JP2006030506A - 微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体 - Google Patents
微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006030506A JP2006030506A JP2004208090A JP2004208090A JP2006030506A JP 2006030506 A JP2006030506 A JP 2006030506A JP 2004208090 A JP2004208090 A JP 2004208090A JP 2004208090 A JP2004208090 A JP 2004208090A JP 2006030506 A JP2006030506 A JP 2006030506A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- medium
- resist film
- resist
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【課題】ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができる微細パターンの形成方法と、それに有効な電場(電界)印加時の露光後ベーク用媒体を提供する。
【解決手段】化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストを用いた高感度な微細パターンの形成方法であって、前記化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜11を基板10の上に形成する工程と、前記レジスト膜11に放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜11上に下記(I)及び(II)を満足する媒体12を配置して、前記レジスト膜11に電場を印加する工程とを含む。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
【選択図】図1
【解決手段】化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストを用いた高感度な微細パターンの形成方法であって、前記化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜11を基板10の上に形成する工程と、前記レジスト膜11に放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜11上に下記(I)及び(II)を満足する媒体12を配置して、前記レジスト膜11に電場を印加する工程とを含む。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
【選択図】図1
Description
本発明は、微細加工に好適な微細パターンの形成方法と、それに好適に用いることができる電場印加時の露光後ベーク用媒体に関する。さらに詳しくは、本発明は、放射線照射によって発生する酸をパターン形成に利用する化学増幅型ポジレジスト又はネガレジスト組成物を使った微細パターンの形成方法と、それに好適な電場印加時の露光後ベーク用媒体に関する。
集積回路素子の製造に代表される微細加工分野において、集積回路のより高い集積度を得るために、リソグラフィーのデザインルール微細化が急速に進行しており、微細加工を安定して行うことができるリソグラフィープロセスの開発が強く推し進められている。
しかしながら、従来のKrFエキシマレーザーやArFエキシマレーザーを用いる方法では、100nm以下の微細パターンを高精度に形成することが困難であるため、電子線、X線を使用する方法が提案されている。
実用化を考慮した高感度(高スループット)で超微細加工に使用される電子線又はX線用レジスト材料としては、以下に記載する化学増幅型レジストが主流であるが、高感度化に伴う解像度、ラインエッジラフネスの劣化が重要課題として挙げられる。
しかしながら、従来のKrFエキシマレーザーやArFエキシマレーザーを用いる方法では、100nm以下の微細パターンを高精度に形成することが困難であるため、電子線、X線を使用する方法が提案されている。
実用化を考慮した高感度(高スループット)で超微細加工に使用される電子線又はX線用レジスト材料としては、以下に記載する化学増幅型レジストが主流であるが、高感度化に伴う解像度、ラインエッジラフネスの劣化が重要課題として挙げられる。
具体的には、酸解離性官能基で部分的に保護されたポリヒドロキシスチレン系樹脂(KrFエキシマレーザー用樹脂)およびノボラック樹脂(i線用樹脂)と酸発生剤を有する化学増幅型ポジレジストが挙げられ、感度、解像度、エッチング耐性のバランスに優れている。
例えば、部分アセタール保護ポリヒドロキシスチレン樹脂と酸発生剤との組み合わせ(特許文献1を参照)、フッ素含有芳香族スルホン酸発生オニウム塩と、フッ素系またはシリコン系界面活性剤との組み合わせ(特許文献2を参照)、カチオン部の置換基として少なくとも1つの電子吸引基(フッ素原子、シアノ基、ニトロ基)を有するオニウム塩(特許文献3を参照)、ジスルホニル基を有する樹脂(特許文献4を参照)、N−スルホニルオキシイミド基を有する樹脂(特許文献5を参照)等を含む各種化学増幅型ポジレジストが知られているが、微細なパターン形成時の膜面荒れ(以下、ラフネスと記す。)、感度、解像度バランスが実用レベルには至っていない。
例えば、部分アセタール保護ポリヒドロキシスチレン樹脂と酸発生剤との組み合わせ(特許文献1を参照)、フッ素含有芳香族スルホン酸発生オニウム塩と、フッ素系またはシリコン系界面活性剤との組み合わせ(特許文献2を参照)、カチオン部の置換基として少なくとも1つの電子吸引基(フッ素原子、シアノ基、ニトロ基)を有するオニウム塩(特許文献3を参照)、ジスルホニル基を有する樹脂(特許文献4を参照)、N−スルホニルオキシイミド基を有する樹脂(特許文献5を参照)等を含む各種化学増幅型ポジレジストが知られているが、微細なパターン形成時の膜面荒れ(以下、ラフネスと記す。)、感度、解像度バランスが実用レベルには至っていない。
また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂(KrFエキシマレーザー用樹脂)およびノボラック樹脂(i線用樹脂)と酸発生剤をベースとした化学増幅型ネガレジストが挙げられ、アルカリ可溶性樹脂にベンゾジキソール構造(特許文献6及び特許文献7を参照)やアルキル、アリール、アルケニル、アラルキルエーテル等の非酸解離性基でポリヒドロキシスチレンを部分的に保護したもの(特許文献8及び特許文献9を参照)、酸やラジカルで重合可能な不飽和結合を有する樹脂や低分子化合物含有(特許文献10、特許文献11及び特許文献12を参照)等が知られているが、微細なパターン形成時のラフネス、感度、解像度バランスが実用レベルには至っていない。
一方、プロセス側からの改良としては、化学増幅型レジストのプロセスにおいて、酸の拡散制御を狙った下記プロセスが提案されている。
化学増幅型レジストは、放射線照射により発生する酸を使い、レジストの露光部、未露光部の現像液に対する溶解性差異を発現している。通常、酸は露光後のベークにより拡散しパターンニング可能となる。高感度のためには、酸の拡散距離を長くすることが有効と考えられるが、一般に酸の拡散はランダムに起こると考えられ、酸の拡散長を長くすると、未露光部への酸の拡散も起こり解像度が劣化する。未露光部への酸拡散を抑え、露光部の酸拡散長を伸ばす目的で、露光部ベーク時に電界を印加するプロセスが提案されているが(特許文献13、特許文献14、非特許文献1及び非特許文献2を参照)、実用化には至っていない。
特開平6−194842号公報
特開2000−187330号公報
特開2001−75283号公報
特開2002−72483号公報
特開2002−107920号公報
特開2001−142200号公報
特開2001−174994号公報
特開2001−242625号公報
特開2002−90986号公報
特開2002−6491号公報
特開2002−40656号公報
特開2002−49149号公報
特開平3−159114号公報
米国特許第5,258,266号明細書
Mosong Cheng et. al. J.Vac.Sci.Technol.B18 3318-3322(2000)
Mosong Cheng et. al. J.Vac.Sci.Technol.B20 734-740(2002)
化学増幅型レジストは、放射線照射により発生する酸を使い、レジストの露光部、未露光部の現像液に対する溶解性差異を発現している。通常、酸は露光後のベークにより拡散しパターンニング可能となる。高感度のためには、酸の拡散距離を長くすることが有効と考えられるが、一般に酸の拡散はランダムに起こると考えられ、酸の拡散長を長くすると、未露光部への酸の拡散も起こり解像度が劣化する。未露光部への酸拡散を抑え、露光部の酸拡散長を伸ばす目的で、露光部ベーク時に電界を印加するプロセスが提案されているが(特許文献13、特許文献14、非特許文献1及び非特許文献2を参照)、実用化には至っていない。
したがって、本発明の課題は、ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができる微細パターンの形成方法を提供することである。また、本発明のさらなる課題は、高感度化に伴い解像度、ラフネス劣化が顕著である電子線、X線用化学増幅型レジスト組成物を使用した微細パターンの形成方法に有効な電場(電界)印加時の露光後ベーク用媒体を提供することである。
本発明によれば、化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストを用いた高感度な微細パターンの形成方法であって、前記化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜を基板の上に形成する工程と、前記レジスト膜に放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜上に下記(I)及び(II)を満足する媒体を配置して、前記レジスト膜に電場を印加する工程とを含む微細パターンの形成方法、が提供される。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
本発明においては、化学増幅型ポジレジストが、(A)酸解離性基を有するアルカリ不溶または難溶性の樹脂であり、酸により前記酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる樹脂、(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、及び(C)溶剤からなり、また、化学増幅型ネガレジストが、(D)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、(E)酸により前記アルカリ可溶性樹脂を架橋させる架橋剤、及び(C)溶剤からなることが好ましい。
