TW423068B - Washer and washing method - Google Patents
Washer and washing method Download PDFInfo
- Publication number
- TW423068B TW423068B TW084105957A TW84105957A TW423068B TW 423068 B TW423068 B TW 423068B TW 084105957 A TW084105957 A TW 084105957A TW 84105957 A TW84105957 A TW 84105957A TW 423068 B TW423068 B TW 423068B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pipeline
- liquid
- pipe
- nozzle
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000005406 washing Methods 0.000 title description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 107
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 73
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 44
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 15
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 15
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYELSNVLZVIGTI-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-5-ethylpyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1CC)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 FYELSNVLZVIGTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002566 Capsicum Nutrition 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 241000167880 Hirundinidae Species 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 239000006002 Pepper Substances 0.000 description 1
- 240000007643 Phytolacca americana Species 0.000 description 1
- 235000016761 Piper aduncum Nutrition 0.000 description 1
- 235000017804 Piper guineense Nutrition 0.000 description 1
- 244000203593 Piper nigrum Species 0.000 description 1
- 235000008184 Piper nigrum Nutrition 0.000 description 1
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 241000051616 Ulmus minor Species 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009933 burial Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002920 convulsive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000012213 gelatinous substance Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 210000002435 tendon Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/20—Mixing gases with liquids
- B01F23/21—Mixing gases with liquids by introducing liquids into gaseous media
- B01F23/213—Mixing gases with liquids by introducing liquids into gaseous media by spraying or atomising of the liquids
- B01F23/2132—Mixing gases with liquids by introducing liquids into gaseous media by spraying or atomising of the liquids using nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/30—Injector mixers
- B01F25/31—Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows
- B01F25/313—Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows wherein additional components are introduced in the centre of the conduit
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/007—Cleaning of grinding wheels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Nozzles (AREA)
Description
ο 142306 Α7 Β7 Μ濟部中央標準局MJ-消f合作社印裴 五、發明説明( 1 ) 1 i 1 [產業h之利用领域] 1 1 | 本 發 明 般 係 關 於 一 Μ 洗 淨 裝 置 更 特 定 的 μ m 於- 一植 ,—、 除 去 附 著 於 基 板 上 的 污 染 物 之 洗 淨 裝 置 〇 本 發 明更 除關於 讀 1 閱 .一 極 除 去 附 著 於 基 板 上 的 染 物 之 洗 淨 方 法 讀 背 | 面 I [習知技術] 冬 1 1 丄 在 晶 Μ 上 kk C V D ( fb 學 m 氣 沈 )法或濺射沾肜成 膜 1 意 事 ! 粒 子 狀 的 污 染 物 附 著 就 附 著 於 其 表 面 0 此 外 ♦ 有時 Κ蝕劑 填 寫 本 裝 的 渣 會 附 普 於 晶 Η 的 表 面 1^1 作 除 去 這 V3 染物的方法 頁 1 I * 提 出 了 1® m 噴 射 水 洗 淨 大 立 Η m 流 水 洗 淨 及 冰洗滌式洗 1 1 1 f-r '今 Μ 1 5 為 Μ 稱 為 A m 射 水 洗 淨 之 知 洗 淨 认的 鸿置概 1 1 訂 1 [ 念 ϋ U - 該 裝 置 具 備 液 加 m 器 3 噴出嗔嘴4 及 支 持 品 Η 1並 使 此 1 1 J JJ MM Ji 旋 轉 的 物 台 2 >在此洗淨方法方面 首先從唄 出 嗔 1 1 嘴 4向晶Η 1 丧 面 連 m 地 高 速 嗔 出 為 液 加 壓 器 3所壓縮 的 m — 1 線 水 等 m 體 0 藉 由 所 高 速 喂 出 的 m 體 碰 到 即 Η 1衷面, Κ 除 I }χ 附 箸 於 Β m Η 1衷面的污染物粒子 進行洗淨。 賴由 使 載 [ 物 fJ 2旋轉ifu使品片1 旋 轉 > 並 U 由 使 噴 出 嗔 嘴 4移動 而 洗 1 1 i'jf ίί 1的衣ϋιί金面、 1 1 按 m /\·<> 此 方 m i 參 照 圆 } ΰ t 從 唢 出 唢 嘴 4高乜 Μ墙出的 m 體 1 1 1)1; 柱 20 ifil 碰 到 Η sm y\ 1的丧[hi 1 1 「發明欲解決之課題] \ 1 j 此 方 法 之 問 題 點 如 "[V 〇 即 * W 下 問 題 點 山於大1純 1 1 水 等 液 體 Μ 高 速 碰 到 晶 Η 1的表丽 所以在湿 j y ]的表面會 1 ! 本紙张尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X' 297公釐) M423U 〇 0 at B7 經濟部中央標芈局貞工消费合作社印製 五、發明説明( 2 ) 1 1 發 生 靜 tl 進 而 會 給 與 形 成 於 晶 ίΊ 1表面的元件損壞 '^ ^------ 。作 1 1 I 為 此 Μ m 的 減 低 對 策 t 雖 然 也 a 以下 方 法 使二 氧化碳氣 1 體 等 混 人 纯 水 中 以 降 低 純 水 的 電阻 率 > 進 而使 發生於晶 請 先 1 聞 Η 1丧面的靜電減低 但不完全 3此外 ,利用此方法 的另 ή 背 | 面 I 1 問 題 點 是 不 能 充 分 除 去 1 ί t 1Ϊ1 Μ下 的 微 小 異物 (粒 子)。 1 I 1 m 1 7 為 顯 示 稱 為 大 音 波 流 水 洗 淨之 習 知 冼 淨方 法的模式 事 ί? I m 0 洗 淨 裝 置 具 備 使 晶 Η 1旋轉的載物臼2及 將1 . 5MH ζ程度 k 的 尚 頻 施 加 於 純 水 等 液 體 而 放 出 此液 體 的 嗔 嘴Γ) )在 此洗 寫 本 頁 裝 ί 淨 方 法 方 面 Μ 由 利 用 唢 嘴 5垂直方向地使純水高頻 振動 1 [ 1 使 此 純 水 向 晶 片 1放出 以進行晶Η 1 的 洗 淨u 此方法之 1 1 問 題 點 如 下 〇 1 訂 W 和 高 Μ 嗔 射 水 洗 淨 同 樣 係不 能 分 1 u 1M F 1 j 的 微 小 異 物 (粒子) 之 點 ύ 此 外 藉由 加 快 m 物“ 2的 旋轉 1 1 » 洗 淨 效 果 少 許 提 高 〇 狀 而 這 種情 況 在 品Μ 1周 邊部 1 1 雖 然 洗 淨 效 果 大 但 在 Π m Η 1' 1央部則洗淨效罐小。 因此 ·-_^ 1 線 * 有 在 晶 Η 1面内發生洗淨不均勻的問題點。再者 I 有 破 m 形 成 於 晶 片 1表面之元阵姻微圃案的問題點。 在元 1 I it- 破 壊 和 洗 淨 效 果 之 間 看 出 相 關關 係 (; 此 洗淨 方法作為 1 1 控 制 元 件 破 至 洗 淨 效 采 的 參 數 ,有 施 加 的 高頻 頻率及輸 1 1 出 m 物 台 2轉數 嗔嘴5和 晶 Η 1的距離 然而 由 於這 1 I 參 數 的 控 制 範 圍 狹 窄 所 以 控 制這 些 參 數 困難 Ο 1 | Μ 1 8為 實 Μ 稱 為 冰 洗 m 式 洗 淨 之習 知 洗 淨 方法 的裝置模 1 1 Λ m 0 該 洗 淨 裝 置 具 悔 生 成 冰 粒 子的 製 冰 漏 斗6 ( 將 為被 1 1 凍 結 液 的 純 水 供 給 製 冰 m 斗 β内的供給嗔耪器7設 於製冰漏 1 1 本紙張尺度遙州中固囷家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Μ4 23 ϋ 〇 a? Β7 經濟部中央標準局Μ Η消費合作社印製 五、發明説明(3 ) ί 1 I 斗 β上t 使冰粒子向晶片1噴 出 的 喷 出 嗅 嘴 8設於製冰漏斗6 1 1 1 的 底 部 〇 K- 次 > 就 動 作 加 Μ 說 明 0 將 液 氮 等 液 化 氣 m 供 給 製 冰 漏 請 先 ! 閣 .| 斗 6内 將純水等被凍結液利用供給唢锈器7微 喷 霧 到 製 冰 讀 j 面 I 4 6内 >使在製冰漏斗6内 生 成 之 幾 U III到幾 i n 的 冰 粒 之 注 1 I 意 J I 子 從 排 氣 方 式 的 啧 出 噴 嘴 8向晶Η 1嗔 出 就 可 進 行 晶 片 1 事 f I 1 表 面 的 洗 淨 0 此 洗 淨 方 法 與 上 述 高 m 噴 射 水 冼 淨 或 大 汲 填 定 冰 寫 裝 说 水 洗 淨 相 LL 洗 淨 效 高 丨) 然 而 山 於 ik 洗 淨 力 的 頁 1 粒 f 噴 出 速 度 使 用 排 氣 方 式 的 嗔 出 嗔 嘴 8 所以不能超過 1 1 ;ϊ£, Ρ 述 洗 淨 力 有 界 限 〇 此 外 為 形 成 冰 粒 子 而 用 大 虽 的 1 1 液 氮 所 W 有 >λ 下 問 題 點 液 氮 的 供 給 設 m 初 期 投 賣 極 高 1 訂 1 I t 而 且 運 轉 費 亦 高 0 此 外 上 述 元 件 破 壞 的 問 題 可 為 控 制 冰 粒 子 的 噴 出 速 度 1 1 所 抑 制 〇 然 而 考 慮 裝 置 上 的 問 題 琨 狀 冰 粒 子 的 噴 出 速 1 1 度 只 能 控 制 在 100" -330 ΙΪ1 / s e C的範圍内 控制幅度狭笮 1 線 因 此 而 有 不 能 完 全 抑 制 元 件 破 壞 的 問 題 點 〇 1 此 外 這 種 洗 淨 的 問 題 點 不 1M 半 導 體 晶 而 且 除 去 \ 1 1 附 著 於 液 晶 基 板 、 光 罩 等 基 板 上 的 污 染 物 時 ώ * 發 生 0 1 1 因 ifij 本 發 明 之 目 的 在 於 提 供 — 種 除 去 附 著 於 板 表 面 1 上 的 染 物 之 洗 淨 裝 置 〇 1 1 本 發 明 之 其 他 的 在 於 提 供 一 種 改 良 成 可 除 去 附 著 於 基 1 | 板 上 之 1 ju in Μ 下 的 微 小 異 物 之 洗 淨 裝 置 0 1 1 I 本 發 明 之 另 外 其 他 的 在 於 提 供 — 棰 運 轉 費 低 廉 之 洗 淨 1 裝 置 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標芈(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧ 297公釐) 6 M^2306 , λ7 〇 B7 Μ濟部中央標準局爲工消费合作社印製 五、發明説明( 4 ) 1 1 1 本 Μ 明 之 另 外 其 他 百 的 在 於 提 供 種 改 良 成 不 給 與 基 板 1 | m 很 ίΜ 而 可 除 去 附 著 於 基 板 上 的 污 染 物 粒 Ύ- > 洗 淨 裝 置。 /V 本 發 明 之 另 外 其 他 S 的 在 於 提 供 —* 種 除 去 附 蕃 於 基 板 上 請 1 1 閏 的 污 染 物 粒 子 之 洗 淨 方 法 〇 讀 背 I 面 I 本 發 明 之 另 外 其 他 0 的 在 於 提 供 一 植 改 良 成 不 給 與 基 板 之 注 1 I 意 1 I ISI m 傷 而 可 除 去 附 著 於 基 板 上 的 污 染 物 粒 子 之 洗 淨 方 法0 事 項 I ί解決課題之手段] k 著 寫 裝 按 昭 本 發 明 第 --- 局 面 之 洗 淨 裝 置 係 關 於 除 人: 附 於 基 頁 1 板 表 面 上 的 污 染 物 之 裝 置 〇 該 冼 淨 裝 置 具 備 使 滴 向 上 述 1 1 板 嗔 出 的 嗔 出 嗔 嘴 〇 液 體 供 給 該 噴 出 嗔 嘴 内 的 液 體 供 1 1 給 機 構 連 接 上 述 噴 出 嗔 嘴 υ Μ 氣 體 ί共 給 該 哨 出 m 嘴 内 的 氣 1 訂 1 I 體 供 給 機 構 m 接 上 述 噴 出 唢 .嘴 0 混 合 供 給 Μ 嗔 出 嗅 嘴 内 的 h 述 液 體 和 t 述 氣 體 .、 將 h 述 液 體 變 成 液 滴 的 合 機 構 設 1 1 於 上 述 嘴 出 唢 嘴 内 〇 1 ! 按 m Λ、、 本 發 11 局 面 之 洗 淨 裝 1 係 關 於 除 h 附 習 於 ϊί "v_.. 線 板 表 面 的 污 染 物 之 洗 淨 裝 置 0 該 洗 淨 裝 置 貝 使 藥 液 向 上 I 述 Μ 板 供 給 的 m 液 供 給 喷 嘴 及 使 純 水 的 液 滴 向 [: 述 基 板 嗔 1 I 出 的 唢 出 噴 嘴 〇 將 純 水 供 給 該 喷 出 喷 嘴 内 的 純 水 ^供 給 機 構 1 .丨 迪 接 上 述 嗅 出 嗔 嘴 將 Μ 體 供 該 嗔 出 唢 嘴 内 的 氣 體 供 給 1 1 機 構 連 接 上 述 噴 出 嗔 嘴 〇 混 合 供 給 該 唢 出 嗔 嘴 内 的 上 述 純 I 1 水 和 上 述 Μ 體 .、 將 上 述 純 水 m 成 液 滴 的 m 合 储 櫧 設 於 上 述 1 I 喷 出 喷 嘴 内 〇 1 1 I 按 Wii 本 發 IUJ 第 三 局 [f 之 洗 淨 1 ί系 關 於 除 h 附 著 於 Μ 1 1 板 表 面 的 污 染 物 之 洗 淨 裝 置 〇 該 洗 淨 裝 置 具 液 滴 向 上 ί 1 本紙掁尺度適用中國國家摞隼(CNS > A4規格(2I0X297公釐) 423068 ' A7 B7 經濟部中央裙準局Μ工消費合作社印敦 五、發明説明( 5 ) 1 1 1 Μ 板 噴 出 的 嗔 出 啃 嘴 0 將 純 水 供 Ua 嗔 出 m 嘴 内 之 具 有 1 1 1 第 m 閉 閥 的 純 水 供 給 储 構 連 接 上 述 喷 出 嗔 嘴 〇 將 m 液 供 給 噴 出 噴 嘴 内 之 具 有 第 二 開 閉 閥 的 m 液 供 給 储 構 連 接 上 述 請 1 閲 嗔 出 唢 嘴 〇 將 氣 體 供 給 該 嗅 出 嗔 嘴 内 的 氣 體 供 給 機 構 連 接 讀 背 I ιέ I 上 述 喷 出 噴 嘴 0 温 合 上 述 純 水 或 上 述 疲 體 和 J; 述 氣 體 、 冬 1 I 意 1 成 上 述 純 水 的 液 滴 或 上 述 液 體 的 液 滴 之 混 合 機 構 設 於 上 述 事 ( 1 1 唢 出 _ 嘴 内 0 -» 4 裝 本 按 照 本 發 明 第 四 局 面 之 洗 淨 方 法 y 係 m 於 除 I; 附 著 於 基 頁 ν«_, 1 I 板 面 的 染 物 之 方 法 使 喷 出 噴 嘴 之 喷 出 Π m 向 基 板 0 1 1 將 液 體 供 給 上 述 嗔 出 嗔 嘴 内 將 氣 體 供 給 上 述 出 嗔 嘴 内 1 1 〇 {£ 上 述 m 出 m 嘴 内 U 合 上 述 液 體 和 上 述 氣 體 從 上 述 唢 1 訂 出 η 喷 出 所 得 到 的 液 滴 0 - 1 I 在 按 m 本 發 明 第 五 局 面 之 洗 淨 方 法 方 面 酋 % 洗 淨 液 1 1 洗 淨 Μ 板 表 面 〇 將 純 水 的 液 滴 噴 出 到 上 述 Μ 板 面 0 [ 1 在 按 眧 V、、、 本 發 明 第 局 面 之 冼 淨 方 法 方 面 將 洗 淨 液 的 液 1 線 滴 喷 出 到 基 板 上 〇 I It 按 照 本 明 第 七 局 面 之 洗 淨 方 法 方 面 a- % 將 冼 淨 m I 的 液 滴 噴 出 到 基 板 上 〇 將 純 水 的 液 滴 嗅 出 到 上 述 基 板 上 0 1 1 ί 作 J 1 1 \k 據 按 照 本 發 明 第 —* 局 面 之 洗 淨 裝 置 ώ 於 ;Λ.ί 合 供 給 該 f 1 唢 出 噴 嘴 内 的 m 體 和 氣 體 y 將 m 體 khz· 成 液 滴 的 U 合 樾 構 設 1 I 於 m ;!1 m 嘴 内 所 Μ 容 肜 成 m 滴 1 I 按 昭 八、、 本 發 明 第 二 局 而 之 洗 淨 裝 置 I ill 於 A 佣 使 絲 液 1 1 1 向 ϋ 板 供 給 的 Μ 液 供 給 喷 嘴 » 所 以 可 將 Μ 液 給 :ϋ 板 丧 面。 1 1 本紙張尺度適用令國國家榡準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) d23〇 6 b Α7 B7 經濟部中央標準局Μ工消費合作社印製 五、發明説明( 6 ) 1 1 \1< 按 照 本 明 第 二 Μ iiU 之 洗 淨 置 山 於 W 第 一 閲 1 1 | 閉 閥 的 純 水 供 給 機 構 和 具 有 第 — 開 m 閥 的 m 供 給 機 構 設 ^V i 1 於 嗔 出 m 嘴 所 K Η 由 切 換 閥 可 分 別 選 擇 地 肜 成 m 液 的 請 先 ! 閏 液 滴 和 純 水 的 液 滴 〇 讀 背 1 ft 1 砍 據 按 眧 本 發 明 第 四 局 面 之 洗 淨 方 法 t 可 利 it) 液 滴 除 去 1 I 意 1 1 板 上 的 污 染 物 〇 事 % 1 \k 據 按 昭 ί»·、\ 本 發 明 第 五 局 ffi) 之 洗 淨 方 法 山 於 % K 洗 淨 液 填 1 鬆 間 結 合 寫 裝 洗 淨 魅 板 表 面 所 Μ 可 放 基 板 和 污 染 物 之 的 〇 頁 、_/ 1 砍 據 按 照 本 發 明 第 局 面 之 冼 淨 方 法 由 於 將 洗 淨 液 形 1 1 成 液 滴 的 形 式 噴 出 到 m 板 上 所 以 可 有 效 除 去 基 板 上 的 1 1 污 染 物 0 1 訂 砍 據 按 照 本 發 明 第 七 局面之洗淨 方 法 由 於 將 洗 淨 液 的 1 I m 滴 喷 出 到 m 板 上 後 將 纯 水 的 液 滴 噴 出 到 瑤 仮 上 所 Μ 1 1 I Η 效 除 去 基 板 上 的 污 染 物 〇 1 1 [筲施例] 1 線 Μ 下 按 m it 說 明 本 發 明 之 實 施 例 ύ | 筲 埤 例 1 1 ' I ϋ 1為關於W施例1 之 例 如 Η Η 洗 淨 裝 置 的 概 圆 〇 該 裝 1 1 1 % 除 去 附 著 於 半 導 體 m Η 1衷Hi上的污染物· 該装置具 1 備 使 m 滴 向 半 m 體 晶 Η 1噴出的唢出唢嘴】 1 將液體供給 1 1 嗔 ;ιι 唢 嘴 11 内 的 液 體 供 給 撾 Ιίί 23連 接 m 出 m m 11 〇 此 外 1 1 » 小V ,1寸 氣 體 供 給 唢 出 嗔 喁 1 1内 的 氣 m 供 绐 储 椹 22 m 接 喷 出 喷 [ 1 | 嘴 11 - 1 1 圖 2為喷出唢嘴1 1的截面圖t 喷出噴嘴具槲ft體通過其 1 ] 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 經濟部中央標率局員工消費合作社印^ 2 3 〇 6 〇 B7五、發明説明(7 ) 中的第一管路3 0。咱出噴嘴U遝具備第二管路3 1,該第二 管3 1係從第一管路3 0外副貨通第一管路3 0側壁 > 其Μ端部 延仲到第一管路3 0内,液體通過其中。第二管路:Π前端部 向和第一管路30延伸的方向相同方向延伸。 回到圖1 ·加壓丨曹或調節器等設於液體供;^機構2 3上(圖 -未示),對唱山唢嘴1 1的液體供給ίΜ力及供給1為該等構 fl_-所控制。液體供給壓力耑奸控制在1〜1 〇 U / u m 2的範圍。 圖3為顯示液體供給壓力和污染物除去率之關係的圖。 #照_ 3,將液體供給壓力控制在2〜4 k s / c ^的範圍内, 就不會給與半導體晶丨ί衣[M拟增,而叫除忐Η染物。將液 體供給壓力控制在4〜8 k g / c it 2的範圍,除去率就提高。 設液體供給壓力為8 k g / c m 2 - •除去率則大致達到1 0 0 ΙΪ *即 使再加大供給壓力,除去率岜不變化u 在氣體供給槠構2 2方面•雖然fc未1M示,ίΜ設置了調酿 器等,控制氣體供給壓力和铽體供給Μ、氣體供绐壓力Μ 好控制在1〜丨0 k g / c m 2的範圍。 參照圖2,在喷出噴嘴U内混合氣體和液體,液體變化 成粒狀的液滴2 1,和氣流共同從第一管路3 0前端噴出。在 第二管路3 1前端生成的液滴2關中在a - b間為流經第一 管路3 0内的氣流所加速,從第一管路3 0前端喷出。從第二 管路3 1前端U )到第一管路3 0前端(b )的距離X需耍7 0 m m以 上,較佳胬要1 0 0 m in K」:。距離X米滿7 0 jjifli U# ,妝滴2 ]的嗔 出速度變慢,洗淨效果降低。 液淌2 1的唢出速度為液體供給壓力(供給Μ )和氣體供給 -1 0 - A7 ;--------^----裝------訂------線 (請先聞讀背而之注意事沐.乂填寫本頁) λ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210'X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社裝 鼴Λ 2 3 0 S d a? B7五、發明説明(8 ) 魃力(供給量)、a - b間的距離X及第一管路3 0内徑所决定。 通常,a - b間的距離X和第一管路3 0内徑固定,而且液體供 給S設定在氣體供給量的1 / 1 〇 〇程度。因此,液滴2 1叫噴 出速度主要為氣體供給壓力(及供給1)所控制|具體而言 ,液滴2 1的噴出速度可控制在1 ra / s e c〜音逑(3 3 0 in / s e c )的 範圃内。 _ 4為顯示液滴2 1噴出速度和丨ά染物除去率之猢係的圖 。將液滴噴出速度控制在1 〇 fli / S e C〜1 0 0 m / s e C的範圃,半 導體晶片表面的損壞就《低。另一方Ιίΐί ,設液滴2 1的嗔出 迚度為1 0 0 / s c Μ上1丨6染物的除公宰就增大01 液滴2 1的粒徑為液體供給壓力(供給Μ )和铽骷供姶魃力_ (供給1 )、第…管路3 0内徑及第:管路;Π内授所決定。通 常,第二管路3 1内徑和Μ —管路3 0内徑固定,所以液滴2 1 的粒徑為液體及氣體的供給壓力(供給II )所控制。減少液 體供給緣*加多氣體供給Μ ,液滴2 1的粒涇就變小。另一 方® >加多液體、減少氣體供給,液滴2 1的粒掙就變大。 Μ體而言,液滴2 1的粒徑可控制在〇 . 〇 1 " m〜ί <) 0 0 y m的範 圍内。藉由調節液滴2〗的粒徑,可除去附著於基板上之1 Μ 1丨丨以下的微小異物。 幽5為顯示液滴粒徑和污染物除去率之關仏的呦。液滴 2 1的粒徑在0 . 0 1 w m〜0 . 1 w m的砘圃内,隨普液滴2 1的粒 徑變大,除去率稍微增加。液滴2 1的粒徑0 , 1 w m〜1 w m的 砘圃内 > 随替液滴2 1的粒徑變大,除i率顯晋增大。液滴 2 1的粒徑在1〜1 Ο Ο μ m的範圍内,即使液滴2 1的粒徑變大 本紙張尺度適汛中囤國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~~~ I-II-------.裝------ΪΤ------^ (請先M讀背面之注意事項/4寫本頁) /、v_ B7 經濟部个央標準局只工消費合作社印製 五、發明説明(9 ) 1 丨 * 去 率 (1 0 0 X ) 也 不 金. ·Γ m 滴 2 1的 粒 徑 (t 100- -1000; 1 m 的 1 1 I 阖 内 m 液 滴 2 1的 粒 徑 變 大 除 去 率 m 低 I 如 1: 述 II 山 液 滴 2 1的 唢 岀 迚 度 和 粒 徑 H..-Y 及. 儿1可 控 制 請 £ 1 μ 洗 Π? 效 (除去y « ) 和 給 m 元 (Τ 的 JM m Μ 〇 讀 背 | 面 I 如 h 述 作 Η] 於 半 導 體 U tm )\ J: 之 異 物 (粒子) 的外力 (除 冬 1 I k 1 1 J: J) )Ϊ W液滴的碰擷速度ιίι〗^ 1 iL· 而且 同樣之力對形 事 | 成 於 導 體 品 Μ 上 的 元 η 圓 案 tL· 起 作 JH 因 此 ,液滴2 1的 -¾ 寫 本 裝 lilt Ιυι 迚 度 大 η Η 時 # 土 7L: ίΊ- M\ 缺 少 的 m 因 此 頁 1 • /]: 不 Ιίπ 與 件 損 m 的 範 圓 vi 控 制 m 滴 的 唢 出速度 0 此 1 1 外 雖 然 使 滴 的 粒 徑 化 作 ίΠ 於 V4 物 (粒: f )的除 t; 力 1 1 't irtiJS (L· 怛 液 滴 碰 的 ιΜ 積 (迫對冼淨效果W 1 訂 _朵条_ )ill] 1 ί變化」 使液體的mi 縮小液滴的 1 1 粒 :ά 滴 數 就 與 粒 徑 的 - 次 /j 成 Μ 比 Γίί] 增 加 t 另…一 方 面 i 1 I t 制 滴 碰 撞 的 [fl] m 粒 徑 的 二 次 ./; 成 反 比 ίίιί減少 U 结 1 1 % :4·. 體 液 滴 碰 撞 的 m Μ m 加 洗 淨 效 采 提 Μ …然而 應 ί V ·--·_ 1 線 除 的 物 大 大 時 例 如 具 fi ]0 U m迓徑的球肜異物 1 Μ 粒 徑 10 U raM下的液滴 則幾乎沿不出除去效果 J這 t I ΊΜ 況 r 耑 要 使 HJ Μ Η 1 0 0 κ 111 度 徑 的 人 滴。因 此 » 1 1 山 Μ Μ 應 除 1; 的 異 物 大 小 Jflj 丨jf 11! 山 他 控 制 液 滴的粒 徑 t 1 1 ΠΪ 到 ii 效 的 洗 淨 效 1 1 ik jib —* 法 可 Μ 除 去 附 於 Μ 板 上 之 1 u in Μ T 的 t I 小 1¾ 物 此 外 依 據 m 於 本 實 施 例 之 U 法 7 ^1丨於不 使 用 j 1 1 fct 韻 的 高 材 η 所 Μ 蓮 轉 背 低 廉 C) 1 1 jJt 外 由 改 液 滴 的 粒 l tfj » 如 1:: 述 r 可 制給與 元 件 1 i 1 -]2 - 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) Α7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Β7五、發明説明(ίο ) 的揋埤里。例如1 ;u m寬的配線1MI案的情況,U使用粒徑1 u mK下的液滴 > 則不t給與損壞而可冼萍。 M-次,使用具體的數值說明本實胞例。 再參照圈1 2,設液體流動的第二管路3 1外徑為3 . 2 ra ®、内 徑為1 . 8 m m。設氣體流體的第-管路3 0外徑為6 . 3 5 m m、内 徑為4 . 3 5 in m。設第二管路3 1前端(a )和第一管路3 0前端(b ) 的Ϊ丨!龇X為2 0 0 m Hi。設液體供給力為7 k κ / c m =,設i夜體供 給Μ為2 1 / in i η。設氣體供姶量為3 0 0 1 / m i n ' I花這種條件 下,形成液滴2 ],液滴2 1的粒徑為1〜】0 0 /i m,液滴2 1的 唢出迚度為音迎(3 3 4 in / s e d u 次,使用圖6說明本發明之越本概念。 參照圖6 ( a ) *液滴2 1 Μ V 速度碰撞品Η 1上面。該碰 摘之際參照_ 6 ( b ),在液滴2 1下部產生稱為衡擊壓Ρ的 )M力。参照幽M c ),因此衝_壓P而向水平方冋產生稱為 放射流的流動。 衝擊壓Ρ Κ下式設定: [數]11 衝擊壓 Ρ = —· (ϊ β L C L v „ 2 式中* V u表示碰撞速度、Ρ ^表示液體密度,(\表示液中 的Η过‘ c s戒小基椒屮的迕迚I “ A + Μ丨、1 Λ Mil ¥的減低 係數。式中> P s表示甚板的密度。[數2 j 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ q _ - ------^---裝------ΐτ------.^ (請先閱讀背面之注意事筇ί填寫本頁) I 4230 6 A7 B7五、發明説明(ii) 0.41 經濟部中夾標準局Μ工消費合作社印製 1 + 5 . 9( p L C L / p ^ C,) 放射流的速度V f M下式衷示: [數3 ] k V f = ( a C L V ti) 品H 1上的異物為從此放射流受到之力所除去。 作用於晶H U:的粒子的外力(除去力)D以K式表示: [數4] n D = - V f 2 ——d2 2 4 ,. 戍ίί η D = CD P - d2 4 式屮> C d為阻力係數。雷諾数iUL· 1 0 3大,ιίιί且球肜粒 f的Μ況,肌力係數C ρ成為0 . 4 7 <·式中* d表小粒子的粒 涇 依據上述撗式*作為決定除去力的的因岽* W液滴的碰 撞迚度、液體密度、液中的音速及液體黏度。因此,耍加 大除去力,作為液體的W料,其密度大而音速伙者較佳。 使用純水時,藉由控制液體溫度,可使密度和音速變化 。用溫度控制方法將純水的溫度控制在4 t ,可使純水的 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格(210X2.97公釐) _ ·| J „
I------------------ΪΤ------0 (請先閱讀背面之注意事展/%寫本頁) /V 經浹部中夾標华局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(12) ;ΐ;垃和純水屮的音速敁大。 此外,考慮給與元件的電氣抿壞(靜電)*將二氧化碳等 鉍體或界面活性劑混人純水中,Μ避免純水的蜇咀率•也 足本實砲洌的較佳變形例。 此外,純水以外 > 也可Μ適當地使用比虛、音速、黏度 比Μ水大的液體成液狀物質(Β含膠狀物質)。 此外,作為提卨除去力的更1 _步方法及控制給與元件 之關桨損壞的方法 > 調酣液滴2 1的碰撞角度亦佳。隨著改 罐液滴2 1的碰搐角度0 ,衝擊Μ Ρ以下忒表示: 1敝5 ] ] 卩=--a P L C L V □ s i. η 0 2 W此,加大液滴2 1的碰撞角度(對於品〗彳表面成為垂a // |;<i ),衡擊壓丨> 就變大•作用於異物的外力(除去力)丨)變 夂i!i U ,外力1)變大,付時會發生兀it Μ眾缺少的損壞 為了 4;發生此損壞*控制液滴2 1的《插角度較佳,通常 d记花1 5〜9 (Γ * 闞7為顯示tf描角度和除去率之關係的Μ。 乂,L述筲胞例族例示品Η作為基板 > 氾本發明並不限 於此*也可Κ適用於除厶附苦於液品越板、.光眾等基板丄 的h染物的惜況。 ΐΐ胞例2 y 8為關於窩胞例2之洗淨裝置的概念圆。該裝置具谢嗔 本紙張尺度適用中國國家標半(CNS ) Λ4規格(2!〇X 297公釐) _ i r, _ ^11.----Ί---裝------訂------線 t請先閱讀背面之注意事項戽填寫本頁) :\ £ 4 2 3 Ο 6 Β7 經濟部中央標卒局員工消f合作社印裝 五、發明説明(!3) .1 出 純 水 液 滴 的 噴 嘴 41 〇 供 給 純 水 的 内 管 42設 於喷 嘴 4 1 内 ty 1 1 1 閥 4 3設 於 將 純 水 供 姶 内 管 42的 m 水 供 給 m 上 給 氣 體 ( 乾 燥 空 氣 或 Μ 氣 )的氣體供給線連接噴嘴4 1 ,閥44設於氣 請 先 ! 閱 體 lit 給 線 上 〇 該 洗 淨 裝 置 具 噴 嘴 洗 淨 m (純水Μ外的酸 讀 背 | 面 I 、 Si m 液 )的唢嘴4 5 ι >噴嘴4 5為儲存洗淨液的槽4 6和洗 之 注 1 I 意 1 淨 液 俱 給 線 所 連 结 閥 4 7設 於 洗 淨 液 供 給 線 上。 儲 存 洗 淨 事 Ψ | 液 的 f曹 4B 設 置 加 壓 洗 淨 液 儲 存 槽 4 Β 的 氣 管 閥4 8 設 於 氣 管 ί 填 寫 裝 上 0 為 被 洗 淨 物 的 晶 片 49放 在 晶 Η 台 5 0 J: 0 晶Η 台 50可 Μ 頁 、«_>-· 1 1 旋 轉 〇 m 層 5 1 形 成 於 晶 片 49上 ϋ 1 1 其 次 就 動 作 加 Μ 說 明 0 首 先 藉 由 加 壓 洗淨 m 儲 存 槽 i 1 46 從 嗔 嘴 45 將 洗 淨 液 m 射 到 品 Μ 4 9 的 面 -lit 時 使 晶 1 訂 1 I Μ 台 5 0旋 轉 以 便 將 洗 淨 液 均 勻 地 供 給 品 Η 的 表 面 0 U 由 kk 上 處 理 減 弱 晶 Η 4 9和 其 表 面 污 染 物 (微小粒子等) 的 1 1 附 著 力 C 其 後 在 卩貞 嘴 4 1 内 混 合. 純 水 和 氣 體 ,純 水 以 液 滴 1 1 的 B 式 m 射 到 晶 Η 5 1 的 表 面 除 去 污 染 物 0 此時 液 滴 的 1 線 粒 徑 為 内 管 42肜 狀 和 純 水 供 給 Μ 力 所 決 t么·, 疋 <>! \1 制 在 1 ^ I 1 00 ί ί m 的 範 m 0 此 外 , 液 滴 的 m 射 速 度 藉 由 調锫 氣 體 m 力 I | t 可 控 制 在 幾 «1/ s e C, -330 m / s e c的範圍^ 1 1 莨 施 例 3 I 1 m ϋ為關於酋施·例3 之 洗 淨 裝 ϊΐ 的 概 念 11 - 1 I 該 裝 置 具 谢 使 液 滴 向 晶 Η 9嗔出的u貞嘴4 1 · 供給洗淨液 1 I 及 純 水 的 内 管 42 設 於 噴 出 噴 嘴 4 1 上 〇 具 有 閥 4 3的 純 水 供 給 1 1 1 線 連 接 内 管 42 〇 具 有 閥 4 4的 氣 體 (乾燥空氣或氮氣)供 給 線 1 1 連 接 嗔 出 噴 嘴 4 1 0 具 有 閥 47的 洗 淨 m 供 給 線 連接 純 水 供 給 i 1 本紙ί良尺度適用中囷國家橾隼(CNS > Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印狀 14 2 3 Ο 6 8 Α7 Β7五、發明説明(l4) 線。具有閥4 8的氣體(氮氣或乾燥空氣)連接冼淨液儲存槽 4 β。為被洗淨物的晶丨1 4 9放在晶Η台5 0 .1:。品丨ί台5 0構成 向箭頭方向旋轉ύ i t次,就動作加以說明 0先,關閉閥4 3 ·打開閥4 7 *再打開閥4 S,賴由加壓洗 淨液儲存權4 6 *從噴嘴41將洗淨液的液滴和氣體共同嗔射 到品丨M9的表面。此時,為了洗淨品Η 49的全面,使晶片 台5 0旋轉,丨til時使噴嘴4 1單向移動。藉由以上煺埋,除去 品Η 4 9表面的污染物(微小粒子等)。其後,關閉閥4 7,打 間閥4 3,純水躭從噴嘴4 1 Κ水滴的形式嗔射到品片4 9的表 面,有效地除去污染物。 貨胞例4 — 圖1 0為關於實施例4之洗淨裝置的概念圓。設置2個噴出 唢嘴1 1。喷出噴嘴1 1 一·面保持相同間隔,-‘面水平方向移 動。迫些2個噴出噴嘴1 ]配置成不互相交叉。嗔出嗔嘴1 1 的一方配置成將液滴唄射到基板1的周逷。喷出嗔嘴11的 他方配置成將液滴唢射到基板】的屮央部。基板丨水平方向 旋轉。各涸噴出噴嘴1 1具備對喷出噴嘴1 1内供給液體的液 體供給機構及供給氣體的氣體供給機構。如此由設置 2制唢出喷嘴1 1,可縮短異物的除去時間且可均勻地除去 _Μ·板丄的異物。 又,上述貿施例係就2支喷出唢嘴1 1加Κ說明,但以等 冏隔配置多數支噴出嗔喁1 1,也可取得和實施例同樣的效 果。 ( CNS ) A4i?,#· ( 210X297^ ) :~Π - ^ - J „ ^裝 訂------線 (請先閱讀背面之注意事^Λ填寫本頁) B7 經濟部t央標準局Μ工消費合作社印製 五、發明説明(I5) 1 1 liili JL 上 1 t I liSI η 為 關 於 實 皰 例 5之洗淨裝置的概念画 0 1 | 該 洗 淨 裝 置 具 is 2個噴出唄嘴1 1 •3嗔出噴嘴1 1的各自可 請 先 1 閱 m 液 滴 的 m 出 角 度 變 化 〇 又 » m 1 1 所 示 的實 胞 例 係 洌 示 設 讀 背 '1 面 1 置 2個唢出噴嘴1 1的情況 但本發明並不限於此 •構成設 之 注 1 I k 1 | 置 多 數 支 噴 出 噴 嘴 11 可 使 各 個 的 噴 出 角度 變 fb > 可 取 事 項 I 得 和 實 施 例 同 樣 的 效 果 U ί 1 1 寫 裝 貿 施 例 6 頁 I m 1 2為 m 液 體 和 氣 體 形 成 液 滴 之 喷出 m m 他 具 m i ί 例 的 1 面 圖 C 唄 出 噴 嘴 11 具 餚 第 一 管 路 4 1 ° 嗔 出 噴 嘴 11 像 1 1 a 徑 比 第 ,_· 管 路 41 大 /± 和 第 一 管 路 4 1 之丨iij 肜 成 空 間 42 a 1 訂 那 樣 具 備 包 圍 第 一 管 路 4 1 的 第 —* 管 路 42 - m 出 噴 嘴 11 具 1 I 從 第 — 管 路 42外 側 貫 通 第 二: 管 路 42 及 m - 管 路 4 1 側 壁 » 1 1 K· 前 端 延 伸 到 第 __. 管 路 41 内 的 第 二 管 路 43 液 體 通 到 第 三 1 1 管 路 4 3 内 〇 緘 體 通 過 第 — 管 路 4 1 内 及 第 一管 路 4 1 和 第 二 管 V 1 線 路 42之 間 的 空 間 42 a L >藉由如上述構成噴出唢嘴 以形成 I 液 滴 2 1 0 液 滴 2 1 成 為 Μ 通 過 空 問 42 a的氣體3 s權蓋的狀態 1 1 I ϋ 因 此 無 二 管 路 42 則 因 大 氣 iitl 力而 K 迚 度 減 少 之 1 1 (£ 外 Μ 部 分 的 液 滴 2 1 tli 增 加 K m 出 迚度 -1 , 沒 1 有 液 滴 2 1 内 的 速 度 不 均 〇 該 結 果 異 物除 k 效 率 變 大 0 1 | Sifi 例 7 1 I 1 13 為 使 用 於 本 發 明 之 嗔 出 嗔 嘴 其 他 實胞 例 的 截 面 〇 1 ί 圖 13所 示 的 喷 出 嗔 嘴 和 圖 12所 示 的 嗔 出 噴嘴 除 了 Μ 下 之 1 1 點 Μ 外 都 相 同 所 以 {± 一 或 相 當 的 部 分附 上 iiiJ 參 照 Hih 5K 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央榇準局,-貝工消費合作社印製 k423u〇^ τ423068 ' A7B7 五、發明説明(1G) 媽,不ίβ複其説明。 本铒胞例與圆1 2所示的質施例不冏,第三If路4 3之前端 部4 3 a成為忡縮f|如。該結果,可使為第三管路4 3前端的 嗔出U 3 2位置自由變化。液體唢出U 3 2接近站_ _ 管路4 ]之 唢出U 3 0峙 > 液滴2 1在碰到基板I之前擴散,而且哨出速 度it Μ少。此外,液體呗出口 3 2和弒體噴出Π 3 0之間隔長 時 > 液滴2 1的噴射範圍縮小,難Κ減少唢射速度。因此· II由如圖1 3構成噴出嗔嘴U,可選擇適合異物或基板之表 面狀態的液滴2 1噴射範圍及液滴2 1噴射迎度。依據宵驗發 谠•液體噴出口 32和氣體嗔出口 30之間的1適當距離為 100mm~ 200m in °智施例8 — ϋ 1 4為關於實胞例8之喷出嗔嘴的截面閫。唢出嗔嘴1 1 具_第一管路4 4。嗔出喷嘴1 1具阁從第一管路Ί 4外側貫通 第一管路4 4側壁,其前端部延伸到第-管路4 4内的第二管 路4 5。第二管路4 5前端郤向第一臂路4 4延伸的方向延伸。 喷出唢嘴1 1具備從第二管路4 5外側貨通該第二管路4 5側壁 ,Η觔端部延伸到第二管路4 5内的第三管路4 6。第三管路 4 Β前端部向第二管路4 5延仲的方向延伸、.再吞,第三管路 4 6前端超過第二管路4 5前端《液體供給第二管路4 5内。氣 體洪給第一管路4 4及第Η管路4 6内。依據此嗔出嗔嘴]1, 所嗔出的液滴2 1碰到基板1之後不久,為從第三管路4 6噴 出的氣體3 4所從基板除去。該.結果,碰到基仮丨的瞬間* 液體不存在甚板1上。該結果*可有效除去異物。本紙張尺度通用中國國家榡芈(CNS > Α4規格(210 X 297公釐) _ , (ι _ — 7----:---------IT------0 (請先閱讀背面之注意事^為填湾本頁) 423〇68 A7 B7 經濟部中央標準局—工消費合作社印装 五、發明説明(i?) 1 '! 丨發明之效果] 1 1 1 如 Μ 1: 說 明 依 據 按 m >·»·» 本 Μ 明 Μ 而 之 洗 淨 裝 置 由 1 | 於 合 液 體 和 氣 體 、 將 液 Ht» 體 m 成 液 滴 的 U 合 機 ΙΜ 設 於 噴 出 請 £ 1 Μ '丨 m 嘴 内 所 以 容 易 形 成 液 滴 ο 該 结 粜 » 可 用 液 滴 除 去 基 板 讀 背 | Sr I 上 的 污 染 物 m 而 洗 淨 效 采 變 高 〇 之 注 1 I 意 1 I 依 按 昭 本 1 明 第 二 局 面 之 洗 淨 裝 置 » 由 於 可 將 藥 液 供 事 I 給 :Μ 板 上 所 Μ 可 放 鬆 基 板 和 污 染 物 的 結 合 0 其 後 用 純 ί 4 1 水 的 液 滴 除 去 該 污 染 物 所 以 可 有 效 除 去 基 板 的 污 染 物。 寫 本 頁 裝 1 依 據 按 昭 本 發 明 第 :: 局 面 之 洗 淨 裝 置 由 於 具 有 第 一 開 J 1 閉 閥 的 純 水 供 給 機 構 和 具 有 第 二 開 閉 閥 的 绡 液 供 給 機 構 連 1 1 接 喷 出 嗔 嘴 所 以 Μ 由 m 的 UJ 换 可 ϋ 擇 地 成 純 水 的 液 1 訂 滴 和 m 液 的 液 滴 〇 該 结 果 只 耍 切 換 閥 就 可 將 液 的 液 i | 滴 供 給 基 板 的 表 面 其 後 可 供 給 m 水 的 液 滴 〇 而 且 可 有 1 1 效 除 去 基 板 上 的 Ϊ5 染 物 〇 1 1 依 按 照 本 發 明 第 四 局 面 之 洗 淨 方 法 出 於 111 液 滴 除 去 1 線 板 上 的 污 染 物 所 Μ 不 會 給 與 板 丧 面 ίΜ 傷 而 可 除 去 I 附 著 於 基 板 上 的 染 物 〇 1 .丨 依 按 照 本 發 明 第 五 局 面 之 洗 淨 B 法 苜 先 Μ 洗 淨 液 洗 1 i 淨 板 表 面 0 其 後 將 純 水 的 液 滴 嗔 射 到 基 仮 表 面 所 1 可 有 效 除 去 基 板 上 的 污 染 物 〇 1 i 依 Μ 按 昭 /“、 本 發 明 第 局 而 之 洗 淨 方 法 製 造 洗 淨 液 的 液 ί 1 滴 Φ. 將 lt.L 噴 出 到 基 板 上 0 該 W, 可 η 效 除 去 1 板 上 的 η 1 染 物 〇 I 1 依 據 按 m 本 發 明 第 七 局 面 之 洗 淨 方 法 首 先 將 洗 淨 液 的 1 i 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) B7 經濟部中央標準局只工消費合作社印狀 五、發明説明(is ) 1 Ί 液滴 唢出到基板上 ,其 後 喷 出 純 水 的 液 滴。 Hi 於 將 洗 淨 液 1 1 [ 的液 滴喷出到基板 上, 所 Μ 放 m 基 板 和污 染 物 的 结 合 〇 I it \k ,將純水的液 滴唢 出 到 m 板 上 1 所 以可 m 效 除 去 基 板 請 £ 1 t 閱 上的 污染物。 ik 背 ί 面 I [圖式之簡單說明] 之 注 I I 意 1 1為關於實胞例1之 洗 淨 裝 置 的 概 念 圖。 | 圖 2為用於關於宵施例1 之 洗 淨 裝 置 的 噴出 唢 嘴 截 面 ίϋ 〇 I % 本 裝 圖 3為顯示液體供姶壓力和污染物除去率之關係的圖 -> 頁 、·_^〇· 1 y 4為顯示液滴唢出速度和污染物除去率之關像的圖 1 1 副 5為顯示液滴粒徑和污染物除去率之關係的闘 1 1 m 6為說明本發明基本概念的圖· > I 訂 ϋ 7為顯示液滴碰撞角度种除去率之關係的圖 i 1 B 8為關於實施例2之 洗 淨 裝 置 的 概 .么 圆。 1 1 I liiil 9為關於锊施例3之 冼 淨 裝 η 的 概 念 圖C, 1 1 N 1 0為1於實施 例4之洗淨裝置的概念丨i \ I 線 li] 1 1為關於實施 例5之冼淨裝置的概念圖 j I i^l 1 2為肜成液滴 之唢 出 唢 嘴 其 他 具 體 例的 a ιίϊί 圆 C· I 1 yi 1 3為形成液滴 之唢 出 嗅 嘴 % 外 其 他 μ m 例 的 m 面 U 0 I i m 1 4為形成液滴 之喷 出 噴 嘴 外 其 他 具體 例 的 截 面 圖 〇 i ! M 】5為實琨If知 高壓 噴 射 水 洗 淨 之 装 置的 概 念 m 〇 1 l ]6為從習知高 壓噴 射 水 洗 淨 裝 置 喷 出之 液 體 的 m 面 圖ϋ 1 I 圆 1 7為實現習知 大音 波 流 水 洗 淨 之 裝 置的 m j-C 圖 0 1 1 I Is) 1 8為莨琨習知 冰洗 滌 式 洗 淨 之 装 置 的模 式 il 0 1 1 丨元汴編號之説明] 1 i -2 1 ~ 本紙張尺度適用肀國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) ^2306 8 - A7 B7 五、發明説明(19 ) lx J - Λ 板
Mu 嗔 出 嗔 液 3 2 構 機 給 t' Mu s 體 構 機 給 -------^----- - , * (請先閱讀背面之注意事少4*填寫本頁) 訂 經濟部中失標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧ 297公釐} 22
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 4230 6 8 1 8%9主砮 六、申請專利範圍 1. 一種浼淨裝匱,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: . (a) —噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴: (b) 液體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將液體 供給至該噴出噴嘴: (c) 氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將氣體 供給至該噴出噴嘴; 該噴出噴嘴包含: (1) 一第一管路,該氣體係通過該第一管路; (2) —第二管路,其前端部從該第一管路的外側貫通該第 一管路之側壁而延伸到該笫一管路內,該液體係通過該第 二管路: 其中: 該第二管路之該前端部係朝向與該第一管路相同之方向 而延伸:及 該第二管路之該前端部未延伸超過該第一管路之前端 部。 2. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置*其中,從該第二 管路之液體噴出口到該第一管路之氣體噴出口的距離至少 爲 7 0mm ° 3. ·如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中,該噴出噴 嘴係設置成複數個,並以規則間隔設置而不互相交叉。 4. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其中,該液體供 給機構包括用於控制該液體之供給壓力的機構,及 本纸張尺度適用中囡國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------k-----r---訂------I--線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4230 6 8 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 該氣體供給機構包括用於控制該氣體之供給壓力的機 構。 · 5·如申請專利範圍第1項之洗淨裝置,其又包含: 連結至該噴出噴嘴之機構,用於控制該液滴與該基板表 面碰撞之角度。 6.—種洗淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: (a) —噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴; (b) 液體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,闬於將液體 供給至該噴出噴嘴; (c) 氣體供給機構*其係連接至該噴出噴嘴,用於將氣體 供給至該噴出噴嘴; 該噴出喷嘴包含: (1) 一第一管路, (2) —第二管路*其前端部從該第一管路的外側貫通該第 一管路之側壁而延伸到該第一管路內,且係朝向與該第一 管路相同之方向而延伸,及 (3) —第三管路,其前端部從該第二管路的外側貫通該第 二管路之側壁而延伸到該第二管路內,且係朝向與該第二 管路相同之方向而延伸, (.4)該液體被供給於該第二管路中, (5) 該氣體被供給於該第一及第三管路中*及 (6) 該第二管路之該前端部未延伸超過該第三管路之前 端部。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I----k---------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 230 6 8 b8 D8 ___ 六、申請專利範圍 7.—種洗淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: . 一噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴; 液體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將液體供 給至該噴出噴嘴:及 氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將氣體供 給至該噴出噴嘴;及 混合機構•其係設置於該噴出噴嘴內,用於混合供給至 該噴出噴嘴內的該液體及該氣體*將該液體變成該液滴’ 其中: 該噴出噴嘴及該混合機構包含: 一第一管路, 一第二管路,其直徑比該第一管路大,且其包覆該第一 管路1而在該第一管路與該第二管路之間形成一空間,及 一第三管路,其前端部從該第二管路的外惻貫通該第一 管路及該第二管路之側壁而延伸到該第一管路內, 該液體係通過該第三管路,而該氣體保通過該第一及第 二管路。 8 ·如申請專利範圍第7項之洗淨裝置,其中,該第三管 路之該前端部係朝向與該第一管路相同之方向而延伸,該 第字管路之前端部可延伸且可收縮。 9·一種洗淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: (a) —噴岀噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ;--------- ^-----r---訂--------- 線, (請先閲讀背面之注ί項再填寫本頁) 4 2 3 Ο Ρ ^ έΐ Ε8β_ 六、申請專利範圍 (b)純水洪給機構,其具有一笫一開閉閥,且其係連接至 該噴出噴嘴,用於將純水供給至該噴出噴嘴; (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) (Ο藥液供給機構,其具有一第二開閉閥,且其係連接至 該噴出噴嘴,用於將藥液供給至該噴出噴嘴: (d)氣體供給機構,其具有一第三開閉閥,且其係連接至 該噴出噴嘴,闬於將氣體供給至該噴出噴嘴; 該噴出噴嘴包含: (1) 一第一管路, (2) —第二管路,其直徑比該第一管路之直徑大*且其包 圍該笫一管路,而在該第一管路與該第二管路之間形成一 空間, (3) 該第一管路之前端部係朝向與該第二管路相同之方 向而延伸, (4) 該純水及/或該藥液被供給於該第一管路中,及 (5) 該氣體被供給於該第一管路及該第二管路之間的空 間中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇.—種铣淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物*包含: (a)薬液供給噴嘴,用於朝向該基板洪給薬液; (1>)一噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出純水的液滴: (,)純水供給機構•其係連接至該噴出噴嘴,用於將純水 拱給至該噴出噴嘴; (d)氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將氣體 供給至該噴出噴嘴: 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 '42306 8 g D8 六、申請專利範圍 該噴出噴嘴包含: (1) —第一管路· (2) —第二管路,其直徑比該第一管路之直徑大,且其包 圍該第一管路*而在該第一管路與該第二管路之間形成一 空間, (3) 該第一管路之前端部係朝向與該第二管路相同之方 向而延伸, (4) 該純水被供給於該第一管路中,及 (5) 該氣體被供給於該第一管路及該第二管路之間的空 閭中。 11. 一種洗淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: (a)—噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴; 〇)液體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將液體 供給至該噴出噴嘴: (c)氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將氣體 供給至該噴出噴嘴; 該噴出噴嘴包含: (1)一第一管路,該氣體係通過該第一管路; (2.)—第二管路,其前端部從該第一管路的外側貫通該第 一琴路之側壁而延伸到該第一管路內,該液體係通過該第 二管路; 其中,該第二管路之該前端部係從其路徑彎曲至該第一 管路中。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -^-----r---訂---------線-. <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 23〇63> B8 C8 _____D8 六、申請專利範圍 12.如申請專利範圍笫:u項之洗淨裝置,其中,該第二 管路之該前端部係朝向與該第一管路相同之方向而延伸-I3·如申請專利範圍第11項之洗淨裝置,其中,該噴出 噴嘴係設置成複數個,並以規則間隔設置而不互相交叉。 14. 如申請專利範圍第11項之洗淨裝置,其中,從該第 二管路之液體噴出口到該第一管路之氣體噴出口的距離至 少爲70mm。 15. 如申請專利範圍第11項之洗淨裝置,其中,該液體 供給機構包括用於控制該液體之供給壓力的機構,及 該氣體洪給機構包括用於控制該氣體之供給壓力的機 構▽ 16. 如申請專利範圍第11項之洗淨裝置,其又包含: 連結至該噴出噴嘴之機構,用於控制該液滴與該基板表 面碰撞之角度。 1 7. —種洗淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: (a) —噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴: (b) 液體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將液體 供給至該噴出噴嘴;及 (〇氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,用於將氣體 供靖至該噴出噴嘴;及 該噴出噴嘴包含: 一第一管路, 一第二管路,其直徑比該第一管路大,且其包覆該第一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I. .1 ^-------- ^-----r---訂---------線.- (請先閱讀背面之注Φί#項再填寫本頁> A8 B8 C8 D8 4^306 3 ^ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 管路,而在該第一管路與該第二管路之間形成一空間,及 一第三管路,其前端部從該第二管路的外側貫通該第~ 管路及該第二管路之側壁而延伸到該第一管路內。 is.如申請專利範圍第17項之洗淨裝置,其中,該第三 管路之該前端部係朝向與該第一管路相同之方向而延伸, 該第三管路之前端部可延伸且可收縮。 19.一種洗淨裝置,其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: (a) —噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴: (b) 液體洪給機構’其係連接至該噴出噴嘴’用於將液體 供給至該噴出噴嘴; (c) 氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴•用於將氣體 供給至該嚏出噴嘴; 該噴出噴嘴包含: (1) 一第一管路, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2) —第二管路,其前端部從該第一管路的外側貫通該第 一管路之側壁而延伸到該第一管路內,且係朝向與該第一 管路相同之方向而延伸, 其中,該第二管路之該前端部係従其路徑彎曲至該第一 管路中,及 (,)一第三管路,其前端部從該第二管路的外側貫通該第 二管路之側壁而延伸到該第二管路內,且係朝向與該第二 管路相同之方向而延伸。 2〇·—種浣淨裝匱,其係用於除去附著於基板表面上的污 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 88 8^ro ABCS 423068 六、申請專利範圍 染物,包含: (a) 藥液供給噴嘴,用於朝向該基板供給藥液; (b) —噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出純水的液滴; (〇純水供給機構,其係連接至該噴出噴嘴,闱於將純水 供給至該噴出噴嘴: (d)氣體供給機構,其係連接至該噴出噴嘴*用於將氣體 供給至該噴出噴嘴; 該噴出噴嘴包含: (1) 一第一管路, (2) —第二管路,其直徑比該第一管路之直徑大,且其包 圍該第一管路,而在該第一管路與該第二管路之間形成一 空間, (3) 該第一管路之前端部係朝向與該第二管路相同之方 向而延伸。 21.—種洗淨裝置^其係用於除去附著於基板表面上的污 染物,包含: U)—噴出噴嘴,用於朝向該基板噴出液滴: (b)純水供給機構,其具有一第一開閉閥,且其係連接至 該噴出噴嘴1用於將純水供給至該噴出噴嘴; (>)藥液供給機構,其具有一第二開閉閥·且其係連接至 該嗶出噴嘴,用於將藥液供給至該噴出噴嘴; (d)氣體供給機構,其具有一第三開閉閥*且其係連接至 該噴出噴嘴,用於將氣體供給至該噴迅噴嘴; 該噴出噴嘴包含: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----r---訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 A8 B8 C8 D8 42306Β 六、申請專利範圍 (1) 一第一管路, (2) 一第二管路.其直徑比該第一管路之直徑大*且其包 圍該第一管路,而在該第一管路與該第二管路之問形成一 空間* (3) 該第一管路之前端部係朝向與該第二管路相同之方 向而延伸。 22. 一種用於除去附著於半導體基板表面上的污染物之 方法,其包含下列步驟: 將噴出噴嘴之噴出口朝向一半導體基板; 將一液體供給至該噴出噴嘴: 將一氣體供給至該噴出噴嘴; 在該噴出噴嘴內混合該液體及該氣體’以形成液體之液 滴:及 將該液滴朝向該半導體基板表面而以音速噴出’以除去 該污染物;其中: 液體及氣體供給壓力被設定成使得該液滴之粒徑爲1 μιη 至 1 ΟΟμιη 〇 23. 如申請專利範圍第22項之方法,其中:該液體被烘 給至該噴出噴嘴之壓力及該氣體被供給至該噴出噴嘴之壓 力係爲彼此匹配,因而使該液滴被噴出之速度爲音速。 2.4.如申請專利範圍第22項之方法,其中:該液滴與該 基板碰撞之角度係控制於1 5。至9 0。= 25·如申請專利範圍第22項之方法,其中:使用一密度 It純水大之液體作爲該液體。 本紙張尺度翻巾邮緖準(CNS)A4祕⑽X 297公餐) ------------裝-----r---订----I---- 線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 辑 2 3 0 s ί as u ^ B8 C8 D8 六、申請專利範圍 26. —種以洗淨液洗淨半導體基板表面之方法,該方法包 含: · 形成純水之液滴;及 將該液滴朝向該半導體基板表面而以音速噴出,以洗淨 半導體基板表面:其中: 該液滴之粒徑爲Ιμιη至ΙΟΟμηι。 27. —種洗淨方法1其包含下列步驟= 準備一半導體基板: 形成洗淨液之液滴;及 將該液滴朝向該半導體基板表面而以音速噴出’以洗淨 半導體基板表面;其中: 該液滴之粒徑爲Ιμιη至ΙΟΟμιη。 28. —種洗淨方法,其包含下列步驟: 準備一半導體基板: 形成洗淨液之液滴: 形成純水之液滴: 將該洗淨液之液滴朝向該半導體基板表面而以音速噴 出;及隨後地 將該純水之液滴朝向該半導體基板表面而以音速噴出, 以洗淨半導體基板表面;其中: 孽液滴之粒徑爲Ιμηι至ΙΟΟμπι。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 10 11 L I * I---r —-----I--I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12798495A JP3504023B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW423068B true TW423068B (en) | 2001-02-21 |
Family
ID=14973574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084105957A TW423068B (en) | 1995-05-26 | 1995-06-12 | Washer and washing method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5934566A (zh) |
JP (1) | JP3504023B2 (zh) |
KR (1) | KR100227018B1 (zh) |
DE (1) | DE19544353C2 (zh) |
TW (1) | TW423068B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI399249B (zh) * | 2008-08-22 | 2013-06-21 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | High pressure wash liquid jet cleaning device |
US9129797B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-09-08 | Kurita Water Industries Ltd. | Cleaning method |
Families Citing this family (106)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3200528B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2001-08-20 | 三菱電機株式会社 | ドライエッチングの後処理方法 |
US6354786B1 (en) * | 1996-09-20 | 2002-03-12 | Monroe Truck Equipment Inc. | Combined dump truck and spreader apparatus |
JP3315611B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2002-08-19 | 三菱電機株式会社 | 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置 |
US20040007255A1 (en) * | 1997-06-20 | 2004-01-15 | Labib Mohamed Emam | Apparatus and method for cleaning pipelines, tubing and membranes using two-phase flow |
JP3676912B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2005-07-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
DE19737854C2 (de) * | 1997-08-29 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise Poliertüchern, insbesondere für das Polieren von Wafern |
EP0974357A1 (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-26 | Schering-Plough | Chemokines as adjuvants of immune response |
US6150240A (en) * | 1998-07-27 | 2000-11-21 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for singulating semiconductor devices |
JP3702668B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2005-10-05 | 株式会社村田製作所 | 電子部品チップ供給装置 |
US6090217A (en) | 1998-12-09 | 2000-07-18 | Kittle; Paul A. | Surface treatment of semiconductor substrates |
EP1235653A1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-09-04 | Gary W. Ferrell | Improvements in drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases |
JP2001237208A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置 |
AU2001250358A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-15 | Johnsondiversey, Inc. | Method and apparatus for generating water sprays, and methods of cleaning using water sprays |
DE10017240A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-11 | Bsh Bosch Siemens Hausgeraete | Verfahren zur Reinigung von Reinigungsstrahlen |
JP3939077B2 (ja) | 2000-05-30 | 2007-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2002011420A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理装置 |
DE10033395B4 (de) * | 2000-07-08 | 2006-04-13 | Kidde-Deugra Brandschutzsysteme Gmbh | Verfahren zum Bekämpfen eines Brandes und Brandbekämpfungseinrichtung |
US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7479205B2 (en) * | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
JP2002114993A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
US6705331B2 (en) | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
JP3865602B2 (ja) | 2001-06-18 | 2007-01-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP4210045B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2009-01-14 | 横河電機株式会社 | 洗浄装置 |
JP4942263B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2012-05-30 | ラムリサーチ株式会社 | 洗浄装置 |
JP4011900B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6624060B2 (en) * | 2002-01-12 | 2003-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
JP4074814B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8469295B2 (en) * | 2002-02-15 | 2013-06-25 | Implant Sciences Corporation | Trace chemical particle release nozzle |
JP4349606B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法 |
US6812156B2 (en) * | 2002-07-02 | 2004-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method to reduce residual particulate contamination in CVD and PVD semiconductor wafer manufacturing |
US7524771B2 (en) | 2002-10-29 | 2009-04-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method using alkaline solution and acid solution |
MXPA05007154A (es) * | 2002-12-30 | 2005-09-21 | Nektar Therapeutics | Atomizador prepeliculizacion. |
JP4187540B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-11-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
JP2004340433A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Tokai Engineering Co Ltd | 熱交換コイル内洗浄方法 |
US20040235308A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus |
JP4118194B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2008-07-16 | 横河電機株式会社 | 洗浄装置 |
US7913703B1 (en) | 2003-06-27 | 2011-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate |
US7799141B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-09-21 | Lam Research Corporation | Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound |
US8316866B2 (en) * | 2003-06-27 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US7737097B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution |
US20040261823A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases |
US7648584B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing contamination from substrate |
US8522801B2 (en) * | 2003-06-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
JP4357225B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7431040B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate |
US7476290B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7416370B2 (en) * | 2005-06-15 | 2008-08-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid |
US7862662B2 (en) * | 2005-12-30 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Method and material for cleaning a substrate |
US7568490B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
US8043441B2 (en) * | 2005-06-15 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids |
US8522799B2 (en) * | 2005-12-30 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning a substrate |
US8323420B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
JP4007980B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2007-11-14 | エス・イー・エス株式会社 | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 |
KR100625315B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 세정액 공급 장치 및 방법 |
US7921859B2 (en) | 2004-12-16 | 2011-04-12 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool |
KR101316769B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2013-10-15 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치 |
JP2007157898A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
SG154438A1 (en) * | 2005-12-30 | 2009-08-28 | Lam Res Corp | Cleaning compound and method and system for using the cleaning compound |
JP4763575B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4753757B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-08-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4767138B2 (ja) | 2006-09-13 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 |
TW200739710A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
GB0610578D0 (en) * | 2006-05-27 | 2006-07-05 | Rolls Royce Plc | Method of removing deposits |
WO2008008216A2 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Liquid aerosol particle removal method |
KR101191337B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2012-10-16 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 워크피스를 처리하는데 사용되는 장치용 배리어 구조물 및 노즐장치 |
US20080148595A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas |
US7897213B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-03-01 | Lam Research Corporation | Methods for contained chemical surface treatment |
JP5120064B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-01-16 | 株式会社中村超硬 | メタル版の洗浄方法 |
GB0710663D0 (en) | 2007-06-04 | 2007-07-11 | Pursuit Dynamics Plc | An improved mist generating apparatus and method |
JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2009020524A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
KR100862231B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2008-10-09 | 세메스 주식회사 | 세정액 분사 장치 및 이를 갖는 기판 세정 장치 |
US8084406B2 (en) | 2007-12-14 | 2011-12-27 | Lam Research Corporation | Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media |
KR101690047B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-12-27 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법 |
JP4972607B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP5352144B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2013-11-27 | 株式会社荏原製作所 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
JP5261077B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US8114221B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-02-14 | Princeton Trade & Technology, Inc. | Method and composition for cleaning tubular systems employing moving three-phase contact lines |
US8226774B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-07-24 | Princeton Trade & Technology, Inc. | Method for cleaning passageways such an endoscope channels using flow of liquid and gas |
US8056832B2 (en) * | 2008-10-30 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Jetspray nozzle and method for cleaning photo masks and semiconductor wafers |
JP2010192673A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5520511B2 (ja) * | 2009-04-07 | 2014-06-11 | サムスン電機ジャパンアドバンスドテクノロジー株式会社 | ディスク駆動装置の生産方法及びディスク駆動装置 |
US20130034966A1 (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") | Chemical dispersion method and device |
US20130068248A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") | Semiconductor device cleaning method |
JP5912393B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2016-04-27 | Jfeエンジニアリング株式会社 | 噴霧ノズル及び気体と液体との混合方法 |
JP5396460B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10279365B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-05-07 | Progressive Surface, Inc. | Thermal spray method integrating selected removal of particulates |
US20130284203A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Progressive Surface, Inc. | Plasma spray apparatus integrating water cleaning |
JP5586734B2 (ja) | 2012-08-07 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP6250924B2 (ja) | 2012-10-02 | 2017-12-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および研磨装置 |
KR20140046631A (ko) * | 2012-10-09 | 2014-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 장치 |
US10081767B2 (en) * | 2012-10-25 | 2018-09-25 | Shell Oil Company | Feed nozzle assembly for a catalytic cracking reactor |
JP5543633B2 (ja) | 2012-11-26 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP6093569B2 (ja) | 2012-12-28 | 2017-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
JP5977727B2 (ja) | 2013-11-13 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
JP6308910B2 (ja) | 2013-11-13 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
SG10201407598VA (en) | 2013-11-19 | 2015-06-29 | Ebara Corp | Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus |
JP6282850B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-02-21 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板処理装置 |
JP6339351B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板処理装置 |
US9718075B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-08-01 | United Technologies Corporation | Suspension plasma injector system and method of flushing the system |
JP6757030B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2020-09-16 | 日本リニューアル株式会社 | 給湯銅管へのライニング工法 |
KR102066790B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2020-01-15 | 주식회사 웨코 | 나노 버블을 이용한 세정액 제조장치 및 제조방법 |
KR102319645B1 (ko) * | 2019-11-22 | 2021-11-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7417191B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP7429595B2 (ja) * | 2020-05-07 | 2024-02-08 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3050262A (en) * | 1960-12-12 | 1962-08-21 | Curtis Automotive Devices Inc | Nozzle for production of fog or mist |
US4027686A (en) * | 1973-01-02 | 1977-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water |
US4982753A (en) * | 1983-07-26 | 1991-01-08 | National Semiconductor Corporation | Wafer etching, cleaning and stripping apparatus |
JPS63110639A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Nec Corp | 集積回路装置の製造方法 |
US4787404A (en) * | 1987-06-12 | 1988-11-29 | International Business Machines Corporation | Low flow rate-low pressure atomizer device |
US4809911A (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-07 | John Ryan | High pressure mixing and spray nozzle apparatus and method |
US5181985A (en) * | 1988-06-01 | 1993-01-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers |
JPH0712035B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1995-02-08 | 三菱電機株式会社 | 噴流式液処理装置 |
JPH03186369A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-14 | Nec Corp | 薬液噴霧ノズル |
FR2655887B1 (fr) * | 1989-12-20 | 1992-03-06 | Sochata Snecma | Procede d'enlevement d'un revetement sur pieces par projection d'un jet d'eau sous haute tension. |
DE9013724U1 (de) * | 1990-10-02 | 1992-02-06 | HAMATECH Halbleiter-Maschinenbau und Technologie GmbH, 7137 Sternenfels | Vorrichtung für die Behandlung von Substraten |
JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
US5456758A (en) * | 1993-04-26 | 1995-10-10 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
JP3415670B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2003-06-09 | 三菱電機株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12798495A patent/JP3504023B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-12 TW TW084105957A patent/TW423068B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-11-28 DE DE19544353A patent/DE19544353C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-10 KR KR1019960015435A patent/KR100227018B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-08-11 US US08/908,001 patent/US5934566A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-25 US US08/917,103 patent/US6048409A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI399249B (zh) * | 2008-08-22 | 2013-06-21 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | High pressure wash liquid jet cleaning device |
US9129797B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-09-08 | Kurita Water Industries Ltd. | Cleaning method |
TWI503181B (zh) * | 2009-12-24 | 2015-10-11 | Kurita Water Ind Ltd | Wash the method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3504023B2 (ja) | 2004-03-08 |
KR100227018B1 (ko) | 1999-10-15 |
KR960043000A (ko) | 1996-12-21 |
JPH08318181A (ja) | 1996-12-03 |
DE19544353A1 (de) | 1996-11-28 |
DE19544353C2 (de) | 2002-10-31 |
US6048409A (en) | 2000-04-11 |
US5934566A (en) | 1999-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW423068B (en) | Washer and washing method | |
TWI244719B (en) | Substrate processing apparatus and substrate cleaning unit | |
TW436916B (en) | Substrate cleaner | |
TW201131623A (en) | Substrate liquid treatment apparatus, substrate liquid treatment method and computer readable storage medium recorded with substrate liquid treatment program | |
CA2237447A1 (en) | Apparatus for preparing coffee having a small-bubbled foam layer | |
JPH11345797A (ja) | 2流体噴出ノズル及びこれを使用した2流体噴流洗浄装置並びに2流体噴流洗浄方法 | |
TW445539B (en) | Method and device for washing by fluid spraying | |
JP3550277B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TW446584B (en) | Surface cleaning method and apparatus | |
TWI286796B (en) | Apparatus and method for drying disk-shaped substrates | |
JP3512868B2 (ja) | 洗浄方法 | |
JPH07308642A (ja) | 基板表面乾燥装置 | |
CN205346810U (zh) | 一种直立袋灌装设备的管口清洗装置 | |
JP2504916B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JPH05299400A (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置及び洗浄方法 | |
JPH10291022A (ja) | 鋼帯表面の付着液の除去方法および装置 | |
JP2988828B2 (ja) | 基板の液切り乾燥装置 | |
JPH0290525A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
CN217723433U (zh) | 超声波清洗装置 | |
JPS63141320A (ja) | キヤリア洗浄方法およびその装置 | |
JP3488109B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JPS62226629A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
JPH0536662A (ja) | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 | |
JPH07214015A (ja) | 基板洗浄装置 | |
SU995914A1 (ru) | Устройство дл мойки емкостей |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |