TW201603191A - 包括石墨烯基底層之電子裝置及其製造方法（一） - Google Patents

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Abstract

本發明之某些示範實施例關於將石墨烯用作一透明導電塗層(TCC)。在某些示範實施例中，石墨烯薄膜在大面積上，例如由一烴氣(諸如，舉例而言，C2H2、CH4等等)異質磊晶生長在一觸媒薄膜上。某些示範實施例的石墨烯薄膜可被摻雜或不摻雜。在某些示範實施例中，石墨烯薄膜一旦被形成，可被剝落其之載體基材且被轉移至接收基材，例如，包含在一中間或最終產品中。以此方式生長、剝落及轉移的石墨烯可呈現低薄片電阻(例如當被摻雜時小於150歐姆/平方或更低)，及高傳輸值(例如至少在可見及紅外頻譜中)。

Description

包括石墨烯基底層之電子裝置及其製造方法(一)
本發明之某些示範實施例係關於包含石墨烯之薄膜。更特定地，本發明之某些示範實施例係關於將石墨烯用作一透明導電塗層(TCC)。在某些示範實施例中，石墨烯薄膜由一烴氣(諸如，舉例而言，C2H2、CH4等等)在大面積上，例如在一觸媒薄膜上異質磊晶生長。某些示範實施例之石墨烯薄膜可以是摻雜型或無摻雜型的。在某些示範實施例中，石墨烯薄膜一旦形成，可自其載體基材剝落，且被轉移至接收基材，例如包含在一中間或最終產品中。
氧化銦錫(ITO)及氟摻雜氧化錫(FTO或SnO：F)塗層被廣泛用作光電裝置中的窗電極。此等透明導電氧化物(TCOs)在各種應用中已極為成功。然而，遺憾的是，ITO及FTO之使用由於許多原因而日益出現問題。此等問題包括，例如在地球上銦元素數量有限之事實，在一酸或鹼存在下TCOs之不穩定性，易受離子導電層的離子擴散，它們在近紅外區中(例如，高功率頻譜)的有限透明度，由FTO結構缺陷導致的FTO裝置之高漏電流等等。ITO之脆化性質及其高沉積溫度也可能會限制其之應用。另外，SnO2：F中表 面粗糙性可能導致有問題的發弧。
因此，將瞭解在該技藝中有對具有良好穩定性、高透明度，及優良導電性的平滑及可形成圖案之電極材料有所需求。
對於具有良好穩定性、高透明度，及優良導電性的新穎電極材料之研究正在進行中。此研究的一層面包括確認此等習知TCOs的可行替代物。在這點上，本發明之發明人已研發出一基於碳，尤其是石墨烯之可行透明導電塗層(TCC)。
名詞石墨烯大體是指一或一以上原子層的石墨，例如，具有一單石墨烯層或可延長高達n層石墨的SGL(例如，n可高達10)。石墨烯最近在曼徹斯特大學的發現及分離(藉由剝離晶體石墨)適逢電子元件的趨勢是將電路元件尺寸減小至奈米級的時刻。在此一方面，石墨烯已經意外地通往一個獨特光電性質的嶄新世界，該獨特光電性質是標準電子材料中未遇到的。這出現在線性色散關係(E vs. k)上，使得石墨烯中的電荷載子具有零靜質量且表現為相對論性粒子。圍繞碳原子移動的該類相對性行為非定域電子因他們與石墨烯之蜂巢晶格的週期勢之交互作用導致新準粒子而產生，在低能量(E<1.2eV)下新準粒子由(2+1)-維狄拉克方程式以一vF c/300=106ms-1的一有效光速被精確描繪。因此，已被廣泛接受的量子電動力學(QED)技術(處理光子)可被適用於石墨烯研究中-另外的有利層 面是此等效應在石墨烯中以一300因數被放大。例如，相較於真空的1/137，普適耦合常數α在石墨烯中接近2。見K.S.Novoselov的「Electrical Field Effect in Atomically Thin Carbon Films」的Science，第306卷，第666-69(2004)頁，其之內容在此併入此文。
儘管只有一原子厚(最低限度)，石墨烯是化學及熱穩定的(雖然石墨烯可以在300攝氏度下被表面氧化)，因此允許成功製造石墨烯基底裝置，以耐受周圍條件。高品質石墨烯片首先藉由塊狀石墨的微機械剝離被製造。同一技術可被調整以供現今提供尺寸高達100μm2的高品質石墨烯晶體。此尺寸就微電子中的大部份研究目的上是足夠的。因此，目前為止大部分，主要在大學裡研發的技術重點更多是放在顯微樣本，及裝置製備及特性化，而不是增大。
不同於大部份當前研究趨勢，為了實現石墨烯作為一合適TCC的最大潛能，高品質材料在基材(例如玻璃或塑膠基材)上的大面積沉積是必要的。迄今，大部份大規模石墨烯生產程序依靠使用濕基化學品的塊狀石墨剝離，且以高序熱解石墨(HOPG)及化學剝落開始。眾所周知，HOPG是以c軸角展度小於1度的高序熱解石墨形式，且通常由3300K的應力退火被生產。HOPG行為更像一純金屬，因為其大體是反射性且導電型性的，雖然脆且成片狀。以此方式生產的石墨烯被過濾且進而被粘附至一表面。然而，該剝離程序中有缺點。例如，剝離的石墨烯易於交疊且被弄 皺，以小條形式存在，且依靠一拼接/縫合程序沉積，缺乏石墨烯層數目上的內部控制，等等。如此生產的材料通常因夾層被污染，且就此而言具有低級電子性質。
一碳相圖的深度分析顯示程序視窗條件不僅適於生產石墨及金剛石，也適於生產其他同素異性型式，諸如，舉例而言碳奈米管(CNT)。奈米管之觸媒沉積可由一溫度高達1000攝氏度的氣相完成多種不同組。
與此等習知研究領域及習知技術不同地，本發明之某些示範實施例係關於一種使單晶石墨異質磊晶生長(n大約為15)的可擴展技術，且將其轉換成高電子級(HEG)石墨烯(n<大約3)。某些示範實施例也係關於HEG石墨烯在透明(就可見與紅外頻譜而言)、導電超薄石墨烯薄膜中的使用，例如，作為用於各種應用場合(包括，例如固態太陽電池)普遍運用的金屬氧化物窗電極之替代物。某些示範實施例之生長技術是基於一觸媒驅動異質磊晶CVD程序，該程序發生於適合玻璃的充分低溫。例如，熱力學及動力學原理允許HEG石墨烯薄膜在低於大約700攝氏度的一溫度由氣相被結晶在一種觸媒層上。
某些示範實施例也使用原子氫，其被證明是一用於清除在基材上的非晶態碳質污染且能夠在低處理溫度下實施的有效自由基。其也擅長去除氧化物及典型地由蝕刻步驟留下的其他被覆層。
某些示範實施例關於一太陽電池。該太陽電池包含一玻璃基材。一第一石墨烯基底導電層被直接或間接設 置於玻璃基材上。一第一半導體層與第一石墨烯基底導電層接觸。至少一吸收層被直接或間接設置於第一半導體層之上。一第二半導體層被直接或間接設置於該至少一吸收層上。一第二石墨烯基底導電層與該第二半導體層接觸。一背面接點被直接或間接設置於第二石墨烯基底導電層上。
在某些示範實施例中，第一半導體層是一n型半導體層，且第一石墨烯基底層摻雜n型摻雜物，而第二半導體層是一p型半導體層，且第二石墨基底層摻雜p型摻雜物。在某些示範實施例中，一層摻鋅氧化鈦被***玻璃基材與第一石墨烯基底層之間。在某些示範實施例中，第一及/或第二半導體層可包含聚合材料。
某些示範實施例關於一光伏打裝置。該光伏打裝置包含一基材、至少一光伏打薄膜層；第一及第二電極；及第一及第二透明、導電石墨烯基底層。第一及第二石墨烯基底層分別摻雜n型及p型摻雜物。
某些示範實施例關於一觸摸面板次組件。該觸摸面板次組件包含一玻璃基材。一第一透明、導電石墨烯基底層被直接或間接提供在玻璃基材上。一可變形箔被提供，該可變形箔係實質上平行於玻璃基材且與玻璃基材隔開。一第二透明、導電石墨烯基底層被直接或間接提供在該可變形箔上。
在某些示範實施例中，第一及/或第二石墨烯基底層被圖案化。在某些示範實施例中，複數個柱可被設置 於可變形箔與玻璃基材之間，且至少一邊封可被提供在次組件的周邊。
某些示範實施例關於包含一觸摸面板次組件的一觸摸面板設備。一顯示器可被連接至該觸摸面板次組件之基材與該可變形箔相對的一表面。在某些示範實施例中該觸摸面板設備可以是一電容式或電阻式觸摸面板設備。
某些示範實施例關於一資料/匯流排線，包含一由一基材支持的石墨烯基底層。該石墨烯基底層之一部份被曝露至一離子束/電漿處理及/或以H*蝕刻，藉此減少該部份之導電性。在某些示範實施例中，該部份不導電。在某些示範實施例中，該基材是一玻璃基材、矽晶圓或其他基材。在某些示範實施例中，該部份可藉由曝露至離子束/電漿處理及/或H*蝕刻而被至少部份移除。
某些示範實施例關於一天線。一石墨烯基底層由一基材支持。該石墨烯基底層之一部份已被曝露至一離子束/電漿處理及/或以H*蝕刻，以相較該石墨烯基底層之其他部份薄化石墨烯基底層之該部份。石墨烯基底層整體具有至少80%，較佳地至少90%的可見光透射率。
某些示範實施例關於一種製造一電子裝置之方法。一基材被提供。一石墨烯基底層在該基材上被形成。該石墨烯基底層藉由下列者之一被選擇性地圖案化：離子束/電漿曝露及H*蝕刻。
在某些示範實施例中，石墨烯基底層在圖案化之前被轉移至一第二基材。在某些示範實施例中，圖案化被 執行以減少該石墨烯基底層之導電性及/或移除部份石墨烯基底層。
本文所述諸特徵、層面、優勢及示範實施例可被結合以實現進一步的其他實施例。
S101~S107、S301~S307、S401~S405、S1002~S1050、S1401~S1407‧‧‧步驟
501‧‧‧烴氣
503‧‧‧(金屬)觸媒層
503’‧‧‧觸媒層
505‧‧‧後撐架/堆疊塗層基材
507‧‧‧固態摻雜物
509‧‧‧(摻雜)石墨烯
701‧‧‧釋放層
703‧‧‧聚合物層
801‧‧‧目標基材
803a‧‧‧上輥
803b‧‧‧下輥
901‧‧‧主體(部份)
903‧‧‧進氣口
905‧‧‧排氣口
907‧‧‧蓮蓬頭
909‧‧‧後撐基材
913‧‧‧冷卻劑入口/出口
1202‧‧‧玻璃基材
1204‧‧‧抗反射(AR)塗層
1206‧‧‧吸收層
1208‧‧‧(n型)半導體(層)
1210‧‧‧(p型)半導體(層)
1212‧‧‧背面接點
1214、1314‧‧‧(第一)石墨烯基底層
1216、1316‧‧‧(第二)石墨烯基底層
1218‧‧‧選擇性層
1302‧‧‧下方顯示器
1304‧‧‧光學透明膠
1306‧‧‧薄玻璃片
1308‧‧‧PET箔
1310‧‧‧柱形間隔
1312‧‧‧邊封
HC‧‧‧頂點間隔
R‧‧‧方向
此等及其他特徵及優勢可參考如下與圖式結合的示範說明性實施例詳細說明被更進一步且更完整地被理解：圖1是繪示某些示範實施例的總體技術之一高級流程圖；圖2是某些示範實施例的觸媒生長技術之一示範示意圖，繪示依據某些示範實施例的烴氣引入，碳溶解，及淬火之可能結果；圖3是繪示依據某些示範實施例，用於摻雜石墨烯的一第一示範技術的流程圖；圖4是繪示依據某些示範實施例，用於摻雜石墨烯的一第二示範技術的流程圖；圖5是繪示依據某些示範實施例，用於摻雜石墨烯的一第三示範技術的流程圖；圖6是依據某些示範實施例，描繪在石墨烯摻雜中的溫度對時間的一圖表；圖7是繪示某些示範實施例在石墨烯釋放及脫裂技術中可利用的一示範層堆疊；圖8是依據某些示範實施例，可被用以在目標玻 璃基材上配置石墨烯的一積層設備的示範示意圖；圖9是依據一示範實施例，一適於沉積高電子級(HEG)石墨烯的反應器之截面示意圖；圖10是繪示某一示範觸媒CVD生長、剝落，及某些示範實施例之轉移技術的示範程序流程圖；圖11是依據某些示範實施例生產的一樣本石墨烯之圖像；圖12是依據某些示範實施例，一包含石墨烯基底層的一太陽光伏打裝置的截面示意圖；圖13是依據某些示範實施例，包含石墨烯基底層的一觸摸螢幕的截面示意圖；及圖14是依據某些示範實施例，用於形成一導電資料/匯流排線的一示範技術之流程圖；及圖15是依據某些示範實施例，形成一導電資料/匯流排線的一技術的示意圖。
本發明的某些示範實施例關於一異質磊晶生長單晶石墨(n大約為15)且將其轉換成高電子級(HEG)石墨烯(n<大約3)的可擴展技術。某些示範實施例也關於在透明(就可見與紅外頻譜而言)、導電超薄石墨烯薄膜中使用HEG石墨烯，例如，作為用於各種應用(包括，例如固態太陽電池)的普遍運用的金屬氧化物窗電極之替代。某些示範實施例之生長技術是基於一觸媒驅動異質磊晶CVD程序，該程序發生於適合玻璃的充分低溫。例如，熱力學及動力學原 理允許HEG石墨烯薄膜在一種觸媒層(例如，以小於大約600攝氏度的一溫度)由氣相被結晶。
