B7 五、發明説明（7 ) 104 電流源 105 計數器部份 106 記憶體電路部份 107 校正部份 108 揮發性記憶體 109 非揮發性記憶體 110 影像信號校正電路 111 電流校正電路 112 資料儲存電路 121 信號線 122 第一掃瞄線 123 弟一^掃瞄線 124 電源線 Trl，Tr2，Tr3，Tr4 電晶體 129 電容 130 發光元件 具體實施方式 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 下面將描述依據本發明的發光裝置的安排。圖1是顯示 依據本發明的發光裝置的方塊圖，它包括：性能惡化校正 電路100，信號線驅動電路101，掃描線驅動電路102，像素 部分103，和電流源104。在本實施例中，性能惡化校正亀 路100被形成在一個與在其中形成電流源104，信號線驅動 電路101，掃描線驅動電路102和像素部分103的基底的不同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) A4規格（210X297公釐） 4α 565820 A7 B7 五、發明説明（8 ) 的基底上。然而，有可能所有這些構件都被形成在同一個 基底上。雖然依據本實施例，電流源1 04被包括在信號線驅 動電路101中，但本發明並不限於這種安排。電流源104的 位置根據像素結構而改變，但關鍵是確保電流源被連接成 可以去控制加到發光構件的電流的幅度。 像素部分1 0 3包括多個像素，每個像素具有一個發光構 件。性能惡化校正構件1 00處理加到發光裝置的影像信號， 該信號用以校正從電流源1 04提供到像素的各個發光構件的 電流以及校正加到信號線驅動電路的影像信號，以便像素 的各個發光構件可以呈現一致的發光度。掃描線驅動電路 1 02隨後選擇像素部分1 03所提供的像素，而信號線驅動電 路1 0 1回應於輸入到其上的校正的影像信號，以便提供一個 電流或電壓給由掃描線驅動電路102所選擇的像素。 性能惡化校正構件100包括計數器部分105，記憶體電 路部分106和校正部分107。計數器部分105包括計數器102。 記憶體電路部分1 06包括揮發性記憶體1 08和非揮發性記憶 體1 09，而校正部分1 07包括影像信號校正部分11 〇，電流校 正部分1 11和校正資料貯存電路1 1 2。 接著，描述性能惡化校正構件1 00的運行。首先，被利 用在發光裝置中的關於發光構件的時變發光度特性的資料 先前被儲存在校正資料貯存電路11 2。該資料（將在後面描 述）主要被使用於校正從電流源104提供到每個像素的電流 以及用於校正影像信號，校正是依據像素的各個發光構件 的性能惡化程度來執行的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 隨後，被提供到發光裝置的影像信號恒定地或周期地 (例如，以1秒的時間週期）被採樣’而同時計數器1 〇 2根 據影像信號的資訊來計數各個發光構件的各個發光時間週 期或灰度等級。如此計算出的各個發光構件的發光時間週 期或灰度等級被用作爲資料，它們隨後被儲存在記憶體電 路部分中。這裏應當指出，由於發光時間週期或灰度等級 需要以積累的方式被儲存，記憶體電路較佳地可包括非揮 發性記憶體。然而，通常非揮發性記憶體的寫入次數被限 制，所以，可以作出一種安排，從而使揮發性記憶體108可 在發光裝置運行期間進行資料儲存，而資料以正常的時間 週期（以1小時的時間週期，或在電源關斷時）被寫入到非 揮發性記憶體109的。 可使用的揮發性記憶體的實施例包括（但並不限於） 靜態記憶體（SRAM )，動態記憶體（DRAM )，鐵電記憶 體（FRAM )等等。也就是，揮發性記憶體可包括任意類型 的記憶體。同樣地，非揮發性記憶體也可包括通常在技術 上使用的、任意類型的記憶體，諸如，閃爍記憶體。然而 ，應當指出，在利用DRSM作爲揮發性記憶體的情形下， 需要附加上周期性更新功能。 被儲存在揮發性記憶體108或非揮發性記憶體109中的 發光時間週期或灰度等級的積累的資料被輸入到影像信號 校正電路110和電流校正電路111。 電流校正電路111藉由把先前被儲存在校正資料貯存電 路11 2中的關於時變的發光度特性的資料與被儲存在記憶體 __^3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂

565820 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______B7_五、發明説明（10 ) 電路部分1 06中的每個像素的發光時間週期或灰度等級的積 累的資料進行比較，從而查看每個像素的性能惡化程度。 電流校正電路因此檢測受到最大性能惡化的特定的像素， 然後，根據特定的像素的性能惡化程度來校正從電流源04 加到像素部分的電流供給的數値。具體地，電流値被增加 ’以便允許特定的像素顯示想要的灰度等級。 由於加到像素部分1 03的電流供給的數値根據特定的像 素被校正，沒有受到像特定的像素那麽大性能惡化的其他 像素的發光構件被提供以過量的電流，因此無法完成想要 的灰度等級。所以，影像信號校正電路11 〇校正影像信號， 以便確定其他像素的灰度等級。除了發光時間週期或灰度 等級的積累的資料以外，影像信號被輸入到影像信號校正 電路11 0。影像信號校正電路1 1 〇藉由把先前被儲存在校正 資料貯存電路1 1 2中的關於時變的發光度特性的資料與每個 像素的發光時間週期或灰度等級的積累的資料進行比較， 從而查看每個像素的性能惡化程度。因此，校正電路檢測 受到最大性能惡化的特定的像素和根據特定的像素的性能 惡化程度來校正影像信號。具體地，影像信號被校正，以 便得到想要的灰度等級。校正的影像信號被輸入到信號線 驅動電路1 0 1。 應當指出，特定的像素不一定是受到最大性能惡化的 像素，而可以是具有最小性能惡化的像素或由設計者任意 確定的像素。無論選擇哪個像素，影像信號按以下的方式 被校正。也就是，根據選擇的像素決定從電流源1 〇4加到像 43--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公羞） 565820 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 素部分103的電流値。對於比起選擇的像素更性能惡化的像 素’影像信號被校正成可以增加灰度等級。另一方面，對 於比起選擇的像素較少性能惡化的像素，影像信號被校正 成可以降低灰度等級。 圖2顯示被包括在依據本發明的發光裝置中的像素的例 子。圖2的像素包括信號線1 2 1，第一和第二掃描線1 22和1 23 ，電源線124，電晶體Trl，Tr2，Tr3和Tr4，電容129和發光 構件130。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電晶體Trl的閘極極被連接到第一掃描線122。Trl把它 的源極連接到信號線1 2 1，以及把它的汲極連接到電晶體 Tr3的源極和電晶體Tr4的汲極。電晶體Tr2的閘極極被連接 到第二掃描線123。Tr2把它的源極連接到電晶體Tr3的閘極 極和電晶體Tr4的閘極極，以及把它的汲極連接到信號線 121。電晶體Tr3把它的汲極連接到發光構件130的像素電極 。電晶體Tr4把它的源極連接到電源線124。電容129被連接 在電晶體Tr4的閘極極與源極之間，用於保持在電晶體Tr4 的閘極極與源極之間的電壓。預定的電位被加到電源線1 24 和發光構件的陰極，這樣，使電源線與陰極之間具有電位 差。 當電晶體Trl和Tr2被加到第一和第二掃描線122和123 的電壓接通時，電晶體Tr4的汲極由被包括在信號線驅動電 路101中的電流源104控制。這裏應當指出，電晶體Tr4運行 在飽和狀態，因爲電晶體把它的閘極極和汲極互相連接。 電晶體Tr4的汲極電流由以下的公式1表示： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 44 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 1= β C〇W/L(Vgs-Vth)2/2 公式 1 其中Vgs表市聞極極電壓；//表不遷移率；C。表示每單 位面積的閘極極電容；W/L表示通道形成區域的通道寬度 W與它的通道長度之間的比値；Vth表示起始値；以及I表 示汲極電流。 在公式1中，所有的參量//，C〇，W/L，和Vth代表由各 個電晶體確定的固定的數値。從公式1看到，電晶體Tr4的 汲極電流隨閘極極電壓Vas而變化。因此，依據公式1，在 電晶體Tr4中出現相應於汲極電流的閘極極電壓VCS。閘極 極電壓Vcs由電容129保持。 當電晶體Trl和Tr2被加到第一和第二掃描線122和123 的電壓關斷時，被積累在電容129上的一部分電荷行動到電 晶體Tr3的閘極極，由此，自動接通電晶體Tr4。因此，一 個具有與由電容保持的電荷成比例的幅度的電流流到發光 構件1 30，這樣，發光構件發射光。因此，流過發光構件 130的電流的幅度可以由電流源104所提供的電流確定。 依據本發明的發光裝置，從電流源1 04提供到像素的電 流的幅度藉由電流校正電路111被校正。在影像信號是數位 的情形下，作爲影像信號被輸入到像素的電流只有兩個數 値，因此，影像信號校正電路110以改變發光構件130的發 光時間週期的長度來校正影像信號，以便控制像素灰度等 級。在影像信號是類比信號的情形下，像素的灰度等級是 藉由影像信號校正電路1 1 0被控制的，它藉由改變提供到發 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4& 565820 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（13 ) 光構件的電流的幅度來校正影像信號。 圖3A顯示被包括在本發明的發光裝置中的發光構件的 時變的發光度。借助於以上的校正，發光構件的發光度被 保持在恒定的水平。圖3B顯示流過被包括在本發明的發光 裝置中的發光構件的時變的電流。流過發光構件的電流被 增加，以便補償與性能惡化有關的發光度的減小。 在圖3上，在所有時間都執行校正，以便把發光構件的 發光度保持在恒定水平。然而，在以給定的時間週期執行 校正的情形下，發光度不總是被保持在恒定的水平，因爲 校正是在發光構件的發光度降低到某個程度時被執行的。 隨著發光構件的性能惡化的增加，流過發光構件的電 流被無限地增加。流過發光構件的過量的電流加速它的性 能惡化，引起非發射的斑點（暗點）的出現。所以，如圖4 所示，本發明可被安排成使得當流過發光構件的電流從初 始値增加一個給定的値（α % )時，由校正造成的電流的增 加被中止，然後，從電流源決定301的電流供給被保持在恒 定的電平上。 應當指出，本發明的發光裝置的像素並不限於圖2所示 的結構。本發明的像素可以具有允許流過發光構件的電流 由電流源控制的任意的結構。 依據本發明的發光裝置，當電源被關斷時，被儲存在 揮發性記憶體1 0 8中的、代表各個像素的發光時間週期或灰 度等級的累積資料可被附加到被儲存在非揮發性記憶體1 〇9 中的關於發光時間週期或灰度等級的累積資料上，以及最 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 4& 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明説明（14) 終得到的資料可被儲存在非揮發性記憶體中。這允許發光 構件的發光時間週期或灰度等級的累積資料的收集在以後 電源接通後繼續進行。 在上述的情形下，發光構件的發光時間週期或灰度等 級被恒定地或周期地檢測，而同時關於發光時間週期和灰 度等級的累積資料被加以儲存，以便與先前被儲存的關於 發光構件的時變發光度特性的資料進行比較，這樣，影像 信號可以按需要地被校正。這允許影像信號被校正成使得 性能惡化的發光構件可達到與未性能惡化的發光構件等量 的發光度。結果，發光度的變化被阻止，以及確保一致的 螢幕顯示。 雖然依據本發明的實施例，各個發光構件的發光時間 週期或灰度等級被檢測，但可以作出一種安排：在某個時 間點隻確定是否存在來自各個發光構件的光發射。來自各 個發光構件的光發射的存在的檢測被迴圏地重復進行，以 使得每個發光構件的性能惡化程度可以從來自它的光發射 數量相對於總的檢測的計數的比値而被估値。 依據圖1，校正的影像信號被直接輸入到信號線驅動電 路。在信號線驅動電路適用於類比影像信號的情形下，可 以提供D/A變換器電路，以使得數位影像信號在輸入前被 變換成類比信號。 雖然以上的說明是在利用OLED作爲發光構件的情形 下作爲例子給出的，但本發明的發光裝置並不限於利用 OLED，而是可以利用任何其他發光構件，諸如POP，FED (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4^ 565820 A7 B7 五、發明説明（15 ) 等等。 實施例 下面將描述本發明的實施例。 實施例1 在這個實施例中，描述被依據本發明的發光裝置的校 正部分採用的、用於校正影像信號的方法。 在根據一個信號補充性能惡化的發光構件的減小的發 光度的一個方法中，給定的校正値被附加到輸入的影像信 號上，以便把輸入的信號變換成實際上代表藉由幾個步驟 增加的灰度等級的信號，由此，達到等同於性能惡化前發 光度的發光度。在電路設計中實施這個方法的最簡單的方 式是，事先提供一個能夠處理額外的灰度等級的資料的電 具體地，在適用於6位元數位灰度（64灰度等級）和包 括本發明的性能惡化校正功能的發光裝置的事例中，該裝 置被設計和被製作成具有處理用於執行校正的額外的1位元 資料的附加能力、以及實際上處理7位元數位灰度（128灰 度等級）。於是，裝置按正常的操作對較低階的6位元資料 起作用。當發生發光構件的性能惡化時，校正値被附加到 正常的影像信號上，前述的額外的1位元被使用來處理附力口 値的信號。在這種情形下，MSB (最高位元）只被使用於信 號校正，這樣，實際顯示的灰度包括6位元。 τ------^— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 五、發明説明（16) 實施例2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在這個實施例中，以與實施例丨不同的方式描述用於校 正影像信號的方法。 圖5A是顯示圖1的像素部分10的放大圖。這裏，討論三 個像素201至203。假設像素201受到最小的性能惡化，像素 202受到比起像素201更大的性能惡化，像素203受到最大的 性能惡化。 像素的性能惡化越大，像素發光度的減小越大。在沒 有發光度校正時，顯示某個半色調的像素將遭受發光度變 化’如圖5B所示。也就是，像素202比起像素201給出較低 的發光度，而像素203比起像素201給出低得多的發光度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，描述實際的校正操作。先前進行的測量給出了 在發光構件的發光時間週期或灰度等級的累積資料與由於 性能惡化引起的它的發光度的減小之間的關係。應當指出 ，發光時間週期或灰度等級的累積資料與由於性能惡化引 起的發光構件的發光度的減小並不總是存在簡單的關係。 發光構件的性能惡化程度相對發光時間週期或灰度等級的 累積資料事先被儲存在校正資料貯存電路丨丨2中。 電流校正電路111根據被儲存在校正資料貯存電路11 2 中的資料確定來自電流源104的電流供給的校正値。對於電 流的校正値是根據參考像素的發光時間週期或灰度等級的 累積資料被確定的。例如，如果使用具有最大性能惡化的 像素203作爲參考，則允許像素203達到想要的灰度等級， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） 4^ 565820 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但像素20 1和202被加上過量的電流，從而它們的影像信號 需要校正。