JP2010021215A - 洗浄システム及び洗浄液循環方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する
【解決手段】硫酸及び過酸化水素水が含まれる洗浄液１０１を収容する洗浄槽１１と、洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、加熱装置２１を通過して、フィルタ２５またはバイパスライン２８を通過して、洗浄槽１１の導入口に戻される洗浄循環ライン２９と、加熱された洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、冷却装置３３を通過した後、加熱することにより硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽３５の導入口に導入され、再生槽３５の排出口から排出され、冷却装置４１を通過して、バッファ槽５１に貯留され、バッファ槽５１から洗浄槽１１の導入口に戻される再生循環ライン５５とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェーハを洗浄する洗浄システム及び洗浄液循環方法に関する。

半導体ウェーハのレジストの剥離、有機物の除去等の洗浄処理は、通常、半導体ウェーハを洗浄槽の中の洗浄液に浸漬して行われる。

洗浄液は、硫酸及び過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ洗浄液、sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture）が使用される。例えば、レジストの剥離の場合、レジストの剥離性を向上させるために、洗浄液は１００℃以上の高温が保たれる。過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）の沸点は約１５０℃であるが、１００℃以上の高温では、熱分解によって水（Ｈ_２Ｏ）と酸素（Ｏ_２）の生成が進む。つまり、ＳＰＭ洗浄液は、熱分解によって、次第に水が増加して、硫酸濃度が低下するために、酸化力による洗浄能力の低下、すなわち、レジスト剥離性が弱くなる。

そこで、硫酸濃度が低下したＳＰＭ洗浄液の硫酸濃度を上げる技術、ＳＰＭ洗浄液の再生が行われている。例えば、石英ガラス製の反応槽（再生槽）に、洗浄能力の落ちたウェーハ洗浄液（ＳＰＭ洗浄液）を入れ、１５０〜３１５℃に加熱して、残留過酸化水素水及び過酸化水素水の分解により生ずる水等を除去して、硫酸を濃縮して濃縮硫酸とした後、冷却槽で約８０℃まで冷却され、濃縮硫酸を有するウェーハ洗浄液を再びウェーハ処理槽（洗浄槽）に戻して、ウェーハ洗浄に再利用する硫酸リサイクル装置（洗浄システム）が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。このウェーハ処理槽の濃縮硫酸を有するＳＰＭ洗浄液は、原料輸送ポンプにより、フィルタを介して洗浄槽の内槽と外層とを循環可能である。

この開示された洗浄システムは、ＳＰＭ洗浄液の硫酸を濃縮し再利用可能とするものの、再生後、濃縮硫酸を有するＳＰＭ洗浄液は温度が低下すると溶解したレジスト成分が析出する。冷却された濃縮硫酸を有するＳＰＭ洗浄液を洗浄槽に送り、フィルタを介して洗浄槽の内槽と外層を循環させると、フィルタにレジスト成分が捕捉されて、フィルタが詰まり、流量の低下を起こしたり、フィルタの交換頻度が高くなる等の問題が生じる。
特開２００２−６８７１５号公報（第４〜６頁、図１）

本発明は、フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する。

本発明の一態様の部品の洗浄システムは、第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、加熱手段を通過して、切り替えて使用される濾過手段またはバイパス手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第２の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインとを有することを特徴とする。

また、本発明の別の態様の洗浄システムは、第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、加熱された前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の加熱手段を通過して、濾過手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第２の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から、前記洗浄槽の導入口に接近して配置された第２の加熱手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインとを有することを特徴とする。

また、本発明の別の態様の洗浄液循環方法は、第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を、洗浄槽から排出して、加熱手段と濾過手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い、室温より高い洗浄処理温度で洗浄処理を行う工程と、前記第１の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第１の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、再生された前記洗浄液を第２の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程と、再生された前記洗浄液を前記洗浄槽から排出して、前記加熱手段と前記濾過手段を迂回したバイパス手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い前記洗浄処理温度に高める工程とを有することを特徴とする。

また、本発明の別の態様の洗浄液循環方法は、第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を、洗浄槽から排出して、第１の加熱手段と濾過手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い、室温より高い洗浄処理温度で洗浄処理を行う工程と、前記第１の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第１の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、再生された前記洗浄液を第２の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を、第２の加熱手段を介して、前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程とを有することを特徴とする。

本発明によれば、フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供できる。

以下の各実施例においては、洗浄液として硫酸と過酸化水素水の混合液であるＳＰＭ洗浄液を選択した場合について説明するが、温度が低下すると溶解したレジスト成分等の固形物が析出する他の薬液の混合液からなる洗浄液についても、同様に適用することができるのは勿論である。

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。

本発明の実施例１に係る洗浄システム及び洗浄液循環方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、洗浄システムを模式的に示す構成図である。図２は、洗浄液循環方法の概略手順を示すフローチャートである。

図１に示すように、洗浄システム１は、第１の薬液である硫酸と第２の薬液である過酸化水素水の混合液であるＳＰＭ洗浄液（以下、洗浄液１０１という）を収容する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の排出口と洗浄槽１１の導入口との間に、洗浄槽１１の排出口から順に、洗浄液１０１の加熱手段である加熱装置２１と濾過手段であるフィルタ２５またはバイパス手段であるバイパスライン２８とを有する洗浄循環ライン２９と、洗浄槽１１の排出口と洗浄槽１１の導入口との間に、洗浄槽１１の排出口から順に、第１の冷却手段である冷却装置３３、洗浄液１０１の硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽３５、第２の冷却手段である冷却装置４１、及びバッファ槽５１を有する再生循環ライン５５とを備えている。

洗浄槽１１は、例えば、石英ガラス製の有底箱型で、内槽１３と内槽１３を取り巻くように配置された外槽１４とからなる二重構造となっている。内槽１３は、半導体ウェーハ（図示略）を浸漬して洗浄処理できるように、所定の容量の洗浄液１０１を貯留する。貯留された洗浄液１０１は、内槽１３から外槽１４にオーバフローが可能である。洗浄槽１１は、図示を省略しているが、内槽１３または外槽１４に接続された配管により、硫酸及び過酸化水素水がそれぞれ供給される。なお、洗浄槽１１は、全部または一部をフッ素樹脂製とすることは可能である。

図示を省略しているが、洗浄槽１１は、洗浄液１０１の温度を測定する温度センサ、洗浄液１０１の液面を測定する液面センサ、洗浄液１０１の濃度を測定する濃度センサ等が配置されている。また、洗浄槽１１は、その外側底部または内側底部に洗浄液１０１を加熱するための補助的な洗浄槽ヒータが配置されることは可能である。

洗浄循環ライン２９は、外槽１４に配管された排出口と洗浄槽１１下部の内槽１３に配管された導入口とを接続している。外槽１４の排出口は、ポンプ１７の一端に接続され、ポンプ１７の他端は、バルブ１９を介して、加熱装置２１の一端に接続されている。加熱装置２１の他端は、２つに分岐されて、一方がバルブ２３を介して、フィルタ２５の一端に接続され、他方が、バルブ２７を有するバイパスライン２８の一端に接続されている。フィルタ２５の他端及びバイパスライン２８の他端は、互いに接続されて、内槽１３の導入口に接続されている。洗浄循環ライン２９は、高温（例えば、約１２０℃）の洗浄液１０１を循環させるために、洗浄槽１１の近傍に、配管距離ができるだけ短くなるように配置されている。

ポンプ１７は、圧力を加えて洗浄液１０１を外槽１４から内槽１３に循環させている。フィルタ２５は、洗浄液１０１内の一定以上のパーティクルを除去する。バイパスライン２８は、洗浄循環ライン２９の配管と同様な内径の配管を有し、バルブ２７を開き、バルブ２３を閉じることにより、フィルタ２５を迂回できる。

洗浄液１０１は、洗浄処理中、内槽１３を満たし、洗浄循環ライン２９が絶え間なく駆動する程度の量が供給されている。

洗浄液１０１は加熱装置２１により加熱されて、所定の温度（例えば、内槽１３で約１２０℃）になる。半導体ウェーハの洗浄処理が行われているときは、バルブ２７が閉じられ、バルブ２３が開かれて、洗浄液１０１はフィルタ２５を通して循環される。