圖1是繪示某些示範實施例之總技術的一高級流程圖。如圖1所示，某些示範實施例之總技術可被分類成屬於如下四基本步驟之一：石墨烯在一適當後撐架上的結晶(步驟S101)，石墨烯從後撐架的釋放或脫裂(步驟S103)，石墨烯遷移到目標基材或表面(步驟S105)，及將目標基材或表面合併至一產品中(步驟S107)。如下文更詳細所述，將瞭解步驟S107中所提產品可以是一中間產品或最終產品。
示範石墨烯結晶技術
某些示範實施例之石墨烯結晶技術可被看作包括「裂解」一烴氣，且在一大面積上(例如，大約1米或更大的一面積)將碳原子重組成熟悉的蜂巢結構，例如，槓桿運用表面觸媒路徑。某些示範實施例之石墨烯結晶技術在高溫及中等壓力發生。此示範程序之說明性細節將在下文詳細描述。
某些示範實施例之觸媒生長技術稍微關於被用以在一異質磊晶面積上生長石墨的技術。一用於石墨烯結晶的觸媒被配置在一適當後撐架上。該後撐架可以是任何能夠耐高熱(例如，高達大約1000攝氏度的溫度)的材料，諸如，舉例而言，某些陶瓷或玻璃產品、含鋯材料、氮化鋁材料、矽晶圓等等。一薄膜被直接或間接配置在該後撐架上，藉此確保其表面在結晶程序之前實質上未被污染。本發明之發明人已發現當觸媒層具有一實質單向晶體結構 時，石墨烯結晶被促進。在這點上，小晶粒被確定為較不有利的，因為它們的鑲嵌結構最終將被傳遞至石墨烯層。無論如何，如果觸媒層，至少在實質部份上具有一單向晶體結構，晶體結構之特定方向已被發現對於石墨烯結晶多半並不重要。事實上，在觸媒中相對缺少晶界或低晶界已被發現導致生長石墨烯為同一或相似方向，且被發現提供高電子級(HEG)石墨烯。
該觸媒層本身可藉由任一適當技術，諸如，舉例而言，濺射、燃燒蒸汽沉積(CVD)、火焰熱解等等被配置在後撐架上。觸媒層本身可包含任一適當金屬或含金屬材料。例如，觸媒層可包含，例如，金屬，諸如鎳、鈷、鐵、高導磁合金(例如，鎳鐵合金，大體包含大約20%鐵及80%鎳)，鎳與鉻、銅及其之組合的合金。當然，其他金屬可被用於某些示範實施例。發明人已發現鎳觸媒層或包含鎳之觸媒層特別有利於石墨烯結晶，且鎳鉻合金更加有利。另外，發明人已發現鎳鉻層(有時也稱為鎳鉻合金或NiCr層)中的鉻量可被最佳化以促進大晶體的形成。特別地，NiCr層中3-15%的鉻是較佳的，NiCr層中5-12%的鉻是更佳的，而NiCr層中7-10%的鉻是更為佳的。金屬薄膜中釩的存在也被發現有利於促進大晶體生長。觸媒層可相對薄或厚。例如，薄膜可以是50-1000nm厚，較佳地75-750nm厚，而更佳地是100-500nm厚。在某些示範中，一「大晶體生長」包括具有沿一主軸在數十微米數量級上的一長度的晶體，且有時更大。
一旦觸媒薄膜被設置在後撐架上，一烴氣(例如，C2H2氣體、CH4氣體等等)被引入一室，其上設置有該觸媒薄膜的後撐架置於該室中。該烴氣可以從大約5-150毫托，較佳地10-100毫托範圍內的一壓力被引入。大體上，壓力越大，石墨烯生長越快。後撐架及/或該室整體進而被加熱以溶解或「裂開」烴氣。例如，後撐架可被升至600-1200攝氏度範圍內的一溫度，較佳地700-1000攝氏度，且更佳地800-900攝氏度。加熱可藉由任一適當技術，諸如，舉例而言，經由一短波紅外(IR)加熱器來完成。解熱可發生在一包含一氣體，諸如氬、氮、氮氫混合物的環境或其他適當環境中發生。換句話說，在某些示範實施例中，烴氣加熱可發生在包含其他氣體的環境中。在某些示範實施例中，可能需要使用一純烴氣(例如，使用C2H2)，而可能需要使用烴氣及另一惰性氣體或其他氣體(例如，與Ar混合的CH4)。
該石墨烯將在此或另一適當環境中生長。為了停止生長且有助於確保石墨烯在觸媒表面生長(例如，與嵌在觸媒中不同)，某些示範實施例運用一淬火程序。淬火可使用一惰性氣體，諸如，舉例而言，氬、氮，其之組合等等被執行。為了促進石墨烯在觸媒層表面上之生長，淬火應被相當快地執行。更特定地，已發現淬火過快或過慢導致觸媒層表面上石墨烯不良或不生長。大體上，淬火以在數分鐘過程中將後撐架及/或基材之溫度從大約900攝氏度降至700攝氏度(或更低)被發現促進石墨烯例如經由化學吸附的良好生長。在這點上，圖2是一某些示範實施例的觸媒生 長技術之示範示意圖，繪示烴氣之引入，碳溶解，及淬火的可能結果。
石墨烯之生長程序利用精確厚度關係t=n×SLG，其中n包括某些離散數目的步驟。極迅速地識別是否石墨烯已被產生且判定膜面積上的n值約略等於在一單一量測中量測薄膜品質及均勻性。雖然石墨烯薄片可以用原子力及掃描電子顯微術被看見，但此等技術是耗費時間的，且也可導致石墨烯污染。因此，某些示範實施例運用一提高石墨烯在預定觸媒表面上的可見度的相位對比技術。此可為了將任一n值上的變化映射於金屬觸媒薄膜上之沉積表面的目的被完成。該技術依靠石墨烯之對比可藉由將一材料旋轉塗布至其上而被提高的事實。例如，一廣泛使用的UV可固化抗蝕劑(例如PMMA)可被旋轉塗布、網印、凹部塗布或被配置在石墨烯/金屬/後撐架上，例如以一足以使薄膜可見且連續的厚度(例如，大約1微米)為之。如下文更詳細描述，包含一聚合物抗蝕劑也可促進石墨烯在其轉移至最終表面前的剝落程序。即，除了提供關於石墨烯之形成何時被完成的一指示以外，當該金屬層如下文所述從後撐架被釋放或脫裂時，該聚合物抗蝕劑也可提供對高彈性石墨烯的一支持。
如果一層生長得太厚(有意或無意地)，該層可例如，使用氫原子(H*)蝕刻。此技術可能在許多示範情況中是有利的。例如，當生長發生的太快、意外、不均勻等等時，H*可被用以校正此等問題。又例如，為了確保足夠的 石墨烯生長，石墨可被產生、石墨烷可被沉積，且石墨烷可例如，使用H*被選擇性地回蝕至所需n等級HEG石墨烯。再例如，H*可被用以選擇地蝕刻石墨烯，例如，以產生導電面積及非導電面積。這可藉由例如施加一遮罩，執行蝕刻且進而移開遮罩而被完成。
石墨烯之理論研究顯示載子之遷移率高於200,000cm2/(V‧s)。氣相處理異質磊晶生長石墨烯之實驗量測顯示3×106Ω-cm的電阻率，其優於銀薄膜。此等石墨烯層之薄片電阻已被發現是大約150歐姆/平方。可以變化的一項因數是提供最低電阻率及薄片電阻所需的石墨烯層數，顯然，所需石墨烯厚度可依據目標應用而變化。大體上，適於大多數應用的石墨烯可以是n=1-15石墨烯，較佳地n=1-5石墨烯，且有時n=2-3石墨烯。一n=1石墨烯層已被發現導致大約2.3-2.6%的傳導下降。此在傳輸上的減少已被發現大體上穿過全部頻譜是線性的，例如從紫外線(UV)，穿過可見光且穿過IR的範圍。另外，傳輸中的損耗已被發現實質性與n之每一連續增量成線性。
示範摻雜技術
雖然一150歐姆/平方的薄片電阻可能適於某些示範應用，將瞭解薄片電阻的一進一步減少可能是不同示範應用所需的。例如，將瞭解一10-20歐姆/平方的薄片電阻可能是某些示範應用所需的。本發明之發明人已確定薄片電阻可經由石墨烯摻雜被降低。
在這點上，由於僅一原子層厚，石墨烯顯示超微 米級上的直衝傳輸，且在n2的情況下可-藉由閘電壓或分子被吸附物或***被大量摻雜，而沒有遷移率嚴重損耗。本發明之發明人已確定在石墨烯中，除施體/受體區別之外，大致有二不同類的摻雜物，即順磁及非磁。與普通半導體相反，後一類型的雜質大體用作弱摻雜物，而順磁雜質導致強摻雜。由於線性消失，石墨烯之狄拉克點附近狀態的電子-電洞對稱密度(DOS)，無自旋極化的局部雜質態被定在虛能隙之中心。因此，石墨烯中雜質態與它們在普通半導體中的對應體強烈區分開，價帶及傳導帶中的DOS極其不同，且雜質能階大體遠離能隙中部。雖然可能並不期望一需要距費米能階數十電子伏特的定義明確施體(或受體)能階存在的強摻雜效果，如果雜質具有一局部磁矩，其能階藉由1eV數量級的洪德(Hund)交換幾乎對稱分開，洪德交換對於具有諸如石墨烯中所存在的類似狄拉克頻譜的二維系統電子結構提供強摻雜雜質效果的一有利情況。此推理路線可被用以導引選擇形成順磁單分子及反磁二聚物系統之分子，以供摻雜石墨烯，且將其導電性從103S/cm提高至105S/cm，且有時甚至到106S/cm。
適於用在某些示範實施例中的示範摻雜物包括氮、硼、磷、氟化物、鋰、鉀、銨等等。硫基摻雜物(例如，二氧化硫)也可被用於某些示範實施例中。例如，玻璃基材中存在的硫化物可被導致滲出玻璃，且因此摻雜石墨烯基底層。數個示範石墨烯摻雜技術在下文中被更詳細闡述。
圖3是繪示依據某些示範實施例，一用於摻雜石 墨烯的第一示範技術的流程圖。圖3示範技術實質上包括植入石墨烯中摻雜金屬的離子束。在此示範技術中，石墨烯在一金屬觸媒上生長(步驟S301)，例如如上所述。該具有石墨烯形成於其上的觸媒被曝露至一包含被用作摻雜物之材料的氣體(有時也稱為摻雜氣體)(步驟S303)。一電漿進而在包含該具有石墨烯形成於其上之觸媒及摻雜氣體的一室內被激發(S305)。一離子束進而被用以將摻雜物植入石墨烯(S307)。例如，適用於此種摻雜的離子束技術被揭露於例如，美國專利第6,602,371號案；第6,808,606號案；及再發證案第38,358號，及美國公開案第2008/0199702號案，各該案被在此併入此文以為參考資料。離子束功率可以是大約10-200ev，較佳地20-50ev，更佳地20-40ev。
圖4是繪示依據某些示範實施例，一用於摻雜石墨烯的第二示範技術之流程圖。圖4示範技術實質上包含在目標接收基材中預植入固態摻雜物，且進而當石墨烯被施用於接收基材時，使此等固態摻雜物遷移至石墨烯中。在此示範技術中，石墨烯生長於一金屬觸媒上(步驟S401)，例如，如上所述。接收基材被預製造以包括固態摻雜物於其中(步驟S403)。例如，固態摻雜物可經由熔化被包括在玻璃中的配方中。大約1-10%原子，較佳地1-5%原子，更佳地2-3%原子摻雜物可被包括在玻璃熔體中。石墨烯例如，使用下文詳述示範技術之一被施用於接收基材(步驟405)。接著，接收基材中的固態摻雜物被遷移至石墨烯中。用於石墨烯沉積之熱量將使摻雜物向正在形成的石墨烯層遷移。 類似地，另外的摻雜膜可被包括在玻璃中，且其中之摻雜物可藉由熱擴散透過此等層被遷移，例如，建立一摻雜石墨烯層(n>=2)。
在某些示範實施例中，一離子束也可被用以將諸摻雜物直接植入玻璃中。該離子束功率可以是大約10-1000ev，較佳地20-500ev，更佳地20-100ev。當一中間層被摻雜且被用以提供石墨烯之雜質時，該離子束可以大約10-200ev，較佳地20-50ev，更佳地20-40ev操作。
圖5是繪示依據某些示範實施例，用於摻雜石墨烯之一第三示範技術的示範示意圖。圖5示範技術實質上包括在金屬觸媒層503中預植入固態摻雜物507，且進而在石墨烯被形成時，使此等固態摻雜物507經由觸媒層503遷移，因此在觸媒層503之表面上建立一摻雜石墨烯509。較特定地，在此示範技術中，觸媒層503被配置在後撐架505上。觸媒層503包括固態摻雜物507在其中。換句話說，觸媒具有固態摻雜物原子在其內(例如，大約1-10%，較佳地大約1-5%，最佳地大約1-3%)。烴氣501被引入接近以高溫形成的觸媒層503。觸媒層503中的固態摻雜物507隨著石墨烯結晶發生，例如藉由此高溫被遷移向其之外表面。摻雜物到達表面之速率已被發現是觸媒層厚度及溫度的一函數。結晶經由淬火被停止，最後，一摻雜石墨烯509被形成於觸媒層503’之表面上。在摻雜石墨烯509形成之後，觸媒層503’此時具有較少(或無)固態摻雜物507位於其中。此示範技術的一優勢是有關於藉由明斷地改變金屬表面溫度、 部份壓力，及沉積氣體種滯留時間，以及用於淬火率程序中使用的活性自由基來控制超薄膜生長的可能性。
將瞭解此等示範摻雜技術可單獨及/或以各種彼此結合及子結合及/或其他技術被使用。也將瞭解某些示範實施例可藉由使用一特定示範技術一次，使用一特定技術多次，或藉由使用多個技術之一結合的一次或多次以包含一單摻雜物材料或多摻雜物材料。例如，p型及n型摻雜物在某些示範實施例中是可能的。
圖6是依據某些範例實施例，描繪在石墨烯摻雜中的溫度對時間的一圖表。如上所指出的，冷卻可使用例如一惰性氣體被完成。大體上，且亦如上所指出的，在某些示範實施例中，高溫可以是大約900攝氏度，且低溫可以是大約700攝氏度，且冷卻可發生達數分鐘。如圖6所示同一加熱/冷卻圖可不管石墨烯是否被摻雜而被使用。
示範石墨烯釋放/脫裂及轉移技術
