JP5859078B1 - キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法 - Google Patents
キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5859078B1 JP5859078B1 JP2014174894A JP2014174894A JP5859078B1 JP 5859078 B1 JP5859078 B1 JP 5859078B1 JP 2014174894 A JP2014174894 A JP 2014174894A JP 2014174894 A JP2014174894 A JP 2014174894A JP 5859078 B1 JP5859078 B1 JP 5859078B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- layer
- copper foil
- copper
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 512
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 323
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 197
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 193
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 135
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 125
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 125
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 33
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 31
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 29
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 28
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 22
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 12
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 475
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 64
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 52
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 42
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 36
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 29
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 26
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 25
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 24
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 23
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 23
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 21
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 7
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 7
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 6
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NDKWCCLKSWNDBG-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(dioxo)chromium Chemical compound [Zn+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O NDKWCCLKSWNDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 5
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 2
- PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(diethoxy)silyl]oxy-3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound NCCC[Si](OCC)(OCC)OC(C)(CCO)CCO PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSRINVVFGTVOA-UHFFFAOYSA-N 3-[butoxy(dimethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCCCO[Si](OC)(OC)CCCN KFSRINVVFGTVOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 2
- 150000001916 cyano esters Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDGOJEMDZGZECC-UHFFFAOYSA-N n'-[(3-ethenylphenyl)methyl]-n-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCC1=CC=CC(C=C)=C1 GDGOJEMDZGZECC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-triphenylethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZUHEGMJQWJCFQ-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(2h-benzotriazol-4-ylmethyl)urea Chemical compound C1=CC2=NNN=C2C(CN(CC=2C3=NNN=C3C=CC=2)C(=O)N)=C1 AZUHEGMJQWJCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane-2,4,6-trithione Chemical compound S=C1NC(=S)NC(=S)N1 WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYJHYLAMMJNRC-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylpentan-2-ol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)O BSYJHYLAMMJNRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRCKYOARSSVJJM-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethyl)phenyl]propan-2-yl]phenyl]methyl]oxirane Chemical compound C=1C=C(CC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1CC1CO1 XRCKYOARSSVJJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLSFWPFWEPGCJJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyloxysilicon Chemical compound CC(=C)C(=O)O[Si] NLSFWPFWEPGCJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVIHLQXGBMZNN-JXMROGBWSA-N 3-[(e)-2-methyl-4-trimethoxysilylbut-3-en-2-yl]oxypropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)\C=C\C(C)(C)OCCCN BMVIHLQXGBMZNN-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- PJURIXUDYDHOMA-UHFFFAOYSA-N 3-[tris[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]silyl]propan-1-amine Chemical compound COCCOCCO[Si](CCCN)(OCCOCCOC)OCCOCCOC PJURIXUDYDHOMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRXFTOUYGXMRRU-UHFFFAOYSA-N 3h-1,3-benzothiazole-2-thione;sodium Chemical compound [Na].C1=CC=C2SC(=S)NC2=C1 KRXFTOUYGXMRRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWDDLRSGGCWDPH-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCN SWDDLRSGGCWDPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(N)C=C1 CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGCMCIDMMMHREV-UHFFFAOYSA-N 5-[tris(2-ethylhexoxy)silyl]pentane-1,3-diamine Chemical compound CCCCC(CC)CO[Si](CCC(N)CCN)(OCC(CC)CCCC)OCC(CC)CCCC ZGCMCIDMMMHREV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PVLBXNICXUCXTA-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-(3-triethoxysilylpropylamino)propyl] prop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCC(O)COC(=O)C=C PVLBXNICXUCXTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZYDAIMOJUSSFT-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[Mo] Chemical compound [Co].[Ni].[Mo] QZYDAIMOJUSSFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N alpha-methylcyclopentanone Natural products CC1CCCC1=O ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- KIKYOFDZBWIHTF-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CC=CC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 KIKYOFDZBWIHTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L copper;disulfamate Chemical compound [Cu+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Mn+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- HBELKEREKFGFNM-UHFFFAOYSA-N n'-[[4-(2-trimethoxysilylethyl)phenyl]methyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=C(CNCCN)C=C1 HBELKEREKFGFNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1CO1 JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLDHYRXZZNDOKU-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCN(CC)CCC[Si](OC)(OC)OC ZLDHYRXZZNDOKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 1
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[5-(oxiran-2-yl)pentyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC1CO1 VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔に対し、120〜220℃で1〜8時間の加熱処理を行う加熱処理工程を含み、加熱処理工程において、キャリア付銅箔に5.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で加熱処理を行うキャリア付銅箔の製造方法。
【選択図】図4
Description
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔の使用形態としては、まず、極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がす。次に、絶縁基板に接着した極薄銅層に所定パターンのレジストを設ける。続いて、所定のエッチング液でエッチング処理を行い、レジストに覆われていない部分の極薄銅層を除去することで、目的とする導体パターンを形成し、例えば、所定の回路を有するプリント配線板等を作製する。ここで、キャリア付銅箔と絶縁基板とを貼り合わせる際、キャリア付銅箔の反りが極端に大きいと、銅箔の搬送装置が不具合を起こして停止したり、銅箔が引っ掛かって折れ・しわになるなど、ハンドリング上の問題が発生することがある。また、銅箔の反りに起因して完成した銅張積層体にも反りが残留することがあり、銅張積層体を使用する次工程にて問題が発生する可能性がある。これに対し、本発明のキャリア付銅箔の製造方法では、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔を準備した後、当該キャリア付銅箔に対し、120〜220℃で1〜8時間の加熱処理を行う。このように、事前に120〜220℃で1〜8時間の加熱処理を行っておくことで、電気めっきにより形成される極薄銅層内の残留応力が緩和されるため、キャリア付銅箔と絶縁基板とを貼り合わせる際のキャリア付銅箔の反りの発生を良好に抑制することができる。当該事前の加熱処理において、温度が120℃未満、または、加熱時間が1時間未満の場合、残留応力の緩和が不十分となり反りの抑制が困難となる。また、当該事前の加熱処理において、温度が220℃超、または、加熱時間が8時間超の場合、キャリアの機械的強度が低下して極薄銅層の支持体として必要な剛性が保てなくなり、ハンドリング性が極端に悪化する。当該加熱処理工程において、140〜180℃で2〜6時間の加熱処理を行うのが好ましい。