次に、再生循環ライン５５は、外槽１４に配管された排出口及び洗浄槽１１下部の内槽１３に配管された排出口と、洗浄槽１１下部の内槽１３に配管された導入口とを接続している。バルブ１６を介した内槽１３の排出口、及び外槽１４の排出口は、共にポンプ１７の一端に接続され、ポンプ１７の他端は、バルブ３１を介して、冷却装置３３の一端に接続されている。冷却装置３３の他端は、再生槽３５の一端に接続され、再生槽３５の他端は、冷却装置４１の一端に接続されている。冷却装置４１の他端は、貯留のためのバッファ槽５１の一端に接続され、バッファ槽５１の他端は、ポンプ５３の一端に接続され、ポンプ５３の他端は、内槽１３の導入口に接続されている。

外槽１４に配管された排出口からポンプ１７の他端のバルブ１９とバルブ３１との分岐までは、洗浄循環ライン２９と共用されている。なお、再生槽３５の排出口から、バッファ槽５１の導入口までは、高低差を利用しているが、この間にポンプを設けることは可能である。

洗浄槽１１から冷却装置３３に至るまで、洗浄液１０１は高温である可能性があり、この間の配管は洗浄循環ライン２９と同様に、配管距離ができるだけ短くなるように洗浄槽１１の近傍に配置されている。つまり、冷却装置３３は洗浄循環ライン２９の近傍に配置されている。

冷却装置３３は、例えば、再生循環ライン５５の配管の内側の洗浄液１０１を配管の外側に配置された水等の冷媒により熱を取り除く構造を有し、洗浄液１０１を５０℃以下に冷却することが可能である。冷却装置３３は、より好ましくは室温まで冷却できるとよい。冷却装置３３は、例えば、再生槽３５が階下に置かれる場合など、洗浄槽１１から再生槽３５までの距離が長い場合、安全上必要である。

再生槽３５は、石英ガラス製からなり、１５０℃乃至それ以上に加熱して、洗浄液１０１の中の過酸化水素水の分解により生じた水及び過酸化水素水を蒸発除去して、洗浄液１０１の硫酸の濃度を高める（再生する）ことが可能である。５０℃以下で再生槽３５に送られた洗浄液１０１は、例えば、２５０℃乃至それ以上に加熱されて、再生槽３５から排出される。なお、再生槽３５は、洗浄液１０１と接する一部が石英ガラス製であってもよい。

冷却装置４１は、例えば、冷却装置３３と同様な構造を有し、再生された洗浄液１０１を５０℃以下に冷却することが可能である。冷却装置４１は、より好ましくは室温まで冷却できるとよい。冷却装置４１は、配管距離ができるだけ短くなるように再生槽３５の近傍に配置されている。

バッファ槽５１は、石英ガラス製またはフッ素樹脂製からなり、例えば、洗浄槽１１の容量及び洗浄循環ライン２９一杯の洗浄液１０１を収納できる大きさである。

バッファ槽５１に貯留され、ほぼ室温の再生された洗浄液１０１は、ポンプ５３により、圧力を加えられて内槽１３に送られる。

洗浄液１０１の温度が５０℃以下となる冷却装置３３と再生槽３５との間の距離、及び冷却装置４１から洗浄槽１１までの距離は、比較的長く取ることが可能であり、再生槽３５及びバッファ槽５１は洗浄槽１１とは離して配置することが可能である。その結果、再生槽３５及びバッファ槽５１は、複数の洗浄槽１１と接続して、切り替えて洗浄液１０１の再生を行うことが可能である。

上述した再生循環ライン５５は、洗浄液１０１の洗浄能力の低下及び再生可能という判定に基づいて稼働する。稼働する場合、再生循環ライン５５との共用部以外の洗浄循環ライン２９は止められる。内槽１３及び外槽１４内の洗浄液１０１は、冷却装置３３で冷却されて、再生槽３５の処理能力に合わせて、再生槽３５に送られる。再生槽３５で高温処理され再生された洗浄液１０１は、冷却装置４１で冷却されて、バッファ槽５１に送られて、バッファ槽５１に溜められる。バッファ槽５１に溜まった洗浄液１０１は、ほぼ室温の状態で内槽１３の導入口に戻される。

洗浄循環ライン２９及び再生循環ライン５５について説明したが、次に、洗浄循環、再生循環、及びこれら両循環の間に行われる洗浄液１０１の加熱のための循環を加えて、洗浄システム１の全体の洗浄液循環方法を説明する。

図２に示すように、フィルタ２５を通る洗浄循環ライン２９を稼働させて、洗浄液１０１は、外槽１４と内槽１３との間で循環され、低下の方向に動く温度を加熱装置２１により加熱して、所定の洗浄処理温度（例えば、内槽１３で約１２０℃）に管理される（ステップＳ１１）。洗浄循環ライン２９にあるバルブ１９及びバルブ２３は開き、バルブ２７は閉じている。再生循環ライン５５にあるバルブ１６及びバルブ３１は閉じている。

内槽１３に半導体ウェーハからなる洗浄ロットを投入して、半導体ウェーハの表面の、例えば、レジストを洗浄処理する（ステップＳ１２）。

洗浄処理後、洗浄ロットを内槽１３から搬出する（ステップＳ１３）。

洗浄液１０１の洗浄処理の回数、および／または、洗浄液１０１の比重測定等に基づき、洗浄液１０１を、継続使用可能か、再生する必要があるか、使用不可能かを判定する（ステップＳ１４）。

再生する必要がある場合、内槽１３と外槽１４の洗浄液１０１を冷却装置３３により冷却後、再生槽３５に移送する（ステップＳ１５）。洗浄循環ライン２９にあるバルブ１９は閉じ、再生循環ライン５５にあるバルブ１６及びバルブ３１は開く。なお、再生槽３５の容量が小さい場合、例えば、バルブ３１の開閉により再生槽３５に適する量の洗浄液１０１が送られる。

再生槽３５で洗浄液１０１を２５０℃乃至それ以上で高温処理して、硫酸濃度を高める（再生する）（ステップＳ１６）。

再生された洗浄液１０１を冷却装置４１により冷却後、バッファ槽５１に移送する（ステップＳ１７）。

再生された洗浄液１０１を、バッファ槽５１から内槽１３に移送する（ステップＳ１８）。

バルブ２３を閉じてフィルタ２５を不通として、バルブ２７を開いてバイパスライン２８を通るように設定した後、洗浄循環ライン２９を稼働させて、加熱装置２１により洗浄液１０１の昇温を行う（ステップＳ１９）。洗浄循環ライン２９を循環しながら洗浄液１０１は昇温されて、析出したレジスト成分が、再溶解する。

ステップＳ１９の後、ステップＳ１１に戻る。つまり、洗浄循環ライン２９は、バイパスライン２８からフィルタ２５を通るラインに切り替えられる。

また、洗浄液１０１は、ステップＳ１４で継続使用が可能と判定された場合、ステップＳ１１に戻る。

また、洗浄液１０１は、ステップＳ１４で使用不可能と判定された場合、別のラインまたは洗浄循環ライン２９に設けられた排出口から廃液として排出され、処理される（ステップＳ２０）。図示を省略してあるが、洗浄液１０１が廃液として処理された後、新しい洗浄液１０１が洗浄槽１１に補充された後、ステップＳ１１からスタートする。

上述したように、ほぼ室温の再生された洗浄液１０１は、洗浄槽１１に戻されて、昇温中はバイパスライン２８を循環されるので、フィルタ２５を詰まらせる可能性はなく、洗浄処理温度になると、切り替えられてフィルタ２５を通る洗浄循環ライン２９を循環するが、この段階では、析出したレジスト成分は再溶解しているので、レジスト成分がフィルタ２５を詰まらせる可能性は抑えられる。

つまり、再生した洗浄液１０１は、析出したレジストが再溶解するまでバイパスライン２８を循環されて、洗浄処理温度になってからフィルタ２５を通るので、洗浄システム１は、洗浄液１０１中のレジスト成分によってフィルタ２５の交換が頻繁になることを抑制できる。また、洗浄液１０１の中のレジスト成分が増加しても、溶解度内であれば、再溶解されるので、洗浄液１０１は複数回にわたって使用可能となる。

また、洗浄システム１の再生循環ライン５５には、冷却装置３３が配置されているので、冷却装置３３を通過した洗浄液１０１を比較的遠くまで、安全に移送することが可能である。その結果、１組の再生槽３５とバッファ槽５１等は、複数の洗浄槽１１と接続して、時差を設けて、切り替えて洗浄液１０１の再生を行うことが可能である。複数の洗浄槽１１を必要とする場合、洗浄システム１はより効率的なシステムとして構成することが可能となる。また、洗浄槽１１と再生槽３５及びバッファ槽５１等とは、離して置くことが可能なので、製造ライン等のレイアウトの自由度が高められる。

本発明の実施例２に係る洗浄システム及び洗浄液循環方法について、図３及び図４を参照しながら説明する。図３は洗浄システムを模式的に示す構成図である。図４は洗浄システムの予備加熱装置を模式的に示す構成図である。洗浄循環ラインはフィルタを通り、再生循環ラインは予備加熱装置が接続されている点が、実施例１とは異なる。以下、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。

図３に示すように、洗浄システム２は、洗浄液１０１を収容する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の排出口と洗浄槽１１の導入口との間に、順に、第１の加熱手段である加熱装置２１とフィルタ２５とを有する洗浄循環ライン７１と、洗浄槽１１の排出口と洗浄槽１１の導入口との間に、順に、冷却装置３３、洗浄液１０１の硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽３５、冷却装置４１、バッファ槽５１、及び第２の加熱手段である予備加熱装置７３を有する再生循環ライン７５とを備えている。

洗浄循環ライン７１は、実施例１の洗浄システム１の洗浄循環ライン２９と比較して異なる点において、バイパスライン２８を除去し、更にフィルタ２５の直前に配置されたバルブ２３を除去した構成である。

再生循環ライン７５は、実施例１の洗浄システム１の再生循環ライン５５と比較して異なる点において、ポンプ５３の送出側が、予備加熱装置７３を介して、洗浄槽１１下部の内槽１３の導入口に配管されている。予備加熱装置７３は、加熱された洗浄液１０１を送り出すので洗浄槽１１に近接して配置される。

図４に示すように、予備加熱装置７３は、再生循環ライン７５から洗浄液１０１を導入する導入口を有する昇温槽７７と、昇温槽７７に配管された排出口、ポンプ８１、バルブ８３、及び加熱装置７９を順に通り、昇温槽７７に配管された導入口に戻る加熱循環ライン８７とを備えている。加熱循環ライン８７は、ポンプ８１とバルブ８３との間で分岐されて、バルブ８５及び再生循環ライン７５を介して、洗浄槽１１へ接続されている。

ほぼ室温の洗浄液１０１は、再生ライン７５から昇温槽７７に導入された後、ポンプ８１で圧力を加えられて、開かれているバルブ８３を通り、加熱装置７９で加熱され、昇温槽７７の導入口に戻される。この洗浄液１０１を加熱するとき、バルブ８５は閉じられている。所定の温度になった洗浄液１０１は、バルブ８５が開かれ、バルブ８３が閉じられて、加熱循環ライン８７から分岐した再生ライン７５を通って、内槽１３の導入口に送られる。洗浄液１０１は、内槽１３における洗浄処理に必要な温度にまで高められることが可能である。

次に、洗浄循環、再生循環、及びこれら両循環の間に行われる洗浄液１０１の加熱のための循環を加えて、洗浄システム３の全体の洗浄液循環方法を、図２に示すフローチャートを基に、異なる部分を説明する。

図２に示すステップＳ１１と同様に、フィルタ２５を通る洗浄循環ライン７１を稼働させて、洗浄液１０１は、外槽１４と内槽１３との間で循環され、低下の方向に動く温度を加熱装置２１により加熱して、一定温度に管理される（ステップＳ１１）。再生循環ライン７５にあるバルブ１６、及びバルブ３１は閉じている。

ステップＳ１５と同様に、再生する必要がある場合、内槽１３と外槽１４の洗浄液１０１を冷却装置３３により冷却後、再生槽３５に移送する（ステップＳ１５）。洗浄循環ライン７１にあるバルブ１９は閉じ、再生循環ライン７５にあるバルブ１６、及びバルブ３１は開く。

ステップＳ１８とは少し異なり、バッファ槽５１でほぼ室温に保持されて、洗浄液１０１を予備加熱装置７３を介して、内槽１３に移す（ステップＳ１８ａ）。洗浄液１０１は、例えば、ほぼ洗浄処理に必要な温度にまで高められる。

ステップＳ１９とは少し異なり、バルブ１６、及びバルブ３１を閉じて、バルブ１９を開いた後、洗浄循環ライン７１を稼働させて、加熱装置２１により洗浄液１０１の昇温または調整を行う（ステップＳ１９ａ）。

上述したように、洗浄システム２は、実施例１の洗浄システム１と比較して、予備加熱装置７３を有して、加熱された洗浄液１０１が洗浄槽１１に導入されるので、バイパスライン２８が不要となっている。再生した洗浄液１０１を予備加熱装置７３によりほぼ洗浄処理に必要な温度にまで高められるので、洗浄循環ライン７１により所定の温度に到達する時間は大幅に短縮可能である。その他は、ほとんど同様な構成となっており、洗浄システム２は、洗浄システム１が有する効果を同様に有している。

以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。

例えば、本実施例では、洗浄液がＳＰＭ洗浄液である例を示したが、他の洗浄等に使われる水を含む組成の異なる処理液であっても可能である。この場合、他の処理液は、循環して使用され、処理温度より高温で石英ガラスを有する高温加熱槽（再生槽）内で、例えば、再生処理がなされる。

本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
（付記１） 第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、加熱された前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の加熱手段を通過して、濾過手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第２の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から、前記洗浄槽の導入口に接近して配置された第２の加熱手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインとを有する洗浄システム。

（付記２） 前記バッファ槽は、ほぼ室温に保持される付記１に記載の洗浄システム。

（付記３） 前記第２の加熱手段は、昇温槽、ポンプ、及び加熱装置を有する加熱循環ラインをなしている付記１に記載の洗浄システム。

本発明の実施例１に係る洗浄システムを模式的に示す構成図。 本発明の実施例１に係る洗浄液循環方法の概略手順を示すフローチャート。 本発明の実施例２に係る洗浄システムを模式的に示す構成図。 本発明の実施例２に係る洗浄システムの予備加熱装置を模式的に示す構成図。

符号の説明

１、２ 洗浄システム
１１ 洗浄槽
１３ 内槽
１４ 外槽
１６、１９、２３、２７、３１、８３、８５ バルブ
１７、５３、８１ ポンプ
２１、７９ 加熱装置
２５ フィルタ
２８ バイパスライン
２９、７１ 洗浄循環ライン
３３、４１ 冷却装置
３５ 再生槽
５１ バッファ槽
５５、７５ 再生循環ライン
７３ 予備加熱装置
７７ 昇温槽
８７ 加熱循環ライン
１０１ 洗浄液

Claims (5)

1. 第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、
   前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、加熱手段を通過して、切り替えて使用される濾過手段またはバイパス手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、
   前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第２の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインと、
   を有することを特徴とする洗浄システム。
2. 第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、
   加熱された前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の加熱手段を通過して、濾過手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、
   前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第１の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第２の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から、前記洗浄槽の導入口に接近して配置された第２の加熱手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインと、
   を有することを特徴とする洗浄システム。
3. 前記第１の薬液は硫酸であり、前記第２の薬液は過酸化水素水であることを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄システム。
4. 第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を、洗浄槽から排出して、加熱手段と濾過手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い、室温より高い洗浄処理温度で洗浄処理を行う工程と、
   前記第１の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第１の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、
   再生された前記洗浄液を第２の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程と、
   再生された前記洗浄液を前記洗浄槽から排出して、前記加熱手段と前記濾過手段を迂回したバイパス手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い前記洗浄処理温度に高める工程と、
   を有することを特徴とする洗浄液循環方法。
5. 第１の薬液及び第２の薬液が含まれる洗浄液を、洗浄槽から排出して、第１の加熱手段と濾過手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い、室温より高い洗浄処理温度で洗浄処理を行う工程と、
   前記第１の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第１の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第１の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、
   再生された前記洗浄液を第２の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を、第２の加熱手段を介して、前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程と、
   を有することを特徴とする洗浄液循環方法。

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