JP4944558B2 - エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents

エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置 Download PDF

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Description

本発明は、窒化珪素膜のエッチングに使用されたエッチング液(燐酸水溶液)の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置に関し、特に、エッチング処理によってエッチング液中に含まれる珪素化合物(窒化珪素と燐酸との反応生成物)を常に効率よく除去する技術に関する。
各種基板などの量産ラインにおけるエッチング処理では、槽内のエッチング液を清浄に保つため、エッチング液を濾過循環して、エッチング液中のゴミなどの異物を除去しながら、エッチングを連続的に行う。これは、加熱された燐酸水溶液(エッチング液)による窒化珪素膜のエッチングにおいても同様であり、エッチング液を濾過循環し、エッチング液中に析出した珪素化合物を他の異物とともに濾過して浄化して連続的にエッチングを行なっている(特許文献1)。
ところが、上記の方法では、同じエッチング液で繰り返して処理を行うと、エッチング液中の珪素化合物の濃度が高くなり、エッチングレートが低下するという問題点があった。これを解決するため、エッチング液を濾過循環する際、冷却機能付きのフィルターを用い、フィルター自身を冷却することにより効率よくエッチング液中の珪素化合物を除去する方法が提案されている(特許文献2)。
また、他の方法として、エッチング液を濾過するフィルターに純水を供給してフィルターに蓄積された珪素化合物を溶解除去するほうが提案されている(特許文献3)。
更に、他の方法として、エッチング液を濾過する際、濾過直前に水を添加し、エッチング液としての燐酸の温度分布を不均一にし、除去効率を上げるほうが提案されており、この方法においては、エッチング液を濾過するフィルターを並列に装着し、燐酸溶液の交換時に、一方を洗浄用として使用し、フィルターを効率よく使用するほうが提案されている(特許文献4)。
特公平3−20895号 特開平9−219388号 特開平6−310487号 特開2005−260179号
しかしながら、上記特許文献1、2および3に記載のエッチング液の再生方法や装置では、フィルターの使用中に、珪素化合物が蓄積されていき、目詰まりが生じるため、一旦装置を止めて、フィルター内に蓄積された珪素化合物を水洗等の方法により、除去する必要があった。このため定期的に装置を停止しなければならず、極めて非効率的であった。
一方、特許文献4に記載の方法によれば、フィルターを並列に複数設置し、フィルター内に珪素化合物が蓄積され、目詰まりが生じるようになった場合、バルブによってフィルターを切り替え、目詰まりしたフィルターは、水により洗浄し、同時に、他方のフィルターにエッチング液を流し、装置を停止することなく、濾過を行っていた。
然しながら、発明者の実験により、フィルターによる珪素化合物の除去量は、フィルターへの珪素化合物の蓄積量が増加するに従って、上昇することが判明した。即ち、新規な珪素化合物の蓄積がない濾材又は、洗浄により蓄積した珪素化合物を除去した洗浄直後の珪素化合物の蓄積がない濾材による珪素化合物の除去量は、極めて少なく、フィルターの使用時間が経過するにつれて、珪素化合物の除去量が増加し、除去量は、10倍以上となることが判った。しかし、一定時間以上使用し続けると、フィルターは、目詰まりが生じ、使用できなくなる。
このため、特許文献1ないし4に記載の従来のエッチング液の再生法においては、フィルターの使用開始及び洗浄処理後の再使用の開始から一定の期間、常に、除去効率の低いフィルターを使用しなければならなった。これは、装置を一旦停止して、フィルターを洗浄する場合においても、フィルターを並列に複数設置して、装置を停止することなく、切り替えて使用する場合においても、同様であった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、上記の従来方法の欠点を解消し、常に一定期間以上使用し、既に珪素化合物を一定量以上蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有するフィルターを常時用いることにより、常に、除去効率のよい状態でエッチング液中の珪素化合物を除去することが出来、エッチング液中において生成する珪素化合物の除去が極めて効率的で、工業的プロセスに一層適し、エッチング液の再生処理経費を低減することのできるエッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するため、処理槽内において、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングし、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を処理槽から取り出し、前記取り出したエッチング液から前記珪素化合物をフィルターによって除去し、前記エッチング液を再生する方法において、前記取り出したエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターを並列、直列に交互に切り替えて接続し、運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給することにより、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態に維持しながら、珪素化合物を除去することを特徴とするエッチング液の再生方法を提供することにある。
