RU2685692C2 - Печатная плата и способ ее получения - Google Patents
Печатная плата и способ ее получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2685692C2 RU2685692C2 RU2014121727A RU2014121727A RU2685692C2 RU 2685692 C2 RU2685692 C2 RU 2685692C2 RU 2014121727 A RU2014121727 A RU 2014121727A RU 2014121727 A RU2014121727 A RU 2014121727A RU 2685692 C2 RU2685692 C2 RU 2685692C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- coating
- wire
- substrate
- pcb
- electrically conductive
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 694
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 661
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 205
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 209
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 147
- 150000005826 halohydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 100
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 57
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 52
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 45
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 34
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- -1 gold aluminum Chemical compound 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 22
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 claims 2
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 19
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- IYZWUWBAFUBNCH-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1C1=CC=CC=C1 IYZWUWBAFUBNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 167
- 239000000463 material Substances 0.000 description 74
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 50
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 49
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 43
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 43
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 41
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 35
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 28
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000008859 change Effects 0.000 description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 22
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 17
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 12
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 11
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 9
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 5
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 4
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- YSUIQYOGTINQIN-UZFYAQMZSA-N 2-amino-9-[(1S,6R,8R,9S,10R,15R,17R,18R)-8-(6-aminopurin-9-yl)-9,18-difluoro-3,12-dihydroxy-3,12-bis(sulfanylidene)-2,4,7,11,13,16-hexaoxa-3lambda5,12lambda5-diphosphatricyclo[13.2.1.06,10]octadecan-17-yl]-1H-purin-6-one Chemical compound NC1=NC2=C(N=CN2[C@@H]2O[C@@H]3COP(S)(=O)O[C@@H]4[C@@H](COP(S)(=O)O[C@@H]2[C@@H]3F)O[C@H]([C@H]4F)N2C=NC3=C2N=CN=C3N)C(=O)N1 YSUIQYOGTINQIN-UZFYAQMZSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 3
- BLTXWCKMNMYXEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(trifluoromethoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)F BLTXWCKMNMYXEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 229910021594 Copper(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L copper(ii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Cu+2] GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011087 paperboard Substances 0.000 description 2
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFRAKBCRUYUFNT-UHFFFAOYSA-N 3,8-dicyclohexyl-2,4,7,9-tetrahydro-[1,3]oxazino[5,6-h][1,3]benzoxazine Chemical compound C1CCCCC1N1CC(C=CC2=C3OCN(C2)C2CCCCC2)=C3OC1 DFRAKBCRUYUFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 241000283070 Equus zebra Species 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 108010050375 Glucose 1-Dehydrogenase Proteins 0.000 description 1
- 108010015776 Glucose oxidase Proteins 0.000 description 1
- 239000004366 Glucose oxidase Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002732 Polyanhydride Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012042 active reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 210000001124 body fluid Anatomy 0.000 description 1
- 239000010839 body fluid Substances 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N dimethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CNC IQDGSYLLQPDQDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229940088598 enzyme Drugs 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229940116332 glucose oxidase Drugs 0.000 description 1
- 235000019420 glucose oxidase Nutrition 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000013461 intermediate chemical Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005569 poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H13/00—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch
- H01H13/70—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard
- H01H13/78—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard characterised by the contacts or the contact sites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2215/00—Tactile feedback
- H01H2215/004—Collapsible dome or bubble
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2229/00—Manufacturing
- H01H2229/012—Vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45105—Gallium (Ga) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45109—Indium (In) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45111—Tin (Sn) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45113—Bismuth (Bi) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45116—Lead (Pb) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/4512—Antimony (Sb) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45149—Manganese (Mn) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45157—Cobalt (Co) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/4516—Iron (Fe) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45166—Titanium (Ti) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/4517—Zirconium (Zr) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45171—Chromium (Cr) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45173—Rhodium (Rh) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45178—Iridium (Ir) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/4518—Molybdenum (Mo) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45184—Tungsten (W) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45565—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/4569—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48455—Details of wedge bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8502—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85447—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/85484—Tungsten (W) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/85498—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/85598—Fillers
- H01L2224/85599—Base material
- H01L2224/856—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85601—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/85611—Tin (Sn) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01007—Nitrogen [N]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01011—Sodium [Na]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01016—Sulfur [S]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01018—Argon [Ar]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01021—Scandium [Sc]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01031—Gallium [Ga]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01051—Antimony [Sb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19042—Component type being an inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/2075—Diameter ranges larger or equal to 1 micron less than 10 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20751—Diameter ranges larger or equal to 10 microns less than 20 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20756—Diameter ranges larger or equal to 60 microns less than 70 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20757—Diameter ranges larger or equal to 70 microns less than 80 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/015—Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
- H05K2203/049—Wire bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
- H05K2203/1322—Encapsulation comprising more than one layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/222—Completing of printed circuits by adding non-printed jumper connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Изобретение относится к галогенуглеводородному полимерному покрытию для электрических устройств. Технический результат – обеспечение защиты от условий окружающей среды. Достигается тем, что печатная плата (ПП) включает подложку, включающую изоляционный материал, и дополнительно включает множества электропроводных печатных дорожек, присоединенных по меньшей мере к одной поверхности подложки. ПП дополнительно включает многослойное покрытие, осажденное по меньшей мере на одной поверхности подложки. Многослойное покрытие (i) покрывает по меньшей мере часть множества электропроводных печатных дорожек и (ii) включает по меньшей мере один слой из галогенуглеводородного полимера. ПП дополнительно включает по меньшей мере один электрический компонент, соединенный паяным соединением по меньшей мере с одной электропроводной печатной дорожкой, причем паяное соединение припаивают через многослойное покрытие так, что паяное соединение примыкает к многослойному покрытию. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 16 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение в основном относится к полимерным покрытиям, и, более конкретно, к галогенуглеводородному полимерному покрытию для электрических устройств.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Многие электрические устройства включают электрические компоненты, которые припаяны к платам с печатной схемой (PCBs). Металлические поверхности на электрических компонентах и печатных платах (PCB) часто окисляются или корродируют до того, как их припаяют друг к другу. Окисление или коррозия металлических поверхностей могут помешать формированию прочных паяных соединений или могут сократить срок службы таких соединений. В результате электрические устройства могут оказаться дефектными или не смогут функционировать настолько долго, насколько желательно.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В некоторых вариантах исполнения печатная плата (PCB) включает подложку, включающую изоляционный материал. PCB дополнительно включает многочисленные электропроводные печатные дорожки, присоединенные по меньшей мере к одной поверхности подложки. PCB дополнительно включает покрытие, осажденное по меньшей мере на одну поверхность подложки. Покрытие может покрывать по меньшей мере часть из многочисленных электропроводных печатных дорожек, и может включать по меньшей мере один галогенуглеводородный полимер. PCB может дополнительно включать по меньшей мере один электропроводный провод, который соединен проводным соединением по меньшей мере с одной электропроводной печатной дорожкой, причем проводное соединение формируют через покрытие без предварительного удаления покрытия так, что проводное соединение примыкает к покрытию.
В других вариантах исполнения PCB включает подложку, включающую изоляционный материал. PCB дополнительно включает многочисленные электропроводные печатные дорожки, присоединенные по меньшей мере к одной поверхности подложки. PCB дополнительно включает многослойное покрытие, осажденное по меньшей мере на одну поверхность подложки. Многослойное покрытие (i) покрывает по меньшей мере часть из многочисленных электропроводных печатных дорожек, и (ii) включает по меньшей мере один слой, сформированный из галогенуглеводородного полимера. PCB дополнительно включает по меньшей мере один электрический компонент, соединенный паяным соединением по меньшей мере с одной электропроводной печатной дорожкой, причем паяное соединение припаивают через многослойное покрытие так, что паяное соединение примыкает к многослойному покрытию.
В других дополнительных вариантах исполнения устройство включает подложку, включающую изоляционный материал. Устройство дополнительно включает первый контакт, присоединенный по меньшей мере к одной поверхности подложки. Устройство дополнительно включает покрытие, осажденное по меньшей мере на одну поверхность первого контакта. Покрытие может включать по меньшей мере один галогенуглеводородный полимер так, что первый контакт может действовать для проведения электрического сигнала через покрытие ко второму контакту без удаления покрытия.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. Полимеры могут быть выбраны из галогенуглеводородных полимеров и негалогенуглеводородных полимеров. Толщина многослойного покрытия может составлять от 1 нм до 10 мкм.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. Согласно определенным вариантам исполнения, между указанным покрытием и электропроводными печатными дорожками на указанной печатной плате может не быть или по существу не быть припоя.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. Многослойное покрытие может включать один или более слоев из различных полимеров.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. Многослойное покрытие может включать слои из различных полимеров с постепенно изменяющимися свойствами.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. Многослойное покрытие может включать два или более слоев.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. Первый слой, который может находиться в контакте с поверхностью печатной платы, может включать негалогенуглеводородный полимер.
Один или более вариантов исполнения могут включать печатную плату, на которой должно быть сделано паяное соединение. Поверхность указанной печатной платы может иметь многослойное покрытие, включающее один или более полимеров. В некоторых вариантах исполнения на поверхности печатной платы может не быть или по существу может не быть слоя галогенида металла.
В некоторых вариантах исполнения способ получения соединения с печатной платой, имеющей многослойное покрытие, включает этапы, на которых наносят припой и, необязательно, флюс, на печатную плату при такой температуре и в течение такого времени, что припой соединяется с металлом, и композиция локально диспергируется и/или абсорбируется и/или испаряется. Согласно определенным вариантам исполнения, один или более факторов выбирают так, что (а) имеет место хорошее течение припоя, (b) припой покрывает подложку (типично электропроводную печатную дорожку или металлизированную контактную площадку) на печатной плате, и (с) образуется прочное паяное соединение. Один или более факторов могут включать (а) характеристики подложки, (b) характеристики покрытия, (с) характеристики припоя/флюса, (d) профиль пайки (в том числе время и температуру), и (е) способ контроля течения припоя вокруг соединения.
Один или более вариантов исполнения могут включать способ модифицирования характеристик смачивания покрытия, включающего один или более галогенуглеводородных полимеров на печатной плате, с помощью плазменного травления, плазменной активации, плазменной полимеризации и нанесения покрытия, и/или химического травления на жидкостной основе.
Один или более вариантов исполнения могут включать способ модифицирования характеристик смачивания многослойного покрытия путем плазменного травления, плазменной активации, плазменной полимеризации и нанесения покрытия, и/или химического травления на жидкостной основе.
В некоторых вариантах исполнения печатная плата включает подложку и электропроводные печатные дорожки. Поверхности указанной печатной платы могут быть полностью или по существу инкапсулированы либо (а) покрытием из композиции, включающей один или более галогенуглеводородных полимеров, либо (b) многослойным покрытием, включающим один или более полимеров, выбранных из галогенуглеводородных полимеров и негалогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 10 мкм. Согласно определенным вариантам исполнения, подложка включает материал, который абсорбирует воду или химические вещества на основе растворителей. В некоторых вариантах исполнения подложка включает склеенные эпоксидной смолой стеклоткани, склеенную синтетической смолой бумагу, склеенную фенольной смолой хлопковую бумагу, хлопковую бумагу, эпоксидную смолу, бумагу, картон, текстильные ткани или натуральные или синтетические материалы на основе древесины.
В некоторых вариантах исполнения способ получения печатной платы включает этапы, на которых: (а) готовят печатную плату, имеющую поверхность, открытую к окружающей среде, (b) очищают поверхность в камере плазменной обработки с использованием газов, таких как водород, аргон или азот, и (с) наносят на поверхность покрытие толщиной от 1 нм до 10 мкм из композиции, включающей галогенуглеводородный полимер, путем осаждения методом плазменного распыления, причем указанное покрытие необязательно следует трехмерной конфигурации печатной платы.
В некоторых вариантах исполнения способ получения печатной платы включает этапы, на которых: (а) готовят печатную плату, имеющую поверхность, открытую к окружающей среде, (b) очищают поверхность в камере плазменной обработки с использованием газов, таких как водород, аргон или азот, (с) наносят на поверхность многослойное покрытие толщиной от 1 нм до 10 мкм, включающее один или более полимеров, путем осаждения методом плазменного распыления. Полимеры могут быть выбраны из галогенуглеводородных полимеров и негалогенуглеводородных полимеров. Многослойное покрытие необязательно может следовать трехмерной конфигурации печатной платы.
Один или более вариантов исполнения могут включать применение композиции, включающей галогенуглеводородный полимер в качестве огнезащитного покрытия для печатной платы.
В некоторых вариантах исполнения, в способе получения соединения между проводом и подложкой может быть использована технология проводного монтажа. Провод и/или подложка могут быть покрыты композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров с толщиной от 1 нм до 2 мкм. В некоторых вариантах исполнения способ монтажа проводников представляет собой шариковую/клиновую термокомпрессионную микросварку проводных выводов. В других вариантах исполнения способ монтажа проводников представляет собой микросварку проводных выводов внахлестку типа «клин-клин». Согласно определенным вариантам исполнения, провод включает золото, алюминий, серебро, медь, никель или железо. В некоторых вариантах исполнения подложка включает медь, золото, серебро, алюминий, олово, электропроводные полимеры или электропроводные краски.
В некоторых вариантах исполнения, в способе получения соединения между проводом и подложкой может быть использована технология проводного монтажа. В некоторых вариантах исполнения только провод покрывают композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм. В других вариантах исполнения только на подложку наносят покрытие из композиции, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм.
В некоторых вариантах исполнения, в способе получения соединения между проводом и подложкой может быть использована технология проводного монтажа. Провод и/или подложка могут быть покрыты композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 10 нм до 100 нм.
В некоторых вариантах исполнения, в способе получения соединения между проводом и подложкой может быть использована технология проводного монтажа. Провод и/или подложка могут быть покрыты композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров. В некоторых вариантах исполнения галогенуглеводородный полимер является фторуглеводородным.
В некоторых вариантах исполнения, в способе получения соединения между проводом и подложкой может быть использована технология проводного монтажа. Провод и/или подложка могут быть покрыты композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров. В некоторых вариантах исполнения покрытие из галогенуглеводородного полимера остается неповрежденным после проводного монтажа, за исключением области, где формируют соединение. Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие из галогенуглеводородного полимера удаляют и/или диспергируют действием процесса проводного монтажа, без удаления покрытия в отдельном этапе предварительной обработки. В некоторых вариантах исполнения, после формирования соединения наносят дополнительное покрытие, включающее один или более галогенуглеводородных полимеров.
В некоторых вариантах исполнения галогенуглеводородный полимер может быть использован для предотвращения окисления и/или коррозии провода и/или подложки перед формированием соединения между проводом и подложкой способом проводного монтажа. Согласно определенным вариантам исполнения, галогенуглеводородный полимер может быть использован для обеспечения возможности сформировать соединение между проводом и подложкой в неинертной атмосфере с использованием способа проводного монтажа.
В некоторых вариантах исполнения устройство включает один или более контактов. По меньшей мере один из указанных контактов может быть покрыт композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм.
В некоторых вариантах исполнения устройство включает верхний контакт и нижний контакт. Устройство может быть скомпоновано так, что верхний контакт и нижний контакт способны приходить в электрический контакт друг с другом. Верхний и/или нижний контакты могут быть покрыты композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм. В некоторых вариантах исполнения верхний и нижний контакты включают нержавеющую сталь, серебро, углерод, никель, золото, олово, или их сплавы. В некоторых вариантах исполнения устройство представляет собой клавиатуру.
В некоторых вариантах исполнения сенсорное устройство включает один или более сенсорных элементов, и каждый сенсорный элемент содержит контакт. Контакты могут быть покрыты композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм. В некоторых вариантах исполнения один или более сенсорных элементов представляют собой электроды. В некоторых вариантах исполнения контакты включают углерод, электропроводные краски, и/или эпоксидную смолу с серебряным наполнителем.
В некоторых вариантах исполнения устройство содержит один или более контактов. По меньшей мере один из указанных контактов может быть покрыт композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 10 нм до 100 нм.
В некоторых вариантах исполнения устройство содержит один или более контактов. По меньшей мере один из указанных контактов может быть покрыт композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров. В некоторых вариантах исполнения электрическая проводимость покрытия по z-оси является более высокой, чем электрическая проводимость покрытия по х-оси и y-оси. В некоторых вариантах исполнения покрытие из галогенуглеводородного полимера обеспечивает защиту от условий окружающей среды. В некоторых вариантах исполнения электрическое сопротивление покрытия может быть оптимизировано для иных вариантов применения.
В некоторых вариантах исполнения устройство содержит один или более контактов. По меньшей мере один из указанных контактов может быть покрыт композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров. Способ получения устройства может включать этап, на котором покрытие из галогенуглеводородного полимера осаждают методом плазменного распыления. В некоторых вариантах исполнения галогенуглеводородный полимер является фторуглеводородным.
В некоторых вариантах исполнения сенсорный элемент содержит контакт. Контакт может быть покрыт композицией, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм.
Один или более вариантов исполнения могут включать способ защиты одного или более из верхнего и нижнего контактов в устройстве. Устройство может быть скомпоновано так, что указанные верхний и нижний контакты способны приходить в электрический контакт друг с другом. Способ может включать этап, на котором на контакты наносят покрытие из композиции, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм. В некоторых вариантах исполнения покрытие наносят перед изготовлением устройства.
Один или более вариантов исполнения могут включать способ защиты одного или более контактов в сенсорном устройстве. Способ может включать нанесение на контактные площадки покрытия из композиции, которая включает один или более галогенуглеводородных полимеров, с толщиной от 1 нм до 2 мкм. В некоторых вариантах исполнения покрытие наносят до изготовления устройства. В некоторых вариантах исполнения способ нанесения представляет собой осаждение методом плазменного распыления.
В некоторых вариантах исполнения галогенуглеводородный полимер может быть использован для нанесения покрытия на поверхность или поверхности контактов в устройстве, включающем верхний контакт и нижний контакт. Устройство может быть скомпоновано так, что указанные верхний и нижний контакты способны приходить в электрический контакт друг с другом. В некоторых вариантах исполнения галогенуглеводородный полимер может быть применен для нанесения покрытия на поверхность или поверхности контакта в сенсорном устройстве, включающем один или более сенсорных элементов.
Нанесение покрытия на печатную плату (PCB) или другое устройство может обеспечивать ряд преимуществ. Различные варианты исполнения могут не иметь таких преимуществ, или иметь некоторые или все из этих преимуществ. Одно преимущество состоит в том, что покрытие может предохранять электропроводные печатные дорожки на PCB от окисления. PCB часто хранят в течение некоторого периода времени перед тем, как припаивать электрические компоненты на PCB. Если PCB является непокрытой, электропроводные печатные дорожки на PCB могут окисляться во время хранения. Оксидный слой на электропроводной печатной дорожке может препятствовать или затруднять припаивание электрического компонента к электропроводной печатной дорожке. Нанесением покрытия на PCB перед хранением изготовитель может предохранить электропроводные печатные дорожки на PCB от окисления. Благодаря предотвращению окисления покрытие может обеспечивать возможность сформировать прочные паяные соединения на PCB.
Еще одно преимущество заключается в том, что покрытие может обеспечивать возможность припаивания электрического компонента через покрытие без предварительного удаления покрытия. Покрытие может включать один или более галогенуглеводородных полимеров. В некоторых вариантах исполнения теплота, припой и/или флюс, нанесенные во время процесса пайки, могут избирательно изменять покрытие на отдельной области печатной платы (PCB), где должно быть сформировано паяное соединение. В некоторых вариантах исполнения процесс пайки может удалять покрытие только в области паяного соединения. Соответственно этому, как только сформировано паяное соединение, покрытие может распространиться (например, примыкать) вплоть до паяного соединения. В результате для изготовителя может оказаться ненужным протравливание или иным образом удаление покрытия перед процессом пайки. Благодаря устранению необходимости в отдельном травлении или этапе удаления покрытие может сделать процесс сборки печатной платы (PCB) более простым, менее дорогостоящим и/или отнимающим меньше времени.
Еще одно преимущество состоит в том, что покрытие может предотвращать коррозию печатной платы (PCB). Покрытие может создавать барьер между PCB и коррозионно-агрессивными газами и/или жидкостями. В некоторых вариантах исполнения покрытие может препятствовать проникновению жидкостей и/или влаги к подложке и/или электропроводным печатным дорожкам на PCB. Покрытие может препятствовать образованию дендритов, которые обусловливают короткие замыкания и/или утечки между контактами.
Еще одно преимущество заключается в том, что покрытие может проявлять электрическую проводимость вдоль оси, перпендикулярной плоскости покрытой поверхности («z-оси»), в то же время действуя как изолятор вдоль осей, параллельных покрытой поверхности. Соответственно этому, покрытие может быть нанесено на электропроводный контакт без препятствования способности такого контакта передавать электрический сигнал на встречный контакт. Таким образом, в некоторых вариантах исполнения покрытие может защищать контакты от окисления и/или коррозии без ухудшения электрической проводимости контактов.
Другие преимущества будут без труда понятны квалифицированному специалисту в этой области технологии из описания и прилагаемой патентной формулы.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Для более полного понимания настоящего изобретения и дополнительных признаков и преимуществ теперь будет представлено нижеследующее описание, приведенное в сочетании с сопроводительными чертежами, в которых:
ФИГУРЫ 1А-С иллюстрируют печатную плату (PCB), согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 2 иллюстрирует осаждение покрытия на PCB, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРЫ 3А-В иллюстрируют припаивание электрического компонента к электропроводным печатным дорожкам на PCB, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 4 иллюстрирует PCB, включающую многослойное покрытие, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 5 иллюстрирует PCB, включающую многослойное покрытие, селективно нанесенное на отдельные области PCB, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРЫ 6А-В иллюстрируют клавиатуру, включающую контакты, на которые нанесено покрытие, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 7 представляет график, иллюстрирующий электрическую проводимость по z-оси примерных покрытий, имеющих различные толщины, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 8 иллюстрирует измерительное устройство, включающее сенсор, имеющий покрытые контакты, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 9 иллюстрирует проводное соединение, которое сформировано через покрытие, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 10А иллюстрирует полученное с использованием микроскопа изображение шариковых термокомпрессионных микросварных соединений, сформированных между непокрытыми проводами и покрытой контактной поверхностью, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 10В иллюстрирует полученное с использованием микроскопа изображение поперечного сечения шарикового термокомпрессионного микросварного соединения между непокрытым проводом и покрытой контактной поверхностью, согласно определенным вариантам исполнения;
ФИГУРА 11А иллюстрирует полученное с использованием микроскопа изображение соединений, образованных термокомпрессионной микросваркой клиновым инструментом, между непокрытым проводом и покрытой контактной поверхностью;
ФИГУРА 11В иллюстрирует полученное с использованием микроскопа изображение поперечного сечения соединения, образованного термокомпрессионной микросваркой клиновым инструментом, между покрытым проводом и покрытой контактной поверхностью; и
ФИГУРА 12 иллюстрирует PCB, имеющую шариковое термокомпрессионное микросварное соединение и соединение, образованное термокомпрессионной микросваркой клиновым инструментом, согласно определенным вариантам исполнения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ФИГУРА 1А иллюстрирует печатную плату (PCB) 10, согласно определенным вариантам исполнения. PCB 10 может механически поддерживать и/или электрически соединять один или более электрических компонентов 12, связанных с электрической цепью. PCB 10 может включать подложку 14, одну или более электропроводных печатных дорожек 16, покрытие 18 и один или более электрических компонентов 12.
Подложка 14 в PCB 10 может включать одну или более плат, которые механически поддерживают элементы цепи. Например, электропроводные печатные дорожки 16 и/или электрические компоненты 12 могут быть закреплены по меньшей мере на одной поверхности подложки 14. Подложка 14 может включать любой подходящий изоляционный материал, который предохраняет подложку 14 от короткого замыкания в цепи на PCB 10. В некоторых вариантах исполнения подложка 14 в PCB 10 включает эпоксидный многослойный материал, склеенную синтетической смолой бумагу, склеенную эпоксидной смолой стеклоткань (ERBGH), композитный эпоксидный материал (CEM), склеенную фенольной смолой хлопковую бумагу, и/или любой другой пригодный тип и/или комбинацию изоляционного материала. Согласно определенным вариантам исполнения, подложка 14 включает бумагу, картон, натуральные и/или синтетические материалы на основе древесины, и/или прочие пригодные текстильные ткани. В некоторых вариантах исполнения подложка 14 включает огнезащитный материал, например, такой как Flame Retardant 2 (FR-2) и/или Flame Retardant 4 (FR-4). Подложка 14 в PCB 10 может включать единичный слой изоляционного материала или множество слоев из одинаковых или различных изоляционных материалов, с электропроводными печатными дорожками 16 на любом слое или без таковых.
Одна или более электропроводных печатных дорожек 16 могут быть закреплены по меньшей мере на одной поверхности подложки 14. Электропроводная печатная дорожка 16 в основном может действовать для проведения электрических сигналов между двумя или более компонентами электрической цепи на PCB 10. Таким образом, электропроводная печатная дорожка 16 может функционировать как проводник сигнала и/или провод для проведения сигналов. В некоторых вариантах исполнения электропроводные печатные дорожки 16 включают области, называемые как контактные площадки. Контактная площадка электропроводной печатной дорожки 16 может быть скомпонована для поддержания электрического компонента 12 и/или соединения с ним. Электропроводная печатная дорожка 16 может включать любой подходящий электропроводный материал, например, такой как золото, вольфрам, медь, серебро, алюминий и/или олово. В некоторых вариантах исполнения электропроводная печатная дорожка 16 может включать один или более электропроводных полимеров и/или электропроводных красок.