因此’影像信號校正電路n 〇根據具有最大性能 惡化的特定的像素的性能惡化程度來校正輸入影像信號， 以使得達到想要的灰度等級。具體地，首先在參考像素與 另一個像素之間比較發光時間週期或灰度等級的累積資料 :這些像素的灰度等級之間的差値被加以計算；以及影像 信號被校正成可以補償灰度等級差値。 參照圖1 ’影像信號被輸入到影像信號校正電路11 〇， 它讀出每個像素的發光時間週期或灰度等級的累積資料， 該累積資料被儲存在記憶體電路部分丨06中。影像信號校正 電路藉由把每個像素的發光時間週期或灰度等級的讀出的 累積資料和與發光構件的發光時間週期或灰度等級的累積 資料有關的發光構件的性能惡化程度和被儲存在校正資料 貯存電路1 1 2中的性能惡化程度進行比較，從而決定對於每 個影像信號的校正値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在藉由使用像素203作爲參考來執行校正的情形下，像 素201和202在性能惡化程度上不同於像素203，因此需要藉 由影像信號校正灰度等級。從這些像素的發光時間週期或 灰度等級的累積資料可以預期，像素201在性能惡化程度上 比起像素202具有與像素203更大的差値。所以，與像素202 的校正相比較，像素20 1的灰度等級被校正更大數目的級別 〇 圖5C以圖形方式顯示在發光時間週期或灰度等級的累 積資料之參考像素的差値和藉由影像信號校正的灰度等級 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（18) 的數目之間的關係。應當指出，因爲發光時間週期或灰度 等級的累積資料與由於性能惡化引起的發光構件的發光度 的減小並不總是具有簡單的關係，藉由影像信號的校正要 被附加上的灰度等級的數目與發光時間週期或灰度等級的 累積資料並不總是呈現簡單的關係。如上所述，基於該附 加操作的校正確保螢幕的一致的發光度。 現在參照圖20，描述在相應於影像信號的各個位元的 發光構件的發光時間週期（Ts )的各個長度與本發明的發 光構件的灰度等級之間的關係。圖20採取其中影像信號包 含3位元的一個例子，以及顯示在用於顯示〇到7的8個灰度 等級中的每個灰度等級的一個圖框周期中出現的發光構件 的持續時間。 3位元的影像信號的各個位元分別相應於三個發光時間 週期 Tsl到 Ts3。發光時間週期的安排被表示爲 Ts1:TS2:TS3 = 22:2:1。雖然實施例是藉由3位元影像信號的實 施例來說明的，但位元數並不限於此。在使用η位元影像 信號的情形下，發光時間週期的長度的比値被表示爲 Tsl:Ts2:...:Tsn-l: Tsr^n-1:〗。-2:··.^。 灰度等級由一個圖框周期中出現的發光構件的持續時 間的長度的和値確定。例如，在發光構件在所有的發光時 間週期內都是發光的情形下，灰度等級是處在7。在發光構 件在所有的發光時間週期內都不發光的情形下，灰度等級 是處在0。 假設電流被加以校正以使得像素201，202和203顯示灰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 24 565820 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 度等級爲3，但像素203達到灰度等級3，而像素201顯示灰度 等級5以及像素2 0 2顯示灰度等級4。在這種情形下，像素2 01 的灰度等級高2級，而像素202的灰度等級高1級。 因此，影像信號校正電路用灰度等級1 (它比想要的灰 度等級3低2級）的校正的影像信號來校正加到像素201的影 像信號，這樣，它的發光構件只在Ts3的時間週期內才可以 發光。另一方面，影像信號校正電路用灰度等級2 (它比想 要的灰度等級3低1級）的校正的影像信號來校正加到像素 202的影像信號，這樣，它的發光構件只在Ts2的時間週期 內才發光。 雖然本實施例顯示其中校正是藉由使用具有最大性能 惡化的像素作爲參考而被執行的情形，但本發明並不限於 此。設計者可以任意規定參考像素和可以安排成把影像信 號按需要進行校正，從而實現灰度等級與參考像素的灰度 等級的一致性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在使用具有最低性能惡化的像素作爲參考的情形下， 影像信號基於加法被校正，這樣，對白色顯示的校正是無 效的。具體地，當“ 111111”作爲6位元影像信號被輸入時 ，不能進行任何進一步的相加。另一方面，在使用具有最 大性能惡化的像素作爲參考的情形下，影像信號基於減法 被校正。與基於加法的校正相反，校正的無效範圍是對於 黑色顯示，因此，對它沒有影響。具體地，當“ 000000” 作爲6位元影像信號被輸入時，不需要進行任何進一步的相 減，黑色的精確的顯示可以由正常的發光構件和性能惡化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 22 565820 A7 _______B7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的發光構件實現（只要藉由把發光構件設置在無發射狀態 下）。該方法具有這樣一個特性：如果顯示構件適合於顯 示具有稍大一些的數目的位元的資料，則與黑色點相鄰的 、比0大幾級的灰度等級的那些點基本上可被適當地顯示。 這兩種方法對於增加灰度等級的數目是有用的。 在另一個有效的方法中，基於加法的校正方法和基於 減法的校正方法組合地被使用，以給定的灰度等級作爲邊 界進行切換，由此互相補償各自的缺點。 實施例3 在實施例3中，以下的說明相關於到被提供用於本發明 的發光裝置的信號線驅動電路和掃描線驅動電路的組成。 圖6示例地顯示用於實施本發明的信號線驅動電路220 的示意性方塊圖。參考數位220a表示移位暫存器，220b表 示記憶體電路A，220c表示記憶體電路B，220d表示電流 變換電路，以及參考數位220e表示選擇電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 時脈信號CLK和啓動脈衝信號SP被輸入到移位暫存器 220a。數位影像信號被輸入到記憶體電路A 220b，而鎖存 信號被輸入到另一個記憶體電路B 220c。而且，選擇信號 被輸入到選擇電路220e。各個電路的運行按信號的流程被 描述爲如下。 根據時脈信號CLK和啓動脈衝信號SP經過預定的寫路 由到移位暫存器220 a的輸入’産生定時信號。然後’定時 信號被傳遞到被包括在記憶體電路A 22〇b中的每個多個問 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 53-- 565820 A7 ____ —_B7 五、發明説明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鎖A LATA_1-LATA —X。替換地，在移位暫存器22〇a中産生 的定時信號可以在經過緩存構件等放大定時信號後被輸入 到被包括在記憶體電路A 220b中的多個閂鎖A LATA_ 1 -LATΑ_χ 〇 當記憶體電路A 220b與輸入的定時信號同步地接收定 時信號時’來自數位視頻補償電路的、相應於丨位元的多個 數位影像信號在最終被傳遞到影像信號線2 3 〇之前，被串列 地輸入到上述的多個閂鎖A LATA_1 - LATA_x，以便儲存 在其中。 在本實施例中，多個數位影像信號被串列地寫入到包 括LATA—1 - LATA_x的記憶體電路a 220b。然而，本發明 的範圍並不只限於這種安排。例如，把存在於記憶體電路 A 220b中的多級閂鎖分割成多個組，以使得數位信號能夠 互相並行地同時輸入到每個各個組也是可實現的。這個方 法被稱爲“分組驅動”。被包括在一組中的級數被稱爲除 數。例如，當閂鎖被分割成多個4級的組時，這被稱爲四分 組驅動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 完成串列地寫入多個數位影像信號到記憶體電路A 220b中存在的所有的閂鎖級的處理過程的時間週期被稱爲 行周期。有一種情形是其中行周期是指把水平回掃周期附 加到行周期一起時的一個周期。 在終結一個行周期後，鎖存信號經過鎖存信號線23 1被 傳遞到在另一個記憶體電路B 220c中保持的多個閂鎖B LATB —l-LAT_x。同時，被存在於記憶體電路A 220b中的多 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 54 565820 A7 B7 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 個閂鎖LATA_1 - LATA_x保持的多個數位影像信號全部同 時被寫入到存在於上述的記憶體電路B 220c中的多個閂鎖 LATB_1 - LATB_x，以便儲存在其中。 電流變換電路220d包括多個電流設置電路Cl-Cx。根 據被輸入到每個電流設置電路C卜Cx的數位影像信號的1或 〇的二進位資料，確定要被傳遞到以下的選擇電路220e的信 號的信號電流Ic的幅度。具體地，信號電流Ic具有這樣的 、剛好夠引起發光構件發光的幅度，或具有這樣的、使得 發光構件不發光的幅度。 依據從選擇信號線232接收的選擇信號，選擇電路220e 確定以上的信號電流Ic是否應當被饋送到相應的信號線， 或使得電晶體Tr2接通的電壓是否應當被饋送到相應的信號 線。 圖7示例地顯示上述的電流設置電路C1和選擇電路D 1 的具體組成。應當看到，每個電流設置電路C2-Cx具有與 上述的電流設置電路C 1相同的組成。同樣地，每個選擇電 路D2-Dx具有與上述的選擇電路D1相同的組成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電流設置電路C1包括：電流源631，四個傳輸閘SW1-SW4,和一對反向器Inbl和Inb2。應當指出，被提供用於電 流供給源631的多個電晶體650是與上述的、被提供用於各 個像素的電晶體Trl和Tr2相同的。 在基於本發明的發光裝置中，可變電源661由電流補償 電路控制，由此改變加到被儲存在電流供給源6 3 1中的、運 算放大器的非反向輸入端的電壓’結果’從電流供給源63 1 ____ 25 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 ____B7 五、發明説明（23) 被饋送到SW1和SW2的電流的幅度可被控制。另外，對於 電流供給源63 1，它並不只限於如上所述的組成，控制輸出 電流的幅度的運行可以是隨電流供給源的組成而不同的。 傳輸閘SW1-SW4的切換運行由從存在於記憶體電路B 220c中的閂鎖LATB_1輸出的數位影像信號控制。被傳遞到 傳輸閘SW1和SW3的那些數位影像信號和被傳遞到傳輸閘 SW2和SW4的那些數位影像信號分別被反向器Inbl和Inb2 反向。因爲這種安排，在傳輸閘SW1和SW3保持接通的同 時，傳輸閘SW2和SW4保持關斷，以及反之亦然。 在傳輸閘SW1和SW3保持接通的同時，不同於0的預定 的數値的電流Id從電流供給源631經過傳輸閘SW1和SW3被 饋送到選擇電路D1，作爲信號電流Ic。 相反，在傳輸閘SW2和SW4保持接通的同時，從電流 供給源631輸出的電流Id經過傳輸閘SW2被接地。而且，流 過電源線VI-Vx的電源電壓經過傳輸閘SW4被加到選擇電 路D1，由此進入其中1C与0的條件。 選擇電路D1包括一對傳輸閘SW5和SW6以及反向器 Inb3。傳輸閘SW5和SW6的切換運行由切換信號控制。被分 別輸入到傳輸閘SW5和SW6的切換信號的極性藉由反向器 Inb3而成爲互相反向的，因此，在傳輸閘SW5保持接通的同 時，另一個門.SW6保持關斷，以及反之亦然。在傳輸閘 SW5保持接通的同時，以上的信號電流Ic被傳遞到信號線 S1。在傳輸閘SW6保持接通的同時，一個足以接通以上電 晶體Tr2的電壓被饋送到信號線S1。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) Γ^Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 五、發明説明（24 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再次參照圖6，以上的串列處理過程在存在於電流變換 電路220d的電流設置電路Cl-Cx中在一個行周期內同時被 執行。結果，要被傳遞到所有信號線的信號電流Ic的實際 數値由相應的數位影像信號選擇。 被使用於實施本發明的驅動電路的組成不僅僅限於在 以上的描述中闡述的那些結構。而且，在以上的描述中說 明的電流變換電路不僅僅限於圖7所示的結構。在被利用於 本發明的電流變換電路能夠使得數位影像信號被使用來選 擇信號電流Ic可以採取的任一個二進位數字値、和然後把 一個承載所選擇的數値的信號電流饋送到信號線的情況下 ，對於它，可以採用任何的組成方式。而且，在選擇電路 能夠選擇饋送信號電流Ic到信號線或把足以接通電晶體 Tr2的一定的電壓傳遞到信號線的情況下，除了圖7所示的 結構以外，也可以採用任何的組成用於選擇電路。 代替移位暫存器，利用像解碼器電路那樣的、能夠選 擇任何信號線的不同的電路也是可實現的。 接著，下面描述掃描線驅動電路的組成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖8示例地顯示掃描線驅動電路64 1的方塊圖，該電路 包括移位暫存器642和暫存器電路643。如果認爲必要的話 ，也可以提供電平移位器。 在掃描線驅動電路64 1中，在時脈信號CLK和啓動脈衝 信號SP被輸入時，産生定時信號。産生的定時信號被暫存 器電路643放大和緩存，然後被傳遞到相應的掃描線。 包括相應於一行的像素的那些電晶體的多個門被連接 ^27^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（25) 到各個掃描線。因爲需要同時接通被包括在相應於一行的 像素中的多個電晶體，暫存器電路643能夠容納大的電流的 流動。 應當指出，被提供用於本發明的發光裝置的掃描線驅 動電路641的組成不僅僅限於圖8所示的結構。例如，代替 上述的移位暫存器，利用如解碼器電路那樣的、能夠選擇 任何掃描線的不同的電路也是可實現的。 基於本發明的組成也可以藉由與實施例1或2自由地組 合而被實現。 實施例4 在依據本發明的實施例的發光裝置中，性能惡化校正 電路被形成在與提供像素部分的基底不同的基底上。被加 到發光裝置的影像信號在影像信號校正電路中得到校正， 然後經過FPC被輸入到信號線驅動電路，信號線驅動電路 被形成在包括像素部分的同一個基底上。這樣的方法的優 點在於，性能惡化校正構件可藉由對該構件的設計而提供 可相容性，因此允許直接使用通用發光面板。本實施例顯 示這樣一個方法，其中性能惡化校正構件被形成在包括像 素部分、信號線驅動電路、和掃描線驅動電路的同一個基 底上，由此達到花費減小，因爲明顯減小了元件數目，節 省了空間和高速度運行。 圖9顯示依據本發明的發光裝置的一種安排，其中性能 惡化校正構件以及像素部分，信號線驅動電路和掃描線驅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 加 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（26) 動電路都被集成地形成在同一個基底上。信號線驅動電路 402，掃描線驅動電路403，像素部分404，電源線405，FPC 406和性能惡化校正構件407被集成地形成在基底401上。不 用說，在基底上的佈局並不限於圖上所示的實施例。然而 ，有益的是在考慮信號線等的佈局或它們的線路長度的情 況下，將各個方塊被安排成互相緊密地靠近。 來自外部影像源的影像信號經過FPC 406被輸入到性能 惡化校正構件407的影像信號校正電路。