因此本發明提供可用於製造電子裝置之功能層的混合物，其包含至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2，其特徵在於該化合物OSM1及OSM2彼此互為結構異構物(constitutional isomer)。 結構異構物為具有相同實驗通式但其構造(亦即其結構)不同的化合物，而使得彼等可具有不同的原子順序及/或不同的鍵。因此結構異構物根本上不同於立體異構物(其包括鏡像異構物及非鏡像異構物二者)。結構異構物於許多情況下分群成官能性異構物、骨架異構物、位置異構物及鍵結異構物。在官能性異構物及鍵結異構物的情況下，化合物可具有不同的反應性；例如，乙醇包含羥基，而構造異構性的二甲基醚具有醚基。骨架異構物及位置異構物的不同處在於官能基的分支及/或位置，而使得這些結構異構物本質上可具有相同的官能性。因此詞語"本質上相同的官能性"意指基礎官能基亦即例如羥基、苯基環或酯基係存在於所有結構異構物中，但並未考慮到這些基團因為不同取代所致之反應性的改變。例如，1-正丁醇及三級丁醇由於立體化學而使反應性有可測量的差異，但官能基本身是相同的。然而，在這方面，術語"本質上相同的官能性"所涵蓋之可測量的差異會被忽略，因為本情況中之二種化合物均具有羥基官能性之故。另一方面，丙炔具有一個炔官能性，而丙二烯具有二個烯官能性。烯與炔相比，於本發明上下文中具有不同的官能性，因為彼等例如顯現不同的酸度之故。因此，丙炔與丙二烯相比，並不具有"本質上相同的官能性"。 較佳混合物包含具有本質上相同的官能性之至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2。因此，較佳有機官能性化合物OSM1及OSM2為結構異構物但不是官能性異構物，而是骨架異構物及/或位置異構物。本發明之另一組態中，該混合物可較佳地包含至少三種，更佳地至少四種官能性化合物OSM1、OSM2、OSM3及/或OSM4，其中上下文所示之詳述有關包含至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2之混合物的較佳實施態樣亦相應地適用於包含多於二種有機官能性化合物之混合物。 可用於製造電子裝置之功能層的本混合物中存在之二種有機官能性化合物OSM1及OSM2較佳地可選自由以下所組成之群組：螢光發射體、磷光發射體、顯現TADF (熱活化延遲螢光)之發射體、主體材料、電子傳輸材料、激子阻擋材料、電子注入材料、電洞導體材料、電洞注入材料、n-摻雜劑、p-摻雜劑、寬能帶間隙材料、電子阻擋材料及/或電洞阻擋材料。 本發明混合物之該至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2較佳地可具有相同數目之各具5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中該環系統之縮合程度相同且該環系統本質上具有相同之取代基。 可能較佳的情況是，該至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2各自具有至少二種各具5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中該至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2之不同處在於所述之至少二種芳族或雜芳族環系統於不同位置彼此連結。 另一組態中，本發明之混合物可包含至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2，該OSM1及OSM2各自選自由以下所組成之群組：苯基、茀、茚并茀(indenofluorene)、螺雙茀、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三、內醯胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩(dibenzothiene)、咪唑、苯并咪唑、苯并唑、苯并噻唑、5-芳基啡啶-6-酮(5-arylphenanthridin-6-one)、9,10-脫氫菲(9,10-dehydrophenanthrene)、螢蒽(fluoranthene)、蒽、苯并蒽、茚并茀(fluoradene)。 較佳地，該有機官能性化合物OSM1可包含至少一種官能性結構元件及至少一個取代基S1，且該有機官能性化合物OSM2可包含至少一種官能性結構元件及至少一個取代基S2，其中該有機官能性化合物OSM1之官能性結構元件及該有機官能性化合物OSM2之官能性結構元件相同。 另外可能的情況為，該有機官能性化合物OSM1中之該取代基S1結合至官能性結構元件的位置不同於該有機官能性化合物OSM2中之該取代基S2結合至官能性結構元件的位置。 另一實施態樣中，可能的情況為，該有機官能性化合物OSM1之取代基S1與該有機官能性化合物OSM2之取代基S2彼此互為結構異構物。 取代基S1及S2可依所需選擇，但較佳是選自增溶基、可交聯基及/或官能基，例如電洞傳輸基、電子傳輸基、主體材料基或寬能帶間隙基。這些基團將詳盡地於稍後說明，所以在其中提及。 較佳組態中，本發明之混合物可包含至少一種有機官能性化合物OSM1及至少一種有機官能性化合物OSM2，各者分別符合通式(I)：其中所用之符號如下： A 為第一種官能性結構元件； B 為第二種結構元件，且 q 為1至20範圍內之整數，較佳地為1至10，特佳地為1至5，且尤佳地為1、2或3，且 r 為0至20範圍內之整數，較佳地為1至10，特佳地為1至5，且尤佳地為1、2或3， 其中q及r之總數為至少2，且如果q或r為2或更大，則A或B各自為相同或不同， 其中該二種結構異構物OSM1及OSM2之不同處在於至少一種結構元件結合至另一結構元件的位置不同。 q及r之總數為至少2，且較佳地2至20之範圍內，較佳地為2至10，特佳地為2至5，且尤佳地為2、3或4。 較佳組態中，本發明之混合物可含有至少一種有機官能性化合物OSM1及至少一種有機官能性化合物OSM2，各者分別含有至少一種式(II)結構，較佳地符合此化學式：X 於每一情況為相同或不同且為N或CR1
，較佳地為CR1
，或為C (如果A或B基鍵結至此原子)，前提是一個環中不多於二個X基為N； W 為O、S、NR1
、NA、NB、C(R1
)2
、CR1
A、C(A)2
、CR1
B、C(B)2
、CAB、-R1
C=CR1
-、 -R1
C=CA-、-AC=CA-、-R1
C=CB-、-BC=CB-、 -BC=CA-、SO、SO2
、SiR1 2
或C=O； m 於每一情況獨立地為0、1、2、3或4，較佳地為0、1或2，前提是每個環中之標號m的總數不大於4，較佳地不大於2； A 為第一種官能性結構元件，較佳地為於每一情況中具5至40個環原子且可經一或多個R1
取代基取代之芳族或雜芳族環系統； B 為第二種結構元件，較佳地為於每一情況中具5至40個環原子且可經一或多個R1
取代基取代之芳族或雜芳族環系統； R1
於每一情況為相同或不同且為H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2
、N(Ar1
)2
、N(R2
)2
、C(=O)Ar1
、C(=O)R2
、P(=O)(Ar1
)2
、P(Ar1
)2
、B(Ar1
)2
、B(OR2
)2
、Si(Ar1
)3
、Si(R2
)3
、具1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具2至40個碳原子之烯基(各者分別可經一或多個R2
基取代，且其中一或多個非相鄰CH2
基可經 -R2
C=CR2
-、-C≡C-、Si(R2
)2
、Ge(R2
)2
、Sn(R2
)2
、C=O、C=S、C=Se、C=NR2
、-C(=O)O-、-C(=O)NR2
-、NR2
、P(=O)(R2
)、-O-、-S-、SO或SO2
替代且其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2
替代)、或具5至40個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個R2
基取代之芳族或雜芳族環系統、或具5至40個芳族環原子且可經一或多個R2
基取代之芳氧基或雜芳氧基、或具5至40個芳族環原子且可經一或多個R2
基取代之芳烷基或雜芳烷基、或這些系統之組合；同時，二或多個較佳地為相鄰之R1
基可一起形成單環或多環之脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統； Ar1
於每一情況為相同或不同且為具5至30個芳族環原子且可經一或多個非芳族R2
基取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至同一個矽原子、氮原子、磷原子或硼原子之兩個Ar1
基亦可以經由橋藉單鍵或選自B(R2
)、C(R2
)2
、Si(R2
)2
、C=O、C=NR2
、C=C(R2
)2
、O、S、S=O、SO2
、N(R2
)、P(R2
)及P(=O)R2
的橋連結一起； R2
於每一情況為相同或不同且為H、D、F、Cl、Br、I、CN、B(OR3
)2
、NO2
、C(=O)R3
、CR3
=C(R3
)2
、C(=O)OR3
、C(=O)N(R3
)2
、Si(R3
)3
、P(R3
)2
、B(R3
)2
、N(R3
)2
、NO2
、P(=O)(R3
)2
、OSO2
R3
、OR3
、S(=O)R3
、S(=O)2
R3
、具1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(各者分別可經一或多個R3
基取代，且其中一或多個非相鄰CH2
基可經 -R3
C=CR3
-、-C≡C-、Si(R3
)2
、Ge(R3
)2
、Sn(R3
)2
、C=O、C=S、C=NR3
、-C(=O)O-、 -C(=O)NR3
-、NR3
、P(=O)(R3
)、-O-、-S-、SO或SO2
替代且其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2
替代)、或具5至40個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個R3
基取代之芳族或雜芳族環系統、或具5至40個芳族環原子且可經一或多個R3
基取代之芳氧基或雜芳氧基、或這些系統之組合；同時，二或多個較佳地為相鄰之R2
取代基亦可一起形成單環或多環之脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統； R3
於每一情況為相同或不同且選自由以下所組成之群組：H、D、F、CN、具1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN替代且其可經一或多個各具1至4個碳原子之烷基取代)；同時，二或多個較佳地為相鄰之R3
取代基亦可一起形成單環或多環之脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統； 前提是式(II)結構包含至少一個A及/或B基。較佳地，式(II)結構包含至少一個A基。 A及/或B基之總數較佳地為2至10，特佳地為2至5，且尤佳地為2、3或4。 本發明上下文中之相鄰碳原子為彼此直接鍵結之碳原子。此外，基團定義中之"相鄰基團(adjacent radical)"意指這些基團係鍵結至同一個碳原子或鍵結至相鄰碳原子。這些定義尤其相應地適用於術語"相鄰基團(adjacent groups)"及"相鄰取代基"。 本說明書上下文中之用語"二或多個基團可一起形成環"應理解為尤其意指該二個基團係藉由化學鍵彼此連結且形式上排除兩個氫原子。此乃藉由下列反應圖闡明：然而，除此之外，上述用語應亦理解為意指如果該二個基團中之一者為氫，則第二個基團係結合至該氫原子所鍵結的位置以形成環。此應藉由下列反應圖闡明：本發明上下文中之稠合芳基、稠合芳族環系統或稠合雜芳族環系統為其中二或多個芳族基彼此沿著共同的邊稠合(亦即增環(annellated))而使得(例如)兩個碳原子隸屬於至少兩個芳族或雜芳環的基團，例如於萘中的情況。對照之下，例如，茀在本發明上下文中不是稠合芳基，因為茀中的兩個芳族基並不具有共同的邊。相應之定義適用於雜芳基，及適用於可能但不必亦含有雜原子的稠合環系統。 本發明上下文中之芳基含有6至60個碳原子，較佳地6至40個碳原子；本發明上下文中之雜芳基含有2至60個碳原子，較佳地2至40個碳原子，及至少一個雜原子，前提是碳原子及雜原子的總數為至少5。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此處要理解為意指簡單芳族環，亦即苯，或簡單雜芳族環例如吡啶、嘧啶、噻吩等等，或稠合芳基或雜芳基例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等等。 本發明上下文中之芳族環系統於環系統中含有6至60個碳原子，較佳地6至40個碳原子。本發明上下文中之雜芳族環系統於環系統中含有1至60個碳原子，較佳地1至40個碳原子，及至少一個雜原子，前提是碳原子及雜原子的總數為至少5。雜原子較佳地選自N、O及/或S。本發明上下文中之芳族或雜芳族環系統應理解為意指系統未必僅含有芳基或雜芳基，其中亦可以有複數個芳基或雜芳基被非芳族單元(較佳地小於10%之非氫的原子)例如碳、氮或氧原子或羰基***。故例如，諸如9,9’-螺雙茀、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、茋等等系統在本發明上下文中亦應視為芳族環系統，且同樣地其中二或多個芳基例如被直鏈或環狀烷基或被矽基***的系統亦如是。此外，其中二或多個芳基或雜芳基彼此直接鍵結之系統例如聯苯、聯三苯、聯四苯或聯吡啶同樣地應視為芳族或雜芳族環系統。 本發明上下文中之環狀烷基、烷氧基或烷硫基要理解為意指單環、雙環或多環基。 本發明上下文中，其中個別氫原子或CH2
基亦可被上述基團替代之C1
-至C20
-烷基要理解為意指例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、三級戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、二級己基、三級己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)環己-1-基、1-(正丁基)環己-1-基、1-(正己基)環己-1-基、1-(正辛基)環己-1-基及1-(正癸基)環己-1-基。烯基要理解為意指例如，乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基或環辛二烯基。炔基要理解為意指例如，乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1
-至C40
-烷氧基要理解為意指例如，甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基或2-甲基丁氧基。 芳族或雜芳族環系統，其具有5至60個芳族環原子，較佳地5-40個芳族環原子，且亦可於每一情況中經上述基團取代且其可經由任何期望位置連結至芳族或雜芳族系統者，要理解為意指例如衍生自下列之群組：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、、苝、螢蒽(fluoranthene)、苯并螢蒽、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、伸聯苯、聯三苯、伸聯三苯、茀、螺雙茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、順-或反-單苯并茚并茀、順-或反-二苯并茚并茀、參茚并苯、異參茚并苯、螺參茚并苯、螺異參茚并苯、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻、啡 、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪坐、吡并咪唑、喹啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒、苯并嗒、嘧啶、苯并嘧啶、喹啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡、啡、啡 、啡噻、螢紅環、啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、喋啶、吲哚及苯并噻二唑。 較佳組態中，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可以式(I)及/或(II)之結構表示。較佳地，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2(包含式(I)及/或(II)結構)具有不大於5000 g/mol，較佳地不大於4000 g/mol，特佳地不大於3000 g/mol，尤佳地不大於2000 g/mol，且最佳地不大於1200 g/mol之分子量。 另外可能的情況為，取代基S1及取代基S2、或本發明化合物OSM1及OSM2中之結構元件A及/或B的至少一者於每一情況是選自由以下所組成之群組：苯基、鄰-、間-或對-聯苯基、聯三苯基(尤其是支鏈聯三苯基)、聯四苯基(尤其是支鏈聯四苯基)、1-、2-、3-或4-茀基、9,9'-二芳基茀基、1-、2-、3-或4-螺雙茀基、吡啶基、嘧啶基、1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基、1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基、芘基、三基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、1-、2-、3-或4-咔唑基、1-或2-萘基、蒽基(較佳是9-蒽基)、反-及順-茚并茀基(trans- and cis-indenofluorenyl)、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、螺咔唑基、5-芳基-啡啶-6-酮基(5-aryl-phenanthridin-6-on-yl)、9,10-脫氫菲基(9,10-dehydrophenanthrenyl)、螢蒽基(fluoranthenyl)、甲苯基、基(mesityl)、苯氧基甲苯基、苯甲醚基、三芳基胺基(triarylaminyl)、雙(三芳基胺基)(bis(triarylaminyl))、參(三芳基胺基(tris(triarylaminyl))、六甲基二氫茚基、四氫萘基、單環烷基、雙環烷基、三環烷基、烷基(例如三級丁基、甲基、丙基)、烷氧基、烷硫基、烷基芳基、三芳基矽基、三烷基矽基、基(xanthenyl)、10-芳基啡 基、菲基及/或伸聯三苯基，各者分別可經一或多個基團取代(但較佳是未經取代)，特佳的是苯基、螺雙茀、茀、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、伸聯三苯基。本上下文中，上文詳述之基團可被如上所述之R1
基取代。 另外可能的情況為，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2各自具有官能性結構元件，較佳是具有第一種官能性結構元件A，該第一種官能性結構元件A具有至少一個具5至40個環原子且可經一或多個取代基(較佳地一或多個S1、S2或R1
取代基)取代之芳族或雜芳族環系統。 較佳地，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可各自含有官能性結構元件，較佳地是含有第一種官能性結構元件A，該第一種官能性結構元件A是選自由以下所組成之群組：茀、茚并茀(indenofluorene)、螺雙茀、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三、內醯胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩(dibenzothiene)、咪唑、苯并咪唑、苯并唑、苯并噻唑、5-芳基啡啶-6-酮(5-arylphenanthridin-6-one)、9,10-脫氫菲(9,10-dehydrophenanthrene)、螢蒽(fluoranthene)，其中該官能性結構元件可經一或多個取代基(較佳地一或多個S1、S2或R1
取代基)取代。 較佳地，該有機官能性化合物OSM1及OSM2可各自包含至少二種官能基，其中該有機官能性化合物OSM1及OSM2之不同處在於此二種官能基於每一情況中係於不同位置彼此連結。較佳地，第二種結構元件可具有至少一個芳族或雜芳族環系統，各者分別具有5至40個環原子且可被一或多個取代基取代，較佳之取代基選自上下文所述之R1
基。較佳地，取代基S1及S2可選自上下文所述之R1
基。 可能較佳的情況是，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的官能性結構元件(較佳地第一種官能性結構元件A)選自電洞傳輸基、電子傳輸基、主體材料基及寬能帶間隙基。 另一實施態樣中，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2包含至少一種電洞傳輸基，這些基團為技藝中已知且於許多情況中選自芳基胺基(較佳地二-或三芳基胺基)、雜芳基胺基(較佳地二-或三雜芳基胺基)、咔唑基，且較佳是咔唑基。 可能較佳的情況是，電洞傳輸基、結構元件A或取代基S1或S2包含基團且較佳地為選自式(H-1)至(H-3)之基團： 其中虛線鍵標示連接位置，且 Ar2
、Ar3
、Ar4
各自獨立地為具有6至40個碳原子之芳基或具有3至40個碳原子之雜芳基，各者分別可經一或多個R1
基取代； p 為0或1，且 Z 為CR1 2
、SiR1 2
、C=O、N-Ar1
、BR1
、PR1
、POR1
、SO、SO2
、Se、O或S，較佳地為CR1 2
、N-Ar1
、O或S，其中R1
基具有上文提供之定義，且Ar1
表示具有5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可經一或多個R1
基取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可於每一情況中經一或多個R1
基取代之芳氧基、或具有5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可於每一情況中經一或多個R1
基取代之芳烷基，其中二或多個R1
取代基(較佳是相鄰的R1
取代基)隨意地可以形成可經一或多個R2
基取代之單環或多環之脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統。 另外可能的情況為，電洞傳輸基、結構元件A或取代基S1、S2包含基團且較佳地為選自式(H-4)至(H-26)之基團： 其中Y1
為O、S、C(R1
)2
或NAr1
，虛線鍵標示連接位置，e為0、1或2，j為0、1、2或3，h為0、1、2、3或4，p為0、1、2、3、4、5或6，較佳地為0、1、2或3，且更佳地為0、1或2，Ar1
及Ar2
具有上文提供之定義，尤其是式(H-1)或(H-2)提供之定義，且R1
具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。 基團(H-1)至(H-26)中，較佳的是咔唑基，尤其是基團(H-4)至(H-26)。 本發明之另一較佳實施態樣中，Ar2
為具5至14個芳族或雜芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，較佳地為具6至12個碳原子之芳族環系統，且其可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)，其中R1
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。更佳地，Ar2
為具6至10個芳族環原子之芳族環系統或具6至13個雜芳族環原子之雜芳族環系統，各者分別可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)，其中R1
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。 進一步較佳地，式(H-1)至(H-26)中之符號Ar2
尤其為具5至24個環原子，較佳地6至13個環原子，更佳地6至10個環原子之芳基或雜芳基，而使芳族或雜芳族環系統之芳族或雜芳族基團直接鍵結至其他基團的個別原子，亦即經由芳族或雜芳族基團之原子直接鍵結。 此外可能的情況為，作為電洞傳輸材料或主體材料之化合物OSM1或OSM2方面，式(H-1)至(H-26)中所示之Ar2
基包含具有不多於二個稠合芳族及/或雜芳族環之芳族環系統，較佳地並不包含任何稠合芳族或雜芳族環系統。因此，萘基結構優於蒽結構。此外，茀基、螺雙茀基、二苯并呋喃基及/或二苯并噻吩基結構優於萘基結構。特佳的是無稠合之結構，例如苯基、聯苯基、聯三苯基及/或聯四苯基結構。 用作為螢光發射體之化合物OSM1或OSM2亦可包含更高度稠合之環系統，諸如菲、或蒽或芘基。 適當芳族或雜芳族環系統Ar2
之實例是選自由以下所組成之群組：鄰-、間-或對-伸苯基、鄰-、間-或對-伸聯苯基、伸聯三苯基(尤其是支鏈伸聯三苯基)、伸聯四苯基(尤其是支鏈伸聯四苯基)、伸茀基、伸螺雙茀基、伸二苯并呋喃基、伸二苯并噻吩基及伸咔唑基，各者分別可經一或多個R1
基取代，但較佳地未經取代。 另外可能的情況為，式(H-1)至(H-26)中所示之Ar2
基尤其具有不多於1個之氮原子，較佳地不多於2個雜原子，特佳地不多於一個雜原子，且尤佳地無雜原子。 本發明之另一較佳實施態樣中，Ar3
及/或Ar4
於每一情況為相同或不同且為具6至24個芳族環原子，較佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，且更佳地為具6至12個芳族環原子之芳族環系統或具6至13個芳族環原子之雜芳族環系統，各者分別可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)，其中R1
可具有上文提供之定義，尤其是於式(II)中提供之定義。適當Ar3
及/或Ar4
基之實例是選自由以下所組成之群組：苯基、鄰-、間-或對-聯苯基、聯三苯基(尤其是支鏈聯三苯基)、聯四苯基(尤其是支鏈聯四苯基)、1-、2-、3-或4-茀基、1-、2-、3-或4-螺雙茀基、吡啶基、嘧啶基、1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基、1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基及1-、2-、3-或4-咔唑基，各者分別可經一或多個R3
基取代(但較佳是未經取代)。 較佳地，R1
基並未與式(H-1)至(H-26)中之可與該R1
基鍵結之芳基或雜芳基Ar1
、Ar2
、Ar3
及/或Ar4
的環原子形成稠合環系統。此包括與可能鍵結至R1
基之R2
、R3
取代基形成稠合環系統的情況。 較佳實施態樣中，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2，較佳地第一種官能性結構元件A，可於每一情況中包含電子傳輸基，其中該官能性結構元件或取代基S1及S2較佳地可構成電子傳輸基。電子傳輸基為技術領域中廣泛已知且促進化合物傳輸及/或傳導電子的能力。 再者，出人意料的優點係藉由可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2顯現，該OSM1及OSM2較佳地包含至少一種式(I)及/或(II)結構或其較佳實施態樣，其中式(I)及/或(II)中之A及/或B基或其較佳實施態樣或取代基S1及S2包含至少一種選自由以下所組成之群組的結構：吡啶、嘧啶、吡、嗒、三、喹唑啉、喹啉、喹啉、異喹啉、咪唑及/或苯并咪唑，特佳的是嘧啶、三及喹唑啉。 本發明之較佳組態中，可能的情況為，電子傳輸基、結構元件A及/或B、取代基S1、S2、或一個R1
基包含基團，較佳為可以式(QL)表示之基團：其中L1
表示一鍵或為具5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可經一或多個R1
基取代之芳族或雜芳族環系統，且Q為電子傳輸基，其中R1
基具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。 另外可能的情況為，電子傳輸基，尤其式(QL)中所示之Q基，及/或取代基S1或S2是選自式(Q-1)、(Q-2)、(Q-3)、(Q-4)、(Q-5)、(Q-6)、(Q-7)、(Q-8)、(Q-9)及/或(Q-10)之結構：其中虛線鍵標示連接位置， Q' 於每一情況為相同或不同且為CR1
或N，且 Q" 為NR1
、O或S； 其中至少一個Q'為N，且 R1
為如同上文式(II)所定義者。 較佳地，電子傳輸基，尤其式(QL)中所示之Q基，及/或取代基S1或S2可選自式(Q-11)、(Q-12)、(Q-13)、(Q-14)及/或(Q15)之結構：其中符號R1
具有尤其式(II)提供之定義，X為N或CR1
，且虛線鍵標示連接位置，其中X較佳地為氮原子。 另一實施態樣中，電子傳輸基，尤其式(QL)中所示之Q基，及/或取代基S1或S2可選自式(Q-16)、(Q-17)、(Q-18)、(Q-19)、(Q-20)、(Q-21)及/或(Q22)之結構： 其中符號R1
具有上文尤其式(II)詳述之定義，虛線鍵標示連接位置，且m為0、1、2、3或4，較佳地為0、1或2，n為0、1、2或3，較佳地為0、1或2，且o為0、1或2，較佳地為1或2。此處較佳的是式(Q-16)、(Q-17)、(Q-18)及(Q-19)之結構。 另一實施態樣中，電子傳輸基，尤其式(QL)中所示之Q基，及/或取代基S1或S2可選自式(Q-23)、(Q-24)及/或(Q-25)之結構：其中符號R1
具有上文尤其式(II)提供之定義，且虛線鍵標示連接位置。 另一實施態樣中，電子傳輸基，尤其式(QL)中所示之Q基，及/或取代基S1或S2可選自式(Q-26)、(Q-27)、(Q-28)、(Q-29)及/或(Q-30)之結構：其中X為N或CR1
，符號R1
具有上文尤其式(II)提供之定義，虛線鍵標示連接位置，其中X較佳地為氮原子，且Ar1
為具5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可於每一情況中經一或多個R1
基取代之芳族或雜芳族環系統、具5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可經一或多個R1
基取代之芳氧基、或具5至60個芳族(較佳地5至40個芳族)環原子且可於每一情況中經一或多個R1
基取代之芳烷基，其中二或多個R1
取代基(較佳是相鄰之R1
取代基)隨意地可以形成可經一或多個R2
基取代之單環或多環之脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統，較佳地單環或多環之脂族環系統。 較佳地，電子傳輸基，尤其式(QL)中所示之Q基，及/或取代基S1或S2可選自式(Q-31)、(Q-32)、(Q-33)、(Q-34)、(Q-35)、(Q-36)、(Q-37)、(Q-38)、(Q-39)、(Q-40)、(Q-41)、(Q-42)、(Q-43)及/或(Q-44)之結構： 其中符號Ar1
具有上文尤其式(Q-26)、(Q-27)或(Q-28)所示之定義，且R1
具有上文尤其式(II)所示之定義，虛線鍵標示連接位置，且m為0、1、2、3或4，較佳地為0、1或2，n為0、1、2或3，較佳地為0、1或2，且l為1、2、3、4或5，較佳地為0、1或2。 較佳地，符號Ar1
為芳基或雜芳基，而使芳族或雜芳族環系統之芳族或雜芳族基團直接鍵結(亦即經由芳族或雜芳族基團之原子直接鍵結)至另一基團的個別原子，例如上示(H-1)至(H-26)或(Q-26)至(Q-44)基團之碳或氮原子。 本發明之另一較佳實施態樣中，Ar1
於每一情況為相同或不同且為具6至24個芳族環原子，較佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，且更佳地為具6至12個芳族環原子之芳族環系統或具6至13個芳族環原子之雜芳族環系統，各者分別可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)，其中R1
可具有上文提供之定義，尤其是於式(II)中提供之定義。適當Ar1
基之實例是選自由以下所組成之群組：苯基、鄰-、間-或對-聯苯基、聯三苯基(尤其是支鏈聯三苯基)、聯四苯基(尤其是支鏈聯四苯基)、1-、2-、3-或4-茀基、1-、2-、3-或4-螺雙茀基、吡啶基、嘧啶基、1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基、1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基及1-、2-、3-或4-咔唑基，各者分別可經一或多個R3
基取代(但較佳是未經取代)。 有利地，式(H-1)至(H-26)或(Q-16)至(Q-34)中之Ar1
為具6至12個芳族環原子且可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)之芳族環系統，其中R1
可具有上文詳述之定義，尤其是式(I)詳述之定義。 另外可能的情況為，Ar1
、Ar2
、Ar3
及/或Ar4
基選自由以下所組成之群組：苯基、鄰-、間-或對-聯苯基、聯三苯基(尤其是支鏈聯三苯基)、聯四苯基(尤其是支鏈聯四苯基)、1-、2-、3-或4-茀基、1-、2-、3-或4-螺雙茀基、吡啶基、嘧啶基、1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基、1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基、芘基、三基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、1-、2-、3-或4-咔唑基、1-或2-萘基、蒽基(較佳是9-蒽基)、菲基及/或伸聯三苯基，各者分別可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)，特佳的是苯基、螺雙茀、茀、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、伸聯三苯基，其中R1
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。 較佳地，式(H-1)至(H-26)或(Q-1)至(Q-44)中之R1
基並不與該R1
基所鍵結之雜芳基或Ar1
及/或Ar2
基的環原子形成稠合環系統。此包括與可能鍵結至R1
基之R2
、R3
取代基形成稠合環系統的情況。 另外可能的情況為，R1
取代基並不與結合至該R1
基之芳族或雜芳族環系統的環原子形成稠合芳族或雜芳族環系統，較佳地任何稠合環系統。此包括與可能鍵結至R1
基之R2
、R3
取代基形成稠合環系統的情況。可能較佳的情況是，芳族或雜芳族環系統之R1
取代基並不與該芳族或雜芳族環系統之環原子形成環系統。此包括與可能鍵結至R1
基之R2
、R3
取代基形成環系統的情況。 當X為CR1
時或當芳族及/或雜芳族基團經R1
取代基取代時，這些R1
取代基較佳地選自由以下所組成之群組：H、D、F、CN、N(Ar1
)2
、C(=O)Ar1
、P(=O)(Ar1
)2
、具1至10個碳原子之直鏈烷基或烷氧基或具3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基或具2至10個碳原子之烯基(各者分別可經一或多個R2
基取代，其中一或多個非相鄰CH2
基可經O替代且其中一或多個氫原子可經D或F替代)、具5至24個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)之芳族或雜芳族環系統、具5至25個芳族環原子且可經一或多個R2
基取代之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至同一個碳原子或至相鄰碳原子的兩個R1
取代基隨意地可以形成可經一或多個R1
基取代之單環或多環之脂族、芳族或雜芳族環系統，其中Ar1
於每一情況為相同或不同且為具5至40個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個R2
基取代之芳族或雜芳族環系統、或具5至40個芳族環原子且可經一或多個R2
基取代之芳氧基、或具5至40個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個R2
基取代之芳烷基，其中二或多個R2
取代基(較佳是相鄰之R2
取代基)可隨意地形成可經一或多個R3
基取代之單環或多環之脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統，較佳地單環或多環之脂族環系統，其中符號R2
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。較佳地，Ar1
於每一情況為相同或不同且為具5至24個且較佳地5至12個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)之芳基或雜芳基。 適當Ar1
基之實例是選自由以下所組成之群組：苯基、鄰-、間-或對-聯苯基、聯三苯基(尤其是支鏈聯三苯基)、聯四苯基(尤其是支鏈聯四苯基)、1-、2-、3-或4-茀基、1-、2-、3-或4-螺雙茀基、吡啶基、嘧啶基、1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基、1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基及1-、2-、3-或4-咔唑基，各者分別可經一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)。 更佳地，這些R1
取代基選自由以下所組成之群組：H、D、F、CN、N(Ar1
)2
、具1至8個碳原子較佳地具1、2、3或4個碳原子之直鏈烷基、或具3至8個碳原子較佳地具3或4個碳原子之支鏈或環狀烷基、或具2至8個碳原子較佳地具2、3或4個碳原子之烯基，各者分別可被一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)；或具6至24個芳族環原子，較佳地6至18個芳族環原子，更佳地6至13個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個非芳族R1
基取代(但較佳是未經取代)之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至同一個碳原子或至相鄰碳原子的兩個R1
取代基隨意地可以形成可經一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)之單環或多環之脂族環系統，其中Ar1
可具有上文所示之定義。 最佳地，R1
取代基選自由以下所組成之群組：H及具6至18個芳族環原子較佳地6至13個芳族環原子且可於每一情況中經一或多個非芳族R2
基取代(但較佳是未經取代)之芳族或雜芳族環系統。適當R1
取代基之實例是選自由以下所組成之群組：苯基、鄰-、間-或對-聯苯基、聯三苯基(尤其是支鏈聯三苯基)、聯四苯基(尤其是支鏈聯四苯基)、1-、2-、3-或4-茀基、1-、2-、3-或4-螺雙茀基、吡啶基、嘧啶基、1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基、1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基及1-、2-、3-或4-咔唑基，各者分別可經一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)。 另外可能的情況為，有機官能性化合物OSM1及OSM2各自包含至少一個基團，較佳是S1及S2取代基；較佳地，於式(I)及/或(II)結構中，至少一種結構元件A及/或B或至少一個Ar1
、Ar2
、Ar3
、Ar4
及/或R1
基包含基團，較佳地為選自式(R1
-1)至(R1
-95)之基團： 其中所用之符號如下： Y 為O、S或NR2
，較佳地為O或S； i 於每一情況獨立地為0、1或2； j 於每一情況獨立地為0、1、2或3； h 於每一情況獨立地為0、1、2、3或4； g 於每一情況獨立地為0、1、2、3、4或5； R2
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義，且 虛線鍵標示連接位置。 可能較佳的情況是，式(R1
-1)至(R1
-95)結構中之標號i、j、h及g的總數於每一情況中不大於3，較佳地不大於2，且更佳地不大於1。 較佳地，式(R1
-1)至(R1
-95)中之R2
基並不與鍵結至該R2
基之芳基或雜芳基的環原子形成稠合芳族或雜芳族環系統，且較佳地並不形成任何稠合環系統。此包括與可能鍵結至R2
基之R3
取代基形成稠合環系統的情況。 另外可能的情況為，構造異構性化合物OSM1及OSM2包含至少一個連接基，而使至少一個官能性結構元件鍵結至另一結構元件；較佳地，該連接基為於每一情況中具5至40個環原子且可經(例如)如上所述之R1
基取代之芳族或雜芳族環系統。較佳地，此另一結構元件可為電洞傳輸基、電子傳輸基、增溶性結構元件、可交聯基、或導致主體材料或導致具有寬能帶間隙性質之材料的基團。 此外，結構異構物OSM1及OSM2可包含至少一個連接基，而使得至少一種增溶性結構元件鍵結至官能性結構元件；較佳地，該連接基為於每一情況中具5至40個環原子且可經(例如)如上所述之R1
基取代之芳族或雜芳族環系統。 可被結構異構物OSM1及OSM2所涵蓋之較佳連接基乃藉由下文中與上示式(QL)中存在之L1
基有關的實例詳述。較佳地，此L1
基可與Q基及與式(QL)之該L1
基所鍵結之芳族或雜芳族基或氮原子一起形成貫穿共軛(through-conjugation)。一旦在相鄰芳族或雜芳族環之間形成直接鍵，則芳族或雜芳族系統之貫穿共軛形成。上述共軛基團之間例如經由硫、氮或氧原子或羰基的其他鍵對共軛作用是無害的。在茀系統的情況下，兩個芳族環直接鍵結，其中位置9中之sp3
-混成軌域碳原子可避免這些環的稠合，但共軛現象是可能的，因為位置9中之此sp3
-混成軌域碳原子未必位在電子傳輸Q基與茀結構之間。對照之下，在第二個螺雙茀結構的情況下，如果Q基與式(QL)之L1
基所鍵結之芳族或雜芳族基之間的鍵係經由螺雙茀結構中之同一個苯基或者經由螺雙茀結構中彼此直接鍵結且於一平面的苯基，則形成貫穿共軛。如果Q基和與式(QL)之L1
基所鍵結之芳族或雜芳族基之間的鍵係經由第二螺雙茀結構(經由位置9之sp3
-混成軌域碳原子鍵結)中之不同苯基，則共軛被中斷。 本發明之另一較佳實施態樣中，L1
為一鍵或具5至14個芳族或雜芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，較佳地為具6至12個碳原子之芳族環系統，且其可經一或多個R1
基取代(但較佳是未經取代)，其中R1
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。更佳地，L1
為具6至10個芳族環原子之芳族環系統或具有6至13個雜芳族環原子之雜芳族環系統，各者分別可經一或多個R2
基取代(但較佳是未經取代)，其中R2
可具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。 另外較佳地，尤其式(QL)中所示之符號L1
於每一情況為相同或不同且為一鍵或具5至24個環原子，較佳地6至13個環原子，更佳地6至10個環原子之芳基或雜芳基，而使芳族或雜芳族環系統之芳族或雜芳族基團直接鍵結至其他基團的個別原子，亦即經由芳族或雜芳族基團之原子直接鍵結。 此外可能的情況為，式(QL)中所示之L1
基包含具有不多於二個稠合芳族及/或雜芳族環之芳族環系統，較佳地並不包含任何稠合芳族或雜芳族環系統。因此，萘基結構優於蒽結構。此外，茀基、螺雙茀基、二苯并呋喃基及/或二苯并噻吩基結構優於萘基結構。 特佳的是無稠合之結構，例如苯基、聯苯基、聯三苯基及/或聯四苯基結構。 適當芳族或雜芳族環系統L1
之實例是選自由以下所組成之群組：鄰-、間-或對-伸苯基、鄰-、間-或對-伸聯苯基、伸聯三苯基(尤其是支鏈伸聯三苯基)、伸聯四苯基(尤其是支鏈伸聯四苯基)、伸茀基、伸螺雙茀基、伸二苯并呋喃基、伸二苯并噻吩基及伸咔唑基，各者分別可經一或多個R2
基取代，但較佳地未經取代。 另外可能的情況為，尤其式(QL)中所示之L1
基具有不多於1個氮原子，較佳地不多於2個雜原子，尤佳地不多於一個雜原子，且更佳地無雜原子。 較佳的是包含至少一種式(H-1)至(H-26)結構之化合物OSM1及OSM2，其中Ar2
基為選自式(L1
-1)至(L1
-109)之基團；及/或包含至少一個連接基之化合物OSM1及OSM2；及/或包含式(QL)結構之化合物OSM1及OSM2，其中L1
基為一鍵或為選自式(L1
-1)至(L1
-109)之基團： 其中每一情況中之虛線鍵標示連接位置，標號k為0或1，標號l為0、1或2，標號j於每一情況獨立地為0、1、2或3；標號h於每一情況獨立地為0、1、2、3或4，標號g為0、1、2、3、4或5；符號Y為O、S或NR2
，較佳地O或S；且符號R2
具有上文提供之定義，尤其是式(II)提供之定義。 可能較佳的情況是，式(L1
-1)至(L1
-109)結構中之標號k、l、g、h及j的總數於每一情況中至多為3，較佳地至多為2，且更佳地至多為1。 具有式(QL)基團之較佳本發明化合物包含L基，該L基表示一鍵或選自式(L1
-1)至(L1
-78)及/或(L1
-92)至(L1
-109)，較佳地式(L1
-1)至(L1
-54)及/或(L1
-92)至(L1
-108)，尤佳地式(L1
-1)至(L1
-29)及/或(L1
-92)至(L1
-103)之一者。有利地，式(L1
-1)至(L1
-78)及/或(L1
-92)至(L1
-109)，較佳地式(L1
-1)至(L1
-54)及/或(L1
-92)至(L1
-109)，尤佳地式(L1
-1)至(L1
-29)及/或(L1
-92)至(L1
-103)結構中之標號k、l、g、h及j的總數於每一情況中可不大於3，較佳地不大於2，且更佳地不大於1。 具有式(H-1)至(H-26)基團之較佳本發明化合物包含Ar2
基，該Ar2
基選自式(L1
-1)至(L1
-78)及/或(L1
-92)至(L1
-109)，較佳地式(L1
-1)至(L1
-54)及/或(L1
-92)至(L1
-108)，尤佳地式(L1
-1)至(L1
-29)及/或(L1
-92)至(L1
-103)。有利地，式(L1
-1)至(L1
-78)及/或(L1
-92)至(L1
-109)，較佳地式(L1
-1)至(L1
-54)及/或(L1
-92)至(L1
-108)，尤佳地式(L1
-1)至(L1
-29)及/或(L1
-92)至(L1
-103)結構中之標號k、l、g、h及j的總數於每一情況中可不大於3，較佳地不大於2且更佳地不大於1。 較佳地，式(L1
-1)至(L1
-109)中之R2
基並不與鍵結至該R2
基之芳基或雜芳基的環原子形成稠合芳族或雜芳族環系統，且較佳地並不形成任何稠合環系統。此包括與可能鍵結至R2
基之R3
取代基形成稠合環系統。 當可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2經芳族或雜芳族R1
或R2
基取代時，尤其是在其組態作為主體材料、電子傳輸材料或電洞傳輸材料以供綠色或紅色OLED使用時，較佳地為彼等並不具有任何具有多於兩個彼此直接稠合之芳族六員環的芳基或雜芳基之情況。更佳地，這些取代基完全不具有任何具有彼此直接稠合之六員環的芳基或雜芳基。此偏好的理由為此些結構之低三重態能量。然而根據本發明亦適當的是具有多於兩個彼此直接稠合之芳族六員環的稠合芳基為菲及伸聯三苯，因為這些亦具有高的三重態能階。 在可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的組態用作為螢光發射體或作為藍色OLED材料的情況下，較佳化合物可含有相應之基團，例如茀、蒽及/或芘基，其可經R2
基取代或其係藉由(R1
-1)至(R1
-95)基(較佳地(R1
-33)至(R1
-57)及(R1
-76)至(R1
-86))或(L1
-1)至(L1
-109)(較佳地(L1
-30)至(R1
-60)及(R1
-71)至(R1
-91))經由R2
取代基之相應取代而形成。 本發明之另一較佳實施態樣中，R2
，例如於式(II)結構及此結構之較佳實施態樣或其中有提及這些化學式之結構中的R2
，於每一情況為相同或不同且選自由以下所組成之群組：H、D、具1至10個碳原子較佳地具1、2、3或4個碳原子之脂族烴基、或具5至30個芳族環原子，較佳地5至24個芳族環原子，更佳地5至13個芳族環原子且可經一或多個各具有1至4個碳原子之烷基取代(但較佳是未經取代)之芳族或雜芳族環系統。 本發明之另一較佳實施態樣中，R3
，例如於式(II)結構及此結構之較佳實施態樣或其中有提及這些化學式之結構中的R3
，於每一情況為相同或不同且選自由以下所組成之群組：H、D、F、CN、具1至10個碳原子較佳地具1、2、3或4個碳原子之脂族烴基、或具5至30個芳族環原子，較佳地5至24個芳族環原子，更佳地5至13個芳族環原子且可經一或多個各具有1至4個碳原子之烷基取代(但較佳是未經取代)之芳族或雜芳族環系統。 另一組態中，可能的情況為，根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2各具有至少一個增溶基。因此，上文詳述之組態中，取代基S1、取代基S2及/或基團B可包含增溶性結構元件(較佳地由其組成)。 尤其，較佳的是根據本發明之混合物，其中有機官能性化合物OSM1及OSM2各含至少一個增溶基，其中該有機官能性化合物OSM1及OSM2之不同處在於該有機官能性化合物OSM1及OSM2之增溶基彼此互為結構異構物，彼等較佳地含有相同數目的芳族或雜芳族環系統且本質上具有相同的取代基。 較佳地，增溶基或增溶性結構元件可包含相對長之烷基(約4至20個碳原子)(尤其是支鏈烷基)、或隨意經取代之芳基(較佳地由其組成)。較佳之芳基包含二甲苯基、基、聯三苯基或聯四苯基，特佳的是支鏈聯三苯基或支鏈聯四苯基。 另一組態中，可能的情況為，根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2各具有至少一個可交聯基。因此，上文詳述之組態中，取代基S1、取代基S2及/或基團B可包含可交聯基(較佳地由其組成)，其可隨意地被認為是結構元件。 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可(如上文所說明)含有一或多個可交聯基。"可交聯基" 意指可以可逆地反應之官能基。此形成不可溶的交聯材料。交聯反應通常可藉由熱或藉由紫外線照射、微波照射、X射線照射或電子束而促進。此情況中，有少許副產物於交聯反應中形成。此外，官能性化合物中可存在之可交聯基可極輕易地交聯，而使得交聯反應所需的能量為相對小量(例如在熱交聯的情況下為＜200℃)。 可交聯基之實例為含有雙鍵、三鍵、可當場形成雙鍵或三鍵之先質、或雜環可加成聚合基團之單元。可交聯基包括乙烯基、烯基(較佳地乙烯基及丙烯基)、C4-20
-環烯基、疊氮基、環氧乙烷、氧雜環丁烷、二(烴基)胺基、氰酸酯、羥基、縮水甘油醚、丙烯酸C1-10
-烷酯、甲基丙烯酸C1-10
-烷酯、烯氧基(較佳地乙烯氧基)、全氟烯氧基(較佳地全氟乙烯氧基)、炔基(較佳地乙炔基)、馬來醯亞胺、環丁基苯基、三(C1-4
)-烷基矽氧基及三(C1-4
)-烷基矽基。特佳的是環丁基苯基、乙烯基及烯基。 較佳地，構造異構性有機官能性化合物OSM1及OSM2可各自含有至少一種增溶性結構元件或增溶基及至少一種官能性結構元件或官能基，該官能性結構元件或官能基選自電洞傳輸基、電子傳輸基、可導致主體材料之結構元件或基團、或具有寬能帶間隙性質之結構元件或基團。 較佳地，構造異構性有機官能性化合物OSM1及OSM2可各自含有至少一種可交聯性結構元件或可交聯基及至少一種官能性結構元件或官能基，該官能性結構元件或官能基選自電洞傳輸基、電子傳輸基、可導致主體材料之結構元件或基團、或具有寬能帶間隙性質之結構元件或基團。 詞語"具有寬能帶間隙性質之結構元件或基團"表示，化合物OSM1及OSM2可各自用於作為寬能帶間隙材料，且因此化合物OSM1及OSM2具有相應之基團。此相同地可適用於詞組"可導致主體材料之結構元件或基團"。這些詞組於技藝中廣泛已知且於下文中更詳細地在亦有關其他材料方面闡明。有關這方面應指出的是，化合物OSM1及OSM2為結構異構物，彼等之不同處在於其結構。因此下列之言辭應理解為，所明確地敍述之化合物係與另外之構造異構性化合物組合使用。此外，所明確地敍述之化合物可藉適當取代作用輕易修飾，而提供用作為混合物之二種構造異構性化合物。取代基原則上依所需選擇，但彼等較佳地選自上文詳述之取代基S1、S2及/或R1
，較佳的是如上文已述地選擇官能基、增溶基或可交聯基作為取代基。 有機官能性材料於許多情況中就界面軌域的性質而言說明，其詳細地述於下文中。分子軌域，尤其亦為最高佔據分子軌域(HOMO)及最低未佔據分子軌域(LUMO)，其能階及最低三重態T1
的能量及最低激發單重態S1
的能量係經由量子化學計算法測定。在無金屬的有機物質之計算方面，幾何最佳化首先係藉由" Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1/Charge 0/Spin Singlet"法進行。接著，能量的計算係以最佳化之幾何為基準達成。此係使用"TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91"法連同"6-31G(d)"基底函數組(charge 0，spin singlet)完成。在含金屬之化合物方面，幾何係經由"Ground state/Hartree-Fock/Default Spin/LanL2MB/Charge 0/Spin Singlet "法最佳化。能量的計算係類似於上述用於有機物質的方法達成，惟使用"LanL2DZ"基底函數組於金屬原子及使用"6-31G(d)"基底函數組於配位基。HOMO能階HEh或LUMO能階LEh係得自哈特單位(Hartree unit)的能量計算。此係用於如下地藉循環伏安測量法而測定HOMO及LUMO能階(單位為電子伏特)：這些數值於本申請案上下文中被視為是材料的HOMO及LUMO能階。 最低三重態T1
經定義為具有最低能量的三重態能量，其由所述之量子化學計算法中明顯可見。 最低激發單重態S1
經定義為具有最低能量的激發單重態能量，其由所述之量子化學計算法中明顯可見。 本文中所述之方法與所用之軟體包無關且總能提供相同的結果。經常使用之用於此目的的程式之實例為"Gaussian09W" (Gaussian Inc.)及Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.)。 具有電洞注入性質之化合物、或基團或結構元件(本文中亦稱為電洞注入材料)可促進電洞的傳輸或使之成為可能，亦即正電荷由陽極至有機層。通常，電洞注入材料具有之HOMO能階是在陽極能階附近或更高，亦即通常至少-5.3 eV。 具有電洞傳輸性質之化合物、或基團或結構元件(本文中亦稱為電洞傳輸材料)可傳輸電洞，亦即正電荷，其通常由陽極或鄰接層例如電洞注入層注入。電洞傳輸材料通常具有較佳地至少-5.4 eV之高HOMO能階。根據電子裝置之建構，亦可以使用電洞傳輸材料作為電洞注入材料。 具有電洞注入及/或電洞傳輸性質之較佳化合物、或基團或結構元件包括例如三芳基胺、聯苯胺、四芳基-對-苯二胺、三芳基膦、吩噻、啡 、二氫吩、噻蒽、二苯并-對-二英(dibenzo-para-dioxin)、吩噻(phenoxathiine)、咔唑、薁、噻吩、吡咯及呋喃衍生物、及具高位HOMO (HOMO=最高佔據分子軌域)之其他含O-、S-或N-的雜環。 特別應述及的為具有電洞注入及/或電洞傳輸性質之下列化合物、或基團或結構元件：苯二胺衍生物(US 3615404)、芳基胺衍生物(US 3567450)、經胺基取代之查耳酮(chalcone)衍生物(US 3526501)、苯乙烯基蒽衍生物(JP-A-56-46234)、多環芳族化合物(EP 1009041)、聚芳基烷衍生物(US 3615402)、茀酮衍生物(JP-A-54-110837)、腙衍生物(US 3717462)、醯基腙、茋衍生物(JP-A-61-210363)、矽氮烷衍生物(US 4950950)、聚矽烷(JP-A-2-204996)、苯胺共聚物(JP-A-2-282263)、噻吩寡聚物(JP Heisei 1 (1989) 211399)、聚噻吩、聚(N-乙烯基咔唑) (PVK)、聚吡咯、聚苯胺及其他導電性巨分子、卟啉化合物(JP-A-63-2956965, US 4720432)、芳族二亞甲基型化合物、咔唑化合物(例如CDBP、CBP、mCP)、芳族三級胺及苯乙烯基胺化合物(US 4127412)(例如聯苯胺型之三苯基胺、苯乙烯基胺型之三苯基胺及二胺型之三苯基胺)。亦可以使用芳基胺樹枝狀聚合物(JP Heisei 8 (1996) 193191)、單體型三芳基胺 (US 3180730)、具有一或多個乙烯基及/或至少一個具有活性氫之官能基的三芳基胺(US 3567450及US 3658520)或四芳基二胺(二個三級胺單元經由芳基連結)。亦可以有甚至更多個三芳基胺基存在於分子中。亦適當者為酞青素衍生物、萘醛青素衍生物、丁二烯衍生物及喹啉衍生物，例如二吡并[2,3-f:2',3'-h]喹啉六腈。 較佳的是具有至少二個三級胺單元之芳族三級胺(US 2008/0102311 A1，US 4720432及US 5061569)，例如NPD (α-NPD=4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯) (US 5061569)、TPD 232 (= N,N'-雙(N,N'-二苯基-4-胺基苯基)-N,N-二苯基-4,4'-二胺基-1,1'-聯苯)或MTDATA (MTDATA或m-MTDATA= 4,4',4"-參[3-(甲基苯基)苯基胺基]三苯基胺) (JP-A-4-308688)、TBDB (= N,N,N',N'-四(4-聯苯基)二胺基伸聯苯)、TAPC (= 1,1-雙(4-二-對-甲苯基胺基苯基)環己烷)、TAPPP (= 1,1-雙(4-二-對-甲苯基胺基苯基)-3-苯基丙烷)、BDTAPVB (= 1,4-雙[2-[4-[N,N-二(對-甲苯基)胺基]苯基]乙烯基]苯)、TTB (= N,N,N',N'-四-對-甲苯基-4,4'-二胺基聯苯)、TPD (= 4,4'-雙[N-3-甲基苯基]-N-苯基胺基)聯苯)、N,N,N',N'-四苯基-4,4"'-二胺基-1,1',4',1",4",1"'-聯四苯、及同樣地具咔唑單元之三級胺，例如TCTA (= 4-(9H-咔唑-9-基)-N,N-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]苯胺)。同樣地較佳者為根據US 2007/0092755 A1之六氮雜伸聯三苯化合物、及酞青素衍生物(例如H2
Pc、CuPc (= 銅酞青素)、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2
SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc)。 特佳的是下列式(TA-1)至(TA-6)之三芳基胺化合物，彼等揭示於文件EP 1162193 B1、EP 650 955 B1、Synth.Metals 1997