Электропроводная печатная дорожка 16 может быть сформирована на подложке 14 печатной платы (PCB) 10 с использованием любого пригодного способа. В некоторых вариантах исполнения электропроводная печатная дорожка 16 может быть сформирована на подложке 14 с использованием «субтрактивной» технологии. Например, слой металла (например, медная фольга, алюминиевая фольга и т.д.) может быть соединен с поверхностью подложки 14, и затем нежелательные части металлического слоя могут быть удалены, оставляя желательные электропроводные печатные дорожки 16. Нежелательные части металлического слоя могут быть удалены с подложки 14 химическим травлением, фототравлением, фрезерованием и/или любым подходящим способом. В других вариантах исполнения электропроводные печатные дорожки 16 могут быть сформированы на подложке 14 с использованием «аддитивной» технологии, например, такой как электролитическое осаждение, осаждение с использованием обратного фотошаблона и/или любого способа осаждения с контролируемой геометрической картиной.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено поверх одной или более электропроводных печатных дорожек 16 на подложке 14 печатной платы (PCB) 10. Покрытие 18 может защищать электропроводные печатные дорожки 16 от окисления, коррозии и/или других вредных воздействий окружающей среды (например, набухания, обусловленного жидкостями и/или влагой). В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 осаждают поверх электропроводных печатных дорожек 16 на подложке 14 до припаивания электрических компонентов 12 к электропроводным печатным дорожкам 16 на PCB 10. Таким образом, на поверхности раздела 20 между покрытием 18 и электропроводными печатными дорожками 16 на PCB 10 может не быть или по существу может не быть припоя. Покрытие 18 может обеспечивать возможность избирательного припаивания электрических компонентов 12 через покрытие 18 к электропроводным печатным дорожкам 16 без предварительного удаления покрытия 18. В дополнение, или альтернативно, покрытие 18 может обеспечивать возможность проводного монтажа проводов через покрытие 18 для соединения с электропроводными печатными дорожками 16 без предварительного удаления покрытия 18. В дополнение, или альтернативно, покрытие 18 может проявлять низкое электрическое сопротивление и/или импеданс вдоль z-оси 22 (то есть, оси, перпендикулярной поверхности PCB 10, на которой закреплены электропроводные печатные дорожки 16) так, что электрический сигнал и/или электрический ток могут проходить через покрытие 18 между электропроводной печатной дорожкой 16 и электрическим компонентом 12 на PCB 10. В этом контексте термин «электрический ток» может иметь отношение к течению электрического заряда, и термин «сигнал» может относиться к переменному во времени и/или варьирующему в пространстве количеству электричества (например, напряжению, силе тока или напряженности поля, модуляции которых представляют закодированную информацию). Сигнал может быть сигналом любого типа, например, такого как сигнал, индуцированный полем, или сигнал, индуцированный током.
Покрытие 18 может включать любой подходящий материал, который защищает электропроводные печатные дорожки 16 от окисления и/или коррозии. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 включает один или более галогенуглеводородных полимерных материалов. Термин «полимер» может иметь отношение к полимерам, образованным in-situ из одного и/или нескольких мономеров, линейным, разветвленным, привитым и/или сшитым сополимерам, олигомерам, мультиполимерам, мультимономерным полимерам, полимерным смесям, компаундам и/или сплавам полимеров, привитым сополимерам и/или взаимопроникающим сетчатым полимерным структурам (IPNs).
Термин «галогенуглеводородный полимер» может иметь отношение к полимерам с линейными или разветвленными цепями или с циклической углеродной структурой, с нулевым количеством, одним, двумя или тремя атомами галогенов, связанными с каждым атомом углерода в структуре. Атомы галогенов в галогенуглеводородном полимере могут представлять собой фтор, хлор, бром и/или иод. Предпочтительно, галогенуглеводородный полимер представляет собой фторуглеводородный полимер, хлоруглеводородный полимер или фторхлоруглеводородный полимер, в котором нуль, один, два или три атома фтора или хлора связаны с каждым атомом углерода в цепи. В некоторых вариантах исполнения цепь может быть сопряженной или высокосопряженной, или иметь протяженные сопряженные цепи, циклы и/или разветвления.
Атомы галогенов в галогенуглеводородном полимере в покрытии 18 могли бы быть одинаковыми атомами галогенов (например, фтора), или представлять собой комбинацию атомов галогенов (например, фтора и хлора). Термин «галогенуглеводородный полимер», как здесь используемый, может включать полимеры, которые включают одну или более ненасыщенных групп, таких как двойные и/или тройные углерод-углеродные связи, и/или полимеры, которые включают один или более гетероатомов (атомов, которые не являются углеродом, водородом или галогеном), например, такие как азот, сера и/или кислород. Предпочтительно, галогенуглеводородный полимер в покрытии 18 включает менее пяти процентов гетероатомов в качестве доли от общего числа атомов в полимере. Галогенуглеводородный полимер может иметь любую подходящую молекулярную массу. Молекулярная масса галогенуглеводородного полимера может быть выбрана согласно желательной функциональности покрытия 18. В предпочтительном варианте исполнения молекулярная масса галогенуглеводородного полимера в покрытии 18 составляет более 500 атомных единиц массы (amu). Цепи галогенуглеводородного полимера в покрытии 18 могут быть линейными или разветвленными. В некоторых вариантах исполнения между полимерными цепями в покрытии 18 имеет место сшивание.
Примеры предпочтительных галогенуглеводородных полимеров включают:
Политетрафторэтилен (PTFE), материал типа PTFE, фторированные углеводороды, хлорированные-фторированные углеводороды, галогенированные углеводороды и галогенуглеводороды, а также сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, взаимопроникающие сетчатые полимерные структуры (IPNs), компаунды, сплавы, полимеры с разветвленными цепями, привитые сополимеры и сшитые варианты этих материалов. В предпочтительном варианте исполнения галогенуглеводородный полимер в покрытии 18 представляет собой материал типа политетрафторэтилена (PTFE), и, в частности, модифицированный или немодифицированный политетрафторэтилен (PTFE).
Полихлортрифторэтилен (PCTFE) и сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, взаимопроникающие сетчатые полимерные структуры (IPNs), компаунды, сплавы, полимеры с разветвленными цепями, привитые сополимеры и сшитые варианты этих материалов.
Этиленовый сополимер полихлортрифторэтилена (EPCTFE) и сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, взаимопроникающие сетчатые полимерные структуры (IPNs), компаунды, сплавы, полимеры с разветвленными цепями, привитые сополимеры и сшитые варианты этих материалов.
Сополимер этилена и тетрафторэтилена (ETFE); сополимер тетрафторэтилена и гексафторпропилена (FEP); сополимер тетрафторэтилена и перфторвинилового простого эфира (PFA); полимер винилиденфторида (PVDF); сополимер тетрафторэтилена, гексафторпропилена и винилиденфторида (THV); сополимер винилиденфторида и гексафторпропилена (PVDFHFP); сополимер тетрафторэтилена и перфторметилвинилового простого эфира (MFA); сополимер этилена, тетрафторэтилена и гексафторпропилена (EFEP); сополимер гексафторпропилена, тетрафторэтилена и этилена (HTE); сополимер винилиденфторида и хлортрифторэтилена; и/или другие фторполимеры, в том числе сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, взаимопроникающие сетчатые полимерные структуры (IPNs), компаунды, сплавы, полимеры с разветвленными цепями, привитые сополимеры и сшитые варианты этих материалов.
Покрытие 18 на PCB 10 может включать единичный слой или множество слоев галогенуглеводородных полимеров. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 включает по меньшей мере один слой галогенуглеводородных полимеров и по меньшей мере один слой галогенида металла (например, фторида металла) на электропроводной поверхности. Покрытие 18 может иметь любую подходящую толщину 24. В некоторых вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может составлять от одного нанометра (нм) до десяти микрометров (мкм). В других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может быть от одного нм до двух мкм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может варьировать от одного нм до пятисот нм. В других дополнительных вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может быть от трех нм до пятисот нм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может варьировать от десяти нм до пятисот нм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может составлять от десяти нм до двухсот пятидесяти нм. В других дополнительных вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может быть от десяти нм до тридцати нм. В еще других вариантах исполнения покрытие 18 представляет собой монослой из галогенуглеводородного полимера (имеющего толщину 24 в несколько ангстрем (Е)). В предпочтительном варианте исполнения толщина 24 покрытия 18 составляет от десяти нм до ста нм в различных градиентах, причем предпочтительной является толщина 24 в сто нм. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на подложке 14 и электропроводных печатных дорожках 16 так, что открытая поверхность покрытия 18 является по существу плоской (как иллюстрировано в ФИГУРЕ 1А). В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на подложке 14 и электропроводных печатных дорожках 16 так, что открытая поверхность покрытия 18 не является плоской, но вместо этого соответствует трехмерной конфигурации поверхности подложки 14 и электропроводных печатных дорожек 16 (как иллюстрировано в ФИГУРЕ 1В).
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на электропроводных печатных дорожках 16 и/или подложке 14 в виде непрерывной пленки. Согласно определенным вариантам исполнения, непрерывная пленка может по существу не содержать пор, например, таких как полости, трещины, отверстия и/или дефекты. В некоторых вариантах исполнения пористость покрытия 18 может быть конфигурирована для обеспечения желательной проницаемости покрытия 18. Например, изменение пористости покрытия 18 может повышать или снижать проницаемость покрытия 18 в отношении жидкостей, химических веществ, газов и/или припоя. Изменение пористости покрытия 18 может представлять собой физическое, химическое и/или структурное изменение полимера(ов) в покрытии 18. В некоторых вариантах исполнения изменение поверхностной энергии покрытия 18 может изменять проницаемость покрытия 18 в отношении жидкостей, химических веществ, газов и/или припоя. Проницаемость покрытия 18 можно повышать или снижать путем регулирования соотношения между поверхностной энергией покрытия 18 и поверхностной энергией проникающих жидкости и/или газа. Регулирование проницаемости покрытия 18 в отношении воды и/или других растворителей может быть в особенности желательным для печатных плат (PCB) 10, которые подвергаются воздействию жидкостных сред (например, условий влажной окружающей среды) и/или растворителей (например, во время процесса очистки в ходе изготовления PCB 10). В некоторых вариантах исполнения пористость покрытия 18 может быть отрегулирована так, что покрытие 18 является селективно проницаемым для конкретного(ных) материала(ов), но не для другого(гих) материала(лов). Например, покрытие 18 может быть по существу непроницаемым для воды, в то же время будучи проницаемым для других жидкостей.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может включать множество слоев с тонким обращенным наружу слоем (например, верхним слоем), который по существу не содержит пор. Таким образом, обращенный наружу слой покрытия 18 может быть по существу непроницаемым для газов, влаги и/или жидкостей. В таких вариантах исполнения скрытый(тые) слой(слои) покрытия 18 (например, слой(слои) между электропроводными печатными дорожками 16 и обращенным наружу слоем покрытия 18) может(гут) включать поры, которые позволяют скрытому(тым) слою(ям) проводить электрический ток и/или сигнал.
Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие 18 может проявлять свойство самовосстановления. В некоторых вариантах исполнения это свойство самовосстановления может представлять собой механическую характеристику, которая позволяет покрытию 18 перемещаться и/или сжиматься в ответ на физическую нагрузку, и затем, когда нагрузка уменьшается, возвращаться к своей исходной структуре и/или форме. В других вариантах исполнения это свойство самовосстановления может обеспечивать возможность электрического самовосстановления покрытия 18. Когда физическую и/или электрическую силу прилагают к отдельной области покрытой подложки 14, покрытие 18 на отдельной области подложки 14 может сжиматься и/или иным образом изменяться. Когда физическую и/или электрическую силу уменьшают, покрытие 18 на отдельной области может «залечиваться» и/или иным образом возобновляться для покрывания отдельной области подложки 14.
Покрытие 18 может проявлять относительно низкую проницаемость для газов, тем самым создавая значительный барьер для проникновения газов и препятствуя газовой коррозии и/или окислению электропроводных печатных дорожек 16 через покрытие 18. В некоторых вариантах исполнения электрические компоненты 12 могут быть избирательно припаяны через покрытие 18 без предварительного удаления покрытия 18. Паяные соединения 26, созданные припаиванием через покрытие 18, могут быть прочными по сравнению с паяными соединениями 26, связанными с другими доступными в настоящее время способами обработки поверхности. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть скомпоновано для противостояния многократным циклам нагревания. Покрытие 18 может проявлять химическую устойчивость к коррозионно-агрессивным газам, жидкостям и/или растворам солей, например, таким как загрязнения окружающей среды. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может проявлять низкую поверхностную энергию и/или «смачиваемость». Материалы в покрытии 18 и/или способ осаждения покрытия 18 могут быть конфигурированы для регулирования относительной смачиваемости покрытия 18. Покрытие 18 может представлять собой стабильный инертный материал при нормальных для устройства температурах (например, при температуре в пределах условий применения PCB 10). Покрытие 18 может проявлять хорошие механические свойства, например, такие как сопротивление истиранию и/или адгезия к материалам PCB. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может проявлять повышенную электростатическую защиту. Покрытие 18 может иметь относительную низкую проницаемость для жидкостей и солевых растворов, тем самым предохраняя от жидкостной коррозии через покрытие 18. Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие 18 может в основном быть более полезным в плане взаимодействия с окружающей средой сравнительно с существующими технологиями обработки поверхности.
Покрытие 18 на PCB 10 может быть непрерывным, по существу непрерывным или прерывистым в пределах одной или более поверхностей PCB 10. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 является непрерывным или по существу непрерывным в пределах поверхностей, предназначенных для пайки, и непропаянных поверхностей между ними или смежных с таковыми. Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие 18 является непрерывным или по существу непрерывным в пределах по существу всех открытых и/или уязвимых поверхностей PCB 10. В то время как для защиты PCB 10 от вредных воздействий окружающей среды может быть предпочтительным по существу непрерывное покрытие 18, для других целей может быть предпочтительным прерывистое покрытие 18.
В некоторых вариантах исполнения PCB 10 включает один или более электрических компонентов 12, которые прикреплены через покрытие 18 к электропроводным печатным дорожкам 16 на подложке 14. Электрический компонент 12 может представлять собой любой подходящий элемент электрической цепи на PCB 10. Например, электрический компонент 12 может представлять собой резистор, транзистор, диод, усилитель, осциллятор и/или любой пригодный элемент. В некоторых вариантах исполнения электрический компонент 12 включает один или более выводов, конфигурированных для закрепления на части электропроводной печатной дорожки 16 на подложке 14 печатной платы (PCB) 10. На PCB 10 может быть закреплено любое подходящее число и/или комбинация электрических компонентов 12.
Электрические компоненты 12 могут быть прикреплены к электропроводным печатным дорожкам 16 на подложке 14 с использованием любого подходящего способа. В некоторых вариантах исполнения электрический компонент 12 может быть соединен с электропроводной печатной дорожкой 16 сваркой, лазерной сваркой, ультразвуковой сваркой, и/или применением электропроводных клеевых средств. Согласно определенным вариантам исполнения, электрический компонент 12 может быть припаян через покрытие 18 к электропроводной печатной дорожке 16 на подложке 14 без предварительного удаления покрытия 18. Соединение пайкой между электрическим компонентом 12 и электропроводной печатной дорожкой 16 может быть названо как паяное соединение 26. До формирования паяного соединения 26 покрытие 18 может защищать электропроводные печатные дорожки 16 от окисления и/или коррозии. В некоторых вариантах исполнения, поскольку паяное соединение 26 может быть сформировано через покрытие 18 без предварительного удаления покрытия 18, покрытие 18 может примыкать к паяному соединению 26. Примыкая к паяному соединению 26, покрытие 18 может защищать электропроводные печатные дорожки 16 от окисления и/или коррозии даже после того, как электрические компоненты 12 припаяны к PCB 10.
Паяное соединение 26 между электрическим компонентом 12 и электропроводной печатной дорожкой 16 может быть сформировано с использованием свинцового припоя или бессвинцового припоя. В некоторых вариантах исполнения пайка через покрытие 18 не снижает прочности паяного соединения 26, как могло бы ожидаться. Действительно, в некоторых вариантах исполнения паяное соединение 26, сформированное пайкой через покрытие 18, может быть более прочным, чем паяное соединение на поверхностях с альтернативной поверхностной обработкой. Паяное соединение 26 может быть сформировано любым подходящим способом. В некоторых вариантах исполнения для формирования паяного соединения 26 может быть использован флюс (не показан). В других вариантах исполнения процесс пайки, в котором применяют только теплоту (например, лазерная пайка), мог бы быть применен для селективного формирования паяного соединения 26. В других дополнительных вариантах исполнения паяное соединение 26 может быть образовано способом пайки волной припоя, в котором может быть предусмотрено селективное флюсование.
Как отмечено выше, паяное соединение 26 может быть сформировано через покрытие 18 между электрическим компонентом 12 и электропроводной печатной дорожкой 16. В этом контексте выражение «сформировано через» может иметь отношение к формированию паяного соединения 26 без предварительного удаления покрытия 18 с электропроводной печатной дорожки 16. Таким образом, электропроводная печатная дорожка 16 может быть покрыта покрытием 16, и затем, без первоначального удаления покрытия 18 с электропроводной печатной дорожки 16, один или более электрических компонентов 12 могут быть припаяны к электропроводной печатной дорожке 16. Процесс пайки может избирательно изменять покрытие 18 и может формировать паяное соединение 26 между электрическим компонентом 12 и электропроводной печатной дорожкой 16. Таким образом, выражение «сформированный через» может иметь отношение к формированию паяного соединения 26 без предварительного удаления покрытия 18 с электропроводной печатной дорожки 16.
Как отмечено выше, поскольку паяное соединение 26 может быть сформировано через покрытие 18 без предварительного удаления покрытия 18, покрытие 18 может примыкать к паяному соединению 26. В этом контексте термин «примыкающий» может иметь отношение к одной или более кромкам паяного соединения 26, непосредственно соприкасающимся, по существу соприкасающимся и/или находящимся в значительной близости к одной или более кромкам покрытия 18. Таким образом, паяное соединение 26 может граничить с частью покрытия 18, которое не является избирательно измененным (например, удаленным) в процессе пайки. В некоторых вариантах исполнения паяное соединение 26 может примыкать к покрытию 18 в единичном измерении или в нескольких измерениях. Например, как иллюстрировано в ФИГУРЕ 1А, паяное соединение 26 может примыкать к покрытию в направлении х-оси и/или y-оси, но не в направлении z-оси.
Печатная плата (PCB) 10, включающая покрытие 18, может обеспечивать преимущества перед непокрытыми PCB 10. Покрытие 18 может не обеспечивать, или обеспечивать некоторые или все из следующих преимуществ. Одно преимущество состоит в том, что, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18 может защищать PCB 10 от окисления и/или коррозии во время хранения. Как только на подложке 14 сформированы электропроводные печатные дорожки 16, изготовители могут хранить PCB в течение переменных периодов времени, потенциально вплоть до нескольких месяцев или лет, перед присоединением электрических компонентов 12. Будучи оставленными без покрытия, материалы в электропроводных печатных дорожках 16 (например, медь) могут окисляться на воздухе, обусловливая образование слоя оксида и/или потускнение на электропроводных печатных дорожках 16. Поскольку традиционные PCB 10 не имеют покрытия 18, электропроводные печатные дорожки 16 на традиционных PCB 10 могут окисляться и/или корродировать во время хранения. Чем дольше хранят непокрытые PCB, тем более интенсивное окисление может происходить. Оксидный или коррозионный слой на непокрытых электропроводных печатных дорожках 16 может затруднять формирование прочных паяных соединений 26. В частности, присутствие оксидного или коррозионного слоя на электропроводных печатных дорожках 16 может иметь результатом (i) ослабленные соединения с низкой механической прочностью, (ii) «сухие соединения» («непропайки»), которые проявляют склонность к отказам во время работы устройства, (iii) соединение, которое полностью прерывает электрический контакт, и/или (iv) отказ PCB 10 (например, отказ или разрушение между электропроводными печатными дорожками 16). Напротив, если на PCB 10 нанесено покрытие 18, покрытие 18 может предотвращать окисление и/или коррозию электропроводных печатных дорожек 16 на PCB 10 в течение долговременного хранения (например, месяцев или лет), тем самым обеспечивая возможность формирования прочных паяных соединений 26 на электропроводных печатных дорожках 16 после хранения. В вариантах исполнения, где покрытие 18 наносят на электронные устройства на металлической и/или полимерной основе, покрытие 18, включающее галогенуглеводородные полимеры, может предотвращать набухание проводников и/или устройств.
Еще одно преимущество заключается в том, что, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18, включающее галогенуглеводородные полимеры, может не быть столь дорогостоящим и/или вредным для окружающей среды, как традиционные способы поверхностной обработки. Изготовители наносили металлические покрытия (например, олово, серебро, никель и/или золото) на области, где требовалось бы проведение пайки. Процессы нанесения этих покрытий являются трудоемкими, требуют использования дополнительных металлов и создают экологические проблемы. Эти покрытия и процессы могут быть дорогостоящими и/или сопряженными с риском для здоровья. В некоторых случаях изготовители использовали покрытия, включающие органические соединения, такие как бензимидазолы, и частицы смачиваемых припоем металлов или припоя. Однако эти органические покрытия часто не выдерживают многократных циклов нагревания и проявляют относительно короткий срок годности при хранении перед обработкой. Таким образом, традиционные покрытия, применяемые изготовителями, являются в основном дорогостоящими, занимающими много времени и/или требуют выполнения дополнительных стадий в процессе изготовления. Традиционные способы поверхностной обработки также истощают невозобновляемые ресурсы, такие как драгоценные металлы. В отличие от традиционных покрытий, покрытие 18, включающее галогенуглеводородный полимер, может представлять менее дорогостоящее и/или высокоэффективное покрытие 18, которое предотвращает окисление электропроводных печатных дорожек 16 перед присоединением электрических компонентов 12 путем пайки.
Еще одно преимущество состоит в том, что, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18, включающее галогенуглеводородный полимер, может предотвращать образование дендритов между паяными соединениями 26. Образование дендритов из металлических соединений наблюдалось в промежутках между паяными соединениями 26 на непокрытых PCB 10. Дендриты могут вызывать короткие замыкания и утечки тока между соединительными элементами, приводя к отказу PCB 10. В частности, дендриты могут образовываться, когда влага проникает в непокрытую подложку 14 и/или электропроводную печатную дорожку 16 и образует ионы металлов, которые затем перераспределяются в результате электромиграции в присутствии электромагнитного поля. Дендриты могут представлять собой металлические наросты, которые обусловлены электромиграцией, и формируют папоротникообразные картины вдоль поверхностей. В вариантах исполнения, где покрытие 18 наносят до формирования паяного соединения 26, покрытие может не препятствовать проникновению жидкостей к паяному соединению 26. Однако, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18 может предотвращать проникновение влаги к подложке 14 и/или электропроводным печатным дорожкам 16 на PCB (то есть, туда, где дендриты могут быть склонными образовываться вследствие растворения ионов). Таким образом, покрытие 18 может защищать PCB 10 от образования дендритов (i) предотвращением проникновения влаги к подложке 14 и/или электропроводным печатным дорожкам 16, и/или (ii) созданием физического барьера между проводниками на PCB 10. В дополнение, или альтернативно, поскольку материалы дендритов могут иметь низкую адгезию к покрытию 18, покрытие 18 может сокращать образование дендритов между электропроводными печатными дорожками 16 и/или электрическими компонентами 12 на PCB 10. В дополнение, или альтернативно, покрытие 18 может предотвращать электрическое короткое замыкание между электропроводными печатными дорожками 16, обусловленное присутствием ионных частиц и/или металлов.
Еще одно преимущество заключается в том, что, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18 может защищать окружающую среду от токсичных материалов в PCB 10. Чтобы соответствовать стандартам пожарной безопасности, PCB 10 может включать элементы, сделанные из огнестойких соединений (например, соединений на основе брома, таких как тетрабромбисфенол А (TBBPA)). Однако такие соединения могут быть токсичными, могут создавать трудности для безопасной утилизации и/или могут обусловливать опасности для окружающей среды. Нанесение покрытия 18 на PCB 10 может защитить окружающую среду от таких токсичных материалов. Нанесение покрытия 18 может устранить или значительно сократить необходимость в огнезащитных соединениях в базовом многослойном материале PCB.
ФИГУРА 1А иллюстрирует PCB 10, включающую единичный покровный слой. В других вариантах исполнения PCB 10 может включать множество покровных слоев. Хотя ФИГУРА 1А иллюстрирует два электрических компонента 12, припаянных к электропроводным печатным дорожкам 16 на PCB 10, должно быть понятно, что PCB 10 может включать любое подходящее число и/или комбинацию электрических компонентов 12. Хотя ФИГУРА 1А иллюстрирует покрытие 18, нанесенное на наружную поверхность подложки 14, должно быть понятно, что покрытие 18 может быть нанесено на одну или многие внутренние поверхности подложки 14 и/или других компонентов PCB 10. Кроме того, должно быть понятно, что покрытие 18 может быть нанесено на PCB 10 до и/или после припаивания электрических компонентов 12 к электропроводным печатным дорожкам 16.
Хотя ФИГУРА 1А иллюстрирует электрические компоненты 12, припаянные к электропроводным печатным дорожкам 16, должно быть понятно, что один или более электрических компонентов 12 могут быть прикреплены к электропроводным печатным дорожкам 16 альтернативными способами скрепления, например, такими как проводной монтаж. Кроме того, должно быть понятно, что устройства и компоненты, иллюстрированные в ФИГУРАХ 1-12, не обязательно вычерчены в масштабе.
