JPS5997029A - 絶対圧形半導体圧力センサ - Google Patents
絶対圧形半導体圧力センサInfo
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- JPS5997029A JPS5997029A JP57206091A JP20609182A JPS5997029A JP S5997029 A JPS5997029 A JP S5997029A JP 57206091 A JP57206091 A JP 57206091A JP 20609182 A JP20609182 A JP 20609182A JP S5997029 A JPS5997029 A JP S5997029A
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- Japan
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- pressure sensor
- type semiconductor
- chip
- electrode
- silicon gel
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサに係シ、特に絶対圧測定に好
適な半導体圧力センサに関する。
適な半導体圧力センサに関する。
一般に自動車においては、エンジンを最適燃焼させるた
めに吸入マニホルドや大気の圧力を絶対圧で検出するこ
とが要求される。この圧力測定にあたっては、被測定ガ
スをゲージチップの表面に導入して行うため、ゲージチ
ップのAt電極が電食により腐食するという問題があっ
た。
めに吸入マニホルドや大気の圧力を絶対圧で検出するこ
とが要求される。この圧力測定にあたっては、被測定ガ
スをゲージチップの表面に導入して行うため、ゲージチ
ップのAt電極が電食により腐食するという問題があっ
た。
そこで従来の絶対圧形半導体圧力センサは、第1図及び
第2図に示す如くゲージチップの上に耐湿性向上のため
シリコンゲルがコーティングされている。すなわち、図
において、ガラスダイ3とゲージチップ4と真空中にお
いて接合がなされる。
第2図に示す如くゲージチップの上に耐湿性向上のため
シリコンゲルがコーティングされている。すなわち、図
において、ガラスダイ3とゲージチップ4と真空中にお
いて接合がなされる。
これをガラスウケ1にシリコン接着剤5で接着固定後、
リードフレーム9を有するケーシング2を組み付ける。
リードフレーム9を有するケーシング2を組み付ける。
その後金ワイヤ6によ多、チップAt電極11とリード
フレーム9間をワイヤポンディングで接続し、電気信号
を引出す。その後シリコンゲル7をコーティングする。
フレーム9間をワイヤポンディングで接続し、電気信号
を引出す。その後シリコンゲル7をコーティングする。
本構造に2いて、被測定ガスはボート8から導入され、
ゲージチップ表面に達して、真空基準室10の圧力と比
較し、絶対圧を測定する。
ゲージチップ表面に達して、真空基準室10の圧力と比
較し、絶対圧を測定する。
ここで自動車のエンジンルーム内等に装着される場合は
、前記ボートから水が入る場合があり最悪の状態では、
水が浸漬して通電される。
、前記ボートから水が入る場合があり最悪の状態では、
水が浸漬して通電される。
従来の構造では、ボートに水道水等を充満したいわゆる
「ドブ漬け」で通電すると、2〜10時間でe側にあた
るゲージA7電極が電食によシ腐食することが、実験に
よって確めらnた。この腐食は、シリコンゲルと金ワイ
ヤの境界を、金ワイヤに沿って水が浸入することによシ
起こる。この腐食のメカニズムは、次のようになる。
「ドブ漬け」で通電すると、2〜10時間でe側にあた
るゲージA7電極が電食によシ腐食することが、実験に
よって確めらnた。この腐食は、シリコンゲルと金ワイ
ヤの境界を、金ワイヤに沿って水が浸入することによシ
起こる。この腐食のメカニズムは、次のようになる。
陽極(供給側■)
2H20→02+4H”+4e’″ +1
)AA+3 H2O→Al (OH) s +3 H”
+36− (2)陰極(グランド側e) 02+ 2H20+ 4’e−→40H−(3)2H”
+26’″”Hz (43すなわ
ち(3)式によって陰極周囲に水酸基のラジカル(OH
−)が生成され、その結果pHが増大する。そしてこの
OH’″が金ワイヤ6とシリコンゲル7の境界を侵入し
、At電極11の接続パッドの溶融を引き起こす。なお
1oは真空基準室である。
)AA+3 H2O→Al (OH) s +3 H”
+36− (2)陰極(グランド側e) 02+ 2H20+ 4’e−→40H−(3)2H”
+26’″”Hz (43すなわ
ち(3)式によって陰極周囲に水酸基のラジカル(OH
−)が生成され、その結果pHが増大する。そしてこの
OH’″が金ワイヤ6とシリコンゲル7の境界を侵入し
、At電極11の接続パッドの溶融を引き起こす。なお
1oは真空基準室である。
このように、従来の絶対圧形半導体圧力センサは、信号
引出し用のワイヤボンディング線(A u線φ30μm
)と前記シリコンゲルとの界面より、水が浸入し、(へ
)側のAt’磁極が腐食するという欠点を有していた。
引出し用のワイヤボンディング線(A u線φ30μm
)と前記シリコンゲルとの界面より、水が浸入し、(へ
)側のAt’磁極が腐食するという欠点を有していた。
本発明の目的はゲージチップ表面への水分浸入を防ぎ耐
食性を向上することのできる絶対圧形半導体圧力センサ
を提供することにある。
食性を向上することのできる絶対圧形半導体圧力センサ
を提供することにある。
本発明は、フッ素を含む有機溶液のコーティングをする
ことによってゲージチップ表面に薄膜を形成し、水分の
ゲージチップ表面への浸入全防ぎ耐食性を太幅に向上し
ようというものである。すなわち、フッ素を含む有機溶
液として例えばフロロカーボン溶液を用い、また、シリ
コンゲルの密着性を考慮し、このフロロカーボン溶液に
シラノールを混合して処理液を作シ、この処理液にゲー
ジをディップ、乾燥5加熱(130[〜2001し薄膜
を形成することによシ耐食性を向上しようというもので
ある。
ことによってゲージチップ表面に薄膜を形成し、水分の
ゲージチップ表面への浸入全防ぎ耐食性を太幅に向上し
ようというものである。すなわち、フッ素を含む有機溶
液として例えばフロロカーボン溶液を用い、また、シリ
コンゲルの密着性を考慮し、このフロロカーボン溶液に
シラノールを混合して処理液を作シ、この処理液にゲー
ジをディップ、乾燥5加熱(130[〜2001し薄膜
を形成することによシ耐食性を向上しようというもので
ある。
以下、本発明の実施例について説明する。
第3図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、第2図図示従来例と異なる点は、シリコン
ゲル7の表面にフロロカーボンI[21d!形成されて
いる点である。このンロロカーボン膜21の形成は次の
如くである。
ゲル7の表面にフロロカーボンI[21d!形成されて
いる点である。このンロロカーボン膜21の形成は次の
如くである。
マス、70ロカーボン溶液、例えばフロロアルキルシラ
ン溶液CIIF+? (CH3)28 ’(OCH3)
2CH3にシリコンゲルとの接着性を高め信頼性を向上
させるためにシラノール液全混合(混合比は、着膜性発
水性から最適には、シラノール1に対して70口カーボ
ン溶液15前後であるンした処理液を調合する。この調
合液に第1図に示す構造において、ボートsi*Mする
前の状態で1分以上ディップ後、100C前後で30分
乾燥し、その後、130C〜200C(最適には160
C前後)で30分の熱処理を行なう。これら一連の処理
によってシリコンゲル7の上に800人〜1000人程
度の薄い70ロカーボン膜21が形成される。このコー
テイング膜は08F+7という化学式で表わされるもの
でおる。一般にCnF、!+、となシフ0ロカーボン処
理液として有効なのはn=4〜12である。
ン溶液CIIF+? (CH3)28 ’(OCH3)
2CH3にシリコンゲルとの接着性を高め信頼性を向上
させるためにシラノール液全混合(混合比は、着膜性発
水性から最適には、シラノール1に対して70口カーボ
ン溶液15前後であるンした処理液を調合する。この調
合液に第1図に示す構造において、ボートsi*Mする
前の状態で1分以上ディップ後、100C前後で30分
乾燥し、その後、130C〜200C(最適には160
C前後)で30分の熱処理を行なう。これら一連の処理
によってシリコンゲル7の上に800人〜1000人程
度の薄い70ロカーボン膜21が形成される。このコー
テイング膜は08F+7という化学式で表わされるもの
でおる。一般にCnF、!+、となシフ0ロカーボン処
理液として有効なのはn=4〜12である。
この70ロカーボン膜の元素はオージェ電子分光法によ
ると、カーボンとフッ素が含まnていることが確認され
た。
ると、カーボンとフッ素が含まnていることが確認され
た。
な2、本実施例によって、水道水に浸漬した通電テスト
をした所、100時間後においても、At電極の腐食は
なく、充分耐食効果が認められた。これは、金ワイヤ6
とシリコンゲル7との境界部にも70ロカーボン膜が形
成され、水酸基ラジカル(OH−)の侵入を防いでいる
ことによる。
をした所、100時間後においても、At電極の腐食は
なく、充分耐食効果が認められた。これは、金ワイヤ6
とシリコンゲル7との境界部にも70ロカーボン膜が形
成され、水酸基ラジカル(OH−)の侵入を防いでいる
ことによる。
本実施例において、フロロカーボン溶液としてフロロア
ルキル7ラン溶液を用いたが、四フッ化エチレン溶液を
用いても同様の効果を得ることができる。
ルキル7ラン溶液を用いたが、四フッ化エチレン溶液を
用いても同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、ゲージチップ表
面への水分の浸入を防ぎ耐食性を同上することができる
。
面への水分の浸入を防ぎ耐食性を同上することができる
。
第1図は従来の絶対圧形半導体圧力センサの全体構成図
、第2図は第1図図示従来例の半導体ゲージ部の拡大図
、第3図は本発明の実施例を示す図である。 4・・・ゲージチップ、6・・・金ワイヤ、7・・・シ
リコンゲル、9・・・リードフレーム、10・・・真空
基準室、第 / 凹
、第2図は第1図図示従来例の半導体ゲージ部の拡大図
、第3図は本発明の実施例を示す図である。 4・・・ゲージチップ、6・・・金ワイヤ、7・・・シ
リコンゲル、9・・・リードフレーム、10・・・真空
基準室、第 / 凹
Claims (1)
- 1、圧力を絶対圧で測定する半導体圧力センサにおいて
、感圧部を有し信号引出しのための電極が設けられてい
るゲージチップの表面にフッ素を含む薄膜を形成したこ
とを特徴とする絶対圧形半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57206091A JPS5997029A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57206091A JPS5997029A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5997029A true JPS5997029A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16517658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57206091A Pending JPS5997029A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5997029A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01140037A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | 半導体歪ゲージ式圧力センサ |
EP0360286A2 (en) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Terumo Kabushiki Kaisha | Disposable pressure transducer |
FR2667395A1 (fr) * | 1990-09-28 | 1992-04-03 | Jaeger | Dispositif de mesure de la pression d'admission du melange air/carburant dans un moteur de vehicule automobile. |
FR2686692A1 (fr) * | 1992-01-28 | 1993-07-30 | Jaeger | Capteur de pression a base de semi-conducteur et procede de fabrication. |
FR2800464A1 (fr) * | 1999-11-02 | 2001-05-04 | Denso Corp | Dispositif de detection de pression et corps du papillon des gaz de moteurs |
WO2005075953A1 (de) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Robert Bosch Gmbh | Korrosionsschutz für drucksensoren |
GB2462822B (en) * | 2008-08-18 | 2011-11-02 | Crombie 123 Ltd | Wire bonding |
US8618420B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-12-31 | Semblant Global Limited | Apparatus with a wire bond and method of forming the same |
US8995146B2 (en) | 2010-02-23 | 2015-03-31 | Semblant Limited | Electrical assembly and method |
US9055700B2 (en) | 2008-08-18 | 2015-06-09 | Semblant Limited | Apparatus with a multi-layer coating and method of forming the same |
US9648720B2 (en) | 2007-02-19 | 2017-05-09 | Semblant Global Limited | Method for manufacturing printed circuit boards |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP57206091A patent/JPS5997029A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01140037A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | 半導体歪ゲージ式圧力センサ |
EP0360286A2 (en) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Terumo Kabushiki Kaisha | Disposable pressure transducer |
US5097841A (en) * | 1988-09-22 | 1992-03-24 | Terumo Kabushiki Kaisha | Disposable pressure transducer and disposable pressure transducer apparatus |
FR2667395A1 (fr) * | 1990-09-28 | 1992-04-03 | Jaeger | Dispositif de mesure de la pression d'admission du melange air/carburant dans un moteur de vehicule automobile. |
FR2686692A1 (fr) * | 1992-01-28 | 1993-07-30 | Jaeger | Capteur de pression a base de semi-conducteur et procede de fabrication. |
FR2800464A1 (fr) * | 1999-11-02 | 2001-05-04 | Denso Corp | Dispositif de detection de pression et corps du papillon des gaz de moteurs |
WO2005075953A1 (de) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Robert Bosch Gmbh | Korrosionsschutz für drucksensoren |
US9648720B2 (en) | 2007-02-19 | 2017-05-09 | Semblant Global Limited | Method for manufacturing printed circuit boards |
GB2462822B (en) * | 2008-08-18 | 2011-11-02 | Crombie 123 Ltd | Wire bonding |
US8618420B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-12-31 | Semblant Global Limited | Apparatus with a wire bond and method of forming the same |
US9055700B2 (en) | 2008-08-18 | 2015-06-09 | Semblant Limited | Apparatus with a multi-layer coating and method of forming the same |
US8995146B2 (en) | 2010-02-23 | 2015-03-31 | Semblant Limited | Electrical assembly and method |
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