JP2505314B2 - 電子チップ部品の金属バンプ形成方法 - Google Patents
電子チップ部品の金属バンプ形成方法Info
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- chip component
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/85395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子チップ部品の金属
バンプ形成方法に関するものである。
バンプ形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子チップ部品の表面には、電子チップ
部品と外部との電気的接続を得るための電極部が形成さ
れている。図4に示すように、従来は電子チップ部品22
に耐湿性を付与するために、前記電子チップ部品22の表
面及び電極部21の周縁部分を二酸化ケイ素や四窒化ケイ
素などからなるパッシベーション膜23で被覆していた。
部品と外部との電気的接続を得るための電極部が形成さ
れている。図4に示すように、従来は電子チップ部品22
に耐湿性を付与するために、前記電子チップ部品22の表
面及び電極部21の周縁部分を二酸化ケイ素や四窒化ケイ
素などからなるパッシベーション膜23で被覆していた。
【0003】この電子チップ部品の前記電極部21の中央
部は、電気的接続を良好にするためにパッシベーション
膜23で被覆せず、露出した状態であり、ここに金属バン
プを形成する場合には、ボンディングツールを用いて先
端部を球状にした金属線を、前記電極部の露出部に圧着
していた。
部は、電気的接続を良好にするためにパッシベーション
膜23で被覆せず、露出した状態であり、ここに金属バン
プを形成する場合には、ボンディングツールを用いて先
端部を球状にした金属線を、前記電極部の露出部に圧着
していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、パッシベーシ
ョン膜23で被覆していない電極部21の中央部が露出して
いるため、電極部21と外気が接触することになり、電極
部21が酸化されやすいという問題があった。
ョン膜23で被覆していない電極部21の中央部が露出して
いるため、電極部21と外気が接触することになり、電極
部21が酸化されやすいという問題があった。
【0005】又前記パッシベーション膜23にはピンホー
ル24が生じる場合があり、このピンホール24から外気が
入り込むため、ウェハー22の耐湿性が不十分であるとい
う問題もあった。
ル24が生じる場合があり、このピンホール24から外気が
入り込むため、ウェハー22の耐湿性が不十分であるとい
う問題もあった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、電子チップ部品としてその表面に形成され
た電極部及びパッシベーション膜を有機保護膜で被覆し
たものを用い、有機保護膜で被覆された電子チップ部品
の電極部に対応する部分の有機保護膜を、先端部を球状
にした金属線をボンディングツールによって押圧し、前
記部分の有機保護膜を破壊して前記金属線を前記電極部
に圧着し、金属バンプの形成を行うことを特徴とする。
決するため、電子チップ部品としてその表面に形成され
た電極部及びパッシベーション膜を有機保護膜で被覆し
たものを用い、有機保護膜で被覆された電子チップ部品
の電極部に対応する部分の有機保護膜を、先端部を球状
にした金属線をボンディングツールによって押圧し、前
記部分の有機保護膜を破壊して前記金属線を前記電極部
に圧着し、金属バンプの形成を行うことを特徴とする。
【0007】
【作用】有機保護膜は、電子チップ部品表面を完全に外
気から遮断して電極部が酸化するのを防止し、又パッシ
ベーション膜に生じたピンホールを埋めるので、前記ピ
ンホールから湿気が侵入することを防止する。又電子チ
ップ部品の電極部に対応する部分の有機保護膜を、先端
部を球状にした金属線をボンディングツールによって押
圧することによって破壊し、金属線を圧着することがで
きるので、電極部に金属バンプの形成を行うのが容易で
ある。
気から遮断して電極部が酸化するのを防止し、又パッシ
ベーション膜に生じたピンホールを埋めるので、前記ピ
ンホールから湿気が侵入することを防止する。又電子チ
ップ部品の電極部に対応する部分の有機保護膜を、先端
部を球状にした金属線をボンディングツールによって押
圧することによって破壊し、金属線を圧着することがで
きるので、電極部に金属バンプの形成を行うのが容易で
ある。
【0008】
【実施例】図1において、ウェハー1上にはアルミニウ
ム電極部2が形成されており、前記電極部2の中央部を
除いたウェハー1の表面は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ
等からなる厚さ0.8 〜1.3 μmのパッシベーション膜3
で被覆され、保護されている。前記パッシベーション膜
3を形成後、スピンコートによってポリイミド溶液を前
記ウェハー1表面全体に均一に延ばし、電極部2の露出
部分及びパッシベーション膜3を覆った後、100 〜150
℃で1〜3時間加熱してポリイミド溶液を硬化させる。
前記ポリイミド溶液は、パッシベーション膜3のピンホ
ール5にも流入してこれを埋め、有機保護膜4はウェハ
ー1の表面全体を覆って形成されるので、電極部2及び
ウェハー1は完全に外気から遮断される。
ム電極部2が形成されており、前記電極部2の中央部を
除いたウェハー1の表面は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ
等からなる厚さ0.8 〜1.3 μmのパッシベーション膜3
で被覆され、保護されている。前記パッシベーション膜
3を形成後、スピンコートによってポリイミド溶液を前
記ウェハー1表面全体に均一に延ばし、電極部2の露出
部分及びパッシベーション膜3を覆った後、100 〜150
℃で1〜3時間加熱してポリイミド溶液を硬化させる。
前記ポリイミド溶液は、パッシベーション膜3のピンホ
ール5にも流入してこれを埋め、有機保護膜4はウェハ
ー1の表面全体を覆って形成されるので、電極部2及び
ウェハー1は完全に外気から遮断される。
【0009】尚有機保護膜4の素材は、前記ポリイミド
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が良好な熱硬化性有
機物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法
及びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が良好な熱硬化性有
機物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法
及びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
【0010】図2及び図3は、上記のように有機保護膜