また、第2の解決課題は、処理槽内において、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングし、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を処理槽から取り出し、前記取り出したエッチング液から前記珪素化合物をフィルターによって除去し、前記エッチング液を再生する方法において、
1)前記取り出したエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターを並列、直列に交互に切り替えて接続し、
2)前記複数のフィルターを直列接続する場合、蓄積した珪素化合物を除去した洗浄直後又は未使用の珪素化合物の蓄積がない濾材を有する一方のフィルターを前記流路の上流に設置し、珪素除去速度が高くなるまで珪素化合物を前記一方のフィルターの濾材に蓄積するとともに、前記一方のフィルターの濾材の下流に、既に珪素化合物を蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有する他方のフィルターを設置し、前記取り出したエッチング液を順次、前記複数のフィルターに直列に供給し、
3)前記複数のフィルターを並列接続する場合、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有する一方のフィルターに供給するとともに、他方のフィルターを前記取り出したエッチング液の循環回路から外し、洗浄用として使用し、
運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、常に、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給することにより、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態維持しながら、珪素化合物を除去することを特徴とするエッチング液の再生方法を提供することにある。
また、第3の解決課題は、前記複数のフィルターの配管流路の直列での使用の時間を、フィルターによる珪素化合物の目詰まりまでの蓄積最大量の10分の1ないし2分の1に相当する時間とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング液の再生方法を提供することにある。
また、第4の解決課題は、処理槽内において、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングするエッチング工程と、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を処理槽から取り出し、これを濾過して処理槽に循環する循環濾過工程と、前記循環濾過工程からエッチング液の一部を取り出し、前記取り出した一部のエッチング液に水を加えて、該エッチング液に析出した珪素化合物を濾過によって除去し、前記エッチング液を再生する燐酸水溶液再生工程とよりなるエッチング方法において、請求項1ないし3の何れか一項に記載の方法によってエッチング液を再生する工程と該再生したエッチング液を前記エッチング工程の前記処理槽に戻す工程とを有することを特徴とするエッチング方法を提供することにある。
また、第5の解決課題は、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングする処理槽1からなるエッチング部と、前記エッチング部のエッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を前記処理槽から取り出してフィルターによって濾過して前記処理槽1に循環する循環濾過部と、前記循環濾過部から前記エッチング液の一部を取り出し、前記珪素化合物を除去し、前記エッチング液を再生する燐酸水溶液再生部からなるエッチング装置において、前記燐酸水溶液再生部のエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターと前記複数のフィルターの配管流路を並列、直列に交互に切り替えるための複数のバルブを設け、前記エッチング液が流れる配管流路を直列、並列に自動的に切り替えることにより、運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給し、常に、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態に維持してエッチングすることを特徴とするエッチング装置を提供することにある。
尚、本発明においては、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給するものであるが、最初の運転の立ち上げ時の一定時間のみにおいては、複数のフィルターの一つのみに通液し、他のフィルターは、休止しておくため、この時間帯のみは、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給できないが、本発明は、このような形態を排除するものではない。
本発明によれば、燐酸水溶液を使用する窒化珪素膜のエッチング液を対象とし、常に一定期間以上使用し、既に珪素化合物を一定量以上蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有するフィルターを常時用いることにより、常に、除去効率のよい状態でエッチング液中の珪素化合物を除去することが出来、エッチング液中において生成する珪素化合物の除去が極めて効率的で、工業的プロセスに一層適し、エッチング液の再生処理経費を低減することができる。
