TW200826194A - A regeneration method of etching solution, an etching method and an etching system - Google Patents

Description

200826194 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本_、關於-_於供細遣切_之侧 水減）的再生方法，一酬方法及—雜刻裝置，尤其是 關於-種可隨料效清除，_财理吨含於侧溶液中之， 矽化合物（氮化矽與磷酸之反應產物）。

【先前技術】 於包括該等用於各種基材之大量生產線的綱處理中，係持 績進行綱，_職麻祕翁循環，去除諸如制等外來 物質，以使槽中的_溶液保持清潔。此項操作同樣被施用至 以經加熱的雜水溶液⑽溶液）進行之氮化石夕薄膜茲刻處理， 其中係麻液進行·魏，藉域 1純化來清除在綱溶 液中結晶之魏合物’及其他外來物f，吨行連频刻（ JP 3-20895 β (專利文獻][))〇 乂 ，、、、、而，該方法涉及’因為關—_溶液麵進行處理，而 導致賴刻溶液中的石夕化合物濃度升高，使钱刻逮率減低的問 題。為解決此項_，遂提出侧溶液巾之魏合物的去除方法， 其中係使用具有冷卻功能之濾、器，使滤器冷卻以提高去除效率（參 見 JP 9-219388 Α (專利文獻 2))。 另一種替代方式為’其中係將純水加人進行糊溶液過遽之 5 200826194 遽器中’叫㈣解的方式去除所沈岐純合物财法（參見 JP 6-310487 A (專利文獻 g))。 又提出之-種替代方式為，在钱刻溶液欲被過渡之前，藉由 添加水而使作祕财液之魏的溫度分布不料，來提高去除 效^此方法提㈣效__溶㈣心，其储由將此等過 慮。σ 乂成之方式安置’其巾—過濾器係在倾猶水溶液時， 用於清洗之目的（參見JP 2005_260179 Α (專利文獻4))。 、然而’於專利文獻卜專敝獻2及專利文獻3中所描述之餘 1液再生方核υ，需要藉由水洗等方式絲沈積在過淚哭 内的石夕化合物，因為於操作期間逐漸沈積在渡器内的石夕化合物; 造成過濾器阻塞。為進行此類清除，必須週期性停止操作該裝置， 而導致執行效率相當差。 另一方面，根據專利文獻4中所描述之方法，過濾器係以並 聯的方式· ’且若在操作_化合物沈積並堵塞龄，則以活 〇 ⑽閉被阻塞之絲來以水進行清洗操作，而同時，將爛溶液 供以其他過濾器，不會干擾裝置之操作。 、，然而，由發明人之實驗發現，隨著沈積在濾器中之石夕化合物 ^加，被過濾裔清除的矽化合物總量亦增加。換言之，經發現由 不具有魏合物沈積之新濾器元件，或_經過去除所沈積石夕化 合物之清洗纽後，Μ具有魏合物沈積之濾器元件，所清除 出的石夕化合物總量非常少，歸化合物之清除總量聽器操作時 6 200826194 間增加多達甚至10倍以上。_，若過濾器連續操作超過某一特 定時間範圍’則過濾、ϋ會被阻塞且變得無法使用。 口為此等理由’於專利文獻1〜4所述之綱溶液再生方法 中’通常必須使用具有清除速率之賴，以達到—段從遽器操 作開始及從清洗後之再域操作的特定_。此需求與其^必須 關閉該裝置來清洗心、的情況，或與其中·元件係以平行排 列，且持續操作不被干擾之個案相同。 【專利文獻1】日本特公平3_2㈣號公報 【專利文獻2】曰本特開平9_219388號公報 【專利文獻3】日本特開平6_3麵7號公報 【專利文獻4】曰本特開2005-260179號公報 L發明内容】 =本發明之目的係消除該等習知方法之弱點，並提供可 、回去除速率下，透過使用備有高料除速率之 —定量魏細，—段物㈣ Γ進行之_容液的再生方法、崎法及；Γ= &=且_減_於_減再錢理之縣Μ。、業衣 其中制項目的，本發明欲提供—種_溶液的再生方法’ 、中係將統㈣膜叫含魏水錢_雜液於處理槽中進 200826194 仃倾，_含有從雜難賴產生之⑪化合物祕刻溶液從 處理才曰抽出’以過濾器將該石夕化合物從該被抽出之钱刻溶液移 除，其特徵在於’係將紐個過濾器經由交物換以並聯或串聯 方式’與雜㈣槽抽出之酬溶液的配管雜連接，且 出之钱刻溶液係供給至，至少其卜個配置有其中已沈财化合 物之’具有高⑪去除速率的濾器元件之過濾器，因此可以石夕化合 物之高矽去除率將矽化合物去除。

、於本I日狀-項特別具體態樣，本發明係提供—種侧溶液 的再生方法’其巾健氮__吨含魏水絲_刻溶液 於處理槽巾進行爛’將該含有從該_作賴產生之硬化合物 的钱刻溶液從處理槽抽出，以過濾器將_化合物從該被抽出之 蝕刻溶液移除；其特徵在於 1) 將多數個過濾、器以並聯或串聯交替切換之方式，與該抽出 之韻刻溶液的配管路徑連接； 2) "於該等錄個過助細串财錢結之情況下，係於該 、-=路控之上游’緊接於沖洗去_沈積魏合物讀設置一個 2器，裝設-個顿有不賊用之―元件（射無雜合物 =侧器简執行直到該渡器之元件上的石夕化合物沈 貝敌多婦去除速率職高點’且同時將另—個配置有其中已沈 ^化合物之，具有㈣去除鮮的翁元件之過㈣裝設於該 u下游處，依次以並聯方_被抽出之勤黯供給至其， 8 200826194 再供給至辦乡數顧】； 3)於該等錄個過翁係以並聯方式連結之情況，係將該被 钱刻喊供給至，—個其中已沈積魏合物之具有高石夕去 除，的過遽器，且同時將其他過濾器從該被抽出之敍刻溶液的 循％線取出進行清洗； 、惟在操作開始時’鱗多數個過濾器之第—個係並聯連結， 將$抽出之餘刻溶液供給至，至少一個其中已沈積石夕化合物之具 有门夕去除速率的過濾器，而因此可以悝定高的石夕化合物之石夕去 除速率將矽化合物去除。 '於本發明之另一特別具體態樣，本發明係欲提供-種侧溶 液料生方法’其中該等多數個過濾器以串聯方式用於配管路徑 之才間相當於發生濾器被石夕化合物阻塞之最大累計時間的十分 之一至二分之一。 於本發明之又另一特別具體態樣，本發明係欲提供一種敍刻 方法’其中刻方法包含，—種氮化石夕薄膜使用包含顧水溶 液的飿刻溶液於處理槽中進行飯刻之侧程序，其中係將含有於 、邊幻作用所產生之石夕化合物的侧溶液從處理槽抽出，經過濾 並猶環至該處理槽之循環贼程序，以及其中係將—部分钱卿 液從該循環過渡程序中抽出，將水加至該被部分抽出之钱刻溶 、=、’並將於該I虫刻溶液中結晶之石夕化合物遽除，而因此使該侧 冷液再生㈣酸水溶液再生程序，特徵在於其包含於本發明之特 9 200826194 及將經再生之蝕刻溶 別具體態樣巾所描述_液再生方法， 液再送回至該飿财法的處理槽之方法。

;X月之進步特別具體態樣，本發明係欲提供-種餘刻 裝置’其中_刻裝置包含，其包含將氮切薄膜使用包含鱗酸 水溶液的_溶液進储刻之處理槽麻段，於其中係將 含有於_刻作騎產生之魏合物_麻液從該處理槽抽 出，以過攄器過濾並猶環至該處理槽j之循環過遽區段，以及於 其中係將—部分飿贿液從簡環過雜段抽出，縣魏合物 清除，而因此使祕刻溶液再生_酸水溶液再生區段，特徵在 於其在該顧水絲再纽段之纟_錄崎雜中，具有多數 個過濾、器及用轉該錄個絲崎路徑以並聯或串聯方式交替 切換之活門’以及藉由在進行侧期間自動地以並聯或串聯方 式，切換該則溶液配管路徑以將被抽出之細溶液供仏至，至 少-個配置有其中已沈積魏合物之具有祕去除速率之遽器元 件的過遽ϋ，但m铸錄個過濾器於操作開端之第—個並聯連 結的情況為例外，來維持高的矽化合物矽去除速率。 "P 同時’於本發明’健職抽出之_溶賴給至，至小— 細己置有其中已沈積魏合物之具有私去除速率之濾器树的 過濾m只有在起始啊之特树_，溶液僅通過多數 過濾器中的其中-個’而其他過4||仍保持停止；於是，口在此 期間，該侧溶料能供給至，至少—個配置有射已沈财^ 200826194 合物之具有高矽去除速率之元件的過濾器；然而’本發明並未排 除此類應用模式。 【實施方式】 以下係參照例舉說明本發明具體實施例之圖式來解釋本發 明。圖1為本發明蝕刻裝置之整體模型區塊圖，其由蝕刻區段12 , •衣過濾區段13 ’以及鱗酸水溶液再生區段14所組成。侧區段 要、、且成為，目的在於藉由多數晶圓11浸泡於經加熱至 C〜180°C度之魏水溶液（侧溶液）中，而從存在該晶圓^

上之^化_膜、氧化韻膜、铸，選擇性地侧氮切薄膜。 ;循衣過;f區& 13中，係將溢出處理槽1之填酸水溶液過液，加 鱗水添加過程並再送回至處理槽1 (經由純水添加過程）。碟酸 水洛液再生區段14將魏水溶液從循環過濾區段η分支，減 於該猶水驗巾，以魏合_式存在之赠度，以可用作為 ===撕册物她，蝴域 回至處理槽1之底部。 竹、 (蝕刻區段12) 敍刻區段12係以自動化運給擁 -姉供-w 運輪機械寻（未列示），與處理槽！ 猎由遠自動機械將晶圓11***（及取出）供η 處理之處理槽i。處理槽！為 取出）供進仃蝕刻 出槽，其中觸^頂端溢出二内槽1&與溢出部分1C之溢 夕牛夂水浴液，係由形成於内周邊 200826194

之:出部分lc接收。内槽la内部配有表面加熱器化，其為一 種加^件L㈤溶液之結構包含自動間μ，其位於 温出部分le上方’在補娜脉溶液時開啟與關閉，排出口 W ^位於溢出部分lc之底壁）係將溢出之魏水溶液排放至循環過 3中，而進料口 le (位於内槽la之底部上）係將，於播 %過濾區段13中經處理之雜水溶液，進料入處理槽1本體中。 控锻置包含錄铜械應，位於㈣部分卜之雜水溶液的 溶液水平面溶液水平域應器（未列示），用__槽1&⑽ 酸水溶液溫度的溫度感應器，以藉由基於經該溫度感應器， 調控表面加熱H lb，祕雜水絲鱗在狀溫度的加熱器調 控器。 (循環過濾區段13) 循環過遽區段13裝備有幫浦2，其將從裝置於溢出部分k 之排出π Id所排出_酸水溶液，_裝置於⑽以底面之進 料口 le再送暇處理槽！本體，過濾器3，其將該顧水溶液進 行過濾’加熱H 4，其雜過濾、之_水溶液加熱至某特定溫度， 裝置於内槽la中之溫度感應器與加熱器調控器，其調控加熱器 4 ’以及自動活門V-2，其將特定量純水添加至經加熱到特定溫度 之鱗酸水溶液中。換言之’在此區段中，係首先將從溢出部分lc 排出之蝕刻溶液（亦即，磷酸水溶液）以過濾器3進行過濾。然 後，藉由加熱器4將磷酸水溶液加熱到特定溫度，將純水以自動 200826194 活門V-2之方式適當地添加至其中，以使磷酸水溶液濃度維持恆 定，並再回到處理槽本體。在此，加熱器4將從溢出部分lc排出 而溫度些許降低之磷酸水溶液加熱，自動活門v—2校正磷酸水溶 液之、艾化/辰度，而過濾為3將存在磷酸水溶液中的雜質（包括所 沈積之氧财）去除。於是’重點在於過濾器3之過滤作用係在， 將從溢出部分lc排出之磷酸水溶液加熱之前完成。 (碟酸水溶液再生區段14)

於麟酸水溶液再生區段14中，係將適#量_環過濾區段13 中流動之磷酸水溶液，經由分支管路！ 6及裝置於循環過遽區段i 3 中介於幫浦2與職H 3間之管財，的__方式（針孔活 門V-1與自動活3)以’於藉由流動控制方式（活門v_8)進 行之流動控制下的純水稀釋，藉由熱交換器5冷卻至⑽。c或以 下，及藉由結晶槽6進行回收。將經由結晶槽6回收得之猶水 溶液’藉由幫浦7輸送_滤器8a或8b。將輪送之魏水溶液稀 =再進-步冷卻，降低飽和濃度（其使娜合物能被結晶出）， 過滤器8a、8b ’將所結晶之物質_酸水溶液中去除。 :旦特定量靴合物累積成大量結晶物質，過雜力增加而使流 動_可能。__a、8b連結以呈並聯模式_模式， 稭由自動活門 V-4a、V—4b、v—5a、v_5b、Μι& 與 M 行切換。 在開始操作前 過遽為8a與8b係以_聯方式連結。最初 200826194

C 只開啟過濾器8a而過渡器此保持暫停，直到過濾器如之過滤阻 力升高至特定度數。存在被輸送至過濾器8a之顧水溶液中紳 化合物’-旦超過飽和濃度後便開始沈積呈一種結晶物質並生 長，且若石夕化合物沈積係於過濾器8a上進行，則石夕化合物進一步 傾向圍繞著先前已結晶出之物質（作為核心）進行結晶，而因此 使石夕化合物之縣除速率增加。切化合物已累積於過濾器％且 矽去除速率變高時，將過濾器如與此之操作，藉由自絲門 V-4a、V-4b、V—5a、v_5b、v_Ua與v_nb，轉換成以串聯方式執 行。當過濾器8a與8b轉換成串聯操作時，過濾器此（其尚未被 操作且先前並無魏合物沈積）餘於_之场，以使魏合 物能沈積於過濾器8b中，直到石夕去除速率變高之程度，而過滤口器 % (其中已有魏合物沈積，歸去除速耗經變高）係位於流 通之下游。然後，一旦石夕化合物已沈積於過濾器8b中，且石夕去除 逮率變高時，便將過濾器8a與8b之操作，藉由自動活門卜如、 =V—^时山與跡轉換成以並聯嫌^^ 〜慮心切換至供給清潔液之洗淨操作。另一方面，該被抽出 ^刻溶液只供給至過細b (其具有已沈積切化合物，且石夕 去除速率變高），且鋪㈣濾器8b將該魏合物去除。 以下係關於-項實施例，詳細解釋磷酸水溶 夂冷液通過遽為8a進行過攄，而其他活門 14 200826194 與V-llb保持關閉。一旦有石夕化合物累積於過遽器％中护其尚 濾阻力會增加。然而，幫浦7裝備有操作速度感應哭，一 〜〜，错以估計 已累積之石夕化合物量，或從過濾時間或晶圓飯刻時間計曾出， 里。當過濾、器8a中之累積梦總量已超過預定體積時，將自動活門 [4b與V-llb開啟並將V-4a關閉’而開始以串聯執行操作過濾界 8a與8b。依此方式，待磷酸水溶液通過濾器牝後，係藉由過滤° 器8a進行過濾。甚至若過濾器8b之矽去除速率低時，仍由其= (]已沈積魏合物，而因此具有祕去除速率之過濾H 8a進行過 濾；因而在高石夕去除速率下持續操作，過濾器肋可同時累積矽化 合物。 μ、 ί. 持續操作具有高石夕化合物累積體積之過遽器％，會達到其中 過濾阻力過高，以致紐使流體通過的狀態，脚，到達必需進 行清潔而财化合物從過㈣8a去除之階段。因域行串聯而連 結’石夕化合物已經累積在過濾器8b中，且過濾器％之石夕去除速 率現已變高’而因此藉由關閉自動活HV-5a與V-llb及開啟 V-5b，將過濾器8a從過滹叙妗而山、，ί丄 =動、、表取出，亚使磷酸水溶液只通過至過

濾器池。然而，將自動活fn_9a與[軸啟，㈣清潔過爐 益8a。籍由此等操作’可保持高料除速率而不會中斷魏人物 之清除，且亦在過魅8b中之·積已變㈣量之前，可將财 ㈣再恢彳嶋連結來去除魏合物。繼略繼8㈣ _作的6"細_ ’簡單來說’係將過_a中之魏合物以HF 200826194 溶解，隨後以去離子水（純水）沖洗HF組成。 在過濾器8b到達 以串聯方式連結（藉 )’以供連續不斷進行 於清潔後，將過滤器8a在此與過濾器％， 由於過量矽累積而無法通過流體之階段前， 由開啟自動活門V-4a與V-11a及關閉V-4b)， 過濾。在別b合物於贼H 8a t g積，且私麵鱗變高之後， 將自動活卩U-5開啟並關閉V-5b與V-llb，而因此藉由:出過滤 器8b，使鱗酸水溶液只能通過濾器8a ;同時將自動活門v—此與 Ο V—10b開啟，以HF之方式清潔過濾器8b。重複進行此等操作。若 槽中之液體水平面低於滿水線，則藉由開啟自動活門v—7及關閉 V-6，將溢出過濾器8a或8b之磷酸水溶液輸送至濃縮槽9。相反 地，若濃縮槽9之液體水平面顯示到達其滿水線，則藉由關閉自 動活門V-7及開啟V-6,將磷酸水溶液送回到結晶槽6進行循環過 濾、。將輸送至濃縮槽9之磷酸水溶液，以加熱器9b加熱至大約麟 酸水溶液在處理槽中之溫度（16〇。〇,並使於自動活門v—8添加 I， 之純水一發，將活門V-12打開，並將已去除石夕化合物之礙酸水溶 液送至循環過濾區段13。為使循環之磷酸水溶液能維持在高溫， 遂從分支點19經由流動控制活門V-11，將其一部分送回至濃縮槽 9 °又’藉由設計使分支管路20儘可能的短，而將溫度下降減至 最少。 實施例 〔實施例1〕 16 200826194 以下為本發明之一項具體實施例。

於半導體晶圓表面上形成氧化矽薄膜，呈—種元件分離薄 膜。於形成過程中，氧化矽薄膜與氮化矽薄膜存在晶圓表面上， 亚施予濃度為85-9G質量％之雜水溶液，作為用以選擇性餘刻氣 化石夕薄_侧溶液。於以該猶水溶液_氮切_期間^ 氮化石夕_巾切域滲漏到咖妹溶液巾，形齡化合物，其 逐漸累積在磷酸水溶液中。亦即，此以磷酸進行之蝕刻方法， 的在於只職财細進行侧，而錄切_保持未被飯 刻。然而，雖然僅稱微地，氧化石夕薄膜也會被钱刻。若石夕渗漏到 石Λ中’則石夕對於氧化物薄膜之姓刻會作用為抑制劑；例如，若 石夕含量達60 ppm或以上，則氧化物薄膜不會被綱。於製造程^ 中’可希望於構酸中石夕濃度以光密度計21測量為6〇 _或以上 之條件下進行魏處理，以致可防止氧化物薄膜被綱。亦即， 若於60 _或社之赠度下施行烟，氧化_贿難被姓 刻，而只有氮化物_能夠被侧。為此理由，遂㈣酸中之石夕 濃度控制在，以光密度計21測量為6G ppm或以上；更特別地， 若磷酸中之石夕濃度以光密度計21僧測為6〇 _或以下時，則停 止將磷酸供給至磷酸水溶液再生區段14，而若其以光密度計21丁 測量為超過6G ppm時’則進行磷酸再生作用。藉由此操作，因為 只有透聽化物賊之侧作用所增加的量會累積於過渡器中， 故可藉由測量在’以絲度計21測財已到達6{) _或以上之 200826194 後，的氮化物薄膜蝕刻時間，而計算出過濾器中 矛、積之石夕她署 該位 器5 同時，光密度計21雜於圖1中靠近過濾器3之處；^〜里 置並非受限於本實關之_，其亦可位於處理槽^始‘ 的下游，或任何其他處。 …、父換

〔表1

過渡為、8¾清洗 過濾器8a石夕累積 過濾、器8b清洗 項目 執行 矽達60_ — 停止再生處理 過濾杰8a矽累積 僅執行 --— 過渡器8a 過渡器8b石夕罕積 過濾器8b h8a 僅執行 過濾器8b 過濾器8a 48b 僅執行 過濾器8a 過渡器8b石夕累積

18 200826194 於實施例卜係藉由啟動幫浦2，控制加熱器4與處理槽之加 熱器lb ’並經由自動活門v_2添加純水，而將磷酸水溶液沸騰以 保持在160 C。於此等條件下’係於處理槽中將％升⑽公斤） 麟酸水溶液施予簡埃，6-射塗覆有氮化㈣膜之氮化物薄膜 -沈積晶® 11 ’進行铜達累計侧時間為5⑼分鐘（約8小時 之後’控制再生處理以使俩中之⑪濃度以光密度計2ι彳貞測為⑼ 酬或以上’並開始使用過濾器8a。從開始使用至分鐘（亦 即直到21小時）’過濾器％之秒去除速率逐漸升高。於該期間， 大、力有6g⑪沈積在該魏时。錢，將過濾^仙絲於過遽 扣8a的上;#於稍後之147Q分鐘（其相當於累計細時間為奶〇 刀知亦即大約5〇小時）’約有6g石夕沈積在過濾器％中，顯示 梦絲速率升高。额，將過濾器如分開以進行清洗，而只有過 濾Jb在執仃工作。於過濾器如中，有大約有％石夕沈積。過 慮器8a之清洗時間為6小時，且因為晶圓並非一直

於3030分鐘之g+ J S5C 、累、梢刻日W約50小時）之後，完成該過濾器 月。心為係於期間並未進行侧之時間。然後，將過遽哭如 7於過渡器8b的上游。經分鐘之後（其相當於_蝴 ^為侧分鐘）’約有6㈣沈積在過濾器8a中，顯示石夕去除 ^格然後’將過濾器8b分開以進行清洗，而只有過渡器如 仃工作。於過渡器8b中，有大約有收石夕沈積。圖2麻晶 19 200826194 圓蝕刻時間與磷酸中矽濃度之關係，及濾器8a與據界8b之使用 而圖3列示晶圓蝕刻時間對濾器8a與濾器8b中之砂累積纳量的 關係。藉由重複此等操作，能夠將該所抽出之蝕刻溶液供給至， 至少一個配置有其中已沈積矽化合物之具有高矽去除速率之濾器 元件的過濾H ’但雌等緣個濾器於操作開端之第—個並聯連 結的情況為例外’關此使碟酸再生區段巾切去除速率^地 維持在高值。 〔實施例2〕 於貫施例 值將過應為肋與8b之切換時間改變為如圖4 =，而所有其他條件⑽留與實施例丨_，其結果列示於表2 的、結果’除了該等多數個濾器於操作開端之第—個並聯連結 有=之外，該所抽出福刻溶液能夠被供給至，至少一個配置 /沈積石夕化合物之具有高石夕去除速率之遽器元件的馨

再生區段中—率_持在高二

20 200826194 ίο152025 30 35 40 載荷的 載荷的 載荷的 載树的 載荷的 載荷的 載荷的 78·13727 26 ---------^____ 78.36184 ^ 26 78·5864 26 -----—_____一 — 78.81096 26 79·90886 —----___________ 26 76.62512 26 76·84969 26 8b ->8a ---------— 8b ->8a 僅8b 8a ------- 僅8a 8b ->8a 8b ->8a 〔實施例3〕 較佳地決定過濾器8a與過濾器8b以串聯方式連結之時間， 以使能於較導致碱H阻塞之㈣積量的—半更短之週期下進行 切換’因為（從圖2與圖4)，每—過濾器係以其極大值，於兩種 進行石夕累積之時間及-種進行清洗之時間下使用。然而，若時間 錄，則對過齡而言㈣積財充分，且切清除速率達到夠 焉值之前’石夕化合物不會累藉力、晶、、索哭、士 貝在過濾。〇中，而因此必需在超過特 定砍濃度下使用。朗過翻被阻麵之最切累積量，如圖6 所不d現為29克至43克。於是，過濾器與過遽器此從串 聯連結切換成並聯連結，可希望地應該在過魅中之#累積量達 到R 5克至21. 5克的日恤點進行。圖7顯綱積總量對石夕去 除速率之_。紳累積量超過5克，_去除速率變為π 呢/_，幾乎是最大值。_克相當⑽克至犯克之GW至 200826194 〇. η，其為直到過濾器被阻塞前之最大石夕累積量。因此，將過滤 器如與職n 8b以串财結之_，較佳地鱗雜直到過^ 器因矽化合物而發生阻塞前，之最大累積量的十分之一至二分之“

本發明無意文限於該等實施例，其可替換 式。於該物謝侧_a、8_=H =連結；細，如本發日騎請專利翻中之其他具體實施例，可 :組合連結二或多個過濾器’符合加長清洗時數或較大的累積體 積，視塗布之晶圓尺寸、晶圓數量、_時數、綱量等而定。 本發明係關於用於氮化石夕薄膜之钱刻溶液，本發明目的在 於’施用之顧水溶液可經由使麻置有其中已沈積超過特定量 ^石夕化合物，之具有高料除速率之劾元件的過·，以高石夕 =率恒定地去除存在侧溶液中的石夕化合物，通常已經被使 人·Μ寸物間，可相當有效地清除於侧溶液中所產生之石夕化 ^費更適用於工業製程’且可減低用於飯刻溶液再生處理之成 本中請案主張日本專利申請案_ __27删8(申請日2刪 作為來月考^ )之優先權’其教示係完整地則丨財式納入本文 【圖式簡單說明】 圖1為本發明_裳置之整ft模型區塊圖。 22 200826194 圖2為顯tf實施例1中，晶圓_時間對顧切濃度之關係， 及過滤器8a與過濾、器8b之使用狀況的圖式。 、 圖3為顯tf貫施例1中，晶圓餘刻時間對過濾器％與過渡器％ 之矽沈積量的圖式。 圖4為顯不貫施例2中，操作時間對雜中賴度之關係，及過 濾器8a與過濾器8b之使用狀況的圖式。 圖5為顯示實_ 2巾，操俩_處理槽切濃度，及碎去除 f ; 速率之圖式。 圖6為顯示直到過濾器被阻塞為止之最大石夕累積總量的圖式。 圖7為顯示矽累積總量與矽去除速率之圖式。 【主要元件符號說明】 1 處理槽 la 内槽 t lb 表面加熱器 lc 溢出部分 1(i 排出口 進料口 2 幫浦 3 過濾器 4 加熱器 23 200826194 5 熱交換器 6 結晶槽 7 幫浦 8a 過濾器 8b 過濾器 9 濃縮槽 9a 濃縮液 9b 加熱器 10 幫浦 11 晶圓 12 钱刻區段 13 循環過濾·區段 14 填酸水溶液再生區段 16 分支管路 17 分支點 19 分支點 20 分支管路 21 光密度計 V-：l、V-2、V-3、V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-6、V-7、V-8、V-9a、 V-9b、V-10a、V-lOb、V-U、V-11a、V-llb、V-12、V-13、V-14 自動活門 24

Claims (1)

1. 200826194 十、申請專利範圍·· ί 1. 一種蝕·液的再生方法，其顿贱切 娜刻溶液於處理嫩蝴，將該含有編咖t 0=夕化合物的働彳溶液從處理槽抽出，1猶器將該魏合物從 勤财繼；其特徵在於，係_個繼經由 =切換以峨串觀與，職騎_爛溶液的配 S路师妾’且該所抽出之觸容液係供給至，其中至少一個配 ^有其中已沈積石夕化合物之，具有高石夕去除速率的濾器元件之過 “ ’因此可以魏合物之祕去除麵魏合物去除。 2.如申請專·_丨項所述福贿液料生方法，其中係將氮 化石夕溥膜以包含顧水溶液的飯刻溶液於處理槽中進械刻，將 該含有從該侧作騎產生之魏合__鎌從處理槽抽 出’以過濾器將該石夕化合物從該被抽出之钮刻溶液移除徵 在於 ' 1)將多數個過濾敎替切_並聯或㈣之該，與該抽出之 蝕刻溶液的配管路徑連接； L)於轉錄個過魅細串聯方式連結之情況下，係於該配 路1之上力緊接於沖洗去除所沈積⑪化合物之後設置一個過 濾器’裝設-個或備有不被使用之濾器元件（其中無魏合物沈 ^)—、，並連續執行直_濾器之元件上的魏合物沈 知夕至石夕去除速率到達南點，且同時將另一個配置有其中已沈 25 200826194 =夕化σ物之，具有高梦去除速率的濾器元件之過濾器裝設於該 下游處’依:纽並聯方式縣_出之_溶液供給至其， 再供給至該等多數過濾器； ;X等夕數個過濾$仙並聯方式連結之情況下，係、將該被 抽出之_溶液供給至’―個其中已沈積魏合物之具有高石夕去 除^率的過滤器’且同時將其他過波器從該被抽出之綱溶液的 循環線取出進行清洗；

   在4作開始％，该等多數個過濾、器之第一個係並聯連結，將被 抽出之钱刻溶液供給至，至少—個其中已沈積魏合物之具有高 夕去除速率的過遽器，而因此可以怪定高的石夕化合物之石夕去除 率將石夕化合物去除。 請專利範圍第i或第2項所述之餘刻溶液的再生方法，其中 及等夕數個過遽器以串聯方式用於配管路徑之時間，為相當於發 ^慮器被魏合物阻塞之最大累計量的十分之-至二分之一的x 種餘刻方法’其巾該侧方法包含氮切薄膜使用包含鱗酸水 溶液的觸_處理射進行綱之侃_，射係將含有 ^亥綱作用所產生之魏合物的侧溶液從處理槽抽出，妹過 遽亚循環至__之魏職財，以及其巾雜―部分 f從該猶環過遽製程抽出，將水加至該部分抽出之钱刻溶液 亚將於_溶液中結㈣之魏合物濾除，响此使該餘 26 200826194 刻溶液再生的磷酸水溶液再生程序，特徵在於其包含如申請專利 範圍第1〜第3項任一項所述之姓刻溶液的再生方法，以及將該 經再生之蝕刻溶液再送回至該蝕刻程序的處理槽之程序。 5·-種細裝置，其中該敍刻裝置包含其包含將氮化石夕薄膜使用包 含磷酸水溶液的蝕刻溶液進行蝕刻之處理槽的蝕刻區段，於其中 係將含有於該侧作用所產生之石夕化合物的姓刻溶液從該處理 槽抽出，以過濾、ϋ魏並循環至該處理槽之循環過濾區段，以及 於其中係將-部分綱溶液從賴獅舰段㈣，並將魏合 物清除’而因此使該钱刻溶液再生的碌酸水溶液再生區段，特徵 在於其在_酸水溶液再生區段之_溶敎f路射，具有多 數個遽器及肋將該多數铜濾器配f路徑以並聯或串聯方式 交替切換之活Η ’以及藉由在進行綱期間自動地以並聯或争聯 方式’切_侧溶統f雜轉被㈣之蝴毅供給至， =少-個配置有其中已沈積石夕化合物之具有高石夕去除速率之濾 牛勺但以於才呆作開始進行時該等多數個過濾器之第 一個係並聯連結的情況為例外。 27