4で被覆されたウェハー1をダイシングして分割形成さ
れた電子チップ部品12に、金属バンプを形成する工程を
示している。
4で被覆されたウェハー1をダイシングして分割形成さ
れた電子チップ部品12に、金属バンプを形成する工程を
示している。
【0011】図2において、電気スパークによって先端
部にボール8を形成した金線7を、キャピラリー(ボン
ディングツール)6によって電子チップ部品12の電極部
2上に配置する。次いでキャピラリー6を下降して加圧
し前記ボール8が押し付けると、有機保護膜4の電極部
2を被覆する部分のみが破壊され、前記ボール8がキャ
ピラリー6の縁で押しつぶされて電極部2に圧着接合す
る。このとき有機保護膜4を破壊するために更に必要に
応じて超音波の付加又は150 〜300 ℃に加熱を行う。
部にボール8を形成した金線7を、キャピラリー(ボン
ディングツール)6によって電子チップ部品12の電極部
2上に配置する。次いでキャピラリー6を下降して加圧
し前記ボール8が押し付けると、有機保護膜4の電極部
2を被覆する部分のみが破壊され、前記ボール8がキャ
ピラリー6の縁で押しつぶされて電極部2に圧着接合す
る。このとき有機保護膜4を破壊するために更に必要に
応じて超音波の付加又は150 〜300 ℃に加熱を行う。
【0012】ボール8を電極部2に圧着した後、キャピ
ラリー6を移動して金線7を引っ張り、金線7をボール
8から切断し、図3に示すように電極部2上に金属バン
プ8を形成する。
ラリー6を移動して金線7を引っ張り、金線7をボール
8から切断し、図3に示すように電極部2上に金属バン
プ8を形成する。
【0013】有機保護膜4の機械的強度は、上記のよう
に金線7のボール8の加圧に耐える程強靱でないので、
金属バンプ8を形成するのが容易である。このとき有機
保護膜4は、電極部2のバンプ形成部位を被覆する部分
だけを容易に破壊し、この部位以外の電子チップ部品12
表面は有機保護膜4で被覆された状態を保持することが
できるので大変好適である。よって電極部2の耐酸化性
及び電子チップ部品の耐湿性が向上した信頼性の高い製
品を生産することができる。
に金線7のボール8の加圧に耐える程強靱でないので、
金属バンプ8を形成するのが容易である。このとき有機
保護膜4は、電極部2のバンプ形成部位を被覆する部分
だけを容易に破壊し、この部位以外の電子チップ部品12
表面は有機保護膜4で被覆された状態を保持することが
できるので大変好適である。よって電極部2の耐酸化性
及び電子チップ部品の耐湿性が向上した信頼性の高い製
品を生産することができる。
【0014】
【発明の効果】本発明は上記のような構成を有するの
で、電子チップ部品の電極部の耐湿性及び耐酸化性を向
上させることができるにもかかわらず、金属バンプの形
成を容易に行うことができる。
で、電子チップ部品の電極部の耐湿性及び耐酸化性を向
上させることができるにもかかわらず、金属バンプの形
成を容易に行うことができる。
【図1】本発明の電子チップ部品形成前のウェハーの要
部の断面図である。
部の断面図である。
【図2】電子チップ部品の金属バンプ形成時の要部の断
面図である。
面図である。
【図3】金属バンプを形成した電子チップ部品の要部の
断面図である。
断面図である。
【図4】従来の電子チップ部品の断面図である。
2 電極部 3 パッシベーション膜 4 有機保護膜 6 ボンディングツール 7 金線 8 ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋口 尚士 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−158539(JP,A) 特開 昭49−11469(JP,A) 特開 昭61−89642(JP,A) 特開 平1−205551(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】 電極部及びパッシベーション膜を有機保
護膜で被覆した電子チップ部品の電極対応箇所に、先端
部を球状にした金属線をボンディングツールによって押
圧し、有機保護膜を部分的に破壊して電極部上に金属バ
ンプを形成することを特徴とする電子チップ部品の金属
バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005441A JP2505314B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の金属バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005441A JP2505314B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の金属バンプ形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04237133A JPH04237133A (ja) | 1992-08-25 |
JP2505314B2 true JP2505314B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=11611288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3005441A Expired - Lifetime JP2505314B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の金属バンプ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2505314B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2595901B2 (ja) * | 1994-06-27 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | バンプ形成方法 |
EP2327283A2 (en) * | 2008-08-18 | 2011-06-01 | Semblant Global Limited | Halo-hydrocarbon polymer coating |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2529459B2 (ja) * | 1990-10-22 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置とこれにおけるボンディング方法 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3005441A patent/JP2505314B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04237133A (ja) | 1992-08-25 |
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