TW201618619A - 附載體銅箔之製法、覆銅積層板之製法、印刷配線板之製法、電子機器之製法及其等之製品 - Google Patents

附載體銅箔之製法、覆銅積層板之製法、印刷配線板之製法、電子機器之製法及其等之製品 Download PDF

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Abstract

一種附載體銅箔之製造方法，其包含下述加熱處理步驟：對依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層的附載體銅箔，進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或1小時~6小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或2小時~4小時之加熱溫度為160℃~220℃的加熱處理。

Description

附載體銅箔之製法、覆銅積層板之製法、印刷配線板之製法、電子機器之製法及其等之製品
本發明係關於一種附載體銅箔之製造方法、覆銅積層板之製造方法、印刷配線板之製造方法、及電子機器之製造方法、附載體銅箔、積層體、印刷配線板以及電子機器。
印刷配線板通常經下述步驟而製造：於使絕緣基板與銅箔接著而製成覆銅積層板之後，藉由蝕刻而於銅箔面形成導體圖案。隨著近年來電子機器之小型化、高性能化需求之增大而推展搭載零件之高密度構裝化或訊號之高頻化，從而對印刷配線板要求有導體圖案之細微化(窄間距化)或高頻應對等。
與窄間距化相對應，近來要求厚度在9μm以下、甚至是厚度在5μm以下的銅箔，然而，這種極薄之銅箔其機械強度低，在印刷配線板之製造時易破裂或產生皺摺，因此發展出將具有厚度的金屬箔用作為載體並隔著剝離層將極薄銅層電沉積於其上而成的附載體銅箔。於將極薄銅層的表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，經由剝離層將載體剝離去除。於所露出之極薄銅層上藉由抗蝕劑而形成電路圖案後，利用硫酸-過氧化 氫系蝕刻液來蝕刻去除極薄銅層，藉由此手法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process)來形成細微電路。
此處，對於成為與樹脂之接著面的附載體銅箔之極薄銅層的表面主要要求極薄銅層與樹脂基材之剝離強度充足，且此剝離強度於高温加熱、溼式處理、焊接、化學藥劑處理等之後亦保持為充足。提高極薄銅層與樹脂基材間的剝離強度之方法，一般而言係以下述方法為代表：使大量的粗化粒子附著於表面之輪廓(凹凸、粗糙)增大後的極薄銅層上。
然而，即便是在印刷配線板中，若於具有形成特別細微之電路圖案之需要的半導體封裝基板使用這種輪廓(凹凸、粗糙)大的極薄銅層，則於電路蝕刻時會殘留不需要之銅粒子，會產生電路圖案間之絕緣不良等問題。
因此，於WO2004/005588號(專利文獻1)中嘗試了使用未於極薄銅層之表面施加粗化處理的附載體銅箔作為以半導體封裝基板為首之用於細微電路的附載體銅箔。由於其低輪廓(凹凸、粗糙度、粗糙)的影響，這種未施加粗化處理的極薄銅層與樹脂之密合性(剝離強度)與一般之印刷配線板用銅箔相比，有降低之傾向。因此，要求對附載體銅箔作進一步之改善。
因此，於日本特開2007-007937號公報(專利文獻2)及日本特開2010-006071號公報(專利文獻3)中，記載有於附載體極薄銅箔之與聚醯亞胺系樹脂基板接觸(接著)的面，設置Ni層或/及Ni合金層、設置鉻酸鹽層、設置Cr層或/及Cr合金層、設置Ni層及鉻酸鹽層、設置Ni層及Cr層。藉由設置該等表面處理層，聚醯亞胺系樹脂基板與附載體極 薄銅箔之密合強度可不經粗化處理或是降低粗化處理之程度(細微化)即可得到所欲之接著強度。此外，亦記載有利用矽烷偶合劑來進行表面處理或施加防銹處理。
[專利文獻1]WO2004/005588號
[專利文獻2]日本特開2007-007937號公報
[專利文獻3]日本特開2010-006071號公報
於附載體銅箔之開發中，至今為止確保極薄銅層與樹脂基材之剝離強度一直被視為重點。因此，仍未對極薄銅層之電路形成性進行充分探討，其仍有改善之空間。
對極薄銅層形成電路，通常係以下述方式進行：於將極薄銅層積層於樹脂基材後去除載體，然後，於在極薄銅層上設置有特定圖案之光阻的狀態下，利用特定之蝕刻液進行蝕刻處理，去除未被光阻覆蓋之部分的銅層。之後，藉由去除光阻，製作具有所欲之導體圖案的電路。
此處，於利用特定之蝕刻液進行蝕刻處理時，若極薄銅層之與樹脂基材的界面附近部分對於蝕刻液的潤濕性差，則蝕刻液之潤濕範圍不足。於此情形，與樹脂基材之界面附近部分會產生蝕刻不均勻之部分，電路直線性變得不良。本發明提供對於極薄銅層之電路形成性良好的附載體銅箔之製造方法。又，提供蝕刻液之潤濕性良好的附載體銅箔。
以上述見解為基礎所完成之本發明於一態樣中，係一種附載 體銅箔之製造方法，其包含下述加熱處理步驟：對依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層的附載體銅箔，進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或1小時~6小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或2小時~4小時之加熱溫度為160℃~220℃的加熱處理。
本發明於另一個態樣中，係一種附載體銅箔之製造方法，其包含下述加熱處理步驟：對依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層的附載體銅箔，將到達加熱溫度為止的升溫速度設為超過50℃/小時，進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或1小時~6小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或2小時~4小時之加熱溫度為160℃~220℃的加熱處理。
本發明之附載體銅箔之製造方法於一實施形態中，上述加熱處理中之上述升溫速度為200℃/小時以下。
本發明之附載體銅箔之製造方法於另一實施形態中，上述加熱處理步驟後於常溫下所測得之載體的拉伸強度為300MPa以上。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，於上述加熱處理步驟中，係於非活性氣體環境下進行加熱處理。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，於上述加熱處理步驟中，於將附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中的狀態下進行加熱處理。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，於上述加熱處理步驟中，將把附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中時的張力設 為5~100kgf/m或20~100kgf/m從而進行加熱處理。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，於上述加熱處理步驟中，在將附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中的狀態下，一邊以0.01~600旋轉/小時的速度旋轉上述中空管一邊進行加熱處理。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，上述加熱處理前之附載體銅箔進一步於上述載體側之表面依序具備中間層、極薄銅層。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，上述加熱處理前之附載體銅箔進一步於上述載體側之表面具有表面處理層。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，上述表面處理層包含粗化處理層。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，於上述表面處理層為粗化處理層之表面進一步具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之一種以上的層。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，上述加熱處理前之附載體銅箔於上述極薄銅層之表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一層以上的層來作為表面處理層。
本發明之附載體銅箔之製造方法於再另一實施形態中，上述加熱處理前之附載體銅箔於上述表面處理層上具備樹脂層。
本發明於再另一態樣中，係一種覆銅積層板之製造方法，其使用有藉由本發明之方法所製得之附載體銅箔。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其使用有藉由本發明之方法所製得之附載體銅箔。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：準備藉由本發明之方法而製得之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法(Modified Semi Additive)中之任一方法形成電路。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：於藉由本發明之方法而製得之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器之製造方法，其使用有藉由本發明之方法所製得之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其係藉由本發明之方法而製得。
本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑與最小直徑之差為10mm以下。
本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑為25mm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑與最小直徑之差為10mm以下。
本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處 理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑為25mm以上。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，上述蝕刻液之痕跡的最大直徑與最小直徑之差為5mm以下。
本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，上述蝕刻液之痕跡的最大直徑為35mm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種積層體，其係使用本發明之附載體銅箔而製得。
本發明於再另一態樣中，係一種積層體，其含有本發明之附載體銅箔與樹脂，上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂所覆蓋。
本發明於再另一態樣中，係一種積層體，其係將一個本發明之附載體銅箔自上述載體側或上述表面處理層側積層於另一個本發明之附載體銅箔的上述載體側或上述表面處理層側而成。
本發明之積層體於一實施形態中，上述一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述表面處理層側表面與上述另一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述表面處理層側表面視需要經由接著劑直接積層而被構成。
本發明之積層體於另一實施形態中，上述一個附載體銅箔之上述載體或上述表面處理層與上述另一個附載體銅箔之上述載體或上述表面處理層接合。