以下、本発明を実施の形態として示した図面を参照しつつ説明する。図1は本発明によるエッチング装置の全体模式構成図であり、エッチング部12と循環濾過経路部13と燐酸水溶液再生部14とにより構成されている。エッチング部12は、複数のウエハ11を150℃〜180℃に加熱した燐酸水溶液(エッチング液)に浸して、ウエハ11の表面に存在している窒化珪素膜や酸化珪素膜や珪素などの内、窒化珪素膜を選択的にエッチングすることを目的とした処理槽1を主体としている。循環濾過経路部13は、処理槽1から溢流した燐酸水溶液を濾過、加熱及び純水添加工程を経て再び処理槽1へ戻すためのものである。燐酸水溶液再生部14は、循環濾過経路部13から燐酸水溶液を分岐して同燐酸水溶液中に珪素化合物として存在している珪素濃度を下げ、当該エッチング液に使用可能な珪素濃度の燐酸水溶液に再生して、ヒーター4を経由して、処理槽1の底部へ戻すためのものである。以下、エッチング部12と循環濾過経路部13と燐酸水溶液再生部14について詳述する。
(エッチング部12)
エッチング部12には、処理槽1と共に自動移送ロボット等(図示せず)が配置され、ウエハ11が処理槽1の槽本体内に出し入れされて、エッチング処理される。処理槽1は、内槽1a及び溢流部1cで槽本体を構成しているオーバーフロー槽であり、内槽1a上端から溢れる燐酸水溶液を外周に形成している溢流部1cで受け入れている。内槽1aには、発熱体である面ヒーター1bが内設されている。また、液の導入・排出構造は、溢流部1cの上側に設けられて燐酸水溶液を補給する場合に開閉する自動バルブV−14と、溢流部1cの底壁に設けられ、溢流した燐酸水溶液を循環濾過経路部13へ排出する排出口1dと、内槽1a底面に設けられ、循環濾過経路部13で処理された燐酸水溶液を処理槽1の本体内に導入する供給口1eとからなる。制御系としては、溢流部1cの燐酸水溶液液面を計測する複数の液面センサー(図示せず)と、内槽1aの燐酸水溶液の液温度を検出する温度センサーと、該温度センサーによる検出温度を基にして前記した面ヒーター1bを制御して燐酸水溶液を一定の所定温度に維持するヒーターコントローラが設けられている。
(循環濾過経路部13)
循環濾過経路部13は、溢流部1cに設けられた排出口1dから排出される燐酸水溶液を、内槽1a底面に設けられた供給口1eから処理槽1の槽本体に戻すためのポンプ2と、その燐酸水溶液を濾過するフィルター3と、この濾過した燐酸水溶液を一定の所定温度にする加熱器であるヒーター4と、このヒーター4を制御するための内槽1a内に設けられた温度センサー及びヒーターコントローラと、その一定温度に加温された燐酸水溶液に所定量の純水を添加するための自動弁V−2とを備えている。即ち、ここでは、溢流部1cから排出されたエッチング液つまり燐酸水溶液について、まず、フィルター3により燐酸水溶液を濾過する。次に、燐酸水溶液は、ヒーター4で一定の温度まで加温された後、適切な純水添加となるように自動弁V−2で開閉して燐酸水溶液濃度が一定に保たれるよう調整され、処理槽1本体内へ戻される。なお、ヒーター4は溢流部1cから排出された燐酸水溶液の温度が少し下がるため加温し、自動弁V−2は蒸発に起因した燐酸水溶液濃度の変動を補正し、フィルター3は燐酸水溶液中の不純物(析出された酸化珪素を含む)を除去する。従って、フィルター3の濾過は、溢流部1cから排出された燐酸水溶液を加温する前に行うことが重要となる。
(燐酸水溶液再生装置14)
燐酸水溶液再生部14は、循環濾過経路部13において、ポンプ2とフィルター3の間の配管部に設けられた分岐配管16及び流量調節手段(ニードル弁V−1と自動弁V−3)を介し循環濾過経路部13を流れる燐酸水溶液の適量を流量調節手段(自動弁V−8)にて流量制御された純水で希釈され、熱交換器5にて100℃以下まで冷却された後、晶析タンク6で回収される。晶析タンク6で回収された燐酸水溶液は、ポンプ7を用いてフィルター8aもしくは、8bに送液される。送液された燐酸水溶液は、希釈され、さらに冷却されることによる飽和濃度の低下によって珪素化合物が結晶物として析出し、フィルター8a、8bにより燐酸水溶液中より取り除かれる。一定量の珪素化合物が結晶物として大量に蓄積すると、濾過抵抗が増大し、通液することができなくなる。フィルター8a、8bは、自動弁V−4a、V−4b、V−5a、V−5b、V−11a、V−11bによって、並列、直列に交互に切り替えて使用できるよう接続されている。
フィルター8aと8bは、運転開始前は、並列に接続され、最初、一方のフィルター8aのみを使用し、フィルター8aの濾過抵抗がある程度増大するまでフィルター8bは、休止しておく。フィルター8aに送液される燐酸水溶液中の珪素化合物の濃度は、飽和濃度を超えると、結晶物として析出し、成長するが、フィルター8aに珪素化合物が蓄積されていくと、それを核として珪素化合物が析出しやすくなり、珪素化合物の珪素除去速度が上がり、珪素化合物の珪素除去速度が上がる。フィルター8a内に珪素化合物が蓄積され、珪素除去速度が高くなったとき、自動弁V−4a、V−4b、V−5a、V−5b、V−11a、V−11bによって、フィルター8a、8bを直列に切り替える。フィルター8a、8bを直列に切り替える場合、未使用で珪素化合物の蓄積がないフィルター8bを上流側とし、このフィルター8b内に珪素除去速度が高くなるまで珪素化合物を蓄積できるようにし、既に珪素化合物を蓄積し、珪素除去速度が高くなったフィルター8aを下流側となるように接続する。そして、フィルター8b内に珪素が蓄積量し、珪素除去速度が高くなった段階で、フィルター8a、8bは、自動弁V−4a、V−4b、V−5a、V−5b、V−11a、V−11bによって、並列に切り替え、フィルター8aには、洗浄液を供給してこれを洗浄用として使用する。一方、珪素化合物を蓄積した珪素除去速度が高くなったフィルター8bのみに、前記取り出したエッチング液を供給し、このフィルター8bのみによって、前記珪素化合物を除去する。
次に、燐酸水溶液再生装置14の動作の一例について、詳述する。運転開始前に、まず、自動弁V−4a、V−5aを開き、その他のバルブV−4b、V−5b、V−11a、V−11bを閉じたままで燐酸水溶液をフィルター8aに通液させ、濾過する。フィルター8aに珪素化合物が蓄積すると濾過抵抗が増大する。ポンプ7には動作スピードが検出できるようにセンサーがついており、そのセンサーで珪素化合物の蓄積量を推測するか、もしくは、濾過時間やウエハエッチング時間にて蓄積量を推測し、フィルター8aの珪素蓄積量が一定量以上になったとき、V−4b、V−11bを開け、V−4aを閉じ、フィルター8aとフィルター8bを直列に接続し、運転を開始する。これによりフィルター8bに燐酸水溶液が通液された後、フィルター8aで濾過が行われ、フィルター8bの珪素除去速度が低くても、すでに珪素化合物が蓄積されている珪素除去速度の高いフィルター8aで濾過されることで高い珪素除去速度を維持しながら、フィルター8bに珪素化合物を蓄積させることができる。
フィルター8aは珪素化合物の蓄積量が多いことから、さらに運転すると濾過抵抗が過大となり通液できなくなる。そこで、フィルター8aより珪素化合物を取り除くための洗浄が必要となるが、直列接続によりフィルター8bへ珪素化合物が蓄積され、珪素除去速度が高くなっているため、フィルター8aを自動弁V−5a、V−11bを閉じ、V−5bを開けることで濾過経路から外し、フィルター8bのみに燐酸水溶液を通液する一方、自動弁V−9a、V−10aを開けることでフィルター8aにHFによる洗浄を実施する。これらの操作により、珪素化合物の除去を中断することなく、高い珪素除去速度を維持することができ、またフィルター8bの珪素蓄積量が多くなる前に、再び接続できるようにフィルター8aより珪素化合物を取り除くことができる。フィルター8aの洗浄は具体的な動作説明を省略するが、HFによりフィルター8a内の珪素化合物を溶解させ、その後DIW(純水)にてHF成分を洗い流す。
洗浄終了後、フィルター8b内の珪素蓄積量が増大し、通液できなくなる前に自動弁V−4a、V−11aを開けてV−4bを閉じて、フィルター8aとフィルター8bを再び、直列に接続し濾過を行う。フィルター8aに珪素化合物が蓄積し珪素除去速度が高くなった後、自動弁V−5aを開け、V−11a、V−5bを閉める、フィルター8bを外してフィルター8aのみに燐酸水溶液を通液する一方、自動弁V−9b、V−10bを開けることでHFによる洗浄をフィルター8bに実施する。これらの操作を繰り返し行う。フィルター8aもしくは8bを流れ出た燐酸水溶液は、濃縮槽9の液面レベルが満液未満の場合は自動弁V−7を開き、V−6を閉じて、燐酸水溶液を送液する。濃縮槽9の液面レベルが満液以上となった場合は、自動弁V−7を閉めて、V−6を開き晶析タンク6に戻し循環濾過を行う。濃縮槽に送られた燐酸は処理槽1の燐酸水溶液の温度160℃に近い温度までヒーター9bにて加熱し、自動弁V−8にて加えた純水を蒸発させ、V−12を開き珪素化合物が取り除かれた燐酸水溶液を循環濾過経路部13へ送液する。送液する燐酸水溶液の温度を高い温度で維持するために分岐点19より、一部を濃縮槽へ流量調整弁11を経て濃縮槽9へ戻す。また、分岐配管20を極力短くすることで温度低下を防止する。
以下、具体的な実施の一例を示す。
半導体ウエハなどの表面に素子分離膜として酸化珪素膜を形成する。この形成の工程においてウエハ表面に酸化珪素膜と窒化珪素膜が存在し、窒化珪素膜を選択的にエッチングするために、エッチング液として濃度約85〜90質量%の燐酸水溶液が使用されている。上記燐酸水溶液により窒化珪素膜をエッチングすると、窒化珪素膜の珪素成分が燐酸中に溶け出し、珪素化合物が生成し、該珪素化合物が燐酸水溶液中に徐々に蓄積される。即ち、この燐酸によるエッチングにおいては、酸化珪素膜を残して、窒化珪素膜だけをエッチングすることを目的としている。ところが、酸化珪素膜もわずかであるが、エッチングされ、燐酸中に珪素が溶け込むと、その珪素が酸化膜のエッチングの阻害剤となり、珪素が60ppm以上溶け込んでいると、酸化膜がエッチングされなくなる。製造プロセスにおいては、酸化膜をエッチングしないようにしたいため、燐酸中の珪素濃度が、濃度計21で60ppm以上の珪素濃度での燐酸処理が望ましい。即ち、60ppm以上にして実施すると、酸化膜がほとんど削れなくなり、窒化膜のみをエッチングすることができる。このため、燐酸中の珪素濃度が濃度計21で60ppm以上となるように燐酸中の珪素濃度を制御するように、燐酸水溶液中の珪素濃度を測定し、60ppm以下であれば、燐酸再生部への燐酸供給量を停止し、濃度計21で60ppm以上のときに燐酸再生を実施する。これにより窒化膜エッチングによる増加分のみだけがフィルター内に蓄積されるため、濃度計21で60ppm以上に達した後からの、窒化膜のエッチング時間を計測することにより、フィルター内に蓄積される珪素の量を推測することができる。尚、濃度計21は、図1においては、フィルター3の近くに設けられているが、これに限定されることなく、処理槽1若しくは熱交換器5の後方又はその他の場所に設けても良い。
Figure 0004944558
実施例1においては、ポンプ2を動作させ、ヒーター4と処理槽のヒーター1bを制御し、自動弁V−2にて純水量を添加することで燐酸水溶液を沸騰させながら160℃で温度制御した。この状態で処理槽1に窒化珪素膜付着の1500Åの6インチ、窒化膜ウエハ11を入れて燐酸水溶液容量35L(60kg)にて、累積エッチング時間が500分(約8時間)までエッチングした。その後、燐酸中の珪素濃度が、濃度計21で60ppm以上となるように再生処理を制御し、フィルター8aを使用し始める。使用開始後から1260分までは、つまり、21時間まではフィルター使用開始後フィルター8aの珪素除去速度が徐々に高くなっていく。その間、約6gフィルターに蓄積されている。その後、フィルター8bをフィルター8aの上流側に設置するようにする。1470分後である累積エッチング時間が2730分後つまり約50時間後フィルター8bに珪素が約6g蓄積し、珪素除去速度が大きくなる。そこで、フィルター8aを切り離し洗浄し、フィルター8bのみを使用する。フィルター8aには珪素が約12g蓄積した。フィルター8aの洗浄時間は6時間で、常時、ウエハはエッチングを行っていないため、エッチングしていない時間があることから累積エッチング時間にして3030分(約50時間)後にフィルター洗浄が完了する。その後、フィルター8aをフィルター8bの上流側に設置し、フィルター8aに珪素を蓄積する。1470分後である累積エッチング時間が4500分後、フィルター8aに珪素が約6g蓄積し、珪素除去速度が大きくなる。そこで、フィルター8bを切り離し洗浄し、フィルター8aのみを使用する。フィルター8bには珪素が約12g蓄積した。ウエハエッチング時間と燐酸中珪素濃度の関係及びフィルター8aとフィルター8bの使用状況は、図2に示すとおりであり、ウエハエッチング時間とフィルター8aとフィルター8bの珪素蓄積量との関係は、図3に示す通りである。このような操作を繰り返すことによって、運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、常に、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給することができ、常に、燐酸再生部での珪素除去速度を高く維持することができた。
フィルター8aとフィルター8bの切り替え時間のみを図4に示す条件に変え、他の条件は、全て実施例1と同様な条件にて実施した結果を表2及び図5に示した。その結果、実施例1と同様に、運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、常に、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給することができ、常に、燐酸再生部での珪素除去速度を高く維持することができた。
Figure 0004944558
フィルター8aとフィルター8bを直列に接続する時間は、図2及び図4より、最大で、各フィルターは、珪素蓄積のための2回の使用と1回の洗浄時間の間使用するので、フィルター目詰まりまでの珪素蓄積量の2分の1より短い時間で切り替えることが好ましい。一方、その時間が短すぎると、フィルターへの珪素蓄積量が不十分となり、珪素除去速度が高くなるまで珪素化合物がフィルターに蓄積されないため、ある程度以上の使用が必要となる。フィルター目詰まりまでの最大珪素蓄積量は、図6に示す通りであり、29グラムないし43グラムであることが判った。そのため、フィルター内の珪素蓄積量が14.5グラムないし21.5グラムになる時点で、フィルター8aとフィルター8bの直列接続を並列接続に切り替えることが好ましい。図7は、珪素蓄積量と珪素除去速度を示したものであり、珪素蓄積量は、5グラムを超えると、珪素除去速度は、25mg/分となり、略最大になることがわかった。この5グラムは、フィルター目詰まりまでの最大珪素蓄積量である、29グラムないし43グラムの0.17ないし0.11である。従って、フィルター8aとフィルター8bを直列に接続する時間は、フィルターによる珪素化合物の目詰まりまでの蓄積最大量の10分の1ないし2分の1に相当する時間とすることが好ましい。
本発明は、上記の実施例に何ら制約されるものではなく、種々変形し、展開することが可能である。上記の実施例においては、フィルター8a、8bと2本のフィルターを並列、直列に交互に接続する例を示しているが、本発明の範囲内の他の実施態様として、3本のフィルター又はそれ以上のフィルターを組み合わせて接続することが出来、使用するウエハーの大きさ、枚数、エッチング時間、エッチング量等に応じて、洗浄時間が長時間になる場合や、蓄積量が多い場合に適宜変更して使用できるものである。
以上の実施例からも明らかなように、本発明にあっては、燐酸水溶液を使用する窒化珪素膜のエッチング液を対象とし、常に一定期間以上使用し、既に珪素化合物を一定量以上蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有するフィルターを常時用いることにより、常に、除去効率のよい状態でエッチング液中の珪素化合物を除去することが出来、エッチング液中において生成する珪素化合物の除去が極めて効率的で、工業的プロセスに一層適し、エッチング液の再生処理経費を低減することができる。
本発明によるエッチング装置の全体模式構成図。 実施例1における、ウエハエッチング時間と燐酸中珪素濃度の関係及びフィルター8aとフィルター8bの使用状況を示す図。 実施例1における、ウエハエッチング時間とフィルター8aとフィルター8bの珪素蓄積量との関係を示す図。 実施例2における、ウエハエッチング時間と燐酸中珪素濃度の関係及びフィルター8aとフィルター8bの使用状況を示す図。 実施例2における、動作時間と処理槽内の珪素濃度及び珪素除去速度との関係を示す図。 フィルター目詰まりまでの最大珪素蓄積量を示す図。 珪素蓄積量と珪素除去速度との関係を示す図。
符号の説明
1:処理槽
1a:内槽
1b:面ヒーター
1c:溢流部
1d:排出口
1e:供給口
2:ポンプ
3:フィルター
4:ヒーター
5:熱交換器
6:晶析タンク
7:ポンプ
8a:フィルター