ФИГУРА 1В иллюстрирует двухстороннюю печатную плату (PCB) 10, на которую нанесено покрытие 18. Двухсторонняя PCB 10 может включать один или более слоев подложки 14. Электропроводные печатные дорожки 16 могут быть закреплены на противоположных сторонах подложки 14. В некоторых вариантах исполнения электропроводные печатные дорожки 16 на противоположных сторонах подложки 14 могут быть коммуникативно связаны посредством одного или более переходных отверстий 27. Переходное отверстие 27 может включать металлизированное отверстие, которое обеспечивает электрическое соединение между электропроводными печатными дорожками 16, закрепленными на различных поверхностях и/или слоях в PCB 10. Переходное отверстие 27 может представлять собой сквозное переходное отверстие (например, переходное отверстие, которое проходит насквозь через PCB), глухое переходное отверстие (например, переходное отверстие, открытое только на одну сторону PCB), скрытое межслойное переходное отверстие (например, переходное отверстие, которое соединяет внутренние слои в PCB без выхода на обе поверхности), и/или переходное отверстие любого подходящего типа. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на наружных и/или внутренних поверхностях переходного отверстия 27. Например, покрытие 18 может облицовывать боковую стенку переходного отверстия 27, которая проходит по меньшей мере через часть PCB 10. Таким образом, покрытие 18 может защищать переходные отверстия 27 и внутренние слои PCB 10 от коррозии и/или окисления.
ФИГУРА 1С иллюстрирует электрический компонент 12, закрепленный на PCB 10 способом пайки волной припоя, согласно определенным вариантам исполнения. Как разъяснено выше, PCB 10 может включать одно или более переходных отверстий 27 сквозь подложку 14. Перед припаиванием электрических компонентов 12 к PCB 10 покрытие 18 может быть нанесено на подложку 14 так, что один или более покровных слоев покрывают боковые стенки переходного отверстия 27. После осаждения покрытия 18 на подложку 14 электрический компонент 12 может быть позиционирован на первой стороне PCB 10 так, что вывод 29 электрического компонента 12 проходит через переходное отверстие 27. Таким образом, конец вывода 29 может выступать через канал переходного отверстия 27 на вторую сторону (например, на противоположную сторону) PCB 10. В некоторых вариантах исполнения, затем вокруг вывода 29 электрического компонента 12 могут быть нанесены припой и/или флюс с образованием паяного соединения 26. Согласно определенным вариантам исполнения, припой и/или флюс наносят на вторую сторону PCB 10 (например, вокруг конца вывода 29, выступающего из второй стороны PCB 10). Затем припой и/или флюс могут протекать через переходное отверстие 27 с образованием паяного соединения 26 между выводом 29 и боковыми стенками переходного отверстия 27 и/или электропроводными печатными дорожками 16 на поверхности PCB 10. Таким образом, паяное соединение 26 может быть протяженным полностью или частично через переходное отверстие 27. Процесс пайки может изменять покрытие 18 вдоль боковых стенок переходного отверстия 27. Например, в сочетании с формированием паяного соединения 26 процесс пайки может удалять покрытие 18 с боковых стенок переходного отверстия 27. Хотя ФИГУРА 1С иллюстрирует одно переходное отверстие 27 в PCB, должно быть понятно, что PCB может включать любое подходящее число переходных отверстий 27.
ФИГУРА 2 иллюстрирует осаждение покрытия 18 на PCB 10, согласно определенным вариантам исполнения. Покрытие 18 может быть осаждено на PCB 10 для защиты электропроводных печатных дорожек 16 от окисления и/или коррозии. В некоторых вариантах исполнения, как только электропроводные печатные дорожки 16 были сформированы на открытой в окружающую среду поверхности подложки 14, покрытие 18 осаждают поверх электропроводных печатных дорожек 16 на подложку 14. Таким образом, покрытие 18 может быть осаждено на электропроводные печатные дорожки 16 до припаивания любых электрических компонентов 12 к электропроводным печатным дорожкам 16. Соответственно этому, покрытие 18 может быть в прямом контакте с электропроводными печатными дорожками 16 без любого припоя, или по существу любого припоя, между покрытием 18 и электропроводными печатными дорожками 16. Покрытие 18 может быть осаждено на электропроводные печатные дорожки 16 любым подходящим способом. Например, покрытие 18 может быть осаждено с использованием осаждения методом плазменного распыления, химическим осаждением из паровой фазы (CVD), способом молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE), стимулированным плазмой химическим осаждением из газовой фазы (PE-CVD), осаждением методом плазменного распыления при высоком давлении/атмосферном давлении, химическим осаждением из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MO-CVD), и/или химическим осаждением из газовой фазы, стимулированным лазерным излучением (LE-CVD). В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть нанесено способом осаждения с плазменным распылением, который протекает при низкой температуре. Такой низкотемпературный плазменный процесс может позволить применять покрытие 18 на многих различных типах подложек 14. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на электропроводных печатных дорожках 16 созданием взаимопроникающих сетчатых полимерных структур (IPNs) и/или поверхностной абсорбцией монослоев (SAMs) полимеров или мономеров с образованием in-situ полимеров и/или полимерных сплавов. В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено с использованием способа нанесения жидкого покрытия, например, такого как погружение в жидкость, нанесение покрытия напылением, нанесение покрытия методом центрифугирования, напыление и/или золь-гель-процесс.
Как иллюстрировано в ФИГУРЕ 2, покрытие 18 может быть нанесено на электропроводные печатные дорожки 16 путем осаждения методом плазменного распыления. Осаждение методом плазменного распыления, которое может быть использовано в широком диапазоне вариантов промышленного применения, в общем представляет собой эффективную технологию осаждения тонкопленочных покрытий 18. Осаждение методом плазменного распыления может происходить в реакторе 28, который генерирует газовую плазму, включающую ионы ионизированных газов, электроны, атомы и/или нейтральные частицы. Реактор 28 может включать камеру 30, вакуумную систему 32 и один или более источников 34 энергии. Реактор 28 может представлять собой реактор 28 любого типа, скомпонованный для генерирования газовой плазмы. Источник 34 энергии может быть любым подходящим устройством, конфигурированным для преобразования одного или более газов в газовую плазму. Например, источник 34 энергии может включать нагреватель, радиочастотный (RF) генератор и/или микроволновой генератор.
В некоторых вариантах исполнения, когда электропроводные печатные дорожки 16 сформированы на подложке 14, подложка 14 может быть помещена в камеру 30 реактора 28. Вакуумная система 32 может откачивать камеру 30 до давлений в диапазоне от 10-3 до 10 мбар (0,1 Па – 1 кПа). Затем реактор 28 может вводить один или более газов в камеру 30, и источник 34 энергии может генерировать и/или направлять электромагнитное излучение в камеру 30 для генерирования стабильной газовой плазмы. Затем реактор 28 может вводить одно или более соединений-прекурсоров 36 (в виде газов и/или жидкостей) в газовую плазму в камере 30. Будучи введенными в газовую плазму, соединения-прекурсоры 36 могут ионизироваться и/или разлагаться с образованием ряда активных частиц в плазме, которые реагируют (например, в процессе полимеризации) на поверхности PCB 10 с формированием тонкого покрытия 18.
Соединения-прекурсоры 36 могут быть выбраны для создания желательных характеристик покрытия. В некоторых вариантах исполнения соединения-прекурсоры 36 представляют собой углеводородные материалы, включающие атомы галогенов. Например, для формирования покрытия 18, включающего галогенуглеводородный полимер, соединения-прекурсоры 36 могут представлять собой перфторалканы, перфторалкены, перфторалкины, фторалканы, фторалкены, фторалкины, фторхлоралканы, фторхлоралкены, фторхлоралкины, и/или любой подходящий фторированный и/или хлорированный органический материал (например, фторуглеводороды, фторуглероды, хлорфторуглеводороды и/или хлорфторуглероды).
В вариантах исполнения, где покрытие 18 осаждают на PCB 10 методом плазменного распыления, природа и состав покрытия 18 может зависеть от одного или более условий, например, таких как (i) выбранная газовая плазма; (ii) конкретное(ные) использованное(ные) соединение(ия)-прекурсор(ры) 36; (iii) количество соединения(ний)-прекурсора(ров) 36 (которое может быть определено комбинацией давления соединения(ний)-прекурсора(ров) 36 и величиной расхода потока); (iv) соотношение соединения(ний)-прекурсора(ров) 36; (v) последовательность введения соединения(ний)-прекурсора(ров) 36; (vi) давление плазмы; (vii) частота возбуждения плазмы; (viii) распределение длительности импульсов во времени; (ix) продолжительность нанесения покрытия; (х) мощность плазмы (включая пиковую и/или усредненную мощность плазмы); (xi) компоновка электродов в камере; (xii) приготовление вводимой PCB 10; и/или (xiii) размер и геометрическая форма камеры 30. Осаждение методом плазменного распыления может быть использовано для нанесения тонких пленок из монослоя (обычно в несколько ангстрем (Е)) до десяти микрон (10 мкм) (предпочтительно до пяти микрон (5 мкм)), в зависимости от вышеуказанных настроек и условий. Вышеназванные факторы можно варьировать в процессе осаждения для формирования однослойного, многослойного, однородного и/или неоднородного покрытия 18. В некоторых вариантах исполнения процесс осаждения методом плазменного распыления может воздействовать только на обращенную наружу сторону (например, поверхность, несущую электропроводные печатные дорожки 16) печатной платы (PCB) 10. Таким образом, технология осаждения методом плазменного распыления может быть полностью совместимой с изготовлением PCB 10, обеспечивая минимальное или вообще никакое повреждение или другие нежелательные воздействия на печатную плату (PCB) 10. В некоторых вариантах исполнения технология осаждения методом плазменного распыления не подвергает PCB 10 воздействию относительно высоких температур, связанных с альтернативными способами поверхностной обработки.
В некоторых вариантах исполнения одно преимущество осаждения методом плазменного распыления может состоять в том, что покрытие 18 осаждают так, что оно достигает всех поверхностей PCB 10. В результате вертикальные поверхности на PCB 10 (например, поверхности, доступные только через отверстия в PCB 10) и/или нависающие структуры на PCB 10 могут быть покрыты покрытием 18. Следовательно, покрытие 18 может защищать PCB 10 от окисления и/или коррозии вдоль всех сторон, кромок, точек и/или областей, на которых электропроводные печатные дорожки 16 контактируют с подложкой 14 в PCB 10. В некоторых вариантах исполнения процесс осаждения методом плазменного распыления не лимитируется ограничениями поверхностного натяжения, которое детерминирует «мокрые» химические способы, используемые в других процессах поверхностной обработки. Таким образом, покрытие может быть нанесено в более мелкие переходные отверстия и/или другие полости.
В некоторых вариантах исполнения в реакторе 28 может быть использована активная плазма для выполнения in-situ очистки обращенной(ных) наружу поверхности(тей) PCB 10 перед проведением осаждения методом плазменного распыления. В таких вариантах исполнения, перед введением соединений-прекурсоров 36 в камеру 30 для этапа осаждения методом плазменного распыления, реактор 28 может вводить активную газовую плазму в ту же камеру 30 для очистки подложки 14 и/или электропроводных печатных дорожек 16 на PCB 10. Активная газовая плазма может быть основана на стабильном газе, например, таком как благородный газ, газообразный углеводород и/или газообразный галогенированный углеводород. В некоторых вариантах исполнения активная газовая плазма может быть основана на водороде, кислороде, азоте, аргоне, метане, этане, тетрафторметане (CF4), гексафторэтане (C2F6), тетрахлорметане (CCl4), других фторированных или хлорированных углеводородах, и/или их смеси. Согласно определенным вариантам исполнения, PCB 10 может быть очищена в камере 30 таким же материалом, каковой осаждают на PCB 10. Например, фторированный или хлорированный углеводород, например, такой как тетрафторметан (CF4), гексафторэтан (C2F6), гексафторпропилен (C3F6) и/или октафторпропан (C3F8), может быть применен как для очистки поверхности(тей) PCB 10, так и для осаждения слоя из галогенуглеводородного полимера и/или слоя галогенида металла (например, фторида металла, хлорида металла и т.д.) на подложку 14.
В некоторых вариантах исполнения, где слой покрытия 18, включающий галоген или материал на основе галогенида, наносят непосредственно на электропроводную печатную дорожку 16 на PCB 10, очень тонкий слой (например, пять нм или меньше) из галогенида металла может сформироваться на открытой поверхности электропроводной печатной дорожки 16. В некоторых вариантах исполнения галогенид металла представляет собой фторид металла, например, такой как фторид меди или его производное. Слой галогенида металла может быть прочным, может быть инертным, и/или может предотвращать образование на электропроводных печатных дорожках 16 оксидных слоев и/или потускнений, которые могли бы препятствовать эффективной пайке.
Однако при некоторых обстоятельствах слой галогенида металла на PCB 10 может быть нежелательным, если он, например, обусловливает образование интерметаллических соединений, которые являются чувствительными к специфическим условиям окружающей среды со склонностью к снижению прочности. В таких случаях осаждение первого покровного слоя, включающего негалогенуглеводородный материал (например, полиэтилен и/или полипропилен) на PCB 10 может предотвращать образование слоя галогенида металла, когда осаждают второй покровный слой, включающий галогенуглеводородный полимер.
Хотя ФИГУРА 2 иллюстрирует единичную PCB 10 в камере 30 в реакторе 28, должно быть понятно, что любое число печатных плат (PCB) 10 может быть одновременно размещено в камере 30 и снабжено покрытием 18. Хотя ФИГУРА 2 иллюстрирует формирование покрытия 18 на PCB 10 путем осаждения методом плазменного распыления, должно быть понятно, что покрытие 18 может быть осаждено на PCB 10 с использованием любого подходящего способа.
Как разъяснено выше, как только покрытие 18 осаждают поверх электропроводных печатных дорожек 16 на подложке 14, электрические компоненты 12 могут быть прикреплены к электропроводным печатным дорожкам 16 через покрытие 18. Электрические компоненты 12 могут быть прикреплены к электропроводным печатным дорожкам 16 с использованием любого подходящего способа, например, такого как пайка, проводной монтаж, электростатическое связывание и/или связывание силами Ван-дер-Ваальса. В некоторых вариантах исполнения электрические компоненты 12 могут быть соединены с электропроводными печатными дорожками 16 с использованием клеевого средства на покрытии 18 (тем самым с применением электрической проводимости покрытия 18 по z-оси).
ФИГУРЫ 3А-В иллюстрируют припаивание электрического компонента 12 к электропроводной печатной дорожке 16 на PCB 10, согласно определенным вариантам исполнения. Как иллюстрировано в ФИГУРЕ 3А, электрический компонент 12 может быть припаян через покрытие 18 без первоначального удаления покрытия 18 с электропроводной печатной дорожки 16. Процесс пайки может включать подведение теплоты и нанесение припоя 38 к отдельной области на PCB 10, где должно быть сформировано паяное соединение 26. Теплота может быть подведена к припою 38 с использованием любого подходящего источника теплоты, например, такого как паяльник 40. В некоторых вариантах исполнения процесс пайки может также включать нанесение флюса 42 на отдельную область PCB 10. Теплота, флюс 42 и/или припой 38 могут избирательно изменять покрытие 18 на отдельной области PCB 10. В некоторых вариантах исполнения изменение покрытия 18 может иметь отношение к удалению покрытия 18 с отдельной области на PCB 10. Покрытие 18 может быть удалено нанесением припоя 38 и, необязательно, флюса 42, на PCB 10 при температуре и в течение времени так, что припой 38 связывается с электропроводной печатной дорожкой 16, и покрытие 18 локально диспергируется, поглощается, испаряется, растворяется и/или разрушается. В некоторых вариантах исполнения изменение покрытия 18 может включать изменение структуры, пористости и/или поверхностной энергии покрытия 18. Например, флюсование может изменять поверхностную энергию пор в покрытии 18, что может изменять смачиваемость покрытия 18 так, что припой 38 может протекать через поры в покрытии 18 к электропроводной печатной дорожке 16. Таким образом, в этом примере, паяное соединение 26 может формировать электрическое соединение через покрытие между электрическим компонентом 12 и электропроводной печатной дорожкой 16. В качестве еще одного примера, процесс пайки может избирательно изменять покрытие 18 путем образования полостей (например, трещин), и/или обусловливая распространение полостей в отдельной области покрытия 18, где наносят припой 38 и/или флюс 42. Предпочтительно, один или более факторов конфигурируют так, что процесс пайки обеспечивает хорошее течение припоя, покрывает часть электропроводной печатной дорожки 16 на подложке 14 припоем 38, и/или формирует прочное паяное соединение 26. Эти факторы могут включать: (i) характеристики подложки 14, (ii) характеристики покрытия 18, (iii) характеристики припоя/флюса, (iv) профиль пайки (в том числе продолжительность и температуру), (v) способ диспергирования покрытия 18, и (vi) способ регулирования течения припоя вокруг паяного соединения 26.
В некоторых вариантах исполнения только действие флюса 42 и температура во взаимодействии с галогенуглеводородными полимерами в покрытии 18 могут изменять покрытие 18 локально на отдельной области PCB 10, на которую наносят флюс 42. Согласно определенным вариантам исполнения, изменение покрытия 18 на отдельной области PCB 10 может включать удаление покрытия 18 с отдельной области на PCB 10. Припой 38 и/или флюс 42 могут быть нагреты до любой подходящей температуры в зависимости, по меньшей мере отчасти, от состава припоя 38. В некоторых вариантах исполнения припой 38 и/или флюс 42 нагревают до температур между 200°С и 300°С. Согласно определенным вариантам исполнения, припой 38 и/или флюс 42 нагревают до температур между 240°С и 280°С. В предпочтительном варианте исполнения, с использованием бессвинцового припоя 38, припой 38 и/или флюс 42 нагревают до температуры приблизительно 260°С.
Действие флюса 42 и/или температуры может локально диспергировать, абсорбировать, испарять, растворять и/или разлагать покрытие 18, включающее галогенуглеводородный полимер. Таким образом, покрытие 18 может быть изменено (например, удалено с) только на отдельной области PCB 10, где наносят припой 38 и/или флюс 42. Как иллюстрировано в ФИГУРЕ 3В, покрытие 18 может оставаться присоединенным к поверхности PCB 10 вплоть до самого создания паяного соединения 26. Примыкая к паяному соединению 26, покрытие 18 может обеспечивать защиту электропроводных печатных дорожек 16 на PCB 10 от условий окружающей среды до самого формирования паяного соединения 26.
Согласно определенным вариантам исполнения, может быть достигнут баланс между временем, необходимым для изменения покрытия 18, температурой, нужной для изменения покрытия 18, и/или кислотностью или агрессивностью флюса 42. Так, могут быть достаточными более мягкие флюсы 42, если используются более высокие температуры, и наоборот. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла (например, фторида меди) может находиться между электропроводной печатной дорожкой 16 и слоем галогенуглеводорода в покрытии 18. Слой галогенида металла может проявлять свойство самофлюсования, когда к отдельной области на PCB 10 подводят теплоту. Такое свойство самофлюсования может способствовать процессу пайки. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла и/или разложение галогенуглеводородных полимеров в покрытии 18 могут выделять фтор и/или фтороводород (HF) для инициирования флюсования (самофлюсования) во время процесса пайки. Благодаря такому свойству самофлюсования, если во время процесса пайки используют достаточно высокую температуру, паяное соединение 26 может быть сформировано без применения любого флюса 42.
Для формирования паяного соединения 26 может быть использован любой подходящий припой 38. В некоторых вариантах исполнения припой 38 может представлять собой легкоплавкий металлический сплав, имеющий температуру плавления в диапазоне от 90°С до 450°С. В некоторых вариантах исполнения припой 38 представляет собой свинцово-оловянный припой 38, например, такой как сплав 60/40 Sn/Pb или 63/37 Sn/Pb. В других вариантах исполнения припой 38 представляет собой бессвинцовый припой 38, например, такой как сплав, включающий олово, медь, серебро, висмут, индий, цинк и/или сурьму. Примеры бессвинцового припоя 38 включают SnCu0.7, SnAg3.5Cu0.7, и SnAg3.0Cu0.5. В некоторых вариантах исполнения припой 38 может включать порошковый металл, который суспендирован во флюсе 42. Смесь порошкового металла и флюса 42 может быть названа как паяльная паста.
В вариантах исполнения с использованием флюса 42 для формирования паяного соединения 26 может быть применен любой пригодный флюс 42. В некоторых вариантах исполнения флюс 42 может представлять собой мягкий флюс 42, например, такой как “no-clean” (“неагрессивный») флюс (например, канифольный флюс), который не требует проведения последующей этапы очистки PCB 10. В других вариантах исполнения флюс 42 может представлять собой органический флюс 42, например, такой как органическая кислота (например, молочная кислота, акриловая кислота и т.д.), органическая соль (например, хлорид диметиламмония (DMA.HCl)), и/или органический амин (например, мочевина). В еще других вариантах исполнения флюс 42 может представлять собой полимерно-канифольный флюс 42, например, такой как синтетическая смола или натуральная канифоль. В других дополнительных вариантах исполнения флюс 42 может представлять собой неорганический флюс 42, например, такой как неорганическая соль (например, хлорид цинка, хлорид натрия, хлорид калия, фторид натрия и т.д.), и/или неорганическая кислота (например, соляная кислота, азотная кислота и т.д.). В еще других вариантах исполнения флюс 42 может быть не содержащим галогенов флюсом, безостаточным флюсом и/или флюсом с низким содержанием твердых веществ. В дополнение, или альтернативно, могут быть использованы промышленные флюсы 42, например, такие как флюсы 42, применяемые для общей пайки, пайки твердым припоем, сварки, очистки или травления металлической поверхности. Примером такого промышленного флюса 42 является бура. Выбор флюса 42 может зависеть от природы покрытия 18, в особенности конкретной толщины 24 и состава покрытия 18. Для более толстого покрытия 18 с более высоким электрическим сопротивлением может потребоваться применение более агрессивного флюса 42. В дополнение, или альтернативно, выбор флюса 42 может зависеть от характеристик смачивания материалов в покрытии 18. Композиция, которая включает активный ингредиент или ингредиенты флюса 42, и которая селективно изменяет покрытие 18 на PCB 10 (например, избирательно удаляет покрытие 18), может быть использована вместо флюса 42.
Как разъяснено выше, покрытие 18 позволяет формировать хорошие паяные соединения 26 на электропроводных печатных дорожках 16 на PCB 10. Для достижения хорошего качества прочных паяных соединений 26 на PCB 10 можно контролировать один или более факторов. Эти факторы могут включать: (i) характеристики смачивания и/или поверхностной энергии покрытой подложки 14 и/или PCB 10; (ii) шероховатость поверхности покрытой подложки 14 и/или PCB 10; (iii) шероховатость поверхности электропроводных печатных дорожек 16 на подложке 14; (iv) состав припоя 38 и/или паяльной пасты (включающей активные реагенты и/или растворители); (v) температурный профиль процесса пайки, который может включать оптимизированные температурные профили и времена пребывания для повышения эффективности смачивания припоя 38, паяльной пасты и/или активных компонентов; (vi) размер и/или геометрическую форму электропроводных печатных дорожек 16 на покрытой подложке 14; и/или (vii) размер частиц компонентов, присутствующих в припое 38 и/или паяльной пасте. В некоторых вариантах исполнения прочность и/или качество паяного соединения 26 могут быть повышены с помощью предварительной обработки, чистоты и/или подготовки поверхности электропроводных печатных дорожек 16 на подложке 14. Электропроводные печатные дорожки 16 могут быть очищены путем поверхностной обработки плазмой газового разряда, серной кислотой и/или пероксидом водорода и/или способом обработки травильным средством на основе персульфата. Согласно определенным вариантам исполнения, размер отверстий и/или толщина трафарета для нанесения паяльной пасты могут быть подобраны для регулирования количества, местоположения, смачивания и/или распределения паяльной пасты, выложенной на электропроводные печатные дорожки 16 на покрытой подложке 14.
В некоторых вариантах исполнения качество и/или прочность паяного соединения 26 могут быть повышены согласованием вязкости и величины поверхностного натяжения паяльной пасты в зависимости от температуры для (i) регулирования смачивания и течения паяльной пасты на электропроводных печатных дорожках 16 и/или (ii) контроля капиллярного действия, обусловленного электронными компонентами, на электропроводные печатные дорожки 16. Это капиллярное действие может проявлять тенденцию к смещению паяльной пасты с места ее желательного размещения, в особенности если используют пайку при комплексно-смешанной сборке типов “Fine Pitch” («мелкий шаг») и/или “Ball Grid Array (BGA)” («с шариковыми выводами на нижней плоскости корпуса»). Согласно определенным вариантам исполнения, качество и/или прочность паяного соединения 26 могут быть повышены регулированием состава, химической стабильности и/или толщины 24 покрытия 18 так, чтобы паяльная паста избирательно изменяла покрытие 18 на отдельной области на поверхности подложки 14. В некоторых вариантах исполнения качество и/или прочность паяного соединения 26 могут быть повышены регулированием химического взаимодействия активного компонента в паяльной пасте с галогенуглеводородными полимерами в покрытии 18 для облегчения избирательного изменения (например, селективного удаления) покрытия 18. Количество и/или состав активных компонентов в паяльной пасте могут быть оптимизированы для облегчения этого взаимодействия.