また、本発明によれば、上記した微細パターンの形成方法に用いる露光後ベーク用媒体であって、下記(I)及び(II)を満足する媒体が提供される。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
本発明の露光後ベーク用媒体においては、さらに下記(III)を満足することがより好ましく、その上に下記(IV)〜(V)を満足することが特に好ましい。
(III)電位窓が、水と同じかまたは水より広い。
(IV)水への溶解性(20℃)が1質量%以上である。
(V)常圧での沸点が80℃以上である。
(III)電位窓が、水と同じかまたは水より広い。
(IV)水への溶解性(20℃)が1質量%以上である。
(V)常圧での沸点が80℃以上である。
本発明の微細パターンの形成方法によれば、ラフネス、エッチング耐性、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、また、本発明の露光後ベーク用媒体を用いれば、特に、電子線、X線に有効な化学増幅型レジストを使った微細パターンを、高精度にかつ安定して形成することができる。
以下、本発明の実施形態を具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。
まず、本発明に係る微細パターンの形成方法を説明する。
本発明のパターン形成方法は、化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜を基板の上に塗布等により形成する工程と、前記レジスト膜に電子線、X線等の放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜上に電気伝導率が0.01μS/cm以上の媒体を配置して、前記レジスト膜に電場を印加する工程を含み、次いで公知の現像工程とからなる。
本発明のパターン形成方法は、化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜を基板の上に塗布等により形成する工程と、前記レジスト膜に電子線、X線等の放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜上に電気伝導率が0.01μS/cm以上の媒体を配置して、前記レジスト膜に電場を印加する工程を含み、次いで公知の現像工程とからなる。
本発明において、化学増幅型ポジレジストまたは化学増幅型ネガレジストからレジストパターンを形成する際には、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等の基板上に前記レジストを塗布し、場合によっては、予め70〜160℃程度の温度で加熱処理を行う。
次に、基板上にレジスト膜を形成した後、放射線を照射することにより酸を発生させる。この照射条件は、レジストを構成する感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
次に、基板上にレジスト膜を形成した後、放射線を照射することにより酸を発生させる。この照射条件は、レジストを構成する感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
本発明においては、高感度な微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後に、後述する特定の物性を備える媒体をレジスト膜上に配置して接触させ、50〜200℃、好ましくは80〜160℃の温度で30秒以上加熱処理を行なう。そして、その放射線照射後の加熱時(露光後ベーク時)に、基板上のレジスト膜に媒体を介して電場を印加する。このように、レジスト膜に特定の媒体を介して電場を印加することにより、未露光部への酸拡散を抑え、露光部の酸拡散長を伸ばす高精度のパターン形成を行うことができる。
その後、アルカリ現像液により、通常、10〜50℃で10〜200秒、好ましくは15〜30℃で15〜100秒の条件で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
その後、アルカリ現像液により、通常、10〜50℃で10〜200秒、好ましくは15〜30℃で15〜100秒の条件で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
次に、本発明に係る微細パターンの形成方法に用いる材料について説明する。
本発明に用いる化学増幅型ポジレジストは、(A)酸解離性基を有するアルカリ不溶または難溶性の樹脂であり、酸により前記酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる樹脂、(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、及び(C)溶剤からなり、放射線照射により化合物(B)から発生する酸で、樹脂(A)の酸解離性基が外れ、放射線照射部の現像液に対する溶解性が増大するものであるなら特に限定されないが、具体的には、下記のものが挙げられる。
本発明に用いる化学増幅型ポジレジストは、(A)酸解離性基を有するアルカリ不溶または難溶性の樹脂であり、酸により前記酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる樹脂、(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、及び(C)溶剤からなり、放射線照射により化合物(B)から発生する酸で、樹脂(A)の酸解離性基が外れ、放射線照射部の現像液に対する溶解性が増大するものであるなら特に限定されないが、具体的には、下記のものが挙げられる。
(A)酸解離性基を有するアルカリ不溶または難溶性の樹脂であり、酸により前記酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる樹脂(以下、「酸解離性基含有樹脂」と略す。)について:
ここでいう「アルカリ不溶または難溶性」とは、酸解離性基含有樹脂(A)を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト膜の代わりに酸解離性基含有樹脂(A)のみを用いた膜を現像した場合に、当該膜の初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性質を意味する。
ここでいう「アルカリ不溶または難溶性」とは、酸解離性基含有樹脂(A)を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト膜の代わりに酸解離性基含有樹脂(A)のみを用いた膜を現像した場合に、当該膜の初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性質を意味する。
酸解離性基含有樹脂(A)における酸解離性基とは、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基中の水素原子を置換した基であり、酸の存在下で解離する基を意味する。
このような酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、1−置換エチル基、1−置換−n−プロピル基、1−分岐アルキル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。
このような酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、1−置換エチル基、1−置換−n−プロピル基、1−分岐アルキル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。
前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、トリフェニルメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
前記1−置換エチル基としては、例えば、1−メトキシエチル基、1−メチルチオエチル基、1,1−ジメトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−エチルチオエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、1−フェニルエチル基等を挙げることができる。
前記1−置換−n−プロピル基としては、例えば、1−メトキシ−n−プロピル基、1−エトキシ−n−プロピル基等を挙げることができる。
前記1−分岐アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
前期アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、p−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
前記1−置換エチル基としては、例えば、1−メトキシエチル基、1−メチルチオエチル基、1,1−ジメトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−エチルチオエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、1−フェニルエチル基等を挙げることができる。
前記1−置換−n−プロピル基としては、例えば、1−メトキシ−n−プロピル基、1−エトキシ−n−プロピル基等を挙げることができる。
前記1−分岐アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
前期アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、p−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
前記環式酸解離性基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4−メトキシシクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基等を挙げることができる。
これらの酸解離性基のうち、t−ブトキシカルボニルメチル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、メチルトリシクロデカニル基、エチルトリシクロデカニル基、メチルシクロペンチル基、エチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基等が好ましい。
さらに好ましくは、t−ブチル基、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基等を挙げることができる。酸解離性基含有樹脂(A)において、酸解離性基は1種以上存在することができる。