本發明之積層體於再另一實施形態中，上述積層體之端面之一部分或全部被樹脂覆蓋。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係使用本發明之附載體銅箔製造而成者。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其係使用本發明之印刷配線板製造而成者。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：於本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於形成上述樹脂層後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體或上述極薄銅層後，去除上述極薄銅層或上述載體， 藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：於本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體或上述極薄銅層後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：將本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在與上述附載體銅箔之積層有樹脂基板之側為相反側的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面至少設置1次樹脂層和電路此兩層；及在形成上述樹脂層及電路此兩層後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其 包含以下步驟：將本發明之附載體銅箔的上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在與上述附載體銅箔之積層有樹脂基板之側為相反側的極薄銅層側表面至少設置1次樹脂層和電路此兩層；及在形成上述樹脂層及電路此兩層後，從上述附載體銅箔剝離上述極薄銅層。
藉由本發明，可提供一種對極薄銅層之電路形成性良好的附載體銅箔之製造方法。又，提供蝕刻液之潤濕性良好的附載體銅箔。
圖1：A~C係使用了本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自曝光-顯影至電路鍍敷-去除光阻劑為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖2：D~F係使用了本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖3：G~I係使用了本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自形成通孔填充物至剝離第1層載體為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖4：J~K係使用了本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自快速蝕刻至形成凸塊-銅柱為止之步驟中之配線板剖面的示意 圖。
圖5：係電路之俯視觀察照片，其表示實驗例中之自電路上面進行觀察而得到之電路下端寬度之最大值與最小值的差(μm)之測定方法。
<附載體銅箔之製造方法>
作為依序具備有載體、中間層、極薄銅層之附載體銅箔的使用形態，首先，將極薄銅層之表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，剝離載體。接著，於已和絕緣基板接著的極薄銅層設置特定圖案之光阻。接著，利用特定的蝕刻液進行蝕刻處理，藉由去除未被光阻所覆蓋的部分之極薄銅層，而形成作為目的之導體圖案，例如，製作具有特定電路之印刷配線板等。此處，藉由特定之蝕刻液來進行蝕刻處理時，若極薄銅層之與樹脂基材的界面附近部分對於蝕刻液之潤濕性差，則蝕刻液之潤濕範圍變得不足。於此情形時，於與樹脂基材之界面附近部分會產生蝕刻不均勻的部分，而使電路直線性變得不良。
對此，本發明之附載體銅箔之製造方法於一態樣中，係於準備依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層的附載體銅箔後，對該附載體銅箔進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理。再者，上述100℃~220℃係表示加熱裝置內的環境溫度。如此，藉由進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，由於矽烷偶合處理層中之未反應的氫基會進行脫水縮合反應，因此該處理層除了會變得更牢固而提高與樹脂基材之密合性之外，還會使極薄銅層與 表面處理層之間的界面附近，及於具有多層表面處理層之情形時該多層之間的界面附近之原子組成不連續部分藉由相互擴散而形成為連續的原子組成分布，因此極薄銅層之與樹脂基材的界面附近部分對於蝕刻液之潤濕性變得良好，於與樹脂基材之界面附近部分蝕刻均勻，而使極薄銅層之電路直線性變得良好。再者，典型而言，極薄銅層主要由銅構成。又，表面處理層亦可依序具有粗化處理層及/或耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層，亦可以任意的順序來具有其等。粗化處理層較佳為主要由合金，例如銅合金或鎳合金或鈷合金等構成。粗化處理層主要亦可由銅構成。鉻酸鹽處理層較佳為主要由金屬氧化物構成。矽烷偶合處理層較佳為由有機矽化合物構成。
通常，由於將附載體銅箔與樹脂基材貼合時進行50~120分鐘左右的溫度為160~220℃之加熱壓接，因此雖然於此時上述的相互擴散亦會於某種程度上進行，但是視條件亦會有相互擴散不足的情形。因此，藉由將上述加熱處理在與樹脂基材接著前進行，可使蝕刻性及其均勻性之提高效果更為確實。
再者，於附載體銅箔之極薄銅層側表面檢測到Si之情形時，可藉由XPS等表面分析來判斷存在矽烷偶合處理層。
於該加熱處理中，在溫度未達100℃，或加熱時間未達1小時之情形時，各處理層間之界面附近的相互擴散變得不足。又，於該加熱處理中，在溫度超過220℃，或加熱時間超過8小時之情形時，會有可能生成載體與極薄銅箔之剝離強度產生變化，或發生極薄銅層之晶粒成長從而使機械強度下降等其他的問題。於該加熱處理步驟中，較佳為進行1小時 ~6小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，較佳為進行1小時~6小時之加熱溫度為120℃~220℃的加熱處理，更佳為進行2小時~4小時之加熱溫度為160℃~220℃的加熱處理。
本發明之附載體銅箔之製造方法於另一態樣中，包含下述加熱處理步驟：對依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層的附載體銅箔，將到達加熱溫度為止的升溫速度設為超過50℃/小時，進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理。此處，該升溫速度係從加熱開始至第一次到達加熱溫度為止之升溫速度。於升溫速度為50℃/小時以下之情形，有加熱處理之生產性下降的情況，又，由於加熱處理之時間長，因此有附載體銅箔表面被氧化的情況。又，升溫速度較佳為200℃/小時以下。於升溫速度超過200℃/小時之情形，會有因卷芯與附載體銅箔之間的熱膨脹率之差異而造成伸長程度不同，從而產生皺摺之情形。又，於超過200℃/小時的情形，有附載體銅箔對於蝕刻液之潤濕性惡化之情形。其原因並不清楚，但有可能是因為由於附載體銅箔劇烈地膨脹，導致捲成線圈狀時接觸之表面處理層與載體之間發生摩擦或偏移，或是產生對表面處理層之應力集中，該摩擦/偏移/應力集中等和表面處理層中之部分的移位之產生有所關聯，該移位會對表面處理層之元素的擴散狀態造成影響。
上述到達加熱溫度為止的升溫速度更佳為70℃/小時~200℃/小時，再更佳為100℃/小時~200℃/小時，再更佳為150℃/小時~200℃/小時。
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，在該加熱處理步驟中，較佳為在不含有會造成載體表面及極薄銅層表面氧化或惡化之氧、水 蒸氣等氣體的環境下進行加熱處理，例如較佳為在氦、氖、氬、氮等及該等之混合氣體的非活性氣體環境下進行加熱處理。
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，在上述加熱處理步驟，較佳為在將附載體銅箔捲入至金屬製之中空管中的狀態下進行加熱處理。藉由在將附載體銅箔捲入至金屬製之中空管中的狀態下進行加熱處理，可利用在導熱良好之金屬管中通氣而亦可自內側來對附載體銅箔進行加熱，從而可進行有效地熱處理。金屬製之中空管並無特別限定，例如較佳為碳鋼、不銹鋼製，作為其大小，可設為外徑為7cm~20cm且厚度為0.5cm~3.0cm。
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，在上述加熱處理步驟中，較佳為進行下述加熱處理：將把附載體銅箔捲入金屬製之中空管中時的張力設為5~100kgf/m。該張力係附載體銅箔之每單位寬度(寬度1m)之張力。藉由將該張力設為5kgf/m以上，可抑制氧之捲入從而防止附載體銅箔之氧化。又，藉由將該張力設為100kgf/m以下，可防止捲取時所產生的皺摺。
該張力更佳為10kgf/m以上，更佳為20kgf/m以上，更佳為20~100kgf/m，再更佳為20~50kgf/m，再更佳為20~30kgf/m。
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，在上述加熱處理步驟中，較佳為在將附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中的狀態下，一邊以0.01~600旋轉/小時的速度旋轉上述中空管一邊進行加熱處理。藉由一邊以0.01旋轉/小時以上且600旋轉/小時以下之相對較低的速度來旋轉中空管，一邊進行加熱處理，可去除被捲入於經捲取之銅箔與銅箔之間的氧， 從而防止加熱處理中之附載體銅箔的氧化。該中空管之旋轉速度更佳為0.01~180旋轉/小時，更佳為0.01~120旋轉/小時，更佳為0.01~70旋轉/小時，更佳為1~70旋轉/小時。
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，較佳為上述加熱處理步驟後於常溫下所測得之載體的拉伸強度為300MPa以上。藉由如上所述般加熱處理步驟後於常溫下所測得之載體的拉伸強度為300MPa以上，可充分保持極薄銅層發揮作為載體之功能時的剛性。
該載體之拉伸強度更佳為350MPa以上，再更佳為380MPa以上，更典型為350~500MPa，再更典型為380~450MPa。
<附載體銅箔>
以下，若未特別明記，則附載體銅箔之實施形態係對本發明之加熱處理前者進行說明，但是該實施形態對於加熱處理後者(藉由本發明之附載體銅箔之製造方法而製得之附載體銅箔)亦同樣適用。
本發明之附載體銅箔依序具有載體、中間層、極薄銅層、表面處理層。附載體銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物膜、氟樹脂膜等絕緣基板並進行熱壓接後剝離載體，將黏合在絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標的導體圖案，最終製造印刷配線板。
<載體>
可以用於本發明的載體典型而言為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅 合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP膜的形態提供。
可以用於本發明的載體典型而言以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。通常，電解銅箔是使銅從硫酸銅鍍浴電解析出到鈦或不銹鋼的轉筒上而製造，壓延銅箔是反覆進行利用壓延輥的塑性加工和熱處理而製造。作為銅箔的材料，除了精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度銅以外，例如亦可以使用摻Sn銅、摻Ag銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。