隨後，校正的影像 信號被輸入到信號線驅動電路402。 另一方面，在性能惡化校正構件的電流校正電路中， 從信號線驅動電路的電流源輸出的電流量被校正。依據實 施例，從信號線驅動電路的電流源輸出的電流量藉由電流 校正電路被校正，但實施例並不限於這種安排。用於控制 流過發光構件的電流量的電流源不一定必須在信號線驅動 電路中設置。 在圖9所示的實施例中，性能惡化校正構件407被放置 在FPC 406與信號線驅動電路402之間，這樣，控制信號的 路由變得更方便。 本實施例可以與實施例1到3的任一項組合地實施。 實施例5 在這個實施例中，參照圖10到12所示的電路圖描述被 包括在本發明的發光裝置中的像素的結構。 依據圖10A所示的實施例的像素801包括信號線Si (S1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 565820 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7_ 五、發明説明（27 ) 到Sx之一），第一掃描線Gj(Gl到Gy之一），和電源線Vi ( VI到Vx之一）。像素801還包括電晶體Trl，Tr2，Tr3，Tr4jD Τι*5,發光構件802和電容803。雖然不一定需要電容，但電容 803被提供來更有效地保持在電晶體Trl和Tr2的閘極極與源 極間的電壓（閘極極電壓）。應當指出，這裏的電壓被規 定爲指與地的電位差，除非特別說明以外。 電晶體Tr4和Tr5把它們的閘極極連接到掃描線Gj。電 晶體Tr4的源極和汲極被分別連接到信號線Si和電晶體Trl 的汲極。電晶體Tr5的源極和汲極被分別連接到信號線Si 和電晶體Tr3的閘極極。 電晶體Trl和T:r2把它們的閘極極互相連接。電晶體 Trl和Τι*2的源極都被連接到電源線Vi。電晶體Trl把它的 閘極極與源極互相連接，以及把它的汲極連接到電晶體Τι*3 的源極。 電晶體Tr3把它的汲極連接到發光構件802的像素電極 。發光構件802具有陽極和陰極。在本說明書中，如果陽極 用作爲像素電極，則陰極是指計數器電極，而如果陰極用 作爲像素電極，則陽極是指計數器電極。 電晶體Τι*4和Tr5可以是η通道型或p通道型，只要電 晶體Tr4和Τι*5具有相同的極性。 另一方面，電晶體Trl，Td和Τι·3可以是η通道型或ρ 通道型，只要電晶體Trl，Tr2和Tr3具有相同的極性。如果 陽極用作爲像素電極和陰極用作爲計數器電極，則最好電 晶體Trl，Tr2和Tr3是p通道型。相反，如果陽極用作爲計 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（28 ) 數器電極和陰極用作爲像素電極，則最好電晶體Trl，Tr2 和Tr3是η通道型。 電容803把它的兩個電極分別連接到電晶體Tr3的閘極 極和電源線Vi。雖然不一定需要電容，但電容803被提供來 更有效地保持在電晶體Tr3的閘極極與源極間的電壓（閘極 極電壓）。另外，電容也被提供來更有效地保持在電晶體 Trl和Tr2的閘極極電壓。 在圖1 0 A所示的像素中，加到信號線上的電流藉由被包 括在信號線驅動電路中的電流源而被控制，而性能惡化校 正構件用來校正從電流源輸出的電流量。像素的灰度等級 是藉由由性能惡化校正構件校正的影像信號控制發光構件 802的發光時間週期而被校正的。 圖10B所示的像素805包括信號線Si ( S1到Sx之一）， 第一掃描線Gj(Gl到Gy之一），和電源線Vi ( VI到Vx之一 )。像素805還包括電晶體Trl，Tr2，Tr3和Tr4，發光構件 806,和電容807。雖然不一定需要電容，但電容807被提供來 更有效地保持在電晶體Trl和Tr2的各個閘極極與源極對上 的電壓（閘極極電壓）。 電晶體Tr3把它的閘極極連接到第一掃描線Gj。電晶 體Tr3的源極和汲極被分別連接到信號線Si和電晶體Trl的 汲極。 電晶體Tr4把它的閘極極連接到第一掃描線Gj。電晶 體Tr4的源極和汲極被分別連接到信號線Si和電晶體Trl與 Tr2的閘極極。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -31 - 565820 A7 B7 五、發明説明（29) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電晶體Trl和Tr2把它們的閘極極互相連接，以及把它 們的源極連接到電源線Vi。電晶體Τι·2的汲極被連接到發 光構件806的像素電極。電容807具有兩個電極，一個電極 被連接到電晶體Trl和Tr2的閘極極，以及另一個電極被連 接到電源線Vi。 發光構件806具有陽極和陰極。計數器電極被保持在給 定的電壓電平。 電晶體Trl和Tr 2可以是η通道型或p通道型，只要電 晶體Trl和Τι*2具有相同的極性。如果陽極用作爲像素電極 和陰極用作爲計數器電極，則最好電晶體Τι* 1和Tr2是ρ通 道型。相反，如果陽極用作爲計數器電極和陰極用作爲像 素電極，則最好電晶體Trl和Tr2是η通道型。 電晶體Tr3和Tr4可以是η通道型或ρ通道型，只要電 晶體Τι*3和ΤΜ具有相同的極性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1 0Β所示的像素中’加到信號線上的電流藉由被包 括在信號線驅動電路中的電流源而被控制，而性能惡化校 正構件用來校正從電流源輸出的電流量。像素的灰度等級 是藉由由性能惡化校正構件校正的影像〇信號控制發光構件 806的發光時間週期而被校正的。 圖10C所示的像素810包括信號線Si ( S1到Sx之一）， 第一掃描線Gj(Gl到Gy之一），第二掃描線？扒？1到py之一 )，和電源線V i ( V 1到V X之一）。像素8 1 0還包括電晶體

Trl，Tr2，Tr3和Tr4,發光構件811和電容812。 電日日體Tr 3和Tr4把匕們的聞極極連接到第一掃描線（}j 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡) - 565820 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 。電晶體Tr3的源極和汲極被分別連接到信號線Si和Tr2的 源極。TH的源極和汲極被分別連接到Tr2的源極和Trl的閘 極極。也就是，Tr3的源極和汲極的任一個被連接到Tr4的 源極和汲極的任一個。

Tr 1把它的源極連接到電源線Vi和把它的汲極連接到 Tr2的源極。Tr2把它的閘極極連接到第二掃描線Pj和把它 的汲極連接到被包括在發光構件8 11中的像素電極。發光構 件8 11包括像素電極，計數器電極，和被放置在像素電極和 計數器電極之間的有機發光層。發光構件8 11的計數器電極 被加上一個來自被設置在發光面板外部的電壓源的給定的 電壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Tr3和Tr4可以是η通道型或p通道型，只要電晶體Tr3 和Tr4具有相同的極性。Trl可以是η通道型TFT或p通道 型TFT，而Tr2可以是η通道型TFT或p通道型TFT。對於 發光構件的像素電極和計數器電極而言，其中的任一個包 括陽極而另一個包括陰極。在Tr 2是p通道型TFT的情形下 ，最好陽極被用作爲像素電極和陰極用作爲計數器電極。 相反，在Tr2是η通道型TFT的情形下，最好陰極被用作爲 像素電極和陽極用作爲計數器電極。 電容812被提供在Trl的閘極極和源極之間。雖然不一 定需要電容，但電容812被提供來更有效地保持在Τι*1的閘 極極與源極間的電壓（Vcs )。 在圖1 0C所示的像素中，加到信號線上的電流藉由被包 括在信號線驅動電路中的電流源而被控制，而性能惡化校 本紙張尺度適用中酬家標準（CNS ) A4規格（2!0Χ297公釐)-33 - 565820 Α7 B7 五、發明説明（31 正構件用來校正從電流源輸出的電流裊。像素的灰度等，級 是藉由由性能惡化校正構件校正的影像信號控制發光構件 811的發光時間週期而被校正的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖11人所示的像素815包括信號線以（31到以之一） ，第一掃描線Gj(Gl到Gy之一），第二掃描線^(]?1到py之 一），和電源線V i ( V 1到V X之一）。像素8丨5還包括電晶體 Trl，Tr2，Tr3和Tr4,發光構件816和電容817。 電晶體Tr3和Tr4把它們的閘極極連接到第一掃描線Gj 。電晶體T r 3的源極和汲極被分別連接到信號線s i和電晶 體Tr 1的閘極極。Tr4的源極和汲極被分別連接到信號線Si 和電晶體Trl的汲極。 電晶體Trl把它的源極連接到電源線Vi和把它的汲極 連接到電晶體Tr2的源極。電晶體Tr2把它的閘極極連接到 第二掃描線Pj和把它的汲極連接到被包括在發光構件8 1 6中 的像素電極。發光構件的計數器電極被保持在給定的電壓 電平。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電晶體Tr3和TM可以是η通道型或p通道型，只要電 晶體Tr3和Tr4具有相同的極性。 電晶體Trl和Tr2可以是η通道型或P通道型’只要電 晶體Trl和Τι·2具有相同的極性。如果陽極被用作爲像素電 極和陰極用作爲計數器電極，則電晶體Trl和Tr2最好是Ρ 通道型電晶體。相反，如果陽極被用作爲計數器電極和陰 極用作爲像素電極，則電晶體Trl和Tr2最好是η通道型電 晶體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -34: 565820 A7 _____ B7 五、發明説明（32 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電容8 1 7被提供在T r 1的閘極極和源極之間。雖然不一 定需要電容，但電容817被提供來（更有效地）保持在電晶體 Trl的閘極極與源極間的電壓（閘極極電壓）。 在圖11 A所示的像素中，加到信號線上的電流藉由被包 括在信號線驅動電路中的電流源而被控制，而性能惡化校 正構件用來校正從電流源輸出的電流量。像素的灰度等級 是藉由由性能惡化校正構件校正的影像信號控制發光構件 8 1 5的發光時間週期而被校正的。 圖11B所示的像素820包括信號線Si ( S1到Sx之一）， 第一掃描線Gj(Gl到Gy之一），第二掃描線pj(pi到py之一 )，第三掃描線R j (R 1到R y之一），和電源線v i ( V1到V X之一 )° 像素820還包括電晶體1^1，7^2，1^3，1^4和1^5，發光構件 821和電容822。雖然不一定需要電容，但電容822被提供來 更有效地保持在電晶體Trl和Tr2的各個鬧極極與源極對上 的電壓（閘極極電壓）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電晶體Tr3把它的閘極極連接到第一掃描線Gj。電晶 體Τι·3的源極和汲極被分別連接到信號線Si和電晶體Trl的 汲極。 電晶體Tr4把它的閘極極連接到第二掃描線pj。電晶體 Tr4的源極和汲極被分別連接到信號線S i和電晶體Tr 1和 Tr2的聞極極。 電晶體Tr5把它的閘極極連接到第三掃描線Rj。電晶體 Tr5的源極和汲極被分別連接到電晶體Trl的汲極和電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 _ B7 __ 五、發明説明（33 )

Tr2的汲極。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電晶體Trl和Tr2把它的閘極極互相連接，以及把它們 的源極連接到電源線Vi。電晶體Tr2的汲極連接到發光構 件8 2 1的像素電極。計數器電極被保持在給定的電壓電平。 電容822具有兩個電極，一個電極被連接到電晶體Trl 和Tr2的閘極極，以及另一個電極被連接到電源線Vi。 電晶體Trl和Tr2可以是η通道型或p通道型，只要電 晶體Tr 1和Tr2具有相同的極性。如果陽極被用作爲像素電 極和陰極用作爲計數器電極，則電晶體Trl和Tr2最好是p 通道型。相反，如果陽極被用作爲計數器電極和陰極用作 爲像素電極，則電晶體Trl和Tr2最好是n通道型。 電晶體Tr3，Tr4和Tr5可以是η通道型或ρ通道型。 在圖1 1 Β所示的像素中，加到信號線上的電流藉由被包 括在信號線驅動電路中的電流源被控制，而性能惡化校正 構件用來校正從電流源輸出的電流量。像素的灰度等級是 藉由由性能惡化校正構件校正的影像信號控制發光構件8 2 i 的發光時間週期而被校正的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 1C所示的像素825包括信號線Si ( S1到Sx之一）， 第一掃描線Gj(Gl到Gy之一），第二掃描線。（^到py之一 )，第二b描線GNj(GNl到GNy之一），第二掃描線GHj(GHl到 GHy之一），第一電源線\^(¥1到Vx之一），第二電源線 VLi(VLl到VLx之一）和電流線CLi ( CL1到CLx之一）。像 素825還包括電晶體1^1，1^2,7^3，1^4,7^5，1^6和1^7，發光構件 826和電容827和828。 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) M規格（21GX297公楚）---- 565820 A7 __ B7 五、發明説明（34) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電晶體Trl把它的閘極極連接到第一掃描線Gj〇Trl的 源極和汲極被分別連接到信號線Si和Tr2的閘極極。Tr3把 它的閘極極連接到第二掃描線Pj。Tr3的源極和汲極被分別 連接到第二電源線VLi和Tr2的閘極極。電容828被提供在 Tr2的閘極極與第二電源線VLi之間。

Tr4，Tr5，Tr6和Tr7組成電流源829。Tr4和Tr5把它們的 閘極極互相連接，以及把它們的源極連接到第一電源線Vi 。Tr7把它的閘極極連接到第三掃描線GNj。τι*7的源極和汲 極被分別連接到電流線Cli和Τι*5的汲極。Tr6把它的閘極極 連接到第二掃描線GHj。Tr6的源極和汲極被分別連接到 Tr4與Tr5的閘極極和Tr5的汲極。電容827被提供在Tr4與 Tr5的閘極極和第一電源線Vi之間。Τι*2的源極和汲極被分 別連接到Tr4的汲極和發光構件826的像素電極。 在圖1 1 C所示的像素中，由性能惡化校正構件校正的影 像信號被加到信號線Si，而從電流源850提供到電流線Cli的 電流由性能惡化校正構件校正。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖12A所示的像素830包括電晶體Trl，Tr2，Tr3和Tr4,電 容831和發光構件832。

Trl把它的閘極極連接到端點833。Trl的源極和汲極被 分別連接到被包括在信號線驅動電路的電流源834和Τι*3的 汲極。Tr2把它的閘極極連接到端點8 3 5。Tr3的源極和汲極 被分別連接到Τι*3的汲極和Tr3的閘極極。也就是，Tr3和 Tr4把它們的閘極極互相連接，以及把它們的源極連接到端 點83 6。Tr4的汲極被連接到發光構件832的陽極，發光構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（35) 的陰極被連接到端點837。電容831被提供來保持在Tr3與 Τι*4的各個閘極極和源極對上的電壓。端點83 6和837每個被 加上一個來自每個電源的預定的電壓，因此在它們之間具 有電壓差。 在圖12Α所示的像素中，從電流源834輸出的電流由用 來校正從電流源834輸出的電流量的性能惡化校正構件進行 控制。像素的灰度等級是藉由由性能惡化校正構件校正的 影像信號控制發光構件832的發光時間週期而被校正的。 圖12Β所示的像素840包括電晶體Trl，Tr2，Ti*3和Τι*4,電 容841和發光構件842。

Trl把它的閘極極連接到端點843。Trl的源極和汲極被 分別連接到被包括在信號線驅動電路的電流源844和Τι*3的 源極。Tr4把它的閘極極連接到端點843。Tr4的源極和汲極 被分別連接到Tr3的閘極極和Tr3的汲極。Tr2把它的閘極極 連接到端點845。Tr2的源極和汲極被分別連接到端點846和 Tr3的源極。TM把它的汲極連接到發光構件842的陽極，發 光構件的陰極被連接到端點847。電容84 1被提供來保持在 Tr3的閘極極和源極間的電壓。端點846和847每個被加上來 自每個電源的預定的電壓，因此在它們之間具有電壓差。 在圖12B所示的像素中，從電流源844輸出的電流由用 來校正從電流源844輸出的電流量的性能惡化校正構件進行 控制。像素的灰度等級是藉由由性能惡化校正構件校正的 影像信號控制發光構件842的發光時間週期而被校正的。 本發明的實施例可以與實施例1到4的任一項相組合地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 五、發明説明（36 ) 被實施。 實施例6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在實施例6中，描述本發明的發光裝置的製造方法。應 當指出’在實施例6中，描述圖10B所示的像素構件的製造 方法以作爲實施例。還應當指出，本發明的製造方法可被 應用於本發明的、具有其他組成的像素部分。而且，雖然 在實施例6中，顯示了具有電晶體Tr2和Tr3的像素構件的截 面圖，但電晶體Trl和Tr4也可以參照實施例6的製造方法被 製造。另外，在實施例6中，顯示了一個例子，其中被提供 在具有TFT的像素部分的周界上的驅動電路（信號線驅動 電路和掃描線驅動電路）是同時用在同一個基底上的像素 部分的TFT來形成的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，如圖1 3 A所示，由絕緣薄膜，諸如氧化矽薄膜， 氮化矽薄膜或氮氧化矽薄膜組成的基本薄膜302被形成在由 玻璃組成的基底301上，諸如由Coning公司的#7059玻璃和 # 1 737玻璃代表的矽硼酸鋇玻璃或矽硼酸鋁玻璃。例如，形 成了由SiH4，NH3,和N2〇藉由電漿CVD方法形成的氮氧化矽 薄膜302a，它具有從10到200nm(較佳地50到100nm)的厚度。 同樣地，由SiKU和N2〇形成的、具有從50到200nm(較佳地 100到150nm)的厚度的、氫化處理的氮氧化矽薄膜在其上形 成層狀結構。在本實施例中，基本薄膜302具有2層的結構 ，但也可以被形成爲上述的絕緣薄膜之一的單層薄膜，或 具有上述絕緣薄膜的兩層以上的多層薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（37) 像島那樣的半導體層303到306是從藉由在具有非晶體 結構的半導體薄膜上進行鐳射結晶方法或已知的熱結晶方 法得到的結晶半導體薄膜而形成的。每個這些像島那樣的 半導體層303到306具有從25到80nm(較佳地30到60nm)的厚度 。對於結晶半導體薄膜的材料沒有加以限制，但結晶半導 體薄膜最好由矽、矽鍺（SiGe)合金等形成。 當結晶半導體薄膜是用鐳射結晶方法進行製造時，使 用脈衝振盪型或連續發光構件型的激態雷射器、YAG雷射 器和YV〇4雷射器。當使用這些雷射器時，最好使用這樣一 個方法，其中從鐳射振盪器輻射的雷射光束被光學系統聚 焦成線性形狀，然後被照射到半導體薄膜。結晶條件由操 作者適當地選擇。當使用激態雷射器時，脈衝振盪頻率被 設置爲300Hz，以及鐳射能量密度被設置爲從1〇〇到 400mj/cm2(典型地200到300mj/cm2)。當使用 YAG雷射器時 ，脈衝振盪頻率較佳地被設置爲從30到300kHz (藉由使用 它的二次諧波），以及鐳射能量密度較佳地被設置爲從300 到600mj/cm2(典型地350到500mj/cm2)。被聚焦成直線形狀和 具有從100到1000 // m (例如400 // m )的寬度的雷射光束照 射到整個基底表面。這時，直線雷射光束的重疊比被設置 爲從50到90%。 應當指出.，可以使用連續發光構件型或脈衝振盪型的 氣體雷射器或固態雷射器。氣體雷射器，諸如激態雷射器 ，Ar雷射器，Kr雷射器；和固態雷射器，諸如YAG雷射 器，YV〇4雷射器，YLF雷射器，ΥΑ1〇3雷射器，玻璃雷射器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 了40 _ I --------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（38) ，紅寶石雷射器，紫翠玉雷射器，Ti:藍寶石雷射器可被用 作爲雷射光束。另外，其中摻雜Ci*，Nd，Er，Ho，Ce，Co，Ti或 Tm等的晶體，諸如YAG雷射器，YV〇4雷射器，YLF雷射 器，yai〇3雷射器，可被用作爲固態雷射器。雷射器的基波 是不同的，它取決於摻雜的材料，所以得到具有約1 /z m的 基波的雷射光束。藉由使用非線性光學元件，可以得到一 個對應於基波的諧波。 而且，在從固態雷射器發射的紅外線鐳射藉由非線性 光學元件改變成綠色鐳射後，可以使用藉由另一個非線性 光學元件得到的紫外線鐳射。 當進行非結晶半導體薄膜的結晶時，最好藉由使用固 態雷射器（它能夠連續振盪）加上基波的二次諧波到四次 諧波’以便得到大的晶粒尺寸的結晶。典型地，最好加上 Nd:YV〇4雷射器（i〇64nm的基波）的二次諧波（具有532nm 的厚度）或三次諧波（具有3 5 5nm的厚度）。具體地，從具 有10瓦輸出的連續振盪型YV〇4雷射器發射的雷射光束藉由 使用非線性光學元件被變換成諧波。另外，有一種藉由把 YV〇4的晶體和非線性光學元件加到諧振器中而形成發射諧 波的方法。然後，更較佳地，雷射光束被光學系統形成爲 具有矩形形狀或橢圓形狀，從而去照射要被處理的基底。 這時’需要約〇.〇1到l〇〇MW/cm2 (較佳地0.1到l〇MW/cm2 ) 的能量密度。半導體薄膜以大約10到2〇〇〇cm/s的速率相對 於雷射光束行動，以便能夠照射半導體薄膜。 接著’形成覆蓋像島那樣的半導體層3〇3到3〇6的閘極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) M規格（21Qx 297公餐） 565820 Α7 Β7 五、發明説明（39 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 格絕緣薄膜307。閘極格絕緣薄膜307是藉由使用電漿CVD 方法或濺射方法從包含矽和具有從40到15Onm的厚度的絕緣 薄膜來形成的。在本實施例中，閘極格絕緣薄膜5007是從 具有120nm的厚度的氮氧化矽薄膜形成的。然而，閘極格絕 緣薄膜並不限於這樣的氮氧化矽薄膜，而它可以是包含其 他矽和具有單層或分層結構的絕緣薄膜。例如，當使用氧 化矽薄膜時，TEOS (四乙基原矽酸鹽）和〇2可藉由等離子 CVD方法來形成，反應壓力被設置爲40Pa (帕），基底溫 度被設置爲從300到400 °C，以及高頻（13·56ΜΗζ )功率密 度被設置爲從0.5到0.8 W/cm2以用於放電。因此，氧化矽薄 膜可以藉由放電被形成。這樣製造的氧化矽薄膜在藉由從 400到5 00 °C的熱退火形成閘極格絕緣薄膜時可以得到較佳 的特性。 用於形成閘極極的第一導電薄膜308和第二導電薄膜 309被形成在閘極格絕緣薄膜307上。在本實施例中，具有50 到lOOnm的厚度的第一導電薄膜308是由Ta(鉬）製成的，以 及具有1〇〇到300nm的厚度的第二導電薄膜309是由W(鎢）製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成的。

Ta薄膜是藉由濺射方法被形成的，以及Ta靶由Ar(氬） 進行濺射。在這種情形下，當適當的量的Xe和Κι:被添加 到Ar時，Ta薄膜的內部應力被釋放，可以防止這個薄膜脫 落。α相態的Ta薄膜的電阻率約爲20/ζ Ω cm，這個Ta薄膜 可被用於閘極極。然而，/3相態的T a薄膜的電阻率約爲 180 // Ω cm，它不適合於用於閘極極。當具有接近於α相態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（40 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的Ta的晶體結構和厚度約爲10到50nm的氮化鉬被事先形成 爲用於Ta薄膜的基底以便形成α相態的Ta薄膜時，α相 態的Ta薄膜可以容易地得到。 W薄膜是藉由濺射方法用W作爲靶而被形成的。而且 ，W薄膜也可以藉由熱CVD方法使用六氟化鎢（WF6)被形成 。無論如何，必須減小使用這種薄膜作爲閘極極的阻力。 希望設置W薄膜的電阻率等於或小於20 // Ω cm。當W薄膜 的結晶晶粒尺寸增加時，W薄膜的電阻率可被減小。然而 ，當在W薄膜內有許多雜質元素（諸如氧等）時，會阻止 進行結晶，以及電阻率會增加。因此，在濺射方法的情形 下，使用純度爲99.9999%或99.99%的W靶，以及W薄膜是 藉由在形成薄膜時非常小心地不把來自氣相的雜質混合到 W薄膜而被形成的。因此，可以實現9到20// Ω cm的電阻率 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，第一導電薄膜308是由Ta製成的，以 及第二導電薄膜309是由W製成的。然而，本發明並不限於 這種情形。每個這些導電薄膜也可以由從Ta，W，Ti，Mo，Al和 Cu中選擇的元素或具有這些元素作爲主要成分的合金材料 或混合物材料被製成。而且，也可以使用由摻雜以雜質元 素（諸如磷）的多矽薄膜代表的半導體薄膜。除了在本實 施例中顯示的那些以外的組合的例子包括：其中第一導電 薄膜308由氮化鉅（TaN)製成和第二導電薄膜309由W製成 的組合；其中第一導電薄膜308由氮化鉅（TaN )製成和第 二導電薄膜309由A1(鋁）製成的組合；以及其中第一導電薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（41 ) 膜308由氮化鉅（TaN)製成和第二導電薄膜309由Cu(銅）製 成的組合（圖13A)。 接著，遮罩3 1 0由抗蝕劑製成，以及執行用於形成電極 和引線的第一鈾刻處理。在本實施例中，使用ICP (感應親 合電漿）鈾刻方法，並將〇匕和Cl2與用於蝕刻的氣體混合 。500瓦的RF ( 13.56MHz)功率在IPa的壓力下加到線圏型 電極上，以使得産生電漿。100瓦的RF ( 13.56MHz )功率也 被加到基底端（樣本級），以及加上基本上負的自偏壓。 當CF4和Cl2被混合時，W薄膜和Ta薄膜被蝕刻到相同的程 度。 在以上的蝕刻條件下，第一導電層和第二導電層的末 端部分藉由加到基底邊緣的偏壓的影響被做成楔形的形狀 ，爲此，需要把由抗蝕劑形成的遮罩的形狀做成適當的形 狀。楔形部分的角度被設置爲從15°到45°。最好把蝕刻時間 增加約10到20%的比値，以便執行蝕刻而在閘極格絕緣薄膜 上不留下殘留物。因爲氮氧化矽薄膜對W薄膜的選擇比的 範圍是從2到4 (典型地是3 )，氮氧化矽薄膜的暴露面由於 過蝕刻處理被蝕刻約20到5 Onm。因此，由第一和第二導電 層形成的第一形狀的導電層311到314 (第一導電層311a到 314a和第二導電層31 lb到314b)，可以藉由第一鈾刻處理 被形成。一個沒有被第一形狀的導電層3 11到3 14覆蓋的區 域將在閘極格絕緣薄膜307中被蝕刻約20到50nm，從而形成變 薄的區域。而且，遮罩310的表面也藉由以上的蝕刻過程而 被蝕刻。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A7 B7 五、發明説明（42 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，用於給出η型導電性的雜質元素藉由執行第一 摻雜處理過程被添加上。摻雜方法可以是離子摻雜方法或 離子注入方法。離子摻雜方法是在劑量被設置爲從1x10"到 5Χ1014原子/cm2以及加速電壓被設置爲從60到lOOkeV的條件 下實行的。屬於第1 5組的元素（典型地，磷（P )或砷（As ))被用作爲用於給出η型導電性的雜質元素。然而，這 裏使用磷（Ρ )。在這種情形下，導電層3 11到3 14用作爲對 於用於給出η型導電性的雜質元素的遮罩，以及第一雜質 區域317到320以自對準方式被形成。用於給出η型導電性 的雜質元素以從U102°到lxlO21原子/cm3的範圍的濃度被添加 到第一雜質區域317到320 (圖13B)。 接著執行第二蝕刻處理過程，而不用去除如圖1 3C所示 的保護遮罩。W薄膜藉由使用CF4，Ch和〇2作爲蝕刻氣體 被選擇地蝕刻。第二形狀的導電層325到328 (第一導電層 3 25a到328a和第二導電層3 25b到3 28b)藉由第二蝕刻處理 被形成。沒有被第二形狀的導電層325到328覆蓋的區域被 進一步鈾刻約20到50nm，從而形成變薄的區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在使用CF4和Ch的混合氣體蝕刻W薄膜或Ta薄膜時 的蝕刻反應可被假設爲根據所産生的原子團或離子形式和 反應産物的汽相壓力。當W和Ta的氟化物和氯化物的氣相 壓力被比較時，作爲W的氟化物的WF6的氣相壓力極高， 以及其他的WCh，TaF5和TaCh的汽相壓力互相近似相等。 因此，W薄膜和Ta薄膜藉由使用CF4和Ch的混合氣體被蝕 刻。然而，當適當量的〇2被加到這個混合氣體時，CF4D 〇2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（43 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 起反應，成爲CO和F，這樣，産生大量F原子團或F離子 。結果，其氟化物具有高的氣相壓力的W薄膜的鈾刻速度 增加。與此相反，當F增加時，對於Ta薄膜，蝕刻速度的 增加是相對較小的。因爲Ta比起W是更容易氧化的’ Ta 薄膜的表面藉由附加上〇2而被氧化。因爲Ta的氧化物不與 氟或氯化物起反應，Ta的鈾刻速度進一步減小。因此，有 可能得出在W薄膜與Ta薄膜之間的鈾刻速度的差値，從而 使W薄膜的蝕刻速度可被設置爲高於Ta薄膜的蝕刻速度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖14 A所示，然後執行第二摻雜處理過程。在本例中 ，藉由.把劑量減小到低於第一摻雜處理時的劑量，用於給 出η型導電性的雜質元素可以以比起第一摻雜處理更小的 劑量和以高的加速電壓被摻雜。例如，加速電壓被設置爲 從70到120keV，以及劑量被設置爲1x10"原子/cm2。因此，新 的雜質區域是在被形成在圖1 3B上的像島那樣的半導體層中 的第一雜質區域內被形成的。在摻雜時，第二形狀的導電 層3 25到328被用作爲對於雜質元素的遮罩，以及摻雜被執 行成使得雜質元素也被添加到第一導電層325a到3 28a下面 的區域。因此，形成第三雜質區域332到3 3 5，該區包含磷 (P)，它具有與在第一導電層3 25a到3 28a的楔形部分中的 厚度梯度一致的和緩的梯度濃度。在覆蓋第一導電層325a 到3 28a的楔形部分的半導體層中，雜質濃度在中心附近比 起第一導電層3 25a到3 28a的楔形部分的邊緣處稍微低一些 。然而，該差別非常小，以及在整個半導體層中保持幾乎 相同的雜質濃度。 -46 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（44 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後實行第三蝕刻處理，如圖14B所示。