KR960043000A - 세정장치 및 세정방법 - Google Patents
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Abstract
〔목적〕본 발명은, 기판상의 오염물을 효과 있게 제거 할수 있도록 개량된 장치를 제공하는 것이다.
〔구성〕해당 장치는, 액체의 방울(21)을 기판(1)에 향해서 분출하는 분출노즐(11)을 구빈한다. 분출노즐(11)에는, 액체공급수단(23) 및 가스 공급수단(22)가 접속된다. 분출노즐(11)내에는, 분출노즐(11)에 공급된 액체와 기체와를 혼합하며, 액체를 액체의 방울(21)로 바꾸는 혼합수단이 설치되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예 1에 관련한 세정장치의 개념도.
Claims (25)
- 기판(1)의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거한 세정장치에 있어서, 액체의 방울을 상기 기판을 향해서 분출하는 분출노즐(11)과, 상기 분출 노즐(11)에 접속되고, 그 분출노즐(11)에 액체를 공급하는 액체공급수단(23)과, 상기 분출노즐에 접속되고, 그 분출노즐(11)에 기체를 공급하는 가스공급수단과, 상기 분출노즐(11)에 설치되고, 그 분출노즐(11)에 상기 액체와 상기 기체와를 혼합하고, 상기 액체의 방울로 바꾸는 혼합수단을 구비하는 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분출노즐(11) 및 상기 혼합수단은, 그 속을 상기 기체가 통과하는 제1의 관로(30)와, 상기 제 1의 관로의 외측으로부터, 상기 제1의 관로(30)의 측벽을 관통하고, 그 제1의 관로내까지, 그 선단부가 뻗고, 그 속을 상기 액체가 통과하는 제2의 관로(31)를 구비하며, 상기 제2의 관로의 상기 선단부는 상기 제1의 관로(30)가 뻗는 방향과 같은 방향으로 뻗고있는 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분출노즐이, 복수개, 똑같은 간격으로 서로교차 하지 않도록 설치되어 있는 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분출노즐(11) 및 상기 혼합수단은 제1의 관로(41)와, 상기 제1의 관로(41)보다도 지름이 크고, 상기 제1의 관로(41)의 상기 제2의 관로(42)와의 사이에서 공간을 형성하도록, 그 제1의 관로를 포함하는 제2의 관로(42)와, 상기 제2의 관로(42)의 외측으로부터, 상기 제1의 관로(41) 및 제2의 관로(42)의 측벽을 관통하고, 상기 제1의 관로(41)에 까지, 그 선단이 뻗어있는 제3의 관로(43)를 구비하며, 상기 제3의 관로(43)내를 상기 액체가 지나가며, 상기 제1 및 제2의 관로(41,42)내를 상기 기체가 통과하는 것을 포함하는 세정장치.
- 제4항에 있어서, 상기 제3의 관로(43)의 상기 선단부는 상기 제1의 관로(41)가 뻗는 방향으로 뻗고 있으며, 상기 제3의 관로(43)의 상기 선단이 신축가능하게 되어 있는 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분축노즐(11) 및 상기 혼합수단은 상기 제1의 관로(44)와, 상기 제1의 관로의 외측으로부터, 그 제1의 관로(44)의 측벽을 관통하며, 그 선단부가 상기 제1의 관로(44)내에 까지 뻗고, 또한 그 제1의 관로(44)가 뻗는 방향으로 뻗고 있는 제2의 관로(45)와, 상기 제2의 관로(45)의 외측으로부터,그 제2의 관로(45)의 측벽을 관통하고, 그 선단부가 그 제2의 관로(45)내에까지 뻗어 또한 그 제2의 관로(45)가 뻗는 방향으로 뻗고 있는 제3의 관로(46)를 구비하고, 상기 제2의 관로내에 상기 액체가 공급되고, 상기 제1 및 제3의 관로(44,46)내에 상기 기체가 공급되고 있는 것을 포함하는 세정장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제2의 관로(31)의 액체분출구로부터 상기 제1의 관로(30)의 기체분출구까지의 거리는 70㎜이상인 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 액체 공급수단(23)은 상기 액체 공급압력을 제어하는 수단을 더 포함하고, 상기 가스 공급수단(22)은 상기 기체의 공급압력을 제어하는 수단을 더 포함하는 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분출노즐에 연결되고, 상기 액체의 방울이 상기 기판에 충돌하는 각도를 제어하는 수단을 더 포함하는 세정장치.