8b:フィルター
9:濃縮槽
9a:濃縮液
9b:ヒーター
10:ポンプ
11:ウエハ
12:エッチング部
13:循環濾過部
14:燐酸水溶液再生部
16:分岐配管
17:分岐点
19:分岐点
20:分岐配管
21:濃度計
V−1、V−2、V−3、V−4a、V−4b、V−5a、V−5b、V−6、V−7、V−8、V−9a、V−9b、V−10a、V−10b、V−11、V−11a、V−11b、V−12、V−13、V−14:バルブ

Claims (5)

  1. 処理槽内において、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングし、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を処理槽から取り出し、前記取り出したエッチング液から前記珪素化合物をフィルターによって除去し、前記エッチング液を再生する方法において、前記取り出したエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターを並列、直列に交互に切り替えて接続し、運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、前記取り出したエッチング液を、常に、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給することにより、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態に維持しながら、珪素化合物を除去することを特徴とするエッチング液の再生方法。
  2. 処理槽内において、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングし、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を処理槽から取り出し、前記取り出したエッチング液から前記珪素化合物をフィルターによって除去し、前記エッチング液を再生する方法において、
    1)前記取り出したエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターを並列、直列に交互に切り替えて接続し、
    2)前記複数のフィルターを直列接続する場合、蓄積した珪素化合物を除去した洗浄直後又は未使用の珪素化合物の蓄積がない濾材を有する一方のフィルターを前記流路の上流に設置し、珪素除去速度が高くなるまで珪素化合物を前記一方のフィルターの濾材に蓄積するとともに、前記一方のフィルターの濾材の下流に、既に珪素化合物を蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有する他方のフィルターを設置し、前記取り出したエッチング液を順次、前記複数のフィルターに直列に供給し、
    3)前記複数のフィルターを並列接続する場合、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素除去速度の高い濾材を有する一方のフィルターに供給するとともに、他方のフィルターを前記取り出したエッチング液の循環回路から外し、洗浄用として使用し、
    運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、常に、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給することにより、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態に維持しながら、珪素化合物を除去することを特徴とする請求項1に記載のエッチング液の再生方法。
  3. 前記複数のフィルターの直列での使用の時間を、前記複数のフィルターによる珪素化合物の目詰まりまでの蓄積最大量の10分の1ないし2分の1に相当する時間とすることを特徴とする請求項1または2に記載のエッチング液の再生方法。
  4. 処理槽内において、燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングするエッチング工程と、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を処理槽から取り出し、これを濾過して処理槽に循環する循環濾過工程と、前記循環濾過工程からエッチング液の一部を取り出し、前記取り出した一部のエッチング液に水を加えて、該エッチング液に析出した珪素化合物を濾過によって除去し、前記エッチング液を再生する燐酸水溶液再生処理工程とよりなるエッチング方法において、請求項1ないし3の何れか一項に記載の方法によってエッチング液を再生する工程と該再生したエッチング液を前記エッチング工程の前記処理槽に戻す工程とを有することを特徴とするエッチング方法。
  5. 燐酸水溶液からなるエッチング液を用いて窒化珪素膜をエッチングする処理槽からなるエッチング部と、前記エッチング部のエッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液を前記処理槽から取り出してフィルターによって濾過して前記処理槽に循環する循環濾過部と、前記循環濾過部から前記エッチング液の一部を取り出し、前記珪素化合物を除去し、前記エッチング液を再生する燐酸水溶液再生部からなるエッチング装置において、前記燐酸水溶液再生部のエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターと前記複数のフィルターを並列、直列に交互に切り替えるための複数のバルブを設け、前記エッチング液が流れる配管流路を並列、直列に交互に自動的に切り替えることにより、運転開始時の前記複数のフィルターの最初の並列接続の場合を除き、前記取り出したエッチング液を、既に珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有する少なくとも一つのフィルターに供給し、常に、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態に維持してエッチングすることを特徴とするエッチング装置。
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KR1020070102533A KR20080033865A (ko) 2006-10-12 2007-10-11 에칭액의 재생방법, 에칭방법 및 에칭장치
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010010638A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 日本バルカー工業株式会社 リン酸含有処理液の再生方法
KR101021784B1 (ko) * 2008-10-22 2011-03-17 주식회사 에스씨티 나노막필터를 이용한 에칭액의 재생 장치 및 그 재생방법
TWI358327B (en) * 2008-11-19 2012-02-21 Inotera Memories Inc Chemical treatment apparatus
DE112010001432T5 (de) * 2009-03-31 2012-10-25 Kurita Water Industries, Ltd. Vorrichtung und Verfahren zur Aufbereitung einer Ätzlösung
US20110014726A1 (en) 2009-07-20 2011-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming shallow trench isolation structure
KR101117068B1 (ko) * 2009-11-17 2012-02-22 주식회사 전영 에칭용액 여과장치
CN102446789A (zh) * 2011-09-08 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种蚀刻槽循环管路装置
US8580133B2 (en) * 2011-11-14 2013-11-12 Globalfoundries Inc. Methods of controlling the etching of silicon nitride relative to silicon dioxide
US20130260569A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Lam Research Ag Apparatus and method for liquid treatment of wafer-shaped articles
JP6352385B2 (ja) * 2013-03-15 2018-07-04 ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US9490138B2 (en) * 2013-12-10 2016-11-08 Tel Fsi, Inc. Method of substrate temperature control during high temperature wet processing
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
US10964559B2 (en) * 2014-06-30 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer etching apparatus and method for controlling etch bath of wafer
JP6320869B2 (ja) * 2014-07-29 2018-05-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101671118B1 (ko) 2014-07-29 2016-10-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2016059855A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 処理装置、及び、処理液の再利用方法
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN104846377A (zh) * 2015-06-02 2015-08-19 成都虹华环保科技股份有限公司 一种全自动蚀刻液回收装置
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
KR102490739B1 (ko) * 2015-12-29 2023-01-20 솔브레인 주식회사 식각액의 정제 방법
CN106328512A (zh) * 2016-08-29 2017-01-11 贵州乾萃科技有限公司 一种刻蚀装置及其使用方法
US20180166300A1 (en) * 2016-12-13 2018-06-14 Lam Research Ag Point-of-use mixing systems and methods for controlling temperatures of liquids dispensed at a substrate
US11229856B2 (en) * 2017-09-29 2022-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etching solution recycling system and method for wafer etching apparatus
JP7224117B2 (ja) * 2018-06-15 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液再利用方法
CN108689516A (zh) * 2018-08-16 2018-10-23 杭州老板电器股份有限公司 净水装置及净水机
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
KR102084044B1 (ko) * 2018-12-24 2020-03-03 주식회사 세미부스터 인산용액 중의 실리콘 농도 분석방법
KR20210052822A (ko) * 2019-11-01 2021-05-11 오씨아이 주식회사 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법
CN111106041A (zh) * 2019-12-10 2020-05-05 上海华力集成电路制造有限公司 湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法
CN114195245A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 中国科学院微电子研究所 腐蚀液回收再利用装置及方法
CN112331562B (zh) * 2020-10-26 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 氮化硅膜刻蚀方法
JP2022117321A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
CN113943579A (zh) * 2021-10-15 2022-01-18 中国科学院上海微***与信息技术研究所 组合型刻蚀液、刻蚀***及刻蚀方法
CN114249477A (zh) * 2021-11-15 2022-03-29 中国科学院上海微***与信息技术研究所 氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法
CN116837466B (zh) * 2023-08-31 2023-12-08 合肥晶合集成电路股份有限公司 磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2541443B2 (ja) 1993-04-20 1996-10-09 日本電気株式会社 ウェットエッチング装置及びフィルタ再生方法
DE4411617A1 (de) * 1994-04-02 1995-10-05 Abb Management Ag Verfahren und Vorrichtung zum Schmieren der Lager eines Turboladers
JP3609186B2 (ja) * 1996-02-08 2005-01-12 株式会社ルネサステクノロジ ウェット処理装置およびウェット処理装置を用いた半導体装置の製造方法
JP3020895B2 (ja) 1997-06-16 2000-03-15 タキゲン製造株式会社 扉用2点ロック型錠止装置
DE19740327A1 (de) * 1997-09-13 1999-03-18 Univ Karlsruhe Verfahren und Vorrichtung zur Probenaufbereitung für die Analytik partikelhaltiger wäßriger Proben
JP4119040B2 (ja) * 1999-06-16 2008-07-16 オルガノ株式会社 機能水製造方法及び装置
DE10108957A1 (de) * 2001-02-19 2002-08-29 Begerow E Gmbh & Co Verfahren und Vorrichtung zum Filtrieren von Flüssigkeiten, insbesondere Getränken
JP2003059884A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP3788985B2 (ja) * 2002-09-17 2006-06-21 エム・エフエスアイ株式会社 エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置
TWI233157B (en) * 2002-09-17 2005-05-21 M Fsi Ltd Regeneration process of etching solution, etching process, and etching system
JP2005251936A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 St Lcd Kk 薬液処理装置
JP3884440B2 (ja) * 2004-03-15 2007-02-21 株式会社東芝 フィルタおよび半導体処理装置
JP4736339B2 (ja) * 2004-03-29 2011-07-27 栗田工業株式会社 送液手段および送液方法

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