一旦石墨烯異質磊晶生長，其可例如，在被設置於基材上以被併入中間或最終產品之前從金屬觸媒及/或後撐架釋放或脫裂。依據某些示範實施例，各種步驟可被實施用來將磊晶膜從其生長基材舉起。圖7是用於某些示範實施例的石墨烯釋放或脫裂技術的一示範層堆疊。參考圖7，在某些示範實施例中，一選擇性釋放層701可被提供在後撐架505與觸媒層503之間。釋放層701可以是或包括，例如氧化鋅(例如，ZnO或其他適當化學計量法)。後石墨烯沉積，石墨烯509/金屬觸媒層503/釋放層701堆疊塗層基材505 可接收一厚塗層(例如數微米厚)聚合物層703，例如經由旋轉塗佈施用，藉由一彎月流被施配等等，其可被固化。如上文間接提到，此聚合物層703可在剝落及/或脫裂期間用作石墨烯509之一主幹或支架，保持極撓性石墨烯膜連續性，同時也減少石墨烯膜上捲、褶皺或變形之概度。
同樣如上文間接提到，PMMA可被用作藉由相位對比使石墨烯成為可見，且在剝落之前及/或期間用於支持的聚合物。然而，一大範圍機械及化學性質與石墨烯相配合的聚合物可在支撐相，以及與某些示範實施例相關的釋放轉移相期間被使用。剝落工作例如可藉由以可由石墨化學剝落的石墨烯膜試驗而與主要磊晶生長支路平行執行。
釋放層可被化學誘發以使石墨烯/金屬一旦當聚合物層被設置於其上時從母板脫裂。例如，在一氧化鋅釋放層情況中，在醋中洗滌可觸發石墨烯之釋放。使用一氧化鋅釋放層也是有利的，因為本發明之發明人已發現金屬觸媒層也以釋放層從石墨烯被移除。相信這是由氧化鋅釋放層連同其與觸媒層中之晶粒一起形成之互連的結構化結果。將瞭解這減少(且有時甚至消除)稍後移除觸媒層的需求。
某些剝落/脫裂及轉移技術實質上把原始基材認作一可再用磊晶生長基材。這樣，在如此的示範實施例中可能需要一選擇性蝕刻以從磊晶生長(頂部具有聚合物)石墨烯蝕刻以將金屬觸媒薄膜底蝕並溶解掉。因此，在某些示範實施例中，觸媒層可被蝕刻掉，而不管一釋放層是否 被使用。適當蝕刻劑包括，例如酸，諸如鹽酸、磷酸等等。
最終受體玻璃基材表面可被預備妥以接收石墨烯層。例如，一Langmuir Blodgett薄膜(例如來自一Langmuir Blodgett酸)可被施用至該玻璃基材。最終受體基材可供選擇地或附加地可被塗覆一平滑親石墨烯層，諸如，舉例而言，非晶矽基聚合物等等，使後者能接收石墨烯。這可能有助於確保靜電結合，因此在轉移期間優先允許石墨烯轉移。目標基材可附加地或可供選擇地被曝露於UV輻射，以增加目標基材之表面能量，且因此使其能夠接收石墨烯。
在某些示範實施例中，石墨烯可經由毯覆層衝印及/或滾動被施用於基材。此程序使石墨烯事先生長，且被用化學方法吸附至金屬載子以藉由接觸壓力被轉移至受體玻璃。例如，石墨烯可經由一或多層壓輥被施用至該基材，例如，如圖8所示。在這點上，圖8繪示上輥及下輥803a及803b，它們將施加壓力且使石墨烯509及聚合物層703被層壓至目標基材801。如上所述，目標基材801具有一含系或其他親石墨烯層位於其上以促進層壓。將瞭解聚合物層703將被施作最外層，且石墨烯509將較接近目標基材801(或直接在其上)。在某些示範實施例中，一或多層可在石墨烯施用前被提供於基材上。
一旦石墨烯被配置在目標基材上，聚合物層可被移除。在某些示範實施例中，聚合物可使用一適當溶劑被溶解。當一感光材料諸如PMMA被使用時，其可經由UV光曝露被移除。當然，其他移除技術也是可能的。
將瞭解在某些示範實施例中，觸媒薄膜可在石墨烯被施用至目標基材上之後，例如使用上述示範蝕刻劑之一被蝕刻掉。蝕刻劑之選擇也可基於石墨烯下任何層之存在或不存在。
某些示範實施例較直接在電化學上電鍍石墨烯下的金屬觸媒薄膜。在此等示範實施例中，石墨烯本身可用作陰極，而下面的金屬被電鍍至一透明氧化物上，同時仍被結合至原始基材。此等示範實施例可被用以藉由實質上在一步驟中執行剝落及轉移程序而迴避聚合物塗層的使用。然而，電化學方式的電鍍可影響石墨烯之電子特性，且因此可需要被補償。在某些示範實施例中，石墨烯下的觸媒層可以其他方式被氧化以使其透明。例如，一導電氧化物可被用以將石墨烯基底層「鏈接」至一基材、半導體或其他層。在這點上，鈷、鉻鈷、鎳鉻鈷及/或類似物可被氧化。在某些示範實施例中，這也可減少石墨烯剝落的需求，使轉移、操作，及石墨烯的其他處理更容易。
在某些示範實施例中，石墨烯也可使用一黏合劑或帶狀材料被掀起。該黏合劑可被設置於目標基材上。石墨烯可例如在施加壓力之後，藉由比對帶更強的對基材黏合等等被轉移至目標基材。
示範反應器設計
蓮蓬頭反應器典型地運用一打孔或多孔平面來在一第二平行加熱平面上幾乎均勻地施配反應氣體。此一結構可被用以使用上述示範異質磊晶技術生長石墨烯。蓮 蓬頭反應器也有利於處理大的方形超平滑玻璃或陶瓷基材。一蓮蓬頭反應器的一基本示意圖是圖9，充氣設計被放大。換句話說，圖9是依據一示範實施例，適於沉積高電子級(HEG)石墨烯的一反應器之截面示意圖。該反應器包括一具有數個入口及出口的主體部份901。較特定地，一進氣口903被提供在頂部且在反應器主體901的大約水平中心處。進氣口903可接收來自一或一以上來源的氣體，且因此可提供包括，例如烴氣，在異質磊晶生長期間用以形成環境之氣體，淬火氣體等等各種氣體。氣體通量及流量將例如參考蓮蓬頭907之充氣設計在下文詳述。複數個排氣口905可被提供在反應器主體901之底部。在圖9示範實施例中，二排氣口905被提供成接近反應器主體901之末端，以便例如抽出由進氣口903提供、大體上將流經實質上整個主體901的氣體。將瞭解在某些示範實施例中，或多或少的排氣口905可被提供(例如，另外的排氣口905可被提供在反應器主體901的大約水平中心處，在反應器主體901的頂部或諸側等等)。
在某些示範實施例中，後撐基材909可在進入反應器前，藉由一真空鎖機構被清潔，且具有觸媒薄膜位於其上(例如藉由物理氣相沉積或PVD、濺射、火焰熱解等等)。就基座設計而言，後撐基材909之表面可被快速加熱(例如，使用一RTA加熱器、一短波IR加熱器，或其他能夠電感加熱基材及/或其上之層而不需同樣加熱整個室的適當加熱器)至一可控溫度水平及允許下列諸項的一致性，(i)金 屬薄膜結晶及活化，及(ii)實質上均勻及可控厚度的石墨烯由一氣相母材在其表面上的優先沉積。加熱器可以是可控制以導致參數沉積速率/觸媒之(溫度*厚度)比率。後撐基材909可在方向R移動通過反應器，或可在蓮蓬頭907下保持穩定。蓮蓬頭907可例如，使用藉由一或一以上冷卻劑入口/出口913引入的冷卻流體或氣體被冷卻。簡而言之，且如圖9放大圖所示，充氣設計可包括複數個孔在蓮蓬頭907之底部，每一此孔僅數毫米寬。
改變頂點間隔Hc，或蓮蓬頭907底表面與後撐基材909在其上移動的頂表面之間的高度可具有數個效果。例如，室體積及因此表面對體積比可被修改，因此影響氣體滯留時間，耗費時間，及徑向速度。滯留時間改變已被發現強烈影響氣相反應之程度。一如圖9所示操作的蓮蓬頭結構(具有一熱表面在一冷卻表面下)如果以高壓操作(例如以數百毫托)具有貝納德變化自然對流的可能性，且此一趨勢透過瑞立數(與浮力驅動流相關聯的一無因次數，亦稱為自由對流或自然對流，當其超過一流體的臨界值時，熱轉移主要為對流形式)受高度的強烈影響。因此，頂點間隔Hc可藉由提供基材電極等等的可調整安裝，透過簡單硬體改變而變化，以影響石墨烯之異質磊晶。
圖9示範實施例不一定打算操作反應器內的一電漿。這是因為結晶膜生長機構是藉由表面吸附(大體僅發生在觸媒上)的異質磊晶。從電漿相的生長已被發現導致大部份非晶態膜，且也被發現允許巨粒子形成或灰塵形成，而 這可能大幅降低膜品質且導致不利於一到十原子層膜的針孔。反之，某些示範實施例可包括製造石墨(例如，單晶石墨)，將其蝕刻至石墨烷(例如，某一n值石墨烷)，且將石墨烷轉換成石墨烯(例如轉換成HEG石墨烯)。當然，一原位端點技術可被實施成一回饋參數。
在某些示範實施例中，一離子束源可被配置成一直線，但在圖9之反應器之外，例如，以執行依據上述示範技術的摻雜。然而，在某些示範實施例中，一離子束源可設置於一反應器之主體中。
示範程序流程圖
圖10是繪示某一示範觸媒CVD生長、剝落，及某些範例實施例之轉移技術的範例程序流程圖。圖10所示的示範程以後撐玻璃例如，使用一習知玻璃檢查方法被檢查(步驟S1002)及被洗滌(步驟S1004)開始。後撐玻璃可進而使用離子束清潔、電漿灰化等等被清潔(步驟S1006)。觸媒(例如一金屬觸媒)例如使用PVD被配置在後撐架上(步驟S1008)。應注意在本發明的某些示範實施例中，步驟S1006之清潔程序可在石墨烯塗布器/反應器中被完成。換句話說，在某些示範實施例中，例如，依靠金屬觸媒層被沉積於塗布器/反應器內或之前，具有或不具有金屬觸媒薄膜形成於其上的後撐玻璃可在步驟S1006之前被載入石墨烯塗布器/反應器。一n層石墨烯觸媒沉積可進而發生(步驟S1010)。在某些示範實施例中，石墨烯可藉由引入氫原子(H*)蝕刻，且石墨烯可選擇性地被摻雜，例如依靠目標應 用(步驟S1012)。石墨烯形成之結束例如，藉由判定是否足夠的石墨烯已被沉積，及/或釋放H*蝕刻已足夠而被檢測(步驟S1014)。為了阻止石墨烯形成，一快速淬火程序被使用，且其上形成石墨烯的後撐玻璃離開反應器/塗布器(步驟S1016)。目視檢查選擇性地可在此點被執行。
在石墨烯形成之後，一可用以石墨烯轉移的聚合物可藉由旋轉、刮刀或其他塗覆技術被設置在石墨烯上(步驟S1018)。此產品選擇性地被檢查，例如，以判定需要的顏色變化是否發生。如果發生，該聚合物可被固化(例如，使用熱、UV輻射等等)(步驟S1020)，且進而被再次檢查。金屬觸媒可能蝕刻不足，或被釋放(步驟S1022)，例如，以準備石墨烯剝落(步驟S1024)。
一旦剝落被達成，聚合物及石墨烯選擇性地可被檢查，且進而被洗滌，例如，以移除任何剩餘不足蝕刻劑及/或非固化聚合物(步驟S1026)。另一選擇性檢查程序可在此點被執行。一表面活性劑可被施用(步驟S1028)，插針可被至少放置在聚合物中(步驟S1030)，且膜例如，在此等插針幫助下被翻轉(步驟S1032)。剝落程序此時完成，且石墨烯此時準備被轉移至接收基材。
接收基材被預備妥，例如在一清潔室中(步驟S1034)。接收基材之表面可例如，藉由將其曝露至一UV光以增加其表面能量而被功能化，以對其施用親石墨烯塗層等等(步驟S1036)。石墨烯/聚合物膜可進而被轉移至主板上(步驟S1038)。
一旦轉移完成，具有石墨烯及聚合物附接其上的接收基材可被饋入一模組，以移除聚合物(步驟S1040)。這可藉由將聚合物曝露至UV光、熱量、化學藥品等等而被完成。具有石墨烯及至少部份溶解的聚合物之基材可進而被洗滌(步驟S1042)，任何過量水或其他材料被蒸發或被乾燥(步驟1044)。此聚合物移除程序可依需要被重複。
在聚合物移除之後，基材上石墨烯之薄片電阻可例如，施用一標準四點探針被量測(步驟1046)。光傳輸(例如Tvis等等)也可被量測(步驟S1048)。假定中間及最終產品滿足品質標準，它們可被封裝(步驟S1050)。
使用此等技術，樣本膜被預備妥。諸樣本膜顯示15500S/cm的高導電性及在500-3000nm波長上大於80%的透明度。另外，諸膜顯示量化的化學及熱穩定性。圖11圖像顯示異質磊晶生長石墨烯剝落一透磁合金薄膜。
示範含石墨烯應用
如上文間接提到，石墨烯基底層可被用於各種應用及/或電子裝置中。在此等示範應用及/或電子裝置中，ITO及/或其他導電層可僅由石墨烯基底層替換。以石墨烯製造裝置將典型地包括製作與金屬、退化半導體如ITO、太陽電池半導體諸如一Si及CdTe等及/或類似物的接點。
除了具有在布利洛區的K點的一零帶隙及一消失密度狀態(DOS)，獨立石墨烯顯示金屬行為。然而，金屬吸收，半導體或絕緣基材可改變其電子特性。為了補充此情況，附加地或可供選擇地，在示範應用及/或電子裝置 中，石墨烯基底層可依據與其相鄰的任何半導體層被摻雜。即，在某些示範實施例中，如果一石墨烯基底層與一n型半導體層相鄰，那麼石墨烯基底層可被摻雜一n型摻雜物。同樣，在某些示範實施例中，如果一石墨烯基底層與一p型半導體層相鄰，石墨烯基底層可被摻雜一p型摻雜物。當然，石墨烯中費米能階相對於錐點的偏移例如可使用密度泛函理論(DFT)被模型化。帶隙計算顯示金屬/石墨烯介面可被分為二大類，即，化學吸附及物理吸附。在後者情況中，一上移(下移)是指電子(洞)藉由金屬被提供至石墨烯。因此，預測金屬或是TCO視應用而定何者被使用作石墨烯的接點是可能的。