Хотя ФИГУРЫ 3А-В иллюстрируют процесс пайки, в котором используют припой 38, теплоту и флюс 42 для формирования паяного соединения 26, должно быть понятно, что паяное соединение 26 может быть сформировано через покрытие 18 с использованием припоя 38 и теплоты без какого-либо флюса 42. Хотя ФИГУРЫ 3А-В иллюстрируют паяное соединение 26, сформированное через однослойное покрытие 18, должно быть понятно, что паяное соединение 26 может быть создано через многослойное покрытие 18.
ФИГУРА 4 иллюстрирует печатную плату (PCB) 10, включающую многослойное покрытие 18, согласно определенным вариантам исполнения. Термин «многослойный» может иметь отношение к покрытию 18, которое включает два или более различающихся слоев и/или слоев 44 с поэтапным изменением свойств полимеров. Там, где многослойное покрытие 18 включает различные слои 44, каждый слой может включать отдельную химическую композицию. Там, где многослойное покрытие 18 включает слои 44 с поэтапным изменением свойств, индивидуальные слои 44 могут формировать область промежуточного состава между отдельными слоями 44. Материал(лы) в области промежуточного состава может(гут) иметь варьирующие молекулярную массу, химический состав, структуру, геометрическую форму, пористость, и/или другие свойства. Так, многослойное покрытие 18 может включать множество различных слоев 44 из полимеров, и/или может включать множество слоев 44 из полимеров с постепенно изменяющимися свойствами.
В некоторых вариантах исполнения многослойное покрытие 18 может включать первый слой 44а, включающий полимер первого типа, и второй слой 44b, включающий полимер второго типа. В других вариантах исполнения первый слой 44а и второй слой 44b многослойного покрытия 18 могут включать полимеры, которые имеют сходный химический состав, но различные структуры, различные степени сопряжения, и/или различные веса. В некоторых вариантах исполнения отдельный слой 44 в многослойном покрытии 18 может включать единичный тип галогенуглеводородного полимера. В других вариантах исполнения отдельный слой 44 в многослойном покрытии 18 может включать смесь галогенуглеводородных полимеров различных типов. Согласно определенным вариантам исполнения, каждый слой 44 в многослойном покрытии 18 может включать полимер(ры) с одинаковыми или различными составами. В некоторых вариантах исполнения каждый слой 44 включает сходные соединения-прекурсоры 36, которые подвергают различной обработке для формирования каждого слоя 44. Это может иметь результатом то, что каждый слой 44 имеет различные полимеры, различные полимерные сетчатые структуры, различные молекулярные массы, различные размеры, различные физические структуры и/или различия в других свойствах. В других вариантах исполнения каждый слой 44 включает различные соединения-прекурсоры 36, которые могут обусловливать то, что каждый слой включает различные материалы и/или характеристики материалов.
Многослойное покрытие 18 на PCB 10 может включать любое подходящее число слоев 44. В некоторых вариантах исполнения многослойное покрытие 18 включает от двух до пяти слоев 44. В других вариантах исполнения многослойное покрытие 18 включает от двух до четырех слоев 44. В предпочтительном варианте исполнения многослойное покрытие 18 включает два или три слоя 44. В вариантах исполнения, где покрытие 18 включает три или более слоев 44, многослойное покрытие 18 может быть скомпоновано так, что два или более слоев 44, которые не являются смежными между собой, включают один и тот же полимер. Для некоторых вариантов применения число слоев 44 в многослойном покрытии 18 может быть выбрано для усиления противоотражательных и/или диэлектрических характеристик многослойного покрытия 18. В таких вариантах исполнения многослойное покрытие 18 может включать большее число слоев 44 (например, четыре или больше) с регулируемыми толщиной и/или геометрической формой каждого слоя 44. В таких вариантах исполнения отдельный слой 44 в многослойном покрытии 18 может быть хиральным так, что отдельный слой 44 является упорядоченным на основании ориентации и/или химической структуры.
Многослойное покрытие 18 на PCB 10 может иметь любую подходящую толщину 24. Например, многослойное покрытие 18 может иметь общую толщину 24 от одного нм до десяти мкм, от одного нм до пятисот нм, от трех нм до пятисот нм, от десяти нм до пятисот нм, от десяти нм до двухсот пятидесяти нм, или от десяти нм до тридцати нм. В предпочтительном варианте исполнения многослойное покрытие 18 на PCB 10 имеет общую толщину 24 от десяти нм до ста нм, причем предпочтительная толщина 24 составляет сто нм.
Соответствующие слои 44 внутри многослойного покрытия 18 могут иметь любую подходящую толщину. В некоторых вариантах исполнения соотношение толщин каждого слоя 44 может варьировать для достижения различных свойств покрытия 18. В некоторых вариантах исполнения каждый слой 44 внутри покрытия 18 на PCB 10 может быть равной или приблизительно равной толщины. В других вариантах исполнения один слой 44 может быть толще, чем другой(гие) слой(слои) 44, так что многослойное покрытие 18 проявляет общие свойства, которые корректируют для обеспечения объединенной функциональности, обеспеченной вкладом каждого слоя 44 внутри покрытия 18. Согласно определенным вариантам исполнения, толщина отдельного слоя 44 может составлять от шестидесяти до девяноста процентов от общей толщины 24 многослойного покрытия 18, и объединенная толщина остального(ных) слоя(ев) 44 может составлять от десяти до сорока процентов общей толщины 24 многослойного покрытия 18.
В вариантах исполнения, где покрытие 18 включает множество слоев 44 с постепенно изменяющимися свойствами, пропорции соответствующих полимеров в слоях 44 с постепенно изменяющимися свойствами могут варьировать для создания различных свойств общего покрытия 18. Там, где покрытие 18 включает множество слоев 44 с постепенно изменяющимися свойствами, смежные слои 44 могут быть сплавлены друг с другом так, что между смежными слоями 44 присутствуют полимеры с промежуточным химическим составом. В дополнение, или альтернативно, многослойное покрытие 18 может включать один или более полимерных слоев 44, смежных со слоем 44 из галогенида металла (например, фторида металла). Согласно определенным вариантам исполнения, доля каждого полимера в ступенчато изменяющемся многослойном покрытии 18 может быть равной. В других вариантах исполнения покрытия 18, включающего ступенчато изменяющиеся слои 44 из различных полимеров, покрытие 18 может включать больше конкретного полимера, чем другого(гих) полимера(ров), так, что многослойное покрытие 18 более отчетливо проявляет свойства этого конкретного полимера. В таких вариантах исполнения конкретный полимер может составлять от шестидесяти до девяноста процентов покрытия 18 так, что на остальной(ные) полимер(ры) приходятся от десяти до сорока процентов покрытия 18. Как отмечено выше, в некоторых вариантах исполнения поверхность раздела между слоями 44 может быть четко определенной, и в других вариантах исполнения поверхность раздела между слоями 44 может быть постепенно изменчивой.
Согласно определенным вариантам исполнения, первый слой 44а многослойного покрытия 18 (то есть, отдельный слой 44, примыкающий к подложке 14 и/или к электропроводным печатным дорожкам 16) является непрерывным или по существу непрерывным. В таких вариантах исполнения никакая или по существу никакая часть второго слоя 44b не может приходить в контакт с подложкой 14 и/или электропроводными печатными дорожками 16 на PCB 10. Один или более слоев 44 многослойного покрытия 18 могут быть осаждены на подложке 14 и/или электропроводных печатных дорожках 16 до припаивания любых электрических компонентов 12 к электропроводным печатным дорожкам 16 на подложке 14. Соответственно этому, между одним или более слоями 44 многослойного покрытия 18 и электропроводными печатными дорожками 16 может не быть припоя 38, или по существу может не быть припоя 38.
Как разъяснено выше, электрические компоненты 12 могут быть присоединены к электропроводным печатным дорожкам 16 разнообразными способами, например, такими как пайка и/или проводной монтаж. В некоторых вариантах исполнения по меньшей мере один слой 44 многослойного покрытия 18 может быть оптимизирован для проводного монтажа, и еще один слой многослойного покрытия 18 может быть оптимизирован для пайки. Например, первый слой 44, который оптимизирован для проводного монтажа, может быть сначала осажден на электропроводные печатные дорожки 16. Затем может быть проведен процесс проводного монтажа для соединения по меньшей мере одного электрического компонента 12 с электропроводной печатной дорожкой 16. Затем поверх PCB 10 может быть осажден второй слой 44 многослойного покрытия 18. Второй слой 44 может быть оптимизирован для пайки. Затем через многослойное покрытие 18 к электропроводной печатной дорожке 16 может быть припаян еще один электрический компонент 12. Альтернативно, вышеуказанные этапы могли бы быть проведены в обратном порядке так, что мог бы быть осажден отдельный слой 44, который оптимизирован для пайки, затем могла бы быть выполнена пайка, затем мог бы быть осажден отдельный слой 44, который оптимизирован для проводного монтажа, и затем мог бы быть выполнен проводной монтаж.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 включает по меньшей мере один слой 44, включающий углеводородный полимер с низким содержанием галогенов. Углеводородный полимер с низким содержанием галогенов может представлять собой любой подходящий полимер, имеющий меньшее, чем пороговое количество атомов галогенов. Например, углеводородный полимер с низким содержанием галогенов может иметь отношение к полимеру, имеющему процентное содержание атомов галогенов (по массе) на уровне ниже допускающего конфигурирование (например, менее двух процентов по массе, менее 0,5 процента по массе и/или любое подходящее процентное содержание).
Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие 18 включает по меньшей мере один слой 44, включающий галогенуглеводородный полимер, и еще один слой 44, включающий негалогенуглеводородный полимер. В некоторых вариантах исполнения негалогенуглеводородный полимер может представлять собой любой подходящий полимер, который не включает атомы галогенов. Негалогенуглеводородный полимер может иметь линейную или разветвленную цепь или циклическую углеродную структуру. В некоторых вариантах исполнения может иметь место сшивание между цепями негалогенуглеводородного полимера. Негалогенуглеводородный полимер может включать одну или более ненасыщенных групп, например, таких как двойные и/или тройные углерод-углеродные связи. В некоторых вариантах исполнения негалогенуглеводородный полимер включает один или более гетероатомов (то есть, атомов, которые не являются углеродом, водородом или галогеном), например, такие как азот, сера, кремний и/или кислород. Согласно определенным вариантам исполнения, молекулярная масса негалогенуглеводородного полимера составляет более пятисот атомных единиц массы (amu). Негалогенуглеводородный полимер может представлять собой полимер, который может быть осажден методом плазменного распыления.
Отдельный слой 44 покрытия 18 может включать любой(бые) подходящий(щие) негалогенуглеводородный(ные) полимер(ры). Например, отдельный слой 44 может включать полиалкен, сложный полиэфир, винильный полимер, фенольную смолу, и/или полиангидрид. В предпочтительном варианте исполнения отдельный слой 44 включает полиалкен, например, такой как полиэтилен и/или полипропилен.
В некоторых вариантах исполнения PCB 10 может включать покрытие 18, включающее (i) первый слой 44а из негалогенуглеводородного полимера, который осаждают непосредственно на подложку 14 и/или электропроводные печатные дорожки 16, и (ii) второй слой 44b из галогенуглеводородного полимера, который осаждают на первый слой 44а. Такие варианты исполнения могут быть преимущественными, где слой 44 из галогенида металла на электропроводных печатных дорожках 16 нежелателен. В частности, осаждение первого слоя 44а из негалогенуглеводородного полимера непосредственно на электропроводные печатные дорожки 16 может предотвращать образование слоя 44 из галогенида металла на электропроводных печатных дорожках 16. В некоторых вариантах исполнения слой 44 из галогенида металла может быть нежелательным, если он приводит, например, к образованию интерметаллических соединений, которые чувствительны к специфическим условиям окружающей среды с тенденцией к снижению прочности. В таких вариантах исполнения первый слой 44а, включающий негалогенуглеводородный полимер, может служить в качестве барьера между электропроводными печатными дорожками 16 и вторым слоем 44b, включающим галогенуглеводородный полимер. Таким образом, формирование первого слоя 44а, включающего негалогенуглеводородный полимер, может предотвращать образование слоя 44 из галогенида металла во время последующего осаждения слоя 44, включающего галогенуглеводородный полимер.
В других вариантах исполнения слой галогенида металла может быть желательным. В таких вариантах исполнения покрытие 18 может включать (i) первый слой 44а из галогенида металла, который формируют непосредственно на подложке 14 и/или электропроводных печатных дорожках 16, и (ii) второй слой 44b из галогенуглеводородного полимера, который осаждают на первый слой 44а.
Хотя один или более из вышеописанных вариантов исполнения включают первый слой 44а из негалогенуглеводородного полимера и второй слой 44b из галогенуглеводородного полимера, должно быть понятно, что, в других вариантах исполнения, все, некоторые или ни один из слоев 44 многослойного покрытия 18 могут включать галогенуглеводородный полимер. Кроме того, должно быть понятно, что все, некоторые или ни один из слоев 44 многослойного покрытия 18 могут включать негалогенуглеводородный полимер.
Многослойное покрытие 18 на PCB 10 может быть скомпоновано для исполнения разнообразных и/или соответствующих техническим условиям заказчика функций. В некоторых вариантах исполнения слои 44 многослойного покрытия 18 могут быть скомпонованы для оптимизации электрической проводимости, устойчивости к окислению, защиты от условий окружающей среды, стоимости, устойчивости к поглощению влаги, предотвращения образования дендритов, огнестойкости и/или других оптических, электрических, физических и/или химических свойств многослойного покрытия 18. Например, относительно толстое покрытие 18, которое является высокофторированным, может быть желательным для обеспечения хорошей защиты от условий окружающей среды в определенных вариантах исполнения, тогда как в других вариантах исполнения может быть предпочтительным относительно тонкое покрытие 18, включающее меньше галогенов. Как описано выше в отношении ФИГУР 3А-В, электрические компоненты 12 могут быть припаяны через многослойное покрытие 18 к электропроводным печатным дорожкам 16 без предварительного удаления многослойного покрытия 18.
Согласно определенным вариантам исполнения, многослойное покрытие 18 на PCB 10 включает первый слой 44а, включающий галогенуглеводородный полимер первого типа, и второй слой 44b, включающий галогенуглеводородный полимер второго типа. В некоторых вариантах исполнения многослойное покрытие 18 включает отдельный слой 44 из материала типа политетрафторэтилена (PTFE), и еще один слой 44 из материала типа полихлортрифторэтилена (PCTFE). Слой 44 из PCTFE может быть осажден непосредственно на подложку 14 и/или электропроводные печатные дорожки 16, и слой 44 из PTFE может быть осажден на слой 44 из PCTFE. В таких вариантах исполнения слой 44 из PCTFE может предотвращать окисление электропроводных печатных дорожек 16, и слой 44 из PTFE может обеспечивать защиту PCB 10 от условий окружающей среды. В других вариантах исполнения слой 44 из PTFE может быть осажден непосредственно на подложку 14 и/или электропроводные печатные дорожки 16, и слой 44 из PCTFE может быть осажден на слой 44 из PTFE. Этим может быть обеспечена возможность того, что физические и/или химические свойства наружной поверхности PCB 10 будут определяться слоем 44 из PCTFE.
Хотя ФИГУРА 4 иллюстрирует многослойное покрытие 18, имеющее различающиеся слои, должно быть понятно, что многослойное покрытие 18 может иметь слои с постепенно изменяющимися свойствами. Хотя выше описаны слой 44 из PTFE и слой 44 из PCTFE многослойного покрытия 18, должно быть понятно, что многослойное покрытие 18 может включать любые подходящие типы и/или комбинации материалов. В некоторых вариантах исполнения материал(лы) в многослойном покрытии 18 может(гут) не быть материалами типа PTFE и/или PCTFE.
ФИГУРА 5 иллюстрирует PCB 10, включающую многослойное покрытие 18, селективно нанесенное на отдельные области на PCB 10, согласно определенным вариантам исполнения. Как иллюстрировано, отдельные области на PCB 10 могут быть покрыты 18 однослойным покрытием 18, и другие области на PCB 10 могут быть покрыты многослойным покрытием 18. Таким образом, различные области PCB 10 могут быть покрыты различными полимерами, или их смесями, для достижения различных характеристик в различных областях. Например, в первой области на PCB 10 может быть желательным иметь многослойное покрытие 18, которое проявляет пьезоэлектрические и/или электрорезистивные свойства, тогда как во второй области на PCB 10 может быть желательным иметь однослойное покрытие 18, которое проявляет электроизоляционные свойства. В этом примере можно нанести на первую область PCB 10 многослойное покрытие 18, имеющее первый слой 44а, включающий полимер из винилиденфторида (PVDF), и второй слой 44b, включающий еще один галогенуглеводородный полимер. Слой 44 из PVDF может усиливать пьезоэлектрические, электрорезистивные и/или электрострикционные свойства покрытия 18 в первой области на PCB 10. В этом примере можно нанести на вторую область PCB 10 однослойное покрытие 18, включающее галогенуглеводородный полимер или негалогенуглеводородный полимер, который проявляет более выраженные изоляционные характеристики, чем PVDF. Таким образом, отдельные области на PCB 10 могут быть покрыты однослойным покрытием 18, и другие области на PCB 10 могут быть покрыты многослойным покрытием 18.
Хотя вышеприведенные примеры иллюстрируют покрытие 18, включающее PVDF, должно быть понятно, что любые подходящие полимеры могут быть использованы в любом однослойном и/или многослойном покрытии 18.
Многослойное покрытие 18 может быть нанесено на PCB 10 с использованием любого пригодного способа. Например, многослойное покрытие 18 может быть осаждено с использованием осаждения методом плазменного распыления, химическим осаждением из паровой фазы (CVD), способом молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE), стимулированным плазмой химическим осаждением из газовой фазы (PE-CVD), осаждением методом плазменного распыления при высоком давлении/атмосферном давлении, химическим осаждением из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MO-CVD), и/или химическим осаждением из газовой фазы, стимулированным лазерным излучением (LE-CVD). В некоторых вариантах исполнения многослойное покрытие 18 может быть осаждено созданием взаимопроникающих сетчатых полимерных структур (IPNs) и/или поверхностной абсорбцией монослоев (SAMs) полимеров или мономеров с образованием in-situ полимеров и/или полимерных сплавов. В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено с использованием способа нанесения жидкого покрытия, например, такого как погружение в жидкость, нанесение покрытия набрызгиванием, нанесение покрытия методом центрифугирования, напыление и/или золь-гель-процесс. В вариантах исполнения, включающих многослойные покрытия 18, каждый слой 44 может быть сформирован с использованием одинаковых или различных способов.
В некоторых вариантах исполнения многослойное покрытие 18 наносят на PCB 10 с использованием осаждения методом плазменного распыления, описанного выше в отношении ФИГУРЫ 2. В таких вариантах исполнения, как только на подложке 14 сформированы электропроводные печатные дорожки 16, подложка 14 может быть помещена в камеру 30 реактора 28. Реактор 28 может вводить газы (например, водород, аргон и/или азот) в камеру 30 для очистки подложки 14. Затем реактор 28 может вводить одно или более соединений-прекурсоров 36 в камеру 30 для формирования многослойного покрытия 18 на подложке 14 путем осаждения методом плазменного распыления. В некоторых вариантах исполнения многослойное покрытие 18 может следовать трехмерной форме подложки 14 и/или электропроводных печатных дорожек 16 на PCB 10.
Многослойное покрытие 18 (включающее либо различающиеся, либо поэтапно изменяющиеся слои 44) может быть осаждено на подложку 14 путем вариации состава соединений-прекурсоров 36, вводимых в камеру 30. В некоторых вариантах исполнения для генерирования газовой смеси в камере 30 могут быть использованы одно или более соединений-прекурсоров 36. Смесь соединений-прекурсоров 36 может быть составлена для формирования поэтапно изменяющихся слоев 44 покрытия 18 на подложке 14. В других вариантах исполнения различающиеся слои 44 покрытия 18 могут быть осаждены на подложке 14 переменой соединений-прекурсоров 36 и модифицированием условий в камере 30. Состав многослойного покрытия 18 можно регулировать вариацией одного или более из следующих факторов: (i) выбор газовой плазмы; (ii) используемое(мые) конкретное(ные) соединение(ия)-прекурсор(ры) 36; (iii) количество соединения(ний)-прекурсора(ров) 36 (которое определяется комбинацией давления соединения(ний)-прекурсора(ров) 36 и величиной расхода потока); (iv) соотношение соединения(ний)-прекурсора(ров) 36; (v) последовательность введения соединения(ний)-прекурсора(ров) 36; (vi) давление плазмы; (vii) частота возбуждения плазмы; (viii) распределение длительности импульсов во времени; (ix) продолжительность нанесения покрытия; (х) мощность плазмы (включая пиковую и/или усредненную мощность плазмы); (xi) компоновка электродов в камере; (xii) приготовление вводимой PCB 10; и/или (xiii) размер и геометрическая форма камеры 30. Покрытие 18, осажденное методом плазменного распыления, может полностью, или по существу полностью, инкапсулировать все поверхности PCB 10. В результате покрытие 18 может прекращать или сокращать поглощение воды и «увлажнение» PCB 10. Этим может быть значительно уменьшено любое коррозионное воздействие изнутри подложки 14 и/или из-под электропроводных печатных дорожек 16 или из мест рядом с ними. Это может быть в особенности преимущественным для печатных плат (PCB) 10 на эпоксидной основе и PCB 10 из бумаги/картона, которые могут быть склонными к поглощению воды, водных кислот и/или коррозионно-агрессивных материалов, и которые могут быть чувствительны к коррозии в результате таких in-situ механизмов.
Осаждение методом плазменного распыления может быть использовано для осаждения слоя(ев) 44 из галогенуглеводородных полимеров и/или слоя(ев) 44 из негалогенуглеводородных полимеров. Соединения-прекурсоры 36 для галогенуглеводородных полимеров описаны выше в отношении ФИГУРЫ 2. Что касается негалогенуглеводородных полимеров, соединения-прекурсоры 36 могут представлять собой углеводородные материалы, которые выбраны для создания покрытия 18 с желательными свойствами. Будучи введенными в газовую плазму, конкретные соединения-прекурсоры 36 могут ионизироваться/разлагаться с образованием ряда активных частиц, которые будут реагировать на поверхности PCB 10 (например, в процессе полимеризации) с образованием тонкого слоя 44 негалогенуглеводородного полимера. Для формирования слоя 44 из негалогенуглеводородного полимера могут быть применены любые пригодные соединения-прекурсоры 36. Примерами соединений-прекурсоров 36 для осаждения слоя 44 из негалогенуглеводородного полимера являются алканы, алкены и алкины.
Как разъяснено выше, PCB 10 может быть покрыта сложными трехмерными покрытиями 18. Такие покрытия 18 могут включать единичный слой 44 поверх отдельных областей на PCB 10, и множество слоев 44 поверх других областей PCB 10. Для формирования таких покрытий 18 могут быть использованы любые подходящие способы. В некоторых вариантах исполнения один или более слоев 44 покрытия 18 могут быть осаждены только на отдельных областях PCB 10. Например, один или более слоев 44 покрытия 18 могут быть избирательно осаждены (i) с применением маски на поверхности PCB 10 для осаждения покрытия 18 только на немаскированные области, (ii) с использованием технологий плазменного фотостимулированного осаждения (например, стимулированного лазерным или ультрафиолетовым излучением), и/или (iii) с использованием химического осаждения из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MOCVD) такого типа соединений-прекурсоров 36, например, как алкилметаллические и/или карбонильные прекурсоры. В других вариантах исполнения покрытия 18 могут быть сформированы с использованием одного или более субтрактивных способов.
Согласно определенным вариантам исполнения, процесс осаждения может быть организован для модифицирования характеристик смачивания покрытия 18 на PCB 10. Смачивание может иметь отношение к (i) смачиванию поверхности покрытой PCB 10 такими жидкостями, как вода, (ii) смачиванию покрытия 18 припоем 38 и/или флюсом 42 во время процесса пайки, и/или (iii) смачиванию электропроводных печатных дорожек 16 припоем 38 после того, как покрытие 18 было изменено (например, локально удалено). Характеристики смачивания покрытия 18 могут быть модифицированы любым подходящим способом. Например, характеристики смачивания покрытия 18 могут быть модифицированы плазменным травлением с использованием реакционноспособных видов газовой плазмы, например, такой как из тетрафторида углерода (CF4). В качестве еще одного примера, характеристики смачивания покрытия 18 могут быть модифицированы плазменной активацией с использованием видов газовой плазмы, выбранных для обеспечения желательной активации поверхности, например, таких как виды газовой плазмы, основанные на водороде, кислороде, аргоне, азоте и/или комбинациях таких газов. В качестве еще одного дополнительного примера, характеристики смачивания покрытия 18 могут быть модифицированы плазменной полимеризацией и/или с использованием вариантов и/или смесей галогенуглеводородов (например, фторуглеводородов, хлоруглеводородов и т.д.), и/или негалогенуглеводородов (например, полиэтилена, полипропилена и т.д.). В качестве еще одного дополнительного примера, характеристики смачивания покрытия 18 могут быть модифицированы химическим травлением на жидкостной основе, которое может изменять активацию поверхности и/или шероховатость поверхности покрытия 18, с использованием, например, сильных кислот (например, серной кислоты, азотной кислоты и т.д.), и/или окислителей (например, пероксида водорода). В некоторых вариантах исполнения характеристики смачивания покрытия 18 могут быть отрегулированы в пространственном отношении для создания различных областей на PCB 10, имеющих различные характеристики смачивания. Область (на поверхности PCB 10), которая имеет усиленные характеристики смачивания, может избирательно контролировать направление, в котором жидкость течет по PCB 10. Таким образом, такая область может действовать как «канал» для направления жидкости, протекающей к областям, где жидкость не будет вызывать повреждения.