また、当該加熱処理工程において、キャリア表面ならびに極薄銅層表面の酸化や劣化を生じさせる酸素、及び、水蒸気等の気体を含まないような雰囲気下で加熱処理を行うのが好ましく、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で加熱処理を行うのが好ましい。
当該張力は、より好ましくは20〜50kgf/mであり、更により好ましくは20〜30kgf/mである。
当該キャリアの引張強度は350MPa以上であるのがより好ましく、380MPa以上であるのが更により好ましく、より典型的には350〜500MPaであり、更により典型的には380〜450MPaである。
以下、特に明記しない限り、キャリア付銅箔の実施形態は本発明に係る加熱処理前のものについて説明するが、当該実施形態は、加熱処理後のもの(本発明に係るキャリア付銅箔の製造方法によって作製されたキャリア付銅箔)にも同様に当てはまる。
本発明のキャリア付銅箔は、キャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順で有する。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、フッ素樹脂フィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
当該引張強度は、350MPa以上であるのがより好ましく、典型的には300〜600MPaであり、より典型的には350〜450MPaである。
当該残留応力は、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層表面に、粗化処理、耐熱処理、防錆処理、クロメート処理、シランカップリング処理などで表面処理層を形成した場合には、当該表面処理層の上から測定した残留応力である。当該残留応力は、10MPa以下であるのが好ましく、5MPa以下であるのがより好ましく、典型的には0〜10MPaであり、より典型的には0〜5MPaである。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCPフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
また、電解銅箔としては、以下の電解液組成及び製造条件にて作製することができる。
なお、本明細書に記載されている銅箔の製造、銅箔の表面処理又は銅箔のめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。また、中間層はキャリアの両面に設けてもよい。
キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に中間層を設けることが好ましい。
また、クロメート処理層は、例えば電解クロメートや浸漬クロメート等で形成することができるが、クロム濃度を高くすることができ、キャリアからの極薄銅層の剥離強度が良好となるため、電解クロメートで形成するのが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで25nm以上80nm以下含有するのが好ましく、30nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、高電流密度での銅層形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1〜5μmであり、更により典型的には1.5〜5μmであり、更により典型的には2〜5μmである。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
ここでクロメート処理層とは前述のクロメート処理層であってもよく、そのほかのクロメート処理層であってもよい。
また、キャリア付銅箔は、キャリア上に粗化処理層を備えてもよく、キャリア上に粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択された層を一つ以上備えてもよい。前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層は、公知の方法を用いて設けてもよく、本願明細書、特許請求の範囲、図面に記載の方法により設けてもよい。キャリアに前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層から選択された層を一つ以上設けることは、前記粗化処理層等を有する表面側から、キャリアを樹脂基板等の支持体に積層する場合に、キャリアと支持体が剥離しにくくなるという利点を有する。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
また、前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付表面処理銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数1に基づいて算出した値である。
この樹脂層の厚みは0.1〜120μmであることが好ましい。
なお、樹脂層を有する表面処理銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
以下の手順で、キャリア付銅箔を作製した。
まず、キャリアとして、表1に記載の厚さを有する長尺の電解銅箔又は圧延銅箔を用意した。
電解銅箔は、下記の条件にて製造した。
(電解浴組成)
Cu:80〜120g/L
H2SO4:80〜120g/L
Cl:20〜80mg/L
ニカワ:0.1〜6.0mg/L
(電解条件)
液温:55〜65℃
電流密度:100A/dm2
電解液流速:1.5m/秒
上記銅箔の光沢面(シャイニー面)に対して、以下の条件で、ロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより中間層を形成した。
・Ni層
硫酸ニッケル:250〜300g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
クエン酸三ナトリウム:15〜30g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:30〜100ppm
pH:4〜6
浴温:50〜70℃
電流密度:3〜15A/dm2
付着量:4000μg/dm2
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30As/dm2
引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、中間層の上に厚み3μmの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成して、キャリア付銅箔を製造した。
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
前述の極薄銅層の表面に、以下の表面処理条件にて表面処理を行った。表1に、当該表面処理によって形成した表面処理層の層構成を示す。
一部の実験例においては、上記極薄銅層の表面に、粗化処理として下記の条件でCu−W合金めっき、Cu−P合金めっき、Cu−Co−Ni合金めっきから選択される一つを行った。
液組成:Cu15g/リットル、硫酸100g/リットル、W 5mg/リットル
温度:25℃
(1段目)
電流密度(Dk):90A/dm2
時間:1.5秒
(2段目)
電流密度(Dk):20A/dm2
時間:3秒
液組成:Cu30g/リットル、硫酸100g/リットル、P 500mg/リットル
温度:30℃
(1段目)
電流密度(Dk):140A/dm2
時間:0.6秒
(2段目)
電流密度(Dk):20A/dm2
時間:2.0秒
液組成:Cu15g/リットル、Co8g/リットル、Ni8g/リットル
pH:1〜3
温度:40℃
(1段目)
電流密度(Dk):45A/dm2
時間:0.6秒
(2段目)
電流密度(Dk):30A/dm2
時間:0.8秒
液組成:Co1〜8g/リットル、Ni10〜20g/リットル
pH:2〜3
温度:40℃
電流密度(Dk):5A/dm2
時間:1.0秒
液組成:Ni15〜30g/リットル、Zn1〜10g/リットル
pH:2〜4
温度:40℃
電流密度(Dk):5A/dm2
時間:1.0秒
液組成:K2Cr2O7:1〜10g/リットル、Zn:0〜5g/リットル
pH:2〜4
温度:40℃
電流密度(Dk):1A/dm2
時間:1.0秒
被処理面に3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 1.0体積%水溶液を噴霧することでシランカップリング剤塗布処理を行った後、70℃以上200℃以下の雰囲気中で2秒以上乾燥を行い、表面の水分を除去した。
樹脂層の塗布は、極薄銅層側表面にグラビアコート法を用いて硬化前の樹脂を塗布した後、ドクターブレードを用いて樹脂塗膜の厚みを10μmに調節し、200℃の乾燥雰囲気中で溶剤を揮発させながら樹脂成分を硬化させた。なお、使用した樹脂はエポキシ系樹脂(DIC株式会社製ビスフェノールA型エポキシ樹脂)を用いた。
次に、各キャリア付銅箔に対し、加熱処理として、99.9%以上の純度を有する窒素ガス雰囲気下で、表2に記載の条件にて加熱処理を行った。熱処理温度に達するまでの昇温速度は100℃/時間、熱処理後の常温までの冷却時間は1〜6時間とした。
また、例1〜16について、キャリア付銅箔をステンレス鋼製の中空管(外径11cm、厚さ0.5cm)に巻きつけた状態で加熱処理を行った。
また、当該中空管に巻きつける際の張力を、それぞれ表2に記載の設定として加熱処理を行った。
また、当該中空管の回転速度を、それぞれ表2に記載の設定として加熱処理を行った。
上述のように作製した例1〜16のキャリア付銅箔について、加熱処理前と加熱処理後とでそれぞれ以下の評価試験を行った。評価結果を表2に示す。なお、表2の加熱後の実験例の番号の表記について、例えば、「例1−1」〜「例1−15」は、それぞれ加熱前のサンプルである「例1」を加熱した後のサンプルを示す。
表2に記載の条件にて加熱処理を行った後のキャリア付銅箔に対し、X線回折法により残留応力を測定した。この方法では、測定対象の銅層を構成する多数の結晶の格子面間隔測定値と、既知である無応力状態で測定された銅の格子面間隔及び銅の弾性定数及びポアソン比から、銅層表面の残留応力を求める。残留応力の測定は株式会社リガク製X線回折装置RINT2100を用いて行った。回折角の校正は標準Si結晶を用いて行った。また、残留応力の計算は株式会社リガク製X線回折装置RINT2100に付属の計算ソフトを用いて、回折ピークトップの測定値を用いて行った。X線の侵入深さは通常数μm〜10μm程度であるため、測定面表層からこの侵入深さ範囲でのX線減衰の影響を加味した平均的な格子面間隔及び残留応力が求められる。キャリア付銅箔において銅箔キャリア及び極薄銅層の厚みはX線侵入深さとほぼ同等かそれ以上であるから、測定された残留応力は銅箔キャリア及び極薄銅層の表層の残留応力を表すものと考えて差し支えない。なお、極薄銅層外側表面に粗化処理、耐熱処理、防錆処理、クロメート処理、シランカップリング処理などの表面処理を行った場合には、当該表面処理をした後に(当該表面処理層の上から)残留応力の測定を行った。また、銅箔キャリア外側表面に粗化処理、耐熱処理、防錆処理、クロメート処理、シランカップリング処理などの表面処理をした場合には、当該表面処理をした後に(当該表面処理層の上から)残留応力の測定を行うことが好ましい。また、加熱処理前のサンプルについても同様に残留応力を測定しておいた。
反り量は、表2に記載の条件にて加熱処理を行った後のキャリア付銅箔を10cm角、及び、100cm角のシート状に切り出して極薄銅層側を上にして水平面上に静置した後、シート4隅角部の水平面からの浮き上がり高さの最大値を測定した。シート四隅角部が浮き上がらず、下方向に反っている場合、極薄銅層側を下にして置いてシート四隅角部の浮き上がり高さの最大値を測定した。また、加熱処理前のサンプルについても同様に反り量を測定しておいた。
表2に記載の条件にて加熱処理を行った後のキャリア付銅箔から極薄銅層を剥離して除去した後、プレシジョンカッターを用いてキャリアを幅12.7mm・長さ150mmの短冊状に切り出し、引張強度測定用の試験片を作製した。この試験片を株式会社島津製作所製オートグラフAGS−100Gを用いて引張試験を行い、キャリアの引張強度を測定した。測定時のつかみ具間距離(初期長さ)は50mm、引張速度は50mm/分の設定とした。引張強度の値は公称応力として計算した。また、加熱処理前のサンプルについても同様にキャリアの引張強度を測定しておいた。
各実験例の加熱処理後の極薄銅層表面の長さ5mの範囲でのシワの有無を目視観察した。長さ10cm以上のシワが確認できた箇所が0箇所のときを◎、1箇所のときを〇、2箇所のときを△、3箇所以上のときを×とした。
各実験例について、加熱処理後、1巻巻きほぐして、2巻目の長さ1mのサンプルについて目視で観察した。このとき、酸化による変色面積が5%以下であるものを◎、酸化による変色面積が5%超え10%以下であるものを○○、酸化による変色面積が10%超え15%以下であるものを〇、酸化による変色面積が15%超え20%以下であるものを△、酸化による変色面積20%超えであるものを×とした。
例1−5〜例1−22、例2−1〜例2−6、例3−1〜例3−11、例4−1〜例16−1は、いずれも10cm角及び100cm角の測定において、加熱処理後の反りの発生が良好に抑制されていた。例1−1〜例1〜4は、10cm角の測定において、いずれも加熱処理後の反りの発生が良好に抑制されていた。
例1−23は加熱処理の温度が低く、加熱処理後の反り量が不良であった。
例1−24は加熱処理の時間が短く、加熱処理後の反り量が不良であった。
Claims (36)
- キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔に対し、120〜220℃で1〜8時間の加熱処理を行う加熱処理工程を含み、前記加熱処理工程において、キャリア付銅箔に5.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で加熱処理を行うキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、キャリア付銅箔に10.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で加熱処理を行う請求項1に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、キャリア付銅箔に15.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で加熱処理を行う請求項1又は2に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔に対し、5.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける工程、及び、前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける工程の後に、前記金属製の中空管に巻きつけたキャリア付銅箔に対して120〜220℃で1〜8時間の加熱処理を行う加熱処理工程を含む、キャリア付銅箔の製造方法。
- 前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける工程において、前記キャリア付銅箔に10.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける請求項4に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける工程において、前記キャリア付銅箔に15.0〜30.0MPaの引張応力を作用させた状態で前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける請求項4又は5に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、140〜180℃で2〜6時間の加熱処理を行う請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、不活性ガス雰囲気下で加熱処理を行う請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程の後のキャリアの引張強度が300MPa以上である請求項1〜8のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程の後の極薄銅箔表面の残留応力が10MPa以下である請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつけた状態で加熱処理を行う請求項1〜3、7〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける際の張力を20〜100kgf/mとして加熱処理を行う請求項11に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける工程において、キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつける際の張力を20〜100kgf/mとする請求項4〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程において、キャリア付銅箔を金属製の中空管に巻きつけた状態で前記中空管を1〜600回転/時間の速度で回転させながら加熱処理を行う請求項11〜13のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程後に常温で測定したキャリアの引張強度が300MPa以上である請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記極薄銅層表面または前記キャリアの表面のいずれか一方または両方に粗化処理層を有する請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項16に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記粗化処理層上に樹脂層を備える請求項16又は17に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項17に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項18に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記キャリアの一方の面に、中間層及び極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であり、前記キャリアの、前記極薄銅層側の表面とは反対側の面に、前記粗化処理層が設けられている請求項16、17、20及び21のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記キャリアの一方の面に、中間層及び極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であり、前記キャリアの、前記極薄銅層側の表面とは反対側の面に、粗化処理層が設けられている請求項18、19及び22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記キャリアの両方の面に中間層及び極薄銅層をこの順に有する請求項1〜22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記キャリアの厚みが5μm以上70μm以下である請求項1〜25のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記キャリアが金属箔で形成されている請求項1〜26のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記金属箔が、銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔及びアルミニウム合金箔から選択されるいずれか1種である請求項27に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記金属箔が、銅箔又は銅合金箔である請求項28に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理後に、前記キャリア付銅箔の前記キャリアおよび前記極薄銅層のいずれか一方または両方の表面に粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層及び樹脂層からなる群から選択された1種以上の層を設ける工程を含む請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理前のキャリア付銅箔が、前記キャリアの両方の面に中間層及び極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であり、
前記加熱処理後に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層の一方または両方の表面に粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層及び樹脂層からなる群から選択された1種以上の層を設ける工程を含む請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。 - 請求項1〜31のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する銅張積層板の製造方法。
- 請求項1〜31のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法。
- 請求項1〜31のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜31のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項34又は35に記載の方法によって作製したプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014174894A JP5859078B1 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014174894A JP5859078B1 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5859078B1 true JP5859078B1 (ja) | 2016-02-10 |
JP2016050325A JP2016050325A (ja) | 2016-04-11 |
Family
ID=55301023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014174894A Active JP5859078B1 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5859078B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108728874A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 长春石油化学股份有限公司 | 具有低反弹力的电解铜箔、其制造方法及其应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102433032B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2022-08-16 | 에스케이넥실리스 주식회사 | 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007152796A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 複合箔のカール矯正方法 |
JP2011068142A (ja) * | 2010-12-24 | 2011-04-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 複合箔のカール矯正方法 |
JP2012211003A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 減圧雰囲気下で銅箔を巻き取るための巻き取り芯 |
WO2014065430A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法 |
JP2015193884A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔及びプリント配線板 |
-
2014
- 2014-08-29 JP JP2014174894A patent/JP5859078B1/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007152796A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 複合箔のカール矯正方法 |
JP2011068142A (ja) * | 2010-12-24 | 2011-04-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 複合箔のカール矯正方法 |
JP2012211003A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 減圧雰囲気下で銅箔を巻き取るための巻き取り芯 |
WO2014065430A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法 |
JP2015193884A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔及びプリント配線板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108728874A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 长春石油化学股份有限公司 | 具有低反弹力的电解铜箔、其制造方法及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016050325A (ja) | 2016-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6640796B2 (ja) | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP6342356B2 (ja) | キャリア付銅箔、プリント配線板、積層体、積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 | |
WO2015012327A1 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6640567B2 (ja) | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、電子機器の製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
JP5651811B1 (ja) | キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 | |
WO2015108191A1 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、積層体及びプリント配線板の製造方法 | |
KR101937606B1 (ko) | 캐리어가 부착된 동박의 제조 방법, 구리 피복 적층판의 제조 방법, 프린트 배선판의 제조 방법, 및, 전자 기기의 제조 방법, 캐리어가 부착된 동박, 적층체, 프린트 배선판 및 전자 기기 | |
WO2015012376A1 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 | |
WO2014065430A1 (ja) | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
WO2014024994A1 (ja) | キャリア付銅箔 | |
WO2015030256A1 (ja) | キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6236120B2 (ja) | キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP5746402B2 (ja) | キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 | |
WO2014065431A1 (ja) | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
JP6236119B2 (ja) | キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP5859078B1 (ja) | キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法 | |
JP6821370B2 (ja) | キャリア付金属箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP6073947B2 (ja) | キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP6099778B1 (ja) | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法。 | |
JP5919345B2 (ja) | キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法、キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板及び電子機器 | |
JP6178360B2 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント回路板の製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
JP2016050364A (ja) | キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、積層体、キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
JP2017020117A (ja) | キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP2016050362A (ja) | キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法、キャリア付銅箔 | |
JP2018009237A (ja) | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5859078 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |