TW201003631A - Electrophoretic display device and electronic apparatus - Google Patents

Description

201003631 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電泳顯示裝置及電子機器者。 【先前技術】 作為主動矩陣型之電泳顯示裝置，已知有於像素内具 備開關用電晶體與記憶體電路（SRAM ; Static Random Access Memory)者（參照專利文獻1 )。進而，本申請人 提出一種除記憶體電路以外於像素内還設置有開關電路之 電泳顯示裝置（參照專利文獻2)。 [專利文獻1]曰本特開2003-84314號公報 [專利文獻2]曰本特開2〇〇8_268853號公報 【發明内容】 圖16 ( a)係具備有專利文獻2所記載之構成之電泳顯 不裝置500中之像素540的電路構成圖，圖16 ( b)係電泳 顯示裝置500之顯示部505之概略剖面圖。 如圖16(a)所示，像素540具備：選擇電晶體4ι、鎖 存電路70、開關電路580、像素電極35、 共通電極37。又，於像素54〇連接有掃描線 電泳元件3 2、及 66、資料線68、 高電位電源線5 0、低電 2控制線92。 如圖1 6 ( b )所示 位電源線49、第1控制線91、及第 於電泳顯示裝置5〇〇之顯示部5〇5 配置有複數個像素電極

35A > 35B 35A、35B，在像素電極 201003631 之兩者與對向之共通電極 電泳元件32。微囊2。與像素電持有含有微囊2。之 3 3而接著。 、、’由接著劑層 此外，關於圖16所示之電路元件及電極 之詳細情況，將於後段H 冰7L件等 說明。 1^彡態中參照圖2等進行詳細 專利文獻2所記载之電泳顯示裝置 路所保持之電壓控制開關電路則 ^鎖存電 =條控制"，中之任—者與像素心 =素電極35輸入電位(S1或叫。根據該電泳= 置500，藉由控制第1及第2控制線91、 …、裝 可進行中間階度之顯示或顯示部位，從而 素間之茂漏電流之優點。 覆寫，有可減少像 消耗於謀求電泳顯示裝置之進—步之高功能化、低 ^力化方面，專利文獻2所記載之電泳顯 亦 存在有以下（1)〜（3)所示之問題。 中亦 辛二:纟電泳顯示裝置5°°中，可明確顯示白顯示之像 向二=之像素之邊界’但在顯示相對於像素之排列方 =斜方向延伸之直線或曲線時，存在有明顯可 f置-中，如後段⑶中之詳細描:方：於=顯示 :之部分覆寫，故可在白黑之邊界部設置令c 區域以進行反鋸齒處理。但此種驅動方法於又之顯示 傳輪用以顯示中間階度之影像資料需要向像素 此存在有因驅動器 5 201003631 之驅動而導致的消耗電流之增大、或者直至顯 所需之時間變長之問題。 u不与止 (2 )並不限於電泳顯示裝置5⑻，在微囊 顯示裝置中’因像素間茂漏電流而導致的消耗 ：： 亦=題。具體而言，如圖16(b)所示，若將黑顯： 的像素540A與白顯示的像辛 刃诼常540B相鄰配置，則在高位準 電位VH (例如為15 v)之傻去雪托以人/ ^ 、 J之像素電極35A與低位準電位v 例如為〇 v)之像素電極35B之間會形成橫方向（ =之電場E。藉由該電場E，在使微囊與像素電： 之接者劑層33之少許水 流。而曰h 八刀之〜響下而產生有像素間茂漏電 大之問題因該像素間^漏電流而導致消耗電力變 ^又’在少許水分等之影響T產生㈣電流，表干^ 素電極35與接著劑層33之間產生電 ：不在像 即，古太丄j j展王电化予反應之可能性。 生4貝及像素電極35之可靠性之雜面 之虞。^人μ 之了罪〖生之離子性遷移或腐蝕 头 右將金、鉑等責金； 像素雷代 寻貝金屬用於像素電極之形成材料，則 ，、電極之可靠性會提高 、 大、！y 1丰跑 仁使用貝金屬會導致成本之增 I坆步驟之複雜化’因此難 造成本。 。此難以既“可靠性又抑制製 (3 )在電泳顯示裝置5〇〇中 八 與不使g °刀覆寫驅動時’將 使顯不產生變化之像素54〇中之 1控制線91或第2控制線9 : 35連接之第 和、咏a又為尚阻抗狀態。 圖1 7及圖1 8係關於部分覆寫動… 係表示m " 復寫驅動之况明圖。圖17(a) 水顯不裳置500所具備之顯示部505之平面構造 6 201003631 之說明圖，圖17(b)係表示圖i7 之剖面構造之說明圖。圖18係表示圖象素5術〜5柳 54〇E、5術之電路構成之說明圖。a)之像素观、 再者，關於圖17及圖ls _ 段之實施形態中進行詳細戈 之各構成要素，將於後 Γϋ . 兒明。又，符號後所附之「Α〜 要之添加符：用以相互識別複數個像：

