JP3456808B2 - ホトレジスト組成物 - Google Patents
ホトレジスト組成物Info
- Publication number
- JP3456808B2 JP3456808B2 JP25421595A JP25421595A JP3456808B2 JP 3456808 B2 JP3456808 B2 JP 3456808B2 JP 25421595 A JP25421595 A JP 25421595A JP 25421595 A JP25421595 A JP 25421595A JP 3456808 B2 JP3456808 B2 JP 3456808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photoresist composition
- component
- acid
- composition according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸発生剤を必須成
分として含有するホトレジスト組成物、さらに詳しくい
えば、断面形状が波打つことなく、垂直な側面をもつレ
ジストパターンを与え、しかもコンタクトホールの焦点
深度幅特性、感度及び耐熱性の優れたホトレジスト組成
物に関するものである。
分として含有するホトレジスト組成物、さらに詳しくい
えば、断面形状が波打つことなく、垂直な側面をもつレ
ジストパターンを与え、しかもコンタクトホールの焦点
深度幅特性、感度及び耐熱性の優れたホトレジスト組成
物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オキシムスルホネート基をもつ化合物
は、熱や光の照射により分解してスルホン酸を生じるの
で、これを利用してコーティングを形成させたり、選択
的に被覆形成樹脂を硬化させ、現像して未硬化部分を除
去し、パターンを形成することが行われ、そのための組
成物もいろいろ知られている。例えば酸硬化性アミノ樹
脂とオキシムスルホネート化合物を含有する熱硬化性被
覆組成物（ヨーロッパ特許出願第４４１１５号公報）、
酸硬化性樹脂とその硬化触媒としてのオキシムスルホネ
ート化合物とを含む焼付け仕上げ材料に短波光で照射し
て遊離のスルホン酸を発生させ、加熱して硬化させる方
法（特開昭６０−６５０７２号公報）、フィルム形成性
有機材料と、オキシムスルホネート基をもつ芳香族化合
物とから成る組成物層に画像形成露光し、露光部分をア
ルカリ性現像液で除去して画像を形成する方法（特開平
１−１２４８４８号公報）、アルカリ性媒体中で現像可
能であり、３４０〜３９０ｎｍの波長の光に感応するホ
トレジストの感光性酸発生剤としてオキシムスルホネー
ト化合物を用いる方法（特開平６−６７４３３号公報）
などが、これまで提案されている。
は、熱や光の照射により分解してスルホン酸を生じるの
で、これを利用してコーティングを形成させたり、選択
的に被覆形成樹脂を硬化させ、現像して未硬化部分を除
去し、パターンを形成することが行われ、そのための組
成物もいろいろ知られている。例えば酸硬化性アミノ樹
脂とオキシムスルホネート化合物を含有する熱硬化性被
覆組成物（ヨーロッパ特許出願第４４１１５号公報）、
酸硬化性樹脂とその硬化触媒としてのオキシムスルホネ
ート化合物とを含む焼付け仕上げ材料に短波光で照射し
て遊離のスルホン酸を発生させ、加熱して硬化させる方
法（特開昭６０−６５０７２号公報）、フィルム形成性
有機材料と、オキシムスルホネート基をもつ芳香族化合
物とから成る組成物層に画像形成露光し、露光部分をア
ルカリ性現像液で除去して画像を形成する方法（特開平
１−１２４８４８号公報）、アルカリ性媒体中で現像可
能であり、３４０〜３９０ｎｍの波長の光に感応するホ
トレジストの感光性酸発生剤としてオキシムスルホネー
ト化合物を用いる方法（特開平６−６７４３３号公報）
などが、これまで提案されている。
【０００３】そして、これらの先行技術の中で用いられ
ているオキシムスルホネート化合物の中には、シアノ基
を有するものも含まれており、これらは感度や耐熱性が
高いという点で有利であることが知られている。
ているオキシムスルホネート化合物の中には、シアノ基
を有するものも含まれており、これらは感度や耐熱性が
高いという点で有利であることが知られている。
【０００４】しかしながら、これまで知られているシア
ノ基を有するオキシムスルホネート化合物は、例えばα
‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐フェニル
アセトニトリル、α‐（４‐クロロベンゼンスルホニル
オキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（４‐
ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルア
セトニトリル、α‐（４‐ニトロ‐２‐トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセ
トニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）
‐４‐クロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼン
スルホニルオキシイミノ）‐２，４‐ジクロロフェニル
アセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）‐２，６‐ジクロロフェニルアセトニトリル、α‐
（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフ
ェニルアセトニトリル、α‐（２‐クロロベンゼンスル
ホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニ
トリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２
‐チエニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベンゼ
ンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリ
ル、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４
‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシ
ルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフ
ェニルアセトニトリル、α‐（ｐ‐トルエンスルホニル
オキシイミノ）‐３‐チエニルアセトニトリルなどであ
り、いずれもフェニル基、フリル基、チエニル基などの
芳香族性環をもつ化合物である。
ノ基を有するオキシムスルホネート化合物は、例えばα
‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐フェニル
アセトニトリル、α‐（４‐クロロベンゼンスルホニル
オキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（４‐
ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルア
セトニトリル、α‐（４‐ニトロ‐２‐トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセ
トニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）
‐４‐クロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼン
スルホニルオキシイミノ）‐２，４‐ジクロロフェニル
アセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）‐２，６‐ジクロロフェニルアセトニトリル、α‐
（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフ
ェニルアセトニトリル、α‐（２‐クロロベンゼンスル
ホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニ
トリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２
‐チエニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベンゼ
ンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリ
ル、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４
‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシ
ルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフ
ェニルアセトニトリル、α‐（ｐ‐トルエンスルホニル
オキシイミノ）‐３‐チエニルアセトニトリルなどであ
り、いずれもフェニル基、フリル基、チエニル基などの
芳香族性環をもつ化合物である。
【０００５】ところで、芳香族性を有するフェニル基
は、２４８ｎｍの光に対して高い吸収を有しており、こ
のフェニル基を有するオキシムスルホネート化合物を用
いたレジスト組成物においては、底部の基板まで光が十
分に到達せず、その結果、得られたレジストパターンは
ポジ型レジストであれば、テーパー形状となり、またネ
ガ型レジストであれば逆テーパー形状となる。したがっ
て、レジストパターンの垂直性が不十分なものとなる。
また、コンタクトホールについても透明性の影響が大き
く、コンタクトホールの焦点深度幅が狭くなるという欠
点がある。
は、２４８ｎｍの光に対して高い吸収を有しており、こ
のフェニル基を有するオキシムスルホネート化合物を用
いたレジスト組成物においては、底部の基板まで光が十
分に到達せず、その結果、得られたレジストパターンは
ポジ型レジストであれば、テーパー形状となり、またネ
ガ型レジストであれば逆テーパー形状となる。したがっ
て、レジストパターンの垂直性が不十分なものとなる。
また、コンタクトホールについても透明性の影響が大き
く、コンタクトホールの焦点深度幅が狭くなるという欠
点がある。
【０００６】他方、光に対して透明性を高めた酸発生剤
として、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタ
ンが提案されているが（特開平４−２１０９６０号公
報）、このような酸発生剤は光に対する透明性は高くな
るものの、発生する酸の強度が弱く、これを用いたレジ
ストは感度が低かったり、耐熱性に劣るなどの欠点があ
る。
として、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタ
ンが提案されているが（特開平４−２１０９６０号公
報）、このような酸発生剤は光に対する透明性は高くな
るものの、発生する酸の強度が弱く、これを用いたレジ
ストは感度が低かったり、耐熱性に劣るなどの欠点があ
る。
【０００７】また、これまで知られている芳香族性環を
有するオキシムスルホネート化合物を酸発生剤に用いた
レジストは、形成されるレジストパターンの断面形状が
波打った形状となるという欠点がある上に、これまで知
られている酸発生剤は、いずれもレジスト溶媒に対する
溶解性が悪く、溶解度が低いため、添加量が制限され、
感度が低かったり、あるいはレジストを調製する際に、
加熱などの工程が必要となって、レジスト調製の操作が
煩雑になるという欠点を有していた。
有するオキシムスルホネート化合物を酸発生剤に用いた
レジストは、形成されるレジストパターンの断面形状が
波打った形状となるという欠点がある上に、これまで知
られている酸発生剤は、いずれもレジスト溶媒に対する