また、酸解離性基含有樹脂(A)の構造は、前述した性状を有する限り特に限定されず、種々の構造とすることができるが、特に、ポリ(4−ヒドロキシスチレン)中のフェノール性水酸基の水素原子の一部または全部を酸解離性基で置換した樹脂、4−ヒドロキシスチレンおよび/または4−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと(メタ)アクリル酸との共重合体中のフェノール性水酸基の水素原子および/またはカルボキシル基の水素原子の一部または全部を酸解離性基で置換した樹脂、各種(メタ)アクリル酸重合体中のカルボキシル基の水素原子の一部または全部を酸解離性基で置換した樹脂等を好ましく用いることができる。
酸解離性基含有樹脂(A)は、さらに他の繰り返し単位を含んでいてもよい。他の繰り返し単位としては、例えば、スチレン等のビニル芳香族化合物;(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、ヒドロキシ含有(メタ)アクリル酸アダマンチル等の(メタ)アクリル酸エステル類の重合性不飽和結合が開裂した単位、ラクトン構造を有する重合性不飽和結合が開裂した単位等を挙げることができる。
好ましい繰り返し単位としては、例えば、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシアダマンタン−1−イル、等を挙げることができる。
酸解離性基含有樹脂(A)の分子量については特に限定はなく、適宜選定することができるが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定したポリスチレン換算重量分子量(以下、「Mw」という。)は、通常、1,000〜100,000、好ましくは2,000〜50,000、さらに好ましくは5,000〜30,000である。
酸解離性基含有樹脂(A)の分子量については特に限定はなく、適宜選定することができるが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定したポリスチレン換算重量分子量(以下、「Mw」という。)は、通常、1,000〜100,000、好ましくは2,000〜50,000、さらに好ましくは5,000〜30,000である。
また、酸解離性基含有樹脂(A)のMwとGPCで測定したポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/Mn)についても特に限定はなく、適宜選定することができるが、通常、1.0〜5.0、好ましくは1.0〜3.0、さらに好ましくは1.0〜2.0である。
本発明のレジストにおいて、前記酸解離性基含有樹脂(A)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明のレジストにおいて、前記酸解離性基含有樹脂(A)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
前記酸解離性基含有樹脂(A)を製造する際の各重合性不飽和単量体の重合については、使用される重合性不飽和単量体や反応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒等の重合開始剤あるいは重合触媒を適宜に選定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の重合形態で実施することができる。
(B)放射線照射により、酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」と略す。)について:
酸発生剤としては、(I)オニウム塩化合物、(II)スルホンイミド化合物、(III)ジアゾメタン化合物、(IV)オキシムスルホネート化合物等を挙げることができる。
酸発生剤としては、(I)オニウム塩化合物、(II)スルホンイミド化合物、(III)ジアゾメタン化合物、(IV)オキシムスルホネート化合物等を挙げることができる。
(I)オニウム塩:
オニウム塩化合物としては、例えば下記式(1)のスルホニウム塩、式(2)のヨードニウム塩、及びホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物としては、例えば下記式(1)のスルホニウム塩、式(2)のヨードニウム塩、及びホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
〔R2およびR3は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または置換もしくは非置換の炭素数6〜20のアリール基を示すか、あるいはR2およびR3のうちの何れか2つ以上が相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している。X−はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等に陰イオンを示す。〕
オニウム塩化合物の具体例としては、
a.スルホニウム塩
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、
a.スルホニウム塩
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、
ジフェニル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム−10−カンファースルホネート、ジフェニル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、ジフェニル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート等を挙げることができる。
b.ヨードニウム塩
ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、
ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムペンタフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート、等を挙げることが出来る。
(II)スルホンイミド化合物:
スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式(3)
スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式(3)
〔式(3)において、Xはアルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基等の2価の基を示し、R4はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の1価の基を示す。〕
スルホンイミド化合物の具体例としては、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(10−カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)フタルイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(ベンゼンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エチルシルホニロキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド等を挙げることができる。
(III)ジアゾメタン化合物:
ジアゾメタン化合物としては、例えば、下記式(4)で表される化合物を挙げることができる。
ジアゾメタン化合物としては、例えば、下記式(4)で表される化合物を挙げることができる。
〔式(4)において、R5およびR6は相互に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の1価の基を示す。〕
ジアゾメタン化合物の具体例としては、
ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−t−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
等を挙げることができる
ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−t−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
等を挙げることができる
(IV)オキシムスルホネート化合物:
オキシムスルホネート化合物の具体例としては、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、
等を挙げることができる。
オキシムスルホネート化合物の具体例としては、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、
等を挙げることができる。
本発明における前記(B)酸発生剤のなかで、オニウム塩が好ましい。
また、本発明における前記(B)酸発生剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
また、本発明における前記(B)酸発生剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明において、化学増幅型ポジレジスト組成物における酸発生剤の配合量は、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となるアルカリ不溶あるいはアルカリ難溶性樹脂100質量部に対し1〜30質量部、好ましくは2〜20質量部、特に好ましくは3〜10質量部である。酸発生剤の使用量が1質量部未満では、解像度とラインエッジラフネスが低下し、一方30質量部を超えると、レジストの塗布性、パターン形状、耐熱性等が低下するおそれがある。
(C)溶剤について:
本発明で用いる溶剤としては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、(ハロゲン化)炭化水素類等を挙げることができ、より具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、(非)環式ケトン類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、他の置換プロピオン酸エステル類、(置換)酪酸エステル類、ピルビン酸エステル類、N,N−ジアルキルホルムアミド類、N,N−ジアルキルアセトアミド類、N−アルキルピロリドン類、(ハロゲン化)脂肪族炭化水素類、(ハロゲン化)芳香族炭化水素類等を挙げることができる。
本発明で用いる溶剤としては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、(ハロゲン化)炭化水素類等を挙げることができ、より具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、(非)環式ケトン類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、他の置換プロピオン酸エステル類、(置換)酪酸エステル類、ピルビン酸エステル類、N,N−ジアルキルホルムアミド類、N,N−ジアルキルアセトアミド類、N−アルキルピロリドン類、(ハロゲン化)脂肪族炭化水素類、(ハロゲン化)芳香族炭化水素類等を挙げることができる。
前記溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、イソプロペニルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、ヒドロキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、イソプロペニルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸i−プロピル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
これらの溶剤のうち、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、2−ヘプタノン、乳酸エステル類、2−ヒドロキシプロピオン酸エステル類、3−アルコキシプロピオン酸エステル類等が、塗布時の膜面内均一性が良好となる点で好ましい。
前記溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
前記溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
次に、化学増幅型ネガレジストについて説明する。この化学増幅型ネガレジストは、(D)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、(E)酸により前記アルカリ可溶性樹脂を架橋させる架橋剤、(C)溶剤からなり、放射線照射により化合物(B)から発生する酸と架橋剤(E)により、アルカリ可溶性樹脂(D)が架橋され、アルカリ現像液に不溶となるものであるなら特に限定はされないが、具体的には以下のものが挙げられる。
(D)アルカリ可溶性樹脂について:
本発明における(D)成分は、フェノール性水酸基を有する重合性不飽和化合物(以下、「フェノール性不飽和化合物」という。)の重合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した単位を含有してなるアルカリ可溶性樹脂である。この樹脂は好ましくは上記フェノール性不飽和化合物の重合単位の他に、非置換または置換スチレン系化合物(以下、単に「他のスチレン系化合物」という。)の重合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位とを有する。
本発明における(D)成分は、フェノール性水酸基を有する重合性不飽和化合物(以下、「フェノール性不飽和化合物」という。)の重合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した単位を含有してなるアルカリ可溶性樹脂である。この樹脂は好ましくは上記フェノール性不飽和化合物の重合単位の他に、非置換または置換スチレン系化合物(以下、単に「他のスチレン系化合物」という。)の重合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位とを有する。
フェノール性水酸基を有する重合性不飽和化合物としては、例えばo−ビニルフェノール、m−ビニルフェノール、p−ビニルフェノール、o−イソプロペニルフェノール、m−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール等を挙げることができる。
これらのフェノール性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
これらのフェノール性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
他のスチレン系化合物における置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等の炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子等のハロゲン原子等を挙げることができる。
かかるスチレン系化合物の具体例としては、スチレンの他、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−t−ブチルスチレン等のアルキル基で置換されたスチレン誘導体類;p−メトキシスチレン、p−エトキシスチレン等のアルコキシル基で置換されたスチレン誘導体;p−フルオロスチレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン等のハロゲン原子で置換されたスチレン誘導体類を挙げることができる。
これらの他のスチレン系化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
これらの他のスチレン系化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明における(D)成分の具体例としては、例えば、
p−ビニルフェノール/スチレン共重合体、p−ビニルフェノール/α−メチルスチレン共重合体、p−ビニルフェノール/p−メトキシスチレン共重合体、p−ビニルフェノール/p−エトキシスチレン共重合体等のスチレン系化合物共重合体類;
p−イソプロペニルフェノール/スチレン共重合体、p−イソプロペニルフェノール/α−メチルスチレン共重合体等のイソプロペニルフェノール/他のスチレン系化合物共重合体類;
p−ビニルフェノール/スチレン/メチル(メタ)アクリレート共重合体、p−ビニルフェノール/スチレン/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート共重合体、
等を挙げることができる。
p−ビニルフェノール/スチレン共重合体、p−ビニルフェノール/α−メチルスチレン共重合体、p−ビニルフェノール/p−メトキシスチレン共重合体、p−ビニルフェノール/p−エトキシスチレン共重合体等のスチレン系化合物共重合体類;
p−イソプロペニルフェノール/スチレン共重合体、p−イソプロペニルフェノール/α−メチルスチレン共重合体等のイソプロペニルフェノール/他のスチレン系化合物共重合体類;
p−ビニルフェノール/スチレン/メチル(メタ)アクリレート共重合体、p−ビニルフェノール/スチレン/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート共重合体、
等を挙げることができる。
本発明における(D)成分のうち、特にp−ビニルフェノール/スチレン共重合体、p−ビニルフェノール/α−メチルスチレン共重合体等が好ましい。
本発明における(D)成分において、フェノール性不飽和化合物に由来する繰り返し単位の含有率は、通常、50〜95モル%、好ましくは55〜95モル%、特に好ましくは60〜90モル%である。この場合、フェノール性不飽和化合物に由来する繰り返し単位の含有率が50モル%未満では、アルカリ現像液に対する溶解速度が低下し、レジストとしての現像性、解像度等が損なわれる傾向があり、一方95モル%を超えると、アルカリ現像液に対する膨潤が起こり易くなり、パターン形状が損なわれたり、パターン欠陥が発生するおそれがある。
本発明における(D)成分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)が1,000〜30,000、好ましくは1,500〜15,000であり、さらに好ましくは2,000〜10,000である。Mwが1,000未満では、組成物の製膜性、レジストとしての感度等が低下する傾向があり、一方30,000を超えると、レジストとしての現像性低下及びパターン欠陥が発生する傾向がある。
また、本発明における(D)成分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるMwとポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/Mn)で定義される分散度が1.0<(Mw/Mn)≦5.0、好ましくは1.0<(Mw/Mn)≦3.0、さらに好ましくは、1.0<(Mw/Mn)≦2.0である。分散度が5.0を超えると、レジストとしての解像度等が低下する傾向がある。
また、本発明における(D)成分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるMwとポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/Mn)で定義される分散度が1.0<(Mw/Mn)≦5.0、好ましくは1.0<(Mw/Mn)≦3.0、さらに好ましくは、1.0<(Mw/Mn)≦2.0である。分散度が5.0を超えると、レジストとしての解像度等が低下する傾向がある。
(E)酸により前記アルカリ可溶性樹脂を架橋させる架橋剤(以下、「酸架橋剤」と略す。)について:
本発明における(E)酸架橋剤は、酸、例えば露光により生じた酸の存在下で、(D)成分のアルカリ可溶性樹脂を架橋しうる等アルカリ現像液に対する溶解性を抑止する成分であればよく、その種類は特に限定されないが、N−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物、N−(アルコキシメチル)ウレア化合物、N−(アルコキシメチル)メラミン化合物、N−(アルコキシメチル)エチレンウレア化合物などのN−(アルコキシメチル)アミノ化合物を挙げることができる。
本発明における(E)酸架橋剤は、酸、例えば露光により生じた酸の存在下で、(D)成分のアルカリ可溶性樹脂を架橋しうる等アルカリ現像液に対する溶解性を抑止する成分であればよく、その種類は特に限定されないが、N−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物、N−(アルコキシメチル)ウレア化合物、N−(アルコキシメチル)メラミン化合物、N−(アルコキシメチル)エチレンウレア化合物などのN−(アルコキシメチル)アミノ化合物を挙げることができる。
これらの(E)酸架橋剤の例を以下に示す。
N−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物の具体例としては、N,N,N,N−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(エトキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(n−プロポキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(i−プロポキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(n−ブトキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(t−ブトキシメチル)グリコールウリルなどを挙げることができる。
N−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物の具体例としては、N,N,N,N−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(エトキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(n−プロポキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(i−プロポキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(n−ブトキシメチル)グリコールウリル、N,N,N,N−テトラ(t−ブトキシメチル)グリコールウリルなどを挙げることができる。
N−(アルコキシメチル)ウレア化合物の具体例としては、N,N−ジ(メトキシメチル)ウレア、N,N−ジ(エトキシメチル)ウレア、N,N−ジ(n−プロポキシメチル)ウレア、N,N−ジ(i−プロポキシメチル)ウレア、N,N−ジ(n−ブトキシメチル)ウレア、N,N−ジ(t−ブトキシメチル)ウレアなどを挙げることができる。
N−(アルコキシメチル)メラミン化合物の具体例としては、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(メトキシメチル)メラミン、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(エトキシメチル)メラミン、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(n−プロポキシメチル)メラミン、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(i−プロポキシメチル)メラミン、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(n−ブトキシメチル)メラミン、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(t−ブトキシメチル)メラミンなどを挙げることができる。
N−(アルコキシメチル)エチレンウレア化合物としては、N,N−ジ(メトキシメチル)−4,5−ジ(メトキシメチル)エチレンウレア、N,N−ジ(エトキシメチル)−4,5−ジ(エトキシメチル)エチレンウレア、N,N−ジ(n−プロポキシメチル)−4,5−ジ(n−プロポキシメチル)エチレンウレア、N,N−ジ(i−プロポキシメチル)−4,5−ジ(i−プロポキシメチルメチル)エチレンウレア、N,N−ジ(n−ブトキシメチル)−4,5−ジ(n−ブトキシメチル)エチレンウレア、N,N−ジ(t−ブトキシメチル)−4,5−ジ(t−ブトキシメチルメチル)エチレンウレアなどを挙げることができる。
本発明において、(E)酸架橋剤は、単独でまたは2種以上混合して使用することができる。
本発明において、(E)酸架橋剤の使用量は、通常(D)成分のアルカリ可溶性樹脂100質量部当り、1〜30質量部、好ましくは2〜20質量部、さらに好ましくは3〜10質量部である。(E)酸発生剤の配合量が1質量部未満では、(D)成分のアルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性の抑止効果が小さく、レジストとして、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行を起こし易くなる傾向があり、一方30質量部を超えると、レジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。
本発明において、(E)酸架橋剤の使用量は、通常(D)成分のアルカリ可溶性樹脂100質量部当り、1〜30質量部、好ましくは2〜20質量部、さらに好ましくは3〜10質量部である。(E)酸発生剤の配合量が1質量部未満では、(D)成分のアルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性の抑止効果が小さく、レジストとして、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行を起こし易くなる傾向があり、一方30質量部を超えると、レジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。
媒体:
本発明において、放射線照射後の加熱時(露光後ベーク時)、基板上のレジスト膜へ電場を印加する際、レジスト膜と対向電極との間に介在させる媒体としては、以下に示す諸特性を備えたものを用いるが、その中でも、特性(I)及び(II)は必須であり、次いで特性(III)を備えることが好ましく、さらに特性(IV)及び(V)を備えることが好ましい。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上。
電気伝導率の測定条件:各媒体を銅板2枚の間に挟み込んで、交流インピーダンス法により25℃で測定した。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式(a)を満たす。
前提条件:使用レジスト膜上に媒体を接触させ、23℃で60秒間放置する。次に水で媒体を除去する。
式(a):媒体を23℃で60秒間放置で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
(III)電位窓が、水と同じかまたは水より広い。電位窓が広いほど、電気分解が起こり難い。
電位窓の測定条件:白金電極を用い、参照極として銀/塩化銀電極を使用し、掃引速度10mV/Sで、サイクリックボルタンメトリーを用いて測定した。
(IV)水への溶解性(20℃)が1質量%以上、より好ましくは3質量%以上である。
(V)常圧での沸点が80℃以上、より好ましくは100℃以上。
なお、上記した特性(I)〜(V)を全て満たすことが特に好ましい。
本発明において、放射線照射後の加熱時(露光後ベーク時)、基板上のレジスト膜へ電場を印加する際、レジスト膜と対向電極との間に介在させる媒体としては、以下に示す諸特性を備えたものを用いるが、その中でも、特性(I)及び(II)は必須であり、次いで特性(III)を備えることが好ましく、さらに特性(IV)及び(V)を備えることが好ましい。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上。
電気伝導率の測定条件:各媒体を銅板2枚の間に挟み込んで、交流インピーダンス法により25℃で測定した。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式(a)を満たす。
前提条件:使用レジスト膜上に媒体を接触させ、23℃で60秒間放置する。次に水で媒体を除去する。
式(a):媒体を23℃で60秒間放置で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95
(III)電位窓が、水と同じかまたは水より広い。電位窓が広いほど、電気分解が起こり難い。
電位窓の測定条件:白金電極を用い、参照極として銀/塩化銀電極を使用し、掃引速度10mV/Sで、サイクリックボルタンメトリーを用いて測定した。
(IV)水への溶解性(20℃)が1質量%以上、より好ましくは3質量%以上である。
(V)常圧での沸点が80℃以上、より好ましくは100℃以上。
なお、上記した特性(I)〜(V)を全て満たすことが特に好ましい。
本発明における媒体の具体例としては、水及びイソプロピルアルコール、n−プロピルアルコール等の単価アルコール、グリセリン、プロピレングリコール、エチレングリコール等の多価アルコール、下記一般式(5)〜(8)に記載の、室温で液体状態のイオン性液体が挙げられる。
室温で液体状態のイオン性液体としては、特に構造的限定はないが、カチオン部が4置換アンモニウムカチオン、置換または非置換のイミダゾリウムカチオン、置換または非置換のピリジニウムカチオン、置換または非置換のピロリジニウムカチオンなどの含窒素カチオン、アニオン部がBF4 -、CF3SO3 -、PF6 -、(CF3SO2)2N-、CH2C(OH)COO-、(CF3SO2)3C-、Br-、Cl-、I-等のアニオンから構成された塩が好ましいものとして挙げられる。
一般式(5)〜(8)中のR1〜25は、相互に独立に水素原子、置換もしくは非置換された炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは非置換された炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、置換もしくは非置換された炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のハロアルキル基、または、置換もしくは非置換された炭素数6〜20のアリール基を示す。
酸拡散制御剤:
本発明の化学増幅型ポジレジスト及びネガレジストには、露光により感放射線性酸発生剤から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ましい。このような酸拡散制御剤を配合することにより、上記感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性を向上させることができるとともに、レジストとしての解像度をさらに向上させ、また露光から現像処理までの引き置き時間(PED)の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、その結果、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
本発明の化学増幅型ポジレジスト及びネガレジストには、露光により感放射線性酸発生剤から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ましい。このような酸拡散制御剤を配合することにより、上記感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性を向上させることができるとともに、レジストとしての解像度をさらに向上させ、また露光から現像処理までの引き置き時間(PED)の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、その結果、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
このような酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物(α)、含窒素化合物(β)、含窒素複素環式化合物、酸解離性基を有する含窒素有機化合物等が好ましい。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物(α)、含窒素化合物(β)、含窒素複素環式化合物、酸解離性基を有する含窒素有機化合物等が好ましい。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
酸拡散制御剤の配合量は、酸解離性基含有樹脂(A)またはアルカリ可溶性樹脂(D)100質量部に対して、好ましくは15質量部以下、さらに好ましくは0.001〜10質量部、特に好ましくは0.005〜5質量部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量を0.001質量部以上とすることにより、プロセス条件によるパターン形状や寸法忠実度の低下を抑制でき、また15質量部以下とすることにより、レジストとしての感度や露光部の現像性をさらに向上させることができる。
現像液:
アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、1〜10質量%、好ましくは1〜5質量%、特に好ましくは1〜3質量%の濃度となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適宜添加することもできる。
アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、1〜10質量%、好ましくは1〜5質量%、特に好ましくは1〜3質量%の濃度となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適宜添加することもできる。
その他:
本発明における化学増幅型ポジレジストおよび化学増幅型ネガレジストには、当該レジスト組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を配合することもできる。
このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤のいずれでも使用することができるが、好ましくはノニオン系界面活性剤である。
前記ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類のほか、以下商品名で、「KP」(信越化学工業(株)製)、「ポリフロー」(共栄社油脂化学工業(株)製)、「エフトップ」(ジェムコ(株)製)、「メガファック」(大日本インキ化学工業(株)製)、「フロラード」(住友スリーエム(株)製)、「アサヒガード」、「サーフロン」(以上、旭硝子(株)製)等の各シリーズ等を挙げることができる。
前記界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合量は、前記レジスト組成物中の全樹脂成分100質量部に対して、界面活性剤の有効成分として、通常、2質量部以下、好ましくは1.5質量部以下である。
本発明における化学増幅型ポジレジストおよび化学増幅型ネガレジストには、当該レジスト組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を配合することもできる。
このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤のいずれでも使用することができるが、好ましくはノニオン系界面活性剤である。
前記ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類のほか、以下商品名で、「KP」(信越化学工業(株)製)、「ポリフロー」(共栄社油脂化学工業(株)製)、「エフトップ」(ジェムコ(株)製)、「メガファック」(大日本インキ化学工業(株)製)、「フロラード」(住友スリーエム(株)製)、「アサヒガード」、「サーフロン」(以上、旭硝子(株)製)等の各シリーズ等を挙げることができる。
前記界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合量は、前記レジスト組成物中の全樹脂成分100質量部に対して、界面活性剤の有効成分として、通常、2質量部以下、好ましくは1.5質量部以下である。
レジスト溶液の調製:
本発明の化学増幅型ポジレジストおよびネガレジストは、通常、使用時に各成分を溶剤に溶解して均一溶液とし、その後必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することにより、組成物溶液として調製される。
本発明の化学増幅型ポジレジストおよびネガレジストは、通常、使用時に各成分を溶剤に溶解して均一溶液とし、その後必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することにより、組成物溶液として調製される。
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。
図1は、本発明に係る微細パターンの形成方法の一例を概略的に示す断面図である。
基板10はアルミニウムで被覆されたウエハであり、基板10の上に化学増幅型ポジレジスト又はネガレジストをスピンコート法で塗布し、200nm厚さのレジスト膜11を形成する。その後、レジスト膜11から溶媒を蒸発させるために、露光前ベーク(PB)を行う。
次に、レジスト膜11に対して電子線露光などの放射線照射を行い、露光部のみ酸を発生させる。
基板10はアルミニウムで被覆されたウエハであり、基板10の上に化学増幅型ポジレジスト又はネガレジストをスピンコート法で塗布し、200nm厚さのレジスト膜11を形成する。その後、レジスト膜11から溶媒を蒸発させるために、露光前ベーク(PB)を行う。
次に、レジスト膜11に対して電子線露光などの放射線照射を行い、露光部のみ酸を発生させる。
次いで、レジスト膜11上に各種媒体12を塗布し、基板10をホットプレート13上に載せ、媒体12とのギャップが1mm以下となる様に対向電極14を設置する。
以上の状態とした後、基板10をホットプレート13により加熱しながら〔露光後ベーク(PEB)〕、対向電極14と基板10との間に電場を印加する。
尚、電場周波数は0.5〜5Hzの間が好ましく、電圧は媒体が電気分解を起こさない値のうちの最大値が好ましい。
次に、対向電極14を取り除き、水で媒体12を除去した後、最後にアルカリ現像液でパターンニングを行う。
以上の状態とした後、基板10をホットプレート13により加熱しながら〔露光後ベーク(PEB)〕、対向電極14と基板10との間に電場を印加する。
尚、電場周波数は0.5〜5Hzの間が好ましく、電圧は媒体が電気分解を起こさない値のうちの最大値が好ましい。
次に、対向電極14を取り除き、水で媒体12を除去した後、最後にアルカリ現像液でパターンニングを行う。
(合成例1)
酸解離性基含有樹脂:
4−アセトキシスチレン100g、スチレン4.6g、p−t−ブトキシスチレン38.8g、アゾビスイソブチロニトリル7.2g、t−ドデシルメルカプタン2.0gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル145gをセパラブルフラスコに投入し、室温で攪拌して均一溶液とした。窒素雰囲気下、反応温度を80℃まで昇温させ攪拌下10時間重合した。重合終了後、反応液を大量のメタノールで再沈させて精製し、得られた重合体130gをプロピレングリコールモノメチルエーテル800gに溶解させ、これを減圧濃縮した。
酸解離性基含有樹脂:
4−アセトキシスチレン100g、スチレン4.6g、p−t−ブトキシスチレン38.8g、アゾビスイソブチロニトリル7.2g、t−ドデシルメルカプタン2.0gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル145gをセパラブルフラスコに投入し、室温で攪拌して均一溶液とした。窒素雰囲気下、反応温度を80℃まで昇温させ攪拌下10時間重合した。重合終了後、反応液を大量のメタノールで再沈させて精製し、得られた重合体130gをプロピレングリコールモノメチルエーテル800gに溶解させ、これを減圧濃縮した。
次いで、重合体溶液約300g、トリエチルアミン60g、イオン交換水10g、メタノール300gをセパラブルフラスコに仕込み、攪拌、還流下、加水分解反応を行なった。その後、加水分解溶液を減圧濃縮し、多量のイオン交換水で再沈させて精製し、50℃にて真空乾燥することによりp−ヒドロキシスチレン/スチレン/p−t−ブトキシスチレン(モル比で70/5/25)共重合体(Mw;10000、Mw/Mn;1.55)100gを得た。この樹脂を酸解離性基含有樹脂(A−1)とする。
(合成例2)
酸解離性基含有樹脂:
4−t−ブトキシスチレン100g、アゾビスイソブチロニトリル4.7g、t−ドデシルメルカプタン1.5gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gをセパラブルフラスコに投入し、室温で攪拌して均一溶液とした。窒素雰囲気下、反応温度を80℃まで昇温させ攪拌下10時間重合した。重合終了後、反応液を大量のメタノールで再沈させて精製し、得られた重合体90gをプロピレングリコールモノメチルエーテル500gに溶解させ、これを減圧濃縮した。
酸解離性基含有樹脂:
4−t−ブトキシスチレン100g、アゾビスイソブチロニトリル4.7g、t−ドデシルメルカプタン1.5gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gをセパラブルフラスコに投入し、室温で攪拌して均一溶液とした。窒素雰囲気下、反応温度を80℃まで昇温させ攪拌下10時間重合した。重合終了後、反応液を大量のメタノールで再沈させて精製し、得られた重合体90gをプロピレングリコールモノメチルエーテル500gに溶解させ、これを減圧濃縮した。
次いで、重合体溶液約250g、10%硫酸水40gをセパラブルフラスコに仕込み、攪拌、還流下、加水分解反応を行なった。その後、多量のイオン交換水で再沈させて精製し、50℃にて真空乾燥することにより4−ヒドロキシスチレン重合体(Mw;10800、Mw/Mn;1.58)60gを得た。
次に、4−ヒドロキシスチレン重合体60g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500gをセパラブルフラスコに投入し、減圧濃縮を行なった。これに、ピリジニウム−4−トルエンスルホン酸1.0gを加え均一溶液とした後、反応液にビニルシクロヘキシルエーテル20gを滴下し室温で10時間攪拌した。反応液にトリエチルアミンを多量のイオン交換水で再沈させて精製し、50℃にて真空乾燥することにより、ヒドロキシ基が28モル%シクロヘキシルオキシエチル化された重合体(Mw;12000、Mw/Mn1.75)70gを得た。この樹脂を酸解離性基含有樹脂(A−2)とする。
(合成例3)
酸解離性基含有樹脂:
メタクリル酸5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル53.69gおよびメタクリル酸2−メチルアダマンタン−2−イル46.31gを2−ブタノン200gに溶解し、さらにジメチルアゾビスブチレート4.04gを投入した単量体溶液を準備した。
酸解離性基含有樹脂:
メタクリル酸5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル53.69gおよびメタクリル酸2−メチルアダマンタン−2−イル46.31gを2−ブタノン200gに溶解し、さらにジメチルアゾビスブチレート4.04gを投入した単量体溶液を準備した。
別に、2−ブタノン100gを投入した1,000ミリリットルの三口フラスコを30分窒素パージした。その後、内容物を攪拌しながら80℃に加熱し、滴下漏斗を用いて前記単量体溶液を4時間かけて滴下して、滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合後、反応溶液を水冷して30℃以下に冷却したのち、メタノール2,000g中へ投入し、析出した白色粉末をろ別した。その後、得られた白色粉末を2度メタノール400gと混合してスラリー状で洗浄したのち、ろ別し、減圧下50℃で17時間乾燥して、白色粉末の樹脂を得た。
得られた樹脂は、Mwが9,700、Mw/Mnが2.14であり、13C−NMR分析の結果、メタクリル酸5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルとメタクリル酸2−メチルアダマンタン−2−イルとの共重合モル比が59.6:40.4の共重合体であった。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂(A−3)とする。
得られた樹脂は、Mwが9,700、Mw/Mnが2.14であり、13C−NMR分析の結果、メタクリル酸5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルとメタクリル酸2−メチルアダマンタン−2−イルとの共重合モル比が59.6:40.4の共重合体であった。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂(A−3)とする。
(1)MwおよびMw/Mn
東ソー(株)製高速GPC装置(型式「HLC−8120」)に東ソー(株)製のGPCカラム(商品名「G2000HXL」;2本、「G3000HXL」;1本、「G4000HXL」;1本)を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
東ソー(株)製高速GPC装置(型式「HLC−8120」)に東ソー(株)製のGPCカラム(商品名「G2000HXL」;2本、「G3000HXL」;1本、「G4000HXL」;1本)を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
(2)感度
シリコンウエハ上に形成したレジスト膜に電子線照射し、直ちに露光後ベーク(PEB)を行なって、アルカリ現像した後、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、線幅150nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する照射量を最適照射量とし、この最適照射量により感度を評価した。
シリコンウエハ上に形成したレジスト膜に電子線照射し、直ちに露光後ベーク(PEB)を行なって、アルカリ現像した後、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、線幅150nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する照射量を最適照射量とし、この最適照射量により感度を評価した。
(3)解像度
(2)の最適照射量で照射したときに解像されるライン・アンド・スペースパターン(1L1S)の最小寸法(nm)を解像度とした。
(2)の最適照射量で照射したときに解像されるライン・アンド・スペースパターン(1L1S)の最小寸法(nm)を解像度とした。
(4)ラフネス(LER)
設計線幅120nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)について、走査型電子顕微鏡によりラインパターンの断面寸法を測定し、最小寸法をLin、最大寸法をLoutとし(Lout−Lin)をLdとして、Ldの値により、下記基準で評価した。
×;Ldが10.0nmを超える
△;Ldが7.0nmを超え10.0nm未満
○;Ldが5.0を超え7.0nm未満
◎;Ldが5.0nm未満
設計線幅120nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)について、走査型電子顕微鏡によりラインパターンの断面寸法を測定し、最小寸法をLin、最大寸法をLoutとし(Lout−Lin)をLdとして、Ldの値により、下記基準で評価した。
×;Ldが10.0nmを超える
△;Ldが7.0nmを超え10.0nm未満
○;Ldが5.0を超え7.0nm未満
◎;Ldが5.0nm未満
(実施例1〜4および比較例1〜9)
表2(但し、部は質量に基づく。)に示す各成分を混合して均一溶液とした後、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し異物を除去して、レジスト溶液を調製した。その後、これらのレジスト溶液を6インチのシリコンウエハに回転塗布し、膜厚200nmのレジスト被膜を形成した。次いで、簡易型の電子線描画装置(日立社製、型式「HL700D−M、出力;50KeV、電流密度;4.5アンペア)を用いてレジスト被膜に電子線を照射した。照射後、表3に示すプロセス条件で露光前ベーク(PB)、露光後ベーク(PEB)及び電圧印加(電場印加)を行ない、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを2.38質量%含む水溶液を用い、パドル法により、23℃で60秒間現像を行なった。その後、水で30秒間洗浄し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。得られたレジストパターンの評価結果を表3に示す。
表2(但し、部は質量に基づく。)に示す各成分を混合して均一溶液とした後、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し異物を除去して、レジスト溶液を調製した。その後、これらのレジスト溶液を6インチのシリコンウエハに回転塗布し、膜厚200nmのレジスト被膜を形成した。次いで、簡易型の電子線描画装置(日立社製、型式「HL700D−M、出力;50KeV、電流密度;4.5アンペア)を用いてレジスト被膜に電子線を照射した。照射後、表3に示すプロセス条件で露光前ベーク(PB)、露光後ベーク(PEB)及び電圧印加(電場印加)を行ない、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを2.38質量%含む水溶液を用い、パドル法により、23℃で60秒間現像を行なった。その後、水で30秒間洗浄し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。得られたレジストパターンの評価結果を表3に示す。
実施例1〜4および比較例1〜8に用いた材料を以下に示す。
(A)酸解離性基含有樹脂
A−1;合成例1で得られた樹脂
A−2;合成例2で得られた樹脂
A−3;合成例3で得られた樹脂
(A)酸解離性基含有樹脂
A−1;合成例1で得られた樹脂
A−2;合成例2で得られた樹脂
A−3;合成例3で得られた樹脂
(B)酸発生剤
B−1;トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−2;トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート
B−1;トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−2;トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート
(C)溶剤
C−1;乳酸エチル
C−2;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
C−1;乳酸エチル
C−2;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(D)アルカリ可溶性樹脂
D−1;4−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体(共重合モル比=78:22、Mw=3,100、Mw/Mn=1.13)
D−1;4−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体(共重合モル比=78:22、Mw=3,100、Mw/Mn=1.13)
(E)酸架橋剤
E−1;N,N,N,N−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル
E−1;N,N,N,N−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル
(酸拡散制御剤)
F−1;トリ−n−オクチルアミン
F−1;トリ−n−オクチルアミン
媒体:
水
グリセリン
1,3−エチルメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート(以下、「EMI−BF4」と略す。)
用いた媒体の物性を表1に示す。
水
グリセリン
1,3−エチルメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート(以下、「EMI−BF4」と略す。)
用いた媒体の物性を表1に示す。
表1において、
*1 溶解度:条件は各レジスト膜上に媒体を接触させ、23℃で60秒間放置。次に水で媒体を除去。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体塗布前のレジスト膜厚×100≧95
*2 電気伝導率:各媒体を銅板2枚の間に挟み込んで、交流インピーダンス法により25℃で測定。
*3 電位窓:白金電極を用い、参照極として銀/塩化銀電極を使用し、掃引速度10mV/Sで、サイクリックボルタンメトリーを用いて測定。
*1 溶解度:条件は各レジスト膜上に媒体を接触させ、23℃で60秒間放置。次に水で媒体を除去。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体塗布前のレジスト膜厚×100≧95
*2 電気伝導率:各媒体を銅板2枚の間に挟み込んで、交流インピーダンス法により25℃で測定。
*3 電位窓:白金電極を用い、参照極として銀/塩化銀電極を使用し、掃引速度10mV/Sで、サイクリックボルタンメトリーを用いて測定。
本発明は、放射線照射によって発生する酸をパターン形成に利用する化学増幅型ポジレジスト及びネガレジストを使った微細パターンの形成方法とそれに好適な媒体であるため、特にスループットが量産化の課題となっている電子線レジスト、及び今後スループットが課題となりうるEUVレジストの微細パターン形成に極めて有効である。
10…基板、11…レジスト膜、12…媒体、13…ホットプレート、14…対向電極。
Claims (6)
- 化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストを用いた高感度な微細パターンの形成方法であって、
前記化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜を基板の上に形成する工程と、
前記レジスト膜に放射線を照射し、酸を発生させる工程と、
前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜上に下記(I)及び(II)を満足する媒体を配置して、前記レジスト膜に電場を印加する工程と
を含む、微細パターンの形成方法。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95 - 化学増幅型ポジレジストが、
(A)酸解離性基を有するアルカリ不溶または難溶性の樹脂であり、酸により前記酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる樹脂、
(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、及び
(C)溶剤
からなる組成物である請求項1記載の微細パターンの形成方法。 - 化学増幅型ネガレジストが、
(D)アルカリ可溶性樹脂、
(B)放射線照射により、酸を発生する化合物、
(E)酸により前記アルカリ可溶性樹脂を架橋させる架橋剤、及び
(C)溶剤
からなる組成物である請求項1記載の微細パターンの形成方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の微細パターンの形成方法に用いる露光後ベーク用媒体であって、下記(I)及び(II)を満足する媒体。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95 - 下記(III)を満足する請求項4に記載の露光後ベーク用媒体。
(III)電位窓が、水と同じかまたは水より広い。 - さらに、下記(IV)及び(V)を満足する請求項4又は5に記載の露光後ベーク用媒体。
(IV)水への溶解性(20℃)が1質量%以上である。
(V)常圧での沸点が80℃以上である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004208090A JP2006030506A (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004208090A JP2006030506A (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006030506A true JP2006030506A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35896957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004208090A Withdrawn JP2006030506A (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006030506A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010020046A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Nissan Chem Ind Ltd | 電子線レジスト上層用帯電防止膜形成組成物 |
JP2010050232A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Nec Lcd Technologies Ltd | 溶解変形用薬液及び有機膜パターンの溶解変形処理方法 |
US10795262B2 (en) | 2018-03-16 | 2020-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing integrated circuit device |
JP2021007150A (ja) * | 2016-12-29 | 2021-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フォトレジスト層におけるフィールド誘導型酸プロファイル制御のための装置 |
US11815816B2 (en) | 2021-02-15 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for post exposure bake of photoresist |
US11934103B2 (en) | 2021-02-15 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for post exposure bake of photoresist |
-
2004
- 2004-07-15 JP JP2004208090A patent/JP2006030506A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010020046A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Nissan Chem Ind Ltd | 電子線レジスト上層用帯電防止膜形成組成物 |
JP2010050232A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Nec Lcd Technologies Ltd | 溶解変形用薬液及び有機膜パターンの溶解変形処理方法 |
JP2021007150A (ja) * | 2016-12-29 | 2021-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フォトレジスト層におけるフィールド誘導型酸プロファイル制御のための装置 |
US10795262B2 (en) | 2018-03-16 | 2020-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing integrated circuit device |
US11815816B2 (en) | 2021-02-15 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for post exposure bake of photoresist |
US11934103B2 (en) | 2021-02-15 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for post exposure bake of photoresist |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW487829B (en) | Chemical-sensitization photoresist composition | |
JP4297408B2 (ja) | 厚膜フォトレジストとこれらの使用方法 | |
US6783914B1 (en) | Encapsulated inorganic resists | |
JP3317597B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
KR100510020B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트조성물 및 이것을 이용한레지스트패턴형성방법 | |
TWI304155B (en) | Negative type resist composition | |
JP4036773B2 (ja) | ポリマー混合物ならびに関連する調製法および使用法 | |
JP3743187B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
JP2001281886A (ja) | レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法 | |
JP2004004669A (ja) | ポジ型化学増幅型レジスト組成物 | |
JP3785307B2 (ja) | フォトレジスト組成物、及びフォトレジストパターン形成方法 | |
TW564330B (en) | Positive resist composition | |
TW593363B (en) | Copolymer for use in chemical amplification resists | |
JP3849486B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
JP2002099089A (ja) | 感放射線性組成物 | |
JP2006030506A (ja) | 微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体 | |
JPH1130865A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4604367B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
JP3989087B2 (ja) | フォトレジスト用被膜形成材料、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JPH11167206A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2002031892A (ja) | 電子線用レジスト組成物 | |
JP3650981B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4069497B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4190834B2 (ja) | レジスト組成物 | |
JPH1130856A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |