JPS63110639A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
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- JPS63110639A JPS63110639A JP25734286A JP25734286A JPS63110639A JP S63110639 A JPS63110639 A JP S63110639A JP 25734286 A JP25734286 A JP 25734286A JP 25734286 A JP25734286 A JP 25734286A JP S63110639 A JPS63110639 A JP S63110639A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1産業上の利用分野゛1
本発明は集積回路装置の製造方法に関し、特に半導体基
板(以下、ウェーハという)の−主表面に集積回路装置
を形成する過程(以下、ウェーハ10セスという)にお
けるウェーハ表面の洗浄工程を大む集積回路装置の製造
方法に関する。
板(以下、ウェーハという)の−主表面に集積回路装置
を形成する過程(以下、ウェーハ10セスという)にお
けるウェーハ表面の洗浄工程を大む集積回路装置の製造
方法に関する。
1従来の技術!
集積回路装置を形成する1〜ランジスタ等の寸法は近年
縮小の一途をたどり、また、−個の集積回路装置に集積
されるトランジスタの個数は増大を続けている。最近の
集積回路装置では最小寸法171 rrl以下、トラン
ジスタ個数30万個以上のものも出現している。
縮小の一途をたどり、また、−個の集積回路装置に集積
されるトランジスタの個数は増大を続けている。最近の
集積回路装置では最小寸法171 rrl以下、トラン
ジスタ個数30万個以上のものも出現している。
このような微小寸法・規模の集積回路の製造において、
ウェーハ表面に付着するゴミの除去は重大な関心事であ
る。事実標準的なウェーハ10セスにおいて、ウェーハ
表面の洗浄回数は15回を越えている。
ウェーハ表面に付着するゴミの除去は重大な関心事であ
る。事実標準的なウェーハ10セスにおいて、ウェーハ
表面の洗浄回数は15回を越えている。
従来のかかるウェーハプロセスにおけるウェーハ表面の
具体的洗浄方法としては、純水浸漬と超音波利用による
方法と、アンモニアあるいは過酸化水素混合液の浸漬に
よる方法、熱FfL酸浸漬あるいは熱硝酸浸漬による方
法、ブラッシングによる方法、あるいは純水のみのジェ
ット水流吹き付けによる方法などがある。
具体的洗浄方法としては、純水浸漬と超音波利用による
方法と、アンモニアあるいは過酸化水素混合液の浸漬に
よる方法、熱FfL酸浸漬あるいは熱硝酸浸漬による方
法、ブラッシングによる方法、あるいは純水のみのジェ
ット水流吹き付けによる方法などがある。
上述した従来のウェーハ洗浄方法の内、液体浸漬法は初
期のウェーハプロセスにおいて採用された方法であり、
1μm以上の大きさのゴミの除去には有効であるが、最
近の縮小された寸法で構成された集積回路に有害なサブ
ミクロンレベルのゴミの除去にはほとんど役に立たない
。
期のウェーハプロセスにおいて採用された方法であり、
1μm以上の大きさのゴミの除去には有効であるが、最
近の縮小された寸法で構成された集積回路に有害なサブ
ミクロンレベルのゴミの除去にはほとんど役に立たない
。
また、ブラッシング法は極めて原子的な方法であって、
ゴミの除去よりもウェーハ表面に傷を付けることの方が
多く、ゴミの除去には同様に役に立たない。
ゴミの除去よりもウェーハ表面に傷を付けることの方が
多く、ゴミの除去には同様に役に立たない。
更に、純水をジェット水流化してウェーハ表面に吹き付
ける方法は、現在のところウェーハ表面に付着している
サブミクロンレベルのゴミの除去に最も有効な方法であ
る。
ける方法は、現在のところウェーハ表面に付着している
サブミクロンレベルのゴミの除去に最も有効な方法であ
る。
しかしながら、最近のウェーハプロセスで用いられる純
水は、この水中に溶解する不純物、不溶性の不純物、お
よび有機性・無機性のゴミを極限まで除去した超純水と
呼ばれるものが必要になっている。このような超純水を
ジェット水流化すると水分子どうしのjや擦により静電
気が発生し、瞬間的には2万ボルトを越えることがある
。一方、集積回路を構成するI−ランジスタの平面りで
の寸法縮小は比例縮小則による三次元方向での縮小を必
然的に必要とし、例えばMOSFETのゲート絶縁層(
通常のSiの熱酸化膜)の厚さは100〜200人とな
っている。しかるに、5i02の誘電破壊限界は8 M
V / c1程度であるから前記の厚さのゲート絶縁
層の誘電耐圧はたかだか8〜16Vである。従って、超
純水をジェット水流化してウェーハ表面に吹き付けると
ザブミクロンレベルのゴミを除去することはできるが、
瞬間的電圧により集積回路を構成するトランジスタを破
壊するという問題がある。
水は、この水中に溶解する不純物、不溶性の不純物、お
よび有機性・無機性のゴミを極限まで除去した超純水と
呼ばれるものが必要になっている。このような超純水を
ジェット水流化すると水分子どうしのjや擦により静電
気が発生し、瞬間的には2万ボルトを越えることがある
。一方、集積回路を構成するI−ランジスタの平面りで
の寸法縮小は比例縮小則による三次元方向での縮小を必
然的に必要とし、例えばMOSFETのゲート絶縁層(
通常のSiの熱酸化膜)の厚さは100〜200人とな
っている。しかるに、5i02の誘電破壊限界は8 M
V / c1程度であるから前記の厚さのゲート絶縁
層の誘電耐圧はたかだか8〜16Vである。従って、超
純水をジェット水流化してウェーハ表面に吹き付けると
ザブミクロンレベルのゴミを除去することはできるが、
瞬間的電圧により集積回路を構成するトランジスタを破
壊するという問題がある。
本発明の目的は、上述したウェーハプロセスにおけるウ
ェーハ表面の洗浄に際し、集積回路を構成するトランジ
スタの破壊をひきおこすことなく、サブミクロンレベル
のゴミを有効に除去する集積回路装置の製造方法を提供
することにある。
ェーハ表面の洗浄に際し、集積回路を構成するトランジ
スタの破壊をひきおこすことなく、サブミクロンレベル
のゴミを有効に除去する集積回路装置の製造方法を提供
することにある。
r問題点を解決するための手段〕
本発明の集積回路装置の製造方法は、ウェーハを回転さ
せながら非金属イオンを含有する純水を加圧装置とジェ
ットノズルによりジェット水流化し、前記基板表面に吹
き付は表面を洗浄する工程を含んで構成される。
せながら非金属イオンを含有する純水を加圧装置とジェ
ットノズルによりジェット水流化し、前記基板表面に吹
き付は表面を洗浄する工程を含んで構成される。
なお、超純水に添加するイオンを非金属イオンにしてい
るのは、各種金属イオンの中には、ウェーハに残留し不
純物として働くことにより、集積回路の機能を損なうも
のが多いためである。
るのは、各種金属イオンの中には、ウェーハに残留し不
純物として働くことにより、集積回路の機能を損なうも
のが多いためである。
1実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第一の実施例を説明するためのジェッ
ト水流噴射装置の構成図である。
ト水流噴射装置の構成図である。
第1図に示すように、純水製造装置1で製造された超純
水は、第一の配管2によって加圧装置3に輸送される。
水は、第一の配管2によって加圧装置3に輸送される。
また、前記第一の配管2の中途には分岐4が設けられ、
この分岐4は加圧制御バルブを介して加圧封入された非
金属イオン源となるCO2容2S6に接続される。上述
の加圧装置3で加圧された非金属イオンを含有する超純
水は第2の配管7をとおりジェットノズル8に輸送され
、ジェットノズル8の先端からジェット水流10として
噴出される。一方、表面を洗浄すべきウェーハ21は真
空吸着等の方法により回転台22に固定され、この回転
台22によりウェーハ21も回転する。従って、ジェッ
ト水流10は回転するウェーハ21の表面にほぼ均等に
吹き付けられる。
この分岐4は加圧制御バルブを介して加圧封入された非
金属イオン源となるCO2容2S6に接続される。上述
の加圧装置3で加圧された非金属イオンを含有する超純
水は第2の配管7をとおりジェットノズル8に輸送され
、ジェットノズル8の先端からジェット水流10として
噴出される。一方、表面を洗浄すべきウェーハ21は真
空吸着等の方法により回転台22に固定され、この回転
台22によりウェーハ21も回転する。従って、ジェッ
ト水流10は回転するウェーハ21の表面にほぼ均等に
吹き付けられる。
−ト記表面に噴射される非金属イオン源の量は圧力制御
バルブ5の制御により可能になる。
バルブ5の制御により可能になる。
なお、実際に回転台22が回転する速さは、4、OOO
RPMとし、前記超純水の加圧を120 kg / C
112とすれば、ウェーハ21の表面に付着したゴミは
サブミクロンレベルまでのものを除去することができる
。
RPMとし、前記超純水の加圧を120 kg / C
112とすれば、ウェーハ21の表面に付着したゴミは
サブミクロンレベルまでのものを除去することができる
。
第2図は本発明の第二の実施例を説明するためのジェッ
ト噴射装置の構成図である。前記第一の実施例との違い
は加圧装置の後に且つ非金属イオンを液体として供給す
る点にある。
ト噴射装置の構成図である。前記第一の実施例との違い
は加圧装置の後に且つ非金属イオンを液体として供給す
る点にある。
第2図に示すように、超純水装置1で製造された超純水
は第一の配管2.第一の加圧装置3を介して第二の配管
7に輸送される。また、この第二の配管7に設けられた
分岐11とこの分岐11に接続された第二の加圧装置1
2を介して非金属イオン源となるNH4OH容器13が
接続される。
は第一の配管2.第一の加圧装置3を介して第二の配管
7に輸送される。また、この第二の配管7に設けられた
分岐11とこの分岐11に接続された第二の加圧装置1
2を介して非金属イオン源となるNH4OH容器13が
接続される。
これにより、この配線7の先端に接続されたジェットノ
ズル8よりジェットノズル8に対向して設けられたウェ
ーハ表面21に非金属イオンを含むジェット水流が吹き
付けられる。即ち、この洗浄すべきウェーハ21は真空
吸着等の方法で回転台22に固定し回転台とともに回転
するので、NH4014を混合した超純水のジェット水
流10を回転するウェーハ21の表面にほぼ均一に吹き
付けることができる。この第二の実施例では、超純水に
添加される非金属イオン源が液体であるため、超純水に
容易に溶は込みかつ気泡が発生しないという利点がある
。
ズル8よりジェットノズル8に対向して設けられたウェ
ーハ表面21に非金属イオンを含むジェット水流が吹き
付けられる。即ち、この洗浄すべきウェーハ21は真空
吸着等の方法で回転台22に固定し回転台とともに回転
するので、NH4014を混合した超純水のジェット水
流10を回転するウェーハ21の表面にほぼ均一に吹き
付けることができる。この第二の実施例では、超純水に
添加される非金属イオン源が液体であるため、超純水に
容易に溶は込みかつ気泡が発生しないという利点がある
。
し発明の効果〕
以上説明したように、本発明は一旦極限まで溶解不純物
、浮遊物を除去した超純水に非金属イオン(第一の実施
例ではCo、−−1第二の実施例ではNIM>を3有さ
せ加圧装置とジエツ1へノズルによりジェット水流化し
、基板表面に吹きつける工程を含むことにより、超純水
の抵抗率を20M V / (,1mから一桁低い2
M V / C1mに下げてジェット水流中で水分子ど
うしの1↑擦により発生する静電気を緩和できるので、
ジェット水流によるウェーハ表面のゴミ除去能力を低下
させることなく、集積回路を構成する1〜ランジスタの
破壊を有効に防市できる集積回路装置の製造方法を得ら
れる効果がある。
、浮遊物を除去した超純水に非金属イオン(第一の実施
例ではCo、−−1第二の実施例ではNIM>を3有さ
せ加圧装置とジエツ1へノズルによりジェット水流化し
、基板表面に吹きつける工程を含むことにより、超純水
の抵抗率を20M V / (,1mから一桁低い2
M V / C1mに下げてジェット水流中で水分子ど
うしの1↑擦により発生する静電気を緩和できるので、
ジェット水流によるウェーハ表面のゴミ除去能力を低下
させることなく、集積回路を構成する1〜ランジスタの
破壊を有効に防市できる集積回路装置の製造方法を得ら
れる効果がある。
また、ウェーハを回転しなからジェッI・水流を供給す
ることは、ウェーハ表面にムラなく吹き付けるために必
要であるが、さらにジエ・ソト水流停止後もウェーハを
回転させれば遠心力によりウェーハ表面に残る純水を除
去し乾燥する効果もある。
ることは、ウェーハ表面にムラなく吹き付けるために必
要であるが、さらにジエ・ソト水流停止後もウェーハを
回転させれば遠心力によりウェーハ表面に残る純水を除
去し乾燥する効果もある。
第1図は本発明の第一の実施例を説明するジェッl−水
流噴射装置の構成図、第2図は同じく本発明の第二の実
施例を説明する構成図である。
流噴射装置の構成図、第2図は同じく本発明の第二の実
施例を説明する構成図である。
Claims (1)
- 半導体基板の一主表面に集積回路装置を形成する際に前
記基板表面を洗浄する工程を含む集積回路装置の製造方
法において、前記半導体基板を回転させつつ非金属イオ
ンを含有する純水を加圧装置とジェットノズルによりジ
ェット水流化し、前記基板表面に吹きつけ表面を洗浄す
る工程を含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25734286A JPS63110639A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25734286A JPS63110639A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63110639A true JPS63110639A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17305034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25734286A Pending JPS63110639A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63110639A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02251275A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-09 | Yamaha Corp | ウェハの洗浄方法 |
JPH0487638U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | ||
US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
US5934566A (en) * | 1995-05-26 | 1999-08-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and washing method |
JP2003065081A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスタービン入口温度の制御方法および推定方法 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25734286A patent/JPS63110639A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02251275A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-09 | Yamaha Corp | ウェハの洗浄方法 |
JPH0487638U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | ||
US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
US5934566A (en) * | 1995-05-26 | 1999-08-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and washing method |
US6048409A (en) * | 1995-05-26 | 2000-04-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and washing method |
JP2003065081A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスタービン入口温度の制御方法および推定方法 |
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