成要素而附加者，並無其他含意。 …H 在電泳顯示裝置500中，當 如圖17所示，將覆寫對 寫個像素540Α時， 復舄對象之像素54〇Α之 第1控制線91經由開關電路 “ 示之像素5侧〜54二=二連接’並將維持顯 92分別經由門Μ & 、電才^ 35B〜35F與第2控制線 刀別、左由開關電路聊〜卿電性連接。而且， ^ 1控制線91供給高位準電位VH (例如為15 v)，另 =方面使第2控制線92為高阻抗狀態， 輸入低位準電位VL (例如為〇 V)。 如此’在像素54GA中，藉由高位準電位仰 準電位VL之共通電極37之電位差驅動電泳 並成為黑顯示。另一方面，在其他像素5備〜清 37之:？/广^ 35Β〜Γ為高阻抗狀態，故與共通電極 產生電位差而是維持顯示。 在上述部分覆寫驅動中，使像素電極35Β〜35F為言阳 抗狀態之像素540B〜540F之顯示理肩不孿门 在對比度下降之問題。 應不以，但實際上存 如先前⑺所記載，在微囊方式之電泳顯示裝置尹， 7 201003631 :產生㈣接著劑層33之像相漏電。 圖18所示，在部分覆 ，如圖17及 像素電極35A、與鄰接於像對象之像素观之 35E之間亦會產生 A之像素電極35B、 王傅·京間洩漏電流τ ν 之像素54〇Β、54〇ε< 藉此，對維持顯示 生之電位。 之像素電極35卜饥輸入因漏電而產 因此，像素540Β〜540Ε之像 _ 2控制線92而相互電性連接去 〜35F經由第 亦被供給至鄰接於且等之i t電極35Β、35Ε之電位 ^ u 接於其專之其他像素電極35C、35F等。而且， 在如此於像素電極35b〜35f 丘通雷極37鈐 中輸入有電位之狀態下，若向 :心 例如低位準電位VL而進行影像顯示動 作/j甚至連像素5侧〜卿之顯示亦會產生變化，使ί 不。卩505整體之對比度下降。 、 本發明係繁於上I & 述先別技術之問題點而完成者，目的 之一在於提供—種電泳顯 今航 冰颂不裝置，其可進行平滑呈現輪廓 肩不，且可較佳地抑制洩漏電流之產生。 為解決上述問題，本發明之電泳顯示裝置，具有：挟 持3電冰粒子之電泳元件並對向之第丄基板及第2基 板、—具備複數個包含該電泳元件之像素之顯示部、形成於 該第2 &板之該電泳元件側之共通電極、及形成於該第1 基板及第2基板中任一者之第i控制線及第2控制線，其 -y-在於°玄像素，具備像素開關元件、連接於該像素開 關凡件之記憶體電路、連接於該記憶體電路之開關電路、 及連接於該開關電路並與該共通電極對向配置之第1像素 201003631 電極及第2像素電極；該開關電路’包含藉由該記憶體電 路之輸出訊號控制該第丨控制線與該第丨像素電極之導通 的第1開關、及藉由該記憶體電路之輸出訊號控制該第2 控制線與該第2像素電極之導通的第2開關。 根據該構成，於影像顯示動作中，可使經由f 1開關 而連接於第i控制線之第！像素電極之電位、與經由第2 關而連接於第2控制線之第2像素電極之電位中之至少 …-者’成為藉由第丨或第2開關而電切斷之高阻抗狀離。 理上=像Γ極設為高阻抗狀態之像素内之區域中，原 間漏/件不會受到驅動’但實際上，由於會產生像辛 =漏电’故與輸人有電位之像素電極之間會產生 ^ 。因此，設為高阻抗狀態之第丨 合志A偽认 及第2像素電極之電位， 曰為〃輪入有存在於其周圍之電位之 極之電位相對應的電位。 成弟2像素電 例如，若於高阻抗狀態之像 υ的高位準電位之像素電極，則該高阻抗狀^:置有較多 電位會成為接近於高位準電位之中間電位了 ▲素電極之 50〜100%)。反之，芒# μ+ 電位（兩位準電位之 位之像… 述周圍配置有較多的低… 之像素電極，則該高阻抗狀態之#低位準電 接近於低位準電位之中間電位（高位準之電位會成為 而且’如上所述，高阻抗狀 電:之0,）。 了位與低位準電位之中間之電位的結2電極成為高位準 一之電泳元件會以對應於像素電極’’’、，上述像素電極 示。例如，若像素電極之電值為高位1電電：之中間階度顯 旱電位之80%左右， 9 201003631 則該像素電極上之區域會成為深灰的中間調顯示，若為鳩 右則=亥像素電極上之區域會成為淺灰的中間調顯示。 因此，在本發明之電泳顯示裂置中，於階度不同之像 :所構成之區域之邊界上，形成有上述中間調顯示之區 诚故會自然地顯不已實施反鑛齒處理之影像。因此，根 據本發明，可獲得—種平滑呈現輪廊之顯示。 較佳為，於該像素分別設置有複數個 像素電極。 木1及弟2 藉由如上述之構成，像素被分割為更多的 影像輪廟之解析度有實質性」， 的顯示。又，藉由使分…，心了獲侍更兩品質 第2像音q息 ，從而使第1像素電極盘 弟2像素電極之邊界線長 - 此之距離變長m * 且电位不同之像素電極彼 雕雯長，而可減少洩漏電流。 =’於上述像素設置有相同數 及弟2像素電極。 w上遮弟1 藉由如上述之構成，由於可宏# 合計面積與第2像素電極之二 =使第1像素電極之 於兩者之面積差異而導致每個像 較佳為，於相鄰之2個上=反射率不同。 现像素之邊X加八 上述像素之1個上述第丨像素電極、虚^分，-方之 之1個上述第2像素電極係相鄰配置。$之上述像素 藉由如上述之構成，於階度不同之 置有電位不同之第1像素電極盘第2 ，、之邊界相鄰配 止於影像之輪廊為直線狀之部分中輪廟變::；因此可防 10 201003631 2個上述像素之邊界部分中，一方 第1像素電極、與另一方之上述像 電極係相鄰配置。 ’可更平滑地呈現影像之輪廓。而 動中之對比度下降之問題亦不會產 k佳為’於上述像素分別設置有各2個上㈣1 2

像素電極，上述第】德I$ 、才、德去由 像素包極與上述第2像素電極，於上 述像素内以彼此錯開之方式配置成平面。 藉由如上述之構成’可防止各個像素之顯 電何對高心狀態之像素電極之流人亦變得均勻。 本發明之電泳顯示裝置之牲# ^ , ,, ^ 置之特徵在於：於影像顯示動作 使構成同-個上述像素之上述第！及乍 至少一方之電極成為高阻。 ，、電才"中 r ^ 心。根據該構成，亦可特f 本發明之電泳顯示裝置。 力J特疋

較佳為，於相鄰之 之上述像素之1個上述 素之1個上述第丨像素 藉由如上述之構成 且’可作為部分覆寫驅 生之電泳顯示裝置。 繼而，本發明之電子機器之 顯示裝置。 在於.具備上述電泳 根據孩構成，可提佴— 曾& _々拥- 種具備可進行平滑輪廓之高品 貝顽不之，，肩示機構的電子機器。 【實施方式】 實施形態之主動矩陣 以下，使用圖式，對本發明之 方式之電泳顯示裝置進行說明。 此外， 本實施形態係表示本發 明之一態樣，並非限定 11 201003631 該發明，於本發明之技術思想之範圍内可進行任意變更。 又’為了容易理解各構成，於以下之圖式中，有時係將實 際之構造縮小比例或使數目等不同而顯示。 圖1係實施形態之電泳顯示裝置100之概略構成圖。 電泳顯示裝置_具備以矩陣狀排列有複數個像辛40 之顯示部5。於顯示部5之周邊，配置有掃描線驅動電路 6卜資料線驅動電路62、控制器（控制部）㈠、及共通電 源調變電路64。掃描線驅動電路61、f料線驅動電路… 及共通電源調變電路64分別與控制器63連接。控制器Μ 根據由上位裝置所供仏$旦彡/金次„卜 ，，口之〜像貝枓或同步訊號而綜合地控 制上述電路。 於顯示部5形成有從掃描線驅動電路61延伸之複數條 掃描線66、及從資料線驅動電路62延伸之㈣條資㈣ 68 ’並對應於該等之交差位置而設置有像素。 掃描線驅動電路61經由m條掃描線66( u、Y2、…、

Ym)連接於各個像素4〇 ’並於控制器63之控制下，依序 選擇從第1列直至第m列為止之掃描線66。掃描線驅動電 路6!經由已選擇之掃描線66，向設置㈣素4()之選擇電 晶體41 (參照圖2)供給規定接通時序之選擇訊號。 f 動電路經由n條資料線68(χι、χ2……

Xn)而連接於各個像素4〇，並於控制器〇之控制下，將規 定對應於各個像素40之1位元之像素資料的影像訊號供給 至像素40。 此外’於本實施形態中’當規定像素資料為「〇」時， 12 201003631 將低位準（L )之影像訊號供給至像素40，當規定像素次、 、貝料 為「1」時，將高位準（Η )之影像訊號供給至像素4〇 於顯示部5，還設置有從共通電源調變電路64延伸 5條全局配線（低電位電源線49、高電位電源線5〇、 、共通 電極配線55、第1控制線91、及第2控制線92 )，义沉 令配線 分別與像素40連接。共通電源調變電路64在控制器63之 控制下’生成欲供給至上述各配線之各種訊號，— 乃面 進行該等各配線之電連接及電切斷（高阻抗化）。 圖2係像素40之電路構成圖。 於像素40設置有選擇電晶體41 (像素開關元件）、鎖 存電路（記憶體電路）70、開關電路80、電泳元件32、第 1像素電極35丨、第2像素電極352、及作為對向電極之共 通電極37。& 了包圍該等元件而配置有掃描線％、資料線 68、低電位電源線49、高電位電源線5〇、帛i控制線9ι、 及第2控制線92。像素4〇係藉由鎖存電路7〇將影像訊號

V 保持為電位之SRAM ( Static以以⑽八“⑽Mem〇ry )方式 之構成。

於上述元件中’將由選擇電晶體4i、鎖存電路％、開 關電路8〇、帛1及第2像素電極35卜352所構成之部分亦 稱作像素電路。該像素電路、共通電極37、及包含第U :線91:與第2控制線92之全局配線係藉由掃描線驅動電 貞料線驅動電路62、及共通電源調變 4 驅動。 、擇電日日體 41 係由 N_M〇s(Negative 〇xide 13 201003631

Sem1Conductor’陰極金屬氧化物半導體）電晶體所構成之 像素開關元件。選擇電晶體41《問極端子連接於掃描線 66，源極端子連接於資料線68，汲極端子連接於鎖存電路 7〇之資料輸入端子N1。 鎖存電路70具備傳送反相器7〇t與反饋反相器7〇f。傳 送反相器70t及反饋反相g 7Gf中之任_者均為c m〇s (Complementary Metal 〇xide Semic〇nduct〇r，互補金屬氧 化物半導體）反相器。傳送反相器7()t與反饋反相器7Qf形 成相互之輸入端子上連接有另—方之輸出端子之迴路構 造，對各個反相器，從經由高電位電源端子pH連接之高電 位電源線5G丨給高電位之電源電$，並⑼經由㈣位電源 端子PL連接之低電位電源線49供給低電位之電源電壓。 傳送反相器70t含有使各個$及極端子連接於資料輸出 端子N2之P_MOS ( Posltlve 〇他， 陽極金屬氧化物半導體）電晶體71及N_M〇s電晶體Μ。 P-MOS電晶體71之源極端子連接於高電位電源端子pH， N-MOS電日日日體72之源極端子連接於低電位電源端子孔。 P-MOS電晶们！及N_M〇s電晶體72之問極端子（傳送反 相器7〇t之輸入端子）係與資料輸入端子m (反饋反相器 70f之輸出端子）相連接。 反饋反相器70f具有使久梱、、 β :谷個及極端子分別連接於資 輸入端子Ν1之P-MOS雷晶a 电日日體73與N-MOS電晶體74 P-MOS電晶體73及N-MOS 相器7 0 f之輸入端子）係與 電晶體74之閘極端子（反饋反 資料輪出端子N2 (傳送反相器 14 201003631 7 0t之輸出端子）相連接。 於上述構成之鎖存電路7G中，若儲 之影像訊號（像素資料為「 ^準㈤ 眘料鈐山*山1 χΤ 4 I從鎖存電路70之 貧枓輪“子Ν2輸出低位準⑴之 鎖存電路7〇中若料有低位準⑴之=^面’於 料為「〇」），則會從-像訊唬（像素資 Μ會“枓輸出端子Ν2輪出冑 訊號。 门饥半C Η )之 鎖存電路70之資μ“ λ XT1 „ 盥門㈣"科輪入端子N1及資料輪出端子N 2係 像Η 〇相連接。進而，開關電路8〇係與第丨及第2 像素電極351、352和第1及第2控制線9卜92分別 開關電路80 #且·1¾•笛！ v* 另j連接 浐門τ 、備第1傳輸閘TG1 (第1開關）及第2傳 輸閑印2(第2開關）而構成。 及第2傳 第！傳輸間TG1係由p_M〇s電晶體81與N_m〇s電晶 2所構成。P-MOS電晶f 1Λ 極端子、蛊技μ 曰體81及N-M〇S電晶體82之源 極知子連接於第i控制線9

電晶體π夕，R枚山 M〇S電曰日體81及N_MOS 晶辦 子連接於第1像素電極如。P_MOS電 曰曰_ 81之閘極端子連接

Nl » N 1UHQ a „ 頻仔罨路70之資料輸入端子 料C 之間極端子連接於鎖存電路7〇之資 7十％出端子N2。 第2傳輸閘TG2係由P_M〇s雷曰 體84所μ出。ρ 電日日體83與N-M0S電晶 極端子'表接。-S電晶體83及N-MOS電晶體84之源 鳊子連接於第2控制線92， 斤

電晶俨以·> 電日日體83及N-M0S 84之汲極端子連接於第2 晶體？^夕P目把山 像素電極352 〇 p_mOS電 3之閘極知子連接於鎖存 子電路70之資料輸出端子 15 201003631 N2, N-MOS電晶體84之閑極端 " 料輸入端子N1。 於鎖存電路70之資 此處，當鎖存電路7〇 號（像素資料為「0 ) 子低位準（L)之影像訊 準(H)之訊號時，第輪出端子-輪出高位 辱揭；）M TG1成為道、s u丨占匕 1控制線…與第！像素電極3 查、導通狀態，從而第 之電位S1被輸入至第1像素電極⑸。：時第：控制線91 仙藉由鎖存電路7G之輸出訊號 ^ = 2傳輸閑 像素電極352成為高阻抗狀態。為斷開狀態，故第2 像二Si:當鎖存電路70中儲存有高位準⑻之& 像5fl號（像素賢料為「1 、 子I H J之衫 低位準⑴之訊號時，第^從資料輸出端子Ν2輸出 而第2控制線92之電位s2被為導通狀態，從 時，第1傳輸閉TG1成為像素電極352。此 為高阻抗狀態。 ' ^ &，第1像素電極351成 如上述，在像素40中，根據鎖存電 影像訊號，第1傳輸閑如與第2傳輸閑中所儲存之 :，第1像素電極351與第2像素電㉟他動 素電極與對應之控制線相連接， 中僅方之像 抗狀態。 一方之像素電極為高阻 圖3係表示顯示部5 與掃描線66及資料線68之平面像素電極351、说、 所示之“，線位置上之電泳千::/置， 如圖3所示，於顯示部5 〇之部分剖面圖。 矩車狀排列有複數個像素 16 201003631 二掃:線66及資料線68向鄰接之像素4〇之邊界區域延 t。於各個像素4〇中’ 2個第"象素電極351(⑸^州匕） ” 2個第2像素電極352 ( 352b)以彼此錯開之方式 以 即，於大致正方形狀之像素40之平面區域中， 配置ST狀之第1像素電極35U與第1像素電極351b 配置於另射 4像素電極與第2像素電極352b 配置於另一對角位置 相鄰之俊在本實施形態令，於顯示部5中 相鄰之像素40彼此規則地排 (第1像素電極351彼此、第2像^像素電極被此 鄰。 反此第2像素電極352彼此）不相 配置於像素4〇内第 者均連接於圖k #像素電極如心咖中之任一 、圖2所不之第i傳輸閘TG1。 極352a、352h 人第2像素電 者均連接於第2傳輸閘TG2。 ’、4〇具有：2個第1子像素，兑 配置於—方 、/、4刀別對應於 咖;及t:r上之2個第1像素電極加、 之對角線方:子像素，其等分別對應於配置於另-方 圖向上之2個第2像素電極352a、352b。 如圖4所；^ , 不，皂冰顯示裝置i 00具備在 1基板）與對向美柘 土板3〇(第 土板31 (弟2基板）之問站 微囊20排列@ + 之間挾持有由複數個 併夕』而成之電泳元件32之構 件基板30之雷、g ;顯不邛5中元 玉冰凡件32側，交替排 (351)與第2像素電極352a( 352 )，二1像：電極仙 著劑層33與第“象 冰兀件32經由接 元件像素電極352接著。 土 30係由玻璃或塑膠等所構成之基板，因其配 17 201003631 影像顯示面相反之側，故亦可為不透明者。於元件 土 3〇上，形成有包含圖i或圖2所示之掃描線66、資料 線68、選擇電晶體41、鎖存電路70、及開關電路8〇等之 電路層34，於雷败® h 、電路層34上，形成有第1及第2像素電極 、说。第i及第2像素電極351、352係藉由將鑛錄與 鏟孟以此順序積層於Cu落上者、或者藉由Μ,(鋼錫 氧化物）等而形成。 面對向基板31係由玻璃或塑膠等所構成之基 板’因其配置於影像顯， _ W玟為透明基板。於對向基板 之”冰凡件32側，形成有與複數個像素電極mi、μ〗 對向之平面形狀的诵雷★ < Μ/、通㈣（對向電極）37,於共通電極 -置有電泳元件32。共通電極”係 ΙΖ〇(鋼/辞氧化物）等所形成之㈣t極。 般而言，電泳元件32係預先形成於對向基板 側，並作為亦包含接著劑層33 心电冰月處理。在製造步 驟中，電冰片係以於接著 片之壯^ *㈣層3 3之表面貼附有保護用剥離 片之狀態處理。而且，將已剝下 £ pi M ^ ^ J離片之该電冰片黏貼於 另外Ik之7L件基板3〇(形成有第 ^ ^ 匁弟1及弟2像素電極351、 3 5 2或各種電路等）貼 ^ 藉此形成顯示部5。因此，接 者剤層33僅存在於第j及第2 t 丨私I電極3 5 1、3 5 2側。 微囊20例如具有50 # m左右 入右八Iw 右之粒住，其係於内部封 入有分散媒21、複數個白色粒子 ^ a ^ Μ . ^ 十（電冰粒子）27、及複數 们…、色粒子（電泳粒子）26之球 20被止通雷朽”贫】,, 體。如圖4所示，微囊 ，、通電極37、第i及弟2像素電極351、352所挾持。 18 201003631 可於1個像素40内包含複數個微囊2〇，亦可於丨個微囊 20之平面區域内包含複數個像素4〇。 微囊20之外殼部（壁膜），可使用聚甲基丙烯酸曱基、 聚曱基丙烯酸乙基等的丙烯酸樹脂、脲樹脂、***橡膠 等之具有透光性的高分子樹脂來形成。 分散介質21 ’係使白色粒子27與黑色粒子％分散在 微囊20内的液體。分散介質21的材質，可採用例如在水、 乙醇系溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇、甲基賽珞 蘇等）’醋類（乙酸乙基、乙酸丁基等），酮類（丙酮、甲基乙 基酮、甲基異丁基酮等）’脂肪族碳化氫(戊烷、己烷、辛烷 =脂環族碳化氫（環己烧、甲基環己烧等），芳香族碳化 (苯f苯、具有長鏈院基之苯類（二甲苯、己基苯、庚基 :辛基苯、壬基苯、癸基苯、十-烷苯、十二烷苯、十 二烧苯：十四烷苯等))，齒化碳化氫(氣化亞甲基、氣化甲 土四氣化石反、1,2 -二氣乙院等），竣酸鹽等，或亦 他油類等。此等物質 ^、 單獨或作為混合物使用，進而亦 配合界面活性劑等。 等之白^子27 ’係例如由二氧化鈦、氧化鋅、三氣化錄 用 ；：構成的粒子(高分子或無機)’例如帶負 L=6,係例如由苯胺黑、碳黑等之黑色顏料構 成的拉子U分子或無機)，例如帶正電來使用。 屬石：需Γ在此等顏料添加由電解質、界面活性劑、金 屬石鹼、樹脂、橡 ^ 荷電控制劑m…、漆、化合物等之粒子構成的 、σ劑、鋁系偶合劑、矽烷系偶合劑等 19 201003631 之分散劑，潤滑劑，穩定化劑等。 又，亦可代替黑色粒子26及白色粒子27而使用例如 紅色、綠色、藍色等之顏料。藉由此構成，能於顯示部5 顯示紅色、綠色、藍色等。 繼而，圖5係表示顯示部5之平面構造之作用說明圖。 圖6係將沿圖5所示之B_B，、線之位置上的剖面構造連 素電路一併表示之說明圖。 「此外，於圖5及圖6中，各部分符號之添加符「a」、 ?」、「C」、「D」係用以明確識別其等構成要素屬於 素40A〜40D中之哪一者。 、=圖5’顯示有排列於顯示部5中之像素4〇中，配置 成2仃2列之4個像素4〇A〜伽。像素4〇a〜伽 個像素4〇A〜40C為黑顯示，像素柳為白顯示。 此處：參照圖6說明像素40之影像顯示動作。 存獲Γ圖5所7F之顯示狀態’首先’使像素4〇之鎖 步：在:？有影像訊號（影像W (影像訊號輸入 驟）。在圖6所示之像素彻、獅之情形，對像素4〇c 之鎖存電路70C，、經由選擇電晶體4 $ 低位準⑴之影像訊號，並將其作為電：：枓線68輸入 4Πη I竹丹忭馮電位而儲存。對傻音 之鎖存電路70D，輸入高位準（Η)之&德 > 备 、 其作為電位而儲存。 ）之-像訊號，並將 再者，於影像訊號輸入步驟中， 號寫入並保持於鎖存電路脱、卿之電2料將影像訊 作。因士 ^ 之電壓而使像素電路動 使影像訊號輸入步驟中之影像訊號之高位 20 201003631 準電位為2〜5 V，低位準雷伤泛Λ Λ, 電位Vdd Α {為〇 V，尚電位電源線50之 逼位Vdd為2〜5 V，低雷仿啻j ·位電源線49之電位VSS為〇 v。 ，讀^寫人鎖存電路7GC、則巾 動電泳元件32而顯示影 彳會執仃驅 二 〜像之動作（影像顯示步驟）。 *通：：步驟令，係對第1控制線91及第2控制線92斑 =電極37供給影像顯示用電位。具體而 制 線91之電位S1為高位 帛1控制 ^ ., 电饥νϊί (例如為1 〇〜1 5 V、，姑 第2控制線92之電位S2 Α/ 吏 對共通雷心 準電位VL(例如為"）。

既〜、° 7輸入使南位準電位VH與低位準電位VL 既疋週期反覆之矩形波狀之脈衝。 $電位心 一 為了向第1及第2像素電極351、352供仏旦/ # 不用電位VH、VL，# 仏、、，口衫像顯 昇。即，將-… 7〇C、7〇D之電源電塵提 將阿電位電源線5〇之雷 VH，而使低電位電源線49 u 位準電位 從保持低位準⑴畢低位準電位VL。 出端子Μ 號之鎖存電路耽之資料輸 丁 W W出尚位準（Η )夕带> ,」」、 入端子Ν1輸出低位準⑴之位 ，並從資料輸 40C中，第1值私 電位（Vss)。藉此，於像素 351aC ( ^ ， 電位VH)。又 ' 控制線91之電位Si (高位準 2像素電極352aC广2傳輪閘TG2C為斷開狀態，故第 /加（及352bC)成為高阻抗狀態。 "此，在共通電極37之 之期間，在第1傻去Vcom為低位準電位νι^ 間形成有電場，並洋 Μ、351Μ與共通電極37之 用5亥電場驅動電泳元件32。藉此，如 21 201003631 (a)所不，對應於第1像素電極“I ^ ^ 子像素為里顯千。7 .. 351bC之弟1 動作，從㈣^ 素4从、細亦進行與上述相同之 士應於第1像素電極351 示。 弟1子像素為黑顯 啼另方面，於像素伽中，從保持高位準（H)马傻呷 旎之鎖存電路7〇D 次 I )如像訊 電…、之貝枓輸出端子N2輸出低位準⑴之 ss，並從資料輸人端子N1輸 位…d)。藉此12傳輸問TG2D成為導通丰(*H) = 2像素電極352aD (及352bD^ 導通狀恶’對第 Μ (低位準電位VL)二二 制線％之電位 狀態，故第丨像素電極351 D 1傳輸閘TG1D為斷開 如此+ 351心（及351bD)成為高阻抗狀態。 如此’在共通電極37之,

之# 電位Vc〇m為高位準電位VH <期間’在苐2像素電極35加、35制盘 間形成電場，並利用兮雷尸U …、通電極37之 5Γ、私 ^用。亥電场驅動電泳元件32。藉此，如圖 3(a)所示，對庫於楚 素電極352aD' 352bD之第2子 像素為白顯不。 利用以上之動作，如同ς ,、 — (a)所不，可使像素40Α〜 之口P刀子像素為黑顯示或白顯示。 ^二各個像素術〜伽中，存在有已輸人有電位 ’、電極351或第2像素電極352、及高阻抗狀態之 ,、電極351或第2像素電極352。而且，在使微囊 :與第、1…像素電極351、352接著之接著劑層33中囊 # 之電壓之損失而使用電阻不太高的 者月1因此’如圖5 ( a)所示，在已輸入電位之第1像 22 201003631 素電極351或第 像素電極352、與高阻抗狀能 電極351或第2像素電極35m^ 1像素 流Lk。 π 會產生像素間洩漏電 有電像素4GC之第2像素電極3咖被已輸入 35UC 35bT準電位VH)之第1像素電極如（3_、 aC、351bC)於三方包圍，並從該 流入電荷。因此，m — 像素電極351 、 同阻抗狀悲之第2像素電極352aC亦出 為接近高位準電位VH之高電位。又， ’、

亦同樣地因像素間漏電 ”電極352bC 位。藉此，在高位準電位vh之高電 :此在對應於第2像素電極352ac、352bc之第2子 f 泳元件32亦受到.驅動，從而如圖5(b)所示， ”對應於第1像素電極351aC、351 為黑顯示。因此，“ 之苐1子像素同樣地 任c之第1及第2子像素中之 任一者均為黑顯示。 352bD為伋、於像素_中由於第2像素電極352aD、 352bD為低位準電位vl，始、由、p + 士 像辛電極…η 從高阻抗狀態之第1 52bD Γ ⑽朝向鄰接之第2像素電極仙D、 觸化動。因此’第"象素電極3 ==:之低電位。藉此，在對應二=

從而士圖V之第1子像素中，電泳元件32亦受到驅動， 之第;二所示’與對應於第2像素電極3制、352bD 及第2子像^樣地為白顯示。因此，構成像素柳之第1 及弟2子像素中之任—者均為白顯示。 此外，高阻抗狀態之第1及第2像素電極351、352之 23 201003631 電位’成為視相鄰 之電位…一、“之弟1及第2像素電極⑸ 之電位而不同的電位…入—極351、35: φ y 電位。例如’於像素40C中，僅由古仞盘 電位VH之第丨像 甲僅由间位準 _ 、電極351aC、351bC所包園之筮9後本 電極352bC，成為 h圍之第2像素 问位準電位VH大致同裳夕 於像素40D中，僅命/ . 八双^等之電位。又， _ 、低位準電位VL之第2像f電極 3伽相鄰之第1像素電極35 ib 像，極扣办 電位VL大致同等之電位。 K，成為與低位準 因此’於黑顯示像 盘第2jf德喜^ 像素40連續之區域中，第！子像素 像素40 / 為大致同等反射率之黑顯示，於白顯亍之 像素40連續之區域 7、Θ顯不之 门& 4中第1子像素與第2子傻音忐盍士 # 同等反射率之白顯示。 十像素成為A致 傻」—方面’在像素4GC之第1像素電S 351aC、第2 像素電極352ac、及像素伽之第 351aC第2 像辛兩朽 像素電極3 5 1 aD、第2 像素电極352aD所屬之列（從上起 弟2 態之第2像辛雪朽u1 )中，咼阻抗狀 矛2像素電極352aC與第！像素 位準電位之第 ° aD配置在高 2像辛電桎 ” 1 35UC與低位準電位VL之第 像素電極352aD之間。於此情形時，第 弟

與第1像辛雷朽1 像素電極3 52aC 像素電極351aD之電位成 準電位VL之Q電位謂與低位 具體而言，與高位準電位VH之 相鄰…像素電〜成為較高的申=電極鳥 準電位VL之第2像素電極352aD相鄰之日立，與低位 35 laD成為較低的中間電位。因此 1像素電極 352aC：之第2子僳辛 、〜於第2像素電極 弟 子像素成為冰灰的中問难為5 _ 間調顯不，對應於第i像 24 201003631 素電们51aD之第1子像素成為淺灰的中間調顯示。 其久’圖7係表示影傻咨,Λ, * 一 像身枓、像素之電位狀態、及顯 示影像之對應關係的說明圖。 ‘ ’、

圖7㈤係將傳送至顯示部5之影像資料D 之矩陣狀之排列(”“行)而概念性表示的示;: 各個像辛40:置成矩陣狀之正方形狀之柵格對應於輪入至 (低位準之影像訊號）顯示為塗黑之柵格… Ρ[] 之像素資料DP[1](高位準之影 /於白顯不 干如像汛唬）顯不為塗白之柵格。 干動Η0所示之影㈣料D來執行上述影像顯 不動作，則排列於顯示部5中之第^及第2像素電極351、 52之電位成為如圖7⑴所示之狀態。於圖7⑴中， μ, (列6行）而排列有像素4〇。 各個像素4〇中，將2個第1像素電極351與2個第2像 素電極352以彼此錯開之方式配置。 +圖7 ( b )+’塗黑的柵格係與已輸人高位準電位· ^第1像素電極351相對應之第i子像素（黑顯示之子像 二又，塗白的柵格係與已輸入低位準電位VL之第2像 素電極352相對岸之楚/ 應之弟2子像素（白顯示之子像素）。進 而’已寫入數值的柵格係與高阻抗狀態之第】及第2像素 電極351、352相對應之子德去 ^ ’、 ，νω子像素。又，已寫入柵格之數值係 表不對應於該子像素之第i及第2像素電極351、352之電 Γ2者’「1GG」對應於高位準電位vh，「g」對應於低 位準電位VL。 25 201003631 如圖7⑴所示’排列於顯示部5之第i及第2像专 電極35卜352根據已輸人之影像資料D(像素資料⑼、 ϋρ[1])之分布而成為低位準電古 ' 干电位VL、冋位準電位VH、劣 者低位準電位VL與高位準電位 ^ 千电位VH之間的電位。例如 黑顯示之第1子像辛於：；；古6 > 反 〗保常於-方包圍之高阻抗狀態之第2+ 素中’§亥第2像素電極352之雷办士、炎一

電位成為尚位準電位VH 8〇/。左右。反之，被白顯示之第2子像素於三 抗狀態之第1子像素中’該第1像素電極351之電位：： 尚位準電位VH之20%左右。 成為 圖7(c)係表示與圖r ,Λ 、園7 U) 、（b)相對應之顯示部5 之顯不狀態的示圖。 ） 如圖7(c)所示，在造綠 示y_ _置有，，'、，,、、員示之像素40之圖 ，、工上側之區域中，儘管僅向 柝制妗cm $ 禾1俅常電極351輸入第j 搜制線91之電位s卜伸第1另笙， 里翻- 弟1及第2子像素中之任一者均為 ^ ^ 、-置有白顯示之像素40之圖示右下側 之&域中’儘管僅向第 风 之電位電極352輸入第2控制線92 仁第1及弟2子像素中之任-者均為白顯示。 且，在黑顯示之像音m __ 區域中，如圖7(b)所干、：顯示之像素40相鄰之 像素電極351、352 = 於高阻抗狀態之第1及第2 位電位成為低位準電位VL·與高位準電 位之間的電位，故 € 淺的&為與像素電極之電位相對應之深 大顯不。藉此，將圖,、 知，6_ ' ( a)與圖7 U)比較後顯然可 问黑顯示之像辛40沉 m二、 所椹士 ” 構成之區域與白顯示之像素4〇 ^構成之區域之傾斜方向 ° ^伸的邊界觉到反鋸齒處理，從 26 201003631 而成為鋸齒（階梯狀之鋸齒紋）得以缓和之平滑顯示。 (第2像素配置） 於上述實施形態中，如圖3所示，已說明將第1及第2 像素電極35 1、352以同-態樣而配置之像素4〇規則性排 列之情形（第丨像素配置），但於本發明之電泳顯示裝置 中亦可知用其他的像素配置。_ 8係表示電泳顯示裝置 1 〇〇之第2像素配置之俯視圖。 於圖8中，從排列於顯示部5中之像素40中取出4個 像素40a〜40d而顯示。像素4〇&〜4〇d之共通之處在於，1 等中之任一者均以彼此錯開之方式配置有2個帛"象素電 極35\、351b(第1子像素）、及2個第2像素電極352a、 b (第2子像素）。然而，像素恤、刪與像素顿、 撕中，像素内之第丨像素電極3仏、3川 極352a、352b之配置不同。 冢素電 具體而δ，於像素4〇a、4〇d中，在沿著圖示左上與右 下相連結之方向之對角位置上，配置有第1像素電極351a、 35】b’相對於此，於像素她、他中，在沿著圖示右上與 左下相連結之方向之對角位置上’配置有第1像素電極 35 la、351b ° 藉此’相鄰之像素40a與像素4〇b成為於像素邊界上折 回之配置並配置成使得像素間之邊界上相同種類之像素 電極彼此相鄰。亦即，像素40a之第2像素電極352a與像 素40b之第2像素電極352a相鄰而配置，像素術之第1 像素電極3川與像素揚之第丨像素電極351b相鄰而配 27 201003631

進而，使圖示上下方向相鄰之像 相同之配置關係。即，像幸4n # 興像素40c亦為 '1豕京4〇a之第2後去φ > 素40c之第2像幸雷朽以儿 、 352b與像 傢素電極352b相鄰而配置 像素電極351b盥像素4f)r夕哲 素40a之第i ”像素4〇c之第】像素電極351 圖9係表示使用圖 相㈤而配置。 用圖8所不之像辛配署主 像素之電位妝能n s I言配置時的影像資料、

'、 狀心、、及顯示影像之對旛总-V ^4 Λ ^ ^ 豕之對應關係之說明圖，1 # 對應於先前圖7之圖。 73固，、係 圖9 (a)顯示與圖7 (a) 圖9U)所示之影像資料D ^ 和像貝料D。若使用 I像貝科D來執行影像顯 於顯示部5之第丨及_ ^乍，則排列 、^ 極 3 5 1、3 5 2 之雷^r 士 炎 l 圖9 (b)所示之狀態。 《电位成為如 圖9 “）之顯示方法與圖7⑴共通。 於圖8所示之像素配置 t相郝邴罟女 ；像素40彼此之邊界部分 上相鄰配置有相同種類之子像素，故於 素資料DP[〇M續之區Μ )巾在像 顯示之第1子像素（条里/應於第1像素電極⑸之黑 辛資料D n 、 s ’’、、冊格）彼此相鄰而配置，於像 素“？Π]連續之區域中’對應於第 顯示之第2子傻音f涂ώ认7 电他之白 、’、 ' 像素）彼此相鄰而配置。 而，在黑顯示之像素4〇與 區域中，黑顯示之第i子像幸…，像素4"〜之 相鄰配置，於宜等之…白顯不之第2子像素並不 、”專之子像素之間，介在有像 抗狀態之第1或第2子像素。 為问阻 圖9(c)係表示與圖9(a) )、（b )相對應之顯示部5 28 201003631 之顯示狀態的示圖。 如圖9 ( c )所一 示左上側之區域中^連續配置有黑顯示之像素-之圖 控制線W之電向第1像素電極351輸入第1 黑顯示。而且，在^但第1及第2子像素中之任一者均為 側之區域中，儘^續配置有白顯示之像素4〇之圖示右下 92之電位S2，；向第2像素電極352輸入第2控制線 而且* f —者均為白顯示。 區域中，如圖^：； 了素4〇與白顯示之像素4〇相鄰之 像素電極351、352二不，由於局阻抗狀態之第1及第2 位VH之間的電位故成為低位準電位VL與高位準電 淺的灰顯示。藉此;^為與像素電極之電位相對應之深 顯示之像素4。所構:之之像素4〇所構… 银去慮 品域之傾斜方向延伸的邊界受到反 鑛间處理，成為《 (階梯狀之㈣ 平滑顯示。 /呀Μ，瘦和之 對於以上所說明之第2像素配置，如先前之記載 黑顯示之第【子像素與白顯示之第2子像素之間，必定介 在有像素電極為高阻抗狀態之第i或第2子像素。因此， 在黑顯示與白顯示之邊界區域上，必定配置有中間階度（灰 顯示）之第1或第2子像素。因此，與採用第！像：心 之情形相t匕，亦可獲得鋸齒不明顯之平滑的顯示〆、 $外’於第2像素配置中，在黑顯示與白顯示之邊界 上必定配置有灰顯示之子像素’因此向相對於像素排列之 傾斜方向延伸之輪廓的顯示品質會提高，但之 乃面，向 29 201003631 沿著像素排列之方向（列方向及行方向） 廓會變得模糊。該輪廊之模糊可 ，像之輪 而變得不明顯，因此，杏題_ A ^ 5之高精細化 田，4不口p 5為低解析 明確地顯示影像輪廓之第 f心用較 採用第2像素配置即可。素配置，當為高解析度時， 如此’根據本實施形態之 常之影像顯示動作即可押"顯不震置100,僅執行通 p j獲仵輪廓經反鋸齒處 不需執行對顯示部5之中間階度影像資料之傳送等 接下來’參照圖10,對電泳顯示裝置⑽ 進行說明。 戈馮電/瓜 ^:圖⑴：採用圖3所示之第1像素配置時之茂漏電 ,兄明圖。圖H)⑴係採用圖8所示之第2像素 之减漏電流的說明圖。圖1〇 () 夺 顯示裝置之,漏電編明圖圖17所示之習知電泳 :先，在圖ΠΚΟ所示之習知電泳顯示裝置之， ==素540a與白顯示之像素540b相鄰之情况下， 生從像素540a之像素㈤5a向像 =:像⑽漏電流㈣漏電流），此情形

著像:電:：，像素間漏電流以之路徑為1個’可將接 素電極35a'35b與微囊20之接著劑層33視為電卩且R 相對於此’對於圖10(a)所示之採用有第i像素配： 電永顯示裝置10〇 ,將像素40a及像 個子像素。於像素術中，僅向分割為4 1 3. 4 像素電極 35U、35lb 弟1控制線91之電位S1 (高位準電位VH)。於像素 30 201003631 ^僅向第2像素電極352a、 之電位S2 (低位準電位Vl)。 叛入第2控制線92 由於將各個像素分割為子像素故 素術與像素4〇b之像素間漏電成為:夕所示之像 之洩漏電流。 有乂下複數個路徑上 (1：>從像素4〇a之第〗像素 2像素電極灿之像素間漏電、；°如向像素働之第 (2)從像素4〇a之第1像素 _ 之第2像素電極352b與像素4〇b之第^ b輕由像素伽 達像素娜之第2像素電極如的^辛像素電極仙而到 Γ 3 )户你主， J爆京間漏電； c 3)仅像素4〇a之第！像 之第2像素電極352b與像素* b雷輕由像素40a 達像素術之第2像素電極仙而到 ⑷從像素術之第d 1漏電； 之第2像素電極352b盘 ；^極3仏經由像素術 達像素畅之第2像夸、I 之弟1像素電極仙而到 (5)從像素術之第i像素電流； 之第2像素電極352b與像素_ =由像素術 達像素40b之第2 弟像素包極351a而到 之弟2像素電極35几的像素間漏電。 盲先，關於漏電路徑（υ ， 此相鄰，但像素^第電極雖彼 與像素杨之第2像素電極3 位準電位叫 的長度為圖10⑴之像+ ^ 驗準電位VL)之邊界 半以下。藉此* ”電極35a' 35b之邊界長度的一 曰，戌漏電流之路徑變窄，僅此部分之茂漏電 31 201003631 流減少。 其次’於漏電路徑（以 ..Λ , (2 )〜（5 )中，從高位準

之像素40a之第1像音愈托Λ 千电位VH 弟1像素電極351a、351b到達低位準電位1 之像素楊之第2像素電極352a、352b的期間會婉由古 Π :=素3術之第2像素電極_、及像素二 第1像素電極351a。因丨I·!· >- 因此’每通過像素電極之邊 劑層33之電阻R均會受到 '接者 ,、长χ 又到負載，故漏電路徑整體之電阻變 大’流入低位準電位Vl夕伯主 支 之像素4〇b之第2像素電極352a、 352b中的洩漏電流變少。 7 352a 如此’於本發明之電泳顯 4〇分割為複數個子像辛，傻去、 十，隨著將像素 加。然而，另一=由:間沒漏電流Lk之路徑會增 變少，故而整體之茂漏電、、:：―個漏電路徑之電流量大幅 相比變少，降低= 恕之電泳顯示裝置100，可 據本實鈿形 I次 P制顯示部5之電力消耗。 成為士下 ⑴所示之第2像素配置之情況下，俜 成為如下所示之漏電路#。 n兄下，係 (1 )從像素40a之第]作土 之第1像辛電朽& 像素電極351b經由像素40b 私瓦电極3 5 1 b而到读推主 的像素間漏電； ’、40b之第2像素電極352a (2 )從像素4〇a之第 之第1像素電極351b而到達素電極皿經由像素機 的像素間漏電； 。4〇b之第2像素電極352b (3 )從像素40a之第丨推 像素電極351b經由像素4〇a 32 201003631 之第2像素電極352b而 的像素間漏電； ’、〇b之第2像素電極352b 之第2(?:像素4〇a之第1像素電極35U經由俊“ <弟2像素雷太 、工田像素40a €極352b而到達像辛 的像素間漏電。 京4〇b之第2像素電極352b

如此’於採用了第I 漏電路徑之數H 置之電泳顯示裝置_中， 圖1Λ/之數s本身相較第1像素配置時變少。而曰 圖10⑴所示之第而且，於

之傻去仏 置中’配置成高位準電位VH

之像素40a之第i像素 +電位VH 夕推土 la、351b、與低位準雷办ντ

之像素4〇b之第2像素電極 d VL 兩 a 、352b 不相鄰。ro lL .口 電路徑（1 )〜（4 )必定 因此’漏 夕工你 成為經由像素電極為高阻能 之子像素的高電阻路徑。 阻抗狀態 如此，若採用第2像素配置，則相較圖ι〇 米用第1像素配置之情形， 不 至先前之7。%左右。 了更加降㈣漏電流，可降低 又’本實施形態之電泳顯示農置1〇〇中，亦可 刀覆寫驅動時之對比度下降 顯……… 所述，與習知電泳 顯不裝置500相比，第1俊去 .„ ^ 像素配置、第2像素配置之任一 考中洩漏電流均變小，故對於 ^ 不使顯不變化之像素40之雷 何供給會減少。因此，可抑制 ” 、 邶制畫面整體之對比度變化。 進而，在採用第2像素配置時， 兔办 j更有效地防止部分 覆寫驅動時之對比度下降。以下，參照圖 詳細說明。 圃進灯 圖11係表示部分覆寫驅動睥夕銪-加e 勤犄之顯不部5之電位狀態的 33 201003631 說明圖。圖1 2係關於拙涂 、抑制對比度下降之作用說明圖。 於圖 1 1 中，士 Sar …、有,4示部5之像素40中配置成3列2 行之6個像素40a〜40f。你主， 像素40a〜40f中，位於圖示左上 端之像素40a為覆寫對象 1豕之像素，其他像素40b〜40f為維 持顯示之像素。 如圖1 1所示，於霜宜# 、復寫對象之像素40a中，係對第1像 素電極351a、351b給入铱1 la 第1控制線91之電位s 1 (高位準 電位VH)，第2像素雷炻， '、電極352a、352b為高阻抗狀態。另 一方面’於維持顯示之像♦ 豕f 4〇b〜40f中，第1像素電極 351a、351b及第2像素雷搞Μ。

At ，、電+ 352a、352b之雙方為高阻抗狀 悲。又，於該電位狀態甲，對丑 對通電極3 7輸入低位準電位 VL(或者反覆高位準電位 低位準電位VL之脈衝）， 曰在°僅使像素40a選擇性地黑顯示。 於圖11所示之狀態中，由 田於僅對像素40a之第i像素 電極35U、35113輸入電位 音Μ、由、e兩— 、门证早電位VH )，因此像

Lk會產生於該等第1像素電極351a、351b 與相鄰於其等之第i或第2像素電極之間。 於圖11所示之第2像辛西？罟由始 此Θ配置中’第1像素電極351彼 此隔者像素40之邊界而配置，第 . 像素電極352彼此隔著 像素40之邊界而配置。如此， #, . A 弟2像素配置中，於覆耷 對象之像素40a内，高位準電位vh ' 351K ife -. <弟1像素電極351a、 bib與南阻抗狀態之第2像 鄰，而與像辛40a之第】德冬/ 352b當然會相 ” m京4〇a之弟1像素電極351h知物 第1傍参步·_!· 才鄰之像素40b之 第1像素電極35lb'及像素4〇C2 之 34 1 豕京電極351b亦為 201003631 尚阻抗狀態。 此處，於圖12中，收u、+、* 將上述像素間洩漏 連同像素術〜他之像素電路-併表示。 像辛=二：不’像素間茂漏電流Lk從像素4°a之第1 像素電極351b分別向像素 40c ^ ^ 1 ^ ^ 1像素電極351b、像素 *之第i像素電極351b流動。然而， 4〇c中，連接於各第^象素電極3 ^ 像素

Tr.t ,, „ , 15 之第 1 傳輸閘 TGlb、 TGU成為斷開狀態，故而 笛1楂仏叫下 示1像素宅極35 lb之電荷被 第1傳輸閘TGlb、TGlc所阻 第1控制線91巾。 到全局配線之 從覆=若！泳顯示裝置10°中採用第2像素配置，則 、、㈣入人月素術流向相鄰之像素杨、撕之泡漏電 、兄…^之弟1控制線91或第2控制線92中的情 比i產生變 部分覆寫驅動中維持顯示之像素40之對 又此外化的情況會消失’從而可獲得高晝質的顯示。 子像素之構：上述實施形"，已對將像素4〇分割為4個 說：，但本發明之技術範圍並非係限 '°將像素40分割成6個（3個第1 子像素與3個第9 -S- Λ 3. 第子像素）’還可分割成9個（4個或5個 反鋸齒處理之效果勒士 素）。为割數越多，則 之效果越大，從而可獲得更加平滑之顯示。 於像二在將像素40分割成5個以上之多個分割時，對 内以彼此广第1及第2子像素排列，較佳為於像素40 此錯開之方式而配置，但並不限定於此，可採用任 35 201003631 意排列。 干之第：：：像素4〇分割成多個的情況下，當採用圖3所 著…二:置、或者圖8所示之第2像素配置時，僅 相鄰之像素4。之邊界部分之第“象素電極川 象素電極352的配置即可。即，當採用第1像素配 粼〃要將第1像素電極351與第2像素電極352隔著 目之像素40之邊界配置即可，#採用第2像素配置時， =第1像素妹-彼此、第2像素電極352彼此隔 者相鄰之像素40之邊界配置即可。對於與像素4〇之邊界 不接觸的第1及第2像素電極35卜352，可進行任意配置。 (電子機器）、繼而，說明將±述各實施形態之電泳顯 不裝置100用於電子機器之情形。 圖16係手錶1〇〇〇之前視圖。手錶雜具備錶殼刪 與連結於錶殼1〇〇2之一對錶帶1〇〇3。 於錶殼购之正面設有上述實施形態之電泳顯示裝置 10〇所構成之顯示部1005、秒針1〇21、分針1〇22、時針 於錶殼1〇〇2之側面設有作為操作元件之旋鈕 :操作鈕10〗1。旋鈕1〇1〇係連結於設在殼内部之轉軸（圖 不省略）’係設置成能與轉軸成一體地多段（例如兩段）按拉 自如且叙轉自如。顯示部1〇〇5中，能顯示作為背景之影像、 曰期或時間等之文字列、或秒針、分針、時針等。 其次’圖14係顯示電子紙11〇〇之構成的立體圖。電 子紙H00於顯示區域U(M具備上述實施形態之電泳顯示 裝置100。電子紙1100具備具可撓性、由具有與習知紙相 36 201003631 同之質感及柔軟性之可覆寫之片體構成的本體u 02。 圖15係顯示電子筆記1200之構成的立體圖。電子筆 s己1200’係綑綁複數張上述之電子紙n〇〇，以蓋體no工 挾持者。蓋體1201，具備例如供輸入從外部裝置傳來之顯 示資料的顯示資料輸入手段（未圖示）。藉此，可對應該顯示 資料，在綑綁電子紙之狀態下，進行顯示内容的變更或更 新0 根據上述手錶1000、電子紙丨100、及電子筆記， 由於採用本發明之電泳顯示裝置⑽，因此能成為可進行輪 廓平滑之高品質㈣，且具備有省電性㈣異之顯: 電子機器。 < 此外，上述電子機器係本發明之電子㈣之例 並非為限定本發明之技術範圍者。例如於行動電話：可樵 式音響機器等之電子機器的顯示 了攜 本發明之電泳顯示裝置。 芦常。適地採用 【圖式簡單說明】 概略構成圖。 (第1像素配置 ) 圖1係實施形態之電泳顯示裝置之 圖2係像素之電路構成圖。 圖3係表示像素電極等之平面配置 之說明圖。 圖4係沿圖3所示之，線之部 圖5係表示顯示部之 電 圖6係將沿圖5所示…，線之I;面:明圖。 、、°j面構造連同像素 37 201003631 路一併表示之說明圖。 圖7係表示影像資料、像素之電位狀態、及顯示影像 之對應關係之說明圖。 圖8係表示第2像素配置之俯視圖。 圖9係表示影像資料、像素之電位狀態、及顯示影像 之對應關係之說明圖。 圖1 〇係洩漏電流之說明圖。 圖11係表示部分覆寫驅動時顯示部之電位狀態之說明 圖。 圖12係與對比度下降之抑制相關之作用說明圖。 圖13係表示電子機器之一例之手錶之示圖。 圖14係表示電子機器之一例之電子紙之示圖。 圖15係表示電子機器之一例之電子筆記本之示圖。 圖16係表示習知電泳顯示裝置之示圖。 圖1 7係習知電泳顯示裝置中之部分覆寫驅動之說明 圖。 圖18係與^知電泳顯示裝置之對比度下降相關之說明 【主要元件符號說明】 100 20 30 31 電泳顯示裝置 微囊 元件基板（第1基板） 對向基板（第2基板） 38 201003631 32 33 37 40、40A、40B、40C、 40D、40a ' 40b、40c、 40d 、 40e 、 40f 41 49 50 55 61 62 63 64 66 68

70、70C、70D 91 92 351 、 351a 、 351b 、 351aC 、 351aD 、

351bC ' 351bD 352 ' 352a 、 352b 、 352aC 、 352aD 、 電泳元件 接著劑層 共通電極 像素 選擇電晶體（像素開關元件 低電位電源線 局電位電源線 共通電極配線 掃描線驅動電路 貢料線驅動電路 控制器 共通電源調變電路 掃描線 資料線 鎖存電路（記憶體電路） 第1控制線 第2控制線 第1像素電極 第2像素電極 39 201003631 352bC ' 352bD TGI、TG1C、TG1D、 TGla、TGlb、TGlc TG2、TG2C、TG2D、 第1傳輸閘（第1開關） 第2傳輸閘（第2開關） TG2aTG2b、TG2c 40

Claims (1)

1. 201003631 七、申請專利範圍： ι_—種電泳顯示裝置，具有：㈣&含電泳粒子之電泳 元件並對向之第i基板及第2基板、具備複數個包含該電 泳元件之像素之顯示部、形成於該第2基板之該電泳元件 側之共通電極、及形成於該第1基板及第2基板中任—者 之第1控制線及第2控制線，其特徵在於·· ;該像素’具備像素開關元件、連接於該像素開關元件 之δ己憶體電路、連接於該記憶體電路之開關電路、及連接 於該開關電路並與該共通電極對向配置之帛1像素電極及 第2像素電極； 該開關電路，包含藉由該記憶體電路之輸出訊號控制 Μ弟1控制線與該帛1像素電極之導通的第1開關、及藉 由該記憶體電路之輪出訊號控制該第2控制線與該第： 素電極之導通的第2開關。 Λ 2. 如申請專利範圍第i項之電泳顯示裝置 像素分別設置有複數個該第1及第2像素電極。 … 3. 如申請專利範圍第i項之電泳顯示裝置 像素設置有相同數量之複數個該第1及第2像素電極。… 士申》月專利|巳圍第3項之電泳顯裝 鄰2個該像素之碡s 夏其中’於相 素電極盥另一方之兮部分，—方之該像素之1個該第1像 置。之該像素之1個該第2像素電極係相鄰配 ,5.如中睛專利範圍第3項之電泳顯示裝置， 邮2個該像素之邊|^ 於相 邊界部分，一方之該像素之丨個該第1像 41 201003631 j電極與另-方之該像素之丨個該第丨像素電極係相鄰配 請專利範圍第…項t任一項之電泳顯示裝 電極 於該像素分別設置有纟2個該第i及第2像素 該第1像素電極與該第2 此錯開之方式配置成平面。極，於該像素内以彼 7.如申請專利範圍第丨至6項 置，其中，於影像顯示動作時，使構^項之電泳顯示裝 第1及第2像素電極中至少-方之電極成：像素之該 8·-種電子機器，其特徵在於：為'阻抗狀態。 具備申請專利範圍第i至7項中任 置。 項之電泳顯示裝 八、圖式： (如次頁） 42