一可使用一或一以上石墨烯基底層的第一示範電子裝置是一太陽光伏打裝置。此等示範裝置可包括正電極或背電極。在此等裝置中，石墨烯接觸可易於典型用於其中的ITO。光伏打裝置被揭露於，例如美國專利第6,784,361號案、第6,288,325號案、第6,613,603號案及第6,123,824號案；美國公開第2008/0169021號案；第2009/0032098號案；第2008/0308147號案；及第2009/0020157號案；及申請案序號第12/285,374號案、第12/285,890號案及第12/457,006號案，其之全部揭露在此被併入此文以為參考資料。
可供選擇或附加地，摻雜石墨烯基底層可被包括在其中，以匹配相鄰半導體層。例如，圖12是依據某些示範實施例包含石墨烯基底層的一太陽光伏打裝置的截面示 意圖。在圖12示範實施例中，一玻璃基材1202被提供。例如而非限制，玻璃基材1202可以是美國專利申請案序號第11/049,292號案及/或第11/122,218號案中任一者所述之任一玻璃，該兩案之揭露在此併入此文以為參考資料。玻璃基材可選擇性地被奈米結構化，例如，以增加太陽電池之效率。一抗反射(AR)塗層1204可被提供在玻璃基材1202之一外表面上，例如，以增加傳輸。抗反射塗層1204可以是一單層抗反射(SLAR)塗層(例如，一氧化矽抗反射塗層)或一多層抗反射(MLAR)塗層。此AR塗層可使用任一適當技術被提供。
一或一以上吸收層1206可與AR塗層1204反側地被提供在玻璃基材1202上，例如，在諸如圖12示範實施例所示一背電極裝置情況中。吸收層1206可被夾在第一與第二半導體之間。在圖12示範實施例中，吸收層1206可被夾在n型半導體層1208(接近玻璃基材1202)與p型半導體層1210(距玻璃基材1202較遠)之間。一背面接點1212(如鋁或其他適當材料)也可被提供。不同於在半導體1208與玻璃基材1202之間，及/或在半導體1210與背面接點1212之間提供ITO或其他導電材料，第一及第二石墨烯基底層1214及1216可被提供。石墨烯基底層1214及1216可被摻雜以分別匹配相鄰半導體層1208及1210。因此，在圖12示範實施例中，石墨烯基底層1214可被摻雜n型摻雜物，且石墨烯基底層1216可被摻雜p型摻雜物。
因為難以直接結構化石墨烯，一選擇性層1218 可被提供於玻璃基材1202與第一石墨烯基底層1214之間。然而，因為石墨烯極富撓性，其大體將與其被放置的表面一致。因此，可能變形選擇性層1218，使得該層之結構可被「轉移」或者被反映在大致共形的石墨烯基底層1214中。在這點上，此選擇性層1218可包含摻鋅氧化錫(ZTO)。注意到在某些示範實施例中，半導體1208及1210之一者或兩者可以聚合導電材料替換。
因為石墨烯在近及中紅外線範圍是透明的，意味大部份的穿透性長波長輻射可穿透且產生深入至單一及串接太陽電池之i-層中的載子。這意對結構化背面接點的需求可能並非石墨烯基底層所需要，因為效率將已增加數百分點之多。
網版印刷、蒸發及燒結技術及高溫CdCl2處理目前被用於CdS/CdTe太陽電池異質接面。此等電池具有高填充因數(FF>0.8)。然而，串聯電阻Rs是一限制效率人工因素。在Rs中，由一來自CdS層之薄片電阻的一分佈部份，及於CdTe相關聯的一離散成份及在其頂部上的石墨基接觸。一或一以上石墨烯基底層的使用可有助於減少Rs之分佈，同時維持良好的異質接面特性。藉由在此一太陽結構的正面與背面接點配置中包括石墨烯，一實質效率增加可被達成。
將瞭解某些示範實施例可包括單接頭太陽電池，而某些示範實施例可包括前後太陽電池。某些示範實施例可以是CdS、CdTe、CIS/CIGS、非晶矽，及/或其他類 型太陽電池。
可包含一或一以上石墨烯基底層的另一示範實施例是一觸摸面板顯示器。例如，該觸摸面板顯示器可以是包括ITO或其他導電層的一電容或電阻的觸摸面板顯示器。見例如，美國專利第7,436,393號案；第7,372,510號案；第7,215,331號案；第6,204,897號案；第6,177,918號案；及第5,650,597號案，及申請案序號第12/292,406號案，諸案之揭露在此併入此文以為參考資料。ITO及/或其他導電層可在此觸摸面板中以石墨烯基底層替換。例如，圖13是依據某些示範實施例，包含石墨烯基底層的一觸摸螢幕的截面視圖。圖13包括一下方顯示器1302，其在某些示範實施例中，可以是一LCD、電漿或其他平板顯示器。一光學透明膠1304將顯示器1302耦接至一薄玻璃片1306。一可變形PET箔1308被提供成圖13示範實施例的最頂層。PET箔1308藉由實質上複數個柱形間隔1310及邊封1312與薄玻璃基材1306隔開。第一及第二石墨烯基底層1314及1316可分別被提供在PET箔1308接近顯示器1302的表面上及接近薄玻璃基材1306面對PET箔1308的表面上。石墨烯基底層1314及1316之一或二者可藉由離子束及/或雷射蝕刻被圖案化。應注意，PET箔上的石墨烯基底層可使用PET箔本身由其生長位置轉移成中間產品。換句話說，當剝落石墨烯及/或移動其時，PET箔可被用於替代一光阻材料或其他材料。
石墨烯基底層的一小於大約500歐姆/平方的薄片電阻在與圖13所示的類似實施例中是可接受的，且一小 於大約300歐姆/平方的薄片電阻對石墨烯基底層是有利的。
將瞭解典型地在顯示器1302中發現的ITO可以一或一以上石墨烯基底層替換。例如，當顯示器1302是一LCD顯示器時，石墨烯基底層可被提供成一濾色基材上的普通電極及/或被提供成所謂TFT基材上的圖案化電極。當然，摻雜或未摻雜的石墨烯基底層也可用於個別TFT之設計與製造。類似配置也可被提供於電漿及/或其他平板顯示器。
石墨烯基底層也可被用以建立導電資料/匯流排線、匯流排條、天線，及/或類似物。此等結構可形成於/施用於玻璃基材、矽晶圓等等。圖14是繪示依據某些示範實施例，一用於形成一導電資料/匯流排線的示範技術之流程圖。在步驟S1401，一石墨烯基底層被形成於一適當基材上。在一選擇性步驟，步驟S1403，一保護層可被提供在石墨烯基底層上。在步驟S1405，石墨烯基底層被選擇性地移除或圖案化。此移除或圖案化可藉由雷射蝕刻被完成。在此等情況中，如果雷射之解析度足夠好，保護層的需求可被減少。可供選擇地或附加地，蝕刻可經由曝露於一離子束/電漿處理而被執行。同樣，如上所述，H*可與一熱絲關連地被使用。當一離子束/電漿處理被用於蝕刻時，可能需要一保護層。例如，一光阻材料可被用以保護重要的石墨烯面積。此一光阻材料可在步驟S1403例如，藉由旋轉塗布或類似手段被施用。在此等情況中，在另一選擇性步驟 S1407，選擇性保護層被移除。對UV輻射之曝露可以例如與適當光阻材料一同被行使。在一或一以上未繪示步驟中，導電石墨烯基圖案，可例如利用任一適當技術(諸如，舉例而言上述技術)被轉移至一該圖案未已被形成其上的中間或最終產品。
雖然某些示範實施例已被描述成蝕刻掉或移除石墨烯基底層，某些示範實施例可易於改變石墨烯基底層之導電性。在此等情況中，一些或全部石墨烯可被移除。然而，因為導電性已被適當改變，僅適當圖案化面積可導電。
圖15是依據某些示範實施例，一用於形成一導電資料/匯流排線的技術之示意圖。如圖15所示，石墨烯之導電性藉由實質上曝露於一離子束而被選擇性改變。一光阻材料被施用於一適當圖案，例如，以保護所需部份的石墨烯基底層，而其他部份石墨烯基底層仍曝露於離子束/電漿。
遷移率資料在各種樣本已被沉積及蝕刻後被繪示於如下表格中。
將瞭解以此及/或其他方式圖案化石墨烯由於許多原因是有利的。例如，該層將是很透明的。因此，可能 提供「無縫」天線，其中圖案不可見。一類似結果可被提供於被包含在車窗(例如，用於解凍、天線使用、供電組件等等)、平板(例如LCD、電漿及/或其他)顯示裝置、天窗、冰箱/冷凍器門/窗等等中的匯流排條中。這也可有利地減少通常在此等產品中被發現的黑色溶塊之需求。附加地，在電色裝置中，石墨烯基底層可被用於替代ITO。
雖然某些示範應用/裝置已被描述於本文，如上所述，替代或除了其他透明導電塗層(TCCS)，諸如ITO、氧化鋅等等織物，使用石墨烯基導電層是可能的。
如本文所述，名詞「在……上」、「由……支持」等等不應被解釋為意指二元件直接彼此相鄰，除非明確陳述。換句話說，一第一層可稱其在一第二層「上」或由第二層「支持」，即使它們之間有一或一以上層。
雖然本發明已經關於目前被認為最實際且較佳的實施例被描述，應理解本發明不限制於所揭示實施例，相反地意圖涵蓋所附請求項之精神及範圍所包含的各種修改及等效物。

Claims (23)

  1. 一種觸摸面板次組件，其包含：一玻璃基材；一第一透明、導電石墨烯基底層，其係直接或間接設置在該玻璃基材上；一可變形箔，該可變形箔實質上係平行於該玻璃基材且與該玻璃基材隔開；以及一第二透明、導電石墨烯基底層，其係直接或間接設置在該可變形箔上。
  2. 如請求項1之觸摸面板次組件，其中該第一及/或第二石墨烯基底層被圖案化。
  3. 如請求項2之觸摸面板次組件，其進一步包含：複數個柱，其係位於該可變形箔與該玻璃基材之間；以及至少一邊封，其係位在該次組件的周邊。
  4. 如請求項3之觸摸面板次組件，其中該可變形箔是一PET箔。
  5. 如請求項1之觸摸面板次組件，其中該第一及/或第二石墨烯基底層具有小於500歐姆/平方的一薄片電阻。
  6. 如請求項1之觸摸面板次組件，其中該第一及/或第二石墨烯基底層具有小於300歐姆/平方的一薄片電阻。
  7. 一種觸摸面板設備，其包含：如請求項1之觸摸面板次組件；以及 一顯示器，其係連接至與該可變形箔相對之該觸摸面板次組件的該基材的一表面。
  8. 如請求項7之觸摸面板設備，其中該顯示器是一LCD顯示器。
  9. 如請求項8之觸摸面板設備，其中該觸摸面板設備是一電容式觸摸面板設備。
  10. 如請求項8之觸摸面板設備，其中該觸摸面板設備是一電阻式觸摸面板設備。
  11. 一種資料/匯流排線，其包含由一基材支持的一石墨烯基底層，其中：該石墨烯基底層之一部份被曝露至一離子束/電漿處理及/或以H*蝕刻，藉此減少該部份之導電性。
  12. 如請求項11之資料/匯流排線，其中該部份係不導電。
  13. 如請求項11之資料/匯流排線，其中該基材是一玻璃基材。
  14. 如請求項11之資料/匯流排線，其中該基材是一矽晶圓。
  15. 如請求項11之資料/匯流排線，其中該部份係藉由曝露至該離子束/電漿處理及/或H*蝕刻而至少被部份移除。
  16. 一種天線，其包含：一石墨烯基底層，其係由一基材支持，其中：該石墨烯基底層之一部份被曝露至一離子束/電漿處理及/或以H*蝕刻，以相較於該石墨烯基底層之其他部份薄化該石墨烯基底層之該部份；其中該石墨烯基底層整體具有一至少80%的可見 光透射率。
  17. 如請求項16之天線，其中該石墨烯基底層整體具有一至少90%的可見光透射率。
  18. 一種用於製造電子裝置之方法，該方法包含：提供一基材；在該基材上形成一石墨烯基底層；以及藉由下列之一者選擇性地圖案化該石墨烯基底層：離子束/電漿曝露及H*蝕刻。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包含在進行圖案化之前將該石墨烯基底層轉移至一第二基材。
  20. 如請求項19之方法，其中執行圖案化步驟以減少該石墨烯基底層之導電性及/或移除該石墨烯基底層之部份。
  21. 如請求項19之方法，其進一步包含圖案化步驟之前於該石墨烯基底層之該等部分上方設置一保護性遮罩。
  22. 如請求項21之方法，其中該保護性遮罩包含一光阻材料。
  23. 如請求項21之方法，其進一步包含移除該保護性遮罩。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI743322B (zh) * 2017-03-01 2021-10-21 美商希諾皮斯股份有限公司 用以評估積體電路中之導電結構的方法、系統和非暫態電腦可讀取媒體

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5708493B2 (ja) * 2009-11-13 2015-04-30 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2011096700A2 (en) * 2010-02-02 2011-08-11 Samsung Techwin Co., Ltd. Touch panel and method of manufacturing the same
GB201004554D0 (en) * 2010-03-18 2010-05-05 Isis Innovation Superconducting materials
WO2011129708A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Institutt For Energiteknikk Thin film solar cell electrode with graphene electrode layer
US20120031477A1 (en) * 2010-08-04 2012-02-09 Egypt Nanotechnology Center Photovoltaic devices with an interfacial band-gap modifying structure and methods for forming the same
US8293607B2 (en) * 2010-08-19 2012-10-23 International Business Machines Corporation Doped graphene films with reduced sheet resistance
WO2012031238A2 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 The Regents Of The University Of Michigan Uniform multilayer graphene by chemical vapor deposition
KR101100414B1 (ko) * 2010-10-25 2011-12-30 서울대학교산학협력단 태양전지 및 그 제조 방법
KR101142545B1 (ko) * 2010-10-25 2012-05-08 서울대학교산학협력단 태양전지 및 그 제조 방법
KR20120066719A (ko) * 2010-11-17 2012-06-25 성균관대학교산학협력단 정전용량식 터치 패널용 외부입력기기
US20120156424A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 Academia Sinica Graphene-silicon carbide-graphene nanosheets
KR101271249B1 (ko) * 2010-12-22 2013-06-10 한국과학기술원 질소가 도핑된 투명 그래핀 필름 및 이의 제조방법
KR101806916B1 (ko) * 2011-03-17 2017-12-12 한화테크윈 주식회사 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법
CN103477448B (zh) * 2011-03-29 2016-11-09 加州理工学院 基于石墨烯的多结柔性太阳能电池
US8739728B2 (en) * 2011-04-07 2014-06-03 Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh Methods and apparatuses for roll-on coating
KR101878011B1 (ko) * 2011-04-07 2018-08-09 닛샤 가부시키가이샤 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비한 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물
IL220677A (en) * 2011-06-30 2017-02-28 Rohm & Haas Elect Mat Transparent conductive items
JP2013035699A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Sony Corp グラフェン構造体、グラフェン構造体の製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置
US8878157B2 (en) 2011-10-20 2014-11-04 University Of Kansas Semiconductor-graphene hybrids formed using solution growth
KR101878739B1 (ko) 2011-10-24 2018-07-17 삼성전자주식회사 그래핀 전사부재, 그래핀 전사방법 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조방법
US8927415B2 (en) * 2011-12-09 2015-01-06 Intermolecular, Inc. Graphene barrier layers for interconnects and methods for forming the same
JP2013216510A (ja) * 2012-04-05 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd グラフェンの加工方法
GB201211038D0 (en) * 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
CN102774118B (zh) * 2012-07-31 2015-05-13 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法
CN102880369B (zh) * 2012-10-15 2016-08-24 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种单片式电容触摸屏及其制备方法
TWI524825B (zh) 2012-10-29 2016-03-01 財團法人工業技術研究院 碳材導電膜的轉印方法
KR101405557B1 (ko) * 2012-12-21 2014-06-11 경희대학교 산학협력단 그래핀 태양전지
US10315275B2 (en) * 2013-01-24 2019-06-11 Wisconsin Alumni Research Foundation Reducing surface asperities
KR101446906B1 (ko) * 2013-03-28 2014-10-07 전자부품연구원 그래핀 기반의 배리어 필름 복합체 및 제조방법
US9632542B2 (en) * 2013-05-02 2017-04-25 The Boeing Company Touch screens comprising graphene layers
US9248466B2 (en) * 2013-05-10 2016-02-02 Infineon Technologies Ag Application of fluids to substrates
CN103279239A (zh) * 2013-05-24 2013-09-04 重庆绿色智能技术研究院 一种石墨烯电容式触摸屏
US9449873B2 (en) * 2013-06-19 2016-09-20 Infineon Technologies Ag Method for processing a carrier and an electronic component
CN104423745A (zh) * 2013-09-02 2015-03-18 天津富纳源创科技有限公司 触摸屏的制备方法
US20150136215A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Tsmc Solar Ltd. Solar cell contacts and method of fabricating same
US9505624B2 (en) 2014-02-18 2016-11-29 Corning Incorporated Metal-free CVD coating of graphene on glass and other dielectric substrates
CN103872178B (zh) * 2014-02-28 2016-07-06 江苏武进汉能光伏有限公司 一种薄膜太阳能电池及组件、以及二者的制备方法
JP6129772B2 (ja) * 2014-03-14 2017-05-17 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2015179695A (ja) * 2014-03-18 2015-10-08 国立研究開発法人科学技術振興機構 半導体素子の製造方法、半導体素子および透明導電膜
US20170018712A1 (en) * 2014-04-04 2017-01-19 Philips Lighting Holding B.V. A method of producing a graphene layer
US10389016B2 (en) * 2014-05-12 2019-08-20 Magna Electronics Inc. Vehicle communication system with heated antenna
WO2016014433A1 (en) * 2014-07-20 2016-01-28 The Regents Of The University Of California Functional graphene nanostructure devices from living polymers
CN104498892A (zh) * 2014-12-12 2015-04-08 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种低温定点成核制备石墨烯薄膜的方法
KR101741313B1 (ko) * 2015-05-14 2017-05-30 경희대학교 산학협력단 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
CN104965616B (zh) * 2015-06-29 2017-09-19 重庆墨希科技有限公司 一种石墨烯触摸屏的制备方法
AU2016292850B2 (en) 2015-07-13 2019-05-16 Crayonano As Nanowires or nanopyramids grown on graphitic substrate
KR20180055803A (ko) 2015-07-13 2018-05-25 크래요나노 에이에스 나노와이어/나노피라미드 형상 발광 다이오드 및 광검출기
CA2993884A1 (en) 2015-07-31 2017-02-09 Crayonano As Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates
US10401548B2 (en) * 2015-09-24 2019-09-03 Intel Corporation Integrated antenna with display uniformity
CN105550449B (zh) * 2015-12-15 2018-11-09 清华大学 石墨烯高频特性模型及其参数提取方法
RU2648341C2 (ru) * 2016-05-23 2018-03-23 Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" Конструкция тонкопленочного солнечного модуля и способ ее изготовления
CN105932105A (zh) * 2016-05-26 2016-09-07 合肥工业大学 一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法
CN107564980B (zh) * 2016-07-01 2020-03-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
CN106371670A (zh) * 2016-09-29 2017-02-01 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种多点触压力成像的石墨烯电容式触摸屏及智能终端
CN106648272B (zh) * 2016-12-28 2020-02-14 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司 一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器及其制备方法
RU2659903C1 (ru) * 2017-02-22 2018-07-04 Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиГраф" Способ формирования структуры сенсора газообразных токсичных веществ на основе пленок графена
GB201705755D0 (en) 2017-04-10 2017-05-24 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Nanostructure
PL421831A1 (pl) * 2017-06-08 2018-12-17 Euro Com Project Nowinski Zamroczynska Spolka Jawna Moduł fotowoltaiczny
CN107611189A (zh) * 2017-09-08 2018-01-19 南通强生光电科技有限公司 薄膜太阳能电池片及其制备方法
KR102139639B1 (ko) * 2018-05-24 2020-07-29 (주)엠씨케이테크 그래핀 투명전극 및 이를 포함하는 실리콘액정 소자를 이용한 파장 선택 스위치
WO2020081306A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Corning Incorporated Graphene doping by thermal poling
CN109739037B (zh) * 2018-11-23 2023-12-15 深圳市新盈恒科技有限公司 一种方便维修的液晶显示屏
RU2724228C1 (ru) * 2019-11-19 2020-06-22 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) Способ изготовления нагревателя на основе графена
US20230112533A1 (en) * 2020-04-03 2023-04-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat spreading substrate for a display
CN111439746B (zh) * 2020-05-20 2021-07-23 东华大学 一种扭转角度可控的单层石墨烯折叠结构制备方法
RU2743155C1 (ru) * 2020-06-18 2021-02-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) Датчик микропримесей аммиака
CN112778823B (zh) * 2021-01-27 2022-08-12 九江纳维新材料科技有限公司 超高电导率电子级石墨烯-银复合导电uv固化油墨及其制备方法与应用
WO2023014579A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Corning Incorporated Glass article comprising n-doped graphene

Family Cites Families (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929205A (en) 1988-10-07 1990-05-29 Jones Elene K Leg immobilizer-drag for training swimmers
US5227038A (en) * 1991-10-04 1993-07-13 William Marsh Rice University Electric arc process for making fullerenes
US5300203A (en) * 1991-11-27 1994-04-05 William Marsh Rice University Process for making fullerenes by the laser evaporation of carbon
US5591312A (en) * 1992-10-09 1997-01-07 William Marsh Rice University Process for making fullerene fibers
DE4313481A1 (de) * 1993-04-24 1994-10-27 Hoechst Ag Fullerenderivate, Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung
AU7211494A (en) * 1993-06-28 1995-01-17 William Marsh Rice University Solar process for making fullerenes
US5650597A (en) * 1995-01-20 1997-07-22 Dynapro Systems, Inc. Capacitive touch sensor
US6162926A (en) * 1995-07-31 2000-12-19 Sphere Biosystems, Inc. Multi-substituted fullerenes and methods for their preparation and characterization
US7338915B1 (en) * 1995-09-08 2008-03-04 Rice University Ropes of single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
US6183714B1 (en) 1995-09-08 2001-02-06 Rice University Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes
AU4055297A (en) * 1996-08-08 1998-02-25 William Marsh Rice University Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JPH10178195A (ja) 1996-12-18 1998-06-30 Canon Inc 光起電力素子
US6683783B1 (en) * 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
WO1998039250A1 (en) 1997-03-07 1998-09-11 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6129901A (en) * 1997-11-18 2000-10-10 Martin Moskovits Controlled synthesis and metal-filling of aligned carbon nanotubes
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
WO1999065821A1 (en) * 1998-06-19 1999-12-23 The Research Foundation Of State University Of New York Free-standing and aligned carbon nanotubes and synthesis thereof
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
US6057903A (en) * 1998-08-18 2000-05-02 International Business Machines Corporation Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer
US6204897B1 (en) * 1998-08-18 2001-03-20 International Business Machines Corporation Integrated resistor for measuring touch position in a liquid crystal display device
US7125534B1 (en) * 1998-09-18 2006-10-24 William Marsh Rice University Catalytic growth of single- and double-wall carbon nanotubes from metal particles
US6835366B1 (en) 1998-09-18 2004-12-28 William Marsh Rice University Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof, and use of derivatized nanotubes
JP4746183B2 (ja) * 1998-09-18 2011-08-10 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ 溶媒和を容易にするための単層カーボンナノチューブの化学的誘導体化及び誘導体化ナノチューブの使用
ATE346017T1 (de) 1998-09-18 2006-12-15 Univ Rice William M Katalytisches wachstum von einwandigen kohlenstoffnanoröhren aus metallpartikeln
US6692717B1 (en) * 1999-09-17 2004-02-17 William Marsh Rice University Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles
CN100340476C (zh) * 1998-11-03 2007-10-03 威廉马歇莱思大学 由高压co气相成核和生长单壁碳质毫微管
US6808606B2 (en) * 1999-05-03 2004-10-26 Guardian Industries Corp. Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s)
AU4753200A (en) * 1999-05-04 2000-11-17 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Process for producing a superconductive layered material and product obtainable therefrom
US6790425B1 (en) * 1999-10-27 2004-09-14 Wiliam Marsh Rice University Macroscopic ordered assembly of carbon nanotubes
US7195780B2 (en) * 2002-10-21 2007-03-27 University Of Florida Nanoparticle delivery system
WO2002016257A2 (en) * 2000-08-24 2002-02-28 William Marsh Rice University Polymer-wrapped single wall carbon nanotubes
US6359388B1 (en) 2000-08-28 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
US7052668B2 (en) * 2001-01-31 2006-05-30 William Marsh Rice University Process utilizing seeds for making single-wall carbon nanotubes
US6913789B2 (en) * 2001-01-31 2005-07-05 William Marsh Rice University Process utilizing pre-formed cluster catalysts for making single-wall carbon nanotubes
US7090819B2 (en) * 2001-02-12 2006-08-15 William Marsh Rice University Gas-phase process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
US6752977B2 (en) * 2001-02-12 2004-06-22 William Marsh Rice University Process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
US6602371B2 (en) * 2001-02-27 2003-08-05 Guardian Industries Corp. Method of making a curved vehicle windshield
KR20010094773A (ko) 2001-03-16 2001-11-03 장광식 정윤철 편광판 일체형 터치 패널 및 터치 패널 일체형 평판디스플레이 그리고 적층 방법
US7265174B2 (en) * 2001-03-22 2007-09-04 Clemson University Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions
US6890506B1 (en) * 2001-04-12 2005-05-10 Penn State Research Foundation Method of forming carbon fibers
US7014737B2 (en) 2001-06-15 2006-03-21 Penn State Research Foundation Method of purifying nanotubes and nanofibers using electromagnetic radiation
US7125502B2 (en) 2001-07-06 2006-10-24 William Marsh Rice University Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same
JP2005501935A (ja) * 2001-08-29 2005-01-20 ジョージア テク リサーチ コーポレイション 剛性ロッドポリマーとカーボンナノチューブを含む組成物及びその製造方法
US6538153B1 (en) * 2001-09-25 2003-03-25 C Sixty Inc. Method of synthesis of water soluble fullerene polyacids using a macrocyclic malonate reactant
DE10228523B4 (de) * 2001-11-14 2017-09-21 Lg Display Co., Ltd. Berührungstablett
US7138100B2 (en) * 2001-11-21 2006-11-21 William Marsh Rice Univesity Process for making single-wall carbon nanotubes utilizing refractory particles
KR100445475B1 (ko) 2001-12-18 2004-08-21 주식회사 엘지이아이 밀폐형 압축기의 크랭크축
US7338648B2 (en) * 2001-12-28 2008-03-04 The Penn State Research Foundation Method for low temperature synthesis of single wall carbon nanotubes
TW200307563A (en) * 2002-02-14 2003-12-16 Sixty Inc C Use of BUCKYSOME or carbon nanotube for drug delivery
US7372510B2 (en) * 2002-03-01 2008-05-13 Planar Systems, Inc. Reflection resistant touch screens
WO2003084869A2 (en) 2002-03-04 2003-10-16 William Marsh Rice University Method for separating single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
EP1370489B1 (en) 2002-03-14 2014-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite materials comprising polycarbonate and single-wall carbon nanotubes
US6899945B2 (en) * 2002-03-19 2005-05-31 William Marsh Rice University Entangled single-wall carbon nanotube solid material and methods for making same
US7192642B2 (en) * 2002-03-22 2007-03-20 Georgia Tech Research Corporation Single-wall carbon nanotube film having high modulus and conductivity and process for making the same
JP2003285530A (ja) * 2002-03-28 2003-10-07 Konica Corp インクジェット画像形成方法およびインクジェットインク
US7135160B2 (en) * 2002-04-02 2006-11-14 Carbon Nanotechnologies, Inc. Spheroidal aggregates comprising single-wall carbon nanotubes and method for making the same
KR20040101200A (ko) * 2002-04-08 2004-12-02 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 불소화를 이용한 단일-장벽 탄소 나노튜브의 절단 방법
US6852410B2 (en) * 2002-07-01 2005-02-08 Georgia Tech Research Corporation Macroscopic fiber comprising single-wall carbon nanotubes and acrylonitrile-based polymer and process for making the same
US7061749B2 (en) * 2002-07-01 2006-06-13 Georgia Tech Research Corporation Supercapacitor having electrode material comprising single-wall carbon nanotubes and process for making the same
US7250148B2 (en) * 2002-07-31 2007-07-31 Carbon Nanotechnologies, Inc. Method for making single-wall carbon nanotubes using supported catalysts
KR100480823B1 (ko) * 2002-11-14 2005-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시장치용 터치 패널
US7273095B2 (en) * 2003-03-11 2007-09-25 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Nanoengineered thermal materials based on carbon nanotube array composites
DE602004010506D1 (de) 2003-04-24 2008-01-17 Carbon Nanotechnologies Inc Leitfähiger kohlenstoff-nanoröhrenpolymerverbundstoff
US7220818B2 (en) * 2003-08-20 2007-05-22 The Regents Of The University Of California Noncovalent functionalization of nanotubes
US7109581B2 (en) * 2003-08-25 2006-09-19 Nanoconduction, Inc. System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler
US7163956B2 (en) * 2003-10-10 2007-01-16 C Sixty Inc. Substituted fullerene compositions and their use as antioxidants
US7211795B2 (en) * 2004-02-06 2007-05-01 California Institute Of Technology Method for manufacturing single wall carbon nanotube tips
KR100995073B1 (ko) 2004-04-23 2010-11-18 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지의 모듈 및 그 제조방법
US7279916B2 (en) * 2004-10-05 2007-10-09 Nanoconduction, Inc. Apparatus and test device for the application and measurement of prescribed, predicted and controlled contact pressure on wires
EP1839347A2 (de) 2005-01-20 2007-10-03 Schott AG Elektro-optisches element mit gesteuerter, insbesondere uniformer funktionalitätsverteilung
JP5054896B2 (ja) 2005-03-28 2012-10-24 勝 堀 カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス
JP4522320B2 (ja) 2005-05-31 2010-08-11 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション 透明断熱積層体の製造方法
US7535462B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
RU2292409C1 (ru) 2005-11-07 2007-01-27 Пензенский государственный университет (ПГУ) Способ электроосаждения покрытий сплавом никель-хром
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US7964238B2 (en) * 2007-01-29 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Method of making coated article including ion beam treatment of metal oxide protective film
JP5135825B2 (ja) 2007-02-21 2013-02-06 富士通株式会社 グラフェントランジスタ及びその製造方法
US20080238882A1 (en) 2007-02-21 2008-10-02 Ramesh Sivarajan Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
JP4669957B2 (ja) 2007-03-02 2011-04-13 日本電気株式会社 グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法
US7858876B2 (en) * 2007-03-13 2010-12-28 Wisconsin Alumni Research Foundation Graphite-based photovoltaic cells
US20080245414A1 (en) 2007-04-09 2008-10-09 Shuran Sheng Methods for forming a photovoltaic device with low contact resistance
WO2008128554A1 (en) 2007-04-20 2008-10-30 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Highly conductive, transparent carbon films as electrode materials
US20080308147A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Yiwei Lu Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same
US7875945B2 (en) * 2007-06-12 2011-01-25 Guardian Industries Corp. Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same
RU2353961C1 (ru) 2007-06-25 2009-04-27 Институт прикладной физики РАН Фазоконтрастное устройство для визуализации прозрачных объектов
JP5101200B2 (ja) 2007-07-31 2012-12-19 三菱重工業株式会社 光電変換装置の製造方法
US20090032098A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate
KR20090026568A (ko) * 2007-09-10 2009-03-13 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
KR101384665B1 (ko) 2007-09-13 2014-04-15 성균관대학교산학협력단 그라펜 시트를 함유하는 투명 전극, 이를 채용한 표시소자및 태양전지
US8587559B2 (en) 2007-09-28 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Multipoint nanostructure-film touch screen
US20090174435A1 (en) * 2007-10-01 2009-07-09 University Of Virginia Monolithically-Integrated Graphene-Nano-Ribbon (GNR) Devices, Interconnects and Circuits
JP5605650B2 (ja) 2007-10-19 2014-10-15 ユニバーシティー オブ ウロンゴング グラフェン分散液の製造方法
KR101622306B1 (ko) 2009-10-29 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법
KR100923304B1 (ko) * 2007-10-29 2009-10-23 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
US8659009B2 (en) * 2007-11-02 2014-02-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Locally gated graphene nanostructures and methods of making and using
KR101435999B1 (ko) * 2007-12-07 2014-08-29 삼성전자주식회사 도펀트로 도핑된 산화그라펜의 환원물, 이를 포함하는 박막및 투명전극
KR101344493B1 (ko) 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
JP5302332B2 (ja) 2007-12-20 2013-10-02 シーマ ナノ テック イスラエル リミティド ナノ粒子で形成された透明電極を有する光起電力デバイス
US9105403B2 (en) 2008-01-14 2015-08-11 The Regents Of The University Of California High-throughput solution processing of large scale graphene and device applications
WO2009129194A2 (en) * 2008-04-14 2009-10-22 Massachusetts Institute Of Technology Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates
CN100552981C (zh) 2008-06-17 2009-10-21 四川大学 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法
US8222799B2 (en) * 2008-11-05 2012-07-17 Bayer Materialscience Ag Surface deformation electroactive polymer transducers
CN101423109A (zh) 2008-12-09 2009-05-06 张越明 船用gps/gsm防水自动报警装置
JP5097172B2 (ja) 2009-06-23 2012-12-12 株式会社沖データ グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、及び、グラフェン素子の製造方法
KR101622304B1 (ko) 2009-08-05 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 기재 및 그의 제조방법
KR101636442B1 (ko) 2009-11-10 2016-07-21 삼성전자주식회사 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법
KR101652787B1 (ko) 2009-11-12 2016-09-01 삼성전자주식회사 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법
KR101603766B1 (ko) 2009-11-13 2016-03-15 삼성전자주식회사 그라펜 적층체 및 그의 제조방법
JP2011157241A (ja) 2010-02-03 2011-08-18 Central Glass Co Ltd 自動車用合わせガラス
JP5660425B2 (ja) 2010-03-04 2015-01-28 独立行政法人物質・材料研究機構 グラフェン膜のエピタキシャル成長方法
JPWO2012153803A1 (ja) 2011-05-10 2014-07-31 国際先端技術総合研究所株式会社 窓用ガラス板
JP6049613B2 (ja) 2011-06-06 2016-12-21 ｉｎＱｓ株式会社 複合ガラス板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI743322B (zh) * 2017-03-01 2021-10-21 美商希諾皮斯股份有限公司 用以評估積體電路中之導電結構的方法、系統和非暫態電腦可讀取媒體

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