- 기판표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 장치에 있어서, 약액을 상기 기판(51)에 향해서 공급하는 약액공급 노즐(45)과, 순수 액체의 방울을 상기 기판(51)에 향해서 분출하는 분출노즐(41)과, 상기 분출 노즐(41)에 접속되고, 그 분출 노즐(41)내에 가스를 공급하는 가스 공급수단과, 상기 분출 노즐(41)내에 설치되고, 그 분출 노즐(41)내에 공급된 상기 순수와 상기 가스와를 혼합하고, 상기 순수를 액체의 방울로 바꾸는 혼합수단(42)를 구비한 세정장치.
- 기판의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 장치에 있어서, 액체의 방울을 상기 기판(49)에 향해서 분출하는 분출노즐(41)과, 상기 분출노즐에 접속되고, 그 분출노즐내에 순수를 공급하기 위한, 제1의 개폐밸브(43)를 가지는 순수공급수단과, 상기 분출노즐(41)에 접속되며, 그 분출노즐(41)내에 약액을 공급하기 위한 제2의 개폐밸브(47)를 가지는 약액공급 수단과, 상기 분출노즐(41)에 접속되며, 그 분출노즐(41)내에 가스를 공급하는 공급수단과, 상기 분출노즐(41)내에 설치되며, 상기 순수 또는 상기 액체와, 상기 가스와를 혼합하고, 상기 순수의 액체의 방울로 바꾸는 혼합수단(42)을 구비하는 세정장치.
- 기판의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정방법에 있어서, 분출노즐(11)의 분출구를 기판(1)에 향하게 하는 공정과, 상기 분출 노즐(11)내에 액체를 공급하는 공정과, 상기 분출 노즐내(11)에 가스를 공급하는 공정과, 상기 분출 노즐(11)에서 상기 액체와 상기 기체와를 혼합하여 얻어진 액체의 방울을 상기 분출구에서 분출하는 공정을 구비한 세정방법.
- 제12항에 있어서, 상기 액체를 상기 분출 노즐(11)내에 공급하는 압력을 1~10kg/㎠로 하고, 상기 기체를 상기 분출 노즐(11)내에 공급하는 압력을 1~10kg/㎠로하는 세정방법.
- 제12항에 있어서,상기 액체를 상기 분출 노즐(11)내에 공급하는 압력을 2~4kg/㎠로 하는 세정방법.
- 제12항에 있어서, 상기 액체를 상기 분출 노즐(11)내에 공급하는 압력을 4~8kg/㎠로 하고,상기 기체를 상기 분출 노즐(11)내에 공급하는 압력을 4~8kg/㎠로 하는 세정방법.
- 제12항에 있어서, 상기 액체의 방울의 입경이 0.01㎛~1000㎛이 되도록, 상기 액체 및 상기 가스의 공급압력을 제어하는 세정방법.
- 제16항에 있어서, 상기 액체의 방울의 입경이0.1㎛~1000㎛이 되도록, 상기 액체 및 상기 가스의 공급압력을 제어하는 세정방법.
- 제17항에 있어서,상기 액체의 방울의 입경이 1㎛~100㎛이 되도록, 상기 액체 및 상기 가스의 공급압력을 제어하는 세정방법.
- 제12항에 있어서, 상기 액체의 방울이 상기 기판에 충돌하는 속도가 10~100m/sec가 되도록, 상기 가스의 공급압력을 제어하면서 행하는 세정방법.
- 제12항에 있어서, 상기 액체의 방울이 상기 기판에 충돌하는 속도가 100~330m/esc가 되도록, 상기 가스의 공급압력을 제어하면서 행하는 세정방법.
- 제12항에 있어서,상기 액체의 방울이 상기 기판에 충돌하는 각도를15~90°로 제어하면서 행하는 세정방법.
- 제12항에 있어서,상기 액체로서,순수보다 밀도가 큰것을 사용하여 행하는 세정방법.
- 상기의 표면을 세정액으로 세정하는 공정과, 상기 기판의 표면에,순수의 액체의 방울을 분출하는 공정을 구비한 세정방법.
- 기판상에 세정액의 액체의 방울을 분출하는 공정을 구비하는 세정방법.
- 기판상에 세정액의 액체의 방울을 분출하는 공정과, 상기 기판상에 순수한 액체의 방울을 분출하는 공정을 구비한 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (108)
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JP3200528B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2001-08-20 | 三菱電機株式会社 | ドライエッチングの後処理方法 |
US6354786B1 (en) * | 1996-09-20 | 2002-03-12 | Monroe Truck Equipment Inc. | Combined dump truck and spreader apparatus |
JP3315611B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2002-08-19 | 三菱電機株式会社 | 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置 |
US20040007255A1 (en) * | 1997-06-20 | 2004-01-15 | Labib Mohamed Emam | Apparatus and method for cleaning pipelines, tubing and membranes using two-phase flow |
JP3676912B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2005-07-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
DE19737854C2 (de) * | 1997-08-29 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise Poliertüchern, insbesondere für das Polieren von Wafern |
EP0974357A1 (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-26 | Schering-Plough | Chemokines as adjuvants of immune response |
US6150240A (en) * | 1998-07-27 | 2000-11-21 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for singulating semiconductor devices |
JP3702668B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2005-10-05 | 株式会社村田製作所 | 電子部品チップ供給装置 |
US6090217A (en) | 1998-12-09 | 2000-07-18 | Kittle; Paul A. | Surface treatment of semiconductor substrates |
EP1235653A1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-09-04 | Gary W. Ferrell | Improvements in drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases |
JP2001237208A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置 |
AU2001250358A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-15 | Johnsondiversey, Inc. | Method and apparatus for generating water sprays, and methods of cleaning using water sprays |
DE10017240A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-11 | Bsh Bosch Siemens Hausgeraete | Verfahren zur Reinigung von Reinigungsstrahlen |
JP3939077B2 (ja) | 2000-05-30 | 2007-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2002011420A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理装置 |
DE10033395B4 (de) * | 2000-07-08 | 2006-04-13 | Kidde-Deugra Brandschutzsysteme Gmbh | Verfahren zum Bekämpfen eines Brandes und Brandbekämpfungseinrichtung |
US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7479205B2 (en) * | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
JP2002114993A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
US6705331B2 (en) | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
JP3865602B2 (ja) | 2001-06-18 | 2007-01-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP4210045B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2009-01-14 | 横河電機株式会社 | 洗浄装置 |
JP4942263B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2012-05-30 | ラムリサーチ株式会社 | 洗浄装置 |
JP4011900B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6624060B2 (en) * | 2002-01-12 | 2003-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
JP4074814B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8469295B2 (en) * | 2002-02-15 | 2013-06-25 | Implant Sciences Corporation | Trace chemical particle release nozzle |
JP4349606B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法 |
US6812156B2 (en) * | 2002-07-02 | 2004-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method to reduce residual particulate contamination in CVD and PVD semiconductor wafer manufacturing |
US7524771B2 (en) | 2002-10-29 | 2009-04-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method using alkaline solution and acid solution |
MXPA05007154A (es) * | 2002-12-30 | 2005-09-21 | Nektar Therapeutics | Atomizador prepeliculizacion. |
JP4187540B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-11-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
JP2004340433A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Tokai Engineering Co Ltd | 熱交換コイル内洗浄方法 |
US20040235308A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus |
JP4118194B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2008-07-16 | 横河電機株式会社 | 洗浄装置 |
US7913703B1 (en) | 2003-06-27 | 2011-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate |
US7799141B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-09-21 | Lam Research Corporation | Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound |
US8316866B2 (en) * | 2003-06-27 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US7737097B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution |
US20040261823A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases |
US7648584B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing contamination from substrate |
US8522801B2 (en) * | 2003-06-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
JP4357225B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7431040B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate |
US7476290B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7416370B2 (en) * | 2005-06-15 | 2008-08-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid |
US7862662B2 (en) * | 2005-12-30 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Method and material for cleaning a substrate |
US7568490B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
US8043441B2 (en) * | 2005-06-15 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids |
US8522799B2 (en) * | 2005-12-30 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning a substrate |
US8323420B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
JP4007980B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2007-11-14 | エス・イー・エス株式会社 | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 |
KR100625315B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 세정액 공급 장치 및 방법 |
US7921859B2 (en) | 2004-12-16 | 2011-04-12 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool |
KR101316769B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2013-10-15 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치 |
JP2007157898A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
SG154438A1 (en) * | 2005-12-30 | 2009-08-28 | Lam Res Corp | Cleaning compound and method and system for using the cleaning compound |
JP4763575B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4753757B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-08-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4767138B2 (ja) | 2006-09-13 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 |
TW200739710A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
GB0610578D0 (en) * | 2006-05-27 | 2006-07-05 | Rolls Royce Plc | Method of removing deposits |
WO2008008216A2 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Liquid aerosol particle removal method |
KR101191337B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2012-10-16 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 워크피스를 처리하는데 사용되는 장치용 배리어 구조물 및 노즐장치 |
US20080148595A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas |
US7897213B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-03-01 | Lam Research Corporation | Methods for contained chemical surface treatment |
JP5120064B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-01-16 | 株式会社中村超硬 | メタル版の洗浄方法 |
GB0710663D0 (en) | 2007-06-04 | 2007-07-11 | Pursuit Dynamics Plc | An improved mist generating apparatus and method |
JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2009020524A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
KR100862231B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2008-10-09 | 세메스 주식회사 | 세정액 분사 장치 및 이를 갖는 기판 세정 장치 |
US8084406B2 (en) | 2007-12-14 | 2011-12-27 | Lam Research Corporation | Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media |
KR101690047B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-12-27 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법 |
JP4972607B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP5352144B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2013-11-27 | 株式会社荏原製作所 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
JP5058100B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2012-10-24 | 川崎重工業株式会社 | 高圧洗浄液噴射式洗浄装置 |
JP5261077B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US8114221B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-02-14 | Princeton Trade & Technology, Inc. | Method and composition for cleaning tubular systems employing moving three-phase contact lines |
US8226774B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-07-24 | Princeton Trade & Technology, Inc. | Method for cleaning passageways such an endoscope channels using flow of liquid and gas |
US8056832B2 (en) * | 2008-10-30 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Jetspray nozzle and method for cleaning photo masks and semiconductor wafers |
JP2010192673A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5520511B2 (ja) * | 2009-04-07 | 2014-06-11 | サムスン電機ジャパンアドバンスドテクノロジー株式会社 | ディスク駆動装置の生産方法及びディスク駆動装置 |
JP5585076B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-09-10 | 栗田工業株式会社 | 洗浄方法 |
US20130034966A1 (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") | Chemical dispersion method and device |
US20130068248A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") | Semiconductor device cleaning method |
JP5912393B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2016-04-27 | Jfeエンジニアリング株式会社 | 噴霧ノズル及び気体と液体との混合方法 |
JP5396460B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10279365B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-05-07 | Progressive Surface, Inc. | Thermal spray method integrating selected removal of particulates |
US20130284203A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Progressive Surface, Inc. | Plasma spray apparatus integrating water cleaning |
JP5586734B2 (ja) | 2012-08-07 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP6250924B2 (ja) | 2012-10-02 | 2017-12-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および研磨装置 |
KR20140046631A (ko) * | 2012-10-09 | 2014-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 장치 |
US10081767B2 (en) * | 2012-10-25 | 2018-09-25 | Shell Oil Company | Feed nozzle assembly for a catalytic cracking reactor |
JP5543633B2 (ja) | 2012-11-26 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP6093569B2 (ja) | 2012-12-28 | 2017-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
JP5977727B2 (ja) | 2013-11-13 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
JP6308910B2 (ja) | 2013-11-13 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
SG10201407598VA (en) | 2013-11-19 | 2015-06-29 | Ebara Corp | Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus |
JP6282850B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-02-21 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板処理装置 |
JP6339351B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板処理装置 |
US9718075B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-08-01 | United Technologies Corporation | Suspension plasma injector system and method of flushing the system |
JP6757030B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2020-09-16 | 日本リニューアル株式会社 | 給湯銅管へのライニング工法 |
KR102066790B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2020-01-15 | 주식회사 웨코 | 나노 버블을 이용한 세정액 제조장치 및 제조방법 |
KR102319645B1 (ko) * | 2019-11-22 | 2021-11-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7417191B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP7429595B2 (ja) * | 2020-05-07 | 2024-02-08 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3050262A (en) * | 1960-12-12 | 1962-08-21 | Curtis Automotive Devices Inc | Nozzle for production of fog or mist |
US4027686A (en) * | 1973-01-02 | 1977-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water |
US4982753A (en) * | 1983-07-26 | 1991-01-08 | National Semiconductor Corporation | Wafer etching, cleaning and stripping apparatus |
JPS63110639A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Nec Corp | 集積回路装置の製造方法 |
US4787404A (en) * | 1987-06-12 | 1988-11-29 | International Business Machines Corporation | Low flow rate-low pressure atomizer device |
US4809911A (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-07 | John Ryan | High pressure mixing and spray nozzle apparatus and method |
US5181985A (en) * | 1988-06-01 | 1993-01-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers |
JPH0712035B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1995-02-08 | 三菱電機株式会社 | 噴流式液処理装置 |
JPH03186369A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-14 | Nec Corp | 薬液噴霧ノズル |
FR2655887B1 (fr) * | 1989-12-20 | 1992-03-06 | Sochata Snecma | Procede d'enlevement d'un revetement sur pieces par projection d'un jet d'eau sous haute tension. |
DE9013724U1 (de) * | 1990-10-02 | 1992-02-06 | HAMATECH Halbleiter-Maschinenbau und Technologie GmbH, 7137 Sternenfels | Vorrichtung für die Behandlung von Substraten |
JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
US5456758A (en) * | 1993-04-26 | 1995-10-10 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
JP3415670B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2003-06-09 | 三菱電機株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12798495A patent/JP3504023B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-12 TW TW084105957A patent/TW423068B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-11-28 DE DE19544353A patent/DE19544353C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-10 KR KR1019960015435A patent/KR100227018B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-08-11 US US08/908,001 patent/US5934566A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-25 US US08/917,103 patent/US6048409A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3504023B2 (ja) | 2004-03-08 |
KR100227018B1 (ko) | 1999-10-15 |
TW423068B (en) | 2001-02-21 |
JPH08318181A (ja) | 1996-12-03 |
DE19544353A1 (de) | 1996-11-28 |
DE19544353C2 (de) | 2002-10-31 |
US6048409A (en) | 2000-04-11 |
US5934566A (en) | 1999-08-10 |
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