以CHF6用作 爲鈾刻氣體，以及採用反應離子鈾刻（RIE )。藉由第三蝕 刻處理，第一導電層325a到328a的楔形部分被局部地鈾刻 ，以便減小其中第一導電層與半導體層重疊的區域。因此 ，第三形狀導電層336到339 (第一導電層336a到3 39a和第 二導電層336b到339b )就這樣地被蝕刻。這時，沒有與第 三形狀導電層336到3 39重疊的閘極格絕緣薄膜307的區域被 進一步蝕刻，以及減薄約20到50nm。 第三雜質區域3 3 2到3 3 5藉由第三蝕刻處理被形成。分 別與第一導電層3 3 6a到3 39a重疊的第三雜質區域3 3 2a到 3 3 5a以及第二雜質區域3 32b到335b中的每個被形成在第一 雜質區域與第三雜質區域之間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖14C所示，具有與第一種導電類型相反的導電類型 的第四雜質區域343到348被形成在像島那樣的半導體層303 和306上，以用於形成P通道型TFT。第三形狀的導電層 336b和339b被用作爲針對雜質元素的遮罩，以及雜質區域 以自對準的方式被形成。這時，用於形成η通道TFT的像 島那樣的半導體層304和305利用保護遮罩350來整體地覆蓋 。雜質區域343到348已用磷以不同的濃度來摻雜。雜質區 域343到348藉由離子摻雜用乙硼烷（B2H6)來摻雜，以及它 的雜質濃度在各個雜質區域中被設置爲從2x1 02()到2x1 021原 子 / c m3。 藉由以上步驟，雜質區域被形成在各個像島那樣的半 導體層上。與像島那樣的半導體層重疊的第三形狀導電層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（45 ) 336到339用作爲閘極極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在保護遮罩3 5 0被去除後’執丨了啓動添加到像島那樣的 半導體層中的雜質元素的步驟，以便控制導電類型。這個 處理過程是藉由使用用於爐內退火的退火爐的熱退火方法 來執行的。而且，可以應用鐳射退火方法或快速熱退火方 法（RTA方法）。在熱退火方法中，這個處理過程是在從 400到700°C的溫度下（典型地從500到600°C )在氮氣氛圍內 進行的，其中氧濃度等於或小於1 ppm，較佳地，等於或小於 O.lppm。在本實施例中，熱處理是在500°C溫度下執行4小時 。當在第三形狀導電層3 36到339中使用的連線材料抗熱性 很弱時，最好在形成層間絕緣薄膜（以矽作爲主要成分） 後進行啓動，以便保護連線等等。 當採用鐳射退火方法時，可以使用在晶體化時使用的 雷射器。當執行啓動時，行動速度被設置爲與晶體化處理 過程一樣，以及需要約0.01到100MW/cm2的能量密度（較佳 地，0.01 到 10MW/cm2)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，熱處理是在從300到450°C的溫度下並在包括3到 100%的氫氣氛圍內進行1到12小時，這樣，像島那樣的半導 體層被氫化處理。這個步驟是藉由使用熱激勵的氫來終結 半導體層的懸挂鍵。也可以執行電漿氫化（使用由電漿激 發的氫）以作爲用於氫化處理的另一個措施。 接著，如圖15A所示，第一層間絕緣薄膜3 5 5由具有100 到200nm厚度的氮氧化矽薄膜來形成。由有機絕緣材料做成 的第二層間絕緣薄膜356被形成在第一層間絕緣薄膜上。此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 __ B7 五、發明説明（46 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 後，接觸通孔被形成爲藉由第一層間絕緣薄膜3 5 5、第二層 間絕緣薄膜356和閘極格絕緣薄膜307，以及連接引線357到 362被做成圖案和被形成。注意，參考數位362是電源引線 ，以及參考數位360是信號引線。 以有機樹脂作爲材料的薄膜被用作爲第二層間絕緣薄 膜3 5 6。聚 亞胺，聚 胺，聚丙烯，BCB (苯並環丁烷） 等可被用作爲這種有機樹脂。具體地，因爲第二層間絕緣 薄膜3 5 6主要被提供用來實現平面化，爲了使薄膜平坦，性 能優良的聚丙烯是較佳的。在本實施例中，形成具有可足 以塡平由TFT造成的平坦度差別的厚度的聚丙烯薄膜。它 的薄膜厚度較佳地被設置爲從1到5 // m (更較佳地，被設置 爲從2到4 // m )。 在形成接觸通孔時，分別形成可達到η型雜質區域3 1 8 和319或ρ型雜質區域345和348的接觸通孔，以及可達到容 性引線（未示出）的接觸通孔（未示出）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，三層結構的疊層薄膜被做成想要的形狀的圖案 ，以及被用作爲連接引線3 57到362和3 80。在這個三層結構 中，藉由濺射方法連續地形成具有100nm厚度的Ti薄膜， 具有300nm厚度的含Ti的鋁薄膜，和具有150nm厚度的Ti 薄膜。 被連接到連接引線362的像素電極365藉由做成圖案而 被形成。 在本實施例中，llOnm厚度的ITO薄膜被形成爲像素 電極365，以及被做成圖案。藉由排列像素電極365而實現 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -49 - 565820 A7 __ B7 五、發明説明（47 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接觸，這樣，這個像素電極365與連接電極362相接觸，以 及與這個連接引線362相重疊。而且，也可以使用藉由把2 到2 0 %的氧化鋅（Ζ η 0 )與氧化銦相混合而得到的透明導電 薄膜。這個像素電極365成爲OLED構件的陽極（圖15Α ) 〇 如圖15Β所示，接著形成具有500nm厚度和包含矽的絕 緣薄膜（在本實施例中是氧化矽薄膜）。再形成用作爲堤 (bank )的第三層間絕緣薄膜366，在其中在相應於像素電 極3 65的位置上形成一個開孔。當開孔被形成時，藉由使用 濕式蝕刻法，開孔的側壁可以容易做成楔形的。當開孔的 側壁不夠緩和時，由平整度差別造成的有機發光層的性能 惡化成爲顯著的問題。 接著’藉由使用不暴露在大氣中的真空蒸發方法，連 續地形成有機發光層367和陰極（MgAg電極）368。有機發 光層367具有從80到200nm的厚度（典型地，從1〇〇到120nm )和陰極（MgAg電極）368具有從180到300nm的厚度（典 型地，從200到250nm)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在這個處理過程中，有機發光層是對於相應於紅色的 像素、相應於綠色的像素、和相應於藍色的像素順序地形 成的。在這種情形下，由於有機發光層對於溶劑沒有足夠 的抵抗力，有機發光層對於每個顔色必須分開地形成，而 不是使用光刻技術。所以，最好使用金屬遮罩覆蓋除了想 要的像素以外的部分，這樣，有機發光層只在需要的部分 被選擇地形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） 565820 A7 _ B7__ 五、發明説明（48) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 也就是說，首先設置用於覆蓋除了相應於紅色的像素 以外的部分的遮罩，藉由使用這種掩模，可以有選擇地形 成用於發射紅光的有機發光層。接著’設置用於覆蓋除了 相應於綠色的像素以外的部分的遮罩’以及用於發射綠色 光的有機發光層藉由使用這個遮罩被選擇地形成。接著’ 類似地設置用於覆蓋除了相應於藍色的像素以外的部分的 遮罩，以及用於發射藍色光的有機發光層藉由使用這個遮 罩被選擇地形成。這裏，使用不同的遮罩，但代之以可以 重復地使用相同的單個遮罩。 這裏，使用了用於形成相應於RGB的三種OLED構件 的系統。然而，可以使用一個其中用於發射白光的OLED 構件和彩色濾色片相組合的系統，一個其中用於發射藍色 .或藍綠色光的OLED構件和螢光物質（螢光彩色變換媒體 :CCM )相組合的系統，以及一個其中藉由利用透明電極 等從而可以用陰極（相反的電極）來重疊分別相應於R，G 和B的各個OLED構件的系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 已知的材料可被用作爲有機發光層367。有機材料在考 慮驅動電壓時較佳地被用作爲已知的材料。例如，包含電 洞注入層、電洞輸送層、發光層、和電子注入層的四層結 構，較佳地被使用於有機發光層。 接著，形成陰極368。本實施例將MgAg用於陰極，但 並不限於此。對於陰極也可以使用其他已知的材料。 由像素電極3 65、有機發光層367和陰極368組成的重疊 部分相應於OLED 375。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） H ~ - 565820 A7 B7 五、發明説明（49 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著藉由蒸發方法形成保護電極369。保護電極369可 以在形成陰極368後接連地被形成，使得裝置不暴露在大氣 中。保護電極369具有保護有機發光層367不受水氣和氧影 響的作用。 保護電極369也防止陰極368退化。保護電極的典型的 材料是主要包含鋁的金屬薄膜。當然也可以使用其他材料 。因爲有機發光層367和陰極368對抗水氣的能力極差，所 以希望使有機發光層367，陰極368、和保護電極369接連地 被形成，而不把它們暴露在大氣中。最好保護有機發光層 不接觸到外面的大氣。 最後，從具有300nm厚度的氮化矽薄膜形成鈍化薄膜 370。鈍化薄膜370保護有機化合物層367不受水氣等等的影 響，從而進一步增強OLED的可靠度。然而，鈍化薄膜370 不一定必需被形成。 這樣完成了如圖15B所示結構的發光裝置。參考符號 371表示驅動電路的p通道TFT，372表示驅動電路的η通道 TFT，373表示電晶體ΤΜ，以及374表示電晶體Tr*2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例的發光裝置由於不單在像素部分中而且在驅 動電路中設置了最佳構建的TFT，所以呈現非常高的可靠 性和改進的運行特性。在晶體化步驟中，薄膜用金屬催化 劑（諸如Ni )被摻雜，以便增強結晶度。藉由增強結晶度 ，信號線驅動電路的驅動頻率可被設置爲10MHz或更高。 實際上，達到圖1 5B的狀態的裝置藉由使用高度氣密的 和幾乎不允許氣體透過的保護薄膜（諸如，疊層薄膜和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5〇 ) uv-可固化的樹脂薄膜）或透光的密封膠而被封裝（密閉） ，以使得進一步避免暴露到外部大氣。在封口內的空間可 被設置爲惰性氣體氛圍或把吸濕物質（例如，氧化鋇）放 置在其中，以便改進OLED的可靠度。 在確保藉由封裝和其他處理的氣密性後，附加上連接 端子，以便使外部信號端與從被形成在基底上的構件或電 路引出的端子相連接。 藉由進行本實施例中顯示的處理過程，在製造發光裝 置時所需要的光遮罩的數目可被減小。結果，處理過程被 縮短，以及減小製造成本和提高生産量。 本實施例可以藉由與實施例1到5自由組合而被完成。 實施例7 在本實施例中，藉由使用一種有機發光材料（其中可 以採用來自三態激勵的螢光），可以顯著地提高外部光發 射量效率。結果，發光構件的功率消耗可被減小，發光構 件的壽命可以延長，有機發光構件的重量可以減輕。 以下是藉由使用三態激勵提高外部光發射量效率的報 告(T.Tsutsui,C.Adachi, S.Saito， “Photochemical processes in Organized Molecular Systems (在組織的模組系統中的光 化學處理過程）” ，ed.K.Honda(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo ，1991)ρ·437)。 由以上論文所報導的有機發光材料（香豆素顔料）的 分子式被表示如下： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（51 )

化学分子式1 (M.A.Baldo，D.F·O’Brien, Y. You, A.Shoustikov，S. Sibley， M.E.Thompson,S.R.Forrest,Nature 395(1998)p.l51) 由以上論文所報導的有機發光材料（Pt絡合物）的分 子式被表不如下：

Et Et

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化学分子式2 (M.A.Baldo,S.Lamansky,P.E.Burrows,M.E.Thompson, S. R.Forrest,Appl.Phys.Lett.,75( 1999)p.4) (T.Tsutsui,M.J.Yang,M.Yahiro,K.Nakamura,T.Watanabe, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T. Tsuji,Y.Fukuda ,T.Wakimoto,S.Mayaguchi,Jpn Appl. Phys., 38(12B)( 1999)L1 502 ) 由以上論文所報導的有機發光材料（Ir絡合物）的分 子式被表示如下： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（52 ) 化学分子式3 如上所述，如果來自三態激勵的螢光可被付諸實用， 則它在原理上比起在使用來自單態激勵的螢光的情形下， 可以實現三到四倍高的外部光發射量效率。 依據本實施例的結構可以與實施例1到6的任何結構相 組合而自由地被實施。 實施例8 在本實施例中，下面描述作爲本發明的半導體裝置之 一的、發光裝置的像素的組成。圖1 6顯示被構建在依據本 實施例的發光裝置中的像素的截面圖。爲了簡化相關的說 明’只顯示具有像素的η通道型TFT和控制被饋送到像素 電極的電流的p通道型TFT，其他TFT可以藉由參照圖16 所示的組成而被製造。 參照圖16，參考數位751表示η通道型TFT，而參考數 位752表示p通道型TFT。η通道型TFT 751包括半導體薄膜 7 5 3,第一絕緣薄膜770,一對第一電極754和755,第二絕緣薄膜 771，以及一對第二電極756和757。半導體薄膜753包括具有 第一雜質濃度的“一種導電類型”雜質區域758，具有第二 雜質濃度的“一種導電類型”雜質區域759，和一對“通道 形成”區域760和761。

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（53 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例中，第一絕緣薄膜770包含一對分層的絕緣 薄膜77 0a和77 0b。替換地，提供由單層絕緣薄膜或包括三 個或更多的疊層的絕緣薄膜組成的第一絕緣薄膜770也是可 實現的。 一對通道形成區域760和761藉由被安排在其間的第一 絕緣薄膜770而與一對第一電極754和755相對。另一個通道 形成區域760和761藉由把第二絕緣薄膜771夾心在其中間， 也被疊加在一對第二電極756和757上。 P通道型TFT 752包括半導體薄膜780,第一絕緣薄膜 770,第一電極7 82,第二絕緣薄膜771，以及第二電極781。半導 體薄膜7 80包括具有第三雜質濃度的“ 一種導電類型”雜質 區域783，和“通道形成”區域784。 通道形成區域784與第一電極782藉由第一絕緣薄膜770 而互相相對。而且，通道形成區域784和第二電極781也藉 由被安排在其間的第二絕緣薄膜771而互相相對。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，雖然圖16上未示出，一對第一電極754 和7 5 5與一對第二電極756和757互相電連接。應當指出，本 發明的範圍不僅僅限於以上的連接關係，實現其中第一電 極754和755與第二電極75 6和757沒有電連接而是加上預定的 電壓的這樣的組成也是可實施的。替換地，也有可能實現 其中第一電極7 82與第二電極781沒有電連接而是加上預定 的電壓的這樣的組成。 與只利用一個電極的情形相比較，藉由加上預定的電 壓到第一電極782，可以防止發生起始値的潛在變化，而且 ^56^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（54 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，可以抑制關斷電流。再者，藉由加上相同的電壓到第一 和第二電極，與顯著地減小半導體薄膜的厚度的情形相同 地，耗散層快速地擴散，因此使得有可能減小副起始係數 和進一步提高場效應遷移率。因此，與利用一個電極的情 形相比較，有可能提高接通電流的數値。而且，藉由採用 上述的、基於上述組成的TFT，有可能降低驅動電壓。而 且，因爲有可能增加接通電流的數値，所以有可能縮小 TFT的實際的尺寸（特別是通道寬度），有可能提高集成 密度。 實施例8可以藉由與實施例1到7的任一項自由地組合而 被實施。 實施例9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，下面描述作爲本發明的半導體裝置之 一的、發光裝置的像素的組成。圖17顯示被構建在依據本 實施例的發光裝置中的像素的截面圖。爲了簡化相關的說 明，只顯示具有像素的η通道型TFT和控制被饋送到像素 電極的電流的P通道型TFT，其他TFT可以藉由參照圖17 所示的組成而被製造。 參考數位911表示圖17上的基底，以及參考數位912表示 成爲基底的絕緣薄膜（此後稱爲基底薄膜）。光傳輸基底 ，典型地是玻璃基底，石英基底，玻璃陶瓷基底，或結晶 玻璃基底，可被用作爲基底9 11。然而，所使用的基底必須 是在製造過程期間能夠承受最高處理溫度的基底。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（55 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考數位820 1表示η通道型TFT，而參考數位8202表示 p通道型TFT。η通道型TFT 8201包括源極區域913，汲極 區域914，一對LDD區域915a-915d，分割區域916和其中具有 一對通道形成區域917&9171)的工作層，閘極格絕緣薄膜918 ，一對閘極極電極9 19a和919b，第一層間絕緣薄膜920和信 號引線921，連接引線922。應當指出，閘極格絕緣薄膜91 8 和第一層間絕緣薄膜920對於在基底上的所有的TFT可以是 共同的，或可以是取決於電路或構件而不同的。 而且，圖17所示的η通道型TFT 820 1被電連接到閘極 極電極9 1 9a和9 1 9b，成爲所謂的雙閘極極結構。當然不僅 僅可以使用雙閘極極結構，也可以使用多閘極極結構（包 含具有形成串聯地連接的區域的兩個或多個通道的工作層 的結構），諸如三閘極極結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多閘極極結構在減小關斷電流方面是極其有效的，以 及如果Tr5的關斷電流被充分地降低，被連接到p通道型 TFT 8202的閘極極的貯存電容可以使得它的電容量減小到 必須的最小値。也就是，貯存電容器的表面積可被做得更 小，所以，使用多閘極極結構在擴展有機發光構件的有效 的發光構件表面積方面也是有效的。 另外，LDD區域915a到915 d被形成爲在η通道型TFT 820 1的閘極格絕緣薄膜上而不重疊閘極極電極919a和919b 。這種類型的結構在減小關斷電流方面是極其有效的。而 且，LDD區域915a到915d的長度（寬度）可被設置爲從〇·5 到3.5 // m，典型地在2.0與2.5 // m之間。而且，當使用具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（56 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 兩個或多個閘極極電極的多閘極極結構時，分割區域9 1 6 ( 它是這樣一區域，在其中，添加了具有與添加到源極區或 汲極區的相同的濃度的相同的雜質）在減小關斷電流方面 是有效的。 接著，形成p通道型8202，它具有一個工作層（其中 包含源極區域926，汲極區域927，和通道區域929 );閘極 格絕緣薄膜918 ;閘極極電極930 ;第一層間絕緣薄膜920 ; 連接引線931 ;和連接引線932。p通道型8202在實施例9中 是P通道TFT。 順便說明，閘極極電極930是單結構；閘極極電極930 可以是多結構。 形成在像素內的TFT的結構已在上面說明，但在這裏 也同時形成驅動電路。圖17上顯示成爲用於形成驅動電路 的基本構件的CMOS電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具有這樣的結構（其中熱載流子注入被減小，而在運 行速度上沒有過大的降低）的TFT被用作爲圖17上的CMOS 電路的η通道TFT 8204。應當指出，術語驅動電路在這裏 表示源極信號線驅動電路和閘極極信號線驅動電路。也有 可能形成其他邏輯電路（諸如，電平移位器，A/D變換器， 和信號分頻電路）。 CMOS電路的η通道TFT 8204的工作層包含源極區域 935，汲極區域936，LDD區域937，和通道區域93 8。LDD 區域937藉由閘極格絕緣薄膜918與閘極極電極939重疊。 只在汲極區域936側形成LDD區域937，是爲了不降低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（57 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 運行速度。而且，不必非常關心η通道TFT 8204的關斷電 流，以及對運行速度更多地重視是有利的。因此，希望 LLD區域937被做成完全重疊閘極極電極，以便把電阻分量 降低到最小。所以，最好是消除所謂的偏移。 而且，由於熱載流子注入，幾乎不需要關心CMOS電 路的P通道TFT 8205的退化，所以，實際上不需要形成 LLD區域。所以，它的工作層包含源極區域940，汲極區域 941，和通道區域942，以及閘極格絕緣薄膜91 8和閘極極電 極943被形成在工作層。當然，也有可能藉由形成類似於η 通道TFT 8204中那樣的LDD區域而進行熱載流子注入測量 〇 參考數位961到965是形成通道區域942，93 8， 917a，917b，和 929的遮罩。 而且，η通道TFT 8204和p通道TFT 8205分別在它們 的源極區域具有藉由第一層間絕緣薄膜920的源極引線944 和945。另外，η通道TFT 8204和p通道TFT 8205的汲極區 域藉由汲極引線946互相電連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 應當指出，本實施例的結構可以藉由與實施例1到7自 由組合被實施。 實施例10 對於本實施例的以下的說明關係到利用陰極作爲像素 電極的像素的組成。 圖1 8示例地顯示依據本發明的像素的截面圖。在圖1 8 -bU - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（58) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上，被制做在基底3501上的η通道TFT 3502是藉由應用傳 統的方法製造的。在本實施例中，使用基於雙閘極極結構 的η通道TFT 3 502。然而，採用單閘極極結構，或三閘極 極結構，或包含三個以上的閘極極電極的多閘極極結構也 是可實施的。爲了簡化說明，只顯示具有像素的η通道型 TFT和控制被饋送到像素電極的電流的ρ通道型TFT，其他 TFT也可以藉由參照圖18所示的結構而被製造。 P通道TFT 3 503可以藉由應用已知的方法被製造。參考 數位38表示的引線相應於用於電鏈結上面的ρ通道TFT 3503的閘極極電極39a與它的另一個閘極極電極39b的掃描 線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖18所示的本實施例中，以上的ρ通道TFT被示例 性地顯示爲具有單閘極極結構。然而，P通道TFT可以具 有多閘極結構，其中多個TFT互相被串聯連接。而且，也 可以引入這樣的結構，它把通道形成區域基本上分割成互 相並行連接多個TFT的多個部分，由此使得它們能夠以更 高的效率輻射熱量。這種結構對於克服TFT的熱老化相當 有效。 第一層間絕緣薄膜41被形成在η通道TFT 3502和ρ通 道TFT 3 503上。而且，由樹脂絕緣薄膜製成的第二層間絕 緣薄膜42被形成在第一層間絕緣薄膜41上。藉由利用第二 層間絕緣薄膜42充分地整平由TFT供應而産生的臺階是極 其重要的。這是因爲，由於以後要形成的有機發光層是極 薄的，這樣的步驟會引起錯誤的光發射。考慮到這一點， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（59 ) 在形成像素電極以前，希望盡可能地整平上述的臺階，這 樣，有機發光層可被形成在完全平整的表面上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖18的參考數位43表示像素電極，即，一個由高反射 的導電薄膜組成的、被提供來用於發光構件的陰極。像素 電極43被電連接到p通道型TFT 3503的汲極區域。對於像 素電極43，希望使用具有低電阻値的導電薄膜，諸如鋁合 金薄膜，銅合金薄膜，或銀合金薄膜，或這些合金薄膜的 疊層。當然，也可以利用這樣的結構：它採用包括上述的 合金薄膜與具有導電性的其他種類的金屬薄膜相組合的疊 層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8示例地顯示被形成在凹槽（這相應於像素）內側 的發光層45，該凹槽是在由樹脂的絕緣薄膜製成的一對斜 坡44a和44b之間産生的。雖然圖18上未示出，分開地形成 分別相應於紅、綠、和藍的三種顔色的多個發光層，也是 可實現的。有機發光材料，諸如π -共轭聚合物材料，被利 用來組成發光層。典型地，可供使用的聚合物材料包括以 下材料：聚對苯乙烯（PPV)，聚乙烯哧唑（PVK)，和多 氟化物。 有各種各樣的、包括上述的PPV的有機發光材料。例 如，可以使用在以下的出版物中闡述的這樣的材料： H.Shenk,H.Becker, O.Gelsen,E.Kluge, W.Spreitzer "Polymers for Light Emitting Diodes(用於發光二極體的聚合物）”，Eur〇

Display，Proceedings，1999. pp.33-37,以及在 JP-i〇_92576A 中 闡述的這樣的材料。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62 - ---------- 565820 A7 B7 五、發明説明（60 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲上述發光層的具體的例子，可以使用氰基-聚苯乙 烯撐，以用於組成發射紅色光的層；聚苯乙烯撐，用於組 成發射綠色光的層；和聚苯或多烷基苯，用於組成發射藍 色光的層。假設各個發光層的厚度被規定爲從30nm到 1 5 0 n m的範圍，較佳地，在從4 0 n m到1 0 0 n m的範圍。 然而，以上的說明僅僅關係到可供使用於組成發光層 的有機發光材料的典型的例子，然而，可應用的有機發光 材料並不一定限於上述的那些材料。因此，有機發光層（ 用於使能發光以及它的載流子運動的層）可以與發光層， 電荷輸送層，電荷注入層互相自由組合。 例如，本實施例示例地顯示其中利用聚合物材料來組 成發光層的這樣的情形。然而，也有可能利用包括低分子 重量化合物的有機發光材料。爲了組合電荷輸送層和電荷 注入層，也有可能利用諸如碳化矽那樣的無機材料。各種 傳統上已知的材料可被用作爲有機材料和無機材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 在本實施例中，具有疊層結構的有機發光層被形成， 其中由聚硫茂（聚噻吩）（PEDOT)或聚苯胺（PAni)製成 的電洞注入層46被形成在發光層45上。由透明導電薄膜組 成的陽極電極47被形成在電洞注入層46上。在圖20所示的 像素中，由發光層45産生的光沿TFT的上表面的方向照射 。正因爲此，陽極電極47必須是光滲透性的。爲了形成透 明的導電薄膜，可以利用包括氧化銦和氧化錫的化合物或 包括氧化銦和氧化鋅的化合物。然而，由於透明的導電薄 膜是在完成具有很差的抗熱性的發光層45和電洞注入層46 本紙張尺度適财關家標準（CNS ) A4規格（21()x297公釐):63 _ 565820 A7 B7 五、發明説明（61) 的成形後被形成的，所以希望陽極電極47在盡可能低的溫 度下被形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在完成陽極電極47的成形後，發光構件3505被完成。 這裏，發光構件35 05配備有像素電極（陰極電極）43，發 光層45，電洞注入層465，和陽極電極47。由於像素電極43 的面積基本上與像素的總的面積相一致，整個像素本身用 作爲發光構件。因此，在實際使用上，得到極其高的發光 構件效率，由此，使得有可能以高的發光度顯示影像。 本實施例還在陽極電極47上提供第二鈍化薄膜48。希 望把氮化矽或氮氧化矽用於組成第二鈍化薄膜48。第二鈍 化薄膜48遮蔽發光構件3505以便使其與外部隔開，從而防 止由有機發光材料的氧化造成的發光構件的不希望的老化 ，也防止氣體成分離開有機發光材料。藉由以上的安排， 發光裝置的可靠性進一步增強。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，圖18所示的、本發明的發光裝置包括像素 部分，其中每個具有如那裏示例地顯示的組成。具體地， 發光裝置利用具有足夠低的關斷電流値的TFT 3502和能夠 充分承受加熱的載流子的注入的TFT 3 503。因爲這些有利 的特性，圖1 8所示的發光裝置具有增強的可靠性，以及可 顯不淸晰的影像。 順便提及，實施例10的結構可以藉由與實施例1到7的 結構自由地組合而被實施。 實施例11 ^64 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 _______ B7 五、發明説明（62 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用發光構件的發光裝置是自發射型的，因此在有光 的地方比起液晶顯示裝置對於顯示的影像具有更優越的可 辨認性。而且，發光裝置具有更寬的視角。因此，發光裝 置可被應用於各種電子設備中的顯示部分。 使用本發明的發光裝置的這樣的電子設備包括視頻視 頻照相機，數位照相機，護目鏡型顯示器（頭戴顯示器） ’導航系統，聲音重現設備（汽車音頻設備和音頻構件） ’筆記型電腦，遊戲機，可攜式資訊端點機（行動電腦， 行動電話，可攜式遊戲機，電子記事本等），包括記錄媒 體的影像重現設備（更具體地，可重現記錄媒體（諸如數 位多功能碟片（DVD )等）的設備，以及包括用於顯示重 現的影像的顯示器）等等。具體地，在可攜式資訊端點的 情形下，發光裝置的使用是較佳的，因爲很可能會從斜方 向被觀看的可攜式資訊端點常常要求具有寬的視角。圖1 9 分別顯示這樣的電子設備的各種具體實施例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖19A顯示一個顯示構件，包括外罩2001，支撐台2002 ，顯示部分2003，揚聲器部分2004，視頻輸入部分2005，等 等。本發明可應用於顯示部分2003。發光裝置是自發射型 ，所以不需要背光，因此，它的顯示部分比起液晶顯示構 件具有更薄的厚度。有機發光顯示構件包括用於顯示資訊 的整個顯示構件，諸如個人電腦，電視廣播接收機和廣告 顯示牌。 圖19B顯示數位靜止照相機，它包括主體2101，顯示部 分2102，影像接收部分2103，操作按鍵21Ό4，外部連接埠 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（63 ) 2 1 05 ’快門2 1 06等等。依據本發明的發光裝置被使用作爲顯 示部分2 1 02，由此實現依據本發明的數位靜止照相機。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖19C顯示筆記型電腦，它包括主體22〇1，外罩22〇1， 顯示部分2203，鍵盤2204，外部連接埠2205，指示滑鼠2206 等等。依據本發明的發光裝置被使用作爲顯示部分22〇3， 由此完成依據本發明的筆記型電腦。 圖19D顯示行動電腦，它包括主體23〇1，顯示部分2302 ，開關2303，操作按鍵2304，紅外埠2305等等。依據本發明 的發光裝置被使用作爲顯示部分2302，由此實現依據本發 明的行動電腦。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 9E顯示包括記錄媒體的可攜式影像重現設備（更具 體地，DVD重現設備），它包括主體2401，外套2402，顯 示部分A 2403，另一個顯示部分B 2404，記錄媒體（DVD 等）讀出部分2405，操作按鍵2406，揚聲器部分2407等等。 顯示部分A 2403主要被使用於顯示影像資訊，而顯示部分 B 2404主要被使用於顯示字元資訊。包含記錄媒體的影像重 現設備可包括遊戲機等。依據本發明的發光裝置被使用作 爲顯示部分A 2403和B 2404，由此實現依據本發明的影像 重現設備。 圖1 9F顯示護目鏡型顯示器（頭戴顯示器），它包括主 體250 1，顯示部分2502，鏡臂部分2503等等。依據本發明的 發光裝置被使用作爲顯示部分2502，由此實現依據本發明 的護目鏡型顯示器。 圖1 9G顯示包括視頻視頻照相機，它包括主體260 1，顯 -66 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（64) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 示部分2602，外套2603，外部連接埠2604，遙控接收部分 2605，影像接收部分2606，電池2607，聲音輸入部分2608， 操作按鍵2609，耳機2610等等。依據本發明的發光裝置被使 用作爲顯示部分2602，由此實現依據本發明的視頻視頻照 相機。 圖19H顯示行動電話，它包括主體2701，外罩2702，顯 示部分2703，聲音輸入部分2704，聲音輸出部分2705，操作 按鍵2706，外部連接埠2707，天線2708等等。應當指出，顯 示部分2703藉由在黑色背景上顯示白色字元可減小行動電 話的功率消耗。依據本發明的發光裝置被使用作爲顯示部 分2703，由此實現依據本發明的行動電話。 當從有機發光材料發射的光的更亮的發光度在將來成 爲可提供時，依據本發明的發光裝置將可應用於前向型或 後向型投影儀，其中包括輸出影像資訊的光藉由要被投影 的透鏡被放大。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述的電子設備很可能使用於顯示藉由電信通路（諸 如，互聯網，CATV (有線電視系統））進行發佈的資訊， 並且特別是很可能顯示活動影像資訊。發光裝置適合於顯 示活動影像，因爲有機發光材料可呈現高的回應速度。 發光裝置的發光部分消耗功率，所以希望在顯示資訊 時使得其中的發光部分變成爲盡可能小。因此’當發光裝 置被應用到主要顯示字元資訊的顯示部分時’例如可攜式 資訊端點（更具體地，行動電話或聲音重現設備）的顯示 部分時，希望這樣地驅動發光裝置以使得字元資訊由發光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（65 ) 部分形成’而非發射部分相應於背景。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，本發明可被各種各樣地應用於在所有領域 中很寬範圍的電子設備。在本實施例中的電子設備可以藉 由利用具有由實施例1到1〇的結構自由地組合的結構的發光 裝置而得到。 實施例1 2 實施例顯示一個被具有176xRGBX220像素的發光裝置所 利用的性能惡化校正構件，它被用來對於每種顔色校正代 表6位元灰度等級的影像信號。描述了性能惡化校正構件的 具體的安排。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖22是顯示本實施例的性能惡化校正構件的方塊圖。 在圖上，已描述的那些元件分別用相同的參考數位表示。 如圖22所示，計數器102包括採樣電路501，暫存器502，加 法器503，和行記憶體504 ( 1 76x3 2位元）。影像信號校正電 路507包括積分電路505，暫存器506，運算電路507，和RGB 暫存器508 ( RGBW位元）。揮發性記憶體108包括兩個 SRAM 509和5 10 ( 25 6x 1 6位元），這兩個SRAM具有像素數 目x32位元的總的容量（約4M位元）。本實施例採用快閃 記憶體作爲分揮發性記憶體109。除了揮發性記憶體108和 非揮發性記憶體109以外，在記憶體電路部分106中提供兩 個暫存器5 11和5 1 2。 非揮發性記憶體1 09儲存發光時間週期或灰度等級的累 積資料以及每個像素的性能惡化程度的資料。在發光裝置 -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（66) 啓動時，沒有發光時間週期或灰度等級被積累，這樣，非 揮發性記憶體109保持“ 〇” 。 在發光裝置啓動時，被儲存 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在非揮發性記憶體109中的資料被轉移到揮發性記憶體1〇8 〇 當光發射開始時，積分電路505把6位元影像信號乘以 被儲存在暫存器506中的校正係數，由此而校正影像信號。 初始的校正係數是1。爲了提高積分電路505的校正精度，6 位元影像信號被變換成7位元影像信號。藉由乘以校正係數 而被加以校正的影像信號被發送到信號線驅動電路1 〇 1或後 級的電路，諸如子圖框周期産生電路（未示出），以用於 處理影像信號，從而建立在影像信號與子圖框周期之間的 相應關係。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，藉由乘以校正係數而被加以校正的7位元信 號被計數器1 02中的採樣電路50 1採樣，然後被發送到暫存 器5 0 2。應當指出，如果所有的影像信號都被發送到暫存器 502 ’則採樣電路501是不必要的。然而，揮發性記憶體108 的谷星會藉由提供用於採樣的設施而被減小。如果影像信 號的每次採樣是基於每秒被執行的，則基底上揮發性記憶 體108的面積可被減小到1/60。 雖然依據以上的描述，每次採樣是基於每秒被執行的 ，但本發明並不限於此。 採樣的影像信號從暫存器502被發送到加法器5〇3，被 儲存在揮發性記憶體1 08中的發光時間週期或灰度等級的累 積資料經過暫存器511和512被輸入到該加法器503。暫存器 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 565820 A7 B7 五、發明説明（67 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 11和5 1 2被提供用於調節從揮發性記憶體108輸入到加法器 5 03的資料的時序。然而，如果資料可以從揮發性記憶體 108足夠快速地被取出，則暫存器511和512可被省去。 加法器5 0 3把作爲被採樣的影像信號保持的資訊的發光 時間週期或灰度等級附加到被儲存在揮發性記憶體1 08中的 發光時間週期或灰度等級的累積資料上。然後，最後得到 的資料被儲存在級176的行記憶體504。在本實施例中，由 行記憶體504和揮發性記憶體1〇8處理的資料被規定爲每個 像素包含32位元。這個容量的記憶體能夠儲存約18〇〇〇小時 的資料。 被儲存在行記憶體504中的發光時間週期或灰度等級的 累積資料再次被取出以便貯存在揮發性記憶體1 08中，以及 在1秒延遲後再次讀出，這樣，採樣的影像信號被附加上。 這樣，使相加運算順序地執行。 可以作出一個安排，以使得當電源被關斷時，揮發性 記憶體108中的資料被儲存在非揮發性記憶體109，由此避 免與揮發性記憶體108中的記憶體丟失有關的問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖23是顯示運算電路507的方塊圖。被儲存在揮發性記 憶體108中的發光時間週期或灰度等級累積資料被輸入到功 能構件5 1 3。功能構件5 1 3使用被儲存在揮發性記憶體1 08中 的發光時間週期或灰度等級累積資料和被儲存在校正資料 貯存電路11 2中的時變發光度特性的資料來計算校正係數。 最終得到的校正係數被臨時儲存在8位元行記憶體5 14，然 後被儲存在SRAM 516。SRAM 516適合於儲存用於代表每個 :70 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 A7 _ B7 五、發明説明（68 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 像素的256灰度等級的校正係數的8位元資料。校正係數在 被輸入到積分電路505之前被臨時儲存在暫存器506，在積 分電路中，藉由把影像信號乘以輸入的校正係數而執行校 正。 類似於本發明的實施例所顯示的情形，電流校正電路 111把先前被儲存在校正資料貯存電路11 2中的時變發光度 特性與被儲存在揮發性記億體1 0 8中的、代表每個像素的發 光時間週期或灰度等級的累積資料進行比較，由此獲取每 個像素的性能惡化程度。然後，該電路檢測受到最大性能 惡化的特定的像素，以及依據特定的像素的性能惡化程度 去校正從電流源1 04提供到像素部分103的電流値。具體地 ，電流値被增加，以使得特定的像素可顯示想要的灰度等 級。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於提供到像素部分1 0 3的電流値是根據特定的像素被 校正的，過量的電流被提供到比該特定的像素較少性能惡 化的其他像素的發光構件，所以，其他像素不能達到想要 的灰度等級。因此，影像信號校正電路1 1 0校正用於確定每 個其他像素的灰度等級的影像信號。除了發光時間週期或 灰度等級的累積資料以外，影像信號被輸入到影像信號校 正電路110。影像信號校正電路110把把先前被儲存在校正 資料貯存電路1 1 2中的時變發光度特性與每個像素的發光時 間週期或灰度等級的累積資料進行比較，由此獲取每個像 素的性能惡化程度。這樣，該電路檢測受到最大性能惡化 的特定的像素，以及根據特定的像素的性能惡化程度去校 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羞) ~ 71 - 565820 A7 ____ B7 五、發明説明（69 ) 正輸入的影像信號。具體地，影像信號被加以校正，以便 得到想要的灰度等級。校正的影像信號被輸入到信號線驅 動電路101。 本發明的實施例可以與本發明的實施例3到丨i的任一項 相組合地被實施。 本發明提供這樣的發光裝置，它適合於藉由電路來校 正與不同的發光時間週期有關的發光構件的性能惡化以及 能夠作出免受發光度變化的一致的螢幕顯示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 565820 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 1. 一種發光裝置，包括： 多個發光構件； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電流源，用於提供電流給多個發光構件； 計算構件，根據用於控制多個發光構件的發光時間週 期的影像信號，計算每個多個發光構件的發光時間週期或 灰度等級的積累； 儲存構件，用於儲存發光構件的時變發光度特性的資 料； 一種構件，用於根據多個發光構件的發光時間週·期或 灰度等級的計算的積累來確定發光構件的發光度變化量， 和用於校正從電流源提供到多個發光構件的電流以使得在 多個發光構件中的一個特定的發光構件的發光度回到初始 値；以及 校正構件，用於校正影像信號，以使得在所述那一個 特定的發光構件的發光度變化量與其他的發光構件的發光 度變化量之間的差値被補償，以及用於校正其他發光構件 的灰度等級。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. 依據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中當所述那 一個特定的發光構件的發光度變化量相對於初始値的比値 達到給定的數値時，中止對從電流源提供到多個發光構件 的電流的校正。 3. —種包括依據申請專利範圍第1項的發光裝置之電子 設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇的 :顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -73- 565820 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍2 可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相機 、和行動電話。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4.一種發光裝置，包括： 多個發光構件； 電流源，用於提供電流給多個發光構件； 計算構件，根據用於控制多個發光構件的發光時間週 期的影像信號，計算每個多個發光構件的發光時間週期或 灰度等級的積累； 儲存構件，用於儲存發光構件的時變發光度特性的資 料； 一種構件，用於根據多個發光構件的發光時間週期或 灰度等級的計算的積累來確定發光構件的發光度變化量， 和用於校正從電流源提供到多個發光構件的電流以使得在 多個發光構件中間的一個特定的發光構件的發光度回到初· 始値；以及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 校正構件，用於校正影像信號，以使得在所述那一個 特定的發光構件的發光度變化量與其他的發光構件的發光 度變化量之間的差値被補償，以及用於校正其他發光構件 的灰度等級， 其中用於控制其他發光構件的灰度等級的影像信號比 起受到影像信號校正的所述那一個特定的發光構件來說， 增加了 m位元，m表示整數。 5·依據申請專利範圍第4項的發光裝置，其中當所述那 一個特定的發光構件的發光度變化量相對於初始値的比値 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 一 "" -74 - 565820 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍3 達到給定的數値時，中止對從電流源提供到多個發光構件 的電流的校正。 6. —種包括依據申請專利範圍第4項的發光裝置之電子 設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇的 :顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦、 可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相機 、和行動電話。 7. —種發光裝置，包括： 多個發光構件； 電流源，用於提供電流到多個發光構件； 一種構件，用於對用於控制多個發光構件的發光時間 週期的影像信號採樣若干次，用於檢測從每個多個發光構 件的光發射的存在或不存在，以及用於計數每個多個發光 構件的光發射的數目； 儲存構件，用於儲存發光構件的時變發光度特性的資 料； 一種構件，用於根據從每個多個發光構件的光發射的 數目對檢測的總的計數的比値和發光構件的時變的發光度 特性資料來確定每個多個發光構件的發光度變化量，和用 於校正從電流源提供到多個發光構件的電流以使得在多個 發光構件中間的一個特定的發光構件的發光度回到初始値 的；以及 校正構件，用於校正影像信號，以使得在所述那一個 特定的發光構件的發光度變化量與其他的發光構件的發光 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -75- 565820 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 ^一 ~ 度變化量之間的差値被補償，以及用於校正每個其他發光 構件的灰度等級。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 8·依據申請專利範圍第7項的發光裝置，其中當所述那 一個特定的發光構件的發光度變化量對初始値的比値達到 給定的數値時，中止對從電流源提供到多個發光構件的電 流的校正。 9· 一種包括依據申請專利範圍第7項的發光裝置的電子 設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇的 :顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電·腦、 可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相機 、和行動電話。 10.—種發光裝置，包括： 多個發光構件； 電流源，用於提供電流到多個發光構件； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一種構件，用於對用於控制多個發光構件的發光時間 週期的影像信號採樣若干次，用於檢測從每個多個發光構 件的光發射的存在或不存在，以及用於計數每個多個發光 構件的光發射的數目； 儲存構件，用於儲存發光構件的時變發光度特性的資 料； 一種構件，用於根據從每個多個發光構件的光發射的 數目相對於總的檢測的計數的比値和發光構件的時變的發 光度特性來確定每個多個發光構件的發光度變化量’和用 於校正從電流源提供到多個發光構件的電流以使得在多個 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -76- 565820 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園5 發光構件中旳一個特定的發光構件的發光度回到初始値； 以及 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 校正構件，用於校正影像信號，以使得在所述那一個 特定的發光構件的發光度變化量與其他的發光構件的發光 度變化量之間的差値被補償，以及用於校正每個其他發光 構件的灰度等級。 其中用於控制另一個發光構件的灰度等級的影像信號 比起受到影像信號校正的所述那一個特定的發光構件來說 ，增加了 m位元，m表示整數。 11·依據申請專利範圍第10項的發光裝置，其中當所述 那一個特定的發光構件的發光度變化量對初始値的比値達 到給定的數値诗，中止對從電流源提供到多個發光構件的 電流的校正。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12·—種包括依據申請專利範圍第10項的發光裝置的電· 子設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇 的：顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦 、可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相 機、和行動電話。 13.—種發光裝置，包括： 多個第一發光構件； 電流源，用於提供電流到多個第一發光構件； 計算構件，根據影像信號，計算每個多個第一發光構 件的發光時間週期的和値； 儲存構件’用於根據發光構件的發光時間週期的和値 本紙張尺度適用中關家料（CNS )八4胁（21()><297公兼） -77- 565820 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍6 ，儲存第二發光構件的發光度變化量； 一種構件，用於根據發光構件的發光時間週期的和値 ，從每個多個第一發光構件的發光時間週期的的和値與被 儲存的第二發光構件的發光度變化量確定每個多個第一發 光構件的發光度變化量，用於從多個第一發光構件中檢測 具有發光時間週期的最大和値的一個特定的第一發光構件 ，和用於根據所述那一個特定的第一發光構件的發光度變 化量來校正從電流源提供到多個第一發光構件的電流’以 使得所述那一個特定的第一發光構件的發光度回到初始値 ;以及 校正構件，用於校正影像信號，以使得在所述那一個 特定的第一發光構件的發光度變化量與其他的發光構件的 發光度變化量之間的差値被補償，以及用於校正其他第一 發光構件的灰度等級。 14. 依據申請專利範圍第13項的發光裝置，其中貯存構 件包括靜態記憶體電路。 15. 依據申請專利範圍第13項的發光裝置，其中貯存構 件包括動態記憶體電路。 1 6.依據申請專利範圍第1 3項的發光裝置，其中貯存構 件包括鐵電記憶體電路。 17.依據申請專利範圍第13項的發光裝置，其中當所述 那一個特定的發光構件的發光度變化量對初始値的比値達 到給定的數値時，中止對從電流源提供到多個發光構件的 電流的校正。 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~" --r--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -78 - 565820 A8 Β8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 8 · —種包括依據申請專利範圍第1 3項的發光裝置的電 子設備’其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇 的·威不構件、數位f#止照相機、筆記型電腦、行動電腦 、可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相 機、和行動電話。 19.一種發光裝置，包括： 多個第一發光構件； 電流源，用於提供電流到多個第一發光構件； 計算構件，根據影像信號，計算每個多個第一發·光構 件的發光時間週期的和値； 儲存構件，用於根據發光構件的發光時間週期的和値 ，儲存第二發光構件的發光度變化量； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一種構件’用於根據發光構件的發光時間週期的和値 ，從每個多個第一發光構件的發光時間週期的的和値與被· 儲存的第二發光構件的發光度變化量確定每個多個第一發 光構件的發光度變化量，用於從多個第一發光構件中檢測 具有發光時間週期的最大和値的一個特定的第一發光構件 ，和用於根據所述那一個特定的第一發光構件的發光度變 化量來校正從電流源提供到多個第一發光構件的電流，以 使得所述那一個特定的第一發光構件的發光度回到初始値 :以及 校正構件，用於校正影像信號，以使得在所述那一個 特定的第一發光構件的發光度變化量與其他的發光構件的 發光度變化量之間.的差値被補償，以及用於校正其他第一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565820 B8 C8 D8 六、申請專利範圍8 發光構件的灰度等級。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中用於控制另一個發光構件的灰度等級的影像信號 比起受到影像信號校正的所述那一個特定的發光構件來說 ，增加了 m位元，m表示整數。 20.依據申請專利範圍第19項的發光裝置，其中貯存構 件包括靜態記憶體電路。 2 1.依據申請專利範圍第1 9項的發光裝置，其中貯存構 件包括動態記憶體電路。 22. 依據申請專利範圍第19項的發光裝置，其中貯·存構 件包括鐵電記憶體電路。 23. 依據申請專利範圍第19項的發光裝置，其中當所述 那一個特定的發光構件的發光度變化量對初始値的比値達 到給定的數値時，中止對從電流源提供到多個發光構件的 電流的校正。 24. —種包括依據申請專利範圍第19項的發光裝置的電 子設備，其中電子設備是從包含以下的設備的組中選擇的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 :顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦、 可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相機 、和行動電話。 25. —種發光裝置，包括： 多個發光構件； 電流源，用於提供電流到多個發光構件； 第一電路，用於根據影像信號，計算每個多個發光構 件的發光時間週期或灰度等級的積累； 本^張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着) ' -80 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 565820 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍9 第二電路，用於儲存發光構件的時變發光度特性的資 料； 第三電路，用於根據多個發光構件的發光度變化量或 多個發光構件的灰度等級’以及根據發光構件的時變發光 度特性的資料來校正從電流源提供到多個發光構件的電流 ;以及 第四電路，用於校正影像信號，以便校正多個發光構 件中至少一部分影像構件的灰度等級。 26. —種包括依據申請專利範圍第25項的發光裝置·的電 子設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇 的：顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦 、可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相 機、和行動電話。 27. —種發光裝置，包括： 多個發光構件； 電流源，用於提供電流到多個發光構件； 第一電路，用於藉由對影像信號採樣若干次，從而檢 測來自每個多個發光構件的光發射的存在或不存在， 第二電路，用於計數每個多個發光構件的光發射的數 目的構件； 第三電路，用於儲存發光構件的時變發光度特性的資 料； 第四電路，用於根據光發射的數目相對於總的檢測的 比値和發光構件的時變的發光度特性來校正從電流源提供 本紙張尺度適用中關家揉準（CNS ) A4· ( 210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -81 - 565820 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍10 到多個發光構件的電流；以及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第五電路，用於校正影像信號，以便校正多個發光構 件中的至少一部分發光構件的灰度等級。 28. —種包括依據申請專利範圍第27項的發光裝置的電 子設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇 的：顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦 、可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相 機、和行動電話。 29. —種發光裝置，包括： 多個第一發光構件； 電流源，用於提供電流到多個第一發光構件； 第一電路，用於根據影像信號，計算每個多個第一發 光構件的發光時間週期的和値； 第二電路，用於根據發光構件的發光時間週期的和値· ，儲存第二發光構件的發光度變化量； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第三電路，用於根據發光構件的發光時間週期的和値 ，從每個多個第一發光構件的發光時間週期的和値與第二 發光構件的發光度變化量來校正從電流源提供到多個第一 發光構件的電流；以及 第四電路，用於校正影像信號，以便校正多個第一發 光構件中的至少一部分發光構件的灰度等級。 30. 依據申請專利範圍第29項的發光裝置，其中貯存構 件包括靜態記憶體電路。 31. 依據申請專利範圍第29項的發光裝置，其中貯存構 本紙張尺度適用中國國家梂率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -82- 565820 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範園11 件包括動態記憶體電路。 32·依據申請專利範圍第29項的發光裝置，其中貯存構 件包括鐵電記憶體電路。 33·—種包括依據申請專利範圍第29項的發光裝置的電 子設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇 的：顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦 、可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相 機、和行動電話。 34.—種發光裝置，包括： 多個發光構件； 電流源，用於提供電流到多個發光構件； 計數器； 用於儲存發光構件的時變發光度特性的資料的電路； 第一校正電路，用於校正從電流源提供到多個發光構· 件的電流，該第一校正電路被連接到電流源；以及 第二校正電路，用於校正影像信號，該第二校正電路 被連接到計數器， 其中用於儲存資料的電路被分別連接到第一校正電路 和第二校正電路。 3 5 · —種包括依據申請專利範圍第34項的發光裝置的電 子設備，其中該電子設備是從包含以下的設備的組中選擇 的：顯示構件、數位靜止照相機、筆記型電腦、行動電腦 、可攜式影像重現設備、護目鏡型顯示器、視頻視頻照相 機、和行動電話。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 、言 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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