В некоторых вариантах исполнения некоторые или все поверхности PCB 10 могут быть полностью или по существу инкапсулированы покрытием 18. Это может защитить PCB 10 и/или предотвратить поглощение воды и/или «увлажнение» PCB 10. В дополнение, или альтернативно, это может уменьшить любое коррозионное воздействие изнутри подложки 14 или из-под электропроводных печатных дорожек 16 или из мест рядом с ними. Таким образом, покрытие 18 может защищать PCB 10, имеющую подложку 14 на эпоксидной основе и/или на бумажной основе и/или картонной основе, которая в противном случае поглощала бы жидкости (например, воду, водные кислоты и коррозионно-агрессивные материалы), и которая в иных обстоятельствах была бы чувствительна к коррозии.
PCB 10, включающая покрытие 18, может обеспечивать преимущества перед непокрытыми PCB 10. Представленное покрытие 18 может предоставлять некоторые или все из следующих преимуществ, или ни одно из них. Одно преимущество состоит в том, что, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18 может обеспечивать печатной плате (PCB) 10 возможность работать в суровых и/или коррозионно-агрессивных условиях окружающей среды. Традиционные PCB 10 в общем были неспособны надежно функционировать в таких условиях окружающей среды. Электропроводные печатные дорожки 16 на непокрытых PCB 10 могут корродировать, что может иметь результатом гораздо более короткий срок службы устройства, чем ожидалось бы в нормальных обстоятельствах. Это может происходить, например, когда непокрытую PCB 10 используют в очень влажных средах, в особенности, где микроскопические капельки воды, включающие растворенные газы, такие как диоксид серы, сероводород, диоксид азота, хлороводород, хлор, озон и/или водяные пары, образуют коррозионно-агрессивный раствор. Это может вести к образованию тонкой пленки или коррозионному отложению между электропроводными печатными дорожками 16 на непокрытой PCB 10, что может вызывать короткое замыкание. В некоторых случаях изготовители наносили конформные покрытия из полимера на PCB 10 после припаивания электрических компонентов 12 к PCB 10. Однако такие конформные покрытия в основном являются дорогостоящими. Нанесение таких конформных покрытий может потребовать проведения дополнительного этапа в процессе изготовления после того, как электрические компоненты 12 были припаяны к PCB 10. Такие конформные покрытия также могут потребовать выполнения еще одной этапы для удаления конформного покрытия, когда нужно переделывать поврежденную или отказавшую PCB 10, или когда необходимо протестировать PCB 10 для выяснения ее работоспособности или разрешения проблемы. В отличие от таких конформных покрытий, покрытие 18, включающее галогенуглеводородный полимер, может представлять более дешевое и/или более эффективное решение для защиты PCB 10 в суровых и/или коррозионно-агрессивных условиях окружающей среды. В некоторых вариантах исполнения один или более слоев 44 покрытия 18 могут быть нанесены подобно конформному покрытию на PCB 10 после присоединения (например, припаивания, проводного монтажа и т.д.) электрических компонентов 12 к электропроводным печатным дорожкам 16. Таким образом, покрытие 18 может быть нанесено на смонтированную печатную плату (PCB) 10 с установленными компонентами в качестве конформного покрытия 18, чем обеспечивается одно или более описываемых здесь преимуществ (например, устойчивость к окислению/коррозии, пригодность к пайке через покрытие, пригодность к проводному монтажу, электропроводность вдоль z-оси и т.д.).
Еще одно преимущество заключается в том, что, в некоторых вариантах исполнения, покрытие 18 может предохранять подложку 14, электропроводные печатные дорожки 16 и/или прочие элементы PCB 10 от поглощения воды и/или растворителей. Элементы традиционных PCB 10 могут включать материалы, которые поглощают воду и/или растворители (в том числе водные, органические, неорганические и/или смешанные растворители) в жидкой, парообразной и/или газообразной форме. Например, подложки 14, включающие ткани (например, склеенные эпоксидной смолой стеклоткани), бумагу (например, склеенную синтетической смолой бумагу, хлопковую бумагу, склеенную фенольной смолой хлопковую бумагу, эпоксидную смолу, бумагу, картон и т.д.), текстильные ткани и/или материалы на основе древесины (натуральные и/или синтетические), могут поглощать воду и/или химические вещества на основе растворителей. В качестве еще одного примера, электропроводные печатные дорожки 16, включающие металлы, электропроводные полимеры и/или напечатанные электропроводные краски, могут абсорбировать воду и/или химические вещества на основе растворителей. В качестве еще одного дополнительного примера, PCB 10 может включать магнитные структуры, напечатанные магнитные краски и/или прочие элементы, которые могут поглощать воду и/или химические вещества на основе растворителей. Так, PCB 10 может включать пористые и/или гидрофильные структуры, имеющие естественную склонность к воде и/или растворителям, что может вызывать изменения этих структур. (Склонность материала к взаимодействию с водой и/или растворителями в жидкостной фазе или в результате конденсации из газовой фазы может включать твердые растворители). Когда элементы PCB 10 абсорбируют воду и/или растворители, могут возникать одна или более проблем. Эти проблемы могут включать: (i) повышенные механические напряжения во время циклов термической обработки вследствие различий в коэффициентах теплового расширения; (ii) изменение адгезионных характеристик элементов PCB; (iii) изменения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь элементов PCB; (iv) набухание конструкции, делающее некоторые материалы непригодными для плакирования из-за полостей и/или для применения в некоторых условиях высокой влажности, в особенности, где используют высокие напряжения; (v) коррозию электропроводных печатных дорожек 16 на или вокруг поверхности раздела между электропроводными печатными дорожками 16 и подложкой 14; (vi) утрату механической прочности; (vii) разупорядочивание материала в PCB 10 в присутствии воды; и/или (viii) электролиз в присутствии наложенного электрического поля, ведущий к коррозии и/или разрушению PCB 10.
Еще одно преимущество может быть реализовано там, где электропроводные печатные дорожки 16 включают электропроводную полимерную краску. Краски из электропроводных полимеров могут иметь склонность к поглощению жидкостей и/или влаги, которая может приводить к набуханию, изменению электрических характеристик и/или ухудшению работоспособности электрической цепи. В дополнение, или альтернативно, печатные активные устройства (например, как используемые в пластиковой электронике) могут поглощать воду и/или химические вещества на основе растворителей, что может изменять эксплуатационные характеристики и/или свойства печатных активных устройств. Нанесение покрытия 18 на печатные активные устройства и/или электропроводные печатные дорожки 16, включающие электропроводные полимерные краски, может предотвращать абсорбцию воды.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть скомпоновано для создания электрической проводимости вдоль оси, перпендикулярной плоскости покрытой поверхности («z-оси» 22), в то же время действующим как изолятор вдоль осей, параллельных покрытой поверхности («х-ось» 46 и «y-ось» 48). Соответственно этому, покрытие 18 может быть нанесено на электропроводный контакт 50 без ущерба способности такого контакта 50 пропускать электрический сигнал и/или проводить электрический ток ко встречному контакту 50. Таким образом, в некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может защищать контакты 50 от окисления и/или коррозии без ухудшения электрической проводимости контактов 50.
ФИГУРЫ 6А-В иллюстрируют клавиатуру 52, включающую контакты 50, которые покрыты покрытием 18, согласно определенным вариантам исполнения. Клавиатура 52 может представлять собой устройство ввода, включающее множество клавиш 54. При нажатии клавиши 54 пользователь может побуждать клавиатуру 52 к передаче электрического сигнала. Клавиатура 52 может представлять собой устройство ввода любого пригодного типа, которое включает клавиши 54. Например, клавиатура 52 может представлять собой кнопочную клавиатуру 52 типа “dome-switch”, мембранную клавиатуру 52 и/или любую подходящую клавиатуру 52.
Клавиатура 52 может включать множество клавиш 54. В некоторых вариантах исполнения каждая клавиша 54 включает открытую поверхность 56, которая видна пользователю, и скрытую поверхность 58, которую в основном пользователь не видит. Электропроводный контакт 50 может быть присоединен к скрытой поверхности 58 каждой клавиши 54 в клавиатуре 52. В некоторых вариантах исполнения клавиатура 52 включает PCB 10, имеющую множество электропроводных контактов 50. Каждый контакт 50 на PCB 10 может соответствовать одной или более клавишам 54 клавиатуры 52. Так, когда пользователь нажимает конкретную клавишу 54, контакт 50, присоединенный к клавише 54, может соприкасаться с соответствующим контактом 50, присоединенным к PCB 10, тем самым обеспечивая возможность прохождения электрического сигнала (например, замыканием разомкнутой цепи).
Клавиатура 52 может включать клавиши 54 любого подходящего типа. Примеры клавиш 54 включают металлические клавиши 54 со способом подключения “snap dome”, клавиши 54 с пружинным возвратом, и кнопки из силиконового каучука, имеющие одну или более углеродных вставок. В некоторых вариантах исполнения клавиша 54 может составлять участок площади мембранной клавиатуры 52. Мембранная клавиатура 52 может включать два слоя мембраны (например, пластиковые или полимерные подложки), которые обычно разделены воздушным промежутком. Внутренние поверхности двух мембран могут включать гибкие контакты 50, например, такие как электропроводные краски (например, серебряная краска), электропроводные клеи и/или электропроводные адгезивы. Нажатие клавиши 54 мембранной клавиатуры 52 может вызывать соприкосновение контактов 50 на двух мембранах, приводя к передаче сигнала. Должно быть понятно, что клавиатура 52 может включать клавиши 52 любого подходящего типа и/или в любой комбинации.
Контакт 50 в клавиатуре 52 может представлять собой любое пригодное электропроводное устройство для соединения и/или замыкания электрической цепи. Контакт 50 может включать электрод, соединитель, штырек, контактную площадку и/или любое подходящее электропроводное устройство. Контакт 50 может включать любой подходящий электропроводный материал. Например, контакты 50 могут включать один или более металлов, например, таких как нержавеющая сталь, никель, олово, медь, алюминий, золото, серебро, и/или любой подходящий сплав их. В некоторых вариантах исполнения контакты 50 могут включать электропроводные краски, эпоксидную смолу с серебряным наполнителем, электропроводные пластики и/или неметаллические электропроводные материалы, например, такие как углерод и/или графит. Таким образом, контакты 50 могут включать электропроводные материалы любого пригодного типа и/или в любом сочетании.
В некоторых вариантах исполнения один или более контактов 50 в клавиатуре 52 могут быть покрыты покрытием 18. Как разъяснено выше, покрытие 18 может быть скомпоновано имеющим электрическую проводимость по направлению z-оси, но действующим как изолятор в направлениях х-оси и y-оси. Другими словами, покрытие 18 может проявлять высокие импеданс и/или электрическое сопротивление по направлениям х-оси и y-оси, но низкие импеданс и/или электрическое сопротивление в направлении z-оси. Это свойство может позволять контакту 50, покрытому покрытием 18, проводить электрический сигнал и/или электрический ток через покрытие 18 к встречному контакту 50.
Покрытие 18 на контакте 50 в клавиатуре 52 может иметь любую подходящую толщину 24. В некоторых вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 на контакте 50 составляет от одного нм до двух мкм. В других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может быть от одного нм до пятисот нм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может варьировать от трех нм до пятисот нм. В других дополнительных вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может составлять от десяти нм до пятисот нм. В других дополнительных вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может быть от десяти нм до двухсот пятидесяти нм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может варьировать от десяти нм до тридцати нм. В других дополнительных вариантах исполнения покрытие 18 представляет собой монослой из галогенуглеводородного полимера (имеющий толщину 24 в несколько ангстрем (Е)). В предпочтительном варианте исполнения толщина 24 покрытия 18 варьирует от десяти нм до ста нм в различных градиентах, причем предпочтительно толщина 24 составляет сто нм.
В некоторых вариантах исполнения оптимальная толщина 24 покрытия 18 может зависеть от свойств покрытия, которые являются желательными. Например, если требуется очень высокая устойчивость к условиям окружающей среды (например, высокие коррозионная стойкость и сопротивление истиранию), может быть предпочтительным более толстое покрытие 18. В некоторых вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 может быть оптимизирована в плане различных толщин 24 на различных участках устройства, в зависимости от того, по каким характеристикам предусмотрена оптимизация (например, защита от условий окружающей среды в отношении электрической проводимости по z-оси). Покрытие 18 может быть оптимизировано для соответствия таким условиям, как избежание растрескивания при изгибании; сведение к минимуму износа покрытия 18 и/или износа, обусловленного покрытием 18; для защиты от воздействия внешних условий; для физической защиты более мягкого нижележащего материала; для регулирования электрического сопротивления при подстройке цепи; для стабильности контрольных измерений сенсоров/электродов; и/или для корректирования поверхностной энергии, рассеяния заряда и/или блюминга («растекания заряда»).
Как отмечено выше, контакт 50, покрытый покрытием 18, может проводить электрический сигнал и/или электрический ток через покрытие 18 ко встречному контакту 50. В этом контексте фраза «проводит через» может иметь отношение к проведению электрического сигнала и/или электрического тока по меньшей мере между двумя или более контактами 50 без удаления покрытия 18. Так, покрытие 18 может быть осаждено по меньшей мере между двумя встречными контактами 50, и затем сигнал и/или электрический ток может проходить между встречными контактами 50 без удаления покрытия 18. Способность проводить сигнал и/или электрический ток через покрытие 18 может быть обусловлена, по меньшей мере отчасти, низким импедансом и/или электрическим сопротивлением покрытия 18 в направлении z-оси. Таким образом, выражение «проводит через» может относиться к проведению электрического сигнала и/или электрического тока между двумя или более контактами 50 без удаления покрытия 18.
Электрическая проводимость покрытия 18 может быть измерена любым подходящим способом. В некоторых вариантах исполнения электрическая проводимость покрытия 18 может быть измерена определением электрического сопротивления покрытия 18. Такое измерение может быть проведено припаиванием электропроводных проводов к контактам 50 и соединительных проводов к омметру 60. Контакты 50 могут быть приведены в соприкосновение между собой с предварительно заданным усилием 62 (например, приведены в электрический контакт). Как иллюстрировано в ФИГУРЕ 6В, омметр 60 затем может измерить электрическое сопротивление через покрытие 18 между соответствующими контактами 50. В качестве контрольного значения, может быть определено электрическое сопротивление самих контактов 50 путем измерения электрического сопротивления между непокрытыми контактами 50. Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие 18 может проявлять электрическое сопротивление вдоль z-оси в диапазоне от нуля до десяти килоОм (кOм). В предпочтительном варианте исполнения покрытие 18 может проявлять электрическое сопротивление по z-оси в диапазоне от нуля до одного Ома (Ом).
ФИГУРА 7 представляет график 64, иллюстрирующий электрическое сопротивление по z-оси примерных покрытий 18, имеющих различные толщины 24, согласно определенным вариантам исполнения. Метрические показатели, иллюстрированные в графике 64, представляют собой примерные значения электрического сопротивления по z-оси для примерных покрытий 18. Однако должно быть понятно, что покрытия, связанные с различными материалами, конструкциями, способами осаждения и/или прочими факторами, могут проявлять различные величины электрической проводимости по z-оси. Хотя график 64 иллюстрирует электрическое сопротивление по z-оси в отношении толщины 24, должно быть понятно, что на электрическую проводимость по z-оси покрытия 18 могут влиять другие переменные параметры (например, материалы, конструкция, способ осаждения и т.д.).
В иллюстрированном примере электрическое сопротивление по z-оси примерного покрытия 18 на клавиатуре 52 измеряли с использованием омметра 60, как иллюстрировано в ФИГУРЕ 6В. Контакты 50 в этом примере были покрыты материалом типа PTFE. В качестве одного из контактов 50 использовали металлическую клавишу 54 типа “snap-dome”. Электрические провода припаивали к контактам 50 и соединяли с омметром 60. К одному контакту 50 прилагали предварительно заданное усилие 62 (приблизительно пять Ньютон-метров), обеспечивая соприкосновение контакта 50 с соответствующим контактом 50. Затем омметром 60 измеряли электрическое сопротивление между соприкасающимися контактами 50. Предварительно заданное усилие 62 прилагали при использовании плакированных дорожек, полученных методом иммерсионного золочения (ENIG), и варьировали усилие 62 до тех пор, пока не было достигнуто стабильное измерение электрического сопротивления. Измерение повторяли для покрытий 18 с различными толщинами 24. Полученные показания прибора корректировали для учета (i) того факта, что на измеряемом маршруте присутствовали две толщины 24 покрытия 18 (то есть, одна толщина 24 для каждого контакта 50), и (ii) электрического сопротивления конкретных контактов 50 без покрытия 18. Электрическое сопротивление контактов 50 определяли с использованием непокрытой PCB 10 в качестве контроля.
Результаты этих измерений иллюстрированы в графике 64 в ФИГУРЕ 7 и в нижеприведенной таблице. График 64 в ФИГУРЕ 7 включает первую ось 66, которая соответствует электрическому сопротивлению покрытия 18, и вторую ось 68, которая соответствует толщине 24 покрытия 18. Измеренные величины электрического сопротивления иллюстрированы как точки 70 в графике 64.
Толщина покрытия (нм) | Электрическое сопротивление покрытия (Ом) |
30 | 0,0704 |
40 | 0,1677 |
50 | 0,2095 |
75 | 0,4105 |
200 | 1,2775 |
Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует электрическое сопротивление отдельного покрытия 18, включающего материал типа PTFE, должно быть понятно, что покрытие 18 может включать любой подходящий тип и/или комбинацию галогенуглеводородных полимеров. Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует электрическое сопротивление отдельного покрытия 18, имеющее конкретные толщины 24, должно быть понятно, что покрытие 18 может быть скомпоновано имеющим любую пригодную толщину 24.
В общем, контакты 50 в устройстве могут быть покрыты покрытием 18 до или после сборки устройства. В предпочтительном варианте исполнения контакты 50 покрывают покрытием 18 перед сборкой устройства. Покрытие 18 может быть нанесено на одну, некоторые или все из поверхностей контакта 50. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть нанесено на одну или более поверхности устройства (например, клавиатуры 52). Покрытие 18 может быть нанесено на поверхности контакта 50 и/или устройства, которые будут открыты в окружающую среду, например, такие как поверхности, которые действуют как участки электрического контакта между двумя или более частями электрической цепи. Нанесение покрытия 18 на поверхности устройства в дополнение к поверхностям контакта 50 может (i) улучшить защиту устройства от коррозии и/или окисления, и/или (ii) предотвратить появление возможностей порчи контактных участков в устройстве.
Покрытие 18 может быть осаждено на контакты 50 любым подходящим способом. Например, покрытие 18 может быть осаждено с использованием химического осаждения из паровой фазы (CVD), способом молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE), стимулированным плазмой химическим осаждением из газовой фазы (PE-CVD), осаждением методом плазменного распыления при высоком давлении/атмосферном давлении, химическим осаждением из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MO-CVD), и/или химическим осаждением из газовой фазы, стимулированным лазерным излучением (LE-CVD). В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на контакты 50 созданием взаимопроникающих сетчатых полимерных структур (IPNs) и/или поверхностной абсорбцией монослоев (SAMs) полимеров или мономеров с образованием in-situ полимеров и/или полимерных сплавов. В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено с использованием способа нанесения жидкого покрытия, например, такого как погружение в жидкость, нанесение покрытия набрызгиванием, нанесение покрытия методом центрифугирования, напыление и/или золь-гель-процесс.
Согласно определенным вариантам исполнения, покрытие 18 может быть осаждено на контакты 50 с использованием осаждения методом плазменного распыления, как описано выше в отношении ФИГУРЫ 2. Так, контакты 50 могут быть помещены в камеру 30 в реакторе 28. Затем реактор 28 может вводить газы (например, водород, аргон и/или азот) в камеру 30 для очистки контактов 50. Затем в одну или более стадий реактор 28 может вводить одно или более соединений-прекурсоров 36 в камеру 30 для формирования однослойного или многослойного покрытия 18 на контактах 50 путем осаждения методом плазменного распыления. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может следовать трехмерной форме контакта 50. Предпочтительный способ осаждения покрытия 18 на контактах 50 может зависеть от конкретной толщины 24 покрытия 18, которая является желательной. Способы нанесения жидкостного покрытия могут быть предпочтительными для более толстых покрытий 18, тогда как осаждение методом плазменного распыления может оказаться предпочтительно для более тонких покрытий 18.
Способ, применяемый для осаждения покрытия 18 на контакты 50, может быть скомпонован для регулирования электрической проводимости по z-оси покрытия 18. В некоторых вариантах исполнения электрическую проводимость по z-оси можно регулировать одним или более из следующих факторов:
Состав галогенуглеводородного материала в покрытии 18, который может предусматривать комбинирование различных галогенуглеводородных материалов и регулирование постепенного изменения свойств между слоями 44 из различных материалов.
Соотношения «атомы галогенов/гетероатомы/атомы углерода» в галогенуглеводородном материале в покрытии 18.
Доля углерода в галогенуглеводородном покровном материале.
Степень сопряжения в галогенуглеводородном покровном материале.
Средняя молекулярная масса галогенуглеводородного покровного материала.
Степень разветвленности и сшивания в галогенуглеводородном покровном материале.
Молекулярно-массовое распределение молекул в галогенуглеводородном покровном материале.
Плотность галогенуглеводородного покровного материала.
Присутствие в галогенуглеводородном покровном материале дополнительных легирующих агентов.
Присутствие в галогенуглеводородном покровном материале ионных солевых, ионных и/или ковалентных компонентов.
Присутствие в галогенуглеводородном покровном материале органических/полимерных и неорганических соединений, включающих переходные металлы, в том числе комплексные катионы и анионы.
Присутствие в галогенуглеводородном покровном материале соединений и/или элементов, имеющих переменные состояния окисления.
Присутствие в галогенуглеводородном покровном материале химических соединений, имеющих делокализованный характер.
Присутствие в галогенуглеводородном покровном материале окклюдированных («включенных») компонентов.
Когда покрытие 18 осаждают методом плазменного распыления, регулирование условий плазмы (например, мощности, давления газа, компоновки электродов).
Толщина галогенуглеводородного покровного материала (например, более толстые покрытия 18 могут проявлять повышенное электрическое сопротивление, чем более тонкие покрытия 18 из того же материала).
Ориентация покрытия 18.
Непрерывность покрытия 18 (например, пористость и/или трехмерная структура).
Хотя в вышеприведенных примерах описана клавиатура 52, покрытие 18 может быть нанесено на контакты 50 в устройстве любого типа. Например, покрытие 18 может быть нанесено на контакты 50 в аварийных выключателях, переключателях системы тревожной сигнализации, патронах плавких предохранителей, клавиатурах 52 на мобильных телефонах, сенсорных экранах, аккумуляторах, выводах батарей гальванических элементов, полупроводниковых интегральных схемах, смарт-картах, сенсорах, тест-чипах, эластомерных соединителях (например, монтажных устройствах «Zebra Strip”), электрических соединителях (например, розеточных гнездах и штекерных разъемах), оконечных устройствах, опрессованных соединителях, монтажных соединителях обжимом без пайки, и/или скользящих контактах 50, например, таких как контакты, используемые в чипах, смарт-картах, механизмах опознавания жетонов и/или считывания маркеров.
ФИГУРА 8 иллюстрирует измерительное устройство 72, включающее сенсор 74, имеющий покрытые контакты 50, согласно определенным вариантам исполнения. Сенсор 74 может представлять собой сенсор 74 любого подходящего типа. В некоторых вариантах исполнения сенсор 74 представляет собой сенсор 74 одноразового употребления, который измеряет анализируемые компоненты, например, такие как токсичные газы, глюкозу, химические соединения в составе физиологических текучих сред, и/или прочие химические соединения. Сенсор 74 может включать мембрану 76, один или более электродов 78, один или более контактов 50 и подложку 80 сенсора. Мембрана 76 может состоять из любого подходящего материала, который фильтрует текучую среду для возможности проникновения анализируемых веществ к электродам 78. В некоторых вариантах исполнения мембрана 76 может быть биосовместимой мембраной. Таким образом, анализируемые вещества могут диффундировать через мембрану 76 и реагировать на поверхности раздела «электролит-катализатор», в результате чего может возникать электрический ток.
Электроды 78 в сенсоре 74 могут включать катализатор и/или другой материал, подобранный для взаимодействия с анализируемыми веществами. Например, электрод 78 может представлять собой ферментный электрод, включающий глюкозоксидазу и/или дегидрогеназу. Взаимодействие анализируемых веществ с электродом 78 может генерировать сигнал, который является электрическим или может быть преобразован в электрический сигнал. Один или более контактов 50 в сенсоре 74 могут передавать электрический сигнал на основной блок 82 измерительного устройства 72. В некоторых вариантах исполнения контакты 50 на электродах 78 находятся в электрическом контакте с основным блоком 82 измерительного устройства 72 так, что образуется электрическая цепь с основным блоком 82 измерительного устройства 72. В некоторых вариантах исполнения общий заряд, пропускаемый через контакты 50, может быть пропорциональным количеству анализируемых веществ в текучей среде, которые прореагировали с ферментом на электроде. Измерительное устройство 72 может быть скомпоновано и/или откалибровано для измерения сигнала от контактов 50 и для вывода показаний о присутствии и/или концентрации анализируемых веществ.
Электроды 78 могут быть закреплены на подложке 80 сенсора и/или напечатаны на ней. В некоторых вариантах исполнения сенсор 74 может включать источник питания, соединенный с электродами 78. Сенсор 74 может быть конфигурирован для детектирования анализируемых веществ в газообразном и/или жидком состоянии.
Контакты 50 в сенсоре 74 могут включать любой пригодный материал. В некоторых вариантах исполнения контакты 50 включают мягкий контактный материал, например, такой как углерод, электропроводные краски и/или эпоксидную смолу с серебряным наполнителем. В некоторых вариантах исполнения контакт 50 в сенсоре 74 может создавать электрическое соединение с еще одним контактом 50 в основном блоке 82 измерительного устройства 72, тем самым формируя электрическую цепь между сенсором 74 и основным блоком 82 измерительного устройства 72. Контакты 50 могут быть покрыты покрытием 18 с любой подходящей толщиной 24 (например, от одного нм до двух мкм). Один или более контактов 50 в сенсоре 74 могут быть непокрытыми.
В некоторых вариантах исполнения основной блок 82 измерительного устройства пригоден для повторного применения, тогда как сенсор 74 является одноразовым (например, только для однократного употребления). В других вариантах исполнения сенсор 74 может быть сенсором 74 многоразового применения или иным образом скомпонованным для длительного срока службы. Соединение между основным блоком 82 измерительного устройства и сенсором 74, через контакты 50, может быть воспроизводимым, и/или может создавать постоянное или по существу постоянное электрическое сопротивление. Как отмечено выше, контакты 50 могут включать мягкий контактный материал, например, такой как углерод, электропроводные краски и/или эпоксидную смолу с серебряным наполнителем. Без покрытия 18 частицы из этих мягких материалов могли бы отделяться от контактов 50 и накапливаться на компонентах внутри основного блока 82 измерительного устройства 72. Однако нанесением покрытия 18 на контакты 50 можно предотвратить отделение этих мягких материалов от контактов 50 и накапливание на компонентах в основном блоке 82 измерительного устройства 72.
Хотя вышеприведенные примеры описывают нанесение покрытия 18 на контакты 50 сенсора 74 для регистрации анализируемых веществ, должно быть понятно, что покрытие 18 может быть нанесено на контакты 50 или другие компоненты сенсора 74 любого типа или другого подходящего устройства. Например, покрытие 18 может быть нанесено на любое подходящее устройство или систему, где мягкие (например, углеродные) контактные площадки используют для исполнения многократных электрических соединений. В таких системах такой же сенсор 74 может быть использован многократно, или такое же устройство может быть применено повторно с одноразовыми сенсорами 74.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 на контакте 50 устройства может включать очень тонкой слой (например, пять нм или менее) из галогенида металла (предпочтительно фторида металла) непосредственно на поверхности контакта 50. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла может представлять собой монослой, по существу монослой или несколько монослоев. В других вариантах исполнения слой галогенида металла может включать зону из слоев галогенида металла на поверхности контакта 50. Слой галогенида металла на контакте 50 может быть прочным, может быть инертным, и/или может предотвращать образование на контакте 50 оксидных слоев и/или других потускнений, которые могут препятствовать эффективному электрическому контакту или последующей обработке.
В вариантах исполнения, где покрытие 18 наносят осаждением методом плазменного распыления, слой галогенида металла может формироваться на контакте 50, когда активные частицы в газовой плазме реагируют с металлической поверхностью контакта 50. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла может быть усилен с использованием более высокой концентрации частиц фтора. Слой из покрытия 18, включающий галогенуглеводородный полимер, затем может быть осажден на слой галогенида металла и/или в комбинации с ним. Слой галогенида металла и слой из галогенуглеводородных полимеров могут быть раздельными, в осевом направлении или пространственно. Альтернативно, в покрытии 18 на контакте 50 может быть постепенный переход от галогенида металла к галогенуглеводородному полимеру. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла может защищать контакт 50 от окисления, тогда как слой из галогенуглеводородных полимеров (i) может обеспечивать защиту от таких условий окружающей среды, как коррозионно-агрессивные газы и/или жидкости, и/или (ii) может создавать защиту от окисления. Если же слой из галогенуглеводородных полимеров в покрытии 18 со временем будет изношен в результате механического истирания, нижележащий слой галогенида металла может предотвращать развитие окисления, тем самым обеспечивая контакту 50 возможность продолжать создание электрического соединения.
В некоторых вариантах исполнения свойства поверхности покрытия 18 могут быть конфигурированы для обеспечения возможности связывания компонентов с поверхностью покрытия 18. Например, покрытие 18 может быть скомпоновано для создания адгезии между поверхностью покрытия 18 и электрическими компонентами 12. В некоторых вариантах исполнения отжиг и/или термические характеристики покрытия 18 могут быть организованы так, что с покрытого устройства могут быть избирательно удалены один или более слоев 44 покрытия 18.
Нанесение покрытия 18 на контакты 50 может обеспечивать преимущества перед традиционными устройствами. Покрытие 18 может создавать никакое, некоторые или все из следующих преимуществ. Одно преимущество состоит в том, что покрытие 18 может продлевать срок службы контактов 50 защитой их от повреждения воздействиями внешней среды и/или коррозии. Некоторые устройства обычно используют в условиях с очень высокой влажностью. В таких условиях окружающей среды микроскопические капельки воды, включающие растворенные газы (например, диоксид серы, сероводород, диоксид азота, хлороводород, хлор, озон и/или водяные пары), могут образовывать коррозионно-агрессивный раствор. Такие капельки влаги могут формировать тонкую пленку или коррозионное отложение на контактах 50 в устройстве. Такая коррозия может разрушать контакты 50 и сокращать срок их службы. Традиционные покровные материалы, например, такие как традиционные полимеры или пластики, обычно являются изоляторами и поэтому оказываются непригодными для покрытия контактов 50. Однако покрытие 18, включающее галогенуглеводородные полимеры, может проявлять электропроводность в направлении z-оси. Соответственно этому, покрытие 18 может не уменьшать способность контактов 50 получать и/или передавать сигналы. В дополнение или альтернативно, там, где контакты 50 покрыты покрытием 18, контакты 50 могут быть защищены от коррозии.
Еще одно преимущество заключается в том, что покрытие 18 может сохранять целостность поверхности контактов 50. Как разъяснено выше, коррозия и/или окисление контактов 50 может сокращать и/или ухудшать способность контактов 50 обеспечивать электрическое соединение между собой. Эта проблема может возникать там, где коррозия и/или окисление вызывают образование изолирующего слоя на поверхности контактов 50, и/или физическое изменение поверхности контактов 50, которое мешает контактам 50 создавать хороший электрический контакт друг с другом. Например, эта проблема может возникать, где непокрытый контакт 50 представляет собой аварийный выключатель или соединитель для системы аварийной сигнализации. Такие системы часто остаются неактивными в течение длительных периодов времени, но должны правильно действовать, когда это потребуется. Непокрытые контакты 50 могут становиться разомкнутыми, где коррозия формирует изолирующий барьер между встречными контактами 50, например, такими как патроны плавких предохранителей и выводы батарей гальванических элементов. Однако там, где контакты 50 покрыты покрытием 18, контакты 50 могут быть защищены от коррозии и/или окисления. Таким образом, покрытие 18 может сохранять целостность поверхности контактов 50.
Еще одно преимущество состоит в том, что покрытие 18 может защищать контакты 50 от коррозии. В устройствах, включающих непокрытые контакты 50, коррозия может препятствовать перемещению контактов 50, которые сконструированы подвижными. В некоторых случаях коррозия может изменять электрическое сопротивление/работоспособность электрической цепи и/или разрушать сменные элементы устройства. Однако там, где контакты 50 покрыты покрытием 18, контакты 50 могут быть защищены от коррозии, тем самым продлевая срок службы устройства, включающего контакты 50.
Как разъяснено выше, электрический компонент 12 может быть присоединен к PCB 10 припаиванием через покрытие 18 (без предварительного удаления покрытия 18) для формирования паяного соединения 26 между электрическим компонентом 12 и электропроводной печатной дорожкой 16 на PCB 10. В других вариантах исполнения электрический компонент 12 может быть присоединен к покрытой PCB 10 с помощью проводного монтажа электрического компонента 12 на электропроводной печатной дорожке 16 PCB 10.
ФИГУРА 9 иллюстрирует проводное соединение 84, которое сформировано через покрытие 18, согласно определенным вариантам исполнения. Проводное соединение 84 может быть сформировано между проводом 86 и любой подходящей поверхностью. В некоторых вариантах исполнения проводное соединение 84 может быть сформировано между проводом 86 и поверхностью электрического компонента 12, электропроводной печатной дорожки 16 и/или элемента электрической цепи. Поверхность, на которой формируют проводное соединение 84, может быть названа как контактная поверхность 88. В иллюстрированном варианте исполнения как провод 86, так и контактная поверхность 88 покрыты покрытием 18. В других вариантах исполнения провод 86 может быть покрытым, и контактная поверхность 88 может быть непокрытой. В других дополнительных вариантах исполнения провод 86 может быть непокрытым, и контактная поверхность 88 может быть покрытой. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 наносят только на участки провода 86 и/или контактной поверхности 88, где должно быть сформировано проводное соединение 84. В других вариантах исполнения покрытие 18 наносят на весь или по существу весь провод 86 и/или всю или по существу всю контактную поверхность 88.
Термин «проводной монтаж» в общем имеет отношение к способу соединения электрических компонентов 12 и/или элементов электрической цепи в отсутствие припоя 38 и/или флюса 42. В некоторых вариантах исполнения проводной монтаж может быть использован для создания электрического соединения между двумя или более компонентами с использованием электропроводного провода 86. Проводной монтаж может быть применен для получения системы соединений между интегральной микросхемой в форме бескорпусного кристалла и рамкой с внешними выводами внутри интегральной схемы. В дополнение, или альтернативно, проводной монтаж может быть использован для создания внутренних соединений между бескорпусным кристаллом и PCB 10.
Проводное соединение 84 может быть сформировано на контактной поверхности 88 с использованием провода 86 и установки 90 для микросварки проводных выводов. Проводное соединение 84 может быть сформировано с использованием провода 86 любого пригодного типа. Термин «провод» может иметь отношение к одной или более удлиненным жилам электропроводного материала. В некоторых вариантах исполнения провод 86 может проводить электрический ток, передавать электрический сигнал и/или нести механическую нагрузку. В некоторых вариантах исполнения провод включает штырек, жилу, электрический проводник и/или ножку электрического компонента 12.
Провод 86 может включать любой подходящий материал. В некоторых вариантах исполнения провод 86 включает один или более электропроводных материалов, например, таких как общеупотребительные металлы, драгоценные/редкие металлы, электропроводные полимеры и/или электропроводные неметаллические материалы. В предпочтительном варианте исполнения провод 86 включает золото, алюминий, медь и/или серебро. В других вариантах исполнения провод 86 включает никель, палладий, платину, родий, иридий, олово, свинец, германий, сурьму, висмут, индий, галлий, кобальт, железо, марганец, хром, ванадий, титан, скандий, цирконий, молибден, вольфрам, другие переходные металлы и/или прочие пригодные материалы. Провод 86 может включать любой подходящий металлический сплав и/или комбинацию электропроводных материалов. В некоторых вариантах исполнения, провода 86, включающие металлы (в том числе сплавы), которые легко окисляются и/или тускнеют, могут иметь особенные преимущества от покрытия 18. Нанесение покрытия 18 на провода 86 может продлевать срок годности при хранении и/или срок надежной службы при работе устройств, включающих провода 86.
Провод 86 может иметь поперечное сечение, которое является круглым, прямоугольным или любой другой пригодной формы. В некоторых вариантах исполнения провод 86, имеющий прямоугольное поперечное сечение, называется как лента. В вариантах исполнения, где провод 86 имеет круглое поперечное сечение, провод 86 может иметь диаметр 92 в диапазоне от пяти мкм до одного мм. В других вариантах исполнения провод 86 имеет диаметр 92 в диапазоне от десяти мкм до двухсот мкм. В предпочтительном варианте исполнения провод 86 имеет диаметр в диапазоне от пятнадцати мкм до семидесяти пяти мкм. В вариантах исполнения, где провод 86 имеет прямоугольное поперечное сечение, боковая сторона провода 86 может иметь размер в диапазоне от пяти мкм до одного мм. В других вариантах исполнения боковая сторона прямоугольного провода 86 может иметь размер в диапазоне от десяти мкм до двухсот мкм. В предпочтительном варианте исполнения боковая сторона прямоугольного провода 86 может иметь размер в диапазоне от двадцати мкм до семидесяти пяти мкм. Провода 86 различных типов могут потребовать применения различного оборудования для проводного монтажа и/или различных параметров.
Установка 90 для микросварки проводных выводов в основном может работать для формирования проводного соединения 84 между проводом 86 и контактной поверхностью 88. Установка 90 для микросварки проводных выводов может представлять собой устройство любого подходящего типа, в котором используют теплоту и/или давление для образования соединений между проводами 86 и контактными поверхностями 88. Установка 90 для микросварки проводных выводов может представлять собой установку 90 для микросварки проводных выводов внахлестку типа «клин-клин», установку 90 для микросварки проводных выводов типа «шарик-клин», переключаемую трехрежимную установку 90 для микросварки проводных выводов, установку 90 для ультразвуковой микросварки изолированных проводных выводов, высокочастотную установку 90 для микросварки проводных выводов, установку 90 для микросварки проводных выводов с манипулятором, и автоматическую установку 90 для микросварки проводных выводов, и/или установку 90 для микросварки проводных выводов любого подходящего типа. В некоторых вариантах исполнения установка 90 для микросварки проводных выводов включает иглообразный инструмент (называемый капилляром), через который продевают провод 86. Установка 90 для микросварки проводных выводов может позиционировать конец провода 86 на контактной поверхности 88 для формирования либо шарикового термокомпрессионного микросварного соединения 84а, либо клинового термокомпрессионного микросварного соединения 84b. Термины «шарик» и «клин» в общем имеют отношение к геометрической форме провода 86 в точке, где создано соединение. В этих двух способах проводного монтажа – шариковой термокомпрессионной микросварке и термокомпрессионной микросварке клиновым инструментом – могут использоваться различные комбинации теплоты, давления и/или ультразвуковой энергии для выполнения сварки на одном или обоих концах провода 86.
В некоторых вариантах исполнения установка 90 для микросварки проводных выводов формирует шариковое термокомпрессионное микросварное соединение 84а подведением высоковольтного электрического заряда к проводу 86, который может расплавить провод 86 на кончике капилляра установки 90 для микросварки проводных выводов. На кончике провода 86 может формироваться шарик благодаря поверхностному натяжению расплавленного металла. До, во время или после затвердевания шарика установка 90 для микросварки проводных выводов может привести капилляр в движение, заставляя конец провода 86 прижаться к контактной поверхности 88. Затем установка 90 для микросварки проводных выводов может подвести теплоту, приложить давление и/или подать ультразвуковую энергию для создания сварного соединения между концом провода 86 и контактной поверхностью 88. Таким образом, установка 90 для микросварки проводных выводов может формировать шариковое термокомпрессионное микросварное соединение 84а. ФИГУРА 10А иллюстрирует полученное с помощью микроскопа изображение шариковых термокомпрессионных микросварных соединений 84а между непокрытыми проводами 86 и покрытой контактной поверхностью 88, согласно определенным вариантам исполнения. Провода 86 и контактная поверхность 88 могут включать электропроводные материалы любого пригодного типа и/или в любой подходящей комбинации. В иллюстрированном варианте исполнения провод 86 включает золото, и контактная поверхность 88 включает медь. Контактная поверхность 88 может быть подвергнута предварительной обработке перед нанесением на контактную поверхность 88 покрытия 18. В иллюстрированном примере контактную поверхность 88 предварительно обрабатывали раствором на жидкостной основе из серной кислоты и пероксида водорода. После высушивания примерную контактную поверхность 88 затем обработали водородной плазмой, после которой на контактную поверхность 88 осадили покрытие 18. В иллюстрированном примере шариковое термокомпрессионное микросварное соединение 84а между проводом 86 и контактной поверхностью 88, сформировали после того, как покрытие 18 было осаждено на контактную поверхность 88. Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует контактную поверхность 88, которая была подвергнута предварительной обработке конкретным раствором и водородной плазмой, должно быть понятно, что перед нанесением покрытия 18 может быть использована любая подходящая поверхностная обработка. Кроме того, должно быть понятно, что, в некоторых вариантах исполнения, перед нанесением покрытия 18 никакая поверхностная обработка контактной поверхности 88 может не проводиться.
ФИГУРА 10В иллюстрирует полученное с помощью микроскопа изображение поперечного сечения шарикового термокомпрессионного микросварного соединения 84а между непокрытой проволокой 86 и покрытой контактной поверхностью 88, согласно определенным вариантам исполнения. Провода 86 и контактная поверхность 88 могут включать электропроводные материалы любых подходящих типа и/или комбинации. В иллюстрированном варианте исполнения провод 86 включает золото, и контактная поверхность 88 включает медь. Контактная поверхность 88 может быть подвергнута предварительной обработке перед нанесением на контактную поверхность 88 покрытия 18. В иллюстрированном примере контактную поверхность предварительно обработали раствором на жидкостной основе из серной кислоты и пероксида водорода. После высушивания на примерную контактную поверхность 88 осадили покрытие 18. Затем покрытую контактную поверхность 88 в этом примере дополнительно обработали водородной плазмой. В этом примере методом шариковой термокомпрессии затем сформировали соединение 84а между проводом 86 и контактной поверхностью 88.
Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует контактную поверхность 88, которая была предварительно обработана конкретным раствором и дополнительно обработана водородной плазмой, должно быть понятно, что контактная поверхность 88 может быть подвергнута любой предварительной обработке и/или дополнительной обработке. Кроме того, должно быть понятно, что, в некоторых вариантах исполнения, никакая поверхностная обработка контактной поверхности 88 может не проводиться перед нанесением покрытия 18.
В некоторых вариантах исполнения установка 90 для микросварки проводных выводов методом термокомпрессии клиновым инструментом формирует соединение 84b между проводом 86 и контактной поверхностью 88. Установка 90 для микросварки проводных выводов может образовывать клиновое термокомпрессионное микросварное соединение 84b путем раздавливания провода 86 на контактной поверхности 88. После формирования клинового термокомпрессионного микросварного соединения 84b установка 90 для микросварки проводных выводов может обрезать провод 86. ФИГУРА 11А иллюстрирует полученное с помощью микроскопа изображение клиновых термокомпрессионных микросварных соединений 84b между непокрытыми проводами 86 и покрытой контактной поверхностью 88, согласно определенным вариантам исполнения. ФИГУРА 11В иллюстрирует полученное с помощью микроскопа изображение поперечного сечения соединения 84b, образованного методом термокомпрессии клиновым инструментом между покрытым проводом 86 и покрытой контактной поверхностью 88.
Установка 90 для микросварки проводных выводов может быть настроена для формирования шарикового термокомпрессионного микросварного соединения 84а на одном конце провода 86 и для образования клинового термокомпрессионного микросварного соединения 84b на другом конце провода 86. Этот процесс может быть назван как термокомпрессионная микросварка проводных выводов типа «шарик-клин». ФИГУРА 12 иллюстрирует PCB 10, имеющую шариковое термокомпрессионное микросварное соединение 84а, и соединение 84b методом термокомпрессии клиновым инструментом, согласно определенным вариантам исполнения. В некоторых вариантах исполнения установка 90 для микросварки проводных выводов может сначала формировать шариковое термокомпрессионное микросварное соединение 84а между контактной поверхностью 88 и расплавленным сферическим шариком на конце провода 86. Шариковое термокомпрессионное микросварное соединение 84а может быть сформировано с использованием тепловой и/или ультразвуковой энергии. Затем установка 90 для микросварки проводных выводов может использовать провод 86 для формирования петли с желательной высотой и формой. Когда петля достигает желательного положения для образования второго соединения, установка 90 для микросварки проводных выводов может формировать клиновое термокомпрессионное микросварное соединение 84b между проводом 86 и контактной поверхностью 88. После формирования клинового термокомпрессионного микросварного соединения 84b установка 90 для микросварки проводных выводов может обрезать провод 86, оставляя свободный конец, который может быть сформирован в сферический шарик, который может быть использован для образования следующего проводного соединения 84.
В некоторых вариантах исполнения установка 90 для микросварки проводных выводов может быть настроена для образования клиновых термокомпрессионных микросварных соединений 84b на обоих концах провода 86. Этот способ может быть назван как термокомпрессионная микросварка проводных выводов типа «клин-клин». Клиновое термокомпрессионное микросварное соединение может основываться на комбинации ультразвуковой энергии и энергии фрикционного взаимодействия. Клиновое термокомпрессионное микросварное соединение 84b может быть сформировано с участием или без участия дополнительной тепловой энергии, подводимой нагреванием провода 86. В некоторых вариантах исполнения клиновое термокомпрессионное микросварное соединение 84b может быть предпочтительным для соединения проводов 86 с электропроводными печатными дорожками 16 на PCB 10.
В общем, хорошее проводное соединение 84 может быть создано с использованием провода 86 и контактной поверхности 88, которые не содержат или по существу не содержат загрязнений, например, таких как продукты окисления. Традиционно достижение хороших проводных соединений 84 с использованием медного провода 86 было затруднительным, поскольку медь легко окисляется при нормальных атмосферных условиях. Слои оксида меди на поверхности провода 86 и/или контактной поверхности 88 могут сделать образование проводных соединений 84 затруднительным. В дополнение, повышенные температуры, необходимые для проводного монтажа, могут вести к усиленному окислению. В результате изготовители либо избегали применения провода 86, который легко окисляется (например, медной проволоки), либо нуждались в использовании инертных атмосфер для предотвращения окисления. В некоторых случаях изготовители пытались очищать медные провода 86 непосредственно перед проводным монтажом для удаления образовавшегося оксида меди и/или других потускнений с поверхности медных проводов 86. Очистка медных проводов 86 и/или использование инертных атмосфер обусловливали усложнение и удорожание процесса проводного монтажа. В результате некоторые типы проводов 86 (например, медную проволоку) в проволочном монтаже обычно не применяли.
Нанесение покрытия 18 на провод 86 и/или контактную поверхность 88 может сократить некоторые, все или никакие из вышеназванных проблем. В некоторых вариантах исполнения нанесение покрытия 18, включающего галогенуглеводородный полимер, на провод 86 и/или контактную поверхность 88, может защитить провод 86 и/или контактную поверхность 88 от окисления и/или коррозии. Так, покрытие 18 может предотвращать образование оксидных и/или коррозионных слоев, которые затрудняли бы соединение провода 86 с контактной поверхностью 88. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть скомпоновано так, что проводные соединения 84 могут быть сформированы через покрытие 18 без предварительного удаления покрытия 18 с провода 86 и/или контактной поверхности 88. Предотвращением окисления и/или обеспечением возможности формирования проводных соединений 84 через покрытие 18, покрытие 18 может снизить стоимость и/или трудность способа проводного монтажа.
В некоторых вариантах исполнения как провод 86, так и контактная поверхность 88 покрыты покрытием 18. Покрытие 18 на проводе 86 может быть идентичным или по существу идентичным покрытию 18 на контактной поверхности 88. Альтернативно, покрытие 18 на проводе 86 может включать галогенуглеводородные полимеры, отличные от таковых в покрытии 18 на контактной поверхности 88. В других вариантах исполнения провод 86 является непокрытым, и контактная поверхность 88 является покрытой покрытием 18. В еще других вариантах исполнения провод 86 покрыт покрытием 18, и контактная поверхность 88 непокрыта. Покрытие 18 на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 могут быть непрерывными, по существу непрерывными или прерывистыми. Непрерывное или по существу непрерывное покрытие 18 может быть предпочтительным для высоких уровней защиты от вредного воздействия условий окружающей среды. Прерывистое покрытие 18 может быть предпочтительным для других целей.
Покрытие 18 на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 может иметь любую подходящую толщину. В некоторых вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 составляет от одного нм до двух мкм. В других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 варьирует от одного нм до пятисот нм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 составляет от трех нм до пятисот нм. В других дополнительных вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 варьирует от десяти нм до пятисот нм. В других дополнительных вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 составляет от десяти нм до двухсот пятидесяти нм. В еще других вариантах исполнения толщина 24 покрытия 18 варьирует от десяти нм до тридцати нм. В других дополнительных вариантах исполнения покрытие 18 представляет собой монослой из галогенуглеводородного полимера (например, имеющий толщину 24 в несколько ангстрем (Е)). В предпочтительном варианте исполнения толщина 24 покрытия 18 варьирует от десяти нм до ста нм в различных градиентах, причем предпочтительно толщина 24 составляет сто нм. Покрытие 18 на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 может представлять собой однослойное покрытие 18 или многослойное покрытие 18.
Оптимальная толщина 24 покрытия 18 может зависеть от конкретных свойств, которые являются желательными для провода 86 и/или контактной поверхности 88 после формирования проводного соединения 84. Например, если желателен высокий уровень устойчивости к коррозии, сопротивления истиранию и/или стойкости к воздействию окружающей среды, может быть желательным более толстое покрытие 18. Таким образом, толщина 24 покрытия 18 может быть подобрана и/или оптимизирована соответственно конкретным требованиям, предъявляемым к устройству.
Как разъяснено выше, покрытие 18 может быть скомпоновано так, что установка 90 для микросварки проводных выводов может формировать проводное соединение 84 через покрытие 18. Другими словами, установка 90 для микросварки проводных выводов может работать для соединения провода 86 с контактной поверхностью 88 без предварительного удаления покрытия 18 с провода 86 и/или контактной поверхности 88. Таким образом, процесс проводного монтажа может избирательно изменять покрытие 18 в области проводного соединения 84. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 избирательно удаляют с провода 86 и/или контактной поверхности 88 в ходе проводного монтажа только в локальной области проводного соединения 84 так, что покрытие 18 остается нетронутым вплотную к проводному соединению 84. Таким образом, покрытие 18 может примыкать к проводному соединению 84 после формирования проводного соединения 84. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 остается неповрежденным на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 везде, кроме места, где образовано проводное соединение 84. Поскольку покрытие 18 может оставаться неповрежденным непосредственно рядом с проводным соединением 84, покрытие 18 может защищать провод 86, контактную поверхность 88 и/или остальное устройство от окисления, коррозии и/или воздействия условий окружающей среды после формирования проводного соединения 84. Таким образом, покрытие 18 может обеспечивать долговременную стабильность и защиту устройства.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 смещают в результате проведения и/или исполнения клиновой термокомпрессионной микросварки и/или шариковой термокомпрессионной микросварки. В этих способах соединения энергия может быть эффективно направлена на область проводного соединения 84. Эта энергия может облегчать смещение покрытия 18 на контактной поверхности 88 и/или проводе 86 и обеспечивать возможность формирования проводного соединения 84. Как разъяснено выше, клиновая термокомпрессионная микросварка может основываться на комбинации ультразвуковой энергии и энергии фрикционного взаимодействия, с участием или без участия дополнительной тепловой энергии, подводимой нагреванием провода 86. Напротив, шариковая термокомпрессионная микросварка может представлять собой по существу термоакустический процесс. Для обоих способов клиновой термокомпрессионной микросварки и шариковой термокомпрессионной микросварки покрытие 18 может быть смещено селективно в области образования проводного соединения 84 при фрикционном и/или тепловом воздействии. В результате покрытие 18 может быть смещено как в виде твердого материала, так и вследствие фазового превращения и/или испарения.
Проводные соединения 84, которые сформированы через покрытие 18 между проводами 86 и/или контактными поверхностями 88, могут проявлять хорошую прочность связывания. В некоторых вариантах исполнения проводное соединение 84 является достаточно прочным, чтобы любое разрушение происходило бы в проводе 86 скорее, нежели возникало бы в месте формирования поверхности раздела между проводным соединением 84 и контактной поверхностью 88. Так, прочность соединения может быть большей, меньшей или равной прочности, определяющей разрушение провода 86. В вариантах исполнения, где провод 86 имеет диаметр 92 в двадцать пять мкм, для разрушения проводного соединения 84 может потребоваться усилие от пяти граммов до двенадцати граммов. В вариантах исполнения, где провод 86 имеет диаметр 92 в двадцать пять мкм, для разрушения проводного соединения 84 может потребоваться усилие от семи граммов до двенадцати граммов. Прочность проводного соединения 84 может быть повышена очисткой провода 86 и/или контактной поверхности 88 перед нанесением покрытия 18. В некоторых вариантах исполнения провод 86 и/или контактная поверхность 88 могут быть обработаны газовой плазмой для достижения «суперчистой» поверхности. Активация и очистка провода 86 и/или контактной поверхности 88 газовой плазмой могут обеспечить более прочные проводные соединения 84.
В некоторых вариантах исполнения прочность проводного соединения 84 может быть измерена с использованием устройства для испытания прочности на отрыв. Измерения могут быть повторены для покрытий 18 с различными толщинами 24 на контактной поверхности 88 и для различных типов проводов 86. В одном примере для формирования проводных соединений 84 использовали установку 90 для клиновой микросварки проводных выводов Kullicke & Soffe 4523. В этом примере в установке 90 для микросварки проводных выводов производили следующие настройки: (i) “First Bond” («Первое соединение») устанавливали на положения “Power 2.20”, “Time 4.0”, ”Force 3.0=60 g”; “Second Bond” («Второе соединение») устанавливали на положения “Power 2.20”, “Time 3.0”, ”Force 3.0=60 g”; (iii) настройка электронного блока на интервал “Long Time”. В этом примере установка 90 для микросварки проводных выводов формировала проводные соединения 84 между проводами 86, перечисленными ниже в таблице, и медной контактной поверхностью 88, которая была покрыта покрытием 18, включающим галогенуглеводородные полимеры. Перед нанесением покрытия 18 медную контактную поверхность 88 подвергли предварительной обработке жидким раствором серной кислоты/пероксида водорода.
После того, как в этом примере были сформированы проводные соединения 84, для измерения прочности проводных соединений 84 использовали прибор Kullicke & Soffe ВТ22 для испытания прочности на отрыв. Измерения из этого примера перечислены в нижеследующей таблице:
Материал провода (диаметр в мкм) | Номинальная толщина покрытия (нм) | Средняя прочность соединения (г) |
Золото (25 мкм) | ~50 | 5,60 |
Золото (25 мкм) | ~80 | 8,46 |
Алюминий (25 мкм) | ~30 | 7,65 |
Алюминий (25 мкм) | ~50 | 10,87 |
Алюминий (25 мкм) | ~80 | 7,00 |
Медь (25 мкм) | ~60 | 8,60 |
Медь (25 мкм) | ~40 | 6,65 |
В этом примере золотые и алюминиевые провода 86 были непокрытыми, и медные провода 86 были покрыты покрытием 18, включающим галогенуглеводородные полимеры. Перед нанесением покрытия 18 медные провода 86 были предварительно обработаны в течение приблизительно двух минут с использованием водородной плазмы. В каждом из испытаний прочности на отрыв в этом примере наблюдалось, что точка итогового разрушения скорее обусловливалась разрывом провода 86, нежели местом проводного соединения 84. Таким образом, в этом примере, прочности соединения в таблице реально представляют нижний предел средних величин прочности соединений.
Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует прочности сцепления для проводных соединений 84 между конкретными типами проводов 86 и контактных поверхностей 88, должно быть понятно, что проводное соединение 84 может быть сформировано между проводом 86 любого подходящего типа и контактной поверхностью 88 любого пригодного типа. Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует конкретный тип установки 90 для микросварки проводных выводов, должно быть понятно, что для формирования проводных соединений 84 может быть использована установка 90 для микросварки проводных выводов любого подходящего типа. Хотя вышеприведенный пример иллюстрирует конкретные толщины 24 покрытия 18 на контактной поверхности 88, должно быть понятно, что покрытие 18 на контактной поверхности 88 и/или проводе 86 может иметь любую пригодную толщину 24.
В некоторых вариантах исполнения модифицирование поверхностной шероховатости провода 86, контактной поверхности 88 и/или покрытия 18 может повышать прочность проводного соединения 84. Провод 86, контактная поверхность 88 и/или покрытие 18 могут быть скомпонованы имеющими одинаковую или различную шероховатость поверхности для оптимизации проводных соединений 84 для различных вариантов применения. В некоторых вариантах исполнения шероховатость поверхности провода 86 и/или контактной поверхности 88 могут быть модифицированы до нанесения покрытия 18. В некоторых вариантах исполнения поверхностная шероховатость покрытия 18 может быть модифицирована после того, как оно нанесено на провод 86 и/или контактную поверхность 88.
Поверхностная шероховатость провода 86, контактной поверхности 88 и/или покрытия 18 может быть отрегулирована в макромасштабе (например, равной или большей одного мкм) и/или в микромасштабе (например, меньшей одного мкм). Модифицирование поверхностной шероховатости и/или плоскостности провода 86 и/или контактной поверхности 88 может реально модифицировать площадь контакта между проводом 86 и/или контактной поверхностью 86 и их фрикционные характеристики во время проведения процесса проводного монтажа. Эти типы модификаций могут обеспечить возможность эффективного подведения энергии к области проводного соединения 84 во время процесса проводного монтажа. Эти модификации могут обеспечить образование прочных проводных соединений 84 между проводом 86 и/или контактной поверхностью 88.
Поверхностная шероховатость, фрикционные характеристики и/или характеристики поверхностной энергии провода 86, контактной поверхности 88 и/или покрытия 18 могут быть модифицированы любым пригодным способом, например, таким как обработка газовой плазмой, жидкостное кислотное травление, механическая обработка и/или выбор соединений-прекурсоров 36 для осаждения покрытия 18 (например, хлора).
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 не удаляют с провода 86 и/или контактной поверхности 88 перед проведением процесса проводного монтажа. В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть селективно удалено с провода 86 и/или контактной поверхности 88 перед выполнением проводного монтажа. В еще других вариантах исполнения, до проведения проводного монтажа, покрытие 18 может быть удалено с провода 86 полностью, и/или со всей площади контактной поверхности 88. В вариантах исполнения, где по меньшей мере часть покрытия 18 удаляют перед процессом проводного монтажа, покрытие 18 может быть удалено избирательно или с общей площади путем нагревания контактной поверхности 88, лазерной абляции, плазменной обработки и/или жидкостным химическим травлением. В таких вариантах исполнения покрытие 18 может быть смещено после формирования проводного соединения 84. В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть нанесено после проводного монтажа, либо на чистую контактную поверхность 88, либо на предварительно покрытую контактную поверхность 88. Такая стадия могла бы быть предусмотрена, например, где требуется долговременная стабильность с возможностью последующей обработки или переделки на более позднем этапе. В некоторых вариантах исполнения, как только сформировано проводное соединение 84, контактную поверхность 88 и/или проводное соединение 84 дополнительно защищают нанесением дополнительного покровного слоя покрытия 18.
Покрытие 18 может быть нанесено на провод 86 и/или контактную поверхность 88 с использованием любого подходящего способа. Например, покрытие 18 может быть осаждено с использованием химического осаждения из паровой фазы (CVD), способом молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE), стимулированным плазмой химическим осаждением из газовой фазы (PE-CVD), осаждением методом плазменного распыления при высоком давлении/атмосферном давлении, химическим осаждением из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений (MO-CVD), и/или химическим осаждением из газовой фазы, стимулированным лазерным излучением (LE-CVD). В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть нанесено созданием взаимопроникающих сетчатых полимерных структур (IPNs) и/или поверхностной абсорбцией монослоев (SAMs) полимеров или мономеров с образованием in-situ полимеров и/или полимерных сплавов. В других вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено с использованием способа нанесения жидкого покрытия, например, такого как погружение в жидкость, нанесение покрытия набрызгиванием, нанесение покрытия методом центрифугирования, напыление и/или золь-гель-процесс. В некоторых вариантах исполнения провод 86 и/или контактная поверхность 88 могут быть покрыты покрытием 18 вскоре после изготовления, чтобы предотвратить окисление.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может быть осаждено на провод 86 и/или контактную поверхность 88 осаждением методом плазменного распыления, как описано выше в отношении ФИГУРЫ 2. В таких вариантах исполнения провод 86 и/или контактная поверхность могут быть помещены в камеру 30, и реактор 28 может вводить газы (например, водород, аргон и/или азот) в камеру 30 для очистки провода 86 и/или контактной поверхности 88. Затем реактор 28 может вводить одно или более соединений-прекурсоров 36 в камеру 30 для формирования однослойного покрытия 18 или многослойного покрытия 18 на проводе 86 и/или контактной поверхности 88. В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может инкапсулировать провод 86 и/или контактную поверхность 88 и/или следовать их трехмерной форме.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 может включать очень тонкий слой (например, пять нм или менее) галогенида металла (предпочтительно фторида металла) в непосредственном контакте с поверхностью провода 86 и/или контактной поверхности 88. Тонкий слой галогенида металла может включать минимальное количество галогенуглеводородного материала (например, менее одного процента по весу, менее пяти процентов по весу и т.д.). В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла может представлять собой монослой, по существу монослой или несколько монослоев. В других вариантах исполнения слой галогенида металла может включать зону из слоев галогенида металла на поверхности провода 86 и/или контактной поверхности 88. Слой галогенида металла может быть прочным, может быть инертным, и/или может предотвращать образование на проводе 86 и/или контактной поверхности 88 оксидных слоев и/или потускнений, которые могут препятствовать эффективному проводному монтажу.
В вариантах исполнения, где покрытие 18 наносят осаждением методом плазменного распыления, слой галогенида металла может формироваться на проводе 86 и/или контактной поверхности 88, когда активные частицы в газовой плазме реагируют с металлической поверхностью. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла может быть усилен с использованием более высокой концентрации частиц фтора. Слой из покрытия 18, включающий галогенуглеводородный полимер, затем может быть осажден на слой галогенида металла и/или в комбинации с ним. Слой галогенида металла и слой из галогенуглеводородных полимеров могут быть раздельными, в осевом направлении или пространственно. Альтернативно, в покрытии 18 может быть постепенный переход от галогенида металла к галогенуглеводородному полимеру. В некоторых вариантах исполнения слой галогенида металла может защищать провод 86 и/или контактную поверхность 88 от окисления, тогда как слой из галогенуглеводородных полимеров (i) может обеспечивать защиту от таких условий окружающей среды, как коррозионно-агрессивные газы и/или жидкости, и/или (ii) может создавать защиту от окисления. Если же слой из галогенуглеводородных полимеров в покрытии 18 со временем будет изношен в результате механического истирания, нижележащий слой галогенида металла может предотвращать развитие окисления, тем самым защищая устройство и продлевая срок его службы.
В некоторых вариантах исполнения покрытие 18 может обеспечивать возможность соединения провода 86 и/или контактной поверхности 88 в неинертной атмосфере без окисления. Термин «неинертная атмосфера» имеет отношение к атмосфере, включающей газы (например, кислород), которые обычно окисляли бы и/или разъедали непокрытые провода 86 и/или контактные поверхности 88. Как разъяснено выше, инертные атмосферы традиционно использовались для формирования проводных соединений с использованием непокрытых медных проводов 86. Инертные атмосферы типично включали инертные газы, например, такие как азот и/или аргон. Поскольку покрытие 18 может защищать провод 86 и/или контактную поверхность 88 от окисления и/или коррозии, покрытие 18 может обеспечивать возможность формирования проводного соединения 84 в неинертной атмосфере с минимальной или никакой опасностью окисления. Таким образом, покрытие 18 может сокращать стоимость и/или повышать эффективность процесса проводного монтажа. Однако должно быть понятно, что покрытие 18 может быть использовано на проводах 86 и/или контактных поверхностях 88 независимо от того, формируют ли проводное соединение 84 в инертной или неинертной атмосфере.
Хотя настоящее изобретение было описано в нескольких вариантах исполнения, квалифицированным специалистом в этой области технологии могут быть предложены многочисленные изменения и модификации, и предполагается, что настоящее изобретение охватывает такие изменения и модификации как попадающие в пределы области настоящей прилагаемой патентной формулы.
Claims (52)
1. Печатная плата, включающая:
подложку, включающую изоляционный материал,
множество электропроводных печатных дорожек, присоединенных по меньшей мере к одной поверхности подложки,
покрытие, осажденное по меньшей мере на одну поверхность подложки, причем:
покрытие (a) покрывает по меньшей мере часть множества электропроводных печатных дорожек, (b) представляет собой фторуглеводородный полимер, получаемый путем осаждения методом плазменного распыления соединений-прекурсоров, выбранных из перфторалканов, перфторалкенов и перфторалкинов, и имеет толщину от 1 нм до 2 мкм, и по меньшей мере один электропроводный провод, который соединен проводным соединением по меньшей мере с одной электропроводной печатной дорожкой, причем проводное соединение формируют через покрытие без предварительного удаления покрытия так, что проводное соединение примыкает к покрытию,
причем проводное соединение сформировано в отдельной области подложки, покрытие не удаляется с отдельной области подложки перед формированием проводного соединения, и формирование проводного соединения изменяет покрытие в отдельной области в результате избирательного удаления покрытия с отдельной области подложки без изменения покрытия в других областях подложки.
2. Печатная плата по п.1, в которой проводное соединение примыкает к покрытию вдоль плоскости, параллельной по меньшей мере одной поверхности подложки.
3. Печатная плата по п.1, в которой проводное соединение представляет собой по меньшей мере одно из:
шарикового термокомпрессионного микросварного соединения и
клинового термокомпрессионного микросварного соединения.
4. Печатная плата по п.1, в которой провод включает по меньшей мере одно из:
золота,
алюминия,
серебра,
меди,
никеля и
железа.
5. Печатная плата по п.1, в которой по меньшей мере часть провода покрыта покрытием.
6. Печатная плата по п.1, в которой покрытие имеет толщину от 10 до 100 нм.
7. Печатная плата по п.1, дополнительно включающая по меньшей мере один электрический компонент, соединенный паяным соединением по меньшей мере с одной электропроводной печатной дорожкой, причем паяное соединение припаяно через покрытие так, что паяное соединение примыкает к покрытию.
8. Печатная плата по п.1, в которой проводное соединение сформировано в первой области подложки, причем первая область покрыта покрытием, и дополнительно включает:
по меньшей мере один электрический компонент, соединенный паяным соединением по меньшей мере с одной электропроводной печатной дорожкой во второй области подложки, причем вторая область покрыта другим покрытием.
9. Печатная плата по п.1, в которой покрытие осаждают так, что слой галогенида металла покрывает по меньшей мере часть многочисленных электропроводных печатных дорожек.
10. Печатная плата по п.1, в которой покрытие осаждают так, что слой галогенида металла, по существу, отсутствует между многочисленными электропроводными печатными дорожками и покрытием.
11. Способ получения печатной платы, включающий этапы, на которых:
присоединяют множество электропроводных печатных дорожек по меньшей мере к одной поверхности подложки, включающей изоляционный материал,
осаждают путем осаждения методом плазменного распыления соединений-прекурсоров, выбранных из перфторалканов, перфторалкенов и перфторалкинов, покрытие из фторуглеводородного полимера по меньшей мере на одну поверхность подложки, причем покрытие покрывает по меньшей мере часть множества электропроводных печатных дорожек, причем покрытие имеет толщину от 1 нм до 2 мкм, и формируют проводное соединение между по меньшей мере одним электропроводным проводом и по меньшей мере одной электропроводной печатной дорожкой, причем проводное соединение формируют через покрытие без предварительного удаления покрытия так, что проводное соединение примыкает к покрытию,
причем проводное соединение сформировано в отдельной области подложки, покрытие не удаляют с отдельной области подложки перед формированием проводного соединения, и формирование проводного соединения изменяет покрытие в отдельной области в результате избирательного удаления покрытия с отдельной области подложки без изменения покрытия в других областях подложки.
12. Способ по п.11, в котором проводное соединение примыкает к покрытию вдоль плоскости, параллельной по меньшей мере одной поверхности подложки.
13. Способ по п.11, в котором проводное соединение представляет собой по меньшей мере одно из:
шарикового термокомпрессионного микросварного соединения и
клинового термокомпрессионного микросварного соединения.
14. Способ по п.11, в котором провод включает по меньшей мере одно из:
золота,
алюминия,
серебра,
меди,
никеля и
железа.
15. Способ по п.11, в котором по меньшей мере часть провода покрывают покрытием перед формированием проводного соединения.
16. Способ по п.11, в котором покрытие имеет толщину от 10 до 100 нм.
17. Способ по п.11, дополнительно включающий этап, на котором:
после осаждения покрытия проводят пайку через покрытие с образованием паяного соединения между электрическим компонентом и по меньшей мере одной электропроводной печатной дорожкой, присоединенной к подложке, причем паяное соединение примыкает к покрытию.
18. Способ по п.11, в котором проводное соединение формируют по меньшей мере в первой области подложки, причем первую область покрывают покрытием, и дополнительно включающий этапы, на которых:
осаждают другое покрытие во второй области подложки и
проводят пайку через другое покрытие во второй области подложки для формирования паяного соединения между электрическим компонентом и по меньшей мере одной электропроводной печатной дорожкой, присоединенной к подложке.
19. Способ по п.11, в котором осаждение покрытия включает осаждение первого слоя покрытия и дополнительно включающий этап, на котором после формирования проводного соединения осаждают второй слой покрытия по меньшей мере на одну поверхность подложки, причем второй слой покрытия покрывает по меньшей мере часть проводного соединения.
20. Способ по п.11, в котором проводное соединение представляет собой проводное соединение бескорпусного кристалла.
21. Способ по п.11, в котором подложка включена в печатную плату и дополнительно включающий этап, на котором:
после формирования проводного соединения на печатную плату осаждают конформное покрытие, причем конформное покрытие включает по меньшей мере один галогенуглеводородный полимер, причем конформное покрытие имеет по меньшей мере одно из следующих свойств:
способность к пайке через покрытие,
способность обеспечивать проведение проводного монтажа через конформное покрытие.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0815095.5 | 2008-08-18 | ||
GB0815096.3 | 2008-08-18 | ||
GB0815096A GB2462824A (en) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | Printed circuit board encapsulation |
GB0815095A GB2462823A (en) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | A switch |
GB0815094A GB2462822B (en) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | Wire bonding |
GB0815094.8 | 2008-08-18 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011110260/07A Division RU2533162C2 (ru) | 2008-08-18 | 2009-08-11 | Галогенуглеводородное полимерное покрытие |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014121727A RU2014121727A (ru) | 2015-12-10 |
RU2685692C2 true RU2685692C2 (ru) | 2019-04-23 |
Family
ID=41435248
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011110260/07A RU2533162C2 (ru) | 2008-08-18 | 2009-08-11 | Галогенуглеводородное полимерное покрытие |
RU2014121727A RU2685692C2 (ru) | 2008-08-18 | 2014-05-28 | Печатная плата и способ ее получения |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011110260/07A RU2533162C2 (ru) | 2008-08-18 | 2009-08-11 | Галогенуглеводородное полимерное покрытие |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9055700B2 (ru) |
EP (1) | EP2327283A2 (ru) |
JP (2) | JP5645821B2 (ru) |
KR (2) | KR101574374B1 (ru) |
CN (3) | CN105744750B (ru) |
AU (1) | AU2009283992B2 (ru) |
BR (1) | BRPI0917289A8 (ru) |
CA (2) | CA2733765C (ru) |
MX (1) | MX2011001775A (ru) |
MY (1) | MY155804A (ru) |
PH (1) | PH12015500087A1 (ru) |
RU (2) | RU2533162C2 (ru) |
SG (2) | SG10201701218UA (ru) |
TW (1) | TWI459878B (ru) |
WO (1) | WO2010020753A2 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU201058U1 (ru) * | 2020-08-05 | 2020-11-25 | Общество с ограниченной ответственностью "АЕДОН" | Печатная плата с электронным компонентом |
RU2751605C1 (ru) * | 2020-09-04 | 2021-07-15 | Александр Владимирович Подувальцев | Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов |
WO2022093072A1 (ru) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 | Акционерное Общество "Модуль-Воронеж" | Активная ушная бирка для животных |
RU2812158C1 (ru) * | 2022-12-13 | 2024-01-24 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" (АО "НИИЭТ") | Способ вакуумной пайки припойных шариков на выводные площадки металлокерамических корпусов матричного типа |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0703172D0 (en) | 2007-02-19 | 2007-03-28 | Pa Knowledge Ltd | Printed circuit boards |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
EP2327283A2 (en) | 2008-08-18 | 2011-06-01 | Semblant Global Limited | Halo-hydrocarbon polymer coating |
US8995146B2 (en) | 2010-02-23 | 2015-03-31 | Semblant Limited | Electrical assembly and method |
GB201003067D0 (en) * | 2010-02-23 | 2010-04-07 | Semblant Ltd | Plasma-polymerized polymer coating |
GB201203927D0 (en) * | 2012-03-06 | 2012-04-18 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
US9204553B2 (en) | 2010-03-23 | 2015-12-01 | Lear Corporation | Method for producing a printed circuit board |
GB2485419B (en) * | 2010-11-15 | 2015-02-25 | Semblant Ltd | Method for reducing creep corrosion |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
KR20140038553A (ko) | 2011-07-21 | 2014-03-28 | 크리,인코포레이티드 | 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들 |
KR101175909B1 (ko) * | 2011-07-27 | 2012-08-22 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 인쇄회로기판 |
ITRM20110461A1 (it) * | 2011-09-07 | 2013-03-08 | Pielleitalia S R L | "materiale composito comprendente uno strato di materiale piezoelettrico polimerico accoppiato con un substrato tessile e procedimento per realizzare detto materiale composito" |
EP2786429A4 (en) * | 2011-12-01 | 2015-07-29 | Cree Inc | LIGHT EMITTING DEVICES AND COMPONENTS HAVING ENHANCED CHEMICAL RESISTANCE AND RELATED METHODS |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
JP5693515B2 (ja) * | 2012-01-10 | 2015-04-01 | エイチズィーオー・インコーポレーテッド | 内部耐水性被覆を備える電子デバイス |
JP2013143563A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Hzo Inc | 内部耐水性被覆を備える電子デバイスを組み立てるためのシステム |
EP2803125B1 (en) | 2012-01-10 | 2016-09-14 | Hzo Inc. | Methods, apparatuses and systems for monitoring for exposure of electronic devices to moisture and reacting to exposure of electronic devices to moisture |
US9146207B2 (en) | 2012-01-10 | 2015-09-29 | Hzo, Inc. | Methods, apparatuses and systems for sensing exposure of electronic devices to moisture |
US11060183B2 (en) | 2012-03-23 | 2021-07-13 | Hzo, Inc. | Apparatuses, systems and methods for applying protective coatings to electronic device assemblies |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
MX2014010489A (es) * | 2012-03-06 | 2014-11-14 | Semblant Ltd | Montaje electrico recubierto. |
JP2013201742A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Hzo Inc | ポートレス電子装置 |
US10449568B2 (en) | 2013-01-08 | 2019-10-22 | Hzo, Inc. | Masking substrates for application of protective coatings |
US9894776B2 (en) | 2013-01-08 | 2018-02-13 | Hzo, Inc. | System for refurbishing or remanufacturing an electronic device |
EP2780935A4 (en) | 2013-01-08 | 2015-11-11 | Hzo Inc | REMOVAL OF SELECTED PARTS FROM SUBSTRATE PROTECTIVE COATINGS |
DE102013207721A1 (de) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | Infineon Technologies Ag | Bondverbindung und Bondverfahren |
EP2860319A1 (de) * | 2013-10-11 | 2015-04-15 | Daw Se | Wärmedämmverbund und Wärmedämmverbundareal sowie Wandaufbau, umfassend den Wärmedämmverbund oder das Wärmedämmverbundareal, und verfahren zur herstellung von Wandaufbauten |
US9776911B2 (en) | 2013-10-28 | 2017-10-03 | Ferro Corporation | Dielectric pastes for aluminum substrates |
DE102014213944A1 (de) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrische Schaltvorrichtung für Mittel- und/oder Hochspannungsanwendungen |
CN104320920B (zh) * | 2014-10-13 | 2017-05-10 | 北京卫星制造厂 | 一种基于低内应力的电子产品涂覆方法 |
US9633930B2 (en) * | 2014-11-26 | 2017-04-25 | Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation | Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby |
JP6583669B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2019-10-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Ledモジュール |
KR20170016047A (ko) * | 2015-08-03 | 2017-02-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 플래나 스택된 반도체칩들을 포함하는 반도체 패키지 |
CN108141963B (zh) * | 2015-09-24 | 2020-11-06 | 欧洲等离子公司 | 聚合物涂层和用于沉积聚合物涂层的方法 |
DE102015221196B4 (de) * | 2015-10-29 | 2019-09-19 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bauteiles, Bauteil und Drucksensor |
US9893027B2 (en) * | 2016-04-07 | 2018-02-13 | Nxp Usa, Inc. | Pre-plated substrate for die attachment |
US20170358445A1 (en) | 2016-06-13 | 2017-12-14 | Gvd Corporation | Methods for plasma depositing polymers comprising cyclic siloxanes and related compositions and articles |
US11679412B2 (en) | 2016-06-13 | 2023-06-20 | Gvd Corporation | Methods for plasma depositing polymers comprising cyclic siloxanes and related compositions and articles |
CN106132086A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-16 | 广东小天才科技有限公司 | 一种电路板结构及电子元件焊接方法 |
GB201621177D0 (en) | 2016-12-13 | 2017-01-25 | Semblant Ltd | Protective coating |
JP2018129409A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 基材背面レーザ光照射による金属粉末低温融解に基くパターン配線回路形成方法とその形成された構造物 |
EP3649660A4 (en) | 2017-07-03 | 2021-04-21 | AVX Corporation | ASSEMBLY FORMING A SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR |
CN110730995A (zh) | 2017-07-03 | 2020-01-24 | 阿维科斯公司 | 包含纳米涂层的固体电解质电容器 |
CN107457475A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-12-12 | 南昌大学 | 金属表面耐磨涂层的涂覆装置及方法 |
CN109385174B (zh) | 2017-08-10 | 2021-04-27 | 财团法人工业技术研究院 | 底漆组成物与使用该底漆组成物的铜箔基板 |
US10172244B1 (en) | 2018-05-09 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Construction of printed circuit board having a buried via |
JP6490866B1 (ja) * | 2018-11-09 | 2019-03-27 | 株式会社インテリジェンス・ワークス | フレキシブルセンサコネクタ、及びセンサシステム |
RU2741623C1 (ru) * | 2019-10-03 | 2021-01-28 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ формирования защитного покрытия на поверхности бескорпусных элементов |
CN110972405B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-04-09 | 苏州热工研究院有限公司 | 一种核电厂核级电路板银离子电迁移的防止方法和装置 |
US11439024B2 (en) * | 2020-07-16 | 2022-09-06 | Steering Solutions Ip Holding Corporation | Method for manufacturing water resistant printed circuit board |
CN113573493B (zh) * | 2021-07-20 | 2022-08-12 | 荣耀终端有限公司 | 一种电路板、电子设备以及电路板的生产方法 |
CN116900557A (zh) * | 2023-08-30 | 2023-10-20 | 亿铖达科技(江西)有限公司 | 一种微波复合加热用纳米锡银铜焊膏及其制备方法和焊接方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US391453A (en) * | 1888-10-23 | collins | ||
US3931453A (en) * | 1974-08-23 | 1976-01-06 | Walker, Hall, Sears, Inc. | Geophone case with improved cable anchor |
RU2032286C1 (ru) * | 1991-01-28 | 1995-03-27 | Особое конструкторское бюро "Спектр" при Рязанском радиотехническом институте | Печатная плата с однотипными навесными элементами |
US20040026775A1 (en) * | 2000-10-14 | 2004-02-12 | Hans Hecht | Method for protecting electronic or micromechanical components |
US20080176096A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Yen-Hang Cheng | Solderable layer and a method for manufacturing the same |
Family Cites Families (136)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3770571A (en) | 1969-04-02 | 1973-11-06 | Richardson Co | Fabrication of printed circuit boards |
FR2048044B1 (ru) | 1969-06-30 | 1973-01-12 | Fmc Corp | |
US3649475A (en) | 1969-07-22 | 1972-03-14 | Gen Dynamics Corp | Multi-layer printed circuit boards and methods of making same |
US3737339A (en) | 1970-12-18 | 1973-06-05 | Richardson Co | Fabrication of printed circuit boards |
US3745536A (en) * | 1971-03-01 | 1973-07-10 | Burroughs Corp | High speed serial scan and read-out of keyboards |
GB1399252A (en) | 1971-05-19 | 1975-07-02 | Post Office | Electrical signal initiating keyboards |
US3931454A (en) * | 1972-10-17 | 1976-01-06 | Westinghouse Electric Corporation | Printed circuit board and method of preparing it |
JPS5219875B2 (ru) | 1974-02-07 | 1977-05-31 | ||
US4136225A (en) | 1977-07-08 | 1979-01-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Cover coatings for printed circuits |
JPS5439873A (en) | 1977-09-06 | 1979-03-27 | Nippon Denso Co | Incombustible ypet flexible printed wiring board |
US4268568A (en) | 1979-05-14 | 1981-05-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Lubricated electrical contacts |
US4508756A (en) | 1980-10-08 | 1985-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for inhibiting oxidation of a copper film on ceramic body |
US4369287A (en) | 1981-03-16 | 1983-01-18 | Motorola Inc. | Permanent fluxing agent and solder-through conformal coating |
JPS5997029A (ja) | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 絶対圧形半導体圧力センサ |
US4591659A (en) | 1983-12-22 | 1986-05-27 | Trw Inc. | Multilayer printed circuit board structure |
US4689110A (en) | 1983-12-22 | 1987-08-25 | Trw Inc. | Method of fabricating multilayer printed circuit board structure |
JPS60214941A (ja) | 1984-04-10 | 1985-10-28 | 株式会社 潤工社 | プリント基板 |
JPS60214942A (ja) | 1984-04-10 | 1985-10-28 | 株式会社 潤工社 | 圧縮変形しにくい延伸多孔質四弗化エチレン樹脂体 |
JPS60257592A (ja) | 1984-06-04 | 1985-12-19 | 松下電工株式会社 | 多層プリント配線板 |
JPS60258232A (ja) | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Matsushita Electric Works Ltd | フツ素系樹脂積層板 |
JPS61213221A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ重合膜の製法 |
US4710429A (en) | 1985-04-15 | 1987-12-01 | The Dow Chemical Company | Laminates from epoxidized phenol-hydrocarbon adducts |
JPS61243844A (ja) | 1985-04-23 | 1986-10-30 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
JPS62252016A (ja) | 1986-04-24 | 1987-11-02 | 富士ポリマテック株式会社 | 接点ゴム導通部の形成法 |
CA1312040C (en) | 1985-12-19 | 1992-12-29 | Joseph Victor Koleske | Conformal coatings cured with actinic radiation |
US4732649A (en) | 1986-06-18 | 1988-03-22 | Macdermid, Incorporated | Method for manufacture of printed circuit boards |
US4772509A (en) | 1987-04-13 | 1988-09-20 | Japan Gore-Tex, Inc. | Printed circuit board base material |
US4784901A (en) | 1987-04-13 | 1988-11-15 | Japan Gore-Tex, Inc. | Flexible printed circuit board base material |
US4755911A (en) | 1987-04-28 | 1988-07-05 | Junkosha Co., Ltd. | Multilayer printed circuit board |
US4797178A (en) | 1987-05-13 | 1989-01-10 | International Business Machines Corporation | Plasma etch enhancement with large mass inert gas |
JPH0180974U (ru) | 1987-11-20 | 1989-05-30 | ||
US6238774B1 (en) | 1988-02-04 | 2001-05-29 | Fujitsu Limited | Protection of oxide superconductor |
JPH01225539A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Junkosha Co Ltd | 積層板 |
US4975319A (en) | 1988-07-14 | 1990-12-04 | General Electric Company | Printed circuit board from fibers impregnated with epoxy resin mixture, halogenated bisphenol and polyphenylene ether |
EP0355955A3 (en) | 1988-07-25 | 1991-12-27 | Hitachi, Ltd. | Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same |
JPH02120351A (ja) | 1988-10-29 | 1990-05-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
DE3912580C2 (de) | 1989-04-17 | 1997-08-21 | F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh | Bondstempel |
US5141702A (en) | 1990-03-13 | 1992-08-25 | Olin Corporation | Method of making coated electrical connectors |
JPH07120858B2 (ja) | 1990-03-30 | 1995-12-20 | 株式会社日立製作所 | 多層プリント回路板およびその製造方法 |
JPH0465184A (ja) | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Kansai Paint Co Ltd | 電着前処理方法 |
JP2529459B2 (ja) * | 1990-10-22 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置とこれにおけるボンディング方法 |
JP2505314B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1996-06-05 | 松下電器産業株式会社 | 電子チップ部品の金属バンプ形成方法 |
EP0498258B1 (de) | 1991-02-07 | 1995-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromehrlagenverdrahtung |
JP3202271B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2001-08-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5274913A (en) | 1991-10-25 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a reworkable module |
JP3129796B2 (ja) | 1991-11-21 | 2001-01-31 | ニチモウ株式会社 | 切断方法 |
JPH05275487A (ja) | 1991-11-22 | 1993-10-22 | Sumitomo 3M Ltd | 電子部品表面保護材、その表面保護材を備えた電子部品、およびその表面保護材を使用した電子部品の電気的接続方法 |
JP3242992B2 (ja) | 1992-06-17 | 2001-12-25 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3348454B2 (ja) | 1993-02-05 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 酸化防止方法 |
JP3278494B2 (ja) | 1993-06-04 | 2002-04-30 | アクトロニクス株式会社 | 静止誘導機器巻線の加温方法 |
JP3334301B2 (ja) | 1993-11-25 | 2002-10-15 | 日本メクトロン株式会社 | フッ素樹脂基質と金属との接着剤 |
IL111497A (en) | 1993-12-08 | 2001-01-28 | Rohco Inc Mcgean | Seelan preparations are useful as adhesives |
CA2118544A1 (en) | 1993-12-30 | 1995-07-01 | Henry W. Krautter | Reliability elastomeric keypads and method for making same |
US5639989A (en) | 1994-04-19 | 1997-06-17 | Motorola Inc. | Shielded electronic component assembly and method for making the same |
US5734008A (en) | 1994-10-28 | 1998-03-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polyimide film |
DE19535068C2 (de) | 1995-09-21 | 1997-08-21 | Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh | Beschichtung zur strukturierten Erzeugung von Leiterbahnen auf der Oberfläche von elektrisch isolierenden Substraten, Verfahren zum Herstellen der Beschichtung und von strukturierten Leiterbahnen |
GB9608952D0 (en) | 1995-09-22 | 1996-07-03 | Bnfl Fluorchem Ltd | Coating compositions |
US7112265B1 (en) | 1996-02-14 | 2006-09-26 | Lifescan Scotland Limited | Disposable test strips with integrated reagent/blood separation layer |
CN1095623C (zh) * | 1996-04-18 | 2002-12-04 | 国际商业机器公司 | 用于含铜金属的复合涂料组合物 |
CA2294644C (en) | 1997-06-14 | 2009-12-22 | The Secretary Of State For Defence | Surface coatings |
JPH1112716A (ja) | 1997-06-19 | 1999-01-19 | Seiko Epson Corp | ロウ接用材料およびその製造方法 |
JPH1140907A (ja) | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | プリント配線板及び部品取り付け方法 |
US5858074A (en) | 1997-07-29 | 1999-01-12 | National Research Council Of Canada | Organic solderability preservative compositions |
JP3420492B2 (ja) * | 1998-01-23 | 2003-06-23 | 京セラ株式会社 | 半導体装置 |
JP3551007B2 (ja) | 1998-03-02 | 2004-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | ワイヤボンディング方法および装置ならびにワイヤバンプの形成方法 |
JP3974256B2 (ja) | 1998-04-22 | 2007-09-12 | 新日鐵化学株式会社 | アルカリ現像型感光性樹脂組成物 |
JPH11319635A (ja) | 1998-05-15 | 1999-11-24 | Omron Corp | 接点用有機物塗布装置及び接点用有機物塗布方法 |
GB9821267D0 (en) | 1998-10-01 | 1998-11-25 | Secr Defence | Surface coatings |
WO2000032323A2 (de) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Metallveredlung Gmbh & Co. Kg | Beschichtung aus kunststoffüberzug, verfahren sowie vorrichtung zu dessen herstellung |
US6284308B2 (en) | 1998-12-25 | 2001-09-04 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Manufacturing method of printed circuit board |
JP2000211057A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層用中間板 |
SG93210A1 (en) | 1999-06-29 | 2002-12-17 | Univ Singapore | Method for lamination of fluoropolymer to metal and printed circuit board (pcb) substrate |
JP3640337B2 (ja) | 1999-10-04 | 2005-04-20 | 信越化学工業株式会社 | 圧力センサー装置 |
IL132898A (en) | 1999-11-11 | 2009-09-01 | Nds Ltd | System for bitstream generation |
JP3451373B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2003-09-29 | オムロン株式会社 | 電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法 |
US6924008B2 (en) | 1999-12-17 | 2005-08-02 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Curable resin composition, a method for the preparation thereof, and a coated article thereof |
JP2001257437A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Denso Corp | 電子回路基板及びその製造方法 |
US6335224B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-01-01 | Sandia Corporation | Protection of microelectronic devices during packaging |
DE10026714A1 (de) | 2000-05-30 | 2001-12-13 | Hueck Folien Gmbh | Verbundfolie, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
US7465478B2 (en) | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US20020134588A1 (en) | 2000-12-18 | 2002-09-26 | Dollarhite James Michael | Hardsurfacing/hardfacing pertaining primarly to the horizontal directional drilling (HDD) industry utilizing technogenia |
JP4644945B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-03-09 | 住友ベークライト株式会社 | 半田接合用硬化性フラックス、半田接合部、半導体パッケージ及び半導体装置 |
DE10114897A1 (de) | 2001-03-26 | 2002-10-24 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil |
US6969472B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-11-29 | Lsi Logic Corporation | Method of fabricating sub-micron hemispherical and hemicylidrical structures from non-spherically shaped templates |
JP2002329741A (ja) | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Sumiden Magnet Wire Kk | 銅ボンディングワイヤー |
US6589639B2 (en) | 2001-05-23 | 2003-07-08 | International Business Machines Corporation | Hole fill composition and method for filling holes in a substrate |
US6803092B2 (en) | 2001-06-26 | 2004-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Selective deposition of circuit-protective polymers |
EP1402321A1 (en) | 2001-07-04 | 2004-03-31 | Showa Denko K.K. | Resist curable resin composition and cured article thereof |
DE10133739A1 (de) | 2001-07-11 | 2003-01-30 | Mewa Textil Service Ag & Co Man Ohg | Transportbehälter |
SG117395A1 (en) | 2001-08-29 | 2005-12-29 | Micron Technology Inc | Wire bonded microelectronic device assemblies and methods of manufacturing same |
US6500529B1 (en) | 2001-09-14 | 2002-12-31 | Tonoga, Ltd. | Low signal loss bonding ply for multilayer circuit boards |
JP4409134B2 (ja) | 2001-10-09 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | 実装システム |
TW545092B (en) | 2001-10-25 | 2003-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Prepreg and circuit board and method for manufacturing the same |
JP4075379B2 (ja) | 2002-01-08 | 2008-04-16 | 株式会社デンソー | フッ素樹脂の表面処理方法およびフッ素樹脂を用いたプリント配線基板の製造方法 |
US20030215588A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-11-20 | Yeager Gary William | Thermoset composition, method, and article |
JP4499344B2 (ja) | 2002-05-28 | 2010-07-07 | 株式会社日立製作所 | 樹脂組成物とそれを用いたプリプレグ,積層板および多層プリント回路板 |
US6776827B2 (en) | 2002-09-23 | 2004-08-17 | Syed M. Hasan | Method and solution for treating fluorocarbon surfaces |
JP2004184340A (ja) | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Dnaプローブ固定電極の製造方法 |
JP4208597B2 (ja) | 2003-02-17 | 2009-01-14 | シャープ株式会社 | 表示装置、およびこれを用いた携帯電話端末、モバイルゲーム端末、テレビ受像機、立体表示システム |
RU2233301C1 (ru) * | 2003-09-16 | 2004-07-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "Салют" | Способ нанесения покрытия на изделия |
JP2005112981A (ja) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 低誘電率樹脂組成物およびそれを用いたプリプレグ、金属張積層板、印刷配線板 |
US20050121226A1 (en) | 2003-10-21 | 2005-06-09 | Park Electrochemical Corporation | Laminates having a low dielectric constant, low disapation factor bond core and method of making same |
JP4896367B2 (ja) | 2003-10-23 | 2012-03-14 | パナソニック株式会社 | 電子部品の処理方法及び装置 |
US6923221B2 (en) | 2003-12-04 | 2005-08-02 | Gilbarco Inc. | Vapor recovery system with ORVR compensation |
JP4195365B2 (ja) | 2003-12-05 | 2008-12-10 | アルプス電気株式会社 | 難燃性及び耐湿性を有する回路基板 |
JP4551654B2 (ja) | 2003-12-09 | 2010-09-29 | 株式会社神戸製鋼所 | プリント配線基板の穴あけ加工に使用する樹脂被覆金属板 |
BRPI0511916B1 (pt) | 2004-06-10 | 2014-10-14 | Shikoku Chem | Fenilnaftilimidazóis para uso em superfícies de cobre durante soldagem |
JP4694251B2 (ja) | 2004-06-10 | 2011-06-08 | 四国化成工業株式会社 | 無鉛半田付け用の銅または銅合金の表面処理剤及びその利用 |
DE102004030388A1 (de) | 2004-06-23 | 2006-01-26 | Ormecon Gmbh | Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung |
US7673970B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-03-09 | Lexmark International, Inc. | Flexible circuit corrosion protection |
JP5010112B2 (ja) | 2004-07-26 | 2012-08-29 | 新神戸電機株式会社 | プリプレグの製造法、積層板およびプリント配線板の製造法 |
JP4843214B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2011-12-21 | 株式会社東芝 | モジュール基板およびディスク装置 |
US7985677B2 (en) | 2004-11-30 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US7579134B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-08-25 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Polyimide composite coverlays and methods and compositions relating thereto |
JP4262699B2 (ja) | 2005-06-22 | 2009-05-13 | 日本航空電子工業株式会社 | 配線基板 |
JP2007010794A (ja) | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及び感光性エレメント |
JP2007084764A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Jsr Corp | コーティング材およびその製造方法 |
JP4722669B2 (ja) | 2005-10-26 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | プラズマ洗浄装置 |
JP4438735B2 (ja) | 2005-10-31 | 2010-03-24 | 日本ピラー工業株式会社 | フッ素樹脂プリント基板 |
JP2007129039A (ja) | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | フッ素樹脂プリント基板及びその製造方法 |
US20070258722A1 (en) | 2006-05-08 | 2007-11-08 | Jin Yu | Optical receiver |
JP2007326956A (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Kaneka Corp | プリプレグ、積層板、およびこれらからなるプリント配線板 |
JP4861072B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-01-25 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置及びその製造方法 |
US7527915B2 (en) | 2006-07-19 | 2009-05-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Flame retardant multi-layer photoimagable coverlay compositions and methods relating thereto |
CN101145451B (zh) | 2006-08-29 | 2010-04-14 | 松下电器产业株式会社 | 触点开关 |
US8004860B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-08-23 | Texas Instruments Incorporated | Radiofrequency and electromagnetic interference shielding |
SG144124A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-29 | United Test & Assembly Ct Ltd | Copper wire bonding on organic solderability preservative materials |
GB0703172D0 (en) | 2007-02-19 | 2007-03-28 | Pa Knowledge Ltd | Printed circuit boards |
KR100882023B1 (ko) | 2007-05-25 | 2009-02-05 | 한국생산기술연구원 | 표면에너지 제어를 이용한 패터닝 방법 |
JP2009051876A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Three M Innovative Properties Co | コーティング組成物及びそれを使用した物品 |
US20090110884A1 (en) | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Integrated Surface Technologies | Surface Coating |
US8618420B2 (en) * | 2008-08-18 | 2013-12-31 | Semblant Global Limited | Apparatus with a wire bond and method of forming the same |
EP2327283A2 (en) | 2008-08-18 | 2011-06-01 | Semblant Global Limited | Halo-hydrocarbon polymer coating |
US8995146B2 (en) | 2010-02-23 | 2015-03-31 | Semblant Limited | Electrical assembly and method |
GB201203927D0 (en) | 2012-03-06 | 2012-04-18 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
GB2485419B (en) | 2010-11-15 | 2015-02-25 | Semblant Ltd | Method for reducing creep corrosion |
-
2009
- 2009-08-11 EP EP09784909A patent/EP2327283A2/en not_active Withdrawn
- 2009-08-11 CA CA2733765A patent/CA2733765C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-11 CA CA2957997A patent/CA2957997C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-11 CN CN201610131380.1A patent/CN105744750B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-11 BR BRPI0917289A patent/BRPI0917289A8/pt not_active Application Discontinuation
- 2009-08-11 US US13/059,602 patent/US9055700B2/en active Active
- 2009-08-11 SG SG10201701218UA patent/SG10201701218UA/en unknown
- 2009-08-11 JP JP2011523441A patent/JP5645821B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-11 RU RU2011110260/07A patent/RU2533162C2/ru active
- 2009-08-11 WO PCT/GB2009/001966 patent/WO2010020753A2/en active Application Filing
- 2009-08-11 AU AU2009283992A patent/AU2009283992B2/en not_active Ceased
- 2009-08-11 CN CN2009801355060A patent/CN102150480A/zh active Pending
- 2009-08-11 MY MYPI2011000729A patent/MY155804A/en unknown
- 2009-08-11 SG SG2013062617A patent/SG193213A1/en unknown
- 2009-08-11 CN CN201610133298.2A patent/CN105744751B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-11 KR KR1020117006208A patent/KR101574374B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-11 KR KR1020147019126A patent/KR101591619B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-11 MX MX2011001775A patent/MX2011001775A/es active IP Right Grant
- 2009-08-17 TW TW098127585A patent/TWI459878B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-05-28 RU RU2014121727A patent/RU2685692C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2014-11-04 JP JP2014224131A patent/JP5813850B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-14 PH PH12015500087A patent/PH12015500087A1/en unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US391453A (en) * | 1888-10-23 | collins | ||
US3931453A (en) * | 1974-08-23 | 1976-01-06 | Walker, Hall, Sears, Inc. | Geophone case with improved cable anchor |
RU2032286C1 (ru) * | 1991-01-28 | 1995-03-27 | Особое конструкторское бюро "Спектр" при Рязанском радиотехническом институте | Печатная плата с однотипными навесными элементами |
US20040026775A1 (en) * | 2000-10-14 | 2004-02-12 | Hans Hecht | Method for protecting electronic or micromechanical components |
US20080176096A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Yen-Hang Cheng | Solderable layer and a method for manufacturing the same |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU201058U1 (ru) * | 2020-08-05 | 2020-11-25 | Общество с ограниченной ответственностью "АЕДОН" | Печатная плата с электронным компонентом |
RU2751605C1 (ru) * | 2020-09-04 | 2021-07-15 | Александр Владимирович Подувальцев | Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов |
WO2022050873A1 (ru) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Алексей Александрович ПОДУВАЛЬЦЕВ | Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов |
WO2022093072A1 (ru) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 | Акционерное Общество "Модуль-Воронеж" | Активная ушная бирка для животных |
RU2812158C1 (ru) * | 2022-12-13 | 2024-01-24 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" (АО "НИИЭТ") | Способ вакуумной пайки припойных шариков на выводные площадки металлокерамических корпусов матричного типа |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2685692C2 (ru) | Печатная плата и способ ее получения | |
US8618420B2 (en) | Apparatus with a wire bond and method of forming the same | |
TWI462671B (zh) | 印刷電路電板 | |
GB2462824A (en) | Printed circuit board encapsulation | |
AU2014202320B2 (en) | Halo-hydrocarbon polymer coating | |
GB2462823A (en) | A switch | |
GB2462822A (en) | Wire bonding |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200812 |