另外，作為電解銅箔，可以利用以下電解液組成及製造條件製作。
再者，本說明書中所記載之銅箔的製造、銅箔的表面處理或銅箔的鍍敷等中所使用的處理液的剩餘部分只要沒有特別明示，則為水。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可以使用以下化學式的胺化合物。
(該化學式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基組成之群)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
另外，本說明書中將用語「銅箔」單獨使用時，亦包括銅合金箔在內。
關於可以用於本發明的載體的厚度亦沒有特別限制，只要適當調整成在發揮作為載體的作用的方面所合適的厚度便可，例如可以設為5μm以上。但若過厚，則生產成本提高，所以通常較佳設為35μm以下。因此，載體的厚度典型而言為8~70μm，更典型而言為12~70μm，更典型而言為18~35μm。另外，從降低原料成本的觀點來說，載體的厚度小為較佳。因此，載體的厚度典型而言為5μm以上且35μm以下，較佳為5μm以上且18μm以下，較佳為5μm以上且12μm以下，較佳為5μm以上且11μm以下，較佳為5μm以上且10μm以下。另外，在載體厚度 小的情況下，在載體通箔時容易產生皺褶。為了防止產生皺褶，有效的是例如使附載體銅箔製造裝置的運送輥平滑，或縮短運送輥和下一個運送輥的距離。另外，在作為印刷配線板的製造方法的一的埋入法(Enbedded Process)使用附載體銅箔的情況下，載體的剛性必須為高。因此，在用於埋入法的情況下，載體的厚度較佳為18μm以上且300μm以下，較佳為25μm以上且150μm以下，較佳為35μm以上且100μm以下，進一步更較佳為35μm以上且70μm以下。
<中間層>
於載體上設置中間層。亦可於載體與中間層之間設置其他層。本發明中使用之中間層只要為如下構成則並無特別限定：於附載體銅箔向絕緣基板積層之步驟前極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板積層之步驟後極薄銅層可自載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔之中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物所組成之群中之一種或兩種以上。又，中間層亦可為複數層。又，中間層亦可設置於載體之兩面。
又，例如，中間層可藉由如下方式構成：自載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種元素構成的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種或兩種以上之元素構成的合金層，於其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種元素構成的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種或兩種以上之元 素構成的合金層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成之元素群中之一種或兩種以上之元素的水合物或氧化物或有機物所構成的層。
又，可於載體之單面或雙面上設置含Ni之中間層。中間層較佳為於載體上依序積層鎳或含鎳之合金之任1種之層、及含有鉻、鉻合金、鉻之氧化物中之任1種以上之層而構成。並且，較佳為於鎳或含鎳之合金之任1種之層及/或含有鉻、鉻合金、鉻之氧化物中之任1種以上之層中含有鋅。此處，所謂含鎳之合金，係指由鎳與選自由鈷、鐵、鉻、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。含鎳之合金亦可為由3種以上之元素構成之合金。又，所謂鉻合金，係指由鉻與選自由鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦所組成之群中之一種以上元素構成的合金。鉻合金亦可為由3種以上之元素構成之合金。又，含有鉻、鉻合金、鉻之氧化物中之任1種以上之層亦可為鉻酸鹽處理層。此處，所謂鉻酸鹽處理層，係指經含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽之液處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一種形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉：純鉻酸鹽處理層或鉻酸鋅處理層等。於本發明中，將經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層稱為純鉻酸鹽處理層。又，於本發明中，將經含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層稱為鉻酸鋅處理層。
又，中間層較佳為於載體上依序積層鎳、鎳-鋅合金、鎳- 磷合金、鎳-鈷合金中之任1種之層，及鉻酸鋅處理層、純鉻酸鹽處理層、鍍鉻層中之任1種之層而構成，中間層進而較佳為於載體上依序積層鎳層或鎳-鋅合金層、及鉻酸鋅處理層而構成，或者依序積層鎳-鋅合金層、及純鉻酸鹽處理層或鉻酸鋅處理層而構成。鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此於剝離極薄銅層時，變成於極薄銅層與鉻酸鹽處理層之界面剝離。又，對於中間層之鎳，期待防止銅成分自載體擴散至極薄銅層之障壁效果。又，較佳為不對中間層進行鍍鉻而形成鉻酸鹽處理層。鍍鉻係於表面形成緻密之鉻氧化物層，因此於利用電鍍形成極薄銅箔時，電阻上升，容易產生針孔。形成有鉻酸鹽處理層之表面係形成有與鍍鉻相比並不緻密之鉻氧化物層，因此不易成為利用電鍍形成極薄銅箔時之電阻，而可減少針孔。此處，藉由形成鉻酸鋅處理層作為鉻酸鹽處理層，而使利用電鍍形成極薄銅箔時之電阻低於通常之鉻酸鹽處理層，可進一步抑制針孔之產生。
於使用電解銅箔作為載體之情形時，就減少針孔之觀點而言，較佳為於光澤面設置中間層。
中間層中之鉻酸鹽處理層較薄地存在於極薄銅層之界面時，於對絕緣基板進行積層之步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，可獲得於對絕緣基板進行積層之步驟後可將極薄銅層自載體剝離的特性，故而較佳。於未設置鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)而使鉻酸鹽處理層存在於載體與極薄銅層之交界之情形時，剝離性幾乎未提高，於無鉻酸鹽處理層而直接將鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)與極薄銅層積層之情形時，隨著鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)中之鎳量剝離強度過強或過弱，而無法獲得適當之剝離強度。
又，若鉻酸鹽處理層存在於載體與鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)之交界，則於剝離極薄銅層時中間層亦隨之剝離，即於載體與中間層之間發生剝離，故而欠佳。此種狀況不僅於與載體之界面設置鉻酸鹽處理層之情況下會發生，若於與極薄銅層之界面設置鉻酸鹽處理層時鉻量過多，則亦會發生。認為其原因在於，由於銅與鎳容易固溶，故而若使該等接觸，則會因相互擴散而提高接著力，變得不易剝離，另一方面，由於鉻與銅不易固溶，不易發生相互擴散，故而於鉻與銅之界面接著力較弱，容易剝離。又，於中間層之鎳量不足之情形時，於載體與極薄銅層之間僅存微量之鉻，故而兩者進行密合而變得難以剝離。
中間層之鎳層或含鎳之合金層(例如鎳-鋅合金層)例如可藉由如電鍍、無電解鍍敷及浸漬鍍敷之濕式鍍敷，或如濺鍍、CVD及PDV之乾式鍍敷而形成。就成本之觀點而言，較佳為電鍍。再者，於載體為樹脂膜之情形時，可藉由如CVD及PDV之乾式鍍敷或如無電解鍍敷及浸漬鍍敷之濕式鍍敷而形成中間層。
又，鉻酸鹽處理層例如可由電解鉻酸鹽或浸漬鉻酸鹽等形成，但由於可提高鉻濃度，使極薄銅層自載體之剝離強度變得良好，故而較佳為由電解鉻酸鹽形成。
本發明之附載體銅箔之中間層亦可於載體上依序積層鎳層，及含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之任一者之有機物層而構成。又，本發明之附載體銅箔之中間層亦可於載體上依序積層含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之任一者之有機物層，及鎳層而構成。又，作為該含有含氮之有機化合物、含硫之有機化合 物及羧酸中之任一者之有機物，可列舉BTA(苯并***)、MBT(巰基苯并噻唑)等。
又，作為中間層所含之有機物，較佳為使用由選自含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸中之1種或2種以上構成者。於含氮之有機化合物、含硫之有機化合物及羧酸之中，含氮之有機化合物包括具有取代基之含氮之有機化合物。作為具體之含氮之有機化合物，較佳為使用具有取代基之***化合物即1,2,3-苯并***、羧基苯并***、N',N'-雙(苯并***基甲基)脲、1H-1,2,4-***及3-胺基-1H-1,2,4-***等。
含硫之有機化合物較佳為使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤其較佳為使用單羧酸，其中較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
上述有機物較佳為含有厚度為25nm以上且80nm以下者，更佳為含有30nm以上且70nm以下者。中間層亦可含有複數種(一種以上)上述有機物。
再者，有機物之厚度可以如下方式進行測定。
<中間層之有機物厚度>
於將附載體銅箔之極薄銅層自載體剝離後，對露出之極薄銅層之中間層側表面、與露出之載體之中間層側表面進行XPS測定，而製成深度分佈圖。然後，可將自極薄銅層之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度設為A(nm)，將自載體之中間層側表面至碳濃度最初成為3at%以下之深度設為B(nm)，將A與B之合計設為中間層之有機物之厚度(nm)。
將XPS之運轉條件示於以下。
‧裝置：XPS測定裝置(ULVAC-PHI公司，型號5600MC)
‧極限真空：3.8×10-7Pa
‧X射線：單色AlK α或非單色MgK α、X射線輸出300W、檢測面積800μm、試樣與檢測器所成之角度45°
‧離子束：離子種類Ar+、加速電壓3kV、掃描面積3mm×3mm、濺鍍速率2.8nm/min(SiO2換算)
關於中間層所含之有機物之使用方法，以下對於載體箔上形成中間層之方法進行敍述並說明。於載體上形成中間層係將上述有機物溶解於溶劑中並使載體浸漬於該溶劑中，或者可對於欲形成中間層之面利用淋浴法、噴霧法、滴下法及電沉積法等而進行，無需採用特別限定之方法。此時，溶劑中之有機系溶劑之濃度於上述全部有機物中，較佳為濃度0.01g/L~30g/L、液溫20~60℃之範圍。有機物之濃度並無特別限定，原本濃度較高或較低均無問題。再者，存在如下傾向：有機物之濃度越高，又，載體對溶解上述有機物之溶劑之接觸時間越長，中間層之有機物厚度越大。並且，於中間層之有機物厚度較厚之情形時，有抑制Ni向極薄銅層側擴散的有機物之效果變大之傾向。
<極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等之電解浴的電鍍而形成，就可於高電流密度下形成銅層之方面而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以 下。典型為0.5~12μm，更典型為1~5μm，進而更典型為1.5~5μm，進而更典型為2~5μm。再者，極薄銅層亦可設置於載體之兩面。
<粗化處理及其它表面處理>
可以藉由在極薄銅層的表面例如為了使和絕緣基板的密合性良好等而實施粗化處理，從而設置粗化處理層。粗化處理例如可以藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可以微細。粗化處理層可以是由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中的任一單質或含有任一種以上的合金構成的層等。又，在利用銅或銅合金形成粗化粒子後，還可以進一步利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等進行設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。然後，亦可以利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層及/或防銹層，亦可進一步在其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者亦可以不進行粗化處理而利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進一步在其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。也就是說，可以在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層，亦可以在極薄銅層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的一種以上的層。再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層分別可以形成多層(例如2層以上、3層以上等)。此處所謂的鉻酸鹽處理層，可以是上述鉻酸鹽處理層，亦可為其他的鉻酸鹽處理層。
再者，上述矽烷偶合處理層，於上述本案發明之另一態樣之附載體銅箔之製造方法中，如上所述為必要之構成要件，又，該本案發明之另一態 樣之附載體銅箔之製造方法係包含下述加熱處理步驟者：對於依序具備有載體、中間層、極薄銅層、表面處理層之附載體銅箔，將到達加熱溫度為止之升溫速度設為超過50℃/小時，然後於100℃~220℃進行1小時~8小時之加熱處理。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層亦可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之一種以上之元素的層，亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之一種以上之元素構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可含有包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之一種以上之元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防銹層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層可為除不可避免之雜質以外，含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%者。上述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，較佳亦可為20~100mg/m2。又，上述含有鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳之附著量/鋅之附著量)較佳為1.5~10。又，上述含有鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層之情形時，通孔(through hole)或通路孔(via hole)等之內壁部與除膠渣(desmear)液接觸時銅箔與樹脂基板之界面難以被除膠渣液腐蝕，銅箔與 樹脂基板之密合性會提昇。
例如耐熱層及/或防銹層可為將附著量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層，與附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層依序積層而成者，上述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層之鎳或鎳合金與錫之合計附著量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板以後的電路之剝離強度、該剝離強度之耐化學品性劣化率等會變得良好。
再者，矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，例如可使用胺系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷(γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane)、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層亦可使用環氧系矽烷、胺系矽烷、甲基丙烯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。再者，此種矽烷偶合劑亦可將兩種以上混合使用。其中，較佳為使用胺系矽烷偶合劑或環氧 系矽烷偶合劑所形成者。
此處所謂的胺系矽烷偶合劑亦可為選自由如下物質所組成之群者：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-芾基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。
矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算設為0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/ m2之範圍。於上述範圍之情形時，可使基材樹脂與表面處理銅箔之密合性更加提昇。
又，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層之表面進行下述專利所記載之表面處理：國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號。
再者，亦可於極薄銅層之一表面或兩表面設置選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上的層，亦可設置表面處理層。表面處理層亦可為選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上的層。
又，附載體銅箔亦可於上述粗化處理層上具備一層以上選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之層。
又，於上述粗化處理層上亦可具備耐熱層、防銹層，於上述耐熱層、防銹層上亦可具備鉻酸鹽處理層，於上述鉻酸鹽處理層上亦可具備矽烷偶合處理層。
又，上述附載體銅箔亦可於上述極薄銅層上，或上述粗化處理層上，或上述耐熱層、防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
又，附載體銅箔可於載體上具備粗化處理層，亦可於載體上具備一層 以上選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之層。上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層可利用公知之方法而設置，亦可藉由本案說明書、申請專利範圍、圖式中記載之方法而設置。於將載體自具有上述粗化處理層等之表面側積層於樹脂基板等支持體之情形時，於載體上設置一層以上選自上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層中之層之情況具有載體與支持體不易剝離之優點。
上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)包含下述狀態：即便用手指觸摸其表面亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊而保管，若進一步進行加熱處理，則會引起硬化反應。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層亦可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如可使用如下文獻中所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成，該文獻係國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本 特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。
又，上述樹脂層之種類並無特別限定，作為較佳為，例如可列舉含有選自如下成分之群中之一種以上之樹脂：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠變性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚 苯醚樹脂、氰酸酯酯系樹脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰酯樹脂。
又，上述環氧樹脂係分子內具有2個以上環氧基者，並且只要為可用於電性、電子材料用途者，則可尤其無問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上環氧丙基之化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。又，可將選自由如下成分所組成之群中之1種或2種以上混合而使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、異氰尿酸三環氧丙酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷之環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，或者可使用上述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
可使用公知之含有磷之環氧樹脂作為上述含磷之環氧樹脂。又，上述含磷之環氧樹脂較佳為例如分子內具備2個以上環氧基之以自9,10-二氫 -9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物之形式獲得的環氧樹脂。
(樹脂層含有介電體(介電體填料)之情況)
上述樹脂層亦可含有介電體(介電體填料)。
於在上述任一種樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途，而增大電容器電路之電容。該介電體(介電體填料)係使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3‧PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦(Perovskite)結構之複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)亦可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性較佳為粒徑為0.01μm~3.0μm、較佳為0.02μm~2.0μm之範圍。再者，利用掃描型電子顯微鏡(SEM)對介電體拍攝照片，於在該照片上之介電體之粒子上引直線之情形時，將橫切介電體之粒子之直線長度為最長的部分之介電體之粒子長度設為該介電體之粒子直徑。並且，將測定視野內之介電體之粒子直徑之平均值設為介電體之粒徑。
使上述樹脂層中所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖素、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，藉由例如輥式塗佈法等將其塗佈於上述附載體銅箔之極薄銅層側表面，繼而視需要進行加熱乾燥，去除溶劑而成為B階段狀態。乾燥例如只要使用熱風乾 燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。可使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物，而製成樹脂固形物成分3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就氛圍之觀點而言，現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂流動量為5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂流動量，係指依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自使樹脂厚度為55μm之附樹脂之表面處理銅箔採取4片10cm見方試樣，於使該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於壓製溫度171℃、壓製壓力14kgf/cm2、壓製時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測定此時之樹脂流出重量所得之結果，基於數1而算出之值。
具備上述樹脂層之表面處理銅箔(附樹脂之表面處理銅箔)係以如下態樣使用：將該樹脂層與基材重疊後將整體熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，剝離載體而露出極薄銅層(當然露出的是該極薄銅層之中間層側表面)，自與表面處理銅箔之粗化處理側相反之側的表面形成特定配線圖案。
若使用該附樹脂之表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配 線基板時之預浸體材料之使用片數。而且，即便將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或完全不使用預浸體材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可將絕緣樹脂底漆塗佈於基材之表面而進一步改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸體材料之情形時，可節約預浸體材料之材料成本，又，積層步驟亦變得簡略，因此於經濟上較為有利，而且有如下優點：僅製造預浸體材料之厚度程度的多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則有如下情況：接著力降低，於不介存預浸體材料將該附樹脂之表面處理銅箔積層於具備內層材料之基材上時，難以確保內層材料與電路之間之層間絕緣。另一方面，若樹脂層之厚度厚於120μm，則有如下情況：難以於1次塗佈步驟中形成目標厚度之樹脂層，而需要多餘之材料費及步驟數，故而於經濟上變得不利。
再者，於將具有樹脂層之表面處理銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情形時，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm時，可縮小多層印刷配線板之厚度，故而較佳。
進而，藉由於印刷配線板上搭載電子零件類，而完成印刷電路板。於本發明中，「印刷配線板」亦包括如此搭載有電子零件類之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
又，可使用該印刷配線板而製作電子機器，可使用搭載有該電子零件類之印刷電路板而製作電子機器，亦可使用搭載有該電子零件類之印刷基板而製作電子機器。以下，表示若干使用本發明之附載體銅箔的印刷配線 板之製造步驟之例子。
本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及以使極薄銅層側與絕緣基板對向之方式將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中之任一種方法形成電路。絕緣基板亦可設為內層電路入口。
於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔晶種層上進行較薄之無電解鍍敷，形成圖案後，利用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於含有上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層； 於上述無電解鍍敷層上設置光阻劑；對上述光阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之光阻劑；於去除了上述光阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述光阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與上述絕緣樹脂基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；於含有由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置光阻劑；對上述光阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之光阻劑；於去除了上述光阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層； 去除上述光阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與上述絕緣樹脂基板上設置通孔或/及盲孔；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於含有藉由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置光阻劑；對上述光阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之光阻劑；於去除了上述光阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述光阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置光阻劑；對上述光阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之光阻劑；於去除了上述光阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述光阻劑；及藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層及極薄銅層。
於本發明中，所謂改良半加成法，係指於絕緣層上積層金屬箔，藉由光阻劑保護非電路形成部，藉由電解鍍敷增厚電路形成部之銅厚後，去除抗蝕劑，利用(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路的方法。
因此，使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含下述步驟： 準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置光阻劑；於設置上述光阻劑後，藉由電解鍍敷形成電路；去除上述光阻劑；及利用快速蝕刻去除藉由去除上述光阻劑而露出之極薄銅層。
使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置光阻劑；對上述光阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之光阻劑；於去除了上述光阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述光阻劑；及 藉由快速蝕刻等去除位於除了上述形成有電路之區域以外之區域的極薄銅層。
於本發明中，所謂部分加成法，係指於設置導體層而成之基板、視需要穿過通孔或輔助孔用孔而成之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻形成導體電路，視需要設置阻焊劑或光阻劑後，於上述導體電路上藉由無電解鍍敷處理(視需要進一步進行電解鍍敷處理)對通孔或輔助孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板的方法。
因此，使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核，而形成電路；去除上述蝕刻阻劑； 於利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或光阻劑；及於未設置上述阻焊劑或光阻劑之區域設置無電解鍍敷層。
於本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等將覆銅積層板上之銅箔之不需要之部分選擇性地去除，而形成導體圖案的方法。
因此，使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層，而形成電路；及去除上述蝕刻阻劑。
使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施 形態包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；於上述含有通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面形成遮罩；於未形成遮罩之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層，而形成電路；及去除上述蝕刻阻劑。
亦可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法亦可包含下述步驟：於本發明之附載體銅箔的上述表面處理層側表面或上述載體側表面形成電路之步驟、以上述電路埋入之方式於上述附載體銅箔之上述表面處理層側表面或上述載體側表面形成樹脂層之步驟、於上述樹脂層上形成電路之步驟、於 上述樹脂層上形成電路之後，將上述載體或上述極薄銅層剝離之步驟、及剝離上述載體或上述極薄銅層之後，藉由去除上述極薄銅層或上述載體，而使形成於上述表面處理層側表面或上述載體側表面之埋入在上述樹脂層的電路露出之步驟。又，印刷配線板之製造方法亦可包含下述步驟：於本發明之附載體銅箔的上述表面處理層側表面或上述載體側表面形成電路之步驟、以上述電路埋入之方式於上述附載體銅箔之上述表面處理層側表面或上述載體側表面形成樹脂層之步驟、將上述載體或上述極薄銅層剝離之步驟、及剝離上述載體或上述極薄銅層之後，藉由去除上述極薄銅層或上述載體，而使形成於上述表面處理層側表面或上述載體側表面之埋入在上述樹脂層的電路露出之步驟。
此處，利用圖式詳細地說明使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層來作為表面處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限於此，使用該表面處理層並非為粗化處理層之附載體銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖1-A所示，準備具有表面形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影而將抗蝕劑蝕刻為特定形狀。
其次，如圖1-C所示，藉由於形成電路用鍍層後去除抗蝕劑，而形成特定形狀之電路鍍層。
其次，如圖2-D所示，以被覆電路鍍層之方式(以埋沒電路鍍層之方 式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而自極薄銅層側接著另一附載體銅箔(第2層)。
其次，如圖2-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
其次，如圖2-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
其次，如圖3-G所示，於盲孔中埋入銅，形成通孔填充物。
其次，如圖3-H所示，於通孔填充物上，以上述圖1-B及圖1-C之方式形成電路鍍層。
其次，如圖3-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
其次，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍層之表面露出。
其次，如圖4-K所示，於樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。如此製作使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，可使用先前之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，可於圖3-H所示之第2層電路上進一步形成1層或複數層電路，可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而形成該等電路。
又，上述第1層中使用之附載體銅箔亦可於該附載體銅箔之載體側表面具有基板。藉由具有該基板，第1層中使用之附載體銅箔得到支持，變得不易產生皺褶，因此有生產性提高之優點。再者，只要上述基板發揮支持上述第1層中使用之附載體銅箔的效果，則可使用全部基板。例如，可使用本案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、 預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔作為上述基板。
於載體側表面形成基板之時間點並無特別限制，但必須於剝離載體前形成。尤其是，較佳為於在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟前形成，更佳為於在附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟前形成。
再者，埋入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。可使用例如BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或含浸BT樹脂之玻璃布即預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述埋入樹脂亦可含有熱塑性樹脂。上述埋入樹脂之種類並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：包括環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯樹脂、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂等在內的樹脂，或者紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物膜、氟樹脂膜等。
又，本發明的印刷配線板的製造方法亦可為包含下述步驟的印刷配線板的製造方法(無芯法)：將本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層之步驟；在與上述和樹脂基板積層的表面處理層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面至少設置1次樹脂層和電路此兩層之步驟；及在形成上述樹脂層及電路 此兩層後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層之步驟。關於上述無芯法，作為具體的例子，首先，將本發明的附載體銅箔的表面處理層側表面或載體側表面和樹脂基板進行積層。然後，在與和樹脂基板積層的表面處理層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面形成樹脂層。亦可以在形成於載體側表面或表面處理層側表面的樹脂層從載體側或表面處理層側進而積層另一片附載體銅箔。在此情況下，成為如下構成：以樹脂基板為中心，在上述樹脂基板的兩表面側以載體/中間層/極薄銅層/表面處理層的順序或以表面處理層/極薄銅層/中間層/載體的順序積層附載體銅箔。亦可以在兩端的表面處理層或載體所露出的表面設置另一樹脂層，並進而設置銅層或金屬層，然後對上述銅層或金屬層進行加工，由此形成電路。亦可以進而將另一樹脂層以填埋上述電路的方式設置在上述電路上。又，亦可以將此種電路及樹脂層的形成進行1次以上(增層法)。並且，關於以上述方式形成的積層體(以下亦稱為積層體B)，可以將各附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。另外，在製作上述無芯基板時，亦可以使用2個附載體銅箔，製作下述具有表面處理層/極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層/表面處理層之構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層表面處理層/表面處理層/極薄銅層/中間層/載體之構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/表面處理層/載體/中間層/極薄銅層/表面處理層之構成的積層體，並將上述積層體用於中心。可以在這些積層體(以下亦稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或載體的表面設置1次以上樹脂層及電路此兩層，在設置1次以上樹脂層及電路此兩層後，將各附載體銅箔的 極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。上述積層體在表面處理層的表面、表面處理層與極薄銅層之間、載體的表面、載體與載體之間、表面處理層與表面處理層之間、極薄銅層與載體之間亦可以具有其它層。另外，本說明書中，「表面處理層之表面」、「表面處理層側表面」、「載體之表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體之表面」、「積層體表面」，當表面處理層、載體、積層體在表面處理層表面、載體表面、積層體表面具有其它層的情況下，是設為包含上述其它層的表面(最表面)的概念。又，積層體較佳具有表面處理層/極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層/表面處理層的構成。這是由於：在使用上述積層體製作無芯基板時，因為在無芯基板側配置極薄銅層，所以易於使用改良半加成法而在無芯基板上形成電路。又，是由於：因為極薄銅層的厚度薄，所以容易去除上述極薄銅層，去除極薄銅層後易於使用半加成法而在無芯基板上形成電路。
另外，在本說明書中，沒有特別記載成「積層體A」或「積層體B」的「積層體」表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
再者，在上述無芯基板的製造方法中，藉由利用樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部，在利用增層法製造印刷配線板時，可以防止化學溶劑滲入到中間層或構成積層體的一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔之間，可以防止由化學溶劑的滲入所導致的極薄銅層和載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，可以提升良率。作為此處所使用的「覆蓋附載體銅箔之端面的一部分或全部的樹脂」或「覆蓋積層體之端面的一部分或全部的樹脂」，可以使用能夠用於樹脂層的樹脂。又，在 上述無芯基板的製造方法中，在對附載體銅箔或積層體進行俯視時，附載體銅箔或積層體的積層部分(載體和極薄銅層的積層部分、或一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔的積層部分)之外周的至少一部分可以由樹脂或預浸體覆蓋。另外，利用上述無芯基板的製造方法所形成的積層體(積層體A)亦可以是使一對附載體銅箔相互以可分離的方式接觸而構成。又，在對上述附載體銅箔進行俯視時，亦可以由樹脂或預浸體覆蓋附載體銅箔或積層體的積層部分(載體和極薄銅層的積層部分、或一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔的積層部分)的外周整體。藉由設為此種構成，在俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分由樹脂或預浸體覆蓋，可以防止其它部件從此部分之側向、也就是相對於積層方向為橫向的方向碰撞，結果，可以減少操作中載體和極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。又，藉由以不露出附載體銅箔或積層體之積層部分之外周的方式利用樹脂或預浸體進行覆蓋，可以防止如上所述化學溶劑處理步驟中化學溶劑向上述積層部分的界面的滲入，可以防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。再者，在從積層體的一對附載體銅箔分離一片附載體銅箔時，或分離附載體銅箔之載體和銅箔(極薄銅層)時，必須藉由切斷等去除利用樹脂或預浸體覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體和極薄銅層的積層部分、或一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔的積層部分)。
亦可以將本發明的附載體銅箔從載體側或表面處理層側積層在另一片本發明之附載體銅箔的載體側或表面處理層側而構成積層體。又，亦可為下述積層體：上述一片附載體銅箔之上述載體側表面或上述表面處理層側表面和上述另一片附載體銅箔的上述載體側表面或上述表面處 理層側表面，視需要經由接著劑直接積層而獲得者。又，亦可將上述一片附載體銅箔之載體或表面處理層和上述另一片附載體銅箔之載體或表面處理層接合。又，亦可以被樹脂覆蓋該積層體之端面的一部分或全部。
載體彼此之積層除了單純地重疊以外，例如可以利用以下方法進行。
(a)冶金接合方法：焊接(電弧焊接、TIG(tungsten inert gas，鎢-惰性氣體)焊接、MIG(metal inert gas，金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、軟焊； (b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚的接合、利用鉚釘的接合)、裝訂機； (c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶
藉由將一載體的一部分或全部和另一載體的一部分或全部使用上述接合方法進行接合，可以製造將一載體和另一載體積層，使載體彼此以可分離的方式接觸而構成的積層體。若一載體和另一載體較弱地連接，則在將一載體和另一載體積層的情況下，即使不去除一載體和另一載體的連接部，亦可以將一載體和另一載體分離。另外，在一載體和另一載體較強地連接的情況下，藉由將一載體和另一載體連接的部位利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除，可以分離一載體和另一載體。
又，可以藉由實施如下步驟而製作印刷配線板：在以上述方式構成的積層體至少設置1次樹脂層和電路此兩層之步驟；及在至少形成1次上述樹脂層及電路此兩層後，從上述積層體的附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體之步驟。再者，亦可以在該積層體的一個表面或兩個表面設置 樹脂層和電路此兩層。
[實施例]
以下，基於實驗例進行說明。再者，本實驗例僅為一例，並不僅限制於該例。
1.附載體銅箔之製造
利用以下的順序，製作附載體銅箔。
首先，準備表1所記載之厚度的長電解銅箔或壓延銅箔來作為載體。
電解銅箔利用下述條件來製造。
(電解浴組成)
Cu：80~120g/L
H2SO4：80~120g/L
Cl：20~80mg/L
清漆：0.1~6.0mg/L
(電解條件)
液溫：55~65℃
電流密度：100A/dm2
電解液流速：1.5m/秒
壓延銅箔於例9、12係使用精銅(JIS H3100 C1100所規定的精銅)，於例10、11係使用無氧銅(JIS H3100 C1020所規定的無氧銅)。表1之載體的種類欄之「壓延銅箔(Ag180ppm)」係指於精銅中添加有180質量ppm之Ag。
<實驗例之中間層>
對上述銅箔之光澤面(shiny surface)利用以下條件於輥對輥型之連續鍍敷線上，藉由電鍍而形成中間層。
‧Ni層
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
附著量：4000μg/dm2
於水洗及酸洗後，接著於輥對輥型之連續鍍敷線上，利用以下條件藉由電解鉻酸鹽處理而使附著量為10μg/dm2的Cr層附著於Ni層上。
‧電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫倫量：0.5~30As/dm2
<實驗例之極薄銅層>
接著，於輥對輥型之連續鍍敷線上，利用以下條件藉由電鍍而於中間層上形成厚度3μm之極薄銅層，從而製得附載體銅箔。
‧極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
<實驗例之表面處理層>
利用以下之表面處理條件而對上述極薄銅層之表面進行表面處理。將藉由該表面處理而形成之表面處理層的層構成示於表1。
於一部份的實驗例中，對上述極薄銅層之表面以下述條件進行選自Cu-W合金鍍敷、Cu-P合金鍍敷、Cu-Co-Ni合金鍍敷中之一種鍍敷來作為粗化處理。
‧Cu-W合金鍍敷(例1、2、15、16)
液體組成：Cu 15g/公升、硫酸100g/公升、W 5mg/公升
溫度：25℃
(第一階段)
電流密度(Dk)：90A/dm2
時間：1.5秒
(第二階段)
電流密度(Dk)：20A/dm2
時間：3秒
‧Cu-P合金鍍敷(例3、4)
液體組成：Cu 30g/公升、硫酸100g/公升、P 500mg/公升
溫度：30℃
(第一階段)
電流密度(Dk)：140A/dm2
時間：0.6秒
(第二階段)
電流密度(Dk)：20A/dm2
時間：2.0秒
‧Cu-Co-Ni合金鍍敷(例5、6、14)
液體組成：Cu 15g/公升、Co 8g/公升、Ni 8g/公升
pH：1~3
溫度：40℃
(第一階段)
電流密度(Dk)：45A/dm2
時間：0.6秒
(第二階段)
電流密度(Dk)：30A/dm2
時間：0.8秒
接著，依序進行選自以下的耐熱處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理中之至少一種以上的處理。於進行各處理前進行表面的水洗淨。
‧耐熱處理(形成耐熱層)
液體組成：Co 1~8g/公升、Ni 10~20g/公升
pH：2~3
溫度：40℃
電流密度(Dk)：5A/dm2
時間：1.0秒
‧防銹處理(形成防銹層)
液體組成：Ni 15~30g/公升、Zn 1~10g/公升
pH：2~4
溫度：40℃
電流密度(Dk)：5A/dm2
時間：1.0秒
‧電解鉻酸鹽處理(形成鉻酸鹽處理層)
液體組成：K2Cr2O7：1~10g/公升、Zn：0~5g/公升
pH：2~4
溫度：40℃
電流密度(Dk)：1A/dm2
時間：1.0秒
‧矽烷偶合處理(形成矽烷偶合處理層)
藉由於被處理面噴塗1.0體積%之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷水溶液而進行矽烷偶合劑塗佈處理後，於70℃以上200℃以下之環境中進行2秒鐘以上之乾燥，從而去除表面之水分。
‧樹脂層(例13、14、15)
樹脂層之塗佈係使用凹版塗佈法將硬化前之樹脂塗佈於極薄銅層側表面後，使用刮刀將樹脂塗膜之厚度調整為10μm，於200℃之乾燥環境中一邊使溶劑揮發一邊使樹脂成分硬化。再者，所使用之樹脂係使用環氧樹脂(DIC股份有限公司製造之雙酚A型環氧樹脂)。
再者，於例16中，亦對與極薄銅層側為相反側之載體表面進行上述粗化處理(Cu-W合金鍍敷)、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層之表面處理。
-加熱處理-
接著，對各附載體銅箔進行下述加熱處理來作為加熱處理：在具有99.9%以上之純度的氮氣環境下，利用表2~4所記載之條件來進行加熱處理。表2~4之升溫速度係至初次到達熱處理條件中所記載之溫度(加熱溫度)為止的升溫速度。熱處理後之至常溫為止的冷卻時間為1~6小時。
又，關於例1~16，係於將附載體銅箔捲入至不銹鋼製的中空管(外徑11cm、厚度0.5cm)中的狀態下進行加熱處理。
又，關於例1~16，係將捲入該中空管時之張力分別設為表2~4所記載之設定而進行加熱處理。
又，將該中空管之旋轉速度分別設為表2~4所記載之設定而進行加熱處理。
2.附載體銅箔之評價
針對以上述方式製得之例1~16的附載體銅箔於加熱處理前及加熱處理後分別進行以下的評價試驗。將評價結果示於表2~4。再者，關於表2~4之加熱後的實驗例之編號的記載，例如，「例1-1」~「例1-50」係表示分別將加熱前之試樣即「例1」進行加熱後之試樣。
-蝕刻液之潤濕性評價-
於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液。由於硫酸-過氧化氫系蝕刻液會一邊溶解表面處理層及其基底之極薄銅層而一邊使潤濕變大，因此可判斷為若液滴的痕跡接近正圓則表面附近之蝕刻液的潤濕性均勻，若為橢圓形則為不均勻。又，液滴的痕跡之最大直徑愈大則蝕刻液之潤濕愈好，可說是利用蝕刻液之去除性良好。
‧潤濕均勻性
此處，測定液滴之痕跡的最大直徑與最小直徑，若最大直徑與最小直徑之差在10mm以下，則評價為蝕刻液之潤濕性十分均勻(表2~4：潤濕均勻性之欄「○」)，若在5mm以下，則評價為更進一步地均勻(表2~4： 潤濕均勻性之欄「◎」)。又，於液滴之痕跡的最大直徑與最小直徑之差比10mm大之情形時，評價為蝕刻液潤濕性不夠均勻(表2~4：潤濕均勻性之欄「×」)。此處，表2~4之「潤濕均勻性 最大-最小」係利用「液滴之痕跡的最大直徑(mm)-液滴之痕跡的最小直徑(mm)」來算出。
‧潤濕性
測定液滴之痕跡的最大直徑，若最大直徑為25mm以上，則評價為蝕刻液潤濕性夠良好(表2~4：潤濕性之欄「○」)，若為35mm以上，則評價為更佳地良好(表2~4：潤濕性之欄「◎」)。又，於最大直徑未達25mm之情形，評價為蝕刻液潤濕性不足(表2~4：潤濕性之欄「×」)。此處，表2~4之「潤濕性 最大直徑」係設為「液滴之痕跡的最大直徑(mm)」。
再者，於上述之「潤濕均勻性」與「潤濕性」之評價中，將包圍住液滴之痕跡的圓之最小直徑設為「液滴之痕跡的最大直徑」，將液滴之痕跡中所含有之圓的最大直徑設為「液滴之痕跡的最小直徑」。
-載體之拉伸強度的評價-
以下述方式來測定於加熱處理步驟後在常溫下所測定之載體之拉伸強度。
首先，對所製得之附載體銅箔剝離載體。接著，針對該載體根據JIS Z 2241並利用拉伸試驗來求得抗拉強度(拉伸強度)。
-電路直線(電路形成性)之評價-
藉由熱壓接將附載體銅箔之極薄銅箔側貼合於雙順丁烯二醯亞胺三樹脂預浸體後，剝離載體而將其去除，接著，以L/S=21μm/9μm的方式於露出的極薄銅層表面形成寬度21μm的圖案鍍銅層(極薄銅層與圖案 鍍銅層之厚度合計為16.5μm)，再來，藉由以下的蝕刻條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至形成為電路上端之寬度為12~15μm之鍍銅層從而形成電路。接著，如圖5所示般，測定從電路上面觀測到之電路下端之寬度的最大值與最小值的差(μm)，求出測定5個部位而得的平均值。若最大值與最小值之差在2μm以下，則判斷為具有良好的電路直線性，評價為◎。又，當該最大值與最小值之差超過2μm且在4μm以下時，則評價為○。又，當該最大值與最小值之差超過4μm時，評價為×。
(蝕刻條件)
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴嘴：實心圓錐型
‧噴壓：0.10MPa
‧蝕刻液溫度：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑：JCU股份有限公司製造之FE-830IIW3C適量
-皺褶之觀察-
目視觀察各實驗例之加熱處理後的極薄銅層表面在長度5m之範圍下有無皺褶。可確認到長度10cm以上之皺褶的部位為0個部位時，評價為◎，為1個部位時評價為○，為2個部位時評價為△，為3個部位以上時評價為×。
-氧化程度-
對於各實驗例，於加熱處理後，將1卷卷開，對第2卷之長度為1m的試樣以目視進行觀察。此時，氧化所導致之變色面積為5%以下者評價為◎，氧化所導致之變色面積超過5%且在10%以下者評價為○○，氧化所導致之變色面積超過10%且在15%以下者評價為○，氧化所導致之變色面積超過15%且在20%以下者評價為△，氧化所導致之變色面積超過20%者評價為×。
將試験條件及評價結果示於表1~4。
(評價結果)
例1-1~例1-48、例2-1~例2-3、例3-5~例3-13、例4-1~例16-1其電路直線性(電路形成性)皆良好。關於例1~例4、例7~例10、例14~例16，了解到：於加熱處理前雖然電路直線性(電路形成性)不良，但是藉由適當的加熱處理，電路直線性(電路形成性)被改善。
再者，關於例1-1~例1-48、例2-1~例2-6、例3-5~例3-13、例4-1~例8-1、例11-1及例16-1，其蝕刻液之潤濕性亦皆良好。
例1-49其加熱處理之溫度低，電路直線性(電路形成性)為不良。
例1-50其加熱處理之時間短，電路直線性(電路形成性)為不良。
例2-4其加熱處理之時間長，晶粒粗大化導致電路直線性(電路形成性)變得不良。
例2-5及2-6其加熱處理之溫度高，晶粒粗大化導致電路直線性(電路形成性)變得不良。
例3-1~例3-4其加熱處理之升溫速度小，電路直線性(電路形成性)為不良。

Claims (46)

  1. 一種附載體銅箔之製造方法，其包含下述加熱處理步驟：對依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層的附載體銅箔，進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或1小時~6小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或2小時~4小時之加熱溫度為160℃~220℃的加熱處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理步驟後於常溫下所測得之載體的拉伸強度為300MPa以上。
  3. 一種附載體銅箔之製造方法，其包含下述加熱處理步驟：對依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層的附載體銅箔，將到達加熱溫度為止的升溫速度設為超過50℃/小時，進行1小時~8小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或1小時~6小時之加熱溫度為100℃~220℃的加熱處理，或2小時~4小時之加熱溫度為160℃~220℃的加熱處理。
  4. 如申請專利範圍第3項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理中之上述升溫速度為200℃/小時以下。
  5. 如申請專利範圍第3項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理步驟後於常溫下所測得之載體的拉伸強度為300MPa以上。
  6. 如申請專利範圍第4項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理步驟後於常溫下所測得之載體的拉伸強度為300MPa以上。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其中，於上述加熱處理步驟中，係於非活性氣體環境下進行加熱處理。
  8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其 中，於上述加熱處理步驟中，於將附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中的狀態下進行加熱處理。
  9. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔之製造方法，其中，於上述加熱處理步驟中，將把附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中時的張力設為5~100kgf/m或20~100kgf/m從而進行加熱處理。
  10. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔之製造方法，其中，於上述加熱處理步驟中，在將附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中的狀態下，一邊以0.01~600旋轉/小時的速度旋轉上述中空管一邊進行加熱處理。
  11. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔之製造方法，其中，於上述加熱處理步驟中，在將附載體銅箔捲入至金屬製的中空管中的狀態下，一邊以0.01~600旋轉/小時的速度旋轉上述中空管一邊進行加熱處理。
  12. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理前之附載體銅箔進一步於上述載體側之表面依序具備中間層、極薄銅層。
  13. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理前之附載體銅箔進一步於上述載體側之表面具有表面處理層。
  14. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述表面處理層包含粗化處理層。
  15. 如申請專利範圍第14項之附載體銅箔之製造方法，其中，於上述表面處理層為粗化處理層之表面進一步具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群中之一種以上的層。
  16. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理前之附載體銅箔於上述極薄銅層之表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一層以上的層來作為表面處理層。
  17. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之附載體銅箔之製造方法，其中，上述加熱處理前之附載體銅箔於上述表面處理層上具備樹脂層。
  18. 一種覆銅積層板之製造方法，其使用有藉由申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔之製造方法所製得之附載體銅箔。
  19. 一種印刷配線板之製造方法，其使用有藉由申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔之製造方法所製得之附載體銅箔。
  20. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：準備藉由申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔之製造方法所製得之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法(Modified Semi Additive)中之任一方法形成電路。
  21. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：於藉由申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔之製造方法所製得之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上 述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
  22. 一種電子機器之製造方法，其使用有藉由申請專利範圍第19至21項中任一項之印刷配線板之製造方法所製得之印刷配線板。
  23. 一種附載體銅箔，其係藉由申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔之製造方法而製得。
  24. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑與最小直徑之差為10mm以下。
  25. 如申請專利範圍第24項之附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷偶合處理層之表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑為25mm以上。
  26. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、包含矽烷 偶合處理層之表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑為25mm以上。
  27. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑與最小直徑之差為10mm以下。
  28. 如申請專利範圍第27項之附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑為25mm以上。
  29. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、極薄銅層、表面處理層，於水平面上以極薄銅箔側之表面處理層在上面的方式來放置附載體銅箔(除了具備樹脂層者以外)，使用吸量管於一個部位滴加30μL具有硫酸24重量%-過氧化氫15重量%(剩餘部分為水)之組成的蝕刻液，放置30秒後擦掉蝕刻液後，蝕刻液之痕跡的最大直徑為25mm以上。
  30. 如申請專利範圍第24至29項中任一項之附載體銅箔，其中，上述蝕刻液之痕跡的最大直徑與最小直徑之差為5mm以下。
  31. 如申請專利範圍第24至29項中任一項之附載體銅箔，其中，上述蝕刻液之痕跡的最大直徑為35mm以上。
  32. 如申請專利範圍第30項之附載體銅箔，其中，上述蝕刻液之痕跡的最大直徑為35mm以上。
  33. 一種積層體，其係使用申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔而製得。
  34. 一種積層體，其含有申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔與樹脂，上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂所覆蓋。
  35. 一種積層體，其係將一個申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔自上述載體側或上述表面處理層側積層於另一個申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔的上述載體側或上述表面處理層側而成。
  36. 如申請專利範圍第35項之積層體，其中，上述一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述表面處理層側表面與上述另一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述表面處理層側表面視需要經由接著劑直接積層而被構成。
  37. 如申請專利範圍第35項之積層體，其中，上述一個附載體銅箔之上述載體或上述表面處理層與上述另一個附載體銅箔之上述載體或上述表面處理層接合。
  38. 如申請專利範圍第36項之積層體，其中，上述一個附載體銅箔之上述載體或上述表面處理層與上述另一個附載體銅箔之上述載體或上述表面處理層接合。
  39. 如申請專利範圍第33至38項中任一項之積層體，其中，上述積層體之端面之一部分或全部被樹脂覆蓋。
  40. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔製造而成者。
  41. 一種電子機器，其係使用申請專利範圍第40項之印刷配線板製造而成者。
  42. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：準備申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路。
  43. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：於申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於形成上述樹脂層後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體或上述極薄銅層後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
  44. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：於申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體或上述極薄銅層後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之埋沒於上述樹脂層的電路露出。
  45. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：將申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在與上述附載體銅箔之積層有樹脂基板之側為相反側的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面至少設置1次樹脂層和電路此兩層；及在形成上述樹脂層及電路此兩層後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。
  46. 一種印刷配線板之製造方法，其包含以下步驟：將申請專利範圍第23至32項中任一項之附載體銅箔的上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在與上述附載體銅箔之積層有樹脂基板之側為相反側的極薄銅層側表面至少設置1次樹脂層和電路此兩層；及 在形成上述樹脂層及電路此兩層後，從上述附載體銅箔剝離上述極薄銅層。
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