、91(1-3)、209、DE 19646119 A1、WO 2006/122630 A1、EP 1 860 097 A1、EP 1834945 A1、JP 08053397 A、US 6251531 B1、US 2005/0221124、JP 08292586 A、US 7399537 B2、US 2006/0061265 A1、EP 1 661 888及WO 2009/041635中。該等式(TA-1)至(TA-6)化合物亦可經取代： 其他亦可用作為電洞注入材料之化合物、或基團或結構元件乃述於EP 0891121 A1及EP 1029909 A1，且作為注入層者概括地述於US 2004/0174116 A1中。 較佳地，這些芳基胺及雜環(彼等通常用作為電洞注入及/或電洞傳輸材料)導致大於-5.8 eV (相對於真空能階)，更佳地大於-5.5 eV之HOMO。 具有電子注入及/或電子傳輸性質之化合物、或基團或結構元件為(例如)吡啶、嘧啶、嗒、吡、二唑、喹啉、喹啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三、酮、氧化膦及吩衍生物，亦為三芳基硼烷、及具低位LOMO (LUMO=最低未佔據分子軌域)之其他含O、S或N的雜環。 用於電子傳輸及電子注入層之特別適當之化合物、或基團或結構元件為8-羥基喹啉之金屬螯合物(例如LiQ、AlQ3
、GaQ3
、MgQ2
、ZnQ2
、InQ3
、ZrQ4
)、BAlQ、Ga類奧辛錯合物(Ga oxinoid complex)、4-氮雜菲-5-醇Be錯合物(US 5529853 A，參照式ET-1)、丁二烯衍生物(US 4356429)、雜環光學增白劑(US 4539507)、苯并咪唑衍生物(US 2007/0273272 A1)(例如TPBI (US 5766779，參照式ET-2))、1,3,5-三(例如螺雙茀-三衍生物(例如根據DE 102008064200))、芘、蒽、稠四苯、茀、螺茀、樹枝狀聚合物、稠四苯(例如紅螢烯衍生物)、1,10-啡啉衍生物(JP 2003-115387、JP 2004-311184、JP-2001-267080、WO 2002/043449)、矽雜環戊二烯衍生物(EP 1480280、EP 1478032、EP 1469533)、硼烷衍生物(例如含Si之三芳基硼烷衍生物(US 2007/0087219 A1，參照式ET-3)、吡啶衍生物(JP 2004-200162)、啡啉(特別是1,10-啡啉衍生物，例如BCP及Bphen，包括經由聯苯基或其他芳族基連結之多重啡啉(US-2007-0252517 A1)或藉由蒽連結之啡啉(US 2007-0122656 A1，參照式ET-4及ET-5))。同樣地適當者為雜環有機化合物、或基團或結構元件，例如噻喃二氧化物、唑、***、咪唑或二唑。使用之包括N之五員環的實例為例如唑，較佳地為1,3,4-二唑，例如式ET-6、ET-7、ET-8及ET-9化合物，彼等尤其詳述於US 2007/0273272 A1中；噻唑、二唑、噻二唑、***尤其參見US 2008/0102311 A1及Y.A. Levin, M.S. Skorobogatova, Khimiya Geterotsiklicheskikh Soedinenii 1967 (2), 339-341，較佳地為式ET-10化合物、矽雜環戊二烯衍生物。較佳化合物為下列式(ET-6)至(ET-10)：亦可以使用有機化合物、或基團或結構元件，諸如茀酮、亞茀基甲烷(fluorenylidenemethane)、苝四碳酸、蒽醌二甲烷、聯苯醌(diphenoquinone)、蒽酮及蒽醌二乙二胺之衍生物。 較佳的是2,9,10-經取代之蒽 (經1-或2-萘基及4-或3-聯苯基取代)或含有二個蒽單元之分子(US2008/0193796 A1，參照式ET-11)。亦有利的為帶有苯并咪唑衍生物之9,10-經取代之蒽單元化合物(US 2006 147747 A及EP 1551206 A1，參照式ET-12及ET-13)。較佳地，可產生電子注入及/或電子傳輸性質之化合物、或基團或結構元件可導致小於-2.5 eV (相對於真空能階)，更佳地小於-2.7 eV之LUMO。 本發明之混合物可包含發射體，此情況下可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可配置成發射體。術語"發射體"意指可於激發(其可藉由任何種類之能量的轉移而達成)後得以輻射躍遷且同時發光而回到基態的材料。通常有兩種已知類別之發射體：螢光及磷光發射體。術語"螢光發射體"意指其中有輻射躍遷從激發單重態躍遷至基態的材料或化合物。術語"磷光發射體"較佳地意指包含過渡金屬之發光材料或化合物。 發射體經常亦稱為摻雜劑，如果此摻雜劑引起系統中之上文詳述的性質的話。包含基質材料及摻雜劑之系統中的摻雜劑要理解為意指於混合物中具有較小比例的組份。相應地，包含基質材料及摻雜劑之系統中的基質材料要理解為意指於混合物中具有較大比例的組份。因此術語"磷光發射體"可(例如)亦理解為意指磷光摻雜劑。 可發光之化合物、或基團或結構元件包括螢光發射體及磷光發射體。這些包括具有茋、茋胺、苯乙烯基胺、香豆素、紅螢烯、玫瑰紅、噻唑、噻二唑、花青、噻吩、對次酚(paraphenylene)、苝、酞青素、卟啉、酮、喹啉、亞胺、蒽及/或芘結構之化合物。特佳的是甚至於室溫亦可從三重態高效率地發光之化合物，亦即顯現磷光電致發光而非螢光電致發光，其經常導致能量效率的增加。首先，供此目的之適當者為含有原子序大於36之重原子的化合物。較佳化合物為含有d或f過渡金屬者，其可滿足上述的條件。此處特佳的是含有第8至10族元素(Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt)之相應化合物。此處可用之官能性化合物包括例如如同述於(例如)WO 02/068435 A1、WO 02/081488 A1、EP 1239526 A2及WO 04/026886 A2中之各種錯合物。 可充作螢光發射體之較佳化合物於下文中經由實例詳述。較佳螢光發射體是選自以下之類別：單苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基胺、四苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚及芳基胺。 單苯乙烯基胺要理解為意指含有一個經取代或未經取代苯乙烯基及至少一個較佳地芳族胺之化合物。二苯乙烯基胺要理解為意指含有二個經取代或未經取代苯乙烯基及至少一個較佳地芳族胺之化合物。三苯乙烯基胺要理解為意指含有三個經取代或未經取代苯乙烯基及至少一個較佳地芳族胺之化合物。四苯乙烯基胺要理解為意指含有四個經取代或未經取代苯乙烯基及至少一個較佳地芳族胺之化合物。苯乙烯基更佳地為茋，其亦可還具有其他的取代。相應之膦及醚的定義類似於胺。本發明上下文中之芳基胺或芳族胺要理解為意指含有三個直接鍵結至氮之經取代或未經取代芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，這些芳族或雜芳族環系統之至少一者為稠合環系統，較佳地具有至少14個芳族環原子。這些之較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺要理解為意指其中二芳基胺基直接鍵結至蒽基(較佳地於9位置)之化合物。芳族蒽二胺要理解為意指其中二個二芳基胺基直接鍵結至蒽基(較佳地於2,6或9,10位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、胺及二胺係類似地定義，其中二芳基胺基係較佳地於1-位置或1,6-位置鍵結至芘。 其他較佳螢光發射體選自尤其詳述於文件WO 06/122630中之茚并茀胺或-二胺；尤其詳述於文件WO 2008/006449中之苯并茚并茀胺或-二胺；及尤其詳述於文件WO 2007/140847中之二苯并茚并茀胺或-二胺。 可用作為螢光發射體之來自苯乙烯基胺類別之化合物、或基團或結構元件的實例為經取代或未經取代三茋胺、或述於WO 06/000388、WO 06/058737、WO 06/000389、WO 07/065549及WO 07/115610中之摻雜劑。二苯乙烯基苯及二苯乙烯基聯苯衍生物述於US 5121029中。其他苯乙烯基胺見於US 2007/0122656 A1中。 特佳之苯乙烯基胺化合物為述於US 7250532 B2中之式EM-1化合物、及詳述於DE 10 2005 058557 A1中之式EM-2化合物：特佳之三芳基胺化合物、或基團或結構元件為詳述於文件CN 1583691 A、JP 08/053397 A和US 6251531 B1、EP 1957606 A1、US 2008/0113101 A1、US 2006/210830 A、WO 08/006449和DE 102008035413中之式EM-3至EM-15化合物及其衍生物： 可用作為螢光發射體之其他較佳化合物、或基團或結構元件選自萘、蒽、稠四苯、苯并蒽、苯并菲(DE 10 2009 005746)、茀、螢蒽 (fluoranthene)、二茚并苝(periflanthene)、茚并苝、菲、苝 (US 2007/0252517 A1)、芘、、十環烯(decacyclene)、蔻、四苯基環戊二烯、五苯基環戊二烯、茀、螺茀、紅螢烯、香豆素 (US 4769292、US 6020078、US 2007/0252517 A1)、哌喃、唑、苯并唑、苯并噻唑、苯并咪唑、吡、肉桂酸酯、二酮基吡咯并吡咯、吖啶酮及喹吖酮(US 2007/0252517 A1)之衍生物。 在蒽化合物當中，特佳的是於9,10位置經取代之蒽，例如, 9,10-二苯基蒽及9,10-雙(苯基乙炔基)蒽。1,4-雙(9'-乙炔基蒽基)苯亦為較佳摻雜劑。 同樣地較佳者為紅螢烯、香豆素、玫瑰紅、喹吖酮(例如DMQA (= N,N'-二甲基喹吖酮))、二氰基伸甲基哌喃(例如DCM (= 4-(二氰基伸乙基)-6-(4-二甲胺基-苯乙烯基-2-甲基)-4H-哌喃))、噻喃、聚甲炔(polymethine)、哌喃鎓及噻喃鎓鹽、二茚并苝(periflanthene)及茚并苝之衍生物。 藍色螢光發射體較佳地為聚芳族，例如 9,10-二(2-萘基蒽)及其他蒽衍生物、稠四苯衍生物、 、苝(例如2,5,8,11-四-三級丁基-苝)、伸苯基(例如4,4'-(雙(9-乙基-3-咔唑伸乙烯基)-1,1'-聯苯、茀、螢蒽(fluoranthene)、芳基芘(US 2006/0222886 A1)、伸芳基伸乙烯基 (US 5121029、US 5130603)、雙(基)亞胺硼化合物(US 2007/0092753 A1)、雙(基)亞甲基化合物及碳苯乙烯基化合物。 其他較佳藍色螢光發射體述於C. H. Chen et al.: "Recent developments in organic electroluminescent materials" Macromol. Symp. 125, (1997), 1-48及"Recent progress of molecular organic electroluminescent materials and devices" Mat. Sci. and Eng. R, 39 (2002), 143-222中。 其他較佳藍色螢光發射體為揭示於DE 102008035413中之烴類。另外特佳的是詳述於WO 2014/111269中之化合物，尤其是具有雙(茚并茀)基礎骨架之化合物。上文引述之文件DE 102008035413及WO 2014/111269 A2均併入本申請案中作為參考以供揭示之目的。 下文詳述之實例為可充作磷光發射體之較佳化合物、或基團或結構元件。 磷光發射體之實例可見於WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614及WO 05/033244中。通常，根據先前技藝及熟知有機電致發光領域技藝者已知之用於磷光OLED的所有磷光錯合物均適當，且熟知技藝者能夠無需運用創新技能地使用其他磷光錯合物。 磷光金屬錯合物較佳地含有Ir、Ru、Pd、Pt、Os或Re。 較佳配位基為2-苯基吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、1-苯基異喹啉衍生物、3-苯基異喹啉衍生物或2-苯基喹啉衍生物。所有之這些化合物均可經取代，例如為了藍光而經氟、氰基及/或三氟甲基取代基取代。輔助配位基較佳地為乙醯丙酮酸鹽或2-吡啶甲酸。 尤其適當之發射體為Pt或Pd連同式EM-16之四牙配位基的錯合物式EM-16化合物更詳細地述於US 2007/0087219 A1中，提及此文件之揭示目的係用於闡述上式中之取代基及標號。 另外適當者為具有大環系統之Pt-卟啉錯合物(US 2009/0061681 A1)及Ir錯合物，例如2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉-Pt(II)、四苯基-Pt(II)-四苯并卟啉 (US 2009/0061681 A1)、順-雙(2-苯基吡啶根基-N,C2
')Pt(II)、順-雙(2-(2'-噻吩基)吡啶根基-N,C3
')Pt(II)、順-雙(2-(2'-噻吩基)喹啉根基-N,C5
')Pt(II)、乙醯丙酮酸(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根基-N,C2
')Pt(II)或參(2-苯基吡啶根基-N,C2
')Ir(III)(=Ir(ppy)3
，綠色)、乙醯丙酮酸雙(2-苯基吡啶根基-N,C2
)Ir(III)(=Ir(ppy)2
(乙醯丙酮酸)，綠色，US 2001/0053462 A1, Baldo, Thompson et al.Nature
403, (2000), 750-753)、雙(1-苯基異喹啉根基-N,C2
')(2-苯基吡啶根基-N,C2
')銥(III)、雙(2-苯基吡啶根基-N,C2
')(1-苯基異喹啉根基-N,C2
')銥(III)、乙醯丙酮酸雙(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶根基-N,C3
')銥(III)、吡啶甲酸雙(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根基-N,C2
')銥(III) (Flrpic，藍色)、肆(1-吡唑基)硼酸雙(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根基-N,C2
')Ir(III) 、參(2-(聯苯-3-基)-4-三級丁基吡啶)銥(III)、(ppz)2
Ir(5phdpym) (US 2009/0061681 A1)、(45ooppz)2
Ir(5phdpym) (US 2009/0061681 A1)、2-苯基吡啶-Ir錯合物之衍生物，例如PQIr (=雙(2-苯基喹啉基-N,C2
')乙醯丙酮酸銥(III))、參(2-苯基異喹啉根基-N,C)Ir(III) (紅色)、乙醯丙酮酸雙(2-(2'-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶根基-N,C3
)Ir ([Btp2
Ir(acac)]，紅色，Adachi et al.Appl. Phys. Lett
. 78 (2001), 1622-1624)。亦特別適當者為詳述於WO 2016/124304中之錯合物。上文引述之文件，尤其WO 2016/124304 A1，乃併入本申請案中作為參考以供揭示之目的。 同樣地適合者為三價鑭系元素例如Tb3+
及Eu3+
之錯合物(J. Kido et al.Appl. Phys. Lett.
65 (1994), 2124, Kido et al. Chem. Lett. 657, 1990, US 2007/0252517 A1)或Pt(II)、Ir(I)、Rh(I)與馬來腈二硫醇之磷光錯合物(Johnson et al.,JACS
105, 1983, 1795)、Re(I)-三羰基二亞胺錯合物(尤其Wrighton,JACS
96, 1974, 998)、含氰基配位基及聯吡啶或啡啉配位基之Os(II) 錯合物(Ma et al.,Synth. Metals
94, 1998, 245)。 具有三牙配位基之其他磷光發射體乃述於US 6824895及US 10/729238中。發紅色磷光之錯合物乃揭示於US 6835469及US 6830828中。 可用作為磷光摻雜劑之特佳化合物、或基團或結構元件包括述於US 2001/0053462 A1及Inorg. Chem.
2001, 40(7), 1704-1711, JACS 2001, 123(18), 4304-4312中之式EM-17化合物及其衍生物。衍生物乃述於US 7378162 B2、US 6835469 B2及JP 2003/253145 A中。 此外，亦可以使用述於US 7238437 B2、US 2009/008607 A1及EP 1348711中之式 EM-18至EM-21化合物及其衍生物作為發射體。量子點同樣地用作為發射體，這些材料詳細地揭示於WO 2011/076314 A1中。 用作為主體材料尤其是連同發光化合物一起之化合物、或基團或結構元件包括各種類別之材料。 主體材料之HOMO與LUMO之間的能帶間隙通常比所用之發射體材料大。此外，較佳主體材料顯現電洞亦或電子傳輸材料的性質。再者，主體材料可具有電子亦或電洞傳輸性質。 主體材料於一些情況下亦稱之為基質材料，尤其如果主體材料係與磷光發射體組合地用於OLED中的話。 尤其連同螢光摻雜劑一起使用之較佳主體材料或共主體(co-host)材料是選自以下類別：伸寡芳基(例如根據EP 676461之2,2',7,7'-四苯基螺雙茀或例如二萘基蒽)，尤其是含有稠合芳族基團之伸寡芳基，例如蒽、苯并蒽、苯并菲 (DE 10 2009 005746、WO 09/069566)、菲、稠四苯、蔻、、茀、螺雙茀、苝、酞苝、萘苝、十環烯(decacyclene)、紅螢烯(rubrene)；伸寡芳基伸乙烯基(例如DPVBi=4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)-1,1'-聯苯或根據EP 676461之螺-DPVBi)；多足金屬錯合物(例如根據WO 04/081017)，尤其是8-羥基喹啉之金屬錯合物例如AlQ3
(=鋁(III)參(8-羥基喹啉)或雙-(2-甲基-8-喹啉根基)-4-(苯基非諾林根基)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolato)-4-(phenylphenolinolato)aluminium)，包括帶有咪唑螯合劑(US 2007/0092753 A1)；及喹啉-金屬錯合物、胺基喹啉金屬錯合物、苯并喹啉金屬錯合物；電洞傳導性化合物(例如根據WO 04/058911)；電子傳導性化合物，尤其是酮、氧化膦、亞碸、咔唑、螺咔唑、茚并咔唑等等(例如根據WO 05/084081及WO 05/084082)；阻轉異構物(例如根據WO 06/048268)；酸衍生物(例如根據WO 06/117052)或苯并蒽 (例如根據WO 08/145239)。 可充作主體材料或共主體(co-host)材料之特佳化合物、或基團或結構元件選自以下類別：含有蒽、苯并蒽及/或芘之伸寡芳基或這些化合物之阻轉異構物。本發明上下文中之伸寡芳基應理解為意指其中至少三個芳基或伸芳基彼此直接連結的化合物。 較佳主體材料尤其是選自式(H-100)化合物：其中Ar5
、Ar6
、Ar7
於每一情況為相同或不同且為具5至30個芳族環原子且可隨意地經取代之芳基或雜芳基，且p為1至5之整數；同時，當p=1時，Ar5
、Ar6
、Ar7
中之π電子總數至少為30，當p=2時，至少為36，且當p=3時，至少為42。 更佳地，式(H-100)化合物中，Ar6
基為蒽，且Ar5
及Ar7
基於9及10位置鍵結，其中這些基團可隨意地經取代。最佳地，Ar5
及/或Ar7
基之至少一者為選自1-或2-萘基、2-、3-或9-菲基或2-、3-、4-、5-、6-或7-苯并蒽基之稠合芳基。以蒽為基底之化合物述於US 2007/0092753 A1及US 2007/0252517 A1中，例如為2-(4-甲苯基)-9,10-二(2-萘基)蒽、9-(2-萘基)-10-(1,1’-聯苯基)蒽及9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽、9,10-二苯基蒽、9,10-雙(苯基乙炔基)蒽及1,4-雙(9'-乙炔基蒽基)苯。亦較佳的是具有兩個蒽單元之化合物(US 2008/0193796 A1)，例如10,10'-雙[1,1',4’, 1"]聯三苯-2-基-9,9'-雙蒽基。 其他較佳化合物為芳基胺衍生物、苯乙烯基胺、螢光素、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、環戊二烯、四苯基環戊二烯、五苯基環戊二烯、香豆素、二唑、雙苯并唑啉、酮、吡啶、吡、亞胺、苯并噻唑、苯并唑、苯并咪唑 (US 2007/0092753 A1)例如2,2',2"-(1,3,5-伸苯基)參[1-苯基-1H-苯并咪唑]、醛(aldazine)、茋、苯乙烯基伸芳基衍生物例如9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽及二苯乙烯基伸芳基衍生物(US 5121029)、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二胺基咔唑、哌喃、噻喃、二酮基吡咯并吡咯、聚甲炔、肉桂酸酯及螢光染料。 特佳的是芳基胺衍生物及苯乙烯基胺，例如TNB (= 4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基]聯苯)。金屬類奧辛錯合物(Metal oxinoid complex)諸如LiQ或AlQ3
可用作為共主體(co-host)。 連同伸寡芳基作為基質之較佳化合物、或基團或結構元件詳述於US 2003/0027016 A1、US 7326371 B2、US 2006/043858 A、WO 2007/114358、WO 08/145239、JP 3148176 B2、EP 1009044、US 2004/018383、WO 2005/061656 A1、EP 0681019B1、WO 2004/013073A1、US 5077142、WO 2007/065678和DE 102009005746，特佳化合物以式H-102至H-108說明。 此外，可用作為主體或基質之化合物、或基團或結構元件包括與磷光發射體一起使用之材料。這些亦可用作為聚合物中之結構元件的化合物、或基團或結構元件包括CBP (N,N-雙咔唑基聯苯)、咔唑衍生物(例如根據WO 05/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、或WO 08/086851)、氮雜咔唑(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、酮(例如根據WO 04/093207或根據DE 102008033943)、氧化膦、亞碸及碸(例如根據WO 05/003253)、伸寡苯基、芳族胺(例如根據US 2005/0069729)、雙極基質材料(例如根據WO 07/137725)、矽烷(例如根據WO 05/111172)、9,9-二芳基茀衍生物(例如根據DE 102008017591)、氮雜硼雜環戊烯或酸酯(例如根據WO 06/117052)、三衍生物(例如根據DE 102008036982)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 07/063754或WO 08/056746)、茚并咔唑衍生物(例如根據DE 102009023155及DE 102009031021)、二氮雜磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據DE 102009022858)、***衍生物、唑及唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑酮衍生物、二苯乙烯基吡衍生物、噻喃二氧化物衍生物、苯二胺衍生物、三級芳族胺、苯乙烯基胺、胺基取代之查耳酮(chalcone)衍生物、吲哚、腙衍生物、茋衍生物、矽氮烷衍生物、芳族二亞甲基化合物、碳化二亞胺衍生物、8-羥基喹啉衍生物之金屬錯合物例如AlQ3
(8-羥基喹啉錯合物亦可含有三芳基胺基酚配位基(US 2007/0134514 A1))、金屬錯合物聚矽烷化合物及噻吩、苯并噻吩及二苯并噻吩衍生物。 較佳咔唑衍生物之實例為mCP (= 1,3-N,N-二咔唑苯(= 9,9'-(1,3-伸苯基)雙-9H-咔唑)) (式H-9)、CDBP (= 9,9'-(2,2'-二甲基[1,1'-聯苯基]-4,4'-二基)雙-9H-咔唑)、1,3-雙(N,N'-二咔唑)苯 (= 1,3-雙(咔唑-9-基)苯)、PVK (聚乙烯基咔唑)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)聯苯及CMTTP (式H10)。特佳之化合物詳述於US 2007/0128467 A1及US 2005/0249976 A1中(式H-111至H-113)。 較佳之Si-四芳基詳述於例如文件US 2004/0209115、US 2004/0209116、US 2007/0087219 A1及於H. Gilman, E.A. Zuech, Chemistry & Industry (London, United Kingdom), 1960, 120中。特佳之Si-四芳基以式H-114至H-120說明。 供製造磷光摻雜劑用之基質的特佳化合物、或基團或結構元件尤其詳述於DE 102009022858、DE 102009023155、EP 652273 B1、WO 07/063754及WO 08/056746中，特佳化合物以式H-121至H-124說明。 有關於根據本發明可用之可充作主體材料的官能性化合物、或基團或結構元件方面，較佳者尤其是具有至少一個氮原子之物質。這些較佳地包括芳族胺、三衍生物及咔唑衍生物。例如，咔唑衍生物尤其顯現令人驚異之高效率。三衍生物意外地導致包含所述該化合物之電子裝置的長壽命。 亦可較佳地使用複數種不同的基質材料作為混合物，尤其是至少一種電子傳導性基質材料及至少一種電洞傳導性基質材料。同樣地較佳的是使用電荷傳輸基質材料與未顯著涉及(如果有的話)電荷傳輸之電惰性基質材料(如同例如於WO 2010/108579中所述)的混合物。 此外，可以使用化合物、或基團或結構元件，其可改善由單重態躍遷至三重態且其用於支援具有發射體性質之官能性化合物時可改善這些化合物之磷光性質。供此目的之可用單元尤其為咔唑及橋連咔唑二聚物單元，如同例如述於WO 04/070772 A2及WO 04/113468 A1中者。供此目的之其他可用者為酮、氧化膦、亞碸、碸、矽烷衍生物及類似化合物，如同例如述於WO 05/040302 A1中者。 n-摻雜劑在本文中要理解為意指還原劑，亦即電子供體。n-摻雜劑之較佳實例為根據WO 2005/086251 A2之W(hpp)4及其他富集電子之金屬錯合物、P=N化合物(例如WO 2012/175535 A1、WO 2012/175219 A1)、伸萘基碳化二亞胺(例如WO 2012/168358 A1)、茀(例如WO 2012/031735 A1)、自由基及雙自由基(例如EP 1837926 A1、WO 2007/107306 A1)、吡啶(例如EP 2452946 A1、EP 2463927 A1)、N-雜環化合物(例如WO 2009/000237 A1)及吖啶及吩(例如US 2007/145355 A1)。 此外，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可配置成寬能帶間隙材料。寬能帶間隙材料要理解為意指US 7,294,849之揭示內容的材料。這些系統於電致發光裝置中顯現卓越的有利效能。 較佳地，用作為寬能帶間隙材料之化合物可具有2.5 eV或更大，較佳地3.0 eV或更大，極佳地3.5 eV或更大的能帶間隙。一種計算能帶間隙的方法係經由最高佔據分子軌域 (HOMO)與最低未佔據分子軌域(LUMO)的能階。 此外，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可配置成電洞阻擋材料(HBM)。電洞阻擋材料意指可避免或最小化多層複合物中之電洞(正電荷)的傳導之材料，尤其是如果此材料被排列成相鄰於發射層或電洞傳導層之層形式的話。通常，電洞阻擋材料具有比相鄰層中之電洞傳輸材料更低的HOMO能階。OLED中之電洞阻擋層經常排列在發光層與電子傳輸層之間。 原則上可以使用任何已知之電洞阻擋材料。除了本申請案之其他處詳述之其他電洞阻擋材料之外，適當電洞阻擋材料為金屬錯合物(US 2003/0068528)，例如雙-(2-甲基-8-喹啉根基)-4-(苯基非諾林根基)鋁(III) (bis-(2-methyl-8-quinolinolato)-4-(phenylphenolinolato)aluminium(III)) (BAlQ)。面式-參(1-苯基吡唑根基-N,C2)銥(III) (Ir(ppz)3)同樣地用於供這些目的(US 2003/0175553 A1)。啡啉衍生物例如BCP、或酞醯亞胺例如TMPP同樣可予使用。 此外，適當之電洞阻擋材料乃述於WO 00/70655 A2、WO 01/41512及WO 01/93642 A1中。 此外，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2可配置成電子阻擋材料(EBM)。電子阻擋材料意指可避免或最小化多層複合物中之電子的傳導之材料，尤其是如果此材料被排列成相鄰於發射層或電子傳導層之層形式的話。通常，電子阻擋材料具有比相鄰層中之電子傳輸材料更高的LUMO能階。 原則上可以使用任何已知之電子阻擋材料。除了本申請案之其他處所述之其他電子阻擋材料之外，適當之電子阻擋材料為過渡金屬錯合物，例如Ir(ppz)3
(US 2003/0175553)。 適當之本發明混合物的實例為下文中詳述的組成物，其包含二、三或四種具有下式結構之化合物： 可能較佳的情況是，該至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2係以由1:1至100:1、較佳1:1至10:1範圍的重量比使用，所用之該化合物的比值是為使彼此互為結構異構物具有最高及最低的比例。 較佳地，該至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2根據谷本(Tanimoto)計算具有由80%至小於100%，較佳地90%至99.9%，且更佳地95%至99.5%的相似性。 本發明混合物之較佳實施態樣明確例示於實例中，這些混合物可單獨地或與其他化合物組合使用以供本發明之所有目的。 前提是要遵守申請專利範圍第1項中特定的條件，上述之較佳實施態樣可依所需彼此組合。本發明特佳之實施態樣中，上述之較佳實施態樣同時適用。 本發明化合物原則上可藉各種方法製備。然而，下文中所述的方法已被發現特別適當。 因此，本發明進一步提供製備包含至少二種有機官能性化合物OSM1及OSM2之混合物的方法，其係製備及混合二種結構異構物或者利用偶合反應製備包含至少二種結構異構物之混合物。 適當之化合物OSM1及OSM2可由已知先質經由偶合反應將上文詳述之基團、結構元件及/或取代基S1或S2鍵結而得。 特別適當及特別佳的偶合反應(所有均導致C-C 鍵形成及/或C-N 鍵形成)為根據布赫瓦爾德(BUCHWALD)、鈴木(SUZUKI)、山本(YAMAMOTO)、施蒂勒(STILLE)、赫克(HECK)、根岸(NEGISHI)、薗頭(SONOGASHIRA)及檜山(HIYAMA)者。這些反應係廣泛已知，且實例將提供熟諳此者進一步之指點。 上文詳述之製備方法的原理原則上由類似化合物的文獻中已知且可由熟諳此藝者輕易適用至本發明化合物的製備。進一步訊息可見於實例中。 如果接著必需純化，則可以藉由這些方法例如再結晶法或昇華法進行，以得到包含高純度較佳地大於99%(用1
H NMR及/或HPLC測定)純度之式(I)結構的本發明化合物。 本發明化合物OSM1及OSM2亦可具有適當取代基，例如相對長之烷基(約4至20個碳原子)(特別是支鏈烷基)、或隨意經取代之芳基(例如二甲苯基、基或支鏈聯三苯基或聯四苯基)，使得其於標準有機溶劑(例如苯甲酸丁酯、3-苯氧基甲苯、甲苯或二甲苯)中，於室溫下具有充分濃度中之溶解度，以求可從溶液中處置化合物。這些可溶性化合物特別適當於從溶液中進行處置例如藉印刷法。 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2亦可與聚合物混合。同樣地可以將這些化合物以共價方式併至聚合物中。尤其可以與經反應性脫離基諸如溴、碘、氯、酸或酸酯取代或經反應性可聚合基團諸如烯烴或氧雜環丁烷取代之化合物進行。這些經發現可用作為製造相應的寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體。寡聚反應或聚合反應較佳地經由鹵素官能基或酸官能基或經由可聚合基團達成。另外可以將聚合物經由此類之基團交聯。本發明之化合物及聚合物可以交聯或未交聯的層之形式使用。 因此本發明進一步提供包含一或多種結構異構物之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物的混合物，其中可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2具有一或多個鍵結至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物的鍵。根據化合物結構之鍵聯，因此彼等形成寡聚物或聚合物的側鏈或者於主鍵內鍵結。聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或未共軛。寡聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀。有關寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中之本發明化合物的重覆單元方面，適用與上述者相同之偏好。 本上下文中，可根據本發明使用之化合物OSM1可聚合而得聚合物，而且化合物OSM2可聚合而得聚合物，這些個別聚合物再混合。此外，化合物OSM1及OSM2可聚合而得聚合物。此外，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的各種混合物可聚合，接著將該各種聚合物再混合。較佳地，本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物包含至少二種不同組份，這些組份之不同處在於有關於構份 OSM1及OSM2之單體組成不同。 在寡聚物或聚合物的製備方面，本發明之單體係均聚合或與其他單體共聚合。較佳的是共聚物，其中上下文中所述式(I)及/或(II)單元或較佳實施態樣係以0.01至99.9 mol%，較佳地5至90 mol%，更佳地20至80 mol%的程度存在。形成聚合物基礎骨架之適當且較佳共聚單體是選自茀(例如根據EP 842208或WO 2000/022026)、螺雙茀(例如根據EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、對伸苯(例如根據WO 92/18552)、咔唑(例如根據WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如根據EP 1028136)、二氫菲(例如根據WO 2005/014689)、順-及反-茚并茀(例如根據WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮(例如根據WO 2005/040302)、菲(例如根據WO 2005/104264或WO 2007/017066)或複數種這些單元。聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物亦可含有其他單元，例如電洞傳輸單元(尤其是以三芳基胺為基底者)、及/或電子傳輸單元。 另外特別關注的是可根據本發明使用之化合物以高玻璃轉移溫度為特徵。有關此方面，尤其較佳的是包含通式(I)及/或(II)結構或上下文所述較佳實施態樣之本發明化合物，其根據DIN 51005 (2005-08 版)測得具有至少70℃，更佳地至少110℃，甚至更佳地至少125℃，且尤佳地至少150℃之玻璃轉移溫度。 在由液相例如藉旋轉塗佈法或藉印刷法處理可根據本發明使用之化合物方面，需要本發明化合物的調合物。這些調合物可例如為溶液、分散液或乳膠。欲供此目的，較佳地可使用二或多種溶劑之混合物。適當且較佳之溶劑為例如甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二烷、苯氧基甲苯、尤其是3-苯氧基甲苯、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、異戊酸苯酯、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、二氫化茚、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯***、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、六甲基二氫化茚，或這些溶劑之混合物。 因此本發明進一步提供調合物，其包含可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物及至少一種其他化合物。此其他化合物可例如為溶劑，尤其是上述溶劑之一者或這些溶劑之混合物。該其他化合物亦可另為同樣地用於電子裝置中的至少一種其他有機或無機化合物，例如發光化合物(尤其是磷光摻雜劑)、及/或其他基質材料。該其他化合物亦可為聚合性。 因此本發明又進一步提供調合物，其包含可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物及至少一種其他有機官能性材料。官能性材料通常為引至陽極與陰極之間的有機或無機材料。較佳地，有機官能性材料是選自由以下所組成之群組：螢光發射體、磷光發射體、顯現TADF (熱活化延遲螢光)之發射體、主體材料、電子傳輸材料、電子注入材料、電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子阻擋材料、電洞阻擋材料、寬能帶間隙材料、p-摻雜劑及n-摻雜劑。 本發明之特別方面中，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物可用作為發射體，較佳地作為螢光發射體，發射體於許多情況中係與適當基質材料組合使用。此外，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物可用作為基質材料，尤其供磷光發射體所用，基質材料於許多情況中係與其他基質材料組合使用。 因此本發明亦關於組成物，其包含至少一種可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或上下文所述較佳實施態樣的本發明混合物及至少一種其他基質材料。根據本發明之特別方面，該其他基質材料具有電子傳輸性質。 因此本發明進一步提供組成物，其包含至少一種可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或上下文所述較佳實施態樣的本發明混合物及至少一種寬能帶間隙材料，寬能帶間隙材料要理解為意指於US 7,294,849之揭示內容所定義的材料。這些系統於電致發光裝置中顯現異常有利的效能。 較佳地，此其他化合物可具有2.5 eV或更大，較佳地3.0 eV或更大，極佳地3.5 eV或更大的能帶間隙。計算能帶間隙的一種方法為經由最高佔據分子軌域(HOMO)及最低未佔據分子軌域(LUMO)的能階。 材料之分子軌域(尤其亦為最高佔據分子軌域(HOMO)及最低未佔據分子軌域(LUMO))的能階及最低三重態T1
的能量及最低激發單重態S1
的能量係經由量子化學計算法測定。在無金屬的有機物質之計算方面，幾何最佳化首先係藉由" Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1/ Charge 0/Spin Singlet "法進行。接著，能量的計算係以最佳化之幾何為基準達成。此係使用"TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91"法連同"6-31G(d)"基底函數組(charge 0，spin singlet)完成。在含金屬之化合物方面，幾何係經由" Ground State / Hartree-Fock/Default Spin/LanL2MB/Charge 0/Spin Singlet "法最佳化。能量的計算係類似於上述用於有機物質的方法達成，惟使用"LanL2DZ"基底函數組於金屬原子及使用"6-31G(d)"基底函數組於配位基。HOMO能階HEh或LUMO能階LEh係得自哈特單位(Hartree unit)的能量計算。此係用於如下地藉循環伏安測量法而測定HOMO及LUMO能階(單位為電子伏特)：這些數值於本申請案上下文中被視為是材料的HOMO及LUMO能階。 最低三重態T1
經定義為具有最低能量的三重態能量，其由所述之量子化學計算法中明顯可見。 最低激發單重態S1
經定義為具有最低能量的激發單重態能量，其由所述之量子化學計算法中明顯可見。 本文中所述之方法與所用之軟體包無關且總能提供相同的結果。經常使用之用於此目的的程式之實例為"Gaussian09W" (Gaussian Inc.)及Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.)。 本發明亦關於組成物，其包含至少一種可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或上下文所述較佳實施態樣的本發明混合物及至少一種發射體，該發射體較佳地選自螢光發射體、磷光發射體及/或顯現TADF (熱活化延遲螢光)之發射體，該混合物較佳地包含至少一種以立體異構物混合物(較佳地含lambda (Λ)及delta (Δ)異構物)形式存在之磷光發射體。 包含基質材料及摻雜劑之系統中的摻雜劑要理解為意指於混合物中具有較小比例的組份。相應地，包含基質材料及摻雜劑之系統中的基質材料要理解為意指於混合物中具有較大比例的組份。 用於基質系統(較佳是混合型基質系統)中的較佳磷光發射體(文中亦為磷光摻雜劑)為下文所特別指明之較佳磷光摻雜劑。 術語"磷光摻雜劑"典型地涵蓋化合物，其中光的發射係經由自旋禁止躍遷，例如從激發三重態或具有更高自旋量子數的狀態(例如五重態)躍遷達成。 適當之磷光化合物(= 三重態發射體)尤其為當適當激發時發光(較佳地於可見光區中)之化合物，且亦含有至少一個原子序大於20，較佳地大於38且小於84，尤其較佳地大於56且小於80的原子，尤其是具有此原子序的金屬。所用之較佳磷光發射體為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物，尤其是含有銥或鉑之化合物。本發明上下文中，含有上述金屬之所有發光化合物均被視為是磷光化合物。 上述發射體之實例可見於申請案WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960及尚未公開之申請案EP 13004411.8、EP 14000345.0、EP 14000417.7及EP 14002623.8中。通常，根據先前技藝及熟知有機電致發光領域者已知之用於磷光OLED的所有磷光錯合物均適當，熟諳此藝者可不必運用創新技能地使用其他磷光錯合物。 磷光摻雜劑之明確實例乃示於下表中： 上述化合物(包含至少一種可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2之本發明混合物)或上文詳述之較佳實施態樣較佳地作為電子裝置中之活性組件。電子裝置要理解為包含陽極、陰極及介於陽極與陰極之間的至少一層之任何裝置，該介於陽極與陰極之間的至少一層包含至少一種有機或有機金屬化合物。故本發明之電子裝置包含陽極、陰極及介於陽極與陰極之間的至少一層，該至少一層含有至少一種包含式(I)及/或(II)結構之化合物。此處較佳電子裝置是選自由以下所組成之群組：有機電致發光裝置(OLED，PLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場猝滅裝置(O-FQD)、有機電感測器、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-laser)及有機電漿子發射裝置(D. M. Kolleret al.
,Nature Photonics 2008
, 1-4)，較佳是有機電致發光裝置(OLED，PLED)，尤其是磷光OLED，其於至少一層中含有至少一種包含式(I)結構之化合物。特佳的是有機電致發光裝置。活性組件通常為引至陽極與陰極之間的有機或無機材料，例如電荷注入、電荷傳輸或電荷阻擋材料，但尤其為發射材料及基質材料。 本發明之較佳實施態樣為有機電致發光裝置。有機電致發光裝置包含陰極、陽極及至少一個發射層。除了這些層之外，其亦可包含其他層，例如於每一情況中包含一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、電荷產生層及/或有機或無機p/n接面。同時，可行的是一或多個電洞傳輸層經例如金屬氧化物(諸如MoO3
或WO3
)或(全)氟化之缺電子芳族系統進行p-摻雜，且/或一或多個電子傳輸層為n-摻雜。同樣可以有被引至兩個發射層之間的中間層，彼等具有例如激子阻擋功能及/或控制電致發光裝置中之電荷平衡。然而應指出，未必這些層中之每一層都必需存在。 此情況下，有機電致發光裝置可以含有發射層，或者其可含有複數個發射層。如果存在複數個發射層，則彼等較佳地在整體380 nm至750 nm之間具有數個最大發射峰，使得整體結果為發射白光；換言之，係使用可為螢光或磷光之各種發光化合物於發射層中。尤佳者為三層系統，其中該三層顯現藍、綠及橙或紅光之發射(有關基本構造例如參見WO 2005/011013)；或為具有多於三個發射層之系統。系統亦可為雜合系統，其中一或多層為螢光且一或多個其他層為磷光。 本發明之較佳實施態樣中，有機電致發光裝置含有可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或上文詳述較佳實施態樣之本發明混合物於一或多個發射層中作為基質材料，較佳地作為電洞傳導性基質材料，較佳地與其他基質材料(較佳地電子傳導性基質材料)組合。本發明之另一較佳實施態樣中，該其他基質材料為電洞傳輸化合物。又另一較佳實施態樣中，該其他基質材料為具有大能帶間隙且未顯著程度地涉及(如果有的話)層中之電洞及電子傳輸性的化合物。發射層包含至少一種發光化合物。 可與可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物或根據較佳實施態樣組合使用之適當基質材料為芳族酮；芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸，例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680；三芳基胺，尤其是單胺，例如根據WO 2014/015935；咔唑衍生物，例如CBP (N,N-雙咔唑基聯苯)，或揭示於WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、或WO 2008/086851中之咔唑衍生物；吲哚并咔唑衍生物，例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746；茚并咔唑衍生物，例如根據WO 2010/136109或WO 2011/000455；氮雜咔唑衍生物，例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160；雙極基質材料，例如根據WO 2007/137725；矽烷，例如根據WO 2005/111172；氮雜硼雜環戊烯或酸酯，例如根據WO 2006/117052；三衍生物，例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746；鋅錯合物，例如根據EP 652273或WO 2009/062578；二氮雜矽雜噻咯(diazasilole)或四氮雜矽雜噻咯(tetraazasilole)衍生物，例如根據WO 2010/054729；二氮雜磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物、例如根據WO 2010/054730；橋連咔唑衍生物，例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080；伸聯三苯衍生物，例如根據WO 2012/048781；內醯胺，例如根據WO 2011/116865、WO 2011/137951或WO 2013/064206；或4-螺咔唑衍生物，例如根據WO 2014/094963或尚未公開之申請案EP 14002104.9。同樣地可以有發射比實際發射體更短波長的其他磷光發射體存在於混合物中作為共主體(co-host)。 較佳之共主體(co-host)材料為三芳基胺衍生物，尤其是單胺、茚并咔唑衍生物、4-螺咔唑衍生物、內醯胺及咔唑衍生物。 亦較佳地係使用複數種不同基質材料作為混合物，尤其是至少一種電子傳導性基質材料及至少一種電洞傳導性基質材料。同樣地較佳的是使用電荷傳輸基質材料與未顯著涉及(如果有的話)電荷傳輸之電惰性基質材料的混合物(如同例如於WO 2010/108579中所述)。 進一步較佳地係使用二或多種三重態發射體連同基質之混合物。此情況下，具有較短波發射光譜之三重態發射體係充作具有較長波發射光譜之三重態發射體的共基質(co-matrix)。 更佳地，可以使用可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物，於較佳實施態樣中，作為有機電子裝置，尤其是有機電致發光裝置(例如OLED或OLEC)中之發射層的基質材料。此情況下，含有至少一種可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或上下文所述較佳實施態樣的本發明混合物之基質材料係與一或多種摻雜劑(較佳地磷光摻雜劑)組合地存在於電子裝置中。 此情況下發射層中之基質材料的比例在螢光發射層方面介於50.0體積%至99.9體積%之間，較佳地介於60.0體積%至99.5體積%之間，且更佳地介於92.0體積%至99.5體積%之間，在綠色或紅色區域發光之磷光層方面係介於60.0體積%至70.0體積%之間。而在藍色區域發光之磷光層方面係介於90.0體積%至97.0體積%之間。 相應地，摻雜劑的比例在螢光發射層方面介於0.1體積%至50.0體積%之間，較佳地介於0.5體積%至20.0體積%之間，且更佳地介於0.5體積%至8.0體積%之間，在藍色區域發光之磷光發射層方面係介於3.0體積%至10.0體積%之間，而在綠色或紅色區域發光之磷光發射層方面係介於30.0體積%至40.0體積%之間。 有機電致發光裝置之發射層亦可包含含有複數種基質材料(混合基質系統)及/或複數種摻雜劑的系統。亦於此情況下，摻雜劑通常為於系統中具有較小比例的材料，而基質材料為於系統中具有較大比例的材料。然而，個別情況下，系統中之單一基質材料的比例可小於單一摻雜劑的比例。 本發明之另一較佳實施態樣中，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或上下文所述較佳實施態樣的本發明混合物係作為混合基質系統的組份。混合基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料，更佳地二種不同的基質材料。較佳地，於此情況下，二種材料之一者為具有電洞傳輸性質的材料且另一材料為具有電子傳輸性質的材料。然而，混合基質組份之所欲的電子傳輸及電洞傳輸性質亦可主要地或完全地組合於單一混合基質組份中，於此情況下，其他混合基質組份可滿足其他功能。兩種不同的基質材料可以1:50至1:1，較佳地1:20至1:1，更佳地1:10至1:1，且最佳地1:4至1:1的比值存在。較佳的是使用混合基質系統於磷光有機電致發光裝置中。有關混合基質系統之更詳細訊息的一來源為申請案WO 2010/108579。 本發明進一步提供電子裝置，較佳地有機電致發光裝置，其包含一或多種本發明化合物及/或至少一種本發明之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物於一或多個電洞傳導性層中用作為電洞傳導性化合物。 本發明另外提供電子裝置，較佳地有機電致發光裝置，其包含一或多種本發明化合物及/或至少一種本發明之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物於發射層中用作為發光化合物(較佳地作為螢光發射體)、或作為基質材料，較佳地與磷光發射體組合。 較佳之陰極為具有低功函數的金屬、金屬合金或包含各種金屬之多層結構，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等等)。另外適當者為包含鹼金屬或鹼土金屬及銀之合金，例如包含鎂及銀之合金。在多層結構之情況下，除了所述之金屬之外，亦可使用具有相對高功函數的其他金屬例如Ag，在此情況下，通常使用金屬之組合諸如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。較佳地亦可在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。供此目的之有用材料實例為鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但亦可為相應之氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2
O、BaF2
、MgO、NaF、CsF、Cs2
CO3
等等)。同樣地可用於此目的者為有機鹼金屬錯合物，例如Liq (喹啉鋰)。此層之層厚度較佳地在0.5至5 nm之間。 較佳之陽極為具有高功函數的材料。陽極較佳地具有相對於真空大於4.5 eV的功函數。首先，具有高氧化還原電位的金屬(例如Ag、Pt或Au)適於供此目的。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx
、Al/PtOx
)亦佳。一些應用方面，所述電極中至少一者必需為透明或部分透明而使能夠達成有機材料的照射(O-SC)或光的發射(OLED/PLED，O-laser)。此處較佳之陽極材料為導電混合型金屬氧化物。特佳的是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。進一步較佳的是導電性摻雜型有機材料，尤其是導電性摻雜型聚合物，例如PEDOT、PANI或這些聚合物之衍生物。進一步較佳地是p摻雜型電洞傳輸材料作為電洞注入層地被施加至陽極，此情況下適當的p摻雜劑為金屬氧化物(例如MoO3
或WO3
)、或(全)氟化缺電子芳族系統。其他適當之p摻雜劑為HAT-CN (六氰基六氮雜聯伸三苯)或得自Novaled之NPD9。此型式之層簡化了電洞注入至具有低HOMO(亦即在大小方面為大HOMO)的材料中。 其他層中，通常可以使用根據先前技藝用於所述層的任何材料，且熟諳此藝者可以在不運用創新技能的情況下將電子裝置中的任何這些材料與本發明材料組合。 所述裝置被相應地(根據其應用)結構化、接點接通且最後被密封，因為此些裝置的壽命於水及/或空氣的存在下會嚴重地縮短之故。 另外較佳者為電子裝置，尤其為有機電致發光裝置，其特徵在於一或多個層係由溶液例如藉旋塗法或藉任何印刷法例如網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法或噴嘴印刷法，但更佳地LITI (光誘導熱成像法、熱轉印法)或噴墨印刷法製得。欲供此目的，需要可溶性化合物，其係例如經由適當之取代而得。 上文引述之用於說明官能性化合物的文件乃併入本申請案中參考以供揭露之目的。 這些方法通常為熟諳此藝者已知且可毫無困難地應用至包含含有式(I)及/或(II)或上文詳述較佳實施態樣之本發明化合物的電子裝置，尤其是有機電致發光裝置。 本發明之電子裝置，尤其是有機電致發光裝置，具有顯著之下列一或多個出人意外之優於先前技藝的優點： 1. 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，於溶液中顯現優良之安定性，其中該溶液可具有比僅包含可根據本發明使用之化合物OSM1或OSM2的溶液更高的濃度。 2. 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，可由溶液形成極良好，尤其極均質之薄膜。 3. 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，顯現極高之安定性且導致具有極長壽命之化合物。 4. 使用可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，可以避免在電子裝置(尤其是有機電致發光裝置)中形成光損失通道。結果，這些裝置以高PL效率且因此發射體之高EL效率、及基質至摻雜劑的優良能量傳遞為特徵。 5. 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，具有顯著之優良熱安定性。 6. 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，具有優良之玻璃薄膜形成性。 7. 電子裝置，尤其是有機電致發光裝置(其含有可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，尤其作為寬能帶間隙材料、作為螢光發射體或作為電子傳導性及/或電洞傳導性材料)具有極良好之壽命。本上下文中，這些化合物於高亮度下尤其導致低的衰減(roll-off)，亦即裝置的功率效率之小幅下降。 8. 電子裝置，尤其是有機電致發光裝置(其含有可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，作為螢光發射體或作為電子傳導性材料、電洞傳導性材料及/或主體材料)具有優良之效率。本上下文中，可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的混合物或由其衍生之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物、或上下文引述之較佳實施態樣，當用於電子裝置中時，導致低操作電壓。 這些上述優點並未伴隨其他電子性質的劣化。 本發明之混合物適用於電子裝置中。電子裝置要理解為意指含有至少一個含有至少一種有機化合物之層的裝置。然而，組件亦可包含無機材料或包含完全地由無機材料形成之層。 因此本發明進一步提供本發明之混合物於電子裝置中、特別於有機電致發光裝置中之用途。 本發明又進一步提供可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物及/或本發明之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物於電子裝置中作為螢光發射體、磷光發射體之主體材料、電子傳輸材料及/或電洞傳輸材料，較佳地作為磷光發射體之主體材料或作為電洞傳輸材料或作為電子傳輸材料之用途。 本發明又進一步提供電子裝置，其包含至少一種上文詳述之本發明混合物。此情況下，上文詳述之有關化合物的偏好亦適用於電子裝置。特佳的是選自由以下所組成之群組的電子裝置：有機電致發光裝置(OLED，PLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場猝滅裝置(O-FQD)、有機電感測器、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-laser)及有機電漿子發射裝置(D. M. Kolleret al.
,Nature Photonics 2008
, 1-4)，較佳是有機電致發光裝置(OLED，PLED)，尤其是磷光OLED。 本發明之進一步實施態樣中，本發明之有機電致發光裝置並未含有任何個別的電洞注入層及/或電洞傳輸層及/或電洞阻擋層及/或電子傳輸層，意指發射層係直接鄰接電洞注入層或陽極，及/或發射層係直接鄰接電子傳輸層或電子注入層或陰極，例如如同於WO 2005/053051所述地。另外可以使用相同或類似於發射層中之金屬錯合物的金屬錯合物作為直接鄰接至發射層的電洞傳輸或電洞注入材料，例如如同於WO 2009/030981所述地。 本發明之有機電致發光裝置的其他層中，可以使用根據先前技藝典型地使用之任何材料。因此熟諳此藝者可無需運用創新技能地使用已知可與可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2或根據較佳實施態樣使用的本發明混合物組合使用之用於有機電致發光裝置之任何材料。 可根據本發明使用之化合物OSM1及OSM2的本發明混合物當用於有機電致發光裝置時，通常具有極良好的性質。同時，有機電致發光裝置的其他性質(尤其是效率及電壓)同樣是較佳或至少可相比。 應該指出的是，本發明中所述之實施態樣的變化乃涵蓋在本發明之範圍內。除非明確排除，否則本發明中所揭示之任何特徵均可以與適合相同目的或均等或類似目的之其他特徵交換運用。因此，除非另有指定，否則本發明中所揭示之任何特徵均應被視為是通用系列的實例或被視為是均等或類似的特徵。 本發明之所有特徵均可以任何方式彼此組合，除了有特別之特徵及/或步驟互相排斥除外。此在本發明之較佳特徵上尤其真實。同樣地，非必要組合之特徵可分開使用(且不是以組合方式)。 亦應指出的是，許多特徵且尤其是本發明之較佳實施態樣者，本身應被視為是本發明，而非僅是本發明之一些實施態樣。有關這些特徵方面，可尋求除此之外的獨立保護或作為任何當前申請專利發明的替代者。 連同本發明一起揭示之技術教示可予摘要化且與其他實例組合。 本發明藉由下列實例詳細闡述，但不意在藉此限制之。 熟諳此藝者可無需運用創新技能地使用所提供之細節以製造本發明之其他電子裝置且因此在所申請專利之整個範圍執行本發明。