TW543349B - Wiring substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW543349B
TW543349B TW091111038A TW91111038A TW543349B TW 543349 B TW543349 B TW 543349B TW 091111038 A TW091111038 A TW 091111038A TW 91111038 A TW91111038 A TW 91111038A TW 543349 B TW543349 B TW 543349B
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solder paste
bump
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Tomoe Suzuki
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Ngk Spark Plug Co
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543349 五、發明說明（1) 【發明之技術領域】 本發明係關於具有使突出於主面側之焊鍚凸塊頂面 平坦化之平坦化焊鍚凸塊的配線基板及其製造方法。 【先前技術】 第5圖係基板1 〇 1之主面側部份放大剖面圖，是傳 統具有樹脂絕緣層、及在其上形成特定圖案之導體層 的配線基板之一個實例。此基板1 0 1之中心具有核心 基板（樹脂絕緣層）1 0 3。在核心基板1 0 3之兩面，層疊 一或複數樹脂絕緣層1 05，且其外側層疊抗焊層（樹脂 絕緣層）1 〇 7。 其中，核心基板103上，在特定位置上形成複數貫 通核心基板的、類筒狀的通孔導體11 1，其內側則充 塡樹脂製充塡材料1 1 2。又，在樹脂絕緣層1 05上， 在特定位置上形成複數貫通樹脂絕緣層之通孔用貫通 孔1 1 3，各通孔用貫通孔Π 3中則形成通孔導體1 1 5。 又，抗焊層107上，在特定位置上形成複數貫通抗焊 層、底面有腳位1 1 6露出之腳位用開口部1 1 7。核心 基板1 03及樹脂絕緣層1 05之層間，則形成配線或腳 位等之特定圖案的第1導體層1 1 8，和核心基板1 03 之通孔導體1 1 1及樹脂絕緣層1 0 5之通孔導體1 1 5相 連。又，樹脂絕緣層1 〇 5及抗焊層1 0 7之層間，亦形 成配線及腳位等之特定圖案的第2導體層1 1 9，並和 通孔導體Π5相連。實施複數樹脂絕緣層1〇5層疊 543349 五、發明說明（2) 時，複數樹脂絕緣層1 05之層間亦會形成導體層。 在此基板1 01之抗焊層1 07上形成之腳位1 1 6上， 會以錫料或金之堆疊形成緩衝器並當做電氣連接端子 使用。爲了確實將電子元件（例如、1C晶片、晶片電容 器、晶片電阻等）連接於基板101上，以平坦之壓面分 別使緩衝器之頂面平坦化，而形成平坦化焊鍚凸塊 120 ° 【發明所欲解決之課題】 此種基板101之樹脂絕緣層105係採用大約爲均一 厚度之樹脂。因此，在層間之第1導體層Π8及第2 導體層1 1 9上形成之配線及圖案部份的樹脂絕緣層 1 05，會呈現稍爲鼓起之狀態。形成樹脂絕緣層1 05 時，在加熱之情形下進行衝壓，故表面會呈現某種程 度之平滑化。然而，如第6圖所示，爲第1導體層 118之一部份而具有某種程度面積之寬大Beta層121 部份，在其上形成之樹脂絕緣層1〇5無法避免地呈現 稍爲高出其他部份之狀態。所以，將Beta層12 1設置 於主面側投影區域內之第1腳位1 1 6B，和其他區域之 第2腳位1 1 6C相比，位於相對較高之位置。 因此，第1腳位1 16B上形成之焊鍚凸塊122B、及 第2腳位116C上形成之焊鍚凸塊122C如第6圖之點線 所示，大小雖然相同，其頂點位置則稍有差異。以同 一平坦壓面123衝壓此焊鍚凸塊122B、122C進行平 543349 五、發明說明（3) 坦化，各自之頂面在壓面衝壓下形成第1平坦化焊鍚 凸塊120B及第2平坦化焊鍚凸塊120C。亦即，因頂 面位置相差部份會導致平坦化時壓潰之錫料量不同， 平坦化焊鍚凸塊120B之頂面直徑Ml會中於平坦化焊 鍚凸塊120C之頂面直徑M2。依據測量，墊位置之高 度差雖然只爲2〜3/zm，平坦化焊鍚凸塊120之頂面 直徑差可達到1 〇 m。 相對於此基板101上配置之電子元件連接端子非常 均一的形成，基板101之平坦化焊鍚凸塊120之頂面 直徑卻有差異，故在基板101上裝配電子元件等時， 連接精度有時會出現誤差。 本發明係有鑑於相關現狀，不論是否具有Beta層， 而以提供可以使平坦化焊鍚凸塊之頂面直徑能大致相 等、且提升電子元件之連接精度的配線基板及其製造 方法爲目的。 【用以解決課題之手段、作用、及效果】 本發明之解決手段係，具有主面及背面且突出於前 述主面側之各頂面分別平坦化之複數平坦化焊鍚凸塊 的配線基板製造方法，亦係在前述主面側上形成開口 之複數腳位上塗敷錫焊膏之錫焊膏印刷步驟，且前述 複數腳位具有經由1或複數樹脂絕緣層在本身投影之 前述背面側區域形成Beta層之第1腳位、及本身投影 之前述背面側區域未形成Beta層之第2腳位，同時具
543349 五、發明說明（4) 有在前述第1腳位上塗敷比前述第2腳位更少量前述 錫焊膏之錫焊膏塗敷印刷步驟、及熔解塗敷之前述錫 焊膏並形成類半球狀錫焊膏之回流步驟、以及以平坦 之壓面衝壓前述類半球狀焊鍚凸塊頂部使其形成前述 平坦化焊鍚凸塊之平坦化步驟的配線基板製造方法。 依據本發明，係在主面側上形成開口之複數腳位上 塗敷錫焊膏。其次，熔解塗敷之錫焊膏使其成爲類半 球狀之焊鍚凸塊。然後，以平坦之壓面衝壓焊鍚凸塊 之頂部，形成平坦化焊鍚凸塊。在塗敷錫焊膏之錫焊 膏印刷步驟中，以Beta層是否在本身投影之背面側區 域上形成與否，區分此經塗敷之腳位，在形成Beta層 之第1腳位上塗敷比未形成Beta層之第2腳位更少量 的錫焊膏。 一般，配線基板整體之厚度上，層間形成Beta層之 部份比未形成Beta層之部份會相對較厚。因此，以平 坦壓面實施平坦化時，第1腳位及壓面之距離，會比 第2緩衝板及壓面之距離更小。亦即，平坦化步驟 後，焊鍚凸塊從腳位開始計算之高度，第1腳位會比 第2腳位低。因此，第1腳位及第2腳位塗敷同量之 緩衝膏時，第2腳位上形成之平坦化焊鍚凸塊，會比 第2腳位被壓得更低，故其頂面直徑大於第2腳位上 形成之平坦化焊鍚凸塊頂面直徑。 相對於此，本發明中，因塗敷於第1腳位之錫焊膏 543349 五、發明說明（5) 比塗敷於第2腳位之錫焊膏更爲少量，第1腳位上形 成之焊鍚凸塊的尺寸會小於第2腳位上形成之焊鍚凸 塊。利用此方式，第2平坦化焊鍚凸塊之頂面直徑、 及第1平坦化焊鍚凸塊之頂面直徑的差異會較小。所 以’在後面步驟將電子元件配置於此配線基板上時， 其和電子元件之連接端子的連接狀態，可因而.減少因 有無Beta層而造成第1腳位及第2腳位間的差異。 又，樹脂絕緣層之材質，只要具絕緣性之樹脂即 可，例如，可使用環氧樹脂、BT樹脂等。亦可使用玻 璃-環氧複合材料等、玻璃纖維或陶瓷粉末等及樹脂之 複合材料。又，Beta層係設置於樹脂絕緣層之層間的 導體層，係具有某種程度之面積並擴展至層間的部 份。另外，構成焊鍚凸塊之金屬，只要對應配置之電 子元件的連接端子等材質等進行適當選擇即可，有 90Pb-10Sn 、 95Pb-5Sn 、 40Pb-60Sn 等之 Pb-Sn 系錫 料、Sn-Sb系錫料、Sn-Ag系錫料、Sn-Ag-Cu系錫 料、Au-Ge系錫料、Au-Sn系錫料等之錫料。又，壓 面係鋼材等之金屬材料或陶瓷材料等構成之平坦面。 又，腳位可以有各種形態。例如，可以爲腳位設於 通孔之正上方的通孔上腳位（PAD ON VIA)、腳位非設 於通孔之正上方的通孔外腳位（PAD OFF VIA)。亦可 同時存在於同一配線基板上。又，通孔之形態可以爲 通孔內部以電鍍充塡且上面爲平坦之塡充之通孔、或 543349 五、發明說明（6) 完全未充塡而中央部向內凹之未塡充通孔。 在決定塗敷腳位之錫焊膏量上，必須考慮這些形 態。例如’未塡充通孔時通孔上腳位及通孔外腳位之 不同。又’依據配線基板，腳位面積（開口尺寸）會不 同。因此’本發明在同一配線基板上有不同形態及尺 寸之腳位時，必須針對同一形態、同一尺寸之第1、 第2腳位進行比較。亦即，本身投影之背面側區域若 不存在Beta層，必須爲同一形態、同一尺寸之第1腳 位及第2腳位。 又，爲前述配線基板製造方法，且前述平坦化步驟 係具有可以形成使前述第i腳位上形成之第！平坦化 焊鍚凸塊頂面直徑、及前述第2腳位上形成之第2平 坦化焊鍚凸塊頂面直徑大致相等之平坦化 焊緩衝器 的平坦化步驟即可。 利用本發明，在平坦化步驟中可以使前述第1腳位 上形成之第1平坦化焊鍚凸塊頂面直徑、及前述第2 腳位上形成之第2平坦化焊鍚凸塊頂面直徑大致相 等。所以，在後面步驟中將電子元件裝配於此配線基 板上時，第1腳位及第2腳位、和電子元件之連接端 子間會有大致均一之連接狀態。 此外，爲前述配線基板製造方法，前述錫焊膏印刷 步驟使用之印刷遮罩係使對應前述第1腳位之第1透 孔直徑小於對應前述第2腳位之第2透孔直徑。
543349 五、發明說明（7)
依據本發明，錫焊膏印刷步驟中，設置於印刷遮罩 上之第1腳位用透孔直徑小於第2組衝墊用透孔直 徑。所以，塗敷相同之錫焊膏時，透過第1腳位之錫 焊膏量會少於透過第2腳位之錫焊膏量。因此，平坦 化焊鍚凸塊之頂面直徑方面，因可以減少有無Beta層 所造成的差異，故可減少第1腳位及第2腳位之連接 性差異。 此外，若不論是否有Beta層而能使平坦化焊鍚凸塊 之頂面直徑大致相同，則在後面步驟中將電子元件配 置於此配線基板上時，因第1腳位及第2腳位和電子 元件連接端子之連接狀態能夠大致均一，故更爲理 相〇 又，印刷遮罩只要設有可透過錫焊膏之透孔即可， 例如，可以使用在不銹鋼板等金屬板上開孔之金屬遮 罩、或篩子遮罩等。
本發明之其他解決手段係，具有主面及背面且突出 於前述主面側之各頂面分別平坦化之複數平坦化焊鍚 凸塊的配線基板，亦係在前述主面側上形成開口之複 數腳位，且具有經由1或複數樹脂絕緣層在本身投影 之前述背面側區域形成Beta層之第1腳位、及本身投 影之前述背面側區域未形成B eta層之第2腳位，同 時，前述第1腳位上形成之第1平坦化焊鍚凸塊頂面 直徑、及前述第2腳位上形成之第2平坦化焊鍚凸塊
543349 五、發明說明（8) 頂面直徑大致相等的配線基板。 本發明之配線基板，不論該腳位投影之背面側區域 上是否形成Beta層，其在主面側上形成開口之複數腳 位上的焊鍚凸塊的頂面直徑大致相同。因此，在後面 步驟中將電子元件裝配於此配線基板上時，第1腳位 及第2腳位、和電子元件之連接端子間會有大致均一 之連接狀態。 【發明之實施形態】 以下係參照圖面說明本發明之實施形態。首先，說 明本實施形態相關之配線基板的槪要。 第1圖係本實施形態之基板1的主面2側的部份放 大剖面圖。此基板1係具有主面2及圖上未標示之背 面的類矩型板形狀，其中心有厚度約600 // m之類板 型之核心基板（樹脂絕緣層）3，核心基板係由浸漬著環 氧樹脂之玻璃纖維布之複合材料所構成。其兩面層疊 著由環氧樹脂等構成 '厚度約30 μ m之樹脂絕緣層 5。又，樹脂絕緣層5.上層疊著由環氧樹脂等構成、厚 度約25 # m之抗焊層（樹脂絕緣層）7。 其中，核心基板3上，在特定位置上形成複數貫通 核心基板、直徑約25 0 // m之通孔導體用貫通孔1〇, 其內緣面分別形成類筒狀之通孔導體1 1。各通孔導體 1 1內充塡環氧樹脂等構成之類圓柱狀的樹脂製充塡材 料1 2。樹脂絕緣層5上，在特定位置上形成複數貫通 -10- 543349 五、發明說明（9) 樹脂絕緣層之通孔用貫通孔1 3，各通孔用貫通孔13 中則形成類圓柱狀之通孔導體1 5。抗焊層7上，在特 定位置上形成複數貫通抗焊層、直徑約120// m之腳 位用開口部1 7。 又，核心基板3及樹脂絕緣層5之層間，則形成含 有某種程度面積並擴展至層間之Beta層21的第1導 體層1 8，和核心基板3之通孔導體1 1及樹脂絕緣層5 之通孔導體15相連。又，樹脂絕緣層5及抗焊層7之 層間，亦形成配線及腳位等之特定圖案的第2導體層 1 9，並和樹脂絕緣層5之通孔導體1 5相連。如第一圖 所示，Beta層21上形成之樹脂絕緣層5的厚度，和直 接接觸核心基板3之樹脂絕緣層5相近，因此，至樹 脂絕緣層5之上面爲止的高度，在Beta層21投影於 主面側區域時，會相對高於其他區域之高度。 在樹脂絕緣層5及抗焊層7之層間形成的部份腳位 22，爲了將1C晶片等電子元件裝配於此基板1上，會 從抗焊層7之腳位用開口部17內露出。又，此腳位 22之表面，爲了防止氧化，會形成Ni電鍍層，並且 其表面形成Au電鍍層（圖上未標示）。此時，Beta層 2 1投影於主面側區域內時，樹脂絕緣層5會較高，在 該區域內形成之第1腳位2；2B從核心基板3之高度會 高於在該以外區域內形成之第2腳位22C。 在複數之腳位22上，分別在第1腳位22B及第2 -1 1 - 543349 五、發明說明（1〇) 腳位22C上形成突出於基板1之主面2的第1平坦化 焊鍚凸塊25B及第2平坦化焊鍚凸塊25 C。各平坦化 焊緩衝器25B及25C係由40Pb-60Sn所構成，其底 面覆蓋各腳位22B及22C之整體。第1平坦化焊鍚凸 塊25B之高度及體積較第2平坦化焊鍚凸塊25C爲 小，但主面2上之突出高度，則第1平坦化焊鍚凸塊 2 5 B低於第2平坦化焊鍚凸塊2 5 C。然而，因第1腳 位2 2B及第2腳位之核心基板3上的高度不同，第1 平坦化焊鍚凸塊25B之頂面26B、及第2平坦化焊鍚 凸塊25 C之26C會位於大致同一平面上。又，其頂面 26B、26C爲平坦之面狀，其直徑亦皆爲ι〇5μιη。 此基板1係以下列方式製造。 首先，參照第2圖進行說明。利用習知之手法在核 心基板3上形成通孔導體1 1，同時在核心基板3上形 成含有Beta層21之特定圖案的第1導體層18並在通 孔導體Π之內側充塡樹脂製充塡材料1 2。其次，在 核心基板3及第1導體層1 8層積樹脂絕緣層5及厚度 約5 // m之Cu箔，加熱並衝壓，在表面上形成張貼著 Cii箔之樹脂絕緣層5。再以雷射等在特定位置穿孔， 形成貫通Cii箔及樹脂絕緣層5之複數通孔用貫通孔 1 3 〇 其次’利用習知手法在通孔用貫通孔1 3形成類圓柱 狀之通孔導體15，並在樹脂絕緣層5上形成特定圖案 -12- 543349 五、發明說明（11) 之第2導體層19。然後，在樹脂絕緣層5及第2導體 層1 9上，形成具有腳位用開口部1 7之抗焊層7 °其 後，在從抗焊層7露出之腳位22上形成以防止氧化爲 目的之Ni電鍍層，然後再在其上形成Αιι電鍍層（圖上 未標示）。 在錫焊膏印刷步驟中，在各腳位22上分別塗敷由 4 0 P b - 6 0 S η錫料所構成之錫焊膏3 1 (爹照弟2圖）。具 體上，係將印刷遮罩配置於基板1上’以刮墨刀（圖上 未標示）從印刷遮罩3 2上塗敷錫焊膏3 1。利用此方 式，透過印刷遮罩3 2之透孔3 3的錫焊膏3 1會附著於 腳位22上。又，印刷遮罩32係利用不銹鋼板製成和 基板1相同的類矩形，在對應各腳位22之位置形成透 孔33 ° 此時，第1透孔33Β係對應Beta層21投影之主面 側區域上形成的第1腳位22B、第2透孔3 3 C則係對 應其他區域上形成的第2腳位22C，第1透孔33B之 直徑D1小於第2透孔33C之直徑D2。此時，第1透 孔3 3 B之直徑D 1 =約1 3 0 // m、第2透孔3 3 C之直徑 D2 =約150 // m。因此，塗敷於第1腳位22B上之錫焊 膏3 1的量會少於塗敷於第2腳位22C上之錫焊膏3 1 的量。 在回流步驟中，熔解錫焊膏3 1並形成類半球狀之焊 鍚凸塊3 5 (參照第3圖）。熔解錫焊膏3 1，其表面張力會 -13- 五、發明說明（12) 使其成爲類半球狀之焊鍚凸塊3 5。此時，因塗敷於第 1腳位22B上之錫焊膏31的量少於第2腳位22C，故 如第3圖所示，第1腳位22B上形成之第1焊鍚凸塊 3 5B的體積及從第1腳位22B之高度，會低於第2腳 位22C上形成之第2焊鍚凸塊35C的體積及從第2腳 位22C之高度。 在平坦化步驟中，以具有平坦壓面37之衝壓具39 衝壓焊鍚凸塊35之頂部，形成平坦化焊鍚凸塊25(參 照第4圖）。例如，採用利用氣動壓力機以平坦之壓面 37衝壓基板1之平坦化裝置，以約75〜100kg之衝壓 力壓潰焊鍚凸塊3 5。此時，亦可利用經加熱之壓面 3 7，在衝壓時，同時實施焊鍚凸塊3 5之加熱，使其容 易變形。 如第4圖所示，因Beta層21係形成於下方，故衝 壓狀態之壓面37及第1腳位22B之距離T1會小於壓 面37及第2腳位22C之距離T2。然而，第1腳位 22B上形成之第1焊鍚凸塊35B的體積則小於第2腳 位22C上形成之第2焊鍚凸塊35C的體積，第1焊鍚 凸塊35B之第1腳位22B上的高度則低於第2焊鍚凸 塊3 5C之第2腳位22C上的高度。因此，可以減少第 1焊鍚凸塊3 5 B及第2焊鍚凸塊3 5 C被壓面3 7壓潰之 錫料量的差異。因此，可以減少由第1焊鍚凸塊3 5 B 形成之第1平坦化焊鍚凸塊25B的頂面26B直徑L1、 -14- 543349 五、發明說明（13) 及由第2焊鍚凸塊3 5 C形成之第2平坦化焊鍚凸塊 25C的頂面26C直徑L2的差異。 又，適當調節印刷遮罩32上形成之第1透孔3 3B 及第2透孔33C之直徑，亦可使第1平坦化焊鍚凸塊 25B的頂面26B直徑L1、及第2平坦化焊鍚凸塊25C 的頂面2 6 C直徑L2具有大約相同的尺寸。 利用此方式，即可完成基板1。 在此基板1上形成之平坦化焊鍚凸塊25的頂面26 直徑，平均爲l〇5.4/zm、最大爲133.9//m、最小爲 74.4//m、範圍爲59.5//m、標準偏差爲8.1。因傳統 基板101之平均爲118.9//m、最大爲182.9/zm、最小 爲62·9/ζηι、範圍爲120.0/zm、標準偏差爲10.4，故 可知範圍及標準偏差都大幅改善。 以上，係以實施形態說明本發明，但本發明並非限 定於前述實施形態，只要在不脫離其要旨範圍，可以 適度變更使用。 例如，前述實施形態中，係在通孔用貫通孔1 3上形 成塡充通孔形態之通孔導體1 5，但亦可爲在中央部形 成下凹之類碗狀未塡充通孔形態）之通孔導體。但此 曰寸’將弟1腳位22B及第2腳位22C進行比較，Beta 層以外之條件（通孔上腳位或通孔外腳位之形態差異） 可適用於同一腳位。 又，前述實施形態中，第1腳位22B及第2腳位 -15- 五、發明說明（14) 22C之區分上，係只著眼於Beta層21是否設於該腳 位22投影之背面側區域。然而，除此之外，例如，亦 可考慮在該腳位22投影之背面側區域上形成Beta層 21之端部或Beta層21以外之配線等之腳位22等。此 時，亦可依各腳位22之條件來變更直徑並形成印刷遮 罩32之透孔33。利用此方式，可以使各平坦化焊錫 凸塊25之頂面26直徑更爲均一。 又，前述實施形態中，係在基板1上形成1層樹脂 絕緣層5，但亦可以在核心基板3及抗焊層7之間層 疊複數樹脂絕緣層5來形成。此時，Beta層2 1在複數 樹脂絕緣層5之層間形成而非在核心基板3及樹脂絕 緣層5之層間形成時，應可適用本發明。 【圖面之簡單說明】 第1圖係實施形態相關基板之部份放大剖面圖。 第2圖係在腳位上塗敷錫焊膏之說明圖。 第3圖係在腳位上形成焊鍚凸塊之說明圖。 第4圖係衝壓焊鍚凸塊形成平坦化焊鍚凸塊之說明 圖。 第5圖係傳統基板之部份放大剖面圖。 第6圖係傳統基板之部份放大剖面圖。 【圖號說明】 1…基板 2…主面 3…核心基板（樹脂絕緣層） -16- 543349 五、發明說明（15) 5…樹脂絕緣層 7…抗焊層（樹脂絕緣層） 2 1…Beta層 22…腳位 22B···第1腳位 22C···第2腳位 25…平坦化焊鍚凸塊 25B…第1平坦化焊鍚凸塊 25C…第2平坦化焊鍚凸塊 2 6…頂面 31…錫焊膏 3 2…印刷遮罩 33B…第1透孔 33C…第2透孔 35…焊鍚凸塊 37…壓面 -17-

Claims (1)

  1. V543349 申請專利範圍 第91111〇38號「配線基板及其製造方法」專利案 (92年4月24日修正） 六申請專利範圍： 1. 一種配線基板之製造方法，此配線基板具有主面及 背面，突出於該主面側之複數個焊錫凸塊，且各凸 塊的頂面分別平坦化之，此方法具備有； 在該主面側上形成開口之複數個腳位（PAD)上，塗 敷焊錫膏之焊錫膏印刷步驟， 該等複數個腳位具有藉由1或複數個樹脂絕緣層 在本身投影之背面側區域形成Beta層之第1腳位， 及在本身投影之背面側區域未形成Beta層之第2腳 位，同時具有 在前述第1腳位上塗敷比前述第2腳位更少量焊 錫膏之焊錫膏塗敷印刷步驟；及 熔解塗敷之前述焊錫膏並形成類半球狀焊錫膏之 回流步驟；以及 以平坦之壓面衝壓前述類半球狀焊鍚凸塊頂部使 其形成前述平坦化焊鍚凸塊之平坦化步驟。 2.如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其 中具有使前述第1腳位上形成之第1平坦化焊鍚凸 塊頂部的直徑、及使前述第2腳位上形成之第2平 坦化焊鍚凸塊頂部的直徑形成大致相等之平坦化焊 鍚凸塊的平坦化步驟。 -1- 543349 六、申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第1或第2項之配線基板之製造方 法，其中在前述焊錫膏印刷步驟使用之印刷遮罩 中， 對應前述第1腳位之第1透孔的直徑小於對應前 述第2腳位之第2透孔的直徑。 4. 一種配線基板，係 具有主面及背面，且突出於前述主面側之各頂面 分別平坦化之複數個平坦化焊鍚凸塊的配線基板， 亦具有 在前述主面側上形成開口之複數腳位，且前述複 數個腳位具有經由1或複數個樹脂絕緣層在本身投 影之前述背面側區域形成Beta層之第1腳位、及在 本身投影之前述背面側區域未形成Beta層之第2腳 位，同時 前述第1腳位上形成之第1平坦化焊鍚凸塊頂部 的直徑、及前述第2腳位上形成之第2平坦化焊_ 凸塊頂部的直徑係大致相等。 —2 -
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI407870B (zh) * 2006-04-25 2013-09-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板之製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3595283B2 (ja) * 2001-06-27 2004-12-02 日本特殊陶業株式会社 配線基板及びその製造方法
US6989493B2 (en) * 2004-03-03 2006-01-24 Seagate Technology Llc Electrical feedthrough assembly for a sealed housing
JP2005347353A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
CN100455161C (zh) * 2004-12-07 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 一种印刷电路板设计方法及印刷电路板
US7082844B1 (en) * 2005-02-16 2006-08-01 Cts Corporation Strain sensor having improved accuracy
CN101826496B (zh) * 2005-05-23 2015-03-18 揖斐电株式会社 印刷线路板及其制造方法
EP1887846A4 (en) * 2005-06-30 2010-08-11 Ibiden Co Ltd CIRCUIT BOARD
CN101868120A (zh) * 2005-06-30 2010-10-20 揖斐电株式会社 印刷线路板及其制造方法
KR20080037681A (ko) * 2005-08-23 2008-04-30 로무 가부시키가이샤 반도체 칩 및 그 제조 방법 및 반도체 장치
JP4679587B2 (ja) * 2005-12-20 2011-04-27 イビデン株式会社 プリント配線板の製造方法
JP4251458B2 (ja) * 2005-12-21 2009-04-08 Ｔｄｋ株式会社 チップ部品の実装方法及び回路基板
JP4881664B2 (ja) * 2006-06-26 2012-02-22 株式会社フジクラ 配線板及び配線板の製造方法
US7441467B2 (en) * 2006-07-12 2008-10-28 Cts Corporation Compression strain sensor
JP4793187B2 (ja) * 2006-09-11 2011-10-12 パナソニック株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法
US7855452B2 (en) 2007-01-31 2010-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor module, method of manufacturing semiconductor module, and mobile device
US8829663B2 (en) * 2007-07-02 2014-09-09 Infineon Technologies Ag Stackable semiconductor package with encapsulant and electrically conductive feed-through
US7872483B2 (en) 2007-12-12 2011-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit board having bypass pad
JP5154271B2 (ja) * 2008-03-17 2013-02-27 日本特殊陶業株式会社 はんだバンプを有する配線基板及びその製造方法
TWI392068B (zh) * 2008-11-11 2013-04-01 Unimicron Technology Corp 封裝基板及其製法
JP2011243683A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Fujitsu Ltd 電子部品の実装方法、電子部品の製造方法および電子部品、電子部品の製造装置
US9564391B2 (en) * 2011-01-06 2017-02-07 Broadcom Corporation Thermal enhanced package using embedded substrate
WO2014024338A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 パナソニック株式会社 部品実装基板の製造方法及び製造システム
JP6143104B2 (ja) * 2012-12-05 2017-06-07 株式会社村田製作所 バンプ付き電子部品及びバンプ付き電子部品の製造方法
US20140174811A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board and manufacturing method thereof
JP6778585B2 (ja) * 2016-11-02 2020-11-04 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法
US20180226372A1 (en) * 2017-02-08 2018-08-09 Nanya Technology Corporation Package structure and manufacturing method thereof
US20190164875A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Asm Technology Singapore Pte Ltd Premolded substrate for mounting a semiconductor die and a method of fabrication thereof
CN110278659B (zh) * 2018-03-16 2021-09-28 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 复合电路板及其制造方法
US11887958B2 (en) 2020-08-20 2024-01-30 Stmicroelectronics Ltd Coplanar bump contacts of differing sizes

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03194994A (ja) 1989-12-22 1991-08-26 Nec Corp 表面装着用ｉｃパッケージの半田接続方法
JP3310499B2 (ja) * 1995-08-01 2002-08-05 富士通株式会社 半導体装置
US5984164A (en) * 1997-10-31 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method of using an electrically conductive elevation shaping tool
JPH11145176A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Fujitsu Ltd ハンダバンプの形成方法及び予備ハンダの形成方法
EP1868423A1 (en) * 1998-09-17 2007-12-19 Ibiden Co., Ltd. Multilayer build-up wiring board
US6220499B1 (en) * 1998-09-29 2001-04-24 International Business Machines Corporation Method for assembling a chip carrier to a semiconductor device
JP2000307225A (ja) 1999-04-21 2000-11-02 Ibiden Co Ltd 半田印刷用マスク、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP3303849B2 (ja) * 1999-06-10 2002-07-22 日本電気株式会社 バンプ転写基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置
US6492738B2 (en) * 1999-09-02 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods of testing and assembling bumped devices using an anisotropically conductive layer
JP3670917B2 (ja) * 1999-12-16 2005-07-13 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
TW434856B (en) * 2000-05-15 2001-05-16 Siliconware Precision Industries Co Ltd Manufacturing method for high coplanarity solder ball array of ball grid array integrated circuit package
US6461881B1 (en) * 2000-06-08 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Stereolithographic method and apparatus for fabricating spacers for semiconductor devices and resulting structures
TW459362B (en) * 2000-08-01 2001-10-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Bump structure to improve the smoothness
JP2002223065A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Ibiden Co Ltd プリント配線板の製造方法
JP4659262B2 (ja) * 2001-05-01 2011-03-30 富士通セミコンダクター株式会社 電子部品の実装方法及びペースト材料
JP3595283B2 (ja) * 2001-06-27 2004-12-02 日本特殊陶業株式会社 配線基板及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI407870B (zh) * 2006-04-25 2013-09-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3595283B2 (ja) 2004-12-02
JP2003008192A (ja) 2003-01-10
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