溶解性が悪く、溶解度が低いため、添加量が制限され、
感度が低かったり、あるいはレジストを調製する際に、
加熱などの工程が必要となって、レジスト調製の操作が
煩雑になるという欠点を有していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、酸発生剤と
してオキシムスルホネート化合物を用いるホトレジスト
組成物における前記した欠点を克服し、断面形状が波打
つことなく、垂直性の良好なレジストパターンを与える
ことができ、かつコンタクトホールの焦点深度幅特性、
感度及び耐熱性が優れたホトレジスト組成物を提供する
ものである。
してオキシムスルホネート化合物を用いるホトレジスト
組成物における前記した欠点を克服し、断面形状が波打
つことなく、垂直性の良好なレジストパターンを与える
ことができ、かつコンタクトホールの焦点深度幅特性、
感度及び耐熱性が優れたホトレジスト組成物を提供する
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、酸発生剤
としてオキシムスルホネート化合物を含むホトレジスト
組成物の特性を向上させるために、種々研究を重ねた結
果、シアノ基をもち、かつ芳香族性環をもたないオキシ
ムスルホネート化合物を酸発生剤として用いることによ
り、従来のホトレジスト組成物における欠点が解消さ
れ、露光に使用する活性光、特に遠紫外線に対する透明
性が高く、レジストパターンの垂直性や焦点深度幅特性
の向上をもたらす、発生する酸の強度が強く、感度及び
耐熱性が良好となる、レジスト溶媒に対する溶解性に優
れているので、レジスト調製時に加熱する必要がない
上、添加量を増やすことができ、感度を高めることがで
きる、レジストパターンが定在波の影響を受けにくく、
パターンの波打ちを抑制できる、などの利点が得られる
ことを見出し、この知見に基づいて、本発明をなす至っ
た。
としてオキシムスルホネート化合物を含むホトレジスト
組成物の特性を向上させるために、種々研究を重ねた結
果、シアノ基をもち、かつ芳香族性環をもたないオキシ
ムスルホネート化合物を酸発生剤として用いることによ
り、従来のホトレジスト組成物における欠点が解消さ
れ、露光に使用する活性光、特に遠紫外線に対する透明
性が高く、レジストパターンの垂直性や焦点深度幅特性
の向上をもたらす、発生する酸の強度が強く、感度及び
耐熱性が良好となる、レジスト溶媒に対する溶解性に優
れているので、レジスト調製時に加熱する必要がない
上、添加量を増やすことができ、感度を高めることがで
きる、レジストパターンが定在波の影響を受けにくく、
パターンの波打ちを抑制できる、などの利点が得られる
ことを見出し、この知見に基づいて、本発明をなす至っ
た。
【００１０】すなわち、本発明は、（Ａ）酸によりアル
カリに対する溶解性が変化する被膜形成用樹脂成分及び
（Ｂ）一般式
カリに対する溶解性が変化する被膜形成用樹脂成分及び
（Ｂ）一般式
【化２】
（式中のＲ1及びＲ2はそれぞれ芳香族性環を有しない炭
化水素基又はハロゲン化炭化水素基である）で表わされ
るオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有
することを特徴とするホトレジスト組成物を提供するも
のである。
化水素基又はハロゲン化炭化水素基である）で表わされ
るオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有
することを特徴とするホトレジスト組成物を提供するも
のである。
【００１１】この組成物において、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分との配合割合は、（Ａ）成分１００重量部当り
（Ｂ）成分０．１〜３０重量部、好ましくは１〜２０重
量部の範囲内で選ばれる。
成分との配合割合は、（Ａ）成分１００重量部当り
（Ｂ）成分０．１〜３０重量部、好ましくは１〜２０重
量部の範囲内で選ばれる。
【００１２】ここで、芳香族性環とはヒュッケル（Ｈｕ
ｅｃｋｅｌ）則の芳香族性の定義に適合する芳香族性環
すなわち、ベンゼン環、ナフタリン環のような芳香族炭
素環やピリジン環、フラン環、チオフェン環のような芳
香族性複素環などπ電子が非局在化して安定化している
分子環を意味する。
ｅｃｋｅｌ）則の芳香族性の定義に適合する芳香族性環
すなわち、ベンゼン環、ナフタリン環のような芳香族炭
素環やピリジン環、フラン環、チオフェン環のような芳
香族性複素環などπ電子が非局在化して安定化している
分子環を意味する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の（Ａ）成分として用いる
酸によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成用
樹脂成分には、アルカリ可溶性樹脂の水酸基が酸解離性
置換基で保護され、アルカリ不溶性になっているもの
と、アルカリ可溶性樹脂及び酸架橋性物質すなわち酸触
媒により反応して架橋する硬化性物質の混合物とに大別
することができる。
酸によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成用
樹脂成分には、アルカリ可溶性樹脂の水酸基が酸解離性
置換基で保護され、アルカリ不溶性になっているもの
と、アルカリ可溶性樹脂及び酸架橋性物質すなわち酸触
媒により反応して架橋する硬化性物質の混合物とに大別
することができる。
【００１４】前者を酸発生剤と組み合わせて用いると、
露光した部分で酸が生成し、これが保護基を解離するた
め、その部分がアルカリ可溶性になり、現像の際に露光
部分だけが選択的に除去されてポジ型のパターンが得ら
れる。他方、後者を酸発生剤と組み合わせて用いると、
露光した部分で発生した酸により、その部分が架橋して
アルカリ不溶性になり、現像の際に未露光部分だけが選
択的に除去されてネガ型のパターンが得られる。
露光した部分で酸が生成し、これが保護基を解離するた
め、その部分がアルカリ可溶性になり、現像の際に露光
部分だけが選択的に除去されてポジ型のパターンが得ら
れる。他方、後者を酸発生剤と組み合わせて用いると、
露光した部分で発生した酸により、その部分が架橋して
アルカリ不溶性になり、現像の際に未露光部分だけが選
択的に除去されてネガ型のパターンが得られる。
【００１５】本発明組成物の（Ａ）成分のアルカリ可溶
性樹脂としては、例えばフェノール、ｍ‐クレゾール、
ｐ‐クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノール
などのフェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒ
ド類とを酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹
脂、ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチ
レンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシ
スチレンとアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘
導体との共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹
脂、アクリル酸又はメタクリル酸とその誘導体との共重
合体であるアクリル酸又はメタクリル酸系樹脂などのア
ルカリ可溶性樹脂が挙げられる。
性樹脂としては、例えばフェノール、ｍ‐クレゾール、
ｐ‐クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノール
などのフェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒ
ド類とを酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹
脂、ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチ
レンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシ
スチレンとアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘
導体との共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹
脂、アクリル酸又はメタクリル酸とその誘導体との共重
合体であるアクリル酸又はメタクリル酸系樹脂などのア
ルカリ可溶性樹脂が挙げられる。
【００１６】また、酸解離性置換基で保護された水酸基
をもつアルカリ可溶性樹脂としては、水酸基の一部を酸
解離置換基で保護した、ヒドロキシスチレンの単独重合
体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共
重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸又はメタクリ
ル酸あるいはその誘導体との共重合体、あるいはカルボ
キシル基の水酸基の一部を酸解離性置換基で保護したア
クリル酸又はメタクリル酸とそれらの誘導体との共重合
体を挙げることができる。
をもつアルカリ可溶性樹脂としては、水酸基の一部を酸
解離置換基で保護した、ヒドロキシスチレンの単独重合
体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共
重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸又はメタクリ
ル酸あるいはその誘導体との共重合体、あるいはカルボ
キシル基の水酸基の一部を酸解離性置換基で保護したア
クリル酸又はメタクリル酸とそれらの誘導体との共重合
体を挙げることができる。
【００１７】上記のヒドロキシスチレンと共重合させる
スチレン系単量体としては、スチレン、α‐メチルスチ
レン、ｐ‐メチルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、ｐ‐
メトキシスチレン、ｐ‐クロロスチレンなどが挙げられ
る。また、上記アクリル酸又はメタクリル酸の誘導体と
しては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
アクリル酸２‐ヒドロキシエチル、アクリル酸２‐ヒド
ロキシプロピル、アクリルアミド、アクリロニトリル及
び対応するメタクリル酸誘導体を挙げることができる。
スチレン系単量体としては、スチレン、α‐メチルスチ
レン、ｐ‐メチルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、ｐ‐
メトキシスチレン、ｐ‐クロロスチレンなどが挙げられ
る。また、上記アクリル酸又はメタクリル酸の誘導体と
しては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
アクリル酸２‐ヒドロキシエチル、アクリル酸２‐ヒド
ロキシプロピル、アクリルアミド、アクリロニトリル及
び対応するメタクリル酸誘導体を挙げることができる。
【００１８】他方、上記酸解離性置換基としては、例え
ばｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐アミル
オキシカルボニル基などのアルキルオキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基などのアルキルオキシ基、エ
トキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基などのアルコ
キシアルコキシ基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基などのアセタール基、ベンジル基、トリ
メチルシリル基などを挙げることができる。これらの酸
解離性置換基による水酸基の保護率は、通常樹脂中の水
酸基の１〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％の
範囲である。これらの酸解離性置換基で保護された水酸
基をもつアルカリ可溶性樹脂は、通常ポジ型レジストに
おいて使用されるが、保護率を低くし、酸架橋性物質と
組み合わせて使用すれば、ネガ型レジストにおいても使
用することができ、残膜率の高いネガパターンを与え
る。
ばｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐アミル
オキシカルボニル基などのアルキルオキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基などのアルキルオキシ基、エ
トキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基などのアルコ
キシアルコキシ基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基などのアセタール基、ベンジル基、トリ
メチルシリル基などを挙げることができる。これらの酸
解離性置換基による水酸基の保護率は、通常樹脂中の水
酸基の１〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％の
範囲である。これらの酸解離性置換基で保護された水酸
基をもつアルカリ可溶性樹脂は、通常ポジ型レジストに
おいて使用されるが、保護率を低くし、酸架橋性物質と
組み合わせて使用すれば、ネガ型レジストにおいても使
用することができ、残膜率の高いネガパターンを与え
る。
【００１９】次に、酸架橋性物質としては、ヒドロキシ
ル基又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えば、
メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコール
ウリル‐ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド‐ホ
ルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素‐ホルムアルデヒド
樹脂などを挙げることができる。これらはメラミン、尿
素、グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミ
ド、エチレン尿素を沸騰水中でホルマリンと反応させて
メチロール化、あるいはこれにさらに低級アルコールを
反応させてアルコキシル化することにより容易に得られ
る。実用上はニカラックＭｘ−７５０、ニカラックＭｗ
−８０、ニカラックＭｘ−２９０（いずれも三和ケミカ
ル社製）として入手することができる。
ル基又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えば、
メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコール
ウリル‐ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド‐ホ
ルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素‐ホルムアルデヒド
樹脂などを挙げることができる。これらはメラミン、尿
素、グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミ
ド、エチレン尿素を沸騰水中でホルマリンと反応させて
メチロール化、あるいはこれにさらに低級アルコールを
反応させてアルコキシル化することにより容易に得られ
る。実用上はニカラックＭｘ−７５０、ニカラックＭｗ
−８０、ニカラックＭｘ−２９０（いずれも三和ケミカ
ル社製）として入手することができる。
【００２０】そのほか、１，３，５‐トリス（メトキシ
メトキシ）ベンゼン、１，２，４‐トリス（イソプロポ
キシメトキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（ｓｅｃ‐ブト
キシメトキシ）ベンゼンなどのアルコキシル基を有する
ベンゼン化合物、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ク
レゾール、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ｔｅｒｔ
‐ブチルフェノールなどのヒドロキシル基又はアルコキ
シル基を有するフェノール化合物なども用いることがで
きる。
メトキシ）ベンゼン、１，２，４‐トリス（イソプロポ
キシメトキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（ｓｅｃ‐ブト
キシメトキシ）ベンゼンなどのアルコキシル基を有する
ベンゼン化合物、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ク
レゾール、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ｔｅｒｔ
‐ブチルフェノールなどのヒドロキシル基又はアルコキ
シル基を有するフェノール化合物なども用いることがで
きる。
【００２１】これらの酸架橋性物質は単独で用いてもよ
いし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 （Ａ）成分として、アルカリ可溶性樹脂と酸架橋性物質
とを組み合わせて用いる場合には、両者の割合は重量比
で１００：３ないし１００：７０好ましくは１００：５
ないし１００：５０の範囲で選ばれる。酸架橋性物質が
これよりも少ないと、感度が不十分になるし、またこれ
よりも多くなると均一なレジスト被膜が形成されにくい
上、現像性も低下し、良好なレジストパターンが得られ
にくくなる。
いし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 （Ａ）成分として、アルカリ可溶性樹脂と酸架橋性物質
とを組み合わせて用いる場合には、両者の割合は重量比
で１００：３ないし１００：７０好ましくは１００：５
ないし１００：５０の範囲で選ばれる。酸架橋性物質が
これよりも少ないと、感度が不十分になるし、またこれ
よりも多くなると均一なレジスト被膜が形成されにくい
上、現像性も低下し、良好なレジストパターンが得られ
にくくなる。
【００２２】次に、本発明組成物の（Ｂ）成分として
は、一般式
は、一般式
【化３】
（式中のＲ1及びＲ2はそれぞれ芳香族性環を有しない炭
化水素基又はハロゲン化炭化水素基である）で表わされ
るオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を用い
ることが必要である。
化水素基又はハロゲン化炭化水素基である）で表わされ
るオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を用い
ることが必要である。
【００２３】前記一般式（Ｉ）におけるＲ1及びＲ2は、
それぞれアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニル
基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキ
シ基、シクロアルコキシ基及びアダマンチル基などであ
る。ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１
〜１２の直鎖状又は分枝状のアルキル基、例えばメチル
基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ
‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ‐ド
デシル基などが挙げらる。ハロゲノアルキル基はハロゲ
ン原子の導入数については特に制限はなく、１個導入さ
れていてもよいし、複数導入されていてもよく、またハ
ロゲン原子としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれであ
ってもよい。このハロゲノアルキル基としては、好まし
くは炭素数１〜４のハロゲノアルキル基、例えばクロロ
メチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル
基、２‐ブロモプロピル基などが挙げられる。
それぞれアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニル
基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキ
シ基、シクロアルコキシ基及びアダマンチル基などであ
る。ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１
〜１２の直鎖状又は分枝状のアルキル基、例えばメチル
基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ
‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ‐ド
デシル基などが挙げらる。ハロゲノアルキル基はハロゲ
ン原子の導入数については特に制限はなく、１個導入さ
れていてもよいし、複数導入されていてもよく、またハ
ロゲン原子としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれであ
ってもよい。このハロゲノアルキル基としては、好まし
くは炭素数１〜４のハロゲノアルキル基、例えばクロロ
メチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル
基、２‐ブロモプロピル基などが挙げられる。
【００２４】アルケニル基としては、好ましくは炭素数
２〜６の直鎖状又は分枝状のアルケニル基、例えばビニ
ル基、アリル基、１‐プロペニル基、イソプロペニル
基、２‐ブテニル基などが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは炭素数５〜１２のシクロアルキ
ル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロオクチル基、シクロドデシル基などが挙げられ、シ
クロアルケニル基としては、好ましくは炭素数４〜８の
シクロアルケニル基、例えば１‐シクロブテニル基、１
‐シクロペンテニル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐
シクロヘプテニル基、１‐シクロオクテニル基などが挙
げられる。また、アルコキシ基としては、好ましくは炭
素数１〜８のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などが
挙げられ、シクロアルコキシ基としては、好ましくは炭
素数５〜８のシクロアルコキシ基、例えばシクロペント
キシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。
２〜６の直鎖状又は分枝状のアルケニル基、例えばビニ
ル基、アリル基、１‐プロペニル基、イソプロペニル
基、２‐ブテニル基などが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは炭素数５〜１２のシクロアルキ
ル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロオクチル基、シクロドデシル基などが挙げられ、シ
クロアルケニル基としては、好ましくは炭素数４〜８の
シクロアルケニル基、例えば１‐シクロブテニル基、１
‐シクロペンテニル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐
シクロヘプテニル基、１‐シクロオクテニル基などが挙
げられる。また、アルコキシ基としては、好ましくは炭
素数１〜８のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などが
挙げられ、シクロアルコキシ基としては、好ましくは炭
素数５〜８のシクロアルコキシ基、例えばシクロペント
キシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。
【００２５】このように、芳香族性環を有しない炭化水
素基又はハロゲン化炭化水素基を置換基とすることによ
り、露光に使用する活性光、特に遠紫外線に対する透明
性が高くなり、レジストパターンの垂直性及び焦点深度
幅特性の向上をもたらす。
素基又はハロゲン化炭化水素基を置換基とすることによ
り、露光に使用する活性光、特に遠紫外線に対する透明
性が高くなり、レジストパターンの垂直性及び焦点深度
幅特性の向上をもたらす。
【００２６】また、特開平４−２１０９６０号公報に記
載されているようなビス（シクロヘキシルスルホニル）
ジアゾメタンは、シクロヘキシル基が導入されることに
より、酸の強度が弱くなり、感度の低下や耐熱性の低下
がみられるが、本発明におけるオキシムスルホネート化
合物においては、意外にも感度及び耐熱性の低下はみら
れない。この原因については必ずしも明らかではない
が、おそらくシアノ基を有するオキシム基によるものと
考えられる。このような感度を考慮すると、一般式
（Ｉ）におけるＲ2は、アルキル基、ハロゲノアルキル
基及びシクロアルキル基が好ましく、なかでもメチル
基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基などの炭素数１〜４のアルキル基、トリクロロメチ
ル基、トリフルオロメチル基及びシクロヘキシル基が好
適である。
載されているようなビス（シクロヘキシルスルホニル）
ジアゾメタンは、シクロヘキシル基が導入されることに
より、酸の強度が弱くなり、感度の低下や耐熱性の低下
がみられるが、本発明におけるオキシムスルホネート化
合物においては、意外にも感度及び耐熱性の低下はみら
れない。この原因については必ずしも明らかではない
が、おそらくシアノ基を有するオキシム基によるものと
考えられる。このような感度を考慮すると、一般式
（Ｉ）におけるＲ2は、アルキル基、ハロゲノアルキル
基及びシクロアルキル基が好ましく、なかでもメチル
基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基などの炭素数１〜４のアルキル基、トリクロロメチ
ル基、トリフルオロメチル基及びシクロヘキシル基が好
適である。
【００２７】また、芳香族性環を有しない炭化水素基又
はハロゲン化炭化水素基を置換基として導入したことに
より、レジスト溶媒に対する溶解性が飛躍的に向上す
る。このように溶解性が高くなることにより、レジスト
調製において加熱して溶解する必要もなく、また添加量
を増大しうるため、感度が高くなるなどの効果が発揮さ
れる。この溶解性を考慮すると、Ｒ1としては、アルキ
ル基、シクロアルキル基又はシクロアルケニル基が好ま
しく、なかでもエチル基、プロピル基、ブチル基などの
炭素数１〜４の低級アルキル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、１‐シクロペンテニル基、１‐シクロ
ヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル基又は１‐シクロ
オクテニル基が好適である。
はハロゲン化炭化水素基を置換基として導入したことに
より、レジスト溶媒に対する溶解性が飛躍的に向上す
る。このように溶解性が高くなることにより、レジスト
調製において加熱して溶解する必要もなく、また添加量
を増大しうるため、感度が高くなるなどの効果が発揮さ
れる。この溶解性を考慮すると、Ｒ1としては、アルキ
ル基、シクロアルキル基又はシクロアルケニル基が好ま
しく、なかでもエチル基、プロピル基、ブチル基などの
炭素数１〜４の低級アルキル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、１‐シクロペンテニル基、１‐シクロ
ヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル基又は１‐シクロ
オクテニル基が好適である。
【００２８】さらに、前記先行技術に記載されている芳
香族性環を有するオキシムスルホネート化合物の場合、
レジスト断面パターンに定在波の影響が現われ、波打っ
た形状となるが、芳香族性基をもたないオキシムスルホ
ネート化合物を用いることにより、意外にもこのような
定在波の影響を受けにくくなり、パターンの波打ちが少
なくなる。これは、本発明で用いるオキシムスルホネー
ト化合物が芳香族性環を有しないため、露光後の加熱処
理の際に露光により発生した酸が拡散しやすいと考えら
れる。
香族性環を有するオキシムスルホネート化合物の場合、
レジスト断面パターンに定在波の影響が現われ、波打っ
た形状となるが、芳香族性基をもたないオキシムスルホ
ネート化合物を用いることにより、意外にもこのような
定在波の影響を受けにくくなり、パターンの波打ちが少
なくなる。これは、本発明で用いるオキシムスルホネー
ト化合物が芳香族性環を有しないため、露光後の加熱処
理の際に露光により発生した酸が拡散しやすいと考えら
れる。
【００２９】このような定在波の影響を受けず、波打ち
のない断面形状が得られる点を考慮すると、あまり大き
な骨格とならないことが好ましい。この点からもＲ2は
アルキル基、ハロゲノアルキル基又はシクロアルキル基
が好ましく、なかでもメチル基、エチル基、ｎ‐プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数１〜４の
アルキル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル
基又はシクロヘキシル基が好適である。
のない断面形状が得られる点を考慮すると、あまり大き
な骨格とならないことが好ましい。この点からもＲ2は
アルキル基、ハロゲノアルキル基又はシクロアルキル基
が好ましく、なかでもメチル基、エチル基、ｎ‐プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数１〜４の
アルキル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル
基又はシクロヘキシル基が好適である。
【００３０】したがって、本発明のレジスト組成物にお
ける（Ｂ）成分の好ましいものとしては、Ｒ1がアルキ
ル基、シクロアルキル基又はシクロアルケニル基であ
り、Ｒ2がアルキル基、ハロゲノアルキル基又はシクロ
アルキル基の場合である。より好ましいのは、Ｒ1がシ
クロアルケニル基及びＲ2がアルキル基の場合であり、
特にＲ1がシクロペンテニル基及びＲ2が炭素数１〜４の
アルキル基の場合である。
ける（Ｂ）成分の好ましいものとしては、Ｒ1がアルキ
ル基、シクロアルキル基又はシクロアルケニル基であ
り、Ｒ2がアルキル基、ハロゲノアルキル基又はシクロ
アルキル基の場合である。より好ましいのは、Ｒ1がシ
クロアルケニル基及びＲ2がアルキル基の場合であり、
特にＲ1がシクロペンテニル基及びＲ2が炭素数１〜４の
アルキル基の場合である。
【００３１】前記一般式（Ｉ）で表わされるオキシムス
ルホネート化合物の例としては、α‐（メチルスルホニ
ルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリ
ル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シク
ロヘキセニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニル
オキシイミノ）‐１‐シクロヘプテニルアセトニトリ
ル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シク
ロオクテニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルア
セトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオ
キシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐
（エチルスルホニルオキシイミノ）‐エチルアセトニト
リル、α‐（プロピルスルホニルオキシイミノ）‐プロ
ピルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニル
オキシイミノ）‐シクロペンチルアセトニトリル、α‐
（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘ
キシルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニ
ルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリ
ルなどを挙げることができる。
ルホネート化合物の例としては、α‐（メチルスルホニ
ルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリ
ル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シク
ロヘキセニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニル
オキシイミノ）‐１‐シクロヘプテニルアセトニトリ
ル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シク
ロオクテニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチ
ルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルア
セトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオ
キシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐
（エチルスルホニルオキシイミノ）‐エチルアセトニト
リル、α‐（プロピルスルホニルオキシイミノ）‐プロ
ピルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニル
オキシイミノ）‐シクロペンチルアセトニトリル、α‐
（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘ
キシルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニ
ルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリ
ルなどを挙げることができる。
【００３２】前記一般式（Ｉ）で表わされるオキシムス
ルホネート化合物の製造方法としては、特に制限はな
く、例えば前記先行技術に開示されている方法と同様の
方法を用いることができる。すなわち、テトラヒドロフ
ラン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ‐メチルピロリドンなどの有機溶媒
中において、ピリジン、トリエチルアミンなどの塩基性
触媒の存在下、オキシム基含有化合物とスルホン酸クロ
リド基含有化合物とをエステル化反応させることによ
り、製造することができる。また、原料として用いられ
る該オキシム基含有化合物は、公知の方法［「ザ・シス
テマティック・アイデンティフィケイション・オブ・オ
ーガニック・コンパウンズ（Ｔｈｅ Ｓｙｓｔｅｍａｔ
ｉｃ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）」（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅ
ｙ ＆ Ｓｏｎｓ）第１８１ページ（１９８０年）、
「ディ・マクロモレキュラレ・ヘミー（Ｄｉｅ Ｍａｋ
ｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒｅ Ｃｈｅｍｉｅ）」第１０８
巻，第１７０ページ（１９６７年）、「オーガニック・
シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」
第５９巻，第９５ページ（１９７９年）］によって製造
することができる。
ルホネート化合物の製造方法としては、特に制限はな
く、例えば前記先行技術に開示されている方法と同様の
方法を用いることができる。すなわち、テトラヒドロフ
ラン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ‐メチルピロリドンなどの有機溶媒
中において、ピリジン、トリエチルアミンなどの塩基性
触媒の存在下、オキシム基含有化合物とスルホン酸クロ
リド基含有化合物とをエステル化反応させることによ
り、製造することができる。また、原料として用いられ
る該オキシム基含有化合物は、公知の方法［「ザ・シス
テマティック・アイデンティフィケイション・オブ・オ
ーガニック・コンパウンズ（Ｔｈｅ Ｓｙｓｔｅｍａｔ
ｉｃ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）」（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅ
ｙ ＆ Ｓｏｎｓ）第１８１ページ（１９８０年）、
「ディ・マクロモレキュラレ・ヘミー（Ｄｉｅ Ｍａｋ
ｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒｅ Ｃｈｅｍｉｅ）」第１０８
巻，第１７０ページ（１９６７年）、「オーガニック・
シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」
第５９巻，第９５ページ（１９７９年）］によって製造
することができる。
【００３３】本発明のレジスト組成物においては、この
（Ｂ）成分のオキシムスルホネート化合物は単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本
発明組成物における各成分の配合割合については、
（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．１
〜３０重量部の割合で用いるのが有利である。この
（Ｂ）成分の量が０．１重量部未満では像形成が不十分
であるし、３０重量部を超えると均一なレジスト被膜が
形成されにくい上、現像性も低下し、良好なレジストパ
ターンが得られにくい。像形成性、レジスト被膜形成性
及び現像性などのバランスの点から、この（Ｂ）成分
は、（Ａ）成分１００重量部に対し、１〜２０重量部の
割合で用いるのが、特に好ましい。
（Ｂ）成分のオキシムスルホネート化合物は単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本
発明組成物における各成分の配合割合については、
（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．１
〜３０重量部の割合で用いるのが有利である。この
（Ｂ）成分の量が０．１重量部未満では像形成が不十分
であるし、３０重量部を超えると均一なレジスト被膜が
形成されにくい上、現像性も低下し、良好なレジストパ
ターンが得られにくい。像形成性、レジスト被膜形成性
及び現像性などのバランスの点から、この（Ｂ）成分
は、（Ａ）成分１００重量部に対し、１〜２０重量部の
割合で用いるのが、特に好ましい。
【００３４】本発明組成物は、その使用に当たっては上
記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好まし
い。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケト
ン、２‐ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又
はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びそ
の誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳
酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類を挙げることができる。これらは単独で
用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好まし
い。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケト
ン、２‐ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又
はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びそ
の誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳
酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類を挙げることができる。これらは単独で
用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【００３５】本発明組成物には、さらに所望により混和
性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するた
めの付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤
などの慣用されているものを添加含有させることができ
る。
性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するた
めの付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤
などの慣用されているものを添加含有させることができ
る。
【００３６】本発明組成物の使用方法としては従来のホ
トレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられ
るが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような
支持体上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなど
で塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに縮小投影
露光装置などにより、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザ
ー光を所望のマスクパターンを介して照射し、加熱す
る。次いでこれを現像液、例えば１〜１０重量％テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカ
リ性水溶液などを用いて現像処理する。この形成方法で
マスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
トレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられ
るが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような
支持体上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなど
で塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに縮小投影
露光装置などにより、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザ
ー光を所望のマスクパターンを介して照射し、加熱す
る。次いでこれを現像液、例えば１〜１０重量％テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカ
リ性水溶液などを用いて現像処理する。この形成方法で
マスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明のレジスト組成物は、酸発生剤と
して、シアノ基及び芳香族性環を有しない炭化水素基又
はハロゲン化炭化水素基をもつオキシムスルホネート化
合物を用いたものであって、このオキシムスルホネート
化合物は、（１）露光に使用する活性光、特に遠紫外線
に対する透明性が高く、レジストパターンの垂直性や焦
点深度幅特性の向上をもたらす、（２）発生する酸の強
度が強く、感度及び耐熱性が良好となる、（３）レジス
ト溶媒に対する溶解性に優れているので、レジスト調製
時に加熱する必要がない上、添加量を増やすことがで
き、感度を高めることができる、（４）レジストパター
ンが定在波の影響を受けにくく、パターンの波打ちを抑
制できる、などの効果を奏する。
して、シアノ基及び芳香族性環を有しない炭化水素基又
はハロゲン化炭化水素基をもつオキシムスルホネート化
合物を用いたものであって、このオキシムスルホネート
化合物は、（１）露光に使用する活性光、特に遠紫外線
に対する透明性が高く、レジストパターンの垂直性や焦
点深度幅特性の向上をもたらす、（２）発生する酸の強
度が強く、感度及び耐熱性が良好となる、（３）レジス
ト溶媒に対する溶解性に優れているので、レジスト調製
時に加熱する必要がない上、添加量を増やすことがで
き、感度を高めることができる、（４）レジストパター
ンが定在波の影響を受けにくく、パターンの波打ちを抑
制できる、などの効果を奏する。
【００３８】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００３９】参考例１
α‐ヒドロキシイミノ‐１‐シクロペンテニルアセトニ
トリルの製造 メタノール６４．５ｇ、キシレン３６５ｇ、水酸化ナト
リウム８０ｇ（２モル）及び１‐シクロペンテニルアセ
トニトリル１０７ｇ（１モル）を反応容器に入れ、混合
したのち、イソペンチルニトリト１２５ｇ（１．０７モ
ル）を４０℃で２時間かけて滴下した。この反応混合物
を４０℃にて２時間かきまぜたのち、さらに室温にて２
０時間かきまぜた。次に、反応混合物を水で希釈して乳
化液としたのち、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ１４に
調整し、次いで有機層を分離した。塩酸を用いて水層を
酸性にしてから、ジエチルエーテルを用いて生成物を抽
出した。このエーテル層を乾燥後、エーテルを留去し、
次いでトルエンから再結晶することにより、理論量の８
８．５％の収率でα‐ヒドロキシイミノ‐１‐シクロペ
ンテニルアセトニトリル１２０ｇを得た。
トリルの製造 メタノール６４．５ｇ、キシレン３６５ｇ、水酸化ナト
リウム８０ｇ（２モル）及び１‐シクロペンテニルアセ
トニトリル１０７ｇ（１モル）を反応容器に入れ、混合
したのち、イソペンチルニトリト１２５ｇ（１．０７モ
ル）を４０℃で２時間かけて滴下した。この反応混合物
を４０℃にて２時間かきまぜたのち、さらに室温にて２
０時間かきまぜた。次に、反応混合物を水で希釈して乳
化液としたのち、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ１４に
調整し、次いで有機層を分離した。塩酸を用いて水層を
酸性にしてから、ジエチルエーテルを用いて生成物を抽
出した。このエーテル層を乾燥後、エーテルを留去し、
次いでトルエンから再結晶することにより、理論量の８
８．５％の収率でα‐ヒドロキシイミノ‐１‐シクロペ
ンテニルアセトニトリル１２０ｇを得た。
【００４０】この生成物の赤外吸収スペクトルを測定し
た結果、１２９４ｃｍ-1、１３６３ｃｍ-1、１６１４ｃ
ｍ-1、２２４４ｃｍ-1、３３１７ｃｍ-1にピークが認め
られた。また、プロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−
ＮＭＲ）を測定した結果［溶媒：重メタノール（ＣＤ3
ＯＤ）］、２．０２ｐｐｍ、２．５０〜２．６０ｐｐ
ｍ、４．８９ｐｐｍ、６．３５ｐｐｍにピークが認めら
れた。
た結果、１２９４ｃｍ-1、１３６３ｃｍ-1、１６１４ｃ
ｍ-1、２２４４ｃｍ-1、３３１７ｃｍ-1にピークが認め
られた。また、プロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−
ＮＭＲ）を測定した結果［溶媒：重メタノール（ＣＤ3
ＯＤ）］、２．０２ｐｐｍ、２．５０〜２．６０ｐｐ
ｍ、４．８９ｐｐｍ、６．３５ｐｐｍにピークが認めら
れた。
【００４１】参考例２
α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペ
ンテニルアセトニトリルの製造 上記参考例１で得たα‐ヒドロキシイミノ‐１‐シクロ
ペンテニルアセトニトリル３９．４ｇ（０．２９モル）
及びテトラヒドロフラン４００ｍｌ中のトリエチルアミ
ン４４．０ｇ（０．４３モル）を反応容器に仕込んだの
ち、この溶液を−５℃に冷却した。次いで、メシルクロ
リド３６．５ｇ（０．３２モル）を２時間かけて滴下し
たのち、反応混合物を−５℃で３時間かきまぜ、さらに
約１０℃で２時間かきまぜた。次に、テトラヒドロフラ
ンを減圧下３０℃で留去したのち、得られた生成物６０
ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点９６℃
の白色結晶３５ｇ（理論量の５０．４％）を得た。
ンテニルアセトニトリルの製造 上記参考例１で得たα‐ヒドロキシイミノ‐１‐シクロ
ペンテニルアセトニトリル３９．４ｇ（０．２９モル）
及びテトラヒドロフラン４００ｍｌ中のトリエチルアミ
ン４４．０ｇ（０．４３モル）を反応容器に仕込んだの
ち、この溶液を−５℃に冷却した。次いで、メシルクロ
リド３６．５ｇ（０．３２モル）を２時間かけて滴下し
たのち、反応混合物を−５℃で３時間かきまぜ、さらに
約１０℃で２時間かきまぜた。次に、テトラヒドロフラ
ンを減圧下３０℃で留去したのち、得られた生成物６０
ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点９６℃
の白色結晶３５ｇ（理論量の５０．４％）を得た。
【００４２】この生成物の赤外吸収スペクトルを測定し
た結果、１１８９ｃｍ-1、１３７６ｃｍ-1、１６１０ｃ
ｍ-1、２２４２ｃｍ-1、２９４０ｃｍ-1にピークが認め
られた。また、1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果［溶媒：重
クロロホルム（ＣＤＣｌ3）］、２．１０ｐｐｍ、２．
６４〜２．７０ｐｐｍ、３．２６ｐｐｍ、６．９０ｐｐ
ｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクト
ルを測定した結果（溶媒：プロピレングリコールモノメ
チルエーテル）、λmax＝２１４．５ｎｍ、ε＝６０１
０、λmax＝２７８．５ｎｍ、ε＝１０６００であり、
ＫｒＦレーザー光の２４８ｎｍに対する高い透明性が認
められた。
た結果、１１８９ｃｍ-1、１３７６ｃｍ-1、１６１０ｃ
ｍ-1、２２４２ｃｍ-1、２９４０ｃｍ-1にピークが認め
られた。また、1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果［溶媒：重
クロロホルム（ＣＤＣｌ3）］、２．１０ｐｐｍ、２．
６４〜２．７０ｐｐｍ、３．２６ｐｐｍ、６．９０ｐｐ
ｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクト
ルを測定した結果（溶媒：プロピレングリコールモノメ
チルエーテル）、λmax＝２１４．５ｎｍ、ε＝６０１
０、λmax＝２７８．５ｎｍ、ε＝１０６００であり、
ＫｒＦレーザー光の２４８ｎｍに対する高い透明性が認
められた。
【００４３】実施例１
水酸基の３９モル％がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオ
キシ基で置換された重量平均分子量１０，０００のポリ
ヒドロキシスチレンと水酸基の３９モル％がエトキシエ
トキシ基で置換された重量平均分子量１０，０００のポ
リヒドロキシスチレンとの重量比３：７の混合物１００
重量部、参考例２で得たα‐（メチルスルホニルオキシ
イミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル３重量
部、トリエチルアミン０．１重量部、サリチル酸０．２
重量部及びＮ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド２重量部を、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５
００重量部に溶解したのち、このものを孔径０．２μｍ
のメンブランフィルターを用いてろ過し、ポジ型レジス
ト溶液を調製した。
キシ基で置換された重量平均分子量１０，０００のポリ
ヒドロキシスチレンと水酸基の３９モル％がエトキシエ
トキシ基で置換された重量平均分子量１０，０００のポ
リヒドロキシスチレンとの重量比３：７の混合物１００
重量部、参考例２で得たα‐（メチルスルホニルオキシ
イミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル３重量
部、トリエチルアミン０．１重量部、サリチル酸０．２
重量部及びＮ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド２重量部を、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５
００重量部に溶解したのち、このものを孔径０．２μｍ
のメンブランフィルターを用いてろ過し、ポジ型レジス
ト溶液を調製した。
【００４４】このレジスト溶液をスピンナーを用いてシ
リコンウエーハ上に塗布し、これをホットプレート上で
９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト膜
を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５Ｅ
Ｘ８Ａ（ニコン社製）を用いて、１ｍＪずつドーズ量を
加え露光したのち、１１０℃で９０秒間加熱し、次いで
２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で２３℃にて６５秒間現像処理し、さらに３０秒
間水洗後、乾燥した。この際、現像後の露光部の膜厚が
０となる最小露光時間を感度としてｍＪ（エネルギー
量）単位で測定したところ、４ｍＪであった。
リコンウエーハ上に塗布し、これをホットプレート上で
９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト膜
を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５Ｅ
Ｘ８Ａ（ニコン社製）を用いて、１ｍＪずつドーズ量を
加え露光したのち、１１０℃で９０秒間加熱し、次いで
２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で２３℃にて６５秒間現像処理し、さらに３０秒
間水洗後、乾燥した。この際、現像後の露光部の膜厚が
０となる最小露光時間を感度としてｍＪ（エネルギー
量）単位で測定したところ、４ｍＪであった。
【００４５】また、このようにして形成された０．２３
μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）写真により観察したところ、基板に対して垂
直な矩形で、かつ波打ちのないレジストパターンであっ
た。さらに、０．３μｍのコンタクトホールの焦点深度
幅は１．６μｍであった。また、耐熱性として１００μ
ｍのレジストパターンの角が崩れる温度を調べたとこ
ろ、１３０℃でも崩れなかった。
μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）写真により観察したところ、基板に対して垂
直な矩形で、かつ波打ちのないレジストパターンであっ
た。さらに、０．３μｍのコンタクトホールの焦点深度
幅は１．６μｍであった。また、耐熱性として１００μ
ｍのレジストパターンの角が崩れる温度を調べたとこ
ろ、１３０℃でも崩れなかった。
【００４６】比較例１
実施例１において、酸発生剤としてα‐（メチルスルホ
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リルの代わりに、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシ
イミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリルを用い
た以外は、実施例１と同様の操作を繰り返した。その結
果、感度は６ｍＪであり、また形成された０．２３μｍ
のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ写真により観察
したところ、定在波の影響が現われ、波打ったテーパー
形状のレジストパターンであった。０．３μｍのコンタ
クトホールの焦点深度幅は１．２μｍであり、耐熱性に
ついては実施例１と同様であった。
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リルの代わりに、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシ
イミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリルを用い
た以外は、実施例１と同様の操作を繰り返した。その結
果、感度は６ｍＪであり、また形成された０．２３μｍ
のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ写真により観察
したところ、定在波の影響が現われ、波打ったテーパー
形状のレジストパターンであった。０．３μｍのコンタ
クトホールの焦点深度幅は１．２μｍであり、耐熱性に
ついては実施例１と同様であった。
【００４７】比較例２
実施例１において、酸発生剤としてα‐（メチルスルホ
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リルの代わりに、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジ
アゾメタンを用いた以外は、実施例１と同様の操作を繰
り返した。その結果、感度は３０ｍＪであり、また形成
された０．２３μｍのレジストパターンの断面形状をＳ
ＥＭ写真により観察したところ、基板に対して垂直な矩
形で、かつ波打ちのないレジストパターンであった。
０．３μｍのコンタクトホールの焦点深度幅は１．６μ
ｍであり、また、耐熱性については１２５℃でレジスト
パターンの角が崩れていた。
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リルの代わりに、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジ
アゾメタンを用いた以外は、実施例１と同様の操作を繰
り返した。その結果、感度は３０ｍＪであり、また形成
された０．２３μｍのレジストパターンの断面形状をＳ
ＥＭ写真により観察したところ、基板に対して垂直な矩
形で、かつ波打ちのないレジストパターンであった。
０．３μｍのコンタクトホールの焦点深度幅は１．６μ
ｍであり、また、耐熱性については１２５℃でレジスト
パターンの角が崩れていた。
【００４８】実施例２
重量平均分子量２５００のヒドロキシスチレンとスチレ
ンとの共重合体１００重量部、尿素樹脂であるＭｘ−２
９０（三和ケミカル社製）１０重量部及びメラミン樹脂
であるＭｘ−７５０（三和ケミカル社製）０．３重量部
をプロピレングリコールモノメチルエーテル６５０重量
部に溶解し、これに参考例２で得たα‐（メチルスルホ
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リル８．９重量部を溶解してネガ型レジスト溶液を調製
した。
ンとの共重合体１００重量部、尿素樹脂であるＭｘ−２
９０（三和ケミカル社製）１０重量部及びメラミン樹脂
であるＭｘ−７５０（三和ケミカル社製）０．３重量部
をプロピレングリコールモノメチルエーテル６５０重量
部に溶解し、これに参考例２で得たα‐（メチルスルホ
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リル８．９重量部を溶解してネガ型レジスト溶液を調製
した。
【００４９】次に、このレジスト溶液をスピンナーを用
いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で
１００℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚０．７
μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小投影露光装
置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）により、エ
キシマレーザー光を選択的に照射したのち、１３０℃で
９０秒間加熱し、その後２．３８重量％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像処理し、
３０秒間水洗後乾燥した。この際、現像後の露光部が像
形成され始める最小露光時間を感度としてｍＪ（エネル
ギー量）単位で測定したところ、１ｍＪであった。
いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で
１００℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚０．７
μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小投影露光装
置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）により、エ
キシマレーザー光を選択的に照射したのち、１３０℃で
９０秒間加熱し、その後２．３８重量％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像処理し、
３０秒間水洗後乾燥した。この際、現像後の露光部が像
形成され始める最小露光時間を感度としてｍＪ（エネル
ギー量）単位で測定したところ、１ｍＪであった。
【００５０】比較例３
実施例２において、酸発生剤としてα‐（メチルスルホ
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リルの代わりに、トリス（２，３‐ジブロモプロピル）
イソシアヌレートを用いた以外は、実施例２と同様の操
作を繰り返した。その結果、感度は２０ｍＪであった。
ニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニト
リルの代わりに、トリス（２，３‐ジブロモプロピル）
イソシアヌレートを用いた以外は、実施例２と同様の操
作を繰り返した。その結果、感度は２０ｍＪであった。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 橋口 達也
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
東京応化工業株式会社内
(72)発明者 駒野 博司
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
東京応化工業株式会社内
(72)発明者 中山 寿昌
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
東京応化工業株式会社内
(56)参考文献 特開 平４−134347（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−161444（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−154266（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−295222（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−67433（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−67413（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−43631（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−241342（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−124848（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−65072（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (10)
- 【請求項１】 （Ａ）酸によりアルカリに対する溶解性
が変化する被膜形成用樹脂成分及び（Ｂ）一般式 【化１】 （式中のＲ1及びＲ2はそれぞれ芳香族性環を有しない炭
化水素基又はハロゲン化炭化水素基である）で表わされ
るオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有
することを特徴とするホトレジスト組成物。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分の一般式中のＲ 1 がアルキル
基、シクロアルキル基又はシクロアルケニル基である請
求項１記載のホトレジスト組成物。 - 【請求項３】 アルキル基、シクロアルキル基又はシク
ロアルケニル基が炭素数１〜４の低級アルキル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、１‐シクロペンテニ
ル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル
基又は１‐シクロオクテニル基である請求項２記載のホ
トレジスト組成物。 - 【請求項４】 （Ｂ）成分の一般式中のＲ 2 がアルキル
基、ハロゲノアルキル基又はシクロアルキル基である請
求項１、２又は３記載のホトレジスト組成物。 - 【請求項５】 アルキル基、ハロゲノアルキル基又はシ
クロアルキル基が炭素数１〜４のアルキル基、トリクロ
ロメチル基、トリフルオロメチル基又はシクロヘキシル
基である請求項４記載のホトレジスト組成物。 - 【請求項６】 （Ｂ）成分の一般式中のＲ 1 がシクロア
ルケニル基であり、Ｒ 2 がアルキル基である請求項１な
いし５のいずれかに記載のホトレジスト組成物。 - 【請求項７】 （Ａ）成分１００重量部当り（Ｂ）成分
０．１〜３０重量部を含有する請求項１ないし６のいず
れかに記載のホトレジスト組成物。 - 【請求項８】 （Ａ）成分が酸解離性置換基で保護され
た水酸基をもつアルカリ可溶性樹脂である請求項１ない
し７のいずれかに記載のホトレジスト組成物。 - 【請求項９】 （Ａ）成分がアルカリ可溶性樹脂と酸架
橋性物質とから成る請求項１ないし８のいずれかに記載
のホトレジスト組成物。 - 【請求項１０】 アルカリ可溶性樹脂と酸架橋性物質と
の割合が重量比で１００：３ないし１００：７０である
請求項９記載のホトレジスト組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25421595A JP3456808B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | ホトレジスト組成物 |
| EP96306821A EP0768572B1 (en) | 1995-09-29 | 1996-09-19 | Photoresist composition |
| DE69605381T DE69605381T2 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-19 | Fotoresistzusammensetzung |
| US08/717,779 US5800964A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-24 | Photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25421595A JP3456808B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0996900A JPH0996900A (ja) | 1997-04-08 |
| JP3456808B2 true JP3456808B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=17261867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25421595A Expired - Fee Related JP3456808B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | ホトレジスト組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5800964A (ja) |
| EP (1) | EP0768572B1 (ja) |
| JP (1) | JP3456808B2 (ja) |
| DE (1) | DE69605381T2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3587413B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2004-11-10 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
| JP3665166B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2005-06-29 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
| BR9713311A (pt) * | 1996-09-02 | 2000-02-01 | Ciba Sc Holding Ag | Alquisulfoniloximas para fotorresists i-linha de alta resolução de alta sensibilidade |
| JP3053072B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2000-06-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法 |
| TW575792B (en) * | 1998-08-19 | 2004-02-11 | Ciba Sc Holding Ag | New unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| US6323287B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-11-27 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography |
| SG78412A1 (en) | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Ciba Sc Holding Ag | Oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| NL1014545C2 (nl) | 1999-03-31 | 2002-02-26 | Ciba Sc Holding Ag | Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren. |
| US6576394B1 (en) | 2000-06-16 | 2003-06-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Negative-acting chemically amplified photoresist composition |
| US6482567B1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-11-19 | Shipley Company, L.L.C. | Oxime sulfonate and N-oxyimidosulfonate photoacid generators and photoresists comprising same |
| JP4694686B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-06-08 | 東京応化工業株式会社 | 半導体素子製造方法 |
| US6824954B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-11-30 | Jsr Corporation | Sulfonyloxime compound, and radiation sensitive acid generator, positive type radiation sensitive resin composition and negative type radiation sensitive resin composition using same |
| EP1472576B1 (en) | 2002-02-06 | 2013-04-24 | Basf Se | Sulfonate derivatives and the use therof as latent acids |
| US6916591B2 (en) | 2002-03-22 | 2005-07-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process |
| JP4040392B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| KR20070012456A (ko) | 2004-04-07 | 2007-01-25 | 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. | 피복 조성물의 발색방법 |
| JP4566619B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-10-20 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| CN101506734B (zh) * | 2006-08-24 | 2012-04-11 | 西巴控股有限公司 | Uv量指示剂 |
| WO2011104127A1 (en) | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Basf Se | Latent acids and their use |
| CN107207456B (zh) | 2015-02-02 | 2021-05-04 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
| JP6667204B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2020-03-18 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂層の形成方法、ホトレジストパターンの製造方法、及びメッキ造形物の形成方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3166592D1 (en) * | 1980-07-14 | 1984-11-15 | Akzo Nv | Thermosetting coating composition containing a blocked acid catalyst |
| US4540598A (en) * | 1983-08-17 | 1985-09-10 | Ciba-Geigy Corporation | Process for curing acid-curable finishes |
| EP0199672B1 (de) * | 1985-04-12 | 1988-06-01 | Ciba-Geigy Ag | Oximsulfonate mit reaktiven Gruppen |
| GB8608528D0 (en) * | 1986-04-08 | 1986-05-14 | Ciba Geigy Ag | Production of positive images |
| KR900005226A (ko) * | 1988-09-29 | 1990-04-13 | 윌리엄 비이 해리스 | 감광성 조성물 및 양화 상과 음화 상의 생성방법 |
| US5019488A (en) * | 1988-09-29 | 1991-05-28 | Hoechst Celanese Corporation | Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide |
| US5216135A (en) * | 1990-01-30 | 1993-06-01 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Diazodisulfones |
| JP3000745B2 (ja) * | 1991-09-19 | 2000-01-17 | 富士通株式会社 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
| EP0571330B1 (de) * | 1992-05-22 | 1999-04-07 | Ciba SC Holding AG | Hochauflösender I-Linien Photoresist mit höherer Empfindlichkeit |
| JPH07191463A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | レジストおよびこれを使った半導体装置の製造方法 |
| JP3317576B2 (ja) * | 1994-05-12 | 2002-08-26 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25421595A patent/JP3456808B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-19 DE DE69605381T patent/DE69605381T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-19 EP EP96306821A patent/EP0768572B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-24 US US08/717,779 patent/US5800964A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0996900A (ja) | 1997-04-08 |
| EP0768572B1 (en) | 1999-12-01 |
| DE69605381D1 (de) | 2000-01-05 |
| EP0768572A1 (en) | 1997-04-16 |
| DE69605381T2 (de) | 2000-04-06 |
| US5800964A (en) | 1998-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3456808B2 (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| JP3830183B2 (ja) | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 | |
| JP3587413B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 | |
| JP3486850B2 (ja) | 高感度の高解像度ｉ−線ホトレジスト | |
| JP3665166B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 | |
| JPH10221852A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP2002244300A (ja) | リソグラフィフォトレジスト組成物およびそれを用いた像形成方法 | |
| JP2000517067A (ja) | 高感度の高解像度ｉ線ホトレジスト用のアルキルスルホニルオキシム類 | |
| JP4080916B2 (ja) | 化学増幅レジスト用コポリマー | |
| JP2001055361A (ja) | フェニレンジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| JP3591743B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
| JP3748565B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
| JP2875239B2 (ja) | アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2003034705A (ja) | フッ素含有フェニルマレイミド誘導体、重合体、化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH10115925A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| JP6820562B2 (ja) | 環状化合物、その製造方法、該環状化合物を含むフォトレジスト組成物及びその製造方法、並びに該組成物を用いたレジストパターン形成方法 | |
| JP3748566B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 | |
| JPH0815863A (ja) | レジスト組成物 | |
| JP4623260B2 (ja) | レジスト化合物および組成物 | |
| JP2004231971A (ja) | 新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100801 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100801 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140801 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |