TW487829B - Chemical-sensitization photoresist composition - Google Patents
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487829 A7 B7 五、發明説明(i ) 發明背景 本發明係關於一化學敏化型光阻組成物,或者更特定 言之,係關於一種可具有正作用形式或負作用形式之光阻 組成物,彼含有一暴露在光化射線時能釋出酸之獨特的酸 產生劑。此光阻組成物可提供具有高耐熱性及帶有高光敏 性且不受靜止波影響之高解析度的圖樣電阻層,如此該圖 樣電阻層便有優異的正交橫切面。 近年來,在各種電子裝置(如牽涉到照相平版印刷式 圖樣技術之半導體裝置的製造技術)中有一趨勢,即所謂 的化學敏化型光阻組成物與已知之光阻組成物比較時,因 憑藉其高靈敏度及高解析力而有更多優勢以取代傳統形態 者。上述之化學敏化型光阻組成物含有一敏輻射型酸產生 劑,其係一暴露於光化射線時能釋出酸以便個別催化在正 作用及負作用光阻組成物中之樹脂成份的溶解反應及交聯 反應。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化學敏化型光阻組成物包括正作用及負作用兩種類, 分別視該經輻射釋出之酸的活性可增加或減少組成物內之 膜形成樹脂成份在做爲顯層劑之鹼性水溶液中的溶解度而 定。換句話說,當膜形成樹脂成份於鹼性顯層溶液中之溶 解度增加時,該化學敏化型光阻組成物便爲正作用;當膜 形成樹脂成份在鹼性顯層溶液中之溶解度減低時便稱爲負 作用。 據此,正作用化學敏化型光阻組成物通常含有聚羥基 苯乙烯及其類似物,其中一部份羥基係經溶解度抑制型酸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 ~ 487829 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(2 ) 可解離保護基(如第三-丁氧羰基及四氫吡喃基)取代; 而負作用化學敏化型光阻組成物中之膜形成樹脂成份則通 常係一酸可交聯之三聚氰胺樹脂、尿素樹脂及其類似物與 鹼溶性樹脂如酚醛清漆及聚羥基苯乙烯樹脂(其一部份羥 基視需要可用溶解度抑制型之基保護)的組合物。 如所週知,爲了確保該圖樣電阻層之圖樣高解析度及 高耐熱性,上述在光阻組成物內之樹脂成份應具有以重量 平均分子量Mw對數均分子量Μη之比(亦即Mw:Μη )來表示的狹窄分子量分佈。 迄今所提出或目前用於化學敏化型光阻組成物中之酸 產生劑包括如日本專利Kokai 1 — 124848案號、 2 - 154266 案號、2 — 161444 案號及 6 - 6 7 4 3 3案號,所揭示之肟磺酸酯化合物,其中這 些在分子中具有氰基之肟磺酸酯化合物的例證有α-(對 一甲苯磺醢氧基亞胺基)笮基氰、α -(4 一氯苯磺醯氧 基一亞胺基)苄基氰、α -(4 -硝基苯磺醯氧基亞胺基 )苄基氰、α -(4 一硝基一 2 -三氟甲基苯磺醯氧基亞 胺基)苄基氰、α -(苯磺醯氧基一亞胺基)一 4 一氯苄 基氰、α —(苯磺醯氧基亞胺基)一 2,4 一二氯苄基氰 、α —(苯磺醯氧基亞胺基)—2,6 —二氯苄基氰、α —(苯磺醯氧基亞胺基)—4 一甲氧基苄基氰、α -(2 一氯苯磺醯氧基亞胺基)- 4 -甲氧基苄基氰、苯磺醯氧 基亞胺基一 2 -卩塞嗯基乙睛、α -(4 一十二烷基苯磺醯 氧基一亞胺基)苄基氰、α-(對—甲苯磺醯氧基亞胺基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 487829 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) )一 4 一甲氧基苄基氰、α (4 -十二烷基苯磺醯氧基亞 胺基)一 4 一甲氧基苄基氰、對一甲苯磺醯氧基—亞胺基 一 3 —卩塞嗯基乙睛及其類似物。 頃注意到每一個上述之含氰基之肟磺酸酯化合物在其 分子內具有兩個芳族基,一個取代了氰基- C N所鍵結之 α -碳原子,另一個則形成磺酸酯。當受到光化射線照射 而從此類雙芳族肟磺酸酯化合物中釋出之酸是芳族磺酸如 苯磺酸及對-甲苯磺酸時,該與此肟磺酸酯化合物及上述 具有窄分子量分佈之樹脂成份調製成的化學敏化型光阻組 成物將會有電阻層之圖樣易受靜止波影響的缺點,如此該 圖樣電阻層之橫切面圖並非確定地正交,而是具有波浪狀 或波形邊線。 發明摘述 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 據此,本發明之目標係提供一新穎且經改良之化學敏 化型光阻組成物,彼可爲正作用或負作用,藉由使用獨特 之含氰基之肟磺酸酯化合物做爲酸產生劑而不會有上述關 於先前技藝之化學敏化型光阻組成物的問題及缺點;依此 該光阻組成物對光化射線有著非常高的靈敏度,並能形成 具有優異正交橫切面圖及高耐熱性以及高解度且不受靜止 波影響的圖樣電阻層。 因此,本發明的第一個方向係提供一正作用化學敏化 型光阻組成物,係一溶於有機溶劑中之均勻溶液形態且包 含: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -6 一 487829 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(4 ) (a 1 ) 1 0 0重量份鹼溶性含羥基樹脂如聚羥基苯乙烯 ,其中至少部份的羥基每一個係經酸可解離取代基取代, 且重量平均分子量對數均分子量之比Mw:Μη不會超過 3 . 5 ;以及 (b) 0·1至30重量份含氰基之肟磺酸酯化合物做爲 酸產生劑,其係以下列通式表示 R 1 - C ( C N ) = N- 0— S02— R2, ......(I) 其中R1表示單價芳族基,R2表示具有1至4個碳原子 且未取代或經齒素原子取代之烷基。 本發明之第二個方向係進一步提供一負作用化學敏化 型光阻組成物,彼係一溶於有機溶劑中之均勻溶液形態且 包含: (a2)100重量份鹼溶性樹脂,如聚羥基苯乙烯、經 基苯乙烯與苯乙烯之共聚物及酚醛清漆樹脂,其中重量平 均分子量對數均分子量之比Mw:Μη不會超過3·5; (b) 〇 · 1至30重量份含氰基之肟磺酸酯化合物做爲 酸產生劑,其係以下列通式表示 R 1 - C ( C N ) = N — 〇 一 S〇2— R2, ……(I ) 其中R1表示單價芳族基,R2表示具有1至4個碳原子 且未取代或經鹵素原子取代之烷基;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -7 — 487829 A7 B7 五、發明説明(5 ) (c ) 3至7 0重量份酸可交聯樹脂,如三聚氰胺樹脂、 尿素樹脂、及瓜納胺(quanamin)樹脂。 某些如通式(I )所表示之含氰基之肟磺醯基化合物 係新穎的,且先前技藝中是未知的。此含氰肟擴醯基化合 物之新穎種類可以下列通式表示
其中R2具有如上定義之相同意義,而每一 R3、R 4及R5 可互相個別地表示一選自氫原子,具1至4個碳原子之烷 基,具1至4個碳原子之院氧基及_素原子如氟、氯、及 溴之原子或基,但條件是分子內至少一個R 3、R 4及R 5 係表示烷基、烷氧基或齒素原子。 較佳具體實施例之說明 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上文所說明,本發明所提供之正作用及負作用光阻 組成物的特徵是,使用不同於上述已知之雙芳族含氰基之 肟磺酸酯化合物的通式(I )之特殊含氰基之肟磺酸酯化 合物,其僅有一個鍵結在和氰基- C N所鍵結之相同碳原 子上的芳族基。令人相當驚奇地發現到,以上述定義之特 殊肟磺酸酯化合物取代已知的雙芳族含氰基之肟磺酸酯化 合物時,將有克服先前技藝中有關化學敏化型光阻組成物 之問題及缺點的效果。當膜形成樹脂成份,亦即,組份( a 1 )或(a 2)具有以重量平均分子量Mw對數均分子 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 一 8 — 487829 A7 B7 五、發明説明(6 ) 量Μη之比不超過3 . 5所定義的狹窄分子量分佈時,本 發明所達成之改良將特別地顯著。 在正作用化學敏化型光阻組成物中做爲組份(a 1 ) 之膜形成樹脂成份係一具有羥基之鹼溶性樹脂,其一部份 羥基每一個皆可經酸可解離取代基取代。適於做爲組份( a 1 )之基本物質的鹼溶性樹脂包括羥基苯乙烯均聚物、 羥基苯乙烯與苯乙烯或苯乙烯衍生物之共聚物(其中羥基 苯乙烯此部份的莫耳比例至少爲· 70%),及羥基苯乙烯 與(甲基)丙烯酸或彼之衍生物的共聚物,以及(甲基) 丙烯酸與彼之衍生物的共聚物(其中一部份的羧酸系羥基 係經酸可解離基取代)。在上述含羥基之樹脂中,以羥基 苯乙烯均聚物及苯乙烯與羥基苯乙烯之共聚物爲較佳。 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述欲與羥基苯乙烯共聚之苯乙烯衍生物包括α -甲 基一苯乙烯、4 —甲基苯乙烯、2 —甲基苯乙烯、4 —甲 氧基苯乙烯、4 -氯基苯乙烯及其類似者。上述(甲基) 丙烯酸衍生物包括酯類如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基) 丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸2 —羥基乙酯、及(甲基) 丙烯酸2—羥基丙酯,(甲基)丙烯醯胺,(甲基)丙儲 腈及其類似者。 可取代一部份在上述含羥基樹脂(其係形成如本發明 之正作用光阻組成物中之組份(a 1 ))中之羥基的酸可 解離基雖然沒有特別限制,但可選自第三一烷氧羰基,如 第三- 丁氧羰基及第三-戊氧羰基、第三一烷氧羰基烷基 如第三-丁氧羰基甲基、第三—烷基如第三一丁基、烷氧 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 9 一 487829 A7 B7 五、發明説明(7 ) 基烷基如乙氧基乙基及甲氧基丙基、環系縮醛基如四氫吡 喃基及四氫呋喃基、笮基及三甲矽烷基。 上述酸可解離基取代含羥基鹼溶性樹脂中之羥基的取 代程度較佳地係在1至6 0莫耳%範圍內,更佳地係在 10至50莫耳%範圍內。 在本發明之正作用化學敏化型光阻組成物的調製物中 ,組份(a 1 )較佳地係其中一部份羥基經第三- 丁氧羰 基、四氫吡喃基、烷氧基烷基(如乙氧基乙基及甲氧基丙 基),或彼等之組合所取代而受到保護的聚羥基苯乙烯樹 脂。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之負作用化學敏化型光阻組成物中的組份( a 2 )係一選自如下化合物之鹼溶性樹脂:如藉在酸性觸 媒存在下酚系化合物如苯酚、間-及對-甲酚、二甲苯酚 、三甲基苯酚及其類似物與醛類化合物如甲醛及其類似物 之縮合產物的酚醛清漆樹脂,以羥基苯乙烯爲基之聚合物 如羥基苯乙烯均聚物、部份或完全氧化之聚羥基苯乙烯、 羥基苯乙烯與苯乙烯或彼之衍生物的共聚物、及羥基苯乙 烯與(甲基)丙烯酸或彼之衍生物的共聚物,以及(甲基 )丙烯酸系樹脂如甲基丙烯酸與彼之衍生物的共聚物。聚 羥基苯乙烯中之一部份的羥基可視需要經上述之酸可解離 取代基取代。上述苯乙烯衍生物及(甲基)丙烯酸衍生物 之例證乃如上文組份(a 1 )所定義之相同單體化合物。 具有Mw:Mn不超過3 · 5,或者更特定言之,約 在2.0之有著狹窄分子量分佈的聚羥基苯乙烯樹脂已以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 10 - 487829 A7 _____ _B7 五、發明説明(8 ) >單分散性"樹脂而商品化,並可使用做爲組份(a 1 ) 或組份(a 2 )之基本物質。另一方面,對欲使用做爲具 有Mw : Μη值爲3 · 5或更小之組份(a 2)的酚醛清 漆樹脂而言,並沒有商品化產品可用,所以,具有較寬廣 分子量分佈之已知的酚醛清漆樹脂須接受分級沈澱處理以 選擇性地除去低分子量部份而至該分級的聚合物具有不超 過3 · 5之Mw: Μ η值此一程度。 做爲組份(a 2 )之鹼溶性樹脂較佳地係選自甲酚酚 醛清漆樹脂、.聚羥基苯乙烯樹脂、及羥基苯乙烯與苯乙烯 之共聚物,以及其中一部份羥基係經第三- 丁氧羰基取代 之聚羥基苯乙烯樹脂。這些鹼溶性樹脂可根據需要而單獨 使用或以二或多種類組合使用。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如前文所說明,做爲組份(a 1 )或(a 2 )之樹脂 須具有儘可能小或不超過3 · 5的狹窄分子量分佈,以確 保圖樣電阻層的高耐熱性及光阻組成物的高圖樣解析度。 從不同形態樹脂間之分子量分佈的差異而致相當不同的分 子結構觀之,對聚羥基苯乙烯樹脂而言,其Mw : Μη值 較佳地應爲2 · 5或更小,更佳地爲1 · 5或更小;而對 酚醛清漆樹脂而言,其Mw : Μη值較佳地應爲3 · 0或 更小。樹脂的重量平均分子量及數均分子量可藉由凝膠滲 透色層分析法(GPC)並對照具有已知分子量之聚苯乙 烯試樣而測得。 在本發明之正作用及負作用敏化型光阻組成物中做爲 基本成份的組份(b ),係一具有如上述通式(I )所表 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) - 11 - 487829 A7 B7 五、發明説明(9 ) 示之特殊含氰基之肟磺酸酯化合物的酸產生劑。在化學式 中,R 1表示單價芳族如苯基、棻基、呋喃基及瞎嗯基, 視情況需要,彼等在芳核上可經一或多個取代基如鹵素( 亦即氯、溴及碘原子),具1至4個碳原子之烷基,具1 至4個碳原子之烷氧基及硝基所取代。代表R 2之基係爲 具1至4個碳原子之低碳烷基,其可爲正鏈或支鏈烷基且 包括甲基、乙基、正-丙基、異丙基、正一 丁基、異丁基 、第三-丁基及第三- 丁基;以及具1至4個碳原子之經 鹵素取代的低碳烷基,如氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、 及2 —溴丙基。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如前文所述,已知之雙芳族含氰基之肟磺酸酯化合物 經光化射線照射後即可釋出芳族磺酸,而通式(I )之膀 磺酸酯化合物一經光化射線照射所釋出之酸係低碳烷基磺 酸或經鹵素取代之低碳烷基磺酸。本發明的優點是,含有 此酸生成劑並與組份(a 1 )或與組份(a 2 )及(c ) 組合之化學敏化型光阻組成物能提供具有優異耐熱性、圖 樣解析度及對光化射線靈敏的圖樣電阻層,且該圖樣電阻 層具有優異的正交橫切面圖。 雖然該機製並不完全清楚,但導致伴隨著本發明之上 述意想不到的改良機製可推測如下:相較於已知之光阻組 成物中所產生的芳族磺酸,其在電阻層之後暴曬烘烤處理 中較不易感受熱擴散,因具有相當大的分子容積而致圖樣 電阻層呈波浪形狀的橫切面圖,尤其在以具狹窄分子量分 佈之聚合物樹脂所組成的樹脂層中亦然;本發明之光阻組 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12 - 487829 , A7 B7 五、發明説明(10 ) 成物中所產生之具有較小分子容積的(齒化)低碳院基擴 酸因在後暴曬烘烤處理中於樹脂層內更易擴散’進而使該 圖樣電阻層伴隨著優異之橫切面圖° 如通式(I )之含氰基之肟磺酸酯化合物的實例包括 α —(甲磺醯氧基亞胺基)苄基氰; α —(甲磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲氧基笮基氰; α —(三氟甲基磺醯氧基亞胺基)笮基氰; α —(三氟甲基磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲氧基笮基氰; α —(乙磺醯氧基亞胺基)一4 一甲氧基苄基氰; α —(丙磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲基苄基氰; α -(異丙磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲氧基苄基氰; α —(丁磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲氧基笮基氰; α —(甲磺醯氧基亞胺基)_4 一溴基笮基氰; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 及其類似物。在上述化合物之中,第一個提及之α—(甲 磺醯氧基一亞胺基)笮基氰係一揭示於美國專利第 4,45 1 ,285案號之已知化合物,但其他化合物每 一個都是新穎化合物,爲先前技藝所未知,且亦未揭示於 任何文獻中。 至於製備通式(I )之含氰基之肟磺酸酯化合物的合 成方法,雖然本文並沒有特別限制,但可應用如日本專利 Kokai 1 — 124848 案號、2 - 154266 案號及 6 — 6 7 4 3 3案號中所揭示之類似於雙芳族含氰基之后 磺酸酯化合物製法的方法。也就是說,該化合物可藉在鹼 一 13 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 487829 A7 B7 五、發明説明(11 ) 性觸媒或酸接受體如吡啶、三乙胺及其類似物存在下,於 有機溶劑如四氫呋喃、N,N —二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N —甲基一吡咯烷酮及其類似物中令含肟 基化合物與磺醯氯進行酯化反應而獲得。上述酯化反應中 做爲起始反應劑之一的含肟基化合物可藉由如Systematic Identification of Organic Compounds,第 181頁(1980 年,John Wi1ey & Sons )、Die Makromo 1 eku 1 are Chemie ,第 108卷,第 170頁( 1 9 6 7年)、Organic Syntheses,第 59卷,第95頁( 1 9 7 9年)及其他者所揭示之已知方法製備 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之化學敏化型光阻組成物的調製物中,上述 肟磺酸酯化合物可根據需要而單獨使用或以二或多種之組 合使用。雖然二或多種肟磺酸酯化合物之較佳組合物係視 各種因素如電阻層厚度、後暴露烘烤處理的條件,基材表 面與電阻層間之抗反射塗層的干擾等等而定,但在本發明 之負作用化學敏化型光阻組成物中此類組合物乃特別令人 喜愛,尤其是使用重量比在1:2至2:1之(甲磺 醯氧基-亞胺基)苄基氰與α -(甲磺醯氧基亞胺基)-4 —甲氧基爷基氰的組合物。 在本發明之含有組份(a 1 )樹脂成份及組份(b ) 酸產生劑的正作用光阻組成物中,酸係在光阻層受光化射 線照射的面積中從組份(b )內產生,如此組份(a 1 ) 中之酸可解離取代基將被解離而使樹脂分子內之羥基再生 ,進而導致組份(a 1 )於顯層處理時之鹼溶解度增加, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14 - 487829 A7 ___B7 五、發明説明(12 ) 以便選擇性地除去暴曬面積中之電阻層而獲得正圖樣之光 阻。 在本發明之含有組份(a 2 )鹼溶性樹脂成份、組份 (b )酸產生劑、及組份(c )酸可交聯樹脂成份的負作 用光阻組成物中,酸也係在光阻層受光化射線照射之面積 中從組份(b )內產生,如此酸可交聯樹脂成份就可供應 組份(a 2 )之交聯,進而減低電阻層於鹼性顯層劑水溶 液中之鹼溶解度,而致選擇性除去未暴曬面積內之電阻層 ,如此即可獲得負圖樣之電阻層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 做爲組份(c )之酸可交聯樹脂成份在本發明之負作 用光阻組成物中係充當爲組份(a 2 )的交聯劑,其並沒 有特別限制,可自由地選自那些用於已知之負作用化學敏 化型光阻組成物者。組份(c )之酸可交聯樹脂成份的實 例包括具有羥基或烷氧基之胺基樹脂如三聚氰胺樹脂、尿 素樹脂、瓜納胺(quanamine)樹脂、甘脲甲酸樹脂、號 珀醯胺一甲醛樹脂、乙撐尿素-甲醛樹脂及其類似物。這 些樹脂化合物可於沸水中藉令三聚氰胺、尿素、瓜納胺、 甘脲、琥珀醯胺或乙撐尿素與甲醛反應以進行羥甲基化作 用而輕易獲得,或者可進一步藉令羥甲基化樹脂與低碳醇 進行烷氧基化反應而獲得。三聚氰胺樹脂及尿素樹脂不論 單獨或以組合物方式使用皆是較佳的。此類樹脂之商業產 物已商品化’舉例之可包括那些在商品名Nikalacs Mx — 7 5 0及Mw — 3 0下販售之三聚氰胺樹脂,以及 Μ X — 2 9 0商品名販售之尿素樹脂(每一產品係爲 本紙張尺度適用巾賴家鮮(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ' -15 - 487829 A7 B7 五、發明説明(13 )
Sanwa Chemical Co·公司製造)。這些組份(c )之樹脂 化合物可根據需要單獨使用或以二或多種類之組合使用。 除了上述較佳地做爲組份(c )之樹脂化合物外,某 些具有烷氧基之苯化合物如1 ,3,5 —參(甲氧基甲氧 基)苯、1 ,2,4 —參(異丙氧基甲氧基)苯、1 ,4 -雙(第二-丁氧基甲氧基)苯及其類似物,以及某些具 有烷氧基及羥基之酚系化合物如2,6 -二(羥甲基)一 對一甲苯酚、2,6 —二(羥甲基)一對一第三一 丁基苯 酚及其類似物也可用做爲組份(c )。 重要的是,上文說明之基本成份,亦即組份(a 1 ) 及(b)或組份(a2) 、(b)及(c)係以特定之重 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 量比例涵蓋於本發明之每一正作用及負作用光阻組成物中 。也就是說,爲了獲得圖樣形成行爲、電阻層均一性、及 可顯層性之間的良好平衡,組份(b )之量係在每1 〇 〇 重量份組份(al)或(a2)個別有0· 1至30重量 份的範圍內,或者,較佳地爲1至2 0重量份。當組份( b )相對於組份(a 1 )或(a 2 )之量太小時,沒有完 全的電阻層圖樣可伴隨著組成物,然而當其量太大時,基 材表面上所形成之電阻層的均一性會減低,連同電阻層的 可顯層性也會減低,而無法獲得優異圖樣之電阻層。 爲了在光敏性、電阻層均一性及可顯層性等特性中獲 得良好平衡,混合於本發明之負作用光阻組成物內的組份 (c)之量係在每100重量份組份(a2) 3至70重 量份範圍內,較佳地爲1 0至5 0重量份。當組份(c ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 _ 16 - 487829 A7 B7 五、發明説明(14) 相對於組份(a 2 )之量太小時,光阻組成物無法提供對 光化射線的高光敏性,然而當其量太大時,在基材表面上 所形成之電阻層的均一性及可顯層性會減低。 通常’化學敏化型光阻組成物係以均勻溶液形態來使 用’其係藉將上文所說明之基本成份及視需要之添加劑溶 解於有機溶劑中而製備。合適之有機溶劑實例包括酮類化 合物如丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基環戊基酮、2 -庚酮及其類似物,多元醇及其衍生物如乙二醇、乙二醇一 醋酸酯、二乙二醇、二乙二醇—醋酸酯、丙二醇、丙二醇 —醋酸酯、二丙二醇及二丙二醇一醋酸酯、以及上述甘醇 及甘醇-醋酸酯之單甲酯、單乙酯、單丙酯、單丁酯及單 苯酯及其類似物,環狀醚化合物如二噚烷及其類似物,以 及酯類化合物如乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙 酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲 酯、乙氧基丙酸乙酯及其類似物。這些有機溶劑可根據需 要單獨使用或以二或多種類之混合物使用。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當然,視情況需要,本發明之光阻組成物可與各種具 有與基本成份相容且常用於光阻組成物之視需要的添加劑 相混合,舉例之,包括有增進電阻層之薄膜特性的輔助樹 脂、增塑劑、安定劑、著色劑、表面活性劑等。 使用本發明之光阻組成物在基材表面做出電阻層圖樣 的照相平版印刷過程可如早先技藝般所週知。亦即,可將 如半導體矽晶體薄片之基材表面放於合適之塗佈機器如自 旋器上並用溶液形態之光阻組成物均一地塗覆,接著使塗 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -17 - 487829 A7 B7 五、發明説明(15 ) 層乾燥以便形成可經由帶有圖樣之光罩而逐圖樣地暴曬於 光化射線如紫外線,深紫外線,激元雷射束及其類似物中 之光阻層,或者是形成可藉由逐圖樣掃描而用電子束照射 以形成潛像圖樣之光阻層。待電阻層進行後暴曬烘烤處理 後,可藉使用濃度在1至1 〇重量%之氫氧化四甲銨鹼性 水溶液做爲顯層劑使此一潛像進行顯層處理,接著用水沖 洗,再乾燥之,即可獲得具有高傳真性之以光罩圖樣做圖 的電阻層。 下文中將藉由實施例(以製備數個用做爲實施例中之 組份(b )化合物的合成實施例居先)更加詳細地說明本 發明之正作用及負作用化學敏化型光阻組成物。在下列說 明中,★份數"一詞通常係表示、重量份"。 合成實施例1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) α —(甲磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲氧基苄基氰將依 下列方法製備。所以,可將51.0克(0·29莫耳) α —羥基亞胺基一 4 一甲氧基一笮基氰及一藉使44 · 0 克(〇 · 43莫耳)三乙胺溶解於400毫升四氫呋喃而 製備之溶液放入反應容器內,以形成均一溶液,並使其冷 卻及保持在一 5 °C。在攪拌下將36 · 5克(0 . 32莫 耳)曱磺醯氯逐滴地加入於反應容器內之溶液中使超過2 小時之久。在- 5 °C下攪拌此反應混合物3小時,然後在 約1 0°C下再攪拌另外的2小時。在3 0°C及減壓下經由 蒸餾以除去反應混合物中做爲溶劑之四氫呋喃,即可得到 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) "" '' -18 - 487829 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(16 ) 73·6克固態殘留物之粗產物,藉由從乙睛中重複地再 結晶來純化,即可獲得4 7 · 5克熔點爲1 1 6 °C之白色 結晶狀產物,從如下所述之分析結果中可鑑定此產物爲目 標化合物。上述產量乃相當於64·5%的理論值。 上文所獲得之產物化合物的紅外線吸收光譜在 1187cm-1、 1265cm-1、 1378cm-1、 1 6 Ο 6 cm-1及2 2 3 8 cm-1波數處都有波峰。該化 合物於丙酮—d6中之質子核磁共振pH - NMR)光 譜在 5 = 3 · 48ppm、3 · 93ppm、7 · 12 ppm及7 · 9 Op pm處都具有波峰。該化合物於丙二 醇一甲基醚(做爲溶劑)中之紫外線吸收光譜在λ max = 2 3 3 nm及3 2 4 nm處皆有吸收帶,且其莫耳吸收係 數個別爲ε = 8100及13800。 合成實施例2 依上述合成實施例1之幾乎完全相同的方法製備α -(乙磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苄基氰,但除外的是 以40 · 1克(0 · 32莫耳)乙磺醯氯取代36 · 5克 (0·32莫耳)甲磺醯氯,粗固體產物的產量是 75.0克,經由從乙睛中重複地再結晶可獲得62.1 克熔點爲1 0 2°C之白色結晶狀產物,其可從下述之分析 結果中鑑定爲目標化合物。上述該產物之產量相當於 80.6%之理論值。 上文所獲得之產物化合物的紅外線吸收光譜在波數 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 19 - 487829 A7 _____B7 五、發明説明(17 ) 1178cm-1' 1267cm-1' 1375cm"1' 1 6 Ο 6 cm-1及2 2 3 8 cm-1處有波峰。該化合物於 丙酮一d6中之1H — NMR光譜在5 = 1 · 47ppm、 3 · 68ppm、3 . 93ppm、7· 12ppm 及 7 · 8 9 P pm處具有波峰。該化合物於丙二醇一甲基醚 (做爲溶劑)中之紫外線吸收光譜在;lmax = 2 3 3 nm 及3 2 5 nm處有吸收帶,且其莫耳吸收係數個別爲ε = 7400 及 12500。 合成實施例3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依上述合成實施例1之幾乎完全相同的方法製備α -(正一丁磺醯氧基亞胺基)-4 一甲氧基苄基氰,但除外 的是,以50 · 0克(0 · 32莫耳)1 一 丁磺醯氯取代 36 · 5克(0 · 32莫耳)甲磺醯氯。粗固體產物之產 量是90 · 0克,藉由從乙腈中重複再結晶作用,即可獲 得5 2 · 3克熔點爲7 1°C之白色結晶狀產物,彼可從下 述之分析結果鑑定爲目標化合物。上述產物之產量乃相當 於5 5 · 3 %理論值。 上文所獲得之產物化合物的紅外線吸收光譜在波數 1186cm-1' 1268cm-1' 1369cm-1' 1 6 Ο 6 cm-1及2 2 3 8 cm-1處有波蜂。該化合物於 丙酮一d6 之1H — NMR 光譜在 5 = 0 · 9 6 p pm、 1 · 52ppm、1 · 89ppm、3 · 65ppm、 3 · 95ppm、7 · 14ppm 及 7 · 89ppm 處具 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20 - 487829 A7 B7 五、發明説明(18 ) 有波峰。該化合物於丙二醇-甲基醚(做爲溶劑)中之紫 外線吸收光譜在Amax = 2 3 3 nm及3 2 5 nm處有吸 收帶,且莫耳吸收係數個別爲ε = 8 0 0 0及1 3 6 0 0 〇 合成實施例4 依上述合成實施例1之幾乎完全相同的方法製備α -(異丙磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基笮基氰,但除外的 是,以45 · 5克(0 · 32莫耳)2 -丙磺醯氯取代 36 . 5克(0 . 32莫耳)甲磺醯氯。粗固體產物之產 量是88·0克,藉由從乙睛中重複再結晶作用,即可獲 得5 5 · 2克熔點爲7 2°C之白色結晶狀產物,彼可從下 述之分析結果鑑定爲目標化合物。上述產物之產量乃相當 於6 1 · 2 %理論值。 上文所獲得之產物化合物的紅外線吸收光譜在波數 1186cm-^ 1267cm-l 1368cm-1、 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 0 6 cm-1及2 2 3 8 cm-1處有波峰。該化合物於 丙酮—d6 之1H — NMR 光譜在 6 = 1 · 52ppm、 3 · 93ppm、3 · 95ppm、7 · 13ppm 及 7 · 8 7 p pm處具有波峰。該化合物於丙二醇一甲基醚 (做爲溶劑)中之紫外線吸收光譜在λ max = 2 3 3 n m 及3 2 4 nm處有吸收帶,且莫耳吸收係數個別爲e = 6800 及 11000。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -21 - 487829 A7 ____B7 五、發明説明(19 ) 合成實施例5 依下列方法製備α -(甲磺醯氧基亞胺基)韦基氰。 因此,可將52 · 5克(0 · 36莫耳)α -羥基亞胺基 笮基氰及一藉使44 · 0克(〇 · 43莫耳)三乙胺溶解 於4 0 0毫升四氫呋喃而製得之溶液一起放入反應容器內 以形成均勻溶液,並冷卻及保持在- 5 °C下。在攪拌下將 49·0克(0·43莫耳)甲磺醯氯逐滴地加入於反應 容器內之溶液中使達2小時之久。在- 5 °C下攪拌此反應 混合物3小時,然後在約1 〇°C下再攪拌另外的2小時。 在3 0°C及減壓下經由蒸餾以除去反應混合物中做爲溶劑 之四氫呋喃,即可獲得75·0克固體殘留物,藉由從乙 腈中重複再結晶作用來純化,以便得到6 4 · 5克熔點爲 1 2 0°C之白色結晶狀產物,彼可從下述之分析結果及溶 點與文獻中所報告之已知值吻合而鑑定爲目標化合物。該 產物之上述產量乃相當於80·0%的理論值。 上文所得之產物化合物的紅外線吸收光譜在波數 844cm-1、 902cm-工、1191cm-1、 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 3 8 6 c m-1、及2 2 4 0 c m-1處有波峰。該化合物 於丙酮一d6中之1Η — NMR光譜在(5 = 3 · 50ppm 、7 · 62ppm、7 · 68ppm 及 7 · 97p pm 處 具有波峰。該化合物於丙二醇-甲基醚(做爲溶劑)中之 紫外線吸收光譜在λ ma:x: = 222nm及28 1 nm處有 吸收帶,且莫耳吸收係數個別爲ε = 8 7 8 0及 1 0 8 0 0 ° 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) " '~ -22 - 487829 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____ B7五、發明説明(20 ) 合成實施例6 依下列方法製備α -(甲磺醯氧基亞胺基)一 4 -溴 基笮基氰。因此,可將81 · 〇克(〇 · 36莫耳)α -羥基亞胺基一4一溴基笮基氰及一藉使44.0克( 〇 · 4 3莫耳)三乙胺溶解於4 0 0毫升四氫呋喃而製得 之溶液一起放入反應容器內以形成均勻溶液,並冷卻及保 持在—5°C下。在攪拌下將49 · 0克(0 . 43莫耳) 甲磺醯氯逐滴地加入於反應容器內之溶液中使達2小時之 久。在一 5 °C下攪拌此反應混合物3小時,然後在約1 0 °<:下再攪拌另外的2小時。在3 0°C及減壓下經由蒸餾以 除去反應混合物中做爲溶劑之四氫呋喃,即可獲得 1 0 3 · 0克固體殘留物,藉由從乙腈中重複再結晶作用 來純化,以便得到8 1 · 8克熔點爲1 2 8 °C之白色結晶 狀產物,彼可從下述之分析結果中鑑定爲目標化合物。該 產物之上述產量乃相當於7 5 · 0%的理論值。 上文所得之產物化合物的紅外線吸收光譜在波數 844cm-1、 902cm-1、 1191cm-1、 1 3 8 0 cm-1及2 2 3 8 cm-1處有波峰。該化合物於 丙酮一d6中之1H — NMR光譜在5 = 3 · 5 0ppm、 7 · 80ppm及7 · 88ppm處具有波峰。該化合物 於丙二醇-甲基醚(做爲溶劑)中之紫外線吸收光譜在入 = 2 2 6 nm及2 9 2 nm處有吸收帶,且莫耳吸收 係數個別爲ε = 9270及13500。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ΜΎ. 一 23 - 487829 A7 ______ B7 五、發明説明(21 ) 實施例1 藉由將3 0份重量平均分子量爲8 〇 〇 〇之第一種聚 羥基苯乙烯(其中表示分子量分佈之Mw : Μη值是 1·5且39%的羥基是經第三一丁氧基羰氧基取代)、 7 0份重量平均分子量在8 0 0 0之第二種聚羥基苯乙嫌 (其中代表分子量分佈之Mw : Μη值是1 · 5且有3 9 %經基經乙氧基乙氧基取代)、2份α -(甲擴醯氧基一 亞胺基)一 4 一甲氧基苄基氰、〇 · 3份三乙胺、0 · 2 份水楊酸及5份Ν,Ν -二甲基乙醯胺溶解於4 0 0份丙 二醇一甲基醚中,以製備均勻溶液形態之正作用化學敏化 型光阻組成物,接著經由一具0 · 2 /zm孔直徑之膜濾器 來過濾溶液。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一自旋器上用該依此製備之光阻溶液均勻地塗覆矽 晶體薄片,接著在8 0°C下乾燥9 0秒以獲得一具有 0 · 7 /z m厚度之乾燥光阻層。在一削減投射型暴曬機器 (型號 NSR-20 0 5EX8A, Nikon Co.公司製)上以 1 m J / c m2增加量逐次增加各種劑量的方式將此電阻層暴露於 K r F激元雷射束中,接著在1 1 〇°C下進行後暴曬烘一 烤處理達90秒,然後在23 °C下於2 · 38重量%氫氧 化四甲銨水溶液中接受顯層處理達6 5秒,再用水沖洗 3 0秒並乾燥。以最小暴曬量表示之組成物的光敏性,亦 即在暴曬面積上的電阻層可完全地經上述之顯層處理除去 的暴曬劑量是5m;i/cm2。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -24 - 487829 A7 B7 五、發明説明(22 ) 再者,依上述方法所形成之以0 · 2 2 /zm線寬之線 及間線圖樣方式做圖的電阻層可用掃描式電子顯微鏡來檢 測其橫切面圖,以便檢驗出橫切面呈優越的正交且是沒有 波浪地直立於基材表面上。 藉由在各種溫度下加熱具有1 0 0 //m線寬之線條圖 樣電阻層達5分鐘以評估圖樣電阻層的耐熱性,接著藉由 顯微鏡檢視法來偵測當加熱溫度在1 2 0 °C或更低時,沿 著該線條圖樣之電阻層的肩部有否任何收縮或變形。 比較件實施例1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 正作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程實 質上係和實施例1相同,但除外的是,以等量的具有重量 平均分子量爲8 0 0 0之第三種聚羥基苯乙烯(其中代表 分子量分佈之Mw : Mn值是4 · 5,且有3 9%羥基是 經第三-丁氧基羰氧基取代)取代第一種聚羥基苯乙烯, 以等量的具有8 0 0 0重量平均分子量之第四種聚羥基苯 乙烯(其中表示分子量分佈之Mw:Mn值是4 . 5,且 3 9 %羥基是被乙氧基乙氧基取代)取代第二種聚羥基苯 乙烯,以及以等量的α -(對一甲苯磺醯氧基一亞胺基) 一 4 —甲氧基苄基氰取代α —(甲磺醯氧基亞胺基)一4 —甲氧基一书基氰。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是4m J / cm2 ,而圖樣電阻層之耐熱性試驗顯示出,當加熱溫度是 1 2 0 °C時可發現到沿著此線條圖樣之電阻層的肩部有收 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25 - 487829 A7 B7 五、發明説明(23 ) 縮;同時以掃描式電子顯微鏡檢視之具有〇 .2 3 //m線 寬之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈波浪狀,此乃顯示受靜 止波強烈的影響。 比較性實施例2 正作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程幾 乎完全和實施例1相同,但除外的是以等量的α-(對一 甲苯磺醯氧基一亞胺基)—4 一甲氧基笮基氰取代α—( 甲磺醯氧基亞胺基)一 4 —甲氧基一苄基氰。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是5 m J / cm2 ,而圖樣電阻層之耐熱性試驗顯示出,當加熱溫度是 1 2 0 °C或更低時沿著此線條圖樣之電阻層的肩部並沒有 任何收縮;然而以掃描式電子顯微鏡檢視之具有0 · 2 2 //m線寬之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈波浪狀,此乃顯 示了受到靜止波強烈影響。 比較性實施例3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 正作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程實 質上係和實施例1相同,但除外的是,以等量的如比較性 實施例1所用之第三種聚羥基苯乙烯取代第一種聚羥基苯 乙烯,及以等量之如比較性實施例1所用之第四種聚羥基 苯乙烯取代第二種聚羥基苯乙烯。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是4m J / cm2 ,而圖樣電阻層之耐熱性試驗則顯示出,當加熱溫度爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26 - 487829 A7 B7 五、發明説明(24 ) 1 2 0°C時沿著此線條圖樣之電阻層的肩部可發現有收縮 ,同時,以掃描式電子顯微鏡檢視之具有0 · 23/zm線 寬之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈正交,且沒有波浪地直 立於基材表面上。 實施例2 藉將1 0 0份莫耳比在8 5 : 1 5且具有重量平均分 子量爲2 5 0 0之羥基苯乙烯與苯乙烯所組合的第一種共 聚物(其中代表分子重量分佈之Mw : Μη值是1 · 5 ) 、1 0份尿素樹脂(Μ X — 2 9 0,supra) 、1份三聚 氰胺樹脂(Mx - 750,supra)及3份α —(甲磺醯 氧基亞胺基)—4 一甲氧基一笮基氰)溶解於5 6 0份丙 二醇一甲基醚中,以製備均勻溶液形態之負作用化學敏化 型光阻組成物。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一自旋器上用該依此製得之光阻溶液均勻地塗覆矽 晶體薄片,接著在1 0 0°C下乾燥9 0秒以獲得一具有 0 · 7//m厚度之乾燥光阻層。於一削減投射型暴曬機器 (型號NSR- 2 0 0 5EX8A, supra)上將此電阻層逐次地暴露 於K r F激元雷射束中,接著在1 3 0°C下進行後暴曬烘 烤處理達90秒,然後在23 °C下於2 · 38重量%氫氧 化四甲銨水溶液下進行顯層處理達6 5秒,再以水沖洗 3 0秒並乾燥之。 表示組成物之光敏性的圖樣初形成之最小暴曬量是8 mJ/cm如掃描式電子顯微鏡所檢視般,具有0·30 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 487829 A7 B7 五、發明説明(25 ) //m線寬之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈優越地正交,且 沒有波浪地直立於基材表面上。 比較性實施例4 負作用化學敏化型光阻組成物之調製及其詳估過程實 質上乃和實施例2相同,但除外的是,以等量之莫耳比在 8 5 : 1 5且具有2 5 0 〇重量平均分子量之羥基苯乙烯 與苯乙烯的第二種共聚物(其中表示分子重量分佈之Mw :Μη值是4 · 0 )取代羥基苯乙烯與苯乙烯的第一種共 聚物,及以等量之α -(對一甲苯磺醯氧基-亞胺基)一 4 一甲氧基苄基氰取代α -(甲磺醯氧基亞胺基)—4一 甲氧基一苄基氰。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是1 〇m J / cm2,而以掃描式電子顯微鏡檢視之線寬爲〇 · 3 5 /zm 之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈波浪狀,此乃顯示受到靜 止波強烈影響。具有線寬爲0 . 3 0 // m或更小之線條圖 樣電阻層則無法在基材表面上形成。 比較性實施例5 負作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程幾 乎完全和實施例2相同,但除外的是,以等量的α —(對 —甲苯一磺醯氧基亞胺基)—4 一甲氧基笮基氰取代α — (甲磺醯氧基亞胺基)一4-甲氧基笮基氰。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是1 2m J / 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--:-訂. ~ 28 - 487829 A7 _____B7__ 五、發明説明(26 ) cm2,且以掃描式電子顯微鏡檢視之線寬爲〇 · 3 0 /zm 之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈波浪狀,此乃顯示受到靜 止波強烈影響。 比較性眚施例6 負作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程實 質上係和實施例2相同,但除外的是,以等量之如比較性 實施例4所用的羥基苯乙烯與苯乙烯之第二種共聚物取代 羥基苯乙烯與苯乙烯之第一種共聚物。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是7m J / c nf ,而以掃描式電子顯微鏡檢視之線寬在〇 . 3 5 // m之線 條圖樣電阻層的橫切面圖呈正交且沒有波浪地直立於基材 表面上。具有線寬爲0 · 3 0 //m或更小之線條圖樣,電 阻層則無法在基材表面上形成。 實施例3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由將10 0份使6 · 4莫耳比之間一及對一甲酣與 甲醛的組合物進行縮合反應所製得之第一種酣酸、凊'漆樹脂 (其重量平均分子量爲1 2 0 0 0,其中代表分子重量分 佈之Mw:Mn值是3 · 5) 、10份尿素樹脂(Mx — 2 9 0,supra) 、1份三聚氰胺樹脂(Μχ — 7 5 0, supra)及3份α —(甲磺醯氧基亞胺基)—4 一甲氧基 笮基氰溶解於4 0 0份丙二醇-甲基醚中,以製備均勻溶 液形態之負作用化學敏化型光阻組成物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) " 487829 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(27 ) 在一自旋器上用該依此製備之光阻溶液均勻地塗覆矽 晶體薄片,接著在一熱板上於9 0°C乾燥9 0秒,以獲得 具有2 . O/zm厚度之乾燥光阻層。在一削減放射型暴曬 機器(型號NSR-2 0 05 il0D, Nikon Co.公司製造)上將此 電阻層逐次地暴露於3 6 5 nm波長之i 一線紫外線中, 接著在1 0 0°C下進行後暴曬烘烤處理達9 0秒,然後在 2 3 °C下於2 . 3 8重量%氫氧化四甲銨水溶液進行顯層 處理達6 5秒,並用水沖洗3 0秒再乾燥之。 評估試驗之結果爲,圖樣初形成時組成物之光敏性是 2 5m J / cm2,且以掃描式電子顯微鏡檢視之2 /zm線 寬之線條圖樣電阻層的橫切面圖呈正交,並且是沒有波浪 地直立於基材表面上。 比較性實施例7 負作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程實 質上係與實施例3相同,但除外的是,以等量的從相同之 間一及對一甲酚混合物中製得之第二種酚醛清漆樹脂(其 重量平均分子量爲1 0000,其中代表分子重量分佈之 Mw:Mn值是5 · 6)取代第一種酚醛清漆樹脂,及以 等量之α —(對一甲苯磺醯氧基一亞胺基)一 4 一甲氧基 苄基氰取代α —(甲磺醯氧基亞胺基)一 4 一(甲氧基爷 基氰)。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性爲3 〇m J / c m2,而以掃描式電子顯微鏡檢視之線寬爲2 //m之線條 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -ΦΙ. -30 - 487829 A7 ____B7 五、發明説明(28 ) 圖樣電阻層的橫切面圖呈波浪狀,此乃表示受到靜止波強 烈影響。 比較件眚施例8 負作用化學敏化型光阻組成物之調製及其評估過程實 質上係與實施例3相同,但除外的是,以等量之α -(對 一甲苯磺醯氧基亞胺基)一 4 一甲氧基笮基氰取代α -( 甲磺醯氧基一亞胺基)一4一甲氧基笮基氰。 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是2 5 m J / c m2,而以掃描式電子顯微鏡檢視之寬度爲2 i m之線條 圖樣電阻層的橫切面圖則呈波浪狀,此乃顯示受到靜止波 強烈影響。 比較件實施例9 負作用化學敏化型光阻組成物及其評估過程實質上係 與實施例3相同,但除外的是,以等量的如比較性實施例 7所用之第二種酚醛清漆樹脂取代第一種酚醛清漆樹脂。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 評估試驗之結果爲,組成物之光敏性是3 Om J / c m2,而以掃描式電子顯微鏡檢視之線寬爲2 /zm之線條 圖樣電阻層的橫切面圖是呈正交,且沒有波浪地直立於基 材表面上。 實施例4 藉由將1 0 0份如實施例2所用之羥基苯乙烯與苯乙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31 - 487829 A7 B7 五、發明説明(29 ) 烯的相同共聚物,15份三聚氰胺樹脂(Mw— 1 〇 〇 LM,由Sanwa Chemical Co.公司製造之產品)、 3份α —(甲磺醯氧亞胺基)苄基氰、及4份(甲擴 醯氧基亞胺基)一4一甲氧基笮基氰溶解於500份丙二 醇-甲基醚醋酸酯中,以製備均勻溶液形態之負作用化學 敏化型光阻組成物。 在一自旋器上用該依此製備之光阻溶劑均勻地塗覆於 一帶有抗反射塗膜之矽晶體薄片上,接著在一熱板上於 90°C下乾燥達90秒,以獲得厚度在0 . 80//m之乾 燥光阻層。於削減放射型暴曬機器(型號NSR- 2 0 0 5 il0D, supra)上將此電阻層逐次地暴露於3 6 5 nm波長之 i 一線紫外線中,接著在1 0 0°C下進行後暴曬烘烤處理 達90秒,然後在23 °C下於2 · 38重量%氫氧化四甲 銨水溶液中進行顯層處理達6 5秒,接下來用水沖洗3 0 秒並乾燥。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 評估試驗之結果爲,圖案初形成時組成物之光敏性是 3 〇m J / cm2,而以掃描式電子顯微鏡檢視之線寬爲 0 · 3 0 //m之線條圖樣電阻層的橫切面圖是呈正交,且 沒有波浪地直立於基材表面上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -32 -
Claims (1)
- 487829^申請專利+〇— Ρί寸件一: 第8 5 1 1 5 2 5 3號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 1年3月修正 1 · 一種正作用化學敏化型光阻組成物,彼係一溶於 有機溶劑中之均勻溶液形態,且包含: (a 1 ) 1 〇 〇重量份鹼溶性含羥基樹脂,其中至少部份 的羥基每一個係經酸可解離取代基取代,且重量平均分子 量對數均分子量之比Mw : Μ η不會超過3 · 5 ;以及 (b ) 〇 · 1至3 〇重量份含氰基之后磺酸酯化合物做爲 酸產生劑,其係以下列通式表示 R 1 - C ( C N ) = N — 〇 一 S〇2— R 其中R1表示單價芳族基,R2表示具有1至4個碳原子 且未取代或經鹵素原子取代之烷基,其中該含羥基樹脂係 羥基苯乙烯均聚物、羥基苯乙烯與苯乙烯之共聚物,且其 中該羥基苯乙烯部份之莫耳比例係至少7 0 %,及在該組 份(a 1 )中之酸可解離取代基係選自第三一烷氧基羰基 、第三-烷基、烷氧基烷基及環系縮醛基。 2 ·如申請專利範圍第1項之正作用化學敏化型光阻 組成物,其中1至6 0%於該含羥基樹脂內之羥基係經酸 可解離基取代。 3 ·如申請專利範圍第1項之正作用化學敏化型光阻 本紙張足度適用中國國家榡準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -1 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487829 A8 B8 C8 _____D8_____ 六、申請專利範圍 組成物,其中表示R1之芳族單價基係選自未取代或經鹵 素原子、烷基、烷氧基或硝基取代之苯基、棻基、呋喃基 、及噻嗯基。 4 ·如申請專利範圍第1項之正作用化學敏化型光阻 組成物,其中在該組份(a 1 )中之酸可解離取代基係選 自第三一丁氧基羰基、第三-丁基、乙氧基乙基、甲氧基 丙基、四氫吡喃基、及四氫呋喃基。 5 ·如申請專利範圍第1項之正作用化學敏化型光阻 組成物,其中在該組份(a 1)內之重量平均分子量對數 均分子量之比Mw : Μη不超過2 · 5。 6 ·如申請專利範圍第5項之正作用化學敏化型光阻 組成物,其中在該組份(a 1 )內之重量平均分子量對數 均分子量之比Mw : Μη不超過1 . 5。 7 ·如申請專利範圍第1項之正作用化學敏化型光 阻組成物,其中該組份(b )之量係在每1 〇 0重量份組 份(a 1) 1至20重量份的範圍內。 8 . —種負作用化學敏化型光阻組成物,彼係一溶於 有機溶劑之均勻溶液形態,且包含: (a2)100重量份鹼溶性樹脂,其中重量平均分子量 對數均分子量之比Mw : Μη不會超過3 . 5 ; (b) 〇 · 1至3 0重量份含氰基之肟磺酸酯化合物做爲 酸產生劑,其係以下列通式表示 R 1 - C (CN) = N —〇一S〇2—R2, 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) # 曹 ------V---^裝.------訂 J--.--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 2 - 487829 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中R1表示單價芳族基,R2表示具有1至4個碳原子 且未取代或經鹵素原子取代之烷基;以及 (c) 3至7 0重量份酸可交聯樹脂,其中該做爲組份( c )之酸可交聯樹脂係在分子內具有羥基、烷氧基或彼等 之組合的胺基樹脂,及該做爲組份(a 2 )之鹼溶性樹脂 係選自酚醛清漆樹脂、羥基苯乙烯均聚物、其中部份羥基 每個皆經酸可解離基取代之羥基苯乙烯均聚物、苯乙烯化 合物與羥基苯乙烯之共聚物、部份或完全氫化之聚羥基苯 乙烯、羥基苯乙烯與(甲基)丙烯酸或彼之衍生物的共聚 物、及(甲基)丙烯酸與彼之衍生物的共聚物。 9 ·如申請專利範圍第8項之負作用化學敏化型光阻 組成物,其中該做爲組份(c )之酸可交聯樹脂係遴自三 聚氰胺樹脂、尿素樹脂、彼等之組合物,其每一個在分子 內都可具有羥基、烷氧基、或彼之組合。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之負作用化學敏化型光 阻組成物,其中表示R1之芳族單價基係選自未取代或經 鹵素原子、烷基、烷氧基或硝基所取代之苯基、棻基、呋 喃基及噻嗯基。 1 1 ·如申請專利範圍第8項之負作用化學敏化型光 阻組成物,其中在該組份(a 2)內之重量平均分子量對 數均分子量之比Mw : Μη不超過2 . 5。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之負作用化學敏化型 光阻組成物,其中在該組份(a 2 )內之重量平均分子量 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " -3 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487829 A8 Βδ C8 ___D8 _ 六、申請專利範圍 對數均分子量之比Mw : Μη不超過1 · 5。 13·如申請專利範圍第8項之負作用化學敏化型光 阻組成物’其中該組份(b )之量係在每1 〇 〇重量份組 份(a 2) 1至20重量份的範圍內。 1 4 ·如申請專利範圍第8項之負作用化學敏化型光 阻組成物,其中該組份(c )之量係在每1 0 0重量份組 份(a 2) 1〇至50重量份的範圍內。 1 5 ·如申請專利範圍第8項之負作用化學敏化型光 阻組成物,其中該組份(b )係爲重量比在1 : 2至2 : 1範圍內之α —(甲磺醯氧基亞胺基)一爷基氰與α—( 甲磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基笮基氰的組合物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) — 4 一
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Families Citing this family (130)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3665166B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2005-06-29 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
EP0925529B1 (en) * | 1996-09-02 | 2003-04-16 | Ciba SC Holding AG | Alkysulfonyloximes for high-resolution i-line photoresists of high sensitivity |
US6770420B2 (en) * | 1996-09-02 | 2004-08-03 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | Alkylsulfonyloximes for high-resolution i-line photoresists of high sensitivity |
JP3053072B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2000-06-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP3655030B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2005-06-02 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型化学増幅型レジスト組成物 |
US6042988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition |
CA2323795A1 (en) | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Akzo Nobel Nv | Non-aqueous coating composition based on an oxidatively drying alkyd resin and a photo-initiator |
DK199901098A (da) * | 1998-08-18 | 2000-02-19 | Ciba Sc Holding Ag | Sylfonyloximer til i-linie-fotoresists med høj følsomhed og høj resisttykkelse |
TW575792B (en) * | 1998-08-19 | 2004-02-11 | Ciba Sc Holding Ag | New unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
JP3771739B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2006-04-26 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US6187506B1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-02-13 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
US6482567B1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-11-19 | Shipley Company, L.L.C. | Oxime sulfonate and N-oxyimidosulfonate photoacid generators and photoresists comprising same |
TW594390B (en) | 2001-05-21 | 2004-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
TWI242689B (en) * | 2001-07-30 | 2005-11-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Chemically amplified negative photoresist composition for the formation of thick films, photoresist base material and method of forming bumps using the same |
BR0307501A (pt) * | 2002-02-06 | 2004-12-07 | Ciba Sc Holding Ag | Derivados de sulfonato e o uso destes como ácidos latentes |
KR100698444B1 (ko) | 2002-03-22 | 2007-03-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 레지스트 재료용 광산 발생제, 및 이것을사용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
TW200405128A (en) | 2002-05-01 | 2004-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
JP3991213B2 (ja) | 2002-08-09 | 2007-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4371206B2 (ja) | 2002-09-30 | 2009-11-25 | 信越化学工業株式会社 | エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP4221560B2 (ja) | 2002-09-30 | 2009-02-12 | 信越化学工業株式会社 | ラクトン構造を有する三級(メタ)アクリレート化合物、その重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP3991223B2 (ja) | 2003-02-13 | 2007-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP3991222B2 (ja) | 2003-02-13 | 2007-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2004334060A (ja) | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト用光酸発生剤及びそれを含有するレジスト材料並びにパターン形成方法 |
JP4029288B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-01-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4081677B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-04-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4009852B2 (ja) | 2003-05-21 | 2007-11-21 | 信越化学工業株式会社 | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7285368B2 (en) | 2003-06-12 | 2007-10-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymerizable ester having sulfonamide structure, polymer, resist composition and patterning process |
JP4085034B2 (ja) | 2003-07-17 | 2008-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4359467B2 (ja) | 2003-08-28 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。 |
JP4398783B2 (ja) | 2003-09-03 | 2010-01-13 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7601479B2 (en) | 2003-09-12 | 2009-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, resist composition and patterning process |
JP4355917B2 (ja) | 2003-10-29 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7276324B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-10-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process |
JP4502115B2 (ja) | 2004-04-23 | 2010-07-14 | 信越化学工業株式会社 | 含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4566619B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-10-20 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4300420B2 (ja) | 2004-06-21 | 2009-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4488215B2 (ja) | 2004-08-19 | 2010-06-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2006106311A (ja) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法 |
US7531289B2 (en) | 2004-10-28 | 2009-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluorinated monomer having cyclic structure, manufacturing method, polymer, photoresist composition and patterning process |
JP4420226B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-02-24 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4184352B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2008-11-19 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP4775561B2 (ja) | 2005-04-01 | 2011-09-21 | 信越化学工業株式会社 | シルセスキオキサン系化合物混合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法 |
TWI332122B (en) | 2005-04-06 | 2010-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process |
JP4804028B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-10-26 | 東京応化工業株式会社 | ナノ構造体の製造方法 |
JP4626758B2 (ja) | 2005-07-07 | 2011-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素環状構造を有するケイ素化合物及びシリコーン樹脂、それを用いたレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
JP4671035B2 (ja) | 2005-10-14 | 2011-04-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
EP1780199B1 (en) | 2005-10-31 | 2012-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
EP1780198B1 (en) | 2005-10-31 | 2011-10-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel fluorosulfonyloxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
JP5680274B2 (ja) | 2005-12-01 | 2015-03-04 | チバ ホールディング インコーポレーテッドCiba Holding Inc. | オキシムエステル光開始剤 |
JP4716016B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP4539865B2 (ja) | 2006-01-06 | 2010-09-08 | 信越化学工業株式会社 | ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4614092B2 (ja) | 2006-01-31 | 2011-01-19 | 信越化学工業株式会社 | フッ素アルコール化合物の製造方法 |
JP4600678B2 (ja) | 2006-02-13 | 2010-12-15 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP4687898B2 (ja) | 2006-03-14 | 2011-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素ケイ素化合物、シリコーン樹脂、それを用いたレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
US7771913B2 (en) | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP4548616B2 (ja) | 2006-05-15 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法 |
JP4548617B2 (ja) | 2006-06-09 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP4623311B2 (ja) | 2006-06-14 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP5124806B2 (ja) | 2006-06-27 | 2013-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5124805B2 (ja) | 2006-06-27 | 2013-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI395065B (zh) | 2006-07-06 | 2013-05-01 | Shinetsu Chemical Co | 正型光阻組成物及圖型之形成方法 |
TWI370139B (en) | 2006-07-06 | 2012-08-11 | Shinetsu Chemical Co | Ester compounds and their preparation, polymers, resist compositions and patterning process |
JP4784753B2 (ja) | 2006-07-06 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI397771B (zh) | 2006-07-06 | 2013-06-01 | Shinetsu Chemical Co | 正型光阻組成物及圖型之形成方法 |
KR101054158B1 (ko) | 2006-07-06 | 2011-08-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
KR101035742B1 (ko) | 2006-09-28 | 2011-05-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규 광산 발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴형성 방법 |
JP4509080B2 (ja) | 2006-09-28 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 |
KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
JP2008088343A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR101242332B1 (ko) | 2006-10-17 | 2013-03-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
JP4784760B2 (ja) | 2006-10-20 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4288520B2 (ja) | 2006-10-24 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7618764B2 (en) | 2006-11-22 | 2009-11-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist compositions and patterning process |
JP2008129389A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4910662B2 (ja) | 2006-11-29 | 2012-04-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4314494B2 (ja) | 2006-11-29 | 2009-08-19 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4355725B2 (ja) | 2006-12-25 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4314496B2 (ja) | 2007-01-09 | 2009-08-19 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR20090104877A (ko) | 2007-01-23 | 2009-10-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 옥심 화합물, 감광성 조성물, 컬러 필터, 그 제조방법 및 액정표시소자 |
JP4435196B2 (ja) | 2007-03-29 | 2010-03-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
EP2144900B1 (en) | 2007-05-11 | 2015-03-18 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
WO2008138724A1 (en) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
JP4637209B2 (ja) | 2007-06-05 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法 |
JP5035560B2 (ja) | 2007-07-04 | 2012-09-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
GB2450975B (en) | 2007-07-12 | 2010-02-24 | Ciba Holding Inc | Yellow radiation curing inks |
JP4475435B2 (ja) | 2007-07-30 | 2010-06-09 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5035562B2 (ja) | 2007-08-22 | 2012-09-26 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5019071B2 (ja) | 2007-09-05 | 2012-09-05 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
US20100286353A1 (en) | 2007-09-19 | 2010-11-11 | Fujifilm Corporation | Acetylene compound, salt thereof, condensate thereof, and composition thereof |
JP5013119B2 (ja) | 2007-09-20 | 2012-08-29 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料 |
JP4993138B2 (ja) | 2007-09-26 | 2012-08-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5308657B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-10-09 | 東京応化工業株式会社 | 非イオン性感光性化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4513990B2 (ja) | 2008-01-18 | 2010-07-28 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4844761B2 (ja) | 2008-01-18 | 2011-12-28 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4513989B2 (ja) | 2008-01-18 | 2010-07-28 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5131461B2 (ja) | 2008-02-14 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP5071658B2 (ja) | 2008-02-14 | 2012-11-14 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
JP5177432B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2013-04-03 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4623324B2 (ja) | 2008-03-18 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5245956B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
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JP4650644B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
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US8323866B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Inorganic resist sensitizer |
US8158338B2 (en) | 2008-07-08 | 2012-04-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist sensitizer |
JP4771101B2 (ja) | 2008-09-05 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4743451B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-08-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4655128B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4743450B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-08-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
EP2342237B1 (en) | 2008-11-03 | 2014-04-23 | Basf Se | Photoinitiator mixtures |
JP4813537B2 (ja) | 2008-11-07 | 2011-11-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法 |
CN105175315B (zh) | 2009-03-23 | 2018-08-28 | 巴斯夫欧洲公司 | 光致抗蚀剂组合物 |
WO2010112408A1 (en) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Basf Se | Uv-dose indicator films |
JP5177434B2 (ja) | 2009-04-08 | 2013-04-03 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US9051397B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-06-09 | Basf Se | Oxime ester |
EP2625166B1 (en) | 2010-10-05 | 2014-09-24 | Basf Se | Oxime ester derivatives of benzocarbazole compounds and their use as photoinitiators in photopolymerizable compositions |
JP5613026B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2014-10-22 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機el表示装置、及び、液晶表示装置 |
EP2668156B1 (en) | 2011-01-28 | 2018-10-31 | Basf Se | Polymerizable composition comprising an oxime sulfonate as thermal curing agent |
US8932796B2 (en) * | 2011-11-10 | 2015-01-13 | International Business Machines Corporation | Hybrid photoresist composition and pattern forming method using thereof |
JP6113181B2 (ja) | 2011-12-07 | 2017-04-12 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | オキシムエステル光開始剤 |
CN104284888B (zh) | 2012-05-09 | 2017-10-27 | 巴斯夫欧洲公司 | 肟酯光敏引发剂 |
WO2015004565A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
JP6530410B2 (ja) | 2013-09-10 | 2019-06-12 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | オキシムエステル光開始剤 |
WO2016030790A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Basf Se | Oxime sulfonate derivatives |
JP6605820B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-11-13 | 株式会社Adeka | オキシムスルホネート化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 |
CN107708647B (zh) | 2015-04-29 | 2021-02-19 | Bsn医疗有限公司 | 医疗洗浴设备 |
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KR20180055340A (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 고해상도 포지티브 감광성 수지 조성물 |
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US4123255A (en) * | 1977-01-03 | 1978-10-31 | Chevron Research Company | O-sulfonyl-alpha-cyano 2,6-dihalobenzaldoximes |
IT1110460B (it) * | 1977-03-02 | 1985-12-23 | Ciba Geigy Ag | Prodotti che favoriscono la crescita delle piante e prodotti che proteggono le piante a base di eteri di ossime e di esteri di ossime loro preparazione e loro impiego |
ATE9811T1 (de) * | 1980-07-14 | 1984-10-15 | Akzo N.V. | Einen blockierten katalysator enthaltende waermehaertbare ueberzugszusammensetzung. |
US4540598A (en) * | 1983-08-17 | 1985-09-10 | Ciba-Geigy Corporation | Process for curing acid-curable finishes |
EP0199672B1 (de) * | 1985-04-12 | 1988-06-01 | Ciba-Geigy Ag | Oximsulfonate mit reaktiven Gruppen |
GB8608528D0 (en) * | 1986-04-08 | 1986-05-14 | Ciba Geigy Ag | Production of positive images |
EP0361907A3 (en) * | 1988-09-29 | 1991-05-02 | Hoechst Celanese Corporation | Photoresist compositions for deep uv image reversal |
US5019488A (en) * | 1988-09-29 | 1991-05-28 | Hoechst Celanese Corporation | Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide |
US5580695A (en) * | 1992-02-25 | 1996-12-03 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Chemically amplified resist |
EP0571330B1 (de) * | 1992-05-22 | 1999-04-07 | Ciba SC Holding AG | Hochauflösender I-Linien Photoresist mit höherer Empfindlichkeit |
JP2719748B2 (ja) * | 1993-02-08 | 1998-02-25 | 信越化学工業株式会社 | 新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料 |
US5529885A (en) * | 1993-06-04 | 1996-06-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Negative photosensitive composition and method for forming patterns using the composition |
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