TWI631008B - Metal foil with carrier, method for producing printed wiring board, method for producing electronic device, and method for producing metal foil with carrier - Google Patents

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Abstract

提供一種附載體之金屬箔，其在對絕緣基板的積層步驟前，載體與金屬層的密接力高，另一方面，不存在因對絕緣基板的積層步驟所導致的載體與金屬層的密接性的極端上升或下降，且在載體/金屬層能夠容易地進行剝離。本發明是依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層的附載體之金屬箔。附載體之金屬箔在利用STEM進行射線分析時，在第一中間層中，10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。另外，在進行利用XPS的深度方向分析時，從被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。

Description

附載體之金屬箔、積層體、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法及附載體之金屬箔的製造方法
本發明涉及一種附載體之金屬箔、積層體、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法及附載體之金屬箔的製造方法。
印刷配線板經過這半個世紀取得很大進展，現在甚至達到用於幾乎所有的電子機器。伴隨著近年來電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化不斷進展，而對印刷配線板要求導體圖案的微細化(細節距化)或高頻應對等。
印刷配線板是先製成將銅箔與以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚醯亞胺膜等為主的絕緣基板貼合而成的覆銅積層體而進行製造。貼合是使用將絕緣基板與銅箔重疊並進行加熱加壓而形成的方法(層壓法)、或將作為絕緣基板材料的前驅物的清漆塗布於銅箔的具有被覆層的面並進行加熱、硬化的方法(鑄造法)。
伴隨著細節距化，用於覆銅積層體的銅箔的厚度也變成9μm，進而變成5μm以下等，箔厚逐漸變薄。但是，如果箔厚變成9μm以下，則利用前述層壓法或鑄造法形成覆銅積層體時的操作性變得極差。因此，利用具有厚度的金屬箔作為載體，並在該載體上隔著第一中間層而形成極薄銅層的附載體銅箔問世。附載體銅箔的一般使用方法為，在將極 薄銅層的表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，隔著第一中間層剝離載體。
以往，在專利文獻1中披露了如下方法：在載體箔的表面依序形成防擴散層、第一中間層、電鍍銅層，使用Cr或Cr水合氧化物層作為第一中間層，使用Ni、Co、Fe、Cr、Mo、Ta、Cu、Al、P的單質或合金作為防擴散層，由此保持加熱加壓後的良好的剝離性。
或者，已知作為第一中間層，由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或這些的合金或這些的水合物形成。進而，在專利文獻2及3中記載了在實現加熱加壓等高溫使用環境下的剝離性的穩定化方面，有效的是在第一中間層的基底設置Ni、Fe或這些的合金層。
或者，在專利文獻4中記載了一種附載體銅箔，其是具備載體、積層在載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅層的附載體銅箔，並且前述中間層含有鎳、鉻，在前述中間層/極薄銅層間依據JIS C 6471進行剝離時，如果將由利用AES的從表面的深度方向分析獲得的深度方向(x：單位nm)的鉻的原子濃度(%)設為e(x)，將鋅的原子濃度(%)設為f(x)，將鎳的原子濃度(%)設為g(x)，將銅的原子濃度(%)設為h(x)，將氧的合計原子濃度(%)設為i(x)，將碳的原子濃度(%)設為j(x)，將其他原子濃度(%)設為k(x)，在從前述載體的中間層表面的深度方向分析的區間[0、1.0]，E(x)=∫ e(x)dx/(∫ e(x)dx+∫ f(x)dx+∫ g(x)dx+∫ h(x)dx+∫ i(x)dx+∫ j(x)dx+∫ k(x)dx)，將測定前述E(x)在寬度方向以20mm為間隔的10點及在長邊方向以20mm為間隔的10點時的E(x)的標準差設為σ E，將鉻濃度的變動係數設為XE=σ E×100/(E(x)的20點的算術平均值)，則XE滿足40.0%以下， 前述E(x)的20點的算術平均值滿足1~30%。
或者，在專利文獻5中記載了一種具備銅或銅合金的支撐體的複合銅箔及使用該複合銅箔的印刷基板，其特徵在於：在銅或銅合金的支撐體與極薄銅箔之間的支撐體側具有由氧化膜覆蓋的鎳層。
或者，在專利文獻6中記載了一種附載體銅箔，其是具備銅箔載體、積層在銅箔載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅層的附載體銅箔，並且前述中間層含有導電性氧化物。
或者，在專利文獻7中記載了一種附載體銅箔，其是具備銅箔載體、積層在銅箔載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅層的附載體銅箔，並且前述中間層含有具有尖晶石型結晶構造的氧化物。
或者，在專利文獻8中記載了一種附銅載體的銅箔，其特徵在於：其是由銅載體、鎳層、銅層的構造所構成，前述銅載體由壓延銅箔或電解銅箔構成，並且能夠以未達0.5kg/cm進行剝離，藉由剝離，在銅載體上具有鎳層，同時在銅層側也具有鎳層。
或者，在專利文獻9中記載了一種附銅載體用銅箔，其特徵在於：其是由銅載體(A)、鎳層(B)、層(C)及銅層(D)所構成，前述銅載體(A)由壓延銅箔或電解銅箔構成，前述鎳層(B)形成在該銅載體(A)上且厚度為0.03~2μm，前述層(C)形成在該鎳層(B)上，厚度為0.3~15nm，且由金、鉑族金屬或這些的合金構成，前述銅層(D)形成在該由金、鉑族金屬或這些的合金構成的層(C)上。
[專利文獻1]日本專利特開2006-022406號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-006071號公報
[專利文獻3]日本專利特開2007-007937號公報
[專利文獻4]日本專利特開2014-195871號公報
[專利文獻5]日本專利特開2002-368365號公報
[專利文獻6]日本專利特開2014-172183號公報
[專利文獻7]日本專利特開2014-172184號公報
[專利文獻8]WO2012-132572
[專利文獻9]WO2012-132578
在附載體之金屬箔中，必須為，在對絕緣基板的積層步驟前，金屬箔不易從載體剝離，另一方面，在對絕緣基板的積層步驟後，載體容易從金屬箔剝離。
關於專利文獻1，雖然加熱加壓後的剝離性良好，但並未言及極薄銅箔表面的狀態相關內容。另外，在該專利文獻中雖然記載了防擴散層與第一中間層的順序任意，但記載的實施例均為載體箔、第一中間層、防擴散層、電鍍銅層的順序，有在剝離時第一中間層/防擴散層介面發生剝離的擔憂。那樣的話，防擴散層會殘留在電鍍銅層(極薄銅層)的表面，導致形成電路時的蝕刻不良。
關於專利文獻2、3，並未發現考慮對載體/極薄銅箔間的剝離強度等特性進行充分研究的記載，尚有改善的餘地。
關於專利文獻4，發現在將極薄銅層從附載體銅箔剝離後，藉由控制載體的剝離面的鉻濃度、及鉻濃度的面內分佈的不均，而將剝離 強度的面內分佈控制於一定範圍內，由此對提高載體/極薄銅箔介面的剝離性極為有效，但如果考慮各金屬的擴散，則眾所周知鉻本身並沒有將中間層中所含的鎳及銅箔及極薄銅層的銅的擴散抑制為鎳以上的效果，可知僅藉由鉻濃度來控制剝離強度的不均並不充分。
關於專利文獻5、6、7，由於均勻地控制氧化膜的條件並不明確，因此產生因氧化膜的分佈而導致剝離強度發生變動的問題。
關於專利文獻8、9，Ni鍍層表面的氧化方法為大氣暴露，存在氧化膜薄而無法剝離的情況。
因此，本發明的課題在於提供一種附載體之金屬箔，其在對絕緣基板的積層步驟前，載體與金屬層的密接力高，另一方面，不存在因對絕緣基板的積層步驟所導致的載體與金屬層的密接性的極端上升或下降，在載體/金屬層能夠容易地進行剝離。
為了達成前述目的，本發明人等人反復努力研究，結果發現，在具有含有氧的第一中間層的附載體之金屬箔中，以如下方式進行控制，即，利用STEM對附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，氧為5at%以上的部分的厚度的平均值及標準差/平均值成為特定範圍，由此可提供能夠解決前述課題的附載體之金屬箔。另外，發現在具有含有氧的第一中間層的附載體之金屬箔中，以如下方式進行控制，即，在第一中間層/金屬層間利用特定方法進行剝離並從載體的第一中間層側表面進行利用XPS的深度方向分析時，從載體的第一中間層側表面起至氧濃度成為10 at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值及標準差/平均值成為特定範圍，由此可提供能夠解決前述課題的附載體之金屬箔。
本發明是基於前述見解而完成的，在一態樣中是一種附載體之金屬箔，依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層，關於前述附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對前述附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在前述第一中間層中，前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。
本發明的附載體之金屬箔在一實施方式中，在前述10個部位的前述氧為5at%以上的厚度區域，Cr存在1at%以上。
本發明的附載體之金屬箔在另一實施方式中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於前述附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對前述附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在前述第一中間層中，前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於前述附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對前述附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在前述第一中間層中，前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
本發明在另一態樣中是一種附載體之金屬箔，依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的前述氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10 個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.2nm以上且10nm以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔 剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從藉由剝離前述載體而露出的前述附載體之金屬箔的前述金屬層的第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述金屬層的第一中間層側表面起至前述10個部位的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且300nm以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從藉由剝離前述載體而露出的前述附載體之金屬箔的前述金屬層的第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述金屬層表面起至前述10個部位的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間 層包含鉻酸處理(chromate treatment)層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間層還含有銅。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間層還含有鋅。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，從前述載體的前述第一中間層側表面起至前述氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的範圍內的Cu濃度的最大值的平均值為15at%以下。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間層所含有的選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素的合計附著量為1000~50000μg/dm2。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在前述載體與前述第一中間層之間具有第二中間層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第二中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第二中間層所含有的選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、 Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素的合計附著量為1000~50000μg/dm2。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在前述第一中間層與前述金屬層之間具有第三中間層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第三中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間層為鉻酸處理層，且Cr的附著量為10~50μg/dm2。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述載體為Cu系材料。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述金屬層為Cu系鍍層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述第一中間層從載體側起依序具有鎳、鈷、鐵、鎢、鉬、釩、或含有選自由鎳、鈷、鐵、鎢、鉬及釩所組成的群中的1種以上元素的合金中的任一種的層、與含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述包含鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層包含鉻酸處理層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述載體是由電解銅箔或壓延銅箔所形成。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在本發明的附 載體之金屬箔在載體的一面依序具有前述第一中間層、前述金屬層的情況下，在前述金屬層側及前述載體側的至少一個表面或兩個表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層，或者在本發明的附載體之金屬箔在載體的兩面依序具有前述第一中間層、前述金屬層的情況下，在該一個或兩個金屬層側的表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，前述粗化處理層是由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質或含有任一種以上該單質的合金所構成的層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在前述金屬層上具備樹脂層。
本發明的附載體之金屬箔在又一實施方式中，在前述選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層上具備樹脂層。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其具備本發明的附載體之金屬箔。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其是含有本發明的附載體之金屬箔與樹脂的積層體，並且前述附載體之金屬箔的端面的一部分或全部被前述樹脂覆蓋。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其是將一個本發明的附 載體之金屬箔從前述載體側積層在另一個本發明的附載體之金屬箔的載體側而成。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其使用本發明的附載體之金屬箔。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其使用本發明的積層體。
本發明在又一態樣中是一種電子機器之製造方法，其使用由本發明的方法所製造的印刷配線板。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在本發明的積層體的表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次；及在形成前述樹脂層及電路這兩層至少1次後，將前述金屬層從前述積層體的附載體之金屬箔剝離。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；及在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層後，經過剝離前述附載體之金屬箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法(semi-additive process)、減成法(subtractive process)、部分加成法(partly additive process)或改良型半加成法(modified semi-additive process)中的任一方法來形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括 以下步驟：在本發明的附載體之金屬箔的前述金屬層側表面或前述載體側表面形成電路；以掩埋前述電路的方式在前述附載體之金屬箔的前述金屬層側表面或前述載體側表面形成樹脂層；在形成前述樹脂層後，剝離前述載體或前述金屬層；及在剝離前述載體或前述金屬層後，藉由將前述金屬層或前述載體去除，而使形成在前述金屬層側表面或前述載體側表面的掩埋在前述樹脂層中的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將本發明的附載體之金屬箔的前述金屬層側表面或前述載體側表面與樹脂基板進行積層；在前述附載體之金屬箔的與樹脂基板積層的一側的相反側的金屬層側表面或前述載體側表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次；及在形成前述樹脂層及電路這兩層後，將前述載體或前述金屬層從前述附載體銅箔剝離。
根據本發明，可提供一種附載體之金屬箔，其在對絕緣基板的積層步驟前，載體與金屬層的密接力高，另一方面，不存在因對絕緣基板的積層步驟所導致的載體與金屬層的密接性的極端上升或下降，在載體/金屬層能夠容易地進行剝離。
a‧‧‧粗化處理層
b‧‧‧極薄銅層
c‧‧‧載體
d‧‧‧抗蝕劑
e‧‧‧電路鍍層
f‧‧‧樹脂
g‧‧‧填孔
h‧‧‧銅柱
圖1A~C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例的到電路鍍敷、去除抗蝕劑為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖2D~F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例的從樹脂與第2層附載體銅箔積層到雷射開孔為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖3G~I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例的從填孔形成到第1層載體剝離為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖4J~K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例的從快速蝕刻(flash etching)到凸塊、銅柱形成為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖5是實施例17A的一部分樣品的載體的第一中間層側表面貼合於基板後的厚度方向的STEM的射線分析結果。
圖6是電路圖案的寬度方向的橫截面的示意圖與使用該示意圖的蝕刻因數的計算方法的概略圖。
圖7是實施例15B的一部分樣品的載體的第一中間層側表面貼合於基板前的深度方向的XPS分析結果。
<載體>
本發明可使用的載體一般為金屬箔，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、 鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、鈦箔及鈦合金箔、樹脂膜、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCD膜等形態提供。
就原料成本的觀點來說，本發明可使用的金屬箔為銅系材料，較佳為銅材。於此，所謂銅系材料是指含有銅的材料，例如為含有銅的金屬箔。另外，所謂銅系材料，較佳為含有銅50品質%以上的金屬箔，更佳為含有銅60品質%以上的金屬箔，更佳為含有銅70品質%以上的金屬箔，更佳為含有銅80品質%以上的金屬箔，更佳為含有銅90品質%以上的金屬箔。另外，所謂銅材是指以銅為主成分的材料。而且，銅系材料或銅材等材料一般來說以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。一般來說，電解銅箔是從硫酸銅鍍浴中向鈦或不銹鋼的滾筒上將銅電解析出而製造，壓延銅箔是重複進行利用壓延輥的塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔的材料，可使用精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)之類的高純度銅，此外也可使用例如摻入Sn的銅、摻入Ag的銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的科森系銅合金之類的銅合金。此外，本說明書中單獨使用用語“銅箔”時，也包含銅合金箔。
關於可使用於本發明的載體的厚度，也無特別限制，只要發揮作為載體的作用且適當調節為適宜厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，如果過厚則生產成本變高，因此一般來說較佳設為35μm以下。因此，典型來說，載體的厚度為8~150μm，更典型來說為8~120μm，更典型來說為8~70μm，更典型來說為12~70μm，更典型來說為18~35μm。另外，就減少原料成本的觀點來說，較佳為載體的厚度小。因此，關 於載體的厚度，典型來說為5μm以上且35μm以下，較佳為5μm以上且18μm以下，較佳為5μm以上且12μm以下，較佳為5μm以上且11μm以下，較佳為5μm以上且10μm以下。此外，在載體的厚度小的情況下，容易在載體的通箔時產生彎折褶皺。為了防止產生彎折褶皺，例如有效的是使附載體之金屬箔製造裝置的搬送輥平滑、或縮短搬送輥與下一個搬送輥的距離。此外，於在作為印刷配線板製造方法之一的嵌入加工法(嵌入法(Enbedded Process))中使用附載體之金屬箔的情況下，載體的剛性必須高。因此，在用於嵌入加工法的情況下，載體的厚度較佳為18μm以上且300μm以下，較佳為25μm以上且150μm以下，較佳為35μm以上且100μm以下，進一步更佳為35μm以上且70μm以下。
此外，也可在載體的與設置金屬層的一側的表面為相反側的表面設置粗化處理層。可使用公知方法設置該粗化處理層，也可藉由下述粗化處理進行設置。在載體的與設置金屬層的一側的表面為相反側的表面設置粗化處理層具有如下優點：在將載體從具有該粗化處理層的表面側積層於樹脂基板等支撐體時，載體與樹脂基板不易剝離。
以下，表示使用電解銅箔作為載體時的製造條件的一例。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
前述胺化合物可使用以下化學式的胺化合物。
此外，使用於本發明的用於電解、表面處理或鍍敷等的處理液的剩餘部分如果沒有特別說明，則為水。
(前述化學式中，R1及R2為選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中的基)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
<第一中間層>
在載體的單面或兩面上設置第一中間層。這樣，載體也可在與具有金 屬層的面為相反側的面進一步依序具有第一中間層及金屬層。
本發明所使用的第一中間層必須含有氧。如果第一中間層中含有氧，則第一中間層中載體成分或金屬層成分的擴散得到抑制，可提供在載體/金屬層能夠容易地進行剝離的附載體之金屬箔。
另外，第一中間層較佳含有氧與由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素或合金或有機物。
另外，第一中間層較佳為含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層。另外，前述含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層較佳包含鉻酸處理層。
另外，第一中間層較佳從載體側起依序具有含有由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素或合金或有機物的層與含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層。另外，前述含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層較佳包含鉻酸處理層。
要具有含有氧的第一中間層，也可使用藉由大氣氧化、大氣加熱及陽極氧化等使各金屬氧化的方法(在形成第一中間層後氧化)或預先形成具有氧的第一中間層。另外，各步驟的處理條件適用適於各步驟的條件。
此外，第一中間層更佳形成鉻酸處理層。鉻鍍層是在表面形成緻密的鉻氧化物層，因此有在藉由電鍍形成金屬箔時電阻上升而容易產生針孔的擔憂。由於形成了鉻酸處理層的表面形成相比於鉻鍍層並不緻密的鉻氧化 物層，因此不易成為藉由電鍍形成表面處理箔時的電阻，能夠減少針孔。於此，藉由形成鋅鉻酸處理層作為鉻酸處理層，藉由電鍍形成金屬箔時的電阻變得低於通常的鉻酸處理層，能夠進一步抑制針孔的產生。此外，在使用電解銅箔作為載體的情況下，就減少針孔的觀點來說，較佳在光面設置第一中間層。
另外，如果第一中間層中含有Cu，則容易調整載體/金屬層介面的剝離強度，因此較佳。但是，Cu在載體為Cu系的情況、第一中間層為酸系溶液的情況下浸漬時，與設置第一中間層的一側的面為相反側的面的Cu溶解。因此，Cu濃度的管理非常重要。
另外，第一中間層較佳進一步含有鋅。如果第一中間層中含有鋅，則更容易調整載體/金屬層介面的剝離強度。此外，如果鋅添加至第一中間層形成溶液中，則容易控制第一中間層。
於此，所謂鉻酸處理層是指經含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進行處理過的層。鉻酸處理層也可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態)。作為鉻酸處理層的具體例，可列舉純鉻酸處理層或鋅鉻酸處理層等。本發明中，將經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過的鉻酸處理層稱為純鉻酸處理層。另外，本發明中，將經含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過的鉻酸處理層稱為鋅鉻酸處理層。
另外，第一中間層例如可由電解鉻酸鹽或浸漬鉻酸鹽等形成。此外，在將第一中間層僅設置在單面的情況下，較佳在載體的相反面設置Ni鍍層等防銹層。
<金屬層>
在第一中間層上設置金屬層。此外，也可在第一中間層與金屬層之間設置其他層。金屬層較佳根據各目的而由元素構成，例如也可使用Cu系鍍層。於此，所謂Cu系鍍層是指含有銅的鍍層。Cu系鍍層較佳為含有銅50品質%以上的鍍層，較佳為含有銅60品質%以上的鍍層，較佳為含有銅70品質%以上的鍍層，較佳為含有銅80品質%以上的鍍層，較佳為含有銅90品質%以上的鍍層。
另外，金屬層也可包含選自Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的群中的一種以上元素。另外，金屬層也可為由選自Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的群中的一種以上元素所組成的金屬層。
另外，金屬層可包含鎳、鈷、鐵、鎢、鉬、釩、或含有選自由鎳、鈷、鐵、鎢、鉬及釩所組成的群中的1種以上元素的合金中的任一種的層，也可包含含有鉻及鉻合金中的任一種以上的層。另外，金屬層也可具有多層，例如也可具有多層前述層。
在金屬層為極薄銅層的情況下，該極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、氨基磺酸銅、氰化銅等電解浴的電鍍來形成。就能夠用於一般的電解銅箔，且在高電流密度下形成銅箔來說，較佳藉由利用硫酸銅浴的電鍍來形成極薄銅層。極薄銅層的厚度並無特別限制，一般來說薄於載體，例如為12μm以下。典型來說為0.5~12μm，更典型來說為1~5μm，更典型來說為1.5~5μm，更典型來說為2~5μm。此外，也可在載 體的兩面設置金屬層。
<第二中間層>
本發明的附載體之金屬箔較佳在載體與第一中間層之間具有第二中間層。藉由該第二中間層，載體成分或金屬層成分的擴散進一步得到抑制，可提供能夠在載體與第一中間層之間更容易地進行剝離的附載體之金屬箔。
第二中間層較佳含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
<第三中間層>
本發明的附載體之金屬箔較佳在第一中間層與金屬層之間具有第三中間層。藉由該第三中間層，載體成分或金屬層成分的擴散進一步得到抑制，可提供能夠在載體與第一中間層之間更容易地進行剝離的附載體之金屬箔。另外，在將附載體之金屬箔從金屬層側積層在樹脂，之後將金屬層從附載體之金屬箔剝離時，第三中間層會殘留於金屬層的載體側表面。因此，在對第三中間層使用雷射的吸收性良好的元素的情況下，使用雷射從該金屬層的載體側表面進行加工時，雷射的吸收性提高，雷射加工性提高，因此較佳。
第三中間層較佳含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。其原因在於，載體成分或金屬層成分的擴散進一步得到抑制，可提供能夠在載 體與第一中間層之間更容易地進行剝離的附載體之金屬箔，並且金屬層的雷射加工性提高。
含有Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的1種或2種以上元素的第二中間層及第三中間層可藉由例如像電鍍、無電鍍敷及浸漬鍍敷之類的濕式鍍敷、或像濺鍍、CVD及PDV之類的幹式鍍敷來形成。就成本的觀點來說，較佳為電鍍。此外，在載體為樹脂膜的情況下，可藉由像CVD及PDV之類的幹式鍍敷或像無電鍍敷及浸漬鍍敷之類的濕式鍍敷來形成第二中間層及第三中間層。
<附載體之金屬箔>
本發明的附載體之金屬箔依序具有載體、第一中間層、金屬層。此外，也可在載體/第一中間層之間具有第二中間層、或在第一中間層/金屬層之間具有第三中間層。附載體之金屬箔本身的使用方法對於本領域技術人員來說周知，例如將金屬層表面貼合在紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等的絕緣基板並進行熱壓接，之後剝離載體，將接著於絕緣基板的金屬層蝕刻成目標導體圖案，最後可製造印刷配線板。
<第一中間層、第二中間層的元素的附著量>
構成第一中間層及/或第二中間層的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計附著量較佳為1000~50000μg/dm2。
如果未達1000μg/dm2，則有設置第一中間層及第二中間層的效果少，難以抑制載體成分或金屬層成分的擴散，難以穩定地獲得適度的剝離強度的擔憂。另一方面，如果超過50000μg/dm2，則有由這些元素產生的應力變大，載體產生翹曲的擔憂。構成第一中間層及/或第二中間層的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計附著量更佳為5000~30000μg/dm2。
在第一中間層為鉻酸處理層的情況下，Cr的合計附著量較佳為10~50μg/dm2。如果未達10μg/dm2，則有設置鉻酸處理層的效果少的情況(剝離強度沒有大幅地變化)。另一方面，如果未達50μg/dm2，則也有鉻酸處理層厚，金屬層的密接性差的情況。
<第三中間層的元素的附著量>
構成第三中間層的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計附著量較佳為50~50000μg/dm2。如果未達50μg/dm2，則有設置第三中間層的效果變少的擔憂。另一方面，如果超過50000μg/dm2，則有由這些元素所產生的應力變大，載體產生翹曲的擔憂。構成第三中間層的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計附著量更較佳為250~30000μg/dm2，進一步更佳為500~25000μg/dm2。
<附載體之金屬箔的構造>
本發明的附載體之金屬箔在一態樣中，關於附載體之金屬箔在寬度方 向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對前述附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在前述第一中間層中，前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。如果該平均值未達0.5nm，則剝離強度變得高於目標。在該平均值超過30nm的情況下，產生金屬層的密接性變差且剝離強度變得低於目標等問題。該平均值較佳為1nm以上且25nm以下，更佳為2nm以上且20nm以下，更佳為3nm以上且15nm以下，較佳為5nm以上且10nm以下。另外，如果該標準差/平均值超過0.6，則產生剝離強度的不均變大的問題。該標準差/平均值較佳為0.55以下，更佳為0.50以下，更佳為0.45以下。該標準差/平均值的下限值無須特別限定，典型來說為0以上，更典型來說為0.01以上，更典型來說為0.02以上，更典型來說為0.03以上，更典型來說為0.05以上。
在氧為5at%以上的厚度區域，較佳為Cr存在1at%以上。如果在氧為5at%以上的厚度區域，Cr未達1at%，則有存在Cr的效果少的情況(剝離強度沒有大幅地變化)。
從前述載體的前述第一中間層側表面起至前述氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的範圍內的Cu濃度的最大值的平均值較佳為15at%以下。如果該Cu濃度的最大濃度的平均值為15at%以上，則存在剝離強度變高的情況。
本發明的附載體之金屬箔是在大氣中、在壓力20kgf/cm2、 220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於前述附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對前述附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在前述第一中間層中，前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值較佳為0.5nm以上且30nm以下，更佳為1nm以上且25nm以下，更佳為2nm以上且20nm以下，更佳為3nm以上且15nm以下，更佳為5nm以上且10nm以下。如果該平均值未達0.5nm，則存在剝離強度變得高於目標的情況。另一方面，在該平均值超過30nm的情況下，有產生金屬層的密接性變差，且剝離強度變得低於目標等問題的擔憂。
本發明的附載體之金屬箔是在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於前述附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對前述附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在前述第一中間層中，前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差/平均值較佳為0.6以下。如果該標準差/平均值超過0.6，則有產生剝離強度的不均變大的問題的擔憂。該標準差/平均值較佳為0.55以下，更佳為0.50以下，更佳為0.45以下。該標準差/平均值的下限值無須特別限定，典型來說為0以上，更典型來說為0.01以上，更典型來說為0.02 以上，更典型來說為0.03以上，更典型來說為0.05以上。
本發明的附載體之金屬箔在另一態樣中，依據JIS C 6471將前述載體從附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。如果該平均值未達0.5nm，則剝離強度變得高於目標。在該平均值超過30nm的情況下，產生金屬層的密接性變差，且剝離強度變得低於目標等問題。該平均值較佳為1nm以上且25nm以下，更佳為2nm以上且20nm以下，更佳為3nm以上且15nm以下，更佳為5nm以上且10nm以下。另外，如果該標準差/平均值超過0.6，則產生剝離強度的不均變大的問題。該標準差/平均值較佳為0.55以下，更佳為0.50以下，更佳為0.45以下。該標準差/平均值的下限值無須特別限定，典型來說為0以上，更典型來說為0.01以上，更典型來說為0.02以上，更典型來說為0.03以上，更典型來說為0.05以上。
另外，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值較佳為0.2nm以上且10nm以 下。如果該平均值未達0.2nm，則有存在Cr的效果少的情況(剝離強度沒有大幅地變化)。另一方面，在該平均值超過10nm的情況下，有產生金屬層的密接性變差，且剝離強度變得低於目標等問題的情況。該平均值更佳為0.5nm以上且9nm以下，更佳為1nm以上且8nm以下，更佳為2nm以上且7nm以下，更佳為2.5nm以上且5nm以下。
另外，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值較佳為0.6以下。如果標準差/平均值超過0.6，則有剝離強度的不均變大的擔憂。該標準差/平均值較佳為0.55以下，更佳為0.50以下，更佳為0.45以下。該標準差/平均值的下限值無須特別限定，典型來說為0以上，更典型來說為0.01以上，更典型來說為0.02以上，更典型來說為0.03以上，更典型來說為0.05以上。
從前述載體的前述第一中間層側表面起至前述氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的範圍內的Cu濃度的最大值的平均值較佳為15at%以下。如果該Cu濃度的最大濃度的平均值為15at%以上，則有剝離強度變高的情況。
在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中 間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值較佳為0.5nm以上且30nm以下，更佳為1nm以上25nm以下，更佳為2nm以上且20nm以下，更佳為3nm以上且15nm以下，更佳為5nm以上且10nm以下。如果該平均值未達0.5nm，則有剝離強度變得高於目標的情況。另一方面，在平均值超過30nm的情況下，有產生金屬層的密接性變差，且剝離強度變得低於目標等問題的擔憂。
在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使前述附載體之金屬箔從前述金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至前述10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值較佳為0.6以下。如果該標準差/平均值超過0.6，則有產生剝離強度的不均變大的問題的擔憂。該標準差/平均值較佳為0.55以下，更佳為0.50以下，更佳為0.45以下。該標準差/平均值的下限值無須特別限定，典型來說為0以上，更典型來說為0.01以上，更典型來說為0.02以上，更典型來說為0.03以上，更典型來說為0.05以上。
依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在 從前述剝離的金屬層的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向的分析時，從前述金屬層表面起至Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值較佳為0.5nm以上且未達300nm。在該平均值未達0.5nm的情況下，有雷射加工性沒有提高的情況。另一方面，在為300nm以上的情況下，有金屬層的蝕刻性變差的情況。該平均值更佳為1nm以上且280nm以下，更佳為2nm以上且250nm以下，更佳為3nm以上且200nm以下，更佳為4nm以上且180nm以下，更佳為5nm以上且150nm以下，更佳為5nm以上且100nm以下。
依據JIS C 6471使前述載體從前述附載體之金屬箔剝離，在從前述剝離的金屬層的前述第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向的分析時，從前述金屬層表面起至Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值較佳為0.6以下。如果該標準差/平均值超過0.6，則有產生雷射加工性或蝕刻性的不均變大的問題的擔憂。該標準差/平均值較佳為0.55以下，更佳為0.50以下，更佳為0.45以下。該標準差/平均值的下限值無須特別限定，典型來說為0以上，更典型來說為0.01以上，更典型來說為0.02以上，更典型來說為0.03以上，更典型來說為0.05以上。
<粗化處理及其他表面處理>
在金屬層的表面，例如也可藉由實施粗化處理來設置粗化處理層以使與絕緣基板的密接性良好等。粗化處理例如可藉由以銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理也可為微細的粗化處理。粗化處理層也可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質或含有任一種以上該單質的合金所構成的層等。另外，在由銅或銅合金形成粗化粒子後，也可進一步進行以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。之後，可以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層或防銹層，也可進一步對其表面實施鉻酸處理、矽烷偶合處理等處理。或者，也可不進行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層或防銹層，並進一步對其表面實施鉻酸處理、矽烷偶合處理等處理。即，可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層，也可在金屬層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，前述耐熱層、防銹層、鉻酸處理層、矽烷偶合處理層也可分別由多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
例如，作為粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由電鍍，以形成像附著量為15~40mg/dm2的銅-100~3000μg/dm2的鈷-100~1500μg/dm2的鎳那樣的3元系合金層的方式實施。如果Co附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差，蝕刻性變差的情況。如果Co附著量超過3000μg/dm2，則在必須考慮磁性影響的情況下不佳，有產生蝕刻斑，另外耐酸性 及耐化學品性變差的情況。如果Ni附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差的情況。另一方面，如果Ni附著量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘餘變多的情況。較佳的Co附著量為1000~2500μg/dm2，較佳的鎳附著量為500~1200μg/dm2。於此，所謂蝕刻斑是指在利用氯化銅進行蝕刻的情況下，Co不溶解而殘留，且所謂蝕刻殘餘是指在利用氯化銨進行鹼性蝕刻的情況下，Ni不溶解而殘留。
用於形成這種3元系銅-鈷-鎳合金鍍層的一般的浴及鍍敷條件的一例如以下所述：鍍浴組成：Cu10~20g/L、Co1~10g/L、Ni1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
<附載體之金屬箔的製造方法>
本發明的附載體之金屬箔的製造方法是在載體上形成第一中間層後形成金屬層。也可在載體/第一中間層之間形成第二中間層。另外，也可在第一中間層/金屬層之間形成第三中間層。
本發明的第一中間層形成方法是使用空氣氧化、大氣加熱、陽極氧化及鉻酸處理等。為了控制第一中間層的氧濃度，在空氣氧化的情況下控制時間，在大氣加熱的情況下控制溫度與時間，在陽極氧化的情況下控制液溫、電流密度及時間，在鉻酸處理的情況下控制液體組成、液溫、電流密 度、時間等條件。
關於更具體的條件，在大氣加熱的情況下，如果溫度低，則至具有特定的氧化層為止的處理時間變長，另一方面，如果溫度高，則氧化速度快，面內的氧化層的濃度部分佈產生不均，因此較佳為50~150℃。無論時間過短還是過長，均難以形成特定的氧化層，因此較佳為10~100s。在陽極氧化的情況下，有如果電流密度低，則至具有特定的氧化層為止的處理時間變長，另一方面，如果電流密度高，則氧化速度快，面內的氧化層的濃度部分佈產生不均的擔憂，因此較佳為0.5~5A/dm2。時間只要以形成特定的氧化層的方式進行調整即可，在本發明的情況下，較佳為30s左右。在鉻酸處理的情況下，較佳將用於形成含有鉻的鍍層或鉻酸處理層的鍍敷液或處理液的液溫控制為30~60℃。如果用於形成含有鉻的鍍層或鉻酸處理層的鍍敷液或處理液的液溫未達40℃，則有因Cr的濃度分佈而導致載體/極薄銅層間的剝離強度的不均變大的情況。如果用於形成含有鉻的鍍層或鉻酸處理層的鍍敷液或處理液的液溫超過60℃，則有產生難以使用耐熱氯乙烯配管等生產線構成部件的選擇性變小的問題的擔憂。形成含有鉻的鍍層或鉻酸處理層時的電流密度CrDk大於0.1A/dm2，較佳為1.5A/dm2以下。如果將CrDk設為0.1A/dm2以下，則有因Cr的深度方向的濃度分佈不均而導致載體/極薄銅層間的剝離強度的不均變大的情況。如果CrDk超過1.5A/dm2，則有難以將從前述載體的中間層側表面起至鉻的原子濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度控制於較佳範圍的擔憂。另外，用於形成含有鉻的鍍層或鉻酸處理層的處理的處理時間較佳為2秒以上且60秒以下。如果處理時間超過60秒，則有因Cr的深度方向的濃度分 佈不均而導致載體/極薄銅層間的剝離強度的不均變大的情況。另外，如果處理時間未達2秒，則有難以將從前述載體的中間層側表面起至鉻的原子濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度控制於較佳範圍的擔憂。
本發明的第二中間層的形成方法是藉由鍍敷或濺鍍來形成。在鍍敷的情況下，控制液體組成、pH值、液溫及電流密度及時間而形成第二中間層，在濺鍍的情況下，控制濺鍍輸出、氬氣壓力及時間等條件而形成第二中間層。
本發明的第三中間層的形成方法與第二中間層形成方法相同。
<印刷配線板、積層體、電子機器>
附載體之金屬箔本身的使用方法對於本領域技術人員來說周知，例如將金屬層的表面貼合在紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等的絕緣基板並進行熱壓接後，剝離載體而製成覆銅積層板，將接著於絕緣基板的金屬層蝕刻成目標導體圖案，最後可製造印刷配線板。
另外，具備載體、積層在載體上的第一中間層、及積層在第一中間層上的金屬層的附載體之金屬箔可在前述金屬層上具備粗化處理層，也可在前述粗化處理層上具備選自由耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
另外，可在前述金屬層上具備粗化處理層，可在前述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可在前述耐熱層、防銹層上具備鉻酸處理層，也可在 前述鉻酸處理層上具備矽烷偶合處理層。
另外，前述附載體之金屬箔也可在前述金屬層上、或前述粗化處理層上、或前述耐熱層、防銹層、或鉻酸處理層、或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。前述樹脂層也可為絕緣樹脂層。
前述樹脂層可為接著劑，也可為接著用半硬化狀態(B-階段)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B-階段狀態)，包含即使以手指接觸於其表面也沒有粘附感，能夠將該絕緣樹脂層進行重疊來保管，而且在受到加熱處理時會產生硬化反應的狀態。
另外，前述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，前述樹脂層也可含有熱塑性樹脂。該樹脂的種類並無特別限定，例如可列舉包含環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹脂、氨酯樹脂等的樹脂作為較佳樹脂。
前述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質(可使用包含無機化合物及/或有機化合物的電介質、包含金屬氧化物的電介質等任意電介質)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。另外，前述樹脂層也可使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本專利特開平11-5828號、日本專利特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本專利特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本專利特開2002-179772號、日本專利特開2002-359444號、日本專利特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本專利特開2003-249739號、日本專利第4136509 號、日本專利特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本專利特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本專利特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本專利特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本專利特開2006-257153號、日本專利特開2007-326923號、日本專利特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本專利特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本專利特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本專利特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本專利特開2013-19056號所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。
將這些樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而製成樹脂液，並利用例如輥式塗布法等將該樹脂液塗布於前述金屬層上、或前述耐熱層、防銹層、或前述鉻酸鹽皮膜層、或前述矽烷偶合劑劑層上，繼而根據需要進行加熱乾燥而將溶劑去除，成為B-階段狀態。乾燥使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、較佳為130~200℃即可。
具備前述樹脂層的附載體之金屬箔(附樹脂的附載體之金屬箔)以如下形態使用，即，在將該附載體之金屬箔的樹脂層重疊於基材後 對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體而使金屬層露出(當然露出的為該金屬層的第一中間層側的表面)，在該處形成特定的配線圖案。
如果使用該附樹脂的附載體之金屬箔，則可減少製造多層印刷配線基板時的預浸體材的使用片數。並且，即使將樹脂層的厚度設為像可確保層間絕緣那樣的厚度、或完全不使用預浸體材，也可製造覆銅積層板。另外，此時也可在基材的表面底漆塗布絕緣樹脂而進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸體材的情況下，具有如下優點：節約預浸體材的材料成本，另外，積層步驟也變得簡單，因此經濟上變得有利，並且相應於預浸體材的厚度，製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可製造1層的厚度為100μm以下的極薄多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度較佳為0.1~80μm。如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，則有接著力降低，不介隔預浸體材而將該附樹脂的附載體之金屬箔積層在具備內層材的基材時，難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。
另一方面，如果樹脂層的厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，花費多餘的材料費與步驟數，因此經濟上變得不利。而且，由於所形成的樹脂層的可撓性差，因此有在操作時容易產生龜裂等，另外在與內層材的熱壓接時產生過量的樹脂流動而難以順利地進行積層的情況。
進而，作為該附樹脂的附載體之金屬箔的另一個製品形態， 也可在前述金屬層上、或前述耐熱層、防銹層、或前述鉻酸處理層、或前述矽烷偶合處理層上以樹脂層被覆，在成為半硬化狀態後繼而剝離載體，而以不存在載體的附樹脂銅箔的形態製造。
進而，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，印刷電路板完成。在本發明中，“印刷配線板”也包含這樣搭載了電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
另外，可使用該印刷配線板製作電子機器，可使用該搭載了電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可使用該搭載了電子零件類的印刷基板製作電子機器。以下，表示一些使用本發明的附載體之金屬箔的印刷配線板的製造步驟的例子。
在本發明的印刷配線板的製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；及在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板以金屬層側與絕緣基板對向的方式積層後，經過將前述附載體之金屬箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中的任一方法來形成電路。絕緣基板也可設為裝入內層電路的絕緣基板。
在本發明中，所謂半加成法是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄的無電鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，在使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板； 將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離前述載體而露出的金屬層全部去除；在藉由利用蝕刻去除前述金屬層而露出的前述樹脂設置通孔(through hole)或/及盲孔(blind via)；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理(desmear treatment)；對含有前述樹脂及前述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在前述無電鍍層上設置抗鍍敷層；對前述抗鍍敷層進行曝光，之後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在前述抗鍍敷層被去除後的形成前述電路的區域設置電解鍍層；將前述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成前述電路的區域以外的區域的無電鍍層去除。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體； 在剝離前述載體而露出的金屬層與前述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離前述載體而露出的金屬層全部去除；對藉由利用蝕刻等將前述金屬層去除而露出的含有前述樹脂及前述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在前述無電鍍層上設置抗鍍敷層；對前述抗鍍敷層進行曝光，之後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在前述抗鍍敷層被去除後的形成前述電路的區域設置電解鍍層；將前述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成前述電路的區域以外的區域的無電鍍層去除。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；在剝離前述載體而露出的金屬層與前述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離前述載體而露 出的金屬層全部去除；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理；對藉由利用蝕刻等將前述金屬層去除而露出的含有前述樹脂及前述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在前述無電鍍層上設置抗鍍敷層；對前述抗鍍敷層進行曝光，之後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在前述抗鍍敷層被去除後的形成前述電路的區域設置電解鍍層；將前述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成前述電路的區域以外的區域的無電鍍層去除。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離前述載體而露出的金屬層全部去除；對藉由利用蝕刻去除前述金屬層而露出的前述樹脂的表面設置無電鍍層；在前述無電鍍層上設置抗鍍敷層；對前述抗鍍敷層進行曝光，之後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除； 在前述抗鍍敷層被去除後的形成前述電路的區域設置電解鍍層；將前述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成前述電路的區域以外的區域的無電鍍層及金屬層去除。
在本發明中，所謂改良型半加成法是指在絕緣層上積層金屬箔，藉由抗鍍敷層保護非電路形成部，藉由電鍍進行電路形成部的銅層加厚後，去除抗蝕劑，並藉由(快速)蝕刻去除前述電路形成部以外的金屬箔，由此在絕緣層上形成電路的方法。
因此，在使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；在剝離前述載體而露出的金屬層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理；對含有前述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在剝離前述載體而露出的金屬層表面設置抗鍍敷層；在設置前述抗鍍敷層後，藉由電鍍形成電路；將前述抗鍍敷層去除；及利用快速蝕刻將藉由去除前述抗鍍敷層而露出的金屬層去除。
在使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的 另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；在剝離前述載體而露出的金屬層上設置抗鍍敷層；對前述抗鍍敷層進行曝光，之後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在前述抗鍍敷層被去除後的形成前述電路的區域設置電解鍍層；將前述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成前述電路的區域以外的區域的無電鍍層及金屬層去除。
在本發明中，所謂部分加成法是指如下方法，對設置導體層而成的基板、視需要貫穿通孔或導通孔用孔而成的基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑層或抗鍍敷層後，在前述導體電路上藉由無電鍍敷處理對通孔或導通孔等進行加厚，由此製造印刷配線板。
因此，在使用部分加成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體； 在剝離前述載體而露出的金屬層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理；對含有前述通孔或/及盲孔的區域賦予催化劑核；在剝離前述載體而露出的金屬層表面設置抗蝕塗層；對前述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將前述金屬層及前述催化劑核去除，形成電路；將前述抗蝕塗層去除；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將前述金屬層及前述催化劑核去除而露出的前述絕緣基板表面設置阻焊劑層或抗鍍敷層；及在沒有設置前述阻焊劑層或抗鍍敷層的區域設置無電鍍層。
在本發明中，所謂減成法是指藉由蝕刻等將覆銅積層板上的銅箔的無用部分選擇性地去除而形成導體圖案的方法。
因此，在使用減成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；在剝離前述載體而露出的金屬層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理；對含有前述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層； 在前述無電鍍層的表面設置電解鍍層；在前述電解鍍層或/及前述金屬層的表面設置抗蝕塗層；對前述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將前述金屬層及前述無電鍍層及前述電解鍍層去除，形成電路；及將前述抗蝕塗層去除。
在使用減成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體之金屬箔與絕緣基板；將前述附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；在將前述附載體之金屬箔與絕緣基板積層後，剝離前述附載體之金屬箔的載體；在剝離前述載體而露出的金屬層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對含有前述通孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理；對含有前述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在前述無電鍍層的表面形成掩模；在沒有形成掩模的前述無電鍍層的表面設置電解鍍層；在前述電解鍍層或/及前述金屬層的表面設置抗蝕塗層；對前述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將前述金屬層及前述無電鍍層去除，形成電路；及將前述抗蝕塗層去除。
也可不進行設置通孔或/及盲孔的步驟、及之後的去汙步驟。
於此，使用附圖，對使用本發明的附載體之金屬箔的印刷配線板製造方法的具體例進行詳細說明。此外，於此列舉極薄銅層作為金屬層，以具有進一步形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但並不限於此，即使使用具有未形成粗化處理層的金屬層的附載體之金屬箔，也可同樣地進行下述印刷配線板的製造方法。
首先，如圖1-A所示，準備具有表面形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上塗布抗蝕劑，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻成特定形狀。
其次，如圖1-C所示，在形成電路用鍍層後，將抗蝕劑去除，由此形成特定形狀的電路鍍層。
其次，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層的方式(以掩埋電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而將另一附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側進行接著。
其次，如圖2-E所示，將載體從第2層附載體銅箔剝離。
其次，如圖2-F所示，對樹脂層的特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
其次，如圖3-G所示，在盲孔埋入銅，形成填孔。
其次，如圖3-H所示，在填孔上像前述圖1-B及圖1-C那樣形成電路鍍層。
其次，如圖3-I所示，將載體從第1層附載體銅箔剝離。
其次，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻將兩個表面的極薄銅層去除，使樹脂層內的電路鍍層的表面露出。
其次，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍層上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。以此方式製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。
前述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明的附載體銅箔，也可使用以往的附載體銅箔，進而還可使用通常的銅箔。另外，可在圖3-H所示的第2層電路上進一步形成1層或多層電路，也可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法進行這些電路形成。
根據如上所述的印刷配線板製造方法，成為電路鍍層埋入於樹脂層的構成，因此像例如圖4-J所示的利用快速蝕刻進行的極薄銅層的去除時，電路鍍層受樹脂層保護而保持其形狀，由此容易形成微細電路。另外，由於電路鍍層受樹脂層保護，因此耐遷移性提高，良好地抑制電路配線的導通。因此，容易形成微細電路。另外，如圖4-J及圖4-K所示藉由快速蝕刻將極薄銅層去除時，電路鍍層的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，因此分別容易在該電路鍍層上形成凸塊，進而容易在該凸塊上形成銅柱，製造效率提高。
此外，埋入樹脂(resin)可使用公知的樹脂、預浸體。例如，可使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或含浸有BT樹脂的玻璃布即預浸體、味之素精細化學(Ajinomoto Fine-Techno)股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，前述埋入樹脂(resin)可使用本說明書所記載的樹脂層 及/或樹脂及/或預浸體。
另外，用於前述第一層的附載體銅箔也可在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，用於第一層的附載體銅箔受到支撐，不易產生皺褶，因此具有生產性提高的優點。此外，前述基板或樹脂層只要為具有支撐用於前述第一層的附載體銅箔的效果的基板或樹脂層，則可使用所有的基板或樹脂層。例如作為前述基板或樹脂層，可使用本申請的說明書所記載的載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔。
可使用本發明的附載體之金屬箔製作積層體(覆銅積層體等)。於此，如果將本發明的第一中間層的單獨體、與第三中間層積層而成的層、與第二中間層積層而成的層、與第二中間層及第三中間層積層而成的層統稱為“中間層”，則作為該積層體，例如可構成為依序積層“金屬層/中間層/載體/樹脂或預浸體”，可構成為依序積層載體/中間層/金屬層/樹脂或預浸體”，可構成為依序積層“金屬層/中間層/載體/樹脂或預浸體/載體/中間層/金屬層”，也可構成為依序積層“載體/中間層/金屬層/樹脂或預浸體/金屬層/中間層/載體”。前述樹脂或預浸體可為前述樹脂層，也可含有用於前述樹脂層的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。此外，附載體之金屬箔也可在俯視時比樹脂或預浸體小。
另外，本發明的印刷配線板製造方法也可為包括以下步驟的印刷配線板製造方法(無芯加工法)：將本發明的附載體之金屬箔的前述金 屬層側表面或前述載體側表面與樹脂基板進行積層；在與積層前述樹脂基板的金屬層側表面或前述載體側表面為相反側的附載體之金屬箔的表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次；及在形成前述樹脂層及電路這兩層後，將前述載體或前述金屬層從前述附載體之金屬箔剝離。關於該無芯加工法，作為具體例，首先，將本發明的附載體之金屬箔的金屬層側表面或載體側表面與樹脂基板進行積層。之後，在與積層樹脂基板的金屬層側表面或前述載體側表面為相反側的附載體之金屬箔的表面形成樹脂層。也可在形成於載體側表面的樹脂層進一步從載體側積層另一附載體之金屬箔。該情況下，成為以樹脂基板為中心在該樹脂基板的兩個表面側以載體/第一中間層/金屬層的順序或金屬層/第一中間層/載體的順序積層附載體之金屬箔的構成。也可在兩端的金屬層或載體的露出的表面設置另一樹脂層，進一步設置銅層後對該銅層進行加工，由此形成電路。而且，也可在該電路上以埋入該電路的方式設置另一樹脂層。另外，也可設置這種電路及樹脂層的形成1次以上(堆積加工法)。而且，關於以此方式形成的積層體(以下也稱為積層體B)，可將各附載體之金屬箔的金屬層或載體從載體或金屬層剝離而製作無芯基板。此外，製作前述無芯基板也可使用2個附載體之金屬箔，製作下述具有金屬層/第一中間層/載體/載體/第一中間層/金屬層的構成的積層體、或具有載體/第一中間層/金屬層/金屬層/第一中間層/載體的構成的積層體、或具有載體/第一中間層/金屬層/載體/第一中間層/金屬層的構成的積層體，並以該積層體為中心而使用。可在這些積層體(以下也稱為積層體A)兩側的金屬層或載體的表面設置樹脂層及電路這兩層1次以上，在設置樹脂層及電路這兩層1次以 上後，將各附載體之金屬箔的金屬層或載體從載體或金屬層剝離而製作無芯基板。
此外，本說明書中，“積層體A”或“積層體B”與沒有特別記載的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在前述無芯基板的製造方法中，藉由將附載體之金屬箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部以樹脂覆蓋，在利用堆積加工法製造印刷配線板時可防止化學液滲入至第一中間層或構成積層體的一個附載體之金屬箔與另一個附載體之金屬箔之間，可防止因化學液的滲入所導致的金屬層與載體的分離或附載體之金屬箔的腐蝕，可提高產率。作為於此使用的“覆蓋附載體之金屬箔的端面的一部分或全部的樹脂”或“覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂”，可使用能夠用於樹脂層的樹脂。另外，在前述無芯基板的製造方法中，也可在附載體之金屬箔或積層體中將俯視時附載體之金屬箔或積層體的積層部分(載體與金屬層的積層部分、或一個附載體之金屬箔與另一個附載體之金屬箔的積層部分)的外周的至少一部分以樹脂或預浸體覆蓋。另外，利用前述無芯基板的製造方法形成的積層體(積層體A)也可構成為使一對附載體之金屬箔能夠相互分離地進行接觸。另外，也可在該附載體之金屬箔中遍及俯視時附載體之金屬箔或積層體的積層部分(載體與金屬層的積層部分、或一個附載體之金屬箔與另一個附載體之金屬箔的積層部分)的外周整體地以樹脂或預浸體覆蓋。藉由設為這種構成，在俯視附載體之金屬箔或積層體時，附載體之金屬箔或積層體的積層部分由樹脂或預浸體覆蓋，可防止其他部件從該部分的側方向、即相對於積層方向來自側面的方向發生碰撞，結果可減 少操作中的載體與金屬層或附載體之金屬箔彼此的剝離。另外，藉由以不使附載體之金屬箔或積層體的積層部分的外周露出的方式利用樹脂或預浸體進行覆蓋，可防止如上所述的化學液處理步驟中化學液滲入至該積層部分的介面，可防止附載體之金屬箔的腐蝕或侵蝕。此外，在從積層體的一對附載體之金屬箔中分離一個附載體之金屬箔時、或將附載體之金屬箔的載體與銅箔(金屬層)分離時，必須藉由切斷等將由樹脂或預浸體覆蓋的附載體之金屬箔或積層體的積層部分(載體與金屬層的積層部分、或一個附載體之金屬箔與另一個附載體之金屬箔的積層部分)去除。
也可將本發明的附載體之金屬箔從載體側或金屬層側積層於另一個本發明的附載體之金屬箔的載體側或金屬層側而構成積層體。另外，也可為前述一個附載體之金屬箔的載體或金屬層與前述另一個附載體之金屬箔的載體或金屬層視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可將前述一個附載體之金屬箔的載體或金屬層與前述另一個附載體之金屬箔的載體或金屬層接合。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可由樹脂覆蓋。
載體彼此的積層除了單純地重疊以外，例如還可藉由以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢‧惰性氣體)焊接、MIG(金屬‧惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械接合方法：鉚接、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚接機的接合、利用鉚釘的接合)、縫合機； (c)物理接合方法：接著劑、(兩面)膠帶
藉由使用前述接合方法將一載體的一部分或全部與另一載體的一部分或全部接合，可製造一載體與另一載體積層且使載體彼此可分離地接觸而構成的積層體。在將一載體與另一載體較弱地接合而積層一載體與另一載體的情況下，即使不去除一載體與另一載體的接合部，也可將一載體與另一載體分離。另外，在將一載體與另一載體較強地接合的情況下，藉由利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等將一載體與另一載體接合的部位去除，可將一載體與另一載體分離。
另外，可藉由實施以下步驟而製作印刷配線板：在這樣構成的積層體的表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次；及在形成前述樹脂層及電路這兩層至少1次後，將前述金屬層從前述積層體的附載體之金屬箔剝離。此外，也可在該積層體的一個或兩個表面設置樹脂層與電路這兩層。
[實施例]
以下，藉由本發明的實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不受這些實施例任何限定。
1.附載體之金屬箔的製造
作為載體，準備厚度35μm的長條電解銅箔(JX金屬公司製造的JTC)及壓延銅箔(JX金屬公司製造 精銅箔JIS H3100合金編號C1100)、以及厚度100μm的長條壓延銅材(JX金屬公司製造 精銅箔JIS H3100合金編號C1100)，在表面形成第一中間層及金屬層。此外，在使用電解銅箔作為載體的情況下，在S面(光澤面)側設置第1中間層。另外，關於一部分 樣品也設置第二中間層及第三中間層。另外，關於一部分樣品，依序設置第二中間層、第一中間層及第三中間層。另外，關於一部分樣品，依序設置第二中間層、第一中間層。此外，第一中間層、金屬層、第二中間層及第三中間層設置在載體的單面。第一中間層、金屬層、第二中間層及第三中間層的形成是在表1、表5及表9所記載的條件下進行。在表1、5、9的“載體粗糙度Rz[μm]”欄記載設置了第一中間層或第二中間層的一側的載體的表面的十點平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)。關於電解銅箔的S面(光澤面)的粗糙度，藉由調節電解銅箔製造裝置的使銅析出的陰極滾筒的表面粗糙度而進行控制。藉由增大陰極滾筒的表面粗糙度，可增大電解銅箔的S面(光澤面)的粗糙度。另外，藉由減小陰極滾筒的表面粗糙度，可增大電解銅箔的S面(光澤面)的粗糙度。另外，關於壓延銅箔的表面粗糙度，藉由調整壓延銅箔製造時所使用的壓延輥的粗糙度來進行控制。藉由增大壓延輥的表面粗糙度，可增大壓延銅箔的表面粗糙度。另外，藉由減小壓延輥的表面粗糙度，可減小壓延銅箔的表面粗糙度。此外，表述中表述為“Ni”是指進行鍍純鎳，表述為“純鉻酸鹽”是指進行純鉻酸處理，表述為“鋅鉻酸鹽”是指進行鋅鉻酸處理。以下表示各處理條件。此外，鍍敷液等液體組成的剩餘部分為水。
‧“鍍Ni”：鍍鎳
(液體組成)硫酸鎳：270~280g/L，氯化鎳：35~45g/L，乙酸鎳：10~20g/L，硼酸：30~40g/L，光澤劑：糖精、丁炔二醇等，十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)2~6
(液溫)40~60℃
(電流密度)1~11A/dm2
‧“各元素濺鍍”：各元素的濺鍍
使用各金屬99 mass%以上組成的濺鍍靶，在以下條件下形成各金屬層。
裝置：ULVAC(愛發科)股份有限公司製造的濺鍍裝置
輸出：DC50W
氬氣壓力：0.2Pa
‧“純鉻酸鹽”：純鉻酸處理
(液體組成)重鉻酸鉀：1~10g/L，鋅：0g/L
(pH值)2~5
(液溫)30~60℃
‧“鋅鉻酸鹽”：鋅鉻酸處理
在前述純鉻酸處理條件下，在液體中添加硫酸鋅(ZnSO4)的形態的鋅，在鋅濃度：0.05~5g/L的範圍進行調整而進行鋅鉻酸處理。
此外，在鉻酸處理為電解的情況下，在電流密度0.1~1.5A/dm2下進行處理。
‧“空氣氧化”：在室溫25℃氧化。此外，關於設置了第二中間層的 實施例、比較例，在設置第二中間層後，使第二中間層在室溫25℃氧化，由此在第二中間層上形成第一中間層。
‧“大氣加熱”：在加熱板上，選擇載體成為特定溫度(表1、表5及表9所記載的第一中間層形成條件欄中所記載的溫度)的條件，以特定時間(表1、表5及表9所記載的第一中間層形成條件欄中所記載的時間)進行加熱處理。此外，關於設置了第二中間層的實施例、比較例，於在載體設置第二中間層後，對載體進行前述加熱處理，由此在第二中間層上形成第一中間層。
‧“陽極氧化”：在以下條件下陽極氧化特定時間。
NaOH濃度0.5~20g/L
液溫：20~50℃
電流密度：1~10A/dm2
此外，關於設置了第二中間層的實施例、比較例，於在載體設置第二中間層後，對第二中間層的表面進行前述陽極氧化，由此在第二中間層上形成第一中間層。
‧“鍍Cu”：鍍銅
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
‧“鍍Co”：鍍鈷
(液體組成)硫酸鈷：270~280g/L，硼酸：30~40g/L，光澤劑：糖精、丁炔二醇等，十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)2~6
(液溫)40~60℃
(電流密度)1~11A/dm2
此外，實施例40A中，在實施例15A的極薄銅層上進一步設置粗化處理層、耐熱處理層、鉻酸處理層、矽烷偶合處理層。實施例41A中，在實施例15A的極薄銅層上進一步設置耐熱處理層、鉻酸處理層、矽烷偶合處理層。實施例42A中，在實施例15A的極薄銅層上進一步設置鉻酸處理層、矽烷偶合處理層。另外，實施例40B中，在實施例15B的極薄銅層上進一步設置粗化處理層、耐熱處理層、鉻酸處理層、矽烷偶合處理層。實施例41B中，在實施例15B的極薄銅層上進一步設置耐熱處理層、鉻酸處理層、矽烷偶合處理層。實施例42B中，在實施例15B的極薄銅層上進一步設置鉻酸處理層、矽烷偶合處理層。
‧粗化處理
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
溫度：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~5秒
Cu附著量：15~40mg/dm2
Co附著量：100~3000μg/dm2
Ni附著量：100~1000μg/dm2
‧耐熱處理
Zn：0~20g/L
Ni：0~5g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
‧鉻酸處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnO或ZnSO47H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：30~60℃
電流密度：0.1~1.5A/dm2
時間：0.5~100秒
Cr附著量：
‧矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)
pH值：4~5
時間：5~30秒
藉由以下方法對以前述方式獲得的實施例及比較例的附載體之金屬箔實施各評價。
<表面處理層的厚度>
所製作的附載體之金屬箔的Cu鍍層(表面處理層)的厚度藉由重量法進行測定。
首先，將Cu鍍層(表面處理層)從附載體之金屬箔剝離，利用濃度20品質%的鹽酸將剝離的Cu鍍層溶解並進行ICP發光分析。繼而，根據樣品的大小(面積)與ICP分析的結果算出Cu鍍層(金屬層)的厚度。
<將金屬層從附載體之金屬箔剝離時的載體側的金屬附著量>
Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al是利用濃度20品質%的鹽酸將樣品溶解並藉由ICP發光分析進行測定。此外，樣品的分析由於將略微附著於載體的與形成第一中間層的一側的面(載體的S面)為相反側的面(載體的M面)的金屬成分的附著量排除，因此在與形成第一中間層的面為相反側的面積層絕緣基板，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下進行熱壓接。之後，在將金屬層側從附載體之金屬箔剝離後，以第一中間層、第二中間層分別完全溶解的方式(例如以厚度計溶解1μm~3μm)，利用前述濃度20品質%的鹽酸將露出的載體的表面溶解而進行測定。
此外，前述Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al在濃度20品質%的鹽酸中沒有充分溶解的情況下，也可在使用溶解Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的液體(王水、鹽酸與硝酸的混合水溶液等)進行溶解後藉由ICP發光分析進行測定。
<將金屬層從附載體之金屬箔剝離時的金屬層側的金屬附著量>
Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al是利用濃度20品質%的鹽酸將樣品溶解並藉由ICP發光分析進行測定。此外，樣品的分析由於將略微附著於金屬層的與附著第三中間層的一側的面為相反側的面的金屬成分的附著量排除，因此將附載體之金屬箔從金屬層的與載體側為相反側的面側積層絕緣基板，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下進行熱壓接。之後，在剝離載體後，以第三中間層完全溶解的方式(例如以厚度計溶解0.5μm~3μm)利用前述濃度20品質%的 鹽酸將所露出的載體的表面溶解而進行測定。此外，前述Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al在濃度20品質%的鹽酸中沒有充分溶解的情況下，也可在使用溶解Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的液體(王水、鹽酸與硝酸的混合水溶液等)進行溶解後藉由ICP發光分析進行測定。
<STEM分析>
關於附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位合計10個部位，利用STEM對附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析。以下表示測定條件。此外，前述剖面設為與附載體之金屬箔的載體厚度方向平行的剖面。
‧裝置=STEM(日立製作所公司，型號HD-2000STEM)
‧加速電壓=200kV
‧倍率=100000~1000000倍
‧觀察視野=1500nm×1500nm~160nm×160nm試樣支撐是使用Mo制篩網進行。
‧測定間隔=1nm
射線分析是從檢測元素中將碳排除在外，對載體、第一中間層、第二中間層、第三中間層、金屬層構成元素與Cu、Zn、O的濃度(品質%)進行分析。關於用於試樣支撐的篩網，試樣的元素分析值根據其金屬種類而 大幅地變化，如果使用前述Mo制篩網則可良好地抑制這種分析值的変化。
另外，對在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使絕緣基板BT樹脂(三-雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)熱壓接於金屬層而成的附載體銅箔也同樣地進行測定。
繼而，在第一中間層測定前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度。繼而，將前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的算術平均值設為氧為5at%以上的部分的厚度的平均值。另外，算出前述10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差與標準差/平均值。另外，在前述10個部位各自的氧為5at%以上的厚度區域，在Cr的濃度最高的(Cr最大濃度)部分，評價該Cr的濃度是否為1at%以上，將10個部位中在6個部位以上Cr最大濃度為1at%以上的情況視為“有”，將10個部位中在1~5個部位Cr最大濃度為1at%以上的情況及不存在Cr最大濃度為1at%以上的部位的情況視為“無”。
<XPS分析>
依據90°剝離法(JIS C 6471)將載體從附載體之金屬箔剝離，從所露出的載體的第一中間層側表面及所露出的金屬層的第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位使用下述XPS測定裝置進行XPS分析。
‧裝置：XPS測定裝置(ULVAC-PHI公司，型號PHI5000 Versa Probe II)
‧極限真空度：4.8×10-8Pa
‧X射線：單色AlK α，輸出25W，檢測面積100μm，入射角90度，出射角45度
‧離子束：離子種類Ar+，加速電壓2kV，掃描面積3mm×3mm，濺鍍速率2.9nm/min(SiO2換算)
另外，對在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使絕緣基板BT樹脂(三-雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)熱壓接於金屬層而成的附載體銅箔也同樣地進行測定。
所分析的元素為載體、第二中間層、第一中間層、第三中間層、金屬層構成元素與Cu、Zn、C及O。將這些元素設為指定元素。另外，將指定元素的合計設為100at%，對各元素的濃度(at%)進行分析。
深度(nm)是使用將SiO2作為濺鍍對象物時的濺鍍速率2.9nm/min(SiO2換算)，基於進行濺鍍的時間(min)，根據以下式而算出。
進行測定的部位的深度(nm)=濺鍍速率2.9nm/min(SiO2換算)×進行濺鍍的時間(min)
因此，深度(nm)是指濺鍍SiO2的情況下的深度(nm)(SiO2換算深度(nm))。
繼而，在各測定點，從前述剝離而露出的載體的前述第一中間層側表面進行利用XPS的深度方向分析時，測定從前述被剝離的載體的前述第一中間層側表面起至氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度。繼而，將對前述10個部位測定的該深度的算術平均值設為從被剝離的載體的第一中間層側表面起至氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值。另外，基於對前述10個部位測定的深度值，算出從被剝離的載體的 第一中間層側表面起至氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差以及標準差/平均值的值。另外，算出前述氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的範圍內的Cu濃度的最大值的平均值。
另外，在金屬層的各測定點，測定從金屬層的第一中間層側表面起至Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度，將10個部位的深度的算術平均值設為從金屬層的第一中間層側表面起至Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值。另外，算出從金屬層的第一中間層側表面起至10個部位的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差以及標準差/平均值的值。
<剝離強度>
在大氣中、在壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使附載體之金屬箔的表面處理箔側熱壓接而貼附於BT樹脂(三-雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)。繼而，利用測壓元件拉伸載體側，依據90°剝離法(JIS C 6471)對在長邊方向上以30mm為間隔的10點及在寬度方向上以30mm為間隔的10點進行測定。目標剝離強度為2~30N/m。另外，算出前述氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的範圍內的Cu濃度的最大值的平均值。
<金屬層密接性>
將附載體之金屬箔從載體側積層於預浸體，製造覆金屬積層板。繼而，在覆金屬積層板的附載體之金屬箔的極薄金屬層上形成電路，以掩埋電路的方式積層樹脂層。之後，在樹脂層上設置電路、樹脂層2次後，將極薄金屬層從載體剝離，之後，藉由對極薄金屬層進行蝕刻而製成4層電路基板。製成該4層電路基板10次，在4層電路基板製成中金屬層從載體剝離8次以上的情況下，將金屬層密接性設為“×”。另外，在剝離4~7次的情況下，將金屬層密接性設為“△”，將沒有剝離或剝離1~3次的情況下，將金屬密接性設為“○”。
<雷射加工性>
在對附載體銅箔與基材(三菱瓦斯(Mitsubishi Gas)化學股份有限公司製造：GHPL-832NX-A)於220℃進行2小時加熱的積層加壓後，依據JIS C 6471(1995，此外，剝離銅箔的方法設為8.1銅箔的剝離強度8.1.1試驗方法的種類(1)方法A(向相對於銅箔去除面的90°方向剝離銅箔的方法))剝離銅箔載體，使極薄銅層的中間層側表面露出。繼而，在露出的附載體銅箔的極薄銅層的中間層側表面，在下述條件下照射雷射1次或2次，利用顯微鏡觀察照射後的孔形狀，實施計測。在表中，作為開孔的“實數”，在100個地點嘗試開孔，觀察實際上幾個孔沒有開口(未開口孔數)。此外，孔的直徑設為包圍孔的最小圓的直徑。
‧氣體種類：CO2
‧銅箔開口直徑(目標)：直徑50μm
‧光束形狀：頂帽
‧輸出：2.40W/10μs
‧脈衝寬度：33μs
‧照射次數：
照射1次(極薄銅層的厚度為0.8~2μm的情況)
照射2次(極薄銅層的厚度為3~5μm的情況)
<蝕刻性>
將附載體銅箔貼附於聚醯亞胺基板並在220℃加熱壓接2小時，之後將極薄銅層從銅箔載體剝離。繼而，在聚醯亞胺基板上的極薄銅層表面塗布感光性抗蝕劑後，藉由曝光步驟印刷50條L/S=5μm/5μm寬的電路，在以下的噴霧蝕刻條件下進行去除銅層的無用部分的蝕刻處理。
(噴霧蝕刻條件)
蝕刻液：氯化鐵水溶液(波美度：40度)
液溫：60℃
噴霧壓力：2.0MPa
繼續進行蝕刻，測定至電路頂部寬度成為4μm為止的時間，進而對此時的電路底部寬度(底邊X的長度)及蝕刻因數進行評價。蝕刻因數是在逐漸擴展地進行蝕刻的情況(產生塌陷的情況)下，將假定垂直地蝕刻電路時塌陷與從銅箔上表面的垂線和樹脂基板的交點的長度距離設為a的情況下，表示該a與銅箔的厚度b的比：b/a，該數值越大，意味著傾斜角越大，越不會殘留蝕刻殘渣，塌陷越小。圖6中表示電路圖案的寬度方向 的橫截面的示意圖與使用該示意圖的蝕刻因數的計算方法的概略。該X是藉由從電路上方的SEM觀察進行測定，算出蝕刻因數(EF=b/a)。此外，藉由a=(X(μm)-4(μm))/2進行計算。藉由使用該蝕刻因數，可簡單地判定蝕刻性良好與否。本發明中，將蝕刻因數為5以上評價為蝕刻性：○，將2.5以上且未達5評價為蝕刻性：△，將未達2.5或無法算出評價為蝕刻性：×。此外，表中“底邊X的長度”中的“連結”表示至少在底邊部分與鄰接的電路連結，無法形成電路。
<翹曲量>
翹曲量是將附載體之金屬箔以10cm見方的片狀切出，以極薄金屬層側朝上的方式在水平面上靜置24小時以上後，測定片材4角部從水平面的***高度的最大值。在片材四角部沒有***而向下方向翹曲的情況下，以極薄金屬層側朝下的方式放置，測定片材四角部的***高度的最大值。
翹曲量是將20mm以下視為良好並記為“○”，在超過20mm的情況下視為不良並記為“×”。
將試驗條件及結果示於表1~22。此外，實施例1A~25A及實施例1B~25B中，將金屬層從附載體之金屬箔剝離時的金屬層側的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的附著量均為0μg/dm2。
(評價結果)
實施例1A~62A均在利用STEM對附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在第一中間層中，10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下，因此金屬層密接性及剝離性良好。
比較例1A~9A均在利用STEM對附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在第一中間層中，10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下的範圍外、或標準差/平均值為0.6以下的範圍外，因此金屬層密接性及剝離性中的至少任一個不良。
圖5中表示實施例17A的一部分樣品的載體的第一中間層側表面貼合於基板後的厚度方向的STEM的射線分析結果。
(評價結果)
實施例1B~63B均在載體的第一中間層側表面的XPS分析中，從被剝離的載體的第一中間層側表面起至10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下，因此金屬層密接性及剝離性良好。
比較例1B~9B均在載體的第一中間層側表面的XPS分析中，從被剝離的載體的第一中間層側表面起至10個部位的氧成為10at%以下為止的以 SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下的範圍外、或標準差/平均值為0.6以下的範圍外，因此金屬層密接性及/或剝離性良好。
圖7中表示實施例15B的一部分樣品的載體的第一中間層側表面貼合於基板前的深度方向的XPS分析結果。
此外，實施例61A雖然在載體的第一中間層側表面的XPS分析中，從被剝離的載體的第一中間層側表面起至10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下的範圍外、或標準差/平均值為0.6以下的範圍外，但如上所述利用STEM對附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在第一中間層中，10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下，因此金屬層密接性及剝離性良好。
另外，實施例63B雖然在利用STEM對附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在第一中間層中，10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下的範圍外或標準差/平均值為0.6以下的範圍外，但如上所述在載體的第一中間層側表面的XPS分析中，從被剝離的載體的第一中間層側表面起至10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下，因此金屬層密接性及剝離性良好。

Claims (61)

  1. 一種附載體之金屬箔，依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層，關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體之金屬箔，其中，在該10個部位的該氧為5at%以上的厚度區域，Cr存在1at%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
  4. 如申請專利範圍第2項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板， 關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
  6. 如申請專利範圍第2項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時， 在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
  7. 如申請專利範圍第3項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
  8. 如申請專利範圍第4項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，關於該附載體之金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對該附載體之金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體厚度方向相同的方向進行射線分析時，在該第一中間層中，該10個部位的氧為5at%以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之附載體之金屬箔，依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層， 依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的該氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。
  10. 一種附載體之金屬箔，依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的該氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之附載體之金屬箔，其中，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.2nm以上且10nm以下。
  12. 如申請專利範圍第10項之附載體之金屬箔，其中，依據JIS C 6471 使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  13. 如申請專利範圍第11項之附載體之金屬箔，其中，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的Cr成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  14. 如申請專利範圍第10項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
  15. 如申請專利範圍第11項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓 力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
  16. 如申請專利範圍第12項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
  17. 如申請專利範圍第13項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以 SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
  18. 如申請專利範圍第10項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  19. 如申請專利範圍第11項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  20. 如申請專利範圍第12項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5 個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  21. 如申請專利範圍第13項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  22. 如申請專利範圍第14項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  23. 如申請專利範圍第15項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從 該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  24. 如申請專利範圍第16項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  25. 如申請專利範圍第17項之附載體之金屬箔，其中，在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使該附載體之金屬箔從該金屬層側熱壓接於絕緣基板，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該被剝離的載體的該第一中間層側表面起至該10個部位的氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  26. 如申請專利範圍第10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中， 依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從藉由剝離該載體而露出的該附載體之金屬箔的該金屬層的第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該金屬層的第一中間層側表面起至該10個部位的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的平均值為0.5nm以上且300nm以下。
  27. 如申請專利範圍第10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從藉由剝離該載體而露出的該附載體之金屬箔的該金屬層的第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該金屬層表面起至該10個部位的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差/平均值為0.6以下。
  28. 如申請專利範圍第26項之附載體之金屬箔，其中，依據JIS C 6471使該載體從該附載體之金屬箔剝離，在從藉由剝離該載體而露出的該附載體之金屬箔的該金屬層的第一中間層側表面起，對在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長邊方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位進行利用XPS的深度方向分析時，從該金屬層表面起至該10個部位的Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al的合計濃度成為5at%以下為止的以SiO2換算的深度的標準差 /平均值為0.6以下。
  29. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層包含鉻酸處理(chromate treatment)層。
  30. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層還含有銅。
  31. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層還含有鋅。
  32. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，從該載體的該第一中間層側表面起至該氧成為10at%以下為止的以SiO2換算的深度的範圍內的Cu濃度的最大值的平均值為15at%以下。
  33. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
  34. 如申請專利範圍第33項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層所含有的選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素的合計附著量為1000~50000μg/dm2。
  35. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，在該載體與該第一中間層之間具有第二中間層。
  36. 如申請專利範圍第35項之附載體之金屬箔，其中，該第二中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
  37. 如申請專利範圍第36項之附載體之金屬箔，其中，該第二中間層所含有的選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素的合計附著量為1000~50000μg/dm2。
  38. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，在該第一中間層與該金屬層之間具有第三中間層。
  39. 如申請專利範圍第35項之附載體之金屬箔，其中，在該第一中間層與該金屬層之間具有第三中間層。
  40. 如申請專利範圍第38項之附載體之金屬箔，其中，該第三中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
  41. 如申請專利範圍第39項之附載體之金屬箔，其中，該第三中間層含有選自由Cr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn及Al所組成的群中的1種或2種以上元素。
  42. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層為鉻酸處理層，且Cr的附著量為10~50μg/dm2。
  43. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該載體為Cu系材料。
  44. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該金屬層為Cu系鍍層。
  45. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該第一中間層從載體側起依序具有鎳、鈷、鐵、鎢、鉬、釩、或含 有選自由鎳、鈷、鐵、鎢、鉬及釩所組成的群中的1種以上元素的合金中的任一種的層、與含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層。
  46. 如申請專利範圍第45項之附載體之金屬箔，其中，該含有鉻、鉻合金及鉻的氧化物中的任一種以上的層包含鉻酸處理層。
  47. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，該載體是由電解銅箔或壓延銅箔所形成。
  48. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，在申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔在載體的一面依序具有該第一中間層、該金屬層的情況下，在該金屬層側及該載體側的至少一個表面或兩個表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層，或者在申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔在載體的兩個面依序具有該第一中間層、該金屬層的情況下，在該一個或兩個金屬層側的表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。
  49. 如申請專利範圍第48項之附載體之金屬箔，其中，該粗化處理層是由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質或含有任一種以上該單質的合金所構成的層。
  50. 如申請專利範圍第1至8、10至25項中任一項之附載體之金屬箔，其中，在該金屬層上具備樹脂層。
  51. 如申請專利範圍第48項之附載體之金屬箔，其中，在該選自由粗化 處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層上具備樹脂層。
  52. 一種積層體，其具備申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔。
  53. 一種積層體，含有申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔與樹脂，該附載體之金屬箔的端面的一部分或全部被該樹脂覆蓋。
  54. 一種積層體，其是將一個申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔從該載體側積層在另一個申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔的載體側而成。
  55. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔。
  56. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第52至54中任一項之積層體。
  57. 一種電子機器之製造方法，其使用藉由申請專利範圍第55項之方法所製造的印刷配線板。
  58. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在申請專利範圍第52至54項中任一項之積層體設置樹脂層與電路這兩層至少1次；及在形成該樹脂層及電路這兩層至少1次後，將該金屬層從該積層體的附載體之金屬箔剝離。
  59. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔與絕緣基 板；將該附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層；及在將該附載體之金屬箔與絕緣基板進行積層後，經過剝離該附載體之金屬箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法(semi-additive process)、減成法(subtractive process)、部分加成法(partly additive process)或改良型半加成法(modified semi-additive process)中的任一方法來形成電路。
  60. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔的該金屬層側表面或該載體側表面形成電路；以掩埋該電路的方式在該附載體之金屬箔的該金屬層側表面或該載體側表面形成樹脂層；在形成該樹脂層後，將該載體或該金屬層剝離；及在剝離該載體或該金屬層後，藉由將該金屬層或該載體去除，而使形成在該金屬層側表面或該載體側表面的掩埋在該樹脂層中的電路露出。
  61. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將申請專利範圍第1至51項中任一項之附載體之金屬箔的該金屬層側表面或該載體側表面與樹脂基板進行積層；在該附載體之金屬箔的與樹脂基板積層的一側的相反側的金屬層側表面或該載體側表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次；及在形成該樹脂層及電路這兩層後，將該載體或該金屬層從該附載體銅箔剝離。
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